WO2019134387A1

WO2019134387A1 - 一种骨传导扬声器

Info

Publication number: WO2019134387A1
Application number: PCT/CN2018/104934
Authority: WO
Inventors: 张磊; 廖风云; 齐心
Original assignee: 深圳市韶音科技有限公司
Priority date: 2018-01-08
Filing date: 2018-09-11
Publication date: 2019-07-11
Also published as: BR112020013968A2; US20220248140A1; KR102460744B1; JP7093415B2; US20220150640A1; US11765515B2; US11711654B2; US20230396928A1; US20210168511A1; EP3723388A4; US20220060834A1; RU2020126339A; US20200336840A1; JP2021510476A; RU2022102718A; US11765510B2; EP3723388A1; RU2020126339A3; US20200336839A1; WO2019134162A1

Abstract

本申请涉及一种骨传导扬声器的磁路组件。所述磁路组件产生第一磁场。所述磁路组件包括第一磁性元件，且所述第一磁性元件产生第二磁场。所述磁路还包括第一导磁元件和至少一个第二磁性元件。所述至少一个第二磁性元件环绕所述第一磁性元件，并与所述第一磁性元件之间形成磁间隙。所述第一磁场在所述磁间隙内的磁场强度大于所述第二磁场在所述磁间隙内的磁场强度。

Description

一种骨传导扬声器

优先权信息

本申请要求于2018年1月08日提交的国际申请NO.PCT/CN2018/071751，其全部内容通过引用的方式并入本文。

技术领域

本申请涉及一种骨传导扬声器，尤其涉及骨传导扬声器中的磁路组件。

背景技术

骨传导扬声器能将电信号转换成机械振动信号，并将振动信号通过人体组织及骨头传导入耳蜗，使使用者听到声音。相对于气传导扬声器通过振膜带动空气振动产生声音，骨传导振动扬声器需要带动使用者的软组织及骨头进行振动，因而其所需要的机械功率较高。提高骨传导扬声器的灵敏度能够使电能转换成机械能的效率更高，从而输出更大的机械功率。提高灵敏度对于功率要求较高的骨传导扬声器来说显得更为重要。

简述

本申请涉及一种骨传导扬声器的磁路组件。该磁路组件产生第一磁场，该磁路组件包括第一磁性元件，该第一磁性元件产生第二磁场；第一导磁元件；以及至少一个第二磁性元件，该至少一个第二磁性元件环绕该第一磁性元件，并与该第一磁性元件之间形成磁间隙，该第一磁场在该磁间隙内的磁场强度大于该第二磁场在该磁间隙内的磁场强度。

根据本申请的一些实施例，该磁路组件可以进一步包括第二导磁元件以及至少一个第三磁性元件，该至少一个第三磁性元件连接该第二导磁元件和该至少一个第二磁性元件。

根据本申请的一些实施例，该磁路组件可以进一步包括至少一个第四磁性元件，该至少一个第四磁性元件位于该磁间隙的下方并连接该第一磁性元件以及该第二导磁元件。

根据本申请的一些实施例，该磁路组件可以进一步包括至少一个第五磁性元件，该至少一个第五磁性元件连接该第一导磁元件的上表面。

根据本申请的一些实施例，该磁路组件可以进一步包括第三导磁元件，该第三导磁元件连接该第五磁性元件的上表面，该第三导磁元件被配置为抑制该第一磁场的场强泄露。

根据本申请的一些实施例，该磁路组件可以进一步包括至少一个导电元件，该导电元件连接该第一磁性元件、该第一导磁元件，或该第二导磁元件中的至少一个元件。

本申请另涉及一种骨传导扬声器的磁路组件。该磁性组件产生第一磁场，该磁路组件可以包括第一磁性元件，该第一磁性元件产生第二磁场；第一导磁元件；第二导磁元件，该第二导磁元件环绕该第一磁性元件，并与该第一磁性元件之间形成磁间隙；以及至少一个第二磁性元件，该至少一个第二磁性元件至于该磁间隙的下方，该第一磁场在该磁间隙内的磁场强度大于该第二磁场在该磁间隙内的磁场强度。

根据本申请的一些实施例，该磁路组件可以进一步包括至少一个第三磁性元件，该第三磁性元件连接该第二导磁元件。

根据本申请的一些实施例，该磁路组件可以进一步包括至少一个第四磁性元件，该至少一个第四磁性元件位于该第二导磁元件与该至少一个第三磁性元件之间。

根据本申请的一些实施例，该磁路组件可以进一步包括导磁罩，该导磁罩环绕该第一磁性元件，该第一导磁元件，该第二导磁元件以及该第二磁性元件。

根据本申请的一些实施例，该磁路组件可以进一步包括至少一个导电元件，该导电元件连接该第一磁性元件、该第一导磁元件，或该第二磁性元件中的至少一个元件。

本申请是关于一种骨传导扬声器的磁路组件。该磁性组件产生第一磁场，该磁路组件可以包括第一磁性元件，该第一磁性元件产生第二磁场；第一导磁元件；第二导磁元件，至少部分的该第二导磁元件环绕该第一磁性元件，并与该第一磁性元件之间形成磁间隙以及至少一个第二磁性元件，该至少一个第二磁性元件连接该第一导磁元件上表面，该第一磁场在该磁间隙内的磁场强度大于该第二磁场在该磁间隙内的磁场强度。

根据本申请的一些实施例，该磁路组件可以进一步包括至少一个第三磁性元件，该至少一个第三磁性元件环绕该至少一个第二磁性元件。

根据本申请的一些实施例，该磁路组件可以进一步包括至少一个第四磁性元件，该至少一个第四磁性元件连接该第二导磁元件和该至少一个第三磁性元件。

根据本申请的一些实施例，该磁路组件可以进一步包括至少一个第五磁性元件，该至少一个第五磁性元件位于该磁间隙的下方并连接该第一磁性元件以及该第二导磁元件。

根据本申请的一些实施例，该磁路组件可以进一步包括第三导磁元件，该第三导磁元件连接该至少一个第二磁性元件。

本申请是关于一种骨传导扬声器的磁路组件。该磁路组件可以包括第一磁性元件，该第一磁性元件产生第二磁场；第一导磁元件以及至少一个第二磁性元件，该至少一个第二磁性元件环绕该第一磁性元件，并与该第一磁性元件之间形成磁间隙，该第二磁性元件产生第二磁场，该第二磁场提高该第一磁场在该磁间隙处的磁场强度。

根据本申请的一些实施例，该磁路组件可以进一步包括第二导磁元件以及至少一个第三磁性元件，该至少一个第三磁性元件连接该第二导磁元件和该至少一个第二磁性元件，该至少一个第三磁性元件产生第三磁场，该第三磁场提高该第一磁场在该磁间隙处的磁场强度。

根据本申请的一些实施例，该磁路组件可以进一步包括至少一个第四磁性元件，该至少一个第四磁性元件置于该磁间隙的下方并连接该第一磁性元件以及该第二导磁元件，该至少一个第四磁性元件产生第四磁场，该第四磁场提高该第一磁场在该磁间隙处的磁场强度。

根据本申请的一些实施例，该磁路组件可以进一步包括至少一个第五磁性元件，该至少一个第五磁性元件连接该第一导磁元件的上表面，该至少一个第五磁性元件产生第五磁场，该第五磁场提高该第一磁场在该磁间隙处的磁场强度。

根据本申请的一些实施例，该磁路组件可以进一步包括第三导磁元件，该第三导磁元件连接该第五磁性元件的上表面，该第三导磁元件被配置为抑制该第一磁场和该第二磁场的场强泄露。

本申请是关于一种骨传导扬声器的磁路组件。该磁路组件可以包括第一磁性元件，该第一磁性元件产生第一磁场；第一导磁元件；第二导磁元件，该第二导磁元件环绕该第一磁性元件，并与该第一磁性元件之间形成磁间隙以及至少一个第二磁性元件，该至少一个第二磁性元件置于该磁间隙下方，该至少一个第二磁性元件产生第二磁场，该第二磁场提高该第一磁场在该磁间隙处的磁感应强度。

根据本申请的一些实施例，该磁路组件可以进一步包括至少一个第三磁性元件，该第三磁性元件连接该第二导磁元件，该至少一个第三磁性元件产生第三磁场，该第三磁场提高该第一磁场在该磁间隙处的磁场强度。

根据本申请的一些实施例，该磁路组件可以进一步包括第三导磁元件，该第三导磁元件连接该第五磁性元件的上表面，该第三导磁元件被配置为抑制该第一磁场和第二磁场的场强泄露。

本申请是关于一种骨传导扬声器的磁路组件。该磁路组件可以包括第一磁性元件，该第一磁性元件产生第二磁场；第一导磁元件；第二导磁元件，至少部分的该第二导磁元件环绕该第一磁性元件，并与该第一磁性元件之间形成磁间隙以及至少一个第二磁性元件，该至少一个第二磁性元件连接该第一导磁元件上表面，该至少一个第二磁性元件产生第二磁场，该第二磁场提高该第一磁场在该磁间隙内的磁场强度。

本申请是关于一种骨传导扬声器的磁路组件。该磁路组件可以包括第一磁性元件，该第一磁性元件产生第二磁场；第一导磁元件；第二导磁元件，该第二导磁元件包括底板和侧壁，该第二导磁元件底板连接该第一磁性元件；至少一个第二磁性元件，该至少一个第二磁性元件连接该第二导磁元件侧壁，并与该第一磁性元件之间形成磁间隙以及至少一个第三磁性元件，该至少一个第三磁性元件连接该第二导磁元件的底板及侧壁，该第一磁场在该磁间隙内的磁场强度大于该第二磁场在所述磁间隙内的磁场强度。

根据本申请的一些实施例，该磁路组件可以进一步包括至少一个第四磁性元件，该至少一个第四磁性元件连接该至少一个第二磁性元件的上表面以及该第二导磁元件的侧壁。

本申请是关于一种骨传导扬声器。该骨传导扬声器可以包括振动组件，该振动组件包括音圈以及至少一个振动板；磁路组件，该磁路组件包括第一磁性元件，该第一磁性元件产生第一磁场；第一导磁元件以及至少一个第二磁性元件，该至少一个第二磁性元件环绕该第一磁性元件，并与该第一磁性元件之间形成磁间隙，该音圈位于该磁间隙中，该至少一个第二磁性元件产生第二磁场，该第一磁场与该第二磁场提高该第一磁场在该音圈处的磁场强度。

本申请的一部分附加特性可以在下面的描述中进行说明。通过对以下描述中和相应附图的检查或者对实施例的生产或操作的了解，本申请的一部分附加特性对于本领域技术人员是明显的。本申请披露的特性可以通过对以下描述的具体实施例的各种方法、手段和组合的实践或使用得以实现和达到。

附图描述

在此所述的附图用来提供对本申请的进一步理解，构成本申请的一部分，本申请的示意性实施例及其说明用于解释本申请，并不构成对本申请的限定。在各图中，相同标号表示相同部件。

图1是根据本申请的一些实施例所示的一种骨传导扬声器的结构模块图；

图2是根据本申请的一些实施例所示的一种骨传导扬声器的纵截面示意图；

图3A是根据本申请的一些实施例所示的一种磁路组件的纵截面示意图；

图3B是根据本申请的一些实施例所示的一种磁路组件的纵截面示意图；

图3C是根据本申请的一些实施例所示的一种磁路组件的纵截面示意图；

图3D是根据本申请的一些实施例所示的一种磁路组件的纵截面示意图；

图3E是根据本申请的一些实施例所示的一种磁路组件的纵截面示意图；

图3F是根据本申请的一些实施例所示的一种磁路组件的纵截面示意图；

图3G是根据本申请的一些实施例所示的一种磁路组件的纵截面示意图；

图4A是根据本申请的一些实施例所示的一种磁路组件的纵截面示意图；

图4B是根据本申请的一些实施例所示的一种磁路组件的纵截面示意图；

图4C是根据本申请的一些实施例所示的一种磁路组件的纵截面示意图；

图4D是根据本申请的一些实施例所示的一种磁路组件的纵截面示意图；

图4E是根据本申请的一些实施例所示的一种磁路组件的纵截面示意图；

图4F是根据本申请的一些实施例所示的一种磁路组件的纵截面示意图；

图4G是根据本申请的一些实施例所示的一种磁路组件的纵截面示意图；

图4H是根据本申请的一些实施例所示的一种磁路组件的纵截面示意图；

图4M是根据本申请的一些实施例所示的一种磁路组件的纵截面示意图；

图5A是根据本申请的一些实施例所示的一种磁路组件的纵截面示意图；

图5B是根据本申请的一些实施例所示的一种磁路组件的纵截面示意图；

图5C是根据本申请的一些实施例所示的一种磁路组件的纵截面示意图；

图5D是根据本申请的一些实施例所示的一种磁路组件的纵截面示意图；

图5E是根据本申请的一些实施例所示的一种磁路组件的纵截面示意图；

图5F是根据本申请的一些实施例所示的一种磁路组件的纵截面示意图；

图6A是根据本申请的一些实施例所示的一种磁性元件的横截面示意图；

图6B是根据本申请的一些实施例所示一种磁性元件的示意图；

图6C是根据本申请的一些实施例所示的磁路组件中磁性元件的磁化方向示意图；

图6D是根据本申请的一些实施例所示的磁性组件中磁性元件的磁感应线分布图；

图7A是根据本申请的一些实施例所示的一种磁路组件的结构示意图；

图7B-7E是根据本申请的一些实施例所示的音圈处的驱动力系数与图7A所示的磁路组件参数的关系曲线；

图8A是根据本申请的一些实施例所示的一种磁路组件的结构示意图；

图8B-8E是根据本申请的一些实施例所示的音圈处的驱动力系数与图8A所示的磁路组件参数的关系曲线；

图9A是根据本申请的一些实施例所示的一种磁路组件的磁感线分布示意图；

图9B是根据本申请的一些实施例所示的音圈处的磁感应强度与图9A所示的磁路组件中各元件厚度的关系曲线；

图10A是根据本申请的一些实施例所示的一种磁路组件的磁感线分布示意图；

图10B是根据本申请的一些实施例所示的音圈处的磁感应强度与图10A所示的磁路组件中各元件厚度的关系曲线；

图11A是根据本申请的一些实施例所示的一种磁路组件的磁感线分布示意图；

图11B是根据本申请的一些实施例所示的图9A、图10A与图11A中磁路组件的磁感应强度与磁性元件厚度的关系曲线；

图11C是根据本申请的一些实施例所示的音圈处的磁感应强度与图11A所示的磁路组件中各元件厚度的关系曲线；

图12A是根据本申请的一些实施例所示的一种磁路组件的结构示意图；

图12B是根据本申请的一些实施例所示的音圈内感抗与图12A所示的磁路组件中导电元件的关系曲线；

图13A是根据本申请的一些实施例所示的一种磁路组件的结构示意图；

图13B是根据本申请的一些实施例所示的音圈内感抗与图13A所示的磁路组件中导电元件的关系曲线；

图14A是根据本申请的一些实施例所示的一种磁路组件的结构示意图；

图14B是根据本申请的一些实施例所示的音圈内感抗与图14A所示的磁路组件中导电元件数量的关系曲线；

图15A是根据本申请的一些实施例所示的一种磁路组件的结构示意图；

图15B是根据本申请的一些实施例所示的音圈所受安培力与图15A所示磁路组件中各元件厚度的关系曲线；

图16是根据本申请的一些实施例所示的一种骨传导扬声器的结构示意图；

图17是根据本申请的一些实施例所示的一种骨传导扬声器的结构示意图；

图18是根据本申请的一些实施例所示的一种骨传导扬声器的结构示意图；以及

图19是根据本申请的一些实施例所示的一种骨传导扬声器的结构示意图。

具体描述

为了更清楚地说明本申请的实施例的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单的介绍。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些示例或实施例，对于本领域的普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图将本申请应用于其他类似情景。应当理解，给出这些示例性实施例仅仅是为了使相关领域的技术人员能够更好地理解进而实现本发明，而并非以任何方式限制本发明的范围。除非从语言环境中显而易见或另做说明，图中相同标号代表相同结构或操作。

如本申请和权利要求书中所示，除非上下文明确提示例外情形，“一”、“一个”、“一种”和/或“该”等词并非特指单数，也可包括复数。一般说来，术语“包括”与“包含”仅提示包括已明确标识的步骤和元素，而这些步骤和元素不构成一个排它性的罗列，方法或者设备也可能包含其他的步骤或元素。术语“基于”是“至少部分地基于”。术语“一个实施例”表示“至少一个实施例”；术语“另一实施例”表示“至少一个另外的实施例”。其他术语的相关定义将在下文描述中给出。以下，不失一般性，在描述本发明中骨传导相关技术时，将采用“骨传导扬声器”或“骨传导耳机”的描述。该描述仅仅为骨传导应用的一种形式，对于该领域的普通技术人员来说，“扬声器”或“耳机”也可用其他同类词语代替，比如“播放器”、“助听器”等。事实上，本发明中的各种实现方式可以很方便地应用到其它非扬声器类的听力设备上。例如，对于本领域的专业人员来说，在了解骨传导扬声器的基本原理后，可能在不背离这一原理的情况下，对实施骨传导扬声器的具体方式与步骤进行形式和细节上的各种修正和改变，特别地，在骨传导扬声器中加入环境声音拾取和处理功能，使该扬声器实现助听器的功能。例如，麦克风等传声器可以拾取使用者/佩戴者周围环境的声音，在一定的算法下，将声音处理后(或者产生的电信号)传送至骨传导扬声器部分。即骨传导扬声器可以经过一定的修改，加入拾取环境声音的功能，并经过一定的信号处理后通过骨传导扬声器部分将声音传递给使用者/佩戴者，从而实现骨传导助听器的功能。作为举例，这里所说的算法可以包括噪声消除、自动增益控制、声反馈抑制、宽动态范围压缩、主动环境识别、主动抗噪、定向处理、耳鸣处理、多通道宽动态范围压缩、主动啸叫抑制、音量控制等一种或多种的组合。

本申请提供一种高灵敏度的骨传导扬声器。在一些实施例中，所述骨传导扬声器可以包括磁路组件。所述磁路组件可以产生第一全磁场。所述磁路组件可以包括第一磁性元件、第一导磁元件、第二导磁元件以及一个或多个第二磁性元件。所述第一磁性元件可以产生第二磁场，所述一个或多个第二磁性元件环绕所述第一磁性元件，并与所述第一磁性元件之间形成磁间隙，所述第一全磁场在所述磁间隙内的磁场强度大于所述第二磁场在所述磁间隙内的磁场强度。所述磁路组件中的多个第二磁性元件环绕所述第一磁性元件设置可以在提高磁间隙磁场强度、提高骨传导扬声器的灵敏性的情况下，减少磁路组件的体积及重量，提高骨传导扬声器的效率，增加骨传导扬声器的使用寿命。

所述骨传导扬声器具有体积小、重量轻、效率高、灵敏度高及使用寿命长等特点，便于将所述骨传导扬声器与穿戴式智能设备相结合，从而实现单一设备的多功能化，提高并优化用户体验。所述穿戴式智能设备包括但不限于智能耳机、智能眼镜、智能头箍、智能头盔、智能手表、智能手套、智能鞋、智能照相机、智能摄像机等等。所述骨传导扬声器可进一步地与智能材料相结合，在用户的衣服、手套、帽子、鞋子等的制造材料中整合骨传导扬声器。所述骨传导扬声器还可进一步地植入人体，与人体植入芯片或者外置处理器协同实现更加个性化的功能。

图1是根据本申请的一些实施例所示的一种骨传导扬声器100的结构模块图。如图所述，骨传导扬声器100可以包括一个磁路组件102，一个振动组件104、一个支撑组件106以及一个存储组件108。

磁路组件102可以提供磁场。所述磁场可以用于将含有声音信息的信号转化为振动信号。在一些实施例中，所述声音信息可以包括具有特定数据格式的视频、音频文件或可以通过特定途径转化为声音的数据或文件。所述含有声音信息的信号可以来自于骨传导扬声器100本身的存储组件108，也可以来自于骨传导扬声器100以外的信息产生、存储或者传递系统。所述含有声音信息的信号可以包括电信号、光信号、磁信号、机械信号等一种或多种的组合。所述含有声音信息的信号可以来自一个信号源或多个信号源。所述多个信号源可以相关也可以不相关。在一些实施例中，骨传导扬声器100可以通过多种不同的方式获取所述含有声音信息的信号，所述信号的获取可以是有线的或无线的，可以是实时或延时的。例如，骨传导扬声器100可以通过有线或者无线的方式接收含有声音信息的电信号，也可以直接从存储介质上(例如，存储组件108)获取数据，产生声音信号。又例如，骨传导助听器中可以包括具有声音采集功能的组件，通过拾取环境中的声音，将声音的机械振动转换成电信号，通过放大器处理后获得满足特定要求的电信号。在一些实施例中，所述有线连接可以包括金属电缆、光学电缆或者金属和光学的混合电缆，例如，同轴电缆、通信电缆、软性电缆、螺旋电缆、非金属护皮电缆、金属护皮电缆、多芯电缆、双绞线电缆、带状电缆、屏蔽电缆、电信电缆、双股电缆、平行双芯导线、双绞线等一种或多种的组合。以上描述的例子仅作为方便说明之用，有线连接的媒介还可以是其它类型，例如，其它电信号或光信号等的传输载体。

