KR102460744B1 - 골전도 스피커 - Google Patents
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Abstract
본 개시는 골전도 스피커의 자기 회로 어셈블리에 관한 것이다. 자기 회로 어셈블리는 제 1 자기장을 생성한다. 자기 회로 어셈블리는 제 1 자성 요소를 포함하고, 제 1 자성 요소는 제 2 자기장을 생성한다. 상기 자기 회로는 제 1 자기 투과성 요소 및 적어도 하나의 제 2 자성 요소를 더 포함한다. 적어도 하나의 제 2 자성 요소는 제 1 자성 요소를 둘러싸고, 적어도 하나의 제 2 자성 요소와 제 1 자성 요소 사이에 자기 갭을 형성한다. 자기 갭 내의 제 1 자기장의 자기장 세기는 자기 갭 내의 제 2 자기장의 자기장 세기보다 크다.
Description
관련 출원의 교차 참조
본 개시는 2018년 1월 8일에 출원된 국제 출원 번호 PCT/CN2018/071751의 우선권을 주장하며, 그 내용은 그 전체가 본원에 참조로 포함된다.
본 개시는 골전도 스피커들(bone conduction speakers)에 관한 것으로, 특히 골전도 스피커들의 자기 회로 어셈블리들에 관한 것이다.
골전도 스피커는 전기 신호를 기계적 진동 신호로 변환하고, 인간의 조직과 뼈를 통해 달팽이관으로 기계적 진동 신호를 전달하여, 사용자가 소리를 들을 수 있다. 진동 다이어프램으로 구동되는 공기 진동에 기초하여 사운드를 생성하는 공기 전도 스피커들과는 다르게, 골전도 스피커들은 사용자의 연조직과 뼈가 진동하도록 구동해야하므로 필요한 기계적인 동력(mechanical power)이 보다 높게 된다. 골전도 스피커의 감도를 높이면 전기 에너지를 기계 에너지로 변환하는 효율이 더 높아져, 더 큰 기계적인 동력을 출력할 수 있다. 보다 높은 동력 요구를 갖는 골전도 스피커의 경우 감도를 높이는 것이 더욱 중요하다.
본 발명은 고감도 골전도 스피커를 제공하며, 그 능력을 향상시키고자 하는 것이다.
본 개시는 골전도 스피커의 자기 회로 어셈블리(magnetic circuit assembly)에 관한 것이다. 자기 회로 어셈블리는 제 1 자기장을 생성할 수 있다. 자기 회로 어셈블리는 제 2 자기장을 생성하는 제 1 자성 요소; 제 1 자기 가이드 요소; 및 적어도 하나의 제 2 자성 요소를 포함할 수 있다. 적어도 하나의 제 2 자성 요소는 제 1 자성 요소를 둘러싸도록 구성될 수 있고, 자기 갭(magnetic gap)이 제 2 자성 요소와 제 1 자성 요소 사이에 구성될 수 있다. 자기 갭 내의 제 1 자기장의 자기장 세기는 자기 갭 내의 제 2 자기장의 자기장 세기를 초과할 수 있다.
본 개시의 일부 실시 예들에 따르면, 자기 회로 어셈블리는 제 2 자기 가이드 요소 및 적어도 하나의 제 3 자성 요소를 더 포함할 수 있다. 적어도 하나의 제 3 자성 요소는 제 2 자기 가이드 요소 및 적어도 하나의 제 2 자성 요소와 접속될 수 있다.
본 개시의 일부 실시 예들에 따르면, 자기 회로 어셈블리는 자기 갭 아래에 위치된 적어도 하나의 제 4 자성 요소를 더 포함할 수 있다. 적어도 하나의 제 4 자성 요소는 제 1 자성 요소 및 제 2 자기 가이드 요소와 접속될 수 있다.
본 개시의 일부 실시 예들에 따르면, 자기 회로 어셈블리는 제 1 자기 가이드 요소의 상부 표면과 접속된 적어도 하나의 제 5 자성 요소를 더 포함할 수 있다.
본 개시의 일부 실시 예들에 따르면, 자기 회로 어셈블리는 제 5 자성 요소의 상부 표면과 접속된 제 3 자기 가이드 요소를 더 포함할 수 있다. 제 3 자기 가이드 요소는 제 1 자기장의 자기장 세기의 누출을 억제하도록 구성될 수 있다.
본 개시의 일부 실시 예들에 따르면, 자기 회로 어셈블리는 제 1 자성 요소, 제 1 자기 가이드 요소, 또는 제 2 자기 가이드 요소의 적어도 하나와 접속된 적어도 하나의 전도성 요소를 더 포함할 수 있다.
본 개시는 또한 골전도 스피커의 자기 회로 어셈블리에 관한 것이다. 자기 구성요소는 제 1 자기장을 생성할 수 있다. 자기 회로 어셈블리는 제 2 자기장을 생성하는 제 1 자성 요소; 제 1 자기 가이드 요소; 및 제 2 자기 가이드 요소를 포함할 수 있다. 제 2 자기 가이드 요소는 제 1 자성 요소를 둘러싸도록 구성될 수 있고, 자기 갭이 제 2 자기 가이드 요소와 제 1 자성 요소 사이에 구성될 수 있다. 적어도 하나의 제 2 자성 요소가 자기 갭 아래에 위치될 수 있다. 자기 갭 내의 제 1 자기장의 자기장 세기는 자기 갭 내의 제 2 자기장의 자기장 세기를 초과할 수 있다.
본 개시의 일부 실시 예들에 따르면, 자기 회로 어셈블리는 적어도 하나의 제 3 자성 요소를 더 포함할 수 있다. 적어도 하나의 제 3 자성 요소는 제 2 자기 가이드 요소와 접속될 수 있다.
본 개시의 일부 실시 예들에 따르면, 자기 회로 어셈블리는 적어도 하나의 제 4 자성 요소를 더 포함할 수 있다. 적어도 하나의 제 4 자성 요소는 제 2 자기 가이드 요소와 적어도 하나의 제 3 자성 요소 사이에 위치될 수 있다.
본 개시의 일부 실시 예들에 따르면, 자기 회로 어셈블리는 자기 쉴드(magnetic shield)를 더 포함할 수 있다. 자기 쉴드는 제 1 자성 요소, 제 1 자기 가이드 요소, 제 2 자기 가이드 요소, 및 제 2 자성 요소를 포함하도록 구성될 수 있다.
본 개시의 일부 실시 예들에 따르면, 자기 회로 어셈블리는 적어도 하나의 전도성 요소를 더 포함할 수 있다. 적어도 하나의 전도성 요소는 제 1 자성 요소, 제 1 자기 가이드 요소, 또는 제 2 자성 요소의 적어도 하나의 요소와 접속될 수 있다.
본 개시는 골전도 스피커의 자기 회로 어셈블리에 관한 것이다. 자기 구성요소는 제 1 자기장을 생성할 수 있다. 자기 회로 어셈블리는 제 1 자성 요소를 포함할 수 있고, 제 1 자성 요소는 제 2 자기장을 생성할 수 있고; 제 1 자기 가이드 요소; 제 2 자기 가이드 요소, 제 2 자기 가이드 요소의 적어도 일부는 제 1 자성 요소를 둘러싸도록 구성될 수 있고, 자기 갭이 제 2 자기 가이드 요소와 제 1 자성 요소 사이에 구성될 수 있다. 적어도 하나의 제 2 자성 요소는 제 1 자기 가이드 요소의 상부 표면과 접속될 수 있고, 자기 갭 내의 제 1 자기장의 자기장 세기는 자기 갭 내의 제 2 자기장의 자기장 세기를 초과할 수 있다.
본 개시의 일부 실시 예들에 따르면, 자기 회로 어셈블리는 적어도 하나의 제 3 자성 요소를 더 포함할 수 있다. 적어도 하나의 제 3 자성 요소는 적어도 하나의 제 2 자성 요소를 둘러쌀 수 있다.
본 개시의 일부 실시 예들에 따르면, 자기 회로 어셈블리는 적어도 하나의 제 4 자성 요소를 더 포함할 수 있다. 적어도 하나의 제 4 자성 요소는 제 2 자기 가이드 요소 및 적어도 하나의 제 3 자성 요소와 접속될 수 있다.
본 개시의 일부 실시 예들에 따르면, 자기 회로 어셈블리는 자기 갭 아래에 위치된 적어도 하나의 제 5 자성 요소를 더 포함할 수 있다. 적어도 하나의 제 5 자성 요소는 제 1 자성 요소 및 제 2 자기 가이드 요소와 접속될 수 있다.
본 개시의 일부 실시 예들에 따르면, 자기 회로 어셈블리는 적어도 하나의 제 2 자성 요소와 접속된 제 3 자기 가이드 요소를 더 포함할 수 있다.
본 개시는 골전도 스피커의 자기 회로 어셈블리에 관한 것이다. 자기 회로 어셈블리는 제 2 자기장을 생성하는 제 1 자성 요소; 제 1 자기 가이드 요소를 포함할 수 있다. 적어도 하나의 제 2 자성 요소는 제 1 자성 요소를 둘러싸도록 구성될 수 있고, 자기 갭(magnetic gap)이 제 2 자성 요소와 제 1 자성 요소 사이에 구성될 수 있다. 제 2 자성 요소는 제 2 자기장을 생성할 수 있고, 제 2 자기장은 자기 갭 내에서 제 1 자기장의 자기장 세기를 증가시킬 수 있다.
본 개시의 일부 실시 예들에 따르면, 자기 회로 어셈블리는 제 2 자기 가이드 요소 및 제 2 자기 가이드 요소 및 적어도 하나의 제 2 자성 요소와 접속된 적어도 하나의 제 3 자성 요소를 더 포함할 수 있다. 적어도 하나의 제 3 자성 요소는 제 3 자기장을 생성할 수 있고, 제 3 자기장은 자기 갭 내에서 제 1 자기장의 자기장 세기를 증가시킬 수 있다.
본 개시의 일부 실시 예들에 따르면, 자기 회로 어셈블리는 자기 갭 아래에 위치된 적어도 하나의 제 4 자성 요소를 더 포함할 수 있다. 적어도 하나의 제 4 자성 요소는 제 1 자성 요소 및 제 2 자기 가이드 요소와 접속될 수 있다. 적어도 하나의 제 4 자성 요소는 제 4 자기장을 생성할 수 있다. 제 4 자기장은 자기 갭 내에서 제 1 자기장의 자기장 세기를 증가시킬 수 있다.
본 개시의 일부 실시 예들에 따르면, 자기 회로 어셈블리는 제 1 자기 가이드 요소의 상부 표면과 접속된 적어도 하나의 제 5 자성 요소를 더 포함할 수 있다. 적어도 하나의 제 5 자성 요소는 제 5 자기장을 생성할 수 있고, 제 5 자기장은 자기 갭 내에서 제 1 자기장의 자기장 세기를 증가시킬 수 있다.
본 개시의 일부 실시 예들에 따르면, 자기 회로 어셈블리는 제 5 자성 요소의 상부 표면과 접속된 제 3 자기 가이드 요소를 더 포함할 수 있다. 제 3 자기 가이드 요소는 제 1 자기장 및 제 2 자기장의 자기장 세기의 누출을 억제하도록 구성될 수 있다.
본 개시의 일부 실시 예들에 따르면, 자기 회로 어셈블리는 적어도 하나의 전도성 요소를 더 포함할 수 있다. 적어도 하나의 전도성 요소는 제 1 자성 요소, 제 1 자기 가이드 요소, 또는 제 2 자기 가이드 요소의 적어도 하나와 접속될 수 있다.
본 개시는 골전도 스피커의 자기 회로 어셈블리에 관한 것이다. 자기 회로 어셈블리는 제 1 자기장을 생성하는 제 1 자성 요소; 제 1 자기 가이드 요소; 제 1 자성 요소를 둘러싸도록 구성된 제 2 자기 가이드 요소, 적어도 하나의 제 2 자성 요소와 제 1 자성 요소 사이에 구성되는 자기 갭을 포함할 수 있다. 적어도 하나의 제 2 자성 요소는 자기 갭 아래에 위치될 수 있고, 적어도 하나의 제 2 자성 요소는 제 2 자기장을 생성할 수 있으며, 제 2 자기장은 자기 갭 내에서 제 1 자기장의 자기 유도 강도를 증가시킬 수 있다.
본 개시의 일부 실시 예들에 따르면, 상기 자기 회로 어셈블리는 제 2 자기 가이드 요소와 접속된 적어도 하나의 제 3 자성 요소를 더 포함할 수 있다. 적어도 하나의 제 3 자성 요소는 제 3 자기장을 생성할 수 있고, 제 3 자기장은 자기 갭 내에서 제 1 자기장의 자기장 세기를 증가시킬 수 있다.
본 개시의 일부 실시 예들에 따르면, 자기 회로 어셈블리는 제 2 자기 가이드 요소와 적어도 하나의 제 3 자성 요소 사이에 위치된 적어도 하나의 제 4 자성 요소를 더 포함할 수 있다.
본 개시의 일부 실시 예들에 따르면, 자기 회로 어셈블리는 자기 쉴드를 더 포함할 수 있다. 자기 쉴드는 제 1 자성 요소, 제 1 자기 가이드 요소, 제 2 자기 가이드 요소, 및 제 2 자성 요소를 포함하도록 구성될 수 있다.
본 개시의 일부 실시 예들에 따르면, 자기 회로 어셈블리는 제 1 자기 가이드 요소의 상부 표면과 접속된 적어도 하나의 제 5 자성 요소를 더 포함하고, 적어도 하나의 제 5 자성 요소는 제 5 자기장을 생성할 수 있다. 제 5 자기장은 자기 갭 내에서 제 1 자기장의 자기장 세기를 증가시킬 수 있다.
본 개시의 일부 실시 예들에 따르면, 자기 회로 어셈블리는 제 5 자성 요소의 상부 표면과 접속된 제 3 자기 가이드 요소를 더 포함할 수 있다. 제 3 자기 가이드 요소는 제 1 자기장 및 제 2 자기장의 자기장 세기의 누출을 억제하도록 구성될 수 있다.
본 개시의 일부 실시 예들에 따르면, 자기 회로 어셈블리는 제 1 자성 요소, 제 1 자기 가이드 요소, 또는 제 2 자성 요소의 적어도 하나 요소와 접속된 적어도 하나의 전도성 요소를 더 포함할 수 있다.
본 개시는 골전도 스피커의 자기 회로 어셈블리에 관한 것이다. 자기 회로 어셈블리는 제 2 자기장을 생성하는 제 1 자성 요소; 제 1 자기 가이드 요소; 제 2 자기 가이드 요소, 제 1 자성 요소를 둘러싸도록 구성된 제 2 자기 가이드 요소의 적어도 일부, 및 적어도 하나의 제 2 자성 요소와 제 1 자성 요소 사이에 구성되는 자기 갭을 포함할 수 있다. 적어도 하나의 제 2 자성 요소는 제 1 자기 가이드 요소의 상부 표면과 접속될 수 있다. 적어도 하나의 제 2 자성 요소는 제 2 자기장을 생성할 수 있고, 제 2 자기장은 자기 갭 내에서 제 1 자기장의 자기장 세기를 증가시킬 수 있다.
본 개시의 일부 실시 예들에 따르면, 자기 회로 어셈블리는 적어도 하나의 제 3 자성 요소를 더 포함할 수 있으며, 적어도 하나의 제 3 자성 요소는 상기 적어도 하나의 제 2 자성 요소를 둘러싸도록 구성될 수 있다.
본 개시의 일부 실시 예들에 따르면, 자기 회로 어셈블리는 적어도 하나의 제 4 자성 요소를 더 포함할 수 있다. 적어도 하나의 제 4 자성 요소는 제 2 자기 가이드 요소 및 적어도 하나의 제 3 자성 요소와 접속될 수 있다.
본 개시의 일부 실시 예들에 따르면, 자기 회로 어셈블리는 자기 갭 아래에 위치된 적어도 하나의 제 5 자성 요소를 더 포함할 수 있다. 적어도 하나의 제 5 자성 요소는 제 1 자성 요소 및 제 2 자기 가이드 요소와 접속될 수 있다.
본 개시의 일부 실시 예들에 따르면, 자기 회로 어셈블리는 적어도 하나의 제 2 자성 요소와 접속된 제 3 자기 가이드 요소를 더 포함할 수 있다.
본 개시는 골전도 스피커의 자기 회로 어셈블리에 관한 것이다. 자기 회로 어셈블리는 제 2 자기장을 생성하는 제 1 자성 요소; 제 1 자기 가이드 요소; 베이스 플레이트(baseplate) 및 측벽을 포함하고, 상기 베이스 플레이트가 제 1 자성 요소와 접속되는 제 2 자기 가이드 요소; 제 2 자기 가이드 요소의 측벽과 접속되는 적어도 하나의 제 2 자성 요소, 및 제 1 자성 요소와 함께 형성되는 자기 갭 및 적어도 하나의 제 3 자성 요소를 포함할 수 있다. 적어도 하나의 제 3 자성 요소는 제 2 자기 가이드 요소의 베이스 플레이트 및 측벽과 접속될 수 있다. 자기 갭 내의 제 1 자기장의 자기장 세기는 자기 갭 내의 제 2 자기장의 자기장 세기를 초과할 수 있다.
본 개시의 일부 실시 예들에 따르면, 자기 회로 어셈블리는 적어도 하나의 제 4 자성 요소를 더 포함할 수 있다. 적어도 하나의 제 4 자성 요소는 적어도 하나의 제 2 자성 요소의 상부 표면 및 제 2 자기 가이드 요소의 측벽과 접속될 수 있다.
본 개시의 일부 실시 예들에 따르면, 자기 회로 어셈블리는 제 1 자기 가이드 요소의 상부 표면과 접속된 적어도 하나의 제 5 자성 요소를 더 포함할 수 있다.
본 개시의 일부 실시 예들에 따르면, 자기 회로 어셈블리는 제 5 자성 요소의 상부 표면과 접속된 제 3 자기 가이드 요소를 더 포함할 수 있다. 제 3 자기 가이드 요소는 제 1 자기장의 자기장 세기의 누출을 억제하도록 구성될 수 있다.
본 개시의 일부 실시 예들에 따르면, 자기 회로 어셈블리는 적어도 하나의 전도성 요소를 더 포함할 수 있다. 적어도 하나의 전도성 요소는 제 1 자성 요소, 제 1 자기 가이드 요소, 또는 제 2 자기 가이드 요소의 적어도 하나 요소와 접속될 수 있다.
본 개시는 골전도 스피커에 관한 것이다. 골전도 스피커는 보이스 코일(voice coil) 및 적어도 하나의 진동 플레이트를 포함하는 진동 어셈블리; 제 1 자기장을 생성하는 제 1 자성 요소를 포함하는 자기 회로 어셈블리; 제 1 자성 요소를 둘러싸도록 구성될 수 있는 제 1 자기 가이드 요소 및 적어도 하나의 제 2 자성 요소, 및 제 2 자성 요소와 제 1 자성 요소 사이에 구성될 수 있는 자기 갭을 포함할 수 있다. 보이스 코일은 자기 갭 내에 위치될 수 있고, 적어도 하나의 제 2 자성 요소는 제 2 자기장을 생성할 수 있고, 제 1 자기장 및 제 2 자기장은 보이스 코일에서 제 1 자기장의 자기장 세기를 증가시킬 수 있다.
본 개시의 일부 추가적인 특징들은 다음의 상세한 설명에서 설명될 수 있다. 본 개시의 추가적인 특징들 중 일부는 다음의 상세한 설명 및 대응하는 도면들의 검토, 또는 실시 예들의 생성 또는 작동에 대한 이해로부터 당업자에게 명백할 것이다. 본 개시에 의해 개시된 특징들은 아래에 설명된 특정 실시 예들의 다양한 방법들, 수단들 및 조합들의 실행 또는 사용을 통해 실현되고 달성될 수 있다.
본 명세서에 설명된 도면들은 본 개시의 보다 나은 이해를 제공하기 위해 사용되며, 이들 모두는 본 명세서의 일부를 형성한다. 본 개시의 예시적인 실시 예(들) 및 상세한 설명은 단지 예시를 위한 것이며 본 개시의 범위를 제한하도록 의도된 것이 아니다. 도면들에서, 동일한 참조 번호들은 동일한 구조들을 나타낸다.
도 1은 본 개시의 일부 실시 예들에 따른 골전도 스피커를 도시하는 블록도이다.
도 2는 본 개시의 일부 실시 예들에 따른 골전도 스피커의 종단면도를 도시하는 개략도이다.
도 3a는 본 개시의 일부 실시 예들에 따른 자기 회로 어셈블리의 종단면도를 도시하는 개략도이다.
도 3b는 본 개시의 일부 실시 예들에 따른 자기 회로 어셈블리의 종단면도를 도시하는 개략도이다.
도 3c는 본 개시의 일부 실시 예들에 따른 자기 회로 어셈블리의 종단면도를 도시하는 개략도이다.
도 3d는 본 개시의 일부 실시 예들에 따른 자기 회로 어셈블리의 종단면도를 도시하는 개략도이다.
도 3e는 본 개시의 일부 실시 예들에 따른 자기 회로 어셈블리의 종단면도를 도시하는 개략도이다.
도 3f는 본 개시의 일부 실시 예들에 따른 자기 회로 어셈블리의 종단면도를 도시하는 개략도이다.
도 3g는 본 개시의 일부 실시 예들에 따른 자기 회로 어셈블리의 종단면도를 도시하는 개략도이다.
도 4a는 본 개시의 일부 실시 예들에 따른 자기 회로 어셈블리의 종단면도를 도시하는 개략도이다.
도 4b는 본 개시의 일부 실시 예들에 따른 자기 회로 어셈블리의 종단면도를 도시하는 개략도이다.
도 4c는 본 개시의 일부 실시 예들에 따른 자기 회로 어셈블리의 종단면도를 도시하는 개략도이다.
도 4d는 본 개시의 일부 실시 예들에 따른 자기 회로 어셈블리의 종단면도를 도시하는 개략도이다.
도 4e는 본 개시의 일부 실시 예들에 따른 자기 회로 어셈블리의 종단면도를 도시하는 개략도이다.
도 4f는 본 개시의 일부 실시 예들에 따른 자기 회로 어셈블리의 종단면도를 도시하는 개략도이다.
도 4g는 본 개시의 일부 실시 예들에 따른 자기 회로 어셈블리의 종단면도를 도시하는 개략도이다.
도 4h는 본 개시의 일부 실시 예들에 따른 자기 회로 어셈블리의 종단면도를 도시하는 개략도이다.
도 4m은 본 개시의 일부 실시 예들에 따른 자기 회로 어셈블리의 종단면도를 도시하는 개략도이다.
도 5a는 본 개시의 일부 실시 예들에 따른 자기 회로 어셈블리의 종단면도를 도시하는 개략도이다.
도 5b는 본 개시의 일부 실시 예들에 따른 자기 회로 어셈블리의 종단면도를 도시하는 개략도이다.
도 5c는 본 개시의 일부 실시 예들에 따른 자기 회로 어셈블리의 종단면도를 도시하는 개략도이다.
도 5d는 본 개시의 일부 실시 예들에 따른 자기 회로 어셈블리의 종단면도를 도시하는 개략도이다.
도 5e는 본 개시의 일부 실시 예들에 따른 자기 회로 어셈블리의 종단면도를 도시하는 개략도이다.
도 5f는 본 개시의 일부 실시 예들에 따른 자기 회로 어셈블리의 종단면도를 도시하는 개략도이다.
도 6a는 본 개시의 일부 실시 예들에 따른 자성 요소의 단면을 도시하는 개략도이다.
도 6b는 본 개시의 일부 실시 예들에 따른 자성 요소를 도시하는 개략도이다.
도 6c는 본 개시의 일부 실시 예들에 따른 자기 회로 어셈블리에서 자성 요소의 자화 방향을 도시하는 개략도이다.
도 6d는 본 개시의 일부 실시 예들에 따른 자기 회로 어셈블리에서 자성 요소의 자기 유도 라인들을 도시하는 개략도이다.
도 7a는 본 개시의 일부 실시 예들에 따른 자기 회로 어셈블리를 도시하는 개략도이다.
도 7b 내지 도 7e는 본 개시의 일부 실시 예들에 따라 도 7a에서의 자기 회로 어셈블리의 파라미터들과 보이스 코일에서의 구동력 계수 사이의 관계 곡선들을 도시하는 개략도이다.
도 8a는 본 개시의 일부 실시 예들에 따른 자기 회로 어셈블리를 도시하는 개략적인 구조도이다.
도 8b 내지 도 8e는 본 개시의 일부 실시 예들에 따라 도시된 보이스 코일에서의 구동력 계수와 도 8a에 도시된 자기 회로 어셈블리의 파라미터들 사이의 관계 곡선들이다.
도 9a는 본 개시의 일부 실시 예들에 따른 자기 회로 어셈블리의 자기 유도 라인들의 분포를 도시하는 개략도이다.
도 9b는 본 개시의 일부 실시 예들에 따라 도 9a의 자기 회로 어셈블리 내의 하나 이상의 구성요소들의 두께와 보이스 코일에서의 자기 유도 강도 사이의 관계 곡선을 도시하는 개략도이다.
도 10a는 본 개시의 일부 실시 예들에 따른 자기 회로 어셈블리의 자기 유도 라인 분포를 도시하는 개략도이다.
도 10b는 본 개시의 일부 실시 예들에 따라 도 10a의 자기 회로 어셈블리 내의 각 요소의 두께와 보이스 코일에서의 자기 유도 강도 사이의 관계 곡선이다.
도 11a는 본 개시의 일부 실시 예들에 따른 자기 회로 어셈블리의 자기 유도 라인 분포를 도시하는 개략도이다.
도 11b는 본 개시의 일부 실시 예들에 따라 도 9a, 도 10a 및 도 11a의 자기 회로 어셈블리의 자기 유도 강도와 자성 요소 두께 사이의 관계 곡선이다.
도 11c는 본 개시의 일부 실시 예들에 따라 도 11a의 자기 회로 어셈블리 내의 각 구성요소의 두께와 보이스 코일에서의 자기 유도 강도 사이의 관계 곡선이다.
도 12a는 본 개시의 일부 실시 예들에 따른 자기 회로 어셈블리를 도시하는 구조적 개략도이다.
도 12b는 본 개시의 일부 실시 예들에 따라 도 12a에 도시된 자기 회로 어셈블리 내의 전도성 요소와 보이스 코일에서의 유도성 리액턴스 사이의 관계 곡선이다.
도 13a는 본 개시의 일부 실시 예들에 따른 자기 회로 어셈블리를 도시하는 개략적인 구조도이다.
도 13b는 본 개시의 일부 실시 예들에 따라 도 13a의 자기 회로 어셈블리 내의 전도성 요소와 보이스 코일에서의 유도성 리액턴스 사이의 관계 곡선이다.
도 14a는 본 개시의 일부 실시 예들에 따른 자기 회로 어셈블리를 도시하는 개략적인 구조도이다.
도 14b는 본 개시의 일부 실시 예들에 따라 도 14a에 도시된 자기 회로 어셈블리 내의 복수의 전도성 요소들과 보이스 코일에서의 유도성 리액턴스 사이의 관계 곡선이다.
도 15a는 본 개시의 일부 실시 예들에 따른 자기 회로 어셈블리를 도시하는 개략적인 구조도이다.
도 15b는 본 개시의 일부 실시 예들에 따라 도 15a에 도시된 자기 회로 어셈블리 내의 각 요소의 두께와 보이스 코일 상의 암페어 힘(ampere force) 사이의 관계 곡선이다.
도 16은 본 개시의 일부 실시 예들에 따른 골전도 스피커를 도시하는 개략적인 구조도이다.
도 17은 본 개시의 일부 실시 예들에 따른 골전도 스피커를 도시하는 개략적인 구조도이다.
도 18은 본 개시의 일부 실시 예들에 따른 골전도 스피커를 도시하는 개략적인 구조도이다.
도 19는 본 개시의 일부 실시 예들에 따른 골전도 스피커를 도시하는 개략적인 구조도이다.
도 1은 본 개시의 일부 실시 예들에 따른 골전도 스피커를 도시하는 블록도이다.
도 2는 본 개시의 일부 실시 예들에 따른 골전도 스피커의 종단면도를 도시하는 개략도이다.
도 3a는 본 개시의 일부 실시 예들에 따른 자기 회로 어셈블리의 종단면도를 도시하는 개략도이다.
도 3b는 본 개시의 일부 실시 예들에 따른 자기 회로 어셈블리의 종단면도를 도시하는 개략도이다.
도 3c는 본 개시의 일부 실시 예들에 따른 자기 회로 어셈블리의 종단면도를 도시하는 개략도이다.
도 3d는 본 개시의 일부 실시 예들에 따른 자기 회로 어셈블리의 종단면도를 도시하는 개략도이다.
도 3e는 본 개시의 일부 실시 예들에 따른 자기 회로 어셈블리의 종단면도를 도시하는 개략도이다.
도 3f는 본 개시의 일부 실시 예들에 따른 자기 회로 어셈블리의 종단면도를 도시하는 개략도이다.
도 3g는 본 개시의 일부 실시 예들에 따른 자기 회로 어셈블리의 종단면도를 도시하는 개략도이다.
도 4a는 본 개시의 일부 실시 예들에 따른 자기 회로 어셈블리의 종단면도를 도시하는 개략도이다.
도 4b는 본 개시의 일부 실시 예들에 따른 자기 회로 어셈블리의 종단면도를 도시하는 개략도이다.
도 4c는 본 개시의 일부 실시 예들에 따른 자기 회로 어셈블리의 종단면도를 도시하는 개략도이다.
도 4d는 본 개시의 일부 실시 예들에 따른 자기 회로 어셈블리의 종단면도를 도시하는 개략도이다.
도 4e는 본 개시의 일부 실시 예들에 따른 자기 회로 어셈블리의 종단면도를 도시하는 개략도이다.
도 4f는 본 개시의 일부 실시 예들에 따른 자기 회로 어셈블리의 종단면도를 도시하는 개략도이다.
도 4g는 본 개시의 일부 실시 예들에 따른 자기 회로 어셈블리의 종단면도를 도시하는 개략도이다.
도 4h는 본 개시의 일부 실시 예들에 따른 자기 회로 어셈블리의 종단면도를 도시하는 개략도이다.
도 4m은 본 개시의 일부 실시 예들에 따른 자기 회로 어셈블리의 종단면도를 도시하는 개략도이다.
도 5a는 본 개시의 일부 실시 예들에 따른 자기 회로 어셈블리의 종단면도를 도시하는 개략도이다.
도 5b는 본 개시의 일부 실시 예들에 따른 자기 회로 어셈블리의 종단면도를 도시하는 개략도이다.
도 5c는 본 개시의 일부 실시 예들에 따른 자기 회로 어셈블리의 종단면도를 도시하는 개략도이다.
도 5d는 본 개시의 일부 실시 예들에 따른 자기 회로 어셈블리의 종단면도를 도시하는 개략도이다.
도 5e는 본 개시의 일부 실시 예들에 따른 자기 회로 어셈블리의 종단면도를 도시하는 개략도이다.
도 5f는 본 개시의 일부 실시 예들에 따른 자기 회로 어셈블리의 종단면도를 도시하는 개략도이다.
도 6a는 본 개시의 일부 실시 예들에 따른 자성 요소의 단면을 도시하는 개략도이다.
도 6b는 본 개시의 일부 실시 예들에 따른 자성 요소를 도시하는 개략도이다.
도 6c는 본 개시의 일부 실시 예들에 따른 자기 회로 어셈블리에서 자성 요소의 자화 방향을 도시하는 개략도이다.
도 6d는 본 개시의 일부 실시 예들에 따른 자기 회로 어셈블리에서 자성 요소의 자기 유도 라인들을 도시하는 개략도이다.
도 7a는 본 개시의 일부 실시 예들에 따른 자기 회로 어셈블리를 도시하는 개략도이다.
도 7b 내지 도 7e는 본 개시의 일부 실시 예들에 따라 도 7a에서의 자기 회로 어셈블리의 파라미터들과 보이스 코일에서의 구동력 계수 사이의 관계 곡선들을 도시하는 개략도이다.
도 8a는 본 개시의 일부 실시 예들에 따른 자기 회로 어셈블리를 도시하는 개략적인 구조도이다.
도 8b 내지 도 8e는 본 개시의 일부 실시 예들에 따라 도시된 보이스 코일에서의 구동력 계수와 도 8a에 도시된 자기 회로 어셈블리의 파라미터들 사이의 관계 곡선들이다.
도 9a는 본 개시의 일부 실시 예들에 따른 자기 회로 어셈블리의 자기 유도 라인들의 분포를 도시하는 개략도이다.
도 9b는 본 개시의 일부 실시 예들에 따라 도 9a의 자기 회로 어셈블리 내의 하나 이상의 구성요소들의 두께와 보이스 코일에서의 자기 유도 강도 사이의 관계 곡선을 도시하는 개략도이다.
도 10a는 본 개시의 일부 실시 예들에 따른 자기 회로 어셈블리의 자기 유도 라인 분포를 도시하는 개략도이다.
도 10b는 본 개시의 일부 실시 예들에 따라 도 10a의 자기 회로 어셈블리 내의 각 요소의 두께와 보이스 코일에서의 자기 유도 강도 사이의 관계 곡선이다.
도 11a는 본 개시의 일부 실시 예들에 따른 자기 회로 어셈블리의 자기 유도 라인 분포를 도시하는 개략도이다.
도 11b는 본 개시의 일부 실시 예들에 따라 도 9a, 도 10a 및 도 11a의 자기 회로 어셈블리의 자기 유도 강도와 자성 요소 두께 사이의 관계 곡선이다.
도 11c는 본 개시의 일부 실시 예들에 따라 도 11a의 자기 회로 어셈블리 내의 각 구성요소의 두께와 보이스 코일에서의 자기 유도 강도 사이의 관계 곡선이다.
도 12a는 본 개시의 일부 실시 예들에 따른 자기 회로 어셈블리를 도시하는 구조적 개략도이다.
도 12b는 본 개시의 일부 실시 예들에 따라 도 12a에 도시된 자기 회로 어셈블리 내의 전도성 요소와 보이스 코일에서의 유도성 리액턴스 사이의 관계 곡선이다.
