WO2020229013A1 - Multi-chip trägerstruktur - Google Patents

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WO2020229013A1
WO2020229013A1 PCT/EP2020/056296 EP2020056296W WO2020229013A1 WO 2020229013 A1 WO2020229013 A1 WO 2020229013A1 EP 2020056296 W EP2020056296 W EP 2020056296W WO 2020229013 A1 WO2020229013 A1 WO 2020229013A1
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component
optoelectronic
led
leds
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PCT/EP2020/056296
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English (en)
French (fr)
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Alexander Pfeuffer
Korbinian Perzlmaier
Kerstin Neveling
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Ams Osram International GmbH
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Osram Opto Semiconductors GmbH
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Publication date
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Definitions

  • the invention relates to optoelectronic components, but also generally to semiconductor components for optical displays.
  • the invention relates to a support structure for LED
  • the technology for generating the light follows the well-known processes as they are known from classic optoelectronic components, also called LEDs.
  • LEDs classic optoelectronic components
  • the sizes of these LED chips are significantly more variable and tailored to the respective application.
  • the sizes are in the range from 1mm 2 to approx. 100pm 2 .
  • Processes such as the transfer printing process are known. With a flat stamp, these simultaneously pick up a large number of LEDs from a wafer, move them to the support surface of the later display and assemble them there precisely to form a large overall arrangement.
  • an elastomer stamp can be used, for example, to which the individual LEDs adhere through suitable surface structures and material properties without being mechanically or electrically damaged.
  • These stamps use, for example, so-called PDMS elastomers from the group of silicones. Often these elastomer stamps have so-called pillow structures, which can allow targeted and better adhesion of the chips to be placed.
  • Further methods of transfer printing are known in the prior art. In addition to the elastomer-based methods described, magnetic, electrostatic or mechanical methods based on rolling movements are known.
  • the finished LEDs After production on the wafer, the finished LEDs must be designed in such a way that they can be picked up and moved away using a suitable method.
  • the LEDs are usually removed from a substrate, for example by means of an etching process.
  • complete detachment could possibly trigger a tilting, shifting or twisting, it may be desirable to enable a so-called mass transfer to be taken up to a carrier without excessive holding forces or damage.
  • a carrier structure for receiving flat chips or LEDs.
  • a carrier structure should be understood here to mean an arrangement which can accommodate a large number of such LEDs, for example with edge lengths in the range from 1 mm to approximately 100 ⁇ m or from 800 ⁇ m to 150 mm.
  • the purpose here is in particular a mechanically stable fixation, for example relative to a grid or a matrix, with the best possible utilization of the available space.
  • this carrier structure should be suitable for providing the plurality of chips for a transfer with the aid of a transfer tool.
  • the carrier structure furthermore has at least two receiving elements which are connected to the carrier substrate.
  • a receiving element is to be understood here as a mechanism or functional element that is suitable for spatially fixing an LED in interaction with other receiving elements through mechanical contact or to hold it in a defined spatial position.
  • a receiving element can Diameters, for example, in the range of 10 ⁇ m or less, for example 2 pm or 1 pm. According to one example, a chip is attached to two receiving elements.
  • the carrier structure comprises a planar carrier substrate.
  • a carrier substrate can be, for example, a wafer, a film, a frame or the like from the field of semiconductor production.
  • a wafer in addition to its function as a base plate or base material for the manufacturing process of the semiconductor, a wafer can also provide a support function or carrier function for preparing a subsequent mass transfer.
  • flexible materials such as foils, are also suitable as a carrier substrate.
  • a receiving element can be designed in the manner of a column, pillar or pole, starting from the carrier substrate.
  • the corners or edges of the chip partially but not completely rest on the at least two receiving elements.
  • the receiving elements are connected to the carrier substrate and designed to detachably hold a chip between the at least two receiving elements such that the LED can be moved out perpendicular to the carrier structure plane with a defined minimum force.
  • an edge length of the LED is at least a factor of 10, in particular at least a factor of 20, greater than an edge length of the receiving element.
  • the edge length is larger by a factor that is particularly in the range between 40 and 80 "Detachable" should be understood to mean that there is no permanent, for example cohesive connection such as fusing, gluing or the like between the chip and the receiving element, but a non-destructive, detachable connection.
  • the attachment can be on a physical connection, such as an adhesive connection Van-De-Waals forces or electron bridges. This can be given by different materials and a suitable selection of the same between the LED and the receiving elements. This is intended in particular to avoid breaking or similar processes in which material structures are destroyed The corresponding fragments, particles or splinters would be involved. Instead, alternative adhesion mechanisms such as the exploitation of mechanical friction or delamination are used. In particular, known limited or limited adhesion properties of materials or materials are used Oil combinations exploited. According to one example, the LED rests between two or more receiving elements.
  • adhesive forces or other adhesive forces result at the contact surfaces, which allow mechanical fixation of the LED in space. If a defined minimum force acts on the LED, for example through an attached transfer tool, release forces are consequently effective on the contact surfaces between the LED's and the receiving elements. This defined minimum force can be influenced by a suitable selection of materials or material combinations on these contact surfaces.
  • the contact surfaces or overlaps can, for example, have dimensions in the range from 0.05 pm 2 to 10 pm 2 , in particular in the range from 1 pm 2 to 8 pm 2 . It is desirable here that, on the one hand, the LED is securely held on the carrier structure. On the other hand, for an effective and fast mass transfer of the LED, it is essential that the LEDs are lifted upwards and removed with as little force as possible can be. For this purpose, provision can be made for the ratio between the contact area of each element and chip and the total chip area to be smaller than 1/20, in particular smaller than 1/40 and in particular in the range from 1/80 to 1/50 smaller than the chip area.
  • an edge length of the LED is at least a factor of 10, in particular at least a factor of 20, greater than an edge length of the receiving element.
  • the available area of the receiving element can be larger, but the LED is only on part of this area.
  • the contact surface of the chip is thus at least 20 times, in particular at least 40 times smaller than the entire chip surface.
  • a suitable compromise must be found here, for example through the appropriate selection of materials or material combinations as well as the dimensioning and placement of the contact surfaces.
  • the defined minimum force can also be influenced by designing the size and shape of these contact surfaces. Large contact areas consequently lead to a higher minimum force required to detach the LED from the carrier structure.
  • magnetic, electrical or similar holding forces are also conceivable.
  • the carrier structure it is also possible for the carrier structure to have only a single receiving element with which an LED is held. Due to the low weight of the semiconductor structures, it can be conceivable that a sufficient hold in combination with a suitably high minimum force for detaching the LED can be achieved through a contact surface between the single receiving element and the LED that is suitable in terms of shape and size.
  • a substrate for producing the LEDs can also serve as a carrier structure.
  • a sacrificial layer can be provided. While During the manufacturing process, the LED is connected to the growth substrate. To expose the finished LED, this intermediate sacrificial layer is removed, for example, by gas- or plasma-based etching, so that a gap is created between the LED and the wafer.
  • a thickness of the sacrificial layer is, for example, 100 nm (nanometers) to 500 nm. The idea here is that when the sacrificial layer is removed, the receiving elements take on a holding function for the LED on the carrier structure. In one embodiment, the receiving elements can have the shape of an anchor.
  • the LED is generally pulled off in a direction away from the carrier substrate, with a force vector which is at least partially perpendicular to a carrier substrate plane, which is to be understood in the x-y direction.
  • the receiving elements remain on the carrier substrate and in particular do not break. As a result, no residues of the receiving element remain on the LED, which could cause problems during subsequent processing.
  • the force vector is substantially perpendicular to the surface.
  • the adhesive force with which the LED is held on a stamp, at the point in time shortly before it is lifted off until at least shortly thereafter, is greater than the holding force which holds the LED on the receiving element.
  • At least one receiving element is designed to simultaneously hold and / or support at least one further, adjacently arranged LED.
  • the receiving element is designed to support two, three or four LEDs arranged adjacent to one another.
  • adjacent means that the sides of the LEDs are essentially parallel to one another.
  • a distance can be provided between two neighboring LEDs so that they do not influence one another when they are lifted off.
  • the distance between two adjacent LEDs can also be from one to the other LED's may be dependent on the parallel component of the force vector during lifting.
  • the distance between two LEDs is 5% of the edge length, or is in the range of 1% to 10% of the edge length of the LEDs.
  • Holding structures for LEDs often require space, which ideally should be minimized in order to achieve a higher yield on a wafer.
  • the LEDs are in turn arranged next to one another in a regular structure on a wafer.
  • the He finder now propose to position a receiving element between two be adjacently arranged LEDs so that this one receiving element supports or receives several adjacent LEDs. It can be seen as an advantage here that mathematically less than one entire holding structure can be achieved per component. This can reduce a total number of the receiving elements, thus saving space and hence saving costs. In addition, the overall yield of the chips remains essentially constant, since no additional space is required for the holding structure on the wafer, which is at the expense of the number of LEDs.
  • a receiving element can have contact surfaces arranged opposite one another, which are then each in mechanical contact with the LED adjoining in this direction.
  • the receiving elements can then be distributed and arranged over an area of the carrier substrate in such a way that a minimal number of receiving elements is used for a secure hold of the LEDs.
  • This can be advantageous, for example, for an effective use of a transfer tool in order to enable the LEDs to be picked up effectively and quickly.
  • the receiving elements are arranged on the carrier substrate in such a way that an LED is held by exactly three receiving elements.
  • the choice of three receiving elements can be an advantageous compromise insofar as that Here a good spatial stabilization in combination with an advantageous distribution of the holding forces can be achieved.
  • a receiving element can act on the chip in various lateral areas in the X-direction and Y-direction, for example in the middle, off-center or on an edge or corner.
  • a plurality of receiving elements can also be arranged on one and the same side of an LED.
