WO2021024601A1

WO2021024601A1 - 回路基板

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Publication number: WO2021024601A1
Application number: PCT/JP2020/022393
Authority: WO
Inventors: 心哉河喜多; 山下　志郎; 俊和執行
Original assignee: 日立オートモティブシステムズ株式会社
Priority date: 2019-08-05
Filing date: 2020-06-05
Publication date: 2021-02-11
Also published as: CN114175863A; US20220271453A1; JP2021027177A

Abstract

回路基板は、プレスフィット端子部が深さ方向に挿入されたスルーホールを有する回路基板であって、スルーホールの内壁に設けられた内壁ランドと、回路基板の内層に設けられ、回路基板の実装面と略平行な平面であり、内壁ランドと接する複数の内層ランドと、を有し、内壁ランドは、プレスフィット端子部と接する第１領域と、プレスフィット端子部と接しない第２領域とがあり、複数の内層ランドのうち、内壁ランドの第１領域と同じ面に配される内層ランドである第１内層ランドは、内壁ランドの第２領域と同じ面に配される内層ランドである第２内層ランドより広い。

Description

回路基板

　本発明は、回路基板に関する。

　自動車等の車両には、たとえば、エンジン制御用、モータ制御用、自動変速機制御用等の電子制御装置が搭載される。電子制御装置には、制御対象機器などと信号や電力をやりとりするためコネクタを備えている。コネクタの接続端子としてプレスフィット端子部を用いた電子制御装置がある。このプレスフィット端子部は、回路基板に設けられたスルーホールに圧入されることにより機械的に固定されるとともに、挿入孔の壁面と接触することにより回路基板の配線と電気的に接続されるものである。特許文献１には、基材と、該基材に形成されている導電部と、該基材に穿設され外縁の少なくとも一部に該導電部が表出しているスルーホールと、を備え、端子部が該スルーホールに圧入されると該導電部が該端子部に電気的に接続する素子装置であって、該スルーホールの周縁に位置する該基材の内層には、硬質の強化部が該基材と一体形成されていることを特徴とする素子装置が開示されている。

日本国特開２００５－２８６２０９号公報

　特許文献１に記載されている発明は、最大主応力の低減の観点から改善の余地がある。

　本発明の第１の態様による回路基板は、プレスフィット端子部が深さ方向に挿入されたスルーホールを有する回路基板であって、前記スルーホールの内壁に設けられた内壁ランドと、前記回路基板の内層に設けられ、前記回路基板の実装面と略平行な平面であり、前記内壁ランドと接する複数の内層ランドと、を有し、前記内壁ランドは、前記プレスフィット端子部と接する第１領域と、前記プレスフィット端子部と接しない第２領域とがあり、前記複数の内層ランドのうち、前記内壁ランドの前記第１領域と同じ面に配される前記内層ランドである第１内層ランドは、前記内壁ランドの前記第２領域と同じ面に配される前記内層ランドである第２内層ランドより広い。

　本発明によれば、最大主応力を小さくできる。上記した以外の課題、構成および効果は、以下の発明を実施するための形態の説明により明らかにされる。

第１の実施の形態における電子制御装置の外観斜視図図１に図示された電子制御装置１００のコネクタ１と回路基板３（回路基板３の表層配線は非表示）とを表示した外観斜視図プレスフィット端子部が圧入された回路基板のスルーホール近傍の断面図内壁ランドとプレスフィット端子部との位置関係を示す図比較例１の断面図実施例１と比較例１の最大主応力を示す図第２の実施の形態における回路基板３の透視図図７を斜め上方向から見た斜視図比較例２の構成を示す図図９を斜め上方向から見た斜視図実施例２と比較例２の最大主応力を示す図第３の実施の形態における第１内層ランドの周方向の位置および範囲を示す図 θおよびζの比率と最大主応力との関係を示す図第４の実施の形態における第１内層ランドの位置を説明する図第１内層ランドのＺ方向の位置と最大主応力との関係を示す図第５の実施の形態における回路基板の断面図