도 13a는 본 개시의 일부 실시 예들에 따른 자기 회로 어셈블리를 도시하는 개략적인 구조도이다.
도 13b는 본 개시의 일부 실시 예들에 따라 도 13a의 자기 회로 어셈블리 내의 전도성 요소와 보이스 코일에서의 유도성 리액턴스 사이의 관계 곡선이다.
도 14a는 본 개시의 일부 실시 예들에 따른 자기 회로 어셈블리를 도시하는 개략적인 구조도이다.
도 14b는 본 개시의 일부 실시 예들에 따라 도 14a에 도시된 자기 회로 어셈블리 내의 복수의 전도성 요소들과 보이스 코일에서의 유도성 리액턴스 사이의 관계 곡선이다.
도 15a는 본 개시의 일부 실시 예들에 따른 자기 회로 어셈블리를 도시하는 개략적인 구조도이다.
도 15b는 본 개시의 일부 실시 예들에 따라 도 15a에 도시된 자기 회로 어셈블리 내의 각 요소의 두께와 보이스 코일 상의 암페어 힘(ampere force) 사이의 관계 곡선이다.
도 16은 본 개시의 일부 실시 예들에 따른 골전도 스피커를 도시하는 개략적인 구조도이다.
도 17은 본 개시의 일부 실시 예들에 따른 골전도 스피커를 도시하는 개략적인 구조도이다.
도 18은 본 개시의 일부 실시 예들에 따른 골전도 스피커를 도시하는 개략적인 구조도이다.
도 19는 본 개시의 일부 실시 예들에 따른 골전도 스피커를 도시하는 개략적인 구조도이다.
본 개시의 실시 예들과 관련된 기술적 솔루션들을 설명하기 위해, 실시 예들의 상세한 설명에서 언급된 도면들의 간략한 소개가 하기에 제공된다. 명백하게, 하기에서 설명되는 도면들은 본 개시의 일부 예들 또는 실시 예들일 뿐이다. 추가적인 창의적 노력없이도 본 기술 분야의 통상의 지식을 가진자들은 본 개시를 이들 도면들에 따른 다른 유사한 시나리오들에 적용할 수 있다. 예시적인 실시 예들은 본 기술 분야의 숙련자들에 의한 본 개시의 더 나은 이해 및 적용을 위해 제공되며, 본 개시의 범위를 제한하도록 의도된 것이 아님을 이해해야 한다. 문맥으로부터 명백하게 얻어지지 않는 한, 또는 문맥에서 그렇지 않다고 설명하지 않는 한, 도면들에서 동일한 숫자는 동일한 구조 또는 작동을 지칭한다.
본 개시 및 첨부된 청구 범위에 사용된 바와 같이, 단수 형태의 표현들("a", "an” 및 "the")은 내용이 명확하게 달리 지시하지 않는 한 복수의 대상들을 포함한다. 일반적으로, "구비하다” 및 "포함하다"라는 용어들은 단지 명확하게 식별된 단계들 및 요소들을 포함한다는 것을 알려주는 것일뿐이고, 이들 단계들 및 요소들이 배타적 리스트를 구성하지 않는다. 방법들 또는 디바이스들은 또한 다른 단계들 또는 요소들을 포함할 수 있다. "~에 기반하여 또는 ~에 기초하여"라는 용어는 "~에 적어도 부분적으로 기반 또는 기초하는” 것 이다. "하나의 실시 예"라는 용어는 "적어도 하나의 실시 예"를 의미하고; "다른 실시 예"라는 용어는 "적어도 하나의 다른 실시 예"를 의미한다. 다른 용어들의 관련된 정의는 하기의 상세한 설명에서 제공될 것이다. 하기의 설명에 있어서, 일반성을 잃지 않고서, 본 개시에서 골전도(bone conduction) 관련 기술들을 설명할 때 "골전도 스피커” 또는 "골전도 헤드셋"의 기재가 사용될 것이다. 이러한 기재는 단지 골전도 응용의 한 형태 일뿐이다. 당업자의 경우에 있어서, "스피커” 또는 "헤드폰"은 또한 "플레이어", "보청기(hearing aid)” 등과 같은 다른 유사한 단어들로 대체될 수도 있다. 실제로, 본 개시의 다양한 구현들이 다른 비 스피커 타입의 청각 디바이스들(other non-speaker-type hearing devices)에 용이하게 적용될 수 있다. 예를 들어, 당업자의 경우에 있어서, 골전도 스피커의 기본 원리를 이해한 후에, 이러한 원리를 벗어나지 않으면서 골전도 스피커를 구현하는 특정 수단 및 단계들의 형태 및 세부 사항들의 다양한 수정들과 변경들을 수행하는 것이 가능하다. 특히, 골전도 스피커가 보청기의 기능을 구현하는 것을 가능하게 하도록 주변 사운드 픽업 및 처리 기능이 골전도 스피커에 추가될 수 있다. 예를 들어, 마이크로폰과 같은 마이크들은 사용자/착용자의 주변 환경(surroundings)의 사운드를 픽업하고, 특정 알고리즘 하에서, 처리된(또는 생성된 전기 신호) 사운드를 골전도 스피커로 전송할 수 있는데, 즉 골전도 스피커는 주변 사운드를 픽업하는 기능을 포함하도록 수정될 수 있고, 특정 신호 처리 후, 사운드는 골전도 스피커를 통해 사용자/착용자에게 전송되어 그에 따라 골전도 보청기의 기능을 실현한다. 예를 들어, 여기에 언급된 알고리즘은 잡음 제거 알고리즘, 자동 이득 제어 알고리즘, 음향 피드백 억제 알고리즘, 광역 동적 범위 압축 알고리즘, 능동적 환경 인식 알고리즘, 능동적 잡음 감소 알고리즘, 방향 처리 알고리즘, 이명 처리 알고리즘, 다 채널 광역 동적 범위 압축 알고리즘, 능동적 하울링 억제 알고리즘, 볼륨 제어 알고리즘 등, 또는 이들의 임의의 조합을 포함할 수 있다.
본 개시는 고감도 골전도 스피커(highly sensitive bone conduction speaker)를 제공한다. 일부 실시 예들에서, 골전도 스피커는 자기 회로 어셈블리를 포함할 수 있다. 자기 회로 어셈블리는 제 1 자기장을 생성할 수 있다. 자기 회로 어셈블리는 제 1 자성 요소, 제 1 자기 가이드 요소, 제 2 자기 가이드 요소, 및 하나 이상의 제 2 자성 요소들을 포함할 수 있다. 제 1 자성 요소는 제 2 자기장을 생성할 수 있고, 하나 이상의 제 2 자성 요소들은 제 1 자성 요소를 둘러싸도록 구성될 수 있고, 자기 갭이 하나 이상의 제 2 자성 요소들과 제 1 자성 요소 사이에 구성될 수 있다. 자기 갭 내의 제 1 자기장의 자기장 세기는 자기 갭 내의 제 2 자기장의 자기장 세기를 초과할 수 있다. 제 1 자성 요소를 둘러싸는 자기 회로 어셈블리 내의 하나 이상의 제 2 자성 요소들의 배열은 자기 회로 어셈블리의 부피 및 무게를 감소시킬 수 있고, 골전도 스피커의 효율을 향상시킬 수 있으며,
자기 갭 내에서 자기장 세기 및 골전도 스피커의 감도를 증가시키는 경우 골전도 스피커의 서비스 수명을 증가시킬 수 있다.
골전도 스피커는 소형, 경량, 고효율, 고감도, 긴 서비스 수명 등을 가질 수 있으며, 이는 골전도 스피커를 웨어러블 스마트 장치와 결합하는데 편리하며, 그에 따라 단일 장치의 여러 기능들을 달성하고 사용자 경험을 개선하고 최적화하다. 웨어러블 스마트 장치는 스마트 헤드폰, 스마트 안경, 스마트 헤드밴드, 스마트 헬멧, 스마트 시계, 스마트 장갑, 스마트 신발, 스마트 카메라, 스마트 카메라 등을 포함할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 골전도 스피커는 또한 사용자의 의류, 장갑, 모자, 신발 등의 제조 재료에 골전도 스피커를 통합하기 위해 스마트 재료와 결합될 수 있다. 골전도 스피커는 또한 인체에 이식될 수 있으며, 보다 개인화된 기능을 달성하기 위해 인체 또는 외부 프로세서에 이식된 칩과 협력할 수 있다.
도 1은 본 개시의 일부 실시 예들에 따른 골전도 스피커(100)를 도시하는 블록도이다. 도시된 바와 같이, 골전도 스피커(100)는 자기 회로 어셈블리(102), 진동 어셈블리(104), 지지 어셈블리(106), 및 저장 어셈블리(108)를 포함할 수 있다.
자기 회로 어셈블리(102)는 자기장을 제공할 수 있다. 자기장은 사운드 정보를 포함하는 신호를 진동 신호로 변환하는 데 사용될 수 있다. 일부 실시 예들에서, 사운드 정보는 특정 데이터 포맷을 갖는 비디오 및/또는 오디오 파일, 또는 특정 방식으로 사운드로 변환될 수 있는 데이터 또는 파일들을 포함할 수 있다. 사운드 신호는 골전도 스피커(100) 자체의 저장 어셈블리(108)로부터 오거나 또는 골전도 스피커(100) 이외의 정보 생성, 저장, 또는 전송 시스템으로부터 온 것일 수 있다. 사운드 신호는 전기 신호, 광학 신호, 자기 신호, 기계적 신호 등 또는 이들의 임의의 조합을 포함할 수 있다. 사운드 신호는 신호 소스 또는 복수의 신호 소스들로부터 온 것일 수 있다. 복수의 신호 소스들은 관련될 수도 있고 관련되지 않을 수도 있다. 일부 실시 예들에서, 골전도 스피커(100)는 다양한 상이한 방식들로 사운드 신호를 획득할 수 있다. 신호의 획득은 유선 또는 무선으로 될 수 있으며, 실시간 또는 지연될 수 있다. 예를 들어, 골전도 스피커(100)는 유선 또는 무선 방식을 통해 전기 사운드 신호를 수신하거나, 저장 매체(예를 들어, 저장 어셈블리(108))로부터 직접 데이터를 획득하여 사운드 신호를 생성할 수 있다. 다른 예로서, 골전도 보청기는 사운드 수집을 위한 구성요소를 포함할 수 있다. 사운드의 기계적 진동은 환경에서 사운드를 픽업함으로써 전기 신호로 변환될 수 있고, 특정 요건들을 충족시키는 전기 신호가 증폭기에 의해 처리된 후에 획득될 수 있다. 일부 실시 예들에 있어서, 유선 접속은 금속 케이블, 광 케이블, 또는 금속과 광학의 하이브리드 케이블, 예를 들어 동축 케이블, 통신 케이블, 가요성 케이블, 나선형 케이블, 비금속 피복 케이블(non-metal sheathed cable), 금속 피복 케이블(metal sheathed cable), 멀티 코어 케이블, 트위스트 페어 케이블(twisted pair cable), 리본 케이블(ribbon cable), 쉴드 케이블(shielded cable), 통신 케이블, 트위스트 페어 케이블, 병렬 트윈 컨덕터(parallel twin conductor), 트위스트 페어 등, 또는 이들의 조합을 사용하는 것을 포함할 수 있다. 위에서 설명한 예들은 설명의 편의를 위한 것이다. 유선 접속을 위한 매체는 또한 다른 전기 또는 광학 신호 전송 캐리어들과 같은 다른 유형일 수도 있다.
무선 접속은 라디오 통신, 자유 공간 광 통신, 음향 통신, 및 전자기 유도 등을 포함할 수 있다. 라디오 통신은 IEEE1002.11 표준, IEEE1002.15 표준(예를 들어, 블루투스 기술 및 지그비 기술 등), 1 세대 이동 통신 기술, 2 세대 이동 통신 기술(예를 들어, FDMA, TDMA, SDMA, CDMA, SSMA 등), 일반적인 패킷 무선 서비스 기술, 3 세대 이동 통신 기술(예를 들어, CDMA2000, WCDMA, TD-SCDMA 및 WiMAX 등), 4 세대 모바일 통신 기술(예를 들어, TD-LTE 및 FDD-LTE 등), 위성 통신(예를 들어, GPS 기술 등), 근거리 통신(NFC), 및 ISM 대역(예를 들어, 2.4 GHz 등)에서 작동하는 기타 기술들을 포함할 수 있으며; 자유 공간 광 통신은 가시 광선, 적외선 신호 등을 사용하는 것을 포함할 수 있고; 음향 통신은 음파, 초음파 신호 등을 사용하는 것을 포함할 수 있고; 전자기 유도는 근거리 통신 기술 등을 포함할 수 있다. 위에서 설명한 예들은 예시적인 목적만을 위한 것이다. 무선 접속을 위한 매체는 Z-파 기술(Z-wave technique), 다른 유료 민간 무선 주파수 대역, 군사 무선 주파수 대역 등과 같은 다른 유형들이 될 수 있다. 예를 들어, 골전도 스피커(100)는 블루투스를 통해 다른 장치들로부터의 사운드 신호를 획득할 수 있다.
진동 어셈블리(104)는 기계적 진동을 발생시킬 수 있다. 기계적 진동의 발생은 에너지 변환에 의해 동반될 수 있다. 골전도 스피커(100)는 사운드 신호를 기계적 진동으로 변환하기 위해 특정 자기 회로 어셈블리(102) 및 진동 어셈블리(104)를 사용할 수 있다. 변환 프로세스는 많은 상이한 에너지 유형들의 공존 및 변환을 포함할 수 있다. 예를 들어, 전기 사운드 신호는 트랜스듀서를 통해 기계적 진동으로 직접 변환되어 사운드를 생성할 수 있다. 다른 예로서, 사운드 정보는 광 신호에 포함될 수 있으며, 특정 트랜스듀서는 광 신호를 진동 신호로 변환할 수 있다. 트랜스듀서의 작동 중에 공존할 수 있으며 변환할 수 있는 다른 에너지의 유형들은 열 에너지, 자기장 에너지 등을 포함할 수 있다. 에너지 변환 방식에 따라, 트랜스듀서는 이동 코일 유형, 정전기 유형, 압전 유형, 이동 아이언 유형, 뉴메틱 유형, 전자기 유형 등을 포함할 수 있다. 골전도 스피커(100)의 주파수 응답 범위 및 사운드 품질은 진동 조립체(104)에 의해 영향을 받을 수 있다. 예를 들어, 이동 코일 유형을 갖는 변환기에서, 진동 어셈블리(104)는 원통형 코일 및 진동기(예를 들어, 진동 플레이트)를 포함할 수 있다. 신호 전류에 의해 구동되는 원통형 코일은 진동기를 구동하여 자기 회로 어셈블리(102)에 의해 제공되는 자기장에서 진동하여 사운드를 낼 수 있다. 골전도 스피커(100)의 사운드 품질은 진동기의 팽창 및 수축, 변형, 크기, 형상, 고정 수단 등, 및 자기 회로 어셈블리(102)에서 영구 자석의 자기 밀도에 의해 영향을 받을 수 있다. 진동 어셈블리(104)의 진동기는 거울-대칭 구조, 중심-대칭 구조, 또는 비대칭 구조일 수 있다. 진동기는 다수의 구멍들로 구성될 수 있어서, 진동기는 더 큰 변위를 가질 수 있고, 이에 의해 더 높은 감도를 달성하고, 골전도 스피커에 대한 진동 및 사운드의 출력(output power)을 향상시킨다. 진동기는 하나 이상의 동축 환형체(coaxial annular bodies)로서 제공될 수 있다. 중심을 향해 수렴될 수 있는 복수의 지지 로드들(supporting rods)이 하나 이상의 동축 환형체들 각각에 배열될 수 있다. 지지 로드들의 개수는 둘 이상일 수 있다.
지지 어셈블리(106)는 자기 회로 어셈블리(102), 진동 어셈블리(104), 및/또는 저장 어셈블리(108)를 지지할 수 있다. 지지 어셈블리(106)는 하나 이상의 하우징들, 하나 이상의 커넥터들을 포함할 수 있다. 하나 이상의 하우징들은 자기 회로 어셈블리(102), 진동 어셈블리(104), 및/또는 저장 어셈블리(108)를 수용하도록 구성된 공간을 형성할 수 있다. 하나 이상의 커넥터들은 하우징들을 자기 회로 어셈블리(102), 진동 어셈블리(104), 및/또는 저장 어셈블리(108)와 접속할 수 있다.
저장 어셈블리(108)는 사운드 신호들을 저장할 수 있다. 일부 실시 예들에서, 저장 어셈블리(108)는 하나 이상의 저장 장치들을 포함할 수 있다. 하나 이상의 저장 장치들은 저장 시스템(예를 들어, 직접 접속 저장소(direct attached storage), 네트워크 접속 저장소, 및 저장 영역 네트워크 등) 상의 저장 장치들을 포함할 수 있다. 하나 이상의 저장 장치들은 고체 저장 장치(예를 들어, 고체 하드 디스크, 고체 하이브리드 하드 디스크 등), 기계적 하드 디스크, USB 플래시 메모리, 메모리 스틱, 메모리 카드(예를 들어, CF, SD 등), 기타 드라이버(예를 들어, CD, DVD, HD DVD, 블루레이(Blu-ray) 등), 랜덤 액세스 메모리(RAM) 및 읽기 전용 메모리(ROM)와 같은 다양한 유형들의 저장 장치들을 포함할 수 있다. RAM은 디카트론(dekatron), 셀렉트론(selectron), 지연 라인 메모리, 윌리엄스 튜브(Williams tubes), 동적 랜덤 액세스 메모리(DRAM), 정적 랜덤 액세스 메모리(SRAM), 사이리스터 랜덤 액세스 메모리(T-RAM), 제로 커패시터 랜덤 액세스 메모리(Z-RAM) 등을 포함할 수 있다. ROM은 버블 메모리, 트위스터 메모리, 필름 메모리, 도금 와이어 메모리, 자기 코어 메모리, 드럼 메모리, CD-ROM, 하드 디스크, 테이프, 비 휘발성 랜덤 액세스 메모리(NVRAM), 위상 변화 메모리, 자기 저항 랜덤 액세스 메모리(magneto-resistive random access memory), 강유전성 랜덤 액세스 메모리(ferroelectric random access memory), 비 휘발성 SRAM, 플래시 메모리, 전기적으로 소거 가능한 프로그램 가능 읽기 전용 메모리, 소거 가능한 프로그램 가능 읽기 전용 메모리, 프로그램 가능한 읽기 전용 메모리, 마스크 ROM, 플로팅 게이트 랜덤 액세스 메모리, 나노 랜덤 액세스 메모리, 레이스트랙 메모리(racetrack memory), 저항성 랜덤 액세스 메모리, 프로그램 가능한 금속화 유닛 등을 포함할 수 있다. 위에서 언급한 저장 장치/저장 유닛은 일부 예들의 리스트이다. 저장 장치/저장 유닛은 이에 한정되지 않는 저장 장치를 사용할 수 있다.
골전도 스피커에 대한 상기 설명은 단지 특정 예일 수 있으며, 유일한 실현 가능한 구현 솔루션으로 간주되어서는 안된다. 명백하게도, 당업자의 경우에 있어서, 골전도 스피커의 기본 원리를 이해한 후에, 이러한 원리를 벗어나지 않으면서 골전도 스피커를 구현하기 위한 특정 수단 및 단계들의 형태 및 세부 사항들의 다양한 수정들과 변경들을 수행하는 것이 가능하지만, 이러한 수정들과 변경들은 여전히 위에서 설명된 범위 내에 있다. 예를 들어, 골전도 스피커(100)는 하나 이상의 프로세서들을 포함할 수 있고, 하나 이상의 프로세서들은 사운드 신호들을 처리하기 위한 하나 이상의 알고리즘들을 실행할 수 있다. 사운드 신호들을 처리하기 위한 알고리즘들은 사운드 신호를 수정하거나 강화할 수 있다. 예를 들어, 노이즈 감소, 음향 피드백 억제, 광역 동적 범위 압축, 자동 이득 제어, 능동적 환경 인식, 능동적 잡음 감소, 방향 처리, 이명 처리, 다중 채널 광역 동적 범위 압축, 능동적 하울링 억제, 볼륨 제어, 또는 상기 처리의 다른 유사한 또는 임의의 조합이 사운드 신호들에 대해 수행될 수 있다. 이러한 수정들 및 변경들은 여전히 본 개시의 보호 범위 내에 있다. 다른 예로서, 골전도 스피커(100)는 온도 센서, 습도 센서, 속도 센서, 변위 센서 등과 같은 하나 이상의 센서들을 포함할 수 있다. 센서는 사용자 정보 또는 환경 정보를 수집할 수 있다.
도 2는 본 개시의 일부 실시 예들에 따른 골전도 스피커(200)의 수직 단면을 도시하는 개략도이다. 도시된 바와 같이, 골전도 스피커(200)는 제 1 자성 요소(202), 제 1 자기 가이드 요소(204), 제 2 자기 가이드 요소(206), 제 1 진동 플레이트(208), 보이스 코일(210), 제 2 진동 플레이트(212), 및 진동 패널(214)을 포함할 수 있다.
본 명세서에 사용된 바와 같이, 본 개시에 설명된 자성 요소는 자석과 같이 자기장을 생성할 수 있는 요소를 지칭한다. 자성 요소는 자화 방향을 가질 수 있고, 자화 방향은 자성 요소 내부의 자기장 방향을 지칭할 수 있다. 제 1 자성 요소(202)는 하나 이상의 자석들을 포함할 수 있다. 일부 실시 예들에서, 자석은 금속 합금 자석, 페라이트 등을 포함할 수 있다. 금속 합금 자석은 네오디뮴 철 붕소, 사마륨 코발트, 알루미늄 니켈 코발트, 철 크롬 코발트, 알루미늄 철 붕소, 철 탄소 알루미늄 등, 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다. 페라이트는 바륨 페라이트, 스틸 페라이트, 망간 페라이트, 리튬 망간 페라이트 등, 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다.
제 1 자기 가이드 요소(204)의 하부 표면은 제 1 자성 요소(202)의 상부 표면과 접속될 수 있다. 제 2 자기 가이드 요소(206)는 제 1 자성 요소(202)와 접속될 수 있다. 본 명세서에서 사용되는 자기 가이드 요소는 또한 자기장 집중기(magnetic field concentrator) 또는 철심(iron core)으로 지칭될 수 있음에 유의해야 한다. 자기 가이드 요소는 자기장(예를 들어, 제 1 자성 요소(202)에 의해 생성된 자기장)의 분포를 조정할 수 있다. 자기 가이드 요소는 연자성 재료(soft magnetic material)로 만들어 질 수 있다. 일부 실시 예들에서, 연자성 재료는 금속 재료, 금속 합금, 금속 산화물 재료, 비정질 금속 재료 등을 포함할 수 있으며, 예를 들어 철, 철-실리콘계 합금, 철-알루미늄계 합금, 니켈-철계 합금, 철-코발트계 합금, 저탄소강, 실리콘 강판, 실리콘 강판, 페라이트 등을 들 수 있다. 일부 실시 예들에서, 자기 가이드 요소는 주조(casting), 플라스틱 가공, 절단 가공, 분말 야금(powder metallurgy) 등, 또는 이들의 임의의 조합에 의해 제조될 수 있다. 주조는 모래 주조, 매몰 주조(investment casting), 압력 주조, 원심 주조(centrifugal casting) 등을 포함할 수 있다. 플라스틱 가공은 롤링, 주조, 단조(forging), 스탬핑, 압출, 드로잉 등, 또는 이들의 임의의 조합을 포함할 수 있다. 절단 가공은 터닝, 밀링, 플래닝, 그라인딩 등을 포함할 수 있다. 일부 실시 예들에서, 자기 가이드 요소의 처리 수단은 3D 프린팅, CNC 공작 기계 등을 포함할 수 있다. 제 1 자기 가이드 요소(204)와 제 2 자기 가이드 요소(206)와 제 1 자성 요소(202) 사이의 접속 수단은 본딩(bonding), 클램핑(clamping), 용접, 리벳팅(riveting), 볼팅(bolting) 등, 또는 이들의 임의의 조합을 포함할 수 있다. 일부 실시 예들에서, 제 1 자성 요소(202), 제 1 자기 가이드 요소(204), 및 제 2 자기 가이드 요소(206)는 축 대칭 구조로서 구성될 수 있다. 축 대칭 구조는 환형 구조, 주상 구조, 또는 다른 축 대칭 구조들일 수 있다.
일부 실시 예들에서, 자기 갭이 제 1 자성 요소(202)와 제 2 자기 가이드 요소(206) 사이에 형성될 수 있다. 보이스 코일(210)이 자기 갭 내에 위치될 수 있다. 보이스 코일(210)은 제 1 진동 플레이트(208)와 접속될 수 있다. 제 1 진동 플레이트(208)는 제 2 진동 플레이트(212)와 접속될 수 있고, 제 2 진동 플레이트(212)는 진동 패널(214)과 접속될 수 있다. 보이스 코일(210)에 전류가 흐를 때, 보이스 코일(210)은 제 1 자성 요소(202), 제 1 자기 가이드 요소(214), 및 제 2 자기 가이드 요소(206)에 의해 형성된 자기장 내에 위치될 수 있고, 자기장 하에서 발생되는 암페어 힘(ampere force)에 의해 영향을 받게 된다. 암페어 힘은 보이스 코일(210)을 진동하도록 만들고, 보이스 코일(210)의 진동은 제 1 진동 플레이트(208), 제 2 진동 플레이트(212), 및 진동 패널(214)의 진동을 만들 수 있다. 진동 패널(214)은 조직과 뼈를 통해 청각 신경으로 진동을 전달하여 사람이 사운드를 들을 수 있다. 진동 패널(214)은 사람의 피부와 직접 접촉할 수 있거나, 또는 특정 재료로 구성된 진동 전달 층을 통해 피부와 접촉할 수 있다.
일부 실시 예들에서, 단일 자성 요소를 갖는 일부 골전도 스피커의 경우, 보이스 코일을 통과하는 자기 유도 라인은 불균일하고 분기될 수 있다. 동시에, 자기 회로에 자기 누출(magnetic leakage)이 존재할 수 있다. 더 많은 자기 유도 라인들이 자기 갭 외부에 있을 수 있고, 보이스 코일을 통과하지 못할 수 있으며, 따라서 보이스 코일의 위치에서 자기 유도 강도(또는 자기장 세기)가 감소하여 그에 따라 골전도 스피커의 감도에 영향을 미친다. 따라서, 골전도 스피커(200)는 적어도 하나의 제 2 자성 요소 및/또는 적어도 하나의 제 3 자기 가이드 요소(도시되지 않음)를 더 포함할 수 있다. 적어도 하나의 제 2 자성 요소 및/또는 적어도 하나의 제 3 자기 가이드 요소는 자기 유도 라인의 누출을 억제하고 보이스 코일을 통과하는 자기 유도 라인들의 형상을 제한할 수 있고, 따라서 더 많은 자기 라인들이 가능한 한 수평으로 그리고 밀집해서 보이스 코일을 통과하여 보이스 코일의 위치에서 자기 유도 강도(또는 자기장 세기)를 향상시키며, 그에 따라 골전도 스피커(200)의 감도 및 기계적 변환 효율(예를 들어, 골전도 스피커(200)로 입력된 전기 에너지를 음성 코일 진동의 기계적 에너지로 변환하는 효율)를 개선시킨다. 적어도 하나의 제 2 자성 요소에 대한 더 많은 설명들에 대해서는 본 개시의 다른 곳에서 찾아볼 수 있다(예를 들어,도 3a 내지 도 3g, 도 4a 내지 도 4m 및/또는 도 5a 내지 도 5f와, 그에 대한 설명).
골전도 스피커(200)에 대한 상기 설명은 단지 특정 예일 수 있으며, 유일한 실현 가능한 구현 솔루션으로 간주되어서는 안된다. 명백하게도, 당업자의 경우에 있어서, 골전도 스피커의 기본 원리를 이해 한 후에, 이러한 원리를 벗어나지 않으면서 골전도 스피커를 구현하기 위한 특정 수단 및 단계들의 형태 및 세부 사항들의 다양한 수정들과 변경들을 수행하는 것이 가능하지만, 이러한 수정들과 변경들은 여전히 위에서 설명된 범위 내에 있다. 예를 들어, 골전도 스피커(200)는 하우징, 커넥터 등을 포함할 수 있다. 커넥터는 진동 패널(214)과 하우징을 접속할 수 있다. 다른 예로서, 골전도 스피커(200)는 제 2 자성 요소를 포함할 수 있고, 제 2 자기 소자는 제 1 자기 가이드 요소(204)와 접속될 수 있다. 다른 예로서, 골전도 스피커(200)는 하나 이상의 환형 자성 요소들을 더 포함할 수 있고, 환형 자성 요소들은 제 2 자기 가이드 요소(206)와 접속될 수 있다.
도 3a는 본 개시의 일부 실시 예들에 따른 자기 회로 어셈블리(3100)의 종단면을 도시하는 개략도이다. 도 3a에 도시된 바와 같이, 자기 회로 어셈블리(3100)는 제 1 자성 요소(302), 제 1 자기 가이드 요소(304), 제 2 자기 가이드 요소(306), 및 제 2 자성 요소(308)를 포함할 수 있다. 일부 실시 예들에서, 제 1 자성 요소(302) 및/또는 제 2 자성 요소(308)는 본 개시에 설명된 바와 같은 하나 이상의 자석들을 포함할 수 있다. 일부 실시 예들에서, 제 1 자성 요소(302)는 제 1 자석을 포함할 수 있고, 제 2 자성 요소(308)는 제 2 자석을 포함할 수 있다. 제 1 자석은 제 2 자석과 동일하거나 상이할 수 있다. 제 1 자기 가이드 요소(304) 및/또는 제 2 자기 가이드 요소(306)는 본 개시에 설명된 바와 같이 하나 이상의 투과성 자성 재료들을 포함할 수 있다. 제 1 자기 가이드 요소(304) 및/또는 제 2 자기 가이드 요소(306)는 본 개시에서 설명된 바와 같이 임의의 하나 이상의 처리 수단들을 사용하여 제작될 수 있다. 일부 실시 예들에서, 제 1 자성 요소(302) 및/또는 제 1 자기 가이드 요소(304)는 축 대칭일 수 있다. 예를 들어, 제 1 자성 요소(302) 및/또는 제 1 자기 가이드 요소(304)는 실린더, 직사각형 평행육면체 또는 중공 링(hollow ring)(예를 들어, 단면은 활주로의 형상이다)이 될 수 있다. 일부 실시 예들에서, 제 1 자성 요소(302) 및 제 1 자기 가이드 요소(304)는 동일하거나 상이한 직경을 갖는 동축 실린더들일 수 있다. 일부 실시 예들에서, 제 2 자기 가이드 요소(306)는 그루브형 구조(groove-type structure)일 수 있다. 그루브형 구조는 (도 3a에 도시된 바와 같이) U 자형 단면을 포함할 수 있다. 그루브형 구조를 갖는 제 2 자기 가이드 요소(306)는 베이스 플레이트 및 측벽을 포함할 수 있다. 일부 실시 예들에서, 베이스 플레이트와 측벽은 일체로 형성될 수 있다. 예를 들어, 측벽은 베이스 플레이트와 수직인 방향으로 베이스 플레이트를 연장함으로써 형성될 수 있다. 일부 실시 예들에서, 베이스 플레이트는 본 개시에서 설명된 바와 같이 임의의 하나 이상의 접속 수단들을 통해 측벽과 접속될 수 있다. 제 2 자성 요소(308)는 환형 형상 또는 시트형 형상으로 제공될 수 있다. 제 2 자성 요소(308)의 형상에 관한 더 많은 설명들을 본 명세서의 다른 곳에서 찾아볼 수 있다(예를 들어,도 5a 및 도 5b 및 그에 대한 설명). 일부 실시 예들에서, 제 2 자성 요소(308)는 제 1 자성 요소(302) 및/또는 제 1 자기 가이드 요소(304)와 동축일 수 있다.
제 1 자성 요소(302)의 상부 표면은 제 1 자기 가이드 요소(304)의 하부 표면과 접속될 수 있다. 제 1 자성 요소(302)의 하부 표면은 제 2 자기 가이드 요소(306)의 베이스 플레이트와 접속될 수 있다. 제 2 자성 요소(308)의 하부 표면은 제 2 자기 가이드 요소(306)의 측벽과 접속될 수 있다. 제 1 자성 요소(302), 제 1 자기 가이드 요소(304), 제 2 자기 가이드 요소(306), 및/또는 제 2 자성 요소(308) 사이의 접속 수단은 본딩, 스냅핑(snapping), 용접, 리벳팅, 볼팅 등, 또는 이들의 임의의 조합을 포함할 수 있다.