  • a delamination layer is provided on the LED or on the receiving element for moving the LEDs out of the carrier structure.
  • delamination is intended to describe a detachment process that occurs when two surfaces come into contact or, more generally, when two layers join. This can relate to materials of the same type, but also material compounds or different material surfaces.
  • the deliberate creation of a so-called delamination layer is intended to prevent breakage processes or processes that destroy or change the structure and instead cause the layers or surfaces to detach from one another in a non-destructive manner.
  • Certain combinations of materials can be used, for example a combination of Si0 2 and Al2O3, but also the use of non-oxidizing metals such as silver, gold or similar materials in combination with a dielectric such as Si0 2 .
  • the surface of the receiving element is thus surrounded by the delamination layer, so that the delamination layer is formed between the LED and the receiving element.
  • the delamination layer can be only a few nm thick, for example in the range from 5 nm to 50 nm.
  • the delamination layer can also be designed as an etch stop layer or also optionally extend over further parts of the carrier structure.
  • the receiving elements are arranged in a mesa trench of a semiconductor wafer.
  • a mesa trench of a semiconductor wafer is an optimal use of space on a wafer to increase the yield is generally desirable.
  • Support structures for LEDs often require additional space.
  • three-dimensional structures are created through various process steps, in which at the end, for example, an LED is formed as an elevation or mesa. So-called mesa trenches are formed between these individual LEDs.
  • mesa trench is intended to describe a comparatively steep, flank-like expression on the sides of an LED, the trench, i.e. the area without epitaxy references the deep structure in between.
  • the mesa trench can have a slope in the range of 30 ° to 75 °, in particular 45 °.
  • the idea here is now to arrange the receiving element precisely in this spatial area which is available anyway, without taking up additional space on the wafer. This enables better utilization of the space available on the wafer to be achieved.
  • the support structure and the receiving elements are made in one piece.
  • the carrier substrate can again be a wafer, for example, but also a PCB board, film, frame or similar structure.
  • the receiving elements themselves consist of a different material and / or structure than the carrier substrate.
  • This can be implemented in a manufacturing process, for example, in that the originally present wafer structures are preserved in a locally limited manner via the various process steps and, for example, are not removed by etching processes. These structures then serve as receiving elements and holding structure for the finished LEDs.
  • the receiving elements are designed to hold an LED to the side and from an underside of the LED.
  • it makes sense to create a partial contact surface or contact surface that offers a mechanical stop in the Z direction, that is, in the direction of the carrier substrate.
  • a spatial fixation in the lateral direction that is to say in the X-direction and Y-direction, can take place by additionally providing a lateral hold.
  • stable spatial fixation can be achieved in the direction of the carrier substrate and in the lateral direction; on the other hand, the LEDs can be easily lifted away from the carrier substrate in the Z direction by a transfer process or a transfer tool.
  • the receiving elements have LED holding surfaces that lead away obliquely relative to the carrier substrate plane, so that when the LEDs are moved away from the receiving elements, a holding force on the LED is reduced.
  • the holding surfaces move away from the LED the further the LED is moved in the direction away from the carrier substrate.
  • a holding force is successively reduced when the LED is lifted away from the carrier structure, for example by a transfer tool. Above all, this should advantageously bring about a reduction in the force required to pull off the LED, in particular to reduce the running times of the process steps and to increase the quality of a transfer process.
  • FIG. 1A to ID show the schematic sequence of a mass transfer printing process for a large number of LEDs on a wafer
  • FIG. 2 shows a support structure according to the proposed principle in a plan view with 3 receiving elements
  • FIGS. 3A to 3E represent a total of four vertical sectional views through a carrier structure for receiving flat LEDs, which are suitable for the proposed transfer;
  • FIG. 4 shows a layout of a carrier structure according to some aspects of the proposed concept with flat LEDs and a large number of receiving elements in different arrangements;
  • FIG. 5 shows a further layout of a carrier structure which is prepared and suitable for the proposed transfer process
  • FIG. 6A shows a further exemplary embodiment of a carrier structure
  • FIG. 6B shows an alternative to the previous exemplary embodiment
  • the background to the method is the transport of LEDs on a wafer onto a support surface of a display. This is where the individual LEDs are fixed and fastened as well as an electrical connection.
  • the dimensions of the individual LEDs are in the range of only a few [pm] n, on the other hand, a large number of these LEDs must be transmitted locally at the same time. In this case, several thousand structures of this type often have to be transferred from a large number of wafers to a common carrier surface.
  • a wafer 12 is initially provided on which epitaxial layers have been produced by various semiconductor manufacturing processes, from which the individual LEDs 16 are then produced.
  • the LEDs can emit different colors and wavelengths during operation. This is indicated here by the different shading conditions.
  • the LEDs have a flat design, at least on their underside and / or upper side, in order, for example, to enable simple attachment and transport.
  • the LEDs 16 can be mechanically separated from the wafer 12. This is done by removing a so-called sacrificial layer, possibly supplemented by one or more release layers.
  • FIG. 1B shows how an elastomer stamp 18 is moved vertically from above onto the wafer 12 and adheres to a surface of the LEDs 16 through a suitable surface structure of the elastomer stamp 18.
  • a maximum tensile force can for example be proportional to a size of the surface of the LED 16 be.
  • the adhesion can be produced, for example, by means of silicone materials, especially so-called PDMS elastomers. Due to the separation of the LEDs 16 from the wafer 12, the multitude of LEDs can be lifted together from the wafer 12, whereby these adhere to the elastomer stamp 18.
  • This elastomer stamp 18 is now moved in a transfer movement away from the wafer 12 towards a support surface 14 of a display mounted next to it, for example. This can be done, for example, with the aid of a transfer tool, with the elastomer stamp 18 being regarded as part of such a tool.
  • the elastomer stamp 18 is now initially above the support surface 14 and is lowered onto a surface of the support surface 14 in a lowering movement.
  • the LEDs 16 come into mechanical contact with the carrier surface 14 with their underside.
  • the LEDs 16 are detached from the elastomer stamp 18.
  • the elastomer stamp 18 is then moved upwards in order to for example to start a new transfer cycle.
  • the LEDs 16 can be permanently attached to the carrier surface 14, for example by means of an adhesive process.
  • the steps shown in FIG. 1A to ID show that due to the high number of LEDs 16, reliable and precise placement in the shortest possible time is desirable.
  • the LEDs 16 are received by the stamp 18, it may be desirable on the one hand to keep the forces low and on the other hand to achieve reliable positioning and holding of the LEDs 16 on the wafer 12.
  • avoiding fluctuations in the adhesive force or excessive adhesive forces on the wafer and / or on the stamp can bring about significant improvements here.
  • FIGS. 1 and 2 show a further embodiment of a carrier structure 10 according to some proposed principles for avoiding break edges and improving the lifting.
  • a carrier structure 10 according to some proposed principles for avoiding break edges and improving the lifting.
  • the wafer shown in FIGS. 1A and 1B comprises the wafer structure shown below, FIG. 2 being a simplified top view of a wafer from an upper side
  • 5 12 refers. You can see three LEDs 16, which in this game are each designed to be flat and rectangular and are arranged next to each other, other forms of chips in this regard are also possible, for example hexagonal. On a wafer 12, for example, 16 inches or 18 inches can be used
  • these LEDs 16 are arranged on the wafer 12 in a mechanically detachable manner. This means that they can be pulled off by a stamping tool 18. Im shown here
  • the LEDs 16 are partially detached from the wafer 12 on their underside (not visible) and are now held by receiving elements 20.
  • the receiving elements which appear round here from the top view, can, for example, be columnar or pole-like with, for example, round, angular or
  • FIGS. 3A to 3D a vertical sectional view (see line 24 in FIG. 2) is shown for various options for designing a carrier structure 10.
  • a wafer 12 or in general a carrier material or bonding material serves as the basis for mechanical stabilization and to accommodate other components such as electrical connections, electronic controls and the like.
  • a first release layer 26 is arranged vertically above it.
  • the release layer 26 serves to enable a controlled delamination, that is to say a deliberate and controlled detachment of the layers from one another by means of a defined tensile force.
  • a layer can serve as an etch stop layer in order to leave adjoining layers unchanged during an etching process. This can, for example, replace a breaking process, as has been used up to now in the prior art, by a detachment in which no disruptive residues remain on the LED.
  • the background is that, for example, silicon is used as the material for such layers that can then be removed in one process step by chemical methods in order, for example, to separate the LED 16 from the wafer 12 below.
  • the LED 16 furthermore has a contact pad 30, which here, for example, can have a semiconductive area, such as a p-n junction, for example.
  • the cross section of an LED 16, which has an epitaxial layer 32, is shown by way of example in FIG. 3A and FIG. 3B.
  • This epitaxial layer 32 can additionally be supplemented by a further second release layer 34, which is formed between the sacrificial layer 28 and the epitaxial layer 32.
  • This second release layer 34 can be arranged at different points depending on the execution variant.
  • FIGS. 3A and 3B each show an embodiment variant where a receiving element 20 as a pole-like, column-like or post-like elevation protrudes from the wafer 12 in one piece, vertically between two LEDs 16 through the sacrificial layer 28 and ends in front of the epitaxial layer 32.
  • the epitaxial layer 32 tapers up here closely and thereby forms a V-shaped mesa trench 38 (see also FIGS. 3C and 3D as an alternative).
  • the second release layer 34 extends as far as a side surface or partially underside of the contact pad 30, it ends In FIG. 3B, the second release layer 34 in the horizontal direction in front of the contact pad 30, the sacrificial layer 28 filling the remaining gap.
  • a gaseous or liquid etching substance for example, can then reach the sacrificial layer 28 via the mesa trench 38, that is to say the intermediate space between two LEDs 16.
  • the delamination layer on the exposed surface of the receiving element has also been removed by the etching process.
