WO2022201660A1 - 切断装置、及び、切断品の製造方法 - Google Patents

切断装置、及び、切断品の製造方法 Download PDF

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WO2022201660A1
WO2022201660A1 PCT/JP2021/045465 JP2021045465W WO2022201660A1 WO 2022201660 A1 WO2022201660 A1 WO 2022201660A1 JP 2021045465 W JP2021045465 W JP 2021045465W WO 2022201660 A1 WO2022201660 A1 WO 2022201660A1
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blade
cutting
cut
height
unit
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PCT/JP2021/045465
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English (en)
French (fr)
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啓人 望月
早織 礒野
和志 宮田
幹司 石橋
Original Assignee
Ｔｏｗａ株式会社
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Publication date
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    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B27/00—Other grinding machines or devices
    • B24B27/06—Grinders for cutting-off
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B49/00—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation
    • B24B49/12—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation involving optical means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26

Definitions

  • the present invention relates to a cutting device and a method for manufacturing a cut product.
  • Patent Document 1 discloses a method for manufacturing a package chip.
  • the package substrate is cut with the first cutting blade along the dividing line to form a half-cut groove (half-cut step).
  • the full cut step is performed through the step of plating the electrodes of the package substrate.
  • half-cut grooves are cut by a second cutting blade to obtain a plurality of package chips separated from each other.
  • the second cutting blade has a thinner blade thickness than the first cutting blade. As a result, the amount of burrs remaining between package chips can be reduced (see Patent Document 1).
  • the present invention has been made to solve such problems, and an object of the present invention is to provide a cutting apparatus capable of reducing variations in the depth of grooves formed on an object to be cut by half-cutting, and The object is to provide a method for manufacturing a cut product.
  • a cutting device is a cutting device configured to form a half-cut groove in an object to be cut by cutting the object in the thickness direction, the table and the blade It comprises an attached spindle section, a detection section, and a control section.
  • a table holds a cutting object.
  • the blade forms a groove pattern composed of half-cut grooves in the object to be cut by moving relative to the table while cutting the object to be cut.
  • the detector detects the height of the blade with respect to the table.
  • the controller controls the position of the blade in the height direction.
  • the control unit causes the detection unit to detect the height of the blade according to the length of the cutting object cut by the blade while the blade forms the groove pattern on one cutting object, and the detected height is stored in advance. Correct the vertical position of the blade if it does not meet the specified requirements.
  • a method for manufacturing a cut product according to another aspect of the present invention is a manufacturing method for manufacturing a cut product by cutting an object to be cut in the thickness direction, and includes the following steps.
  • a second blade which is thinner than the first blade, to cut the object to be cut along the groove pattern formed in the object to be cut, thereby obtaining cut pieces separated from each other.
  • the step of forming the groove pattern includes the step of detecting the height of the blade according to the length of the cutting object cut by the first blade, and the step of detecting whether the detected height satisfies a predetermined requirement. If not, correcting the height position of the blade.
  • the present invention it is possible to provide a cutting apparatus capable of reducing unevenness in the depth of grooves formed on an object to be cut by half-cutting, and a method for manufacturing a cut product.
  • FIG. 1 is a block diagram showing an electrical configuration of a cutting device according to an embodiment
  • 4A and 4B are diagrams for explaining a method for forming a stepped portion
  • 4A and 4B are diagrams for explaining a method for forming a stepped portion
  • 4 is a flow chart showing the flow of a series of cutting operations of the cutting device.
  • FIG. 5 is a diagram for explaining a method of height detection by a detection unit
  • FIG. 5 is a diagram for explaining another method of height detection by the detection unit;
  • FIG. 1 is a diagram schematically showing a part of the plane of the cutting device 1 according to the first embodiment.
  • the cutting device 1 is configured to cut an object to be cut.
  • the concept of the term "cutting” includes separating an object to be cut into a plurality of singulated pieces and removing a portion of the object to be cut.
  • cutting that separates an object to be cut into a plurality of individual cut pieces may be referred to as full-cutting
  • cutting that removes a portion of the object to be cut in the thickness direction may be referred to as half-cutting.
  • the object to be cut is the package substrate 4, and the cut product is the semiconductor package 40 (see FIG. 4).
  • the semiconductor package 40 will be described later.
  • the cutting device 1 manufactures a plurality of semiconductor packages 40 by cutting the package substrate 4 .
  • a plurality of manufactured semiconductor packages 40 are further sent to the next step.
  • the configuration of the cutting device 1 will be described below.
  • FIG. 2 is a diagram schematically showing part of the cutting device 1 seen from the side
  • FIG. 3 is a block diagram showing the electrical configuration of the cutting device 1.
  • the cutting device 1 mainly comprises a cutting unit 10, a holding unit 20, a detection unit 30 and a control unit 50.
  • the cutting device 1 may be provided with units other than those described above.
  • the cutting apparatus 1 includes a substrate supply unit that supplies the package substrate 4, an inspection unit that inspects the package substrate 4 and/or the semiconductor packages 40, a cleaning unit that cleans and/or dries the cut semiconductor packages 40, A transport unit or the like may be provided for transporting the semiconductor package 40 to the storage unit. Configurations of the cutting unit 10, the holding unit 20, the detection unit 30, and the control unit 50 will be described below.
  • the cutting unit 10 is arranged above the holding unit 20 and configured to cut the package substrate 4 .
  • the cutting unit 10 includes a blade 101 , a spindle section 102 , and a moving mechanism (not shown) that moves the spindle section 102 to a desired position within the cutting device 1 .
  • the cutting device 1 may have a twin-spindle configuration with a pair of spindle portions 102 or a single-spindle configuration with only one spindle portion 102 .
  • the spindle unit 102 is moved along the X-axis and Z-axis in FIGS. 1 and 2 by a moving mechanism (not shown).
  • the operation of the movement mechanism that is, the movement of the spindle section 102 and the position in the X-axis and Z-axis directions is controlled by a control section 500, which will be described later.
  • the Z-axis direction in FIGS. 1 and 2 may be referred to as the height direction of the spindle portion 102 or the blade 101 .
  • the blade 101 is an annular blade and is detachably attached to the tip of the spindle section 102 . Thereby, the blade 101 moves along the X-axis and the Z-axis in FIGS. 1 and 2 together with the spindle portion 102 .
  • the blade 101 attached to the spindle section 102 is configured to perform half-cutting and full-cutting on the package substrate 4 by rotating at high speed upon receiving rotation from the spindle section 102 .
  • the half-cut blade is referred to as the first blade 101A
  • the full-cut blade is referred to as the second blade 101B.
  • the first blade 101A has a first thickness and the second blade 101B has a second thickness less than the first thickness. That is, the second blade 101B is thinner than the first blade 101A.
  • a blade 101 is simply referred to when it corresponds to both the first blade 101A and the second blade 101B. In this embodiment, either the first blade 101A or the second blade 101B is attached to the spindle portion 102 to perform cutting.
  • the first blade 101A is made of a conductive material, and is electrically conductive with the spindle section 102 when attached to the spindle section 102 .
  • the spindle section 102 is electrically connected to a detection circuit 301 which will be described later.
  • the first blade 101A cuts the package substrate 4 and moves relative to a table 201, which will be described later, to remove a portion of the package substrate 4 in its thickness direction. be. That is, a portion of the package substrate 4 is removed in its thickness direction by the first blade 101A. As a result, a half-cut groove G1 extending in the longitudinal direction of the package substrate 4 and a half-cut groove G2 extending in the lateral direction of the package substrate 4 are formed on the package substrate 4 (see FIG. 5A).
  • the second blade 101B moves relative to the table 201 while cutting the package substrate 4 along the groove pattern. As a result, the portions corresponding to the half-cut grooves G1 and G2 are separated, and the package substrate 4 is singulated into a plurality of separated semiconductor packages 40 .
  • the holding unit 20 is configured to hold the package substrate 4 .
  • Holding unit 20 includes moving mechanism 203 , table 201 , and rubber 202 arranged on table 201 .
  • the cutting device 1 may have a twin cut table configuration having two holding units 20, may have one holding unit 20, or may have three or more holding units 20. good.
  • the package substrate 4 is held by the holding unit 20 and cut along its longitudinal direction and transverse direction while moving relative to the blade 101 .
  • the rubber 202 is a plate-like member made of rubber, and has a plurality of holes formed therein.
  • a package substrate 4 is arranged on the rubber 202 .
  • the holding unit 20 does not necessarily include the rubber 202 .
  • the rubber 202 may be omitted, or another member may be included instead of the rubber 202 .
  • the table 201 holds the package substrate 4 by sucking the package substrate 4 placed on the rubber 202 from the lower package surface side.
  • the table 201 is rotatable in the ⁇ direction in the drawing and movable along the Y axis in the drawing by a moving mechanism 203 .
  • a moving mechanism 203 is arranged under the table 201 and configured to move the table 201 along the Y-axis of the figure. Operations of the table 201 and the moving mechanism 203 are controlled by a control unit 50, which will be described later.
  • the detection unit 30 is used to detect the positions of the spindle portion 102 and the first blade 101A in the height direction (Z-axis direction).
  • the detection unit 30 is an example of the detection section of the present invention, and includes a CCS (Contact Cutter Setup) block 300 , a detection circuit 301 and a detection device 302 .
  • CCS block 300 is an example of the contactor of the present invention, and is made of a conductive material.
  • the CCS block 300 is attached to the side of the table 201 so that the height of the top surface of the CCS block 300 matches the height of the top surface of the table 201 . That is, the CCS block 300 of this embodiment can move together with the table 201 .
  • the detection circuit 301 is a circuit configured to be energized when the first blade 101A contacts the upper surface of the CCS block 300, is electrically connected to the CCS block 300 and the spindle section 102, and the detection device 302 is incorporated therein.
  • the detection circuit 301 is configured to apply a constant voltage to the CCS block 300 and the spindle section 102 from a power supply (not shown).
  • the detection device 302 detects a change in the state of conduction due to the energization of the detection circuit 301, in other words, the contact between the first blade 101A (more precisely, the edge of the first blade 101A) and the CCS block 300, which will be described later. Notifies the control unit 500 to do so.