자기 갭이 제 1 자성 요소(302) 및/또는 제 1 자기 가이드 요소(304)와 제 2 자성 요소(308)의 내부 링 사이에 구성될 수 있다. 보이스 코일(328)이 자기 갭 내에 위치될 수 있다. 일부 실시 예들에서, 제 2 자기 가이드 요소(306)의 베이스 플레이트에 대한 제 2 자성 요소(308) 및 보이스 코일(328)의 높이는 동일할 수 있다. 일부 실시 예들에서, 제 1 자성 요소(302), 제 1 자기 가이드 요소(304), 제 2 자기 가이드 요소(306), 및 제 2 자성 요소(308)는 자기 회로(또는 자기 복귀 경로(magnetic return path))를 형성할 수 있다. 일부 실시 예들에서, 자기 회로 어셈블리(3100)는 제 1 자기장(또한, 전체 자기장 또는 총 자기장이라고도 함)을 생성할 수 있고, 제 1 자성 요소(302)는 제 2 자기장을 생성할 수 있다. 제 1 자기장은 자기 회로 어셈블리(3100) 내의 모든 구성요소들(예를 들어, 제 1 자성 요소(302), 제 1 자기 가이드 요소(304), 제 2 자기 가이드 요소(306), 및 제 2 자성 요소(308))에 의해 생성된 자기장에 의해 공동으로 형성될 수 있다. 자기 갭 내의 제 2 자기장의 자기장 세기(또한, 자기 유도 강도 또는 자속 밀도라고도 함)는 자기 갭 내의 제 1 자기장의 자기장 강도를 초과할 수 있다. 본 명세서에서 사용되는 바와 같이, 자기 갭 내의 자기장의 자기장 세기는 자기 갭의 상이한 위치들에서 자기장의 자기장 세기들의 평균값 또는 자기 갭 내의 특정 위치에서의 자기장의 자기장 세기의 값을 지칭할 수 있다. 일부 실시 예들에서, 제 2 자성 요소(308)는 제 3 자기장을 생성할 수 있다. 제 3 자기장은 자기 갭 내에서 전체 자기장의 자기장 세기를 증가시킬 수 있다. 여기에서 언급된 제 3 자기장이 제 1 자기장의 자기장 세기를 증가시킨다는 것은, 제 2 자성 요소(308)를 포함하는 자기 회로 어셈블리(3100)에 의해 생성된 제 1 자기장(즉, 제 3 자기장이 존재하는 경우)이 제 2 자성 요소(308)를 포함하지 않는 자기 회로 어셈블리(3100)에 의해 생성된 제 1 자기장(즉, 제 2 자기장이 존재하지 않는 경우)보다 강한 자기장 세기를 갖는다는 것을 지칭한다. 본 명세서의 다른 실시 예들에 있어서, 달리 특정되지 않는 한, 자기 회로 어셈블리는 모든 자성 요소들 및 자기 가이드 요소들을 포함하는 구조를 나타낸다. 제 1 자기장은 자기 회로 어셈블리에 의해 전체적으로 생성된 총 자기장을 나타낸다. 제 2 자기장, 제 3 자기장, ... 및 제 N 자기장은 각각 대응하는 자성 요소들에 의해 생성된 자기장들을 나타낸다. 다른 실시 예들에서, 제 2 자기장(또는 제 3 자기장, ..., 제 N 자기장)을 생성하는 자성 요소는 동일할 수도 있고 상이할 수도 있다.
일부 실시 예들에서, 제 1 자성 요소(302)의 자화 방향과 제 2 자성 요소(308)의 자화 방향 사이의 끼인각은 0 내지 180도의 범위일 수 있다. 일부 실시 예들에서, 제 1 자성 요소(302)의 자화 방향과 제 2 자성 요소(308)의 자화 방향 사이의 끼인각은 45도 내지 135도의 범위일 수 있다. 일부 실시 예들에서, 제 1 자성 요소(302)의 자화 방향과 제 2 자성 요소(308)의 자화 방향 사이의 끼인각은 90도 이상일 수 있다. 일부 실시 예들에서, 제 1 자성 요소(302)의 자화 방향은 제 1 자성 요소(302)의 하부 표면 또는 상부 표면에 수직일 수 있고, 도 3a에서 화살표 a로 표시된 방향으로 수직으로 상향일 수 있다. 제 2 자성 요소(308)의 자화 방향은 제 2 자성 요소(308)의 내부 링으로부터 외부 링으로 향할 수 있다(도 3a에서 화살표 b로 표시된 방향). 제 1 자성 요소(302)의 우측에서, 제 1 자성 요소(302)의 자화 방향은 시계 방향으로 90도 방향을 바꾼다.
일부 실시 예들에 있어서, 제 2 자성 요소(308)의 위치에서, 전체 자기장의 방향과 제 2 자성 요소(308)의 자화 방향 사이의 끼인각은 90도보다 높지 않을 수 있다. 일부 실시 예들에 있어서, 제 2 자성 요소(308)의 위치에서, 제 1 자성 요소(302)에 의해 생성된 제 1 자기장의 방향과 제 2 자성 요소(308)의 자화 방향 사이의 끼인각은 0도, 10 도, 20도 등과 같이 90도보다 작거나 또는 같은 끼인각일 수 있다.
하나의 단일 자성 요소를 포함하는 자기 회로 어셈블리와 비교하여, 제 2 자성 요소(308)는 자기 회로 어셈블리(3100)의 자기 갭 내의 총 자속을 증가시켜, 그에 따라 자기 갭 내의 자기 유도 강도를 증가시킬 수 있다. 또한, 제 2 자성 요소(308)의 작용 하에서, 원래 분기되는(originally divergent) 자기 유도 라인들은 자기 갭의 위치로 수렴하고, 자기 갭 내의 자기 유도 강도를 더 증가시킬 수 있다.
자기 회로 어셈블리(3100)의 상기 설명은 단지 특정 예일 수 있으며, 유일한 실현 가능한 구현으로 간주되어서는 안된다. 명백하게도, 당업자의 경우에 있어서, 골(bone) 자기 회로 어셈블리의 기본 원리를 이해한 후, 이러한 원리를 벗어나지 않으면서 자기 회로 어셈블리(3100)를 구현하는 특정 수단 및 단계들의 형태 및 세부 사항들의 다양한 수정들과 변경들을 수행하는 것이 가능하지만, 이러한 수정들과 변경들은 여전히 위에서 설명된 범위 내에 있다. 예를 들어, 제 2 자기 가이드 요소(306)는 링 구조 또는 시트 구조일 수 있다. 다른 예로서, 자기 회로 어셈블리(3100)는 자기 쉴드(magnetic shield)를 더 포함할 수 있고, 자기 쉴드는 제 1 자성 요소(302), 제 1 자기 가이드 요소(304), 제 2 자기 가이드 요소(306), 및 제 2 자성 요소(308)를 포함하도록 구성될 수 있다.
도 3b는 본 개시의 일부 실시 예들에 따른 자기 회로 어셈블리(3200)의 종단면을 도시하는 개략도이다. 도 3b에 도시된 바와 같이, 자기 회로 어셈블리(3100)와 달리, 자기 회로 어셈블리(3200)는 제 3 자성 요소(310)를 더 포함할 수 있다.
제 3 자성 요소(310)의 상부 표면은 제 2 자성 요소(308)와 접속될 수 있고, 그 하부 표면은 제 2 자기 가이드 요소(306)의 측벽과 접속될 수 있다. 자기 갭이 제 1 자성 요소(302), 제 1 자기 가이드 요소(304), 제 2 자성 요소(308), 및/또는 제 3 자성 요소(310) 사이에 구성될 수 있다. 보이스 코일(328)이 자기 갭 내에 위치될 수 있다. 일부 실시 예들에서, 제 1 자성 요소(302), 제 1 자기 가이드 요소(304), 제 2 자기 가이드 요소(306), 제 2 자성 요소(308), 및 제 3 자성 요소(310)는 자기 회로를 형성할 수 있다. 일부 실시 예들에서, 제 2 자성 요소(308)의 자화 방향은 본 개시의 도 3a의 상세한 설명을 참조할 수 있다.
일부 실시 예들에서, 자기 회로 어셈블리(3200)는 전체 자기장을 생성할 수 있고, 제 1 자성 요소(302)는 제 1 자기장을 생성할 수 있다. 자기 갭 내의 전체 자기장의 자기장 세기는 자기 갭 내의 제 1 자기장의 자기장 세기를 초과할 수 있다. 일부 실시 예들에서, 제 3 자성 요소(310)는 제 3 자기장을 생성할 수 있고, 제 3 자기장은 자기 갭 내에서 제 1 자기장의 자기장 세기를 증가시킬 수 있다.
일부 실시 예들에서, 제 1 자성 요소(302)의 자화 방향과 제 3 자성 요소(310)의 자화 방향 사이의 끼인각은 0 내지 180도의 범위일 수 있다. 일부 실시 예들에서, 제 1 자성 요소(302)의 자화 방향과 제 3 자성 요소(310)의 자화 방향 사이의 끼인각은 45도 내지 135도의 범위일 수 있다. 일부 실시 예들에서, 제 1 자성 요소(302)의 자화 방향과 제 3 자성 요소(310)의 자화 방향 사이의 끼인각은 90도 이상일 수 있다. 일부 실시 예들에서, 제 1 자성 요소(302)의 자화 방향은 제 1 자성 요소(302)의 하부 표면 또는 상부 표면에 수직 상향으로 수직일 수 있다(도 3a에서 화살표 a로 표시된 방향). 제 3 자성 요소(310)의 자화 방향은 제 3 자성 요소(310)의 상부 표면으로부터 하부 표면으로 향할 수 있다(도 3b에서 화살표 c로 표시된 방향). 제 1 자성 요소(302)의 우측에서, 제 1 자성 요소(302)의 자화 방향은 시계 방향으로 180도 방향을 바꾼다.
일부 실시 예들에 있어서, 제 3 자성 요소(310)의 위치에서, 전체 자기장의 방향과 제 3 자성 요소(310)의 자화 방향 사이의 끼인각은 90도보다 높지 않을 수 있다. 일부 실시 예들에 있어서, 제 3 자성 요소(310)의 위치에서, 제 1 자성 요소(302)에 의해 생성된 제 1 자기장의 방향과 제 3 자성 요소(310)의 자화 방향 사이의 끼인각은 0도, 10 도, 20도 등과 같이 90도보다 작거나 또는 같은 끼인각일 수 있다.
자기 회로 어셈블리(3100)와 비교하여, 제 3 자성 요소(310)가 자기 회로 어셈블리(3200)에 추가될 수 있다. 제 3 자성 요소(310)는 자기 회로 어셈블리(3200)의 자기 갭 내의 총 자속을 더 증가시킬 수 있으며, 그에 따라 자기 갭 내에서 자기 유도 강도를 더 증가시킨다. 또한, 제 3 자성 요소(310)의 작용 하에서, 자기 유도 라인은 자기 갭의 위치로 더 수렴하여, 자기 갭 내의 자기 유도 강도를 더 증가시킬 것이다.
자기 회로 어셈블리(3200)의 상기 설명은 단지 특정 예일 수 있으며, 유일한 실현 가능한 구현 솔루션으로 간주되어서는 안된다. 명백하게도, 당업자의 경우에 있어서, 자기 회로 어셈블리의 기본 원리를 이해한 후, 이러한 원리를 벗어나지 않으면서 자기 회로 어셈블리(3200)를 구현하는 특정 수단 및 단계들의 형태 및 세부 사항들의 다양한 수정들과 변경들을 수행하는 것이 가능하지만, 이러한 수정들과 변경들은 여전히 위에서 설명된 범위 내에 있다. 예를 들어, 제 2 자기 가이드 요소(306)는 링 구조 또는 시트 구조일 수 있다. 다른 예로서, 자기 회로 어셈블리(3200)는 제 2 자기 가이드 요소(306)를 포함하지 않을 수 있다. 다른 예로서, 적어도 하나의 자성 요소가 자기 회로 어셈블리(3200)에 추가될 수 있다. 일부 실시예들에서, 더 추가된 자성 요소의 하부 표면은 제 2 자성 요소(308)의 상부 표면과 접속될 수 있다. 더 추가된 자성 요소의 자화 방향은 제 3 자성 요소(312)의 자화 방향과 반대일 수 있다. 일부 실시 예들에서, 더 추가된 자성 요소는 제 1 자성 요소(302) 및 제 2 자기 가이드 요소(306)의 측벽과 접속될 수 있다. 더 추가된 자성 요소의 자화 방향은 제 2 자성 요소(308)의 자화 방향과 반대일 수 있다.
도 3c는 본 개시의 일부 실시 예들에 따른 자기 회로 어셈블리(3300)의 종단면도를 도시하는 개략도이다. 도 3c에 도시된 바와 같이, 자기 회로 어셈블리(3100)와 달리, 자기 회로 어셈블리(3300)는 제 4 자성 요소(312)를 더 포함할 수 있다.
제 4 자성 요소(312)는 본딩, 스냅핑, 용접, 리벳팅, 볼팅 등, 또는 임의의 이들의 조합에 의해 제 1 자성 요소(302) 및 제 2 자기 가이드 요소(306)의 측벽과 접속될 수 있다. 일부 실시 예들에서, 자기 갭이 제 1 자성 요소(302), 제 1 자기 가이드 요소(304), 제 2 자기 가이드 요소(306), 제 2 자성 요소(308), 및 제 4 자성 요소(312) 사이에 구성될 수 있다. 일부 실시 예들에서, 제 2 자성 요소(308)의 자화 방향은 본 개시의 도 3a의 상세한 설명을 참조할 수 있다.
일부 실시 예들에서, 자기 회로 어셈블리(3300)는 제 1 자기장을 생성할 수 있고, 제 1 자성 요소(302)는 제 2 자기장을 생성할 수 있다. 자기 갭 내의 제 1 자기장의 자기장 세기는 자기 갭 내의 제 2 자기장의 자기장 세기를 초과할 수 있다. 일부 실시 예들에서, 제 4 자성 요소(312)는 제 4 자기장을 생성할 수 있고, 제 4 자기장은 자기 갭 내에서 제 2 자기장의 자기장 세기를 증가시킬 수 있다.
일부 실시 예들에서, 제 1 자성 요소(302)의 자화 방향과 제 4 자성 요소(312)의 자화 방향 사이의 끼인각은 0 내지 180도의 범위일 수 있다. 일부 실시 예들에서, 제 1 자성 요소(302)의 자화 방향과 제 4 자성 요소(312)의 자화 방향 사이의 끼인각은 45도 내지 135도의 범위일 수 있다. 일부 실시 예들에서, 제 1 자성 요소(302)의 자화 방향과 제 4 자성 요소(312)의 자화 방향 사이의 끼인각은 90도보다 높지 않을 수 있다. 일부 실시 예들에서, 제 1 자성 요소(302)의 자화 방향은 제 1 자성 요소(302)의 하부 표면 또는 상부 표면에 수직 상향으로 수직일 수 있다(도 3c에서 화살표 a로 표시된 방향). 제 4 자성 요소(312)의 자화 방향은 제 4 자성 요소(312)의 외부 링으로부터 내부 링으로 향할 수 있다(도 3c에서 화살표 d로 표시된 방향). 제 1 자성 요소(302)의 우측에서, 제 1 자성 요소(302)의 자화 방향은 시계 방향으로 270도 방향을 바꾼다.
일부 실시 예들에 있어서, 제 4 자성 요소(312)의 위치에서, 제 1 자기장의 방향과 제 4 자성 요소(312)의 자화 방향 사이의 끼인각은 90도보다 높지 않을 수 있다. 일부 실시 예들에 있어서, 제 4 자성 요소(312)의 위치에서, 제 1 자성 요소(302)에 의해 생성된 자기장의 방향과 제 4 자성 요소(312)의 자화 방향 사이의 끼인각은 0도, 10 도, 20도 등과 같이 90도보다 작거나 또는 같은 끼인각일 수 있다.
자기 회로 어셈블리(3100)와 비교하여, 제 4 자성 요소(312)가 자기 회로 어셈블리(3300)에 추가될 수 있다. 제 4 자성 요소(312)는 자기 회로 어셈블리(3300)의 자기 갭 내의 총 자속을 더 증가시킬 수 있으며, 그에 따라 자기 갭 내에서 자기 유도 강도를 증가시킨다. 또한, 제 4 자성 요소(312)의 작용 하에서, 자기 유도 라인은 자기 갭의 위치로 더 수렴하여, 자기 갭 내의 자기 유도 강도를 더 증가시킬 것이다.
자기 회로 어셈블리(3300)의 상기 설명은 단지 특정 예일 수 있으며, 유일한 실현 가능한 구현으로 간주되어서는 안된다. 명백하게도, 당업자의 경우에 있어서, 골 자기 회로 어셈블리의 기본 원리를 이해한 후, 이러한 원리를 벗어나지 않으면서 자기 회로 어셈블리(3300)를 구현하기 위한 특정 수단 및 단계들의 형태 및 세부 사항들의 다양한 수정들과 변경들을 수행하는 것이 가능하지만, 이러한 수정들과 변경들은 여전히 위에서 설명된 범위 내에 있다. 예를 들어, 제 2 자기 가이드 요소(306)는 링 구조 또는 시트 구조일 수 있다. 다른 예로서, 자기 회로 어셈블리(3300)는 제 2 자성 요소(308)를 포함하지 않을 수 있다. 다른 예로서, 적어도 하나의 자성 요소가 자기 회로 어셈블리(3300)에 추가될 수 있다. 일부 실시예들에서, 더 추가된 자성 요소의 하부 표면은 제 2 자성 요소(308)의 상부 표면과 접속될 수 있다. 더 추가된 자성 요소의 자화 방향은 제 1 자성 요소(302)의 자화 방향과 동일할 수 있다. 일부 실시예들에서, 더 추가된 자성 요소의 상부 표면은 제 2 자성 요소(308)의 하부 표면과 접속될 수 있다. 상기 자성 요소의 자화 방향은 제 1 자성 요소(302)의 자화 방향과 반대일 수 있다.
도 3d는 본 개시의 일부 실시 예들에 따른 자기 회로 어셈블리(3400)의 종단면도를 도시하는 개략도이다. 도 3d에 도시된 바와 같이, 자기 회로 어셈블리(3100)와 달리, 자기 회로 어셈블리(3400)는 제 5 자성 요소(314)를 더 포함할 수 있다. 제 5 자성 요소(314)는 본 개시에서 설명된 자석 재료들 중 어느 하나를 포함할 수 있다. 일부 실시 예들에서, 제 5 자성 요소(314)는 축 대칭 구조로서 제공될 수 있다. 예를 들어, 제 5 자성 요소(314)는 실린더, 직육면체, 또는 중공 링(예를 들어, 단면은 활주로의 형상이다)일 수 있다. 일부 실시 예들에서, 제 1 자성 요소(302), 제 1 자기 가이드 요소(304), 및/또는 제 5 자성 요소(314)는 동일하거나 상이한 직경을 갖는 동축 실린더일 수 있다. 제 5 자성 요소(314)는 제 1 자성 요소(302)와 동일하거나 상이한 두께를 가질 수 있다. 제 5 자성 요소(314)는 제 1 자기 가이드 요소(304)와 접속될 수 있다.
일부 실시 예들에서, 제 5 자성 요소(314)의 자화 방향과 제 1 자성 요소(302)의 자화 방향 사이의 끼인각은 90 내지 180도의 범위일 수 있다. 일부 실시 예들에서, 제 5 자성 요소(314)의 자화 방향과 제 1 자성 요소(302)의 자화 방향 사이의 끼인각은 150도 내지 180도의 범위일 수 있다. 일부 실시 예들에서, 제 5 자성 요소(314)의 자화 방향은 제 1 자성 요소(302)의 자화 방향과 반대일 수 있다(도시된 바와 같이, a 방향 및 e 방향).
자기 회로 어셈블리(3100)와 비교하여, 제 5 자성 요소(314)가 자기 회로 어셈블리(3400)에 추가될 수 있다. 제 5 자성 요소(314)는 자기 회로 어셈블리(3400)에서 자화 방향으로 제 1 자성 요소(302)의 자기 누출을 억제할 수 있어, 제 1 자성 요소(302)에 의해 생성된 자기장이 자기 갭 내로 더 압축될 수 있고, 그에 따라 자기 갭 내에서 자기 유도 강도를 증가시킬 수 있다.
자기 회로 어셈블리(3400)의 상기 설명은 단지 특정 예일 수 있으며, 유일한 실현 가능한 구현으로 간주되어서는 안된다. 명백하게도, 당업자의 경우에 있어서, 자기 회로 어셈블리의 기본 원리를 이해 한 후, 이러한 원리를 벗어나지 않으면서 자기 회로 어셈블리(3400)를 구현하는 특정 수단 및 단계들의 형태 및 세부 사항들의 다양한 수정들과 변경들을 수행하는 것이 가능하지만, 이러한 수정들과 변경들은 여전히 위에서 설명된 범위 내에 있다. 예를 들어, 제 2 자기 가이드 요소(306)는 링 구조 또는 시트 구조일 수 있다. 다른 예로서, 자기 회로 어셈블리(3400)는 제 2 자성 요소(308)를 포함하지 않을 수 있다. 다른 예로서, 적어도 하나의 자성 요소가 자기 회로 어셈블리(3400)에 추가될 수 있다. 일부 실시예들에서, 더 추가된 자성 요소의 하부 표면은 제 2 자성 요소(308)의 상부 표면과 접속될 수 있다. 더 추가된 자성 요소의 자화 방향은 제 1 자성 요소(302)의 자화 방향과 동일할 수 있다. 일부 실시예들에서, 더 추가된 자성 요소의 상부 표면은 제 2 자성 요소(308)의 하부 표면과 접속될 수 있다. 더 추가된 자성 요소의 자화 방향은 제 1 자성 요소(302)의 자화 방향과 반대일 수 있다. 일부 실시 예들에서, 더 추가된 자성 요소는 제 1 자성 요소(302) 및 제 2 자기 가이드 요소(306)와 접속될 수 있고, 더 추가된 자성 요소의 자화 방향은 제 2 자성 요소(308)의 자화 방향과 반대일 수 있다.
도 3e는 본 개시의 일부 실시 예들에 따른 자기 회로 어셈블리(3500)의 종단면도를 도시하는 개략도이다. 도 3e에 도시된 바와 같이, 자기 회로 어셈블리(3400)와 달리, 자기 회로 어셈블리(3500)는 제 3 자기 가이드 요소(316)를 더 포함할 수 있다. 일부 실시 예들에서, 제 3 자기 가이드 요소(316)는 본 개시에 설명되는 임의의 하나 이상의 자기적으로 전도성인 재료들을 포함할 수 있다. 제 1 자기 가이드 요소(304), 제 2 자기 가이드 요소(306), 및/또는 제 3 자기 가이드 요소(316)에 포함된 자기 전도성 재료들은 동일하거나 상이할 수 있다. 일부 실시 예들에서, 제 3 자기 가이드 요소(316)는 대칭 구조로서 제공될 수 있다. 예를 들어, 제 3 자기 가이드 요소(316)는 실린더일 수 있다. 일부 실시 예들에서, 제 1 자성 요소(302), 제 1 자기 가이드 요소(304), 제 5 자성 요소(314), 및/또는 제 3 자기 가이드 요소(316)는 동일하거나 상이한 직경을 갖는 동축 실린더일 수 있다. 제 3 자기 가이드 요소(316)는 제 5 자성 요소(314)와 접속될 수 있다. 일부 실시 예들에서, 제 3 자기 가이드 요소(316)는 제 5 자성 요소(314) 및 제 2 자성 요소(308)와 접속될 수 있다. 제 3 자기 가이드 요소(316), 제 2 자기 가이드 요소(306), 및 제 2 자성 요소(308)는 공동(cavity)을 형성할 수 있다. 공동은 제 1 자성 요소(302), 제 5 자성 요소(314), 및 제 1 자기 가이드 요소(304)를 포함할 수 있다.
자기 회로 어셈블리(3400)와 비교하여, 제 3 자기 가이드 요소(316)가 자기 회로 어셈블리(3500) 자기 가이드 요소에 추가될 수 있다. 제 3 자기 가이드 요소(316)는 자기 회로 어셈블리(3500)에서 자화 방향으로 제 5 자성 요소(314)의 자기 누출을 억제할 수 있어, 제 5 자성 요소(314)에 의해 생성된 자기장이 자기 갭 내로 더 압축될 수 있고, 그에 따라 자기 갭 내에서 자기 유도 강도를 증가시킬 수 있다.
자기 회로 어셈블리(3500)의 상기 설명은 단지 특정 예일 수 있으며, 유일한 실현 가능한 구현으로 간주되어서는 안된다. 명백하게도, 당업자의 경우에 있어서, 자기 회로 어셈블리의 기본 원리를 이해한 후, 이러한 원리를 벗어나지 않으면서 자기 회로 어셈블리(3500)를 구현하기 위한 특정 수단 및 단계들의 형태 및 세부 사항들의 다양한 수정들과 변경들을 수행하는 것이 가능하지만, 이러한 수정들과 변경들은 여전히 위에서 설명된 범위 내에 있다. 예를 들어, 제 2 자기 가이드 요소(306)는 링 구조 또는 시트 구조일 수 있다. 다른 예로서, 자기 회로 어셈블리(3500)는 제 2 자성 요소(308)를 포함하지 않을 수 있다. 다른 예로서, 적어도 하나의 자성 요소가 자기 회로 어셈블리(3500)에 추가될 수 있다. 일부 실시예들에서, 더 추가된 자성 요소의 하부 표면은 제 2 자성 요소(308)의 상부 표면과 접속될 수 있다. 더 추가된 자성 요소의 자화 방향은 제 1 자성 요소(302)의 자화 방향과 동일할 수 있다. 일부 실시예들에서, 더 추가된 자성 요소의 상부 표면은 제 2 자성 요소(308)의 하부 표면과 접속될 수 있다. 더 추가된 자성 요소의 자화 방향은 제 1 자성 요소(302)의 자화 방향과 반대일 수 있다. 일부 실시 예들에서, 더 추가된 자성 요소는 제 1 자성 요소(302) 및 제 2 자기 가이드 요소(306)와 접속될 수 있고, 더 추가된 자성 요소의 자화 방향은 제 2 자성 요소(308)의 자화 방향과 반대일 수 있다.
도 3f는 본 개시의 일부 실시 예들에 따른 자기 회로 어셈블리(3600)의 종단면을 도시하는 개략도이다. 도 3f에 도시된 바와 같이, 자기 회로 어셈블리(3100)와는 달리, 자기 회로 어셈블리(3600)는 하나 이상의 전도성 요소들(예를 들어, 제 1 전도성 요소(318), 제 2 전도성 요소(320), 및 제 3 전도성 요소(322))를 더 포함할 수 있다.
전도성 요소는 금속 재료, 금속 합금 재료, 무기 비금속 재료, 또는 다른 전도성 재료들을 포함할 수 있다. 금속 재료는 금, 은, 구리, 알루미늄 등을 포함할 수 있다. 금속 합금 재료는 철계 합금, 알루미늄계 합금 재료, 구리계 합금, 아연계 합금 등을 포함할 수 있다. 무기 비금속 재료는 흑연 등을 포함할 수 있다. 전도성 요소는 시트형 형상, 환형 형상, 메쉬형 형상 등일 수 있다. 제 1 전도성 요소(318)는 제 1 자기 가이드 요소(304)의 상부 표면 상에 위치될 수 있다. 제 2 전도성 요소(320)는 제 1 자성 요소(302) 및 제 2 자기 가이드 요소(306)와 접속될 수 있다. 제 3 전도성 요소(322)는 제 1 자성 요소(302)의 측벽과 접속될 수 있다. 일부 실시 예들에서, 제 1 자기 가이드 요소(304)는 제 1 자성 요소(302)로부터 돌출되어 제 1 오목 부분을 형성할 수 있고, 제 3 전도성 요소(322)가 제 1 오목 부분 상에 제공될 수 있다. 일부 실시 예들에서, 제 1 전도성 요소(318), 제 2 전도성 요소(320), 및 제 3 전도성 요소(322)는 동일하거나 상이한 전도성 재료들을 포함할 수 있다. 제 1 전도성 요소(318), 제 2 전도성 요소(320), 및 제 3 전도성 요소(322)는 본 개시의 다른 곳에 설명되어 있는 바와 같이 하나 이상의 접속 수단들을 통해 제 1 자기 가이드 요소(304), 제 2 자기 가이드 요소(306), 및/또는 제 1 자성 요소(302)와 각각 접속될 수 있다.
자기 갭이 제 1 자성 요소(302), 제 1 자기 가이드 요소(304), 및 제 2 자성 요소(308)의 내부 링 사이에 구성될 수 있다. 보이스 코일(328)이 자기 갭 내에 위치될 수 있다. 제 1 자성 요소(302), 제 1 자기 가이드 요소(304), 제 2 자기 가이드 요소(306), 및 제 2 자성 요소(308)는 자기 회로를 형성할 수 있다. 일부 실시 예들에서, 하나 이상의 전도성 요소들은 보이스 코일(328)의 유도성 리액턴스를 감소시킬 수 있다. 예를 들어, 제 1 교류 전류가 보이스 코일(328)로 흐르면, 제 1 교류 유도 자기장이 보이스 코일(328) 근처에서 생성될 수 있다. 자기 회로에서 자기장의 작용 하에서, 제 1 교류 유도 자기장은 보이스 코일(328)로 하여금 유도성 리액턴스를 발생시키고 보이스 코일(328)의 이동을 방해하게 할 수 있다. 하나 이상의 전도성 요소들(제 1 전도성 요소(318), 제 2 전도성 요소(320), 및 제 3 전도성 요소(322))이 보이스 코일(328) 근처에 구성될 때, 제 1 교류 유도 자기장의 작용 하에서, 전도성 요소들은 제 2 교류 전류를 유도할 수 있다. 전도성 요소들에서 제 3 교류 전류는 전도성 요소들 근처에서 제 2 교류 유도 자기장을 생성할 수 있다. 제 2 교류 자기장의 방향은 제 1 교류 유도 자기장의 방향과 반대일 수 있고, 제 1 교류 유도 자기장은 약화될 수 있으며, 그에 따라 보이스 코일(328)의 유도성 리액턴스를 감소시키고, 보이스 코일에서의 전류를 증가시키고, 골전도 스피커의 감도를 향상시킨다.
자기 회로 어셈블리(3600)의 상기 설명은 단지 특정 예일 수 있으며, 유일한 실현 가능한 구현으로 간주되어서는 안된다. 명백하게도, 당업자의 경우에 있어서, 자기 회로 어셈블리의 기본 원리를 이해한 후, 이러한 원리를 벗어나지 않으면서 자기 회로 어셈블리(3600)를 구현하는 특정 방식 및 단계들에 대한 형태 및 세부 사항의 다양한 수정들과 변경들을 수행하는 것이 가능하지만, 이러한 수정들과 변경들은 여전히 위에서 설명된 범위 내에 있다. 예를 들어, 제 2 자기 가이드 요소(306)는 링 구조 또는 시트 구조일 수 있다. 다른 예로서, 자기 회로 어셈블리(3600)는 제 2 자성 요소(308)를 포함하지 않을 수 있다. 다른 예로서, 적어도 하나의 자성 요소가 자기 회로 어셈블리(3500)에 추가될 수 있다. 일부 실시예들에서, 추가된 자성 요소의 하부 표면은 제 2 자성 요소(308)의 상부 표면과 접속될 수 있다. 추가된 자성 요소의 자화 방향은 제 1 자성 요소(302)의 자화 방향과 동일할 수 있다.
도 3g는 본 개시의 일부 실시 예들에 따른 자기 회로 어셈블리(3900)의 종단면도를 도시하는 개략도이다. 도 3g에 도시된 바와 같이, 자기 회로 어셈블리(3500)와는 달리, 자기 회로 어셈블리(3900)는 제 3 자성 요소(310), 제 4 자성 요소(312), 제 5 자성 요소(314), 제 3 자기 가이드 요소(316), 제 6 자성 요소(324), 및 제 7 자성 요소(326)를 더 포함할 수 있다. 제 3 자성 요소(310), 제 4 자성 요소(312), 제 5 자성 요소(314), 제 3 자기 가이드 요소(316) 및/또는 제 6 자성 요소(324), 및 제 7 자성 요소(326)는 동축 원형 실린더들로서 제공된다.
일부 실시 예들에서, 제 2 자성 요소(308)의 상부 표면은 제 7 자성 요소(326)와 접속될 수 있고, 제 2 자성 요소(308)의 하부 표면은 제 3 자성 요소(310)와 접속될 수 있다. 제 3 자성 요소(310)는 제 2 자기 가이드 요소(306)와 접속될 수 있다. 제 7 자성 요소(326)의 상부 표면은 제 3 자기 가이드 요소(316)와 접속될 수 있다. 제 4 자성 요소(312)는 제 2 자기 가이드 요소(306) 및 제 1 자기 가이드 요소(306)와 접속될 수 있다. 제 6 자성 요소(324)는 제 5 자성 요소(314), 제 3 자기 가이드 요소(316), 및 제 7 자성 요소(326)와 접속될 수 있다. 일부 실시 예들에서, 제 1 자성 요소(302), 제 1 자기 가이드 요소(304), 제 2 자기 가이드 요소(306), 제 2 자성 요소(308), 제 3 자성 요소(310), 제 4 자성 요소(312), 제 5 자성 요소(314), 제 3 자기 가이드 요소(316), 제 6 자성 요소(324), 및 제 7 자성 요소(326)는 자기 회로 및 자기 갭을 형성할 수 있다.
일부 실시 예들에서, 제 2 자성 요소(308)의 자화 방향에 대해서는 본 개시의 도 3a에서 찾아볼 수 있다. 제 3 자성 요소(310)의 자화 방향에 대해서는 본 개시의 도 3b에서 찾아볼 수 있다. 제 4 자성 요소(312)의 자화 방향에 대해서는 본 개시의 도 3c에서 찾아볼 수 있다.
일부 실시 예들에서, 제 1 자성 요소(302)의 자화 방향과 제 6 자성 요소(324)의 자화 방향 사이의 끼인각은 0 내지 180도의 범위일 수 있다. 일부 실시 예들에서, 제 1 자성 요소(302)의 자화 방향과 제 6 자성 요소(324)의 자화 방향 사이의 끼인각은 45도 내지 135도의 범위일 수 있다. 일부 실시 예들에서, 제 1 자성 요소(302)의 자화 방향과 제 6 자성 요소(324)의 자화 방향 사이의 끼인각은 90도보다 높지 않을 수 있다. 일부 실시 예들에서, 제 1 자성 요소(302)의 자화 방향은 제 1 자성 요소(302)의 하부 표면 또는 상부 표면에 수직 상향으로 수직일 수 있다(도 3c에서 화살표 a로 표시된 방향). 제 6 자성 요소(324)의 자화 방향은 제 6 자성 요소(324)의 외부 링으로부터 내부 링으로 향할 수 있다(도 3c에서 화살표 g로 표시된 방향). 제 1 자성 요소(302)의 우측에서, 제 1 자성 요소(302)의 자화 방향은 시계 방향으로 270도 방향을 바꾼다. 일부 실시 예들에서, 동일한 수직 방향에서, 제 6 자성 요소(324)의 자화 방향은 제 4 자성 요소(312)의 자화 방향과 동일할 수 있다.