  • the removal of the delamination layer can be selectively adjusted by controlling the etching process.
  • the delamination layer can have a significantly lower etching speed than for the sacrificial layer 28.
  • the etching process is also used to etch through the delamination layer and into the receiving element. In other words, the funnel-shaped recess between the two LEDs is continued in the receiving element.
  • the depth of such an etching in the receiving element can also be set by the process. In general, however, the entire receiving element is not etched through. Rather, the receiving element is only etched up to half its height or less, so that sufficient stability of the receiving elements is ensured. In particular, it is ensured that the remaining columns do not break when the LEDs are removed, but rather that the LED is lifted off by overcoming the adhesive force of the delamination layer.
  • FIGS. 3C and 3D a further embodiment variant, in particular with regard to the embodiment of the receiving element 20, is shown.
  • the receiving element 20 protrudes from the Level of the wafer 12 starting in one piece through the sacrificial layer 28 to an opposite side of the support structure 10.
  • the receiving element 20 is tapered at its upper end or is designed with inclined LED holding surfaces 36, which makes it easier to lift off the LEDs 16 while at the same time making it more secure Seat on the wafer 12 can allow.
  • the receiving element 20 ends before the end of the epitaxial layer 32 in the vertical direction.
  • the contact pad 30 connects the layers inside the LED and in particular the light-emitting layer.
  • the contact pad 30 is in each case the vertically furthest element and can therefore be in direct mechanical and thus electrical contact with an electrical contact element (not shown) on a support surface of the display or the module, possibly without additional bridging solder or conductive adhesive.
  • a contact pad 30 can have edge lengths in the range from 20 to 100 ⁇ m, for example.
  • FIG. 3E shows an embodiment in which the receiving element is significantly widened and the delamination layer extends completely over the surface of the receiving element.
  • sacrificial layer 28 extends through the funnel-shaped area between the individual LEDs with its epitaxy 32.
  • Each LED comprises an epitaxy whose lateral dimensions are greater on the light exit side than on the side facing the contact pad 32. In other words, the LEDs widen starting from the side with the contact pad 32.
  • FIG. 4 and FIG. 5 an example of a carrier structure 10 is shown with, for example, 24 LEDs 16 which are arranged in a matrix on a wafer (not shown).
  • a total of 17 receiving elements 20 are shown in FIG. These are partly arranged in a mesa trench 38 between each two neighboring LEDs 16, partly also at corners of the respective LEDs 16. This arrangement can mean that a total of fewer receiving elements 20 than a total number of LEDs 16 are necessary.
  • a receiving element 20 can support or receive up to four adjacent LEDs 16.
  • the base area of the receiving elements 20 is not round as in FIG. 156, but rather have a rectangular or square base area. This means that the contact surfaces 36 with which the receiving element rests on the LED 16 changes. This can ensure stable accommodation of the LED 16, even if the LED 16 shifts slightly in its position in the x-direction or y-direction. In other words, a total contact area from all the contact areas 36 on the LED 16 remains the same or at least approximately the same even with smaller displacements in the lateral direction.
  • the receiving elements 20 can also be arranged on the outer edge of a support structure 12 and attack an outer side surface of an LED 16. As an example, it can be seen here that exactly three support points for the same LED can offer particularly stable spatial stabilization.
  • a receiving element 20 can support two or more adjoining LEDs 16 and thus reduce space requirements and thus costs through multiple use.
  • the support surface is shown greatly enlarged compared to the chip surface.
  • the contact surface is significantly smaller, so that the adhesive force is reduced, so that the delamination layer adheres to the carrier and does not tear off.
  • FIG. 6A shows an embodiment in which several LEDs 16 were produced monolithically on a carrier substrate.
  • Each LED is in the shape of a hexagon, i.e. 6 side faces, each facing a side face of an adjacent LED.
  • the corners of the individual LEDs each rest on a receiving element 20.
  • the edges are structured, i.e. trenches have been etched so that the LEDs are only held by the receiving elements.
  • Each LED comprises a centrally arranged and round active area 2a.
  • the area can be selected in different sizes. In this example, however, it is surrounded by a region 2b, the diameter of which essentially corresponds to the distance between two opposite side surfaces of an LED. In other words, the area extends to the side flank of each hexagonal structure of the LEDs, but the corners of each LED just do not include area 2b.
  • FIG. 6B shows a further embodiment which was generated by an improved mask structuring.
  • the background to this embodiment is to reduce the number of photomasks and transfer steps required.
  • a photo mask was chosen which leads to smaller bulges at the corners. This creates this slightly different structure.
  • the LEDs are manufactured using various semiconductor technologies.
  • the wafer onto which the transfer is made can have contact areas so that electrical contact is possible. Control, power sources and other elements can also already be present in this wafer.
  • the LEDS transferred in this way are then processed further in a few versions. For example, a converter layer or a light-shaping element is applied to the LED. In principle, individual LEDs were transferred in these versions. However, the method is not limited to these.
  • the above modules can be formed with these carrier structures in order to enable easier transfer of such modules.
  • the columns or the support elements are shaped according to the size of the modules.

Landscapes

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  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Led Devices (AREA)

Abstract

Trägerstruktur (10) zur Aufnahme von flächigen Mikrochips (16) mit einemflächigen Trägersubstrat (22) und mindestens zwei Aufnahmeelementen(20). Die Aufnahmeelemente (20) sind derart mit dem Trägersubstrat (22)verbunden und ausgeführt, dass sie einen flächigen Mikrochip (16) derartzwischen den mindestens zwei Aufnahmeelementen (20) lösbar festhalten,dass der Mikro- chip (16) mit einer definierten Mindestkraft quer zu einer Trägerstrukturebene herausbewegt werden kann.

Description

MULTI-CHIP TRÄGERSTRUKTUR
Diese Patentanmeldung beansprucht die Priorität der deutschen Anmeldungen DE 10 2019 112 490.5 vom 13. Mai 2019 und die Priorität der internationalen Anmeldung PCT/EP2020/052191 vom
5 29. Januar 2020, deren Offenbarungen hiermit durch Rückbezug aufgenommen werden.
Die Erfindung betrifft optoelektronische Bauelemente, aber auch allgemein Halbleiterbauelemente für optische Displays . Insbe sondere betrifft die Erfindung eine Trägerstruktur für LED-
10 Chips zur Anwendung in einem Mass-Transfer-Verfahren zur Her stellung optoelektronischer Displays .
HINTERGRUND
Während in den letzten Jahren unter anderem organische LED- Technologien an Bedeutung Zunahmen, rücken nun zunehmend wieder
15 anorganische lichtemittierende Dioden als Basis für eine neue Anwendungen in den Mittelpunkt. Dazu gehören neben klassischen Displayanwendungen auch Lichtanwendungen für Videowalls, Innen raumbeleuchtungen, für Kraftfahrzeuge im Innenraum, Scheinwer fer oder Gadetbeleuchtungen, allgemein Leuchten und spezielle
20 Anwendungen im industriellen Bereich.
Grundsätzlich folgt die Technologie zum Erzeugen des Lichts den bekannten Verfahren, wie sie von klassischen optoelektronischen Bauelementen, auch LEDs genannt bekannt sind. Insbesondere die Möglichkeit, helle und kontrastreiche LED bei gleichtzeitig ge
25 ringem Verbrauch zu realisieren eröffnet neue Anwendungsge biete. Einer der wesentlichen Unterschiede besteht allerdings darin, dass Größen dieser LED-Chips deutlich variabler und auf die jeweilige Anwendung zugeschnitten sind. Die Größen liegen dabei jeweils im Bereich von 1mm2 bis ca lOOpm2.
BO Neben verschiedenen technischen Herausforderungen im Zusammen hang mit der Herstellung derartiger LEDs auf einem Wafer bezüg lich der Genauigkeit, Effizienz und Effektivität eines Herstel lungsprozesses für LED's, spielt der Transfer und die darauf folgende elektrische Kontaktierung der LED' s auf einem Backplane oder einem CB oder ähnlichem ohne einen Fehler eine Rolle. Zwar erlaubt die Größe der LED' s unter Umständen eine spätere Repa ratur oder Austausch defekter Leuchtdioden, jedoch kann durch einen hinreichend fehlerfreien Transfer und eine genaue Posi tionierung der LEDs und Befestigung das Risiko eines Fehlers und damit die Kosten weiter reduziert werden.
Bekannt sind Verfahren wie beispielsweise das Transfer-Prin- ting-Verfahren . Diese nehmen mit einem flächigen Stempel gleich zeitig eine Vielzahl von LEDs von einem Wafer auf, bewegen diese zu der Trägerfläche des späteren Displays und setzen diese dort präzise zu einer großflächigen Gesamtanordnung zusammen . Hierfür kann beispielsweise ein Elastomer-Stempel benutzt werden, an dem durch geeignete Oberflächenstrukturen und Materialbeschaf fenheit die einzelnen LEDs haften bleiben, ohne mechanisch oder elektrisch beschädigt zu werden. Diese Stempel nutzen beispiels weise sogenannte PDMS-Elastomere aus der Gruppe der Silikone. Häufig weisen diese Elastomer-Stempel sogenannte Kissenstruk turen auf, die ein gezieltes und besseres Anhaften der zu plat zierenden Chips erlauben können. Im Stand der Technik sind wei tere Verfahren des Transfer-Printing bekannt. Neben den be schriebenen elastomerbasierten Verfahren sind magnetische, elektrostatische oder mechanische Verfahren basierend unter an derem auf Rollbewegungen bekannt.
