CH634158A5 - Radition-sensitive resist composition - Google Patents

Radition-sensitive resist composition Download PDF

Info

Publication number
CH634158A5
CH634158A5 CH442078A CH442078A CH634158A5 CH 634158 A5 CH634158 A5 CH 634158A5 CH 442078 A CH442078 A CH 442078A CH 442078 A CH442078 A CH 442078A CH 634158 A5 CH634158 A5 CH 634158A5
Authority
CH
Switzerland
Prior art keywords
radiation
compound
pbw
acid
sensitive
Prior art date
Application number
CH442078A
Other languages
English (en)
Inventor
Gerhard Buhr
Original Assignee
Hoechst Ag
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hoechst Ag filed Critical Hoechst Ag
Publication of CH634158A5 publication Critical patent/CH634158A5/de

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/0045Photosensitive materials with organic non-macromolecular light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. dissolution inhibitors
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C07ORGANIC CHEMISTRY
    • C07DHETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D251/00Heterocyclic compounds containing 1,3,5-triazine rings
    • C07D251/02Heterocyclic compounds containing 1,3,5-triazine rings not condensed with other rings
    • C07D251/12Heterocyclic compounds containing 1,3,5-triazine rings not condensed with other rings having three double bonds between ring members or between ring members and non-ring members
    • C07D251/14Heterocyclic compounds containing 1,3,5-triazine rings not condensed with other rings having three double bonds between ring members or between ring members and non-ring members with hydrogen or carbon atoms directly attached to at least one ring carbon atom
    • C07D251/24Heterocyclic compounds containing 1,3,5-triazine rings not condensed with other rings having three double bonds between ring members or between ring members and non-ring members with hydrogen or carbon atoms directly attached to at least one ring carbon atom to three ring carbon atoms
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/027Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
    • G03F7/028Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds with photosensitivity-increasing substances, e.g. photoinitiators
    • G03F7/029Inorganic compounds; Onium compounds; Organic compounds having hetero atoms other than oxygen, nitrogen or sulfur
    • G03F7/0295Photolytic halogen compounds

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Polymerisation Methods In General (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)
  • Non-Silver Salt Photosensitive Materials And Non-Silver Salt Photography (AREA)
  • Plural Heterocyclic Compounds (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)