일부 실시 예들에서, 제 6 자성 요소(324)의 일부 위치들에서, 자기 회로 어셈블리(3900)에 의해 생성된 자기장의 방향과 제 6 자성 요소(324)의 자화 방향 사이의 끼인각은 90보다 크지 않을 수 있다. 일부 실시 예들에 있어서, 제 6 자성 요소(324)의 위치에서, 제 1 자성 요소(302)에 의해 생성된 자기장의 방향과 제 6 자성 요소(324)의 자화 방향 사이의 끼인각은 0도, 10 도, 20도 등과 같이 90도보다 작거나 또는 같은 끼인각일 수 있다.
일부 실시 예들에서, 제 1 자성 요소(302)의 자화 방향과 제 7 자성 요소(326)의 자화 방향 사이의 끼인각은 0 내지 180도의 범위일 수 있다. 일부 실시 예들에서, 제 1 자성 요소(302)의 자화 방향과 제 7 자성 요소(326)의 자화 방향 사이의 끼인각은 45도 내지 135도의 범위일 수 있다. 일부 실시 예들에서, 제 1 자성 요소(302)의 자화 방향과 제 7 자성 요소(326)의 자화 방향 사이의 끼인각은 90도보다 높지 않을 수 있다. 일부 실시 예들에서, 제 1 자성 요소(302)의 자화 방향은 제 1 자성 요소(302)의 하부 표면 또는 상부 표면에 수직 상향으로 수직일 수 있다(도 3g에서 화살표 a로 표시된 방향). 제 7 자성 요소(326)의 자화 방향은 제 7 자성 요소(326)의 하부 표면으로부터 상부 표면으로 향할 수 있다(도 3g에서 화살표 f로 표시된 방향). 제 1 자성 요소(302)의 우측에서, 제 1 자성 요소(302)의 자화 방향은 시계 방향으로 360도 방향을 바꾼다. 일부 실시 예들에서, 제 7 자성 요소(326)의 자화 방향은 제 3 자성 요소(310)의 자화 방향과 반대일 수 있다.
일부 실시 예들에서, 일부의 제 7 자성 요소(326)에서, 자기 회로 어셈블리(3900)에 의해 생성된 자기장의 방향과 제 7 자성 요소(326)의 자화 방향 사이의 끼인각은 90도보다 높지 않을 수 있다. 일부 실시 예들에 있어서, 제 7 자성 요소(326)의 위치에서, 제 1 자성 요소(302)에 의해 생성된 자기장의 방향과 제 7 자성 요소(326)의 자화 방향 사이의 끼인각은 0도, 10 도, 20도 등과 같이 90도보다 작거나 또는 같은 끼인각일 수 있다.
자기 회로 어셈블리(3900)에서, 제 3 자기 가이드 요소(316)는 자기 회로 어셈블리(3900)에 의해 생성된 자기 회로를 폐쇄(close)할 수 있어, 더 많은 자기 유도 라인들이 자기 갭 내에 집중되게 하고, 그에 따라 자기 누출을 억제하는 효과를 달성하고, 자기 갭 내에서 자기 유도 강도를 증가시키고, 골전도 스피커의 감도를 향상시킨다. 자기 회로 어셈블리(3900)의 상기 설명은 단지 특정 예일 수 있으며, 유일한 실현 가능한 구현으로 간주되어서는 안된다. 명백하게도, 당업자의 경우에 있어서, 자기 회로 어셈블리의 기본 원리를 이해한 후, 이러한 원리를 벗어나지 않으면서 자기 회로 어셈블리(3900)를 구현하는 특정 수단 및 단계들의 형태 및 세부 사항들의 다양한 수정들과 변경들을 수행하는 것이 가능하지만, 이러한 수정들과 변경들은 여전히 위에서 설명된 범위 내에 있다. 예를 들어, 제 2 자기 가이드 요소(306)는 링 구조 또는 시트 구조일 수 있다. 다른 예로서, 자기 회로 어셈블리(3900)는 제 2 자성 요소(308)를 포함하지 않을 수 있다. 다른 예로서, 자기 회로 어셈블리(3900)는 적어도 하나의 전도성 요소를 더 포함할 수 있다. 전도성 요소는 제 1 자성 요소(302), 제 5 자성 요소(314), 제 1 자기 가이드 요소(304), 제 2 자기 가이드 요소(306), 및/또는 제 3 자기 가이드 요소(316)와 접속될 수 있다. 일부 실시 예들에서, 적어도 하나의 전도성 요소가 자기 회로 어셈블리(3900)에 추가될 수 있다. 더 추가된 전도성 요소는 제 2 자성 요소(308), 제 3 자성 요소(310), 제 4 자성 요소(312), 제 6 자성 요소(324), 및 제 7 자성 요소(326) 중 적어도 하나와 접속될 수 있다.
도 4a는 본 개시의 일부 실시 예들에 따른 자기 회로 어셈블리(4100)의 종단면도를 도시하는 개략도이다. 도 4a에 도시된 바와 같이, 자기 회로 어셈블리(4100)는 제 1 자성 요소(402), 제 1 자기 가이드 요소(404), 제 1 자기장 변경 요소(406), 및 제 2 자성 요소(408)를 포함할 수 있다. 일부 실시 예들에서, 제 1 자성 요소(402) 및/또는 제 2 자성 요소(408)는 본 개시에 설명된 바와 같은 임의의 하나 이상의 자석들을 포함할 수 있다. 제 1 자성 요소(402)는 제 1 자석을 포함할 수 있고, 제 2 자성 요소(408)는 제 2 자석을 포함할 수 있다. 제 1 자석과 제 2 자석은 동일하거나 상이할 수 있다. 제 1 자기 가이드 요소(404)는 저탄소강, 실리콘 강판, 실리콘 강판, 실리콘 강판, 페라이트 등과 같이 본 개시에 설명된 임의의 하나 이상의 자기 전도성 재료들을 포함할 수 있다. 일부 실시 예들에서, 제 1 자성 요소(402) 및/또는 제 1 자기 가이드 요소(404)는 축 대칭 구조로서 구성될 수 있다. 제 1 자성 요소(402) 및/또는 제 1 자기 가이드 요소(404)는 실린더일 수 있다. 일부 실시 예들에서, 제 1 자성 요소(402) 및 제 1 자기 가이드 요소(404)는 동일하거나 상이한 직경을 갖는 동축 실린더들일 수 있다. 일부 실시 예들에서, 제 1 자기장 변경 요소(406)는 자성 요소 또는 자기 가이드 요소 중 어느 하나일 수 있다. 제 1 자기장 변경 소자(406) 및/또는 제 2 자성 요소(408)는 환형 형상 또는 시트형 형상으로 제공될 수 있다. 제 1 자기장 변경 요소(406) 및 제 2 자성 요소(408)에 대한 설명은 본 명세서의 다른 곳의 설명들(예를 들어, 도 5a 및 도 5b 및 관련 설명들)을 참조할 수 있다. 일부 실시 예들에서, 제 1 자성 요소(402), 제 1 자기 가이드 요소(404) 및/또는 제 1 전체 자기장 변경 요소(406)와 동축인 제 2 자성 요소(408) 및 환형 실린더는 동일하거나 상이한 직경들을 갖는 내부 및/또는 외부 링들을 포함할 수 있다. 제 1 자기 가이드 요소(404) 및/또는 제 1 자기장 변경 요소(406)의 처리 수단은 본 개시의 다른 곳에서 설명된 바와 같이 임의의 하나 이상의 처리 수단을 포함할 수 있다.
제 1 자성 요소(402)의 상부 표면은 제 1 자기 가이드 요소(404)의 하부 표면과 접속될 수 있고, 제 2 자성 요소(408)는 제 1 자성 요소(402) 및 제 1 자기장 변경 요소(406)와 접속될 수 있다. 제 1 자성 요소(402), 제 1 자기 가이드 요소(404), 제 1 자기장 변경 요소(406), 및/또는 제 2 자성 요소(408) 사이의 접속 수단들은 본 명세서의 다른 곳에서 설명된 바와 같이 임의의 하나 이상의 접속 수단들에 기초할 수 있다. 일부 실시 예들에서, 제 1 자성 요소(402), 제 1 자기 가이드 요소(404), 제 1 자기장 변경 요소(406), 및/또는 제 2 자성 요소(408)는 자기 회로 및 자기 갭을 형성할 수 있다.
일부 실시 예들에서, 자기 회로 어셈블리(4100)는 제 1 자기장을 생성할 수 있고, 제 1 자성 요소(402)는 제 2 자기장을 생성할 수 있다. 자기 갭 내의 제 1 자기장의 자기장 세기는 자기 갭 내의 제 2 자기장의 자기장 세기를 초과할 수 있다. 일부 실시 예들에서, 제 2 자성 요소(408)는 제 3 자기장을 생성할 수 있고, 제 3 자기장은 자기 갭 내에서 제 2 자기장의 자기장 세기를 증가시킬 수 있다.
일부 실시 예들에서, 제 1 자성 요소(402)의 자화 방향과 제 2 자성 요소(408)의 자화 방향 사이의 끼인각은 0 내지 180도의 범위일 수 있다. 일부 실시 예들에서, 제 1 자성 요소(402)의 자화 방향과 제 2 자성 요소(408)의 자화 방향 사이의 끼인각은 45도 내지 135도의 범위일 수 있다. 일부 실시 예들에서, 제 1 자성 요소(402)의 자화 방향과 제 2 자성 요소(408)의 자화 방향 사이의 끼인각은 90도보다 높지 않을 수 있다.
일부 실시 예들에 있어서, 제 2 자성 요소(408)의 일부 위치들에서, 제 1 자기장의 방향과 제 2 자성 요소(408)의 자화 방향 사이의 끼인각은 90도보다 높지 않을 수 있다. 일부 실시 예들에 있어서, 제 2 자성 요소(408)의 위치에서, 제 1 자성 요소(402)에 의해 생성된 자기장의 방향과 제 2 자성 요소(408)의 자화 방향 사이의 끼인각은 0도, 10 도, 20도 등과 같이 90도보다 작거나 또는 같은 끼인각일 수 있다. 다른 예에서, 제 1 자성 요소(402)의 자화 방향은 제 1 자성 요소(402)의 하부 표면 또는 상부 표면에 수직 상향으로 수직일 수 있다(도 4a에서 화살표 a로 표시된 방향). 제 2 자성 요소(408)의 자화 방향은 제 2 자성 요소(408)의 외부 링으로부터 내부 링으로 향할 수 있다(도 4a에서 화살표 c로 표시된 방향). 제 1 자성 요소(402)의 우측에서, 제 1 자성 요소(402)의 자화 방향은 시계 방향으로 270도 방향을 바꾼다.
단일 자성 요소의 자기 회로 어셈블리와 비교하여, 자기 회로 어셈블리(4100)의 제 1 자기장 변경 요소(406)는 자기 갭 내의 총 자속을 증가시킬 수 있어, 그에 따라 자기 갭 내의 자기 유도 강도를 증가시킬 수 있다. 또한, 제 1 자기장 변경 요소(406)의 작용 하에서, 원래 분기되는 자기 유도 라인들은 자기 갭의 위치로 수렴될 수 있고, 자기 갭 내의 자기 유도 강도를 더 증가시킬 수 있다.
자기 회로 어셈블리(4100)의 상기 설명은 단지 특정 예일 수 있으며, 유일한 실현 가능한 구현으로 여겨져서는 안된다. 명백하게도, 당업자의 경우에 있어서, 골 자기 회로 어셈블리의 기본 원리를 이해한 후, 이러한 원리를 벗어나지 않으면서 자기 회로 어셈블리(4100)를 구현하는 특정 방식 및 단계들에 대한 형태 및 세부 사항의 다양한 수정들과 변경들을 수행하는 것이 가능하지만, 이러한 수정들과 변경들은 여전히 위에서 설명된 범위 내에 있다. 예로서, 자기 회로 어셈블리(4100)는 자기 쉴드를 더 포함할 수 있고, 자기 쉴드는 제 1 자성 요소(402), 제 1 자기 가이드 요소(404), 제 1 자기장 변경 요소(406), 및 제 2 자성 요소(408)를 포함하도록 구성될 수 있다.
도 4b는 본 개시의 일부 실시 예들에 따른 자기 회로 어셈블리(4200)의 종단면도를 도시하는 개략도이다. 도 4b에 도시된 바와 같이, 자기 회로 어셈블리(4100)와 달리, 자기 회로 어셈블리(4200)는 제 3 자성 요소(410)를 더 포함할 수 있다.
제 3 자성 요소(410)의 하부 표면은 제 1 자기장 변경 요소(406)와 접속될 수 있다. 제 3 자성 요소(410)와 제 1 자기장 변경 요소(406) 사이의 접속 수단들은 본 개시의 다른 곳에서 설명된 바와 같이 임의의 하나 이상의 접속 수단들에 기초할 수 있다. 일부 실시 예들에서, 자기 갭이 제 1 자성 요소(402), 제 1 자기 가이드 요소(404), 제 1 자기장 변경 요소(406), 제 2 자성 요소(408), 및/또는 제 3 자성 요소(410) 사이에 구성될 수 있다. 일부 실시 예들에서, 자기 회로 어셈블리(4200)는 제 1 자기장을 생성할 수 있고, 제 1 자성 요소(402)는 제 2 자기장을 생성할 수 있다. 자기 갭 내의 제 1 자기장의 자기장 세기는 자기 갭 내의 제 2 자기장의 자기장 세기를 초과할 수 있다. 일부 실시 예들에서, 제 3 자성 요소(410)는 제 3 자기장을 생성할 수 있고, 제 3 자기장은 자기 갭 내에서 제 2 자기장의 자기장 세기를 증가시킬 수 있다.
일부 실시 예들에서, 제 1 자성 요소(402)의 자화 방향과 제 3 자성 요소(410)의 자화 방향 사이의 끼인각은 0 내지 180도의 범위일 수 있다. 일부 실시 예들에서, 제 1 자성 요소(402)의 자화 방향과 제 3 자성 요소(410)의 자화 방향 사이의 끼인각은 45도 내지 135도의 범위일 수 있다. 일부 실시 예들에서, 제 1 자성 요소(402)의 자화 방향과 제 3 자성 요소(410)의 자화 방향 사이의 끼인각은 90도 이상일 수 있다. 일부 실시 예들에서, 제 1 자성 요소(402)의 자화 방향은 제 1 자성 요소(402)의 하부 표면 또는 상부 표면에 수직 상향으로 수직일 수 있다(도 4a에서 화살표 a로 표시된 방향). 제 3 자성 요소(410)의 자화 방향은 제 3 자성 요소(410)의 내부 링으로부터 외부 링으로 향할 수 있다(도 4a에서 화살표 b로 표시된 방향). 제 1 자성 요소(402)의 우측에서, 제 1 자성 요소(402)의 자화 방향은 시계 방향으로 90도 방향을 바꾼다.
일부 실시 예들에 있어서, 제 3 자성 요소(410)의 위치에서, 제 1 자기장의 방향과 제 2 자성 요소(408)의 자화 방향 사이의 끼인각은 90도보다 높지 않을 수 있다. 일부 실시 예들에 있어서, 제 3 자성 요소(410)의 위치에서, 제 1 자성 요소(402)에 의해 생성된 자기장의 방향과 제 3 자성 요소(410)의 자화 방향 사이의 끼인각은 0도, 10 도, 20도 등과 같이 90도보다 작거나 또는 같은 끼인각일 수 있다.
자기 회로 어셈블리(4100)와 비교하여, 제 3 자성 요소(410)가 자기 회로 어셈블리(4200)에 추가될 수 있다. 제 3 자성 요소(410)는 자기 회로 어셈블리(4200)의 자기 갭 내의 총 자속을 더 증가시킬 수 있으며, 그에 따라 자기 갭 내에서 자기 유도 강도를 증가시킨다. 또한, 제 3 자성 요소(410)의 작용 하에서, 자기 유도 라인은 자기 갭의 위치로 더 수렴하여, 그에 따라 자기 갭 내의 자기 유도 강도를 증가시킬 것이다.
자기 회로 어셈블리(4200)의 상기 설명은 단지 특정 예일 수 있으며, 유일한 실현 가능한 구현으로 간주되어서는 안된다. 명백하게도, 당업자의 경우에 있어서, 골 자기 회로 어셈블리의 기본 원리를 이해 한 후, 이러한 원리를 벗어나지 않으면서 자기 회로 어셈블리(4200)를 구현하기 위한 특정 수단 및 단계들의 형태 및 세부 사항들의 다양한 수정들과 변경들을 수행하는 것이 가능하지만, 이러한 수정들과 변경들은 여전히 위에서 설명된 범위 내에 있다. 예를 들어, 자기 회로 어셈블리(4200)는 자기 쉴드를 더 포함할 수 있다. 자기 쉴드는 제 1 자성 요소(402), 제 1 자기 가이드 요소(404), 제 1 자기장 변경 요소(406), 제 2 자성 요소(408), 및 제 3 자성 요소(410)를 포함하도록 구성될 수 있다.
도 4c는 본 개시의 일부 실시 예들에 따른 자기 회로 어셈블리(4300)를 도시하는 개략적인 구조도이다. 도 4c에 도시된 바와 같이, 자기 회로 어셈블리(4200)와 달리, 자기 회로 어셈블리(4300)는 제 4 자성 요소(412)를 더 포함할 수 있다.
제 4 자성 요소(412)의 하부 표면은 제 1 자기장 변경 소자(406)의 상부 표면과 접속될 수 있고, 제 4 자성 요소(412)의 상부 표면은 제 2 자성 요소(408)의 하부 표면과 접속될 수 있다. 제 4 자성 요소(412)와 제 1 자기장 변경 요소(406)와 제 2 자성 요소(408) 사이의 접속 방식은 본 개시의 다른 곳에 설명된 바와 같이 임의의 하나 이상의 접속 수단들에 기초할 수 있다. 일부 실시 예들에서, 자기 갭은 제 1 자성 요소(402), 제 1 자기 가이드 요소(404), 제 1 자기장 변경 요소(406), 제 2 자성 요소(408), 제 3 자성 요소(410), 및/또는 제 4 자성 요소(412) 사이에 구성될 수 있다. 제 2 자성 요소(408) 및 제 3 자성 요소(410)의 자화 방향에 대해서는 본 개시의 도 4a 및/또는 도 4b에서 각각 찾아볼 수 있다.
일부 실시 예들에서, 자기 회로 어셈블리(4300)는 제 1 자기장을 생성할 수 있고, 제 1 자성 요소(402)는 제 2 자기장을 생성할 수 있다. 자기 갭 내의 제 1 자기장의 자기장 세기는 자기 갭 내의 제 2 자기장의 자기장 세기를 초과할 수 있다. 일부 실시 예들에서, 제 4 자성 요소(412)는 제 3 자기장을 생성할 수 있고, 제 3 자기장은 자기 갭 내에서 제 2 자기장의 자기장 세기를 증가시킬 수 있다.
일부 실시 예들에서, 제 1 자성 요소(402)의 자화 방향과 제 4 자성 요소(412)의 자화 방향 사이의 끼인각은 0 내지 180도의 범위일 수 있다. 일부 실시 예들에서, 제 1 자성 요소(402)의 자화 방향과 제 4 자성 요소(412)의 자화 방향 사이의 끼인각은 45도 내지 135도의 범위일 수 있다. 일부 실시 예들에서, 제 1 자성 요소(402)의 자화 방향과 제 4 자성 요소(412)의 자화 방향 사이의 끼인각은 90도 이상일 수 있다. 일부 실시 예들에서, 제 1 자성 요소(402)의 자화 방향은 제 1 자성 요소(402)의 하부 표면 또는 상부 표면에 수직 상향으로 수직일 수 있다(도 4c에서 화살표 a로 표시된 방향). 제 4 자성 요소(412)의 자화 방향은 제 4 자성 요소(412)의 상부 표면으로부터 하부 표면으로 향할 수 있다(도 4c에서 화살표 d로 표시된 방향). 제 1 자성 요소(402)의 우측에서, 제 1 자성 요소(402)의 자화 방향은 시계 방향으로 180도 방향을 바꾼다.
일부 실시 예들에 있어서, 제 4 자성 요소(412)의 위치에서, 제 1 자기장의 방향과 제 4 자성 요소(412)의 자화 방향 사이의 끼인각은 90도보다 높지 않을 수 있다. 일부 실시 예들에 있어서, 제 4 자성 요소(412)의 위치에서, 제 1 자성 요소(402)에 의해 생성된 자기장의 방향과 제 4 자성 요소(412)의 자화 방향 사이의 끼인각은 0도, 10 도, 20도 등과 같이 90도보다 작거나 또는 같은 끼인각일 수 있다.
자기 회로 어셈블리(4200)와 비교하여, 제 4 자성 요소(412)가 자기 회로 어셈블리(4300)에 추가될 수 있다. 제 4 자성 요소(412)는 자기 회로 어셈블리(4300)의 자기 갭 내의 총 자속을 더 증가시킬 수 있으며, 그에 따라 자기 갭 내에서 자기 유도 강도를 증가시킨다. 또한, 제 4 자성 요소(412)의 작용 하에서, 자기 유도 라인은 자기 갭의 위치로 더 수렴하여, 그에 따라 자기 갭 내의 자기 유도 강도를 증가시킬 것이다.
자기 회로 어셈블리(4300)의 상기 설명은 단지 특정 예일 수 있으며, 유일한 실현 가능한 구현으로 간주되어서는 안된다. 명백하게도, 당업자의 경우에 있어서, 골 자기 회로 어셈블리의 기본 원리를 이해한 후, 이러한 원리를 벗어나지 않으면서 자기 회로 어셈블리(4300)를 구현하는 특정 수단 및 단계들의 형태 및 세부 사항들의 다양한 수정들과 변경들을 수행하는 것이 가능하지만, 이러한 수정들과 변경들은 여전히 위에서 설명된 범위 내에 있다. 예를 들어, 자기 회로 어셈블리(4200)는 하나 이상의 전도성 요소들을 더 포함할 수 있다. 하나 이상의 전도성 요소들은 제 1 자성 요소(402), 제 1 자기 가이드 요소(404), 제 2 자성 요소(408), 제 3 자성 요소(410), 및 제 4 자성 요소(412) 중 적어도 하나와 접속될 수 있다.
도 4d는 본 개시의 일부 실시 예들에 따른 자기 회로 어셈블리(4400)의 종단면도를 도시하는 개략도이다. 도 4d에 도시된 바와 같이, 자기 회로 어셈블리(4300)와 달리, 자기 회로 어셈블리(4400)는 자기 쉴드(414)를 더 포함할 수 있다.
자기 쉴드(414)는 저탄소강, 실리콘 강판, 실리콘 강판, 실리콘 강판, 페라이트 등과 같이 본 개시에 설명된 임의의 하나 이상의 자기 투과성 재료들(magnetically permeable materials)을 포함할 수 있다. 자기 쉴드(414)는 본 개시의 다른 곳에서 설명된 바와 같이 임의의 하나 이상의 접속 수단들을 통해 제 1 자기장 변경 요소(406), 제 2 자성 요소(408), 제 3 자성 요소(410), 및 제 4 자성 요소(412)와 접속될 수 있다. 자기 쉴드(414)의 처리 수단은 본 개시의 다른 곳에서 설명된 바와 같은 처리 수단들, 예를 들어 주조, 플라스틱 가공, 절단 가공, 분말 야금 등 중 임의의 하나, 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다. 일부 실시 예들에서, 자기 쉴드(414)는 베이스 플레이트 및 측벽을 포함할 수 있고, 측벽은 링 구조일 수 있다. 일부 실시 예들에서, 베이스 플레이트와 측벽은 일체로 형성될 수 있다. 일부 실시 예들에서, 베이스 플레이트는 본 개시의 다른 곳에서 설명된 바와 같이 임의의 하나 이상의 접속 수단들에 의해 측벽과 접속될 수 있다.
자기 회로 어셈블리(4300)와 비교하여, 자기 쉴드(414)가 자기 회로 어셈블리(4400)에 추가될 수 있다. 자기 쉴드(414)는 자기 회로 어셈블리(4300)의 자기 누출을 억제하고, 자기 회로의 길이 및 자기 저항을 효과적으로 감소 시켜, 더 많은 자기 라인들이 자기 갭을 통과하고 자기 갭 내의 자기 유도 강도를 증가시킬 수 있다.
자기 회로 어셈블리(4400)의 상기 설명은 단지 특정 예일 수 있으며, 유일한 실현 가능한 구현으로 간주되어서는 안된다. 명백하게도, 당업자의 경우에 있어서, 골 자기 회로 어셈블리의 기본 원리를 이해한 후, 이러한 원리를 벗어나지 않으면서 자기 회로 어셈블리(4400)를 구현하는 특정 수단 및 단계들의 형태 및 세부 사항들의 다양한 수정들과 변경들을 수행하는 것이 가능하지만, 이러한 수정들과 변경들은 여전히 위에서 설명된 범위 내에 있다. 예를 들어, 자기 회로 어셈블리(4400)는 하나 이상의 전도성 요소들을 더 포함할 수 있다. 하나 이상의 전도성 요소들은 제 1 자성 요소(402), 제 1 자기 가이드 요소(404), 제 2 자성 요소(408), 제 3 자성 요소(410), 및 제 4 자성 요소(412) 중 적어도 하나와 접속될 수 있다. 다른 예로서, 자기 회로 어셈블리(4200)는 제 5 자성 요소를 더 포함할 수 있다. 제 5 자성 요소의 하부 표면은 제 1 자기 가이드 요소(404)의 상부 표면과 접속될 수 있고, 제 5 자성 요소의 자화 방향은 제 1 자성 요소(402)의 자화 방향과 반대일 수 있다.
도 4e는 본 개시의 일부 실시 예들에 따른 자기 회로 어셈블리(4500)의 종단면도를 도시하는 개략도이다. 도 4e에 도시된 바와 같이, 자기 회로 어셈블리(4200)와 달리, 자기 회로 어셈블리(4500)의 제 1 자기장 변경 요소(406)와 제 2 자성 요소(408) 사이의 접속 표면은 쐐기 형상의 단면일 수 있다.
자기 회로 어셈블리(4100)와 비교하여, 자기 회로 어셈블리(4500)의 제 1 자기장 변경 요소(406) 및 제 2 자성 요소(408)의 접속 표면은 쐐기 형태의 단면일 수 있어서, 자기 유도 라인을 부드럽게 돌릴 수 있다. 동시에, 쐐기 형태의 단면은 제 1 자기장 변경 요소(406) 및 제 2 자성 요소(408)의 조립을 용이하게 할 수 있고, 조립의 수(count of assembly)를 줄이고 골전도 스피커의 무게를 감소시킬 수 있다.
자기 회로 어셈블리(4500)의 상기 설명은 단지 특정 예일 수 있으며, 유일한 실현 가능한 구현 솔루션으로 여겨져서는 안된다. 명백하게도, 당업자의 경우에 있어서, 골 자기 회로 어셈블리의 기본 원리를 이해한 후, 이러한 원리를 벗어나지 않으면서 자기 회로 어셈블리(4500)를 구현하는 특정 수단 및 단계들의 형태 및 세부 사항들의 다양한 수정들과 변경들을 수행하는 것이 가능하지만, 이러한 수정들과 변경들은 여전히 위에서 설명된 범위 내에 있다. 예를 들어, 자기 회로 어셈블리(4500)는 하나 이상의 전도성 요소들을 더 포함할 수 있다. 전도성 요소는 제 1 자성 요소(402), 제 1 자기 가이드 요소(404), 제 2 자성 요소(408), 및 제 3 자성 요소(410) 중 적어도 하나와 접속될 수 있다. 다른 예로서, 자기 회로 어셈블리(4500)는 제 5 자성 요소를 더 포함할 수 있다. 제 5 자성 요소의 하부 표면은 제 1 자기 가이드 요소(404)의 상부 표면과 접속될 수 있고, 제 5 자성 요소의 자화 방향은 제 1 자성 요소(402)의 자화 방향과 반대일 수 있다. 일부 실시 예들에서, 자기 회로 어셈블리(4500)는 자기 쉴드를 더 포함할 수 있다. 자기 쉴드는 제 1 자성 요소(402), 제 1 자기 가이드 요소(404), 제 1 자기장 변경 요소(406), 제 2 자성 요소(408), 및 제 3 자성 요소(410)를 포함하도록 구성될 수 있다.
도 4f는 본 개시의 일부 실시 예들에 따른 자기 회로 어셈블리(4600)의 종단면도를 도시하는 개략도이다. 도 4f에 도시된 바와 같이, 자기 회로 어셈블리(4100)와 달리, 자기 회로 어셈블리(4600)는 제 5 자성 요소(416)를 더 포함할 수 있다. 일부 실시 예들에서, 제 5 자성 요소(416)는 하나 이상의 자석들을 포함할 수 있다. 자석은 본 개시에서 설명된 임의의 하나 이상의 자석 재료들을 포함할 수 있다. 일부 실시 예들에서, 제 5 자성 요소(416)는 제 1 자석을 포함할 수 있고, 제 1 자성 요소(402)는 제 2 자석을 포함할 수 있다. 제 1 자석 및 제 2 자석은 동일하거나 상이한 자성 재료를 포함할 수 있다. 일부 실시 예들에서, 제 5 자성 요소(416), 제 1 자성 요소(402), 및 제 1 자기 가이드 요소(404)는 축 대칭 구조로서 제공될 수 있다. 예를 들어, 제 5 자성 요소(416), 제 1 자성 요소(402), 및 제 1 자기 가이드 요소(404)는 실린더들일 수 있다. 일부 실시 예들에서, 제 5 자성 요소(416), 제 1 자성 요소(402), 및 제 1 자기 가이드 요소(404)는 동일하거나 상이한 직경들을 갖는 동축 실린더들일 수 있다. 예를 들어, 제 1 자기 가이드 요소(404)의 직경은 제 1 자성 요소(402) 및/또는 제 5 자성 요소(416)보다 클 수 있다. 제 1 자성 요소(402) 및/또는 제 5 자성 요소(416)의 측벽은 제 1 오목 부분 및/또는 제 2 오목 부분을 형성할 수 있다. 일부 실시 예들에서, 제 1 자성 요소(402)의 두께, 제 2 자성 요소(416)의 두께, 및 제 1 자기 가이드 요소(404)의 두께의 합에 대한 제 2 자성 요소(416)의 두께의 비는 0.4 내지 0.6의 범위일 수 있다. 제 1 자기 가이드 요소(404) 대 제 1 자성 요소(402)의 두께, 제 2 자성 요소(416)의 두께, 및 제 1 자기 가이드 요소(404)의 두께의 합의 비는 0.5 내지 1.5의 범위일 수 있다.
일부 실시 예들에서, 제 5 자성 요소(416)의 자화 방향과 제 1 자성 요소(402)의 자화 방향 사이의 끼인각은 150 내지 180도의 범위일 수 있다. 일부 실시 예들에서, 제 5 자성 요소(416)의 자화 방향과 제 1 자성 요소(402)의 자화 방향 사이의 끼인각은 90도 내지 180도의 범위일 수 있다. 예를 들어, 제 5 자성 요소(416)의 자화 방향은 제 1 자성 요소(402)의 자화 방향과 반대일 수 있다(도시된 바와 같이, a 방향 및 e 방향).
자기 회로 어셈블리(4100)와 비교하여, 제 5 자성 요소(416)가 자기 회로 어셈블리(4600)에 추가될 수 있다. 제 5 자성 요소(426)는 자기 회로 어셈블리(4600)에서 자화 방향으로 제 1 자성 요소(402)의 자기 누출을 억제할 수 있어, 제 1 자성 요소(402)에 의해 생성된 자기장이 자기 갭 내로 더 압축될 수 있고, 그에 따라 자기 갭 내에서 자기 유도 강도를 증가시킬 수 있다.
자기 회로 어셈블리(4600)의 상기 설명은 단지 특정 예일 수 있으며, 유일한 실현 가능한 구현으로 간주되어서는 안된다. 명백하게도, 당업자의 경우에 있어서, 골 자기 회로 어셈블리의 기본 원리를 이해 한 후, 이러한 원리를 벗어나지 않으면서 자기 회로 어셈블리(4600)를 구현하기 위한 특정 수단 및 단계들의 형태 및 세부 사항들의 다양한 수정들과 변경들을 수행하는 것이 가능하지만, 이러한 수정들과 변경들은 여전히 위에서 설명된 범위 내에 있다. 일부 실시 예들에서, 자기 회로 어셈블리(4600)는 하나 이상의 전도성 요소들을 더 포함할 수 있다. 하나 이상의 전도성 요소들은 제 1 자성 요소(402), 제 1 자기 가이드 요소(404), 제 2 자성 요소(408), 및 제 5 자성 요소(416) 중 적어도 하나와 접속될 수 있다. 예를 들어, 하나 이상의 전도성 요소들은 제 1 오목 부분 및/또는 제 2 오목 부분에 제공될 수 있다. 일부 실시 예들에서, 적어도 하나의 자성 요소가 자기 회로 어셈블리(4600)에 추가될 수 있고, 더 추가된 자성 요소는 제 1 자기장 변경 요소(406)와 접속될 수 있다. 일부 실시 예들에서, 자기 회로 어셈블리(4600)는 자기 쉴드를 더 포함할 수 있다. 자기 쉴드는 제 1 자성 요소(402), 제 1 자기 가이드 요소(404), 제 1 자기장 변경 요소(406), 제 2 자성 요소(408), 및 제 5 자성 요소(416)를 포함하도록 구성될 수 있다.
도 4g는 본 개시의 일부 실시 예들에 따른 자기 회로 어셈블리(4700)의 종단면도를 도시하는 개략도이다. 자기 회로 어셈블리(4700)는 제 1 자성 요소(402), 제 1 자기 가이드 요소(404), 제 1 자기장 변경 요소(406), 제 2 자성 요소(408), 제 3 자성 요소(410), 제 4 자성 요소(412), 제 5 자성 요소(416), 제 6 자성 요소(418), 제 7 자성 요소(420), 및 제 2 링 요소(422)를 포함할 수 있다. 제 1 자성 요소(402), 제 1 자기 가이드 요소(404), 제 1 자기장 변경 요소(406), 제 2 자성 요소(408), 제 3 자성 요소(410), 제 3 자성 요소(410), 제 4 자성 요소(412), 및 제 5 자성 요소(416)에 대해서는 본 개시의 도 4a, 도 4b, 도 4c, 도 4d, 도 4e, 및/또는 도 4f에서 찾아볼 수 있다. 일부 실시 예들에서, 제 1 자기장 변경 요소(406) 및/또는 제 2 링 요소(422)는 환형 자성 요소 또는 환형 자기 가이드 요소를 포함할 수 있다. 환형 자성 요소는 본 개시에서 설명된 임의의 하나 이상의 자성 재료들을 포함할 수 있고, 환형 자기 가이드 요소는 본 개시에서 설명된 임의의 하나 이상의 자기 전도성 재료들을 포함할 수 있다.