　以下、図面を参照して本発明の実施形態を説明する。実施例は、本発明を説明するための例示であって、説明の明確化のため、適宜、省略および簡略化がなされている。本発明は、他の種々の形態でも実施することが可能である。特に限定しない限り、各構成要素は単数でも複数でも構わない。図面において示す各構成要素の位置、大きさ、形状、範囲などは、発明の理解を容易にするため、実際の位置、大きさ、形状、範囲などを表していない場合がある。このため、本発明は、必ずしも、図面に開示された位置、大きさ、形状、範囲などに限定されない。

―第１の実施の形態―
　以下、図１～図４を参照して、本発明に係る回路基板の第１の実施の形態を説明する。第１の実施の形態では、一例として、本発明を電子制御装置の一部である回路基板に適用した例を採用する。

　図１は、第１の実施の形態における電子制御装置１００の外観斜視図である。図２は、図１に図示された電子制御装置１００のコネクタ１と回路基板３（回路基板３の表層配線は非表示）とを表示した外観斜視図である。図３は回路基板３の断面図であり、より詳細には、電子制御装置１００の回路基板３と、コネクタピン１１のプレスフィット端子部４との接続部の拡大断面図である。図１に示すように、電子制御装置１００はコネクタ１およびベース２を備える。電子制御装置１００は、不図示のカバーとベース２で略箱型をなす筐体を有する。ベース２と不図示のカバーは、不図示のねじ等の締結部材により固定されている。なお各図には、相互関係を示すために便宜的にＸＹＺ軸を記載している。

　ベース２は、アルミニウムなど、たとえばＡＤＣ１２などの熱伝導性に優れた部材により形成されている。ベース２は、周囲に側壁を有し、下方側、すなわちカバー側が開放された略箱状に形成されている。ベース２の放熱フィン５を有する面と反対側の面には、回路基板３側に突出する不図示の基板固定部が設けられている。回路基板３は、不図示のねじ等により基板固定部の端面に固定されている。

　コネクタ１は、ガラス繊維が含有された熱硬化性樹脂で形成されたコネクタハウジング１２に、コネクタピン１１が、圧入またはインサート成型等で組みつけられている。ベース２の側壁には、コネクタ１を挿通するための孔または切欠きが形成されている。この孔または切欠きを通して、コネクタ１のコネクタピン１１が回路基板３に形成された不図示の配線に接続されている。コネクタピン１１の先端に設けられたプレスフィット端子部４はばね状の構造を有している。

　コネクタピン１１のプレスフィット端子部４を回路基板３のスルーホールに圧入することにより機械的に接続するとともに、回路基板３のスルーホール内壁に設けられた内壁ランド３１とコネクタピン１１のプレスフィット端子部４とが圧接することで電気的に接続されている。コネクタ１を介して、外部と電子制御装置１００との電力や制御信号、車に搭載された各種センサーからのデータの送受信が行われる。

　不図示のカバーは、ベース２と同様に、アルミニウム等の熱伝導性に優れた材料により形成してもよいし、鋼材等の板金、あるいは樹脂材料等のベース２により熱伝導率が低い材料で形成し、低コスト化を図ることもできる。

　図２は、図１に図示された電子制御装置１００のコネクタ１と回路基板３（回路基板３の表層配線は非表示）とを表示した外観斜視図である。回路基板３は、複数の不図示の電子部品が実装されている電子部品実装領域と、複数のコネクタピン１１が接続された端子部領域とを有している。

