JP7498817B1 - 切断装置、切断方法、及び切断品の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】ばらつきの少ない正確なハーフカットが可能な、切断装置、切断方法、及び切断品の製造方法を提供する。【解決手段】本発明に係る切断装置は、切断対象物を保持するテーブルと、前記切断対象物を切断可能なブレードを有する切断機構と、前記ブレードと前記切断対象物の上面との接触を検出する検出部と、前記切断機構を制御する制御部と、を備え、前記制御部は、前記検出部が前記ブレードと前記切断対象物の上面との接触を検出したときの前記ブレードの高さ位置に基づいて、前記切断対象物の切断時における前記ブレードの高さ方向の位置を制御する。【選択図】図１０

Description

本発明は、切断装置、切断方法、及び切断品の製造方法に関する。

特許文献１には、パッケージチップの製造方法が開示されている。この製造方法においては、パッケージ基板を分割予定ラインに沿って第１切削ブレードで切削し、ハーフカット溝を形成する（ハーフカットステップ）。その後、パッケージ基板の電極にメッキ処理を施すステップを経て、フルカットするステップが実行される。こうして、パッケージ基板が個片化され、半導体パッケージが生成される。

特開２０２０－１６１６１５号公報

ところで、近年はさらに精密な半導体パッケージが要望され、これに伴い、例えばばらつきの少ない正確なハーフカットが要求されている。なお、このような問題は、パッケージ基板の切断に限定される問題ではなく、ハーフカットを行う切断対象品全般に起こりうる問題である。本発明は、このような問題を解決するためになされたものであり、ばらつきの少ない正確なハーフカットが可能な、切断装置、切断方法、及び切断品の製造方法を提供することである。

本発明に係る切断装置は、切断対象物を保持するテーブルと、前記切断対象物を切断可能なブレードを有する切断機構と、前記ブレードと前記切断対象物の上面との接触を検出する検出部と、前記切断機構を制御する制御部と、を備え、前記制御部は、前記検出部が前記ブレードと前記切断対象物の上面との接触を検出したときの前記ブレードの高さ位置に基づいて、前記切断対象物の切断時における前記ブレードの高さ方向の位置を制御する。

本発明に係る切断方法は、切断対象物をテーブルに保持するステップと、前記切断対象物を切断可能なブレードを、前記切断対象物の上面に接触させることで、前記ブレードの高さ位置を検出するステップと、検出された前記ブレードの高さ位置に基づいて、前記切断対象物の切断時における前記ブレードの高さ方向の位置を制御するステップと、を備えている。

本発明に係る切断品の製造方法は、上述した切断方法により、前記切断対象物にハーフカットを施すステップと、前記ハーフカットにより形成されたハーフカット溝に対し、フルカットを施すことで、前記切断対象物を分離するステップと、を備えている。

本発明によれば、ばらつきの少ない正確なハーフカットを実現することができる。

パッケージ基板の一例の平面図である。 図１Ａの断面図である。 半導体パッケージの一例の斜視図である。 本発明の一実施形態に係る切断装置の平面図である。 図３の側面図である。 切断装置の電気的な構成を示すブロック図である。 保持ユニットの拡大断面図である。 パッケージ基板が配置された保持ユニットの拡大断面図である。 ハーフカット溝の付近の平面模式図である。 ハーフカット溝の付近の側面模式図である。 パッケージ基板の切断の手順を示す断面図である。 パッケージ基板の切断の手順を示す断面図である。 パッケージ基板の切断の手順を示す断面図である。 パッケージ基板のハーフカットの手順を示すフローチャートである。 第２実施形態における、パッケージ基板と凹部との関係を示す断面図である。 第２実施形態における、押さえ機構とブレードとの関係を側方から示す模式図である。 図１１の押さえ機構を模式的に示す平面図である。 図１２の押さえ機構とブレードとの関係を正面から示す模式図である。 押さえ機構により押さえられたパッケージ基板を示す断面図である。 押さえ機構により押さえられたパッケージ基板を示す断面図である。 パッケージ基板の正面の高さ位置の計測箇所の例を示す平面図である。 パッケージ基板の正面の高さ位置の計測箇所の例を示す平面図である。 パッケージ基板の正面の高さ位置の計測箇所の例を示す平面図である。 検出部による高さ検出の別の方法を説明する図である。

以下、本発明の実施形態に係る切断装置について、図面を用いて詳細に説明する。なお、図中同一又は相当部分には同一符号を付してその説明は繰り返さない。また、各図面は、理解の容易のために、適宜対象を省略又は誇張して模式的に描かれている。また、以下では、説明の便宜のため、いくつかの図面に示す方向にしたがって説明を行うが、本発明はこの方向に限定して構成されるものではない。

＜Ａ．第１実施形態＞
本実施形態に係る切断装置は、切断対象物の一例であるパッケージ基板を切断することで、切断品として複数の半導体パッケージを生成する。ここで、「切断」という用語の概念は、切断対象物を分離して複数の個片化された切断品とすること、及び、切断対象物の一部を除去することを含む。以下、切断対象物を複数の個片化された切断品に分離する切断をフルカットと称し、切断対象物を分離せず、その一部を厚み方向に除去する切断をハーフカットと称することがある。以下では、まず、切断対象であるパッケージ基板について説明し、その後、パッケージ基板を切断する切断装置について説明する。

＜１．パッケージ基板＞
図１Ａはパッケージ基板４の平面図、図１Ｂは図１Ａの断面図である。本実施形態で対象とするパッケージ基板４の種類は特に限定されない。パッケージ基板４は、例えばウェッタブルフランクＱＦＮ（Quad Flat Non-leaded）パッケージ基板である。図１Ａ及び図１Ｂに示すように、このパッケージ基板４は、銅板等の金属で形成された矩形状の基板４１と、この基板４１の一方の面を樹脂封止した矩形状の樹脂層４２と、を有している。以下では、基板４１において樹脂層４２が形成される一方の面を第１面といい、第１面の反対の面を第２面という。基板４１としては、リードフレーム、プリント配線板を用いることができ、本実施形態では、一例としてリードフレームで基板４１を構成している。

本実施形態のリードフレーム（基板４１）の第１面には、半導体チップ搭載部（ダイパッド、図示省略）が行列（matrix）状に配列されており、この半導体チップ搭載部に、半導体チップ、抵抗素子、キャパシタ素子等の電子素子４３が固定されている。リードフレームは、銅（Ｃｕ）や４２アロイ（Ｆｅ－Ｎｉ）などの金属からなり、導電性を有する。リードフレームの表面には、鉛フリーの金属めっき層又は鉛フリーのはんだめっき層（図示省略）が予め形成されていることが多い。各ダイパッドの周囲には外部との接続用端子となる多数のリードが配置される。これら多数のリードは、リードフレームにおいて格子状に配列された金属枠であるタイバーにそれぞれつながっている。また、各電子素子４３に設けられた複数の電極（図示なし）は、金線又は銅線からなるボンディングワイヤを介して、ダイパッドの周囲に配置されたそれぞれのリードに電気的に接続される。

本実施形態の基板４１は、矩形状の使用領域４１１と、使用領域４１１の周囲を囲む非使用領域４１２とで構成されている。非使用領域４１２は、基板４１の外縁を含む領域であり、製品としては使用されず、後に除去される。一方、使用領域４１１は製品として使用される領域であり、上述したリードフレームのダイパッド、リード、及びタイバーを含む領域である。樹脂層４２は、基板４１の使用領域４１１と、使用領域４１１の外側の非使用領域４１２の一部とを覆うように矩形状に成形されている。すなわち、使用領域４１１に配置される電子素子４３及びボンディングワイヤは樹脂層４２によって封止される。このような樹脂層４２が形成されることで、基板４１の第１面と樹脂層４２の端面（図１Ｂにおいて、下方の面）との間には、樹脂層４２の厚さだけ段差が形成されている。

なお、パッケージ基板４を構成する基板４１としては、上述した例のほか、半導体製基板、金属製基板、セラミック製基板、ガラス製基板、樹脂製基板等を用いることができる。基板が金属製でなく導電性を有さない場合、基板において、後述の支持部２１２の枠部２１２ａと接触する部分（後述の外周部）は、導電性を有するように構成されていればよい。また、パッケージ基板４を構成する基板４１には、配線が施されていてもよいし、施されていなくてもよい。

