WO2019138734A1 - 表示装置 - Google Patents

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WO2019138734A1
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WO
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tft
oxide semiconductor
display device
substrate
polysilicon
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PCT/JP2018/044508
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French (fr)
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明紘 花田
伊藤　友幸
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株式会社ジャパンディスプレイ
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    • H10K77/111—Flexible substrates

Definitions

  • the present invention relates to a display device, and more particularly to a flexible display device capable of bending a substrate.
  • the organic EL display device and the liquid crystal display device can be used by being flexibly bent by thinning the display device.
  • the substrate forming the element is formed of thin glass or thin resin.
  • the organic light emitting layer is driven by a drive transistor by a TFT (Thin Film Transistor). If noise intrudes into the drive transistor, the threshold of the drive transistor changes, and accurate luminance can not be reproduced.
  • TFT Thin Film Transistor
  • a flexible organic EL display can be formed by forming the substrate of the organic EL display with a resin such as polyimide.
  • a resin such as polyimide.
  • luminance fluctuation occurs when the organic EL display device is operated for a long time as compared with the case of a glass substrate. It is considered that this luminance fluctuation is a result of charge distribution occurring in the resin substrate by operating for a long time, and charging of the resin in the vicinity of the drive transistor affects the characteristics of the drive transistor.
  • the TFT formed of an oxide semiconductor has a feature that the leakage current is small. Therefore, low frequency driving is possible, and power consumption can be reduced. However, there is also a problem that a TFT using an oxide semiconductor is easily affected by fixed charge that is organic on a substrate or the like.
  • TFT Low-temperature polysilicon
  • LTPS Low Temperature Poly-Silicon
  • TFT using LTPS is a peripheral of a scanning line driving circuit etc. It is rational to use a TFT using an oxide semiconductor as a drive transistor or a switching transistor in a pixel region for a driver circuit, which is called a hybrid structure in this specification as polysilicon. Although described in the case of low temperature polysilicon, the same applies to other polysilicon.
  • a TFT using LTPS and a TFT using an oxide semiconductor are manufactured in a continuous process.
  • the two types of TFTs need to be configured in consideration of alleviation of the influence of charging and light shielding from the backlight.
  • the object of the present invention is to rationalize these problems in a configuration in which the influence of substrate charging is suppressed when a resin substrate is used, a configuration in which the influence of extraneous light on TFT is suppressed, and a hybrid structure. It is to realize a configuration that can be solved.
  • the present invention overcomes the above-mentioned problems, and representative means are as follows.
  • a display device having a first TFT formed of an oxide semiconductor on a substrate formed of a resin and a second TFT formed of a first polysilicon, and the first TFT The second TFT is formed in a place not overlapping in plan view, and the second TFT is formed closer to the substrate in cross section than the first TFT, and the oxide semiconductor and the substrate are formed. Between the first polysilicon and the second polysilicon formed on the same layer as the first polysilicon is formed.
  • a display device in which a first TFT formed of an oxide semiconductor is present on one surface of a substrate formed of a resin, the area being overlapped with the oxide semiconductor in a plan view.
  • a first conductive film is formed in contact with the substrate, a base film made of an inorganic material is formed on the first conductive film, the oxide semiconductor has a channel length and a channel width, and
  • a second TFT made of polysilicon is formed on the substrate in a place different from the first TFT in plan view, and the second TFT has a cross section than the first TFT.
  • the display device according to (2) which is formed close to the substrate.
  • FIG. 5 is a plan view of the vicinity of a TFT according to the present invention.
  • FIG. 10 is a cross-sectional view of the vicinity of a TFT according to Example 2.
  • FIG. 14 is a cross-sectional view of the vicinity of a TFT according to a second form of Example 2;
  • FIG. 18 is a cross-sectional view of the vicinity of a TFT according to the third form of Example 2;
  • FIG. 20 is a cross-sectional view of the vicinity of a TFT according to the fourth form of Example 2;
  • It is a top view of a liquid crystal display. It is sectional drawing of the display area of a liquid crystal display device. It is an example of the voltage applied to a scanning line.
  • FIG. 1 is a plan view of an organic EL display device having a flexible substrate 100 to which the present invention is applied.
  • a display area 10 and a terminal area 30 exist.
  • scanning lines 11 extend in the lateral direction (x direction) and are arranged in the longitudinal direction (y direction).
  • the video signal lines 12 extend in the vertical direction and are arranged in the horizontal direction.
  • the power supply lines 13 extend in the vertical direction and are arranged in the horizontal direction.
  • Pixels 14 are formed in a region surrounded by the scanning line 11 and the video signal line 12 or the power supply line 13.
  • a terminal area 30 is formed in a portion other than the display area 10, and a driver IC 31 is mounted in the terminal area 30.
  • the video signal is arranged in the driver IC 31 and supplied to the display area 10.
  • a flexible wiring board 32 for supplying power and signals to the organic EL display device is connected to the terminal area 30.
  • scanning line driving circuits 20 are formed on both sides of the display area 10. Further, a current supply region 21 is formed on the upper side (the upper side in the y direction) of the display region 10. The current is supplied from the flexible wiring board 31 connected to the terminal area 30 to the current bus line, and the current bus line is wired to the current supply area 21 on the upper side (upper side in the y direction) of the display area 10. Then, current is supplied from the current supply region 21 to each pixel 14 by the power supply line 13. This is to avoid concentration of the wiring below the display area 10.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view showing an example of the layer structure of the display area of the organic EL display device shown in FIG.
  • the glass substrate 90 may be used as a support substrate, but in the present invention, it is removed after the flexible display device is completed. That is, since the process can not be conducted only with the resin substrate, in the manufacturing process, each element of the organic EL display device is formed on the glass substrate, and the glass is formed by laser ablation after the organic EL display device is completed. The substrate 90 is removed.
  • a TFT substrate 100 formed of resin is formed on a glass substrate 90.
  • Polyimide is used for the resin.
  • Polyimide has excellent properties as a substrate of a flexible display device due to mechanical strength, heat resistance and the like.
  • the resin substrate is described as a polyimide substrate.
  • the polyimide material containing a polyamic acid is applied by a slit coater, a rod coater, an ink jet or the like, fired, imidized and solidified.
  • the thickness of the polyimide substrate 100 is 10 ⁇ m to 20 ⁇ m.
  • polyimide is more easily charged than glass. This phenomenon is presumed to be due to the movement of charge by the potential of the electrode formed on polyimide, since polyimide is not a perfect insulator like glass.
  • a base film 101 is formed on the TFT substrate 100. This is to prevent moisture and impurities from polyimide from contaminating the semiconductor layer 107 and the organic EL layer.
  • the base film 101 is formed of, for example, a laminated film of three layers in which silicon nitride (SiN) is sandwiched by silicon oxide (SiO). In addition to this, aluminum oxide (AlOx) may be used.
  • the semiconductor layer 107 is formed on the base film 101.
  • the semiconductor layer 107 is formed of, for example, an oxide semiconductor.
  • the oxide semiconductor 107 can be formed at a temperature of approximately 350 ° C. which is a heat resistant temperature of polyimide.
  • the oxide semiconductors 108 those which are optically transparent and not crystalline are referred to as TAOS (Transparent Amorphous Oxide Semiconductor).
  • TAOS includes IGZO (Indium Gallium Zinc Oxide), ITZO (Indium Tin Zinc Oxide), ZnON (Zinc Oxide Nitride), IGO (Indium Gallium Oxide), and the like. In the present invention, an example in which IGZO is used for the oxide semiconductor 107 is described.
  • a gate insulating film 108 is formed to cover the semiconductor layer 107, and a gate electrode 109 is formed on the gate insulating film 108.
  • the gate electrode 109 is formed of, for example, MoW or the like. However, in order to reduce the resistance, a configuration in which Al is sandwiched by Ti or the like is used. After that, ion implantation of Ar atoms or the like is performed using the gate electrode 109 as a mask to form the drain 1071 and the source 1072 in the semiconductor layer 107. In the semiconductor layer 107, a portion immediately below the gate electrode 109 is a channel.
  • An interlayer insulating film 110 is formed to cover the gate electrode 109.
  • the drain electrode 111 and the source electrode 112 are formed on the interlayer insulating film 110.
  • a through hole 131 is formed in the interlayer insulating film 110 and the gate insulating film 108, a drain electrode 111 and a drain 1071 are connected, a through hole 132 is formed, and a source electrode 112 and a source 1072 are connected.
  • An organic passivation film 120 is formed to cover the drain electrode 111, the source electrode 112, and the interlayer insulating film 110.
  • the organic passivation film 120 is formed of a transparent resin such as acrylic. Since the organic passivation film 120 also serves as a planarization film, it is formed thick as 2 ⁇ m to 4 ⁇ m.
  • the reflective film 1211 and the anode 1212 are stacked on the organic passivation film 120.
  • the stacked body of the reflective film 1211 and the anode 1212 is referred to as a lower electrode 121.
  • the reflective film 1211 is formed of, for example, silver having a high reflectance
  • the anode 1212 is formed of ITO (Indium Tin Oxide).
  • the through hole 130 is formed in the organic passivation film 120, and the source electrode 112 and the lower electrode 121 are connected.
  • a bank 122 is formed to cover the lower electrode 121.
  • the bank 122 is formed of a transparent resin such as acrylic.
  • the role of the bank 122 is to prevent the organic EL layer 123 formed on the lower electrode 121 from being disconnected due to the end of the lower electrode 121 and to partition each pixel.
  • the organic EL layer 123 is formed in the hole formed in the bank 120.
  • the organic EL layer 123 is formed of a plurality of layers such as a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, an electron injection layer, and each layer is a very thin film of about several nm to 100 nm.
  • An upper electrode (cathode) 124 is formed to cover the organic EL layer 123.