Die fertigen LEDs müssen nach der Herstellung auf dem Wafer derart beschaffen sein, dass diese durch ein geeignetes Verfah ren aufgenommen und wegbewegt werden können. Hierzu werden in der Regel die LEDs beispielsweise durch Ätzverfahren von einem Substrat abgelöst. Daneben gibt es laserinduzierte Verfahren, bei denen die LED' s vom Träger abgelöst werden. Da allerdings vollständiges Ablösen gegebenen falls ein Kippen, Verschieben oder Verdrehen auslösen könnte, kann es wünschenswert sein, ein Aufnehmen für einen sogenannten Mass Transfer hin zu einem Träger ohne zu große Haltekräfte oder Beschädigungen zu ermöglichen.
Ein Gesichtspunkt beschäftigt sich dabei mit der Frage wie eine Vermeidung von Bruchkanten und eine Verbesserung des Abhebens erreicht werden kann. Es wird hierzu eine Lösung vorgeschlagen, bei der mit kristallinen, dielektrischen Haltestrukturen eine mechanische Verbindung zwischen der LED und einem umliegenden oder darunterliegenden Substrat aufrechterhalten wird. Diese mechanische Verbindung ist allerdings derart ausgestaltet, dass diese zwar einerseits den Chip der LED mechanisch zuverlässig an Ort und Stelle hält, andererseits aber bei Ausüben einer möglichst kleinen Biegekraft oder Zugkraft brechen und so den Chip zum Abtransport freigeben.
Im Besonderen wird eine Trägerstruktur zur Aufnahme von flächi gen Chips bzw. LEDs vorgeschlagen. Unter einer Trägerstruktur soll hier eine Anordnung gemeint sein, der eine Vielzahl der artiger LEDs beispielsweise mit Kantenlängen im Bereich von 1mm bis ca 100 pm oder von 800pm bis 150mm aufnehmen kann. Zweck soll hier insbesondere eine mechanisch stabile Fixierung, bei spielsweise relativ zu einem Raster oder einer Matrix, unter möglichst guter Ausnutzung des zur Verfügung stehenden Platzes sein. Weiterhin soll diese Trägerstruktur geeignet sein, die Vielzahl von Chips für einen Transfer mithilfe eines Transfer werkzeuges vorzusehen.
Die Trägerstruktur weist weiterhin mindestens zwei Aufnahmeele mente auf, die mit dem Trägersubstrat verbunden sind. Unter einem Aufnahmeelement soll hier ein Mechanismus oder Funktions element verstanden werden, das geeignet ist, eine LED gegebe nenfalls im Zusammenspiel mit weiteren Aufnähmeelernenten durch mechanischen Kontakt räumlich zu fixieren bzw. in einer defi nierten räumlichen Position zu halten. Ein Aufnahmeelement kann Durchmesser beispielsweise im Bereich von 10 pm oder weniger, besipeilswesie 2pm oder lpm aufweisen. Gemäß einem Beispiel ist ein Chip an zwei Aufnahmeelemente befestigt.
In einigen Aspekten umfasst die Trägerstruktur ein flächiges Trägersubstrat. Ein solches Trägersubstrat kann beispielsweise ein Wafer, eine Folie, ein Frame oder Ähnliches aus dem Bereich der Halbleiterherstellung sein. Dabei kann beispielsweise ein Wafer neben seiner Funktion als Grundplatte oder Basismaterial für den Herstellungsprozess des Halbleiters auch eine Stütz funktion oder Trägerfunktion zur Vorbereitung eines nachfolgen den Mass Transfers bieten. Daneben sind auch flexible Materia lien, wie beispielsweise Folien als Trägersubstrat geeignet.
Ein Aufnahmeelement kann gemäß einem Beispiel säulenartig, pfei lerartig oder pfahlartig vom Trägersubstrat ausgehend ausgebil det sein. In einer Ausgestaltung liegt der Chip an seinen Ecken oder Kanten auf den wenigstens zwei Aufnahmeelementen teilweise aber nicht vollständig auf. Die Aufnahmeelemente sind mit dem Trägersubstrat verbunden und ausgeführt, einen Chip derart zwi schen den mindestens zwei Aufnahmeelementen lösbar festzuhal ten, dass LED mit einer definierten Mindestkraft senkrecht zur Trägerstrukturebene herausbewegt werden kann.
Mit anderen Worten soll einerseits ein ausreichend sicherer Halt der LED durch die Aufnahmeelemente erreicht werden, andererseits soll bewusst die Möglichkeit geschaffen werden, die LED mit einer möglichst geringen Kraft abzulösen und beispielsweise ei nem Transferwerkzeug zuzuführen. Dazu kann vorgesehen sein, die Auflagefläche für jedes Auflageelement kleiner als 1/20, ins besondere kleiner als 1/40 und insbesondere im Bereich von 1/200 bis 1/50 kleiner als die Chipfläche der LED vorzusehen. In einer alternativen Ausgestaltung, ist eine Kantenlänge der LED min destens um den Faktor 10, insbesondere mindestens um den Faktor 20 größer als eine Kantenlänge des Aufnahmeelements. In einem Beispiel ist die Kantenlänge um einen Faktor größer der besdners im Bereich zwischen 40 und 80 liegt Unter „lösbar" soll verstanden werden, dass keine dauerhafte, beispielsweise stoffschlüssige Verbindung wie beispielsweise Verschmelzen, Verkleben oder Ähnliches zwischen Chip und Auf nahmeelement vorliegt, sondern eine zerstörungsfreie, lösbare Verbindung. Die Befestigung kann auf einer physikalischen Ver bindung, wie beispielsweise einer Haftverbindung durch Van-De- Waals Kräften oder Elektronenbrücken beruhen. Selbige kann durch unterschiedliche Materialien und eine geeignete Auswahl selbi ger zwischen der LED und den Aufnahmeelementen gegeben sein. Hierdurch sollen insbesondere ein Brechen oder ähnliche Verfah ren umgangen werden, bei denen eine Zerstörung von Material strukturen mit den entsprechenden Bruchstücken, Partikeln oder Splittern involviert wäre. Stattdessen werden hier alternative Haftmechanismen wie das Ausnutzen von mechanischer Reibung oder Delamination genutzt. Insbesondere werden bekannte begrenzte oder limitierte Haftungseigenschaften von Materialien oder Ma terialkombinationen ausgenutzt. Gemäß einem Beispiel liegt die LED zwischen zwei oder mehreren Aufnahmeelementen auf.
An den Kontaktflächen ergeben sich beispielsweise Haftkräfte oder andere Adhäsionskräfte, die eine mechanische Fixierung der LED im Raum erlaubt. Wenn nun eine definierte Mindestkraft bei spielsweise durch ein angeheftetes Transferwerkzeug auf die LED wirkt, werden folglich Ablösekräfte an den Kontaktflächen zwi schen LED und den Aufnahmeelementen wirksam. Durch eine geeig nete Auswahl von Materialien oder Materialkombinationen an die sen Kontaktflächen kann diese definierte Mindestkraft beein flusst werden.
Die Kontaktflächen oder Überlappungen können beispielsweise Ab messungen im Bereich von 0,05 pm2 bis 10 pm2 aufweisen, insbes- donere im Bereich von lpm2 bis 8pm2. Hierbei ist es wünschens wert, dass einerseits ein sicherer Halt der LED an der Trä gerstruktur erreicht wird. Andererseits ist es für einen effek tiven und schnellen Massentransfer der LED essenziell, dass die LEDs mit möglichst wenig Kraft nach oben angehoben und abgelöst werden können. Dazu kann vorgesehen sein, das Verhältnis zwi schen Auflagefläche von jedem Element und Chip und der gesamten Chipfläche kleiner als 1/20, insbesondere kleiner als 1/40 und insbesondere im Bereich von 1/80 bis 1/50 kleiner als die Chip fläche vorzusehen. In einer alternativen Ausgestaltung, ist eine Kantenlänge der LED mindestens um den Faktor 10, insbesondere mindestens um den Faktor 20 größer als eine Kantenlänge des Aufnahmeelements. Die zur Verfügung stehende Fläche des Aufnah meelements kann größer, jedoch liegt die LED nur auf einem Teil dieser Fläche auf. Die Auflagefläche des Chips ist somit min desten 20-mal, insbesondere mindestens 40-mal kleiner als die gesamte Chipfläche.
Hier ist ein geeigneter Kompromiss, beispielsweise durch die geeignete Auswahl von Materialien oder Materialkombinationen sowie die Dimensionierung und Platzierung der Kontaktflächen zu finden. Durch eine Gestaltung der Größe und Form dieser Kon taktflächen kann ebenfalls die definierte Mindestkraft beein flusst werden. Große Kontaktflächen führen folglich zu einer höheren notwendigen Mindestkraft, um die LED von der Trä gerstruktur zu lösen. Neben durch Reibung oder Lamination be dingten Halteprinzipien sind auch magnetische, elektrische oder ähnliche Haltekräfte denkbar.
Gemäß einem weiteren Beispiel ist auch möglich, dass die Trä gerstruktur lediglich ein einziges Aufnahmeelement aufweist, mit dem eine LED gehalten wird. Durch das geringe Gewicht der Halbleiterstrukturen kann es denkbar sein, dass durch eine in ihrer Form geeignete und ihrer Größe ausreichend dimensionierte Kontaktfläche zwischen dem einzigen Aufnahmeelement und der LED ein ausreichender Halt in Kombination mit einer geeignet hohen Mindestkraft zum Ablösen der LED erreicht werden kann.