図２は半導体パッケージの斜視図である。図１Ａ及び図１Ｂに示すパッケージ基板４にハーフカット及びフルカットを施すことで、図２に示すような半導体パッケージ４０が製造される。

図２に示すように、半導体パッケージ４０においては、上面（端子４０２が形成されている面）と側面との境界部分に段差部４０１が形成されている。半導体パッケージ４０が面実装された場合には、半田が段差部４０１に入り込む。これにより、半導体パッケージ４０に関して、フィレット状の半田接続構造を実現し、接続を確実にすることができる。また、半田が段差部４０１に入り込んでフィレット状となっているため、実装後の外観検査において、半導体パッケージ４０の側面から半田の接続状態を容易に観察することができる。このように、半導体パッケージ４０には、様々な利点が存在する。段差部４０１の形成方法については後述する。

＜２．切断装置の概要＞
図３は本実施形態に係る切断装置１の平面図、図４は図３の側面図、図５は切断装置１の電気的な構成を示すブロック図である。

図３～図５に示すように、この切断装置１は、主として、切断ユニット（切断機構）１０と、保持ユニット２０と、検出ユニット３０と、制御ユニット（制御部）５０と、備える。すなわち、この切断装置１では、保持ユニット２０に保持されたパッケージ基板４を、切断ユニット１０により切断する。このとき、検出ユニット３０により、パッケージ基板４を切断するための高さを検出する。また、制御ユニット５０により、一連の切断処理を制御する。

切断装置１は、上記以外のユニットを備えていてもよいことは言うまでもない。例えば、切断装置１は、パッケージ基板４を供給する基板供給ユニット、パッケージ基板４及び／または半導体パッケージ４０検査する検査ユニット、切断された半導体パッケージ４０を洗浄及び／または乾燥させる洗浄ユニット、切断された半導体パッケージ４０を収容部に搬送する搬送ユニット等を備えていてもよい。以下では、切断ユニット１０、保持ユニット２０、検出ユニット３０、及び制御ユニット５０の構成について詳細に説明する。

＜２－１．切断ユニット＞
図３及び図４に示すように、切断ユニット１０は、保持ユニット２０の上方に配置され、パッケージ基板４を切断するように構成される。切断ユニット１０は、ブレード１０１と、スピンドル部１０２と、スピンドル部１０２を切断装置１内の所望の位置に移動させる図示しない移動機構とを含む。切断装置１は、一対のスピンドル部１０２を備えるツインスピンドル構成であってもよいし、１つのみのスピンドル部１０２を備えるシングルスピンドル構成であってもよい。スピンドル部１０２は、Ｘ軸方向に延び、図示しない移動機構により、図３及び図４中のＸ軸及びＺ軸に沿って移動する。移動機構の動作、つまりスピンドル部１０２の移動及びＸ軸及びＺ軸方向の位置は、後述する制御ユニット５０によって制御される。以下では、図３及び図４中のＺ軸方向を、スピンドル部１０２またはブレード１０１の高さ方向と称することがある。

ブレード１０１は、円環状の刃であり、スピンドル部１０２の先端部に着脱可能に取り付けられ、Ｘ軸周りに回転する。つまり、ブレード１０１は、スピンドル部１０２とともに図３及び図４中のＸ軸及びＺ軸に沿って移動する。

スピンドル部１０２に取り付けられたブレード１０１は、スピンドル部１０２から回転を伝えられて高速回転することによって、パッケージ基板４にハーフカット及びフルカットを施すように構成される。以下では、ハーフカット用のブレードを第１ブレード１０１Ａ、フルカット用のブレードを第２ブレード１０１Ｂと称する。第１ブレード１０１Ａは第１の厚みを有し、第２ブレード１０１Ｂは第１の厚みよりも小さい第２の厚みを有する。つまり、第２ブレード１０１Ｂの厚みは第１ブレード１０１Ａの厚みよりも薄い。なお、第１ブレード１０１Ａ及び第２ブレード１０１Ｂのいずれにも該当するブレードを、単にブレード１０１と称する。本実施形態では、スピンドル部１０２に対し、第１ブレード１０１Ａ及び第２ブレード１０１Ｂのいずれかが取り付けられ、切断が行われる。

第１ブレード１０１Ａは、導電性を有する材料から構成され、スピンドル部１０２に取り付けられた状態において、スピンドル部１０２と導通している。スピンドル部１０２は、後述する検出回路３０１に電気的に接続される。

パッケージ基板４にハーフカットを施す場合、第１ブレード１０１Ａが後述するテーブル２０１に対して移動することによって、パッケージ基板４が切断される。具体的には、パッケージ基板４は厚さ方向において一部が除去される。パッケージ基板４上において、長手方向及び短手方向に沿ってハーフカットを行うことによって、パッケージ基板４の長手方向に延びるハーフカット溝Ｇ１及びパッケージ基板４の短手方向に延びるハーフカット溝Ｇ２が形成される（図８Ａ参照）。一方、パッケージ基板４にフルカットを施す場合、第２ブレード１０１Ｂがテーブル２０１に対して相対的に移動することによって、パッケージ基板４が溝パターンに沿って切断される。これによってハーフカット溝Ｇ１，Ｇ２の部分が切り離され、パッケージ基板４が、複数の分離した半導体パッケージ４０（図２参照）に個片化される。

＜２－２．保持ユニット＞
図６は保持ユニットの拡大断面図、図７はパッケージ基板が配置された保持ユニットの拡大断面図である。以下、これらの図も参照しつつ、保持ユニット２０について説明する。まず、図３及び図４に示すように、保持ユニット２０は、移動機構２０３と、テーブル２０１と、を含み、パッケージ基板４はテーブル２０１に保持される。切断装置１は、２個の保持ユニット２０を有するツインカットテーブル構成であってもよいし、１個の保持ユニット２０を有してもよいし、３個以上の保持ユニット２０を有してもよい。パッケージ基板４は、保持ユニット２０によって保持され、ブレード１０１に対して相対的に移動しながら、その長手方向及び短手方向に沿って切断される。

図６に示すように、テーブル２０１は、基台２１１と、基台２１１上に配置される導電性の支持部２１２とを有し、支持部２１２上にパッケージ基板４が配置される。基台２１１と支持部２１２とは、例えば、ボルトなどで固定されている。支持部２１２は、環状の枠部２１２ａを有し、この枠部２１２ａによって支持部２１２の上面には矩形状の凹部２１３が形成されている。この凹部２１３に板状の吸着プレート２１４が配置されている。本実施形態の吸着プレート２１４は、少なくともパッケージ基板４を吸着する吸着面側に樹脂製フィルムが設けられた構成とすることできる。吸着プレート２１４の厚みは、凹部２１３の深さよりも小さく、凹部２１３には吸着プレート２１４の上面よりも上方に空間（以下、配置空間という）が形成されている。凹部２１３の平面形状は、パッケージ基板４の樹脂層４２の矩形形状とほぼ同じ又は僅かに大きい形状である。凹部２１３の配置空間の深さ（吸着プレート２１４の上面から枠部２１２ａまでの深さ）は、樹脂層４２の厚みとほぼ同じ大きさであるか又は樹脂層４２の厚みより僅かに大きい。このように、凹部２１３は樹脂層４２をほぼ収容するように形成されている（図７参照）。なお、本実施形態において、枠部２１２ａは支持体２１２と別体であり、例えばボルトなどで固定されて一体化しているが、枠部２１２ａは支持体２１２と別体でなくてもよい。枠部２１２ａが支持体２１２と別体である場合、枠部２１２ａのみを交換することで、サイズや、基板の厚み、樹脂層の厚みが異なる様々な種類のパッケージ基板４に対応できすることができる。また、交換部分をより小さくすることができ、交換時の作業性にも優れる。

図７に示すように、樹脂層４２が凹部２１３に配置されると、基板４１の樹脂層４２が形成されていない部分の非使用領域４１２が、凹部２１３の外側にある支持部２１２の上面に接する。ここで、パッケージ基板４がテーブル２０１に配置されたとき、支持部２１２と接触する部分を、パッケージ基板４の「外周部」をいうことがある。上記のように、支持部２１２は、例えば、ステンレスなどの導電性の材料で形成されているため、本実施形態のパッケージ基板４の外周部が配置されると、支持部２１２とパッケージ基板４とは導通する。以上のように、パッケージ基板４の非使用領域４１２が配置される支持部２１２の上面（導通部の上面）は、吸着プレート２１４の上面よりも上方に位置している。すなわち、パッケージ基板４１の樹脂層４２が形成されていない部分の非使用領域４１２が接する支持部２１２（導通部）の上面は、樹脂層４２が接する面である吸着プレート２１４の上面よりも上方に位置している。