Description

Aufgabe der Erfindung war es, leicht herstellbare, gegen aktinische Strahlung empfindliche Organohalogenverbindun-gen mit guter Empfindlichkeit im ultravioletten und kurzwelli-25 gen sichtbaren Spektralbereich zur Verwendung in strahlungsempfindlichen Massen bereitzustellen.
Gegenstand der Erfindung ist eine strahlungsempfindliche Masse, die als strahlungsempfindliche Verbindung ein s-Triazin der Formel I
30
n 3-n
Die Erfindung betrifft strahlungsempfindliche Massen, insbesondere Kopiermassen, die lichtempfindliche Organohalo-genverbindungen enthalten, deren Zersetzung unter dem Ein-fluss aktinischer Strahlung chemische und physikalische Veränderungen der Masse oder einer mehrerer ihrer Inhaltsstoffe hervorruft.
Strahlungsempfindliche Organohalogenverbindungen werden in der Technik eingesetzt, um einerseits die bei Einwirkung von Strahlung entstehenden Radikale zur Auslösung von Polymerisationsreaktionen oder farblichen Veränderungen auszunutzen oder andererseits durch die freigesetzte Säure Folgereaktionen zu bewirken.
Die bisher bekannten Organohalogenverbindungen können den unterschiedlichsten chemischen Verbindungsklassen angehören.
CH X, m m 3-m enthält, worin X Brom oder Chlor und m und n Zahlen von 0 bis 3 bedeuten, wobei m + n nicht grösser als 5 ist.
4o Die erfindungsgemässe Masse ist dadurch gekennzeichnet, dass in dieser Verbindung R einen gegebenenfalls substituierten zwei- oder dreikernigen aromatischen oder heterocyclischen aromatischen, über ein ungesättigtes Ring-C-Atom gebundenen gegebenenfalls partiell hydrierten Rest bedeutet. 45 Der Rest R ist vorzugswseise über ein aromatisches C-Atom gebunden.
Als aktinische Strahlung soll im Rahmen dieser Beschreibung jede Strahlung verstanden werden, deren Energie mindestens der des kurzwelligen sichtbaren Lichts entspricht. Geeig-50 net ist insbesondere langwellige UV-Strahlung, aber auch Elektronen- und Laserstrahlung und dergleichen.
In der oben angegebenen allgemeinen Formel I haben die Symbole vorzugsweise die folgende Bedeutung: R ist ein zwei-oder dreikerniger kondensierter Arylrest oder ein entsprechen-55 der heterocyclischer aromatischer Rest mit O, S oder N als Heteroatomen und kann partiell hydriert sein. Er kann ebenfalls ein Diphenylylrest sein. Die Kerne des Restes R können einen oder mehrere Substituenten tragen. X ist vorzugsweise Chlor, n und m sind vorzugsweise 0.
60 Beispiele für geeignete zwei- und dreikernige aromatische Reste sind: Naphthalin, Antracen, Phenanthren, Chinolin, Iso-chinolin, Benzofuran, Benzopyran, Dibenzofuran, Benzothio-phen, Dibenzothiophen, Acenaphthen, Benzoxazol, Fluoren, Tetrahydrophenanthren und Dihydrophenalen, besonders 6? bevorzugt Naphthalin.
Als Substituenten sind z.B. zu nennen: Halogen, besonders Chlor und Brom, niedere, gegebenenfalls substituierte Alkylre-ste mit vorzugsweise 1-3 C-Atomen, gegebenenfalls substitu-
ierte Arylreste, Nitro-, Sulfonyl-, Alkylmercapto-, Phenylmer-capto-, Acyl-, Aryloxy-, Hydroxy- und vorzugsweise Alkoxyre-ste, besonders bevorzugt (Ci-Cs)-Alkoxyreste, die wiederum durch Halogen, Phenyl oder Phenoxy substituiert und in denen einzelne Methylengruppen durch O- oder S-Brücken ersetzt sein können, sowie Phenoxy-, Cycloalkoxy- und Alkenyloxyre-ste.
Besonders bevorzugt werden s-Triazine der Formel I, in denen R einen Rest der Formel II
R
2
in der Ri Wasserstoff oder -OR3, bevorzugt -OR3, R2 H, Cl, Br, einen niederen Alkyl-, Alkenyl-, Aryl-, einen gegebenenfalls substituierten (Ci-GO-Alkoxyrest, besonders bevorzugt Wasserstoff, einen (Ci-C3)-Alkyl- oder (Ci-C3)-Alkoxyrest und R3 einen (Ci-Cs)-AIkylrest, der durch Halogen, vorzugsweise Chlor oder Brom, Aryl- oder Aryloxyreste substituiert sein kann und in dem einzelne Methylengruppen durch O- oder S-Brücken ersetzt sein können, einen Cycloalkyl-, Alkenyl- oder Arylrest, insbesondere einen (Ci-GO-Alkyl- oder Alkoxyalkylrest oder Ri und Ri gemeinsam einen Alkylenrest bedeuten, der vorzugsweise mit dem Naphthalinkern unter Ausbildung eines 5- oder 6gliedrigen Rings verknüpft ist; X ein Cl-Atom und n = m = 0 ist.
Bevorzugt werden auch Verbindungen, in denen der s-Tria-zinylrest und ein Alkoxyrest in 1.4- oder 2.6-Stellung des Naphthalinkerns der Formel II angeordnet sind.
Da durch die Kohlenstoffzahl der Alkoxygruppen die photochemische Aktivität der Initiatoren nur unwesentlich beein-flusst wird, ist die Beschränkung auf acht C-Atome in -OR3 nicht als starre Grenze zu betrachten, sondern kann gegebenenfalls durchbrochen werden, beispielsweise mit Nonyloxy-, Dodecyloxy- oder Octadecylresten.
Im einzelnen seien als besonders geeignete Organohalogenverbindungen angeführt: 2-(Naphth-l-yl)4.6-bis-trichlorme-thyl-s-triazin,2-(4-Methoxy-naphth-l-yl)4.6-bis-trichlormethyl-s-triazin,2-(4-Äthoxy-naphth-l-yl)-4.6-bis-trichlormethyl-s-triazin, 2-(4-Butoxy-naphth-l-yl)4.6-bis-trichlormethyl-s-triazin, 2-[4-(2-Methoxyäthyl)-naphth-l-yl]-4-6-bis-trichlormethyl-s-triazin, 2-[4-(2-Äthoxyäthyl)-naphth-l-yl]-4.6-bis-trichlormethyl-s-triazin, 2-[4-(2-Butoxyäthyl)-naphth-l-yl]-4.6-bis-trichIormethyl-s-triazm, 2-(2-Methoxy-naphth-l-yl)-4.6-bis-trichlormethyl-s-triazin,2-(6-Methoxy-5-methyl-naphth-2-yl)4.6-bis-trichlormethyl-s-triazin, 2<6-Methoxy-naphth-2-yl)-4.6-bis-trichlormethyl-s-triazin, 2-(5-Methoxy-naphth-l-yl)-4.6-bis-trichlormethyl-s-triazin, 2-(4.7-Dimethoxy-naphth-l-yl)4.6-bis-trichIormethyI-s-triazin,2-(6-Äthoxy-naphth-2-yl)-4.6-bis-trichlormethyl-s-triazin, 2-(4.5-Dimethoxy-naphth-l-yl>4-6-bis-trichlormethyl-s-triazinund 2-(Acenaphth-5-yl-)4.6-bis-trichlormethyl-s-triazin sowie auch -mit etwas abgeschwächter Aktivität - 2-(Naphth-2-yl)4.6-bis-trichlormethyl-s-triazin.
Gut geeignete Halogenverbindungen aus nicht mit der Formel II zu beschreibenden Gruppen sind noch: 2-(Phenanthr-9-yl)-, 2-{Dibenzothien-2-yl)-, 2-(Benzopyran-3-yl)- sowie die 2-(4-Alkoxyanthrac-l-yl)4.6-bis-trichlormethyl-s-triazine. Die Adsorption der letztgenannten Verbindungsklasse reicht über 500 nm hinaus.
Die Aryl-halogenmethyl-triazine der Erfindung werden in einfachster Weise durch Co-trimerisation der Arylcarbonsäu-renitrile mit Halogenacetonitrilen in Gegenwart von Chlorwasserstoff und Friedel-Crafts-Katalysatoren wie AlCh, AlBn,
TiCL» und Bortrifluorid-ätherat analog dem in Bull. Chem. Soc.
634158
Jap. 42,2924 (1969) beschriebenen Vorgehen dargestellt. Andere Synthesemöglichkeiten bestehen in der Umsetzung von Arylamidinen mit Polychloraza-alkenen entsprechend der in Angew. Chem. 78,982 (1966) veröffentlichten Methode oder beispielsweise in der Reaktion von Carbonsäure-chloriden oder -anhydriden mit n-(Iminoacyl)-trichloroacetamidinen, durch die auch 2-Aryl4-methyl-6-trichlormethyl-s-triazine glatt zugänglich sind, wie es in der englischen Patentschrift 912112 beschrieben ist.
Methoden zur nachträglichen Chlorierung und Bromierung von Alkyl-substituenten in s-Triazinen zu Halogenalkyl-s-triazi-nen, Austauschreaktionen zum Ersatz von Bromatomen in Tri-brommethylgruppen durch Wasserstoff und von Trihalogen-methylgruppen in s-Triazinen gegen Amino- und Alkoxyreste finden sich in J. org. Chem. 29,1527 (1964). Die zur Co-trimerisation eingesetzten Nitrile sind z.T. Handelsprodukte oder können in einfacher Weise synthetisiert werden, z.B. durch Dehy-dratisierung von Carbonsäureamiden oder Oximen oder durch Umsetzung von Bromaromaten mit Kupfer-I-cyanid.
Sehr vorteilhaft ist häufig die Umsetzung von Carbonsäuren oder aktivierten Aromaten mit Chlorsulfonylisocyanat (CSI) und nachfolgend mit Dimethylformamid in einem Arbeitsgang, die über intermediäre Carbonsäureamid-N-sul-fochloride zu den Nitrilen führt, wie in Chem. Ber. 100,2719 (1967) beschrieben.
Neben den Nitrilen, auf denen die in den Beispielen genannten Bis-trichlormethyl-s-triazine basieren, sind z.B. auch die folgenden als Edukte geeignet: 4-Chlor-l-, 5-Chlor-l-, 4-Brom-l-, 5-Brom-l-, 2.6-Dimethoxy-l-, 2.7-Dimethoxy-l-, 5-Nitro-l-, 3.6-Dichlor-l-, l-Chlor-2-, 5-Chlor-2-, 6-Brom-2-, 4-Methyl-l-, 5-Methyl-l-, 2-Äthyl-l-, 3.4-Dimethyl-l-, 3.6-Dimethyl-2-, 4-Iso-propyloxy-1-, 4-Brom-3-methoxy-2-, 4-(2-Chlorpropyl)-l-, 4-Ally-loxy-1-, 4-Cyclohexyloxy-l-, 4-n-Octyloxy-l-, 4-Phenoxy-l-, 4-p-Tolyloxy-l-, 4-Benzyloxy-l-, 4-(2-Äthylmercaptoäthyl)-l- und 4-Phenyl-l-naphthonitril sowie auch 4-Acetyl-l-, 4-Acetoxy-l-, 4-Hydroxy-l- und 4-Methylmercapto-l-naphthonitril, 2-Chlor-, 4'-Nitro-, 4'-Brom-, 3-Brom-biphenyl4-carbonitril, Benzothio-phen-2-carbonitril, -5-carbonitril und -7-carbonitril, Dibenzothi-phen4-carbonitril, Benzofuran-2- und -3-carbonitril, Dibenzofu-ran-l-carbonitril, -2-carbonitril und -3-carbonitril, Anthracen-1-carbonitril und -2-carbonitril, 4-Methyl-anthracen-l-carbonitril,
3-Chlor-anthracen-l-carbonitril, Phenanthren-l-carbonitril und -2-carbonitril sowie 3-ChIor-phenanthren-9-carbonitriI, Acridin-2-carbonitril, Fluoren-2-carbonitril und 4-carbonitril, Chinolin-
4-carbonitril, Isochinolin-5-carbonitril, Benzoxazol-2-carboni-tril, Xanthen4-carbonitril, Acenaphthen-5-carbonitril, 2.3-Dihy-drophenalen-6-carbonitril und 1.2.3.4-Tetrahydro-phenanthren-9-carbonitril.
Mit der Ausnahme der unsubstituierten 2-Naphth-l-yl- und 2-Naphth-2-yl4.6-bis-trichlormethyl-s-triazine, die jedoch ebenfalls noch nicht als Photoinitiatoren bekannt sind, sind die erfin-dungsgemässen Aryl-halogenmethyl-s-triazine nicht literaturbekannt.
Die neuen Photoinitiatoren besitzen in breites Anwendungsspektrum. So sind sie beispielsweise als hochwirksame Starter für Photopolymerisationsreaktionen verwendbar, die durch freie Radikale ausgelöst werden. Geeignete Monomere, die entsprechende Polyadditionen eingehen, sind beispielsweise Mono-, Bis-, Tris- und Tetra-acrylate und -methacrylate von mono- bzw. mehrfunktionellen Alkoholen oder Phenolen, Acryl- und Methacrylsäure-amide, abgeleitet von mono- bzw. mehrfunktionellen Aminen, Vinylester und Vinylamide. Derartige polymerisierbare Massen können'noch zusätzlich Füllstoffe, Bindemittel, Polymerisationsinhibitoren, Farbstoffe, Farbvorläufer, Weichmacher, Haftvermittler oder Sauerstofffänger in unterschiedlichen Mengen beinhalten. Sind diese Massen in Schichtform auf gegebenenfalls chemisch vorbehandelte Träger aufgebracht, d.h. z.B. auf Metallfolien aus Stahl,
3
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
634158 4
Chrom, Kupfer, Messing, Kunststoff oder Papier, auf Glas, noch die speziellen Aryl-alkyl-acetale und -aminale der DT-AS
Holz oder Keramik oder auf Verbundmaterialien zweier oder 23 06 248 zu nennen, die durch die Photolyseprodukte der Aryl-
mehrerer dieser Stoffe, kann die lichtempfindliche Schicht halogenmethyl-s-triazine ebenfalls abgebaut werden.
auch noch mit einer Deckschicht, die den Zutritt von Sauerstoff Solche Massen, in denen durch Einwirkung von aktinischer hemmt, versehen sein. s Strahlung mittelbar oder unmittelbar Moleküle, deren Anwe-
Die Photoinitiatoren sind bereits in Konzentrationen um senheit die chemischen und/oder physikalischen Eigenschaften
0,05% des Gesamtfeststoffs der Masse wirksam, eine Erhöhung der Masse wesentlich beeinflusst, in kleinere umgewandelt wer-
über 10% ist im allgemeinen unzweckmässig. Vorzugsweise den, weisen an den bestrahlten Stellen im allgemeinen eine werden Konzentrationen von 0,4-7% verwendet. erhöhte Löslichke.it, Klebrigkeit oder Flüchtigkeit auf. Diese
Weiterhin sind die erfindungsgemässen Photoinitiatoren io Partien können durch geeignete Massnahmen, beispielsweise auch in solchen strahlungsempfindlichen Massen einzusetzen, Herauslösen mit einer Entwicklungsflüssigkeit, entfernt wer-deren Eigenschaftsänderung durch saure Katalysatoren, die bei den. Bei Kopiermassen spricht man in diesen Fällen von positiv der Photolyse des Initiators entstehen, eingeleitet wird. Zu nen- arbeitenden Systemen.