  • the cathode is commonly formed on the entire display area.
  • the cathode 124 is formed of a transparent conductive film such as IZO (Indium Zinc Oxide), ITO (Indium Tin Oxide) or the like, and may also be formed of a thin film of a metal such as silver.
  • a protective film 125 is formed of SiN using CVD to cover the cathode 124. Since the organic EL layer 123 is weak to heat, CVD for forming the protective film 125 is formed by low temperature CVD at about 100.degree. In addition to this, a transparent resin film such as acrylic may be laminated on the protective film 125 for mechanical protection.
  • the screen reflects ambient light because the reflective electrode 1211 is present.
  • a polarizing plate 127 is disposed on the surface to prevent reflection by external light.
  • the polarizing plate 127 has an adhesive material 126 on one side, and is adhered to the organic EL display device by pressure bonding to the protective film 125.
  • the thickness of the adhesive material 126 is about 30 ⁇ m, and the thickness of the polarizing plate 127 is about 100 ⁇ m.
  • the interface between the TFT substrate 100 and the glass substrate 90 made of polyimide is irradiated with a laser to remove the glass substrate 90 from the TFT substrate 100.
  • a flexible display device having a resin substrate is completed.
  • FIG. 3 and FIG. 4 are diagrams for explaining the mechanism in which the source current fluctuates in the drive TFT, taking the organic EL display device as an example.
  • FIG. 3 is an example of an equivalent circuit of the pixel portion of the organic EL display device.
  • the scanning lines 11 extend in the lateral direction.
  • the cathode line 124 extends in the lateral direction, this is a representation on an equivalent circuit, and the cathode 124 is formed on the entire surface to cover the display area 10 as described in FIG. .
  • the video signal line 12 extends in the vertical direction
  • the power supply line 13 extends in the vertical direction.
  • An area surrounded by the scanning line 11 and the video signal line 12 or the power supply line 13 is a pixel.
  • the drain of the switching transistor T 1 is connected to the video signal line 12, and the gate is connected to the scanning line 11.
  • the drain of the drive transistor T2 is connected to the power supply line 13, and the source is connected to the organic EL layer EL.
  • the gate of the drive transistor T2 is connected to the source of the switching transistor T1. Further, a storage capacitor Cs is connected between the gate and the source of the drive transistor T2.
  • the switching transistor T1 receives a scanning signal
  • a video signal is stored in the storage capacitor Cs through the switching transistor
  • the drive transistor T2 is driven in the organic EL layer EL according to the potential due to the charge stored in the storage capacitor Cs.
  • Supply current The transistor described in FIG. 2 is the drive transistor T2 in FIG. Since one electrode of the drive transistor T2 is one electrode of the storage capacitor Cs, the area is large, and the gate electrode 109 of the drive transistor T2 is largely affected by the polyimide that constitutes the TFT substrate 100.
  • FIG. 4 is a schematic cross-sectional view of the vicinity of the drive transistor.
  • a polyimide substrate 100 is formed on a glass substrate 90, and a base film 101 is formed thereon.
  • the semiconductor layer 107 is formed on the base film 101.
  • the semiconductor layer 107 is formed of, for example, an oxide semiconductor.
  • a gate insulating film 108 is formed on the semiconductor layer 107, and a gate electrode 109 is formed thereon.
  • a portion corresponding to the portion immediately below the gate electrode 109 is a channel, and the other portion is a source or drain.
  • the gate electrode 109 of the drive transistor extends to the other region and becomes one electrode of the storage capacitance Cs.
  • To display an image continuously on the organic EL display means to apply a DC voltage to the gate electrode 109 continuously.
  • Applying a voltage to the gate electrode 109 means that a DC voltage is continuously applied to one electrode of the storage capacitor Cs which is at the same potential.
  • the area of the storage capacitor Cs electrode is larger than the area of the gate electrode 109.
  • FIG. 4 shows that the polyimide substrate 100 in the vicinity of the TFT is positively charged as a result of the negative charge moving to one electrode side of the storage capacity through the resistance Rpi of the polyimide. Then, the source current of the TFT fluctuates under this influence.
  • Such characteristic variation of the TFT due to the influence of the charge of the substrate 100 is particularly remarkable in a TFT using an oxide semiconductor.
  • a TFT using the oxide semiconductor 107 has a feature that the leakage current is small. This means that the potential of the pixel electrode can be stably held for a long time. Therefore, low frequency driving can be performed and power consumption can be reduced by using the oxide semiconductor 107 for the TFT. However, the mobility of the oxide semiconductor 107 may not be sufficient to form a peripheral driver circuit.
  • LTPS has a large mobility.
  • LTPS has a problem in that the amount of leakage current is larger than that of an oxide semiconductor. Therefore, it is rational to use a TFT of an oxide semiconductor as a drive TFT or a switching TFT in a pixel and a TFT of LTPS to a peripheral drive circuit. This configuration is called a hybrid structure.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view showing a configuration in the vicinity of a TFT in the case where a TFT of the oxide semiconductor 107 and a TFT of the LTPS 102 are formed on the same substrate 100.
  • the TFTs using the oxide semiconductor 107 are formed in the display region, and the TFTs using the LTPS 102 are formed in the peripheral drive circuit. Therefore, both TFTs are actually disposed apart, but in FIG.
  • the TFT by LTPS 102 and the TFT by oxide semiconductor 107 are described side by side.
  • the left side is a TFT according to the LTPS 102
  • the right side is a TFT according to the oxide semiconductor 107.
  • a TFT substrate 100 formed of polyimide is formed on a glass substrate 90, and a base film 101 is formed thereon.
  • the configuration of the base film 101 is as described in FIG.
  • a semiconductor layer 102 of LTPS is formed on the base film 101.
  • LTPS first, a-Si is deposited on the base film 101 by CVD, and the a-Si film is converted to polysilicon by irradiating an excimer laser.
  • the LTPS is formed to a thickness of about 50 nm.
  • a first gate insulating film 103 is formed to cover the LTPS 102, and a first gate electrode 104 is formed thereon.
  • the gate electrode 104 is formed of, for example, a metal or an alloy such as Mo or MoW, or a laminated film such as Ti—Al—Ti.
  • a channel is formed in a portion corresponding to the gate electrode 104 of the LTPS 102, and a drain and a source are formed on both sides thereof.
  • a first interlayer insulating film 105 made of, for example, silicon nitride (SiN) and a second interlayer insulating film 106 made of silicon oxide (SiO) are formed to cover the first gate electrode 104.
  • the first interlayer insulating film 105 is preferably formed of SiN.
  • the oxide semiconductor 107 formed on the right side of FIG. 5 is in contact with SiN, the characteristics thereof are changed by hydrogen supplied from the SiN.
  • the second interlayer insulating film 106 is formed of SiO.
  • an oxide semiconductor 107 is formed of, for example, IGZO on the second interlayer insulating film 106.
  • the thickness of the oxide semiconductor 107 is, for example, 10 nm to 100 nm.
  • a second gate insulating film 108 is formed to cover the oxide semiconductor 107.
  • the second gate electrode 109 is formed over the second gate insulating film 108 above the oxide semiconductor 107.
  • a channel is formed in a portion corresponding to the second gate electrode 109, and a drain 1071 and a source 1072 are formed on both sides thereof.
  • a third interlayer insulating film 110 of SiO is formed to cover the second gate electrode 109. Since the third interlayer insulating film 110 is formed in the vicinity of the oxide semiconductor 107 with the second gate insulating film 108 interposed, oxygen can be supplied to the oxide semiconductor 107 so that the characteristics of the oxide semiconductor 107 can be stabilized. , SiO.
  • the third interlayer insulating film 110, the second gate insulating film 108, the second interlayer insulating film 106, the first interlayer insulating film 105, the first Through holes 115 and 116 are formed in five layers of insulating film of one gate insulating film 103. Also, in order to connect the drain electrode 113 and the source electrode 114 to the TFT on the right side, through holes 117 and 118 are formed in the third interlayer insulating film 110 and the second gate insulating film 108.
  • the through holes 115 and 116 for the LTPS 102 and the through holes 117 and 118 for the oxide semiconductor 107 are simultaneously formed.
  • a boric acid (HF) clean is performed when forming the through holes for LTPS102.
  • an etching stopper made of metal or the like on the portion of the oxide semiconductor 107 corresponding to the through holes 117 and 118. May form a
  • FIG. 5 when the display device is operated, charges are induced in the TFT substrate 100 corresponding to the TFT formed of the oxide semiconductor 107 as described in FIGS. 3 and 4. Due to this charge, characteristics of the TFT due to the oxide semiconductor 107 are changed. Note that in FIG. 4, only the base film 101 exists below the oxide semiconductor 107, and in FIG. 5, the second interlayer insulating film 106, the first interlayer insulating film 105, and the first gate are present below the oxide semiconductor 107. Although the four layers of the insulating film 103 and the base film 101 exist, the phenomenon that charges are induced in the TFT substrate 100 is the same.
  • FIG. 6 is a cross-sectional view of a TFT as a comparative example for solving this problem.
  • the configuration of the TFT according to the LTPS 102 on the left side is the same as that described in FIG.
  • a shield layer 60 is formed below the oxide semiconductor 107 with the second interlayer insulating film 106 and the first interlayer insulating film 105 interposed therebetween.
  • the shield layer 60 is connected to, for example, the ground (GND) potential, and shields the charge induced in the TFT substrate 100 by the shield layer 60.
  • the shield layer 60 may be used as a bottom gate electrode (third gate electrode) in a TFT of an oxide semiconductor by applying a gate voltage.
  • the shield layer 60 is formed of the same metal material as the first gate electrode 104 at the same time as the first gate electrode 104.