　図３は、図１に図示された電子制御装置の端子部領域における、プレスフィット端子部４が圧入された回路基板３のスルーホール近傍の断面図である。図３は、プレスフィット接続部の拡大断面図とも言える。回路基板３は、たとえば、エポキシ樹脂等の有機材料とガラスクロス等の無機材料との積層３５により形成される。回路基板３は、内層ランド３２と表層ランド３４とを有する多層基板である。回路基板３において、コネクタピン１１のプレスフィット端子部４が圧入されるスルーホールの内壁には内壁ランド３１が形成されている。回路基板３の表面、すなわち実装面はＸＹ平面に略平行である。スルーホールはＺ方向に形成されているので、以下ではＺ方向を「深さ方向」とも呼ぶ。

　内壁ランド３１、内層ランド３２、および表層ランド３４は銅で形成されている。図３に示すとおり、本実施の形態の回路基板３においては、コネクタピン１１のプレスフィット端子部４と、内壁ランド３１との接触領域にある内層ランド３２の径は、その他のランド径に比べて広い。図示はしないが、回路基板３には、マイコンやメモリ、電源ＩＣのほかコイル、コンデンサ等の受動素子も実装され、これらの電子部品とコネクタ１とを接続する配線も形成されている。回路基板３は、コネクタピン１１のプレスフィット端子部４が通る、貫通スルーホールを有している。この貫通スルーホールにコネクタピン１１のプレスフィット端子部４が圧入されることで、回路基板３とコネクタピン１１のプレスフィット端子部４とがプレスフィット接続される。

　回路基板３は、スルーホールの内壁に設けられた内壁ランド３１と、回路基板３の内層に設けられ内壁ランド３１と接する複数の内層ランド３２とを有する。内壁ランド３１は、コネクタピン１１のプレスフィット端子部４と接する第１領域３１Ａと、プレスフィット端子部４と接しない第２領域３１Ｂに分類される。

　内層ランド３２は、第１内層ランド３２Ａと第２内層ランド３２Ｂとに分類される。第１内層ランド３２Ａおよび第２内層ランド３２Ｂのいずれも、回路基板３の実装面と略平行な平面である。なお略平行とは、隣接する内層ランド同士が接触しない程度の平行を意味し、厳密な平行性は必須の要件ではない。第１内層ランド３２Ａと第２内層ランド３２Ｂの厚みは同一である。第１内層ランド３２Ａの方が、第２内層ランド３２Ｂよりも広く、ＸＹ平面での広がりが大きい。第１内層ランド３２Ａは、内壁ランド３１の第１領域３１Ａと同じＸＹ平面に配される。第２内層ランド３２Ｂは、内壁ランド３１の第２領域３１Ｂと同じＸＹ平面に配される。

　本実施の形態における回路基板３は、図３に示すとおり、２層の表層ランド３４と、２層の第１内層ランド３２Ａと、２層の第２内層ランド３２Ｂとの合計６層を有する。なお図３において図示横方向をＸ軸としているが、Ｙ軸に変更しても図面は同一である。

　図４は、内壁ランド３１とコネクタピン１１のプレスフィット端子部４との位置関係を示す図であり、図３におけるＩＶ－ＩＶ断面図である。図４に示すように、プレスフィット端子部４は４点で内壁ランド３１に接している。すなわち第１領域３１Ａは、図示左上の第１領域３１Ａ１、図示右上の第１領域３１Ａ２、図示右下の第１領域３１Ａ３、および図示左下の第１領域３１Ａ４から構成される。

　なお図４では、内層ランド３２の形状も併せて図示している。第１内層ランド３２Ａと第２内層ランド３２Ｂは、中空の円形、いわゆるドーナツの形状を有する。第１内層ランド３２Ａの方が第２内層ランド３２Ｂよりも面積が広いので、第１内層ランド３２Ａの方が第２内層ランド３２Ｂよりも半径が大きい。

　電子制御装置１００の製造方法の一例を説明する。まず、不図示の接合材を回路基板３上にスクリーン印刷等により形成する。印刷した接合材の上に、電子部品を搭載機で搭載する。この状態でリフロー炉に投入する。接合材は、リフロー中に溶融・凝固することにより、回路基板３上に電子部品が実装される。

