WO2022064729A1 - 配線形成方法及び転写型の製造方法 - Google Patents

配線形成方法及び転写型の製造方法 Download PDF

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裕司 小松
大介 酒井
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コネクテックジャパン株式会社
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Definitions

  • the present invention relates to a wiring forming method for forming wiring of a predetermined pattern on a substrate, and particularly to a wiring forming method suitable for forming wiring on the surface of a substrate having irregularities.
  • Wiring formation using conductive paste can be performed at a lower temperature than conventional wiring formation using copper wiring or metal such as solder, so wiring formation on film such as plastic, which was not possible until now, can be performed. Chip mounting is possible.
  • wiring formation using this conductive paste is generally performed by using a printing method.
  • the printing method there is a limit to the minimum line width of the wiring that can be formed.
  • the wiring printing having a width of about 30 ⁇ m is the limit.
  • a paste or ink-like conductive member is used in the printing method, it does not cure immediately after printing on the substrate, so if thick wiring (wiring with a high aspect ratio) is formed, the wiring will bleed and the dimensions will be accurate. And the flow due to the constant viscosity of the paste or ink-like conductive member causes shape sagging. Therefore, at present, the upper limit of the aspect ratio of the wiring that can be formed by the printing method is about 0.5 at most.
  • the recess of a mold having a recess formed in a pattern similar to the wiring pattern formed on the substrate is filled with a conductive paste, and the recess is filled with the conductive paste.
  • a printing plate in Japanese Patent Laid-Open No. 2016-58664
  • the conductive paste filled in the recesses of this mold is transferred to the substrate, and a predetermined pattern of wiring is formed on the substrate. ..
  • the substrate has irregularities (steps) such that another wiring is already formed on the wiring forming surface.
  • the transfer type 14 cannot be properly grounded (adhered) to the surface of the substrate 11 due to the unevenness, whereby the transfer-formed wiring 13 adheres particularly in the vicinity of the wiring step formed in advance on the substrate 11. There will be a problem that it will be in a raised state without doing so.
  • the present invention has been made in view of such a current situation, and is an epoch-making unprecedented invention that enables transfer wiring formation by a transfer type without performing a flattening process on a substrate having an uneven surface.
  • a wiring forming method is provided.
  • a conductive member 2 is filled in the recess 4a of the transfer mold 4 in which the recess 4a having a predetermined pattern is formed, and the transfer mold 4 filled with the conductive member 2 is superposed on the surface of the substrate 1 having irregularities.
  • the present invention relates to a wiring forming method characterized by using a soft material of 70.
  • the unevenness relates to a wiring forming method provided on the surface of the substrate 1 and having a wiring step having an aspect ratio of 1 or more.
  • the transfer type 4 is made of a resin material in which a curing agent is mixed with a main agent containing a silicone-based polymer compound as a main component. It concerns the method.
  • the transfer type 4 is made of a resin material in which a curing agent is mixed with a main agent containing a silicone-based polymer compound as a main component. It concerns the method.
  • the resin material relates to a wiring forming method in which the main agent and the curing agent are mixed at a mixing ratio of about 5: 1. Is.
  • the resin material relates to a wiring forming method in which the main agent and the curing agent are mixed at a mixing ratio of about 5: 1. Is.
  • the transfer type 4 is pressed by a support substrate after the resin material is provided on an original plate on which a convex portion of a predetermined pattern is formed. It relates to a wiring forming method characterized by being obtained by molding and hardening treatment.
  • the wiring forming method according to claim 8 relates to a wiring forming method characterized in that the room temperature curing treatment is performed over 24 hours or more.
  • the curing treatment is carried out at room temperature for 48 hours in a space set at 15 ° C to 30 ° C, and then at 200 ° C to 250 ° C, 30.
  • the present invention relates to a wiring forming method, which comprises performing the heat curing treatment for a portion.
  • the curing treatment is carried out at room temperature for 48 hours in a space set at 15 ° C to 30 ° C, and then at 200 ° C to 250 ° C, 30.
  • the present invention relates to a wiring forming method, which comprises performing the heat curing treatment for a portion.
  • a transfer type manufacturing method obtained by providing a resin material on an original plate on which a convex portion of a predetermined pattern is formed, then pressure-molding on a support substrate, and performing a curing treatment.
  • the resin material is a transfer type manufacturing method.
  • a method for producing a transfer type characterized in that a curing agent is mixed with a main agent containing a silicone-based polymer compound as a main component to obtain a soft transfer type 4 having a durometer A hardness of 40 to 70. It is related.
  • the resin material is a transfer type manufacturing method in which the main agent and the curing agent are mixed at a mixing ratio of about 5: 1. It is related to.
  • the curing treatment is a room temperature curing treatment for curing at room temperature and a heat curing treatment for curing by heating at a temperature of 200 ° C. or higher. It relates to a transfer type manufacturing method characterized by the above.
  • the curing treatment is carried out at room temperature for 48 hours in a space set at 15 ° C to 30 ° C, followed by 200 ° C to 250 ° C.
  • the present invention relates to a method for producing a transfer type, which comprises performing the heat curing treatment for 30 minutes.