일부 실시 예들에서, 제 6 자성 요소(418)는 제 5 자성 요소(416) 및 제 2 링 요소(422)와 접속될 수 있고, 제 7 자성 요소(420)는 제 3 자성 요소(410) 및 제 2 링 요소(422)와 접속될 수 있다. 일부 실시 예들에서, 제 1 자성 요소(402), 제 5 자성 요소(416), 제 2 자성 요소(408), 제 3 자성 요소(410), 제 4 자성 요소(412), 제 6 자성 요소(418), 및/또는 제 7 자성 요소(420), 및 제 1 자기 가이드 요소(404), 제 1 자기장 변경 요소(406), 및 제 2 링 요소(422)는 자기 회로를 형성할 수 있다.
제 2 자성 요소(408)의 자화 방향에 대해서는 본 개시의 도 4a에서 찾아볼 수 있다. 제 3 자성 요소(410), 제 4 자성 요소(412), 및 제 5 자성 요소(416)의 자화 방향들에 대해서는 본 개시의 도 4b, 도 4c, 및 도 4f에서 각각 찾아볼 수 있다.
일부 실시 예들에서, 제 1 자성 요소(402)의 자화 방향과 제 6 자성 요소(418)의 자화 방향 사이의 끼인각은 0 내지 180도의 범위일 수 있다. 일부 실시 예들에서, 제 1 자성 요소(402)의 자화 방향과 제 6 자성 요소(418)의 자화 방향 사이의 끼인각은 45도 내지 135도의 범위일 수 있다. 일부 실시 예들에서, 제 1 자성 요소(402)의 자화 방향과 제 6 자성 요소(418)의 자화 방향 사이의 끼인각은 90도보다 높지 않을 수 있다. 일부 실시 예들에서, 제 1 자성 요소(402)의 자화 방향은 제 1 자성 요소(402)의 하부 표면 또는 상부 표면에 수직 상향으로 수직일 수 있다(도 4f에서 화살표 a로 표시된 방향). 제 6 자성 요소(418)의 자화 방향은 제 6 자성 요소(418)의 외부 링으로부터 내부 링으로 향할 수 있다(도 4f에서 화살표 f로 표시된 방향). 제 1 자성 요소(402)의 우측에서, 제 6 자성 요소(418)의 자화 방향은 시계 방향으로 270도 방향을 바꾼 제 1 자성 요소(402)의 자화 방향과 동일할 수 있다. 일부 실시 예들에서, 동일한 수직 방향에서, 제 6 자성 요소(418)의 자화 방향은 제 2 자성 요소(408)의 자화 방향과 동일할 수 있다. 일부 실시 예들에서, 제 1 자성 요소(402)의 자화 방향은 제 1 자성 요소(402)의 하부 표면 또는 상부 표면에 수직 상향으로 수직일 수 있다(도 4f에서 화살표 a로 표시된 방향). 제 7 자성 요소(420)의 자화 방향은 제 7 자성 요소(420)의 하부 표면으로부터 상부 표면으로 향할 수 있다(도 4f에서 화살표 e로 표시된 방향). 제 1 자성 요소(402)의 우측에서, 제 1 자성 요소(402)의 자화 방향은 시계 방향으로 360도 방향을 바꾼다. 일부 실시 예들에서, 제 7 자성 요소(420)의 자화 방향은 제 3 자성 요소(412)의 자화 방향과 동일할 수 있다.
일부 실시 예들에서, 제 6 자성 요소(418)의 위치에서, 자기 회로 어셈블리(4700)에 의해 생성된 자기장의 방향과 제 6 자성 요소(418)의 자화 방향 사이의 끼인각은 90보다 크지 않을 수 있다. 일부 실시 예들에 있어서, 제 6 자성 요소(418)의 위치에서, 제 1 자성 요소(402)에 의해 생성된 자기장의 방향과 제 6 자성 요소(418)의 자화 방향 사이의 끼인각은 0도, 10 도, 20도 등과 같이 90도보다 작거나 또는 같은 끼인각일 수 있다.
일부 실시 예들에서, 제 1 자성 요소(402)의 자화 방향과 제 7 자성 요소(420)의 자화 방향 사이의 끼인각은 0 내지 180도의 범위일 수 있다. 일부 실시 예들에서, 제 1 자성 요소(402)의 자화 방향과 제 7 자성 요소(420)의 자화 방향 사이의 끼인각은 45도 내지 135도의 범위일 수 있다. 일부 실시 예들에서, 제 1 자성 요소(402)의 자화 방향과 제 7 자성 요소(420)의 자화 방향 사이의 끼인각은 90도보다 높지 않을 수 있다.
일부 실시 예들에서, 제 7 자성 요소(420)의 위치에서, 자기 회로 어셈블리(4700)에 의해 생성된 자기장의 방향과 제 7 자성 요소(420)의 자화 방향 사이의 끼인각은 90보다 크지 않을 수 있다. 일부 실시 예들에 있어서, 제 7 자성 요소(420)의 위치에서, 제 1 자성 요소(402)에 의해 생성된 자기장의 방향과 제 7 자성 요소(420)의 자화 방향 사이의 끼인각은 0도, 10 도, 20도 등과 같이 90도보다 작거나 또는 같은 끼인각일 수 있다.
일부 실시 예들에서, 제 1 자기장 변경 요소(406)는 환형 자성 요소일 수 있다. 이 경우, 제 1 자기장 변경 소자(406)의 자화 방향은 제 2 자성 요소(408) 또는 제 4 자성 요소(412)의 자화 방향과 동일할 수 있다. 예를 들어, 제 1 자성 요소(402)의 우측에서, 제 1 자기장 변경 요소(406)의 자화 방향은 제 1 자기장 변경 요소(406)의 외부 링으로부터 내부 링으로 향할 수 있다. 일부 실시 예들에서, 제 2 링 요소(422)는 환형 자성 요소일 수 있다. 이 경우, 제 2 링 요소(422)의 자화 방향은 제 6 자성 요소(418) 또는 제 7 자성 요소(420)의 자화 방향과 동일할 수 있다. 예를 들어, 제 1 자성 요소(402)의 우측에서, 제 2 링 요소(422)의 자화 방향은 제 2 링 요소(422)의 외부 링으로부터 내부 링으로 향할 수 있다.
자기 회로 어셈블리(4700)에서, 복수의 자성 요소들은 총 자속을 증가시킬 수 있고, 상이한 자성 요소들의 상호 작용은 자기 유도 라인들의 누출을 억제하고, 자기 갭 내의 자기 유도 강도를 증가 시키며, 골전도 스피커의 감도를 향상시킬 수 있다.
자기 회로 어셈블리(4700)의 상기 설명은 단지 특정 예일 수 있으며, 유일한 실현 가능한 구현으로 간주되어서는 안된다. 명백하게도, 당업자의 경우에 있어서, 골 자기 회로 어셈블리의 기본 원리들을 이해한 후, 이러한 원리를 벗어나지 않으면서 자기 회로 어셈블리(4700)를 구현하는 특정 수단 및 단계들의 형태 및 세부 사항들의 다양한 수정들과 변경들을 수행하는 것이 가능하지만, 이러한 수정들과 변경들은 여전히 위에서 설명된 범위 내에 있다. 일부 실시 예들에서, 자기 회로 어셈블리(4700)는 하나 이상의 전도성 요소들을 더 포함할 수 있다. 하나 이상의 전도성 요소들은 제 1 자성 요소(402), 제 1 자기 가이드 요소(404), 제 2 자성 요소(408), 제 3 자성 요소(410), 제 4 자성 요소(412), 제 5 자성 요소(416), 제 6 자성 요소(418), 및 제 7 자성 요소(420) 중 적어도 하나와 접속될 수 있다.
도 4h는 본 개시의 일부 실시 예들에 따른 자기 회로 어셈블리(4800)의 종단면도를 도시하는 개략도이다. 도 4h에 도시된 바와 같이, 자기 회로 어셈블리(4700)와 달리, 자기 회로 어셈블리(4800)는 자기 쉴드(414)를 더 포함할 수 있다.
자기 쉴드(414)는 저탄소강, 실리콘 강판, 실리콘 강판, 실리콘 강판, 페라이트 등과 같이 본 개시에 설명된 임의의 하나 이상의 자기 투과성 재료들을 포함할 수 있다. 자기 쉴드(414)는 본 개시의 다른 곳에서 설명된 바와 같이 임의의 하나 이상의 접속 수단들을 통해 제 1 자성 요소(402), 제 1 자기장 변경 요소(406), 제 2 자성 요소(408), 제 3 자성 요소(410), 제 4 자성 요소(412), 제 5 자성 요소(416), 제 6 자성 요소(418), 제 7 자성 요소(420), 및 제 2 링 요소(422)와 와 접속될 수 있다. 자기 쉴드(414)의 처리 수단은 본 개시의 다른 곳에서 설명된 바와 같은 처리 수단들, 예를 들어 주조, 플라스틱 가공, 절단 가공, 분말 야금 등 중 임의의 하나, 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다. 일부 실시 예들에서, 자기 쉴드는 적어도 하나의 베이스 플레이트 및 측벽을 포함할 수 있고, 측벽은 링 구조일 수 있다. 일부 실시 예들에서, 베이스 플레이트와 측벽은 일체로 형성될 수 있다. 일부 실시 예들에서, 베이스 플레이트는 본 개시의 다른 곳에서 설명된 바와 같이 임의의 하나 이상의 접속 수단들을 통해 측벽과 접속될 수 있다. 예를 들어, 자기 쉴드(414)는 제 1 베이스 플레이트, 제 2 베이스 플레이트, 및 측벽을 포함할 수 있다. 제 1 베이스 플레이트와 측벽은 일체로 형성될 수 있고, 제 2 베이스 플레이트는 본 개시의 다른 곳에서 설명된 바와 같이 임의의 하나 이상의 접속 수단들을 통해 측벽과 접속될 수 있다.
자기 회로 어셈블리(4800)에서, 자기 쉴드(414)는 자기 회로 어셈블리(4800)에 의해 생성된 자기 회로를 폐쇄할 수 있어서, 더 많은 자기 유도 라인들이 자기 회로 어셈블리(4800)에서 자기 갭 내에 집중되고, 그에 따라 자기 누출을 억제하고, 자기 갭 내에서 자기 유도 강도를 증가시키고, 골전도 스피커의 감도를 향상시킨다.
자기 회로 어셈블리(4800)의 상기 설명은 단지 특정 예일 수 있으며, 유일한 실현 가능한 구현 솔루션으로 간주되어서는 안된다. 명백하게도, 당업자의 경우에 있어서, 골 자기 회로 어셈블리의 기본 원리를 이해한 후, 이러한 원리를 벗어나지 않으면서 자기 회로 어셈블리(4800)를 구현하기 위한 특정 수단 및 단계들의 형태 및 세부 사항들의 다양한 수정들과 변경들을 수행하는 것이 가능하지만, 이러한 수정들과 변경들은 여전히 위에서 설명된 범위 내에 있다. 예를 들어, 자기 회로 어셈블리(4800)는 하나 이상의 전도성 요소들을 더 포함할 수 있고, 하나 이상의 전도성 요소들은 제 1 자성 요소(402), 제 1 자기 가이드 요소(404), 제 2 자성 요소(408), 제 3 자성 요소(410), 제 4 자성 요소(412), 제 5 자성 요소(416), 제 6 자성 요소(418), 및 제 7 자성 요소(420) 중 적어도 하나와 접속될 수 있다.
도 4m은 본 개시의 일부 실시 예들에 따른 자기 회로 어셈블리(4900)의 종단면도를 도시하는 개략도이다. 도 4m에 도시된 바와 같이, 자기 회로 어셈블리(4100)와는 달리, 자기 회로 어셈블리(4900)는 하나 이상의 전도성 요소들(예를 들어, 제 1 전도성 요소(424), 제 2 전도성 요소(426), 및 제 3 전도성 요소(428))를 더 포함할 수 있다.
전도성 요소에 대한 설명은 전도성 요소(318), 전도성 요소(320), 및 전도성 요소(322)와 유사하므로, 여기서는 관련 설명을 반복하지 않는다.
자기 회로 어셈블리(4900)의 상기 설명은 단지 특정 예일 수 있으며, 유일한 실현 가능한 구현으로 간주되어서는 안된다. 명백하게도, 당업자의 경우에 있어서, 골 자기 회로 어셈블리의 기본 원리를 이해한 후, 이러한 원리를 벗어나지 않으면서 자기 회로 어셈블리(4900)를 구현하는 특정 방식 및 단계들에 대한 형태 및 세부 사항의 다양한 수정들과 변경들을 수행하는 것이 가능하지만, 이러한 수정들과 변경들은 여전히 위에서 설명된 범위 내에 있다. 예를 들어, 자기 회로 어셈블리(4900)는 적어도 하나의 자성 요소 및/또는 자기 가이드 요소를 더 포함할 수 있다.
도 5a는 본 개시의 일부 실시 예들에 따른 자기 회로 어셈블리(5100)의 종단면도를 도시하는 개략도이다. 도 5a에 도시된 바와 같이, 자기 회로 어셈블리(5100)는 제 1 자성 요소(502), 제 1 자기 가이드 요소(504), 제 2 자기 가이드 요소(506), 및 제 2 자성 요소(508)를 포함할 수 있다.
일부 실시 예들에서, 제 1 자성 요소(502) 및/또는 제 2 자성 요소(508)는 본 개시에 설명된 바와 같은 임의의 하나 이상의 자석들을 포함할 수 있다. 일부 실시 예들에서, 제 1 자성 요소(502)는 제 1 자석을 포함할 수 있고, 제 2 자성 요소(508)는 제 2 자석을 포함할 수 있다. 제 1 자석은 제 2 자석과 동일하거나 상이할 수 있다. 제 1 자기 가이드 요소(504) 및/또는 제 2 자기 가이드 요소(506)는 본 개시에서 설명된 임의의 하나 이상의 자기 전도성 재료들을 포함할 수 있다. 제 1 자기 가이드 요소(504) 및/또는 제 2 자기 가이드 요소(506)의 처리 수단은 본 개시의 다른 곳에 설명된 바와 같이 임의의 하나 이상의 처리 수단들을 포함할 수 있다. 일부 실시 예들에서, 제 1 자성 요소(502), 제 1 자기 가이드 요소(504), 및/또는 제 2 자성 요소(508)는 축 대칭 구조로서 제공될 수 있다. 예를 들어, 제 1 자성 요소(502), 제 1 자기 가이드 요소(504), 및/또는 제 2 자성 요소(508)는 실린더일 수 있다. 일부 실시 예들에서, 제 1 자성 요소(502), 제 1 자기 가이드 요소(504), 및/또는 제 2 자성 요소(508)는 동일하거나 상이한 직경들을 갖는 동축 실린더들일 수 있다. 제 1 자성 요소(502)의 두께는 제 2 자성 요소(508)의 두께를 초과하거나 동일할 수 있다. 일부 실시 예들에서, 제 2 자기 가이드 요소(506)는 그루브형 구조일 수 있다. 그루브형 구조는 (도 5a에 도시된 바와 같이) U 자형 단면을 포함할 수 있다. 그루브형의 제 2 자기 가이드 요소(506)는 베이스 플레이트 및 측벽을 포함할 수 있다. 일부 실시 예들에서, 베이스 플레이트와 측벽은 일체로 형성될 수 있다. 예를 들어, 측벽은 베이스 플레이트와 수직인 방향으로 베이스 플레이트를 연장함으로써 형성될 수 있다. 일부 실시 예들에서, 베이스 플레이트는 본 개시의 다른 곳에서 설명된 바와 같이 하나 이상의 접속 수단들을 통해 측벽과 접속될 수 있다. 제 2 자성 요소(508)는 환형 형상 또는 시트형 형상으로 제공될 수 있다. 제 2 자성 요소(508)의 형상과 관련하여, 명세서의 다른 곳(예를 들어, 도 6a 및 도 6b, 및 관련 설명)에서의 설명이 참조될 수 있다. 일부 실시 예들에서, 제 2 자성 요소(508)는 제 1 자성 요소(502) 및/또는 제 1 자기 가이드 요소(504)와 동축일 수 있다.
제 1 자성 요소(502)의 상부 표면은 제 1 자기 가이드 요소(504)의 하부 표면과 접속될 수 있다. 제 1 자성 요소(502)의 하부 표면은 제 2 자기 가이드 요소(506)의 베이스 플레이트와 접속될 수 있다. 제 2 자성 요소(508)의 하부 표면은 제 1 자기 가이드 요소(504)의 상부 표면과 접속될 수 있다. 제 1 자성 요소(502), 제 1 자기 가이드 요소(504), 제 2 자기 가이드 요소(506), 및/또는 제 2 자성 요소(508) 사이의 접속 수단은 본딩, 스냅핑, 용접, 리벳팅, 볼팅 등, 또는 이들의 임의의 조합을 포함할 수 있다.
자기 갭이 제 1 자성 요소(502), 제 1 자기 가이드 요소(504), 및/또는 제 2 자성 요소(508) 및 제 2 자기 가이드 요소(506)의 측벽 사이에 구성될 수 있다. 보이스 코일(520)이 자기 갭 내에 위치될 수 있다. 일부 실시 예들에서, 제 1 자성 요소(502), 제 1 자기 가이드 요소(504), 제 2 자기 가이드 요소(506), 및 제 2 자성 요소(508)는 자기 회로를 형성할 수 있다. 일부 실시 예들에서, 자기 회로 어셈블리(5100)는 제 1 자기장을 생성할 수 있고, 제 1 자성 요소(502)는 제 2 자기장을 생성할 수 있다. 제 1 자기장은 자기 회로 어셈블리(5100) 내의 모든 구성요소들(예를 들어, 제 1 자성 요소(502), 제 1 자기 가이드 요소(504), 제 2 자기 가이드 요소(506), 및 제 2 자성 요소(508))에 의해 생성된 자기장에 의해 공동으로 형성될 수 있다. 자기 갭 내의 제 1 자기장의 자기장 세기(또한 자기 유도 강도 또는 자속 밀도로 지칭될 수 있음)는 자기 갭 내의 제 2 자기장의 자기장 세기를 초과할 수 있다. 일부 실시 예들에서, 제 2 자성 요소(508)는 제 3 자기장을 생성할 수 있고, 제 3 자기장은 자기 갭 내에서 제 2 자기장의 자기장 세기를 증가시킬 수 있다.
일부 실시 예들에서, 제 2 자성 요소(508)의 자화 방향과 제 1 자성 요소(502)의 자화 방향 사이의 끼인각은 90도 내지 180도의 범위일 수 있다. 일부 실시 예들에서, 제 2 자성 요소(508)의 자화 방향과 제 1 자성 요소(502)의 자화 방향 사이의 끼인각은 150도 내지 180도의 범위일 수 있다. 일부 실시 예들에서, 제 2 자성 요소(508)의 자화 방향은 제 1 자성 요소(502)의 자화 방향과 반대일 수 있다(도시된 바와 같이, a 방향 및 b 방향).
단일 자성 요소의 자기 회로 어셈블리와 비교하여, 자기 회로 어셈블리(5100)는 제 2 자성 요소(508)를 추가할 수 있다. 제 2 자성 요소(508)의 자화 방향은 제 1 자성 요소(502)의 자화 방향과 반대일 수 있으며, 이는 자화 방향에서 제 1 자성 요소(502)의 자기 누출을 억제할 수 있어서, 제 1 자성 요소(502)에 의해 생성된 자기장이 자기 갭 내로 더 압축될 수 있고, 그에 따라 자기 갭 내의 자기 유도 강도를 증가시킬 수 있다.
자기 회로 어셈블리(5100)의 상기 설명은 단지 특정 예일 수 있으며, 유일한 실현 가능한 구현으로 간주되어서는 안된다. 명백하게도, 당업자의 경우에 있어서, 골 자기 회로 어셈블리의 기본 원리들을 이해한 후, 이러한 원리를 벗어나지 않으면서 자기 회로 어셈블리(5100)를 구현하는 특정 수단 및 단계들의 형태 및 세부 사항들의 다양한 수정들과 변경들을 수행하는 것이 가능하지만, 이러한 수정들과 변경들은 여전히 위에서 설명된 범위 내에 있다. 예를 들어, 제 2 자기 가이드 요소(506)는 링 구조 또는 시트 구조일 수 있다. 다른 예로서, 자기 회로 어셈블리(5100)는 전도성 요소를 더 포함할 수 있다. 전도성 요소는 제 1 자성 요소(502), 제 1 자기 가이드 요소(504), 제 2 자기 가이드 요소(506), 및 제 2 자성 요소(508)와 접속될 수 있다.
도 5b는 본 개시의 일부 실시 예들에 따른 자기 회로 어셈블리(5200)의 종단면도를 도시하는 개략도이다. 도 5b에 도시된 바와 같이, 자기 회로 어셈블리(5100)와 달리, 자기 회로 어셈블리(5200)는 제 3 자성 요소(510)를 더 포함할 수 있다.
제 3 자성 요소(510)의 하부 표면은 제 2 자기 가이드 요소(506)의 측벽과 접속될 수 있다. 자기 갭이 제 1 자성 요소(502), 제 1 자기 가이드 요소(504), 제 2 자성 요소(508), 및/또는 제 3 자성 요소(510) 사이에 구성될 수 있다. 보이스 코일(520)이 자기 갭 내에 위치될 수 있다. 일부 실시 예들에서, 제 1 자성 요소(502), 제 1 자기 가이드 요소(504), 제 2 자기 가이드 요소(506), 제 2 자성 요소(508), 및 제 3 자성 요소(510)는 자기 회로를 형성할 수 있다. 일부 실시 예들에서, 제 2 자성 요소(508)의 자화 방향은 본 개시의 도 3a의 상세한 설명을 참조할 수 있다.
일부 실시 예들에서, 자기 회로 어셈블리(5200)는 제 1 자기장을 생성할 수 있고, 제 1 자성 요소(502)는 제 2 자기장을 생성할 수 있다. 자기 갭 내의 제 1 자기장의 자기장 세기는 자기 갭 내의 제 2 자기장의 자기장 세기보다 클 수 있다. 일부 실시 예들에서, 제 3 자성 요소(510)는 제 3 자기장을 생성할 수 있고, 제 3 자기장은 자기 갭 내에서 제 2 자기장의 자기장 세기를 증가시킬 수 있다.
일부 실시 예들에서, 제 1 자성 요소(502)의 자화 방향과 제 3 자성 요소(510)의 자화 방향 사이의 끼인각은 0 내지 180도의 범위일 수 있다. 일부 실시 예들에서, 제 1 자성 요소(502)의 자화 방향과 제 3 자성 요소(510)의 자화 방향 사이의 끼인각은 45도 내지 135도의 범위일 수 있다. 일부 실시 예들에서, 제 1 자성 요소(502)의 자화 방향과 제 3 자성 요소(510)의 자화 방향 사이의 끼인각은 90도와 같거나 또는 이를 초과할 수 있다. 일부 실시 예들에서, 제 1 자성 요소(502)의 자화 방향은 제 1 자성 요소(502)의 하부 표면 또는 상부 표면에 수직 상향으로 수직일 수 있다(도 5b에서 화살표 a로 표시된 방향). 제 3 자성 요소(510)의 자화 방향은 제 3 자성 요소(510)의 내부 링으로부터 외부 링으로 향할 수 있다(도 5b에서 화살표 c로 표시된 방향). 제 1 자성 요소(502)의 우측에서, 제 1 자성 요소(502)의 자화 방향은 시계 방향으로 90도 방향을 바꾼다.
일부 실시 예들에 있어서, 제 3 자성 요소(510)의 위치에서, 제 1 자기장의 방향과 제 3 자성 요소(510)의 자화 방향 사이의 끼인각은 90도보다 높지 않을 수 있다. 일부 실시 예들에 있어서, 제 3 자성 요소(510)의 위치에서, 제 1 자성 요소(502)에 의해 생성된 자기장의 방향과 제 3 자성 요소(510)의 자화 방향 사이의 끼인각은 0도, 10 도, 20도 등과 같이 90도보다 작거나 또는 같은 끼인각일 수 있다.
자기 회로 어셈블리(5100)와 비교하여, 제 3 자성 요소(510)가 자기 회로 어셈블리(5200)에 추가될 수 있다. 제 3 자성 요소(510)는 자기 회로 어셈블리(5200)의 자기 갭 내의 총 자속을 더 증가시킬 수 있으며, 그에 따라 자기 갭 내에서 자기 유도 강도를 증가시킨다. 그리고, 제 3 자성 요소(510)의 작용 하에서, 자기 유도 라인은 자기 갭의 위치로 더 수렴하여, 자기 갭 내의 자기 유도 강도를 더 증가시킬 것이다.
도 5c는 본 개시의 일부 실시 예들에 따른 자기 회로 어셈블리(5300)의 종단면도를 도시하는 개략도이다. 도 5c에 도시된 바와 같이, 자기 회로 어셈블리(5100)와 달리, 자기 회로 어셈블리(5300)는 제 4 자성 요소(512)를 더 포함할 수 있다.
제 4 자성 요소(512)는 본딩, 스냅핑, 용접, 리벳팅, 볼팅 등, 또는 임의의 이들의 조합에 의해 제 1 자성 요소(502) 및 제 2 자기 가이드 요소(506)의 측벽과 접속될 수 있다. 일부 실시 예들에서, 자기 갭이 제 1 자성 요소(502), 제 1 자기 가이드 요소(504), 제 2 자기 가이드 요소(506), 제 2 자성 요소(508), 및 제 4 자성 요소(512) 사이에 구성될 수 있다. 일부 실시 예들에서, 제 2 자성 요소(508)의 자화 방향에 대해서는 본 개시의 도 5a에서 찾아볼 수 있다.
일부 실시 예들에서, 자기 회로 어셈블리(5200)는 제 1 자기장을 생성할 수 있고, 제 1 자성 요소(502)는 제 2 자기장을 생성할 수 있다. 자기 갭 내의 제 1 자기장의 자기장 세기는 자기 갭 내의 제 2 자기장의 자기장 세기를 초과할 수 있다. 일부 실시 예들에서, 제 4 자성 요소(512)는 제 4 자기장을 생성할 수 있고, 제 4 자기장은 자기 갭 내에서 제 2 자기장의 자기장 세기를 증가시킬 수 있다.
일부 실시 예들에서, 제 1 자성 요소(502)의 자화 방향과 제 4 자성 요소(512)의 자화 방향 사이의 끼인각은 0 내지 180도의 범위일 수 있다. 일부 실시 예들에서, 제 1 자성 요소(502)의 자화 방향과 제 4 자성 요소(512)의 자화 방향 사이의 끼인각은 45도 내지 135도의 범위일 수 있다. 일부 실시 예들에서, 제 1 자성 요소(502)의 자화 방향과 제 4 자성 요소(512)의 자화 방향 사이의 끼인각은 90도보다 높지 않을 수 있다. 일부 실시 예들에서, 제 1 자성 요소(502)의 자화 방향은 제 1 자성 요소(502)의 하부 표면 또는 상부 표면에 수직 상향으로 수직일 수 있다(도 5c에서 화살표 a로 표시된 방향). 제 4 자성 요소(512)의 자화 방향은 제 4 자성 요소(512)의 외부 링으로부터 내부 링으로 향할 수 있다(도 5c에서 화살표 e로 표시된 방향). 제 1 자성 요소(502)의 우측에서, 제 1 자성 요소(502)의 자화 방향은 시계 방향으로 270도 방향을 바꾼다.
일부 실시 예들에 있어서, 제 4 자성 요소(512)의 위치에서, 제 1 자기장의 방향과 제 4 자성 요소(512)의 자화 방향 사이의 끼인각은 90도보다 높지 않을 수 있다. 일부 실시 예들에 있어서, 제 4 자성 요소(512)의 위치에서, 제 1 자성 요소(502)에 의해 생성된 자기장의 방향과 제 4 자성 요소(512)의 자화 방향 사이의 끼인각은 0도, 10 도, 20도 등과 같이 90도보다 작거나 또는 같은 끼인각일 수 있다.
자기 회로 어셈블리(5200)와 비교하여, 제 4 자성 요소(512)가 자기 회로 어셈블리(5300)에 추가될 수 있다. 제 4 자성 요소(512)는 자기 회로 어셈블리(5300)의 자기 갭 내의 총 자속을 더 증가시킬 수 있으며, 그에 따라 자기 갭 내에서 자기 유도 강도를 증가시킨다. 또한, 제 4 자성 요소(512)의 작용 하에서, 자기 유도 라인은 자기 갭의 위치로 더 수렴하여, 자기 갭 내의 자기 유도 강도를 더 증가시킬 것이다.
도 5d는 본 개시의 일부 실시 예들에 따른 자기 회로 어셈블리(5400)의 종단면도를 도시하는 개략도이다. 도 5d에 도시된 바와 같이, 자기 회로 어셈블리(5200)와 달리, 자기 회로 어셈블리(5400)는 제 5 자성 요소(514)를 더 포함할 수 있다.
제 3 자성 요소(510)의 하부 표면은 제 5 자성 요소(514)와 접속될 수 있고, 제 5 자성 요소(514)의 하부 표면은 제 2 자기 가이드 요소(506)의 측벽과 접속될 수 있다. 자기 갭이 제 1 자성 요소(502), 제 1 자기 가이드 요소(504), 제 2 자성 요소(508), 및/또는 제 3 자성 요소(510) 사이에 구성될 수 있다. 보이스 코일(520)이 자기 갭 내에 위치될 수 있다. 일부 실시 예들에서, 제 1 자성 요소(502), 제 1 자기 가이드 요소(504), 제 2 자기 가이드 요소(506), 제 2 자성 요소(508), 제 3 자성 요소(510), 및 제 5 자성 요소(514)는 자기 회로를 형성할 수 있다. 일부 실시 예들에서, 제 2 자성 요소(508) 및 제 3 자성 요소(510)의 자화 방향에 대해서는 본 개시의 도 5a 및 도 5b에서 찾아볼 수 있다.
일부 실시 예들에서, 자기 회로 어셈블리(5200)는 제 1 자기장을 생성할 수 있다. 제 1 자성 요소(502)는 제 2 자기장을 생성할 수 있으며, 자기 갭 내의 제 1 자기장의 자기장 세기는 자기 갭 내의 제 2 자기장의 자기장 세기를 초과할 수 있다. 일부 실시 예들에서, 제 5 자성 요소(514)는 제 5 자기장을 생성할 수 있고, 제 5 자기장은 자기 갭 내에서 제 2 자기장의 자기장 세기를 증가시킬 수 있다.
일부 실시 예들에서, 제 1 자성 요소(502)의 자화 방향과 제 5 자성 요소(514)의 자화 방향 사이의 끼인각은 0도 내지 180도의 범위일 수 있다. 일부 실시 예들에서, 제 1 자성 요소(502)의 자화 방향과 제 5 자성 요소(514)의 자화 방향 사이의 끼인각은 45도 내지 135도의 범위일 수 있다. 일부 실시 예들에서, 제 1 자성 요소(502)의 자화 방향과 제 5 자성 요소(514)의 자화 방향 사이의 끼인각은 90도와 같거나 또는 이를 초과할 수 있다.
일부 실시 예들에 있어서, 제 5 자성 요소(514)의 일부 위치들에서, 제 1 자기장의 방향과 제 5 자성 요소(514)의 자화 방향 사이의 끼인각은 90도보다 높지 않을 수 있다. 일부 실시 예들에 있어서, 제 5 자성 요소(514)의 위치에서, 제 1 자성 요소(502)에 의해 생성된 자기장의 방향과 제 5 자성 요소(514)의 자화 방향 사이의 끼인각은 0도, 10 도, 20도 등과 같이 90도보다 작거나 또는 같은 끼인각일 수 있다. 일부 실시 예들에서, 제 1 자성 요소(502)의 자화 방향은 제 1 자성 요소(502)의 하부 표면 또는 상부 표면에 수직 상향으로 수직일 수 있다(도 5d에서 화살표 a로 표시된 방향). 제 5 자성 요소(514)의 자화 방향은 제 5 자성 요소(514)의 상부 표면으로부터 하부 표면으로 향할 수 있다(도 5d에서 화살표 d로 표시된 방향). 제 1 자성 요소(502)의 우측에서, 제 1 자성 요소(502)의 자화 방향은 시계 방향으로 180도 방향을 바꾼다.
자기 회로 어셈블리(5200)와 비교하여, 제 5 자성 요소(514)가 자기 회로 어셈블리(5400)에 추가될 수 있다. 제 5 자성 요소(514)는 자기 회로 어셈블리(5400)의 자기 갭 내의 총 자속을 더 증가시킬 수 있으며, 그에 따라 자기 갭 내에서 자기 유도 강도를 증가시킨다. 또한, 제 4 자성 요소(514)의 작용 하에서, 자기 유도 라인은 자기 갭의 위치로 더 수렴하여, 자기 갭 내의 자기 유도 강도를 더 증가시킬 것이다.
도 5e는 본 개시의 일부 실시 예들에 따른 자기 회로 어셈블리(5500)의 종단면도를 도시하는 개략도이다. 도 5e에 도시된 바와 같이, 자기 회로 어셈블리(5300)와 달리, 자기 회로 어셈블리(5500)는 제 6 자성 요소(516)를 더 포함할 수 있다.
제 6 자성 요소(516)는 본딩, 스냅핑, 용접, 리벳팅, 볼팅 등, 또는 임의의 이들의 조합에 의해 제 2 자성 요소(508) 및 제 2 자기 가이드 요소(506)의 측벽과 접속될 수 있다. 일부 실시 예들에서, 자기 갭은 제 1 자성 요소(502), 제 1 자기 가이드 요소(504), 제 2 자기 가이드 요소(506), 제 2 자성 요소(508), 제 4 자성 요소(512), 및 제 6 자성 요소(516) 사이에 구성될 수 있다. 일부 실시 예들에서, 제 2 자성 요소(508) 및 제 4 자성 요소(512)의 자화 방향에 대해서는 본 개시의 도 5a 및 도 5c에서 찾아볼 수 있다.