　電子部品実装後、コネクタ１のコネクタピン１１の先端部にあるプレスフィット端子部４を、挿入用の装置を用いて回路基板３に設けたスルーホールに圧入する。コネクタピン１１のプレスフィット端子部４は中空部を有しており、プレスフィット端子部４をスルーホールに圧入して中空部を圧縮した状態にすると、復元作用によりプレスフィット端子部４がスルーホール内に保持される。また、プレスフィット端子部４の挿入は専用の装置を用いて行い、挿入量は事前に設定しておくことが可能である。

　次に、電子部品とコネクタ１が搭載された回路基板３を、ねじ等を用いてベース２の固定部に取り付ける。回路基板３に実装された電子部品のうち、発熱量が多い部品や放熱性が悪い部品がある場合、ベース２から電子部品方向へ突起を伸ばし、ベース２の突起に、熱伝導部材を塗布してもよい。また防水性を電子制御装置１００に付与する場合、コネクタ１とベース２とが接する部分、およびベース２とカバーとが接する部分に接着剤等を塗布するとよい。最後に、不図示の締結部材を用いて、不図示のカバーをベース２に組付けることにより、電子制御装置１００が得られる。

　不図示の熱伝導部材や不図示の接着剤が熱硬化型である場合は、各部材を塗布後、加熱炉に電子制御装置を通すことで硬化させるとよい。または最後に１回の加熱工程を設けて同時硬化させてもよい。

（実施例１と比較例１）
　回路基板３のガラスクロスに生じる最大主応力を実施例１と比較例１で比較する。まず実施例１と比較例１に共通する構成を説明する。実施例１と比較例１はいずれも、図１、図２、および図４に示す構成を有する。また実施例１と比較例１のいずれのコネクタ１も、ガラスクロスが３０％含有されたＰＢＴ（Poly-Butylene　Terephthalate）製のコネクタハウジング１２に、熱伝導率が１２１Ｗ／（ｍ・Ｋ）で弾性率が１１０ＧＰａの銅合金からなる１２８本のコネクタピン１１が圧入されて形成されたものを用いた。コネクタピン１１のプレスフィット端子部４は中央にＯ字型の穴を有する、いわゆるニードルアイ形状とした。

　実施例１と比較例１はいずれも、ベース２は、熱伝導率が９６Ｗ/（ｍ・Ｋ）のＡＤＣ１２を用いた。成型は鍛造で行い、放熱フィンも一体成型した。さらに不図示のカバーは、熱伝導率が６５Ｗ/（ｍ・Ｋ）の鋼板をプレス成型した。回路基板３は、面積が２００ｍｍ×１４０ｍｍ、厚さ１．６ｍｍのＦＲ４材料により形成した。なお、内壁ランド３１はめっきで形成されたＣｕで、平均めっき厚さは３８μｍであった。また内層ランド３２は平均厚さ３５μｍであった。図３に示すとおり、実施例１では回路基板３の表面にある表層ランド３４が２層と、内層ランド３２が４層の、合計６層の基板を用いた。

　次に実施例１と比較例１の相違点を説明する。プレスフィット部の拡大図が、実施例１は図３に示したものであるが、比較例１は次に説明する図５である。図５に示すように、比較例１における回路基板３Ｚは、内層ランド３２が第２内層ランド３２Ｂのみから構成される点が実施例１と異なる。すなわち比較例１では全ての内層ランド３２の面積が同一である。それ以外の比較例１の構成は、実施例１と同一である。

　図６は、回路基板３のスルーホールに、コネクタピン１１のプレスフィット端子部４を圧入した際の回路基板３のガラスクロスに生じる最大主応力を示す図である。図６に示すとおり、実施例１の回路基板３のガラスクロスに生じる最大主応力は、比較例１の回路基板３のガラスクロスに生じる最大主応力より小さい。