无线连接可以包括无线电通信、自由空间光通信、声通讯、和电磁感应等。其中无线电通讯可以包括IEEE1002.11系列标准、IEEE1002.15系列标准(例如蓝牙技术和紫蜂技术等)、第一代移动通信技术、第二代移动通信技术(例如FDMA、TDMA、SDMA、CDMA、和SSMA等)、通用分组无线服务技术、第三代移动通信技术(例如CDMA2000、WCDMA、TD-SCDMA、和WiMAX等)、第四代移动通信技术(例如TD-LTE和FDD-LTE等)、卫星通信(例如GPS技术等)、近场通信(NFC)和其它运行在ISM频段(例如2.4GHz等)的技术；自由空间光通信可以包括可见光、红外线讯号等；声通讯可以包括声波、超声波讯号等；电磁感应可以包括近场通讯技术等。以上描述的例子仅作为方便说明之用，无线连接的媒介还可以是其它类型，例如，Z-wave技术、其它收费的民用无线电频段和军用无线电频段等。例如，作为本技术的一些应用场景，骨传导扬声器100可以通过蓝牙技术从其他设备获取含有声音信息的信号。

振动组件104可以产生机械振动。所述振动的产生伴随着能量的转换，骨传导扬声器100可以使用特定的磁路组件102与振动组件104实现含有声音信息的信号向机械振动转换。转换的过程中可能包含多种不同类型能量的共存和转换。例如，电信号通过换能装置可以直接转换成机械振动，产生声音。再例如，声音信息可以包含在光信号中，一种特定的换能装置可以实现由光信号转换为振动信号的过程。其它可以在换能装置工作过程中共存和转换的能量类型包括热能、磁场能等。换能装置的能量转换方式可以包括动圈式、静电式、压电式、动铁式、气动式、电磁式等。骨传导扬声器100的频率响应范围以及音质会受到振动组件104的影响。例如，在动圈式换能装置中，振动组件104包括缠绕的柱状线圈和一个振动体(例如，一个振动片)，受信号电流驱动的柱状线圈在磁场中带动振动体振动发声，振动体材质的伸展和收缩、褶皱的变形、大小、形状以及固定方式，永磁体的磁密度等，都会对骨传导扬声器100的音效质量带来很大的影响。振动组件104中振动体可以是镜面对称的结构、中心对称的结构或者非对称的结构；振动体上可以设置有间断的孔状结构，使振动体产生更大的位移，从而让骨传导扬声器实现更高的灵敏度，提高振动与声音的输出功率；振动体可以是圆环体结构，在圆环体内设置向中心辐辏的多个支杆，支杆的个数可以是两个或者更多。

支撑组件106可以对磁路组件102、振动组件104和/或存储组件108起到支撑作用。支撑组件106可以包括一个或多个壳体、一个或多个连接件。所述一个或多个壳体可以形成用于容纳磁路组件102、振动组件104和/或存储组件108的容纳空间。所述一个或多个连接件可以连接壳体与磁路组件102、振动组件104和/或存储组件108。

存储组件108可以存储含有声音信息的信号。在一些实施例中，存储组件108可以包括一个或多个存储设备。所述存储设备可以包括直接连接存储(Direct Attached Storage)，网络附加存储(Network Attached Storage)和存储区域网络(Storage Area Network)等存储系统上的存储设备。存储设备可以包括各类存储设备如固态存储设备(固态硬盘、固态混合硬盘等)、机械硬盘、USB闪存、记忆棒、存储卡(如CF、SD等)、其他驱动(如CD、DVD、HD DVD、Blu-ray等)、随机存储器(RAM)和只读存储器(ROM)。其中RAM可以包括十进计数管、选数管、延迟线存储器、威廉姆斯管、动态随机存储器(DRAM)、静态随机存储器(SRAM)、晶闸管随机存储器(T-RAM)、和零电容随机存储器(Z-RAM)等；ROM可以包括磁泡存储器、磁钮线存储器、薄膜存储器、磁镀线存储器、磁芯内存、磁鼓存储器、光盘驱动器、硬盘、磁带、早期NVRAM(非易失存储器)、相变化内存、磁阻式随机存储式内存、铁电随机存储内存、非易失SRAM、闪存、电子抹除式可复写只读存储器、可擦除可编程只读存储器、可编程只读存储器、屏蔽式堆读内存、浮动连接门随机存取存储器、纳米随机存储器、赛道内存、可变电阻式内存、和可编程金属化单元等。以上提及的存储设备/存储单元是列举了一些例子，该存储设备/存储单元可以使用的存储设备并不局限于此。

以上对骨传导扬声器结构的描述仅仅是具体的示例，不应被视为是唯一可行的实施方案。显然，对于本领域的专业人员来说，在了解骨传导扬声器的基本原理后，可能在不背离这一原理的情况下，对实施骨传导扬声器的具体方式与步骤进行形式和细节上的各种修正和改变，但是这些修正和改变仍在以上描述的范围之内。例如，骨传导扬声器100可以包括一个或多个处理器，所述处理器可以执行一个或多个声音信号处理算法。所述声音信号处理算法可以对所述声音信号进行修正或强化。例如对声音信号进行降噪、声反馈抑制、宽动态范围压缩、自动增益控制、主动环境识别、主动抗噪、定向处理、耳鸣处理、多通道宽动态范围压缩、主动啸叫抑制、音量控制，或其它类似的，或以上任意组合的处理，这些修正和改变仍在本发明的权利要求保护范围之内。又例如，骨传导扬声器100可以包括一个或多个传感器，例如温度传感器、湿度传感器、速度传感器、位移传感器等。所述传感器可以采集用户信息或环境信息。

图2是根据本申请的一些实施例所示的一种骨传导扬声器200的纵截面示意图。如图所示，骨传导扬声器200可以包括第一磁性元件202、第一导磁元件204、第二导磁元件206、第一振动板208、音圈210、第二振动板212以及振动面板214。

在本申请中描述的磁性元件是指可以产生磁场的元件，例如磁铁等。所述磁性元件可以具有磁化方向，所述磁化方向是指在所述磁性元件内部的磁场方向。第一磁性元件202可以包括一个或多个磁铁。在一些实施例中，所述磁铁可以包括金属合金磁铁，铁氧体等。其中，金属合金磁铁可以包括钕铁硼、钐钴、铝镍钴、铁铬钴、铝铁硼、铁碳铝，或类似的，或其中多种的组合。铁氧体可以包括钡铁氧体，钢铁氧体，美锰铁氧体，锂锰铁氧体，或类似的，或其中多种组合。

第一导磁元件204的下表面可以连接第一磁性元件202的上表面。第二导磁元件206可以连接第一磁性元件202。需要注意的是，这里所说的导磁体也可以称为磁场集中器或铁芯。导磁体可以调整磁场(例如，第一磁性元件202产生的磁场)的分布。所述导磁体可以包括由软磁材料加工而成的元件。在一些实施例中，所述软磁材料可以包括金属材料、金属合金、金属氧化物材料、非晶金属材料等，例如铁、铁硅系合金、铁铝系合金、镍铁系合金、铁钴系合金、低碳钢、硅钢片、矽钢片、铁氧体等。在一些实施例中，可以通过铸造、塑性加工、切削加工、粉末冶金等一种或多种组合的方法加工所述导磁体。铸造可以包括砂型铸造、熔模铸造、压力铸造、离心铸造等；塑性加工可以包括轧制、铸造、锻造、冲压、挤压、拔制等一种或多种组合；切削加工可以包括车削、铣削、刨削、磨削等。在一些实施例中，所述导磁体的加工方法可以包括3D打印、数控机床等。第一导磁元件204、第二导磁元件206与第一磁性元件202之间的连接方式可以包括粘接、卡接、焊接、铆接、螺栓连接等一种或多种组合。在一些实施例中，第一磁性元件202、第一导磁元件204和第二导磁元件206可以设置为轴对称结构。所述轴对称结构可以是环状结构、柱状结构或是其它具有轴对称结构。

在一些实施例中，第一磁性元件202与第二导磁元件206之间可以形成磁间隙。音圈210可以设置于所述磁间隙中。音圈210可以与第一振动板208连接。第一振动板208可以连接第二振动板212，第二振动板212可以连接振动面板214。当所述音圈210内通入电流后，所述音圈210位于在第一磁性元件202、第一导磁元件214和第二导磁元件206形成的磁场，会受到安培力作用，所述安培力驱动音圈210振动，音圈210的振动会带动第一振动板208、第二振动板212和振动面板214的振动。振动面板214将所述振动通过组织与骨骼传递到听觉神经，从而使人听到声音。所述振动面板214与可以直接与人体皮肤是直接接触的，或可以通过由特定材料组成的振动传递层与皮肤接触。

在一些实施例中，对于具有单一磁性元件的骨传导扬声器，通过音圈处的磁感线并不均匀，呈发散状。同时磁路中可能会形成漏磁，即较多的磁感线泄漏至磁间隙以外，未能穿过音圈，从而使得音圈位置处的磁感应强度(或磁场强度)下降，影响骨传导扬声器的灵敏度。因此，骨传导扬声器200可以进一步包括至少一个第二磁性元件和/至少一个第三导磁元件(图中未示)。所述至少一个第二磁性元件和/至少一个第三导磁元件可以抑制磁感线的泄露，约束穿过音圈的磁感线形态，使得较多的磁感线尽量水平密集地穿过音圈，增强音圈位置处的磁感应强度(或磁场强度)，从而提高骨传导扬声器200的灵敏度，进而提高骨传导扬声器200的机械转化效率(即，将输入骨传导扬声器200的电能转化为音圈振动的机械能的效率)。关于所述至少一个第二磁性元件的更多描述可以参见图3A-3G、4A-4M和/或5A-5F。

以上对骨传导扬声器200结构的描述仅仅是具体的示例，不应被视为是唯一可行的实施方案。显然，对于本领域的专业人员来说，在了解骨传导扬声器的基本原理后，可能在不背离这一原理的情况下，对实施骨传导扬声器的具体方式与步骤进行形式和细节上的各种修正和改变，但是这些修正和改变仍在以上描述的范围之内。例如，骨传导扬声器200可以包括外壳、连接件等。所述连接件可以连接振动面板214与外壳。又例如，骨传导扬声器200可以包括第二磁性元件，所述第二磁性元件可以连接第一导磁元件204。又例如，骨传导扬声器200可以进一步包括一个或多个环形磁性元件，所述环形磁性元件可以连接第二导磁元件206。

图3A是根据本申请的一些实施例所示的一种磁路组件3100的纵截面示意图。如图3A所示，磁路组件3100可以包括第一磁性元件302、第一导磁元件304、第二导磁元件306以及第二磁性元件308。在一些实施例中，第一磁性元件302和/或第二磁性元件308可以包括本申请中描述的任意一种或几种磁铁。在一些实施例中，第一磁性元件302可以包括第一磁铁，第二磁性元件308可以包括第二磁铁，所述第一磁铁与所述第二磁铁可以相同或不同。第一导磁元件304和/或第二导磁元件306可以包括本申请中描述的任意一种或几种导磁材料。第一导磁元件304和/或第二导磁元件306的加工方法可以包括本申请中描述的任意一种或几种加工方式。在一些实施例中，第一磁性元件302和/或第一导磁元件304可以设置为轴对称结构。例如，第一磁性元件302和/或第一导磁元件304可以是圆柱体，长方体，或者中空的环状(例如，横截面为跑道的形状)。在一些实施例中，第一磁性元件302和第一导磁元件304可以是共轴的圆柱体，含有相同或者不同的直径。在一些实施例中，第二导磁元件306可以是凹槽型结构。所述凹槽型结构可以包含U型的剖面(如图3A所示)。所述凹槽型的第二导磁元件306可以包括底板和侧壁。在一些实施例中，所述底板和所述侧壁可以是一体成型的，例如，所述侧壁可以由底板在垂直于底板的方向进行延伸形成。在一些实施例中，所述底板可以通过本申请中描述的任意一种或几种连接方式连接所述侧壁。第二磁性元件308可以设定为环状或片状。关于第二磁性元件308的形状可参考说明书中其他地方的描述(例如，图5A与5B及其相关描述)。在一些实施例中，第二磁性元件308可以与第一磁性元件302和/或第一导磁元件304共轴。

第一磁性元件302的上表面可以连接第一导磁元件304的下表面。第一磁性元件302的下表面可以连接第二导磁元件306的底板。第二磁性元件308的下表面连接第二导磁元件306的侧壁。第一磁性元件302、第一导磁元件304、第二导磁元件306和/或第二磁性元件308之间的的连接方式可以包括粘接、卡接、焊接、铆接、螺栓连接等一种或多种组合。

第一磁性元件302和/或第一导磁元件304与第二磁性元件308的内环之间形成磁间隙。音圈328可以设置于所述磁间隙中。在一些实施例中，所述第二磁性元件308与所述音圈328相对于第二导磁元件306的底板的高度相等。在一些实施例中，第一磁性元件302、第一导磁元件304、第二导磁元件306以及第二磁性元件308可以形成磁回路。在一些实施例中，磁路组件3100可以产生第一全磁场(也可被称为“磁路组件的总磁场”)，第一磁性元件302可以产生第二磁场。所述第一全磁场由所述磁路组件3100中的所有组分(例如，第一磁性元件302，第一导磁元件304、第二导磁元件306以及第二磁性元件308)产生的磁场共同形成。所述第一全磁场在所述磁间隙内的磁场强度(也可以被称为磁感应强度或者磁通量密度)大于所述第二磁场在所述磁间隙内的磁场强度。在一些实施例中，第二磁性元件308可以产生第三磁场，所述第三磁场可以提高所述第一全磁场在所述磁间隙处的磁场强度。这里所说的第三磁场提高第一全磁场的磁场强度指的是，在有第三磁场存在(即，存在第二磁性元件308)时第一全磁场在所述磁间隙的磁场强度大于没有第三磁场存在(即，不存在第二磁性元件308)时第一全磁场的。在本说明书中的其他实施例中，除非特别说明，磁路组件表示包含所有磁性元件和导磁元件的结构，第一全磁场表示由磁路组件整体产生的磁场，第二磁场、第三磁场、……、第N磁场分别表示由相应的磁性元件所产生的磁场。在不同的实施例中，产生所述第二磁场(或者第三磁场、……、第N磁场)的磁性元件可以是相同的，也可以不同。

在一些实施例中，第一磁性元件302的磁化方向与第二磁性元件308的磁化方向之间的夹角在0度与180度之间。在一些实施例中，第一磁性元件302的磁化方向与第二磁性元件308的磁化方向与之间的夹角在45度与135度之间。在一些实施例中，第一磁性元件302的磁化方向与第二磁性元件308的磁化方向之间的夹角等于或大于90度。在一些实施例中，第一磁性元件302的磁化方向垂直于第一磁性元件302的下表面或上表面竖直向上(如图中a所示方向)，第二磁性元件308的磁化方向由第二磁性元件308的内环指向外环(如图中b所方向示，在第一磁性元件302的右侧，第一磁性元件302的磁化方向沿着顺时针方向偏转90度)。

在一些实施例中，在第二磁性元件308的位置，所述第一全磁场的方向与第二磁性元件308的磁化方向之间的夹角不高于90度。在一些实施例中，在第二磁性元件308的位置处，第一磁性元件302产生的磁场的方向与第二磁性元件308的磁化方向之间的夹角可以是0度、10度、20度等小于或等于90度的夹角。

与单一磁性元件的磁路组件相比，第二磁性元件308可以提高磁路组件3100中磁间隙内总磁通量，进而增加磁间隙中的磁感应强度。并且，在第二磁性元件308的作用下，原本发散的磁感线会向磁间隙所在位置收敛，进一步增加磁间隙中的磁感应强度。

以上对磁路组件3100的结构的描述仅仅是具体的示例，不应被视为是唯一可行的实施方案。显然，对于本领域的专业人员来说，在了解骨磁路组件的基本原理后，可能在不背离这一原理的情况下，对实施磁路组件3100的具体方式与步骤进行形式和细节上的各种修正和改变，但是这些修正和改变仍在以上描述的范围之内。例如，第二导磁元件306可以是环形结构或片状结构。又例如，磁路组件3100可以进一步包括导磁罩，所述导磁罩可以围绕第一磁性元件302、第一导磁元件304、第二导磁元件306以及第二磁性元件308。

图3B是根据本申请的一些实施例所示的一种磁路组件3200的纵截面示意图。如图3B所示，与磁路组件3100不同的是，磁路组件3200可以进一步包括第三磁性元件310。

第三磁性元件310的上表面连接第二磁性元件308，下表面连接第二导磁元件306的侧壁。第一磁性元件302、第一导磁元件304、第二磁性元件308和/或第三磁性元件310之间可以形成磁间隙。音圈328可以设置于所述磁间隙中。在一些实施例中，第一磁性元件302、第一导磁元件304、第二导磁元件306、第二磁性元件308以及第三磁性元件310可以形成磁回路。在一些实施例中，第二磁性元件308的磁化方向可以参考本申请图3A的详细描述。

在一些实施例中，磁路组件3200可以产生第一全磁场，第一磁性元件302可以产生第二磁场，所述第一全磁场在所述磁间隙内的磁场强度大于所述第二磁场在所述磁间隙内的磁场强度。在一些实施例中，第三磁性元件310可以产生第三磁场，所述第三磁场可以提高所述第二磁场在所述磁间隙处的磁场强度。

在一些实施例中，第一磁性元件302的磁化方向与第三磁性元件310的磁化方向之间的夹角在0度与180度之间。在一些实施例中，第一磁性元件302的磁化方向与第三磁性元件310的磁化方向与之间的夹角在45度与135度之间。在一些实施例中，第一磁性元件302的磁化方向与第三磁性元件310的磁化方向之间的夹角等于或大于90度。在一些实施例中，第一磁性元件302的磁化方向垂直于第一磁性元件302的下表面或上表面竖直向上(如图a方向所示)，第三磁性元件310的磁化方向由第三磁性元件310的上表面指向下表面(如图中c方向所示，在第一磁性元件302的右侧，第一磁性元件302的磁化方向沿着顺时针方向偏转180度)。

在一些实施例中，在第三磁性元件310的位置处，所述第一全磁场的方向与所述第三磁性元件310的磁化方向之间的夹角不高于90度。在一些实施例中，在第三磁性元件310的位置处，第一磁性元件302产生的磁场的方向与第三磁性元件310的磁化方向之间的夹角可以是0度、10度、20度等小于或等于90度的夹角。

与磁路组件3100相比，磁路组件3200进一步增加了第三磁性元件310。第三磁性元件310可以进一步增加磁路组件3200中磁间隙内的总磁通量，进而增加磁间隙中的磁感应强度。并且，在第三磁性元件310的作用下，磁感线会进一步向磁间隙所在位置收敛，进一步增加磁间隙中的磁感应强度。

以上对磁路组件3200的结构的描述仅仅是具体的示例，不应被视为是唯一可行的实施方案。显然，对于本领域的专业人员来说，在了解磁路组件的基本原理后，可能在不背离这一原理的情况下，对实施磁路组件3200的具体方式与步骤进行形式和细节上的各种修正和改变，但是这些修正和改变仍在以上描述的范围之内。例如，第二导磁元件306可以是环形结构或片状结构。又例如，磁路组件3200可以不包括第二导磁元件306。又例如，磁路组件3200可以进一步添加至少一个磁性元件。在一些实施例中，所述进一步添加的磁性元件的下表面可以连接第二磁性元件308的上表面。所述进一步添加的磁性元件的磁化方向与第三磁性元件312的磁化方向相反。在一些实施例中，所述进一步添加的磁性元件可以连接第一磁性元件302以及第二导磁元件306的侧壁。所述进一步添加的磁性元件的磁化方向与第二磁性元件308的磁化方向相反。

图3C是根据本申请的一些实施例所示的一种磁路组件3300的纵截面示意图。如图3C所示，与磁路组件3100不同的是，磁路组件3300可以进一步包括第四磁性元件312。

第四磁性元件312可以通过粘接、卡接、焊接、铆接、螺栓连接等一种或多种组合连接第一磁性元件302以及第二导磁元件306的侧壁。在一些实施例中，第一磁性元件302、第一导磁元件304、第二导磁元件306、第二磁性元件308以及第四磁性元件312可以形成磁间隙。在一些实施例中，第二磁性元件308的磁化方向可以参考本申请图3A的详细描述。

在一些实施例中，磁路组件3300可以产生第一全磁场，第一磁性元件302可以产生第二磁场，所述第一全磁场在所述磁间隙内的磁场强度大于所述第二磁场在所述磁间隙内的磁场强度。在一些实施例中，第四磁性元件312可以产生第四磁场，所述第四磁场可以提高所述第二磁场在所述磁间隙处的磁场强度。

在一些实施例中，第一磁性元件302的磁化方向与第四磁性元件312的磁化方向之间的夹角在0度与180度之间。在一些实施例中，第一磁性元件302的磁化方向与第四磁性元件312的磁化方向与之间的夹角在45度与135度之间。在一些实施例中，第一磁性元件302的磁化方向与第四磁性元件312的磁化方向之间的夹角不高于90度。在一些实施例中，第一磁性元件302的磁化方向垂直于第一磁性元件302的下表面或上表面竖直向上(如图a方向所示)，第四磁性元件312的磁化方向由第四磁性元件312的外环指向内环(如图中d方向所示，在第一磁性元件302的右侧，第一磁性元件302的磁化方向沿着顺时针方向偏转270度)。

在一些实施例中，在第四磁性元件312的位置，所述第一全磁场的方向与所述第四磁性元件312的磁化方向之间的夹角不高于90度。在一些实施例中，在第四磁性元件312的位置，第一磁性元件302产生的磁场的方向与第四磁性元件312的磁化方向之间的夹角可以是0度、10度、20度等小于或等于90度的夹角。

与磁路组件3100相比，磁路组件3300进一步增加了第四磁性元件312。第四磁性元件312可以进一步增加磁路组件3300中磁间隙内的总磁通量，进而增加磁间隙中的磁感应强度。并且，在第四磁性元件312的作用下，磁感线会进一步向磁间隙所在位置收敛，进一步增加磁间隙中的磁感应强度。