  • the curing treatment is carried out at room temperature for 48 hours in a space set at 15 ° C to 30 ° C, followed by 200 ° C to 250 ° C.
  • the present invention relates to a method for producing a transfer type, which comprises performing the heat curing treatment for 30 minutes.
  • the present invention is as described above, it is possible to form a transfer wiring using a transfer mold even on a substrate having an uneven surface.
  • the present invention eliminates the need for the flattening process which has been required when using the transfer type, and the man-hours for that amount are reduced. It is reduced, and the effect of improving the throughput and reducing the cost can be obtained.
  • the conductive member 2 is filled in the concave portion 4a of a predetermined pattern formed in the transfer mold 4, and the transfer mold 4 in which the conductive member 2 is filled in the concave portion 4a is superposed on the surface of the substrate 1 and pressure-welded.
  • the transfer mold 4 is deformed following the unevenness of the substrate surface, and the transfer mold 4 is in close contact with the substrate surface.
  • the transfer-formed wiring portion 3 is in a raised state (a state in which it is not grounded to the substrate 1) even in the vicinity of the wiring step formed in advance on the substrate 1, so that the substrate has an uneven surface.
  • the present invention eliminates the need for the flattening process which has been required when using the transfer type, and the man-hours for that amount are reduced. It is reduced, and the effect of improving the throughput and reducing the cost can be obtained.
  • the concave portion 4 of the transfer mold 4 in which the concave portion 4a having a predetermined pattern is formed is filled with the conductive member 2, and the transfer mold 4 filled with the conductive member 2 is filled with the concave surface of the substrate 1 having irregularities.
  • This is a wiring forming method in which the conductive member 2 is superposed on the surface of the substrate 1 and cured in the recess 4a, transferred to the surface of the substrate 1, and the wiring portion 3 is formed on the surface of the substrate 1 by the conductive member 2. .. That is, in this embodiment, wiring is already formed on the substrate 1, and the wiring portion 3 is transferred and formed on the substrate 1 having irregularities (steps) on the surface by the imprint method using the transfer mold 4. It is a forming method.
  • the transfer mold 4 of this embodiment is generally obtained by dropping a resin material on a master plate on which a convex portion of a predetermined pattern is formed, pressurizing it with a support substrate, molding it, and then performing a curing treatment. It is a soft transfer type 4 called a soft replica mold.
  • the transfer type 4 of the present embodiment is made of a silicone resin obtained by curing a resin material obtained by mixing a main agent containing a silicone-based polymer compound as a main component and a curing agent, and the hardness is durometer A hardness. It is about 40 to 70.
  • the recess 4a formed in the transfer mold 4 is formed in a tapered recess (forward taper) so that the shape of the wiring portion 3 transferred and formed on the substrate 1 is a forward taper shape.
  • the transfer type 4 of this embodiment is manufactured as follows.
  • a resin material obtained by mixing PDMA (polydimethylsiloxane) as a main agent and a curing agent at a mixing ratio of 5: 1 is dropped onto an original plate on which convex portions of a predetermined pattern are formed, and pressure-molded on a support substrate.
  • PDMA polydimethylsiloxane
  • the mixing ratio of the main agent and the curing agent is conventionally set to about 10: 1, but in this embodiment, the ratio of the curing agent is large (as described above). About twice). This is to reduce the adhesiveness (tackiness) of the surface of the transfer mold 4 after curing and to make it easier to scrape the conductive member 2 on the surface of the transfer mold 4.
  • a room temperature curing treatment is performed in which the pressure-molded resin material is cured at room temperature (15 ° C. to 30 ° C., preferably 25 ° C.) for 24 hours or longer, preferably 48 hours or longer.
  • the normal temperature curing treatment conditions of this example are 25 ° C. and 48 hours.
  • the transfer mold 4 cured at room temperature is removed from the original plate, and the removed transfer mold 4 is removed at 200 ° C. to 300 ° C., preferably 250 ° C. for about 30 minutes using a heating device (for example, a hot plate or the like).
  • the resin material is main-cured by performing a heat-curing treatment to complete the process.
  • the hardness of the transfer type 4 formed by the above manufacturing method is about 60 in terms of the durometer A hardness.
  • the resin material containing PDMA as the main component conventionally, the resin material dropped on the original plate is pressure-molded on a support substrate and then heat-cured at 100 ° C. to 150 ° C. for 10 minutes to 35 minutes.
  • the transfer mold was cured to a predetermined hardness by this heat curing treatment, but in this conventional heat curing treatment, the lower limit side is due to the difference in the coefficient of thermal expansion between the transfer mold and the original plate (main material, glass).
  • pattern shrinkage of more than 2% occurs.
  • the pattern shrinkage can be suppressed to about 0.5% by performing the curing treatment in two stages of the room temperature curing treatment and the heat curing treatment as described above.
  • the pattern shrinkage after the room temperature curing treatment at 25 ° C. for 48 hours is about 0.1%
  • the pattern shrinkage after the heat curing treatment at 250 ° C. for 30 minutes is 0.6. %.
  • the conductive member 2 used in this embodiment is an active ray-curable resin-containing conductive paste in which the active ray-curable resin is contained in the conductive paste.