nen sind etwa die kationische Polymerisation von Systemen, Die bei vielen Positiv-Kopiermassen bewährten Novolak-die Vinyläther, N-Vinylverbindungen wie N-Vinylcarbazol oder is Kondensationsharze haben sich als Zusatz auch bei den erfin-spezielie säurelabile Lactone enthalten, wobei nicht ausge- dungsgemässen Kopiermassen mit durch Säure spaltbaren Verschlossen wird, dass bei einigen dieser Systeme auch radikali- bindungen als besonders brauchbar und vorteilhaft erwiesen, sehe Vorgänge beteiligt sind. Als durch Säuren härtbare Mas- Sie fördern die starke Differenzierung zwischen den belichte-sen sind weiterhin Aminoplaste wie Harnstoff/Formaldehyd- ten und unbelichteten Schichtpartien beim Entwickeln, beson-harze, Melamin/Formaldehydharze und andere N-Methylolver- 20 ders die höher kondensierten Harze mit substituierten Pheno-bindungen sowie Phenol/Formaldehydharze zu nennen. Wenn len als Formaldehyd-Kondensationspartner. Die Art und auch die Härtung von Epoxyharzen im allgemeinen durch Menge der Novolak-Harze kann je nach Anwendungszweck Lewis-Säuren bzw. solche Säuren erfolgt, deren Anionen eine verschieden sein; bevorzugt sind Novolak-Anteile am Gesamtgeringere Nukleophilie als Chlorid und Bromid besitzen, also feststoff zwischen 30 und 90, besonders bevorzugt 55-85 als die Anionen der bei der Photolyse der neuen Photoinitiato- 25 Gew.-%. Zusätzlich können noch zahlreiche andere Harze mit-ren entstehenden Halogenwasserstoffsäuren, so härten doch verwendet werden, bevorzugt Vinylpolymerisate wie Polyvinyl-Schichten, die aus Epoxyharzen und Novolaken bestehen, in acetate, Polyacrylate, Polyvinyläther und Polyvinylpyrrolidone, Gegenwart der Aryl-halomethyl-s-triazine glatt aus. die selbst durch Comonomere modifiziert sein können. Der
Eine weitere vorteilhafte Eigenschaft der neuen Photo- günstigste Anteil an diesen Harzen richtet sich nach den initiatoren besteht in ihrer Fähigkeit, in gefärbten Systemen bei 30 anwendungstechnischen Erfordernissen und dem Einfluss auf der Photolyse Farbumschläge hervorzurufen; aus Farbvorläu- die Entwicklungsbedingungen und beträgt im allgemeinen fern, z.B. Leukoverbindungen, Farbbildung zu induzieren oder nicht mehr als 20% vom Novolak. In geringen Mengen kann die bathochrome Farbverschiebungen und -Vertiefungen in Gemi- lichtempfindliche Masse für spezielle Erfordernisse wie Flexibi-schen zu bewirken, die Cyanin-, Merocyanin- oder Styrylfarbba- lität, Haftung, Glanz usw. ausserdem noch Substanzen wie sen enthalten. Auch kann z.B. in den in der DT-OS 1 572 080 35 Polyglykole, Cellulose-Derivate wie Äthylcellulose, Netzmittel,
beschriebenen Gemischen, die Farbbase, N-Vinylcarbazol und Farbstoffe und feinteilige Pigmente sowie bei Bedarf UV-einen Halogenkohlenwasserstoff enthalten, die Halogenverbin- Adsorber enthalten.
dung Tetrabrommethan durch einen Bruchteil, d.h. etwa V#>, Entwickelt wird vorzugsweise mit in der Technik üblichen ihrer Menge an Aryl-bis-trichlormethyl-s-triazin ersetzt wer- wässrig-alkalischen Entwicklern, die auch kleine Anteile orga-
den. 40 nischer Lösungsmittel enthalten können.
Farbumschläge sind in der Technik auch z.B. bei der Her- Die bereits im Zusammenhang mit den photopolymerisier-
stellung von Druckformen erwünscht, um nach der Belichtung baren Massen aufgeführten Träger kommen ebenfalls für posi-
bereits vor der Entwicklung das Kopierergebnis beurteilen zu tiv arbeitende Kopiermassen in Frage, zusätzlich die in der können. Statt der in den DT-OS 2 331377 und 2 641 100 genann- Mikroelektronik üblichen Silizium- und Siliziumdioxidoberflä-
ten Säurespender sind vorteilhaft die vorliegenden Photoinitia- 45 chen.
toren zu benutzen. Die Menge des Photoinitiators kann auch in den positiv
Besonders bevorzugte erfindungsgemässe Massen sind arbeitenden Kopiermassen je nach Substanz und Schicht eben-
jedoch solche, die neben den Aryl-halogenmethyl-s-triazinen falls sehr verschieden sein. Günstigere Ergebnisse werden als wesentliche Komponente eine Verbindung mit mindestens erhalten zwischen ca. 0,05 und ca. 10%, bezogen auf den einer durch Säure spaltbaren C-O-C-Bindung enthalten. 50 Gesamtfeststoff, bevorzugt sind 0,1-5%. Für Schichten von Dik-
Als durch Säure spaltbare Verbindungen sind in erster Linie ken über 10 (im empfiehlt es sich, relativ wenig Säurespender zu nennen: zu verwenden.
A) solche mit mindestens einer Orthocarbonsäureester- und Grundsätzlich ist elektromagnetische Strahlung mit Wel-bzw. oder Carbonsäureamidacetalgruppierung, wobei die Ver- lenlängen bis etwa 600 nm geeignet, in den erfindungsgemässen bindungen auch polymeren Charakter haben und die genann- 55 Massen Reaktionen der beschriebenen Art auszulösen. Der ten Gruppierungen als verknüpfende Elemente in der Haupt- bevorzugte Wellenlängenbereich erstreckt sich von 300 bis 500 kette oder als seitenständige Substituenten auftreten können nm.
und Die Vielfalt der Aryl-halomethyl-s-triazine, deren Absorp-
B) Polymerverbindungen mit wiederkehrenden Acetal- tionsmaxima z.T. noch weit im sichtbaren Teil des Spektrums und/oder Ketalgruppierungen, bei denen beide a-C-Atome der eo zu finden sind und deren Absorptionsbereich über 500 nm hin-zum Aufbau dieser Gruppierungen erforderlichen Alkohole ali- ausreicht, gestattet es, den Photoinitiator optimal auf die ver-phatisch sind. wendete Lichtquelle abzustimmen. Prinzipiell ist jedoch auch
Durch Säure spaltbare Verbindungen des Typs A als Kom- ein Sensibilisierung nicht ausgeschlossen. Als Lichtquellen sind ponenten strahlungsempfindlicher Kopiermassen sind in der beispielsweise zu nennen:
DT-OS 26 10 842 ausführlich beschrieben; Kopiermassen, die 65 Röhrenlampen, Xenonimpulslampen, metallhalogendo-
Verbindungen des Typs B enthalten, sind Gegenstand der tierte Quecksilberdampf-Hochdrucklampen und Kohlebogen-
gleichzeitig eingerichteten Parallelanmeldung P 27 18 254.3. lampen. Darüber hinaus ist bei den erfindungsgemässen licht-
Als weitere durch Säure spaltbare Verbindungen sind z.B. empfindlichen Kopiermassen das Belichten in üblichen Projek-
634158
tions- und Vergrösserungs-Geräten unter dem Licht der Metallfadenlampen und Kontakt-Belichtung mit gewöhnlichen Glühbirnen möglich. Die Belichtung kann auch mit kohärentem Licht eines Lasers erfolgen. Geeignet für die Zwecke vorliegender Erfindung sind leistungsgerechte kurzwellige Laser, beispielsweise Argon-Laser, Krypton-Ionen-Laser, Farbstoff-Laser und Helium-Cadmium-Laser, die zwischen 300 und 600 nm emittieren. Der Laserstrahl wird mittels einer vorgegebenen programmierten Strich- und/oder Raster-Bewegung gesteuert.
Da Bestrahlen mit Elektronenstrahlen ist eine weitere Differenzierungsmöglichkeit. Elektronenstrahlen können die erfindungsgemässen, durch Säure spaltbare Verbindungen enthaltenden Kopiermassen wie auch viele andere organische Materialien durchgreifend zersetzen und vernetzen, so dass ein negatives Bild entsteht, wenn die unbestrahlten Teile durch Lösungsmittel oder Belichten ohne Vorlage und Entwickeln entfernt werden. Bei geringerer Intensität und/oder höherer Schreibgeschwindigkeit des Elektronenstrahls bewirkt dagegen der Elektronenstrahl eine Differenzierung in Richtung höherer Löslichkeit, d.h. die bestrahlten Schichtpartien können vom Entwickler entfernt werden. Die günstigsten Bedingungen können durch Vorversuche leicht ermittelt werden!
Bevorzugte Anwendung finden die erfindungsgemässen strahlungsempfindlichen Massen bei der Herstellung von Druckformen, d.h. insbesondere Offset-, autotypischen Tiefdruck* und Siebdruckformen, in Kopierlacken und in sogenannten Trockenresists.
Die folgenden Beispiele dienen zur näheren Erläuterung der Erfindung. Dabei wird zunächst die Herstellung einer Anzahl neuer Arylcarbonsäurenitrile beschrieben, die als Ausgangsstoffe für die Herstellung der Photoinitiatoren dienen. Es wird sodann die Herstellung einiger halogenmethylsubstituier-ter s-Triazine beschrieben, die in erfindungsgemässen Kopiermassen als säureabspaltende Verbindungen erprobt wurden. Sie wurden als Verbindungen 1 bis 20 durchnumeriert und kehren unter dieser Bezeichnung in den Anwendungsbeispielen wieder.
In den Beispielen stehen Gewichtsteile (Gt) und Volumteile (Vt) im Verhältnis von g zu ccm. Prozent- und Mengenverhältnisse sind, wenn nichts anderes angegeben ist, in Gewichtseinheiten zu verstehen.
Herstellung von Arylcarbonsäurenitrilen
Die folgenden, bisher nicht literaturbekannten Arylcarbonsäurenitrile R-CN wurden analog den in Chem. Ber. 100,2719 (1967) niedergelegten Vorschriften aus den entsprechenden Carbonsäure R-COOH oder direkt aus Alkoxyarylverbindun-gen R-H durch Umsetzung mit Chlorsulfonylisocyanat und nachfolgend mit Dimethylformamid synthetisiert:
Tabelle 1 Nitrile R-CN
10
Nitrii
R
Schmp. °C Ausgangs-
Nr.
verbin
dung
1
4-(2-Äthoxy-äthoxy)naphth-l-yl
Öl; Dest. im R-H
Kugelrohr;
Luftbad
130-140°C
5* 10~4Torr
2
4,7-Dimethoxy-naphth-1 -yl
109-110 R-H
3
4,5-Dimethoxy-naphth-1 -yl
120,5-121,5 R-H
4
5-Methyl-6-methoxy-naphth-2-yl
74-85* R-H
5
4-Methoxy-anthrac-l-yl
143-145 R-H
6
5-Methoxy-naphth-l-yl
89-91 R-COOH
* Rohprodukt; Reinigung auf der Stufe des Aryl-s-triazins.
20 Die Ausgangsverbindung für Nitrii Nr. 1, l-(2-Äthoxy-äthoxy)-naphthalin, Siedepunkt 91-95 °C C/Ó.002 Torr, wurde durch Alkylierung von 1-Naphthol mit Äthylenglykolmono-äthyläther/p-Toluolsulfonsäurechlorid nach der in Monatshefte Chem. 82,588 (1951) beschriebenen Methode dargestellt.
25
Herstellung von Bis-trichlormethyl-s-triazinen
In eine gerührte Lösung aus 29,1 g 1-Äthoxy-naphthalin, 100 g Trichloracetonitril und 1,65 g Aluminiumtribromid wird bei 0-5 °C Chlorwasserstoffgas geleitet. Nach etwa 2 Stunden 30 hat sich der Kolbeninhalt verfestigt; die Gaseinleitung wird unterbrochen und die Kühlung entfernt. Bei Erwärmung auf Raumtemperatur verflüssigt sich das Reaktionsgemisch z.T. wieder, man kühlt es auf 0 °C ab und leitet erneut zwei Stunden Chlorwasserstoffgas ein. Nach nochmaliger Selbsterwärmung, 35 Abkühlung auf 0-5 °C und weiteren zwei Stunden Einleiten von Chlorwasserstoff lässt man den nun verfestigten Ansatz über Nacht bei Raumtemperatur stehen, löst ihn in Methylenchlorid und schüttelt ihn mit wenig Wasser aus. Nach dem Trocknen der Lösung über Natriumsulfat und Entfernen des Lösungsmit-40 tels im Vakuum wird das erhaltene Rohprodukt durch Destillation in einer Kugelrohrapparatur (Luftbad 110-130 °C/0,1 Torr) von nicht umgesetztem Ausgangsmaterial und mitentstandenem Tris-trichlormethyl-s-triazin befreit. Der Rückstand von 24,1 g besteht aus fast reinem 2-(4-Äthoxy-naphth-l-yl)-4.6-bis-45 trichlormethyl-s-triazin, das nach Kristallisation aus Diäthyl-äther den Schmp. 154,5-156,5 °C aufweist.
Entsprechend werden die in der Tabelle 2 aufgeführten Aryl-bis-trichlormethyl-s-triazine dargestellt, wobei das Rohprodukt in einigen Fällen auch unmittelbar durch Kristallisa-5o tion, in anderen durch zusätzliche Filtration über Kieselgel mit Methylenchlorid als Lösungs- und Elutionsmittel gereinigt wird.
634158
6
Tabelle 2
Aryl-bis-trichlormethyl-s-triazine der Formel I mit n = m = O und X = Cl
Photoinitiator R Schmp. (°C) langwell. Absorp.-Max.
Nr. ^max(nm) log s
1*
Naphth-l-yl
128-129
363
4,05
2
2-Methoxy-naphth-l-yl
162-165
368
3,59
3
4-Methoxy-naphth-l-yl
181,5-183
388
4,33
4
5-Methoxy-naphth-l-yl
154-156
399
3,87
5
4-Äthoxy-naphth-l-yl