以上对磁路组件3300的结构的描述仅仅是具体的示例，不应被视为是唯一可行的实施方案。显然，对于本领域的专业人员来说，在了解骨磁路组件的基本原理后，可能在不背离这一原理的情况下，对实施磁路组件3300的具体方式与步骤进行形式和细节上的各种修正和改变，但是这些修正和改变仍在以上描述的范围之内。例如，第二导磁元件306可以是环形结构或片状结构。又例如，磁路组件3300可以不包括第二磁性元件308。又例如，磁路组件3300可以进一步添加至少一个磁性元件。在一些实施例中，所述进一步添加的磁性元件的下表面可以连接第二磁性元件308的上表面。所述进一步添加的磁性元件的磁化方向与第一磁性元件302的磁化方向相同。在一些实施例中，所述进一步添加的磁性元件的上表面可以连接第二磁性元件308的下表面。所述磁性元件的磁化方向与第一磁性元件302的磁化方向相反。

图3D是根据本申请的一些实施例所示的一种磁路组件3400的纵截面示意图。如图3D所示，与磁路组件3100不同的是，磁路组件3400可以进一步包括第五磁性元件314。第五磁性元件314可以包括本申请中描述的任意一种磁铁材料。在一些实施例中，第五磁性元件314可以设置为轴对称结构。例如，第五磁性元件314可以是圆柱体、长方体，或者中空的环状(例如，横截面为跑道的形状)。在一些实施例中，第一磁性元件302、第一导磁元件304和/或第五磁性元件314可以是共轴的圆柱体，含有相同或者不同的直径。第五磁性元件314与第一磁性元件302的厚度可以相同或不同。第五磁性元件314可以连接第一导磁元件304。

在一些实施例中，第五磁性元件314的磁化方向与第一磁性元件302的磁化方向之间的夹角在90度与180度之间。在一些实施例中，第五磁性元件314的磁化方向与第一磁性元件302的磁化方向之间的夹角在150度与180度之间。在一些实施例中，第五磁性元件314的磁化方向与第一磁性元件302的磁化方向相反(如图所示，a方向与e方向)。

与磁路组件3100相比，磁路组件3400进一步增加了第五磁性元件314。第五磁性元件314可以抑制磁路组件3400中第一磁性元件302在磁化方向上的漏磁，从而使第一磁性元件302产生的磁场可以较多地被压缩到磁间隙中，因而提高磁间隙内的磁感应强度。

以上对磁路组件3400的结构的描述仅仅是具体的示例，不应被视为是唯一可行的实施方案。显然，对于本领域的专业人员来说，在了解磁路组件的基本原理后，可能在不背离这一原理的情况下，对实施磁路组件3400的具体方式与步骤进行形式和细节上的各种修正和改变，但是这些修正和改变仍在以上描述的范围之内。例如，第二导磁元件306可以是环形结构或片状结构。又例如，磁路组件3400可以不包括第二磁性元件308。又例如，磁路组件3400可以进一步添加至少一个磁性元件。在一些实施例中，所述进一步添加的磁性元件的下表面可以连接第二磁性元件308的上表面。所述进一步添加的磁性元件的磁化方向与第一磁性元件302的磁化方向相同。在一些实施例中，所述进一步添加的磁性元件的上表面可以连接第二磁性元件308的下表面。所述进一步添加的磁性元件的磁化方向与第一磁性元件302的磁化方向相反。在一些实施例中，所述进一步添加的磁性元件可以连接第一磁性元件302以及第二导磁元件306，所述进一步添加的磁性元件的磁化方向与第二磁性元件308的磁化方向相反。

图3E是根据本申请的一些实施例所示的一种磁路组件3500的纵截面示意图。如图3E所示，与磁路组件3400不同的是，磁路组件3500可以进一步包括第三导磁元件316。在一些实施例中，第三导磁元件316可以包括本申请中描述的任意一种或几种导磁材料。第一导磁元件304、第二导磁元件306和/或第三导磁元件316所包括的导磁材料可以相同或不同。在一些实施例中，第三导磁元件316可以设置为对称结构。例如，第三导磁元件316可以是圆柱体。在一些实施例中，第一磁性元件302、第一导磁元件304、第五磁性元件314和/或第三导磁元件316可以是共轴的圆柱体，含有相同或者不同的直径。第三导磁元件316可以连接第五磁性元件314。在一些实施例中，第三导磁元件316可以连接第五磁性元件314以及第二磁性元件308。所述第三导磁元件316、第二导磁元件306以及第二磁性元件308可以形成一腔体，所述腔体可以包含第一磁性元件302、第五磁性元件314以及第一导磁元件304。

与磁路组件3400相比，磁路组件3500进一步增加了第三导磁元件316。第三导磁元件316可以抑制磁路组件3500中第五磁性元件314在磁化方向上的漏磁，从而使第五磁性元件314产生的磁场可以较多地被压缩到磁间隙中，因而提高磁间隙内的磁感应强度。

以上对磁路组件3500的结构的描述仅仅是具体的示例，不应被视为是唯一可行的实施方案。显然，对于本领域的专业人员来说，在了解磁路组件的基本原理后，可能在不背离这一原理的情况下，对实施磁路组件3500的具体方式与步骤进行形式和细节上的各种修正和改变，但是这些修正和改变仍在以上描述的范围之内。例如，第二导磁元件306可以是环形结构或片状结构。又例如，磁路组件3500可以不包括第二磁性元件308。又例如，磁路组件3500可以进一步添加至少一个磁性元件。在一些实施例中，所述进一步添加的磁性元件的下表面可以连接第二磁性元件308的上表面。所述进一步添加的磁性元件的磁化方向与第一磁性元件302的磁化方向相同。在一些实施例中，所述进一步添加的磁性元件的上表面可以连接第二磁性元件308的下表面。所述进一步添加的磁性元件的磁化方向与第一磁性元件302的磁化方向相反。在一些实施例中，所述进一步添加的磁性元件可以连接第一磁性元件302以及第二导磁元件306，所述进一步添加的磁性元件的磁化方向与第二磁性元件308的磁化方向相反。

图3F是根据本申请的一些实施例所示的一种磁路组件3600的纵截面示意图。如图3F所示，与磁路组件3100不同的是，磁路组件3600可以进一步包括一个或多个导电元件(例如，第一导电元件318、第二导电元件320以及第三导电元件322)。

所述导电元件可以包括金属材料、金属合金材料、无机非金属材料或其它导电材料。金属材料可以包括金、银、铜、铝等；金属合金材料看可以包括铁基合金、铝基合金材料、铜基合金、锌基合金等；无机非金属材料可以包括石墨等。所述导电元件可以是片状、环状、网状等。第一导电元件318可以设置于第一导磁元件304的上表面。第二导电元件320可以连接第一磁性元件302以及第二导磁元件306。第三导电元件322可以连接第一磁性元件302的侧壁。在一些实施例中，第一导磁元件304可以凸出于第一磁性元件302形成第一凹部，第三导电元件322设置于所述第一凹部。在一些实施例中，第一导电元件318、第二导电元件320以及第三导电元件322可以包括相同或不同的导电材料。第一导电元件318、第二导电元件320以及第三导电元件322可以通过本申请中描述的任意一种或多种连接方式分别连接第一导磁元件304、第二导磁元件306和/或第一磁性元件302。

第一磁性元件302、第一导磁元件304与第二磁性元件308的内环之间形成磁间隙。音圈328可以设置于所述磁间隙中。第一磁性元件302、第一导磁元件304、第二导磁元件306以及第二磁性元件308可以形成磁回路。在一些实施例中，所述导电元件可以降低音圈328的感抗。例如，若音圈328通入第一交变电流时，音圈328附近会产生第一交变感应磁场。第一交变感应磁场在所述磁回路中磁场的作用下，会使音圈328产生感抗，阻碍音圈328的运动。当在音圈328附近设置导电元件(例如，第一导电元件318、第二导电元件320以及第三导电元件322)，在所述第一交变感应磁场作用下，所述导电元件可以感生出第二交变电流。所述导电元件内的第三交变电流可以在其附近产生第二交变感应磁场，所述第二交变感应磁场与所述第一交变感应磁场方向相反，可以减弱所述第一交变感应磁场，从而减小音圈328的感抗，增大音圈中的电流，提高骨传导扬声器的灵敏度。

以上对磁路组件3600的结构的描述仅仅是具体的示例，不应被视为是唯一可行的实施方案。显然，对于本领域的专业人员来说，在了解磁路组件的基本原理后，可能在不背离这一原理的情况下，对实施磁路组件3600的具体方式与步骤进行形式和细节上的各种修正和改变，但是这些修正和改变仍在以上描述的范围之内。例如，第二导磁元件306可以是环形结构或片状结构。又例如，磁路组件3600可以不包括第二磁性元件308。又例如，磁路组件3500可以进一步添加至少一个磁性元件。在一些实施例中，所述进一步添加的磁性元件的下表面可以连接第二磁性元件308的上表面。所述进一步添加的磁性元件的磁化方向与第一磁性元件302的磁化方向相同。

图3G是根据本申请的一些实施例所示的一种磁路组件3900的纵截面示意图。如图3G所示，与磁路组件3500不同的是，磁路组件3900可以进一步包括第三磁性元件310、第四形磁性元件312、第五磁性元件314、第三导磁元件316、第六磁性元件324以及第七磁性元件326。第三磁性元件310、第四磁性元件312、第五磁性元件314、第三导磁元件316和/或第六磁性元件324以及第七磁性元件326可以设置为共轴的环形柱体。

在一些实施例中，第二磁性元件308的上表面连接第七磁性元件326，第二磁性元件308的下表面可以连接第三磁性元件310。第三磁性元件310可以连接第二导磁元件306。第七磁性元件326的上表面可以连接第三导磁元件316。第四形磁性元件312可以连接第二导磁元件306以及第一磁性元件302。第六磁性元件324可以连接第五磁性元件314、第三导磁元件316以及第七磁性元件326。在一些实施例中，第一磁性元件302、第一导磁元件304、第二导磁元件306、第二磁性元件308、第三磁性元件310、第四磁性元件312、第五磁性元件314、第三导磁元件316、第六磁性元件324以及第七磁性元件326可以形成磁回路以及磁间隙。

在一些实施例中，第二磁性元件308的磁化方向可以参考本申请图3A中的详细描述，第三磁性元件310的磁化方向可参考本申请图3B的详细描述，第四磁性元件312的磁化方向可以参考本申请图3C中的详细描述。

在一些实施例中，第一磁性元件302的磁化方向与第六磁性元件324的磁化方向之间的夹角可以在0度与180度之间。在一些实施例中，第一磁性元件302的磁化方向与第六磁性元件324的磁化方向与之间的夹角在45度与135度之间。在一些实施例中，第一磁性元件302的磁化方向与第六磁性元件324的磁化方向之间的夹角不高于90度。在一些实施例中，第一磁性元件302的磁化方向垂直于第一磁性元件302的下表面或上表面竖直向上(如图a方向所示)，第六磁性元件324的磁化方向由第六磁性元件324的外环指向内环(如图中g方向所示，在第一磁性元件302的右侧，第一磁性元件302的磁化方向沿着顺时针方向偏转270度)。在一些实施例中，在同一竖直方向上，第六磁性元件324的磁化方向与第四磁性元件312的磁化方向可以相同。

在一些实施例中，在第六磁性元件324的位置处，磁路组件3900产生的磁场的方向与第六磁性元件324的磁化方向之间的夹角不高于90度。在一些实施例中，在第六磁性元件324的位置处，第一磁性元件302产生的磁场的方向与第六磁性元件324的磁化方向之间的夹角可以是0度、10度、20度等小于或等于90度的夹角。

在一些实施例中，所述第一磁性元件302的磁化方向与第七磁性元件326的磁化方向之间的夹角可以在0度与180度之间。在一些实施例中，第一磁性元件302的磁化方向与第七磁性元件326的磁化方向与之间的夹角在45度与135度之间。在一些实施例中，所述第一磁性元件302的磁化方向与第七磁性元件326的磁化方向之间的夹角不高于90度。在一些实施例中，第一磁性元件302的磁化方向垂直于第一磁性元件302的下表面或上表面竖直向上(如图a方向所示)，第七磁性元件326的磁化方向由第七磁性元件326的下表面指向上表面(如图中f方向所示，在第一磁性元件302的右侧，第一磁性元件302的磁化方向沿着顺时针方向偏转360度)。在一些实施例中，第七磁性元件326的磁化方向与第三磁性元件310的磁化方向可以相反。

在一些实施例中，在第七磁性元件326处，磁路组件3900产生的磁场的方向与所述第七磁性元件326的磁化方向之间的夹角不高于90度。在一些实施例中，在第七磁性元件326的位置处，第一磁性元件302产生的磁场的方向与第七磁性元件326的磁化方向之间的夹角可以是0度、10度、20度等小于或等于90度的夹角。

在磁路组件3900中，第三导磁元件316可以将磁路组件3900产生的磁路封闭，使得较多的磁感线集中于所述磁间隙内，从而达到抑制漏磁、增加磁间隙处的磁感应强度、及提高骨传导扬声器的灵敏度的功效。以上对磁路组件3900的结构的描述仅仅是具体的示例，不应被视为是唯一可行的实施方案。显然，对于本领域的专业人员来说，在了解磁路组件的基本原理后，可能在不背离这一原理的情况下，对实施磁路组件3900的具体方式与步骤进行形式和细节上的各种修正和改变，但是这些修正和改变仍在以上描述的范围之内。例如，第二导磁元件306可以是环形结构或片状结构。又例如，磁路组件3900可以不包括第二磁性元件308。又例如，磁路组件3900可以进一步包括至少一个导电元件，所述导电元件可以连接第一磁性元件302、第五磁性元件314、第一导磁元件304、第二导磁元件306和/或的第三导磁元件316。在一些实施例中，磁路组件3900可以进一步添加至少一个导电元件，所述进一步添加的导电元件可以连接第二磁性元件308、第三磁性元件310、第四磁性元件312、第六磁性元件324以及第七磁性元件326中的至少一个元件。

图4A是根据本申请的一些实施例所示的一种磁路组件4100的纵截面示意图。如图4A所示，磁路组件4100可以包括第一磁性元件402、第一导磁元件404、第一全磁场改变元件406以及第二磁性元件408。在一些实施例中，第一磁性元件402和/或第二磁性元件408可以包括本申请中描述的任意一种或几种磁铁。第一磁性元件402可以包括第一磁铁，第二磁性元件408可以包括第二磁铁，所述第一磁铁与所述第二磁铁可以相同或不同。第一导磁元件404可以包括本申请中描述的任意一种或几种导磁材料，例如低碳钢、硅钢片、矽钢片、铁氧体等。在一些实施例，第一磁性元件402和/或第一导磁元件404可以设置为轴对称结构。第一磁性元件402和/或第一导磁元件404可以是圆柱体。在一些实施例中，第一磁性元件402和第一导磁元件404可以是共轴的圆柱体，含有相同或不同的直径。在一些实施例中，第一全磁场改变元件406可以是磁性元件或导磁元件中的任意一种。第一全磁场改变元件406和/或第二磁性元件408可以设定为环状或片状。关于第一全磁场改变元件406和第二磁性元件408的描述可以参见说明书中其他地方的描述(例如，图5A和5B及其相关描述)。在一些实施例中，第二磁性元件408可以与第一磁性元件402、第一导磁元件404和/或第一全磁场改变元件406共轴的环形柱体，含有直径相同或不同的内环和/外环。第一导磁元件404和/或第一全磁场改变元件406的加工方法可以包括本申请中描述的任意一种或几种加工方式。

第一磁性元件402的上表面可以连接第一导磁元件404的下表面，第二磁性元件408可以连接第一磁性元件402以及第一全磁场改变元件406。第一磁性元件402、第一导磁元件404、第一全磁场改变元件406和/或第二磁性元件408之间的连接方式可以基于本申请中描述的任意一种或几种连接方式。在一些实施例中，第一磁性元件402、第一导磁元件404、第一全磁场改变元件406和/或第二磁性元件408可形成磁回路及磁间隙。

在一些实施例中，磁路组件4100可以产生第一全磁场，第一磁性元件402可以产生第二磁场，所述第一全磁场在所述磁间隙内的磁场强度大于所述第二磁场在所述磁间隙内的磁场强度。在一些实施例中，第二磁性元件408可以产生第三磁场，所述第三磁场可以提高所述第二磁场在所述磁间隙处的磁场强度。

在一些实施例中，第一磁性元件402的磁化方向与第二磁性元件408的磁化方向之间的夹角可以在0度与180度之间。在一些实施例中，第一磁性元件402的磁化方向与第二磁性元件408的磁化方向与之间的夹角在45度与135度之间。在一些实施例中，第一磁性元件402的磁化方向与第二磁性元件408的磁化方向之间的夹角可以不高于90度。

在一些实施例中，在第二磁性元件408的位置处，所述第一全磁场的方向与第二磁性元件408的磁化方向之间的夹角不高于90度。在一些实施例中，在第二磁性元件408的位置处，第一磁性元件402产生的磁场的方向与第二磁性元件408的磁化方向之间的夹角可以是0度、10度、20度等小于或等于90度的夹角。又例如，第一磁性元件402的磁化方向垂直于第一磁性元件402的下表面或上表面竖直向上(如图a方向所示)，第二磁性元件408的磁化方向由第二磁性元件408的外环指向内环(如图中c方向所示，在第一磁性元件402的右侧，第一磁性元件402的磁化方向沿着顺时针方向偏转270度)。

与单一磁性元件的磁路组件相比，磁路组件4100中的第一全磁场改变元件406可以提高磁间隙中的总磁通量，进而增加磁间隙中的磁感应强度。并且，在第一全磁场改变元件406的作用下，原本发散的磁感线会向磁间隙所在位置收敛，进一步增加磁间隙中的磁感应强度。

以上对磁路组件4100的结构的描述仅仅是具体的示例，不应被视为是唯一可行的实施方案。显然，对于本领域的专业人员来说，在了解骨磁路组件的基本原理后，可能在不背离这一原理的情况下，对实施磁路组件4100的具体方式与步骤进行形式和细节上的各种修正和改变，但是这些修正和改变仍在以上描述的范围之内。例如，磁路组件4100可以进一步包括导磁罩，所述导磁罩可以包含第一磁性元件402、第一导磁元件404、第一全磁场改变元件406以及第二磁性元件408。

图4B是根据本申请的一些实施例所示的一种磁路组件4200的纵截面示意图。如图4B所示，与磁路组件4100不同的是，磁路组件4200可以进一步包括第三磁性元件410。

第三磁性元件410的下表面可以连接第一全磁场改变元件406。第三磁性元件410与第一全磁场改变元件406之间的连接方式可以基于本申请中描述的任意一种或几种连接方式。在一些实施例中，第一磁性元件402、第一导磁元件404、第一全磁场改变元件406、第二磁性元件408和/或第三磁性元件410之间可形成磁间隙。在一些实施例中，磁路组件4200可以产生第一全磁场，第一磁性元件402可以产生第二磁场，所述第一全磁场在所述磁间隙内的磁场强度大于所述第二磁场在所述磁间隙内的磁场强度。在一些实施例中，第三磁性元件410可以产生第三磁场，所述第三磁场可以提高所述第二磁场在所述磁间隙处的磁场强度。

在一些实施例中，第一磁性元件402的磁化方向与第三磁性元件410的磁化方向之间的夹角可以在0度与180度之间。在一些实施例中，第一磁性元件402的磁化方向与第三磁性元件410的磁化方向与之间的夹角在45度与135度之间。在一些实施例中，第一磁性元件402的磁化方向与第三磁性元件410的磁化方向之间的夹角可以等于或大于90度。在一些实施例中，第一磁性元件402的磁化方向垂直于第一磁性元件402的下表面或上表面竖直向上(如图a方向所示)，第三磁性元件410的磁化方向由第三磁性元件410的内环指向外环(如图中b方向所示，在第一磁性元件402的右侧，第一磁性元件402的磁化方向沿着顺时针方向偏转90度)。

在一些实施例中，在第三磁性元件410的位置处，所述第一全磁场的方向与第二磁性元件408的磁化方向之间的夹角不高于90度。在一些实施例中，在第三磁性元件410的位置处，第一磁性元件402产生的磁场的方向与第三磁性元件410的磁化方向之间的夹角可以是0度、10度、20度等小于或等于90度的夹角。

与磁路组件4100相比，磁路组件4200进一步增加了第三磁性元件410。第三磁性元件410可以进一步增加磁路组件4200中磁间隙内的总磁通量，进而增加磁间隙中的磁感应强度。并且，在第三磁性元件410的作用下，磁感线会进一步向磁间隙所在位置收敛，从而增加磁间隙中的磁感应强度。

以上对磁路组件4200的结构的描述仅仅是具体的示例，不应被视为是唯一可行的实施方案。显然，对于本领域的专业人员来说，在了解骨磁路组件的基本原理后，可能在不背离这一原理的情况下，对实施磁路组件4200的具体方式与步骤进行形式和细节上的各种修正和改变，但是这些修正和改变仍在以上描述的范围之内。例如，磁路组件4200可以进一步包括导磁罩，所述导磁罩可以包含第一磁性元件402、第一导磁元件404、第一全磁场改变元件406、第二磁性元件408以及第三磁性元件410。

图4C是根据本申请的一些实施例所示的一种磁路组件4300的结构示意图。如图4C所示，与磁路组件4200不同的是，磁路组件4300可以进一步包括第四磁性元件412。

第四磁性元件412的下表面可以连接第一全磁场改变元件406的上表面，第四磁性元件412的上表面可以连接第二磁性元件408的下表面。第四磁性元件412与第一全磁场改变元件406以及第二磁性元件408之间的连接方式可以基于本申请中描述的任意一种或几种连接方式。在一些实施例中，第一磁性元件402、第一导磁元件404、第一全磁场改变元件406、第二磁性元件408、第三磁性元件410和/或第四磁性元件412之间可形成磁间隙。第二磁性元件408以及第三磁性元件410的磁化方向可以分别参考本申请4A和/或4B中的详细描述。