  • the conductive member 2 is not cured by heating, but is cured by, for example, activated light rays such as ultraviolet rays.
  • the conductive paste includes Ag paste (including nanopaste), Cu paste (including nanopaste), Au paste (including nanopaste), Pt paste (including nanopaste), Pd paste (including nanopaste), and the like. It is possible to select from Ru paste (including nanopaste) and C paste (including nanopaste), and this example uses Ag paste.
  • the active ray-curable resin contained in this conductive paste is an ultraviolet curable resin, and is contained in the conductive paste so that the volume content in the conductive member 2 is 20% to 40%. There is.
  • the conductive member 2 of this embodiment is an ultraviolet curable resin-containing Ag paste in which the volume ratio of the Ag base and the ultraviolet curable resin is set to 6: 4 to 8: 2.
  • the concave portion 4 of the transfer mold 4 in which the concave portion 4a having a predetermined pattern is formed is filled with the conductive member 2, and the transfer mold 4 is filled with the conductive member 2.
  • the conductive member 2 in the recess 4a is transferred to the surface of the substrate 1, and the conductive member 2 forms the wiring portion 3 on the surface of the substrate 1.
  • the conductive member filling processing step of filling the concave portion 4a of the transfer mold 4 with the conductive member 2 and the transfer mold 4 filled with the conductive member 2 are mounted on the substrate 1.
  • the transfer mold 4 is set so that the opening of the recess 4a faces upward, the conductive member 2 is filled in the recess 4a from above, and then the transfer mold 4 overflows from the surface or the recess 4a.
  • This is a step of scraping off the protruding conductive member 2 using a scraper (squeegee) and filling the recess 4a with the conductive member 2.
  • the transfer type 4 used in this example has a larger mixing ratio of the curing agent to the main agent than the conventional one, and reduces the adhesiveness (tackiness) of the surface of the transfer type 4.
  • the unnecessary conductive member 2 on the surface of the transfer mold 4 can be smoothly scraped off, and the unnecessary conductive member 2 remains on the surface of the transfer mold 4. Will be prevented as much as possible.
  • the transfer type superposition processing step is a step of superimposing the transfer type 4 in which the concave portion 4a is filled with the conductive member 2 on the substrate 1 and pressing the transfer type 4 against the substrate 1 by pressurization.
  • the soft transfer type 4 (soft replica mold) having a durometer A hardness of 60 is used as the transfer type 4, when the transfer type 4 is pressed against the substrate 1 as shown in FIG. 1, the transfer type 4 is used. 4 is elastically deformed following the unevenness of the substrate 1, specifically, the step formed by the wiring already formed on the substrate 1, and the surface of the transfer mold 4 (the opening side of the recess 4a) is the substrate. It is in a state of being grounded (adhered) to the surface of 1 and the upper surface of the wiring already formed on the substrate 1.
  • the conductive member curing treatment step is a step of curing the conductive member 2 filled in the recess 4a of the transfer mold 4, and in this embodiment, the conductive member 2 is cured by ultraviolet irradiation.
  • ultraviolet irradiation is applied from the bottom side of the concave portion 4a of the transfer mold 4 to cure the contact interface portion of the conductive member 2 filled in the concave portion 4a of the transfer mold 4 with the inner surface of the concave portion, thereby conducting conductivity.
  • the releasability of the member 2 with respect to the transfer mold 4 is improved.
  • the processing time can be significantly shortened as compared with the case where the conductive member 2 is cured by heating.
  • the conductive member curing treatment step may be performed before the transfer mold 4 is superposed on the substrate 1, that is, before the transfer mold superposition treatment step.
  • the transfer mold 4 overlapped with the substrate 1 is separated from the substrate 1, the conductive member 2 in the recess 4a of the transfer mold 4 is transferred to the substrate 1, and the transfer mold 4 is predetermined on the substrate 1.
  • the wiring portion 3 of the pattern is formed.
  • the transfer type 4 (soft replica mold) having a durometer A hardness of 60 is used as the transfer type 4, the transfer type is used for a substrate having an uneven surface without flattening treatment. It is possible to form the transfer wiring (wiring formation by the imprint method).
  • the transfer type 4 used in this embodiment has lower surface adhesiveness (tackiness) than the conventional transfer type, the workability of scraping the conductive member 2 with a scraper (squeegee) is improved. improves.
  • the transfer type 4 used in this example is cured by a two-step curing treatment of a room temperature curing treatment and a heat curing treatment, the pattern shrinkage can be suppressed to about 0.5%.
  • an ultraviolet curable resin-containing Ag paste in which an ultraviolet curable resin is contained in an Ag paste is used as the conductive member 2, and the conductive member 2 is cured by irradiation with ultraviolet rays, so that the thermosetting resin is cured.
  • the conductive member 2 is cured by irradiation with ultraviolet rays, so that the thermosetting resin is cured.
  • the conductive member 2 using Ag paste whose average particle diameter is set to 1/5 to 1/10 of the minimum line width of the wiring portion 3 is used, it is formed on the substrate 1.
  • the shape of the wiring portion 3 becomes a smooth shape with few irregularities, whereby the local electric field concentration between the wiring portions 3 is relaxed, and the long-term reliability of the wiring portion 3 is improved.
