CN112038325A - 显示面板 - Google Patents
显示面板 Download PDFInfo
- Publication number
- CN112038325A CN112038325A CN202010843244.1A CN202010843244A CN112038325A CN 112038325 A CN112038325 A CN 112038325A CN 202010843244 A CN202010843244 A CN 202010843244A CN 112038325 A CN112038325 A CN 112038325A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- unit
- source
- display panel
- units
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 178
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 178
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 44
- 238000005452 bending Methods 0.000 claims description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 35
- 238000000034 method Methods 0.000 description 14
- 230000001808 coupling effect Effects 0.000 description 9
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 6
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 description 4
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 4
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 3
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 2
- 239000013589 supplement Substances 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
- G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
- G09G3/2092—Details of a display terminals using a flat panel, the details relating to the control arrangement of the display terminal and to the interfaces thereto
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/126—Shielding, e.g. light-blocking means over the TFTs
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/552—Protection against radiation, e.g. light or electromagnetic waves
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
- G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
- G09F9/30—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
- G09F9/33—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements being semiconductor devices, e.g. diodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
- G09G2300/04—Structural and physical details of display devices
- G09G2300/0421—Structural details of the set of electrodes
- G09G2300/0426—Layout of electrodes and connections
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
本申请公开了一种显示面板。该显示面板包括衬底、位于该衬底上的栅极层、位于该栅极层上的第一绝缘层、及位于该第一绝缘层上的金属屏蔽层;该栅极层包括多个栅极单元,该金属屏蔽层包括多个金属屏蔽单元,一该金属屏蔽单元对应一该栅极单元;其中,该金属屏蔽层用于屏蔽相邻两个该栅极单元之间的交流信号。本申请通过在栅极层上设置金属屏蔽层,利用电屏蔽原理,减少相邻两栅极单元之间的交流信号影响,减少了显示不均,改善了显示效果。
Description
技术领域
本申请涉及显示领域,具体涉及一种显示面板。
背景技术
随着生活水平的提高,极窄边框的显示屏幕越来越受到各大厂商及人民的喜爱。
现有技术中,在极窄边框的显示屏幕或高分辨率屏幕中,阵列单元的布线非常密集复杂,阵列单元容易受到相邻元器件中交流信号的耦合效应的影响,导致显示不均,出现显示异常。
因此,亟需一种显示面板以解决上述技术问题。
发明内容
本申请提供了一种显示面板,以解决现有技术中,阵列单元容易受到相邻元器件中交流信号的耦合效应的影响,导致显示不均的技术问题。
为解决上述问题,本申请提供的技术方案如下:
一种显示面板,包括衬底、位于所述衬底上的栅极层、位于所述栅极层上的第一绝缘层、及位于所述第一绝缘层上的金属屏蔽层;
所述栅极层包括多个栅极单元,所述金属屏蔽层包括多个金属屏蔽单元,一所述金属屏蔽单元对应一所述栅极单元;
其中,所述金属屏蔽层用于屏蔽相邻两个所述栅极单元之间的交流信号。
在本申请的显示面板中,所述栅极单元包括一第一栅极及至少一与所述第一栅极相对设置的第二栅极,所述第一栅极与所述第二栅极绝缘设置;