In einer Ausgestaltung kann ein Substrat zum Herstellen der LEDs auch als Trägerstruktur dienen. In einem solchen Fall kann ein Sacrificial Layer oder Opferschicht vorgesehen sein. Während des Herstellungsprozesses ist dabei die LED mit dem Wachs tumssubstrat verbunden. Zum Freilegen der fertigen LED wird beispielsweise durch gas- oder plasmabasierten Ätzverfahren dieser dazwischenliegenden Opferschicht entfernt, sodass ein Zwischenraum zwischen der LED und dem Wafer entsteht. Eine Dicke der Opferschicht beträgt zum Beispiel 100 nm (Nanometer) bis 500 nm. Der Gedanke ist hierbei, dass mit dem Entfernen der Opferschicht die Aufnahmeelemente eine Haltefunktion für die LED an der Trägerstruktur übernehmen. Die Aufnahmeelemente kön nen in einer Ausgestaltung die Form eines Ankers aufweisen.
Ein Abziehen der LED erfolgt in der Regel in einer Richtung weg vom Trägersubstrat, mit einem Kraftvektor der zumindest teil weise senkrecht zu einer Trägersubstratebene zeigt, die in x- y-Richtung zu verstehen ist. Die Aufnahmeelemente verbleiben dabei am Trägersubstrat und brechen insbesondere nicht. Dadurch verbleiben keine Rückstände des Aufnahmeelements an der LED zurück, die bei nachfolgendem Prozessieren Probleme bereiten können. In einem Aspekt ist der Kraftvektor im wesentlichen senkrecht zur Oberfläche. Weiterhin ist die Haftkraft, mit der die LED and einem Stempel gehalten wird, zum Zeitpunkt kurz vor dem Abheben bis zumindst kurz danach größer als die Haltekraft, welche die LED an dem Aufnahmeelement hält.
Gemäß einem Aspekt ist zumindest ein Aufnahmeelement ausgeführt, gleichzeitig mindestens eine weitere, benachbart angeordnete LED mit festzuhalten und/oder abzustützen. Beispielsweise ist das Aufnahmeelement ausgeführt zwei, drei oder auch vier be nachbart zueinander angeordente LEDs abzustützen. Benachbart heißt in diesem Zusammenhang, dass sich Seiten der LED' s im wesentlichen parallel gegenüberliegen. Zwischen zwei benachbar ten LED' s kann ein Abstand vorgesehen sein, so dass sich diese beim Abheben nicht gegenseitig beeinflussen. Gerade bei nicht vollständig senkrechten Kraftvektoren ist ein derartiger Ab stand zweckmäßig, um ein Zusammenstößen zweier benachbarter LEDs während des Abhebens zu verhindern. Dementsprechend kann der Abstand zwsichen zwei benachbarten LED' s auch von einer zu den LED' s parallelen Komponente des Kraftvektors während des Abhe bens abhängig sein. In einigen Überlegungen beträgt der Abstand zwischen zwei LED' s 5% der Kantenlänge, oder liegt im Bereich von 1% bis 10% der Kantenlänge der LED' s .
Die Überlegungen zu diesem Merkmal können wie folgt zusammen gefasst werden: Haltestrukturen für LEDs beanspruchen häufig Platz, der idealerweise minimiert werden soll, um eine höhere Ausbeute auf einem Wafer zu erreichen. Bedingt durch den Her stellungsprozess sind die LEDs wiederum auf einem Wafer in einer regelmäßigen Struktur nebeneinander angeordnet.
Wie erwähnt ergeben sich prozessbedingt Zwischenräume. Die Er finder schlagen nun vor, ein Aufnahmeelement zwischen zwei be nachbart angeordnete LEDs zu positionieren, sodass dieses eine Aufnahmeelement mehrere angrenzenden LEDs stützt oder aufnimmt. Als Vorteil kann hier gesehen werden, dass rechnerisch weniger als eine ganze Haltestruktur pro Bauteil erreichbar ist. Dies kann eine Gesamtzahl der Aufnahmeelemente verringern und so eine Platzersparnis und folglich eine Kostenersparnis bewirken. Zu dem bleibt eine Gesamtausbeute der Chips im Wesentlichen kon stant, da kein zusätzlicher Platz für die Haltestruktur auf dem Wafer benötigt wird, der auf Kosten der Anzahl der LED geht.
Beispielsweise kann ein Aufnahmeelement einander gegenüberlie gend angeordnete Kontaktflächen aufweisen, die dann jeweils mit der in dieser Richtung angrenzenden LED in mechanischen Kontakt stehen. Die Aufnahmeelemente können dann derart über eine Fläche des Trägersubstrates verteilt und angeordnet werden, dass eine minimale Anzahl von Aufnahmeelementen für einen sicheren Halt der LEDs verwendet wird. Dies kann beispielsweise für einen effektiven Einsatz eines Transferwerkzeugs vorteilhaft sein, um eine effektive und schnelle Aufnahme der LEDs zu ermöglichen. Gemäß einem Aspekt sind die Aufnahmeelemente derart am Trä gersubstrat angeordnet, dass eine LED von genau drei Aufnahme elementen gehalten wird. Die Wahl von drei Aufnahmeelementen kann hier insofern ein vorteilhafter Kompromiss sein, als dass hier eine gute räumliche Stabilisierung in Kombination mit einer vorteilhaften Verteilung der Haltekräfte erreicht werden kann. Ein Verschieben oder Verkippen, insbesondere in lateraler Rich tung auf dem Trägersubstrat kann hier effektiv verhindert wer den. Dabei kann ein Aufnahmeelement an verschiedenen lateralen Bereichen in X-Richtung und Y-Richtung am Chip angreifen, bei spielsweise mittig, außermittig oder an einer Kante oder Ecke. Es können auch mehrere Aufnahmeelemente an ein und derselben Seite einer LED angeordnet sein.
Gemäß einem Aspekt ist zum Herausbewegen der LEDs aus der Trä gerstruktur eine Delaminationsschicht an der LED oder am Auf nahmeelement vorgesehen. Der Begriff Delamination soll hier ei nen Ablöseprozess beschreiben, der beim Kontakt von zwei Flä chen, oder allgemeiner, der Verbindung von zwei Schichten auf- tritt. Dies kann gleichartige Materialien, aber auch Material verbindungen oder verschiedene Materialoberflächen betreffen.
Das bewusste Schaffen einer sogenannten Delaminationsschicht soll Bruchvorgänge oder materialzerstörende oder strukturver ändernde Vorgänge verhindern und stattdessen ein zerstörungs freies Ablösen der Schichten oder Flächen voneinander bewirken. Hierbei können bestimmte Kombinationen aus Materialien verwen det werden, beispielsweise eine Kombination von Si02 und AI2O3, aber auch die Verwendung von nichtoxidierenden Metallen wie Silber, Gold oder ähnlichen Materialien in Kombination mit einem Dielektrikum wie Si02. In einem Aspekt ist somit die Oberfläche des Aufnahmeelements mit der Delaminationsschicht umgeben, so dass zwischen der LED und Aufnahmeelement die Delaminations schicht ausgebildet ist. Die Delaminationsschicht kann nur we nige nm dick sein, beispielsweise im Bereich von 5 nm bis 50 nm. Die Delaminationsschicht kann in einem Aspekt auch als Ätz stoppschicht ausgebildet sein oder ebenso optional sich über weitere Teile der Trägerstruktur erstrecken.
Gemäß einem Aspekt sind die Aufnahmeelemente in einem Mesagraben eines Halbleiterwafers angeordnet. Wie bereits erwähnt, ist grundsätzlich eine optimale Platzausnutzung auf einem Wafer zur Erhöhung der Ausbeute wünschenswert. Haltestrukturen für LEDs beanspruchen häufig zusätzlichen Platz. Im Herstellungsprozess werden durch verschiedene Verfahrensschritte dreidimensionale Strukturen geschaffen, bei denen am Ende beispielsweise eine LED als Erhebung oder Mesa ausgebildet ist. Zwischen diesen einzelnen LEDs bilden sich sogenannte Mesagräben.
Der Begriff Mesagraben soll dabei eine vergleichsweise steile flankenartige Ausprägung an den Seiten einer LED beschreiben, wobei der Graben, d.h. der Bereich ohne Epitaxie die dazwi schenliegende tiefe Struktur referenziert . Beispielsweise kann der Mesagraben eine Flankensteilheit im Bereich 30° bis 75°, insbesondere von 45° aufweisen. Der Gedanke ist hier nun, das Aufnahmeelement genau in diesem ohnehin verfügbaren räumlichen Bereich anzuordnen, ohne zusätzlichen Platz auf dem Wafer zu beanspruchen. Hierdurch kann eine bessere Ausnutzung des zur Verfügung stehenden Platzes auf dem Wafer erreicht werden.
Gemäß einem Aspekt sind die Trägerstruktur und die Aufnahmeele mente einstückig ausgeführt. Dies kann beispielsweise bedeuten, dass die Aufnahmeelemente Teil des Trägersubstrates sind. Das Trägersubstrat kann hier beispielsweise wiederum ein Wafer sein, aber auch ein PCB-Board, Folie, Frame oder ähnliche Struktur. In den letzteren Fällen bedeutet dies, dass die Aufnahmeelemente selbst aus einem anderen Material und/oder Struktur wie das Trägersubstrat bestehen. Dies kann in einem Herstellungsprozess beispielsweise dadurch realisiert werden, dass die ursprünglich vorhandenen Waferstrukturen über die verschiedenen Verfahrens schritte örtlich begrenzt gezielt erhalten werden und beispiels weise nicht durch Ätzvorgänge entfernt werden. Diese Strukturen dienen dann als Aufnahmeelemente und Haltestruktur für die fer tigen LEDs .
In einem Aspekt sind die Aufnahmeelemente ausgeführt, einen LED seitlich und von einer Unterseite der LED zu halten. Um eine LED auf einem darunterliegenden Trägersubstrat zu halten, kann es einerseits sinnvoll sein, eine Teilkontaktfläche oder Auf lagefläche zu schaffen, die einen mechanischen Anschlag in Z- Richtung, also in Richtung des Trägersubstrates bietet. Gleich zeitig kann eine räumliche Fixierung in lateraler Richtung, also in X-Richtung und Y-Richtung dadurch erfolgen, dass zusätzlich ein seitlicher Halt vorgesehen ist. Auf diese Weise kann einer seits in Richtung des Trägersubstrates und in lateraler Richtung eine stabile räumliche Fixierung erreicht werden, andererseits kann in Z-Richtung weg vom Trägersubstrat ein leichtes Abheben der LEDs durch einen Transferprozess bzw. ein Transferwerkzeug ermöglicht werden.