  • the shield layer 60 formed of a metal also serves as a light shielding film for light from the back surface of the oxide semiconductor 107.
  • a certain area is required.
  • parasitic capacitances Cgd and Cgs When the area of the shield layer 60 is increased, large parasitic capacitances Cgd and Cgs are generated between the drain 1071 and the source 1072 of the oxide semiconductor 107, as shown in FIG.
  • the parasitic capacitances Cgd and Cgs cause problems such as the gate voltage jumping to the pixel electrode or the anode if the shield layer 60 is used as a bottom gate, and the ground potential (GND) is applied to the shield layer 60.
  • the application of the voltage causes problems such as slowing the operation speed of the TFT.
  • FIG. 7 is a cross-sectional view showing the configuration of the first embodiment of the present invention in which the above is taken.
  • the configuration of the TFT according to the LTPS 102 on the left side is the same as the configuration described in FIG. 5 and FIG.
  • the configuration of the TFT according to the oxide semiconductor 107 on the right side in FIG. 7 is different from that in FIG.
  • the third gate electrode 60 (shield layer 60) formed under the oxide semiconductor 107 has a minimum area for serving as a bottom gate and a light shielding layer for the channel of the oxide semiconductor 107. It has become. Therefore, the charge induced in the TFT substrate 100 does not have a sufficient shielding effect. However, since the area of the third gate electrode 60 is reduced, parasitic capacitances Cgd and Cgs formed between the third gate electrode 60 and the drain 1071 or the source 1072 of the oxide semiconductor can be minimized.
  • a shield layer 50 formed of LTPS has a role as a shield against charges induced on the TFT substrate.
  • the shield layer 50 is simultaneously formed when forming the LTPS 102 for the TFT on the left side in FIG.
  • the shield layer 50 is formed of LTPS, but conductivity is imparted by doping by ion implantation.
  • a ground potential is applied to the shield layer 50.
  • the ground potential is a reference potential, not necessarily the ground potential. That is, the reference potential may be the cathode potential or the like.
  • the shield layer 50 by LTPS is a first gate insulating film in addition to the first interlayer insulating film 105 and the second interlayer insulating film 106 between the drain 1071 and the source 1072 in the oxide semiconductor 107. 103 exist.
  • the parasitic capacitance can be reduced accordingly.
  • the area of the shield layer 50 can be increased to provide a sufficient shielding effect.
  • FIG. 8 is a cross-sectional view showing a process of forming a shield layer 50 by LTPS.
  • the shield layer 50 by LTPS is patterned simultaneously with the LTPS 102 when forming the LTPS TFT. Thereafter, the TFT LTPS 102 and the shield layer 50 LTPS are covered and covered with the first gate insulating film 103. Thereafter, in order to form a channel portion in the LTPS 102, a resist 400 is formed in a portion corresponding to the channel of the LTPS 102.
  • FIG. 8 is a cross-sectional view showing a state in which the drain 1021 and the source 1022 are formed in the LTPS by ion implantation. As shown in FIG. 8, at the same time as forming the drain 1021 and the source 1022 of the TFT, conductivity is given to the LTPS constituting the shield layer 50.
  • the ion implantation shown in FIG. 8 is, for example, doped with phosphorus (P) at 1 ⁇ 10 14 ions / cm 2 . As shown in FIG. 8, no additional process is required to form the shield layer 50 in the present invention.
  • FIG. 9 is a plan view of a TFT formed of the oxide semiconductor 107.
  • a shield layer 50 of LTPS is formed in the lowermost layer.
  • a third gate electrode 60 constituting a bottom gate is present on the shield layer 50, and an oxide semiconductor 107 is formed thereon.
  • the horizontal direction (x direction) is the channel length direction
  • the vertical direction (y direction) is the channel width direction.
  • the lateral width w2 of the shield layer 50 is larger than the lateral width w1 of the third gate electrode.
  • the width w3 of the oxide semiconductor 107 in the lateral direction is larger than the width w2 of the shield layer 50
  • the width w2 of the shield layer 50 is larger than the width w3 of the oxide semiconductor 107 in the shielding effect. The bigger one is better.
  • the vertical width w5 of the shield layer 50 is larger than the width w4 of the oxide semiconductor 107. That is, since the shield layer 50 by LTPS is formed farther from the oxide semiconductor 107 than the third gate electrode 60, the area can be increased.
  • the third gate electrode 60 in FIG. 7 can be omitted.
  • the shield layer 50 by forming the shield layer 50 by LTPS, it is possible to shield the TFT using the oxide semiconductor 107 from the influence of the charge induced on the substrate and to form the shield layer. It is possible to suppress an increase in parasitic capacitance caused by the above.
  • FIG. 10 is a cross-sectional view showing Example 2 of the present invention.
  • LTPS is used as a shield against charges induced on the TFT substrate.
  • three insulating films of the second interlayer insulating film 106, the first interlayer insulating film 105, and the first gate insulating film 103 exist between the oxide semiconductor 107 and the shield layer 50. And parasitic capacitance can be suppressed.
  • the configuration of the second embodiment shown in FIG. 10 is to further reduce the parasitic capacitance between the shield layer 70 and the oxide semiconductor 107 by forming a layer 70 for shielding under the base film 101. is there.
  • a shield layer 70 formed of a conductive material is formed under the base film 101.
  • the conductive material is preferably a metal, and as the metal, for example, the same material as the gate electrode can be used.
  • the embodiment can be used.
  • the distance between the oxide semiconductor 107 and the shield layer 70 can be further increased than in the case of 1.
  • the base film 101 is often formed of three layers of SiO / SiN / SiO, the distance can be further increased.
  • the shield layer 70 When the shield layer 70 is formed of metal, it can also have a role as a light shielding film. If the thickness of the shield layer 70 is, for example, about 50 nm, the shielding effect can be sufficiently obtained. On the other hand, in the case of having a role as a light shielding film, it is desirable that the thickness be about 100 nm.
  • the oxide semiconductor 107 has a channel length and a channel width, and the length of the shield layer 70 in the channel length direction is preferably larger than the length of the oxide semiconductor 107 in the channel length direction.
  • the width in the channel width direction of the shield layer 70 is preferably larger than the width in the channel width direction of the oxide semiconductor 107.
  • FIG. 11 is a cross-sectional view showing a second form of the second embodiment.
  • the shield layer 70 in the present embodiment is formed of metal and has a light shielding effect. Therefore, in the case where the TFT formed of the oxide semiconductor 107 does not require a bottom gate, the third gate electrode 60 having a light shielding effect can be omitted.
  • FIG. 12 is a cross-sectional view showing a third form of the second embodiment. 12 differs from FIG. 10 in that a light shielding film 71 is formed under the LTPS 102.
  • the LTPS 102 is also affected by the charge on the TFT substrate 100.
  • a photocurrent is generated due to the light from the back surface.
  • the shield layer 71 having a shielding effect and a light shielding effect on the charge generated on the TFT substrate 100 is also formed for the LTPS 102.
  • the width of the shield layer 71 is formed so as to cover the channel of the LTPS 102 from the bottom. This is because of the shielding effect of the channel part and the shielding effect of the channel part.
  • the overlap between the shield layer 71 and the drain 1021 and the source 1021 of the LTPS is reduced to prevent the occurrence of parasitic capacitance.
  • FIG. 13 is a cross sectional view showing a fourth embodiment of the second embodiment. 13 differs from FIG. 11 in that the light shielding film 71 is formed under the LTPS 102.
  • the other configuration is the same as that of FIG.
  • the configuration of the light shielding film 71 in FIG. 13 is the same as the configuration of the light shielding film 71 described in FIG. With the configuration of FIG. 13, the influence of charging in the TFT substrate 100 can be reduced not only for the oxide semiconductor 107 but also for the LTPS 102.
  • Examples 1 and 2 are cases where the present invention is applied to an organic EL display device.
  • the present invention can also be applied to liquid crystal display devices. That is, by using a resin substrate such as polyimide, forming a flexible display device is also performed for a liquid crystal display device.
  • the charging of the polyimide is also affected by the switching TFT. That is, the charging of the polyimide affects the threshold voltage (threshold voltage) of the switching TFT, which in turn affects the value of the video signal stored in the pixel.
  • FIG. 14 is a plan view of the liquid crystal display device.
  • the TFT substrate 100 and the counter substrate 200 are bonded by a sealing material 40, and liquid crystal is sealed inside.
  • a display area 10 is formed in a portion where the TFT substrate 100 and the counter substrate 200 overlap.
  • scanning lines 11 extend in the horizontal direction (x direction) and are arranged in the vertical direction (y direction).
  • the video signal lines 12 extend in the vertical direction (y direction) and are arranged in the horizontal direction (x direction).
  • An area surrounded by the scanning line 11 and the video signal line 12 is a pixel 14.
  • a portion where the TFT substrate 100 and the counter substrate 200 do not overlap is a terminal region 30.
  • the driver IC 31 is mounted on the terminal area 30 and the flexible wiring board 32 is connected.
  • FIG. 15 is a cross-sectional view of the pixel portion of the liquid crystal display device in the present invention.
  • the TFT shown in FIG. 15 is a switching TFT
  • the cross-sectional configuration is the same as the drive TFT of FIG. That is, the TFT is a top gate, and an oxide semiconductor is used for the semiconductor layer 107.
  • the structure up to the organic passivation film 120 is the same as that of FIG.
  • a common electrode 150 is formed in a planar shape of ITO on the organic passivation film 120, and a capacitive insulating film 151 is formed of SiN so as to cover the common electrode 150.
  • the pixel electrode 152 is formed of ITO on the capacitive insulating film 151.
  • the pixel electrode 152 has a comb-like planar shape.
  • An alignment film 153 is formed to cover the pixel electrode 152 to initially align the liquid crystal.