일부 실시 예들에서, 자기 회로 어셈블리(5500)는 제 1 자기장을 생성할 수 있고, 제 1 자성 요소(502)는 제 2 자기장을 생성할 수 있다. 자기 갭 내의 제 1 자기장의 자기장 세기는 자기 갭 내의 제 2 자기장의 자기장 세기를 초과할 수 있다. 일부 실시 예들에서, 제 6 자성 요소(516)는 제 6 자기장을 생성할 수 있고, 제 6 자기장은 자기 갭 내에서 제 2 자기장의 자기장 세기를 증가시킬 수 있다.
일부 실시 예들에서, 제 1 자성 요소(502)의 자화 방향과 제 6 자성 요소(516)의 자화 방향 사이의 끼인각은 0도 내지 180도의 범위일 수 있다. 일부 실시 예들에서, 제 1 자성 요소(502)의 자화 방향과 제 6 자성 요소(516)의 자화 방향 사이의 끼인각은 45도 내지 135도의 범위일 수 있다. 일부 실시 예들에서, 제 1 자성 요소(502)의 자화 방향과 제 6 자성 요소(516)의 자화 방향 사이의 끼인각은 90도보다 높지 않을 수 있다. 일부 실시 예들에서, 제 1 자성 요소(502)의 자화 방향은 제 1 자성 요소(502)의 하부 표면 또는 상부 표면에 수직 상향으로 수직일 수 있다(도 5e에서 화살표 a로 표시된 방향). 제 6 자성 요소(516)의 자화 방향은 제 6 자성 요소(516)의 외부 링으로부터 내부 링으로 향할 수 있다(도 5e에서 화살표 f로 표시된 방향). 제 1 자성 요소(502)의 우측에서, 제 6 자성 요소(516)의 자화 방향은 시계 방향으로 270도 방향을 바꾼 제 1 자성 요소(502)의 자화 방향과 동일할 수 있다.
일부 실시 예들에 있어서, 제 6 자성 요소(516)의 위치에서, 제 1 자기장의 방향과 제 6 자성 요소(516)의 자화 방향 사이의 끼인각은 90도보다 높지 않을 수 있다. 일부 실시 예들에 있어서, 제 6 자성 요소(516)의 위치에서, 제 1 자성 요소(502)에 의해 생성된 자기장의 방향과 제 6 자성 요소(516)의 자화 방향 사이의 끼인각은 90도, 110 도, 및 120도와 같이 90도를 초과하는 끼인각일 수 있다.
자기 회로 어셈블리(5100)와 비교하여, 제 4 자성 요소(512) 및 제 6 자성 요소(516)가 자기 회로 어셈블리(5500)에 추가될 수 있다. 제 4 자성 요소(512) 및 제 6 자성 요소(516)는 자기 회로 어셈블리(5500)의 자기 갭 내의 총 자속을 증가시키고, 자기 갭 내에서 자기 유도 강도를 증가시킬 수 있으며, 그에 따라 골전도 스피커의 감도를 증가시킨다.
도 5f는 본 개시의 일부 실시 예들에 따른 자기 회로 어셈블리(5600)의 종단면도를 도시하는 개략도이다. 도 5f에 도시된 바와 같이, 자기 회로 어셈블리(5100)와 달리, 자기 회로 어셈블리(5600)는 제 3 자기 가이드 요소(518)를 더 포함할 수 있다.
일부 실시 예들에서, 제 3 자기 가이드 요소(518)는 본 개시에 설명되는 임의의 하나 이상의 자기적으로 전도성인 재료들을 포함할 수 있다. 제 1 자기 가이드 요소(504), 제 2 자기 가이드 요소(506), 및/또는 제 3 자기 가이드 요소(518)에 포함된 자기 전도성 재료들은 동일하거나 상이할 수 있다. 일부 실시 예들에서, 제 3 자기 가이드 요소(518)는 대칭 구조로서 제공될 수 있다. 예를 들어, 제 3 자기 가이드 요소(518)는 실린더들일 수 있다. 일부 실시 예들에서, 제 1 자성 요소(502), 제 1 자기 가이드 요소(504), 제 2 자성 요소(508), 및/또는 제 3 자기 가이드 요소(518)는 동일하거나 상이한 직경들을 갖는 동축 실린더들일 수 있다. 제 3 자기 가이드 요소(518)는 제 2 자성 요소(508)와 접속될 수 있다. 일부 실시 예들에서, 제 3 자기 가이드 요소(518)는 제 2 자성 요소(508) 및 제 2 자기 가이드 요소(506)와 접속될 수 있어, 제 3 자기 가이드 요소(518) 및 제 2 자기 가이드 요소(506)가 공동(cavity)을 형성한다. 공동은 제 1 자성 요소(502), 제 2 자성 요소(508), 및 제 1 자기 가이드 요소(504)를 포함할 수 있다.
자기 회로 어셈블리(5100)와 비교하여, 제 3 자기 가이드 요소(518)가 자기 회로 어셈블리(5600) 자기 가이드 요소에 추가될 수 있다. 제 3 자기 가이드 요소(518)는 자기 회로 어셈블리(5600)에서 자화 방향으로 제 2 자성 요소(508)의 자기 누출을 억제할 수 있어, 제 2 자성 요소(508)에 의해 생성된 자기장이 자기 갭 내로 더 압축될 수 있고, 그에 따라 자기 갭 내에서 자기 유도 강도를 증가시킬 수 있다.
도 6a는 본 개시의 일부 실시 예들에 따른 자성 요소의 단면을 도시하는 개략도이다. 자성 요소(600)는 본 개시의 임의의 자기 회로 어셈블리(예를 들어, 도 3a 내지 도 3g, 도 4a 내지 도 4m, 또는 도 5a 내지 도 5f에 도시된 자기 회로 어셈블리)에 적용될 수 있다. 도시된 바와 같이, 자성 요소(600)는 환형 형상일 수 있다. 자성 요소(600)는 내부 링(602) 및 외부 링(604)을 포함할 수 있다. 일부 실시 예들에서, 내부 링(602) 및/또는 외부 링(604)의 형상은 원형, 타원형, 삼각형, 사각형, 또는 임의의 다른 다각형일 수 있다.
도 6b는 본 개시의 일부 실시 예들에 따른 자성 요소를 도시하는 개략도이다. 자성 요소는 본 개시의 임의의 자기 회로 어셈블리(예를 들어, 도 3a 내지 도 3g, 도 4a 내지 도 4m, 또는 도 5a 내지 도 5f에 도시된 자기 회로 어셈블리)에 적용될 수 있다. 도시된 바와 같이, 자성 요소는 차례로 배열된 복수의 자석들로 구성될 수 있다. 복수의 자석들 중 임의의 하나의 2 개의 단부들 각각은 인접한 자석의 단부와 접속되거나 또는 그로부터 소정의 간격을 가질 수 있다. 인접한 2 개의 자석들 사이의 간격은 동일하거나 다를 수 있다. 일부 실시 예들에서, 자성 요소는 등거리로 배열된 2 개 또는 3 개의 시트형 자석들(예를 들어, 자석(608-2), 자석(608-4), 및 자석(608-6))로 구성될 수 있다. 시트형 자석들의 형상은 팬(fan) 형상, 사각형 형상 등일 수 있다.
도 6c는 본 개시의 일부 실시 예들에 따른 자기 회로 어셈블리에서 자성 요소의 자화 방향을 도시하는 개략도이다. 도시된 바와 같이, 자기 회로 어셈블리는 제 1 자성 요소(601), 제 2 자성 요소(603), 및 제 3 자성 요소(605)를 포함할 수 있다. 제 1 자성 요소(601)의 자화 방향은 제 1 자성 요소(601)의 하부 표면으로부터 상부 표면으로 향할 수 있다(즉, 지면에 수직으로 가리키는 방향) 제 2 자성 요소(603)는 제 1 자성 요소(601)를 포함할 수 있다. 자기 갭은 제 2 자성 요소(603)의 내부 링과 제 1 자성 요소(601)의 외부 링 사이에 구성될 수 있다. 제 2 자성 요소(603)의 자화 방향은 제 2 자성 요소(603)의 내부 링으로부터 제 2 자성 요소(603)의 외부 링으로 향할 수 있다. 제 3 자성 요소(605)의 내부 링은 제 1 자성 요소(601)의 외부 링과 접속될 수 있고, 제 3 자성 요소(605)의 외부 링은 제 2 자성 요소(603)의 내부 링과 접속될 수 있다. 제 3 자성 요소(605)의 자화 방향은 제 3 자성 요소(603)의 외부 링으로부터 제 3 자성 요소(605)의 내부 링으로 향할 수 있다.
도 6d는 본 개시의 일부 실시 예들에 따른 자기 회로 어셈블리에서 자성 요소의 자기 유도 라인들을 도시하는 개략도이다. 도시된 바와 같이, 자기 회로 어셈블리(600)(예를 들어,도 3a 내지 도 3g, 도 4a 내지 도 4m, 또는 도 5a 내지 도 5f의 자기 회로 어셈블리)는 제 1 자성 요소(602) 및 제 2 자성 요소(604)를 포함할 수 있다. 제 1 자성 요소(602)의 자화 방향은 제 1 자성 요소(602)의 하부 표면으로부터 상부 표면으로 향할 수 있다(도 6d에서 화살표 a로 표시). 제 1 자성 요소(602)는 제 2 자기장을 생성할 수 있고, 제 2 자기장은 자기 유도 라인들(제 2 자성 요소(604)가 없을 때 제 2 자기장의 분포를 나타내는 도 6d에서의 실선으로 표시됨)로 나타낼 수 있다. 특정 지점에서 제 2 자기장의 자기장의 방향은 자기 유도 라인 상의 지점의 접선 방향일 수 있다. 제 2 자성 요소(604)의 자화 방향은 제 2 자성 요소(604)의 내부 링이 (화살표 b로 도시된 바와 같이) 외부 링으로 향하는 것일 수 있다. 제 2 자성 요소(604)는 제 3 자기장을 생성할 수 있다. 제 3 자기장은 자기 유도 라인(제 1 자성 요소(602)가 없을 때 제 3 자기장의 분포를 나타내는 도 6d에서의 점선으로 표시됨)로 나타낼 수 있다. 특정 지점에서 제 3 자기장의 자기장 방향은 제 3 자기 유도 라인 상의 지점의 접선 방향일 수 있다. 제 2 자기장과 제 3 자기장의 상호 작용 하에서, 자기 회로 어셈블리(600)는 제 1 자기장을 생성할 수 있다. 보이스 코일(606)에서 제 1 자기장의 자기장 세기는 보이스 코일(606)에서 제 2 자기장 또는 제 3 자기장의 자기장 세기를 초과할 수 있다. 도시된 바와 같이, 보이스 코일(606)에서의 제 2 자기장의 방향과 제 2 자성 요소(604)의 자화 방향 사이의 끼인각은 90도보다 작거나 또는 같을 수 있다.
도 7a는 본 개시의 일부 실시 예들에 따른 자기 회로 어셈블리(7000)를 도시하는 개략도이다. 도시된 바와 같이, 자기 회로 어셈블리(7000)는 제 1 자성 요소(702), 제 1 자기 가이드 요소(704), 제 1 환형 자성 요소(706), 및 제 2 환형 자성 요소(708)를 포함할 수 있다. 제 1 환형 자성 요소(706)는 또한 제 1 자기장 변경 요소(예컨대, 도 4a에 설명된 제 1 자기장 변경 요소(406))로서 지칭될 수 있다. 제 1 자성 요소(702), 제 1 자기 가이드 요소(704), 제 1 환형 자성 요소(706), 및 제 2 환형 자성 요소(708)는, 도 4a, 도 4b, 도 4c, 도 4d, 도 4e, 도 4f, 도 4g, 도 4h, 및/또는 도 4m에 도시된 바와 같이, 제 1 자성 요소(702), 제 1 자성 요소(402), 제 1 자기 가이드 요소(404), 제 1 자기장 변경 요소(406), 및 제 2 자성 요소(408)와 각각 유사하거나 동일할 수 있다. 예를 들어, 제 1 환형 자성 요소(706)는 자성 재료로 일체로 형성될 수 있거나, 또는 복수의 자성 요소들의 조합일 수 있다. 제 2 환형 자성 요소(708)는 자성 재료로 일체로 형성될 수 있거나, 또는 복수의 자성 요소들의 조합일 수 있다. 다른 예로서, 제 2 환형 자성 요소(708)는 제 1 자성 요소(702) 및 제 1 환형 자성 요소(706)와 접속될 수 있다. 또한, 제 1 환형 자성 요소(706)는 제 2 환형 자성 요소(708)의 상부 표면과 접속될 수 있으며, 제 2 환형 자성 요소(708)의 내벽은 제 1 자성 요소(702)의 외벽과 접속될 수 있다.
제 1 자성 요소(702), 제 1 자기 가이드 요소(704), 제 1 환형 자성 요소(706), 및 제 2 환형 자성 요소(708)는 자기 회로 및 자기 갭을 형성할 수 있다. 보이스 코일(720)이 자기 갭 내에 위치될 수 있다. 보이스 코일(720)은 원형 형상 또는 비 원형 형상일 수 있다. 비 원형 형상은 타원형, 삼각형, 사각형, 오각형, 다른 다각형, 또는 다른 불규칙한 형상들을 포함할 수 있다. 사운드 정보를 포함하는 교류가 보이스 코일(720)을 통과할 때, 자기 갭 내의 보이스 코일(720)은 자기 회로의 자기장 하에서 암페어 힘에 의해 구동되어 진동할 수 있으며, 그에 따라 사운드 정보를 진동 신호로 변환할 수 있다. 진동 신호는 골전도 헤드셋에서 다른 구성요소들(예를 들어, 도 1에 도시된 진동 어셈블리(104))를 통하여 사람의 조직들과 뼈들을 통해 청각 신경으로 전달되고, 그에 따라 사람이 사운드를 들을 수 있다. 보이스 코일(720) 상의 암페어 힘의 크기는 보이스 코일의 진동에 영향을 줄 수 있으며, 그에 따라 골전도 헤드셋의 감도에 더 영향을 줄 수 있다. 보이스 코일 상의 암페어 힘의 크기는 자기 갭 내의 자기 유도 강도와 관련될 수 있다. 또한, 자기 회로 어셈블리의 파라미터들을 조정함으로써 자기 갭 내의 자기 유도 강도가 변경될 수 있다.
자기 회로 어셈블리(7000)의 파라미터들은 제 1 자성 요소(702)의 두께 H(즉, 도 7a에 도시된 바와 같은 제 1 자성 요소(702)의 높이 H), 제 1 환형 자성 요소(706)의 두께 w, 제 2 자성 요소(708)의 높이 h, 자기 회로의 반경 R 등을 포함할 수 있다. 일부 실시 예들에서, 자기 회로의 반경(R)(즉, 자기 복귀 경로)은 자기 회로의 평균 반폭, 즉 자기 회로 어셈블리(7000)의 중심 축(도 7a에서 파선으로 표시됨)과 제 1 환형 자성 요소(706) 사이의 거리를 지칭할 수 있다. 일부 실시 예들에서, 자기 회로 어셈블리(7000)의 파라미터들은 제 1 자성 요소(702)의 두께(H)에 대한 자기 회로 반경(R)의 비(R/H로 표시), 자기 회로 반경(R)에 대한 제 1 환형 자성 요소(706)의 두께(w)의 비(w/R로 표시), 제 1 자성 요소(702)의 두께(H)에 대한 제 2 환형 자성 요소(708)의 높이(h)의 비(h/H로 표시) 등을 포함할 수 있다. 일부 실시 예들에서, 제 1 자성 요소(702)의 두께(H)에 대한 자기 회로 반경(R)의 비(R/H)는 2.0 내지 4.0의 범위일 수 있다. 예를 들어, 제 1 자성 요소(702)의 두께(H)에 대한 자기 회로 반경(R)의 비(R/H)는 2.0, 2.4, 2.8, 3.2, 3.6, 또는 4.0 일 수 있다. 제 1 자성 요소(702)의 두께(H)에 대한 제 2 환형 자성 요소(708)의 높이(h)의 비(h/H)는 0.8보다 크지 않거나, 또는 0.6보다 크지 않거나, 또는 0.5보다 크지 않거나 등일 수 있다. 예를 들어, 제 1 자성 요소(702)의 두께(H)에 대한 제 2 자성 요소(708)의 높이(h)의 비(h/H)는 0.4와 같을 수 있다. 자기 회로 반경(R)에 대한 제 1 환형 자성 요소(706)의 두께(w)의 비(w/R)는 0.05-0.50, 또는 0.1-0.35, 또는 0.1-0.3, 또는 0.1-0.25, 또는 0.1-0.20의 범위일 수 있다. 예를 들어, 제 1 환형 자성 요소(706)의 두께(w)와 자기 회로 반경(R)의 비(w/R)는 0.16-0.18의 범위일 수 있다.
일부 실시 예들에서, 자기 회로 반경(R)에 대한 제 1 자성 요소(702)의 두께(H)의 비가 일정할 때(즉, R/H가 일정할 때), 두 파라미터들 w/R 및 h/H의 값은 최적화될 수 있으며, 이는 자기 갭 내의 자기 유도 강도(또는 세기) 및 보이스 코일 상의 암페어 힘을 최대로, 즉 구동력 계수(BL)를 최대로 되게 한다. 파라미터들 w/R, h/H 및 구동력 계수(BL) 사이의 관계에 대한 자세한 설명에 대해서는 도 7b에서 찾아볼 수 있다. 일부 실시 예들에서, 상이한 R/H 값들을 설정하고 w/R 및 h/H의 값들을 조정함으로써, 자기 갭 내의 자기 유도 강도(또는 세기) 및 코일의 암페어 힘이 최대화될 수 있다. 즉, 구동력 계수(BL)가 가장 큰 값을 갖는다. 파라미터들 R/H, w/R, h/H 및 구동력 계수(BL) 사이의 관계에 대한 자세한 설명에 대해서는 도 7c 내지 도 7e에서 찾아볼 수 있다.
도 7b는 본 개시의 일부 실시 예들에 따라 도 7a의 자기 회로 어셈블리의 파라미터들과 보이스 코일(720)에서의 구동력 계수 사이의 예시적인 관계 곡선을 도시하는 개략도이다. 도 7b에 도시된 바와 같이, 제 1 자성 요소(702)의 두께(H)에 대한 자기 회로 반경(R)의 비가 일정할 때(즉, R/H가 일정할 때), 구동력 계수(BL)는 파라미터 w/R 및 h/H의 값에 따라 변한다. 일부 실시 예들에서, 자기 회로 반경(R)에 대한 제 1 환형 자성 요소(706)의 두께(w)의 비(w/R)가 일정할 때, 제 1 자성 요소(702)의 두께(H)에 대한 제 2 환형 자성 요소(708)의 높이(h)의 비(h/H)가 더 클수록, 구동력 계수(BL)가 더 클 수 있다. 또한, 자기 회로의 크기(즉, 자기 회로의 반경(R))가 일정한 경우, 제 2 환형 자성 요소(708)의 높이(h)가 더 클수록, 제 1 자성 요소(702)의 두께(H)에 대한 제 2 환형 자성 요소(708)의 높이(h)의 비(h/H)가 더 클 수 있고, 구동력 계수(BL)가 더 클 수 있다. 그러나, 제 2 환형 자성 요소(708)의 높이(h)가 증가함에 따라, 제 2 환형 자성 요소(708)와 보이스 코일(720) 사이의 거리는 더 작아진다. 진동 과정 동안, 보이스 코일(720)과 제 2 환형 자성 요소(708)는 서로 충돌할 가능성이 있으며, 그 결과 사운드가 끊어지게 되고, 그에 따라 골전도 헤드셋의 사운드 품질에 영향을 줄 수 있다. 도 7b에 도시된 바와 같이, 제 1 자성 요소(702)의 두께(H)에 대한 제 2 환형 자성 요소(708)의 높이(h)의 비(h/H)는 0.8보다 크지 않거나, 또는 0.6보다 크지 않거나, 또는 0.5보다 크지 않거나 등일 수 있다. 예를 들어, 제 1 자성 요소(702)의 두께(H)에 대한 제 2 환형 자성 요소(708)의 높이(h)의 비(h/H)는 0.4와 같을 수 있다.
일부 실시 예들에서, 제 1 자성 요소(702)의 두께(H)에 대한 제 2 환형 자성 요소(708)의 높이(h)의 비(h/H)가 일정할 때, 구동력 계수(BL)는 먼저 증가한 다음 자기 회로 반경(R)에 대한 제 1 환형 자성 요소(706)의 두께(w)의 비(w/R)가 증가함에 따라 감소할 수 있다. 최대 구동력 계수(BL)에 대응하는 비 w/R은 특정 범위 내에 있을 수 있다. 예를 들어, 제 1 자성 요소(702)의 두께(H)에 대한 제 2 자성 요소(708)의 높이(h)의 비(h/H)가 0.4일 때, 구동력 계수(BL)가 최대가 되는 경우, 자기 회로 반경(R)에 대한 제 1 환형 자성 요소(706)의 두께(w)의 비(w/R)는 0.08-0.25의 범위에 있을 수 있다. 제 2 자성 요소(708)의 높이(h)와 제 1 자성 요소(702)의 두께(H)의 비(h/H)가 변할 때, 최대 구동력 계수(BL)에 대응하는 비 w/R의 범위가 변할 수 있다. 예를 들어, 제 1 자성 요소(702)의 두께(H)에 대한 제 2 자성 요소(708)의 높이(h)의 비(h/H)가 0.72일 때, 구동력 계수(BL)가 최대가 되는 경우, 자기 회로 반경(R)에 대한 제 1 환형 자성 요소(706)의 두께(w)의 비(w/R)는 0.04-0.20의 범위에 있을 수 있다. 최대 구동력 계수(BL)에 대응하는 자기 회로 반경(R)에 대한 제 1 환형 자성 요소(706)의 두께(w)의 비(w/R)의 값 범위에 대한 더 자세한 설명에 대해서는 도 7c 내지 도 7e에서 찾아볼 수 있다.
도 7c 내지 도 7e는 본 개시의 일부 실시 예들에 따라 도 7a에서의 자기 회로 어셈블리의 파라미터들과 보이스 코일(720)에서의 구동력 계수 사이의 관계 곡선들을 도시하는 개략도이다. 도 7c 내지 도 7e에 도시된 바와 같이, 자기 회로 어셈블리(7000)에 위치한 보이스 코일(720)의 구동력 계수(BL)는 자기 회로 어셈블리(7000)의 파라미터들(R/H, w/R, 및 h/H)에 따라 변한다. 도 7c에 도시된 바와 같이, 제 1 자성 요소(702)의 두께(H)에 대한 자기 회로 반경(R)의 비(R/H)가 2.0 및 2.4일 때, 구동력 계수(BL)가 최대가 되는 경우, 자기 회로 반경(R)에 대한 제 1 환형 자성 요소(706)의 두께(w)의 비(w/R)는 0.05-0.20, 또는 0.05-0.15, 또는 0.05-0.25, 또는 0.1-0.25, 또는 0.1-0.18의 범위일 수 있다. 도 7d에 도시된 바와 같이, 제 1 자성 요소(702)의 두께(H)에 대한 자기 회로 반경(R)의 비(R/H)가 2.8 및 3.2일 때, 구동력 계수(BL)가 최대가 되는 경우, 자기 회로 반경(R)에 대한 제 1 환형 자성 요소(706)의 두께(w)의 비(w/R)는 0.05-0.25, 또는 0.1-0.20, 또는 0.05-0.30, 또는 0.10-0.25의 범위일 수 있다. 도 7e에 도시된 바와 같이, 제 1 자성 요소(702)의 두께(H)에 대한 자기 회로 반경(R)의 비(R/H)가 3.6 및 4.0일 때, 구동력 계수(BL)가 최대가 되는 경우, 자기 회로 반경(R)에 대한 제 1 환형 자성 요소(706)의 두께(w)의 비(w/R)는 0.05-0.20, 또는 0.10-0.15, 또는 0.05-0.25, 또는 0.10-0.20의 범위일 수 있다.
도 7c 내지 도 7e를 참조하면, 제 1 자성 요소(702)의 두께(H)에 대한 제 2 환형 자성 요소(708)의 높이(h)의 비(h/H)가 0.4일 때, 구동력 계수(BL)가 최대가 되는 경우, 자기 회로 반경(R)에 대한 제 1 환형 자성 요소(706)의 두께(w)의 비(w/R)는 0.15-0.20, 또는 0.16-0.18의 범위에 있을 수 있다.
도 8a는 본 개시의 일부 실시 예들에 따른 자기 회로 어셈블리(8000)를 도시하는 개략도이다. 도시된 바와 같이, 자기 회로 어셈블리(8000)는 제 1 자성 요소(802), 제 1 자기 가이드 요소(804), 제 1 환형 자성 요소(806), 제 2 환형 자성 요소(808), 및 자기 쉴드(814)를 포함할 수 있다. 제 1 환형 자성 요소(806)는 또한 제 1 자기장 변경 요소(예를 들어, 도 4a에 설명된 제 1 자기장 변경 요소(406))로서 지칭될 수 있다. 제 1 자성 요소(802), 제 1 자기 가이드 요소(804), 제 1 환형 자성 요소(806), 제 2 환형 자성 요소(808), 자기 쉴드(804)는 도 4a, 도 4b, 도 4c, 도 4d, 도 4e, 도 4f, 도 4g, 도 4h, 및/또는 도 4m의 본 개시의 상세한 설명을 참조할 수 있다. 예를 들어, 제 1 환형 자성 요소(806)는 자성 재료들로 일체로 형성될 수 있거나, 또는 복수의 자성 요소들의 조합일 수 있다. 제 2 환형 자성 요소(808)는 자성 재료들로 일체로 형성될 수 있거나, 또는 복수의 자성 요소들의 조합일 수 있다. 다른 예로서, 자기 쉴드(814)는 제 1 자성 요소(802), 제 1 환형 자성 요소(806), 및 제 2 환형 자성 요소(808)를 포함하도록 구성될 수 있다. 일부 실시 예들에서, 자기 쉴드(814)는 베이스 플레이트 및 측벽을 포함할 수 있고, 측벽은 링 구조일 수 있다. 일부 실시 예들에서, 베이스 플레이트와 측벽은 일체로 형성될 수 있다. 제 1 자성 요소(802), 제 1 자기 가이드 요소(804), 제 1 환형 자성 요소(806), 및 제 2 환형 자성 요소(808)는 자기 회로 및 자기 갭을 형성할 수 있다. 보이스 코일(820)이 자기 갭 내에 위치될 수 있다. 보이스 코일(820)은 원형 형상 또는 비 원형 형상일 수 있다. 비 원형 형상은 타원형, 삼각형, 사각형, 오각형, 다른 다각형, 또는 다른 불규칙한 형상들을 포함할 수 있다.
자기 회로 어셈블리(8000)의 파라미터들은 제 1 자성 요소(802)의 두께(H)(도 8a에 도시된 바와 같이, 즉 제 1 자성 요소(802)의 높이(H)), 제 1 환형 자성 요소(806)의 두께(w), 제 2 환형 자성 요소(808)의 높이(h), 자기 회로 반경(R) 등을 포함할 수 있다. 일부 실시 예들에서, 상기 자기 회로(즉, 자기 회로)의 반경(R)은 자기 회로 어셈블리(8000)의 중심 축(도 8a에 점선으로 도시)과 제 1 환형 자성 요소(806)의 외벽 사이의 거리와 같을 수 있다. 일부 실시 예들에서, 자기 회로 어셈블리(8000)의 파라미터들은 또한, 제 1 자성 요소(802)의 두께(H)에 대한 자기 회로 반경(R)의 비(R/H로 표시될 수 있음), 자기 회로 반경(R)에 대한 제 1 환형 자성 요소(806)의 두께(w)의 비(w/R로 표시될 수 있음), 제 1 자성 요소(802)의 두께(H)에 대한 제 2 환형 자성 요소(808)의 높이(h)의 비(h/H로 표시될 수 있음) 등을 포함할 수 있다. 일부 실시 예들에서, 제 1 자성 요소(802)의 두께(H)에 대한 자기 회로 반경(R)의 비(R/H)는 2.0 내지 4.0의 범위일 수 있다. 예를 들어, 제 1 자성 요소(802)의 두께(H)에 대한 자기 회로 반경(R)의 비(R/H)는 2.0, 2.4, 2.8, 3.2, 3.6, 및 4.0일 수 있다. 제 1 자성 요소(802)의 두께(H)에 대한 제 2 환형 자성 요소(808)의 높이(h)의 비(h/H)는 0.8보다 크지 않거나, 또는 0.6보다 크지 않거나, 또는 0.5보다 크지 않거나 등일 수 있다. 예를 들어, 제 1 자성 요소(702)의 두께(H)에 대한 제 2 환형 자성 요소(808)의 높이(h)의 비(h/H)는 0.4와 같을 수 있다. 자기 회로 반경(R)에 대한 제 1 환형 자성 요소(806)의 두께(w)의 비(w/R)는 0.02-0.50, 또는 0.05-0.35, 또는 0.05-0.25, 또는 0.1-0.25, 또는 0.1-0.20의 범위일 수 있다. 예를 들어, 자기 회로 반경(R)에 대한 제 1 환형 자성 요소(806)의 두께(w)의 비(w/R)는 0.16-0.18의 범위일 수 있다. 제 1 자성 요소(802)의 두께(H)와 자기 회로 반경(R)이 일정할 때(즉, R/H가 일정할 때), 두 파라미터들 w/R 및 h/H는 최적되며, 따라서 자기 갭 내의 자기 유도 강도 및 코일의 암페어 힘이 최대로 되고, 즉 구동력 계수(BL)가 가장 큰 값을 갖는다. 파라미터들 w/R, h/H 및 구동력 계수(BL) 사이의 관계에 대해서는 도 8b에서 찾아볼 수 있다. 일부 실시 예들에서, R/H를 변경하는 경우, 두 파라미터들 w/R 및 h/H가 최적화될 수 있고, 따라서 자기 갭 내의 자기 유도 강도 및 코일의 암페어 힘이 최대화된다. 즉, 구동력 계수(BL)가 가장 큰 값을 갖는다. 파라미터 R/H, w/R, h/H 및 구동력 계수(BL) 사이의 관계에 대해서는 도 8c 내지 도 8e에서 찾아볼 수 있다.
도 8b는 본 개시의 일부 실시 예들에 따라 도 8a의 자기 회로 어셈블리의 파라미터들과 보이스 코일(820)에서의 구동력 계수 사이의 관계 곡선이다. 도 8b에 도시된 바와 같이, 제 1 자성 요소(802)의 두께(H)에 대한 자기 회로 반경(R)의 비가 일정할 때(즉, R/H가 일정할 때), 구동력 계수(BL)는 파라미터 w/R 및 h/H에 따라 변할 수 있다. 일부 실시 예들에서, 자기 회로 반경(R)에 대한 제 1 환형 자성 요소(806)의 두께(w)의 비(w/R)가 일정할 때, 제 1 자성 요소(802)의 두께(H)에 대한 제 2 환형 자성 요소(808)의 높이(h)의 비(h/H)가 더 클수록, 구동력 계수(BL)가 더 커진다. 또한, 제 2 환형 자성 요소(808)의 높이(h)가 더 클수록, 제 2 환형 자성 요소(808)의 높이(h)와 제 1 자성 요소(702)의 두께(H) 사이의 비(h/H)가 더 클 수 있고, 구동력 계수(BL)가 더 클 수 있다. 도 8b에 도시된 바와 같이, 제 1 자성 요소(802)의 두께(H)에 대한 제 2 환형 자성 요소(808)의 높이(h)의 비(h/H)는 0.8보다 크지 않거나, 또는 0.6보다 크지 않거나, 또는 0.5보다 크지 않을 수 있다. 예를 들어, 제 1 자성 요소(802)의 두께(H)에 대한 제 2 환형 자성 요소(808)의 높이(h)의 비(h/H)는 0.4와 같을 수 있다.
일부 실시 예들에서, 제 1 자성 요소(802)의 두께(H)에 대한 제 2 환형 자성 요소(808)의 높이(h)의 비(h/H)가 일정할 때, 구동력 계수(BL)는 자기 회로 반경(R)에 대한 제 1 환형 자성 요소(806)의 두께(w)의 비(w/R)가 변함에 따라 변할 수 있다. 예를 들어, 제 1 자성 요소(802)의 두께(H)에 대한 제 2 자성 요소(808)의 높이(h)의 비(h/H)가 0.4일 때, 구동력 계수(BL)는 자기 회로 반경(R)에 대한 제 1 환형 자성 요소(806)의 두께(w)의 비(w/R)가 먼저 증가함에 따라 감소할 수 있다. 제 2 자성 요소(808)의 높이(h)와 제 1 자성 요소(802)의 두께(H)의 비(h/H)가 변할 때, 최대 구동력 계수(BL)에 대응하는 비 w/R의 범위가 변할 수 있다. 예를 들어, 제 1 자성 요소(802)의 두께(H)에 대한 제 2 자성 요소(808)의 높이(h)의 비(h/H)가 0.4일 때, 구동력 계수(BL)가 최대가 되는 경우, 자기 회로 반경(R)에 대한 제 1 환형 자성 요소(806)의 두께(w)의 비(w/R)는 0.02-0.22의 범위에 있을 수 있다. 제 1 자성 요소(802)의 두께(H)에 대한 제 2 환형 자성 요소(808)의 높이(h)의 비(h/H)가 0.72일 때, 구동력 계수(BL)가 최대가 되는 경우, 자기 회로 반경(R)에 대한 제 1 환형 자성 요소(806)의 두께(w)의 비(w/R)는 0.02-0.16의 범위에 있을 수 있다.