  • the shape of the recess 4a of the transfer mold 4 is formed in a tapered shape (forward taper shape), the shape of the wiring portion 3 transferred and formed on the substrate 1 becomes a forward taper shape, and the transfer is performed.
  • the mold releasability of the transfer mold 4 of the conductive member 2 at the time from the recess 4a is improved, the detachment is smoothly performed, and the yield in the conductive member transfer processing step is improved.
  • this embodiment is an epoch-making wiring forming method which has never been seen before and has an epoch-making effect as described above.
  • the present invention is not limited to the present embodiment, and the specific configuration of each constituent requirement can be appropriately designed.

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Abstract

表面に凹凸がある基板に対して、平坦化処理を行うことなく、転写型による転写配線形成を可能とする従来にない画期的な配線形成方法を提供する。所定パターンの凹部４ａが形成された転写型４の該凹部４ａに導電性部材２を充填し、この導電性部材２が充填された前記転写型４を凹凸を有する基板１の表面に重ね合わせ、前記導電性部材２を前記基板１の表面に転写して該導電性部材２により該基板１の表面上に配線部３を形成する方法であって、前記転写型４にデュロメータＡ硬度が４０～７０の軟質性のものを用いる配線形成方法。

Description

配線形成方法及び転写型の製造方法
　本発明は、基板上に所定パターンの配線を形成する配線形成方法に関するものであり、特に凹凸を有する基板の表面への配線形成に好適な配線形成方法に関するものである。
　導電性ペーストを用いた配線形成は、従来の銅配線やハンダ等の金属による配線形成に比べて低温でプロセスを行うことができるため、これまで行えなかったプラスチック等のフィルム上への配線形成やチップ実装が可能である。
　従来、この導電性ペーストを用いた配線形成は、一般的に印刷法を用いて行われている。しかしながら、印刷法では形成可能な配線の最小線幅に限界があり、例えば、代表的なスクリーン印刷では約３０μｍ幅の配線印刷が限界とされている。加えて、印刷法ではペースト又はインク状の導電性部材を用いるが、基板に印刷後、直ぐに硬化しないため、厚い配線（アスペクト比の高い配線）を形成した場合、配線がにじむ等して寸法精度が低下し、またペースト又はインク状の導電性部材が有する一定の粘度による流動により形状だれが発生してしまう。したがって、現状、印刷法で形成可能な配線のアスペクト比の上限はせいぜい０．５程度である。
　一方、転写型を用いた転写配線形成法（インプリント法）では、ナノレベルサイズまでの配線微細化と、導電性ペーストを硬化させて転写するので、アスペクト比１以上の配線形成も可能である。
　この転写型を用いた転写配線形成法に関し、本出願人は特開２０１６－５８６６４号に開示される導電部を有する基板の製造方法（以下、「従来例」という。）を提案している。
　この従来例は、基板上に形成する配線パターンと同様のパターンに形成される凹部を備える型（特開２０１６－５８６６４号では印刷版と表記）の前記凹部に導電性ペーストを充填し、この凹部に導電性ペーストが充填された型を基板に重ね合わせて圧接することで、この型の凹部に充填された導電性ペーストを基板に転写し、基板上に所定パターンの配線を形成するものである。
　しかしながら、従来例は、ハードレプリカモールドと称する硬質性の転写型が用いられているため、配線形成面に既に別の配線が形成されているなどして凹凸（段差）がある基板に対しては、図２に示すように、凹凸により転写型14が基板11の表面に適正に接地（密着）できず、これにより、転写形成した配線13が特に基板11に予め形成された配線段差近傍で密着せず浮きあがった状態になってしまう不具合が生じてしまう。
特開２０１６－５８６６４号公報
　このように、従来の配線形成において、印刷による配線形成では高アスペクト比の配線を形成することができない問題があり、また、転写型を用いた配線形成では表面に凹凸がある基板に対しての適用性がない問題がある。