在一个子像素内,所述第一栅极或/和所述第二栅极在所述衬底上的正投影位于所述金属屏蔽单元在所述衬底上的正投影之内。
在本申请的显示面板中,任一所述金属屏蔽单元与所述显示面板的恒压信号端电连接。
在本申请的显示面板中,所述显示面板还包括位于所述第一绝缘层上的源漏极层,所述金属屏蔽层与所述源漏极层电连接。
在本申请的显示面板中,所述源漏极层包括多个第一源漏极单元及与所述第一源漏极单元对应的第二源漏极单元,所述第一源漏极单元与所述第二源漏极单元异层设置;
所述第一源漏极单元包括第一子源极单元及第一子漏极单元,所述第二源漏极单元包括第二子源极单元,所述第二子源极单元与所述第一子源极单元电连接,所述金属屏蔽层位于所述第一源漏极单元与所述第二源漏极单元之间。
在本申请的显示面板中,所述显示面板还包括位于源漏极层上的第二绝缘层、位于所述第二绝缘层上的阳极层;
其中,所述阳极层包括多个阳极单元,一所述金属屏蔽单元与一所述阳极单元电连接。
在本申请的显示面板中,所述显示面板还包括位于所述衬底上的金属遮光层,源漏极层的多个源极单元通过多个第一过孔与所述金属遮光层电连接,所述金属屏蔽层与所述金属遮光层通过多个第二过孔电连接。
在本申请的显示面板中,所述金属屏蔽单元至少包括第一屏蔽部件与第二屏蔽部件,所述第一屏蔽部件与所述第二屏蔽部件异层设置;
所述第一屏蔽部件与源漏极层的源极单元电连接,所述第二屏蔽部件与所述源漏极层的漏极单元电连接,或者所述第二屏蔽部件与阳极层电连接。
在本申请的显示面板中,所述显示面板包括靠近弯折区的第一区域,在数据线的方向上,所述第一区域内的相邻两个阵列单元之间的间距小于所述第一区域外围的相邻两个所述阵列单元之间的间距;
其中,所述金属屏蔽层位于所述第一区域内。
在本申请的显示面板中,在所述第一区域内,部分所述显示面板的发光单元在所述显示面板上的正投影内无所述阵列单元,所述发光单元与对应所述阵列单元通过引线电连接。
有益效果:本申请通过在栅极层上设置金属屏蔽层,利用电屏蔽原理,减少相邻两栅极单元之间的交流信号影响,减少了显示不均,改善了显示效果。
附图说明
下面结合附图,通过对本申请的具体实施方式详细描述,将使本申请的技术方案及其它有益效果显而易见。
图1为本申请显示面板的第一种结构示意图;
图2为本申请显示面板的第二种结构示意图;
图3为本申请显示面板的局部俯视示意图;
图4为本申请显示面板的第三种结构示意图;
图5为本申请显示面板的第四种结构示意图;
图6为本申请显示面板的第五种结构示意图;
图7为本申请显示面板的第六种结构示意图;
图8为本申请显示面板的第七种结构示意图;
图9为本申请显示面板的俯视示意图;
图10为本申请显示面板的制作方法步骤流程图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图,对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然,所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例,本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本申请保护的范围。
现有技术中,在极窄边框的显示屏幕或高分辨率屏幕中,阵列单元的布线非常密集复杂,阵列单元容易受到相邻元器件中交流信号的耦合效应的影响,导致显示不均,出现显示异常。
请参阅图1~图9,本申请公开了一种显示面板100,包括衬底200、位于所述衬底200上的栅极层、位于所述栅极层上的第一绝缘层210、及位于所述第一绝缘层210上的金属屏蔽层;
所述栅极层包括多个栅极单元310,所述金属屏蔽层包括多个金属屏蔽单元600,一所述金属屏蔽单元600对应一所述栅极单元310;
其中,所述金属屏蔽层用于屏蔽相邻两个所述栅极单元310之间的交流信号。
本申请通过在栅极层上设置金属屏蔽层,利用电屏蔽原理,减少相邻两栅极单元之间的交流信号影响,减少了显示不均,改善了显示效果。
现结合具体实施例对本申请的技术方案进行描述。
请参阅图1~图9,所述显示面板100,包括衬底200、位于所述衬底200上的栅极层、位于所述栅极层上的第一绝缘层210、及位于所述第一绝缘层210上的金属屏蔽层。所述栅极层包括多个栅极单元310。所述金属屏蔽层包括多个金属屏蔽单元600,一所述金属屏蔽单元600对应一所述栅极单元310。其中,所述金属屏蔽层用于屏蔽相邻两个所述栅极单元310之间的交流信号。
本实施例中,金属屏蔽层的屏蔽原理类似于法拉第电磁笼的电磁屏蔽原理,通过在栅极单元310附近设置金属屏蔽单元600,反射周围交流电信号,避免栅极单元310之间的交流信号的影响,减少了显示不均,改善了显示效果。
本实施例中,所述显示面板100还包括位于所述第三绝缘层230上的有源层400、及位于所述有源层400上的第四绝缘层240。所述栅极层位于所述第四绝缘层240上、及远离所述衬底200一侧。所述有源层400包括多个硅岛,所述源漏极层通过过孔与所述有源层400电连接,即使所述源极单元及所述漏极单元通过过孔与所述硅岛电连接,图中用400代表硅岛,不再重复标号,具体请参阅图1~图9。
本实施例中,所述栅极单元310包括一第一栅极311及至少一与所述第一栅极311相对设置的第二栅极312,所述第一栅极311与所述第二栅极312绝缘设置。在一个子像素内,所述第一栅极311在所述衬底200上的正投影位于对应所述金属屏蔽单元600在所述衬底200上的正投影之内,或/和所述第二栅极312在所述衬底200上的正投影位于对应所述金属屏蔽单元600在所述衬底200上的正投影之内。所述显示面板100包括位于所述第一栅极311与所述第二栅极312之间的第一子绝缘层211、及位于所述第二栅极上的第二子绝缘层212。所述第一子绝缘层211与所述第二子绝缘层212构成所述第一绝缘层210,具体请参阅图2、图3,其中图3中,为方便展示,将第二栅极312的透视关系移至顶端,实际为所述第一栅极312位于第一栅极311与所述金属屏蔽单元600之间。金属屏蔽层的屏蔽原理类似于法拉第电磁笼的电磁屏蔽原理,通过在栅极单元310附近设置金属屏蔽单元600,反射周围交流电信号,避免栅极单元310之间的交流信号的影响,减少了显示不均,改善了显示效果。
本实施例中,相比于所述第二栅极312单元310,所述第一栅极311单元310位于靠近所述衬底200一侧。所述第二栅极312单元310在所述衬底200上的正投影位于所述第一栅极311单元310在所述衬底200上的正投影之内。所述第二栅极312在所述衬底200上的正投影位于对应所述金属屏蔽单元600在所述衬底200上的正投影之内,具体请参阅图2、图3,其中图3中,为方便展示,将第二栅极312的透视关系移至顶端,实际为所述第一栅极312位于第一栅极311与所述金属屏蔽单元600之间。金属屏蔽单元600可以不和其他膜层有电连接,减少了膜层打孔,在俯视图中,所述金属屏蔽单元600只需最小覆盖第二栅极312单元310,即可实现交流信号的屏蔽。