  • a storage capacitor is formed with the capacitor insulating film 151 interposed between the pixel electrode 152 and the common electrode 150.
  • the counter substrate 200 is formed with the liquid crystal layer 300 interposed therebetween, and the color filter 201 and the black matrix 202 are formed inside the counter substrate 200.
  • An overcoat film 203 is formed to cover the color filters 201 and the black matrix 202, and an alignment film 204 is formed to cover the overcoat film 203.
  • the TFT substrate 100 and the counter substrate 200 are formed of a resin such as polyimide.
  • the TFT substrate 100 formed of polyimide is formed on a glass substrate, but after the liquid crystal display device is completed, the glass substrate is removed by laser ablation or the like.
  • FIG. 16 is a diagram showing voltages applied to scanning lines in the TFT in the case of the top gate as shown in FIG.
  • VGT is a gate voltage
  • GND is a ground potential
  • Vcom is a potential of the common electrode.
  • SIG indicates the level of the video signal, but this is not necessarily applied to the gate electrode.
  • the gate electrode that is, the scanning line, has a voltage of +9 V only when selected, but -8 V is applied most of the time. Therefore, charges as described in Example 1 are induced on the polyimide substrate.
  • This charge changes the threshold voltage of the switching TFT.
  • the change of the threshold voltage affects the reproducibility of the luminance. Therefore, by using the polyimide as described in Example 1, the amount of charge induced by the scanning line can be suppressed, and the luminance variation due to this can be suppressed. That is, the present invention can be applied to a liquid crystal display device.
  • the influence of the scanning line potential is described using the liquid crystal display device in this embodiment, the influence of the scanning line potential is the same as in the organic EL display device.
  • a liquid crystal display device as well, by adopting a hybrid configuration, the features of a TFT using an oxide semiconductor and a TFT using LTPS can be utilized. That is, an oxide semiconductor is used for the pixel region to reduce leakage current and reduce variation in potential of the pixel electrode.
  • a TFT using LTPS with high mobility in the peripheral drive circuit a high-performance drive circuit can be formed. Also, by applying the present invention to such a liquid crystal display device, the influence of charge-up on the substrate can be reduced, and a liquid crystal display device having stable characteristics can be realized.
  • Opposite substrate 201: color filter, 202: black matrix, 203: overcoat film, 204: alignment film, 300: liquid crystal layer, 301: liquid crystal molecule, 400: resist, 500: charging, 1021: drain, 1022: source, 1071 ... drain, 1 22 ... Source, 1211 ... reflective electrode, 1212 ... anode, T1 ... driving transistor, T2 ... switching transistors, Cs ... storage capacitor, EL ... organic EL layer

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Abstract

本発明の課題は、ポリイミド基板を用いた表示装置において、基板が帯電することによるＴＦＴの特性変動を抑制することである。本発明の概要は、樹脂で形成された基板１００の一方の面に酸化物半導体１０７によって形成された第１のＴＦＴと第１のポリシリコン１０２によって形成された第２のＴＦＴが存在する表示装置であって、前記第１のＴＦＴと前記第２のＴＦＴは平面で視て別な場所に形成され、前記第２のＴＦＴは前記第１のＴＦＴよりも、断面で視て、前記基板１００に近く形成され、前記酸化物半導体１０７はチャネル長とチャネル幅を有し、前記酸化物半導体１０７と前記基板１００の間には、前記第１のポリシリコン１０２と同じ材料で形成され、前記第１のポリシリコン１００が形成されているのと同じ層の上に形成された第２のポリシリコン５０が存在していることを特徴とする表示装置である。

Description

表示装置
　本発明は表示装置に係り、特に基板を湾曲させることができるフレキシブル表示装置に関する。
　有機ＥＬ表示装置や液晶表示装置は表示装置を薄くすることによって、フレキシブルに湾曲させて使用することができる。この場合、素子を形成する基板を薄いガラスあるいは薄い樹脂によって形成する。
　有機ＥＬ表示装置では、ＴＦＴ（Ｔｈｉｎ　Ｆｉｌｍ　Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）による駆動トランジスタによって有機発光層を駆動する。駆動トランジスタにノイズが侵入すると、駆動トランジスタの閾値が変化し、正確な輝度の再現が出来なくなる。
　引用文献１には、トップゲートタイプのＴＦＴを用いて駆動トランジスタを形成した有機ＥＬ表示装置において、外部からのノイズによる駆動トランジスタの閾値の変動を抑えるために、ＴＦＴより下層にシールド用の金属薄膜を用いることが記載されている。
特開２０１７－５０５４５７号公報
　有機ＥＬ表示装置の基板をポリイミド等の樹脂で形成すればフレキシブルな有機ＥＬ表示装置を形成することが出来る。しかし、樹脂を用いた基板では、ガラス基板の場合に比較して、有機ＥＬ表示装置を長時間動作させた場合、輝度変動が生ずることがわかった。この輝度変動は、長時間動作させることによって樹脂基板内に電荷の分布が生じ、駆動トランジスタ付近の樹脂の帯電が駆動トランジスタの特性に影響を与える結果であると考えられる。
　酸化物半導体で構成したＴＦＴは、リーク電流が小さいという特徴を有している。したがって、低周波駆動が可能であり、消費電力の低減を図ることが出来る。しかし、酸化物半導体によるＴＦＴは、基板等に有機された固定電荷による影響を受けやすいという問題もある。
　また、酸化物半導体を用いたＴＦＴを液晶表示装置に用いるような場合は、バックライトからの影響を受けやすい。したがって、遮光層を設けることが必要になる。
　低温ポリシリコン（以後ＬＴＰＳ（Ｌｏｗ　Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ　Ｐｏｌｙ－Ｓｉｌｉｃｏｎという）によるＴＦＴは、リーク電流が比較的大きいが、移動度が高いという特性がある。したがって、ＬＴＰＳを用いたＴＦＴを走査線駆動回路等の周辺駆動回路に用い、酸化物半導体を用いたＴＦＴを画素領域の駆動トランジスタあるいはスイッチングトランジスタとして用いることが合理的である。このような構成をハイブリッド構造と呼んでいる。本明細書では、ポリシリコンとして低温ポリシリコンの場合で説明するが、他のポリシリコンの場合についても同様である。