　上述した第１の実施の形態によれば、次の作用効果が得られる。
（１）回路基板３は、プレスフィット端子部４が深さ方向に挿入されたスルーホールを有する。回路基板３は、スルーホールの内壁に設けられた内壁ランド３１と、回路基板３の内層に設けられ、回路基板３の実装面と略平行な平面であり、内壁ランド３１と接する複数の内層ランド３２と、を有する。内壁ランド３１は、プレスフィット端子部４と接する第１領域３１Ａと、プレスフィット端子部４と接しない第２領域３１Ｂとがある。複数の内層ランド３２のうち、内壁ランド３１の第１領域３１Ａと同じ面に配される第１内層ランド３２Ａは、内壁ランド３１の第２領域３１Ｂと同じ面に配される第２内層ランド３２Ｂより広い。

　回路基板３のスルーホールがドリルで形成させる際に、回路基板３のガラスクロスには割れなどの初期欠陥が生じることがある。この初期欠陥を有する回路基板３のスルーホールに、プレスフィットピン形状を有するコネクタピン１１のプレスフィット端子部４を圧入すると内壁ランド３１を介してガラスクロスは応力を受け続ける。この回路基板３を車載電子制御装置に適用すると、長期間、たとえば１０年以上使用されることで、初期欠陥が進展し、回路基板の絶縁性を低下させる場合がある。しかし本実施の形態による回路基板３は、内層ランド３２Ａの面積を広くすることで見かけの弾性率を高めて、ガラスクロスに生じる最大主応力を小さくできるので、初期欠陥の進展である白化の進展を抑制できる。

（第１の実施の形態の変形例１）
　上述した第１の実施の形態では、プレスフィット端子部４は図４に示すように４点で内壁ランド３１に接した。しかしプレスフィット端子部４がプラスのような断面形状を有し８点で内壁ランド３１に接してもよい。つまり、プレスフィット端子部４の形状は任意でよい。

（第１の実施の形態の変形例２）
　上述した第１の実施の形態では、内層ランド３２は回路基板３の実装面に平行であった。しかし内層ランド３２は、ビルトアップ基板のごとくＺ方向に隣り合う層と接続されていてもよい。すなわち内層ランド３２が回路基板３の実装面に平行でなくてもよい。

（第１の実施の形態の変形例３）
　上述した第１の実施の形態では、第１領域３１Ａが回路基板３の深さ方向の略中央に位置するようにプレスフィット端子部４がスルーホールに挿入された。しかしプレスフィット端子部４の位置は限定されず、例えば第１領域３１Ａが回路基板３の深さ方向の端部に位置してもよい。

（第１の実施の形態の変形例４）
　上述した第１の実施の形態では、内層ランド３２が４層ある回路基板３，つまり６層基板を用いた。しかし内層ランド３２の数は限定されず、例えば内層ランド３２が６層ある回路基板３，つまり８層基板を用いてもよい。

―第２の実施の形態―
　図７～図１１を参照して、本発明に係る回路基板の第２の実施の形態を説明する。以下の説明では、第１の実施の形態と同じ構成要素には同じ符号を付して相違点を主に説明する。特に説明しない点については、第１の実施の形態と同じである。本実施の形態では、主に、後述する引出線の位置が特定される点で、第１の実施の形態と異なる。

　図７は、第２の実施の形態における回路基板３の透視図である。具体的には図７は、内壁ランド３１、第１内層ランド３２Ａ、第２内層ランド３２Ｂ、表層ランド３４、および引出線３６のみを９０度分を切り出して表示している。図７ではさらに、コネクタピン１１のプレスフィット端子部４が内壁ランド３１を押す力の向き、プレスフィット端子部４の軸心Ｃ、および第１領域３１Ａを示している。図７は、第１の実施の形態における図４と同じ視点である。図７における符号Ｆは、プレスフィット端子部４が内壁ランド３１を押す力の向きを示している。線分Ｖは、プレスフィット端子部４の軸心Ｃと、第１領域３１Ａの周方向中心とを結ぶ線分である。図８は、図７を斜め上方向から見た斜視図である。