In einem Aspekt weisen die Aufnahmeelemente relativ zur Trä gersubstratebene schräg wegführende LED-Halteflächen auf, so- dass sich beim Herausbewegen der LEDs weg von den Aufnahmeele menten eine Haltekraft auf die LED verringert. Mit anderen Wor ten entfernen sich die Halteflächen von der LED weg, je weiter die LED in Richtung weg vom Trägersubstrat bewegt wird. Dies kann auch so verstanden werden, dass sich eine Haltekraft suk zessive verringert, wenn die LED beispielsweise durch ein Trans ferwerkzeug von der Trägerstruktur weggehoben wird. Dies soll vor allem vorteilhaft eine Verringerung der notwendigen Kraft zum Abziehen der LED bewirken, um insbesondere Laufzeiten der Prozessschritte zu verringern und Qualität eines Transferpro zesses zu erhöhen.
Die vorliegende Offenbarung wird durch die folgende detaillierte Beschreibung noch genauer erläutert. Die detaillierte Beschrei bung und die spezifischen Beispiele offenbaren verschiedene As pekte und Ausführungsformen zur Veranschaulichung des vorge schlagenen Prinzips . Fachleute verstehen aus der Anleitung in der detaillierten Beschreibung, dass Änderungen und Modifika tionen innerhalb des Umfangs der Offenbarung vorgenommen werden können . Es versteht sich daher, dass die hierin offenbarte Offenbarung nicht auf die bestimmten Bestandteile der beschriebenen Vor richtungen oder Schritte der beschriebenen Verfahren beschränkt ist, da eine solche Vorrichtung und ein solches Verfahren va riieren können. Es versteht sich auch, dass die hierin verwen dete Terminologie nur zum Zweck der Beschreibung bestimmter Ausführungsformen dient und nicht einschränkend sein soll. Es ist anzumerken, dass, wie in der Beschreibung und im beigefügten Anspruch verwendet, die bestimmte und unbestimmte Artikel be deuten sollen, dass es eines oder mehrere der Elemente gibt, außer im Zusammenhang diktiert ausdrücklich etwas anderes. So kann beispielsweise die Bezugnahme auf "eine Einheit" oder "die Einheit" mehrere Vorrichtungen und dergleichen umfassen. Dar über hinaus schließen die Wörter "umfassend", "umfassend", "ent haltend" und ähnliche Formulierungen andere Elemente oder Schritte nicht aus .
So zeigen nun:
Figur 1A bis ID den schematischen Ablauf eines Mass-Transfer- Printing-Verfahrens für eine Vielzahl von LEDs auf einem Wafer;
Figur 2 eine Trägerstruktur nach dem vorgeschlagenen Prinzip in einer Draufsicht mit 3 Aufnahmeelementen;
Figur 3A bis 3E insgesamt vier vertikale Schnittdarstellungen durch eine Trägerstruktur zur Aufnahme von flächigen LEDs dar gestellt, die für den vorgeschlagenen Transfer geeignet sind;
Figur 4 ein Layout einer Trägerstruktur nach einige Aspekten des vorgeschlagenen Konzeptes mit flächigen LEDs und einer Viel zahl von Aufnahmeelementen in verschiedenen Anordnungen;
Figur 5 ein weiteres Layout einer Trägerstruktur dar, die für den vorgeschlagenen Transferprozess vorbereitet und geeignet sind;
Figur 6A zeigt ein weiteres Ausführungsbeispiel einer Trä gerstruktur; Figur 6B stellt eine Alternative zu dem vorhergehenden Ausfüh rungsbeispiel dar;
Im Folgenden sollen einige Konzepte für Maßnahmen zur Verbes- serung eines Transfers in Form von einem verbesserten Mass- Transfer-Printing-Prozesses gezeigt werden. Hintergrund des Verfahrens ist ein Transport von LEDs eines Wafers auf eine Trägerfläche eines Displays . Dort erfolgt eine Fixierung und Befestigung sowie eine elektrische Verbindung der einzelnen LEDs. Dabei liegen zum einen die Abmessungen der einzelnen LEDs im Bereich von nur wenigen [pm]n, andererseits ist gleichzeitig eine große Anzahl dieser LEDs örtlich zu übertragen. Hierbei sind häufig mehrere tausend derartiger Strukturen von einer Vielzahl von Wafern auf eine gemeinsame Trägerfläche zu trans- ferieren.
Im hier in Figur 1 dargestellten Beispiel ist zunächst ein Wafer 12 vorgesehen, auf dem durch verschiedene Halbleiterherstel lungsverfahren Epitaxieschichten erzeugt wurden, aus denen dann die einzelnen LEDs 16 entstehen. Die LEDs können in einigen Aspekten verschiedene Farben und Wellenlängen im Betrieb emit tieren. Dies ist hier durch die unterschiedlichen Schattierun gen angedeutet. Die LEDs sind zumindest auf ihrer Unterseite und/oder Oberseite flächig ausgeprägt, um beispielsweise eine einfache Befestigung und Transport zu ermöglichen. Als Teil des Herstellungsprozesses können die LEDs 16 vom Wafer 12 mechanisch separiert werden. Dies erfolgt durch Entfernen eines sogenann ten Sacrificial Layers, gegebenenfalls ergänzt durch einen oder mehrere Release Layer .
In Figur 1B ist gezeigt, wie ein Elastomerstempel 18 vertikal von oben auf den Wafer 12 zubewegt wird und sich durch eine geeignete Oberflächenstruktur des Elastomerstempels 18 an eine Oberfläche der LEDs 16 anhaftet. Eine maximale Zugkraft kann beispielswiese proportional zu einer Größe der Oberfläche der LED 16 sein. Die Haftung kann beispielsweise durch Silikonma terialien erzeugt werden, insbesondere durch sogenannte PDMS- Elastomere. Aufgrund der Trennung der LEDs 16 vom Wafer 12 können die LEDs in ihrer Vielzahl gemeinsam vom Wafer 12 abge hoben werden, wobei diese am Elastomerstempel 18 haften. Dieser Elastomerstempel 18 wird nun in einer Transferbewegung weg vom Wafer 12 hin zu einer beispielsweise daneben gelagerten Träger fläche 14 eines Displays bewegt. Dies kann beispielsweise mit hilfe eines Transferwerkzeugs erfolgen, wobei der Elastomer stempel 18 als ein Teil eines solchen Werkzeugs anzusehen ist.
In Figur IC befindet sich nun der Elastomerstempel 18 zunächst über der Trägerfläche 14 und wird in einer Senkbewegung auf eine Oberfläche der Trägerfläche 14 abgesenkt. Hierbei gelangen die LEDs 16 mit ihrer Unterseite in mechanischen Kontakt mit der Trägerfläche 14. In einem Folgeschritt, der in Figur ID gezeigt ist, erfolgt ein Ablösen der LEDs 16 vom Elastomerstempel 18. Danach wird der Elastomer-Stempel 18 nach oben bewegt, um bei spielsweise einen neuen Transferzyklus zu beginnen. Die LEDs 16 können beispielsweise durch ein Klebeverfahren dauerhaft an der Trägerfläche 14 befestigt werden.
Die in Figur 1A bis ID dargestellten Schritte lassen erkennen, dass aufgrund der hohen Anzahl an LEDs 16 eine zuverlässige und genaue Platzierung in möglichst kurzer Zeit wünschenswert ist. Insbesondere bei der Aufnahme der LEDs 16 durch den Stempel 18 kann es wünschenswert sein, die auftretenden Kräfte einerseits gering zu halten und andererseits eine zuverlässige Positionie rung und Halten der LEDs 16 auf dem Wafer 12 zu erreichen. Insbesondere das Vermeiden von Schwankungen bei der Haftkraft oder zu hohe Haftkräfte auf den Wafer und/oder auf den Stempel kann hier deutliche Verbesserungen bewirken.
Wieder zurückverweisend auf die Figuren 1 und 2 zeigen diese eine weitere Ausgestaltung aus einer Trägerstruktur 10 nach einigen vorgeschlagenen Prinzipien zur Vermeidung von Bruchkan ten und eine Verbesserung des Abhebens. Grundsätzlich entspricht der prinzipielle Aufbau der Darstellung in Figur 1A. Insbeson dere umfasst der in den Figuren 1A und 1B gezeigte Wafer die im folgenden gezeigte Waferstruktur, wobei sich die Figur 2 auf eine vereinfachte Draufsicht von einer Oberseite auf einen Wafer
5 12 bezieht. Zu erkennen sind drei LEDs 16, die in diesem Bei spiel jeweils flächig rechteckig ausgeführt sind und nebenei nander angeordnet sind, auch andere Formen von Chips diesbezüg lich möglich, beispielsweise hexagonal. Auf einem Wafer 12 kön nen auf einer Fläche von beispielsweise 16 Zoll oder 18 Zoll
10 eine Vielzahl solcher nebeneinander angeordneter LEDs 16 vor gesehen sein.