　ハイブリッド構造においては、ＬＴＰＳを用いたＴＦＴと酸化物半導体を用いたＴＦＴとは連続したプロセスで製造される。この場合、２種類のＴＦＴについて、帯電による影響の軽減、バックライトからの遮光等を考慮した構成とする必要がある。
　本発明の課題は、樹脂基板を用いた場合の、基板の帯電による影響を抑制した構成、外光によるＴＦＴへの影響を抑制する構成、さらには、ハイブリッド構造において、これらの問題を合理的に解決することが出来る構成を実現することである。
　本発明は上記課題を克服するものであり、代表的な手段は次のとおりである。
　（１）樹脂で形成された基板上に酸化物半導体によって形成された第１のＴＦＴと第１のポリシリコンによって形成された第２のＴＦＴを有する表示装置であって、前記第１のＴＦＴと前記第２のＴＦＴは平面で視て重ならない場所に形成され、前記第２のＴＦＴは前記第１のＴＦＴよりも、断面で視て、前記基板に近く形成され、前記酸化物半導体と前記基板の間には、前記第１のポリシリコンと同じ材料で形成され、前記第１のポリシリコンが形成されているのと同じ層の上に形成された第２のポリシリコンが存在していることを特徴とする表示装置。
　（２）樹脂で形成された基板の一方の面に酸化物半導体によって形成された第１のＴＦＴが存在する表示装置であって、平面で視て、前記酸化物半導体と重複した領域に、前記基板と接触して第１の導電膜が形成され、前記第１の導電膜の上に、無機材料からなる下地膜が形成され、前記酸化物半導体はチャネル長とチャネル幅を有し、前記第１の導電膜の前記チャネル長方向の長さは、前記酸化物半導体の前記チャネル方向の長さよりも大きいことを特徴とする表示装置。
　（３）前記基板には、平面で視て、前記第１のＴＦＴとは別な場所にポリシリコンによる第２のＴＦＴが形成され、前記第２のＴＦＴは前記第１のＴＦＴよりも、断面で視て、前記基板に近く形成されていることを特徴とする（２）に記載の表示装置。
有機ＥＬ表示装置の平面図である。 有機ＥＬ表示装置の表示領域の断面図である。 有機ＥＬ表示装置の画素部の等価回路である。 基板の帯電を説明する断面図である。 基板の帯電の影響を説明する断面図である。 比較例によるＴＦＴ付近の断面図である。 本発明によるＴＦＴ付近の断面図である。 本発明の製造プロセスの一部を示す断面図である。 本発明によるＴＦＴ付近の平面図である。 実施例２によるＴＦＴ付近の断面図である。 実施例２の第２の形態によるＴＦＴ付近の断面図である。 実施例２の第３の形態によるＴＦＴ付近の断面図である。 実施例２の第４の形態によるＴＦＴ付近の断面図である。 液晶表示装置の平面図である。 液晶表示装置の表示領域の断面図である。 走査線に印加される電圧の例である。
　以下に実施例を用いて本発明の内容を詳細に説明する。
　図１は本発明が適用されるフレキシブル基板１００を有する有機ＥＬ表示装置の平面図である。図１の有機ＥＬ表示装置は、表示領域１０と端子領域３０が存在している。表示領域１０には横方向（ｘ方向）に走査線１１が延在し、縦方向（ｙ方向）に配列している。また、映像信号線１２が縦方向に延在して横方向に配列している。そして、電源線１３が縦方向に延在し、横方向に配列している。走査線１１と、映像信号線１２または電源線１３で囲まれた領域に画素１４が形成されている。
　図１において、表示領域１０以外の部分に端子領域３０が形成され、端子領域３０にはドライバＩＣ３１が搭載されている。映像信号はドライバＩＣ３１においてアレンジされ、表示領域１０に供給される。また、端子領域３０には、有機ＥＬ表示装置に電源や信号を供給するためのフレキシブル配線基板３２が接続している。
　図１において、表示領域１０の両側には走査線駆動回路２０が形成されている。また、表示領域１０の上側（ｙ方向上側）には、電流供給領域２１が形成されている。電流は端子領域３０に接続しているフレキシブル配線基板３１から電流バスラインに供給され、電流バスラインは、表示領域１０の上側（ｙ方向の上側）の電流供給領域２１に配線される。そして、電流は、電流供給領域２１から電源線１３によって各画素１４に供給される。表示領域１０の下側に配線が集中することを回避するためである。
　図２は、図１に示す有機ＥＬ表示装置の表示領域の層構造の例を示す断面図である。図２において、ガラス基板９０は、支持基板として使用される場合もあるが、本発明では、フレキシブル表示装置が完成した後除去される。つまり、樹脂基板だけでは、プロセスを通すことが出来ないので、製造工程では、ガラス基板の上に有機ＥＬ表示装置の各要素を形成し、有機ＥＬ表示装置が完成した後、レーザアブレーション等によってガラス基板９０が除去される。
　図２において、ガラス基板９０の上に樹脂で形成されたＴＦＴ基板１００が形成されている。樹脂にはポリイミドが使用されている。ポリイミドは機械的強度、耐熱性等から、フレキシブル表示装置の基板としては、すぐれた性質を有している。以後、樹脂基板はポリイミド基板として説明する。
　ポリアミド酸を含むポリイミド材料は、スリットコーター、ロッドコーターあるいはインクジェット等によって塗布され、焼成されてイミド化して固化する。ポリイミド基板１００の厚さは１０μｍ乃至２０μｍである。しかし、ポリイミドはガラスに比べて帯電をしやすい。この現象は、ポリイミドは、ガラスのような完全な絶縁物ではないので、上に形成される電極の電位によって電荷が移動するためであると推測される。
　図２において、ＴＦＴ基板１００の上に、下地膜１０１が形成されている。ポリイミドからの水分や不純物が半導体層１０７や有機ＥＬ層を汚染することを防止するためである。下地膜１０１は、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ）によって窒化シリコン（ＳｉＮ）をサンドイッチしたような３層の積層膜で形成される。これに加えて、酸化アルミニウム（ＡｌＯｘ）が使用される場合もある。
　下地膜１０１の上に半導体層１０７が形成されている。半導体層１０７は例えば酸化物半導体で形成される。酸化物半導体１０７は、ポリイミドの耐熱温度である３５０℃程度の温度で形成することが可能である。酸化物半導体１０８のうち光学的に透明でかつ結晶質でないものをＴＡＯＳ（Ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ　Ａｍｏｒｐｈｏｕｓ　Ｏｘｉｄｅ　Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）と呼ぶ。ＴＡＯＳには、ＩＧＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｇａｌｌｉｕｍ　Ｚｉｎｃ　Ｏｘｉｄｅ）、ＩＴＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｔｉｎ　Ｚｉｎｃ　Ｏｘｉｄｅ）、ＺｎＯＮ（Ｚｉｎｃ　Ｏｘｉｄｅ　Ｎｉｔｒｉｄｅ）、ＩＧＯ（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｇａｌｌｉｕｍ　Ｏｘｉｄｅ）等がある。本発明では、酸化物半導体１０７にＩＧＺＯを用いた例で説明する。
　半導体層１０７を覆ってゲート絶縁膜１０８が形成され、ゲート絶縁膜１０８の上にゲート電極１０９が形成される。ゲート電極１０９は、例えば、ＭｏＷ等で形成されるが、抵抗を小さくしたい場合は、ＡｌをＴｉ等でサンドイッチした構成が用いられる。その後、ゲート電極１０９をマスクにして、Ａｒ原子等のイオンインプランテーションを行い、半導体層１０７に、ドレイン１０７１とソース１０７２を形成する。半導体層１０７の内、ゲート電極１０９の直下がチャネルとなる。
　ゲート電極１０９を覆って層間絶縁膜１１０が形成される。層間絶縁膜１１０の上にドレイン電極１１１とソース電極１１２が形成される。層間絶縁膜１１０およびゲート絶縁膜１０８にスルーホール１３１を形成し、ドレイン電極１１１とドレイン１０７１を接続し、スルーホール１３２を形成してソース電極１１２とソース１０７２を接続している。
　ドレイン電極１１１、ソース電極１１２、層間絶縁膜１１０を覆って有機パッシベーション膜１２０が形成される。有機パッシベーション膜１２０は、アクリル等の透明樹脂で形成される。有機パッシベーション膜１２０は平坦化膜を兼ねているので、２μｍ乃至４μｍと、厚く形成される。
　有機パッシベーション膜１２０の上に、反射膜１２１１とアノード１２１２が積層して形成される。反射膜１２１１とアノード１２１２の積層体を下部電極１２１と呼ぶ。反射膜１２１１は例えば反射率の高い銀で形成され、アノード１２１２はＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｔｉｎ　Ｏｘｉｄｅ）で形成される。なお、有機パッシベーション膜１２０にスルーホール１３０を形成して、ソース電極１１２と下部電極１２１を接続している。
　下部電極１２１を覆って、バンク１２２が形成される。バンク１２２は、アクリル等の透明樹脂で形成される。バンク１２２の役割は、下部電極１２１の上に形成される有機ＥＬ層１２３が下部電極１２１の端部によって段切れ生ずることを防止することと、各画素を区画することである。
　バンク１２０に形成されたホールに有機ＥＬ層１２３を形成する。有機ＥＬ層１２３は、ホール注入層、ホール輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層等の複数の層で形成され、各層は数ｎｍ～１００ｎｍ程度の非常に薄い膜である。
　有機ＥＬ層１２３を覆って上部電極（カソード）１２４が形成される。カソードは表示領域全面に共通に形成される。カソード１２４は、透明導電膜であるＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｚｉｎｃ　Ｏｘｉｄｅ）、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｔｉｎ　Ｏｘｉｄｅ）等によって形成されるほか、銀等の金属の薄膜で形成される場合もある。