在一些实施例中，磁路组件4300可以产生第一全磁场，第一磁性元件402可以产生第二磁场，所述第一全磁场在所述磁间隙内的磁场强度大于所述第二磁场在所述磁间隙内的磁场强度。在一些实施例中，第四磁性元件412可以产生第三磁场，所述第三磁场可以提高所述第二磁场在所述磁间隙处的磁场强度。

在一些实施例中，所述第一磁性元件402的磁化方向与第四磁性元件412的磁化方向之间的夹角可以在0度与180度之间。在一些实施例中，第一磁性元件402的磁化方向与第四磁性元件412的磁化方向与之间的夹角在45度与135度之间。在一些实施例中，所述第一磁性元件402的磁化方向与第四磁性元件412的磁化方向之间的夹角可以等于或大于90度。在一些实施例中，第一磁性元件402的磁化方向垂直于第一磁性元件402的下表面或上表面竖直向上(如图a方向所示)，第四磁性元件412的磁化方向由第四磁性元件412的上表面指向下表面(如图中d方向所示，在第一磁性元件402的右侧，第一磁性元件402的磁化方向沿着顺时针方向偏转180度)。

在一些实施例中，在第四磁性元件412的位置处，所述第一全磁场的方向与第四磁性元件412的磁化方向之间的夹角不高于90度。在一些实施例中，在第四磁性元件412的位置处，第一磁性元件402产生的磁场的方向与第四磁性元件412的磁化方向之间的夹角可以是0度、10度、20度等小于或等于90度的夹角。

与磁路组件4200相比，磁路组件4300进一步增加了第四磁性元件412。第四磁性元件412可以进一步增加磁路组件4300中磁间隙内的总磁通量，进而增加磁间隙中的磁感应强度。并且，在第四磁性元件412的作用下，磁感线会进一步向磁间隙所在位置收敛，从而增加磁间隙中的磁感应强度。

以上对磁路组件4300的结构的描述仅仅是具体的示例，不应被视为是唯一可行的实施方案。显然，对于本领域的专业人员来说，在了解骨磁路组件的基本原理后，可能在不背离这一原理的情况下，对实施磁路组件4300的具体方式与步骤进行形式和细节上的各种修正和改变，但是这些修正和改变仍在以上描述的范围之内。例如，磁路组件4200可以进一步包括一个或多个导电元件，所述一个或多个导电元件可以连接第一磁性元件402、第一导磁元件404、第二磁性元件408、第三磁性元件410和第四磁性元件412中的至少一个元件。

图4D是根据本申请的一些实施例所示的一种磁路组件4400的纵截面示意图。如图4D所示，与磁路组件4300不同的是，磁路组件4400可以进一步包括导磁罩414。

导磁罩414可以包括本申请中描述的任意一种或几种导磁材料，例如，低碳钢、硅钢片、矽钢片、铁氧体等。导磁罩414可以通过本申请中描述的任意一种或几种连接方式连接第一全磁场改变元件406、第二磁性元件408、第三磁性元件410以及第四磁性元件412。导磁罩414的加工方法可以包括本申请中描述的任意一种加工方式，例如，铸造、塑性加工、切削加工、粉末冶金等一种或多种组合。在一些实施例中，导磁罩414可以包括底板和侧壁，所述侧壁为环形结构。在一些实施例中，所述底板和侧壁可以是一体成型。在一些实施例中，所述底板可以通过本申请中描述的任意一种或几种连接方式连接所述侧壁。

与磁路组件4300相比，磁路组件4400进一步增加了导磁罩414。导磁罩414可以抑制磁路组件4300的漏磁，有效减小磁路长度和磁阻，从而使较多的磁感线可以通过磁间隙，提高磁间隙内的磁感应强度。

以上对磁路组件4400的结构的描述仅仅是具体的示例，不应被视为是唯一可行的实施方案。显然，对于本领域的专业人员来说，在了解骨磁路组件的基本原理后，可能在不背离这一原理的情况下，对实施磁路组件4400的具体方式与步骤进行形式和细节上的各种修正和改变，但是这些修正和改变仍在以上描述的范围之内。例如，磁路组件4400可以进一步包括一个或多个导电元件，所述一个或多个导电元件可以连接第一磁性元件402、第一导磁元件404、第二磁性元件408、第三磁性元件410和第四磁性元件412中的至少一个元件。又例如，磁路组件4200可以进一步包括第五磁性元件，所述第五磁性元件的下表面连接第一导磁元件404的上表面，所述第五磁性元件的磁化方向与所述第一磁性元件402的磁化方向相反。

图4E是根据本申请的一些实施例所示的一种磁路组件4500的纵截面示意图。如图4E所示，与磁路组件4200不同的是，磁路组件4500的第一全磁场改变元件406与第二磁性元件408的连接面可以是楔形截面。

与磁路组件4100相比，磁路组件4500的第一全磁场改变元件406与第二磁性元件408的连接面配置为楔形截面，可以使得磁感线能顺利转折。同时，所述楔形截面可以方便第一全磁场改变元件406与第二磁性元件408的的装配并可以减小装配组件数目，降低骨传导扬声器的重量。

以上对磁路组件4500的结构的描述仅仅是具体的示例，不应被视为是唯一可行的实施方案。显然，对于本领域的专业人员来说，在了解骨磁路组件的基本原理后，可能在不背离这一原理的情况下，对实施磁路组件4500的具体方式与步骤进行形式和细节上的各种修正和改变，但是这些修正和改变仍在以上描述的范围之内。例如，磁路组件4500可以进一步包括一个或多个导电元件，所述导电元件可以连接第一磁性元件402、第一导磁元件404、第二磁性元件408、以及第三磁性元件410中的至少一个元件。又例如，磁路组件4500可以进一步包括第五磁性元件，所述第五磁性元件的下表面连接第一导磁元件404的上表面，所述第五磁性元件的磁化方向与所述第一磁性元件402的磁化方向相反。在一些实施例中，磁路组件4500可以进一步包括一个导磁罩，所述导磁罩可以包含第一磁性元件402、第一导磁元件404、第一全磁场改变元件406、第二磁性元件408以及第三磁性元件410。

图4F是根据本申请的一些实施例所示的一种磁路组件4600的纵截面示意图。如图4F所示，与磁路组件4100不同的是，磁路组件4600可以进一步包括第五磁性元件416。在一些实施例中，第五磁性元件416可以包括一个或多个磁铁。所述磁铁可以包括本申请中描述的任意一种或几种磁铁材料。在一些实施例中，第五磁性元件416可以包括第一磁铁，第一磁性元件402可以包括第二磁铁，所述第一磁铁与所述第二磁铁包括的磁铁材料可以相同或不同。在一些实施例中，第五磁性元件416、第一磁性元件402以及第一导磁元件404可以设置为轴对称结构，例如，第五磁性元件416、第一磁性元件402以及第一导磁元件404可以是圆柱体。在一些实施例中，在一些实施例中，第五磁性元件416、第一磁性元件402以及第一导磁元件404可以是共轴的圆柱体，含有相同或者不同的直径。例如，第一导磁元件404的直径可以大于第一磁性元件402和/或第五磁性元件416，第一磁性元件402和/或第五磁性元件416的侧壁可以形成第一凹部和/或第二凹部。在一些实施例中，第二磁性元件416的厚度与所述第一磁性元件402、所述第二磁性元件416以及所述第一导磁元件404的厚度之和的比值范围为0.4-0.6。第一导磁元件404与所述第一磁性元件402、所述第二磁性元件416以及所述第一导磁元件404的厚度之和的比值范围为0.5-1.5。

在一些实施例中，第五磁性元件416的磁化方向与第一磁性元件402的磁化方向之间的夹角在150度与180度之间。在一些实施例中，第五磁性元件416的磁化方向与第一磁性元件402的磁化方向之间的夹角在90度与180度之间。例如，第五磁性元件416的磁化方向与第一磁性元件402的磁化方向相反(如图所示，a方向与e方向)。

与磁路组件4100相比，磁路组件4600进一步增加了第五磁性元件416。第五磁性元件426可以抑制磁路组件4600中第一磁性元件402在磁化方向上的漏磁，从而使第一磁性元件402产生的磁场可以较多地压缩到磁间隙中，因而提高磁间隙内的磁感应强度。

以上对磁路组件4600的结构的描述仅仅是具体的示例，不应被视为是唯一可行的实施方案。显然，对于本领域的专业人员来说，在了解骨磁路组件的基本原理后，可能在不背离这一原理的情况下，对实施磁路组件4600的具体方式与步骤进行形式和细节上的各种修正和改变，但是这些修正和改变仍在以上描述的范围之内。在一些实施例中，磁路组件4600可以进一步包括一个或多个导电元件，所述一个或多个导电元件可以连接第一磁性元件402、第一导磁元件404、第二磁性元件408、以及第五磁性元件416中的至少一个元件，例如所述一个或多个导电元件可以设置于所述第一凹部和/或所述第二凹部。在一些实施例中，磁路组件4600可以进一步添加至少一个磁性元件，所述进一步添加的磁性元件可以连接第一全磁场改变元件406。在一些实施例中，磁路组件4600可以进一步包括一个导磁罩，所述导磁罩包含第一磁性元件402、第一导磁元件404、第一全磁场改变元件406、第二磁性元件408以及第五磁性元件416。

图4G是根据本申请的一些实施例所示的一种磁路组件4900的纵截面示意图。磁路组件4900可以包括第一磁性元件402、第一导磁元件404、第一全磁场改变元件406、第二磁性元件408、第三磁性元件410、第四磁性元件412、第五磁性元件416、第六磁性元件418、第七磁性元件420以及第二环形元件422。第一磁性元件402、第一导磁元件404、第一全磁场改变元件406、第二磁性元件408、第三磁性元件410、第三磁性元件410、第四磁性元件412以及第五磁性元件416、可以参考本申请图4A、4B、4C、4D、4E和/或4F中的详细描述。在一些实施例中，第一全磁场改变元件406和/或第二环形元件422可以包括环形磁性元件或环形导磁元件。所述环形磁性元件可以包括本申请中描述的任意一种或几种磁铁材料，所述环形导磁元件可以包括本申请中描述的任意一种或几种导磁材料。

在一些实施例中，第六磁性元件418可以连接第五磁性元件416以及第二环形元件422，第七磁性元件420可以连接第三磁性元件410以及第二环形元件422。在一些实施例中，第一磁性元件402、第五磁性元件416、第二磁性元件408、第三磁性元件410、第四磁性元件412、第六磁性元件418和/或第七磁性元件420与所述第一导磁元件404、第一全磁场改变元件406以及第二环形元件422可以形成磁回路。

第二磁性元件408的磁化方向可以参考本申请图4A中的详细描述，第三磁性元件410、第四磁性元件412以及第五磁性元件416的磁化方向可以分别参考本申请图4B、4C以及4F的详细描述。

在一些实施例中，所述第一磁性元件402的磁化方向与第六磁性元件418的磁化方向之间的夹角可以在0度与180度之间。在一些实施例中，第一磁性元件402的磁化方向与第六磁性元件418的磁化方向与之间的夹角在45度与135度之间。在一些实施例中，所述第一磁性元件402的磁化方向与第六磁性元件418的磁化方向之间的夹角不高于90度。在一些实施例中，第一磁性元件402的磁化方向垂直于第一磁性元件402的下表面或上表面竖直向上(如图a方向所示)，第六磁性元件418的磁化方向由第六磁性元件418的外环指向内环(如图中f方向所示，在第一磁性元件402的右侧，第一磁性元件402的磁化方向沿着顺时针方向偏转270度)。在一些实施例中，在同一竖直方向上，第六磁性元件418的磁化方向与第二磁性元件408的磁化方向可以相同。在一些实施例中，第一磁性元件402的磁化方向垂直于第一磁性元件402的下表面或上表面竖直向上(如图a方向所示)，第七磁性元件420的磁化方向由第七磁性元件420的下表面指向上表面(如图中e方向所示，在第一磁性元件402的右侧，第一磁性元件402的磁化方向沿着顺时针方向偏转360度)。在一些实施例中，第七磁性元件420的磁化方向与第三磁性元件412的磁化方向可以相同。

在一些实施例中，在第六磁性元件418的位置处，磁路组件4900产生的磁场的方向与所述第六磁性元件418的磁化方向之间的夹角不高于90度。在一些实施例中，在第六磁性元件418的位置处，第一磁性元件402产生的磁场的方向与第六磁性元件418的磁化方向之间的夹角可以是0度、10度、20度等小于或等于90度的夹角。

在一些实施例中，所述第一磁性元件402的磁化方向与第七磁性元件420的磁化方向之间的夹角可以在0度与180度之间。在一些实施例中，第一磁性元件402的磁化方向与第七磁性元件420的磁化方向与之间的夹角在45度与135度之间。在一些实施例中，所述第一磁性元件402的磁化方向与第七磁性元件420的磁化方向之间的夹角不高于90度。

在一些实施例中，在第七磁性元件420的位置处，磁路组件4900产生的磁场的方向与所述第七磁性元件420的磁化方向之间的夹角不高于90度。在一些实施例中，在第七磁性元件420的位置处，第一磁性元件402产生的磁场的方向与第七磁性元件420的磁化方向之间的夹角可以是0度、10度、20度等小于或等于90度的夹角。

在一些实施例中，第一全磁场改变元件406可以是环形磁性元件。在这种情况下，第一全磁场改变元件406的磁化方向可以与第二磁性元件408或第四磁性元件412的磁化方向相同。例如，在第一磁性元件402的右侧，第一全磁场改变元件406的磁化方向可以由第一全磁场改变元件406的外环指向内环。在一些实施例中，第二环形元件422可以是环形磁性元件。在这种情况下，第二环形元件422的磁化方向可以与第六磁性元件418或第七磁性元件420的磁化方向相同。例如，在第一磁性元件402的右侧，第二环形元件422的磁化方向可以由第二环形元件422的外环指向内环。

在磁路组件4900中，多个磁性元件可以提高总的磁通量，不同磁性元件相互作用，可以抑制磁感线泄漏，提高磁间隙处的磁感应强度，提高骨传导扬声器的灵敏度。

以上对磁路组件4900的结构的描述仅仅是具体的示例，不应被视为是唯一可行的实施方案。显然，对于本领域的专业人员来说，在了解骨磁路组件的基本原理后，可能在不背离这一原理的情况下，对实施磁路组件4900的具体方式与步骤进行形式和细节上的各种修正和改变，但是这些修正和改变仍在以上描述的范围之内。在一些实施例中，磁路组件4900可以进一步包括一个或多个导电元件，所述一个或多个导电元件可以连接第一磁性元件402、第一导磁元件404、第二磁性元件408、第三磁性元件410、第四磁性元件412、第五磁性元件416、第六磁性元件418以及第七磁性元件420中的至少一个元件。

图4H是根据本申请的一些实施例所示的一种磁路组件41000的纵截面示意图。如图4H所示，与磁路组件4900不同的是，磁路组件41000可以进一步包括导磁罩414。

导磁罩414可以包括本申请中描述的任意一种或几种导磁材料，例如，低碳钢、硅钢片、矽钢片、铁氧体等。导磁罩414可以通过本申请中描述的任意一种或几种连接方式连接第一磁性元件402、第一全磁场改变元件406、第二磁性元件408、第三磁性元件410、第四磁性元件412、第五磁性元件416、第六磁性元件418、第七磁性元件420以及第二环形元件422。导磁罩414的加工方法可以包括本申请中描述的任意一种加工方式，例如，铸造、塑性加工、切削加工、粉末冶金等一种或多种组合。在一些实施例中，导磁罩可以包括至少一个底板和侧壁，所述侧壁为环形结构。在一些实施例中，所述底板和侧壁可以是一体成型。在一些实施例中，所述底板可以通过本申请中描述的任意一种或几种连接方式连接所述侧壁。例如，导磁罩414可以包括第一底板、第二底板以及侧壁，所述第一底板与侧壁可以是一体成型的，所述第二底板可以通过本申请中描述的任意一种或几种连接方式连接所述侧壁。

在磁路组件41000中，导磁罩414可以将磁路组件41000产生的磁路封闭，使得较多的磁感线集中于所述磁路组件41000中的磁间隙内，达到抑制漏磁、增加磁间隙处的磁感应强度、及提高骨传导扬声器的灵敏度的功效。

以上对磁路组件41000的结构的描述仅仅是具体的示例，不应被视为是唯一可行的实施方案。显然，对于本领域的专业人员来说，在了解骨磁路组件的基本原理后，可能在不背离这一原理的情况下，对实施磁路组件41000的具体方式与步骤进行形式和细节上的各种修正和改变，但是这些修正和改变仍在以上描述的范围之内。例如，磁路组件41000可以进一步包括一个或多个导电元件，所述一个或多个导电元件可以连接第一磁性元件402、第一导磁元件404、第二磁性元件408、第三磁性元件410、第四磁性元件412、第五磁性元件416、第六磁性元件418以及第七磁性元件420中的至少一个元件。

图4M是根据本申请的一些实施例所示的一种磁路组件41100的纵截面示意图。如图4M所示，与磁路组件4100不同的是，磁路组件41100可以进一步包括一个或多个导电元件(例如，第一导电元件424、第二导电元件426以及第三导电元件428)。

所述导电元件的描述与导电元件318，导电元件320和导电元件322类似，其相关描述在此处不再重复。

上对磁路组件41100的结构的描述仅仅是具体的示例，不应被视为是唯一可行的实施方案。显然，对于本领域的专业人员来说，在了解骨磁路组件的基本原理后，可能在不背离这一原理的情况下，对实施磁路组件41100的具体方式与步骤进行形式和细节上的各种修正和改变，但是这些修正和改变仍在以上描述的范围之内。例如，磁路组件41100可以进一步包括至少一个磁性元件和/或导磁元件。

图5A是根据本申请的一些实施例所示的一种磁路组件5100的纵截面示意图。如图5A所示，磁路组件5100可以包括第一磁性元件502、第一导磁元件504、第二导磁元件506以及第二磁性元件508。

在一些实施例中，第一磁性元件502和/或第二磁性元件508可以包括本申请中描述的任意一种或几种磁铁。在一些实施例中，第一磁性元件502可以包括第一磁铁，第二磁性元件508可以包括第二磁铁，所述第一磁铁与所述第二磁铁可以相同或不同。第一导磁元件504和/或第二导磁元件506可以包括本申请中描述的任意一种或几种导磁材料。第一导磁元件504和/或第二导磁元件506的加工方法可以包括本申请中描述的任意一种或几种加工方式。在一些实施例中，第一磁性元件502、第一导磁元件504和/或第二磁性元件508可以设置为轴对称结构。例如，第一磁性元件502、第一导磁元件504和/或第二磁性元件508可以是圆柱体。在一些实施例中，第一磁性元件502、第一导磁元件504和/或第二磁性元件508可以是共轴的圆柱体，含有相同或者不同的直径。第一磁性元件502的厚度可以大于或等于第二磁性元件508的厚度。在一些实施例中，第二导磁元件506可以是凹槽型结构。所述凹槽型结构可以包含U型的剖面(如图5A所示)。所述凹槽型的第二导磁元件506可以包括底板和侧壁。在一些实施例中，所述底板和所述侧壁可以是一体成型的，例如，所述侧壁可以由底板在垂直于底板的方向进行延伸形成。在一些实施例中，所述底板可以通过本申请中描述的任意一种或几种连接方式连接所述侧壁。第二磁性元件508可以设定为环状或片状。关于第二磁性元件508的形状可参考说明书中其他地方的描述(例如，图6A与6B及其相关描述)。在一些实施例中，第二磁性元件508可以与第一磁性元件502和/或第一导磁元件504共轴。

第一磁性元件502的上表面可以连接第一导磁元件504的下表面。第一磁性元件502的下表面可以连接第二导磁元件506的底板。第二磁性元件508的下表面连接第一导磁元件504的上表面。第一磁性元件502、第一导磁元件504、第二导磁元件506和/或第二磁性元件508之间的的连接方式可以包括粘接、卡接、焊接、铆接、螺栓连接等一种或多种组合。

第一磁性元件502、第一导磁元件504和/或第二磁性元件508与第二导磁元件506的侧壁之间形成磁间隙。音圈520可以设置于所述磁间隙中。在一些实施例中，第一磁性元件502、第一导磁元件504、第二导磁元件506以及第二磁性元件508可以形成磁回路。在一些实施例中，磁路组件5100可以产生第一全磁场，第一磁性元件502可以产生第二磁场。所述第一全磁场由所述磁路组件5100中的所有组分(例如，第一磁性元件502，第一导磁元件504、第二导磁元件506以及第二磁性元件508)产生的磁场共同形成。所述第一全磁场在所述磁间隙内的磁场强度(也可以被称为磁感应强度或者磁通量密度)大于所述第二磁场在所述磁间隙内的磁场强度。在一些实施例中，第二磁性元件508可以产生第三磁场，所述第三磁场可以提高所述第二磁场在所述磁间隙处的磁场强度。

在一些实施例中，第二磁性元件508的磁化方向与第一磁性元件502的磁化方向之间的夹角在90度与180度之间。在一些实施例中，第二磁性元件508的磁化方向与第一磁性元件502的磁化方向之间的夹角在150度与180度之间。在一些实施例中，第二磁性元件508的磁化方向与第一磁性元件502的磁化方向相反(如图所示，a方向与b方向)。

与单一磁性元件的磁路组件相比，磁路组件5100增加了第二磁性元件508。第二磁性元件508磁化方向与第一磁性元件502磁化方向相反，可以抑制第一磁性元件502在磁化方向上的漏磁，从而使第一磁性元件502产生的磁场可以较多地被压缩到磁间隙中，因而提高磁间隙内的磁感应强度。