本实施例中,任一所述金属屏蔽单元600与所述显示面板100的恒压信号端电连接,具体请参阅图4~图8。通过对所述金属屏蔽单元600施加恒压电信号,所述金属屏蔽单元600可以形成一定磁场,可以更加稳定地屏蔽交流电信号,相邻两个所述金属屏蔽单元600之间连接,保护栅极单元310不受周围交流电信号的影响,减少了显示不均,改善了显示效果。
本实施例中,所述显示面板100还包括位于所述第一绝缘层210上及远离所述栅极层一侧的源漏极层。所述金属屏蔽层与所述源漏极层电连接,具体请参阅图4、图5。距离所述栅极层最近的带电膜层是源漏极层,通过所述金属屏蔽层与所述源漏极层电连接,提供给栅极单元310最好的交流电信号屏蔽效果。
本实施例中,所述源漏极层包括多个源极单元510及多个漏极单元520,一所述金属屏蔽单元600与一所述源极单元510电连接和/或一所述金属屏蔽单元600与一所述漏极单元520电连接,具体请参阅图4、图5。所述源极单元510以及所述漏极单元520在所述栅极单元310的外围,所述金属屏蔽单元600与哪一侧方便连接,即可与哪一侧的所述源极单元510或/和所述漏极单元520相连接,方便了屏蔽交流电信号。
本实施例中,所述源漏极层包括多个第一源漏极单元520及与所述第一源漏极单元520对应的第二源漏极单元520,所述第一源漏极单元520与所述第二源漏极单元520异层设置。所述第一源漏极单元520包括第一子源极单元511及第一子漏极单元521。所述第二源漏极单元520包括第二子源极单元512,所述第二子源极单元512与所述第一子源极单元511电连接。其中,所述金属屏蔽层位于所述第一源漏极单元520与所述第二源漏极单元520之间,所述第一源漏极单元520靠近所述衬底200一侧。所述源极单元510由所述第一子源极单元511与所述第二子源极单元512构成,所述显示面板100还包括位于所述第一源漏极单元520与所述第二源漏极单元520之间的第五绝缘层250、位于所述第五绝缘层250上的包括多个金属屏蔽单元600的金属屏蔽层、及位于所述金属屏蔽层上的第六绝缘层260,所述第六绝缘层260包括多个第三过孔130,所述第三过孔130贯穿所述第六绝缘层260及所述第五绝缘层250。所述第一子源极单元511与所述第二子源极单元512通过所述第三过孔130连接,具体请参阅图4~图7。所述显示面板100还包括与所述第二子源极单元512同层设置的扇出走线,所以所述第二子源极单元512的同层的电信号更为复杂,所述金属屏蔽层位于所述第一源漏极单元520与所述第二源漏极单元520之间,可以更好屏蔽所述第二子源极单元512的同层的交流电信号,提供给栅极单元310最好的交流电信号屏蔽效果。
本实施例中,所述金属屏蔽单元600位于所述第三过孔130的外围,所述金属屏蔽单元600通过所述第三过孔130与所述第二源漏极单元520电连接,具体请参阅图5。
本实施例中,所述金属屏蔽单元600通过过孔与所述第一子漏极单元521电连接,源极单元510处的膜层较多,孔洞也较复杂,避开复杂孔洞,简化工艺,加强金属屏蔽单元600的带电稳定,提供给栅极单元310最好的交流电信号屏蔽效果。
本实施例中,所述显示面板100还包括位于所述显示面板100的源漏极层上的第二绝缘层220、及位于所述第二绝缘层220上的阳极层。其中,所述阳极层包括多个阳极单元700,一所述金属屏蔽单元600与一所述阳极单元700电连接。所述第二绝缘层220包括多个第四过孔140,所述第四过孔140贯穿所述第二绝缘层220,至使所述金属屏蔽单元600裸露,具体请参阅图6。所述金属屏蔽单元600通过所述第四过孔140与所述阳极单元700电连接,源漏极层的孔洞也较复杂,避开复杂孔洞,简化工艺,加强金属屏蔽单元600的带电稳定,提供给栅极单元310最好的交流电信号屏蔽效果。
本实施例中,所述显示面板100还包括位于所述衬底200上的金属遮光层800,所述显示面板100的源漏极层的多个源极单元510通过多个第一过孔110与所述金属遮光层800电连接,所述金属屏蔽层与所述金属遮光层800通过多个第二过孔120电连接。所述显示面板100还包括位于所述金属遮光层800与所述栅极层之间的第三绝缘层230。由于所述金属屏蔽单元600的位置有多种设置方式,所以源极单元510与所述金属遮光层800之间电连接的第一过孔110位置相应贯穿即可,所以金属屏蔽单元600单元与所述金属遮光层800之间电连接的第二过孔120位置相应贯穿即可,在此不做限定。源漏极层的具体结构也不做限定,具体请参阅图7。源极单元510使金属遮光层800电位平衡,有利于所述显示面板100的电平衡及电稳定性,所述金属屏蔽单元600通过第二过孔120与所述金属遮光层800电连接,同样可以达到使所述金属屏蔽单元600带恒定电压的效果。避开复杂孔洞,简化工艺,加强金属屏蔽单元600的带电稳定,提供给栅极单元310最好的交流电信号屏蔽效果。
本实施例中,所述金属屏蔽单元600至少包括第一屏蔽部件610与第二屏蔽部件620,所述第一屏蔽部件610与所述第二屏蔽部件620异层设置。所述第一屏蔽部件610与所述显示面板100的源漏极层的源极单元510电连接,所述第二屏蔽部件620与所述显示面板100的源漏极层的漏极单元520电连接或者所述第二屏蔽部件620与所述显示面板100的阳极层电连接,具体请参阅图8。通过在不同膜层设置屏蔽部件,加强对栅极单元310的交流信号屏蔽的效果,减少了显示不均,改善了显示效果。
本实施例中,所述显示面板100包括靠近弯折区的第一区域132,在数据线的方向上,所述第一区域132内的相邻两个阵列单元150之间的间距小于所述第一区域132外围的相邻两个阵列单元150之间的间距。其中,所述金属屏蔽层位于所述第一区域132内。数据线的方向在图9中代表Y方向,弯折区的位置靠近第一侧边131,具体请参阅图9。所述显示面板100还包括位于所述阳极层上包括多个开口的像素定义层、及发光层。所述第一区域132对应所述显示面板100的下边框区域,缩短所述阵列单元150之间的间距,利用所述第二源漏极单元520的所述第二子源极单元512所在膜层的走线,将阳极单元700的与输出电路连接,对于下边框区域,所述第一区域132上方会覆盖所述发光层的发光单元,可以有效减小下边框。由于第一区域132在工作阶段,栅极单元310会受周围交流信号的耦合效应影响,从而导致各行发光亮度存在差异,金属屏蔽单元600可以更好地加强对栅极单元310的交流信号屏蔽的效果,减少了显示不均,改善了显示效果。