  • the control unit 500 controls the position of the spindle unit 102 in the height direction, and gradually brings the spindle unit 102 closer to the upper surface of the CCS block 300 from a certain coordinate in the height direction as a starting point.
  • the control unit 500 recognizes the coordinate in the height direction of the spindle unit 102 when contact between the first blade 101A and the CCS block 300 is detected as the end point.
  • the height of the spindle portion 102 at the starting point, and thus the height of the first blade 101A is detected with the upper surface of the CCS block 300 as a reference.
  • the height of the top surface of the CCS block 300 with respect to the table 201 is stored in the cutting device 1 in advance.
  • the heights of the spindle section 102 and the first blade 101A are detected by the detection unit 30, for example, after the new first blade 101A is attached to the spindle section 102 and before half-cutting is started.
  • the height detected at this timing is stored in the control unit 50 as a reference height.
  • the height detection by the detection unit 30 is also performed at the detection timing during half-cutting.
  • the amount of deviation of the height from the reference height detected during half-cutting indicates the amount of change in the diameter of the first blade 101A, that is, the amount of wear of the first blade 101A. Therefore, it can be said that the detection unit 30 detects the wear state of the first blade 101A during half-cutting.
  • the "predetermined requirement" in the present invention means, for example, that the amount of deviation between the reference height and the height detected at the detection timing is less than a predetermined threshold.
  • the control unit 50 is electrically connected to the cutting unit 10, the holding unit 20 and the detection unit 30 and is configured to control the operation of each unit 10-30.
  • the control unit 50 may be configured integrally with the units 10-30, or may be configured separately from the units 10-30. As shown in FIG. 3 , the control unit 50 includes a control section 500 , a display section 501 , an input section 502 and a storage section 503 .
  • the control unit 500 includes a CPU (Central Processing Unit), RAM (Random Access Memory), ROM (Read Only Memory), and the like.
  • the ROM stores an operation program 5000 for controlling the operation of each unit 10-30.
  • the CPU reads and executes the operation program 5000 from the ROM.
  • the ROM is appropriately used for arithmetic processing of the CPU. Note that the operating program 5000 may be stored in the storage unit 503 instead of the ROM.
  • the display unit 501 is configured to display, for example, various types of information to the user, and is configured to display a user interface screen for accepting input of cutting parameters and detection parameters (to be described later) from the user.
  • the display unit 501 can be implemented in any form such as a liquid crystal display element, a liquid crystal display, an organic EL display, a touch panel display, or the like.
  • the input unit 502 is configured to accept user input of cutting parameters and detection parameters, which will be described later.
  • the input unit 502 can be implemented in any form such as a keyboard, push button, touch panel display, or the like. When the input unit 502 is implemented by a touch panel display, the input unit 502 may also serve as the display unit 501 .
  • a cutting parameter is a parameter that specifies the position where the package substrate 4 should be cut. Since the package substrate 4 is usually cut according to a grid-like cutting pattern, the grid-like cutting pattern is determined by determining the cutting parameters. As a result, when half-cutting is performed according to the cutting parameters, a groove pattern corresponding to the cutting pattern, which is composed of the half-cut grooves G1 and G2, is formed in the package substrate 4.
  • FIG. Cutting parameters include, but are not limited to, the length of the package substrate 4 in the longitudinal direction and the length in the lateral direction, the number of half-cut grooves G1 and G2 to be formed in the longitudinal direction and the lateral direction of the package substrate 4. , and a numerical value specifying the depth of the half-cut grooves G1 and G2.
  • the length in the longitudinal direction of the package substrate 4 matches the length of the half-cut groove G1, and the length in the width direction matches the length of the half-cut groove G2.
  • the detection parameter is a parameter for setting the detection timing for detecting the wear state of the first blade 101A. Since the wear of the first blade 101A progresses according to the length of the half-cut (cutting distance), the detection parameter according to this embodiment is specified as a predetermined length. In other words, the cutting device 1 is configured such that the detection timing comes each time the first blade 101A cuts half-cut to a length corresponding to the detection parameter.
  • the length as a detection parameter can be selected as appropriate. can be suppressed within a preferable range.
  • the cutting parameters and detection parameters are input via the input unit 502 and stored in the RAM or storage unit 503.
  • the control unit 500 can predetermine the detection timing based on the stored cutting parameters and detection parameters. For example, the control unit 500 sets the timing at which the total length of cutting distances for the half-cut grooves G1 and G2 formed after the start of half-cutting reaches a predetermined length for the first time as the first detection timing. be able to. Further, the control unit 500 detects the timing at which the total length of the cutting distances for the half-cut grooves G1 and G2 formed after the first detection timing reaches a predetermined length for the first time. can be timing.
  • control unit 500 sets the detection timing during the formation of the groove pattern composed of the plurality of half-cut grooves G1 and G2 to once during the formation of the groove pattern on the same package substrate 4. Or set multiple times.
  • the controller 500 thereby causes the detection unit 30 to detect the height of the first blade 101A according to the length of the package substrate 4 cut by the first blade 101A.
  • the detection parameter can be length.
  • the detection timing based on this is preferably the timing after one half-cut groove G1 or G2 is formed, not the timing in the middle of forming one half-cut groove G1 or G2. That is, the wear of the first blade 101A is detected not during the formation of one half-cut groove G1 or G2, but after the formation of one half-cut groove G1 or G2 is completed, and the next half-cut groove G1 or G2 is detected. is preferably performed before the formation of
  • the control section 500 controls the cutting operations of the cutting unit 10 and the holding unit 20 based on the cutting parameters and detection parameters.
  • the control unit 500 controls the height position of the spindle unit 102 (first blade 101A) so that the depths of the half-cut grooves G1 and G2 are the depths specified by the cutting parameters. This height position may be corrected according to the wear state of the first blade 101A detected at the detection timing, as will be described later.
  • the controller 500 causes the holding unit 20 holding the package substrate 4 to enter below the rotating first blade 101A and move it in the Y-axis direction, thereby forming the first half-cut groove G1.
  • the control unit 500 moves the spindle unit 102 in the X-axis direction by a distance corresponding to one grid in the cutting pattern.
  • control section 500 again enters the holding unit 20 under the first blade 101A and moves it in the Y-axis direction to form the second half-cut groove G1.
  • the control section 500 again enters the holding unit 20 under the first blade 101A and moves it in the Y-axis direction to form the second half-cut groove G1.
  • control section 500 rotates the table 201 by 90 degrees, and similarly operates the cutting unit 10 and the holding unit 20 .
  • a plurality of half-cut grooves G2 are further formed in the package substrate 4 according to the cutting parameters.
  • the order of forming the half-cut grooves G1 and G2 may be reversed.
  • the control unit 500 counts the number of formed half-cut grooves G1 and G2 based on, for example, the number of times the spindle section 102 moves, the number of times the holding unit 20 moves, and the number of times the table 201 rotates. Thereby, the control section 500 can determine whether or not the detection timing has come each time one half-cut groove G1 or G2 is formed.
  • the type of the package substrate 4 targeted in this embodiment is not particularly limited, but is, for example, a wettable QFN (Quad Flat No-leaded) package substrate.
  • a semiconductor package 40 as shown in FIG. 4 is manufactured.
  • the package substrate 4 is obtained by resin-molding a substrate to which electronic elements such as a semiconductor chip, a resistance element, and a capacitor element are connected so as to seal at least the electronic elements with resin.
  • a lead frame and a printed wiring board can be used as a substrate constituting the package substrate 4.
  • a semiconductor substrate, a metal substrate, a ceramic substrate, a glass substrate, a resin substrate, etc. can be used. can be done.
  • the substrate constituting the package substrate 4 may or may not be wired.
  • a stepped portion 41 is formed at the boundary between the upper surface (the surface on which the terminals 42 are formed) and the side surface.
  • solder enters the stepped portion 41 .
  • the solder since the solder has entered the stepped portion 41, the solder fillet can be easily observed from the side surface of the semiconductor package 40 in the appearance inspection after mounting.
  • the semiconductor package 40 has various advantages.
  • FIG. 5A and 5B are diagrams for explaining the method of forming the stepped portion 41.
  • the first blade 101A having a first thickness forms half-cut grooves G1 and G2 on the package substrate 4 along the grid-like cutting pattern already described.
  • a lattice groove pattern composed of a plurality of half-cut grooves G1 and G2 is formed on the package substrate 4.
  • a peripheral edge portion 4A outside the dashed-dotted line shown in FIG. 5A indicates a region that does not include a semiconductor chip or the like and does not become the semiconductor package 40 after full cutting.
  • the cutting parameters are appropriately set so that the peripheral portion 4A is formed.
  • FIG. 5B is a schematic cross-sectional view of the vicinity of the half-cut grooves G1 and G2.
  • the second blade 101B After forming the groove pattern, the second blade 101B fully cuts the package substrate 4 at the position P1 to separate the package substrate 4 into pieces.
  • the position P1 is preferably the center of the half-cut grooves G1 and G2.
  • a plurality of semiconductor packages 40 having stepped portions 41 are manufactured.
  • the cross-sectional shape of the half-cut grooves G1 and G2 is not limited to the shape shown in FIG. 5B.
  • the depth of the half-cut grooves G1 and G2 may vary even on the same package substrate 4.
  • the depth of the half-cut grooves G1 and G2 means the length from the upper surface of the package substrate 4 to the lowest position of the half-cut grooves G1 and G2.
  • the wear of the first blade 101A is detected even during half-cutting, and the height adjustment of the first blade 101A is controlled as necessary. can be suppressed within a certain range.
  • the operation of the cutting device 1 will be described below.
  • FIG. 6 is a flow chart showing a series of cutting operations performed by the cutting device 1 when forming a groove pattern on the package substrate 4. As shown in FIG. The cutting operation shown in FIG. 6 starts, for example, at the timing when the first blade 101A is attached to the spindle portion 102. As shown in FIG.
  • step S1 the reference height in the height direction of the spindle portion 102, that is, the first blade 101A is detected.