以上对磁路组件5100的结构的描述仅仅是具体的示例，不应被视为是唯一可行的实施方案。显然，对于本领域的专业人员来说，在了解骨磁路组件的基本原理后，可能在不背离这一原理的情况下，对实施磁路组件5100的具体方式与步骤进行形式和细节上的各种修正和改变，但是这些修正和改变仍在以上描述的范围之内。例如，第二导磁元件506可以是环形结构或片状结构。又例如，磁路组件5100可以进一步包括一个导电元件，所述导电元件可以连接第一磁性元件502、第一导磁元件504、第二导磁元件506以及第二磁性元件508。

图5B是根据本申请的一些实施例所示的一种磁路组件5200的纵截面示意图。如图5B所示，与磁路组件5100不同的是，磁路组件5200可以进一步包括第三磁性元件510。

第三磁性元件510的下表面连接第二导磁元件506的侧壁。第一磁性元件502、第一导磁元件504、第二磁性元件508和/或第三磁性元件510之间可以形成磁间隙。音圈520可以设置于所述磁间隙中。在一些实施例中，第一磁性元件502、第一导磁元件504、第二导磁元件506、第二磁性元件508以及第三磁性元件510可以形成磁回路。在一些实施例中，第二磁性元件508的磁化方向可以参考本申请图3A的详细描述。

在一些实施例中，磁路组件5200可以产生第一全磁场，第一磁性元件502可以产生第二磁场，所述第一全磁场在所述磁间隙内的磁场强度大于所述第二磁场在所述磁间隙内的磁场强度。在一些实施例中，第三磁性元件510可以产生第三磁场，所述第三磁场可以提高所述第二磁场在所述磁间隙处的磁场强度。

在一些实施例中，第一磁性元件502的磁化方向与第三磁性元件510的磁化方向之间的夹角在0度与180度之间。在一些实施例中，第一磁性元件502的磁化方向与第三磁性元件510的磁化方向与之间的夹角在45度与135度之间。在一些实施例中，第一磁性元件502的磁化方向与所述第三磁性元件510的磁化方向之间的夹角等于或大于90度。在一些实施例中，第一磁性元件502的磁化方向垂直于第一磁性元件502的下表面或上表面竖直向上(如图中a所示方向)，第三磁性元件510的磁化方向由第三磁性元件510的内环指向外环(如图中c所方向示，在第一磁性元件502的右侧，第一磁性元件502的磁化方向沿着顺时针方向偏转90度)。

在一些实施例中，在第三磁性元件510的位置处，所述第一全磁场的方向与第三磁性元件510的磁化方向之间的夹角不高于90度。在一些实施例中，在第三磁性元件510的位置处，第一磁性元件502产生的磁场的方向与第三磁性元件510的磁化方向之间的夹角可以是0度、10度、20度等小于或等于90度的夹角。

与磁路组件5100相比，磁路组件5200进一步增加了第三磁性元件510。第三磁性元件510可以进一步增加磁路组件5200中磁间隙内的总磁通量，进而增加磁间隙中的磁感应强度。并且，在第三磁性元件510的作用下，磁感线会进一步向磁间隙所在位置收敛，进一步增加磁间隙中的磁感应强度。

图5C是根据本申请的一些实施例所示的一种磁路组件5300的纵截面示意图。如图5C所示，与磁路组件5100不同的是，磁路组件5300可以进一步包括第四磁性元件512。

第四磁性元件512可以通过粘接、卡接、焊接、铆接、螺栓连接等一种或多种组合连接第一磁性元件502以及第二导磁元件506的侧壁。在一些实施例中，第一磁性元件502、第一导磁元件504、第二导磁元件506、第二磁性元件508以及第四磁性元件512可以形成磁间隙。在一些实施例中，第二磁性元件508的磁化方向可以参考本申请图5A的详细描述。

在一些实施例中，磁路组件5200可以产生第一全磁场，第一磁性元件502可以产生第二磁场，所述第一全磁场在所述磁间隙内的磁场强度大于所述第二磁场在所述磁间隙内的磁场强度。在一些实施例中，第四磁性元件512可以产生第四磁场，所述第四磁场可以提高所述第二磁场在所述磁间隙处的磁场强度。

在一些实施例中，第一磁性元件502的磁化方向与第四磁性元件512的磁化方向之间的夹角在0度与180度之间。在一些实施例中，第一磁性元件502的磁化方向与第四磁性元件512的磁化方向与之间的夹角在45度与135度之间。在一些实施例中，第一磁性元件502的磁化方向与第四磁性元件512的磁化方向之间的夹角不高于90度。在一些实施例中，第一磁性元件502的磁化方向垂直于第一磁性元件502的下表面或上表面竖直向上(如图a方向所示)，第四磁性元件512的磁化方向由第四磁性元件512的外环指向内环(如图中e方向所示，在第一磁性元件502的右侧，第一磁性元件502的磁化方向沿着顺时针方向偏转270度)。

在一些实施例中，在第四磁性元件512的位置处，所述第一全磁场的方向与所述第四磁性元件512的磁化方向之间的夹角不高于90度。在一些实施例中，在第四磁性元件512的位置，第一磁性元件502产生的磁场的方向与第四磁性元件512的磁化方向之间的夹角可以是0度、10度、20度等小于或等于90度的夹角。

与磁路组件5200相比，磁路组件5300进一步增加了第四磁性元件512。第四磁性元件512可以进一步增加磁路组件5300中磁间隙内的总磁通量，进而增加磁间隙中的磁感应强度。并且，在第四磁性元件512的作用下，磁感线会进一步向磁间隙所在位置收敛，进一步增加磁间隙中的磁感应强度。

图5D是根据本申请的一些实施例所示的一种磁路组件5400的纵截面示意图。如图5D所示，与磁路组件5200不同的是，磁路组件5400可以进一步包括第五磁性元件514。

第三磁性元件510的下表面连接第五磁性元件514，第五磁性元件514的下表面连接第二导磁元件506的侧壁。第一磁性元件502、第一导磁元件504、第二磁性元件508和/或第三磁性元件510之间可以形成磁间隙。音圈520可以设置于所述磁间隙中。在一些实施例中，第一磁性元件502、第一导磁元件504、第二导磁元件506、第二磁性元件508、第三磁性元件510以及第五磁性元件514可以形成磁回路。在一些实施例中，第二磁性元件508的磁化方向以及第三磁性元件510可以参考本申请图5A以及5B的详细描述。

在一些实施例中，磁路组件5400可以产生第一全磁场，第一磁性元件502可以产生第二磁场，所述第一全磁场在所述磁间隙内的磁场强度大于所述第二磁场在所述磁间隙内的磁场强度。在一些实施例中，第五磁性元件514可以产生第五磁场，所述第五磁场可以提高所述第二磁场在所述磁间隙处的磁场强度。

在一些实施例中，第一磁性元件502的磁化方向与第五磁性元件514的磁化方向之间的夹角在0度与180度之间。在一些实施例中，第一磁性元件502的磁化方向与第五磁性元件514的磁化方向与之间的夹角在45度与135度之间。在一些实施例中，第一磁性元件502的磁化方向与第五磁性元件514的磁化方向之间的夹角等于或大于90度。

在一些实施例中，在第五磁性元件514的位置处，所述第一全磁场的方向与第五磁性元件514的磁化方向之间的夹角不高于90度。在一些实施例中，在第五磁性元件514的位置处，第一磁性元件502产生的磁场的方向与第五磁性元件514的磁化方向之间的夹角可以是0度、10度、20度等小于或等于90度的夹角。在一些实施例中，第一磁性元件502的磁化方向垂直于第一磁性元件502的下表面或上表面竖直向上(如图a方向所示)，第五磁性元件514的磁化方向由第五磁性元件514的上表面指向下表面(如图中d方向所示，在第一磁性元件502的右侧，第一磁性元件502的磁化方向沿着顺时针方向偏转180度)。

与磁路组件5200相比，磁路组件5400进一步增加了第五磁性元件514。第五磁性元件514可以进一步增加磁路组件5400中磁间隙内的总磁通量，进而增加磁间隙中的磁感应强度。并且，在第四磁性元件514的作用下，磁感线会进一步向磁间隙所在位置收敛，进一步增加磁间隙中的磁感应强度。

图5E是根据本申请的一些实施例所示的一种磁路组件5500的纵截面示意图。如图5E所示，与磁路组件5300不同的是，磁路组件5500可以进一步包括第六磁性元件516。

第六磁性元件516可以通过粘接、卡接、焊接、铆接、螺栓连接等一种或多种组合连接第二磁性元件508以及第二导磁元件506的侧壁。在一些实施例中，第一磁性元件502、第一导磁元件504、第二导磁元件506、第二磁性元件508、第四磁性元件512以及第六磁性元件516可以形成磁间隙。在一些实施例中，第二磁性元件508和第四磁性元件512的磁化方向可以参考本申请图5A及5C的详细描述。

在一些实施例中，磁路组件5500可以产生第一全磁场，第一磁性元件502可以产生第二磁场，所述第一全磁场在所述磁间隙内的磁场强度大于所述第二磁场在所述磁间隙内的磁场强度。在一些实施例中，第六磁性元件516可以产生第六磁场，所述第六磁场可以提高所述第二磁场在所述磁间隙处的磁场强度。

在一些实施例中，第一磁性元件502的磁化方向与第六磁性元件516的磁化方向之间的夹角在0度与180度之间。在一些实施例中，第一磁性元件502的磁化方向与第六磁性元件516的磁化方向与之间的夹角在45度与135度之间。在一些实施例中，第一磁性元件502的磁化方向与第六磁性元件516的磁化方向之间的夹角不高于90度。在一些实施例中，第一磁性元件502的磁化方向垂直于第一磁性元件502的下表面或上表面竖直向上(如图a方向所示)，第六磁性元件516的磁化方向由第六磁性元件516的外环指向内环(如图中f方向所示，在第一磁性元件502的右侧，第一磁性元件502的磁化方向沿着顺时针方向偏转270度)。

在一些实施例中，在第六磁性元件516的位置处，所述第一全磁场的方向与第六磁性元件516的磁化方向之间的夹角不高于90度。在一些实施例中，在第六磁性元件516的位置处，第一磁性元件502产生的磁场的方向与第六磁性元件516的磁化方向之间的夹角可以是90度、110度、120度等大于90度的夹角。

与磁路组件5100相比，磁路组件5500进一步增加了第四磁性元件512和第六磁性元件516。第四磁性元件512和第六磁性元件516可以提高磁路组件5500中磁间隙内总的磁通量，提高磁间隙处的磁感应强度，从而提高骨传导扬声器的灵敏度。

图5F是根据本申请的一些实施例所示的一种磁路组件5600的纵截面示意图。如图5F所示，与磁路组件5100不同的是，磁路组件5600可以进一步包括第三导磁元件518。

在一些实施例中，第三导磁元件518可以包括本申请中描述的任意一种或几种导磁材料。第一导磁元件504、第二导磁元件506和/或第三导磁元件518所包括的导磁材料可以相同或不同。在一些实施例中，第三导磁元件5186可以设置为对称结构。例如，第三导磁元件518可以是圆柱体。在一些实施例中，第一磁性元件502、第一导磁元件504、第二磁性元件508和/或第三导磁元件518可以是共轴的圆柱体，含有相同或者不同的直径。第三导磁元件518可以连接第二磁性元件508。在一些实施例中，第三导磁元件518可以连接第二磁性元件5084以及第二导磁元件506以使得第三导磁元件518与第二导磁元件506形成一腔体，所述腔体可以包含第一磁性元件502、第二磁性元件508以及第一导磁元件504。

与磁路组件5100相比，磁路组件5600进一步增加了第三导磁元件518。第三导磁元件518可以抑制磁路组件5600中第二磁性元件508在磁化方向上的漏磁，从而使第二磁性元件508产生的磁场可以较多地被压缩到磁间隙内，因而提高磁间隙内的磁感应强度。

图6A是根据本申请的一些实施例所示的一种磁性元件结构的横截面示意图。所述磁性元件600可以适用于本申请中任一磁路组件中(例如，图3A-3G、图4A-4M或图5A-5F所示的磁路组件)。如图所示，磁性元件600可以是环状的。磁性元件600可以包括内环602以及外环604。在一些实施例中，所述内环602和/或外环604的形状可以是圆形、椭圆、三角形、四边形或其它任意多边形。

图6B是根据本申请的一些实施例所示的一种磁性元件结构的示意图。所述磁性元件可以适用于本申请中任一磁路组件中(例如，图3A-3G、图4A-4M或图5A-5F所示的磁路组件)。如图所示，所述磁性元件可以由多个磁体排列组成。所述磁体的任意一个磁体的两端可以与相邻的磁体的两端连接或存在一定的间距。多个磁体之间的间距可以相同或不同。在一些实施例中，所述磁性元件可以由2个或3个片状的磁体(例如，磁体608-2，608-4，以及608-6)等距排列构成。所述片状的磁体的形状可以是扇形、四边形等。

图6C是根据本申请的一些实施例所示的磁路组件中磁性元件的磁化方向示意图。如图所述，所述磁路组件可以包括第一磁性元件601、第二磁性元件603以及第三磁性元件605。第一磁性元件601的磁化方向可以是由第一磁性元件601的下表面指向上表面(即垂直于纸面向外的方向)。第二磁性元件603可以环绕第一磁性元件601设置。第二磁性元件503的内环与第一磁性元件601的内环之间可以形成磁间隙。第二磁性元件603的磁化方向可以由第二磁性元件603的内环指向外环。第三磁性元件605的内环可以连接第一磁性元件601的外环，第三磁性元件605的外环可以连接第二磁性元件603的内环。第三磁性元件605的磁化方向可以由第三磁性元件603的外环指向内环。

图6D是根据本申请的一些实施例所示的一种磁路组件中的磁性元件的磁感应线示意图。如图所示，磁路组件600(例如，如图3A-3G、4A-4M或图5A-5F所示的磁路组件)可以包括第一磁性元件602以及第二磁性元件604。第一磁性元件602的磁化方向可以是第一磁性元件602的下表面指向上表面(如箭头a所示)。第一磁性元件602可以产生第二磁场，所述第二磁场可以由磁感应线表示(图中实线表示在没有第二磁性元件604存在的情况下，第二磁场的分布)，所述第二磁场在某一点处的磁场方向为该点在磁感应线上的切线方向。第二磁性元件604的磁化方向可以是第二磁性元件604的内环指向外环(如箭头b所示)。第二磁性元件604可以产生第三磁场。所述第三磁场也可以由磁感应线表示(图中虚线表示在没有第一磁性元件602存在的情况下，第三磁场的分布)，所述第三磁场在某一点处的磁场方向为该点在第三磁感应线上的切线方向。在所述第二磁场和所述第三磁场的相互作用下，所述磁路组件600可以产生第一全磁场。所述第一全磁场在音圈606处的磁场强度大于所述第二磁场或所述第三磁场在音圈606处的磁场强度。如图所示，所述第二磁场在音圈606处的磁场方向与所述第二磁性元件604的磁化方向的夹角小于或等于90度。

图7A是根据本申请的一些实施例所示的一种磁路组件7000的结构示意图。如图所示，磁路组件7000可以包括第一磁性元件702、第一导磁元件704、第一环形磁性元件706以及第二环形磁性元件708。第一环形磁性元件706也可称为第一全磁场改变元件(如图4A中所述的第一全磁场改变元件406)。第一磁性元件702、第一导磁元件704、第一环形磁性元件706、第二环形磁性元件708可以参考本申请图4A、4B、4C、4D、4E、4F、4G、4H和/或4M中的详细描述。例如，第一环形磁性元件706可以是磁性材料一体成型，也可以是多个磁性元件拼接组合而成。第二环形磁性元件708可以是磁性材料一体成型，也可以是多个磁性元件拼接组合而成。又例如，第二环形磁性元件708可以连接第一磁性元件702以及第一环形磁性元件706。进一步地，第一环形磁性元件706连接于第二环形磁性元件708的上表面，第二环形磁性元件708的内壁连接第一磁性元件702的外壁。

第一磁性元件702、第一导磁元件704、第一环形磁性元件706、第二环形磁性元件708可以形成磁回路以及磁间隙。音圈720可以放置于所述磁间隙中。音圈720可以是圆形或非圆形。所述非圆形可以包括椭圆形、三角形、四边形、五边形、其它多边形或其它不规则形状。当在音圈720内通过交变电流时，处于所述磁间隙内的音圈720在磁回路中的磁场作用下因受到安培力发生振动，从而将声音信号转换为振动信号，所述振动信号通过骨传导耳机中的其它组件(例如，图1所示的振动组件104)经人体组织与骨骼传递到听觉神经，从而使人听到声音。音圈所受安培力的大小可以影响音圈的振动，从而进一步影响骨传导耳机的灵敏度。音圈所受安培力的大小与磁间隙中的磁感应强度有关，进一步地，可以通过调节磁路组件的参数改变磁间隙中的磁感应强度。

磁路组件7000的参数可以包括第一磁性元件702的厚度H(如图7A中所示，即第一磁性元件702的高度H)、第一环形磁性元件706的厚度w、第二环形磁性元件708的高度h、磁路半径R等。在一些实施例中，所述磁路(即磁回路)半径R可以指的是磁回路的平均半宽度，即等于所述磁路组件的中心轴线(如图7A中虚线所示)与第一环形磁性元件706的外壁之间的距离。在一些实施例中，磁路组件7000的参数还可以包括磁路半径R与第一磁性元件702的厚度H之比(可以表示为R/H)、第一环形磁性元件706的厚度w与磁路半径R之比(可以表示为w/R)、第二环形磁性元件708的高度h与第一磁性元件702的厚度H之比(可以表示为h/H)等。在一些实施例中，磁路半径R与第一磁性元件702的厚度H之比R/H取值范围为2.0-4.0。例如，磁路半径R与第一磁性元件702的厚度H之比R/H可以是2.0、2.4、2.8、3.2、3.6、4.0。第二环形磁性元件708的高度h与第一磁性元件702的厚度H之比h/H可以不大于0.8、或不大于0.6、或不大于0.5等。例如，第二环形磁性元件708的高度h与第一磁性元件702的厚度H之比h/H可以等于0.4。第一环形磁性元件706的厚度w与磁路半径R之比w/R可以在0.05-0.50，或0.1-0.35，或0.1-0.3、或0.1-0.25、或0.1-0.20等范围内。例如，第一环形磁性元件706的厚度w与磁路半径R之比w/R可以在0.16-0.18范围内。

在一些实施例中，可以在第一磁性元件702的厚度H与磁路半径R之比不变的情况下(即R/H不变)，优化w/R和h/H两个参数，使得磁间隙处的磁感应强度及音圈所受安培力最大，即驱动力系数BL值最大。关于参数w/R和h/H与驱动力系数BL之间关系的更多描述可以参考图7B中的详细描述。在一些实施例中，可以通过设置不同R/H，通过调节w/R和h/H两个参数，使得磁间隙处的磁感应强度及线圈受到的安培力最大，即驱动力系数BL值最大。关于参数R/H、w/R、h/H与驱动力系数BL之间的关系的更多描述可以参考图7C-7E中的详细描述。

图7B是根据本申请的一些实施例所示的音圈720处的驱动力系数与图7A所示的磁路组件参数的关系曲线。如图7B所示，当磁路半径R与第一磁性元件702的厚度H之比不变时(即R/H不变)，驱动力系数BL随参数w/R和h/H的变化而变化。在一些实施例中，当第一环形磁性元件706的厚度w与磁路半径R之比w/R不变时，第二环形磁性元件708的高度h与第一磁性元件702的厚度H之比h/H越大，则驱动力系数BL越大。进一步地，若磁路大小(即磁路半径R)不变，第二环形磁性元件708的高度h越大，则第二环形磁性元件708的高度h与第一磁性元件702的厚度H之比h/H可以越大，驱动力系数BL越大。但随着第二环形磁性元件708的高度h增加，第二环形磁性元件708与音圈720的距离变小，音圈720在振动过程中与第二环形磁性元件708容易发生碰撞，产生破音，从而影响骨传导耳机的音质。如图7B所示，第二环形磁性元件708的高度h与第一磁性元件702的厚度H之比h/H可以不大于0.8、或不大于0.6、或不大于0.5等。例如，第二环形磁性元件708的高度h与第一磁性元件702的厚度H之比h/H可以等于0.4。

在一些实施例中，当第二环形磁性元件708的高度h与第一磁性元件702的厚度H之比h/H不变时，驱动力系数BL随着第一环形磁性元件706的厚度w与磁路半径R之比w/R的增加可以先变大后变小。最大驱动力系数BL对应的第一环形磁性元件706的厚度w与磁路半径R之比w/R在一定范围内。例如，当第二环形磁性元件708的高度h与第一磁性元件702的厚度H之比h/H为0.4时，若使驱动力系数BL最大，第一环形磁性元件706的厚度w与磁路半径R之比w/R可以在0.08-0.25范围内。当第二环形磁性元件708的高度h与第一磁性元件702的厚度H之比h/H不同时，最大驱动力系数BL对应不同的第一环形磁性元件706的厚度w与磁路半径R之比w/R所在的范围会发生改变。例如，当第二环形磁性元件708的高度h与第一磁性元件702的厚度H之比h/H为0.72时，若使驱动力系数BL最大，第一环形磁性元件706的厚度w与磁路半径R之比w/R可以在0.04-0.20范围内。关于最大驱动力系数 BL下第一环形磁性元件706的厚度w与磁路半径R之比w/R的取值范围的更多描述可以参考图7C-7E。