本实施例中,在所述第一区域132内,部分所述显示面板100的发光单元在所述显示面板100上的正投影内无所述阵列单元150,所述发光单元与对应所述阵列单元150通过引线电连接。对于下边框区域,将所述第一区域132内的部分阵列单元之间的间距压缩,发光单元设置位置不用改变,所述发光单元与对应所述阵列单元150通过引线电连接,原阵列单元的位置被空出来,可以设置扇出走线或设置弯折走线,极大减小了下边框宽度,但同时栅极单元310受周围交流信号的耦合效应的影响也加重,所述金属屏蔽单元600可以很好地在第一区域内减小交流信号的耦合效应的影响,减少了显示不均,改善了显示效果。
本实施例中,所述金属屏蔽层的材料为氧化铟锡、纳米银、碳纳米管中的任意一种或多种的组合。其中,氧化铟锡(ITO)材料透明度好,纳米银具有良好的导热性,碳纳米管具有良好的导静电功能,可以加强对所述金属屏蔽单元600的效果补充。
本实施例中,所述金属屏蔽单元600的厚度为500埃米~1000埃米。
本申请通过在栅极层上设置金属屏蔽层,利用电屏蔽原理,减少相邻两栅极单元之间的交流信号影响,减少了显示不均,改善了显示效果。
请参阅图1~图10,本申请还公开了一种显示面板100的制作方法,包括:
S100、在衬底200上形成包括多个栅极单元310的栅极层;
S200、在所述栅极层上形成第一绝缘层210;
S300、在所述第一绝缘层210上形成包括多个金属屏蔽单元600的金属屏蔽层;
其中,一所述金属屏蔽单元600对应一所述栅极单元310,所述金属屏蔽层用于屏蔽相邻两个所述栅极单元310之间的交流信号。
本申请通过在栅极层上设置金属屏蔽层,利用电屏蔽原理,减少相邻两栅极单元之间的交流信号影响,减少了显示不均,改善了显示效果。
现结合具体实施例对本申请的技术方案进行描述。
请参阅图1~图10,所述显示面板100的制作方法包括:
S100、在衬底200上形成包括多个栅极单元310的栅极层。
本实施例中,在形成所述栅极层之前还包括:
S90、在衬底200上形成金属遮光层800。
S91、在所述遮光层上形成第三绝缘层230。
本实施例中,所述栅极层形成于所述第三绝缘层230上,远离所述金属遮光层800一侧。
S92、在所述第三绝缘层230上形成有源层400。
本实施例中,所述显示面板100还包括位于所述第三绝缘层230上的有源层400、及位于所述有源层400上的第四绝缘层240。所述栅极层位于所述第四绝缘层240上、及远离所述衬底200一侧。所述有源层400包括多个硅岛,所述源漏极层通过过孔与所述有源层400电连接,即使所述源极单元及所述漏极单元通过过孔与所述硅岛电连接,图中用400代表硅岛,不再重复标号,具体请参阅图1~图8。
S93、在所述有源层400上形成第四绝缘层240。
本实施例中,所述栅极层形成于所述第四绝缘层240上,远离所述金属遮光层800一侧。
S200、在所述栅极层上形成第一绝缘层210。
本实施例中,形成所述栅极层及所述第一绝缘层210的步骤包括:
S201、在所述第四绝缘层240上形成多个第一栅极311。
S202、在多个所述第一栅极311上形成第一子绝缘层211。
S203、在所述第一子绝缘层211上形成多个第二栅极312。
S204、在多个所述第二栅极312上形成第二子绝缘层212。
S300、在所述第一绝缘层210上形成包括多个金属屏蔽单元600的金属屏蔽层。
本实施例中,所述栅极单元310包括一第一栅极311及至少一与所述第一栅极311相对设置的第二栅极312,所述第一栅极311与所述第二栅极312绝缘设置。所述第一栅极311在所述衬底200上的正投影位于对应所述金属屏蔽单元600在所述衬底200上的正投影之内,或/和所述第二栅极312在所述衬底200上的正投影位于对应所述金属屏蔽单元600在所述衬底200上的正投影之内。所述显示面板100包括位于所述第一栅极311与所述第二栅极312之间的第一子绝缘层211、及位于所述第二栅极上的第二子绝缘层212。所述第一子绝缘层211与所述第二子绝缘层212构成所述第一绝缘层210,具体请参阅图2、图3,其中图3中,为方便展示,将第二栅极312的透视关系移至顶端,实际为所述第一栅极312位于第一栅极311与所述金属屏蔽单元600之间。金属屏蔽层的屏蔽原理类似于法拉第电磁笼的电磁屏蔽原理,通过在栅极单元310附近设置金属屏蔽单元600,反射周围交流电信号,避免栅极单元310之间的交流信号的影响,减少了显示不均,改善了显示效果。
本实施例中,相比于所述第二栅极312单元310,所述第一栅极311单元310位于靠近所述衬底200一侧。所述第二栅极312单元310在所述衬底200上的正投影位于所述第一栅极311单元310在所述衬底200上的正投影之内。所述第二栅极312在所述衬底200上的正投影位于对应所述金属屏蔽单元600在所述衬底200上的正投影之内,具体请参阅图2、图3,其中图3中,为方便展示,将第二栅极312的透视关系移至顶端,实际为所述第一栅极312位于第一栅极311与所述金属屏蔽单元600之间。金属屏蔽单元600可以不和其他膜层有电连接,减少了膜层打孔,在俯视图中,所述金属屏蔽单元600只需最小覆盖第二栅极312单元310,即可实现交流信号的屏蔽。
本实施例中,任一所述金属屏蔽单元600与所述显示面板100的恒压信号端电连接,具体请参阅图4~图8。通过对所述金属屏蔽单元600施加恒压电信号,所述金属屏蔽单元600可以形成一定磁场,可以更加稳定地屏蔽交流电信号,相邻两个所述金属屏蔽单元600之间连接,保护栅极单元310不受周围交流电信号的影响,减少了显示不均,改善了显示效果。
本实施例中,步骤S200之后,包括:
S210、在所述第一绝缘层210上形成源漏极层。
本实施例中,所述显示面板100还包括位于所述第一绝缘层210上及远离所述栅极层一侧的源漏极层。所述金属屏蔽层与所述源漏极层电连接,具体请参阅图4、图5。距离所述栅极层最近的带电膜层是源漏极层,通过所述金属屏蔽层与所述源漏极层电连接,提供给栅极单元310最好的交流电信号屏蔽效果。
本实施例中,所述源漏极层包括多个源极单元510及多个漏极单元520,一所述金属屏蔽单元600与一所述源极单元510电连接和/或一所述金属屏蔽单元600与一所述漏极单元520电连接。所述源极单元510以及所述漏极单元520在所述栅极单元310的外围,具体请参阅图4、图5,所述金属屏蔽单元600与哪一侧方便连接,即可与哪一侧的所述源极单元510或/和所述漏极单元520相连接,方便了屏蔽交流电信号。
本实施例中,步骤S210包括:
S211、在所述第一绝缘层210上形成多个包括第一子源极单元511及第一子漏极单元521的第一源漏极单元520。
本实施例中,所述第一源漏极单元520包括第一子源极单元511及第一子漏极单元521。
S212、在所述第一源漏极单元520上形成第五绝缘层250。