Vor einem Transferprozess sind diese LEDs 16 mechanisch lösbar auf dem Wafer 12 angeordnet. Dies bedeutet, dass sie durch ein Stempelwerkzeug 18 abgezogen werden können. Im hier gezeigten
15 Beispiel sind die LEDs 16 an ihrer Unterseite teilweise vom Wafer 12 gelöst (nicht zu sehen) und werden nunmehr durch Auf nahmeelemente 20 gehalten. Die hier durch die Draufsicht rund erscheinenden Aufnahmeelemente können beispielsweise säulenar tig oder pfahlartig mit beispielsweise rundem, eckigem oder
20 elliptischem Querschnitt aus einem darunterliegenden Trägersub strat 22 hergestellt sein. Wie gezeigt ist die hier in der Mitte dargestellte LED 16 durch insgesamt drei Aufnahmeelemente 20 in seiner Position gehalten. Insbesondere durch die drei Auflage punkte kann eine Koplanarität, also eine aus Sicht der Kräfte
25 verteilung stabile gleiche ebene Anordnung in derselben Ebene wie die anderen LEDs 16 erreicht werden. Zwei der Aufnahmeele mente 20 nehmen jeweils zwei LEDs 16 an ihren Ecken oder Kanten auf .
BO In den folgenden Figuren 3A bis Figur 3D ist jeweils eine ver tikale Schnittdarstellung (siehe Linie 24 in Figur 2) für ver schiedene Möglichkeiten der Ausgestaltung einer Trägerstruktur 10 gezeigt. Ein Wafer 12 oder allgemein ein Trägermaterial oder Bondingmaterial dient als Basis zur mechanischen Stabilisierung und zur Aufnahme weiterer Komponenten wie elektrischer Verbin dungen, elektronischer Steuerelemente und Ähnlichem. Vertikal darüber ist ein erster Release Layer 26 angeordnet. Der Release- Layer 26 dient dazu, eine kontrollierte Delamination, also durch eine definierte Zugkraft gewolltes und kontrolliertes Ablösen der Schichten voneinander zu ermöglichen. Weiterhin kann ein solcher Layer als Ätz-Stopp-Layer dienen, um angrenzende Schich ten bei einem Ätzvorgang unverändert zu belassen. Dies kann beispielsweise einen Bruchvorgang, wie er bislang im Stand der Technik verwendet wurde, durch ein Ablösen ersetzen, bei dem keine störenden Rückstände an der LED verbleiben.
Weiterhin vorgesehen ist ein Sacrificial Layer 28, der auch als Opferschicht bezeichnet wird. Hintergrund ist, dass beispiels weise Silizium als Material für solche Schichten verwendet wird, dass dann in einem Prozessschritt durch chemische Verfahren entfernt werden kann, um beispielsweise die LED 16 vom darun terliegenden Wafer 12 zu trennen. Die LED 16 weist weiterhin einen Kontaktpad 30 auf, der hier beispielsweise einen halblei tertechnisch aktiven Bereich, wie beispielsweise einen p-n- Übergang aufweisen kann. Beispielhaft ist in Figur 3A und Figur 3B der Querschnitt einer LED 16 gezeigt, die eine Epitaxie schicht 32 aufweist. Diese Epitaxieschicht 32 kann zusätzlich durch einen weiteren zweiten Release Layer 34 ergänzt werden, der zwischen Opferschicht 28 und Epitaxieschicht 32 gebildet ist. Dieser zweite Release Layer 34 kann je nach Ausführungs variante an verschiedenen Stellen angeordnet sein.
In Figur 3A und 3B ist jeweils eine Ausführungsvariante gezeigt, wo ein Aufnahmeelement 20 als pfahlartige, säulen- oder pfos tenartige Erhebung aus dem Wafer 12 einstückig vertikal zwischen zwei LEDs 16 durch die Opferschicht 28 ragt und vor der Epita xieschicht 32 endet. Die Epitaxieschicht 32 läuft hier nach oben eng zu und bildet dadurch einen V-förmigen Mesagraben 38 (siehe dazu auch Figuren 3C und 3D als Alternative) aus. Während in Figur 3A der zweite Release Layer 34 bis an eine Seitenfläche oder teilweise Unterseite des Kontaktpads 30 heranreicht, endet in Figur 3B der zweite Release Layer 34 in horizontaler Richtung vor dem Kontaktpad 30, wobei die Opferschicht 28 den verblei benden Spalt ausfüllt. Über den Mesagraben 38, also den Zwi schenraum zwischen zwei LEDs 16, kann dann beispielsweise eine gasförmige oder flüssige Ätzsubstanz an die Opferschicht 28 gelangen .
In Figur 3B ist die Delaminierungsschicht auf der freiliegenden Oberfläche des Aufnahmeelements durch den Ätzprozess ebenfalls mit entfernt. Durch Steuerung des Ätzprozess kann die Entfernung der Delaminierungsschicht selektiv eingestellt werden. Bei spielsweise kann die Delaminierungsschicht bezüglich dem ver wendeten Ätzprozess eine deutlich geringere Ätzgeschwindigkeit als für die Opferschicht 28 aufweisen. Dadurch kann eine voll ständige Entfernung der Opferschicht sichergestellt sein, ohne die Delaminierungsschicht oder das Trägersubstrat durch den Ätzprozess zu stark anzugreifen. In einer alternativen Ausge staltung, die hier jedoch nicht zu sehen ist, wird der Ätzpro zess auch verwendet, durch die Delaminierungsschicht und in das Aufnahmeelement hineinzuätzen. Mit anderen Worten wird die trichterförmige Aussparung zwischen den beiden LEDs in dem Auf nahmeelement fortgesetzt. Es ergibt sich damit für das Aufnah meelement eine V—oder U-förmige Vertiefung, und es bleiben zwei Säulen übrig, auf denen die LEDs liegen. Die Tiefe einer solchen Ätzung im Aufnahmeelement kann ebenfalls durch den Prozess ein gestellt sein. Generell wird dabei jedoch nicht das ganze Auf nahmeelement durchgeätzt. Vielmehr wird das Aufnahmeelement nur noch bis zur Hälfte seiner Höhe oder weniger geätzt, so dass eine ausreichende Stabilität der Aufnahmeelemente gewährleistet bleibt. Insbesondere ist sichergestellt, dass die übrigbleiben den Säulen beim Abnehmen der LEDs nicht brechen, sondern die LED über eine Überwindung der Haftkraft der Delaminierungs schicht abgehoben wird.
In Figur 3C und 3D ist eine weitere Ausführungsvariante, ins besondere in Bezug auf die Ausführung des Aufnahmeelementes 20, gezeigt. Hierbei ragt das Aufnahmeelement 20 jeweils von der Ebene des Wafers 12 ausgehend einstückig durch die Opferschicht 28 bis zu einer gegenüberliegenden Seite der Trägerstruktur 10. Dabei ist das Aufnahmeelement 20 an seinem oberen Ende schräg zulaufend bzw. mit schrägen LED-Halteflächen 36 ausgeführt, was ein leichteres Abheben der LEDs 16 bei gleichzeitigem sicherem Sitz auf dem Wafer 12 erlauben kann. In Figur 3D endet, gemäß einem Beispiel, das Aufnahmeelement 20 vor dem Ende der Epita xieschicht 32 in vertikaler Richtung. Das Kontaktpad 30 verbin det die in der LED innenliegende Schichten und insbesondere die lichtemittierende Schicht. Wie in Figuren 3B und 3D gezeigt, ist das Kontaktpad 30 jeweils das vertikal am weitesten unten liegende Element und kann dadurch in direkten mechanischen und somit elektrischen Kontakt mit einem elektrischen Kontaktele ment (nicht gezeigt) auf einer Trägerfläche des Displays oder des Moduls, gegebenenfalls ohne zusätzliches überbrückendes Lot oder leitfähigem Kleber, gelangen. Ein Kontaktpad 30 kann bei spielsweise Kantenlängen in Bereich von 20 bis 100 pm aufweisen.
Figur 3E zeigt schließlich eine Ausgestaltung, bei der das Auf nahmeelement deutlich verbreitert ist und sich die Delaminie rungsschicht über die Oberfläche des Aufnahmeelements vollstän dig erstreckt. Wie in den Figuren 3C und 3D gezeigt, erstreckt sich Opferschicht 28 durch den trichterförmigen Bereich zwischen den einzelnen LEDs mit ihrer Epitaxie 32. Jede LED umfasst eine Epitaxie deren lateralen Abmessungen an der Lichtaustrittseite größer ist als an der dem Kontaktpad 32 zugewandten Seite. Mit anderen Worten, die LEDs verbreitern sich ausgehend von der Seite mit dem Kontaktpad 32.
Dadurch ergibt sich eine Schräge, die in der dargestellten Schnittstruktur „umgedreht" V-förmig ausgestaltet ist. Auf der Oberfläche der Flächen der Epitaxieschicht 32, insbesondere an den den Trichter bildenden schrägen Seiten und an der das Kon taktpad enthaltenen Oberfläche ist ein weitere Schicht 34 auf gebracht. Diese dient als Ätzstop und erzeugt mit der Delami nierungsschicht 26 zusammen eine definierte Haftkraft. Zum Ab heben wird nun durch Plasmaätzen, gasförmiges Ätzen oder einen anderen Prozess, die Opferschicht 28 in den V-förmigen Bereichen zwischen den LEDs und darunter entfernt, so dass die Chips lediglich mit ihrer Schicht 34 auf der Delaminierungsschicht der Aufnahmeelemente aufliegt.
In Figur 4 und Figur 5 ist jeweils ein Beispiel einer Trä gerstruktur 10 mit beispielhaft 24 LEDs 16 gezeigt, die in einer Matrix auf einem Wafer (nicht gezeigt) angeordnet sind. In Figur 4 sind insgesamt 17 Aufnahmeelemente 20 gezeigt. Diese sind teilweise in einem Mesagraben 38 zwischen jeweils zwei benach barten LEDs 16 angeordnet, teilweise auch an Ecken der jewei ligen LEDs 16. Diese Anordnung kann dazu führen, dass insgesamt weniger Aufnahmeelemente 20 als eine Gesamtzahl an LEDs 16 not wendig sind. Zusätzlich kann ein Aufnahmeelement 20 im hier gezeigten Beispiel bis zu vier angrenzende LEDs 16 stützen oder aufnehmen .