　その後、カソード１２４側からの水分の侵入を防止するために、カソード１２４を覆って保護膜１２５を、ＣＶＤを用いてＳｉＮによって形成する。有機ＥＬ層１２３は熱に弱いために保護膜１２５を形成するためのＣＶＤは１００℃程度の低温ＣＶＤによって形成される。保護膜１２５には、この他、機械的な保護のために、アクリル等の透明樹脂膜が積層される場合もある。
　トップエミッション型の有機ＥＬ表示装置は、反射電極１２１１が存在しているために、画面は、外光を反射する。これを防止するために、表面に偏光板１２７を配置して、外光による反射を防止している。偏光板１２７は、一方の面に粘着材１２６を有しており、保護膜１２５に圧着することによって、有機ＥＬ表示装置に接着させている。粘着材１２６の厚さは３０μｍ程度であり、偏光板１２７の厚さは１００μｍ程度である。
　このようにしてガラス基板上にフレキシブル表示装置を形成した後、ポリイミドによるＴＦＴ基板１００とガラス基板９０の界面にレーザを照射してＴＦＴ基板１００からガラス基板９０を除去する。これによって、樹脂基板を有するフレキシブル表示装置が完成する。
　図３および図４は、有機ＥＬ表示装置を例にとって、駆動ＴＦＴにおいてソース電流が変動するメカニズムを説明する図である。図３は有機ＥＬ表示装置の画素部の等価回路の例である。図３において、走査線１１が横方向に延在している。また、カソード線１２４が横方向に延在しているが、これは、等価回路上での表現であり、カソード１２４は図２で説明したとおり、表示領域１０を覆って全面に形成されている。映像信号線１２が縦方向に延在し、また、電源線１３が縦方向に延在している。走査線１１と映像信号線１２あるいは電源線１３によって囲まれた領域が画素になっている。
　図３において、スイッチングトランジスタＴ１のドレインが映像信号線１２と接続し、ゲートが走査線１１と接続している。駆動トランジスタＴ２のドレインが電源線１３と接続し、ソースが有機ＥＬ層ＥＬと接続している。駆動トランジスタＴ２のゲートはスイッチングトランジスタＴ１のソースと接続している。また、駆動トランジスタＴ２のゲートとソースの間に蓄積容量Ｃｓが接続されている。
　図３において、スイッチングトランジスタＴ１が走査信号を受けると、スイッチングトランジスタを通して映像信号が蓄積容量Ｃｓに蓄積され、駆動トランジスタＴ２は、蓄積容量Ｃｓに蓄積された電荷による電位にしたがって、有機ＥＬ層ＥＬに電流を供給する。図２で説明したトランジスタは図３における駆動トランジスタＴ２である。駆動トランジスタＴ２の一方の電極は蓄積容量Ｃｓの一方の電極となっているので、面積が大きく、駆動トランジスタＴ２のゲート電極１０９は、ＴＦＴ基板１００を構成するポリイミドの影響を大きく受ける。
　図４は、駆動トランジスタ付近の模式断面図である。図４において、ガラス基板９０の上にポリイミド基板１００が形成され、その上に下地膜１０１が形成されている。下地膜１０１の上に半導体層１０７が形成されている。半導体層１０７は例えば、酸化物半導体で形成されている。半導体層１０７の上にゲート絶縁膜１０８が形成され、その上にゲート電極１０９が形成されている。半導体層１０８において、ゲート電極１０９の直下に相当する部分がチャネルになっており、他の部分は、ソースあるいはドレインとなっている。駆動トランジスタのゲート電極１０９は他の領域に延在して蓄積容量Ｃｓの一方の電極となっている。
　有機ＥＬ表示装置に連続して画像を表示させるということは、ゲート電極１０９に連続して直流電圧を印加するということである。ゲート電極１０９に電圧を印加するということは、同じ電位にある、蓄積容量Ｃｓの一方の電極に連続して直流電圧が印加されているということである。そして、蓄積容量Ｃｓの電極の面積のほうがゲート電極１０９の面積よりも大きい。
　そうすると、図４に示すように、ＴＦＴ基板１００であるポリイミドの一部が帯電することになる。帯電をする電荷はポリイミド基板１００の別な場所、例えば、ＴＦＴの部分から移動する。図４においては、ポリイミドの抵抗Ｒｐｉを通してマイナス電荷が蓄積容量の一方の電極側に移動した結果ＴＦＴ付近のポリイミド基板１００がプラスに帯電したことを示している。そうすると、ＴＦＴのソース電流がこの影響を受けて変動することになる。このような、基板１００の帯電の影響によるＴＦＴの特性変動は、特に酸化物半導体を用いたＴＦＴにおいて顕著である。
　酸化物半導体１０７を用いたＴＦＴは、リーク電流が小さいという特徴を有している。これは、画素電極の電位を長時間安定して保持できることを意味する。したがって、ＴＦＴに酸化物半導体１０７を用いることによって、低周波駆動を行い、消費電力を低減することが出来る。しかし、酸化物半導体１０７の移動度は、周辺駆動回路を構成するには十分でない場合がある。
　一方、ＬＴＰＳは、移動度が大きい。しかし、ＬＴＰＳは、酸化物半導体に比べてリーク電流が多いという問題を有している。そこで、酸化物半導体によるＴＦＴを、画素における駆動ＴＦＴあるいはスイッチングＴＦＴに用い、ＬＴＰＳによるＴＦＴを周辺駆動回路に用いることが合理的である。この構成をハイブリッド構造と呼ぶ。
　図５は、酸化物半導体１０７によるＴＦＴとＬＴＰＳ１０２によるＴＦＴを同じ基板１００上に形成した場合のＴＦＴ付近の構成を示す断面図である。酸化物半導体１０７を用いたＴＦＴは表示領域に形成され、ＬＴＰＳ１０２を用いたＴＦＴは、周辺駆動回路に形成されるので、実際には、両ＴＦＴは離れて配置されるが、図５では、層構成をわかり易くするために、ＬＴＰＳ１０２によるＴＦＴと酸化物半導体１０７によるＴＦＴを隣り合わせて記載している。
　図５において、左側はＬＴＰＳ１０２によるＴＦＴであり、右側が酸化物半導体１０７によるＴＦＴである。図５において、ガラス基板９０の上にポリイミドで形成されたＴＦＴ基板１００が形成され、その上に下地膜１０１が形成されている。下地膜１０１の構成は図２で説明したとおりである。下地膜１０１の上にＬＴＰＳによる半導体層１０２が形成されている。ＬＴＰＳは、まず、ａ-Ｓｉを下地膜１０１の上にＣＶＤによって被着し、このａ-Ｓｉ膜にエキシマレーザを照射することによってポリシリコンに変換したものである。ＬＴＰＳは５０ｎｍ程度の厚さで形成される。
　ＬＴＰＳ１０２を覆って第１ゲート絶縁膜１０３が形成され、その上に第１ゲート電極１０４が形成されている。ゲート電極１０４は例えばＭｏ、ＭｏＷ等の金属又は合金、あるいは、Ｔｉ－Ａｌ－Ｔｉ等の積層膜によって形成される。図５において、ＬＴＰＳ１０２のゲート電極１０４に対応する部分にチャネルが形成され、その両脇にドレインおよびソースが形成される。
　第１ゲート電極１０４を覆って例えば窒化シリコン（ＳｉＮ）による第１層間絶縁膜１０５、及び、酸化シリコン（ＳｉＯ）による第２層間絶縁膜１０６が形成される。ＬＴＰＳによるＴＦＴの特性の安定化のためには、第１層間絶縁膜１０５はＳｉＮで形成されるのが好ましい。一方、図５の右側に形成される酸化物半導体１０７は、ＳｉＮと接触すると、ＳｉＮから供給される水素によって特性が変動する。これを防止するために、第２層間絶縁膜１０６をＳｉＯで形成している。
　図５の右側において、第２層間絶縁膜１０６の上に酸化物半導体１０７が例えばＩＧＺＯによって形成されている。酸化物半導体１０７の厚さは例えば１０ｎｍから１００ｎｍである。酸化物半導体１０７を覆って第２ゲート絶縁膜１０８が形成されている。そして、酸化物半導体１０７の上方で、第２ゲート絶縁膜１０８の上に第２ゲート電極１０９が形成されている。酸化物半導体１０７において、第２ゲート電極１０９に対応する部分にチャネルが形成され、その両脇にドレイン１０７１およびソース１０７２が形成される。
　第２ゲート電極１０９を覆ってＳｉＯによる第３層間絶縁膜１１０が形成されている。第３層間絶縁膜１１０は第２ゲート絶縁膜１０８を挟んで酸化物半導体１０７の近くに形成されるので、酸化物半導体１０７に酸素を供給し、酸化物半導体１０７の特性を安定化できるように、ＳｉＯで形成される。
　図５の左側のＴＦＴに、ドレイン電極１１１およびソース電極１１２を接続するために、第３層間絶縁膜１１０、第２ゲート絶縁膜１０８、第２層間絶縁膜１０６、第１層間絶縁膜１０５、第１ゲート絶縁膜１０３の５層の絶縁膜にスルーホール１１５、１１６を形成する。また、右側のＴＦＴにドレイン電極１１３及びソース電極１１４を接続するために、第３層間絶縁膜１１０、第２ゲート絶縁膜１０８にスルーホール１１７、１１８を形成する。
　図５において、ＬＴＰＳ１０２用のスルーホール１１５、１１６、及び、酸化物半導体１０７用スルーホール１１７、１１８は同時に形成される。ＬＴＰＳ１０２用スルーホールを形成する時に、佛酸(ＨＦ)洗浄をおこなう。この時に同時に洗浄される酸化物半導体１０７用スルーホールを介して酸化物半導体１０７が消失することを防止するために、スルーホール１１７、１１８に対応する酸化物半導体１０７の部分に金属等によるエッチングストッパーを形成する場合もある。
　図５において、表示装置を動作させると、図３及び図４で説明したように、酸化物半導体１０７で形成されたＴＦＴに対応するＴＦＴ基板１００に電荷が誘起される。この電荷によって、酸化物半導体１０７によるＴＦＴの特性が変動する。なお、図４では、酸化物半導体１０７の下に下地膜１０１のみが存在し、図５では酸化物半導体１０７の下には、第２層間絶縁膜１０６、第１層間絶縁膜１０５、第１ゲート絶縁膜１０３、下地膜１０１の４層が存在しているが、ＴＦＴ基板１００に電荷が誘起される現象は同じである。
　図６は、この問題を対策するための、比較例としてのＴＦＴの断面図である。図６において、左側のＬＴＰＳ１０２によるＴＦＴの構成は図５で説明したのと同様である。図６の右側のＴＦＴにおいて、第２層間絶縁膜１０６及び第１層間絶縁膜１０５を挟んで、酸化物半導体１０７の下方にシールド層６０が形成されている。シールド層６０は、例えば、グランド（ＧＮＤ）電位に接続され、このシールド層６０によって、ＴＦＴ基板１００に誘起された電荷をシールドする。なお、シールド層６０は、ゲート電圧を印加することによって、酸化物半導体によるＴＦＴにおけるボトムゲート電極（第３ゲート電極）とする場合もある。
　シールド層６０は、第１ゲート電極１０４と同じ金属材料で、第１ゲート電極１０４と同時に形成される。また、金属で形成されたシールド層６０は、酸化物半導体１０７に対する背面からの光に対する遮光膜としての役割も有する。一方、シールド層６０によって、十分なシールド効果を得ようとすると、ある程度の面積が必要である。