154,5-156,5
388
4,34
6
4,5-Dimethoxy-naphth-l-yl
165-167
416
4,16
7
4,7-Dimethoxy-naphth-l-yl
136-137
404
4,27
8
4-(2-Äthoxy-äthoxy)-naphth-l-yl
103-105
388
4,34
9**
Naphth-2-yl
210-211,5
367
3,52
10
l-Methoxy-naphth-2-yl
132-134,5
371
3,71
11
3-Methoxy-naphth-2-yl
173-175
322
4,29
385 (sh)
2,98
12
6-Methoxy-naphth-2-yl
191,5-192
351
4,27
374
4,28
13
5-Methyl-6-methoxynaphth-2-yl
211-214
390
4,20
14
Chinol-3-yl
201-204
317
4,28
15
Benzopyran-3-yl
185-188,5
405
4,04
16
4-Phenyl-phenyl
149,5-151,5
332
4,49
17
Dibenzothien-3-yl
243,5-244,5
355
4,30
18
Phenanthr-9-yl
181-184,5
363
4,05
19
4-M ethoxy-anthrac-1 -yl
221-225
446
4,24
20
Acenaphth-5-yl
204-205
396
4,18
* Der in Bull. chem. Soc. Jap. 42,2924 (1969) genannte Schmp. 216-218 °C konnte nicht bestätigt werden.
** Literatur: 210-212 °C.
Beispiel 1
Eine Platte aus elektrolytisch aufgerauhtem und anodisier-tem Aluminium wird mit einer Beschichtungslösung, bestehend aus
6,70 Gt Trimethyloläthan-triacrylat,
6,50 Gt Copolymerisat aus Methylmethacrylat und Metha-
crylsäure, Säurezahl 115,
0,12 Gt Photoinitiator Nr. 5,
64,00 Gt Äthylenglykolmonoäthyläther,
22,70 Gt Butylacetat und
0,30 Gt 2.4-Dinitro-6-chlor-2'-acetamido-5'-methoxy-4'-(ß-
hydroxyäthyl-ß'-cyanoäthyl)-amino-azobenzol schleuderbeschichtet, so dass sich nach dem Trocknen ein Schichtgewicht von 3-4 g/m2 ergibt. Anschliessend wird die Platte mit einer 4 p.m dicken Schutzschicht aus Polyvinylalko-hol (Mowiol 4/88, Hoechst AG) versehen, unter einer Strich-und Rastervorlage mit einer 5-kW-Metall-Halogenlampe im Abstand von 110 cm 30 Sekunden belichtet und mit einer l,5%igen Natriummetasilikatlösung entwickelt.
Man erhält ein negatives Abbild der Vorlage. Ein Druckversuch mit einer so hergestellten Offsetdruckplatte wurde nach 200 000 Drucken immer noch einwandfreie Qualität abgebrochen.
Beispiel 2
Dieses Beispiel beschreibt einen Negativ-Trockenresist. Die folgende Beschichtungslösung aus 24,90 Gt Mischpolymerisat aus 30 Gt Methacrylsäure, 60 Gt n-Hexylmethacrylat und 10 Gt Styrol,
16,10 Gt Umsetzungsprodukt aus 1 Mol 2.2.4-Trimethylhexa-methylen-diisocyanat und 2 Mol hydroxyäthylmetha-crylat,
0,41 Gt Triäthylenglykoldimethacrylat,
0,58 Gt Photoinitiator Nr. 3,
0,11 Gt des in Beispiel 1 verwendeten Farbstoffs und
57,9 Gt Methyläthylketon wird auf eine Polyäthylenterephthalatfolie zu einem Trockengewicht von 25 g/m2 aufgeschleudert. Dieses Material wird in 35 einem handelsüblichen Laminator bei 120 °C auf einen Träger aus Isolierstoffmaterial, der eine 35 |i.m dicke Kupferauflage trägt, laminiert. Nach 60 Sekunden Belichtung durch eine Vorlage, die neben Strich- und Rastermotiven einen Halbtonstufen-keil enthält, unter der 5-kW-Metall-Halogenlampe aus Beispiel ■io 1 und Entwicklung mitO,8%igerNatriumcarbonatlösung bleiben ein Negativ des Strich- und Rastermotivs sowie die Stufen 1-5 des Halbtonkeils als erhabenes Relief stehen, die Stufe 6 ist teilweise angegriffen.
Die Resistschicht widersteht Ätzprozessen, z.B. mit Eisen-45 III-chlorid, und den Einflüssen von Galvanobädern bei der Herstellung von Leiterplatten.
Beispiel 3
so Auf einer Schleuder wird eine Platte aus mechanisch aufgerauhtem Aluminium mit einer Lösung aus 4,30 Gt Phenol-Formaldehyd-N ovolak (Schmelzbereich
110-120 °C nach DIN 53 181),
10,60 Gt N-Vinylcarbazol,
55 0,24 Gt 2-(p-Dimethylaminostyryl)-benzthiazol, 0,25 Gt Photoinitiator Nr. 7 und 84,60 Gt Methyläthylketon beschichtet. Nach dem Trocknen hat die lichtempfindliche Schicht eine Dicke von 1-2 p.m. Die Platte wird 8 Sekunden ent-60 sprechend Beispiel 1 bildmässig belichtet, wobei an den Bildstellen der Farbton der Schicht von gelb nach rot-orange umschlägt. Schaukeln der Platte in der Entwicklerlösung aus 0,6 Gt NaOH,
0,5 Gt Na2Si03-5H20,
65 1,0 Gt n-Butanolund
97,9 Gt vollentsalztem Wasser entfernt in 75 Sekunden die unbelichteten Schichtanteile, die belichteten nehmen beim Überwischen fette Farbe an, so dass
7
634158
von einer solchen Platte auf einer Offsetdruckmaschine 60 Sekunden bildmässige Belichtung entsprechend Beispiel gedruckt werden kann. 1 und 40 Sekunden Entwickeln mit dem Entwickler aus Beispiel
3 erzeugen ein negatives Abbild der Vorlage mit schleierfreien Beispiel 4 Nichtbildstellen.
Das Beispiel 3 wird wiederholt, indem in der Beschichtungs- 5 Ersetzt man das Epoxidharz durch die gleiche Menge des lösung die Styrylfarbbase durch die gleiche Gewichtsmenge angegebenen Novolaks, wird bei der Entwicklung zwar kurz-der Cyaninfarbbase 2-[l-Cyan-3-(-äthyI-2-benzthiazolyliden)- zeitig ein negatives Bild sichtbar, die Entwicklerresistenz ist propen-l-yl]-chinolin und der Photoinitiator Nr. 7 durch den jedoch so gering, dass nach 30 Sekunden die gesamte Schicht Photoinitiator Nr. 13 in gleicher Menge ersetzt werden und eine vom Träger abgelöst ist.
Polyesterfolie beschichtet wird. io
16 Sekunden bildmässige Belichtung entsprechend Beispiel Beispiel 6 1 lassen die Farbe der Bildstellen von anfangs hellrot nach tief- Die Bebilderung der die neuen Photoinitiatoren und säureviolett umschlagen. spaltbare Verbindungen enthaltenden Schichten durch Elek-
Durch Überwischen mit dem Entwickler aus Beispiel 3 wer- tronenstrahlen wird im folgenden gezeigt:
den die Nichtbildstellen entfernt. Man erhält ein negatives is Auf mechanisch aufgerauhtes Aluminium ca. 2 (im dick aufAbbild der Vorlage. getragene Schichten der Zusammensetzung
Dieses Vorgehen eignet sich zur Herstellung von Farbfo- 74,0 % Novolak nach Beispiel 5,
lien. 22,0% säurespaltbare Verbindung,
3,8 % Photoinitiator,
Beispiel 5 20 0,2% Farbstoff
Eine Platte aus mechanisch aufgerauhtem Aluminium wird werden mit 11 kV-Elektronen bestrahlt. Unter den in der mit einer Schicht der folgenden Zusammensetzung, aufge- Tabelle 3 genannten Bedingungen werden die bestrahlten Stel-
schleudert aus 10%iger Methyläthylketon-Lösung, versehen : len solubilisiert.
48,3 Gt Epoxidharz (aus Epichlorhydrin und Bishenol A, Epo- Entwickelt wird mit dem im Beispiel 3 angegebenen Ent-
xyäquivalentgewicht 182-194), 25 wickler oder der folgenden Entwicklerlösung:
48,3Gt Kresol-Formaldehyd-NovoIak(Schmelzbereich 5,5Gt Natriummetasilikat• 9 H2O.
105-120 CC nach DIN 53181 ), 3,4 Gt Trinatriumphosphat • 12 H2O.
2,9 Gt Photoinitiator Nr. 8 und 0,4 Gt Mono-natriumphosphat, wasserfrei,
0,5 Gt Kristallviolett. 90,7 Gt vollentsalztes Wasser.
Tabelle 3
Photoinitia- Durch Säure spaltbare Verbindung Eingestrahlte Entwickler aus Entwicklungszeit torNr. Energie Beispiel (Sekunden)
(Joule/cm2)
3 Polyacetal aus Benzaldehyd und 1—10-10-2 6 45 Triäthylenglykol
5 Polyacetal aus Propionaldehyd 1-15.10-2 3 10
und Triäthylenglykol
8 Bis-diphenoxymethyläther von 1-30* 10~2 6 30 Polyglykol 200
Beispiel 7
Zur Herstellung einer Rückvergrösserungsplatte werden 4,00 Gt des in Beispiel 5 angegebenen Novolaks, 1,20 Gt Bis-(5-äthyl-5-butyl-1.3-dioxan-2-yl)-äther von Polyglykol 200,
0,20 Gt Photoinitiator Nr. 12 und 0,01 Gt Kristallviolett in 94,60 Gt Methyläthylketon gelöst und auf eine Platte aus gebürstetem Aluminium aufgeschleudert.
Belichtet wird 3 Minuten lang mit einem Projektor Leitz Prado f = 85 mm 1:2,5 mit einer 150-Watt-Lampe durch ein Diapositiv im Abstand von 65 cm. Durch Tauchen in dem in Beispiel 6 angegebenen Entwickler erhält man innerhalb von 30 Sekunden eine vergrösserte Positiv-Kopie des schwarzweissen Strichbildes auf dem Diapositiv, die durch Drucken in einer Kleinoffsetmaschine vervielfältigt werden kann.
Mit ähnlichem Ergebnis kann anstelle des Bis-orthoesters das polymere Acetal aus Benzaldehyd und Triäthylenglykol in gleicher Menge eingesetzt und auch der Photoinitiator Nr. 12 durch den Initiator Nr. 20 ersetzt werden.
Beispiel 8
Auf eine elektrolytisch aufgerauhte und anodisierte Aluminiumplatte wird eine Beschichtungslösung aus 50 4,00 Gt Novolak nach Beispiel 5,
1,20 Gt des Umsetzungsproduktes aus 2.2.5.5-Tetrahydroxy-methyl-cyclopentanon und Orthoameisensäuretri-methylester,
0,20 Gt Photoinitiator Nr. 1,
55 0,01 Gt Kristallviolett in 94,60 Gt Methyläthylketon zu einem Trockengewicht von 2,0 g/m2 aufgeschleudert und 40 Sekunden unter den Bedingungen von Beispiel 1 bildmässig belichtet, wonach ein starker blauviolett-blaugrüner Bildkon-60 trast zu sehen ist.
Die Platte wird durch überwischen mit dem Entwickler von Beispiel 6 zu einem positiven Abbild der Vorlage entwickelt. Von dieser Offsetplatte werden in einem Druckversuch 140 000 Drucke einwandfreier Qualität erhalten. 65 Ein vergleichbares Kopierergebnis ergibt sich, wenn der Photoinitiator Nr. 1 durch gleiche Gewichtsmengen der Starter Nr. 6,4 oder 18 oder Gemische dieser Verbindungen ersetzt wird.
634158
8
Beispiel 9
Einen Positiv-Photoresist hoher Schichtdicke stellt man fol-gendermassen her:
In
59,28 Gt Butan-2-on werden 29,60 Gt Novolak nach Beispiel 5,
8,90 Gt Bis-(5-äthyl-5-butyl-l .3-dioxan-2-yl)-äther des 2-Äthyl-
2-butyl-propandiols,
0,12 Gt Photoinitiator Nr. 5 und
2,10 Gt modifiziertes Silikonglykol (handelsübliches Lackhilfsmittel)
gelöst. Mit Hilfe einer Zieh-spiralrakel (wire bar Nr. 40) trägt man diese Lösung auf die gereinigte Kupferoberfläche des Verbundmaterials aus Beispiel 2 auf, lässt das Lösungsmittel durch zwölfstündige Lagerung bei Raumtemperatur weitgehend verdunsten und trocknet die Platten 15 Minuten unter Infrarotstrahlung bei 70 °C nach.
Die bildmässig unter einer Strichvorlage mit der 5 kW-Metall-Halogenlampe aus Beispiel 1 80 Sekunden belichtete, 70 jj,m dicke Resistschicht lässt sich durch Ansprühen mit 0,8%iger wässriger Natronlaue in 40 Sekunden entwickeln.
Beispiel 10
In einer Standardrezeptur werden die neuen Photoinitiatoren auf ihre Funktionsfähigkeit als Säurespender untersucht: 0,500 g Novolak nach Beispiel 5,
0,150 g Bis-orthoester nach Beispiel 9, 0,025 g Photoinitiator und 0,012 g Kristallviolett in 12,500 ml Methyläthylketon werden auf Platten mit elektrolytisch aufgerauhter und anodi-sierter Oberfläche aufgeschleudert, so dass eine Schichtdicke von 1,5-2 |xm resultiert, und 40 Sekunden unter den im Beispiel 1 genannten Bedingunen bildmässig belichtet.
Schichten, welche die Photoinitiatoren 2,9,10,11,15,16,17 und 19 enthalten, werden in 30 Sekunden durch Schaukeln in dem Entwickler aus Beispiel 6 entwickelt, die Schicht mit Initiator Nr. 14 benötigt eine Minute mit dem Entwickler aus Beispiel 3.
In allen Fällen erhält man eine positive Kopie der Vorlage.
Beispiel 11
Aluminiumplatten mi elektrolytisch aufgerauhter und anodisierter Oberfläche weden mit einer Lösung aus 4,70 Gt Novolak nach Beispiel 5,
s 1,40 Gt durch Säure spaltbarer Verbindung, 0,23 Gt Photoinitiator,
0,02 Gt Kristallviolett und 93,05 Gt Butan-2-on schleuderbeschichtet, so dass nach dem Trocknen eine Schicht-io dicke von etwa 1,7 (im resultiert. Diese Schichten werden mit einem Argon-Laser von 25 W Lichtleistung über alle Spektrallinien bildmässig bestrahlt, wobei der Laserstrahl durch eine Optik in einen Fleck mit einem Durchmesser von 5 |j,m focus-siert wird. Durch Variation der Schreibgeschwindigkeiten wird 15 die Empfindlichkeit der einzelnen Kombinationen ermittelt. Die belichteten Schichtteile werden innerhalb von 15-90 Sek. beim Behandeln mit dem Entwickler von Beispiel 6 herausgelöst. Durch Einfärben der unbestrahlten Bereiche mit fetter Farbe lässt sich die Laserspur noch deutlicher hervorheben.
20
25
Kombination
Schreibgeschwindigkeit (m/s)
30 Polyacetal aus Propionaldehyd 50 und
Triäthylenglykol/Photoinitiator Nr. 12
Polyacetal aus Benzaldehyd und 75 1.5-Pentandiol/Photoinitiator Nr. 5 ■
Bisorthoester nach Beispiel 9, 25 Photoinitiator Nr. 5
35
40
G