S213、在所述第五绝缘层250上形成多个第三过孔130,所述第三过孔130使所述第一子源极单元511裸露。
S214、在所述第五绝缘层250上形成与所述第一漏极单元520对应的第二元漏极单元520。
本实施例中,所述第二源漏极单元520包括第二子源极单元512,所述第二子源极单元512与所述第一子源极单元511电连接,所述金属屏蔽层位于所述第一源漏极单元与所述第二源漏极单元之间,具体请参阅图4~图8。
本实施例中,步骤S212之后包括:
S2121、在所述第五绝缘层250上形成包括多个金属屏蔽单元600的金属屏蔽层。
S2122、在所述金属屏蔽层上形成第六绝缘层260。
S2123、在所述第六绝缘层260上形成多个第三过孔130,所述第三过孔130贯穿所述第六绝缘层260及所述第五绝缘层250,所述第三过孔130使所述第一子源极单元511裸露。
本实施例中,所述第一子源极单元511与所述第二子源极单元512通过所述第三过孔130连接。所述显示面板100还包括与所述第二子源极单元512同层设置的扇出走线,所以所述第二子源极单元512的同层的电信号更为复杂,所述金属屏蔽层位于所述第一源漏极单元520与所述第二源漏极单元520之间,具体请参阅图4~图7,可以更好屏蔽所述第二子源极单元512的同层的交流电信号,提供给栅极单元310最好的交流电信号屏蔽效果。
本实施例中,所述金属屏蔽单元600位于所述第三过孔130的外围,所述金属屏蔽单元600通过所述第三过孔130与所述第二源漏极单元520电连接,具体请参阅图5。
本实施例中,所述金属屏蔽单元600通过过孔与所述第一子漏极单元521电连接,源极单元510处的膜层较多,孔洞也较复杂,避开复杂孔洞,简化工艺,加强金属屏蔽单元600的带电稳定,提供给栅极单元310最好的交流电信号屏蔽效果。
本实施例中,步骤S300之后还包括:
S400、在所述源漏极层上形成第二绝缘层220。
S500、在所述第二绝缘层220上形成包括多个阳极单元700的阳极层。
本实施例中,步骤S400之后还包括:
S410、在所述第二绝缘层220上形成多个第四过孔140。
本实施例中,所述阳极层包括多个阳极单元700,一所述金属屏蔽单元600与一所述阳极单元700电连接。所述第二绝缘层220包括多个第四过孔140,所述第四过孔140贯穿所述第二绝缘层220,至使所述金属屏蔽单元600裸露,具体请参阅图6。所述金属屏蔽单元600通过所述第四过孔140与所述阳极单元700电连接,源漏极层的孔洞也较复杂,避开复杂孔洞,简化工艺,加强金属屏蔽单元600的带电稳定,提供给栅极单元310最好的交流电信号屏蔽效果。
本实施例中,在形成第一绝缘层时步骤还包括:
在所述第一绝缘层210上形成多个第一开孔110,所述第一开孔110使所述金属遮光层800裸露。
本实施例中,所述第一绝缘层210可以为第一子绝缘层211或第二子绝缘层212。
本实施例中,在形成第五绝缘层250时步骤还包括:
在所述第五绝缘层250上形成多个第二开孔120,所述第二开孔120使所述金属遮光层800裸露。
本实施例中,所述显示面板100还包括位于所述衬底200上的金属遮光层800,所述显示面板100的源漏极层的多个源极单元510通过多个第一过孔110与所述金属遮光层800电连接,所述金属屏蔽层与所述金属遮光层800通过多个第二过孔120电连接。由于所述金属屏蔽单元600的位置有多种设置方式,所以源极单元510与所述金属遮光层800之间电连接的第一过孔110位置相应贯穿即可,所以金属屏蔽单元600单元与所述金属遮光层800之间电连接的第二过孔120位置相应贯穿即可,在此不做限定。源漏极层的具体结构也不做限定。所述显示面板100还包括位于所述金属遮光层800与所述栅极层之间的第三绝缘层230。源极单元510使金属遮光层800电位平衡,有利于所述显示面板100的电平衡及电稳定性,所述金属屏蔽单元600通过第二过孔120与所述金属遮光层800电连接,同样可以达到使所述金属屏蔽单元600带恒定电压的效果,具体请参阅图7。避开复杂孔洞,简化工艺,加强金属屏蔽单元600的带电稳定,提供给栅极单元310最好的交流电信号屏蔽效果。
本实施例中,形成金属屏蔽层的步骤包括:
形成至少包括第一屏蔽部件610与第二屏蔽部件620的金属屏蔽单元600,所述第一屏蔽部件610与所述第二屏蔽部件620异层设置。
本实施例中,所述金属屏蔽单元600至少包括第一屏蔽部件610与第二屏蔽部件620,所述第一屏蔽部件610与所述第二屏蔽部件620异层设置。所述第一屏蔽部件610与所述显示面板100的源漏极层的源极单元510电连接,所述第二屏蔽部件620与所述显示面板100的源漏极层的漏极单元520电连接或者所述第二屏蔽部件620与所述显示面板100的阳极层电连接,具体请参阅图8。通过在不同膜层设置屏蔽部件,加强对栅极单元310的交流信号屏蔽的效果,减少了显示不均,改善了显示效果。
本实施例中,形成所述栅极层的步骤包括:
在所述显示面板100靠近弯折区的第一区域132内,形成多个栅极单元310,一所述栅极单元310以形成一阵列单元150,具体请参阅图9。
本实施例中,步骤S500之后还包括:
S600、在所述阳极层上形成包括多个开口的像素定义层。
S700、在所述像素定义层上形成包括多个发光单元的发光层。
本实施例中,所述显示面板100包括靠近弯折区的第一区域132,在数据线的方向上,所述第一区域132内的相邻两个阵列单元150之间的间距小于所述第一区域132外围的相邻两个阵列单元150之间的间距。其中,所述金属屏蔽层位于所述第一区域132内。数据线的方向在图9中代表Y方向,具体请参阅图9。所述显示面板100还包括位于所述阳极层上包括多个开口的像素定义层、及发光层。所述第一区域132对应所述显示面板100的下边框区域,缩短所述阵列单元150之间的间距,利用所述第二源漏极单元520的所述第二子源极单元512所在膜层的走线,将阳极单元700的与输出电路连接,对于下边框区域,所述第一区域132上方会覆盖所述发光层的发光单元,可以有效减小下边框。由于第一区域132在工作阶段,栅极单元310会受周围交流信号的耦合效应影响,从而导致各行发光亮度存在差异,金属屏蔽单元600可以更好地加强对栅极单元310的交流信号屏蔽的效果,减少了显示不均,改善了显示效果。
本实施例中,在所述第一区域132内,部分所述显示面板100的发光单元在所述显示面板100上的正投影内无所述阵列单元150,所述发光单元与对应所述阵列单元150通过引线电连接。对于下边框区域,将所述第一区域132内的部分阵列单元之间的间距压缩,发光单元设置位置不用改变,所述发光单元与对应所述阵列单元150通过引线电连接,原阵列单元的位置被空出来,可以设置扇出走线或设置弯折走线,极大减小了下边框宽度,但同时栅极单元310受周围交流信号的耦合效应的影响也加重,所述金属屏蔽单元600可以很好地在第一区域内减小交流信号的耦合效应的影响,减少了显示不均,改善了显示效果。