　したがって、表面に凹凸がある基板に高アスペクト比の配線形成を行う場合、現状は、表面に凹凸がある基板に対して平坦化処理を行い、基板表面を平坦化した後、転写型を用いた配線形成を行わなければならず、平坦化処理分の工数が増加しコストがかかってしまう問題がある。
　本発明はこのような現状に鑑みなされたものであり、表面に凹凸がある基板に対して、平坦化処理を行うことなく、転写型による転写配線形成を可能とする従来にない画期的な配線形成方法を提供する。
　添付図面を参照して本発明の要旨を説明する。
　所定パターンの凹部４ａが形成された転写型４の該凹部４ａに導電性部材２を充填し、この導電性部材２が充填された前記転写型４を凹凸を有する基板１の表面に重ね合わせ、前記導電性部材２を前記基板１の表面に転写して該導電性部材２により該基板１の表面上に配線部３を形成する方法であって、前記転写型４にデュロメータＡ硬度が４０～７０の軟質性のものを用いることを特徴とする配線形成方法に係るものである。
　また、請求項１記載の配線形成方法において、前記凹凸は、前記基板１の表面に設けられたアスペクト比が１以上の配線段差であることを特徴とする配線形成方法に係るものである。
　また、請求項１記載の配線形成方法において、前記転写型４は、シリコーン系高分子化合物を主成分とする主剤に硬化剤が混合された樹脂材料からなるものであることを特徴とする配線形成方法に係るものである。
　また、請求項２記載の配線形成方法において、前記転写型４は、シリコーン系高分子化合物を主成分とする主剤に硬化剤が混合された樹脂材料からなるものであることを特徴とする配線形成方法に係るものである。
　また、請求項３記載の配線形成方法において、前記樹脂材料は、前記主剤と前記硬化剤とがほぼ５：１の混合比で混合されたものであることを特徴とする配線形成方法に係るものである。
　また、請求項４記載の配線形成方法において、前記樹脂材料は、前記主剤と前記硬化剤とがほぼ５：１の混合比で混合されたものであることを特徴とする配線形成方法に係るものである。
　また、請求項３～６いずれか１項に記載の配線形成方法において、前記転写型４は、所定パターンの凸部が形成された原版上に前記樹脂材料を設けた後、支持基板で加圧成形し、硬化処理を行うことで得られるものであることを特徴とする配線形成方法に係るものである。
　また、請求項７記載の配線形成方法において、前記硬化処理は、常温で硬化させる常温硬化処理及び２００℃以上の温度で加熱して硬化させる加熱硬化処理であることを特徴とする配線形成方法に係るものである。
　また、請求項８記載の配線形成方法において、前記常温硬化処理は２４時間以上かけて行うことを特徴とする配線形成方法に係るものである。
　また、請求項８記載の配線形成方法において、前記硬化処理は、１５℃～３０℃に設定された空間内で４８時間かけて前記常温硬化処理を行い、続いて、２００℃～２５０℃、３０分の前記加熱硬化処理を行うことを特徴とする配線形成方法に係るものである。
　また、請求項９記載の配線形成方法において、前記硬化処理は、１５℃～３０℃に設定された空間内で４８時間かけて前記常温硬化処理を行い、続いて、２００℃～２５０℃、３０分の前記加熱硬化処理を行うことを特徴とする配線形成方法に係るものである。
　また、所定パターンの凸部が形成された原版上に樹脂材料を設けた後、支持基板で加圧成形し、硬化処理を行うことで得られる転写型の製造方法であって、前記樹脂材料は、シリコーン系高分子化合物を主成分とする主剤に硬化剤が混合され、デュロメータＡ硬度が４０～７０の軟質性の転写型４が得られるものであることを特徴とする転写型の製造方法に係るものである。
　また、請求項１２記載の転写型の製造方法において、樹脂材料は、前記主剤と前記硬化剤とがほぼ５：１の混合比で混合されたものであることを特徴とする転写型の製造方法に係るものである。
　また、請求項１２，１３いずれか１項に記載の転写型の製造方法において、前記硬化処理は、常温で硬化させる常温硬化処理及び２００℃以上の温度で加熱して硬化させる加熱硬化処理であることを特徴とする転写型の製造方法に係るものである。
　また、請求項１４記載の転写型の製造方法において、前記常温硬化処理は２４時間以上かけて行うことを特徴とする転写型の製造方法に係るものである。
　また、請求項１４記載の転写型の製造方法において、前記硬化処理は、１５℃～３０℃に設定された空間内で４８時間かけて前記常温硬化処理を行い、続いて、２００℃～２５０℃、３０分の前記加熱硬化処理を行うことを特徴とする転写型の製造方法に係るものである。
　また、請求項１５記載の転写型の製造方法において、前記硬化処理は、１５℃～３０℃に設定された空間内で４８時間かけて前記常温硬化処理を行い、続いて、２００℃～２５０℃、３０分の前記加熱硬化処理を行うことを特徴とする転写型の製造方法に係るものである。
　本発明は上述のようにするから、表面に凹凸がある基板に対しても、転写型を用いた転写配線形成が可能となる。
　したがって、例えば表面に凹凸がある基板に高アスペクト比の配線形成を行う場合、本発明を用いることで、これまで転写型を用いる場合に必要としていた平坦化処理が不要となり、その分の工数が削減され、スループットの向上やコスト削減の効果が得られる。