　第２の実施形態の回路基板３は、コネクタピン１１のプレスフィット端子部４が内壁ランド３１を押す力の向きと略並行に、第１内層ランド３２Ａの外周から延びる引出線３６を有する。第２の実施形態の他の構成は、第１の実施の形態と同様であり、対応する構成に同一の符号を付して、説明を省略する。なお、第１の実施の形態において説明した実施例１と同様の素材および寸法で作成した回路基板３であって、引出線３６を上述したように配置した回路基板３を以下では「実施例２」と呼ぶ。

（比較例２）
　図９は、第２の実施の形態における比較例である比較例２の構成を示す図であり、第２の実施の形態における図７に対応する。図１０は図９を斜め上方向から見た斜視図であり、第２の実施の形態における図８に対応する。図９および図１０に示すように、比較例２は第２の実施の形態と比較すると、引出線３６Ｚの位置が異なる。具体的には、コネクタピン１１のプレスフィット端子部４が内壁ランド３１と押す力の向きＦと、内層ランド３２の外周から延びる引出線３６Ｚとの成す角は約４５度である。その他の構成は、実施例２と同様である。

　図１１は、実施例２および比較例２におけるガラスクロスに生じる最大主応力を示す図である。図１１に示すように、実施例２の方が比較例２よりも最大主応力が小さいので、引出線３６の配置を工夫することにより最大主応力を低減する効果があることが確認できる。

　上述した第２の実施の形態によれば、第１の実施の形態の作用効果に加えて次の作用効果が得られる。
（２）第１内層ランド３２Ａと電気的に接続する引出線３６は、回路基板３の実装面と略平行な面において、プレスフィット端子部４の軸心と、第１領域３１Ａの周方向中心と、を結ぶ線分Ｖの延長方向に延伸されている。そのため、引出線３６が内層ランド３２から延伸する方向と、コネクタピン１１のプレスフィット端子部４が内壁ランド３１を押す力の方向とが略並行であるため、力の作用する方向において回路基板３の見かけの弾性率が高い。したがって、図１１に示すとおり、実施例２のガラスクロスに生じる最大主応力は、比較例２の回路基板のガラスクロスに生じる最大主応力より低くでき、白化の進展を抑制する効果が得られる。

―第３の実施の形態―
　図１２～図１３を参照して、本発明に係る回路基板の第３の実施の形態を説明する。以下の説明では、第１の実施の形態と同じ構成要素には同じ符号を付して相違点を主に説明する。特に説明しない点については、第１の実施の形態と同じである。本実施の形態では、主に、第１内層ランド３２Ａの周方向の範囲が特定される点で、第１の実施の形態と異なる。図４に示したように、第１の実施の形態では第１内層ランド３２Ａはドーナツ状であり、周方向の全域に存在した。しかし第３の実施の形態では、第１内層ランド３２Ａは周方向の一部のみに存在する。

　図１２は、第１内層ランド３２Ａの周方向の位置および範囲を示す図である。図１２では、プレスフィット端子部４のＸＹ平面における中心、すなわちプレスフィット端子部４の軸心を符号Ｃで表している。なお図１２には内壁ランド３１とプレスフィット端子部４とが接する第１領域３１Ａを示している。図１２に示す第１領域３１Ａは、図４に示した第１領域３１Ａ１～第１領域３１Ａ４のいずれかである。また図１２では第２領域３１Ｂの図示は省略している。

　第３の実施の形態では、第１内層ランド３２Ａは、プレスフィット端子部４の半径方向中心Ｃと、第１領域３１Ａの周方向中心とを結ぶ線分ＣＮを中心線とする略扇形である。ただし線分ＣＮは、プレスフィット端子部４が内壁ランド３１を押す力の向きＦとも一致する。ただし図１２に示す範囲は９０度分だけなので、実際には第１内層ランド３２Ａは、４つの扇形をあわせた形状である。コネクタピン１１のプレスフィット端子部４と内壁ランド３１との接触領域は、コネクタピン１１のプレスフィット端子部４が内壁ランド３１と押す力Ｆの中心から角度±ζを有する。第３の実施の形態の他の構成は、実施形態１と同様であり、対応する構成に同一の符号を付して、説明を省略する。