本实施例中,所述金属屏蔽层的材料为氧化铟锡、纳米银、碳纳米管中的任意一种或多种的组合。其中,氧化铟锡(ITO)材料透明度好,纳米银具有良好的导热性,碳纳米管具有良好的导静电功能,可以加强对所述金属屏蔽单元600的效果补充。
本实施例中,所述金属屏蔽单元600的厚度为500埃米~1000埃米。
本申请通过在栅极层上设置金属屏蔽层,利用电屏蔽原理,减少相邻两栅极单元之间的交流信号影响,减少了显示不均,改善了显示效果。
本申请还公开了一种显示装置,包括如任一上述的显示面板100。
具体所述显示装置中的显示面板100,请参阅上述显示面板100的实施例以及图1~图9,在此不再赘述。
本申请公开了一种显示面板。该显示面板包括衬底、位于该衬底上的栅极层、位于该栅极层上的第一绝缘层、及位于该第一绝缘层上的金属屏蔽层;该栅极层包括多个栅极单元;该金属屏蔽层包括多个金属屏蔽单元,一该金属屏蔽单元对应一该栅极单元;其中,该金属屏蔽层用于屏蔽相邻两该栅极单元之间的交流信号。本申请通过在栅极层上设置金属屏蔽层,利用电屏蔽原理,减少相邻两栅极单元之间的交流信号影响,减少了显示不均,改善了显示效果。
以上对本申请实施例进行了详细介绍,本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述,以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的技术方案及其核心思想;本领域的普通技术人员应当理解:其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分技术特征进行等同替换;而这些修改或者替换,并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例的技术方案的范围。
Claims (10)
1.一种显示面板,其特征在于,包括衬底、位于所述衬底上的栅极层、位于所述栅极层上的第一绝缘层、及位于所述第一绝缘层上的金属屏蔽层;
所述栅极层包括多个栅极单元,所述金属屏蔽层包括多个金属屏蔽单元,一所述金属屏蔽单元对应一所述栅极单元;
其中,所述金属屏蔽层用于屏蔽相邻两个所述栅极单元之间的交流信号。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述栅极单元包括一第一栅极及至少一与所述第一栅极相对设置的第二栅极,所述第一栅极与所述第二栅极绝缘设置;
在一个子像素内,所述第一栅极或/和所述第二栅极在所述衬底上的正投影位于所述金属屏蔽单元在所述衬底上的正投影之内。
3.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,任一所述金属屏蔽单元与所述显示面板的恒压信号端电连接。
4.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括位于所述第一绝缘层上的源漏极层,所述金属屏蔽层与所述源漏极层电连接。
5.根据权利要求4所述的显示面板,其特征在于,所述源漏极层包括多个第一源漏极单元及与所述第一源漏极单元对应的第二源漏极单元,所述第一源漏极单元与所述第二源漏极单元异层设置;
所述第一源漏极单元包括第一子源极单元及第一子漏极单元,所述第二源漏极单元包括第二子源极单元,所述第二子源极单元与所述第一子源极单元电连接,所述金属屏蔽层位于所述第一源漏极单元与所述第二源漏极单元之间。
6.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括位于源漏极层上的第二绝缘层、位于所述第二绝缘层上的阳极层;
其中,所述阳极层包括多个阳极单元,一所述金属屏蔽单元与一所述阳极单元电连接。
7.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括位于所述衬底上的金属遮光层,源漏极层的多个源极单元通过多个第一过孔与所述金属遮光层电连接,所述金属屏蔽层与所述金属遮光层通过多个第二过孔电连接。
8.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述金属屏蔽单元至少包括第一屏蔽部件与第二屏蔽部件,所述第一屏蔽部件与所述第二屏蔽部件异层设置;
所述第一屏蔽部件与源漏极层的源极单元电连接,所述第二屏蔽部件与所述源漏极层的漏极单元电连接,或者所述第二屏蔽部件与阳极层电连接。
9.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板包括靠近弯折区的第一区域,在数据线的方向上,所述第一区域内的相邻两个阵列单元之间的间距小于所述第一区域外围的相邻两个所述阵列单元之间的间距;
其中,所述金属屏蔽层位于所述第一区域内。
10.根据权利要求9所述的显示面板,其特征在于,在所述第一区域内,部分所述显示面板的发光单元在所述显示面板上的正投影内无所述阵列单元,所述发光单元与对应所述阵列单元通过引线电连接。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202010843244.1A CN112038325B (zh) | 2020-08-20 | 2020-08-20 | 显示面板 |
US17/263,422 US20230252930A1 (en) | 2020-08-20 | 2020-10-30 | Display panel and manufacturing method thereof |
PCT/CN2020/125395 WO2022036864A1 (zh) | 2020-08-20 | 2020-10-30 | 显示面板及其制作方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202010843244.1A CN112038325B (zh) | 2020-08-20 | 2020-08-20 | 显示面板 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN112038325A true CN112038325A (zh) | 2020-12-04 |
CN112038325B CN112038325B (zh) | 2022-08-23 |
Family
ID=73580788