本実施例の転写型を用いた場合の配線形成状態を示す説明図である。 従来の転写型を用いた場合の配線形成状態を示す説明図である。 本実施例の処理工程フロー図である。
　好適と考える本発明の実施形態を、図面に基づいて本発明の作用を示して簡単に説明する。
　転写型４に形成された所定パターンの凹部４ａに導電性部材２を充填し、この凹部４ａに導電性部材２が充填された転写型４を基板１の表面に重ね合わせ圧接させる。
　この圧接により転写型４が基板表面の凹凸に追従して変形し、転写型４が基板表面に対して密着状態になる。
　これにより、転写形成した配線部３が基板１に予め形成された配線段差近傍においても浮きあがった状態（基板１に接地していない状態）となる不具合が生じないから、表面に凹凸がある基板に対して、平坦化処理を行わなくても転写型を用いた転写配線形成が可能となる。
　したがって、例えば表面に凹凸がある基板に高アスペクト比の配線形成を行う場合、本発明を用いることで、これまで転写型を用いる場合に必要としていた平坦化処理が不要となり、その分の工数が削減され、スループットの向上やコスト削減の効果が得られる。
　本発明の具体的な実施例について図面に基づいて説明する。
　本実施例は、所定パターンの凹部４ａが形成された転写型４の前記凹部４に導電性部材２を充填し、この導電性部材２が充填された転写型４を凹凸を有する基板１の表面に重ね合わせ、前記凹部４ａ内で硬化させた導電性部材２を前記基板１の表面に転写して該導電性部材２により該基板１の表面上に配線部３を形成する配線形成方法である。すなわち、本実施例は、既に基板上１に配線が形成され、その配線により表面に凹凸（段差）がある基板１に、転写型４を用いたインプリント法により配線部３を転写形成する配線形成方法である。
　まず、本実施例で用いる転写型４及び導電性部材２について説明する。
　本実施例の転写型４は、所定パターンの凸部が形成された原版（マスターモールド）上に樹脂材料を滴下し、支持基板で加圧し成形した後、硬化処理を行うことで得られる一般的にソフトレプリカモールドと称される軟質性の転写型４である。
　具体的には、本実施例の転写型４は、シリコーン系高分子化合物を主成分とする主剤と硬化剤とを混合した樹脂材料を硬化させてなるシリコーン樹脂製で、硬さがデュロメータＡ硬度で４０～７０程度のものである。
　また、この転写型４に形成される凹部４ａは、基板１に転写形成される配線部３の形状が順テーパー形状となるようなテーパー状（順テーパー状）の凹部に形成されている。
　詳細には、本実施例の転写型４は、以下のようにして製造されるものである。
　主剤となるＰＤＭＡ（ポリジメチルシロキサン）と硬化剤とを混合比５：１で混合した樹脂材料を所定パターンの凸部が形成された原版上に滴下し、支持基板で加圧成形する。
　なお、このＰＤＭＡを主剤とする樹脂材料においては、従来、主剤と硬化剤との混合比は１０：１程度とされているが、本実施例では、上記のように硬化剤の比率を多く（約２倍）している。これは、硬化後の転写型４の表面の粘着性（タック性）を低下させ、転写型４の表面上の導電性部材２を掻き取り易くするためである。
　続いて、加圧成形した樹脂材料を、常温（１５℃～３０℃、好ましくは２５℃）で２４時間以上、好ましくは４８時間以上かけて硬化させる常温硬化処理を行う。なお、本実施例の常温硬化処理条件は、２５℃、４８時間としている。
　続いて、常温硬化処理した転写型４を原版から取り外し、この取り外した転写型４を、加熱装置（例えばホットプレート等）を用いて、２００℃～３００℃、好ましくは２５０℃で３０分程度、加熱硬化処理を行い樹脂材料を本硬化させ、完成となる。
　また、上記製造方法により形成された転写型４の硬さは、デュロメータＡ硬度で６０程度となる。
　なお、このＰＤＭＡを主剤とする樹脂材料においては、従来は、原版に滴下した樹脂材料を支持基板で加圧成形した後、１００℃～１５０℃、１０分～３５分程度の加熱硬化処理が行われ、この加熱硬化処理により転写型を所定の硬度に硬化していたが、この従来の加熱硬化処理では、転写型と原版（主材料、ガラス）との熱膨張係数の差により、下限側の１００℃の加熱硬化処理でも２％を超えるパターン収縮が生じてしまう。一方、本実施例では、硬化処理を上述のように常温硬化処理と加熱硬化処理の二段階処理とすることでパターン収縮を０．５％前後に抑えることができる。
　具体的には、本実施例においては、２５℃、４８時間の常温硬化処理後のパターン収縮は０．１％程度であり、２５０℃、３０分の加熱硬化処理後のパターン収縮は０．６％程度である。
　また、本実施例に用いる導電性部材２は、導電性ペーストに活性光線硬化型樹脂が含有されてなる活性光線硬化型樹脂含有導電性ペーストである。
　すなわち、本実施例の配線形成方法は、導電性部材２を加熱により硬化させるのではなく、例えば紫外線等の活性化光線により硬化させるものである。
　具体的には、導電性ペーストは、Ａｇペースト（ナノペースト含む）、Ｃｕペースト（ナノペースト含む）、Ａｕペースト（ナノペースト含む）、Ｐｔペースト（ナノペースト含む）、Ｐｄペースト（ナノペースト含む）、Ｒｕペースト（ナノペースト含む）、Ｃペースト（ナノペースト含む）から選択可能であり、本実施例はＡｇペーストを用いている。