凹部２１３の下面には、支持部２１２を上下方向に貫通する複数の通気路２１８が形成されている。各通気路２１８の上端は吸着プレート２１４に形成された貫通孔(図示省略)に通じている。

基台２１１は、支持部２１２の下面に接する第１部位２１５と、第１部位２１５の下面に絶縁層２１６を介して固定される第２部位２１７と、を有している。第１部位２１５、第２部位２１７は、例えばステンレスなどの導電性の材料で形成されている。第１部位２１５には、支持部２１２の複数の通気路２１８と連通する空間２１９が形成されており、この空間２１９から、第１部位２１５の下面で開放される通気路２２０が延びている。

第２部位２１７には、第１部位２１５の通気路２２０と対応する部分に貫通孔２２１が形成されており、この貫通孔２２１には通気路２２０とポンプ(図示省略)とをつなぐ配管２２２が設けられている。したがって、ポンプを駆動することで、吸着プレート２１４の貫通孔から空気が吸引される。これにより、樹脂層４２が吸着プレート２１４に吸着され、パッケージ基板４が支持部２１２に保持される。仮に樹脂層４２の厚みが想定より薄く、パッケージ基板４を支持部２１２に配置したとき樹脂層４２が吸着プレート２０２上面に接触していない場合でも、パッケージ基板４によって閉じられた凹部２１３内の空気が吸引されることによって凹部２１２内が負圧になり、基板４１が下方に吸着され樹脂層４２が吸着プレート２１４に接触し保持される。なお、保持ユニット２０は、必ずしも吸着プレート２１４を含む必要はなく、例えば吸着プレート２１４を省略して構成されてもよいし、吸着プレート２１４の代わりに他の部材を含んでもよい。また、貫通孔２２１設けられた、ポンプに繋がる配管２２２は複数設けられていてもよい。

図３に示すように、テーブル２０１は、移動機構２０３上で図のθ方向に回転可能である、すなわち、水平面上で回転可能であるとともに、移動機構２０３によって図のＹ軸に沿って移動可能である。テーブル２０１及び移動機構２０３の動作は、後述する制御ユニット５０によって制御される。

＜２－３．検出ユニット＞
検出ユニット３０は、スピンドル部１０２及び第１ブレード１０１Ａの高さ方向（Ｚ軸方向）の位置の検出に用いられる。図３及び図４に示すように、検出ユニット３０は、本発明の検出部の一例であり、ＣＣＳ（Contact Cutter Setup）ブロック３００と、検出回路３０１と、検出装置３０２とを含む。ＣＣＳブロック３００は、テーブル２０１の側方に取り付けられており、テーブル２０１とともに移動することが可能である。また、ＣＣＳブロック３００は導電性を有し、上述した支持部２１２と導通している。したがって、パッケージ基板４が支持部２１２に配置されると、パッケージ基板４とＣＣＳブロック３００とが導通する。

検出回路３０１は、第１ブレード１０１ＡがＣＣＳブロック３００の上面に接触すると第１ブレード１０１Ａ及びＣＣＳブロック３００を介して通電するように構成されている回路であり、ＣＣＳブロック３００及びスピンドル部１０２に電気的に接続され、検出装置３０２が検出回路３０１に組み込まれる。また、支持部２１２及び第１部位２１５はどちらも導電性を有し、ＣＣＳブロック３００に接触しているため（図６参照）、第１ブレード１０１Ａがパッケージ基板４の導電性を有する部分に接触した場合も、検出回路３０１は同様に機能する。

検出回路３０１は、図示しない電源により、ＣＣＳブロック３００及びスピンドル部１０２間に一定の電圧を印加するように構成される。検出装置３０２は、検出回路３０１における通電の有無の変化、換言すると第１ブレード１０１Ａ（より正確には、第１ブレード１０１Ａの外縁）とＣＣＳブロック３００との接触、及び第１ブレード１０１Ａとパッケージ基板４との接触を検知し、後述する制御ユニット５０に通知する。

＜２－４．制御ユニット＞
制御ユニット５０は、切断ユニット１０、保持ユニット２０、及び検出ユニット３０に電気的に接続され、各ユニット１０～３０の動作を制御するように構成される。制御ユニット５０は、各ユニット１０～３０と一体的に構成されてもよいし、各ユニット１０～３０とは別体として構成されてもよい。図５に示すように、制御ユニット５０は、制御部５００、表示部５０１、入力部５０２及び記憶部５０３を含む。

制御部５００は、ＣＰＵ（Central Processing Unit）、ＲＡＭ（Random Access Memory）及びＲＯＭ（Read Only Memory）等を含む。ＲＯＭには、各ユニット１０～３０の動作を制御するための動作プログラム５０００が記憶される。ＣＰＵは、ＲＯＭから動作プログラム５０００を読み出して実行する。ＲＯＭは、ＣＰＵの演算処理に適宜使用される。なお、動作プログラム５０００はＲＯＭではなく、記憶部５０３に記憶されていてもよい。

表示部５０１は、例えば各種の情報をユーザに対して表示するように構成されるとともに、ユーザから後述する切断パラメータや検出パラメータの入力を受け付けるためのユーザインターフェース画面を表示するように構成される。表示部５０１は、液晶表示素子、液晶表示ディスプレイ、有機ＥＬディスプレイ、及びタッチパネルディスプレイ等、任意の態様で実現することができる。

入力部５０２は、例えば、上述した固定値を入力したり、切断のための各種パラメータを入力するものである。入力部５０２は、キーボード、プッシュ式のボタン、タッチパネルディスプレイ等、任意の態様で実現することができる。入力部５０２がタッチパネルディスプレイで実現される場合、入力部５０２は表示部５０１を兼ねていてもよい。

切断のためのパラメータは特には限定されないが、例えば、パッケージ基板４が切断されるべき位置を指定する切断パラメータが含まれる。パッケージ基板４は、通常、格子状の切断パターンに従って切断されるため、切断パラメータを決定することにより縦、横の切断ラインが定まる。

＜２－５．ハーフカット高さの算出＞
次に、制御部５００によるハーフカット高さの算出について説明する。ハーフカット高さとは、パッケージ基板４に対してハーフカットを行うときの第１ブレード１０１Ａの最下端の位置である。制御部５００は、スピンドル部１０２の高さ方向の位置を制御し、第１ブレード１０１ＡをＣＣＳブロック３００の上面に向かって近づける。制御部５００は、後述する図９Ｂに示すように、新品の摩耗のない第１ブレード１０１ＡとＣＣＳブロック３００との接触が検出されたときのスピンドル部１０２の高さ方向の座標を基準のＺ座標（以下、基準座標という）と認識する。これにより、ＣＣＳブロック３００の上面を基準として、スピンドル部１０２の高さ位置、ひいては第１ブレード１０１Ａの高さ位置が検出される。さらに、制御部５００は、第１ブレード１０１Ａをパッケージ基板４の上面に向かって近づけるようにスピンドル部１０２の高さ方向の位置を制御する。なお、制御部５００が制御するスピンドル部１０２の高さ位置は、具体的には、例えば、スピンドル部１０２の回転軸のＺ軸方向の位置であり、制御部５００は、ボールネジに沿ってスピンドル部１０２を移動させるモータの回転方向、回転数をＺ軸座標の移動距離に換算してスピンドル部１０２のＺ軸方向の位置を決定することができる。

一例として以下のように算出ができる。まず、基準座標（Ａ）に、ＣＣＳブロック３００の上面から吸着プレート２１４の上面までの距離（固定値Ｂ）とパッケージ基板４の厚さ（固定値Ｃ）を加えて、ハーフカットの切り込み量（固定値Ｄ）とハーフカット開始時の第１ブレード１０１Ａの摩耗によって生じている補正量（測定値Ｅ）を引いた高さ方向の座標（Ａ＋Ｂ＋Ｃ－Ｄ－Ｅ）を算出する。そして、図７に示すように、算出した座標（以下、加工基本座標という）に、第１ブレード１０１Ａの最下端部分が配置されるようにスピンドル部１０２の高さ方向の位置を制御する。なお、固定値は予め切断装置１に入力され記憶されている。ハーフカット開始時の第１ブレード１０１Ａの摩耗によって生じている補正量（測定値）は、第１ブレード１０１ＡがＣＣＳブロック３００と接触したときの高さ方向の座標と、上述の基準座標から算出することができる（第１ブレード１０１Ａの摩耗やその摩耗によって生じる第１ブレード１０１Ａの高さ方向の位置の補正については、特開２０２２―１５１２４３公報を参照）。