Claims (7)

  1. 634158
    PATENTANSPRÜCHE 1. Strahlungsempfindliche Masse, die als strahlungsempfindliche Verbindung ein s-Triazin der Formel I
    CH X, n n 3 - n
    CHX. m m 3-m
    I
    enthält, worin X Brom oder Chlor und m und n Zahlen von 0 bis 3 bedeuten, wobei m + n nicht grösser als 5 ist, dadurch gekennzeichnet, dass R einen gegebenenfalls substituierten zwei- oder mehrkernigen aromatischen oder heterocyclischen aromatischen, über ein ungesättigtes Ring-C-Atom gebundenen gegebenenfalls partiell hydrierten Rest bedeutet.
  2. 2. Strahlungsempfindliche Masse nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass sie eine Verbindung der allgemeinen Formel I enthält, wobei ein Rest der Formel II
    II
    worin Ri H oder OR3, R2 H, Cl, Br, einen Alkyl-, Alkenyl-, Aryl-oder Alkoxyrest und R3 einen Alkyl-, Cycloalkyl-, Alkenyl- oder Arylrest oder Ri und R2 gemeinsam einen Alkylenrest bedeuten, X Chlor und n und m Null sind.
  3. 3. Strahlungsempfindliche Masse nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass sie ferner eine äthylenisch ungesättigte Verbindung enthält, die eine durch freie Radikale ausgelöste Polymerisationsreaktion eingehen kann.
  4. 4. Strahlungsempfindliche Masse nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass sie ferner eine Verbindung enthält, deren Löslichkeit durch Einwirkung von Säure verändert wird.
  5. 5. Strahlungsempfindliche Masse nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass sie ferner eine Verbindung enthält, die durch saure Katalysatoren zur kationischen Polymerisation veranlasst wird.
  6. 6. Strahlungsempfindliche Masse nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass sie eine Verbindung mit mindestens einer durch Säure spaltbaren C-O-C-Bindung, deren Löslichkeit durch Einwirkung von Säure erhöht wird, enthält.
  7. 7. Strahlungsempfindliche Masse nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass sie ferner ein polymeres Bindemittel enthält.
    Trotz der strukturellen Vielfalt der bisher bekannten Orga-nohalogenverbindungen wird jedoch die Forderung nach optimaler Empfindlichkeit im Hauptemissionsbereich der heute in der Technik gebräuchlichen Lichtquellen nicht erfüllt, d.h. die s bekannten Verbindungen besitzen UV-Absorptionsmaxima bei vergleichsweise niedriger Wellenlänge.
    Zwar werden mit einigen der in DT-OS 22 43 621 und 23 06 248 genannten chromophorsubstituierten Vinylhalogen-methyl-s-triazinen eine Reihe von unerwünschten Eigenschaf-10 ten überwunden; nachteilig wirkt sich jedoch ihre relativ komplizierte Darstellung aus. So muss beispielsweise zuerst 2-Me-thyl-4.6-bis-trichlormethyl-s-triazin durch Cotrimerisation von Acetonitril und Trichloracetonitril gewonnen und anschliessend diese gegenüber nukleophilen Verbindungen äusserst 15 reaktive Verbindung unter den Bedingungen der Knoevenagel-Reaktion mit Aldehyden, die infolge ihrer z.T. komplizierten Struktur aufwendig zu synthetisieren sind, kondensiert werden. Die dabei entstehende Vinylengruppe verknüpft die Triazinein-heit und einen Chromophor und bildet einen Teil des gesamten 20 chromophoren Systems, das für die gewünschte langwellige UV/VIS-Absorption verantwortlich ist.
CH442078A 1977-04-25 1978-04-24 Radition-sensitive resist composition CH634158A5 (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE2718259A DE2718259C2 (de) 1977-04-25 1977-04-25 Strahlungsempfindliches Gemisch