도 7b를 참조하면, 자기 회로 어셈블리(8000 및 7000)의 파라미터들(R/H, w/R, h/H)가 동일할 때, 자기 쉴드를 갖는 자기 회로 어셈블리(8000)에 위치된 보이스 코일의 구동력 계수(BL)는 자기 쉴드가 없는 자기 회로 어셈블리(7000)에서의 것보다 클 수 있다. 즉, 자기 회로 어셈블리(8000)에 위치된 보이스 코일의 암페어 힘은 자기 회로 어셈블리(7000)에서의 것보다 클 수 있다. 예를 들어, 도 7b 및 도 8b에 도시된 바와 같이, w/R 및 h/H가 각각 약 0.21 및 0.4인 경우, 자기 회로 어셈블리(8000)에 위치된 보이스 코일의 구동력 계수(BL)는 2.817일 수 있고, 자기 회로 어셈블리(7000)의 구동력 계수(BL)는 2.376일 수 있다.
도 8c 내지 도 8e는 본 개시의 일부 실시 예들에 따라 도 8a에서의 자기 회로 어셈블리 파라미터들과 보이스 코일(820)에서의 구동력 계수 사이의 관계 곡선들이다. 도 8c 내지 도 8e에 도시된 바와 같이, 자기 회로 어셈블리(8000) 내의 보이스 코일(820)의 구동력 계수(BL)는 자기 회로 어셈블리(8000)의 파라미터들(R/H, w/R, 및 h/H)에 따라 변한다. 도 8c에 도시된 바와 같이, 제 1 자성 요소(802)의 두께(H)에 대한 자기 회로 반경(R)의 비(R/H)가 2.0 및 2.4일 때, 구동력 계수(BL)가 최대가 되는 경우, 자기 회로 반경(R)에 대한 제 1 환형 자성 요소(806)의 두께(w)의 비(w/R)는 0.02-0.15, 또는 0.05-0.15, 또는 0.02-0.20의 범위일 수 있다. 도 8d에 도시된 바와 같이, 제 1 자성 요소(802)의 두께(H)에 대한 자기 회로 반경(R)의 비(R/H)가 2.8 및 3.2일 때, 구동력 계수(BL)가 최대가 되는 경우, 자기 회로 반경(R)에 대한 제 1 환형 자성 요소(806)의 두께(w)의 비(w/R)는 0.01-0.20, 또는 0.05-0.15, 또는 0.02-0.25, 또는 0.10-0.15의 범위일 수 있다. 도 8e에 도시된 바와 같이, 제 1 자성 요소(802)의 두께(H)에 대한 자기 회로 반경(R)의 비(R/H)가 3.6 및 4.0일 때, 구동력 계수(BL)가 최대가 되는 경우, 자기 회로 반경(R)에 대한 제 1 환형 자성 요소(806)의 두께(w)의 비(w/R)는 0.02-0.20, 또는 0.05-0.15, 또는 0.05-0.25, 또는 0.10-0.20의 범위일 수 있다.
도 8c 내지 도 8e를 참조하면, 제 1 자성 요소(802)의 두께(H)에 대한 제 2 환형 자성 요소(808)의 높이(h)의 비(h/H)가 0.4일 때, 구동력 계수(BL)가 최대가 되는 경우, 자기 회로 반경(R)에 대한 제 1 환형 자성 요소(806)의 두께(w)의 비(w/R)는 0.05-0.20, 또는 0.16-0.18의 범위에 있을 수 있다. 도 7c와 도 8c, 도 7d와 도 8d, 및 도 7e와 도 8e를 각각 비교하면, 제 1 자성 요소(802)의 두께(H)에 대한 자기 회로 반경(R)의 비(R/H)가 동일한 경우, 구동력 계수(BL)가 최대가 되는 경우, 자기 쉴드를 갖는 자기 컴포넌트(8000) 내의 제 1 환형 자성 요소(806)의 자기 회로 반경(R)에 대한 두께(w)의 비(w/R)는 자기 컴포넌트(7000)에 비해 감소하는 경향을 따라 변할 수 있다. 예를 들어, 제 1 자성 요소(802)(또는 702)의 두께(H)에 대한 자기 회로 반경(R)의 비(R/H)가 2.0일 때, 구동력 계수(BL)가 최대가 되는 경우, 자기 쉴드를 갖는 자기 컴포넌트(8000) 내의 제 1 환형 자성 요소(806)의 두께(w)의 자기 회로 반경(R)에 대한 비(w/R)는 0.02-0.15의 범위에 있을 수 있다. 자기 쉴드가 없는 자기 컴포넌트(7000) 내의 제 1 환형 자성 요소(706)의 두께(w)의 자기 회로 반경(R)에 대한 비(w/R)는 0.05-0.25의 범위에 있을 수 있다.
도 9a는 본 개시의 일부 실시 예들에 따른 자기 회로 어셈블리(900)의 자기 유도 라인들의 분포를 도시하는 개략도이다. 도시된 바와 같이, 자기 회로 어셈블리(900)는 제 1 자성 요소(902), 제 1 자기 가이드 요소(904), 제 2 자기 가이드 요소(906), 및 제 2 자성 요소(914)를 포함할 수 있다. 제 1 자성 요소(902), 제 1 자기 가이드 요소(904), 제 2 자기 가이드 요소(906), 및 제 2 자성 요소(914)는 도 3d에서의 제 1 자성 요소(302), 제 1 자기 가이드 요소(304), 제 2 자기 가이드 요소(306), 및 제 2 자성 요소(314)와 각각 유사하거나 동일할 수 있다. 제 1 자성 요소(902)의 자화 방향은 제 2 자성 요소(914)의 자화 방향과 반대일 수 있다. 그리고, 제 1 자성 요소(902)에 의해 생성된 자기 유도 라인들은 제 2 자성 요소(914)에 의해 생성된 자기 유도 라인들과 상호 작용할 수 있고, 따라서 제 1 자성 요소(902)에 의해 생성된 더 많은 자기 유도 라인들 및 제 2 자성 요소(914)에 의해 생성된 더 많은 자기 유도 라인들이 보이스 코일(928)을 수직으로 통과할 수 있고, 그에 따라 보이스 코일(928)에서 제 1 자성 요소(902)의 자기 라인들의 누출을 감소시킬 수 있다.
도 9b는 본 개시의 일부 실시 예들에 따라 도 9a의 자기 회로 어셈블리(900) 내의 하나 이상의 구성요소들의 두께와 보이스 코일에서의 자기 유도 강도 사이의 관계 곡선을 도시하는 개략도이다. 가로 좌표는, 제 1 자성 요소(902)의 두께(h3), 제 1 자기 가이드 요소(904)의 두께(h2로 표시), 및 제 2 자성 요소(914)의 두께(h5로 표시)의 합(즉, h2 + h3 + h5)에 대한 제 1 자성 요소(902)의 두께(h3로 표시)의 비이며, 이는 또한 제 1 두께의 비로도 지칭될 수 있다. 세로 좌표는 보이스 코일(928)에서의 정규화된 자기 유도 강도이다. 정규화된 자기 유도 강도는, 하나의 단일 자성 요소를 포함하는 자기 회로 어셈블리(단일 자기 회로 어셈블리라고도 지칭됨)에 의해 형성되는 자기 회로의 최대 자기 유도 강도에 대한 보이스 코일(928)에서의 실제 자기 유도 강도의 비가 될 수 있다. 예를 들어, 단일 자성 자기 회로 어셈블리는 제 1 자성 요소, 제 1 자기 가이드 요소, 및 제 2 자기 가이드 요소를 포함할 수 있다. 단일 자성 자기 회로 어셈블리에서의 자성 요소의 부피는 단일 자기 회로 어셈블리에 대응하는 다수의 자성 요소들(예를 들어, 자기 회로 어셈블리(900)에서 제 1 자성 요소(902) 및 제 2 자성 요소(914))을 포함하는 다중 자기 회로 어셈블리에서의 자성 요소들의 부피들의 합과 동일할 수 있다. k는, 제 1 자성 요소(902), 제 1 자기 가이드 요소(904), 및 제 2 자성 요소(914)의 두께들의 합(h2 + h3 + h5)에 대한 제 1 자기 가이드 요소(904)의 두께(h2)의 비이며, 이는 또한 제 2 두께의 비로도 지칭될 수 있다(도 9b에서 “k”로 표시). 도시된 바와 같이, 제 1 두께의 비가 점진적으로 증가함에 따라, 보이스 코일(928)에서의 자기 유도 강도는 점진적으로 증가할 수 있고, 특정 값에 도달한 후에 점진적으로 감소할 수 있다. 즉, 보이스 코일(928)에서의 자기 유도 강도는 최대 값을 가질 수 있고, 자기 유도 강도의 최대 값에 대응하는 제 1 두께의 비의 범위는 0.4와 0.6 사이가 될 수 있다. 자기 유도 강도의 최대 값에 대응하는 제 2 두께의 비의 범위는 0.26-0.34 사이가 될 수 있다.
도 10a는 본 개시의 일부 실시 예들에 따른 자기 회로 어셈블리(1000)의 자기 유도 라인 분포를 도시하는 개략도이다. 도시된 바와 같이, 자기 회로 어셈블리(1000)는 제 1 자성 요소(1002), 제 1 자기 가이드 요소(1004), 제 2 자기 가이드 요소(1006), 제 2 자성 요소(1014), 및 제 3 자기 가이드 요소(1016)를 포함할 수 있다. 제 1 자성 요소(1002), 제 1 자기 가이드 요소(1004), 제 2 자기 가이드 요소(1006), 제 2 자성 요소(1014), 및 제 3 자기 가이드 요소(1016)는 본 개시의 도 3e에서의 제 1 자성 요소(302), 제 1 자기 가이드 요소(304), 제 2 자기 가이드 요소(306), 제 2 자성 요소(308), 제 2 자성 요소(314), 및 제 3 자기 가이드 요소(316)와 동일하거나 유사할 수 있다. 제 3 자기 가이드 요소(1016)는 제 2 자기 가이드 요소(1006)에 접속되지 않을 수 있다. 제 1 자성 요소(1002)의 자화 방향은 제 2 자성 요소(1014)의 자화 방향과 반대일 수 있다. 제 1 자성 요소(1002)에 의해 생성된 자기 유도 라인들은 제 2 자성 요소(1014)에 의해 생성된 자기 유도 라인들과 상호 작용하여, 제 1 자성 요소(1002)에 의해 생성된 자기 유도 라인들 및 제 2 자성 요소(1014)에 의해 생성된 자기 유도 라인들이 보이스 코일(1028)을 더 수직으로 통과할 수 있고, 그에 따라 보이스 코일(1028)에서 제 1 자성 요소(1002)의 누출되는 자기 유도 라인들을 감소시킬 수 있다. 제 3 자기 투과성 플레이트(1016)가 보이스 코일(1028)에서 제 1 자성 요소(1002)의 누출 자기 라인들을 더 감소시킬 수 있다.
도 10b는 본 개시의 일부 실시 예들에 따라 자기 회로 어셈블리 내의 구성요소의 두께와 보이스 코일에서의 자기 유도 강도 사이의 관계 곡선이다. 곡선 a는 도 9a의 자기 회로 어셈블리(900)에 대응하고, 곡선 b는 도 10a의 자기 회로 어셈블리(1000)에 대응한다. 가로 좌표는 제 1 두께의 비일 수 있고, 세로 좌표는 보이스 코일(928 또는 1028)에서 정규화된 자기 유도 강도일 수 있다. 제 1 두께의 비 및 정규화된 자기 유도 강도는 본 개시의 도 9b에 상세히 설명된다. 곡선 a는 자기 회로 어셈블리(900)에서 보이스 코일(928)의 자기 유도 강도와 제 1 두께의 비 사이의 관계일 수 있고, 곡선 b는 자기 회로 어셈블리(1000)에서 보이스 코일(1028)의 자기 유도 강도와 제 1 두께의 비 사이의 관계일 수 있다. 도 10b에 도시된 바와 같이, 제 3 자기 가이드 요소(1016)의 자기 회로 어셈블리(1000)가 제공된다. 제 1 두께의 비의 범위가 0-0.55 사이일 때, 보이스 코일(1028)에서의 자기 유도 강도는 보이스 코일(928)에서의 자기 유도 강도보다 상당히 강하다(예를 들어, 곡선 b에 대응하는 자기 유도 강도는 곡선 a에 대응하는 자기 유도 강도보다 높다). 제 1 두께의 비의 범위가 0.55-1 사이일 때, 보이스 코일(1028)에서의 자기 유도 강도는 보이스 코일(928)에서의 자기 유도 강도보다 상당히 낮다(예를 들어, 곡선 b에 대응하는 자기 유도 강도는 곡선 a에 대응하는 자기 유도 강도보다 낮다).
도 11a는 본 개시의 일부 실시 예들에 따른 자기 회로 어셈블리(1100)의 자기 유도 라인 분포를 도시하는 개략도이다. 도시된 바와 같이, 자기 회로 어셈블리(1100)는 제 1 자성 요소(1102), 제 1 자기 가이드 요소(1104), 제 2 자기 가이드 요소(1106), 제 2 자성 요소(1114), 및 제 3 자기 자이드 요소(1116)를 포함할 수 있다. 제 1 자성 요소(1102), 제 1 자기 가이드 요소(1104), 제 2 자기 가이드 요소(1106), 제 2 자성 요소(1114), 및 제 3 자기 가이드 요소(1116)는 본 개시의 도 3e에서의 제 1 자성 요소(302), 제 1 자기 가이드 요소(304), 제 2 자기 가이드 요소(306), 제 2 자성 요소(308), 제 5 자성 요소(314), 및 제 3 자기 가이드 요소(316)와 각각 유사하거나 동일할 수 있다. 제 3 자기 가이드 요소(1116)는 제 2 자기 가이드 요소(1106)와 접속될 수 있다. 제 1 자성 요소(1102)의 자화 방향은 제 2 자성 요소(1114)의 자화 방향과 반대일 수 있다. 제 1 자성 요소(1102)의 자기장과 제 2 자성 요소(1114)의 자기장은 제 1 자성 요소(1102)와 제 2 자성 요소(1114)의 접합부에서 상호 배타적일 수 있으며, 따라서 원래 분기되는(originally divergent) 자기장는 상호 배타적 자기장(예를 들어, 제 1 자성 요소(1102)에 의해서만 생성된 자기장 또는 제 2 자성 요소(1114)에 의해서만 생성된 자기장)의 영향 하에서 보이스 코일(1128)을 통과할 수 있으며, 그에 따라 보이스 코일(1128)에서 자기장 세기를 증가시킨다. 제 3 자기 전도성 플레이트(1116)는 제 2 자기 가이드 요소(1106)와 접속될 수 있으며, 따라서 제 2 자성 요소(1114) 및 제 1 자성 요소(1102)의 자기장은 제 2 자기 가이드 요소(1106) 및 제 3 자기 가이드 요소(1116)에 의해 형성된 자기 회로에 구속되고, 그에 따라, 보이스 코일(1128)에서 자기 유도 강도를 더 증가시킨다.
도 11b는 본 개시의 일부 실시 예들에 따른 자기 회로 어셈블리 내의 자기 유도 강도와 각 요소의 뚜께 사이의 관계 곡선이다. 곡선 a는 도 9a의 자기 회로 어셈블리(900)에 대응한다. 곡선 b는 도 10a의 자기 회로 어셈블리(1000)에 대응한다. 곡선 c는 도 11a에 도시된 자기 회로 어셈블리(1100)에 대응한다. 가로 좌표는 제 1 자성 요소(902, 1002, 1102) 및 제 2 자성 요소 (914, 1014, 1114)의 두께의 합(h3 + h5)에 대한 제 1 자성 요소(902, 1002, 1102)의 두께(h3)의 비일 수 있다. 이하, 제 3 두께의 비라 칭한다. 세로 좌표는 보이스 코일(928, 1028, 1128)에서 정규화된 자기 유도 강도일 수 있다. 정규화된 자기 유도 강도에 대해서는 본 개시의 도 9b에서 찾아볼 수 있다. 곡선 a는 자기 회로 어셈블리(900)에서 보이스 코일(928)의 자기 유도 강도와 제 1 두께의 비 사이의 관계일 수 있다. 곡선 b는 자기 회로 어셈블리(1000)에서 보이스 코일(1028)의 자기 유도 강도와 제 1 두께의 비 사이의 관계일 수 있다. 곡선 c는 자기 회로 어셈블리(1100)에서 보이스 코일(1128)의 자기 유도 강도와 제 1 두께의 비 사이의 관계일 수 있다. 도 11b에 도시된 바와 같이, 제 3 자기 가이드 요소(예를 들어, 자기 가이드 요소(1014), 자기 가이드 요소(1114))를 포함하는 자기 회로 어셈블리(1000 및 1100)에서, 제 1 두께가 0.7 미만인 경우, 대응하는 보이스 코일(예를 들어, 보이스 코일(1028), 보이스 코일(1128))에서의 자기 유도 강도는 제 3 자기 가이드 요소를 포함하지 않는 자기 회로 어셈블리(900)의 보이스 코일(928)에서의 자기 유도 강도보다 더 강할 수 있다(예를 들어, 곡선 b 및 곡선 c에 대응하는 자기 유도 강도는 곡선 a에 대응하는 자기 유도 강도보다 높다). 제 3 자기 가이드 요소 및 제 2 자기 가이드 요소가 서로 접속될 때(예를 들어, 자기 회로 어셈블리(1100)의 제 3 자기 가이드 요소(1116) 및 제 2 자기 가이드 요소(1106)가 서로 접속될 때), 보이스 코일(1128)에서의 자기 유도 강도는 보이스 코일(1028)에서의 자기 유도 강도보다 더 강할 수 있다(예를 들어, 곡선 c에 대응하는 자기 유도 강도는 곡선 b에 대응하는 자기 유도 세기보다 높다).
도 11c는 본 개시의 일부 실시 예들에 따라 도 11a에 도시된 자기 회로 어셈블리(1100) 내의 요소의 두께와 보이스 코일에서의 자기 유도 강도 사이의 관계 곡선이다. 가로 좌표는 제 2 두께의 비일 수 있다(도면에서 "h2 / (h2 + h3 + h5)"로 표시). 세로축은 보이스 코일(1128)에서의 정규화된 자기 유도 강도일 수 있고, 제 2 두께의 비 및 정규화된 자기 유도 강도에 대해서는 본 개시의 도 9b에서 찾아볼 수 있다. 도 11c에 도시된 바와 같이, 제 2 두께의 비가 점진적으로 증가함에 따라, 보이스 코일(1128)에서의 자기 유도 강도는 점진적으로 최대 값으로 증가한 후, 감소한다. 자기 유도 강도의 최대 값에 대응하는 제 2 두께의 비의 범위는 0.3-0.6 사이가 될 수 있다.
도 12a는 본 개시의 일부 실시 예들에 따른 자기 회로 어셈블리(1200)를 도시하는 개략도이다. 도시된 바와 같이, 자기 회로 어셈블리(1200)는 제 1 자성 요소(1202), 제 1 자기 가이드 요소(1204), 제 2 자기 가이드 요소(1206), 및 제 1 전도성 요소(1208)를 포함할 수 있다. 제 1 자기 요소(1202), 제 1 자기 가이드 요소(1204), 제 2 자기 가이드 요소(1206), 및 제 1 전도성 요소(1208)에 대한 더 자세한 설명에 대해서는 본 개시의 다른 곳에서 찾아볼 수 있다(예를 들어, 도 3a 내지 도 3g 및 그 설명). 일부 실시 예들에서, 제 1 전도성 요소(1204)는 제 1 자성 요소(1202) 위에 돌출 부분(overhang portion)을 가질 수 있다. 제 1 전도성 요소(1208)는 제 1 오목 부분에 위치될 수 있으며, 제 1 자성 요소(1202)와 접속될 수 있다.
제 1 자성 요소(1202), 제 1 자기 가이드 요소(1204), 및 제 2 자기 가이드 요소(1206)는 자기 갭을 형성할 수 있다. 보이스 코일(1210)이 자기 갭 내에 위치될 수 있다. 보이스 코일(1210)의 단면 형상은 원형 형상 또는 비 원형 형상, 예컨대 타원형, 직사각형, 정사각형, 오각형, 다른 다각형 또는 다른 불규칙한 형상들이 될 수 있다. 일부 실시 예들에서, 교류 전류가 보이스 코일(1210) 내로 흐를 수 있다. 교류 전류의 방향은 도 12a에 도시된 바와 같이 지면 표면에 수직이고 지면 표면을 가리킬 수 있다. 제 1 자성 요소(1202), 제 1 자기 가이드 요소(1204), 및 제 2 자기 가이드 요소(1206)에 의해 형성된 자기 회로에서, 보이스 코일(1210)은 자기 회로 내의 자기장의 작용 하에서 교류 유도 자기장 A(또한, "제 1 교류 유도 자기장"이라고도 함)를 생성할 수 있다. 유도 자기장 A의 방향은 도 12a에 도시된 바와 같이 반시계 방향일 수 있다. 교류 유도 자기장 A는 보이스 코일(1210)에서 역 유도 전류를 유발하여, 그에 따라 보이스 코일(1210)에서의 전류를 감소시킬 수 있다. 제 1 전도성 요소(1208)는 교류 유도 자기장 A의 작용 하에서 교류 유도 전류를 생성할 수 있다. 자기 회로에서 자기장의 작용 하에서, 교류 유도 전류는 교류 유도 자기장 B(또한, "제 2 교류 유도 자기장"이라고도 함)를 생성할 수 있다. 유도 자기장 B의 방향은 도 12a에 도시된 바와 같이 반시계 방향일 수 있다. 유도 자기장 A의 방향과 유도 자기장 B의 방향이 반대이기 때문에, 보이스 코일(1210)에서의 역 유도 전류가 감소될 수있다. 즉, 보이스 코일(1210)에서의 역 유도 전류에 의해 야기된 유도성 리액턴스가 감소될 수 있으며, 보이스 코일(1210)에서의 전류가 증가될 수 있다.
자기 회로 어셈블리(1200)의 상기 설명은 단지 특정 예일 수 있으며, 유일한 실현 가능한 구현으로 간주되어서는 안된다. 명백하게도, 당업자의 경우에 있어서, 골전도 스피커의 기본 원리를 이해한 후, 이러한 원리를 벗어나지 않으면서 자기 회로 어셈블리(1200)를 구현하는 특정 방식 및 단계들에 대한 형태 및 세부 사항의 다양한 수정들과 변경들을 수행하는 것이 가능하지만, 이러한 수정들과 변경들은 여전히 위에서 설명된 범위 내에 있다. 예를 들어, 제 1 전도성 요소(1208)는 보이스 코일(1210)의 내벽, 외벽, 상부 표면, 및/또는 하부 표면 근처와 같이 보이스 코일(1210) 근처에 제공될 수 있다.
도 12b는 본 개시의 일부 실시 예들에 따라 도 12a의 자기 회로 어셈블리(1200)에서 보이스 코일의 유도성 리액턴스에 대한 전도성 요소들의 영향을 나타내는 곡선을 도시하는 계략도이다. 곡선 a는 제 1 전도성 요소(1208)를 포함하지 않는 자기 회로 어셈블리(1200)에 대응하고, 곡선 b는 제 1 전도성 요소(1208)를 포함하는 자기 회로 어셈블리(1200)에 대응한다. 가로 좌표는 보이스 코일(1210)에서의 교류 전류 주파수를 나타내고, 세로 좌표는 보이스 코일(1210)에서의 유도성 리액턴스를 나타낸다. 도 12b에 도시된 바와 같이, 보이스 코일(1210)에서의 유도성 리액턴스는 교류 전류 주파수가 증가함에 따라, 특히 교류 전류 주파수가 1200 HZ를 초과한 후에 증가할 수 있다. 제 1 전도성 요소(1208)가 자기 회로 어셈블리(1200)에 제공될 때의 보이스 코일의 유도성 리액턴스는, 제 1 전도성 요소(1208)가 자기 회로 어셈블리(1200)에 제공되지 않을 때의 음성 코일의 유도성 리액턴스보다 상당히 낮을 수 있다(예를 들어, 교류 전류 주파수가 동일할 때, 곡선 b에 대응하는 유도성 리액턴스는 곡선 a에 대응하는 유도성 리액턴스보다 낮다).
도 13a는 본 개시의 일부 실시 예들에 따른 자기 회로 어셈블리(1300)를 도시하는 개략적인 구조도이다. 도시된 바와 같이, 자기 회로 어셈블리(1300)는 제 1 자성 요소(1302), 제 1 자기 가이드 요소(1304), 제 2 자기 가이드 요소(1306), 및 제 1 전도성 요소(1318)를 포함할 수 있다. 제 1 자성 요소(1302), 제 1 자기 가이드 요소(1304), 제 2 자기 가이드 요소(1306),및 제 1 전도성 요소(1318)에 대해서는 본 개시의 관련 설명을 참조할 수 있다. 제 1 전도성 요소(1318)는 제 1 자기 가이드 요소(1304)의 상부 표면과 연결될 수 있다. 제 1 전도성 요소(1318)의 형상은 시트 형상, 환형 형상, 메쉬 형상, 오리피스 플레이트(orifice plate) 등일 수 있다.
제 1 자성 요소(1302), 자기 갭은 제 1 자기 가이드 요소(1304)와 제 2 자기 가이드 요소(1306) 사이에 구성될 수 있다. 보이스 코일(1328)이 자기 갭 내에 위치될 수 있다. 보이스 코일(1328)의 단면 형상은 원형 형상 또는 비 원형 형상일 수 있다. 비 원형 형상은 타원형, 삼각형, 사각형, 오각형, 다른 다각형, 또는 다른 불규칙한 형상들을 포함할 수 있다.
자기 회로 어셈블리(1300)의 상기 설명은 단지 특정 예일 수 있으며, 유일한 실현 가능한 구현 솔루션으로 간주되어서는 안된다. 명백하게도, 당업자의 경우에 있어서, 자기 회로 어셈블리의 기본 원리를 이해한 후, 이러한 원리를 벗어나지 않으면서 자기 회로 어셈블리(1300)를 구현하는 특정 방식 및 단계들에 대한 형태 및 세부 사항의 다양한 수정들과 변경들을 수행하는 것이 가능하지만, 이러한 수정들과 변경들은 여전히 위에서 설명된 범위 내에 있다. 예를 들어, 제 1 전도성 요소(1318)는 보이스 코일(1328)의 내벽, 외벽, 상부 표면, 및/또는 하부 표면과 같이 보이스 코일(1328) 근처에 제공될 수 있다.
도 13b는 본 개시의 일부 실시 예들에 따른 도 13a의 자기 회로 어셈블리(1300)에서 보이스 코일에서의 유도성 리액턴스에 대한 자기 가이드 요소의 영향 곡선이다. 곡선 a는 제 1 전도성 요소(1318)가 없는 자기 회로 어셈블리(1300)에 대응하고, 곡선 b는 제 1 전도성 요소(1318)를 갖는 자기 회로 어셈블리(1300)에 대응한다. 가로 좌표는 보이스 코일(1110)에서의 교류 전류 주파수일 수 있고, 세로 좌표는 보이스 코일(1110)에서의 유도성 리액턴스일 수 있다. 도 13b에 도시된 바와 같이, 보이스 코일(1110)에서의 유도성 리액턴스는 교류 전류의 주파수가 증가함에 따라, 특히 교류 전류 주파수가 1200 HZ를 초과한 후에 증가할 수 있다. 제 1 전도성 요소(1318)가 자기 회로 어셈블리(1300)에 제공될 때의 보이스 코일(1110)의 유도성 리액턴스는, 제 1 전도성 요소(1318)가 자기 회로 어셈블리(1300)에 제공되지 않을 때의 음성 코일의 유도성 리액턴스보다 상당히 낮을 수 있다(예를 들어, 교류 전류 주파수가 동일할 때, 곡선 b에 대응하는 유도성 리액턴스는 곡선 a에 대응하는 유도성 리액턴스보다 낮다).
도 14a는 본 개시의 일부 실시 예들에 따른 자기 회로 어셈블리(1400)를 도시하는 개략적인 구조도이다. 도시된 바와 같이, 자기 회로 어셈블리(1400)는 제 1 자성 요소(1402), 제 1 자기 가이드 요소(1404), 제 2 자기 가이드 요소(1406), 제 1 전도성 요소(1418), 제 2 전도성 요소(1420), 및 제 3 전도성 요소(1422)를 포함할 수 있다. 제 1 자성 요소(1402), 제 1 자기 가이드 요소(1404), 제 2 자기 가이드 요소(1406), 제 1 전도성 요소(1418), 제 2 전도성 요소(1420), 및 제 3 전도성 요소(1422)에 대해서는 본 개시의 도 3f에서 찾아볼 수 있다. 자기 갭은 제 1 자성 요소(1302), 제 1 자기 가이드 요소(1304), 및 제 2 자기 가이드 요소(1306) 사이에 구성될 수 있다. 보이스 코일(1428)이 자기 갭 내에 위치될 수 있다. 보이스 코일(1428)의 단면 형상은 원형 형상 또는 비 원형 형상일 수 있다. 비 원형 형상은 타원형, 삼각형, 사각형, 오각형, 다른 다각형, 또는 다른 불규칙한 형상들을 포함할 수 있다.
자기 회로 어셈블리(1400)의 상기 설명은 단지 특정 예일 수 있으며, 유일한 실현 가능한 구현 솔루션으로 간주되어서는 안된다. 명백하게도, 당업자의 경우에 있어서, 자기 회로 어셈블리의 기본 원리를 이해한 후, 이러한 원리를 벗어나지 않으면서 자기 회로 어셈블리(1400)를 구현하는 특정 수단 및 단계들의 형태 및 세부 사항들의 다양한 수정들과 변경들을 수행하는 것이 가능하지만, 이러한 수정들과 변경들은 여전히 위에서 설명된 범위 내에 있다. 예를 들어, 제 1 전도성 요소(1418)는 보이스 코일(1428)의 내벽, 외벽, 상부 표면, 및/또는 하부 표면과 같이 보이스 코일(1428) 근처에 제공될 수 있다.
도 14b는 본 개시의 일부 실시 예들에 따른 보이스 코일에서의 유도성 리액턴스에 대한 도 14a의 자기 회로 어셈블리(1420) 내의 전도성 요소의 수들의 영향 곡선이다. 곡선 m은 전도성 요소가 없는 자기 회로 어셈블리에 대응한다. 곡선 n은 (도 12a에 도시된 자기 회로 어셈블리(1200)와 같은) 전도성 요소들이 제공된 자기 회로 어셈블리에 대응한다. 곡선 l는 복수의 전도성 요소들이 제공될 수 있는 자기 회로 어셈블리(예컨대, 도 14a에 도시된 자기 회로 어셈블리(1400))에 대응한다. 가로 좌표는 보이스 코일에서의 교류 전류의 주파수일 수 있고, 세로 좌표는 보이스 코일에서의 유도성 리액턴스일 수 있다. 도 14b에 도시된 바와 같이, 교류 전류 주파수가 약 1200 HZ로 증가할 때, 보이스 코일에서의 유도성 리액턴스는 교류 전류 주파수가 증가함에 따라 증가할 수 있다. 하나 이상의 전도성 요소들을 갖는 보이스 코일에서의 유도성 리액턴스는 전도성 요소가 제공되지 않을 때의 보이스 코일에서의 유도성 리액턴스보다 상당히 낮게 될 수 있다(예를 들어, 곡선 n 및 l에 대응하는 유도성 리액턴스는 곡선 m에 대응하는 유도성 리액턴스보다 낮다). 복수의 전도성 요소들이 자기 회로 어셈블리(1400)에 제공될 때의 보이스 코일에서의 유도성 리액턴스는 하나의 전도성 요소가 제공될 때의 보이스 코일에서의 유도성 리액턴스보다 상당히 낮을 수 있다(예컨대, 곡선 l에 대응하는 유도성 리액턴스는 곡선 n에 대응하는 유도성 리액턴스보다 낮다).
도 15a는 본 개시의 일부 실시 예들에 따른 자기 회로 어셈블리(1500)를 도시하는 개략도이다. 도시된 바와 같이, 자기 회로 어셈블리(1500)는 제 1 자성 요소(1502), 제 1 자기 가이드 요소(1504), 제 1 환형 요소(1506), 제 1 환형 자성 요소(1508), 제 2 환형 자성 요소(1510), 제 3 환형 자성 요소(1512), 자기 쉴드(1514), 및 제 2 자성 요소(1516)을 포함할 수 있다. 제 1 자성 요소(1502), 제 1 자기 가이드 요소(1504), 제 1 환형 요소(1506), 제 1 환형 자성 요소(1508), 제 2 환형 자성 요소(1510), 제 3 환형 자성 요소(1512), 자기 쉴드(1514), 및 제 2 자성 요소(1516)에 대해서는 도 4a, 도 4b, 도 4c, 도 4d, 도 4e, 도 4f, 도 4g, 도 4h, 및/또는 도 4m에서 찾아볼 수 있다.
제 1 자성 요소(1502), 제 1 자기 가이드 요소(1504), 제 2 자성 요소(1516), 제 2 환형 자성 요소(1510), 및/또는 제 3 환형 자성 요소(1512)는 자기 갭을 형성할 수 있다. 보이스 코일(1528)이 자기 갭 내에 위치될 수 있다. 보이스 코일(1528)은 원형 형상 또는 비 원형 형상일 수 있다. 비 원형 형상은 타원형, 삼각형, 사각형, 오각형, 다른 다각형, 또는 다른 불규칙한 형상들을 포함할 수 있다.
자기 회로 어셈블리(1500)의 상기 설명은 단지 특정 예일 수 있으며, 유일한 실현 가능한 구현 솔루션으로 여겨져서는 안된다. 명백하게도, 당업자의 경우에 있어서, 자기 회로 어셈블리의 기본 원리를 이해한 후, 이러한 원리를 벗어나지 않으면서 자기 회로 어셈블리(1500)를 구현하는 특정 수단 및 단계들의 형태 및 세부 사항들의 다양한 수정들과 변경들을 수행하는 것이 가능하지만, 이러한 수정들과 변경들은 여전히 위에서 설명된 범위 내에 있다. 예를 들어, 자기 회로 어셈블리(1500)는 보이스 코일의 내벽, 외벽, 상부 표면, 및/또는 하부 표면과 같은 보이스 코일(1528) 근처에 제공될 수 있는 하나 이상의 전도성 요소들을 더 포함할 수 있다. 일부 실시 예들에서, 전도성 요소는 제 1 자성 요소(1502), 제 2 자성 요소(1516), 제 1 환형 자성 요소(1508), 제 2 환형 자성 요소(1510), 및/또는 제 3 환형 자성 요소(1512)와 접속될 수 있다. 다른 예에서, 자기 회로 어셈블리(1500)는 제 3 자기 가이드 요소를 더 포함할 수 있고, 제 3 자기 가이드 요소는 제 2 자성 요소(1516)와 접속될 수 있다.