さらに、実際のパッケージ基板４の厚さを考慮して、スピンドル部１０２の高さ方向の位置を制御する。すなわち、後述する図９Ｃに示すように、第１ブレード１０１Ａをパッケージ基板４と接触させる。このときの高さ方向の座標（Ｆ）から、実際のパッケージ基板４の厚さとパッケージ基板４の厚さ（固定値Ｃ）との差分をパッケージ基板４の高さのオフセット量（Ａ＋Ｂ＋Ｃ－Ｆ）として算出する。そして、このオフセット量を考慮して、加工基本座標を修正し、第１ブレード１０１Ａの最下端部分が配置されるようにスピンドル部１０２の高さ方向の位置を制御する。

さらに、ハーフカットを行うことによって生じる第１ブレード１０１Ａの摩耗による補正を、例えば、ハーフカットした長さ又はハーフカットした時間が設定値を超えたタイミングで行う。すなわち、ハーフカットした長さ又はハーフカットした時間が設定値を超えた時（１本の切断ラインのハーフカットが終了した後のタイミングでもよいし、ハーフカットの途中のタイミングでもよい）に、第１ブレード１０１ＡをＣＣＳブロック３００と接触させ、この時の高さ方向の座標を得る。そして、これと上述の基準座標から、第１ブレード１０１Ａの摩耗によって生じている補正量を算出し（特開２０２２―１５１２４３公報を参照）、スピンドル部１０２の高さ方向の位置を補正する。

＜３．切断装置の動作＞
＜３－１．パッケージ基板の個片化＞
次に、パッケージ基板４を切断し、半導体パッケージ４０を形成する方法について、図８Ａ及び図８Ｂを参照しつつ説明する。まず、スピンドル部１０２に、第１の厚みを有する第１ブレード１０１Ａを取り付け、第１ブレード１０１Ａにより、切断ラインに沿って、パッケージ基板４をハーフカットし、図８Ａに示すような、複数のハーフカット溝Ｇ１，Ｇ２から構成される溝パターンを形成する。一本のハーフカット溝Ｇ１，Ｇ２を形成する間には切断作業を停止することはないが、一本のハーフカット溝Ｇ１，Ｇ２の形成が完了すると、例えば，後述する切断距離の判定を行う。なお、第１ブレード１０１Ａが切断するパッケージ基板４の最も外側の部分は、使用領域４１１と非使用領域４１２の境界線であり、この境界線（図８Ａに示す一点鎖線）の外側が上述した非使用領域４１２であり、フルカット後に半導体チップ等を含まず、半導体パッケージ４０とはならない領域である。後述する図９Ｃに示すように、第１ブレード１０１Ａが切断するこの境界線は、樹脂層４２の上方にあり、平面視で凹部２１３内にある。

図８Ｂはパッケージ基板４のハーフカット溝Ｇ１，Ｇ２の付近の側面模式図である。溝パターンの形成後、スピンドル部１０２に、第１の厚みよりも小さい第２の厚みを有する第２ブレード１０１Ｂを取り付け、第２ブレード１０１Ｂにより、位置Ｐ１においてパッケージ基板４をフルカットし、パッケージ基板４を個片化する。位置Ｐ１は、ハーフカット溝Ｇ１，Ｇ２の中心であることが好ましい。これにより、図２に示すような段差部４０１が形成された複数の半導体パッケージ４０が製造される。なお、ハーフカット溝Ｇ１，Ｇ２の断面形状は、図８Ｂに示す形状に限定されない。

ハーフカットによりパッケージ基板４に溝パターンを形成する場合、なるべく均一な深さのハーフカット溝Ｇ１，Ｇ２がパッケージ基板４上に形成されることが重要であり、高い精度が求められる。そこで、本実施形態では、以下のようにハーフカットの制御を行う。以下、図９Ａ～図９Ｃ及び図１０に示すフローチャートを参照しつつ、パッケージ基板４のハーフカットについて説明する。

＜３－２．パッケージ基板のハーフカット＞
まず、図９Ａに示すように、パッケージ基板４を保持ユニット２の凹部２１３に位置合わせをしたうえで配置し、吸着プレート２１４の孔から空気を吸引してパッケージ基板４を支持部２１２に保持する（ステップＳ１）。これにより、パッケージ基板４の基板４１の非使用領域４１２が支持部２１２の上面と接するため、パッケージ基板４と支持部２１２とが導通する。

次に、スピンドル部１０２及び移動機構２０３を動作させ、第１ブレード１０１Ａとパッケージ基板４との位置合わせ（アラインメント）を行う（ステップＳ２）。続いて、図９Ｂに示すように、スピンドル部１０２を移動させ、第１ブレード１０１ＡをＣＣＳブロック３００に接触させ、このときの第１ブレード１０１Ａの高さ位置を記憶部５０３に記憶する。これにより、上述したように、第１ブレード１０１Ａの摩耗によって生じる補正量が算出され、記憶部５０３に記憶される（ステップＳ３）。

続いて、パッケージ基板４の上面の高さの測定が行われていなければ（ステップＳ４のＮＯ）、図９Ｃに示すように、スピンドル部１０２を移動させ、第１ブレード１０１Ａを、パッケージ基板４の基板４１の第２面の非使用領域４１２であって、その下方の第１面側には樹脂層４２が形成されている部分に接触させる。パッケージ基板４の外周部は支持部２１２に接触しているため、第１ブレード１０１Ａ及び基板４１を介して電流が流れ、検出装置３０２によって通電が検出される。これにより、第１ブレード１０１Ａの高さ位置が算出され（ステップＳ５）、記憶部５０３に記憶される。これに基づき、上述したオフセット量が算出され、記憶部５０３に記憶される。一方、パッケージ基板４の上面の高さの測定が行われていれば（ステップＳ４のＹＥＳ）、次のように、ハーフカット高さの算出を行う。

すなわち、上記のように算出した補正量及びオフセット量と、加工基本座標とから、第１ブレードの１０１Ａによるハーフカット高さが算出される（ステップＳ６）。これに基づき、第１ブレード１０１Ａの最下端部分の高さ位置を、第１ブレード１０１Ａがパッケージ基板４と接触した高さ位置からハーフカットの切り込み量だけ下げた位置に調整する。

その後、スピンドル部１０２を移動させ、パッケージ基板４を、上述した切断ラインに沿ってハーフカットする（ステップＳ７）。このとき、図７に示すように、第１ブレード１０１Ａの下端の刃先は、上述したハーフカット高さに保持されハーフカットが行われる。この工程において、１つの切断ラインにおけるハーフカットが完了したときに、この第１ブレード１０１Ａによる切断距離が設定値を超えたときには（ステップＳ８のＹＥＳ）、第１ブレード１０１Ａに摩耗が生じていると判断して上述した補正量の算出を行う（ステップＳ３）。一方、切断距離が設定値を超えていない場合は（ステップＳ８のＮＯ）、パッケージ基板におけるすべての切断ラインにハーフカットが施されたか否かが判断される（ステップＳ９）。なお、ステップＳ８では、第１ブレード１０１Ａによる切断距離の代わりに、第１ブレード１０１Ａによる切断時間が設定値を超えたかを判断してもよい。

ステップＳ９において、すべての切断ラインにハーフカットが施されていなければ（ステップＳ９のＮＯ）、別の切断ラインハーフカットが行われる（ステップＳ７）。すべての切断ラインにハーフカットが施されれば（ステップＳ９のＹＥＳ）、パッケージ基板４を洗浄し、乾燥した後、支持部２１２から取り外して搬出する（ステップＳ１０）。これに続いて、テーブル２０１を洗浄し、乾燥させる（ステップＳ１１）。その後、すべてのパッケージ基板４のハーフカットが完了すれば（ステップＳ１２のＹＥＳ）、切断装置１の動作を終了し、ハーフカットすべきパッケージ基板４が残っていれば（ステップＳ１２のＮＯ）、新たなパッケージ基板４を支持部２１２に保持し（ステップＳ１）、ハーフカットを継続する。