In Figur 5 sind die Aufnahmeelemente 20 in ihrer Grundfläche nicht rund wie in Figur 156 ausgeführt, sondern weisen eine rechteckige oder quadratische Grundfläche auf. Dies bedeutet, dass die Kontaktflächen 36, mit der das Aufnahmeelement an der- LED 16 anliegt, sich ändert. Dies kann eine stabile Aufnahme der LED 16 gewährleisten, selbst wenn sich die LED 16 in seiner Lage leicht in x-Richtung oder y-Richtung verschiebt. Mit an deren Worten bleibt eine Gesamtkontaktfläche aus allen Kontakt flächen 36 an der LED 16 auch bei kleineren Verschiebungen in lateraler Richtung gleich oder zumindest annähernd gleich. Wei terhin können die Aufnahmeelemente 20 auch am äußeren Rand einer Trägerstruktur 12 angeordnet sein und an einer äußeren Seiten fläche einer LED 16 angreifen. Beispielhaft ist hier erkennbar, dass genau drei Auflagepunkte für dieselbe LED eine besonders stabile räumliche Stabilisierung bieten können. Auch hier kann ein Aufnahmeelement 20 zwei oder mehr angrenzende LEDs 16 ab stützen und so durch eine Mehrfachnutzung Platzbedarf und somit Kosten senken. In den gezeigten Beispielen ist die Auflagefläche gegenüber der Chipfläche stark vergrößert dargestellt. In prak- tischen Implementierungen ist die Auflagefläche deutlich klei ner, damit die Haftkraft verringert ist, so dass die Delamina- tionsschicht am Träger verleibt und nicht abreißt.
Figur 6A zeigt eine Ausführung, bei der mehrere LEDs 16 mono lithisch auf einem Trägersubstrat hergestellt wurden. Jede LED hat die Form eines Hexagons, d.h. 6 Seitenflächen, die jeweils einer Seitenfläche einer benachbarten LED gegenüberliegen. Die Ecken der einzelnen LEDs liegen jeweils auf einem Aufnahmeele ment 20 auf. Zudem ist eine Flankenstrukturierung vorgenommen, d.h. es sind Gräben geätzt worden, so dass die LED lediglich von den Aufnahmeelementen gehalten werden. Jede LED umfasst einen zentral angeordneten und runden aktiven Bereich 2a. der Bereich kann verschieden groß gewählt werden. In diesem Beispiel ist er allerdings von einem Bereich 2b umgeben, dessen Durch messer im Wesentlichen dem Abstand zweier gegenüberliegender Seitenflächen einer LED entspricht. Mit anderen Worten reicht der Bereich jeweils an die Seitenflanke einer jeden hexagonalen Struktur der LEDs, die Ecken einer jeden LED umfassen hingegen den Bereich 2b gerade nicht.
Figur 6B zeigt eine weitere Ausführungsform, die durch eine verbesserte Maskenstrukturierung erzeugt wurde. Hintergrund dieser Ausführung ist es, die Anzahl der benötigten Fotomasken und Transferschritte zu reduzieren. In dieser Ausführung wurde eine Fotomaske gewählt, welche zu kleineren Ausbuchtungen an den Ecken führt. Dadurch entsteht diese leicht veränderte Struk tur .
In den hier dargestellten Beispielen sind die LEDs mittels ver schiedener Halbleitertechniken gefertigt. Der Wafer, auf den transferiert wird, kann Kontaktflächen haben, so dass ein elektrischer Kontakt möglich ist. Ebenso können in diesem Wafer bereits Ansteuerung, Stromquellen und andere Elemente vorhanden sein. Die so transferierten LEDS werde anschließend in einigen Ausführungen weiterbearbeitet. Beispielsweise wird eine Konver- terschicht oder ein lichtformendes Element auf die LED aufge bracht. Grundsätzlich wurden in diesen Ausführungen einzelne LEDs transferiert. Jedoch ist das Verfahren nicht auf solche beschränkt. Ebenso können die vorstehenden Module mit diesen Trägerstrukturen geformt sein, um eine einfachere Transferie rung derartiger Module zu ermöglichen. Dabei werden die Säulen bzw. die Trägerelemente geformt nachdem bekannt ist welche Größe die Module haben sollen.
BEZUGSZEICHENLISTE
10 Trägerstruktur
12 Wafer
14 Trägerfläche eines Displays
5, 16 Mikrochip
18 Stempel/Stempelwerkzeug
20 Aufnahmeelement
22 Trägersubstrat
24 Schnitt (vertikal)
10, 26 Delaminierungsschicht, Delaminationsschicht
28 Sacrificial Layer, Opferschicht
30 Emitterchip
32 Epitaxieschicht
34 Zweiter Release Layer
15, 36 Mikrochip-Halteflächen
38 Mesagraben

Claims

ANSPRÜCHE
1. Trägerstruktur mit flächigen optoelektronischen Bauelemen ten, insbesondere LEDs, aufweisend - ein flächiges Trägersubstrat, und
- mindestens zwei Aufnahmeelemente, ausgeführt sind, eine erste LED derart zwischen den mindestens zwei Aufnahmeelementen lös bar festzuhalten, sodass die LED mit einer definierten Mindest kraft senkrecht zu einer Trägerstrukturebene herausbewegt wer- den kann; wobei wenigstens ein Aufnahmeelement der mindestens zwei Aufnahmeelemente ausgeführt ist, gleichzeitig ein zweiten, benachbart angeordnete LED mit festzuhalten und/oder abzustüt zen .
2. Trägerstruktur nach Anspruch 1, wobei die Aufnahmeelemente derart am Trägersubstrat angeordnet sind, dass das optoelekt ronische Bauelement von drei Aufnahmeelementen gehalten wird.
3. Trägerstruktur nach Anspruch 1, wobei wenigstens zwei Auf nahmeelemente der drei Aufnahmeelementen ausgeführt sind, je weils eine weiteres benachbart angeordnetes Bauelement mit fest- zuhalten und/oder abzustützen.
4. Trägerstruktur nach einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei eine Delaminationsschicht vorgesehen ist, die zwischen Aufnahmeele ment und optoelektronischem Bauelement angeordnet ist und ins besondere nach dem Herausbewegen des Bauelements am Aufnahme- element verbleibt.
5. Trägerstruktur nach einem der vorherigen Ansprüche, wobei die Aufnahmeelemente in einem Mesagraben eines Halbleiterwafers angeordnet sind.
6. Trägerstruktur nach einem der vorherigen Ansprüche, wobei das Trägersubstrat und die Aufnahmeelemente einstückig ausge führt sind.
7. Trägerstruktur nach einem der vorherigen Ansprüche, wobei die Aufnahmeelemente ausgeführt sind, ein optoelektronisches Bauelement seitlich und von einer Unterseite des Bauelements zu halten .
8. Trägerstruktur nach einem der vorherigen Ansprüche, wobei die Aufnahmeelemente relativ zur Trägersubstratebene schräg wegführende Bauelement-Halteflächen aufweisen, sodass sich beim Herausbewegen des Bauelements weg von den Aufnahmeelementen eine Haltekraft auf das optoelektronische Bauelement verringert.
9. Trägerstruktur nach einem der vorherigen Ansprüche, wobei mindestens eines der Aufnahmeelemente ausgeführt ist, einen la teralen Eckbereich oder Seitenfläche eines optoelektronisches Bauelements aufzunehmen.
10. Trägerstruktur nach einem der vorherigen Ansprüche, wobei eine Auflagefläche zwischen Aufnahmeelement und optoelektroni sches Bauelement kleiner als 1/20, insbesondere kleiner als 1/50 als eine Gesamtfläche de Bauelements ist.
11. Trägerstruktur nach einem der vorherigen Ansprüche, bei dem auf dem wenigstens einen Aufnahmeelement teilweise die erste optoelektronische Bauelement und ein zweites optoelektronisches Bauelement aufliegt und zwischen erstem und zweitem optoelekt ronischem Bauelement ein Teil der Oberfläche des Aufnahmeele ments freiliegt oder sich zwischen dem ersten und zweiten opto elektronischem Bauelement erhebt.
12. Optoelektronisches Bauelement mit einem Halbleiterschich tenstapel, welcher eine aktive Schicht umfasst und die auf einer Trägerstruktur nach einem der vorherigen Ansprüche angeordnet ist .
13. Optoelektronisches Bauelement nach Anspruch 12, wobei das optoelektronische Bauelement einen durch den Mesagraben ausge bildeten Randbereich aufweist, wobei die aktive Schicht in dem Randbereich eine durch Quantenwellintermixing vergrößerte Band lücke aufweist.
14. Optoelektronisches Bauelement nach einem der vorherigen An sprüche, bei dem ein Randbereich eine Ausstülpung aufweist, die auf der Trägerstruktur angeordnet ist.
15. Verfahren zur zum Transfer wenigstens zweier optoelektro- nischer Bauelemente, insbesondere LEDs, wobei die wenigstens zwei optoelektronischen Bauelemente auf einem gemeinsamen Auf nahmeelement eines Trägers angeordnet sind und der Träger eine Opferschicht umfasst auf dem die optoelektronischen Bauelementn angeordnet sind, umfassend die Schritte: - Entfernen der Opferschicht auf dem die optoelektronischen
Bauelemente angeordnet sind, so dass die optoelektronischen Bauelemente vom gemeinsamen Aufnahmeelement gehalten werden;
- Abnehmen wenigstens eines der wenigstens zwei optoelektroni schen Bauelemente von dem gemeinsamen Aufnahmeelement.
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