图7C-7E是根据本申请的一些实施例所示的音圈720处的驱动力系数与图7A所示的磁路组件参数的关系曲线。如图7C-7E所示，音圈720在磁路组件7000中的驱动力系数BL随磁路组件7000的参数R/H、w/R和h/H变化而变化。如图7C所示，当磁路半径R与第一磁性元件702的厚度H之比R/H为2.0和2.4，若使驱动力系数BL最大，第一环形磁性元件706的厚度w与磁路半径R之比w/R可以在0.05-0.20，或0.05-0.15，或0.05-0.25、或0.1-0.25、或0.1-0.18等范围内。如图7D所示，当磁路半径R与第一磁性元件702的厚度H之比R/H为2.8和3.2，若使驱动力系数BL最大，第一环形磁性元件706的厚度w与磁路半径R之比w/R可以在0.05-0.25、或0.1-0.20、或0.05-0.30、或0.10-0.25范围内。如图7E所示，当磁路半径R与第一磁性元件702的厚度H之比R/H为3.6和4.0，若使驱动力系数BL最大，第一环形磁性元件706的厚度w与磁路半径R之比w/R可以为0.05-0.20、或0.10-0.15、或0.05-0.25、或0.10-0.20范围内。

结合图7C-7E，当第二环形磁性元件708的高度h与第一磁性元件702的厚度H之比h/H为0.4时，若使驱动力系数BL最大，第一环形磁性元件706的厚度w与磁路半径R之比w/R可以在0.15-0.20、或0.16-0.18范围内。

图8A是根据本申请的一些实施例所示的一种磁路组件8000的结构示意图。如图所示，磁路组件8000可以包括第一磁性元件802、第一导磁元件804、第一环形磁性元件806、第二环形磁性元件808以及导磁罩814。第一环形磁性元件806也可称为第一全磁场改变元件(如图4A中所述的第一全磁场改变元件406)。第一磁性元件802、第一导磁元件804、第一环形磁性元件806、第二环形磁性元件808、导磁罩804可以参考本申请图4A、4B、4C、4D、4E、4F、4G、4H和/或4M中的详细描述。例如，第一环形磁性元件806可以是磁性材料一体成型，也可以是多个磁性元件拼接组合而成。第二环形磁性元件808可以是磁性材料一体成型，也可以是多个磁性元件拼接组合而成。又例如，导磁罩814环绕第一磁性元件802、第一环形磁性元件806以及第二环形磁性元件808。在一些实施例中，导磁罩814可以包括底板和侧壁，所述侧壁为环形结构。在一些实施例中，所述底板和侧壁可以是一体成型。第一磁性元件802、第一导磁元件804、第一环形磁性元件806、第二环形磁性元件808可以形成磁回路及磁间隙。音圈820可以放置于所述磁间隙中。音圈820可以是圆形或非圆形。所述非圆形可以包括椭圆形、三角形、四边形、五边形、其它多边形或其它不规则形状。

磁路组件8000的参数可以包括第一磁性元件802的厚度H(如图8A中所示，即第一磁性元件802的高度H)、第一环形磁性元件806的厚度w、第二环形磁性元件808的高度h、磁路半径R等。在一些实施例中，所述磁路(即磁回路)半径R可以等于所述磁路组件8000的中心轴线(如图8A中虚线所示)与第一环形磁性元件806的外壁之间的距离。在一些实施例中，磁路组件8000的参数还可以包括磁路半径R与第一磁性元件802的厚度H之比(可以表示为R/H)、第一环形磁性元件806的厚度w与磁路半径R之比(可以表示为w/R)、第二环形磁性元件808的高度h与第一磁性元件802的厚度H之比(可以表示为h/H)等。在一些实施例中，磁路半径R与第一磁性元件802的厚度H之比R/H取值范围为2.0-4.0。例如，磁路半径R与第一磁性元件802的厚度H之比R/H可以是2.0、2.4、2.8、3.2、3.6、4.0。第二环形磁性元件808的高度h与第一磁性元件802的厚度H之比h/H可以不大于0.8、或不大于0.6、或不大于0.5等。例如，第二环形磁性元件808的高度h与第一磁性元件702的厚度H之比h/H可以等于0.4。第一环形磁性元件806的厚度w与磁路半径R之比w/R可以在0.02-0.50，或0.05-0.35，或0.05-0.25、或0.1-0.25、或0.1-0.20等范围内。例如，第一环形磁性元件806的厚度w与磁路半径R之比w/R可以在0.16-0.18范围内。在一些实施例中，可以在第一磁性元件802的厚度H与磁路半径R不变的情况下(即R/H不变)，优化w/R和h/H两个参数，使得磁间隙处的磁感应强度及线圈受到的安培力最大，即驱动力系数BL值最大。关于参数w/R和h/H与驱动力系数BL之间的关系可以参考图8B中的详细描述。在一些实施例中，可以在改变R/H情况下，调节w/R和h/H两个参数，使得磁间隙处的磁感应强度及线圈受到的安培力最大，即驱动力系数BL值最大。关于参数R/H、w/R、h/H与驱动力系数BL之间关系可以参考图8C-8E中的详细描述。

图8B是根据本申请的一些实施例所示的音圈820处的驱动力系数与图8A所示的磁路组件参数的关系曲线。如图8B所示，当磁路半径R与第一磁性元件802的厚度H之比不变时(即R/H不变)，驱动力系数BL随参数w/R和h/H的变化而变化。在一些实施例中，当第一环形磁性元件806的厚度w与磁路半径R之比w/R不变时，第二环形磁性元件808的高度h与第一磁性元件802的厚度H之比h/H越大，则驱动力系数BL越大。进一步地，第二环形磁性元件808的高度h越大，则第二环形磁性元件808的高度h与第一磁性元件702的厚度H之比h/H可以越大，驱动力系数BL越大。如图8B所示，第二环形磁性元件808的高度h与第一磁性元件802的厚度H之比h/H可以不大于0.8、或不大于0.6、或不大于0.5。例如，第二环形磁性元件808的高度h与第一磁性元件802的厚度H之比h/H可以等于0.4。

在一些实施例中，当第二环形磁性元件808的高度h与第一磁性元件802的厚度H之比h/H不变时，驱动力系数BL随着第一环形磁性元件806的厚度w与磁路半径R之比w/R的变化而变化。例如，当第二环形磁性元件808的高度h与第一磁性元件802的厚度H之比h/H为0.4时，驱动力系数BL随着第一环形磁性元件806的厚度w与磁路半径R之比w/R先增大而减小。当第二环形磁性元件808的高度h与第一磁性元件802的厚度H之比h/H不同时，最大驱动力系数BL对应不同的第一环形磁性元件806的厚度w与磁路半径R之比w/R所在的范围会发生改变。例如，当第二环形磁性元件808的高度h与第一磁性元件802的厚度H之比h/H为0.4时，若使驱动力系数BL最大，第一环形磁性元件806的厚度w与磁路半径R之比w/R为0.02-0.22范围内。当第二环形磁性元件808的高度h与第一磁性元件802的厚度H之比h/H为0.72时，若使驱动力系数BL最大，第一环形磁性元件806的厚度w与磁路半径R之比w/R可以在0.02-0.16范围内。

结合图7B所示，当磁路组件8000与7000的参数R/H、w/R、h/H相同时，音圈在有导磁罩的磁路组件8000中的驱动力系数BL大于在没有导磁罩的磁路组件7000中的驱动力系数BL，即音圈在磁路组件8000中受到的安培力大于在磁路组件7000中受到的安培力。例如，如图7B与8B所示，若w/R以及h/H分别为0.21以及0.4左右时，音圈在磁路组件8000中的驱动力系数BL为2.817，在磁路组件7000中的驱动力系数BL为2.376。

图8C-8E是根据本申请的一些实施例所示的音圈820处的驱动力系数与图8A所示的磁路组件参数的关系曲线。如图8C-8E所示，音圈820在磁路组件8000中的驱动力系数BL随磁路组件8000的参数R/H、w/R和h/H变化而变化。如图8C所示，当磁路半径R与第一磁性元件802的厚度H之比R/H为2.0和2.4，若使驱动力系数BL最大，第一环形磁性元件806的厚度w与磁路半径R之比w/R可以在或0.02-0.15，或0.05-0.15，或0.02-0.20范围内。如图8D所示，当磁路半径R与第一磁性元件802的厚度H之比R/H为2.8和3.2，若使驱动力系数BL最大，第一环形磁性元件806的厚度w与磁路半径R之比w/R可以在0.01-0.20、或0.05-0.15、或0.02-0.25、或 0.10-0.15。如图8E所示，当磁路半径R与第一磁性元件802的厚度H之比R/H为3.6和4.0，若使驱动力系数BL最大，第一环形磁性元件806的厚度w与磁路半径R之比w/R可以在0.02-0.20、或0.05-0.15、或0.05-0.25、或0.10-0.20范围内。

结合图8C-8E，当第二环形磁性元件808的高度h与第一磁性元件802的厚度H之比h/H为0.4时，若使驱动力系数BL最大，第一环形磁性元件806的厚度w与磁路半径R之比w/R可以在0.05-0.20或0.16-0.18范围内。分别对比图7C与8C、图7D与8D以及图7E与8E，当磁路半径R与第一磁性元件802的厚度H之比R/H相同时，若使驱动力系数BL最大，具有导磁罩的磁性组件8000中的第一环形磁性元件806的厚度w与磁路半径R之比w/R相对于磁性组件7000沿减小的趋势变化。例如，当磁路半径R与第一磁性元件802(或702)的厚度H之比R/H为2.0时，若使驱动力系数BL最大，具有导磁罩的磁性组件8000中的第一环形磁性元件806的厚度w与磁路半径R之比w/R在0.02-0.15范围内。没有导磁罩的磁性组件7000中的第一环形磁性元件706的厚度w与磁路半径R之比w/R在0.05-0.25范围内。

图9A是根据本申请的一些实施例所示的一种磁路组件900的磁感线分布示意图。如图所示，磁路组件900可以包括第一磁性元件902、第一导磁元件904、第二导磁元件906以及第二磁性元件914。第一磁性元件902、第一导磁元件904、第二导磁元件906以及第二磁性元件914可以参考本申请图3D中对第一磁性元件302、第一导磁元件304、第二导磁元件306以及第二磁性元件314的详细描述。第一磁性元件902的磁化方向与是第二磁性元件914的磁化方向相反，第一磁性元件902产生的磁感线与第二磁性元件914产生的磁感线相互作用，使得第一磁性元件902产生的磁感线与第二磁性元件914产生的磁感线可以较多的垂直穿过音圈928，减少第一磁性元件902在音圈928处磁化方向的泄露的磁感线。

图9B是根据本申请的一些实施例所示的音圈处的磁感应强度与图9A所示的磁路组件900中元件厚度的关系曲线。其中，横坐标为第一磁性元件902厚度(h3)与第一磁性元件902厚度(h3)、第一导磁元件904厚度(h2)以及第二磁性元件914厚度(h5)的厚度之和(h2+h3+h5)的比值，以下简称第一厚度比。纵坐标为音圈928处的归一化磁感应强度，所述归一化磁感应强度可以是音圈928处实际的磁感应强度与单磁性磁路组件形成的磁回路下最大的磁感性强度之比。所述单磁路组件可以指的是磁路组件形成的磁回路中只包括一个磁性元件。例如，所述单磁性磁路组件可以包括第一磁性元件、第一导磁元件以及第二导磁元件。所述单磁性磁路组件中磁性元件的体积与与单磁路组件对应的多磁路组件中的磁性元件(例如，磁路组件900中的第一磁性元件902及第二磁性元件914)的体积之和相等。k为第一导磁元件904的厚度(h2)与第一磁性元件902、第一导磁元件904以及第二磁性元件914的厚度之和(h2+h3+h5)的比值，以下简称第二厚度比(在图中以“k”来表示)。如图所示，随着第一厚度比的逐渐增加，音圈928处的磁感应强度逐渐增大，并达到某一值后逐渐降低，即所述音圈928处的磁感应强度存在极大值，所述极大值对应的第一厚度比的范围在0.4-0.6之间。所述极大值对应的第二厚度比的范围在0.26-0.34之间。

图10A是根据本申请的一些实施例所示的一种磁性组1000的磁感线分布示意图。如图所示，磁路组件1000可以包括第一磁性元件1002、第一导磁元件1004、第二导磁元件1006、第二磁性元件1014以及第三导磁元件1016。第一磁性元件1002、第一导磁元件1004、第二导磁元件1006、第二磁性元件1014以及第三导磁元件1016可以参考本申请图3E中对第一磁性元件302、第一导磁元件304、第二导磁元件306、第二磁性元件308、第二磁性元件314以及第三导磁元件316的详细描述。其中，第三导磁元件1016未与第二导磁元件1006连接。第一磁性元件1002的磁化方向与是第二磁性元件1014的磁化方向相反，第一磁性元件1002产生的磁感线与第二磁性元件1014产生的磁感线相互作用，使得第一磁性元件1002产生的磁感线与第二磁性元件1014产生的磁感线可以较多的垂直穿过音圈1028，减少第一磁性元件1002在音圈1028处的泄露的磁感线。第三导磁板1016进一步减小第一磁性元件1002在音圈1028处的泄露的磁感线。

图10B是根据本申请的一些实施例所示的音圈处的磁感应强度与磁路组件中元件厚度的关系曲线。其中，曲线a对应图9A所示的磁路组件900，曲线b对应图10A所示的磁路组件1000。横坐标为第一厚度比，纵坐标为音圈928或1028处的归一化磁感应强度，所述第一厚度比与归一化磁感应强度可以参考本申请附图9B中的详细描述。曲线a为音圈928在磁路组件900中的磁感应强度与第一厚度比的变化关系曲线，曲线b为音圈1028在磁路组件1000中的磁感应强度与第一厚度比的变化关系曲线。如图10B所示，设置第三导磁元件1016的磁路组件1000，在第一厚度比的范围在0-0.55之间的情况下，音圈1028处的磁感应强度显著强于音圈928处的磁感应强度(如曲线b对应的磁感应强度高于曲线a对应的磁感应强度)。在第一厚度比的范围在0.55-1之间的情况下，音圈1028处的磁感应强度显著低于于音圈928处的磁感应强度(如曲线b对应的磁感应强度低于曲线a对应的磁感应强度)。

图11A是根据本申请的一些实施例所示的一种磁路组件1100的磁感线分布示意图。如图所示，磁路组件1100可以包括第一磁性元件1102、第一导磁元件1104、第二导磁元件1106、第二磁性元件1114以及第三导磁元件1116。第一磁性元件1102、第一导磁元件1104、第二导磁元件1106、第二磁性元件1114以及第三导磁元件1116可以参考本申请图3E中对第一磁性元件302、第一导磁元件304、第二导磁元件306、第二磁性元件308、第五磁性元件314以及第三导磁元件316的详细描述。第三导磁元件1116连接第二导磁元件1106。第一磁性元件1102的磁化方向与第二磁性元件1114的磁化方向相反。第一磁性元件1102的磁场与第二磁性元件1114的磁场在第一磁性元件1102和第二磁性元件1114的交界处相互排斥，使得原本发散的磁场(例如，仅由第一磁性元件1102产生的磁场或者仅由第二磁性元件1114产生的磁场)在相互排斥的磁场作用下可以穿过音圈1128，从而增加音圈1128处的磁场强度。第三导磁板1116与第二导磁元件1106连接，使得第二磁性元件1114以及第一磁性元件1102的磁场被束缚在第二导磁元件1106以及第三导磁元件1116形成的磁回路中，进一步增加了音圈1128处的磁感应强度。

图11B是根据本申请的一些实施例所示磁感应强度与磁路组件中各元件厚度的关系曲线。其中，曲线a对应图9A所示的磁路组件900，曲线b对应图10A所示的磁路组件1000，曲线c对应图11A所示的磁路组件1100。横坐标为第一磁性元件(902、1002、1102)厚度(h3)，与第一磁性元件(902、1002、1102)以及第二磁性元件(914、1014、1114)的厚度之和(h3+h5)的比值，以下简称为第三厚度比。纵坐标为音圈(928、1028、1128)处的归一化磁感应强度，所归一化磁感应强度可参考本申请图9B中的详细描述。曲线a为音圈928在磁路组件900中的磁感应强度与第一厚度比的变化关系曲线，曲线b为音圈1028在磁路组件1000中的磁感应强度与第一厚度比的变化关系曲线，曲线c为音圈1128在磁路组件1100中的磁感应强度与第一厚度比的变化关系曲线。如图11B所示，包含第三导磁元件(例如，导磁元件1014、导磁元件1114)的磁路组件1000以及1100，在第一厚度比小于0.7的情况下，对应音圈(例如，音圈1028、音圈1128)处的磁感应强度强于不包含第三导磁元件的磁路组件900中音圈928处的磁感应强度(如曲线b、曲线c对应的磁感应强度高于曲线a对应的磁感应强度)。当第三导磁元件与第二导磁元件相互连接时(例如，磁路组件1100中的第三导磁元件1116与第二导磁元件1106相互连接),音圈 1128处的磁感应强度强于音圈1028处的磁感应强度(如曲线c对应的磁感应强度高于曲线b对应的磁感应强度)。

图11C是根据本申请的一些实施例所示的音圈处的磁感应强度与图11A所示的磁路组件1100中元件厚度的关系曲线。横坐标为第二厚度比(在图中以“h2/(h2+h3+h5)”来表示)，纵坐标为音圈1128处的归一化磁感应强度，所述第二厚度比与归一化磁感应强度可参考本申请图9B中的详细描述。如图11C所示，随着第二厚度比逐渐增加，音圈1128处的磁感应强度逐渐增加到最大值后减小。所述磁感应强度最大值对应的第二厚度比的范围在0.3-0.6之间。

图12A是根据本申请的一些实施例所示的一种磁路组件1200的结构示意图。如图所示，骨传导扬声器1200可以包括第一磁性元件1202、第一导磁元件1204、第二导磁元件1206以及第一导电元件1208。第一磁性元件1202、第一导磁元件1204、第二导磁元件1206以及第一导电元件1208可以参考本申请中的相关描述。第一导电元件1204可以凸出于第一磁性元件1202，形成第一凹部，第一导电元件1208可以设置与所述第一凹部并连接第一磁性元件1202。

第一磁性元件1202、第一导磁元件1204以及第二导磁元件1206可以形成磁间隙。音圈1210可以放置于所述磁间隙中。音圈1210的横截面形状可以是圆形或非圆形，例如椭圆形、长方形、正方形、五边形、其它多边形或其它不规则形状。在一些实施例中，音圈1210内可以通入交变电流，所述交变电流的方向如图所示，垂直于纸面向里。在由第一磁性元件1202、第一导磁元件1204以及第二导磁元件1206形成的磁回路中，音圈1210在所述磁回路中的磁场作用下，可以产生交变的感应磁场A(也可以被称为“第一交变感应磁场”)，所述感应磁场A的方向为逆时针方向(如A所示)。所述交变的感应磁场A会使得音圈1210内产生反向的感应电流，从而减小音圈1210内电流。第一导电元件1208在所述交变的感应磁场A作用下可以产生交变感应电流，所述交变感应电流在所述磁回路中的磁场作用下，可以产生交变的感应磁场B(也可以被称为“第二交变感应磁场”)。所述感应磁场B的方向为逆时针方向(如B所示)。由于感应磁场A与感应磁场B的方向相反，从而使得音圈1210内的反向感应电流减小，即音圈1210内的感抗减小，增大音圈1210内的电流。

上对磁路组件1200的结构的描述仅仅是具体的示例，不应被视为是唯一可行的实施方案。显然，对于本领域的专业人员来说，在了解骨传导扬声器的基本原理后，可能在不背离这一原理的情况下，对实施磁路组件1200的具体方式与步骤进行形式和细节上的各种修正和改变，但是这些修正和改变仍在以上描述的范围之内。例如，第一导电元件1208可以设置于音圈1210附近，例如音圈1210的内壁、外壁、上表面和/或下表面。

图12B是根据本申请的一些实施例所示的图12A所示的磁路组件1200中导电元件对音圈中感抗的影响曲线。其中，曲线a对应未设置第一导电元件1208的磁路组件1200，曲线b对应设置第一导电元件1208的磁路组件1200。横坐标为音圈1210内交变电流频率，纵坐标为音圈1210内感抗。如图12B所示，当交变电流频率增大至1200HZ左右，音圈1210内感抗随交变电流频率的增大而增大，在设置第一导电元件1208的情况下，音圈内的感抗显著低于未设置第一导电元件1208时的音圈内的感抗(如曲线b对应的感抗低于曲线a对应的感抗)。

图13A是根据本申请的一些实施例所示的一种磁路组件1300的结构示意图。如图所示，磁路组件1300可以包括第一磁性元件1302、第一导磁元件1304、第二导磁元件1306以及第一导电元件1318。第一磁性元件1302、第一导磁元件1304、第二导磁元件1306以及第一导电元件1318可以参考本申请中的相关描述。第一导电元件1318可以连接第一导磁元件1304的上表面。第一导电元件1318的形状可以是片状、环状、网状、孔板等。

第一磁性元件1302、第一导磁元件1304以及第二导磁元件1306可以形成磁间隙。音圈1328可以放置于所述磁间隙中。音圈1328的横截面形状可以是圆形或非圆形。所述非圆形可以包括椭圆形、三角形、四边形、五边形、其它多边形或其它不规则形状。

以上对磁路组件1300的结构的描述仅仅是具体的示例，不应被视为是唯一可行的实施方案。显然，对于本领域的专业人员来说，在了解磁路组件的基本原理后，可能在不背离这一原理的情况下，对实施磁路组件1300的具体方式与步骤进行形式和细节上的各种修正和改变，但是这些修正和改变仍在以上描述的范围之内。例如，第一导电元件1318可以设置于音圈1328附近，例如音圈1328的内壁、外壁、上表面和/或下表面。