その後、切断装置１は、さらにフルカットを行うことができる。この場合、ブレード交換が行われ、スピンドル部１０２には第１ブレード１０１Ａに代えて第２ブレード１０１Ｂが取り付けられる。そして、交換後の第２ブレード１０１Ｂによるフルカットが行われる。第２ブレード１０１Ｂは、形成された溝パターンに従って厚さ方向にパッケージ基板４を切断し、分離する。これにより、個片化された複数の半導体パッケージ４０が得られる。フルカット終了後の半導体パッケージ４０は、切断装置１が備える他のユニットに送られてもよい。

＜４．特徴＞
本実施形態によれば、以下の効果を得ることができる。

（１）切断対象であるパッケージ基板４は、基板４１及び樹脂層４２の少なくとも一方の厚みが設計値と異なっていることがあるため、第１ブレード１０１Ａの摩耗によって生じる補正量を考慮してハーフカット高さを算出しただけではハーフカット溝の深さが一定とならず、パッケージ基板４毎にばらつくおそれがある。また、テーブル２０１の吸着プレート２１４の厚みのばらつきによってもパッケージ基板４の高さがばらつくことがあり、これによっても、ハーフカット溝の深さが一定とならない可能性がある。特に、上述したような半導体パッケージ４０では、ハーフカット溝が高精度に形成されることが望まれている。

そこで、本実施形態では、パッケージ基板４の上面に第１ブレード１０１Ａを接触させることで、パッケージ基板４の高さ位置を直接計測し、これに基づいて、第１ブレード１０１Ａによるハーフカット高さを算出している。これにより、基板４１及び／又は樹脂層４２の厚みが設計値と相違していたとしても、その相違を上述したオフセット量としてハーフカット高さの算出に用いるため、パッケージ基板４毎に、ハーフカット溝Ｇ１，Ｇ２の深さが、ばらつくのを抑制することができる。したがって、高精度の半導体パッケージ４０を製造することができる。

なお、パッケージ基板４の高さ位置を計測するには、例えば、光学的センサを用いることもできるが、パッケージ基板４の表面性状や切断環境により、光の反射の不具合が生じ、正確に高さ位置を測定できないおそれがある。これに対して、本実施形態では、上記のように、第１ブレード１０１Ａをパッケージ基板４に直接接触させることで高さ位置を計測できるため、高さ位置を正確に計測することができる。

（２）パッケージ基板４の高さ位置を計測するとき、第１ブレード１０１Ａは、パッケージ基板４の非使用領域４１２に接触させている。したがって、製品化される使用領域４１１に、第１ブレード１０１Ａによる傷やへこみが生じることはない。

（３）ハーフカットの工程においては、ハーフカットするパッケージ基板４の厚みが許容範囲内にない場合、エラーとなって切断装置４が停止するようになっている。上述したように、補正量とオフセット量が記憶されているため、記憶されたデータを参照することで、エラーの原因が、第１ブレード１０１Ａの摩耗の補正によるエラーか、パッケージ基板４の厚みによるエラーかを検証することができる。

＜Ｂ．第２実施形態＞
次に、本発明に係る切断装置の第２実施形態について説明する。以下では、主として第１実施形態と相違する部分について説明し、同一構成については同一の符号を付して説明を省略する。

＜１．配置空間の深さ＞
本実施形態に係る切断装置は、図１１に示すように、凹部２１３の配置空間の深さが樹脂層４２の厚みより小さく設定されている。そのため、樹脂層４２が凹部２１３の底面の吸着プレート２１４に確実に接触し、吸着によるパッケージ基板４のテーブル２０１への保持を確実にすることができる。なお、本実施形態では、パッケージ基板４をテーブル２０１に配置し保持したのみの状態では、パッケージ基板４の外周部はテーブル２０１の支持部２１２には接触しておらず、支持部２１２とパッケージ基板４とは導通していない。

＜２．押さえ機構の構造＞
本実施形態に係る切断装置は、切断時にパッケージ基板４を押さえるため押さえ機構が設けられている。なお、押さえ機構は、「接触機構」の一例である。図１２は、押さえ機構６０と第１ブレード１０１Ａとの関係を側方から示す模式図、図１３は押さえ機構６０を模式的に示す平面図、図１４は、押さえ機構６０と第１ブレード１０１Ａとの関係を正面から示す模式図である。

図１２～図１４に示すように、切断ユニット１０には押さえ機構６０が設けられている。押さえ機構６０は、第１押さえ機構６１と、第２押さえ機構６２とを備えている。第１押さえ機構６１と第２押さえ機構６２の間に第１ブレード１０１Ａが配置されており、第１ブレード１０１Ａの上下動に連動して第１押さえ機構６１、第２押さえ機構６２が連動するように構成されている。第１押さえ機構６１、第２押さえ機構６２の各ローラ６２２（後述）の最下端が第１ブレード１０１Ａの最下端より下方に配置されている（図１２参照）。そのため、第１ブレード１０１Ａによるパッケージ基板４の切断時に、第１ブレード１０１Ａの下降とともに第１押さえ機構６１及び第２押さえ機構６２が下降すると、第１ブレード１０１Ａより先に第１押さえ機構６１及び第２押さえ機構６２がパッケージ基板４に接触し、パッケージ基板４を押圧するように構成されている。すなわち、第１ブレード１０１Ａによるパッケージ基板４の切断時に、側面視において、第１押さえ機構６１の一部分は第１ブレード１０１Ａの一方の側面と対向し、第２押さえ機構６２の一部分は第１ブレード１０１Ａの他方の側面と対向する。

第１押さえ機構６１及び第２押さえ機構６２の各々は、パッケージ基板４を上方から下方に向けて押さえるように構成されている。そのため、第１押さえ機構６１及び第２押さえ機構６２の各々は、板バネ６１０と、押さえユニット６２０と、ベース部材６３０，６４０と、ネジ６２４，６２５，６３１，６３３，６３４とを備えている。

ベース部材６３０，６４０，６５０の各々は、例えば、金属で構成されている。ベース部材６５０は、高さ方向に延びる板状の部材であり、切断ユニット１０の後端部に取り付けられている。ベース部材６５０の両側面の各々には、孔Ｈ１，Ｈ２が形成されている。孔Ｈ１，Ｈ２の各々は、縦長の孔である。孔Ｈ１，Ｈ２にネジを通すことで、ベース部材６５０が切断ユニット１０に固定される。孔Ｈ１，Ｈ２の各々において、ネジ留めする高さ方向の位置を変更することによって、押さえ機構６０の高さ方向における位置を変更することができる。

ベース部材６４０は、ベース部材６５０の下端部から前方に延びる部材であり、ベース部材６５０に取り付けられている。ベース部材６３０は、ベース部材６４０の上面に取り付けられている棒状の部材であり、ベース部材６４０から前方に延びている。ベース部材６３０，６４０の各々にはネジ穴が形成されており、ベース部材６３０，６４０はネジ６３３，６３４によって互いにネジ留めされている。ベース部材６３０，６４０の各々に形成されている孔Ｈ３は、前後方向に長い形状を有し、ネジ留め位置を調整することによって、ローラ６２２の前後方向における位置を調整することができる。

ベース部材６３０の下面には、斜め下方に延びる板バネ６１０が取り付けられている。板バネ６１０は、例えば、金属製である。板バネ６１０にはネジ穴が形成されており、ベース部材６３０と板バネ６１０とはネジ６３２によって互いにネジ留めされている。ネジ６３１は、ベース部材６３０のネジ穴を貫通しており、板バネ６１０を上方から押さえる。板バネ６１０において、ネジ６３１によって押さえられる位置は、ネジ６３２によってベース部材６３０にネジ留めされる位置よりも前方である。ネジ６３１の高さ方向の位置を調整することによって、板バネ６１０の曲がり具合が調整される。これにより、板バネ６１０の弾性力が調整される。