  • the control unit 500 first moves the spindle unit 102 relative to the holding unit 20 and arranges it above the CCS block 300 . Then, as shown in FIG. 7, the position of the spindle portion 102 in the height direction is gradually lowered to bring the first blade 101A into contact with the upper surface of the CCS block 300. Then, as shown in FIG. At this time, as the contact point on the upper surface of the CCS block 300, a point that has never been contacted by the first blade 101A is selected. This is because there is a possibility that the location where the first blade 101A has come into contact may be damaged and not flat.
  • the control unit 500 saves the detected reference height coordinates in the RAM or the storage unit 503 .
  • Step S1 is an example of "the step of setting the reference height of the first blade" of the present invention.
  • step S2 the user inputs detection parameters and cutting parameters via the input unit 502.
  • Control unit 500 stores these input parameters in RAM or storage unit 503 . Also, the control unit 500 determines the detection timing based on these parameters.
  • step S3 in the cutting device 1, the control section 500 controls the operations of the cutting unit 10 and the holding unit 20, and half-cutting is performed to form a groove pattern following the cutting pattern. That is, in step S3, the cutting device 1 forms the half-cut groove G1 or G2 in the package substrate 4 using the first blade 101A that moves relatively to the package substrate 4 while cutting the package substrate 4. FIG. After one half-cut groove G1 or G2 is formed by the first blade 101A, step S4 is executed.
  • step S4 the control unit 500 determines whether or not the detection timing has arrived, in other words, whether or not the length of the cut of the package substrate 4 by the first blade 101A has reached a predetermined length as a detection parameter. to judge.
  • the process returns to step S3 to form the next half-cut groove G1 or G2.
  • the next step S5 is executed.
  • step S5 the cutting device 1 suspends half-cutting (the process of forming a groove pattern). Specifically, the control unit 500 transmits a signal for suspending half-cutting to the cutting unit 10 and the holding unit 20, and puts the cutting unit 10 and the holding unit 20 into a state of temporarily suspending half-cutting.
  • step S6 the control section 500 causes the detection unit 30 to detect the height of the spindle section 102 (first blade 101A).
  • the controller 500 brings the first blade 101A into contact with the upper surface of the CCS block 300 in the same manner as in step S1.
  • the contact point on the upper surface of the CCS block 300 is selected to be a point that the first blade 101A has never been in contact with.
  • Control unit 500 stores the detected height coordinates in RAM or storage unit 503 .
  • control unit 500 adjusts the height of the first blade 101A based on the coordinates of the height of the spindle unit 102 (first blade 101A) at the detection timing and the coordinates of the reference height detected in step S1.
  • the amount of deviation of the detected height from the reference height which is the amount of wear, is calculated.
  • the controller 500 determines whether the detected height satisfies a predetermined requirement, that is, determines whether the calculated wear amount (height deviation amount) of the first blade 101A is determined in advance. It is determined whether or not it is less than the threshold. If it is determined that the amount of wear is equal to or greater than the threshold and the detected height does not satisfy the requirements, the next step S9 is executed.
  • the threshold value can be appropriately set based on the allowable variation range of the depths of the half-cut grooves G1 and G2 within the same package substrate 4, and is, for example, 10 ⁇ m.
  • the threshold is stored in advance in the storage unit 503 or RAM.
  • step S9 the control unit 500 corrects the height direction position of the spindle unit 102 (first blade 101A) according to the amount of wear. That is, the control unit 500 moves the spindle unit 102 downward by the amount of wear of the first blade 101A. After that, step S10 is executed.
  • step S8 if it is determined in step S8 that the detected height satisfies the predetermined requirement, that is, the amount of wear is less than the threshold value, the control unit 500 changes the position of the spindle unit 102 in the height direction. No correction.
  • the control section 500 transmits a signal for resuming half-cutting (the process of forming a groove pattern) to the cutting unit 10 and the holding unit 20, and cancels the temporarily interrupted state of the cutting unit 10 and the holding unit 20. Then, the process returns to step S3 to form the next half-cut groove G1 or G2.
  • step S10 the cutting device 1 resumes half-cutting (the process of forming a groove pattern). Specifically, the control section 500 transmits a signal for resuming half-cutting to the cutting unit 10 and the holding unit 20, and cancels the temporary interruption state of the cutting unit 10 and the holding unit 20.
  • FIG. 1 the control section 500 transmits a signal for resuming half-cutting to the cutting unit 10 and the holding unit 20, and cancels the temporary interruption state of the cutting unit 10 and the holding unit 20.
  • step S11 the control unit 500 determines whether or not to end the half-cut.
  • the control unit 500 determines that the half-cut is finished, and the cutting operation by the cutting device 1 is finished.
  • step S3 is executed again. In this case, steps S3 to S11 are repeated until the control unit 500 determines that the half-cut is finished in step S11, that is, until the formation of the groove pattern according to the cutting pattern is completed.
  • Steps S3 to S11 of the present invention form a groove pattern composed of half-cut grooves on a cutting object using a first blade that moves relatively to the cutting object while cutting the cutting object. This is an example of a "forming step".
  • the cutting device 1 can further perform a full cut after the cutting operation shown in FIG. 6 is finished.
  • the blade is replaced, and the second blade 101B is attached to the spindle portion 102 instead of the first blade 101A.
  • a full cut is performed by the second blade 101B after replacement.
  • the second blade 101B cuts and separates the package substrate 4 in the thickness direction according to the formed groove pattern. Thereby, a plurality of individualized semiconductor packages 40 are obtained.
  • This full-cut step is performed by cutting the object to be cut along the groove pattern formed in the object to be cut using the second blade thinner than the first blade of the present invention, thereby cutting the object to be cut apart from each other. This is an example of the step of obtaining goods.
  • the semiconductor package 40 after full cutting, including the portion that was the peripheral portion 4A of the package substrate 4, may be sent to another unit provided in the cutting apparatus 1.
  • the wear amount of the first blade 101A is detected at the detection timing, and if necessary The height position of the first blade 101A is corrected. As a result, the wear amount of the first blade 101A can be appropriately managed, and variations in the depths of the half-cut grooves G1 and G2 formed on the same package substrate 4 can be suppressed.
  • wear detection of the first blade 101A at the detection timing is performed using contact height detection by the CCS block 300.
  • the wear amount of the first blade 101A can be detected more accurately.
  • wear detection can be performed efficiently.
  • the CCS block 300 is arranged so that the height of the top surface of the CCS block 300 and the height of the top surface of the table 201 match, the height can be detected with higher accuracy.
  • the cutting device 1 according to the first embodiment has a detection unit 30 including a CCS block 300, a detection circuit 301 and a detection device 302 as a detection section.
  • the cutting device 1A according to the second embodiment is different from the first embodiment in that a detection unit 31 including a light emitting section 303 and a light receiving section 304 is provided as a detection section. That is, the wear of the first blade 101A was detected by a contact method using a contact in the cutting device 1, but in the cutting device 1A, the wear of the first blade 101A was detected by a non-contact method in which the first blade 101A is not brought into contact with the contact. Wear is detected.
  • the configuration of the cutting device 1A will be described below, but the same reference numerals are given to the configurations common to the cutting device 1, and the description thereof will be omitted.
  • the light emitting section 303 and the light receiving section 304 are attached to face each other with a gap in the X-axis direction.
  • the distance between the light-emitting portion 303 and the light-receiving portion 304 is such that the first blade 101A can pass therethrough.
  • the light-emitting portion 303 is configured to emit light toward the light-receiving portion 304 , and the light beam emitted by the light-emitting portion 303 reaches the light-receiving portion 304 .
  • the light emitting unit 303 includes a light emitting element.
  • the light-emitting element include a light-projecting fiber of a fiber sensor, an LED, and the like.
  • the light-emitting element is arranged to face a light-receiving element of the light-receiving section 304, which will be described later, and emits a light beam substantially parallel to the X-axis.
  • the light receiving section 304 includes a light receiving element.
  • the light-receiving element include a light-receiving fiber of a fiber sensor and a light-receiving element that receives light emitted from an LED.
  • the light-receiving element is arranged so as to face the light-emitting element of the light-emitting portion 303 and match the position of the light-emitting element in the Z-axis direction. In a state in which an object does not block the space between the light emitting element and the light receiving element, the light beam emitted by the light emitting element reaches the light receiving element.
  • the light-receiving elements are configured to convert changes in light rays impinging on them into electrical signals.
  • the detection unit 31 detects a change in the light beam reaching the light receiving section 304, thereby detecting that the edge of the first blade 101A exists at the position of the light beam in the Z-axis direction. To detect.
  • the control unit 500 is notified of the detection state of the change in the light beam by the detection unit 31 .
  • the control unit 500 gradually brings the spindle unit 102 closer to the light beam between the light emitting unit 303 and the light receiving unit 304 starting from a coordinate in the height direction. Based on the notification from the detection unit 31, the control unit 500 recognizes the coordinate in the height direction of the spindle unit 102 when the first blade 101A detects the light beam as the end point. Thereby, the height of the spindle portion 102 at the starting point and thus the height of the first blade 101A is detected.
  • the height of the light beam emitted by the light emitting unit 303 is stored in advance in the storage unit 503 or RAM.
  • the control unit 500 gradually moves the first blade 101A downward while the first blade 101A exists between the light emitting unit 303 and the light receiving unit 304 in the X-axis direction.
  • the control section 500 Based on the notification from the detection unit 31, the control section 500 derives the height of the spindle section 102 (first blade 101A).
  • the control unit 500 calculates the wear amount of the first blade 101A based on the reference height of the spindle portion 102 detected before the first blade 101A performs half-cutting and the height of the spindle portion 102 detected at the detection timing. Calculate Thereafter, similarly to the cutting device 1, the control section 500 corrects the height position of the spindle section 102 if necessary.
  • the detection unit 30 may detect the reference height of the spindle portion 102 detected before the start of half-cutting.
  • the cutting device 1A may include the detection unit 31 in addition to the detection unit 30 .
  • the detection unit 31 may detect the reference height of the spindle portion 102 detected before starting the half-cut.
  • the cutting device 1A may include the detection unit 31 instead of the detection unit 30 .
  • wear detection of the first blade 101A at the detection timing is performed by a non-contact method in which the first blade 101A is not brought into contact with the contactor.