图13B是根据本申请的一些实施例所示的图13A所示的磁路组件1300中导磁元件对音圈中感抗的影响曲线。其中，曲线a对应未设置第一导电元件1318的磁路组件1300，曲线b对应设置第一导电元件1318的磁路组件1300。横坐标为音圈1110内交变电流频率，纵坐标为音圈1110内感抗。如图13B所示，当交变电流频率增大至 1200HZ左右，音圈1110内感抗随交变电流频率的增大而增大，在设置第一导电元件1318的情况下，音圈1110内的感抗显著低于未设置第一导电元件1318时的音圈内的感抗(如曲线b对应的感抗低于曲线a对应的感抗)。

图14A是根据本申请的一些实施例所示的一种磁路组件1400的结构示意图。如图所示，磁路组件1400可以包括第一磁性元件1402、第一导磁元件1404、第二导磁元件1406、第一导电元件1418、第二导电元件1420以及第三导电元件1422。第一磁性元件1402、第一导磁元件1404、第二导磁元件1406、第一导电元件1418、第二导电元件1420、第三导电元件1422可以参考本申请图3F的相关描述。第一磁性元件1302、第一导磁元件1304以及第二导磁元件1306可以形成磁间隙。音圈1428可以放置于所述磁间隙中。音圈1428的横截面形状可以是圆形或非圆形。所述非圆形可以包括椭圆形、三角形、四边形、五边形、其它多边形或其它不规则形状。

以上对磁路组件1400的结构的描述仅仅是具体的示例，不应被视为是唯一可行的实施方案。显然，对于本领域的专业人员来说，在了解磁路组件的基本原理后，可能在不背离这一原理的情况下，对实施磁路组件1400的具体方式与步骤进行形式和细节上的各种修正和改变，但是这些修正和改变仍在以上描述的范围之内。例如，第一导电元件1418可以设置于音圈1428附近，例如音圈1428的内壁、外壁、上表面和/或下表面。

图14B是根据本申请的一些实施例所示的图14A所示的磁路组件1420中导电元件数量对音圈中感抗的影响曲线。曲线m对应未设置导电元件的磁路组件，曲线n对应设置一个导电元件的磁路组件(如图12A所示的磁路组件1200)，曲线l对应设置多个导电元件的磁路组件(如图14A所示的磁路组件1400)。横坐标为音圈内交变电流频率，所纵坐标为音圈内感抗。如图14B所示，当交变电流频率增大至1200HZ左右，音圈内感抗随交变电流频率的增大而增大，在设置一个或多个导电元件的情况下，音圈内的感抗显著低于未设置导电元件时音圈内的感抗(如曲线n以及l对应的感抗低于曲线m对应的感抗)。在设置多个导电元件的情况下，音圈内的感抗显著低于设置一个导电元件时的音圈内的感抗(如曲线l对应的感抗低于曲线n对应的感抗)。

图15A是根据本申请的一些实施例所示的一种磁路组件1500的结构示意图。如图所示，磁路组件1500可以包括第一磁性元件1502、第一导磁元件1504、第一环形元件1506、第一环形磁性元件1508、第二环形磁性元件1510、第三环形磁性元件 1512、导磁罩1514以及第二磁性元件1516。第一磁性元件1502、第一导磁元件1504、第一环形元件1506、第一环形磁性元件1508、第二环形磁性元件1510、第三环形磁性元件1512、导磁罩1514以及第二磁性元件1516可以参考本申请图4A、4B、4C、4D、4E、4F、4G、4H和/或4M中的详细描述。

第一磁性元件1502、第一导磁元件1504、第二磁性元件1516、第二环形磁性元件1510和/或第三环形磁性元件1512可以形成磁间隙。音圈1528可以放置于所述磁间隙中。音圈1528可以是圆形或非圆形。所述非圆形可以包括椭圆形、三角形、四边形、五边形、其它多边形或其它不规则形状。

以上对磁路组件1500的结构的描述仅仅是具体的示例，不应被视为是唯一可行的实施方案。显然，对于本领域的专业人员来说，在了解磁路组件的基本原理后，可能在不背离这一原理的情况下，对实施磁路组件1500的具体方式与步骤进行形式和细节上的各种修正和改变，但是这些修正和改变仍在以上描述的范围之内。例如，磁路组件1500可以进一步包括一个或多个导电元件，所述导电元件可以设置于音圈1528附近，例如音圈1528的内壁、外壁、上表面和/或下表面。在一些实施例中，所述导电元件可以连接第一磁性元件1502、第二磁性元件1516、第一环形磁性元件1508、第二环形磁性元件1510和/或第三环形磁性元件1512。又例如，磁路组件1500可以进一步包括第三导磁元件，所述第三导磁元件连接第二磁性元件1516。

图15B是根据本申请的一些实施例所示的音圈所受安培力与图15A所示磁路组件1500中磁性元件厚度的关系曲线。其中，横坐标为第一厚度比，纵坐标为音圈受到的归一化安培力，所述归一化安培力可以指音圈所受到的实际安培力与在单磁性磁路组件中受到的最大安培力的比值。所述单磁性磁路组件可以包括一个磁性元件，例如，所述单磁路组件可以包括第一磁性元件、第一导磁元件以及第二导磁元件。所述单磁性磁路组件中第一磁性元件的体积与磁路组件1500中的第一磁性元件1502及第二磁性元件1516的体积之和相同。所述第一厚度比以及所述第二厚度比可以参考本申请附图9B中的详细描述。如图15B所示，对于任意的第二厚度比k，纵坐标值大于1，即在磁路组件1500中，音圈1528受到的安培力大于单磁性磁路组件中音圈所受的安培力。当第二厚度比k保持不变时，随着第一厚度比的增大，音圈1528受到的安培力逐渐降低。当第一厚度比保持不变时，随着第二厚度比k的降低，音圈1528内受到的安培力逐渐增大。当第一厚度比的范围在0.1-0.3之间或第二厚度比k的范围在0.2-0.7之间，音圈1528所受安培力相比于单磁性磁路组件中音圈受的安培力提高了50％-60％。

图16是根据本申请的一些实施例所示的一种骨传导扬声器1600的结构示意图。如图所示，骨传导扬声器1600可以包括第一磁性元件1602、第一导磁元件1604、第二导磁元件1606、第二磁性元件1608、音圈1610、第三导磁元件1612、支架1614以及连接件1616。第一磁性元件1602、第一导磁元件1604、第二导磁元件1606、第二磁性元件1608、音圈1610和/或第三导磁元件1612可以参考本申请中其它附图的相关描述。

第一磁性元件1602的上表面可以连接第一导磁元件1604的下表面。第二磁性元件1608的下表面可以连接第一导磁元件1604的上表面。第二导磁元件1606可以包括第一底板以及第一侧壁。第一磁性元件1602的下表面可以连接所述第一底板的上表面。第二导磁元件1606的侧壁与第一磁性元件1602、第一导磁元件1604和/或第二磁性元件1608的侧壁形成磁间隙。支架1614可以包括第二底板以及第二侧壁。支架1614与音圈1610连接后，音圈1610可以设置于所述磁间隙中。音圈1610可以连接所述第二侧壁。音圈1610的上表面与所述第二底板之间可以形成侧缝。当音圈1610置于所述磁间隙后，第三导磁元件1612可以穿过所述侧缝连接第二磁性元件1608的上表面以及第二导磁元件1606的第一侧壁，从而使得第三导磁元件1612与第二导磁元件1606形成封闭腔体。第一磁性元件1602、第一导磁元件1604、第二导磁元件1606、第二磁性元件1608、音圈1610和/或第三导磁元件1612等各元件之间的连接可以通过本申请中描述的任意一种或几种连接方式。在一些实施例中，第一磁性元件1602、第一导磁元件1604、第二导磁元件1606、第二磁性元件1608、第三导磁元件1612和/或支架1614上可以设置一个或多个孔状结构(例如，销孔、螺纹孔等)。所述孔状结构可以设置于第一磁性元件1602、第一导磁元件1604、第二导磁元件1606、第二磁性元件1608、第三导磁元件1612和/或支架1614的中心、四周或其它位置。连接件1616可以贯穿所述孔状结构，并连接各个元件。例如，连接件1616可以是管销。可以利用冲压头穿过支架1614将管销1616冲压变形，从而固定骨传导扬声器1600中的各个部件。

以上对骨传导扬声器1600的结构的描述仅仅是具体的示例，不应被视为是唯一可行的实施方案。显然，对于本领域的专业人员来说，在了解磁路组件的基本原理后，可能在不背离这一原理的情况下，对实施骨传导扬声器1600的具体方式与步骤进行形式和细节上的各种修正和改变，但是这些修正和改变仍在以上描述的范围之内。例如，骨传导扬声器1600可以包括一个或多个导电元件，所述一个或多个导电元件设置于音圈1610的内侧壁、外壁、顶部和/或底部。又例如，骨传导扬声器1600可以进一步包括一个或多个环形磁性元件，所述一个或多个环形磁性元件可以连接第二导磁元件1606的侧壁的上表面或固定于磁间隙中。

图17是根据本申请的一些实施例所示的一种骨传导扬声器1700的结构示意图。如图所示，骨传导扬声器1700可以包括第一磁性元件1702、第一导磁元件1704、第二导磁元件1706、第二磁性元件1708、音圈1710、第三导磁元件1712、支架1714、连接件1716、支架连杆1718以及垫圈1720。第一磁性元件1702的上表面可以连接第一导磁元件1706的下表面。第二磁性元件1708的下表面可以连接第一导磁元件1706的上表面。第二导磁元件1706可以包括第一底板与第一侧壁，所述第一侧壁可以是由所述底板沿着垂直于底板方向延伸形成的。第一磁性元件1702的下表面可以连接第二导磁元件1706的底板的上表面。第二导磁元件1706的侧壁与第一磁性元件1702、第一导磁元件1704和/或第二磁性元件1708的侧壁形成磁间隙。支架连杆1718的四周可以设置一个或多个杆状结构。音圈1710可以连接支架连杆1718。支架连杆1718与音圈1710连接后，音圈1710可以设置于所述磁间隙中。第三导磁元件1712可以包括第二底板以及第二侧壁，所述第二侧壁可以是由所述第二底板延伸形成，所述第二侧壁可以设置一个或多个第一孔状结构，所述第一孔状结构与支架连杆1718的杆状结构对应，支架连杆1718的杆状结构可以贯穿所述第三导磁元件1712的第一孔状结构。当音圈1710置于所述磁间隙中后，第三导磁元件1712的第二侧壁可以通过所述第一孔状结构连接支架连杆1718的杆状结构，第二底板可以连接第二磁性元件1708的上表面。第一磁性元件1702、第一导磁元件1704、第二导磁元件1706、第二磁性元件1708、音圈1710和/或第三导磁元件1712等各元件之间的连接可以通过本申请中描述的任意一种或几种连接方式。在一些实施例中，第一磁性元件1702、第一导磁元件1704、第二导磁元件1706、第二磁性元件1708、第三导磁元件1712和/或支架1714的中心、四周或其它位置可以设置第二孔状结构。连接件1716可以贯穿所述孔状结构，并连接各个元件。例如，连接件1716可以是管销。可以利用冲压头穿过支架1714将管销1716冲压变形，从而固定第一磁性元件1702、第一导磁元件1704、第二导磁元件1706、第二磁性元件1708以及第三导磁元件1712。支架1914可以连接支架栏杆1718，垫圈1920可以进一步连接第三导磁元件1712的第二侧壁以及第二导磁元件1706的第一侧壁，从而进一步固定第二导磁元件1706以及第三导磁元件1712。在一些实施例中，所述垫圈1720可以通过振动板与支架1714连接。

以上对骨传导扬声器1700的结构的描述仅仅是具体的示例，不应被视为是唯一可行的实施方案。显然，对于本领域的专业人员来说，在了解磁路组件的基本原理后，可能在不背离这一原理的情况下，对实施骨传导扬声器1700的具体方式与步骤进行形式和细节上的各种修正和改变，但是这些修正和改变仍在以上描述的范围之内。例如，骨传导扬声器1700可以包括一个或多个导电元件，所述一个或多个导电元件设置于音圈1710的内侧壁、外壁、顶部和/或底部。又例如，骨传导扬声器1700可以进一步包括一个或多个环形磁性元件，所述一个或多个环形磁性元件可以连接第二导磁元件1706的侧壁的上表面或固定于磁间隙中。

图18是根据本申请的一些实施例所示的一种骨传导扬声器1800的结构示意图。如图所示，骨传导扬声器1800可以包括第一磁性元件1802、第一导磁元件1804、第二导磁元件1806、垫圈1808、音圈1810、第一振动板1812、支架1814、第二振动板1816以及振动面板1818。第一磁性元件1802的下表面连接第二导磁元件1806的内壁。第一磁性元件1802的上表面连接第一导磁元件1804的上表面。第一磁性元件1802、第一导磁元件1804与第二导磁元件1806之可以形成磁间隙。音圈1810可放置于所述磁间隙中。在一些实施例中，音圈1810可以是圆形或非圆形结构，例如三角形、长方形、正方形、椭圆形、五边形或其它不规则形状。音圈1810连接支架1814，支架1814连接第一振动板1812，第一振动板1812通过垫圈1808与第二导磁元件1806连接。第二振动板1816的下表面与支架1814连接，第二振动板1816的上表面与振动面板1818连接。在一些实施例中，第一磁性元件1802、第一导磁元件1804、第二导磁元件1806、垫圈1808、音圈1810、第一振动板1812、支架1814、第二振动板11016和/或振动面板1818中各元件之间可以通过本申请中描述的任意一种或几种连接方式连接。例如，第一磁性元件1802可以通过焊接的方式与第一导磁元件1804和/或第二导磁元件1806连接。又例如，第一磁性元件1802、第一导磁元件1804和/或第二导磁元件1806等元件可设置孔状结构，第一磁性元件1802、第一导磁元件1804和/或第二导磁元件1806可以通过管销冲压变形连接。在一些实施例中，第一振动板1812和/或第二振动板1816可以设置为一个或多个共轴的圆环体，所述多个圆环体内设置有向中心辐辏的多个支杆，其辐辏中心与第一振动板1812和/或第二振动板1816的中心一致。所述多个支杆错开设置。

以上对骨传导扬声器1800的结构的描述仅仅是具体的示例，不应被视为是唯一可行的实施方案。显然，对于本领域的专业人员来说，在了解磁路组件的基本原理后，可能在不背离这一原理的情况下，对实施骨传导扬声器1800的具体方式与步骤进行形式和细节上的各种修正和改变，但是这些修正和改变仍在以上描述的范围之内。例如，骨传导扬声器1800可以包括一个或多个导电元件，所述一个或多个导电元件设置于音圈1810的内侧壁、外壁、顶部和/或底部。又例如，骨传导扬声器18000可以进一步包括一个或多个环形磁性元件，所述一个或多个环形磁性元件可以连接第二导磁元件1806的侧壁的上表面或固定于磁间隙中。在一些实施例中，骨传导扬声器可以进一步包括第二磁性元件和/或第三导磁元件。

图19是根据本申请的一些实施例所示的一种骨传导扬声器1900的结构示意图。如图所示，骨传导扬声器1900可以包括第一磁性元件1902、第一导磁元件1910、第二磁性元件1904、第三磁性元件1906、第二导磁元件1908、垫圈1914、音圈1912、第一振动板1916、支架1918、第二振动板1920以及振动面板1922。第一磁性元件1902的下表面连接第二导磁元件1908的内壁。第一磁性元件1902的上表面连接第一导磁元件1910的下表面。第二磁性元件1904的外壁连接第二导磁元件1908内侧壁。第三磁性元件1906在第二磁性元件1904的下方，同时，第三磁性元件1906的外壁连接第二导磁元件1908的内侧壁；第三磁性元件1906的内侧壁连接第一磁性元件1902的外壁；第三磁性元件1906的下表面连接第二导磁元件1908的内壁；第一磁性元件1902、第一导磁元件1910与第二磁性元件1904、第三磁性元件1906之间可以形成磁间隙。音圈1912可放置于所述磁间隙中。在一些实施例中，音圈1912可以是图19所示的跑道形，也可以是其他几何形状，例如三角形、长方形、正方形、椭圆形、五边形或其它不规则形状。音圈1912连接支架1918，支架1918连接第一振动板1916，第一振动板1916通过垫圈1914与第二导磁元件1908连接。第二振动板1920的下表面与支架1918连接，第二振动板1920的上表面与振动面板1922连接。在一些实施例中，第二磁性元件1904可以由多块磁性元件组成，如图19所示的其可由4块磁性元件19041，19042，19043，19044组成。多块磁性元件围成的形状可以是图19所示的跑道形，也可以是其他几何形状，例如三角形、长方形、正方形、椭圆形、五边形或其它不规则形状。第三磁性元件1906可以由多块磁性元件组成，如图19所示的其可由4块磁性元件19061，19062，19063，19064组成。多块磁性元件围成的形状可以是图19所示的跑道形，也可以是其他几何形状，例如三角形、长方形、正方形、椭圆形、五边形或其它不规则形状。如本申请中其他实施例中所描述的，第二磁性元件1904或第三磁性元件1906可以被替换成多个相互连接的磁化方向不同的磁性元件，所述多个相互连接的磁化方向不同的磁性元件可以提高骨传导扬声器1900中磁间隙处的磁场强度，从而提高骨传导扬声器1900的灵敏度。

在一些实施例中，第一磁性元件1902、第一导磁元件1910、第二磁性元件1904、第三磁性元件1906、第二导磁元件1908、垫圈1914、音圈1912、第一振动板1916、支架1918、第二振动板1920和/或振动面板1922中各元件之间可以通过本申请中描述的任意一种或几种连接方式连接。例如，第一磁性元件1902，第二磁性元件1904，第三磁性元件1906可以通过粘接的方式与第一导磁元件1910和/或第二导磁元件1908连接。又例如，垫圈1914可以通过倒扣结构与第二导磁元件1908连接，进一步地，垫圈1914可以通过倒扣结构加粘接的方式与第二导磁元件1908和/或第二磁性元件1904连接。在一些实施例中，第一振动板1916和/或第二振动板1920可以设置为一个或多个共轴的环体，所述多个环体内设置有向中心辐辏的多个支杆，其辐辏中心与第一振动板1916和/或第二振动板1920的中心一致。所述多个支杆错开设置。所述多个支杆为直杆或者弯杆或者部分为直杆部分为弯杆，优选地，所述多个支杆为弯杆。在一些实施例中，振动面板1922的外表面可以为平面，也可以为曲面。例如振动面板1922的外表面为图19所示的外凸形弧面。

以上对骨传导扬声器1900的结构的描述仅仅是具体的示例，不应被视为是唯一可行的实施方案。显然，对于本领域的专业人员来说，在了解磁路组件的基本原理后，可在不背离这一原理的情况下，对实施骨传导扬声器1900的具体方式与步骤进行形式和细节上的各种修正和改变，但是这些修正和改变仍在以上描述的范围之内。例如，骨传导扬声器1900可以包括一个或多个导电元件，所述一个或多个导电元件设置于音圈1912的内侧壁、外壁、顶部和/或底部。又例如，骨传导扬声器1900可以进一步包括一个或多个环形磁性元件，所述一个或多个环形磁性元件可以连接第二磁性元件1904的下表面和第三磁性元件1906的上表面。在一些实施例中，骨传导扬声器可以进一步包括如本申请中其他实施例中所描述的第五磁性元件和/或第三导磁元件。

上文已对基本概念做了描述，显然，对于本领域技术人员来说，上述发明披露仅仅作为示例，而并不构成对本申请的限定。虽然此处并没有明确说明，本领域技术人员可能会对本申请进行各种修改、改进和修正。该类修改、改进和修正在本申请中被建议，所以该类修改、改进、修正仍属于本申请示范实施例的精神和范围。

同时，本申请使用了特定词语来描述本申请的实施例。如“一个实施例”、“一实施例”和/或“一些实施例”意指与本申请至少一个实施例相关的某一特征、结构或特点。因此，应强调并注意的是，本说明书中在不同位置两次或多次提及的“一实施例”或“一个实施例”或“一替代性实施例”并不一定是指同一实施例。此外，本申请的一个或多个实施例中的某些特征、结构或特点可以进行适当的组合。

此外，本领域技术人员可以理解，本申请的各方面可以通过若干具有可专利性的种类或情况进行说明和描述，包括任何新的和有用的工序、机器、产品或物质的组合或对他们的任何新的和有用的改进。相应地，本申请的各个方面可以完全由硬件执行、可以完全由软件(包括固件、常驻软件、微码等)执行、也可以由硬件和软件组合执行。以上硬件或软件均可被称为“数据块”、“模块”、“引擎”、“单元”、“组件”或“系统”。此外，本申请的各方面可能表现为位于一个或多个计算机可读介质中的计算机产品，该产品包括计算机可读程序编码。

此外，除非权利要求中明确说明，本申请所述处理元素和序列的顺序、数字字母的使用或其他名称的使用，并非用于限定本申请流程和方法的顺序。尽管上述披露中通过各种示例讨论了一些目前认为有用的发明实施例，但应当理解的是，该类细节仅起到说明的目的，附加的权利要求并不仅限于披露的实施例，相反，权利要求旨在覆盖所有符合本申请实施例实质和范围的修正和等价组合。例如，虽然以上所描述的系统组件可以通过硬件设备实现，但是也可以只通过软件的解决方案得以实现，如在现有的服务器或移动设备上安装所描述的系统。

同理，应当注意的是，为了简化本申请披露的表述，从而帮助对一个或多个发明实施例的理解，前文对本申请实施例的描述中，有时会将多种特征归并至一个实施例、附图或对其的描述中。但是，这种披露方法并不意味着本申请对象所需要的特征比权利要求中提及的特征多。实际上，实施例的特征要少于上述披露的单个实施例的全部特征。