　また、本実施例は、平均粒子径が基板１に形成される配線部３の最小線幅の１／５～１／１０に設定されている導電性ペーストを用いている。すなわち、例えば、最小Ｌ／Ｓ（ライン＆スペース）＝５μｍ／５μｍの配線パターンを形成する場合、平均粒子径が０．５μｍ～１．０μｍに設定されている導電性ペーストが用いられる。
　また、この導電性ペーストに含有される活性光線硬化型樹脂は、紫外線硬化型樹脂であり、導電性部材２中の体積含有率が２０％～４０％となるように導電性ペーストに含有されている。
　すなわち、本実施例の導電性部材２は、Ａｇベーストと紫外線硬化型樹脂との体積比が６：４～８：２に設定されている紫外線硬化型樹脂含有Ａｇペーストである。
　次に、本実施例の具体的な配線形成方法について説明する。
　本実施例の配線形成方法は、前述のとおり、所定パターンの凹部４ａが形成された転写型４の前記凹部４に導電性部材２を充填し、この導電性部材２が充填された転写型４を凹凸を有する基板１の表面に重ね合わせ、前記凹部４ａ内の導電性部材２を前記基板１の表面に転写して該導電性部材２により該基板１の表面上に配線部３を形成する配線形成方法である。
　すなわち、本実施例は、図３に示すように、転写型４の凹部４ａに導電性部材２を充填する導電性部材充填処理工程と、導電性部材２が充填された転写型４を基板１に重ね合わせる転写型重ね合わせ処理工程と、転写型４の凹部４ａに充填された導電性部材２を硬化させる導電性部材硬化処理工程と、転写型４の凹部４ａ内で硬化させた導電性部材２を基板１に転写して基板１上に所定パターンの配線部３を形成する導電性部材転写処理工程とを有し、この順で処理が行われるものである。
　以下、本実施例の各処理工程について説明する。
　導電性部材充填処理工程は、転写型４を凹部４ａの開口部が上向きになるようにセットし、上方から導電性部材２を凹部４ａに充填した後、転写型４の表面や凹部４ａから溢れ出ている導電性部材２を、掻き取り具（スキージ）を用いて掻き取り除去し、凹部４ａにみに導電性部材２を充填する処理を行う工程である。
　なお、前述したように、本実施例に用いる転写型４は、従来よりも主剤に対する硬化剤の混合比率を大きくして、転写型４の表面の粘着性（タック性）を低下させているから、この導電性部材充填処理工程においては、転写型４の表面上の不要な導電性部材２をスムーズに掻き取り除去することができ、転写型４の表面に不要な導電性部材２が残留することが可及的に防止されることとなる。
　また、転写型重ね合わせ処理工程は、凹部４ａに導電性部材２が充填された転写型４を基板１に重ね合わせ、加圧により転写型４を基板１に圧接させる工程である。
　本実施例では、転写型４としてデュロメータＡ硬度６０の軟質性転写型４（ソフトレプリカモールド）を用いているから、図１に示すように、転写型４を基板１に圧接させると、転写型４が基板１の凹凸、具体的には、基板１上に既に形成されている配線により形成される段差に追従して弾性変形し、転写型４の表面（凹部４ａの開口部側）が基板１の表面及び基板１上に既に形成されている配線上面に接地（密着）した状態となる。
　また、導電性部材硬化処理工程は、転写型４の凹部４ａに充填された導電性部材２を硬化させる工程であり、本実施例では、紫外線照射により導電性部材２を硬化させている。
　具体的には、紫外線照射を転写型４の凹部４ａの底側から照射し、この転写型４の凹部４ａに充填された導電性部材２の凹部内面との接触界面部分を硬化させ、導電性部材２の転写型４に対する離型性を向上させている。
　本実施例のように、導電性部材２を紫外線照射により硬化させることにより、加熱により硬化させる場合に比べて処理時間が大幅に短縮されることとなる。
　なお、この導電性部材硬化処理工程は、転写型４を基板１に重ね合わせる前、すなわち、転写型重ね合わせ処理工程の前に行っても良い。
　また、導電性部材転写処理工程は、基板１と重ね合わせた転写型４を基板１から離脱させ、転写型４の凹部４ａ内の導電性部材２を基板１に転写し、基板１上に所定パターンの配線部３を形成する。
　次に、本実施例の作用効果について以下に説明する。
　本実施例は、転写型４としてデュロメータＡ硬度６０の軟質性転写型４（ソフトレプリカモールド）を用いるから、表面に凹凸がある基板に対して、平坦化処理を行わなくても転写型を用いた転写配線形成（インプリント法による配線形成）が可能となる。
　これにより、例えば表面に凹凸がある基板に高アスペクト比（配線幅に対して配線高さが高く、段差が大きい配線）の配線形成を行う場合、これまでは平坦化処理が必要であったが、この平坦化処理が不要となり、その分の工数が削減され、スループットの向上やコスト削減の効果が得られる。
　また、本実施例に用いる転写型４は、従来の転写型に比べて表面の粘着性（タック性）が低いから、掻き取り具（スキージ）による導電性部材２の掻き取り処理の作業性が向上する。
　また、本実施例に用いる転写型４は、常温硬化処理と加熱硬化処理の二段階の硬化処理で硬化させたものであるから、パターン収縮を０．５％前後に抑えることができる。
　また、本実施例は、導電性部材２としてＡｇペーストに紫外線硬化型樹脂を含有させた紫外線硬化型樹脂含有Ａｇペーストを用い、紫外線の照射により導電性部材２を硬化させるから、熱硬化型樹脂含有導電性ペーストを用いて加熱処理により硬化させる場合に比べてパターン変形が低減され、応力の発生も抑制され、完全転写が可能となり、さらに硬化時間が大幅に短縮されスループットが向上する。