  • the wear state of the first blade 101A is managed without imposing a burden on the first blade 101A, and variations in depth of the half-cut grooves G1 and G2 are reduced.
  • the configuration of the detection unit 30 is not limited to the configuration of the above embodiment, and can be changed as appropriate.
  • the table 201 itself may be configured as a contact.
  • the position of arranging the CCS block 300 as a contact is not limited to the above embodiment, and may be separated from the table 201, for example, and can be changed as appropriate.
  • the number of CCS blocks 300 provided in the cutting device is not particularly limited.
  • the configuration of the detection circuit 301 may be changed as appropriate.
  • the cutting parameters are not limited to the parameters exemplified in the above embodiments, and any type of parameters may be used as long as they can specify a cutting pattern. Further, when the type of the package substrate 4 and the cutting pattern correspond to each other, it is also possible to store in the control unit 50 in advance correspondence data indicating this correspondence. In this case, when the user inputs the type of the package substrate 4, the control unit 500 may be configured to call the corresponding cutting parameter from the correspondence data and perform control based on this.
  • the detection timing does not have to be calculated in advance by the control unit 500 .
  • the control unit 500 monitors the length of the half-cut by the first blade 101A based on the number of movements of the spindle unit 102 and the table 201, the number of rotations of the table 201, and the like.
  • the detection timing may be timely determined according to the detection parameters.
  • the method of detecting light rays by the light emitting unit 303 and the light receiving unit 304 can be changed as appropriate.
  • the light-emitting unit 303 and the light-receiving unit 304 may be installed at the same position in the X-axis direction so that both the light-emitting element and the light-receiving element face the X-axis direction.
  • wear of the first blade 101A may be detected by the light receiving unit 304 detecting light rays emitted by the light emitting unit 303 and then reflected by the first blade 101A to reach the light receiving unit 304.
  • a reflector for reflecting the light beam emitted by the light emitting unit 303 toward the light receiving unit 304 is provided at an appropriate position within the cutting device 1A, and the reflected light reaching the light receiving unit 304 is blocked by the first blade 101A. You may make it detect that.
  • steps S1 and S2 are performed may be reversed. That is, the detection of the reference height of the spindle section 102 may be performed after the detection parameters are input.
  • Operations of the cutting unit 10 and the holding unit 20 are not limited to the operations illustrated in the above embodiments.
  • the table 201 may only be rotated, and the package substrate 4 may be cut by moving the spindle 102 in the Y-axis direction. That is, the package substrate 4 may be cut by relatively moving the table 201 and the blade 101 .
  • the package substrate 4 is exemplified as the object to be cut
  • the semiconductor package 40 is exemplified as the cut product.
  • examples of the cutting object and the cut product are not limited to this.
  • the first blade 101A is replaced with the second blade 101B after half-cutting.
  • the second blade 101B may be attached to another spindle 102 in advance to perform a full cut without replacing the blade 101.
  • the package substrate 4 may be subjected to a process other than cutting, such as plating.
  • the "step of forming a groove pattern" in the present invention means, for example, steps S3 to S11 described above.
  • the step of forming a groove pattern means a period between steps in which all half-cuts scheduled before full-cutting are performed.
  • the cutting devices 1 and 1A may be configured to detect the height of the first blade 101A while one half-cut groove G1 or G2 is being formed.
  • the step of forming a groove pattern means the period during which one half-cut groove G1 or G2 is formed.
  • the cutting devices 1 and 1A may be configured as devices dedicated to half-cutting, which only performs half-cutting. In this case, replacement of the blades of the cutting devices 1 and 1A can be omitted.
  • a full cut using the second blade 101B may be performed using another device. That is, the step of obtaining cut products separated from each other by cutting the object to be cut along the groove pattern formed in the object to be cut using the second blade thinner than the first blade of the present invention. ' may be performed by a device other than the cutting devices 1 and 1A.

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Abstract