　シールド層６０の面積を大きくすると、図６に示すように、酸化物半導体１０７のドレイン１０７１およびソース１０７２との間に大きな寄生容量、Ｃｇｄ及びＣｇｓが発生する。この寄生容量Ｃｇｄ及びＣｇｓは、仮に、シールド層６０をボトムゲートとして使用する場合は、画素電極あるいはアノードへのゲート電圧の飛び込み等の問題を引き起こし、また、シールド層６０にグランド電位（ＧＮＤ）を印加する場合は、ＴＦＴの動作速度を遅くする等の問題を引き起こす。
　図７は、これを対策した本発明の実施例１の構成を示す断面図である。図７において、左側のＬＴＰＳ１０２によるＴＦＴの構成は、図５及び図６で説明した構成と同じである。図７における右側の酸化物半導体１０７によるＴＦＴの構成が図６と異なっている。
　図７において、酸化物半導体１０７の下方に形成された、第３ゲート電極６０（シールド層６０）は、酸化物半導体１０７のチャネルに対するボトムゲート及び遮光層としての役割を持つための最低限の面積となっている。したがって、ＴＦＴ基板１００に誘起された電荷に対しては充分なシールド効果を有していない。しかし、第３ゲート電極６０は、面積を小さくしているので、酸化物半導体のドレイン１０７１あるいはソース１０７２等との間に形成される寄生容量Ｃｇｄ、Ｃｇｓは最低限に抑えることが出来る。
　図７において、ＬＴＰＳで形成されたシールド層５０がＴＦＴ基板に誘起された電荷に対するシールドの役割を持っている。シールド層５０は、図７における左側のＴＦＴ用のＬＴＰＳ１０２を形成する時に同時に形成される。シールド層５０はＬＴＰＳで形成されているが、イオンインプランテーションによるドーピングによって導電性が付与されている。
　シールド層５０には、例えば、グランド電位（ＧＮＤ）が印加される。ここで、グランド電位とは基準電位のことであり、必ずしもアース電位のことではない。つまり、基準電位は、カソード電位等であることもありうる。
　図７に示すように、ＬＴＰＳによるシールド層５０は、酸化物半導体１０７におけるドレイン１０７１とソース１０７２との間に、第１層間絶縁膜１０５、第２層間絶縁膜１０６に加え、第１ゲート絶縁膜１０３が存在している。その分、寄生容量を小さくすることが出来る。一方、酸化物半導体１０７との間の寄生容量を小さくできるために、シールド層５０の面積を大きくして、十分なシールド効果を付与することが出来る。
　図８は、ＬＴＰＳによるシールド層５０を形成するプロセスを示す断面図である。ＬＴＰＳによるシールド層５０は、ＬＴＰＳＴＦＴを形成する時のＬＴＰＳ１０２と同時にパターニングされる。その後、ＴＦＴ用ＬＴＰＳ１０２及びシールド層５０用ＬＴＰＳを覆って第１ゲート絶縁膜１０３で覆う。その後、ＬＴＰＳ１０２にチャネル部を形成するために、ＬＴＰＳ１０２のチャネルに対応する部分にレジスト４００を形成する。
　その後、イオンインプランテーションによって、レジスト４００が存在している部分以外のＬＴＰＳに、リン（Ｐ）、ボロン（Ｂ）等をドープして導電性を付与する。図８はイオンインプランテーションによってＬＴＰＳにドレイン１０２１及びソース１０２２を形成している状態を示す断面図である。図８に示すように、ＴＦＴのドレイン１０２１及びソース１０２２を形成すると同時に、シールド層５０を構成するＬＴＰＳに対して導電性を付与する。
　図８に示すイオンインプランテーションは、例えば、リン（Ｐ）を１×１０１４ｉｏｎｓ/ｃｍ２ドープしている。図８に示すように、本発明におけるシールド層５０の形成には、追加のプロセスは不要である。
　図９は、酸化物半導体１０７によるＴＦＴの平面図である。図９において、最下層にＬＴＰＳによるシールド層５０が形成されている。シールド層５０の上にボトムゲートを構成する第３ゲート電極６０が存在し、その上に酸化物半導体１０７が形成されている。図９において、横方向（ｘ方向）がチャネル長方向であり、縦方向（ｙ方向）がチャネル幅方向である。
　図９に示すように、シールド層５０の横方向の幅ｗ２は、第３ゲート電極の横方向の幅ｗ１よりも大きい。図９では、酸化物半導体１０７の横方向の幅ｗ３はシールド層５０の幅ｗ２よりも大きいが、シールド効果としては、シールド層５０の幅ｗ２が酸化物半導体１０７の横方向の幅ｗ３よりも大きいほうがよい。シールド層５０の縦方向の幅ｗ５は酸化物半導体１０７の幅ｗ４よりも大きい。つまり、ＬＴＰＳによるシールド層５０は、第３ゲート電極６０よりも、酸化物半導体１０７から離れて形成されているので、面積を広くすることが出来る。
　なお、図６において、ボトムゲート６０が不要な場合、あるいは、遮光膜としてのボトムゲート６０が不要な場合は、図７における第３ゲート電極６０を省略することが出来る。
　このように、本発明によれば、シールド層５０をＬＴＰＳによって形成することにより、酸化物半導体１０７を用いたＴＦＴを基板に誘起された電荷の影響からシールドすることが出来るとともに、シールド層を形成したことに起因する寄生容量の増大を抑制することが出来る。
　図１０は、本発明の実施例２を示す断面図である。実施例１では、ＴＦＴ基板に誘起される電荷に対するシールドとして、ＬＴＰＳを用いている。実施例１では、酸化物半導体１０７とシールド層５０との間に、第２層間絶縁膜１０６、第１層間絶縁膜１０５、第１ゲート絶縁膜１０３の３層の絶縁膜が存在しているので、寄生容量を抑制することが出来る。
　図１０に示す実施例２の構成は、シールドのための層７０を、下地膜１０１の下に形成することによって、シールド層７０と酸化物半導体１０７との間の寄生容量をさらに低減するものである。図７において、下地膜１０１の下に、導電性材料で形成されたシールド層７０が形成されている。導電性材料は、金属であることが好ましく、金属として、例えば、ゲート電極と同じ材料を使用することが出来る。
　図１０において、酸化物半導体１０７とシールド層７０との間には第２層間絶縁膜１０６、第１層間絶縁膜１０５、第１ゲート絶縁膜１０３、下地膜１０１が存在しているので、実施例１の場合よりもさらに、酸化物半導体１０７とシールド層７０との距離を大きくすることが出来る。また、下地膜１０１は、ＳｉＯ/ＳｉＮ/ＳｉＯの３層で形成されることが多いので、さらに、距離を大きくすることが出来る。
　シールド層７０を金属で形成する場合は、遮光膜としての役割も持たせることが出来る。シールド層７０の厚さは例えば、５０ｎｍ程度あれば、シールド効果は充分に得ることが出来る。一方、遮光膜としての役割を持たせる場合は、１００ｎｍ程度あることが望ましい。
　酸化物半導体１０７はチャネル長とチャネル幅を持ち、シールド層７０のチャネル長方向の長さは、酸化物半導体１０７のチャネル長方向の長さよりも大きいほうがよい。また、シールド層７０のチャネル幅方向の幅は、酸化物半導体１０７のチャネル幅方向の幅よりも大きいほうがよい。
　図１１は、実施例２の第２の形態を示す断面図である。本実施例におけるシールド層７０は金属で形成され、遮光効果を有する。したがって、酸化物半導体１０７によるＴＦＴがボトムゲートを必要としない場合は、遮光効果を兼ねた第３ゲート電極６０を省略することが出来る。
　図１１において、酸化物半導体１０７に下方には、絶縁層を挟んで、シールド層７０のみが存在している。したがって、寄生容量は図１０の場合よりもさらに低減することが出来る。シールド層７０の構成は図１０で説明したのと同様である。
　図１２は、実施例２の第３の形態を示す断面図である。図１２が図１０と異なる点は、ＬＴＰＳ１０２の下に遮光膜７１が形成されていることである。ＬＴＰＳ１０２についても、ＴＦＴ基板１００における帯電の影響を受ける。また、ＬＴＰＳ１０２についても、背面からの光による光電流が発生する。図１２は、ＬＴＰＳ１０２についても、ＴＦＴ基板１００に発生する電荷に対するシールド効果と遮光効果を兼ねたシールド層７１を形成している。
　図１２において、シールド層７１の幅は、ＬＴＰＳ１０２のチャネルを下からカバーする程度の面積に形成されている。チャネル部分のシールドとチャネル部分の遮光効果のためである。一方、平面で視た場合、シールド層７１と、ＬＴＰＳのドレイン１０２１およびソース１０２１との重複は小さくし、寄生容量の発生を防止している。
　図１３は、実施例２の第４の形態を示す断面図である。図１３が図１１と異なる点は、ＬＴＰＳ１０２の下に遮光膜７１が形成されていることである。その他の構成は図１１と同じである。図１３における遮光膜７１の構成は、図１２で説明した遮光膜７１の構成と同じである。図１３の構成によって、ＴＦＴ基板１００における帯電の影響を酸化物半導体１０７に対してのみでなく、ＬＴＰＳ１０２に対しても軽減することが出来る。
　実施例１及び２は有機ＥＬ表示装置について本発明を適用した場合である。本発明は、液晶表示装置についても適用することが出来る。すなわち、ポリイミド等の樹脂基板を使用することによって、フレキシブル表示装置とすることは液晶表示装置についても行われるからである。
　但し、液晶表示装置は、画素領域においては、有機ＥＬ表示装置におけるような駆動トランジスタは存在せず、スイッチングＴＦＴのみが存在する。しかし、スイッチングＴＦＴにおいても、ポリイミドの帯電の影響は受ける。すなわち、ポリイミドが帯電することによって、スイッチングＴＦＴのスレッショルド電圧（閾値電圧）が影響を受け、これによって、画素に蓄積される映像信号の値が影響を受けるからである。
　図１４は液晶表示装置の平面図である。図１４において、ＴＦＴ基板１００と対向基板２００がシール材４０によって接着し、内部に液晶が封入されている。ＴＦＴ基板１００と対向基板２００が重なっている部分に表示領域１０が形成されている。表示領域１０には走査線１１が横方向（ｘ方向）に延在し、縦方向（ｙ方向）に配列している。また、映像信号線１２が縦方向（ｙ方向）に延在し、横方向（ｘ方向）に配列している。走査線１１と映像信号線１２で囲まれた領域が画素１４になっている。
　ＴＦＴ基板１００と対向基板２００が重なっていない部分が端子領域３０となっている。端子領域３０には、ドライバＩＣ３１が載置され、フレキシブル配線基板３２が接続している。
　図１５は、本発明における液晶表示装置の画素部の断面図である。図１５に示すＴＦＴはスイッチングＴＦＴであるが、断面構成は図２の駆動ＴＦＴと同じである。すなわち、ＴＦＴはトップゲートで、半導体層１０７には酸化物半導体が用いられている。図１５において、有機パッシベーション膜１２０までは、図２と同じ構成である。