板バネ６１０の先端部には、押さえユニット６２０が取り付けられている。押さえユニット６２０は、ベース部材６２１と、ローラ６２２と、回転軸６２３と、ネジ６２４，６２５とを備えている。ベース部材６２１は、例えば、金属又は樹脂で構成されている。ベース部材６２１にはネジ穴が形成されており、ベース部材６２１と板バネ６１０とはネジ６２４，６２５によって互いにネジ留めされている。平面視においてベース部材６２１の先端部には凹部が形成されており、この凹部にローラ６２２が位置している。ローラ６２２は、回転軸６２３を介してベース部材６２１に取り付けられており、ベース部材６２１に対して回転可能である。回転軸６２３は、Ｘ軸方向（第１ブレード１０１Ａの厚み方向）に延びている。ローラ６２２は、例えば、ゴム又は樹脂で構成されている。ローラ６２２は、本発明の「押さえ部材」の一例である。ゴム又は樹脂のような弾性のあるローラ６２２を用いることで、ローラ６２２で押さえた痕がパッケージ基板４に付くことを低減することができる。また、ハーフカット時に発生するバリの押し潰しを低減することができる。

ローラ６２２の下方にパッケージ基板４が存在しない状態では、ローラ６２２の下端は、第１ブレード１０１Ａの下端位置を示す仮想面Ｚ１よりも下方に位置する。したがって、パッケージ基板４の切断時にはローラ６２２の下端が第１ブレード１０１Ａの下端よりも高い位置にくるため、板バネ６１０の弾性力によってローラ６２２がパッケージ基板４を押下する。

＜３．特徴＞
本実施形態によれば、以下の効果を得ることができる。

（１）ローラ６２２によってパッケージ基板４が押下されることで、パッケージ基板４の反りが抑制された状態で、パッケージ基板４にハーフカットが施される。そのため、ハーフカットによって形成される溝の深さのばらつきを抑制することができる。

（２）図１５Ａに示すように、パッケージ基板４の上面のＺ座標を計測する際には、第１ブレード１０１Ａの下降とともにローラ６２２も下降し、まず、パッケージ基板４の非使用領域４１２をローラ６２２によって押圧することができる。これによって、パッケージ基板４の基板４１と支持部２１２が接触し支持部２１２とパッケージ基板４とは導通する。その後、図１５Ｂに示すように、第１ブレード１０１Ａがパッケージ基板４の基板４１に接触すると第１ブレード１０１Ａ及び基板４１を介して電流が流れ、検出装置３０２によって通電が検出できる。

また、凹部２１３の配置空間の深さと樹脂層４２の厚みとが同じであっても、例えば、パッケージ基板４に反りが生じている場合には、パッケージ基板４の外周部が支持部２１２の上面から離れ、パッケージ基板４と支持部２１２とが導通しなかったり、十分に導通しないおそれがある。これに対して、パッケージ基板４の非使用領域４１２をローラ６２２によって押圧すれば、図１５Ａに示すように、パッケージ基板４の非使用領域４１２と支持部２１２の上面とを接触させることができる。したがって、パッケージ基板４と支持部２１２とを確実に導通させることができ、パッケージ基板４の上面の位置を正確に計測することができる。

このように非使用領域４１２と支持部２１２の上面とを導通させるには、一方のローラ６２２が凹部２１３よりも外側に配置されるようにする。

＜Ｃ．変形例＞
以上、本発明の一実施形態について説明したが、本発明は上記各実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて、種々の変更が可能である。例えば、以下の変更が可能である。また、以下の変形例の要旨は、適宜組み合わせることができる。

＜Ｃ－１＞
パッケージ基板において上面の高さ位置を計測する場合、計測箇所の数や位置は特には限定されず、計測箇所は１以上であればよい。例えば、図１６Ａに示すように、計測箇所４８Ａを一つにすることができる。なお、計測箇所４８Ａには、図１６Ａの拡大図に示すように、一対のローラ６２２Ａ，６２２Ｂの間に第１ブレード１０１Ａが配置される。一対のローラ６２２Ａ，６２２Ｂのうち、一方のローラ６２２Ａは樹脂層４２の内側に配置され、他方のローラ６２２Ｂは樹脂層４２の外側（凹部２１３の外側）に配置される。この点は、次に説明する図１６Ｂ及び図１６Ｃにおいても同様である。なお、第１実施形態の切断装置１では、第１ブレード１０１Ａのみが配置される。

また、複数の計測箇所で上面高さ位置の計測を行うことができる。例えば、図１６Ｂの例では、パッケージ基板４の非使用領域４１２において、短手方向の両側に計測箇所４８Ａ，４８Ｂを設けることができる。あるいは、図１５Ｃに示すように、パッケージ基板４の非使用領域４１２に、図１６Ｂの計測箇所４８Ａ，４８Ｂに加え、パッケージ基板４の角部付近の４箇所に計測箇所４８Ｄ～４８Ｆを設けることもできる。

複数の計測箇所にて上面高さ位置を計測する場合には、例えば、計測した複数の高さ位置の平均を高さ位置とすることができる。また、反りによって計測した上面高さ位置が所定値よりも大きい場合には、そのパッケージ基板４のハーフカットを行わず、回収することもできる。複数箇所での計測を行う場合には、例えば、１箇所で上面も高さ位置が所定値を超えた場合には、そのパッケージ基板４のハーフカットを行わず、回収することもできる。

＜Ｃ－２＞
パッケージ基板４の高さ位置の測定頻度は、特には限定されず、上記実施形態のようにパッケージ基板４毎に測定を行ってもよいし、例えば、ロット毎で各パッケージ基板４の厚みや反りを別途測定しておき、これが許容値内であれば、高さ位置の測定はロット毎に行うこともできる。

＜Ｃ－３＞
検出ユニット３０の構成は、上記実施形態の構成に限定されず、適宜変更することができる。例えば、テーブル２０１自体が接触子として構成されてもよい。また、接触子としてのＣＣＳブロック３００を配置する位置は、上記実施形態に限られず、例えばテーブル２０１と離れていてもよく、適宜変更することができる。また、切断装置が備えるＣＣＳブロック３００の数も特に限定されない。また、検出回路３０１の構成も適宜変更されてよい。

＜Ｃ－４＞
押さえ機構６０は必ずしも必要ではなく、必要に応じて適宜設ければよい。

＜Ｃ－５＞
第１実施形態、第２実施形態に係る切断装置１は、第１ブレード１０１Ａの摩耗を検出する検出部として、ＣＣＳブロック３００、検出回路３０１及び検出装置３０２を含む検出ユニット３０を備えていた。しかし、図１７に示すように、第１ブレード１０１Ａの摩耗を検出する検出部として発光部３０３及び受光部３０４を含む検出ユニット３１を備えることもできる。すなわち、上記実施形態では、第１ブレード１０１Ａの摩耗が、切断装置１では接触子を用いた接触方式で検出されたが、この例における切断装置１Ａでは第１ブレード１０１Ａを接触子に接触させない非接触方式で第１ブレード１０１Ａの摩耗が検出される。

発光部３０３は、発光素子を含む。発光素子の例としては、ファイバセンサの投光側ファイバやＬＥＤ等が挙げられる。発光素子は、後述する受光部３０４の受光素子と向かい合うように配置され、Ｘ軸と実質的に平行な光線を発する。

一方、受光部３０４は、受光素子を含む。受光素子の例としては、ファイバセンサの受光側ファイバやＬＥＤが発した光を受光する受光素子等が挙げられる。受光素子は、発光部３０３の発光素子と向かい合い、かつ発光素子とＺ軸方向の位置が一致するように配置される。発光素子と受光素子との間が物体によって遮られていない状態において、受光素子には、発光素子が発した光線が到達する。受光素子は、自身に到達する光線の変化を電気信号に変換するように構成される。

発光素子と受光素子との間に物体が存在すると、発光素子が発した光線は、物体によって遮断され、受光素子には到達しないか殆ど到達しなくなる。これにより、受光素子の発する電気信号が変化し、光線のＺ軸方向の位置に物体が存在することが検出される。物体が第１ブレード１０１Ａであるとき、検出ユニット３１は、受光部３０４に到達する光線の強度を検出することにより、第１ブレード１０１Ａの縁端が光線のＺ軸方向の位置に存在することを検出する。検出ユニット３１による光線の変化の検出状態は、制御ユニット５０に通知される。制御ユニット５０は、第１実施形態と同様、ある高さ方向の座標を始点として、スピンドル部１０２を徐々に発光部３０３及び受光部３０４の間の光線に向かって近づける。制御部５００は、検出ユニット３１からの通知に基づき、第１ブレード１０１Ａによる光線の遮断が検出されたときのスピンドル部１０２の高さ方向の座標を終点と認識する。これにより、始点におけるスピンドル部１０２の、ひいては第１ブレード１０１Ａの高さが検出される。