切断装置は、切断対象物にハーフカット溝を形成するように構成された切断装置であって、テーブルと、ブレードが取り付けられるスピンドル部と、検出部と、制御部とを備える。テーブルは、切断対象物を保持する。ブレードは、切断対象物を切断しながらテーブルに対して相対的に移動することにより、ハーフカット溝により構成される溝パターンを切断対象物に形成する。検出部は、テーブルに対するブレードの高さを検出する。制御部は、ブレードの高さ方向の位置を制御する。制御部は、ブレードが１つの切断対象物に溝パターンを形成する間、ブレードが切断対象物を切断した長さに応じて検出部にブレードの高さを検出させ、検出された高さが予め定められる要件を充足していない場合に、ブレードの高さ方向の位置を補正する。

Description

切断装置、及び、切断品の製造方法
　本発明は、切断装置、及び、切断品の製造方法に関する。
　特開２０２０－１６１６１５号公報（特許文献１）は、パッケージチップの製造方法を開示する。この製造方法においては、パッケージ基板を分割予定ラインに沿って第１切削ブレードで切削し、ハーフカット溝を形成する（ハーフカットステップ）。その後、パッケージ基板の電極にメッキ処理を施すステップを経て、フルカットステップが実行される。フルカットステップでは、第２切削ブレードによってハーフカット溝が切削され、互いに分離された複数のパッケージチップが得られる。第２切削ブレードは、刃厚が第１切削ブレードよりも薄い。これにより、パッケージチップ間に残るバリの量を低減することができる（特許文献１参照）。
特開２０２０－１６１６１５号公報
　パッケージ基板に例示される切断対象物にハーフカット溝を形成するステップでは、ばらつきが少ない深さのハーフカット溝を形成することが重要である。しかし、ハーフカット溝を形成するためのブレードは、予め定められたラインに沿って切削を行う間に摩耗し、同一の切断対象物におけるハーフカット溝の深さにばらつきが生じる。上記特許文献１においては、このような問題の解決手段が開示されていない。
　本発明は、このような問題を解決するためになされたものであって、その目的は、ハーフカットによって切断対象物上に形成される溝の深さのばらつきを低減可能な切断装置、及び、切断品の製造方法を提供することである。
　本発明の一側面に係る切断装置は、切断対象物を厚さ方向に切断することにより、切断対象物にハーフカット溝を形成するように構成された切断装置であって、テーブルと、ブレードが取り付けられるスピンドル部と、検出部と、制御部とを備える。テーブルは、切断対象物を保持する。ブレードは、切断対象物を切断しながらテーブルに対して相対的に移動することにより、ハーフカット溝により構成される溝パターンを切断対象物に形成する。検出部は、テーブルに対するブレードの高さを検出する。制御部は、ブレードの高さ方向の位置を制御する。制御部は、ブレードが１つの切断対象物に溝パターンを形成する間、ブレードが切断対象物を切断した長さに応じて検出部にブレードの高さを検出させ、検出された高さが予め定められた要件を充足していない場合に、ブレードの高さ方向の位置を補正する。
　本発明の他の側面に係る切断品の製造方法は、切断対象物を厚さ方向に切断することにより切断品を製造する製造方法であって、以下のステップを含む。
・切断対象物を切断しながら切断対象物に対して相対的に移動する第１ブレードを用いて、切断対象物にハーフカット溝から構成される溝パターンを形成するステップ。
・第１ブレードよりも厚みが薄い第２ブレードを用いて、切断対象物に形成された溝パターンに沿って切断対象物を切断することにより、互いに分離した切断品を得るステップ。
　なお、溝パターンを形成するステップは、第１ブレードが切断対象物を切断した長さに応じてブレードの高さを検出するステップと、検出された高さが予め定められた要件を充足していない場合に、ブレードの高さ方向の位置を補正するステップとを含む。
　本発明によれば、ハーフカットによって切断対象物上に形成される溝の深さのばらつきを低減可能な切断装置、及び、切断品の製造方法を提供することができる。
実施形態に係る切断装置の平面の一部を模式的に示す図。 実施形態に係る切断装置の一部を側方から見た模式図。 実施形態に係る切断装置の電気的構成を示すブロック図。 半導体パッケージを模式的に示す斜視図。 段差部の形成方法について説明する図。 段差部の形成方法について説明する図。 切断装置の一連の切断動作の流れを示すフローチャート。 検出部による高さ検出の方法を説明する図。 検出部による高さ検出の別の方法を説明する図。
　以下、本発明の一側面に係る実施形態について、図面を用いて詳細に説明する。なお、図中同一又は相当部分には同一符号を付してその説明は繰り返さない。また、各図面は、理解の容易のために、適宜対象を省略又は誇張して模式的に描かれている。また、各図面において各矢印が示す方向は、各図面において共通である。
＜１．第１実施形態＞
　[概要]
　図１は、第１実施形態に係る切断装置１の平面の一部を模式的に示す図である。切断装置１は、切断対象物を切断するように構成される。ここで、「切断」という用語の概念は、切断対象物を分離して複数の個片化された切断品とすること、及び、切断対象物の一部を除去することを含む。以下、切断対象物を複数の個片化された切断品に分離する切断をフルカットと称し、切断対象物の一部を厚み方向に除去する切断をハーフカットと称することがある。
　本実施形態では、切断対象物はパッケージ基板４であり、切断品は半導体パッケージ４０（図４参照）である。半導体パッケージ４０については、後述する。
　図１に示すように、切断装置１は、パッケージ基板４を切断することにより、複数の半導体パッケージ４０を製造する。製造された複数の半導体パッケージ４０は、さらに次の工程へと送られる。以下、切断装置１の構成について説明する。
　＜１－１．切断装置＞
　図２は側方から見た切断装置１の一部を模式的に示す図であり、図３は、切断装置１の電気的な構成を示すブロック図である。図１～３に示すように、切断装置１は、主に切断ユニット１０と、保持ユニット２０と、検出ユニット３０と、制御ユニット５０とを備える。切断装置１は、上記以外のユニットを備えていてもよいことは言うまでもない。たとえば、切断装置１は、パッケージ基板４を供給する基板供給ユニット、パッケージ基板４および／または半導体パッケージ４０を検査する検査ユニット、切断された半導体パッケージ４０を洗浄および／または乾燥させる洗浄ユニット、切断された半導体パッケージ４０を収容部に搬送する搬送ユニット等を備えていてもよい。以下では、切断ユニット１０と、保持ユニット２０と、検出ユニット３０と、制御ユニット５０の構成について説明する。
　[切断ユニット]
　図１及び図２に示すように、切断ユニット１０は、保持ユニット２０の上方に配置され、パッケージ基板４を切断するように構成される。切断ユニット１０は、ブレード１０１と、スピンドル部１０２と、スピンドル部１０２を切断装置１内の所望の位置に移動させる図示しない移動機構とを含む。切断装置１は、一対のスピンドル部１０２を備えるツインスピンドル構成であってもよいし、１つのみのスピンドル部１０２を備えるシングルスピンドル構成であってもよい。スピンドル部１０２は、図示しない移動機構により、図１及び図２中のＸ軸及びＺ軸に沿って移動する。移動機構の動作、つまりスピンドル部１０２の移動及びＸ軸及びＺ軸方向の位置は、後述する制御部５００によって制御される。以下では、図１及び図２中のＺ軸方向を、スピンドル部１０２またはブレード１０１の高さ方向と称することがある。
　ブレード１０１は、円環状の刃であり、スピンドル部１０２の先端部に着脱可能に取り付けられる。これにより、ブレード１０１は、スピンドル部１０２とともに図１及び図２中のＸ軸及びＺ軸に沿って移動する。
　スピンドル部１０２に取り付けられたブレード１０１は、スピンドル部１０２から回転を伝えられて高速回転することによって、パッケージ基板４にハーフカット及びフルカットを施すように構成される。以下では、ハーフカット用のブレードを第１ブレード１０１Ａ、フルカット用のブレードを第２ブレード１０１Ｂと称する。第１ブレード１０１Ａは第１の厚みを有し、第２ブレード１０１Ｂは第１の厚みよりも小さい第２の厚みを有する。つまり、第２ブレード１０１Ｂは第１ブレード１０１Ａよりも厚みが薄い。なお、第１ブレード１０１Ａ及び第２ブレード１０１Ｂのいずれにも該当する場合には、単にブレード１０１と称することとする。本実施形態では、スピンドル部１０２に対し、第１ブレード１０１Ａ及び第２ブレード１０１Ｂのいずれかが取り付けられ、切断が行われる。
　第１ブレード１０１Ａは、導電性を有する材料から構成され、スピンドル部１０２に取り付けられた状態において、スピンドル部１０２と導通可能である。スピンドル部１０２は、後述する検出回路３０１に電気的に接続される。
　パッケージ基板４にハーフカットを施す場合、第１ブレード１０１Ａがパッケージ基板４を切断しながら後述するテーブル２０１に対して相対的に移動することによってパッケージ基板４の一部がその厚さ方向に除去される。つまり、第１ブレード１０１Ａによってパッケージ基板４の一部がその厚さ方向に除去される。これにより、パッケージ基板４上には、パッケージ基板４の長手方向に延びるハーフカット溝Ｇ１及びパッケージ基板４の短手方向に延びるハーフカット溝Ｇ２が形成される（図５Ａ参照）。一方、パッケージ基板４にフルカットを施す場合、第２ブレード１０１Ｂが溝パターンに沿ってパッケージ基板４を切断しながらテーブル２０１に対して相対的に移動する。これによってハーフカット溝Ｇ１，Ｇ２の部分が切り離され、パッケージ基板４が複数の分離した半導体パッケージ４０に個片化される。
　[保持ユニット]
　保持ユニット２０は、パッケージ基板４を保持するように構成される。保持ユニット２０は、移動機構２０３と、テーブル２０１と、テーブル２０１上に配置されたラバー２０２とを含む。切断装置１は、２個の保持ユニット２０を有するツインカットテーブル構成であってもよいし、１個の保持ユニット２０を有してもよいし、３個以上の保持ユニット２０を有してもよい。パッケージ基板４は、保持ユニット２０によって保持され、ブレード１０１に対して相対的に移動しながら、その長手方向及び短手方向に沿って切断される。
　ラバー２０２はゴム製の板状部材であり、ラバー２０２には複数の孔が形成されている。ラバー２０２上には、パッケージ基板４が配置される。保持ユニット２０は、必ずしもラバー２０２を含む必要はなく、例えばラバー２０２を省略して構成されてもよいし、ラバー２０２の代わりに他の部材を含んでもよい。
　テーブル２０１は、ラバー２０２上に配置されたパッケージ基板４を下方のパッケージ面側から吸着することによってパッケージ基板４を保持する。テーブル２０１は、図のθ方向に回転可能であるとともに、移動機構２０３によって図のＹ軸に沿って移動可能である。
　移動機構２０３は、テーブル２０１の下に配置され、テーブル２０１を図のＹ軸に沿って移動させるように構成される。テーブル２０１及び移動機構２０３の動作は、後述する制御ユニット５０によって制御される。
　[検出ユニット]
　検出ユニット３０は、スピンドル部１０２及び第１ブレード１０１Ａの高さ方向（Ｚ軸方向）の位置の検出に用いられる。検出ユニット３０は、本発明の検出部の一例であり、ＣＣＳ（Contact Cutter Setup）ブロック３００と、検出回路３０１と、検出装置３０２とを含む。ＣＣＳブロック３００は、本発明の接触子の一例であり、導電性を有する材料から構成される。本実施形態では、ＣＣＳブロック３００は、その上面の高さがテーブル２０１の上面の高さと一致するように、テーブル２０１の側方に取り付けられている。つまり、本実施形態のＣＣＳブロック３００は、テーブル２０１とともに移動することが可能である。