　図１５において、有機パッシベーション膜１２０の上にはＩＴＯによってコモン電極１５０が平面状に形成され、コモン電極１５０を覆って容量絶縁膜１５１がＳｉＮによって形成されている。容量絶縁膜１５１の上にＩＴＯによって画素電極１５２が形成されている。画素電極１５２は櫛歯状の平面形状となっている。画素電極１５２を覆って液晶を初期配向させるための配向膜１５３が形成されている。
　画素電極１５２に映像信号が印加されると、画素電極１５２とコモン電極１５０の間に矢印のような電気力線が発生して液晶分子３０１を回転させて画素における光の透過率を制御する。また、画素電極１５２とコモン電極１５０の間に容量絶縁膜１５１を挟んで保持容量が形成される。
　図１５において、液晶層３００を挟んで対向基板２００が形成され、対向基板２００の内側にカラーフィルタ２０１とブラックマトリクス２０２が形成されている。カラーフィルタ２０１とブラックマトリクス２０２を覆ってオーバーコート膜２０３が形成され、オーバーコート膜２０３を覆って配向膜２０４が形成されている。
　図１５において、ＴＦＴ基板１００および対向基板２００はポリイミド等の樹脂で形成されている。製造工程においては、ポリイミドで形成されたＴＦＴ基板１００はガラス基板の上に形成されるが、液晶表示装置が完成した後、レーザアブレーション等によってガラス基板は除去されている。
　図１５におけるゲート電極１０９には、走査線１１と同じ電位が印加される。図１６は図１５に示すようなトップゲートの場合のＴＦＴにおいて、走査線に印加される電圧を示す図である。図１６において、ＶＧＴはゲート電圧であり、ＧＮＤはグラウンド電位であり、Ｖcomはコモン電極の電位である。ＳＩＧは映像信号のレベルを示すが、これはゲート電極に印加されるわけではない。図１６に示すように、ゲート電極、すなわち走査線は選択された時のみ、＋９Ｖの電圧になるが、殆どの時間は－８Ｖが印加されている。したがって、ポリイミド基板に実施例１で説明したような電荷が誘起される。
　この電荷は、スイッチングＴＦＴの閾値電圧を変化させる。閾値電圧が変化するということは、輝度の再現性に影響を与えることである。したがって、実施例１で説明したようなポリイミドを用いることによって、走査線によって誘起される電荷の量を抑えることが出来、これに起因する輝度変動を抑えることが出来る。つまり、本発明は、液晶表示装置にも適用することが出来る。
　なお、本実施例では、走査線電位による影響を、液晶表示装置を用いて説明したが、走査線電位の影響は有機ＥＬ表示装置においても同様である。
　また、液晶表示装置についても、ハイブリッド構成とすることによって、酸化物半導体を用いたＴＦＴと、ＬＴＰＳを用いたＴＦＴの特徴を生かした構成とすることが出来る。すなわち、画素領域には酸化物半導体を用いて、リーク電流が小さく、画素電極の電位変動の小さい構成とする。また、周辺駆動回路には、移動度の大きいＬＴＰＳを用いたＴＦＴを配置することによって、高性能な駆動回路を形成することが出来る。そして、このような液晶表示装置についても、本発明を適用することによって、基板におけるチャージアップの影響を軽減し、安定した特性を有する液晶表示装置を実現することが出来る。
　１０…表示領域、　１１…走査線、　１２…映像信号線、　１３…電源線、　１４…画素、　２０…周辺駆動回路、　２１…電流供給領域、　３０…端子領域、　３１…ドライバＩＣ、　３２…フレキシブル配線基板、　４０…シール材、　５０…シールド層、　６０…シールド層（第３ゲート電極）、　７０…金属シールド層、　７１…ＬＴＰＳ用金属シールド層、　９０…ガラス基板、　１００…ＴＦＴ基板、　１０１…下地膜、　１０２…ＬＴＰＳ半導体層、　１０３…第１ゲート絶縁膜、　１０４…第１ゲート電極、　１０５…第１層間絶縁膜、　１０６…第２層間絶縁膜、　１０７…酸化物半導体、　１０８…第２ゲート絶縁膜、　１０９…第２ゲート電極、　１１０…第３層間絶縁膜、　１１１…第１ドレイン電極、　１１２…第１ソース電極、　１１３…第２ドレイン電極バンク、　１１４…第２ソース電極、　１２０…有機パッシベーション膜、　１２１…下部電極、　１２２…バンク、　１２３…有機ＥＬ層、　１２４…上部電極、　１２５…保護層、　１２６…粘着材、　１２７…円偏光板、　１３０…スルーホール、　１３１…スルーホール、　１３２…スルーホール、　１５０…コモン電極、　１５１…容量絶縁膜、　１５２…画素電極、　１５３…配向膜、　２００…対向基板、　２０１…カラーフィルタ、　２０２…ブラックマトリクス、　２０３…オーバーコート膜、　２０４…配向膜、　３００…液晶層、　３０１…液晶分子、　４００…レジスト、　５００…帯電、　１０２１…ドレイン、　１０２２…ソース、　１０７１…ドレイン、　１０２２…ソース、　１２１１…反射電極、　１２１２…アノード、　Ｔ１…駆動トランジスタ、　Ｔ２…スイッチングトランジスタ、　Ｃｓ…蓄積容量、　ＥＬ…有機ＥＬ層

Claims (20)

  1. 　樹脂で形成された基板上に酸化物半導体によって形成された第１のＴＦＴと第１のポリシリコンによって形成された第２のＴＦＴを有する表示装置であって、
    　前記第１のＴＦＴと前記第２のＴＦＴは平面で視て重ならない場所に形成され、
    　前記第２のＴＦＴは前記第１のＴＦＴよりも、断面で視て、前記基板に近く形成され、
    　前記酸化物半導体と前記基板の間には、前記第１のポリシリコンと同じ材料で形成され、前記第１のポリシリコンが形成されているのと同じ層の上に形成された第２のポリシリコンが存在していることを特徴とする表示装置。
  2. 　前記第２のポリシリコンの前記酸化物半導体のチャネル長方向の長さは、前記酸化物半導体のチャネル長方向の長さよりも大きいことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
  3. 　前記第２のポリシリコンの前記酸化物半導体のチャネル幅方向の幅は、前記酸化物半導体のチャネル幅方向の幅よりも大きいことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
  4. 　前記酸化物半導体の下層には、絶縁膜を挟んで、前記第２のＴＦＴのゲート電極と同じ材料で同じ層の上に形成された金属層が形成され、
    　前記金属層の前記酸化物半導体のチャネル長方向の長さは、前記酸化物半導体の前記チャネル長方向の長さよりも小さいことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
  5. 　前記酸化物半導体の下層には、絶縁膜を挟んで、前記第２のＴＦＴのゲート電極と同じ材料で同じ層の上に形成された金属層が形成され、
    　前記金属層の前記酸化物半導体のチャネル長方向の長さは、前記第２のポリシリコンの前記チャネル長方向の長さよりも小さいことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
  6. 　前記酸化物半導体の下層には、絶縁膜を挟んで、前記第２のＴＦＴのゲート電極と同じ材料で同じ層の上に形成された金属層が形成され、
    　前記金属層には、ゲート電位が供給されることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
  7. 　前記酸化物半導体の下層には、絶縁膜を挟んで、前記第２のＴＦＴのゲート電極と同じ材料で同じ層の上に形成された金属層が形成され、
    　前記金属層には、基準電位が供給されることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
  8. 　前記第２のポリシリコンには基準電位が供給されることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
  9. 　前記第１のＴＦＴはトップゲートであることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
  10. 　前記第２のＴＦＴはトップゲートであることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
  11. 　樹脂で形成された基板上に酸化物半導体によって形成された第１のＴＦＴを有する表示装置であって、
    　平面で視て、前記酸化物半導体と重複した領域に、前記基板と接触して第１の導電膜が形成され、前記第１の導電膜の上に、無機材料からなる下地膜が形成され、
    　前記酸化物半導体はチャネル長とチャネル幅を有し、
    　前記第１の導電膜の前記チャネル長方向の長さは、前記酸化物半導体の前記チャネル長方向の長さよりも大きいことを特徴とする表示装置。
  12. 　前記第１の導電膜の前記チャネル幅方向の幅は、前記酸化物半導体の前記チャネル幅方向の幅よりも大きいことを特徴とする請求項１１に記載の表示装置。
  13. 　前記第１の導電膜は金属で形成されていることを特徴とする請求項１１に記載の表示装置。
  14. 　前記第１の導電膜には基準電位が印加されていることを特徴とする請求項１１に記載の表示装置。
  15. 　前記基板には、平面で視て、前記第１のＴＦＴとは重ならない場所にポリシリコンによる第２のＴＦＴが形成され、
    　前記第２のＴＦＴは前記第１のＴＦＴよりも、断面で視て、前記基板に近く形成されていることを特徴とする請求項１１に記載の表示装置。
  16. 　平面で視て、前記ポリシリコンと重複する部分を有し前記基板と前記下地膜の間には、第１の導電膜と同じ材料で形成された第２の導電膜が形成されていることを特徴とする請求項１１に記載の表示装置。
  17. 　前記ポリシリコンは、チャネル長とチャネル幅を有し、
    　前記第２の導電膜の前記チャネル長さ方向の長さは、前記ポリシリコンの前記チャネル長さ方向の長さよりも小さいことを特徴とする請求項１１に記載の表示装置。
  18. 　前記第２の導電膜には基準電位が印加されることを特徴とする請求項１１に記載の表示装置。
  19. 　前記酸化物半導体と前記下地膜の間には、前記第２のＴＦＴのゲート電極と同じ材料で、同じ層の上に形成された金属膜が形成され、
    　前記金属膜の前記チャネル長さ方向の長さは、前記酸化物半導体の前記チャネル長さ方向の長さよりも小さいことを特徴とする請求項１５に記載の表示装置。
  20. 　前記金属膜にはゲート電位が供給されることを特徴とする請求項１９に記載の表示装置。
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