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CH634158A5 true CH634158A5 (en) 1983-01-14

Family

ID=6007163

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CH442078A CH634158A5 (en) 1977-04-25 1978-04-24 Radition-sensitive resist composition

Country Status (16)

Country Link
JP (1) JPS53133428A (de)
AU (1) AU514951B2 (de)
BE (1) BE866306A (de)
BR (1) BR7802525A (de)
CA (1) CA1103508A (de)
CH (1) CH634158A5 (de)
DE (1) DE2718259C2 (de)
DK (1) DK176878A (de)
ES (1) ES469089A1 (de)
FR (1) FR2389157A1 (de)
GB (1) GB1602903A (de)
IE (1) IE46622B1 (de)
IT (1) IT1102622B (de)
NL (1) NL185179C (de)
SE (1) SE423286B (de)
ZA (1) ZA782332B (de)

Families Citing this family (148)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS55126235A (en) * 1979-03-22 1980-09-29 Fuji Photo Film Co Ltd Photosensitive composition
US4391687A (en) 1980-02-14 1983-07-05 Minnesota Mining And Manufacturing Company Photoactive mixture of acrylic monomers and chromophore-substituted halomethyl-1-triazine
US4330590A (en) 1980-02-14 1982-05-18 Minnesota Mining And Manufacturing Company Photoactive mixture of acrylic monomers and chromophore-substituted halomethyl-2-triazine
US4329384A (en) * 1980-02-14 1982-05-11 Minnesota Mining And Manufacturing Company Pressure-sensitive adhesive tape produced from photoactive mixture of acrylic monomers and polynuclear-chromophore-substituted halomethyl-2-triazine
DE3144480A1 (de) * 1981-11-09 1983-05-19 Hoechst Ag, 6230 Frankfurt Lichtempfindliches gemisch und daraus hergestelltes lichtempfindliches kopiermaterial
JPS58190946A (ja) * 1982-04-30 1983-11-08 Sharp Corp ホトレジスト
DE3337024A1 (de) * 1983-10-12 1985-04-25 Hoechst Ag, 6230 Frankfurt Lichtempfindliche, trichlormethylgruppen aufweisende verbindungen, verfahren zu ihrer herstellung und diese verbindungen enthaltendes lichtempfindliches gemisch
JPS61275747A (ja) * 1985-05-30 1986-12-05 Nec Corp ネガレジスト材料
JPH0766186B2 (ja) * 1985-07-02 1995-07-19 富士写真フイルム株式会社 感光性組成物
DE3606155A1 (de) * 1986-02-26 1987-08-27 Basf Ag Photopolymerisierbares gemisch, dieses enthaltendes lichtempfindliches aufzeichnungselement sowie verfahren zur herstellung einer flachdruckform mittels dieses lichtempfindlichen aufzeichnungselements
US4837128A (en) * 1986-08-08 1989-06-06 Fuji Photo Film Co., Ltd. Light-sensitive composition
JPS6358440A (ja) * 1986-08-29 1988-03-14 Fuji Photo Film Co Ltd 感光性組成物
JPS6442645A (en) * 1987-08-11 1989-02-14 Tomoegawa Paper Co Ltd Optical coloring composition
DE3821585A1 (de) * 1987-09-13 1989-03-23 Hoechst Ag Positiv arbeitendes strahlungsempfindliches gemisch und daraus hergestelltes strahlungsempfindliches aufzeichnungsmaterial fuer hochenergetische strahlung
US4934791A (en) * 1987-12-09 1990-06-19 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Color filter
DE3742275A1 (de) * 1987-12-12 1989-06-22 Hoechst Ag Verfahren zur nachbehandlung von entwickelten reliefdruckformen fuer den flexodruck
JP2505033B2 (ja) * 1988-11-28 1996-06-05 東京応化工業株式会社 電子線レジスト組成物及びそれを用いた微細パタ―ンの形成方法
JP2583600B2 (ja) * 1989-02-20 1997-02-19 東京応化工業株式会社 ネガ型電子線レジスト組成物
DE3912652A1 (de) * 1989-04-18 1990-10-25 Hoechst Ag Lichtempfindliche bis-trichlormethyl-s-triazine, verfahren zu ihrer herstellung und diese verbindungen enthaltendes lichtempfindliches gemisch
EP0458325B1 (de) * 1990-05-25 1998-08-19 Mitsubishi Chemical Corporation Negative lichtempfindliche Zusammensetzung und Verfahren zur Bildung eines Photolackmusters
JP2538118B2 (ja) * 1990-09-28 1996-09-25 東京応化工業株式会社 ネガ型放射線感応性レジスト組成物
TW207009B (de) * 1991-01-31 1993-06-01 Sumitomo Chemical Co
DE4120173A1 (de) * 1991-06-19 1992-12-24 Hoechst Ag Positiv arbeitendes strahlungsempfindliches gemisch und damit hergestelltes strahlungsempfindliches aufzeichnungsmaterial
US5631307A (en) 1994-06-28 1997-05-20 Toyo Ink Manufacturing Co., Ltd. Photopolymerization initiator composition and photopolymerizable composition
JPH0876380A (ja) 1994-09-06 1996-03-22 Fuji Photo Film Co Ltd ポジ型印刷版組成物
DE4444669A1 (de) 1994-12-15 1996-06-20 Hoechst Ag Strahlungsempfindliches Gemisch
JP3442176B2 (ja) 1995-02-10 2003-09-02 富士写真フイルム株式会社 光重合性組成物
DE19803564A1 (de) 1998-01-30 1999-08-05 Agfa Gevaert Ag Polymere mit Einheiten aus N-substituiertem Maleimid und deren Verwendung in strahlungsempfindlichen Gemischen
KR100359884B1 (ko) * 1998-08-18 2002-12-18 주식회사 엘지화학 테트라히드로퀴놀리닐 및 인돌리닐 트리아진계 화합물 및광중합 개시제
JP4130030B2 (ja) 1999-03-09 2008-08-06 富士フイルム株式会社 感光性組成物および1,3−ジヒドロ−1−オキソ−2h−インデン誘導体化合物
EP1359008B1 (de) 2002-04-29 2005-08-31 Agfa-Gevaert Strahlungsempfindliches Gemisch, damit hergestelltes Aufzeichnungsmaterial, und Verfahren zur Herstellung einer Druckplatte
US7771915B2 (en) 2003-06-27 2010-08-10 Fujifilm Corporation Two-photon absorbing optical recording material and two-photon absorbing optical recording and reproducing method
JP4291638B2 (ja) 2003-07-29 2009-07-08 富士フイルム株式会社 アルカリ可溶性ポリマー及びそれを用いた平版印刷版原版
JP2005309359A (ja) 2004-03-25 2005-11-04 Fuji Photo Film Co Ltd ホログラム記録材料、ホログラム記録方法、光記録媒体、3次元ディスプレイホログラムおよびホログラフィック光学素子。
WO2005111717A2 (en) 2004-05-19 2005-11-24 Fujifilm Corporation Image recording method
US20050263021A1 (en) 2004-05-31 2005-12-01 Fuji Photo Film Co., Ltd. Platemaking method for lithographic printing plate precursor and planographic printing method
JP4452572B2 (ja) 2004-07-06 2010-04-21 富士フイルム株式会社 感光性組成物およびそれを用いた画像記録方法
JP2006021396A (ja) 2004-07-07 2006-01-26 Fuji Photo Film Co Ltd 平版印刷版原版および平版印刷方法
DE602005007427D1 (de) 2004-07-20 2008-07-24 Fujifilm Corp Bilderzeugendes Material
US7425406B2 (en) 2004-07-27 2008-09-16 Fujifilm Corporation Lithographic printing plate precursor and lithographic printing method
ATE407799T1 (de) 2004-07-29 2008-09-15 Fujifilm Corp Verfahren zur herstellung lithographischer druckplatten
US20060032390A1 (en) 2004-07-30 2006-02-16 Fuji Photo Film Co., Ltd. Lithographic printing plate precursor and lithographic printing method
KR101234712B1 (ko) 2004-08-02 2013-02-19 후지필름 가부시키가이샤 착색 경화성 조성물, 컬러필터 및 그 제조방법
EP1630618B1 (de) 2004-08-24 2008-03-19 FUJIFILM Corporation Verfahren zur Herstellung einer lithographischen Druckplatte
JP2006062188A (ja) 2004-08-26 2006-03-09 Fuji Photo Film Co Ltd 色画像形成材料及び平版印刷版原版
JP5089866B2 (ja) 2004-09-10 2012-12-05 富士フイルム株式会社 平版印刷方法
US20060150846A1 (en) 2004-12-13 2006-07-13 Fuji Photo Film Co. Ltd Lithographic printing method
JP2006181838A (ja) 2004-12-27 2006-07-13 Fuji Photo Film Co Ltd 平版印刷版原版
US7910286B2 (en) 2005-01-26 2011-03-22 Fujifilm Corporation Lithographic printing plate precursor, lithographic printing method and packaged body of lithographic printing plate precursors
EP3086177B1 (de) 2005-02-28 2018-11-14 Fujifilm Corporation Verfahren zur herstellung eines lithografiedruckplattenvorläufers
EP1701213A3 (de) 2005-03-08 2006-11-22 Fuji Photo Film Co., Ltd. Lichtempfindliche Zusammensetzung
JP4474317B2 (ja) 2005-03-31 2010-06-02 富士フイルム株式会社 平版印刷版の作製方法
JP2006335826A (ja) 2005-05-31 2006-12-14 Fujifilm Holdings Corp インクジェット記録用インク組成物およびこれを用いた平版印刷版の作製方法
JP4815270B2 (ja) 2005-08-18 2011-11-16 富士フイルム株式会社 平版印刷版の作製方法及び作製装置
JP4759343B2 (ja) 2005-08-19 2011-08-31 富士フイルム株式会社 平版印刷版原版および平版印刷方法
KR100763744B1 (ko) 2005-11-07 2007-10-04 주식회사 엘지화학 옥심 에스테르를 포함하는 트리아진계 광활성 화합물
KR100814231B1 (ko) 2005-12-01 2008-03-17 주식회사 엘지화학 옥심 에스테르를 포함하는 트리아진계 광활성 화합물을포함하는 투명한 감광성 조성물
JP5276264B2 (ja) 2006-07-03 2013-08-28 富士フイルム株式会社 インク組成物、インクジェット記録方法、印刷物、及び、平版印刷版の製造方法
US8771924B2 (en) 2006-12-26 2014-07-08 Fujifilm Corporation Polymerizable composition, lithographic printing plate precursor and lithographic printing method
JP2008163081A (ja) 2006-12-27 2008-07-17 Fujifilm Corp レーザー分解性樹脂組成物およびそれを用いるパターン形成材料ならびにレーザー彫刻型フレキソ印刷版原版
EP1952998B1 (de) 2007-02-01 2011-04-06 FUJIFILM Corporation Tintenstrahlaufzeichnungsvorrichtung
EP1955858B1 (de) 2007-02-06 2014-06-18 FUJIFILM Corporation Tintenstrahlaufzeichnungsverfahren und Vorrichtung
US8240808B2 (en) 2007-02-07 2012-08-14 Fujifilm Corporation Ink-jet head maintenance device, ink-jet recording device and ink-jet head maintenance method
JP5227521B2 (ja) 2007-02-26 2013-07-03 富士フイルム株式会社 インク組成物、インクジェット記録方法、印刷物、及び、インクセット