　検出回路３０１は、第１ブレード１０１ＡがＣＣＳブロック３００の上面に接触すると通電するように構成される回路であり、ＣＣＳブロック３００及びスピンドル部１０２に電気的に接続され、検出装置３０２がこれに組み込まれる。検出回路３０１は、図示しない電源により、ＣＣＳブロック３００及びスピンドル部１０２に一定の電圧を印加するように構成される。検出装置３０２は、検出回路３０１が通電することによる導通状態の変化、言い換えると第１ブレード１０１Ａ（より正確には、第１ブレード１０１Ａの縁端）とＣＣＳブロック３００との接触を検知し、後述する制御部５００に通知する。制御部５００は、スピンドル部１０２の高さ方向の位置を制御し、ある高さ方向の座標を始点として、スピンドル部１０２を徐々にＣＣＳブロック３００の上面に向かって近づける。制御部５００は、第１ブレード１０１ＡとＣＣＳブロック３００との接触が検出されたときのスピンドル部１０２の高さ方向の座標を終点と認識する。これにより、ＣＣＳブロック３００の上面を基準として、始点におけるスピンドル部１０２の、ひいては第１ブレード１０１Ａの高さが検出される。なお、テーブル２０１に対するＣＣＳブロック３００の上面の高さは、予め切断装置１に記憶されている。
　検出ユニット３０によるスピンドル部１０２及び第１ブレード１０１Ａの高さの検出は、例えば新規の第１ブレード１０１Ａがスピンドル部１０２に取り付けられた後であって、ハーフカット開始前のタイミングで行われる。このタイミングで検出された高さは基準高さとして制御ユニット５０に記憶される。これに加えて、検出ユニット３０による高さの検出は、ハーフカットの最中の検出タイミングにおいても行われる。ハーフカットの最中に検出された高さの基準高さに対するずれ量は、第１ブレード１０１Ａの径の変化量、すなわち第１ブレード１０１Ａの摩耗量を示す。従って、検出ユニット３０は、ハーフカット中における第１ブレード１０１Ａの摩耗状態を検出するということができる。なお、本発明の「予め定められた要件」とは、例えば基準高さと検出タイミングにおいて検出された高さとのずれ量が、予め定められた閾値未満であることを意味する。
　[制御ユニット]
　制御ユニット５０は、切断ユニット１０、保持ユニット２０、及び検出ユニット３０に電気的に接続され、各ユニット１０～３０の動作を制御するように構成される。制御ユニット５０は、各ユニット１０～３０と一体的に構成されてもよいし、各ユニット１０～３０とは別体として構成されてもよい。図３に示すように、制御ユニット５０は、制御部５００、表示部５０１、入力部５０２及び記憶部５０３を含む。
　制御部５００は、ＣＰＵ（Central Processing Unit）、ＲＡＭ（Random Access Memory）及びＲＯＭ（Read Only Memory）等を含む。ＲＯＭには、各ユニット１０～３０の動作を制御するための動作プログラム５０００が記憶される。ＣＰＵは、ＲＯＭから動作プログラム５０００を読み出して実行する。ＲＯＭは、ＣＰＵの演算処理に適宜使用される。なお、動作プログラム５０００はＲＯＭではなく、記憶部５０３に記憶されていてもよい。
　表示部５０１は、例えば各種の情報をユーザに対して表示するように構成されるとともに、ユーザから後述する切断パラメータや検出パラメータの入力を受け付けるためのユーザインターフェース画面を表示するように構成される。表示部５０１は、液晶表示素子、液晶表示ディスプレイ、有機ＥＬディスプレイ、及びタッチパネルディスプレイ等、任意の態様で実現することができる。
　入力部５０２は、後述する切断パラメータ及び検出パラメータのユーザによる入力を受け付けるように構成される。入力部５０２は、キーボード、プッシュ式のボタン、タッチパネルディスプレイ等、任意の態様で実現することができる。入力部５０２がタッチパネルディスプレイで実現される場合、入力部５０２は表示部５０１を兼ねていてもよい。
　切断パラメータは、パッケージ基板４が切断されるべき位置を指定するパラメータである。パッケージ基板４は、通常、格子状の切断パターンに従って切断されるため、切断パラメータを決定することにより格子状の切断パターンが定まる。これにより、切断パラメータに従ってハーフカットが行われると、パッケージ基板４にはハーフカット溝Ｇ１，Ｇ２から構成される、切断パターンに従う溝パターンが形成される。切断パラメータは、これに限定されないが、例えばパッケージ基板４の長手方向の長さ及び短手方向の長さ、パッケージ基板４の長手方向及び短手方向において形成すべきハーフカット溝Ｇ１，Ｇ２の本数、並びにハーフカット溝Ｇ１，Ｇ２の深さを指定する数値とすることができる。なお、パッケージ基板４の長手方向の長さは、ハーフカット溝Ｇ１の長さに一致し、短手方向の長さは、ハーフカット溝Ｇ２の長さに一致する。
　検出パラメータは、第１ブレード１０１Ａの摩耗状態を検出する検出タイミングを設定するためのパラメータである。第１ブレード１０１Ａの摩耗は、ハーフカットを施した長さ（切断距離）に応じて進行するため、本実施形態に係る検出パラメータは予め定められた長さとして指定される。つまり、切断装置１は、第１ブレード１０１Ａが検出パラメータに相当する長さのハーフカットを施すごとに検出タイミングが到来するように構成される。検出パラメータとしての長さは適宜選択することができるが、例えば第１ブレード１０１Ａの径が１０μｍ程度摩耗するような長さとすることで、１つのパッケージ基板４に形成されるハーフカット溝Ｇ１，Ｇ２の深さのばらつきを好ましい範囲に抑制することができる。
　切断パラメータ及び検出パラメータは、入力部５０２を介して入力され、ＲＡＭまたは記憶部５０３に記憶される。制御部５００は、記憶された切断パラメータ及び検出パラメータに基づき、検出タイミングを予め割り出すことができる。例えば、制御部５００は、ハーフカットの開始後に形成されるハーフカット溝Ｇ１，Ｇ２に対する切断距離の合計長さが、初めて予め定められた長さに達したタイミングを第１回目の検出タイミングとすることができる。また、制御部５００は、第１回目の検出タイミング後において形成されるハーフカット溝Ｇ１，Ｇ２に対する切断距離の合計長さが、初めて予め定められた長さに達したタイミングを第２回目の検出タイミングとすることができる。このようにして、制御部５００は、複数のハーフカット溝Ｇ１，Ｇ２から構成される溝パターンが形成される間の検出タイミングを、同一のパッケージ基板４に溝パターンを形成する間に、１回または複数回設定する。制御部５００は、これにより、第１ブレード１０１Ａがパッケージ基板４を切断した長さに応じて第１ブレード１０１Ａの高さを検出ユニット３０に検出させる。
　上述の通り、検出パラメータは長さとすることができる。ただし、これに基づく検出タイミングは、１本のハーフカット溝Ｇ１またはＧ２が形成される途中のタイミングではなく、１本のハーフカット溝Ｇ１またはＧ２が形成された後のタイミングとすることが好ましい。つまり、第１ブレード１０１Ａの摩耗検出は、１本のハーフカット溝Ｇ１またはＧ２の形成途中ではなく、１本のハーフカット溝Ｇ１またはＧ２の形成が終わってから、次のハーフカット溝Ｇ１またはＧ２の形成が始まるまでの間に行われることが好ましい。
　制御部５００は、切断パラメータ及び検出パラメータに基づき、切断ユニット１０及び保持ユニット２０の切断動作を制御する。制御部５００は、ハーフカット溝Ｇ１，Ｇ２の深さが、切断パラメータで指定した深さとなるように、スピンドル部１０２（第１ブレード１０１Ａ）の高さ位置を制御する。この高さ位置は、後述するように、検出タイミングにおいて検出された第１ブレード１０１Ａの摩耗状態に応じて補正されることがある。制御部５００は、パッケージ基板４を保持した保持ユニット２０を回転する第１ブレード１０１Ａの下方に進入させ、Ｙ軸方向に移動させることにより、１本目のハーフカット溝Ｇ１を形成する。次に、制御部５００は、スピンドル部１０２を切断パターンにおける１格子分に相当する距離だけＸ軸方向に移動させる。そして、制御部５００は、再び保持ユニット２０を第１ブレード１０１Ａの下方に進入させ、Ｙ軸方向に移動させることにより、２本目のハーフカット溝Ｇ１を形成する。これを繰り返すことで、パッケージ基板４に切断パラメータに従う複数のハーフカット溝Ｇ１が形成される。
　その後、制御部５００は、テーブル２０１を９０度回転させ、切断ユニット１０及び保持ユニット２０を同様に動作させる。これにより、パッケージ基板４に切断パラメータに従う複数のハーフカット溝Ｇ２がさらに形成される。なお、ハーフカット溝Ｇ１，Ｇ２を形成する順序は、逆であってもよい。
　制御部５００は、例えばスピンドル部１０２の移動回数、保持ユニット２０の移動回数及びテーブル２０１の回転回数に基づき、形成されたハーフカット溝Ｇ１，Ｇ２の数をカウントする。これにより、制御部５００は、ハーフカット溝Ｇ１，Ｇ２が１本形成されるごとに、検出タイミングが到来したか否かを判断することができる。
　＜１－２．パッケージ基板＞
　本実施形態で対象とするパッケージ基板４は、その種類は特に限定されないが、例えばウェッタブルＱＦＮ（Quad Flat No-leaded）パッケージ基板である。パッケージ基板４にハーフカット及びフルカットを施すことで、図４に示すような半導体パッケージ４０が製造される。ここで、パッケージ基板４とは、半導体チップ、抵抗素子、キャパシタ素子等の電子素子が接続された基板に対して、少なくとも電子素子を樹脂封止するように樹脂成形したものである。パッケージ基板４を構成する基板としては、リードフレーム、プリント配線板を用いることができ、これら以外にも、半導体製基板、金属製基板、セラミック製基板、ガラス製基板、樹脂製基板等を用いることができる。また、パッケージ基板４を構成する基板には、配線が施されていても施されていなくてもよい。
　図４に示されるように、半導体パッケージ４０においては、図中の上面（端子４２が形成されている面）と側面との境界部分に段差部４１が形成されている。半導体パッケージ４０が面実装された場合には、半田が段差部４１に入り込む。これにより、半導体パッケージ４０に関して、立体的な半田接続構造を実現することができる。また、半田が段差部４１に入り込んでいるため、実装後の外観検査において、半導体パッケージ４０の側面から半田フィレットを容易に観察することができる。このように、半導体パッケージ４０には、様々な利点が存在する。
　図５Ａ及び５Ｂは、段差部４１の形成方法を説明する図である。まず、第１の厚みを有する第１ブレード１０１Ａが、既に述べた格子状の切断パターンに沿って、パッケージ基板４上にハーフカット溝Ｇ１，Ｇ２を形成する。すると、図５Ａに示すように、パッケージ基板４上に複数のハーフカット溝Ｇ１，Ｇ２から構成される格子状の溝パターンが形成される。なお、図５Ａに示す一点鎖線の外側の周縁部４Ａは、フルカット後に半導体チップ等を含まず、半導体パッケージ４０とはならない領域を示す。切断パラメータは、周縁部４Ａが形成されるように適宜設定される。
　図５Ｂはハーフカット溝Ｇ１，Ｇ２の付近の断面模式図である。溝パターンの形成後、第２ブレード１０１Ｂが、位置Ｐ１においてパッケージ基板４をフルカットし、パッケージ基板４を個片化する。位置Ｐ１は、ハーフカット溝Ｇ１，Ｇ２の中心であることが好ましい。これにより、段差部４１が形成された複数の半導体パッケージ４０が製造される。なお、ハーフカット溝Ｇ１，Ｇ２の断面形状は、図５Ｂに示す形状に限定されない。