一些实施例中使用了描述成分、属性数量的数字，应当理解的是，此类用于实施例描述的数字，在一些示例中使用了修饰词“大约”、“近似”或“大体上”等来修饰。除非另外说明，“大约”、“近似”或“大体上”表明所述数字允许有±20％的变化。相应地，在一些实施例中，说明书和权利要求中使用的数值数据均为近似值，该近似值根据个别实施例所需特点可以发生改变。在一些实施例中，数值数据应考虑规定的有效数位并采用一般位数保留的方法。尽管本申请一些实施例中用于确认其范围广度的数值域和数据为近似值，在具体实施例中，此类数值的设定在可行范围内尽可能精确。

最后，应当理解的是，本申请中所述实施例仅用以说明本申请实施例的原则。其他的变形也可能属于本申请的范围。因此，作为示例而非限制，本申请实施例的替代配置可视为与本申请的教导一致。相应地，本申请的实施例不仅限于本申请明确介绍和描述的实施例。

Claims

一种骨传导扬声器的磁路组件，所述磁路组件产生第一磁场，所述磁路组件包括：

第一磁性元件，所述第一磁性元件产生第二磁场；

第一导磁元件；以及

至少一个第二磁性元件，所述至少一个第二磁性元件环绕所述第一磁性元件，并与所述第一磁性元件之间形成磁间隙，所述第一磁场在所述磁间隙内的磁场强度大于所述第二磁场在所述磁间隙内的磁场强度。
权利要求1所述的磁路组件，所述至少一个第二磁性元件的磁化方向与所述第一磁性元件的磁化方向之间的夹角在45度与135度之间。
权利要求2所述的磁路组件，所述至少一个第二磁性元件的磁化方向与所述第一磁性元件的磁化方向之间的夹角不小于90度。
权利要求1所述的磁路组件，进一步包括：

第二导磁元件；以及

至少一个第三磁性元件，其中，所述至少一个第三磁性元件连接所述第二导磁元件和所述至少一个第二磁性元件。
权利要求4所述的磁路组件，所述至少一个第三磁性元件的磁化方向与所述第一磁性元件的磁化方向之间的夹角在45度与135度之间。
权利要求5所述的磁路组件，所述至少一个第三磁性元件的磁化方向与所述第一磁性元件的磁化方向之间的夹角不小于90度。
权利要求5所述的磁路组件，进一步包括：

至少一个第四磁性元件，其中，所述至少一个第四磁性元件位于所述磁间隙的下方并连接所述第一磁性元件以及所述第二导磁元件。
权利要求7所述的磁路组件，所述至少一个第四磁性元件的磁化方向与所述第一磁性元件的磁化方向之间的夹角在45度与135度之间。
权利要求8所述的磁路组件，所述至少一个第四磁性元件的磁化方向与所述第一磁性元件的磁化方向之间的夹角不大于90度。
权利要求4所述的磁路组件，进一步包括：

至少一个第五磁性元件，其中，所述至少一个第五磁性元件连接所述第一导磁元件的上表面。
权利要求10所述的磁路组件，所述至少一个第五磁性元件的磁化方向与所述第一磁性元件的磁化方向的夹角在150度与180度之间。
权利要求10所述的磁路组件，所述第一磁性元件的厚度与所述第一磁性元件、所述至少一个第五磁性元件以及所述第一导磁元件的厚度之和的比值范围为0.4-0.6。
权利要求10所述的磁路组件，所述至少一个第五磁性元件的厚度等于所述第一磁性元件的厚度。
权利要求10所述的磁路组件，所述至少一个第五磁性元件的厚度小于所述第一磁性元件的厚度。
权利要求10所述的磁路组件，进一步包括：

第三导磁元件，其中，所述第三导磁元件连接所述第五磁性元件的上表面，所述第三导磁元件被配置为抑制所述第一磁场的场强泄露。
权利要求4所述的磁路组件，所述第一导磁元件连接所述第一磁性元件的上表面，所述第二导磁元件包括底板和侧壁，以及所述第一磁性元件连接所述第二导磁元件的底板。
权利要求4所述的磁路组件，进一步包括：

至少一个导电元件，其中，所述导电元件连接所述第一磁性元件、所述第一导磁元件，或所述第二导磁元件中的至少一个元件。
一种骨传导扬声器的磁路组件，所述磁性组件产生第一磁场，所述磁路组件包括：

第一磁性元件，所述第一磁性元件产生第二磁场；

第一导磁元件；

第二导磁元件，所述第二导磁元件环绕所述第一磁性元件，并与所述第一磁性元件之间形成磁间隙；以及

至少一个第二磁性元件，所述至少一个第二磁性元件置于所述磁间隙的下方，所述第一磁场在所述磁间隙内的磁场强度大于所述第二磁场在所述磁间隙内的磁场强度。
权利要求18所述的磁路组件，所述至少一个第二磁性元件的磁化方向与所述第一磁性元件的磁化方向之间的夹角在45度与135度之间。
权利要求19所述的磁路组件，所述至少一个第二磁性元件的磁化方向与所述第一磁性元件的磁化方向之间的夹角不大于90度。
权利要求18所述的磁路组件，进一步包括：

至少一个第三磁性元件，所述第三磁性元件连接所述第二导磁元件。
权利要求21所述的磁路组件，所述至少一个第三磁性元件的磁化方向与所述第一磁性元件的磁化方向之间的夹角在45度与135度之间。
权利要求22所述的磁路组件，所述至少一个第三磁性元件的磁化方向与所述第一磁性元件的磁化方向之间的夹角不小于90度。
权利要求21所述的磁路组件，进一步包括：

至少一个第四磁性元件，所述至少一个第四磁性元件位于所述第二导磁元件与所述至少一个第三磁性元件之间。
权利要求24所述的磁路组件，所述至少一个第四磁性元件的磁化方向与所述第一磁性元件的磁化方向之间的夹角在45度与135度之间。
权利要求25所述的磁路组件，所述至少一个第四磁性元件的磁化方向与所述第一磁性元件的磁化方向之间的夹角不小于90度。
权利要求18-26中任一权利要求所述的磁路组件，进一步包括：

导磁罩，所述导磁罩环绕所述第一磁性元件，所述第一导磁元件，所述第二导磁元件以及所述第二磁性元件。
权利要求18所述的磁路组件，其中，所述第二导磁元件与所述至少一个第二磁性元件相连接，所述连接面包括楔形截面。
权利要求18所述的磁路组件，进一步包括：

至少一个第五磁性元件，所述至少一个第五磁性元件连接所述第一导磁元件的上表面。
权利要求29所述的磁路组件，所述至少一个第五磁性元件的磁化方向与所述第一磁性元件的磁化方向的夹角在150度与180度之间。
权利要求29所述的磁路组件，所述至少一个第五磁性元件的厚度与所述第一磁性元件、所述至少一个第五磁性元件以及所述第一导磁元件的厚度之和的比值范围为0.4-0.6。
权利要求29所述的磁路组件，所述第五磁性元件的厚度等于所述第一磁性元件的厚度。
权利要求18所述的磁路组件，进一步包括：

至少一个导电元件，其中，所述导电元件连接所述第一磁性元件、所述第一导磁元件，或所述第二磁性元件中的至少一个元件。
一种骨传导扬声器的磁路组件，所述磁路组件产生第一磁场，所述磁路组件包括：

第一磁性元件，所述第一磁性元件产生第二磁场；

第一导磁元件；

第二导磁元件，至少部分的所述第二导磁元件环绕所述第一磁性元件，并与所述第一磁性元件之间形成磁间隙；以及

至少一个第二磁性元件，所述至少一个第二磁性元件连接所述第一导磁元件上表面，所述第一磁场在所述磁间隙内的磁场强度大于所述第二磁场在所述磁间隙内的磁场强度。
权利要求34所述的磁路组件，所述至少一个第二磁性元件的磁化方向与所述第一磁性元件的磁化方向的夹角在150度与180度之间。
权利要求34所述的磁路组件，所述第一磁性元件的厚度与所述第一磁性元件、所述至少一个第二磁性元件以及所述第一导磁元件的厚度之和的比值范围为0.4-0.6。
权利要求34所述的磁路组件，所述至少一个第二磁性元件的厚度等于所述第一磁性元件的厚度。
权利要求34所述的磁路组件，所述至少一个第二磁性元件的厚度小于所述第一磁性元件的厚度。
权利要求34所述的磁路组件，进一步包括，

至少一个第三磁性元件，所述至少一个第三磁性元件环绕所述至少一个第二磁性元件。
权利要求39所述的磁路组件，所述至少一个第三磁性元件的磁化方向与所述第一磁性元件的磁化方向之间的夹角在45度与135度之间。
权利要求40所述的磁路组件，所述至少一个第三磁性元件的磁化方向与所述第一磁性元件的磁化方向之间的夹角不小于90度。
权利要39所述的磁路组件，进一步包括：

至少一个第四磁性元件，其中，所述至少一个第四磁性元件连接所述第二导磁元件和所述至少一个第三磁性元件。
权利要求42所述的磁路组件，所述至少一个第四磁性元件的磁化方向与所述第一磁性元件的磁化方向之间的夹角在45度与135度之间。
权利要求43所述的磁路组件，所述至少一个第四磁性元件的磁化方向与所述第一磁性元件的磁化方向之间的夹角不小于90度。
权利要求34所述的磁路组件，进一步包括：

至少一个第五磁性元件，其中，所述至少一个第五磁性元件位于所述磁间隙的下方并连接所述第一磁性元件以及所述第二导磁元件。
权利要求45所述的磁路组件，所述至少一个第五磁性元件的磁化方向与所述第一磁性元件的磁化方向之间的夹角在45度与135度之间。
权利要求46所述的磁路组件，所述至少一个第五磁性元件的磁化方向与所述第一磁性元件的磁化方向之间的夹角不大于90度。
权利要求46所述的磁路组件，进一步包括：

第三导磁元件，所述第三导磁元件连接所述至少一个第二磁性元件。
一种骨传导扬声器的磁路组件，所述磁路组件包括：

第一磁性元件，所述第一磁性元件产生第一磁场；

第一导磁元件；以及

至少一个第二磁性元件，所述至少一个第二磁性元件环绕所述第一磁性元件，并与所述第一磁性元件之间形成磁间隙，所述第二磁性元件产生第二磁场，所述第二磁场提高所述第一磁场在所述磁间隙处的磁场强度。
权利要求49所述的磁路组件，所述至少一个第二磁性元件的磁化方向与所述第一磁性元件的磁化方向之间的夹角不小于90度。
权利要求49所述的磁路组件，进一步包括：

第二导磁元件；以及

至少一个第三磁性元件，其中，所述至少一个第三磁性元件连接所述第二导磁元件和所述至少一个第二磁性元件，所述至少一个第三磁性元件产生第三磁场，所述第三磁场提高所述第一磁场在所述磁间隙处的磁场强度。
权利要求51所述的磁路组件，所述至少一个第三磁性元件的磁化方向与所述第一磁性元件的磁化方向之间的夹角不小于90度。
权利要求51所述的磁路组件，进一步包括：

至少一个第四磁性元件，其中，所述至少一个第四磁性元件置于所述磁间隙的下方并连接所述第一磁性元件以及所述第二导磁元件，所述至少一个第四磁性元件产生第四磁场，所述第四磁场提高所述第一磁场在所述磁间隙处的磁场强度。
权利要求53所述的磁路组件，所述至少一个第四磁性元件的磁化方向与所述第一磁性元件的磁化方向之间的在45度与135度之间。
权利要求51所述的磁路组件，进一步包括：

至少一个第五磁性元件，其中，所述至少一个第五磁性元件连接所述第一导磁元件的上表面，所述至少一个第五磁性元件产生第五磁场，所述第五磁场提高所述第一磁场在所述磁间隙处的磁场强度。
权利要求55所述的磁路组件，所述至少一个第五磁性元件的磁化方向与所述第一磁性元件的磁化方向的夹角在150度与180度之间。
权利要求55所述的磁路组件，所述第一磁性元件的厚度与所述第一磁性元件、所述至少一个第五磁性元件以及所述第一导磁元件的厚度之和的比值范围为0.4-0.6。
权利要求55所述的磁路组件，所述至少一个第五磁性元件的厚度等于所述第一磁性元件的厚度。
权利要求55所述的磁路组件，所述至少一个第五磁性元件的厚度小于所述第一磁性元件的厚度。
权利要求55所述的磁路组件，进一步包括：

第三导磁元件，其中，所述第三导磁元件连接所述第五磁性元件的上表面，所述第三导磁元件被配置为抑制所述第一磁场和所述第二磁场的场强泄露。
权利要求55所述的磁路组件，所述第一导磁元件连接所述第一磁性元件的上表面，所述第二导磁元件包括底板和侧壁，以及所述第一磁性元件连接所述第二导磁元件的底板。
权利要求55所述的磁路组件，进一步包括：

至少一个导电元件，其中，所述导电元件连接所述第一磁性元件、所述第一导磁元件，或所述第二导磁元件中的至少一个元件。
一种骨传导扬声器的磁路组件，所述磁路组件包括：

第一磁性元件，所述第一磁性元件产生第一磁场；

第一导磁元件；

第二导磁元件，所述第二导磁元件环绕所述第一磁性元件，并与所述第一磁性元件之间形成磁间隙；以及

至少一个第二磁性元件，所述至少一个第二磁性元件置于所述磁间隙下方，所述至少一个第二磁性元件产生第二磁场，所述第二磁场提高所述第一磁场在所述磁间隙处的磁感应强度。
权利要求63所述的磁路组件，所述至少一个第二磁性元件的磁化方向与所述第一磁性元件的磁化方向之间的夹角在45度与135度之间。
权利要求63所述的磁路组件，进一步包括：

至少一个第三磁性元件，其中，所述第三磁性元件连接所述第二导磁元件，所述至少一个第三磁性元件产生第三磁场，所述第三磁场提高所述第一磁场在所述磁间隙处的磁场强度。
权利要求65所述的磁路组件，所述至少一个第三磁性元件的磁化方向与所述第一磁性元件的磁化方向之间的夹角不小于90度。
权利要求63所述的磁路组件，进一步包括：

至少一个第四磁性元件，所述至少一个第四磁性元件位于所述第二导磁元件与所述至少一个第三磁性元件之间。
权利要求67所述的磁路组件，所述至少一个第四磁性元件的磁化方向与所述第一磁性元件的磁化方向之间的夹角不小于90度。
权利要求63-68中任一权利要求所述的磁路组件，进一步包括：

导磁罩，所述导磁罩环绕所述第一磁性元件，所述第一导磁元件，所述第二导磁元件以及所述第二磁性元件。
权利要求63所述的磁路组件，其中，所述第二导磁元件与所述至少一个第二磁性元件相连接，所述连接面包括楔形截面。
权利要求63所述的磁路组件，进一步包括：

至少一个第五磁性元件，其中，所述至少一个第五磁性元件连接所述第一导磁元件的上表面，所述至少一个第五磁性元件产生第五磁场，所述第五磁场提高所述第一磁场在所述磁间隙处的磁场强度。
权利要求71所述的磁路组件，所述至少一个第五磁性元件的磁化方向与所述第一磁性元件的磁化方向的夹角在150度与180度之间。
权利要求71所述的磁路组件，所述至少一个第五磁性元件的厚度与所述第一磁性元件、所述至少一个第五磁性元件以及所述第一导磁元件的厚度之和的比值范围为0.4-0.6。
权利要求71所述的磁路组件，所述第五磁性元件的厚度小于或等于所述第一磁性元件的厚度。
权利要求71所述的磁路组件，进一步包括：

第三导磁元件，其中，所述第三导磁元件连接所述第五磁性元件的上表面，所述第三导磁元件被配置为抑制所述第一磁场和第二磁场的场强泄露。
权利要求63所述的磁路组件，进一步包括：

至少一个导电元件，其中，所述导电元件连接所述第一磁性元件、所述第一导磁元件，或所述第二磁性元件中的至少一个元件。
一种骨传导扬声器的磁路组件，所述磁路组件包括：

第一磁性元件，所述第一磁性元件产生第一磁场；

第一导磁元件；

第二导磁元件，至少部分的所述第二导磁元件环绕所述第一磁性元件，并与所述第一磁性元件之间形成磁间隙；以及

至少一个第二磁性元件，所述至少一个第二磁性元件连接所述第一导磁元件上表面，所述至少一个第二磁性元件产生第二磁场，所述第二磁场提高所述第一磁场在所述磁间隙内的磁场强度。
权利要求77所述的磁路组件，所述至少一个第二磁性元件的磁化方向与所述第一磁性元件的磁化方向的夹角在150度与180度之间。
权利要求77所述的磁路组件，所述第一磁性元件的厚度与所述第一磁性元件、所述至少一个第二磁性元件以及所述第一导磁元件的厚度之和的比值范围为0.4-0.6。
权利要求77所述的磁路组件，所述至少一个第二磁性元件的厚度等于所述第一磁性元件的厚度。
权利要求77所述的磁路组件，所述至少一个第二磁性元件的厚度小于所述第一磁性元件的厚度。
权利要求77所述的磁路组件，进一步包括，

至少一个第三磁性元件，所述至少一个第三磁性元件环绕所述至少一个第二磁性元件。
权利要求82所述的磁路组件，所述至少一个第三磁性元件的磁化方向与所述第一磁性元件的磁化方向之间的夹角在45度与135度之间。
权利要求83所述的磁路组件，所述至少一个第三磁性元件的磁化方向与所述第一磁性元件的磁化方向之间的夹角不小于90度。
权利要82所述的磁路组件，进一步包括：

至少一个第四磁性元件，其中，所述至少一个第四磁性元件连接所述第二导磁元件和所述至少一个第三磁性元件。
权利要求85所述的磁路组件，所述至少一个第四磁性元件的磁化方向与所述第一磁性元件的磁化方向之间的夹角在45度与135度之间。
权利要求86所述的磁路组件，所述至少一个第四磁性元件的磁化方向与所述第一磁性元件的磁化方向之间的夹角不小于90度。
权利要求77所述的磁路组件，进一步包括：

至少一个第五磁性元件，其中，所述至少一个第五磁性元件位于所述磁间隙的下方并连接所述第一磁性元件以及所述第二导磁元件。
权利要求88所述的磁路组件，所述至少一个第五磁性元件的磁化方向与所述第一磁性元件的磁化方向之间的夹角在45度与135度之间。
权利要求89所述的磁路组件，所述至少一个第五磁性元件的磁化方向与所述第一磁性元件的磁化方向之间的夹角不大于90度。
权利要求89所述的磁路组件，进一步包括：

第三导磁元件，所述第三导磁元件连接所述至少一个第二磁性元件
一种骨传导扬声器的磁路组件，所述磁性组件产生第一磁场，所述磁路组件包括：

第一磁性元件，所述第一磁性元件产生第二磁场；

第一导磁元件；

第二导磁元件，所述第二导磁元件包括底板和侧壁，所述第二导磁元件底板连接所述第一磁性元件；

至少一个第二磁性元件，所述至少一个第二磁性元件连接所述第二导磁元件侧壁，并与所述第一磁性元件之间形成磁间隙；以及

至少一个第三磁性元件，所述至少一个第三磁性元件连接所述第二导磁元件的底板及侧壁，所述第一磁场在所述磁间隙内的磁场强度大于所述第二磁场在所述磁间隙内的磁场强度。
权利要求92所述的磁路组件，所述至少一个第二磁性元件的磁化方向与所述第一磁性元件的磁化方向之间的夹角不小于90度。
权利要求92所述的磁路组件，所述至少一个第三磁性元件的磁化方向与所述第一磁性元件的磁化方向之间的夹角不小于90度。
权利要求92所述的磁路组件，进一步包括：

至少一个第四磁性元件，其中，所述至少一个第四磁性元件连接所述至少一个第二磁性元件的上表面以及所述第二导磁元件的侧壁。
权利要求95所述的磁路组件，所述至少一个第四磁性元件的磁化方向与所述第一磁性元件的磁化方向之间的夹角不小于90度。
权利要求92所述的磁路组件，进一步包括：

至少一个第五磁性元件，其中，所述至少一个第五磁性元件连接所述第一导磁元件的上表面。
权利要求97所述的磁路组件，所述至少一个第五磁性元件的磁化方向与所述第一磁性元件的磁化反向的夹角在150度与180度之间。
权利要求97所述的磁路组件，所述第一磁性元件的厚度与所述第一磁性元件、所述至少一个第五磁性元件以及所述第一导磁元件的厚度之和的比值范围为0.4-0.6。
权利要求97所述的磁路组件，所述至少一个第五磁性元件的厚度小于或等于所述第一磁性元件的厚度。
权利要求97所述的磁路组件，进一步包括：

第三导磁元件，其中，所述第三导磁元件连接所述第五磁性元件的上表面，所述第三导磁元件被配置为抑制所述第一磁场的场强泄露。
权利要求92所述的磁路组件，进一步包括：

至少一个导电元件，其中，所述导电元件连接所述第一磁性元件、所述第一导磁元件，或所述第二导磁元件中的至少一个元件。
一种骨传导扬声器，所述骨传导扬声器包括：

振动组件，所述振动组件包括音圈以及至少一个振动板；

磁路组件，所述磁路组件包括：

第一磁性元件，所述第一磁性元件产生第一磁场；

第一导磁元件；以及

至少一个第二磁性元件，所述至少一个第二磁性元件环绕所述第一磁性元件，并与所述第一磁性元件之间形成磁间隙，所述音圈位于所述磁间隙中，所述至少一个第二磁性元件产生第二磁场，所述第一磁场与所述第二磁场提高所述第一磁场在所述音圈处的磁场强度。
权利要求103所述的骨传导扬声器，所述音圈的形状包括椭圆形或长方形。
权利要求103所述的骨传导扬声器，所述磁路组件包括：

第二导磁元件，所述第二导磁元件连接所述第二磁性元件。