　図１３は、θおよびζの比率と、ガラスクロスに生じる最大主応力との関係を示した図である。図１３に示すように、θがζの２倍よりも大きくなるとガラスクロスに生じる最大主応力を低下させる効果が高いことがわかる。もちろん第１の実施の形態のように、第１内層ランド３２Ａを周方向の全体に配すれば、ガラスクロスに生じる最大主応力は低下する。しかし全周にわたって配すると隣接するスルーホール間を通る配線を形成する面積が減少し配線自由度が低下するので、配線自由度を維持しつつ最大主応力を小さくするためには、θをζに対して２倍よりも大きくするという指針が有用である。

　上述した第３の実施の形態によれば、第１の実施の形態の作用効果に加えて次の作用効果が得られる。
（３）第１内層ランド３２Ａは、プレスフィット端子部４の半径方向中心Ｃと、第１領域３１Ａの周方向中心とを結ぶ線分ＣＮを中心線とする略扇形をなしている。そのため、プレスフィット端子部４から受ける力を効果的に受け止めることができる。

（４）第１内層ランド３２Ａの半径方向角度θは、プレスフィット端子部４が内壁ランド３１と接触する角度ζの２倍より大きい。そのため図１３に示したように、配線自由度を維持しつつ最大主応力を低減し、白化の進展を抑制できる。

（第３の実施の形態の変形例）
　上述した第３の実施の形態では、第１領域３１Ａ１～第１領域３１Ａ４の全てにおいて第１内層ランド３２Ａが設けられた。しかし４つ存在する第１領域３１Ａの全てに第１内層ランド３２Ａが設けられなくてもよい。たとえば、隣接する２つの領域である第１領域３１Ａ１および第１領域３１Ａ２だけに第１内層ランド３２Ａが設けられてもよい。

―第４の実施の形態―
　図１４～図１５を参照して、本発明に係る回路基板の第４の実施の形態を説明する。以下の説明では、第１の実施の形態と同じ構成要素には同じ符号を付して相違点を主に説明する。特に説明しない点については、第１の実施の形態と同じである。本実施の形態では、主に、第１内層ランド３２ＡのＺ方向の位置が特定される点で、第１の実施の形態と異なる。

　図１４は、第１内層ランド３２Ａの位置を説明する図である。第１の実施の形態において説明したように、内壁ランド３１は、コネクタピン１１のプレスフィット端子部４と接する第１領域３１Ａと、プレスフィット部分と接しない第２領域３１Ｂに分類される。第１領域３１ＡはＺ方向に広がりを有し、いずれかのＺ方向の位置に第１内層ランド３２Ａが存在する。本実施の形態では、第１領域３１ＡのＺ方向の中心からＺ方向の端部までの距離をＨとおき、第１領域３１ＡのＺ方向の中心から第１内層ランド３２Ａまでの距離をＬとする。

　たとえばＬ＝Ｈの場合には、第１内層ランド３２Ａは第１領域３１Ａの上端および下端に１つずつ、合計２つ存在する。またＬ＝１／３Ｈの場合には、第１内層ランド３２Ａは第１領域３１ＡのＺ方向の位置を３等分するように２つ配される。さらに、Ｌ＝０の場合には、第１内層ランド３２Ａは第１領域３１ＡのＺ方向の中央に１つのみ配される。