　また、本実施例は、平均粒子径が配線部３の最小線幅の１／５～１／１０に設定されているＡｇペーストを用いた導電性部材２を用いるから、基板１に形成される配線部３の形状が凹凸の少ない滑らかな形状となり、これにより配線部３間の局所的な電界集中が緩和され、配線部３の長期的信頼性が向上する。
　また、本実施例は、転写型４の凹部４ａの形状がテーパー状（順テーパー状）に形成されているから、基板１上に転写形成される配線部３の形状が順テーパー形状となり、転写時の導電性部材２の転写型４の凹部４ａからの離型性が向上し離脱がスムーズに行われ、導電性部材転写処理工程における歩留りが向上する。
　このように、本実施例は、上述したような画期的な作用効果を奏する従来にない画期的な配線形成方法となる。
　なお、本発明は、本実施例に限られるものではなく、各構成要件の具体的構成は適宜設計し得るものである。

Claims (17)

  1. 　所定パターンの凹部が形成された転写型の該凹部に導電性部材を充填し、この導電性部材が充填された前記転写型を凹凸を有する基板の表面に重ね合わせ、前記導電性部材を前記基板の表面に転写して該導電性部材により該基板の表面上に配線部を形成する方法であって、前記転写型にデュロメータＡ硬度が４０～７０の軟質性のものを用いることを特徴とする配線形成方法。
  2. 　請求項１記載の配線形成方法において、前記凹凸は、前記基板の表面に設けられたアスペクト比が１以上の配線段差であることを特徴とする配線形成方法。
  3. 　請求項１記載の配線形成方法において、前記転写型は、シリコーン系高分子化合物を主成分とする主剤に硬化剤が混合された樹脂材料からなるものであることを特徴とする配線形成方法。
  4. 　請求項２記載の配線形成方法において、前記転写型は、シリコーン系高分子化合物を主成分とする主剤に硬化剤が混合された樹脂材料からなるものであることを特徴とする配線形成方法。
  5. 　請求項３記載の配線形成方法において、前記樹脂材料は、前記主剤と前記硬化剤とがほぼ５：１の混合比で混合されたものであることを特徴とする配線形成方法。
  6. 　請求項４記載の配線形成方法において、前記樹脂材料は、前記主剤と前記硬化剤とがほぼ５：１の混合比で混合されたものであることを特徴とする配線形成方法。
  7. 　請求項３～６いずれか１項に記載の配線形成方法において、前記転写型は、所定パターンの凸部が形成された原版上に前記樹脂材料を設けた後、支持基板で加圧成形し、硬化処理を行うことで得られるものであることを特徴とする配線形成方法。
  8. 　請求項７記載の配線形成方法において、前記硬化処理は、常温で硬化させる常温硬化処理及び２００℃以上の温度で加熱して硬化させる加熱硬化処理であることを特徴とする配線形成方法。
  9. 　請求項８記載の配線形成方法において、前記常温硬化処理は２４時間以上かけて行うことを特徴とする配線形成方法。
  10. 　請求項８記載の配線形成方法において、前記硬化処理は、１５℃～３０℃に設定された空間内で４８時間かけて前記常温硬化処理を行い、続いて、２００℃～２５０℃、３０分の前記加熱硬化処理を行うことを特徴とする配線形成方法。
  11. 　請求項９記載の配線形成方法において、前記硬化処理は、１５℃～３０℃に設定された空間内で４８時間かけて前記常温硬化処理を行い、続いて、２００℃～２５０℃、３０分の前記加熱硬化処理を行うことを特徴とする配線形成方法。
  12. 　所定パターンの凸部が形成された原版上に樹脂材料を設けた後、支持基板で加圧成形し、硬化処理を行うことで得られる転写型の製造方法であって、前記樹脂材料は、シリコーン系高分子化合物を主成分とする主剤に硬化剤が混合され、デュロメータＡ硬度が４０～７０の軟質性の転写型が得られるものであることを特徴とする転写型の製造方法。
  13. 　請求項１２記載の転写型の製造方法において、樹脂材料は、前記主剤と前記硬化剤とがほぼ５：１の混合比で混合されたものであることを特徴とする転写型の製造方法。
  14. 　請求項１２，１３いずれか１項に記載の転写型の製造方法において、前記硬化処理は、常温で硬化させる常温硬化処理及び２００℃以上の温度で加熱して硬化させる加熱硬化処理であることを特徴とする転写型の製造方法。
  15. 　請求項１４記載の転写型の製造方法において、前記常温硬化処理は２４時間以上かけて行うことを特徴とする転写型の製造方法。
  16. 　請求項１４記載の転写型の製造方法において、前記硬化処理は、１５℃～３０℃に設定された空間内で４８時間かけて前記常温硬化処理を行い、続いて、２００℃～２５０℃、３０分の前記加熱硬化処理を行うことを特徴とする転写型の製造方法。
  17. 　請求項１５記載の転写型の製造方法において、前記硬化処理は、１５℃～３０℃に設定された空間内で４８時間かけて前記常温硬化処理を行い、続いて、２００℃～２５０℃、３０分の前記加熱硬化処理を行うことを特徴とする転写型の製造方法。
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