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202010843244.1A Active CN112038325B (zh) | 2020-08-20 | 2020-08-20 | 显示面板 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20230252930A1 (zh) |
CN (1) | CN112038325B (zh) |
WO (1) | WO2022036864A1 (zh) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN114242736A (zh) * | 2021-12-17 | 2022-03-25 | 湖北长江新型显示产业创新中心有限公司 | 一种显示面板及显示装置 |
WO2023000422A1 (zh) * | 2021-07-22 | 2023-01-26 | 武汉华星光电技术有限公司 | 阵列基板及显示面板 |
US11796847B2 (en) | 2021-07-22 | 2023-10-24 | Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. | Array substrate comprising a first metal layer electrically connected to a first doped area through a bridge layer and display panel |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20230166546A (ko) * | 2022-05-31 | 2023-12-07 | 엘지디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 및 이를 포함하는 표시 장치 |
Citations (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002149087A (ja) * | 2000-08-04 | 2002-05-22 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置 |
CN1652339A (zh) * | 2004-02-04 | 2005-08-10 | 日本电气株式会社 | 非易失性半导体存储器及其制造方法 |
CN105470262A (zh) * | 2014-09-30 | 2016-04-06 | 乐金显示有限公司 | 薄膜晶体管基板及使用薄膜晶体管基板的显示设备 |
KR20160071528A (ko) * | 2014-12-11 | 2016-06-22 | 엘지디스플레이 주식회사 | 수평 전계형 액정 표시장치 |
CN106952940A (zh) * | 2017-05-26 | 2017-07-14 | 上海天马有机发光显示技术有限公司 | 一种有机发光显示面板和有机发光显示装置 |
CN107256872A (zh) * | 2017-07-10 | 2017-10-17 | 厦门天马微电子有限公司 | 一种阵列基板及其制作方法、显示面板、显示装置 |
CN107799532A (zh) * | 2016-09-01 | 2018-03-13 | 群创光电股份有限公司 | 显示装置 |
CN109728049A (zh) * | 2019-01-02 | 2019-05-07 | 上海天马有机发光显示技术有限公司 | 一种显示面板和显示装置 |
WO2019138734A1 (ja) * | 2018-01-15 | 2019-07-18 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
CN110085628A (zh) * | 2018-01-25 | 2019-08-02 | 三星显示有限公司 | 显示装置和制造该显示装置的方法 |
CN110299384A (zh) * | 2019-06-10 | 2019-10-01 | 昆山国显光电有限公司 | 一种显示面板 |
CN110797356A (zh) * | 2019-11-28 | 2020-02-14 | 厦门天马微电子有限公司 | 一种阵列基板及显示装置 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004151546A (ja) * | 2002-10-31 | 2004-05-27 | Sharp Corp | アクティブマトリクス基板および表示装置 |
US9818854B2 (en) * | 2015-04-30 | 2017-11-14 | Semiconductor Components Industries, Llc | Electronic device including a bidirectional HEMT |
CN105867692B (zh) * | 2016-04-14 | 2019-05-03 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板、制造方法以及显示面板和电子装置 |
US20170338252A1 (en) * | 2016-05-17 | 2017-11-23 | Innolux Corporation | Display device |
KR102651930B1 (ko) * | 2016-07-29 | 2024-03-27 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광 표시장치 및 그 제조방법 |
KR102426708B1 (ko) * | 2018-09-07 | 2022-07-29 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 |
-
2020
- 2020-08-20 CN CN202010843244.1A patent/CN112038325B/zh active Active
- 2020-10-30 WO PCT/CN2020/125395 patent/WO2022036864A1/zh active Application Filing
- 2020-10-30 US US17/263,422 patent/US20230252930A1/en active Pending