　図１５は、第１内層ランド３２ＡのＺ方向の位置と、ガラスクロスに生じる最大主応力との関係を示す図である。図１５に示すとおり、Ｌ＝Ｈの場合でも比較例１に比べて、ガラスクロスに生じる最大主応力は低減できる。またＬが小さくなるに伴い、ガラスクロスに生じる最大主応力は低減し、Ｌ＝０でガラスクロスに生じる最大主応力は最小となる。そのため、第１内層ランド３２Ａは第１領域３１ＡのＺ方向の中央に配することが望ましい。

　上述した第４の実施の形態によれば、第１の実施の形態の作用効果に加えて次の作用効果が得られる。
（５）第１内層ランド３２Ａは、第１領域３１Ａの深さ方向中央、すなわちＬ＝０の位置に配される。そのため、回路基板３の見かけの弾性率を高くでき、図１５に示したようにガラスクロスに生じる最大主応力を小さくでき、白化の進展を抑制する効果を有する。

―第５の実施の形態―
　図１６を参照して、本発明に係る回路基板の第５の実施の形態を説明する。以下の説明では、第１の実施の形態と同じ構成要素には同じ符号を付して相違点を主に説明する。特に説明しない点については、第１の実施の形態と同じである。本実施の形態では、主に、内層ランドの厚みが特定される点で、第１の実施の形態と異なる。

　図１６は、第５の実施の形態における回路基板３の断面図である。本実施の形態では、第１内層ランド３２ＡＴは、第２内層ランド３２ＢよりもＺ方向の幅、すなわち厚みが大きい。そのため回路基板の見かけの弾性率を高めて、ガラスクロスに生じる最大主応力を小さくできるので、初期欠陥の進展である白化の進展を抑制できる。

　上述した各実施の形態および変形例は、それぞれ組み合わせてもよい。上記では、種々の実施の形態および変形例を説明したが、本発明はこれらの内容に限定されるものではない。本発明の技術的思想の範囲内で考えられるその他の態様も本発明の範囲内に含まれる。

　次の優先権基礎出願の開示内容は引用文としてここに組み込まれる。
　日本国特許出願２０１９－１４４０５２（２０１９年８月５日出願）

３１…内壁ランド
３１Ａ…第１領域
３１Ｂ…第２領域
３２…内層ランド
３２Ａ…第１内層ランド
３２Ｂ…第２内層ランド
３６…引出線
１００…電子制御装置

Claims

　プレスフィット端子部が深さ方向に挿入されたスルーホールを有する回路基板であって、
　前記スルーホールの内壁に設けられた内壁ランドと、
　前記回路基板の内層に設けられ、前記回路基板の実装面と略平行な平面であり、前記内壁ランドと接する複数の内層ランドと、を有し、
　前記内壁ランドは、前記プレスフィット端子部と接する第１領域と、前記プレスフィット端子部と接しない第２領域とがあり、
　前記複数の内層ランドのうち、前記内壁ランドの前記第１領域と同じ面に配される前記内層ランドである第１内層ランドは、前記内壁ランドの前記第２領域と同じ面に配される前記内層ランドである第２内層ランドより広い回路基板。
　請求項１に記載の回路基板において、
　前記第１内層ランドと電気的に接続する引出線は、前記回路基板の実装面と略平行な面において、前記プレスフィット端子部の軸心と、前記第１領域の周方向中心と、を結ぶ線分の延長方向に延伸されている回路基板。
　請求項１に記載の回路基板において、
　前記第１内層ランドは、前記プレスフィット端子部の軸心と、前記第１領域の周方向中心とを結ぶ線分を中心線とする略扇形をなしている回路基板。
　請求項３に記載の回路基板において、
　前記第１内層ランドの半径方向角度は、前記プレスフィット端子部が前記内壁ランドと接触する角度の２倍より大きい回路基板。
　請求項１に記載の回路基板において、
　前記第１内層ランドは、前記第１領域の前記深さ方向中央に配される回路基板。
　請求項１に記載の回路基板において、
　前記第１内層ランドは、前記第２内層ランドよりも前記深さ方向の厚みが大きい回路基板。