JP5224699B2 (ja) 2007-03-01 2013-07-03 富士フイルム株式会社 インク組成物、インクジェット記録方法、印刷物、平版印刷版の製造方法、及び平版印刷版
JP2008233660A (ja) 2007-03-22 2008-10-02 Fujifilm Corp 浸漬型平版印刷版用自動現像装置およびその方法
EP1974914B1 (de) 2007-03-29 2014-02-26 FUJIFILM Corporation Verfahren zur Herstellung einer Lithographiedruckplatte
JP5243072B2 (ja) 2007-03-30 2013-07-24 富士フイルム株式会社 インク組成物、並びに、それを用いた画像記録方法及び画像記録物
EP1975710B1 (de) 2007-03-30 2013-10-23 FUJIFILM Corporation Plattenherstellungsverfahren eines Lithografiedruckplattenvorläufers
JP5306681B2 (ja) 2007-03-30 2013-10-02 富士フイルム株式会社 重合性化合物、重合体、インク組成物、印刷物及びインクジェット記録方法
EP1975706A3 (de) 2007-03-30 2010-03-03 FUJIFILM Corporation Lithografiedruckplattenvorläufer
EP2048539A1 (de) 2007-09-06 2009-04-15 FUJIFILM Corporation Verarbeitetes Pigment, pigmentverstreute Zusammensetzung, farbige, lichtempfindliche Zusammensetzung, Farbfilter, Flüssigkristallanzeigeelement und Festbildaufnahmeelement
JP5247093B2 (ja) 2007-09-14 2013-07-24 富士フイルム株式会社 アゾ化合物、硬化性組成物、カラーフィルタ及びその製造方法
US9442372B2 (en) 2007-09-26 2016-09-13 Fujifilm Corporation Pigment dispersion composition, photocurable composition and color filter
JP5227560B2 (ja) 2007-09-28 2013-07-03 富士フイルム株式会社 インク組成物、インクジェット記録方法、印刷物、及び、成形印刷物の製造方法
JP2009098688A (ja) 2007-09-28 2009-05-07 Fujifilm Corp 平版印刷版原版、平版印刷版の作製方法および平版印刷方法
JP5055077B2 (ja) 2007-09-28 2012-10-24 富士フイルム株式会社 画像形成方法および平版印刷版原版
JP5002399B2 (ja) 2007-09-28 2012-08-15 富士フイルム株式会社 平版印刷版原版の処理方法
JP5244518B2 (ja) 2007-09-28 2013-07-24 富士フイルム株式会社 平版印刷版原版及び平版印刷版の作製方法
JP4951454B2 (ja) 2007-09-28 2012-06-13 富士フイルム株式会社 平版印刷版の作成方法
JP4898618B2 (ja) 2007-09-28 2012-03-21 富士フイルム株式会社 インクジェット記録方法
JP5265165B2 (ja) 2007-09-28 2013-08-14 富士フイルム株式会社 塗布装置及びこれを用いるインクジェット記録装置
WO2009057523A1 (ja) 2007-11-01 2009-05-07 Fujifilm Corporation 顔料分散組成物、着色硬化性組成物、カラーフィルタ及びその製造方法
EP2058123B1 (de) 2007-11-08 2012-09-26 FUJIFILM Corporation Harzdruckplattenvorläufer für die Lasergravur, Reliefdruckplatte und Verfahren zur Herstellung der Reliefdruckplatte
JP2009139852A (ja) 2007-12-10 2009-06-25 Fujifilm Corp 平版印刷版の作製方法及び平版印刷版原版
JP5068640B2 (ja) 2007-12-28 2012-11-07 富士フイルム株式会社 染料含有ネガ型硬化性組成物、カラーフィルタ及びその製造方法、並びに固体撮像素子
JP5066452B2 (ja) 2008-01-09 2012-11-07 富士フイルム株式会社 平版印刷版用現像処理方法
JP2009186997A (ja) 2008-01-11 2009-08-20 Fujifilm Corp 平版印刷版原版、平版印刷版の作製方法及び平版印刷版方法
JP5500831B2 (ja) 2008-01-25 2014-05-21 富士フイルム株式会社 レリーフ印刷版の作製方法及びレーザー彫刻用印刷版原版
JP5052360B2 (ja) 2008-01-31 2012-10-17 富士フイルム株式会社 染料含有ネガ型硬化性組成物、カラーフィルタ及びその製造方法
JP5150287B2 (ja) 2008-02-06 2013-02-20 富士フイルム株式会社 平版印刷版の作製方法及び平版印刷版原版
JP5254632B2 (ja) 2008-02-07 2013-08-07 富士フイルム株式会社 インク組成物、インクジェット記録方法、印刷物、及び、成形印刷物
JP5147499B2 (ja) 2008-02-13 2013-02-20 富士フイルム株式会社 感光性着色組成物、並びにカラーフィルタ及びその製造方法
US20090214797A1 (en) 2008-02-25 2009-08-27 Fujifilm Corporation Inkjet ink composition, and inkjet recording method and printed material employing same
JP5137618B2 (ja) 2008-02-28 2013-02-06 富士フイルム株式会社 レーザー彫刻用樹脂組成物、レーザー彫刻用レリーフ印刷版原版、レリーフ印刷版及びレリーフ印刷版の製造方法
EP2095970A1 (de) 2008-02-29 2009-09-02 Fujifilm Corporation Harzzusammensetzung für die Lasergravur, Harzdruckplattenvorläufer für die Lasergravur, Reliefdruckplatte und Verfahren zur Herstellung der Reliefdruckplatte
JP5175582B2 (ja) 2008-03-10 2013-04-03 富士フイルム株式会社 平版印刷版の作製方法
JP5583329B2 (ja) 2008-03-11 2014-09-03 富士フイルム株式会社 顔料組成物、インク組成物、印刷物、インクジェット記録方法、及びポリアリルアミン誘導体
CN101978004B (zh) 2008-03-17 2013-11-06 富士胶片株式会社 颜料分散组合物、着色感光性组合物、光固化性组合物、滤色器、液晶显示元件及固体摄像元件
KR20090100262A (ko) 2008-03-18 2009-09-23 후지필름 가부시키가이샤 감광성 수지 조성물, 차광성 컬러필터와 그 제조 방법, 및 고체촬상소자
JP4940174B2 (ja) 2008-03-21 2012-05-30 富士フイルム株式会社 平版印刷版用自動現像装置
JP2009229771A (ja) 2008-03-21 2009-10-08 Fujifilm Corp 平版印刷版用自動現像方法
JP5473239B2 (ja) 2008-03-25 2014-04-16 富士フイルム株式会社 金属フタロシアニン染料混合物、硬化性組成物、カラーフィルタおよびカラーフィルタの製造方法
JP5422134B2 (ja) 2008-03-25 2014-02-19 富士フイルム株式会社 浸漬型平版印刷版用自動現像方法
JP5422146B2 (ja) 2008-03-25 2014-02-19 富士フイルム株式会社 平版印刷版作成用処理液および平版印刷版原版の処理方法
JP5020871B2 (ja) 2008-03-25 2012-09-05 富士フイルム株式会社 平版印刷版の製造方法
JP4914862B2 (ja) 2008-03-26 2012-04-11 富士フイルム株式会社 インクジェット記録方法、及び、インクジェット記録装置
JP5322575B2 (ja) 2008-03-28 2013-10-23 富士フイルム株式会社 レーザー彫刻用樹脂組成物、画像形成材料、レーザー彫刻用レリーフ印刷版原版、レリーフ印刷版、及びレリーフ印刷版の製造方法
JP5173528B2 (ja) 2008-03-28 2013-04-03 富士フイルム株式会社 感光性樹脂組成物、遮光性カラーフィルター及びその製造方法、並びに、固体撮像素子
JP5305793B2 (ja) 2008-03-31 2013-10-02 富士フイルム株式会社 レリーフ印刷版及びレリーフ印刷版の製造方法
JP5155920B2 (ja) 2008-03-31 2013-03-06 富士フイルム株式会社 感光性透明樹脂組成物、カラーフィルタの製造方法及びカラーフィルター
JP5222624B2 (ja) 2008-05-12 2013-06-26 富士フイルム株式会社 黒色感光性樹脂組成物、及びカラーフィルタ並びにその製造方法
JP5414367B2 (ja) 2008-06-02 2014-02-12 富士フイルム株式会社 顔料分散物及びそれを用いたインク組成物
JP2010044273A (ja) 2008-08-14 2010-02-25 Fujifilm Corp カラーフィルタ及びその形成方法、並びに固体撮像素子
JP5383133B2 (ja) 2008-09-19 2014-01-08 富士フイルム株式会社 インク組成物、インクジェット記録方法及び印刷物成形体の製造方法
US8151705B2 (en) 2008-09-24 2012-04-10 Fujifilm Corporation Method of preparing lithographic printing plate
JP2010077228A (ja) 2008-09-25 2010-04-08 Fujifilm Corp インク組成物、インクジェット記録方法、及び、印刷物
JP5393092B2 (ja) 2008-09-30 2014-01-22 富士フイルム株式会社 染料含有ネガ型硬化性組成物、これを用いたカラーフィルタ及びその製造方法、並びに固体撮像素子
JP2010180330A (ja) 2009-02-05 2010-08-19 Fujifilm Corp 非水系インク、インクセット、画像記録方法、画像記録装置、および記録物
JP5350827B2 (ja) 2009-02-09 2013-11-27 富士フイルム株式会社 インク組成物、及び、インクジェット記録方法
JP2010198735A (ja) 2009-02-20 2010-09-09 Fujifilm Corp 光学部材及び該光学部材を備えた有機エレクトロルミネッセンス表示装置
JP5340198B2 (ja) 2009-02-26 2013-11-13 富士フイルム株式会社 分散組成物
JP5349095B2 (ja) 2009-03-17 2013-11-20 富士フイルム株式会社 インク組成物、及び、インクジェット記録方法
JP5349097B2 (ja) 2009-03-19 2013-11-20 富士フイルム株式会社 インク組成物、インクジェット記録方法、印刷物、及び、成形印刷物の製造方法
JP5315267B2 (ja) 2009-03-26 2013-10-16 富士フイルム株式会社 着色硬化性組成物、カラーフィルタ及びその製造方法、並びに、キノフタロン色素
JP5383289B2 (ja) 2009-03-31 2014-01-08 富士フイルム株式会社 インク組成物、インクジェット用であるインク組成物、インクジェット記録方法、およびインクジェット法による印刷物
WO2010119924A1 (ja) 2009-04-16 2010-10-21 富士フイルム株式会社 カラーフィルタ用重合性組成物、カラーフィルタ、及び固体撮像素子
JP5572026B2 (ja) 2009-09-18 2014-08-13 富士フイルム株式会社 インク組成物、及び、インクジェット記録方法
JP5530141B2 (ja) 2009-09-29 2014-06-25 富士フイルム株式会社 インク組成物及びインクジェット記録方法
JP5701576B2 (ja) 2009-11-20 2015-04-15 富士フイルム株式会社 分散組成物及び感光性樹脂組成物、並びに固体撮像素子
JP2012031388A (ja) 2010-05-19 2012-02-16 Fujifilm Corp 印刷方法、オーバープリントの作製方法、ラミネート加工方法、発光ダイオード硬化性コーティング組成物、及び、発光ダイオード硬化性インク組成物
JP5638285B2 (ja) 2010-05-31 2014-12-10 富士フイルム株式会社 重合性組成物、硬化膜、カラーフィルタ、カラーフィルタの製造方法、および固体撮像素子
JP5622564B2 (ja) 2010-06-30 2014-11-12 富士フイルム株式会社 感光性組成物、パターン形成材料、並びに、これを用いた感光性膜、パターン形成方法、パターン膜、低屈折率膜、光学デバイス、及び、固体撮像素子
EP2472330B1 (de) 2010-12-28 2017-01-25 Fujifilm Corporation Schwarze strahlungsempfindliche Zusammensetzung, schwarzer gehärteter Film, Festkörperabbildungselement und Verfahren zum Herstellen eines schwarzen gehärteten Films
EP2715416B1 (de) 2011-09-14 2019-10-30 FUJIFILM Corporation Gefärbte strahlungsempfindliche zusammensetzung für farbfilter, strukturbildungsverfahren, farbfilter und herstellungsverfahren dafür sowie festkörperbildsensor
JP5934664B2 (ja) 2012-03-19 2016-06-15 富士フイルム株式会社 着色感放射線性組成物、着色硬化膜、カラーフィルタ、着色パターン形成方法、カラーフィルタの製造方法、固体撮像素子、及び画像表示装置
JP5775479B2 (ja) 2012-03-21 2015-09-09 富士フイルム株式会社 着色感放射線性組成物、着色硬化膜、カラーフィルタ、パターン形成方法、カラーフィルタの製造方法、固体撮像素子、及び画像表示装置
EP2644664B1 (de) 2012-03-29 2015-07-29 Fujifilm Corporation Durch aktinische Strahlung härtbare Tintenzusammensetzung, Tintenstrahlaufzeichnungsverfahren, Dekorfolie, Dekorfolienformprodukt, Verfahren zur Herstellung eines In-Mold-Formartikels sowie In-Mold-Formartikel
JP5934682B2 (ja) 2012-08-31 2016-06-15 富士フイルム株式会社 マイクロレンズ形成用又はカラーフィルターの下塗り膜形成用硬化性組成物、透明膜、マイクロレンズ、固体撮像素子、及び、硬化性組成物の製造方法
JP5909468B2 (ja) 2012-08-31 2016-04-26 富士フイルム株式会社 分散組成物、これを用いた硬化性組成物、透明膜、マイクロレンズ、及び固体撮像素子
JP5894943B2 (ja) 2012-08-31 2016-03-30 富士フイルム株式会社 分散組成物、これを用いた硬化性組成物、透明膜、マイクロレンズ、マイクロレンズの製造方法、及び固体撮像素子
JP6170673B2 (ja) 2012-12-27 2017-07-26 富士フイルム株式会社 カラーフィルタ用組成物、赤外線透過フィルタ及びその製造方法、並びに赤外線センサー
JP5980702B2 (ja) 2013-03-07 2016-08-31 富士フイルム株式会社 インクジェットインク組成物、インクジェット記録方法、及び、成型印刷物の製造方法
JP5939644B2 (ja) 2013-08-30 2016-06-22 富士フイルム株式会社 画像形成方法、インモールド成型品の製造方法、及び、インクセット
JP6162084B2 (ja) 2013-09-06 2017-07-12 富士フイルム株式会社 着色組成物、硬化膜、カラーフィルタ、カラーフィルタの製造方法、固体撮像素子、画像表示装置、ポリマー、キサンテン色素
TWI634135B (zh) 2015-12-25 2018-09-01 日商富士軟片股份有限公司 樹脂、組成物、硬化膜、硬化膜的製造方法及半導體元件
KR102134138B1 (ko) 2016-03-14 2020-07-15 후지필름 가부시키가이샤 조성물, 막, 경화막, 광학 센서 및 막의 제조 방법
TW202112837A (zh) 2019-09-26 2021-04-01 日商富士軟片股份有限公司 導熱層的製造方法、積層體的製造方法及半導體器件的製造方法