Patent Citations (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002149087A (ja) * | 2000-08-04 | 2002-05-22 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置 |
CN1652339A (zh) * | 2004-02-04 | 2005-08-10 | 日本电气株式会社 | 非易失性半导体存储器及其制造方法 |
CN105470262A (zh) * | 2014-09-30 | 2016-04-06 | 乐金显示有限公司 | 薄膜晶体管基板及使用薄膜晶体管基板的显示设备 |
KR20160071528A (ko) * | 2014-12-11 | 2016-06-22 | 엘지디스플레이 주식회사 | 수평 전계형 액정 표시장치 |
CN107799532A (zh) * | 2016-09-01 | 2018-03-13 | 群创光电股份有限公司 | 显示装置 |
CN106952940A (zh) * | 2017-05-26 | 2017-07-14 | 上海天马有机发光显示技术有限公司 | 一种有机发光显示面板和有机发光显示装置 |
CN107256872A (zh) * | 2017-07-10 | 2017-10-17 | 厦门天马微电子有限公司 | 一种阵列基板及其制作方法、显示面板、显示装置 |
WO2019138734A1 (ja) * | 2018-01-15 | 2019-07-18 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
CN110085628A (zh) * | 2018-01-25 | 2019-08-02 | 三星显示有限公司 | 显示装置和制造该显示装置的方法 |
CN109728049A (zh) * | 2019-01-02 | 2019-05-07 | 上海天马有机发光显示技术有限公司 | 一种显示面板和显示装置 |
CN110299384A (zh) * | 2019-06-10 | 2019-10-01 | 昆山国显光电有限公司 | 一种显示面板 |
CN110797356A (zh) * | 2019-11-28 | 2020-02-14 | 厦门天马微电子有限公司 | 一种阵列基板及显示装置 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2023000422A1 (zh) * | 2021-07-22 | 2023-01-26 | 武汉华星光电技术有限公司 | 阵列基板及显示面板 |
US11796847B2 (en) | 2021-07-22 | 2023-10-24 | Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. | Array substrate comprising a first metal layer electrically connected to a first doped area through a bridge layer and display panel |
CN114242736A (zh) * | 2021-12-17 | 2022-03-25 | 湖北长江新型显示产业创新中心有限公司 | 一种显示面板及显示装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN112038325B (zh) | 2022-08-23 |
WO2022036864A1 (zh) | 2022-02-24 |
US20230252930A1 (en) | 2023-08-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN112038325B (zh) | 显示面板 | |
CN111833720B (zh) | 一种显示面板及显示装置 | |
CN108445686B (zh) | 阵列基板、显示面板与显示装置 | |
WO2018010445A1 (zh) | 液晶显示面板及其制作方法以及显示装置 | |
CN108649060B (zh) | Oled器件及其制备方法、显示装置 | |
WO2017124710A1 (zh) | 液晶显示面板、其密封性检测方法及显示装置 | |
CN107390933B (zh) | 一种触控显示面板 | |
US20200365458A1 (en) | Array substrate, display device and method for repairing wire break of array substrate | |
US11758770B2 (en) | Display panel and display device with pixel electrode overlapping transparent wires configured to reduce laser-etching damage | |
CN214409944U (zh) | 显示装置、触控显示面板及触控面板 | |
CN111863931B (zh) | 显示面板及显示装置 | |
CN108732830B (zh) | 显示面板和显示装置 | |
CN112782884A (zh) | 一种防静电显示面板及显示装置 | |
CN101494226B (zh) | 薄膜晶体管基板及其制造方法、布线结构及其制造方法 | |
CN113190140B (zh) | 显示面板及显示装置 | |
CN108389508B (zh) | 显示模组以及电子设备 | |
CN110568655A (zh) | 一种显示面板及显示装置 | |
WO2020238624A1 (zh) | 阵列基板和显示面板 | |
CN110853565B (zh) | 显示基板的制备方法、显示基板、显示面板及显示装置 | |
CN110112160B (zh) | 一种阵列基板及其制备方法、显示装置 | |
US20220302245A1 (en) | Display panel and display apparatus | |
CN114185190B (zh) | 阵列基板、显示面板及显示装置 | |
CN115810636A (zh) | 金属氧化物薄膜晶体管阵列基板及其制作方法和显示面板 | |
CN105848394B (zh) | 显示装置及其制作方法 | |
CN112528933B (zh) | 一种柔性线路板、显示装置及其制作方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |