CN107390933B - 一种触控显示面板 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种触控显示面板，包括：包含静电释放元件的第一基板；与第一基板相对设置的第二基板；位于第一基板与第二基板之间的显示元件；位于第一基板与第二基板之间的第一触控层；位于第二基板的氧化锡锑层；与氧化锡锑层直接接触的导电薄膜；金属导电体，所述金属导电体包括第一端部和第二端部，所述第一端部与所述导电薄膜直接接触，所述第二端部与所述静电释放元件直接接触。本发明提供的触控显示面板，由于采用了氧化锡锑层并且在氧化锡锑层与金属导电体之间设置了导电薄膜，达到了既不会屏蔽触控信号，又能有良好的静电消散能力的效果，提高了产品的良率及可靠性。

Description

一种触控显示面板

技术领域

本发明涉及触控显示领域，特别涉及一种触控显示面板。

背景技术

当前，由于消费电子领域的蓬勃发展，越来越多的电子显示产品受到人们的青睐。人们对手机、平板电脑、电子阅读器、笔记本等电子产品的要求逐渐提高，不仅需要手机、平板电脑、电子阅读器、笔记本同时具有精良的显示画面和高精度的触控功能，还要求上述电子产品越来越轻薄、携带越来越方便。因此将上述电子产品的显示面板进行轻薄化、高精度显示化已经成为了显示面板制造商的技术发展的趋势。

在现有技术中，将触控显示面板进行轻薄化最常用的手段是将触控功能的面板与显示功能面板进行集成，主要有表面嵌入式(on-cell)和内嵌入式(in-cell)，即尽量将触控单元设置在显示面板的内部。但此做法通常会导致触控单元与显示单元距离过近，而与触摸介质(手指、触摸笔)距离过远，因此产生了距离触摸介质较近的现有的显示膜层，例如静电保护层(一般采用氧化铟锡，即ITO，即Indium tin oxide)，对触控信号的屏蔽的问题。若在触控显示面板中不设置静电保护层，又无法导出在生产制造以及在使用中产生的静电，从而影响触控显示面板的良率以及使用寿命，从而导致该技术的发展陷入了两难的境地。

发明内容

本发明的实施例所要解决的技术问题是提供一种触控显示面板，本发明提供的触控显示面板既不会屏蔽触控信号，又具有良好的静电消散能力。

本发明提供的一种触控显示面板，包括：

第一基板，所述第一基板包括静电释放元件；

第二基板，所述第二基板与所述第一基板相对设置；

显示元件，位于所述第一基板与第二基板之间；

第一触控层，所述第一触控层位于所述第一基板与所述第二基板之间；

氧化锡锑层，所述氧化锡锑层位于所述第二基板；

导电薄膜，所述导电薄膜与所述氧化锡锑层直接接触；

金属导电体，所述金属导电体包括第一端部和第二端部，所述第一端部与所述导电薄膜直接接触，所述第二端部与所述静电释放元件直接接触。

本发明提供的触控显示面板，利用氧化锡锑层具有半导体特性的纳米氧化物粒子，在室温下具有比常规的氧化物高的导电特性，采用氧化锡锑层作为静电消散层；并且本发明的发明人发现由于氧化锡锑层相对氧化铟锡具有更高的电阻率，因此氧化锡锑层并不屏蔽触控信号。从而解决了现有技术中静电保护层对于触控信号的屏蔽问题。此外，由于在氧化锡锑层与金属导电体之间设置了金属薄膜，增大了静电导出部分的接触面积，加快了静电消散的速度，提升了产品的可靠性。

附图说明

图1为本发明实施例提供的一种触控显示面板的结构示意图；

图2为本发明实施例提供的另一种触控显示面板的结构示意图；

图3为本发明实施例提供的又一种触控显示面板的结构示意图；

图4A为本发明实施例提供的又一种触控显示面板的结构示意图；

图4B为图4A中第一电极和第二电极的俯视图；

图5A为本发明实施例提供的又一种触控显示面板的结构示意图；

图5B为图5A中第一电极和第二电极的俯视图；

图6为本发明实施例触控走线与第一电极的连接关系示意图；

图7为本发明实施例提供的一种触控显示面板的结构示意图；

图8为本发明实施例触控走线与阴极电极的连接关系示意图；

图9为本发明实施例提供的另一种触控显示面板的结构示意图；

图10为本发明实施例提供的又一种触控显示面板的结构示意图。

具体实施方式

为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。

在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明，但是本发明还可以采用其他不同于在此描述的其它方式来实施，因此本发明不受下面公开的具体实施例的限制。

本发明提供的一种触控显示面板，如图1所示，包括：第一基板10，第一基板10包括静电释放元件12，静电释放元件可以接入基准电位，也可以连接触控显示面板组装完成后的外壳，用于导出整个触控显示面板的静电。

本发明提供的触控显示面板包括与第一基板10相对设置的第二基板20，第一基板10与第二基板20之间设置有显示元件30以及第一触控层40。如图1所示第一触控层40可以与显示元件30位于不同的膜层以外，第一触控层40也可以集成在显示元件30之中，本发明将会在后续的实施例说明此种情况。

本发明提供的触控显示面板还包括氧化锡锑层22，氧化锡锑层22位于第二基板20。具体地，氧化锡锑层22可以位于第二基板20远离第一基板10的一侧，氧化锡锑层22也可以位于第二基板20靠近第一基板10的一侧，图1先示出氧化锡锑层22可以位于第二基板20远离第一基板10的一侧的情况。具体地，氧化锡锑层的氧化锡锑的电阻率可以为10⁷欧姆/平方米至10¹⁰欧姆/平方米。

本发明提供的触控显示面板还包括导电薄膜24，导电薄膜24与氧化锡锑层22直接接触，具体地，导电薄膜24可以与氧化锡锑层22远离第二基板20的表面直接接触，也可以与氧化锡锑层22靠近第二基板20的表面直接接触，图1先示出导电薄膜24可以与氧化锡锑层22远离第二基板20的表面直接接触的情况。金属导电体26，金属导电体26包括第一端部261和第二端部262，第一端部261与导电薄膜24直接接触，第二端部262与静电释放元件12直接接触。一般的，金属导电体26可以是银等导电性较好的金属单质。

本发明提供的触控显示面板，利用氧化锡锑层22作为静电消散层导出静电；并且由于氧化铟锡具有较高的面电阻，因此并不屏蔽触控信号，从而解决了现有技术中静电保护层对于触控信号的屏蔽问题。但是，若单独仅仅设计氧化锡锑层22作为静电消散层与金属导电体26接触，由于氧化锡锑层22电阻太大，会产生静电消散情况不佳的问题。

下面以选取10¹⁰欧姆/平方米的氧化锡锑为例，将测试端的一端与氧化锡锑层22接触，一端与金属导电体26的第一端261接触，在5个样品中测得多次的电阻值数据为表一。

样品	未设置导电薄膜的电阻值(单位：欧姆)
		1	4.10*10<sup>10</sup>
2	3.88*10<sup>10</sup>
		3	4.21*10<sup>10</sup>
4	3.91*10<sup>10</sup>
		5	4.06*10<sup>10</sup>

表一

若在氧化锡锑层22与金属导电体26之间加入了金属薄膜24，增大了静电从氧化锡锑层22的导出面积，依然以选取10¹⁰欧姆/平方米的氧化锡锑为例，在中间加入金属薄膜24后，将测试端的一端与氧化锡锑层22接触，一端与金属导电体26的第一端261接触，在5个样品中测得多次的电阻值数据为表二。

样品	设置导电薄膜的电阻值(单位：欧姆)
		1	8.10*10<sup>9</sup>
2	7.85*10<sup>9</sup>
		3	8.17*10<sup>9</sup>
4	8.02*10<sup>9</sup>
		5	8.15*10<sup>9</sup>

表二

从表一和表二的对比数据可得出，由于在氧化锡锑层22与金属导电体26之间设置了金属薄膜24，增大了静电导出部分的接触面积，降低了电阻的阻抗，为了进一步说明本发明技术方案的技术效果，发明人特意测量了上述样品的静电导出时间，具体数据如表三所示。

样品	未设置导电薄膜的消散时间(单位：秒)	设置导电薄膜的消散时间(单位：秒)
			1	5	0.9
2	7	1
			3	6	0.9
4	5	0.8
			5	6	1

表三

可见本发明技术方案由于在氧化锡锑层22与金属导电体26之间设置了金属薄膜24，加快了静电消散的速度，提升了产品的可靠性。

本发明实施例还提供另一种触控显示面板，如图2所示，触控显示面板还包括导电胶层28，导电薄膜24通过导电胶层28粘贴到氧化锡锑层22的表面。导电胶层28可以通过在胶层中加入银粉、铜粉、镍铝粉等导电金属粉而形成。

可选的，金属导电体26的电导率大于导电薄膜24的电导率，导电薄膜的电导率24大于氧化锡锑层22的电导率。这样即使氧化锡锑层22与导电薄膜24的接触面积S1，小于导电薄膜24与金属导电体26的接触面积S2，在电导率逐渐增大的情况下，电荷也可以有足够的迁移通道和迁移速度，从而快速的消散。

本发明实施例还提供又一种触控显示面板，可选的，该触控显示面板是液晶显示面板。

如图3所示，触控显示面板还包括液晶50，液晶50位于第一基板10和第二基板20之间。氧化锡锑层22位于第二基板20远离所述第一基板10的一侧，导电薄膜24位于氧化锡锑层22远离所述第二基板20的一侧，金属导电体26的第一端部261与导电薄膜24远离所述氧化锡锑层22一侧的表面直接接触，金属导电体26的第二端部262与静电释放元件12远离第一基板10的一侧表面直接接触，静电释放元件12位于第一基板10靠近第二基板20的一侧。

如图3所示，触控显示面板还包括：偏光片27，偏光片27位于氧化锡锑层22远离第二基板20的一侧。可选的，偏光片27与导电薄膜24之间具有间隙29。

可选的，为了便于在触控显示面板上再设置玻璃盖板，导电薄膜24的厚度小于偏光片27的厚度，或者导电薄膜24与导电胶层28的厚度之和小于偏光片27的厚度。

本发明实施例还提供一种触控显示面板，可选的，该触控显示面板是内嵌自容式触控液晶显示面板。

如图4A所示，第一基板10包括多个呈m*n阵列分布的第一电极14和多个呈x*y阵列分布的第二电极16，其中x>m>1,y>n>1,m、n、x、y均为整数。可选的第一电极14为公共电极，第二电极16为像素电极。一个第一电极14在垂直于第一基板10的方向上与多个第二电极16对应，第一电极14与其相对应的第二电极16形成电场驱动液晶50转动。如图4B所示，一个第一电极14在垂直于第一基板10的方向上与4个第二电极161、162、163、164对应，第一电极14与对应第二电极161、162、163、164分别形成平面电场，驱动四个像素区域内的液晶50转动。第二电极161、162、163、164由于比第一电极14更靠近液晶50，每个第二电极161、162、163、164中具有镂空区域以便该区域的电场形成。

需要说明的是，第一电极14与第二电极16的位置关系可以如图4A所示，第二电极16(像素电极)位于第一电极14(公共电极)与液晶50之间，即Mid-com结构。在本发明的其他实施例中，第二电极16(像素电极)还可以位于第一电极14(公共电极)远离液晶50的一侧，即Top-com结构。当第二电极16(像素电极)位于第一电极14(公共电极)远离液晶50的一侧时，像素区域内的第一电极14(公共电极)应设置镂空区域以与第二电极16(像素电极)形成平面场。

可选的，如图5A和图5B所示，第一电极14包括多个刻缝18，刻缝18位于第二电极161、162、163、164在对应的第一电极14的正投影之间。即，第二电极161、162、163、164与刻缝18不交叠。

可选的，如图6所示，第一基板还10还包括多条触控走线191、192、193、194，一条触控走线如191仅与一个第一电极141电连接，与其他第一电极142、143、144绝缘。所有第一电极彼此绝缘，如第一电极141与其他第一电极142、143、144绝缘；第一电极142与其他第一电极141、143、144绝缘；第一电极143与其他第一电极141、142、144绝缘；第一电极144与其他第一电极141、142、143绝缘。

通过阵列式的方式设置第一电极14及对应的触控走线19，可以仅仅用一层电极就得到触控位置。下面就图6对触控方式进行说明，由于第一电极141、142、143、144呈阵列排布，彼此的位置就代表一个坐标点。第一电极141为(1,1)，第一电极142为(1,2)，第一电极143为(2,1)，第一电极144为(2,2)。触控显示面板还包括多条栅极线和与栅极线交叉绝缘设置的多条数据线，多条栅极线与多条数据线交叉形成多个像素区域，第二电极(像素电极)设置在像素区域内。每个第二电极通过TFT晶体管耦接到对应的数据线。在显示阶段，打开TFT晶体管，数据线为第二电极(像素电极)接入数据信号，触控走线191、192、193、194为对应的第一电极141、142、143、144接入共通信号，此时第一电极141、142、143、144与对应的第二电极(像素电极)形成平面场，驱动液晶转动，进行画面显示。在触控阶段，关闭TFT晶体管，数据线为第二电极(像素电极)接入数据信号触控走线191、192、193、194为对应的第一电极141、142、143、144接入触控信号。在触控阶段，若第一电极144对应的触控走线194检测出触控，则可以根据第一电极144在触控阵列中的坐标位置推测出此时在(2,2)的位置发生触控。

可选的，如图6所示，每条触控走线和对应的第一电极可以仅通过一个接触点电连接，例如触控走线191与第一电极141仅在接触点1911电连接。每条触控走线和对应的第一电极也可以通过多个接触点电连接，例如触控走线193与第一电极143在接触点1931、1932、1933电连接；以及触控走线194与第一电极144在接触点1941、1942电连接。每个接触点可以依次设置，如接触点1921、1922、1923，每个接触点也可以间隔一定区域设置，如接触点1941和接触点1942。

可选的，触控走线可以与第一电极的刻缝交叠，以减少与第一电极的交叠面积，从而避免与触控走线不电连接的第一电极的影响。如图6所示，触控走线191与第一电极142的刻缝交叠，可以减少其与第一电极142的接触面积，避免第一电极142产生的干扰。

本发明提供的触控显示面板，采用其作为氧化锡锑层作为静电消散层，可以消散掉由于第二基板未设置电极无法消散的静电，并且不屏蔽位于第一基板的第一电极触控信号。从而解决了现有技术中静电保护层对于触控信号的屏蔽问题。此外，由于在氧化锡锑层与金属导电体之间设置了金属薄膜，增大了静电导出部分的接触面积，加快了静电消散的速度，提升了产品的可靠性。

本发明提供的触控显示面板还可以是有机发光显示面板，即OLED显示面板。如图7所示，第一基板还包括阳极层71、有机发光材料72、阴极层73。有机发光材料72位于阳极层71和阴极层73之间，由二者激发而发光，从而进行画面显示。阴极层73包括多个呈m*n阵列分布的阴极电极731、732、733、734。一个阴极电极731、732、733、734可以对应一个或多个阳极电极711、712、713、714，即一个阴极电极731、732、733、734在垂直于第一基板10的方向上的投影可以与一个或多个阳极电极711、712、713、714交叠。需要说明的是，阴极电极731、732、733、734可以位于阴极层73，但不与阳极电极711、712、713、714对应，即一个阴极电极731、732、733、734在垂直于第一基板10的方向上的投影与一个或多个阳极电极711、712、713、714不交叠。

可选的，如图8所示，第一基板10还包括多条触控走线741、742、743、744，一条触控走线如741仅与一个阴极电极731电连接，与其他阴极电极732、733、734绝缘。所有阴极电极彼此绝缘，如阴极电极731与其他阴极电极732、733、734绝缘；阴极电极732与其他阴极电极731、733、734绝缘；阴极电极733与其他阴极电极731、732、734绝缘；阴极电极734与其他阴极电极731、732、733绝缘。

通过阵列式的方式设置阴极电极731、732、733、734及对应的触控走线741、742、743、744，可以仅仅用一层电极就得到触控位置。下面就图8对触控方式进行说明，由于阴极电极731、732、733、734呈阵列排布，彼此的位置就代表一个坐标点。阴极电极731为(1,1)，阴极电极732为(1,2)，阴极电极733为(2,1)，阴极电极734为(2,2)。在触控阶段，触控走线741、742、743、744为对应的阴极电极731、722、733、734接入触控信号。在触控阶段，若阴极极734对应的触控走线744检测出触控，则可以根据阴极极734在触控阵列中的坐标位置推测出此时在(2,2)的位置发生触控。

需要说明的是，触控走线741、742、743、744与对应的阴极电极731、722、733、734电连接的方式可以参照液晶触控显示面板中第一电极与触控走线的电连接方式，此处不再赘述。

当本发明提供的触控显示面板为有机发光显示面板时，氧化锡锑层的设计有两种方式。本发明提供的一种触控显示面板，如图9所示，氧化锡锑层22位于第二基板20远离第一基板10的一侧。导电薄膜24位于氧化锡锑层22与第二基板20之间。金属导电体26的第一端部261与导电薄膜24远离氧化锡锑层22一侧的表面直接接触。

本发明提供的另一种触控显示面板，如图10所示，氧化锡锑层22位于第二基板20与第一基板10之间。导电薄膜24位于氧化锡锑层22远离第二基板20的一侧。金属导电体26的第一端部261与导电薄膜24远离氧化锡锑层22一侧的表面直接接触。

可选的，金属导电体24可以为掺杂金属导电球的导电玻璃料。金属导电球为多个，其材质优选为过渡金属，所述金属导电球可以规则排列，也可以不规则排列，但是其堆叠起来能够形成第一基板10和第二基板20之间的导电通路,最上方的金属导电球直接接触第二基板20上的导电薄膜24，最下方的所金属导电球直接接触第一基板10上的静电释放元件12，最上方和最下方的金属导电球与中间堆叠的金属导电球形成导电通路。

本发明提供的触控显示面板，采用其作为氧化锡锑层作为静电消散层，可以消散掉由于第二基板未设置电极无法消散的静电，并且不屏蔽位于第一基板的阴极电极触控信号。从而解决了现有技术中静电保护层对于触控信号的屏蔽问题。此外，由于在氧化锡锑层与金属导电体之间设置了金属薄膜，增大了静电导出部分的接触面积，加快了静电消散的速度，提升了产品的可靠性。

需要说明的是，以上实施例可以互相借鉴、综合使用。本发明虽然已以较佳实施例公开如上，但其并不是用来限定本发明，任何本领域技术人员在不脱离本发明的精神和范围内，都可以利用上述揭示的方法和技术内容对本发明技术方案做出可能的变动和修改，因此，凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化及修饰，均属于本发明技术方案的保护范围。

Claims (11)

1.一种触控显示面板，包括：

第一基板，所述第一基板包括静电释放元件；

第二基板，所述第二基板与所述第一基板相对设置；

显示元件，位于所述第一基板与第二基板之间；

第一触控层，所述第一触控层位于所述第一基板与所述第二基板之间；

氧化锡锑层，所述氧化锡锑层位于所述第二基板；

导电薄膜，所述导电薄膜与所述氧化锡锑层直接接触；

金属导电体，所述金属导电体包括第一端部和第二端部，所述第一端部与所述导电薄膜直接接触，所述第二端部与所述静电释放元件直接接触；其中，所述金属导电体的电导率大于所述导电薄膜的电导率，所述导电薄膜的电导率大于所述氧化锡锑层的电导率；

其中，所述氧化锡锑层与所述导电薄膜的接触面积S1，小于所述导电薄膜与所述金属导电体的接触面积S2，即S1＜S2；

所述触控显示面板还包括：

导电胶层，所述导电薄膜通过所述导电胶层粘贴到所述氧化锡锑层的表面，其中，所述导电胶层通过在胶层中添加导电金属粉而形成。

2.如权利要求1所述的触控显示面板，其特征在于，所述氧化锡锑层位于所述第二基板远离所述第一基板的一侧；

所述导电薄膜位于所述氧化锡锑层远离所述第二基板的一侧；

所述金属导电体的第一端部与所述导电薄膜远离所述氧化锡锑层一侧的表面直接接触。

3.如权利要求2所述的触控显示面板，其特征在于，所述触控显示面板还包括：

偏光片，所述偏光片位于所述氧化锡锑层远离所述第二基板的一侧且所述偏光片与所述导电薄膜之间具有间隙。

4.如权利要求3所述的触控显示面板，其特征在于，所述导电薄膜的厚度小于所述偏光片的厚度。

5.如权利要求3所述的触控显示面板，其特征在于，所述触控显示面板还包括液晶，所述液晶位于所述第一基板和所述第二基板之间；

所述第一基板包括多个呈m*n阵列分布的第一电极和多个呈x*y阵列分布的第二电极，其中x>m>1,y>n>1,m、n、x、y均为整数；

一个所述第一电极与多个所述第二电极在垂直于所述第一基板的方向上对应，所述第一电极与对应的所述第二电极形成电场驱动所述液晶转动。

6.如权利要求5所述的触控显示面板，其特征在于，所述第一电极包括多个刻缝，所述刻缝位于所述第二电极在对应的所述第一电极的正投影之间。

7.如权利要求6所述的触控显示面板，其特征在于，所述第一基板还包括多条触控走线，一条所述触控走线仅与一个所述第一电极电连接，与其他所述第一电极绝缘；

所述第一电极彼此绝缘；

所述触控走线在显示阶段为所述第一电极接入共通信号，所述触控走线在触控阶段为所述第一电极接入触控信号。

8.如权利要求1所述的触控显示面板，其特征在于，所述第一基板还包括阳极层、有机发光材料、阴极层，

所述阴极层包括多个呈m*n阵列分布的阴极电极，其中m，n为正整数；

所述第一基板还包括多条触控走线，一条所述触控走线仅与一个所述阴极电极电连接，与其他所述阴极电极绝缘；

所述阴极电极彼此绝缘；

所述触控走线在显示阶段为所述阴极电极接入共通信号，所述触控走线在触控阶段为所述阴极电极接入触控信号。

9.如权利要求8所述的触控显示面板，其特征在于，所述氧化锡锑层位于所述第二基板远离所述第一基板的一侧；

所述导电薄膜位于所述氧化锡锑层与所述第二基板之间；

所述金属导电体的第一端部与所述导电薄膜远离所述氧化锡锑层一侧的表面直接接触。

10.如权利要求8所述的触控显示面板，其特征在于，所述氧化锡锑层位于所述第二基板与所述第一基板之间；

所述导电薄膜位于所述氧化锡锑层远离所述第二基板的一侧；

所述金属导电体的第一端部与所述导电薄膜远离所述氧化锡锑层一侧的表面直接接触。

11.如权利要求10所述的触控显示面板，其特征在于，所述金属导电体为掺杂金属导电球的导电玻璃料。

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