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1298414B (de) * 1967-11-09 1969-06-26 Kalle Ag Lichtempfindliches Gemisch

Also Published As

Publication number Publication date
ES469089A1 (es) 1979-09-16
IE780788L (en) 1978-10-25
DK176878A (da) 1978-10-26
IT7849012A0 (it) 1978-04-21
NL185179C (nl) 1990-02-01
SE423286B (sv) 1982-04-26
ZA782332B (en) 1979-04-25
GB1602903A (en) 1981-11-18
FR2389157B1 (de) 1980-10-31
AU514951B2 (en) 1981-03-05
FR2389157A1 (fr) 1978-11-24
JPS53133428A (en) 1978-11-21
NL185179B (nl) 1989-09-01
BR7802525A (pt) 1978-12-05
BE866306A (fr) 1978-10-24
IT1102622B (it) 1985-10-07
DE2718259A1 (de) 1978-11-02
AU3535578A (en) 1979-10-25
CA1103508A (en) 1981-06-23
DE2718259C2 (de) 1982-11-25
SE7804588L (sv) 1978-10-26
IE46622B1 (en) 1983-08-10
JPS6244258B2 (de) 1987-09-18
NL7804304A (nl) 1978-10-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CH634158A5 (en) Radition-sensitive resist composition
EP0137452B1 (de) Lichtempfindliche, Trichlormethylgruppen aufweisende Verbindungen, Verfahren zu ihrer Herstellung und diese Verbindungen enthaltendes lichtempfindliches Gemisch
EP0166682B1 (de) Verfahren zur positiven Bilderzeugung
US4189323A (en) Radiation-sensitive copying composition
EP0006626B1 (de) Strahlungsempfindliches Gemisch und Verfahren zur Herstellung von Reliefbildern
DE2704368C2 (de)
EP0041674B1 (de) 2-(Trichlormethyl-phenyl)-4-halogen-oxazol-Derivate, ein Verfahren zu ihrer Herstellung und sie enthaltende strahlungsempfindliche Massen
EP0332044B1 (de) 4,6-Bis-trichlormethyl-s-triazin-2-ylgruppen enthaltende heterocyclische Verbindungen, Verfahren zu ihrer Herstellung und lichtempfindliches Gemisch, das diese Verbindungen enthält
EP0062610B1 (de) Photopolymerisationsverfahren
EP0266654B1 (de) Lichtempfindliches Gemisch, dieses enthaltendes Aufzeichnungsmaterial und Verfahren zur Herstellung von positiven oder negativen Reliefkopien unter Verwendung dieses Materials
EP0445624B1 (de) Photopolymerisierbares Gemisch und daraus hergestelltes Aufzeichnungsmaterial
EP0059250B1 (de) Lichtempfindliches Gemisch und daraus hergestelltes Kopiermaterial
EP0135863A2 (de) Trihalogenmethylgruppen enthaltende Carbonylmethylenheterocyclen, Verfahren zu ihrer Herstellung und lichtempfindliches Gemisch, das diese Verbindungen enthält
DE2717778B2 (de) Lichtempfindliches Gemisch
EP0510443B1 (de) Negativ arbeitendes strahlungsempfindliches Gemisch und damit hergestelltes strahlungsempfindliches Aufzeichnungsmaterial
EP0519298B1 (de) Strahlungsempfindliche Sulfonsäureester und deren Verwendung
DE2845742A1 (de) 2-arylnaphtho eckige klammer auf 1,8-bc eckige klammer zu furan-5-one und diese enthaltende massen
EP0011786A2 (de) Photopolymerisierbares Gemisch
EP0321826B1 (de) Photopolymerisierbares Gemisch und daraus hergestelltes Aufzeichnungsmaterial
EP0717317B1 (de) Strahlungsempfindliches Gemisch
EP0321827B1 (de) Photopolymerisierbares Gemisch und daraus hergestelltes Aufzeichnungsmaterial
EP0102586B1 (de) 1,3-Diaza-9-thia-anthracen-2,4-dione und diese enthaltendes photopolymerisierbares Gemisch
EP0363776A2 (de) Strahlungsempfindliches Gemisch und hiermit hergestelltes strahlungsempfindliches Kopiermaterial
AT284165B (de) Druckplatte mit photoaktiver Schicht
AT284166B (de) Druckplatte mit photoaktiver Schicht

Legal Events

Date Code Title Description
PL Patent ceased