＜Ｃ－６＞
切断ユニット１０及び保持ユニット２０の動作は、上記実施形態において例示された動作に限定されない。例えば、切断を行う際に、ブレード１０１Ａ，１０１Ｂを固定し、テーブル２０１を移動させてもよい。すなわち、ブレード１０１Ａ，１０１Ｂがテーブル２０１に対して相対的に移動しつつ切断が行われればよい。また、例えば、テーブル２０１が可能な動作は回転動作のみとし、スピンドル部１０２をＹ軸方向に移動させることによって、パッケージ基板４の切断が行なわれてもよい。すなわち、テーブル２０１とブレード１０１とを相対的に移動させることにより、パッケージ基板４の切断が行われればよい。例えば、テーブル２０１を上昇させることで、ＣＣＳブロック３００又はパッケージ基板４とブレード１０１とを接触させたり、パッケージ基板４を切断したりしてもよい。

＜Ｃ－７＞
上述した第２実施形態の押さえ機構６０は、パッケージ基板４の外周部と枠部２１２ａとを接触させるための接触機構の一例であり、パッケージ基板４の外周部と枠部２１２ａとの間に隙間が生じている場合に、パッケージ基板４の外周部を押圧し、外周部と枠部２１２ａとが導通するように接触させることができれば，他の構成を採用してもよい。

また、接触機構としては、外周部を押圧する以外の構成であってもよい。例えば、導電性のスプリングプランジャを支持部２１２のパッケージ基板４が載置される部分（外周部と対向する部分）に突出して設けておいてもよい。パッケージ基板４の樹脂層４２は吸着によって凹部２１３に保持されるため、仮にパッケージ基板４の外周部に反っていても、突出している導電性のスプリングプランジャにパッケージ基板４の外周部が接触して導電状態を保つことができる。

＜Ｃ－８＞
上記第１実施形態において、上記第２実施形態の押さえ機構又は＜Ｃ－７＞に記載のスプリングプランジャを備えてもよい。上記のように、凹部２１３の配置空間の深さと樹脂層４２の厚みとが同じであっても、パッケージ基板４に反りが生じている場合に、パッケージ基板４と第１ブレード１０１Ａとの通電を確実にし、さらには、パッケージ基板４の上面のＺ座標を正確に計測することができる。

＜Ｃ－９＞
上記実施形態では、第１ブレード１０１Ａの摩耗によって生じる補正量を算出し、これを考慮してハーフカット高さを算出しているが、補正量を算出するタイミングは、上記実施形態で示したものに限られず、適宜決定することができる。また、摩耗によって生じる補正量を算出するか否かを、ハーフカットを行った切断距離ではなくハーフカットを行った時間で判断してもよい。また、摩耗によって生じる補正量を算出することなく、ハーフカット高さを算出することもできる。

上記実施形態で示したハーフカット高さの算出方法は一例であり、他の方法でスピンドル部１０２の高さの調整を行うことも可能である。例えば、ハーフカット時のスピンドル部１０２の高さ位置を、第１ブレード１０１Ａがパッケージ基板４に接したときのスピンドル部１０２の高さ位置から切り込み量分だけ下げることで調整することができる。この調整したハーフカット高さでパッケージ基板４に対しハーフカットを行う。その後、例えば、第１ブレード１０１Ａによる切断距離が設定値を超えたとき、上記のように、第１ブレード１０１Ａの摩耗によって生じる補正量を算出し、スピンドル部１０２の高さ位置を、この補正量分だけさらに下げて、ハーフカット高さを調整してもよい。

＜Ｃ－１０＞
上記各実施形態では、第１ブレード１０１Ａとパッケージ基板４とを接触させたときに、両者を導通させることで、第１ブレード１０１Ａの高さ位置を検出し、これに基づいてハーフカット時の第１ブレード１０１Ａの高さ方向の位置を制御しているが、導通させる箇所については、特には限定されない。すなわち、ブレード１０１Ａがパッケージ基板４の上面に接したときに、ブレードの１０１Ａの高さ位置が検出できるように、いずれかが導通すればよい。

また、第１ブレード１０１Ａの高さ位置が検出できるのであれば、第１ブレード１０１Ａとパッケージ基板４とを接触させたときに導通以外の方法であってもよい。例えば、種々のセンサで第１ブレード１０１Ａとパッケージ基板４との接触を検知し、そのときの第１ブレード１０１Ａの高さ位置を取得できればよい。

＜Ｃ－１１＞
上記実施形態では、切断対象物はパッケージ基板４、切断品は半導体パッケージ４０としてそれぞれ例示された。しかしながら、切断対象物及び切断品の例はこれに限られない。他の切断対象物にハーフカットを施す場合にも適用することができる。

＜Ｃ－１２＞
上記実施形態では、ハーフカットの終了後、第１ブレード１０１Ａを第２ブレード１０１Ｂに交換している。しかし、切断装置１がスピンドル部１０２を２つ以上備える場合は、予め別のスピンドル部１０２に第２ブレード１０１Ｂを取り付けておき、ブレード１０１の交換を行うことなくフルカットを行ってもよい。また、ハーフカットの終了後であって、フルカットが開始される前のタイミングでは、例えばメッキ処理等、切断とは別のパッケージ基板４に対する処理が行われてもよい。

＜Ｃ－１３＞
上記実施形態における支持部２１２は、基台２１１の第１部位２１５に対して取り外し可能に構成することもできる（図６参照）。例えば、切断対象となるパッケージ基板４の品種毎に支持部２１２を形成し（例えば、凹部の形状、深さ等）、これを第１部位２１５に対して交換可能に固定することができる。また、テーブル２０１において、パッケージ基板４を支持する部分の構成は特には限定されず、切断時にパッケージ基板４が動かないように支持し、導通領域（例えば、外周部）と導通する部分を有していればよい。

＜Ｃ－１４＞
切断装置１は、ハーフカットのみを行うハーフカット専用装置として構成されてもよい。この場合、切断装置１のブレード交換は省略することができる。そして、第２ブレード１０１Ｂを用いたフルカットは、別の装置を用いて行われてもよい。

以上、本発明のいくつかの実施形態について例示的に説明した。すなわち、例示的な説明のために、詳細な説明及び添付の図面が開示された。よって、詳細な説明及び添付の図面に記載された構成要素の中には、課題解決のために必須でない構成要素が含まれることがある。従って、それらの必須でない構成要素が詳細な説明及び添付の図面に記載されているからといって、それらの必須でない構成要素が必須であると直ちに認定されるべきではない。

（付記）
上述した実施形態に関し、さらに以下の付記を開示する。
付記１.切断対象物を保持するテーブルと、
前記切断対象物を切断可能なブレードを有する切断機構と、
前記ブレードと前記切断対象物の上面との接触を検出する検出部と、
前記切断機構を制御する制御部と、
を備え、
前記制御部は、
前記検出部が前記ブレードと前記切断対象物の上面との接触を検出したときの前記ブレードの高さ位置に基づいて、前記切断対象物の切断時における前記ブレードの高さ方向の位置を制御する、
切断装置。

付記２.前記ブレードは導電性を有し、
前記切断対象物は、前記ブレードが接触する導通領域を有し、
前記検出部は、前記ブレードと前記切断対象物との通電により、前記ブレードが前記切断対象物の上面に接触したことを検出する、付記１に記載の切断装置。

付記３.前記テーブルは、前記切断対象物の前記導通領域に対して少なくとも一部が対向可能な導通部を有し、
前記検出部は、前記ブレードと前記切断対象物の前記導通領域と前記テーブルの導通部との通電により、前記ブレードが前記切断対象物の上面に接触したことを検出する、付記２に記載の切断装置。

付記４.前記切断対象物の前記導通領域と前記切断対象物を保持した前記テーブルの前記導通部とを相対的に互いに近づく方向に移動させて、前記導通領域と前記導通部とを接触させることが可能な接触機構をさらに備える、付記３に記載の切断装置。