　ハーフカットによりパッケージ基板４に溝パターンを形成する場合、なるべく均一な深さのハーフカット溝Ｇ１，Ｇ２がパッケージ基板４上に形成されることが重要であり、高い精度が求められる。しかしながら、ハーフカット溝Ｇ１，Ｇ２から構成される溝パターンを形成する間にも第１ブレード１０１Ａの摩耗が進行するため、同一のパッケージ基板４においてもハーフカット溝Ｇ１，Ｇ２の深さがばらつくおそれがある。ここで、ハーフカット溝Ｇ１，Ｇ２の深さとは、パッケージ基板４の上面からハーフカット溝Ｇ１，Ｇ２の最下の位置までの長さをいうものとする。
　切断装置１によれば、ハーフカットの間にも第１ブレード１０１Ａの摩耗検出を行い、必要に応じて第１ブレード１０１Ａの高さ調整の制御を行うため、ハーフカット溝Ｇ１，Ｇ２の深さのばらつきを一定の範囲内に抑えることができる。以下、切断装置１の動作について説明する。
＜１－３．切断装置の動作＞
　図６は、切断装置１がパッケージ基板４に溝パターンを形成する際に行う、一連の切断動作の流れを示すフローチャートである。図６に示す切断動作は、例えば第１ブレード１０１Ａがスピンドル部１０２に取り付けられたタイミングで開始する。
　ステップＳ１では、スピンドル部１０２、つまり第１ブレード１０１Ａの高さ方向の基準高さが検出される。制御部５００は、まずスピンドル部１０２を保持ユニット２０に対して相対的に移動させ、ＣＣＳブロック３００の上方に配置する。そして、図７に示すように、スピンドル部１０２の高さ方向の位置を徐々に下げ、第１ブレード１０１ＡをＣＣＳブロック３００の上面に接触させる。このとき、ＣＣＳブロック３００の上面における接触箇所は、これまで第１ブレード１０１Ａが接触したことがない箇所が選ばれる。第１ブレード１０１Ａが接触したことがある箇所は、傷が付いて平坦ではない可能性があるためである。制御部５００は、検出された基準高さの座標を、ＲＡＭまたは記憶部５０３に保存する。ステップＳ１は、本発明の「第１ブレードの基準高さを設定するステップ」の一例である。
　ステップＳ２では、入力部５０２を介して、ユーザから検出パラメータ及び切断パラメータが入力される。制御部５００は、入力されたこれらのパラメータを、ＲＡＭまたは記憶部５０３に保存する。また、制御部５００は、これらのパラメータに基づいて検出タイミングを割り出す。
　ステップＳ３では、切断装置１において、制御部５００が切断ユニット１０及び保持ユニット２０の動作を制御し、切断パターンに従う溝パターンを形成するためのハーフカットが行われる。つまり、ステップＳ３では、切断装置１がパッケージ基板４を切断しながらパッケージ基板４に対して相対的に移動する第１ブレード１０１Ａを用いて、パッケージ基板４にハーフカット溝Ｇ１またはＧ２を形成する。第１ブレード１０１Ａによりハーフカット溝Ｇ１またはＧ２が１本形成されると、ステップＳ４が実行される。
　ステップＳ４では、制御部５００が、検出タイミングが到来したか否か、言い換えると、第１ブレード１０１Ａがパッケージ基板４を切断した長さが検出パラメータとして予め定められた長さに達したか否かを判断する。制御部５００が検出タイミングは未だ到来していないと判断する場合は、ステップＳ３に戻り、次のハーフカット溝Ｇ１またはＧ２が形成される。一方、制御部５００が検出タイミングが到来したと判断する場合は、次のステップＳ５が実行される。
　ステップＳ５では、切断装置１において、ハーフカット（溝パターンを形成する工程）が中断される。具体的には、制御部５００が、ハーフカットを中断するための信号を切断ユニット１０及び保持ユニット２０に送信し、切断ユニット１０及び保持ユニット２０をハーフカットの一時中断状態とする。
　ステップＳ６では、制御部５００が、検出ユニット３０にスピンドル部１０２（第１ブレード１０１Ａ）の高さを検出させる。制御部５００は、ステップＳ１での制御と同様にして、第１ブレード１０１ＡをＣＣＳブロック３００の上面に接触させる。このとき、上述した理由により、ＣＣＳブロック３００の上面における接触箇所は、これまで第１ブレード１０１Ａが接触したことがない箇所が選ばれる。制御部５００は、検出された高さの座標を、ＲＡＭまたは記憶部５０３に保存する。
　続くステップＳ７では、制御部５００が、検出タイミングにおけるスピンドル部１０２（第１ブレード１０１Ａ）の高さの座標と、ステップＳ１で検出された基準高さの座標とに基づいて、第１ブレード１０１Ａの摩耗量である、検出された高さの基準高さからのずれ量を算出する。
　続くステップＳ８では、制御部５００が、検出された高さが予め定められた要件を充足するか否か、つまり算出された第１ブレード１０１Ａの摩耗量（高さのずれ量）が予め定められた閾値未満であるか否かを判断する。摩耗量が閾値以上であり、検出された高さが要件を充足しないと判断される場合は、次のステップＳ９が実行される。閾値は、同一のパッケージ基板４内において許容されるハーフカット溝Ｇ１，Ｇ２の深さのばらつきの範囲に基づいて適宜設定することができ、例えば１０μｍである。閾値は、予め記憶部５０３またはＲＡＭに保存される。
　ステップＳ９では、制御部５００が、摩耗量に応じてスピンドル部１０２（第１ブレード１０１Ａ）の高さ方向の位置を補正する。つまり、制御部５００が、スピンドル部１０２を、第１ブレード１０１Ａの摩耗量の分だけ下方に移動させる。その後、ステップＳ１０が実行される。
　一方、ステップＳ８において、検出された高さが予め定められた要件を充足する、つまり摩耗量が閾値未満であると判断される場合は、制御部５００はスピンドル部１０２の高さ方向の位置の補正を行わない。制御部５００は、ハーフカット（溝パターンを形成する工程）を再開するための信号を切断ユニット１０及び保持ユニット２０に送信し、切断ユニット１０及び保持ユニット２０の一時中断状態を解除する。そして、ステップＳ３に戻り、次のハーフカット溝Ｇ１またはＧ２が形成される。
　ステップＳ１０では、切断装置１において、ハーフカット（溝パターンを形成する工程）が再開される。具体的には、制御部５００が、ハーフカットを再開するための信号を切断ユニット１０及び保持ユニット２０に送信し、切断ユニット１０及び保持ユニット２０の一時中断状態を解除する。
　ステップＳ１１では、制御部５００が、ハーフカットを終了するか否かを判断する。切断パラメータにより予定されていた溝パターンの形成が完了した場合、制御部５００はハーフカットを終了すると判断し、切断装置１による切断操作が終了する。一方、溝パターンの形成が完了していない場合、制御部５００はハーフカットを継続すると判断する。そして、再びステップＳ３が実行される。その場合は、ステップＳ１１でハーフカットを終了すると制御部５００により判断されるまで、すなわち切断パターンに従う溝パターンの形成が完了するまで、ステップＳ３～ステップＳ１１が繰り返される。ステップＳ３～ステップＳ１１は、本発明の「切断対象物を切断しながら切断対象物に対して相対的に移動する第１ブレードを用いて、切断対象物にハーフカット溝から構成される溝パターンを形成するステップ」の一例である。
　切断装置１は、図６に示す切断動作の終了後に、さらにフルカットを行うことができる。この場合、ブレード交換が行われ、スピンドル部１０２には第１ブレード１０１Ａに代えて第２ブレード１０１Ｂが取り付けられる。そして、交換後の第２ブレード１０１Ｂによるフルカットが行われる。第２ブレード１０１Ｂは、形成された溝パターンに従って厚さ方向にパッケージ基板４を切断し、分離する。これにより、個片化された複数の半導体パッケージ４０が得られる。このフルカット工程は、本発明の「第１ブレードよりも厚みが薄い第２ブレードを用いて、切断対象物に形成された溝パターンに沿って切断対象物を切断することにより、互いに分離した切断品を得るステップ」の一例である。フルカット終了後の半導体パッケージ４０は、パッケージ基板４の周縁部４Ａであった部分も含め、切断装置１が備える他のユニットに送られてもよい。
　＜１－４．特徴＞
　以上のように、第１実施形態に係る切断装置１では、第１ブレード１０１Ａがパッケージ基板４に溝パターンを形成する途中、検出タイミングで第１ブレード１０１Ａの摩耗量が検出され、必要に応じて第１ブレード１０１Ａの高さ位置が補正される。これにより、第１ブレード１０１Ａの摩耗量を適切に管理することができ、同一のパッケージ基板４に形成されるハーフカット溝Ｇ１，Ｇ２の深さのばらつきを抑えることができる。
　切断装置１によれば、検出タイミングにおける第１ブレード１０１Ａの摩耗検出が、ＣＣＳブロック３００による接触式高さ検出を利用して行われる。これにより、第１ブレード１０１Ａの摩耗量をより精度よく検出することができる。また、ＣＣＳブロック３００がテーブル２０１の側方に取り付けられていることにより、効率的に摩耗検出を行うことができる。さらに、ＣＣＳブロック３００の上面の高さとテーブル２０１の上面の高さとが一致するようにＣＣＳブロック３００が配置されていることにより、より高い精度で高さを検出することができる。
＜２．第２実施形態＞
　上記第１実施形態に係る切断装置１は、検出部として、ＣＣＳブロック３００、検出回路３０１及び検出装置３０２を含む検出ユニット３０を備えていた。しかし、第２実施形態に係る切断装置１Ａは、検出部として発光部３０３及び受光部３０４を含む検出ユニット３１を備える点で、第１実施形態と相違する。すなわち、第１ブレード１０１Ａの摩耗が、切断装置１では接触子を用いた接触方式で検出されたが、切断装置１Ａでは第１ブレード１０１Ａを接触子に接触させない非接触方式で第１ブレード１０１Ａの摩耗が検出される。以下、切断装置１Ａの構成について説明するが、切断装置１と共通の構成については同一の符号を付して説明を省略する。
＜２－１．構成＞
　図８に示すように、切断装置１Ａにおいては、発光部３０３及び受光部３０４がＸ軸方向に間隔を空けて、互いに向かい合うようにそれぞれ取り付けられている。発光部３０３及び受光部３０４の間の間隔は、第１ブレード１０１Ａが通過できる程度の間隔である。発光部３０３は、受光部３０４に向かって光を発するように構成され、受光部３０４には発光部３０３が発した光線が到達する。
　発光部３０３は、発光素子を含む。発光素子の例としては、ファイバセンサの投光側ファイバやＬＥＤ等が挙げられる。発光素子は、後述する受光部３０４の受光素子と向かい合うように配置され、Ｘ軸と実質的に平行な光線を発する。
　受光部３０４は、受光素子を含む。受光素子の例としては、ファイバセンサの受光側ファイバやＬＥＤが発した光を受光する受光素子等が挙げられる。受光素子は、発光部３０３の発光素子と向かい合い、かつ発光素子とＺ軸方向の位置が一致するように配置される。発光素子と受光素子との間が物体によって遮られていない状態において、受光素子には、発光素子が発した光線が到達する。受光素子は、自身に到達する光線の変化を電気信号に変換するように構成される。
　発光素子と受光素子との間に物体が存在すると、発光素子が発した光線は、物体によって遮断され、受光素子には到達しないか殆ど到達しなくなる。これにより、受光素子の発する電気信号が変化し、光線のＺ軸方向の位置に物体が存在することが検出される。物体が第１ブレード１０１Ａであるとき、検出ユニット３１は、受光部３０４に到達する光線の変化を検出することにより、第１ブレード１０１Ａの縁端が光線のＺ軸方向の位置に存在することを検出する。検出ユニット３１による光線の変化の検出状態は、制御部５００に通知される。制御部５００は、第１実施形態と同様、ある高さ方向の座標を始点として、スピンドル部１０２を徐々に発光部３０３及び受光部３０４の間の光線に向かって近づける。制御部５００は、検出ユニット３１からの通知に基づき、第１ブレード１０１Ａによる光線の遮断が検出されたときのスピンドル部１０２の高さ方向の座標を終点と認識する。これにより、始点におけるスピンドル部１０２の、ひいては第１ブレード１０１Ａの高さが検出される。
　発光部３０３が発する光線の高さは、予め記憶部５０３またはＲＡＭに記憶される。
　制御部５００は、検出タイミングにおいて、第１ブレード１０１ＡがＸ軸方向において発光部３０３と受光部３０４との間に存在する状態で、第１ブレード１０１Ａを徐々に下方に移動させる。第１ブレード１０１Ａの縁端によって発光部３０３が発する光線が遮断されると、受光部３０４がこれを検出する。制御部５００は、検出ユニット３１からの通知に基づき、スピンドル部１０２（第１ブレード１０１Ａ）の高さを導出する。制御部５００は、第１ブレード１０１Ａがハーフカットを行う前に検出されたスピンドル部１０２の基準高さと、検出タイミングにおいて検出されたスピンドル部１０２の高さとに基づいて、第１ブレード１０１Ａの摩耗量を算出する。その後、制御部５００は、切断装置１と同様に、必要な場合はスピンドル部１０２の高さ位置を補正する。
　なお、切断装置１Ａにおいて、ハーフカットの開始前に検出されるスピンドル部１０２の基準高さは、検出ユニット３０により検出されてもよい。つまり、切断装置１Ａは、検出ユニット３０に加えて検出ユニット３１を備えていてもよい。また、切断装置１Ａにおいて、ハーフカットの開始前に検出されるスピンドル部１０２の基準高さは、検出ユニット３１により検出されてもよい。つまり、切断装置１Ａは、検出ユニット３０に代えて検出ユニット３１を備えていてもよい。
　＜２－２．特徴＞
　切断装置１Ａによれば、検出タイミングにおける第１ブレード１０１Ａの摩耗検出が、第１ブレード１０１Ａを接触子に接触させない非接触方式により行われる。これにより、第１ブレード１０１Ａに負担をかけることなく第１ブレード１０１Ａの摩耗状態が管理され、ハーフカット溝Ｇ１，Ｇ２の深さのばらつきが低減される。
　＜３．変形例＞
　以上、本発明の一実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて、種々の変更が可能である。例えば、以下の変更が可能である。また、以下の変形例の要旨は、適宜組み合わせることができる。
　＜３－１＞
　検出ユニット３０の構成は、上記実施形態の構成に限定されず、適宜変更することができる。例えば、テーブル２０１自体が接触子として構成されてもよい。また、接触子としてのＣＣＳブロック３００を配置する位置は、上記実施形態に限られず、例えばテーブル２０１と離れていてもよく、適宜変更することができる。また、切断装置が備えるＣＣＳブロック３００の数も特に限定されない。また、検出回路３０１の構成も適宜変更されてよい。
　＜３－２＞
　切断パラメータは、上記実施形態で例示したパラメータに限定されず、切断パターンを指定可能なパラメータであれば、どのような種類のパラメータを用いてもよい。また、パッケージ基板４の種類と切断パターンとが対応している場合は、この対応関係を示す対応関係データを予め制御ユニット５０に記憶させておくこともできる。この場合、ユーザがパッケージ基板４の種類を入力すると、制御部５００が対応関係データから該当の切断パラメータを呼び出し、これに基づいて制御を行うように構成されてもよい。
　＜３－３＞
　検出タイミングは、制御部５００によって予め割り出されていなくてもよい。制御部５００は、ハーフカットの最中、スピンドル部１０２及びテーブル２０１の移動回数、及びテーブル２０１の回転回数等に基づいて第１ブレード１０１Ａがハーフカットを施した長さをモニタリングし、この長さと検出パラメータとに応じ、検出タイミングを適時に決定してもよい。
　＜３－４＞
　発光部３０３及び受光部３０４による光線の検出方法は、適宜変更することができる。例えば、発光部３０３及び受光部３０４は、発光素子と受光素子とがともにＸ軸方向に向くように、Ｘ軸方向において同じ位置に設置されてもよい。この場合、例えば発光部３０３により発せられた後に第１ブレード１０１Ａによって反射され、受光部３０４に到達する光線を受光部３０４が検出することにより、第１ブレード１０１Ａの摩耗が検出されてもよい。また例えば、発光部３０３が発した光線を受光部３０４に向かって反射する反射体が切断装置１Ａ内の適当な位置に設けられ、受光部３０４に到達する反射光が第１ブレード１０１Ａにより遮断されたことを検出するようにしてもよい。
　＜３－５＞
　ステップＳ１及びステップＳ２が実行される順序は、逆であってもよい。つまり、検出パラメータが入力された後に、スピンドル部１０２の基準高さの検出が行われてもよい。
　＜３－６＞
　切断ユニット１０及び保持ユニット２０の動作は、上記実施形態において例示された動作に限定されない。例えば、テーブル２０１が可能な動作は回転動作のみとし、スピンドル部１０２をＹ軸方向に移動させることによって、パッケージ基板４の切断が行なわれてもよい。すなわち、テーブル２０１とブレード１０１とを相対的に移動させることにより、パッケージ基板４の切断が行われればよい。
　＜３－７＞
　上記実施形態では、切断対象物はパッケージ基板４、切断品は半導体パッケージ４０としてそれぞれ例示された。しかしながら、切断対象物及び切断品の例はこれに限られない。
　＜３－８＞
　上記実施形態では、ハーフカットの終了後、第１ブレード１０１Ａが第２ブレード１０１Ｂに交換された。しかし、切断装置１及び１Ａがスピンドル部１０２を２つ以上備える場合は、予め別のスピンドル部１０２に第２ブレード１０１Ｂを取り付けておき、ブレード１０１の交換を行うことなくフルカットを行ってもよい。また、ハーフカットの終了後であって、フルカットが開始される前のタイミングでは、例えばメッキ処理等、切断とは別のパッケージ基板４に対する処理が行われてもよい。
　＜３－９＞
　上記実施形態では、本発明における「溝パターンを形成する工程」とは、例えば、上述したステップＳ３～Ｓ１１の間を意味する。この場合「溝パターンを形成する工程」とは、フルカットが行われる前に予定している全てのハーフカットが行われる工程の間を意味する。ただし、切断装置１及び１Ａは、１本のハーフカット溝Ｇ１またはＧ２が形成されている途中に第１ブレード１０１Ａの高さ検出を行うように構成されてもよい。この場合、「溝パターンを形成する工程」とは、１本のハーフカット溝Ｇ１またはＧ２が形成されている間を意味する。
　切断装置１及び１Ａは、ハーフカットのみを行うハーフカット専用装置として構成されてもよい。この場合、切断装置１及び１Ａのブレード交換は省略することができる。そして、第２ブレード１０１Ｂを用いたフルカットは、別の装置を用いて行われてもよい。すなわち、本発明の「第１ブレードよりも厚みが薄い第２ブレードを用いて、切断対象物に形成された溝パターンに沿って切断対象物を切断することにより、互いに分離した切断品を得るステップ」は、切断装置１及び１Ａとは別の装置により行われてもよい。
　以上、本発明のいくつかの実施形態について例示的に説明した。すなわち、例示的な説明のために、詳細な説明及び添付の図面が開示された。よって、詳細な説明及び添付の図面に記載された構成要素の中には、課題解決のために必須でない構成要素が含まれることがある。従って、それらの必須でない構成要素が詳細な説明及び添付の図面に記載されているからといって、それらの必須でない構成要素が必須であると直ちに認定されるべきではない。
　１　切断装置
　１Ａ　切断装置
　４　パッケージ基板
　１０　切断ユニット
　２０　保持ユニット
　３０　検出ユニット
　４０　半導体パッケージ
　５０　制御ユニット
　１０１　ブレード
　１０１Ａ　第１ブレード
　１０２Ｂ　第２ブレード
　２０１　テーブル
　３００　ＣＣＳブロック
　３０１　検出装置
　３０２　検出回路
　３０３　発光部
　３０４　受光部
　５００　制御部
　Ｇ１，Ｇ２　ハーフカット溝

Claims (8)

  1. 　切断対象物を厚さ方向に切断することにより、前記切断対象物にハーフカット溝を形成するように構成された切断装置であって、
    　前記切断対象物を保持するテーブルと、
    　前記切断対象物を切断しながら前記テーブルに対して相対的に移動することにより、ハーフカット溝により構成される溝パターンを前記切断対象物に形成するブレードが取り付けられるスピンドル部と、
    　前記ブレードの高さを検出する検出部と、
    　前記ブレードの前記高さ方向の位置を制御する制御部と
    を備え、
    　前記制御部は、前記ブレードが１つの前記切断対象物に前記溝パターンを形成する工程の間、前記ブレードが前記切断対象物を切断した長さに応じて前記検出部に前記ブレードの前記高さを検出させ、前記検出された高さが予め定められた要件を充足していない場合に、前記ブレードの前記高さ方向の位置を補正する、
    切断装置。
  2. 　前記検出部は、導電性を有する接触子と、前記接触子に前記ブレードを接触させると通電するように構成される検出回路とを有し、
    　前記検出部は、前記検出回路の通電を検出することにより、前記ブレードの高さを検出するように構成される、
    請求項１に記載の切断装置。
  3. 　前記接触子は、前記テーブルの側方に配置される、
    請求項２に記載の切断装置。
  4. 　前記検出部は、光線を発する発光部と、前記発光部により発せられた光線が到達する受光部とを有し、
    　前記検出部は、前記ブレードによる前記光線の遮断または前記ブレードによる前記光線の反射によって前記受光部に到達する光線の変化を検出することにより、前記ブレードの高さを検出するように構成される、
    請求項１に記載の切断装置。
  5. 　切断対象物を厚さ方向に切断することにより切断品を製造する製造方法であって、
    　前記切断対象物を切断しながら前記切断対象物に対して相対的に移動する第１ブレードを用いて、前記切断対象物にハーフカット溝から構成される溝パターンを形成するステップと、
    　前記第１ブレードよりも厚みが薄い第２ブレードを用いて、前記切断対象物に形成された前記溝パターンに沿って前記切断対象物を切断することにより、互いに分離した切断品を得るステップと、
    を含み、
    　前記溝パターンを形成するステップは、
    　前記第１ブレードが前記切断対象物を切断した長さに応じて前記第１ブレードの前記高さを検出するステップと、
    　前記検出された高さが予め定められた要件を充足していない場合に、前記第１ブレードの前記高さ方向の位置を補正するステップとを含む、
    製造方法。
  6. 　前記高さを検出するステップは、前記第１ブレードが前記切断対象物を切断した長さが、予め定められた長さに達すると行われる、
    請求項５に記載の製造方法。
  7. 　前記予め定められた要件は、前記検出された高さの基準高さからのずれ量が、予め定められた閾値未満であることである、
    請求項５または６に記載の製造方法。
  8. 　前記第１ブレードの前記基準高さを設定するステップ
    をさらに含み、
    　前記基準高さを設定するステップは、前記溝パターンを形成するステップよりも前に実行される、
    請求項7に記載の製造方法。
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