付記５.前記切断対象物は、前記導通領域を有する基板と、前記基板の一方の面の一部に形成される樹脂層とを備え、
前記テーブルは、前記樹脂層が配置される凹部を有し、
前記導通部の上面は、平面視において少なくとも前記凹部の外側に位置し、かつ前記凹部の底面よりも上方に位置する、付記３又は４に記載の切断装置。

付記６．前記切断対象物は、製品化されない非使用領域を有し、
前記非使用領域は、前記導通領域に含まれており、
前記検出部は、前記ブレードと前記非使用領域との接触を検出する、付記２から５のいずれかに記載の切断装置。

付記７.前記検出部は、前記切断対象物の上面の複数箇所において前記ブレードとの接触を検出し、
前記制御部は、前記検出部が前記ブレードと前記切断対象物の上面との接触を検出したときの前記ブレードの高さ位置から求められる複数の前記上面の高さ位置に基づいて、前記切断対象物の切断時における前記ブレードの高さ方向の位置を制御する、付記１から６のいずれかに記載の切断装置。

付記８.前記接触機構は、前記ブレードを挟むように配置される第１押さえ部材及び第２押さえ部材を備え、
前記第１及び第２押さえ部材の各々は、前記切断対象物を上方から下方に向けて押さえるように構成されている、付記７に記載の切断装置。

付記９.前記ブレードを前記切断対象物の上面に接触させるときに、前記第１及び第２押さえ部材の各々は、前記切断対象物を上方から下方に向けて押さえるように構成されている、付記８に記載の切断装置。

付記１０.前記検出部は、さらに、前記ブレードの外縁の位置を検出し、
前記制御部は、
前記検出部により検出された前記ブレードの前記外縁の位置から前記ブレードの摩耗量を算出し、
前記摩耗量に基づき、前記切断対象物の切断時における前記ブレードの高さ方向の位置を制御する、
付記１から９のいずれかに記載の切断装置。

付記１１.前記検出部は、導電性を有する接触子と、前記接触子に前記ブレードを接触させると通電するように構成される検出回路とを有し、
前記制御部は、前記検出部が前記検出回路の通電を検出したときの前記ブレードの高さ位置に基づいて、前記ブレードの摩耗量を算出する、
付記１０に記載の切断装置。

付記１２.切断対象物をテーブルに保持するステップと、
前記切断対象物を切断可能なブレードを、前記切断対象物の上面に接触させることで、前記切断対象物の上面の高さ位置を検出するステップと、
検出された前記上面の高さ位置に基づいて、前記切断対象物の切断時における前記ブレードの高さ方向の位置を制御するステップと、
を含む、切断方法。

付記１３.前記切断対象物は、製品化されない非使用領域を有し、
前記切断対象物の上面の高さ位置を検出するステップでは、前記ブレードを、前記切断対象物の非使用領域の上面に接触させる、付記１２に記載の切断方法。

付記１４.付記１２または１３に記載の切断方法により、前記切断対象物にハーフカットを施すステップと、
前記ハーフカットにより形成されたハーフカット溝に対し、フルカットを施すことで、前記切断対象物を分離するステップと、
を含む、切断品の製造方法。

１ 切断装置
１Ａ 切断装置
４ パッケージ基板
１０ 切断ユニット
２０ 保持ユニット
３０ 検出ユニット
４０ 半導体パッケージ
５０ 制御ユニット
１０１ ブレード
１０１Ａ 第１ブレード
１０２Ｂ 第２ブレード
２０１ テーブル
３００ ＣＣＳブロック
３０１ 検出装置
３０２ 検出回路
５００ 制御部
Ｇ１，Ｇ２ ハーフカット溝

Claims (11)

1. 導通領域を有する基板と、前記基板の一方の面の一部に形成される樹脂層とを備えた切断対象物を切断するための切断装置であって、
   切断対象物を保持するテーブルと、
   前記切断対象物を切断可能なブレードを有する切断機構と、
   前記ブレードと前記切断対象物の上面との接触を検出する検出部と、
   前記切断機構を制御する制御部と、
   を備え、
   前記ブレードは導電性を有し、
   前記テーブルは、前記切断対象物の前記導通領域に対して少なくとも一部が対向可能な導通部を有し、
   前記検出部は、前記ブレードと前記切断対象物の前記導通領域と前記テーブルの導通部との通電により、前記ブレードが前記切断対象物の上面に接触したことを検出し、
   前記テーブルは、前記樹脂層が配置される凹部を有し、
   前記導通部の上面は、平面視において少なくとも前記凹部の外側に位置し、かつ前記凹部の底面よりも上方に位置し、
   前記制御部は、
   前記検出部が前記ブレードと前記切断対象物の上面との接触を検出したときの前記ブレードの高さ位置に基づいて、前記切断対象物の切断時における前記ブレードの高さ方向の位置を制御する、
   切断装置。
2. 前記切断対象物の前記導通領域と前記切断対象物を保持した前記テーブルの前記導通部とを相対的に互いに近づく方向に移動させて、前記導通領域と前記導通部とを接触させることが可能な接触機構をさらに備える、請求項１に記載の切断装置。
3. 前記切断対象物は、製品化されない非使用領域を有し、
   前記非使用領域は、前記導通領域に含まれており、
   前記検出部は、前記ブレードと前記非使用領域との接触を検出する、請求項１または２に記載の切断装置。
4. 前記検出部は、前記切断対象物の上面の複数箇所において前記ブレードとの接触を検出し、
   前記制御部は、前記検出部が前記ブレードと前記切断対象物の上面との接触を検出したときの前記ブレードの高さ位置から求められる複数の前記上面の高さ位置に基づいて、前記切断対象物の切断時における前記ブレードの高さ方向の位置を制御する、請求項１または２に記載の切断装置。
5. 前記接触機構は、前記ブレードを挟むように配置される第１押さえ部材及び第２押さえ部材を備え、
   前記第１及び第２押さえ部材の各々は、前記切断対象物の前記導通領域を上方から下方に向けて押さえるように構成されている、請求項２に記載の切断装置。
6. 前記ブレードを前記切断対象物の上面に接触させるときに、前記第１及び第２押さえ部材の各々は、前記切断対象物を上方から下方に向けて押さえるように構成されている、請求項５に記載の切断装置。
7. 前記検出部は、さらに、前記ブレードの外縁の位置を検出し、
   前記制御部は、
   前記検出部により検出された前記ブレードの前記外縁の位置から前記ブレードの摩耗量を算出し、
   前記摩耗量に基づき、前記切断対象物の切断時における前記ブレードの高さ方向の位置を制御する、
   請求項１または２に記載の切断装置。
8. 前記検出部は、導電性を有する接触子と、前記接触子に前記ブレードを接触させると通電するように構成される検出回路とを有し、
   前記制御部は、前記検出部が前記検出回路の通電を検出したときの前記ブレードの高さ位置に基づいて、前記ブレードの摩耗量を算出する、
   請求項７に記載の切断装置。
9. 導通領域を有する基板と、前記基板の一方の面の一部に形成される樹脂層とを備えた切断対象物を切断するための切断方法であって、
   前記切断対象物の前記導通領域に対して少なくとも一部が対向可能な導通部と、前記樹脂層が配置される凹部とを有し、前記導通部の上面は、平面視において少なくとも前記凹部の外側に位置し、かつ前記凹部の底面よりも上方に位置している、テーブルを準備するステップと、
   前記切断対象物を前記テーブルに保持するステップと、
   前記切断対象物を切断可能な導電性を有するブレードを、前記切断対象物の上面に接触させたときに、前記ブレードと前記切断対象物の前記導通領域と前記テーブルの導通部との通電により、前記ブレードが前記切断対象物の上面に接触したことを検出することで、前記ブレードの高さ位置を検出するステップと、
   検出された前記ブレードの高さ位置に基づいて、前記切断対象物の切断時における前記ブレードの高さ方向の位置を制御するステップと、
   を含む、切断方法。
10. 前記切断対象物は、製品化されない非使用領域を有し、
    前記切断対象物の上面の高さ位置を検出するステップでは、前記ブレードを、前記切断対象物の非使用領域の上面に接触させる、請求項９に記載の切断方法。
11. 請求項９または１０に記載の切断方法により、前記切断対象物にハーフカットを施すステップと、
    前記ハーフカットにより形成されたハーフカット溝に対し、フルカットを施すことで、前記切断対象物を分離するステップと、
    を含む、切断品の製造方法。