도 15b는 본 개시의 일부 실시 예들에 따른 도 15a의 자기 회로 어셈블리(1500)에서 하나 이상의 자성 요소들의 두께와 보이스 코일 상의 암페어 힘 사이의 관계 곡선을 도시하는 개략도이다. 가로 좌표는 제 1 두께의 비를 나타내고, 세로 좌표는 보이스 코일이 받는 정규화된 암페어 힘을 나타낸다. 정규화된 암페어 힘은 하나의 단일 자성 요소를 포함하는 단일 자성 자기 회로 어셈블리(또한, 단일 자기 회로 어셈블리로 지칭됨)에 위치된 보이스 코일 상의 최대 암페어 힘에 대한 자기 회로 어셈블리(1500)에 위치된 보이스 코일 상의 실제 암페어 힘의 비를 지칭할 수 있다. 예를 들어, 단일 자기 회로 어셈블리는 제 1 자성 요소, 제 1 자기 가이드 요소, 및 제 2 자기 가이드 요소를 포함할 수 있다. 단일 자기 회로 어셈블리에서의 제 1 자성 요소의 부피는 자기 회로 어셈블리(1500)에서의 제 1 자성 요소(1502) 및 제 2 자성 요소(1516)의 부피들의 합과 동일할 수 있다. 제 1 두께의 비 및 제 2 두께의 비에 대한 더 자세한 설명에 대해서는 도 9b에서 찾아볼 수 있다. 도 15b에 도시된 바와 같이, 제 2 두께의 비(k)의 임의의 값에 대해, 세로 좌표 값은 1을 초과하고, 즉 자기 회로 어셈블리(1500)에서, 보이스 코일(1528) 상의 암페어 힘은 단일 자성 자기 회로 어셈블리에 위치된 보이스 코일 상의 암페어 힘을 초과할 수 있다. 제 2 두께의 비(k)가 변하지 않을 때, 제 1 두께의 비가 증가함에 따라, 자기 회로 어셈블리(1500)에 위치된 보이스 코일(1528) 상의 암페어 힘은 점진적으로 감소할 수 있다. 제 1 두께의 비가 변하지 않을 때, 제 2 두께의 비(k)가 감소함에 따라, 자기 회로 어셈블리(1500)에 위치된 보이스 코일(1528) 상의 암페어 힘은 점진적으로 증가할 수 있다. 제 1 두께의 비의 범위가 0.1-0.3 사이이거나 또는 제 2 두께의 비(k)의 범위가 0.2-0.7 사이인 경우, 자기 회로 어셈블리(1500)에 위치된 보이스 코일(1528) 상의 암페어 힘은 단일 자성 자기 회로 어셈블리에 위치된 보이스 코일의 암페어 힘보다 50%-60% 높을 수 있다.
도 16은 본 개시의 일부 실시 예들에 따른 골전도 스피커(1600)를 도시하는 개략도이다. 도시된 바와 같이, 골전도 스피커(1600)는 제 1 자성 요소(1602), 제 1 자기 가이드 요소(1604), 제 2 자기 가이드 요소(1606), 제 2 자성 요소(1608), 보이스 코일(1610), 제 3 자기 가이드 요소(1612), 브래킷(1614), 및 커넥터(1616)를 포함할 수 있다. 제 1 자성 요소(1602), 제 1 자기 가이드 요소(1604), 제 2 자기 가이드 요소(1606), 제 2 자성 요소(1608), 보이스 코일(1610), 및/또는 제 3 자기 가이드 요소(1612)에 대한 더 자세한 설명에 대해서는 본 개시의 다른 곳에서 찾아볼 수 있다(예를 들어, 도 3a-3g, 도 4a-4m, 및 도 5a-5f, 및 그 설명).
제 1 자성 요소(1602)의 상부 표면은 제 1 자기 가이드 요소(1604)의 하부 표면과 접속될 수 있다. 제 2 자성 요소(1608)의 하부 표면은 제 1 자기 가이드 요소(1604)의 상부 표면과 접속될 수 있다. 제 2 자기 가이드 요소(1606)는 제 1베이스 플레이트 및 제 1 측벽을 포함할 수 있다. 제 1 자성 요소(1602)의 하부 표면은 제 1베이스 플레이트의 상부 표면과 접속될 수 있다. 제 2 자기 가이드 요소(1606)의 측벽, 제 1 자성 요소(1602)의 측벽, 제 1 자기 가이드 요소(1604), 및/또는 제 2 자성 요소(1608) 사이에 자기 갭이 구성될 수 있다. 브래킷(1614)은 제 2 베이스 플레이트 및 제 2 측벽을 포함할 수 있다. 보이스 코일(1610)이 자기 갭 내에 위치될 수 있다. 보이스 코일(1610)은 제 2 측벽과 접속될 수 있다. 보이스 코일(1610)과 제 2베이스 플레이트 사이에는 이음매(seam)가 형성될 수 있다. 보이스 코일(1610)이 자기 갭 내에 위치된 후, 제 3 자기 가이드 요소(1612)가 이음매를 통과하여 제 2 자성 요소(1608)의 상부 표면 및 제 2 자기 가이드 요소(1606)의 제 1 측벽과 접속될 수 있고, 따라서 제 3 자기 가이드 요소(1612) 및 제 2 자기 가이드 요소(1606)는 폐쇄 공동(closed cavity)을 형성한다. 제 1 자성 요소(1602), 제 1 자기 가이드 요소(1604), 제 2 자기 가이드 요소(1606), 제 2 자성 요소(1608), 보이스 코일(1610), 및/또는 제 3 자기 가이드 요소(1612)는 본 개시의 다른 곳에서 설명된 바와 같은 접속 수단들 중 하나 이상을 통해 접속될 수 있다. 일부 실시 예들에서, 하나 이상의 구멍들(예를 들어, 핀 구멍, 나사 구멍 등)이 제 1 자성 요소(1602), 제 1 자기 가이드 요소(1604), 제 2 자기 가이드 요소(1606), 제 2 자성 요소(1608), 제 3 자기 가이드 요소(1612), 및/또는 브래킷(1614) 상에 제공될 수 있다. 상기 구멍들은 제 1 자성 요소(1602), 제 1 자기 가이드 요소(1604), 제 2 자기 가이드 요소(1606), 제 2 자성 요소(1608), 제 3 자기 가이드 요소(1612), 및/또는 브래킷(1614) 상의 중심, 주변부, 또는 다른 위치에 제공될 수 있다. 커넥터(1616)는 다양한 요소들을 접속시킬 수 있다. 예를 들어, 커넥터(1616)는 파이프 핀(pipe pin)을 포함할 수 있다. 파이프 핀은 상기 구멍들을 통해 다양한 요소들(예를 들어, 제 1 자성 요소(1602), 제 1 자기 가이드 요소(1604), 제 2 자기 가이드 요소(1606), 제 2 자성 요소(1608), 제 3 자기 가이드 요소(1612), 및/또는 브래킷(1614))을 통과할 수 있으며, 브래킷(1614)을 통해 펀칭 헤드(punching head)에 의해 변형된 후 상기 다양한 요소들을 고정시킬 수 있다.
골전도 스피커(1600)에 대한 상기 설명은 단지 특정 예일 수 있으며, 유일한 실현 가능한 구현 솔루션으로 간주되어서는 안된다. 명백하게도, 당업자의 경우에 있어서, 자기 회로 어셈블리의 기본 원리를 이해한 후, 이러한 원리를 벗어나지 않으면서 골전도 스피커(1600)를 구현하기 위한 특정 수단 및 단계들의 형태 및 세부 사항들의 다양한 수정들과 변경들을 수행하는 것이 가능하지만, 이러한 수정들과 변경들은 여전히 위에서 설명된 범위 내에 있다. 예를 들어, 골전도 스피커(1600)는 보이스 코일(1610)의 내측벽, 외벽, 상단, 및/또는 하단에 제공된 하나 이상의 전도성 요소들을 포함할 수 있다. 다른 예로서, 골전도 스피커(1600)는 하나 이상의 환형 자성 요소들을 더 포함할 수 있으며, 하나 이상의 환형 자성 요소들은 제 2 자기 가이드 요소(1606)의 제 2 측벽의 상부 표면과 접속되거나 또는 자기 갭에 고정될 수 있다.
도 17은 본 개시의 일부 실시 예들에 따른 골전도 스피커(1700)를 도시하는 개략도이다. 도시된 바와 같이, 골전도 스피커(1700)는 제 1 자성 요소(1702), 제 1 자기 가이드 요소(1704), 제 2 자기 가이드 요소(1706), 제 2 자성 요소(1708), 보이스 코일(1710), 제 3 자기 가이드 요소(1712), 브래킷(1714), 커넥터(1716), 지지 링크(1718), 및 와셔(washer)(1720)를 포함할 수 있다. 제 1 자성 요소(1702)의 상부 표면은 제 1 자기 가이드 요소(1706)의 하부 표면과 접속될 수 있다. 제 2 자성 요소(1708)의 하부 표면은 제 1 자기 가이드 요소(1706)의 상부 표면과 접속될 수 있다. 제 2 자기 가이드 요소(1706)는 제 1베이스 플레이트 및 제 1 측벽을 포함할 수 있다. 제 1 측벽은 제 1베이스 플레이트에 수직인 방향으로 연장되는 베이스 플레이트에 의해 형성될 수 있다. 제 1 자성 요소(1702)의 하부 표면은 제 2 자기 가이드 요소(1706)의 제 1베이스 플레이트의 상부 표면과 접속될 수 있다. 제 2 자기 가이드 요소(1706)의 제 1 측벽, 제 1 자성 요소(1702)의 측 표면, 제 1 자기 가이드 요소(1704), 및/또는 제 2 자성 요소(1708) 사이에 자기 갭이 구성될 수 있다. 지지 링크(1718)는 하나 이상의 접속 로드(connecting rods)를 포함할 수 있다. 보이스 코일(1710)은 지지 링크(1718)와 접속될 수 있다. 보이스 코일(1710)은 자기 갭 내에 위치될 수 있다. 제 3 자기 가이드 요소(1712)는 제 2 베이스 플레이트 및 제 2 측벽을 포함할 수 있다. 제 2 측벽은 제 2 베이스 플레이트를 연장함으로써 형성될 수 있다. 제 2 측벽에는 하나 이상의 제 1 구멍들이 제공될 수 있고, 제 1 구멍들은 지지 링크(1718)의 접속 로드들에 대응한다. 지지 링크(1718)의 각각의 접속 로드는 제 3 자기 가이드 요소(1712)의 제 1 구멍들 중 하나를 관통할 수 있다. 보이스 코일(1710)이 자기 갭 내에 위치될 때, 제 3 자기 가이드 요소(1712)의 제 2 측벽은 제 1 구멍들을 통과하는 지지 링크(1718)의 접속 로드들에 의해 지지 링크(1718)와 접속될 수 있고, 제 2 베이스 플레이트는 제 2 자성 요소(1708)의 상부 표면과 접속될 수 있다. 제 1 자성 요소(1702), 제 1 자기 가이드 요소(1704), 제 2 자기 가이드 요소(1706), 제 2 자성 요소(1708), 보이스 코일(1710), 및/또는 제 3 자기 가이드 요소(1712)는 본 개시의 다른 곳에서 설명된 바와 같은 하나 이상의 접속 수단들을 통해 접속될 수 있다. 일부 실시 예들에서, 제 1 자성 요소(1702), 제 1 자기 가이드 요소(1704), 제 2 자기 가이드 요소(1706), 제 2 자성 요소(1708), 제 3 자기 가이드 요소(1712), 및/또는 브래킷(1714)에는 하나 이상의 제 2 구멍들이 그 중심, 주변, 또는 다른 위치들에 제공될 수 있다. 커넥터(1716)는 상기 구멍들을 통해 다양한 요소들(예를 들어, 제 1 자성 요소(1702), 제 1 자기 가이드 요소(1704), 제 2 자기 가이드 요소(1706), 제 2 자성 요소(1708), 제 3 자기 가이드 요소(1712), 및/또는 브래킷(1714))을 접속시킬 수 있다. 예를 들어, 커넥터(1716)는 파이프 핀을 포함할 수 있다. 파이프 핀은 상기 구멍들을 통해 다양한 요소들(예를 들어, 제 1 자성 요소(1702), 제 1 자기 가이드 요소(1704), 제 2 자기 가이드 요소(1706), 제 2 자성 요소(1708), 제 3 자기 가이드 요소(1712), 및/또는 브래킷(1714))을 통과할 수 있으며, 브래킷(1714)을 통해 펀칭 헤드에 의해 변형된 후 상기 다양한 요소들을 고정시킬 수 있다. 브래킷(1914)은 지지 링크(1718)와 접속될 수 있고, 와셔(1920)는 또한 제 3 자기 가이드 요소(1712)의 제 2 측벽 및 제 2 자기 가이드 요소(1706)의 제 1 측벽과 접속되고, 그에 따라 또한 제 2 자기 가이드 요소(1706) 및 제 3 자기 가이드 요소(1712)를 고정시킬 수 있다. 일부 실시 예들에서, 와셔(1720)는 진동 플레이트를 통해 브래킷(1714)과 접속될 수 있다.
골전도 스피커(1700)에 대한 상기 설명은 단지 특정 예일 수 있으며, 유일한 실현 가능한 구현 솔루션으로 간주되어서는 안된다. 명백하게도, 당업자의 경우에 있어서, 자기 회로 어셈블리의 기본 원리를 이해한 후, 이러한 원리를 벗어나지 않으면서 골전도 스피커(1700)를 구현하기 위한 특정 방식 및 단계들의 형태 및 세부 사항의 다양한 수정들과 변경들을 수행하는 것이 가능하지만, 이러한 수정들과 변경들은 여전히 위에서 설명된 범위 내에 있다. 예를 들어, 골전도 스피커(1700)는 보이스 코일(1710)의 내측벽, 외벽, 상단, 및/또는 하단 가까이에 제공된 하나 이상의 전도성 요소들을 포함할 수 있다. 다른 예로서, 골전도 스피커(1700)는 하나 이상의 환형 자성 요소들을 더 포함할 수 있으며, 하나 이상의 환형 자성 요소들은 제 2 자기 가이드 요소(1706)의 제 1 측벽의 상부 표면과 접속되거나 또는 자기 갭 내에 고정될 수 있다.
도 18은 본 개시의 일부 실시 예들에 따른 골전도 스피커(1800)를 도시하는 개략도이다. 도시된 바와 같이, 골전도 스피커(1800)는 제 1 자성 요소(1802), 제 1 자기 가이드 요소(1804), 제 2 자기 가이드 요소(1806), 개스킷(1808), 보이스 코일(1810), 제 1 진동 플레이트(1812), 브래킷(1814), 제 2 진동 플레이트(1816), 및 진동 패널(1818)을 포함할 수 있다. 제 1 자성 요소(1802)의 하부 표면은 제 2 자기 가이드 요소(1806)의 내벽과 접속될 수 있다. 제 1 자성 요소(1802)의 상부 표면은 제 1 자기 가이드 요소(1804)의 상부 표면과 접속될 수 있다. 제 1 자성 요소(1802), 제 1 자기 가이드 요소(1804), 및 제 2 자기 가이드 요소(1806) 사이에 자기 갭이 구성될 수 있다. 보이스 코일(1810)이 자기 갭 내에 위치될 수 있다. 일부 실시 예들에서, 보스 코일(1810)은 원형 형상 또는 비 원형 형상, 예컨대 삼각형, 직사각형, 정사각형, 타원형, 오각형, 또는 다른 불규칙한 형상들이 될 수 있다. 보이스 코일(1810)은 브래킷(1814)과 접속될 수 있고, 브래킷(1814)은 제 1 진동 플레이트(1812)와 접속될 수 있으며, 제 1 진동 플레이트(1812)는 와셔(1808)를 통해 제 2 자기 가이드 요소(1806)와 접속될 수 있다. 제 2 진동 플레이트(1816)의 하부 표면은 브래킷(1814)과 접속될 수 있고, 제 2 진동 플레이트(1816)의 상부 표면은 진동 패널(1818)과 접속될 수 있다. 일부 실시 예들에서, 제 1 자성 요소(1802), 제 1 자기 가이드 요소(1804), 제 2 자기 가이드 요소(1806), 와셔(1808), 보이스 코일(1810), 제 1 진동 플레이트(1812), 브래킷(1814), 제 2 진동 플레이트(11016), 및/또는 진동 패널(1818)은 본 개시의 다른 곳에 설명된 바와 같이 하나 이상의 접속 수단들을 통해 접속될 수 있다. 예를 들어, 제 1 자성 요소(1802)는 용접에 의해 제 1 자기 가이드 요소(1804) 및/또는 제 2 자기 가이드 요소(1806)와 접속될 수 있다. 다른 예로서, 제 1 자성 요소(1802), 제 1 자기 가이드 요소(1804), 및/또는 제 2 자기 가이드 요소(1806)에는 하나 이상의 구멍들이 제공될 수 있다. 파이프 핀은 상기 구멍들을 통해 다양한 요소들(예를 들어, 제 1 자성 요소(1802), 제 1 자기 가이드 요소(1804), 제 2 자기 가이드 요소(1806), 및/또는 브래킷(1814))을 통과할 수 있으며, 브래킷(1814)을 통해 펀칭 헤드에 의해 변형된 후 상기 다양한 요소들을 고정시킬 수 있다. 일부 실시 예들에서, 제 1 진동 플레이트(1812) 및/또는 제 2 진동 플레이트(1816)는 하나 이상의 동축 환형체로서 제공될 수 있다. 중심을 향해 수렴되는 복수의 지지 로드들이 하나 이상의 동축 환형체들 각각에 배열될 수 있고, 방사 중심(radiating centers)은 제 1 진동 플레이트(1812) 및/또는 제 2 진동 플레이트(1816)의 중심들과 일치할 수 있다. 복수의 지지 로드들은 제 1 진동 플레이트(1812) 및/또는 제 2 진동 플레이트(1816)에 엇갈리게 배치될(staggered) 수 있다.
골전도 스피커(1800)에 대한 상기 설명은 단지 특정 예일 수 있으며, 유일한 실현 가능한 구현 솔루션으로 간주되어서는 안된다. 명백하게도, 당업자의 경우에 있어서, 자기 회로 어셈블리의 기본 원리를 이해한 후, 이러한 원리를 벗어나지 않으면서 골전도 스피커(1800)를 구현하기 위한 특정 수단 및 단계들의 형태 및 세부 사항들의 다양한 수정들과 변경들을 수행하는 것이 가능하지만, 이러한 수정들과 변경들은 여전히 위에서 설명된 범위 내에 있다. 예를 들어, 골전도 스피커(1800)는 하나 이상의 전도성 요소들을 포함할 수 있고, 하나 이상의 전도성 요소들은 보이스 코일(1810)의 내측벽, 외벽, 상단, 및/또는 하단 가까이에 제공될 수 있다. 다른 예로서, 골전도 스피커(1800)는 하나 이상의 환형 자성 요소들을 더 포함할 수 있으며, 하나 이상의 환형 자성 요소들은 제 2 자기 가이드 요소(1806)의 측벽의 상부 표면과 접속되거나 또는 자기 갭 내에 고정될 수 있다. 일부 실시 예들에서, 골전도 스피커는 제 2 자성 요소 및/또는 제 3 자기 가이드 요소를 더 포함할 수 있다.
도 19은 본 개시의 일부 실시 예들에 따른 골전도 스피커(1900)를 도시하는 개략도이다. 도시된 바와 같이, 골전도 스피커(1900)는 제 1 자성 요소(1902), 제 1 자기 가이드 요소(1910), 제 2 자성 요소(1904), 제 3 자성 요소(1906), 제 2 자기 가이드 요소(1908), 와셔(1914), 보이스 코일(1912), 제 1 진동 플레이트(1916), 브래킷(1918), 제 2 진동 플레이트(1920), 및 진동 패널(1922)을 포함할 수 있다. 제 1 자성 요소(1902)의 하부 표면은 제 2 자기 가이드 요소(1908)의 내벽과 접속될 수 있다. 제 1 자성 요소(1902)의 상부 표면은 제 1 자기 가이드 요소(1910)의 하부 표면과 접속될 수 있다. 제 2 자성 요소(1904)의 외벽은 제 2 자기 가이드 요소(1908)의 내측벽과 접속될 수 있다. 제 3 자성 요소(1906)는 제 2 자성 요소(1904) 아래에 있을 수 있고, 동시에 제 3 자성 요소(1906)의 외벽은 제 2 자기 가이드 요소(1908)의 내측벽과 접속될 수 있으며; 제 3 자성 요소(1906)의 내측벽은 제 1 자성 요소(1902)의 외벽과 접속될 수 있고; 제 3 자성 요소(1906)의 하부 표면은 제 2 자기 가이드 요소(1908)의 내벽과 접속될 수 있고; 자기 갭이 제 1 자성 요소(1902), 제 1 자기 가이드 요소(1910), 제 2 자성 요소(1904), 및 제 3 자성 요소(1906) 사이에 구성될 수 있다. 보이스 코일(1912)이 자기 갭 내에 위치될 수 있다. 일부 실시 예들에서, 보이스 코일(1912)은 도 19에 도시된 바와 같은 트랙 형상, 또는 다른 기하학적 형상, 예컨대 삼각형, 직사각형, 정사각형, 타원형, 오각형, 또는 다른 불규칙한 형상들이 될 수 있다. 보이스 코일(1912)은 브래킷(1918)과 접속될 수 있고, 브래킷(1918)은 제 1 진동 플레이트(1916)와 접속될 수 있으며, 제 1 진동 플레이트(1916)는 와셔(1914)를 통해 제 2 자기 가이드 요소(1908)와 접속될 수 있다. 제 2 진동 플레이트(1920)의 하부 표면은 브래킷(1918)과 접속될 수 있고, 제 2 진동 플레이트(1920)의 상부 표면은 진동 패널(1922)과 접속될 수 있다. 일부 실시 예들에서, 제 2 자성 요소(1904)는 4 개의 자성 요소들(19041, 19042, 19043, 및 19044)을 포함하는 도 19에 도시된 바와 같이 복수의 자성 요소들로 구성될 수 있다. 다수의 자성 요소들에 의해 둘러싸인 형상은 도 19에 도시된 바와 같이 트랙 형상일 수 있거나, 또는 다른 기하학적 형상들, 예컨대 삼각형, 직사각형, 정사각형, 타원형, 오각형, 또는 다른 불규칙한 형상들이 될 수 있다. 제 2 자성 요소(1906)는 4 개의 자성 요소들(19061, 19062, 19063, 및 19064)을 포함하는 도 19에 도시된 바와 같이 복수의 자성 요소들로 구성될 수 있다. 다수의 자성 요소들에 의해 둘러싸인 형상은 도 19에 도시된 바와 같이 트랙 형상일 수 있거나, 또는 다른 기하학적 형상들, 예컨대 삼각형, 직사각형, 정사각형, 타원형, 오각형, 또는 다른 불규칙한 형상들이 될 수 있다. 본 개시의 다른 실시 예들에서 설명된 바와 같이, 제 2 자성 요소(1904) 또는 제 3 자성 요소(1906) 중 적어도 하나는 상이한 자화 방향들을 갖는 복수의 자성 요소들로 대체될 수 있다. 상이한 자화 방향들을 갖는 복수의 자성 요소들은 골전도 스피커(1900)의 자기 갭 내에서 자기장 세기를 증가시킬 수 있으며, 그에 따라 골전도 스피커(1900)의 감도를 향상시킬 수 있다.
일부 실시 예들에서, 제 1 자성 요소(1902), 제 1 자기 가이드 요소(1910), 제 2 자성 요소(1904), 제 3 자성 요소(1906), 제 2 자기 가이드 요소(1908), 와셔(1914), 보이스 코일(1912), 제 1 진동 플레이트(1916), 브래킷(1918), 제 2 진동 플레이트(1920), 및 진동 패널(1922)은 본 개시의 다른 곳에서 설명된 바와 같이 하나 이상의 접속 수단들을 통해 접속될 수 있다. 예를 들어, 제 1 자성 요소(1902), 제 2 자성 요소(1904), 및 제 3 자성 요소(1906)는 접착(bonding)에 의해 제 1 자기 가이드 요소(1910) 및/또는 제 2 자기 가이드 요소(1908)와 접속될 수 있다. 다른 예로서, 와셔(1914)는 버클(buckle)을 통해 제 2 자기 가이드 요소(1908)와 접속될 수 있고, 와셔(1914)는 또한 버클 및 접착제를 통해 제 2 자기 가이드 요소(1908) 및/또는 제 2 자성 요소(1904)와 접속될 수 있다. 일부 실시 예들에서, 제 1 진동 플레이트(1916) 및/또는 제 2 진동 플레이트(1920)는 하나 이상의 동축 환형체로서 제공될 수 있다. 복수의 지지 로드들이 중심을 향해 수렴될 수 있고 복수의 링들에 제공될 수 있으며, 수렴 중심은 제 1 진동 플레이트(1916) 및/또는 제 2 진동 플레이트(1920)의 중심과 일치할 수 있다. 복수의 지지 로드들은 제 1 진동 플레이트(1916) 및/또는 제 2 진동 플레이트(1920)에 엇갈리게 배치될 수 있다. 복수의 지지 로드들은 직선 막대 또는 곡선 막대일 수 있거나, 또는 직선 막대의 일부가 부분적으로 곡선인 막대일 수 있다. 바람직하게는, 복수의 지지 로드들은 곡선 막대들일 수 있다. 일부 실시 예들에서, 진동 패널(1922)의 외부 표면은 평평한 표면 또는 곡선 표면일 수 있다. 예를 들어, 진동 패널(1922)의 외부 표면은 도 19에 도시된 바와 같이 볼록한 위로 휘어진 표면일 수 있다.
골전도 스피커(1900)에 대한 상기 설명은 단지 특정 예일 수 있으며, 유일한 실현 가능한 구현 솔루션으로 간주되어서는 안된다. 명백하게도, 당업자의 경우에 있어서, 자기 회로 어셈블리의 기본 원리를 이해한 후, 이러한 원리를 벗어나지 않으면서 골전도 스피커(1900)를 구현하기 위한 특정 수단 및 단계들의 형태 및 세부 사항들의 다양한 수정들과 변경들을 수행하는 것이 가능하지만, 이러한 수정들과 변경들은 여전히 위에서 설명된 범위 내에 있다. 예를 들어, 골전도 스피커(1900)는 보이스 코일(1912)의 내측벽, 외벽, 상단, 및/또는 하단에 제공된 하나 이상의 전도성 요소들을 포함할 수 있다. 다른 예로서, 골전도 스피커(1900)는 하나 이상의 환형 자성 요소들을 더 포함할 수 있으며, 하나 이상의 환형 자성 요소들은 제 2 자성 요소(1904)의 하부 표면 및 제 3 자성 요소(1906)의 상부 표면을 접속할 수 있다. 일부 실시 예들에서, 골전도 스피커는 본 개시의 다른 실시예들에서 설명된 바와 같이 제 5 자성 요소 및/또는 제 3 자기 가이드 요소를 더 포함할 수 있다.
기본 개념들이 위에서 설명되었다. 명백히, 당업자에게 본 발명의 개시는 단지 예일 뿐이며, 본 개시에 대한 제한을 구성하지는 않는다. 여기에 명시적으로 언급되지 않았지만, 당업자는 본 개시에 대한 다양한 수정들, 개선들 및 보정들을 행할 수 있다. 이들 변경들, 개선들, 및 수정들은 본 개시에 의해 제안되도록 의도되며, 본 개시의 대표적인 실시예들의 사상 및 범위 내에 있다.
게다가, 특정한 용어는 본 개시의 실시예들을 설명하기 위해 사용되었다. 예를 들어, 용어들("일 실시 예", "실시 예", 및/또는 "몇몇 실시 예들")은 실시예와 관련되어 설명된 특정한 특징, 구조 또는 특성이 본 개시의 적어도 하나의 실시예에 포함된다는 것을 의미한다. 그러므로, 본 명세서의 다양한 부분들에서 "실시 예" 또는 "일 실시 예" 또는 "대안적인 실시 예"에 대한 두 개 이상의 참조들은 반드시 모두가 동일한 실시 예를 참조하는 것은 아니라는 것이 강조되고 이해되어야 한다. 또한, 하나 이상의 실시 예들의 본 개시의 일부 특성들, 구조들 또는 특징들은 적절히 조합될 수 있다.
또한, 당업자는 본 개시의 다양한 양태들이 임의의 새롭고 유용한 프로세스들, 기계들, 제품들 또는 재료들의 조합들 또는 임의의 새롭고 유용한 이들에 대한 개선들을 포함하는, 몇몇의 특허 가능한 카테고리들 또는 상황들을 통해 예시되고 설명될 수 있음을 이해할 수 있다. 따라서, 본 개시의 모든 양태들은 하드웨어에 의해 전체적으로 수행될 수 있거나, 소프트웨어(펌웨어, 상주 소프트웨어, 마이크로 코드 등을 포함)에 의해 전체적으로 수행될 수 있거나, 또는 하드웨어와 소프트웨어의 조합에 의해 수행될 수 있다. 상기 하드웨어 또는 소프트웨어는 "데이터 블록", "모듈", "엔진", "유닛", "컴포넌트", 또는 "시스템"으로 지칭될 수 있다. 또한, 본 개시의 양태들은 하나 이상의 컴퓨터 판독 가능한 매체 내에 위치된 컴퓨터 제품으로서 나타날 수 있으며, 상기 컴퓨터 제품은 컴퓨터 판독 가능한 프로그램 코드를 포함한다.
더욱이, 프로세싱 요소들 또는 시퀀스들의 나열된 순서, 또는 숫자들, 글자들, 또는 다른 지정들의 사용은, 그러므로 청구항들에서 특정될 수 있는 경우를 제외하고 청구된 프로세스들 및 방법들을 임의의 순서에 제한하도록 의도되지 않는다. 상기 개시는 다양한 예들을 통해 현재 본 개시의 다양한 유용한 실시예들인 것으로 고려되는 것을 논의하지만, 이러한 세부사항은 단지 그 목적을 위한 것이고 첨부된 청구항들은 개시된 실시예들에 제한되지 않으며, 그와는 대조적으로 개시된 실시예들의 사상 및 범위 내에 있는 수정들 및 동등한 배열들을 커버하도록 의도된다는 것이 이해될 것이다. 예를 들어, 상기 설명된 다양한 구성요소들의 구현은 하드웨어 디바이스에서 구체화될 수 있지만, 그것은 또한 소프트웨어 전용 솔루션, 예컨대, 기존의 서버 또는 이동 디바이스 상에서의 설치로서 구현될 수 있다.
유사하게, 본 개시의 실시예들의 앞서 말한 설명에서, 다양한 특징들은 때때로 다양한 실시예들 중 하나 이상의 이해를 도울 때 본 개시를 간소화하기 위한 목적으로 단일 실시예, 도면, 또는 그것의 설명에서 함께 그룹핑된다는 것이 이해되어야 한다. 그러나, 이러한 사실은 본 개시의 목적이 청구 범위에 언급된 특징들보다 더 많은 특징들을 요구한다는 것을 의미하지는 않는다. 오히려, 청구된 청구 대상은 앞서 개시된 단일 실시 예의 모든 특징보다 적을 수 있다.
일부 실시 예들에서, "약", "대략", ”또는“실질적으로” 등으로 본원의 특정 실시 예들을 설명하고 청구하기 위해 사용되는 구성 요소들, 특성들 등의 수량을 나타내는 수는 일부 경우들에 있어 수정될 수 있음을 이해해야 한다. 달리 언급되지 않는 한, "약", "대략”, 또는 "실질적으로"는 설명하는 값의 ± 20 % 변화를 나타낼 수 있다. 따라서, 몇몇 실시 예들에서, 상세한 설명 및 첨부된 청구항들에서 제시된 수치 파라미터들은 특정한 실시예에 의해 획득되고자 하는 원하는 속성들에 의존하여 달라질 수 있는 근사치들이다. 일부 실시 예들에서, 수치 데이터는 지정된 유효 숫자들을 고려해야 하고 일반 숫자들을 위해 보유된 알고리즘을 사용해야 한다. 본 개시의 일부 실시 예들의 넓은 범위를 예시하도록 구성된 수치 범위 및 파라미터가 근사치임에도 불구하고, 특정 예들에서의 수치 값들은 실제 범위 내에서 가능한 한 정확한 것이 될 수 있다.
마지막으로, 본 출원에서 설명된 실시 예들은 본 출원의 실시 예들의 원리들을 단지 예시하는 것으로 이해되어야 한다. 채용될 수 있는 다른 수정들은 본 출원의 범위 내에 있을 수 있다. 따라서, 제한이 아닌 예로서, 본 출원의 실시예들의 대안적인 구성들은 본 명세서의 교시들에 따라 이용될 수 있다. 따라서, 본 개시의 실시예들은 도시되고 설명된 것 자체에 제한되지 않는다.
Claims (105)
- 골전도 스피커(bone conduction speaker)의 자기 회로 어셈블리에 있어서,
상기 자기 회로 어셈블리는 제 1 자기장을 생성하고,
상기 자기 회로 어셈블리는:
제 2 자기장을 생성하는 제 1 자성 요소;
제 1 자기 가이드 요소;
상기 제 1 자성 요소를 둘러싸도록 구성된 적어도 하나의 제 2 자성 요소로서, 자기 갭(magnetic gap)이 상기 적어도 하나의 제 2 자성 요소와 상기 제 1 자성 요소 사이에 구성되고, 상기 자기 갭 내의 상기 제 1 자기장의 자기장 세기는 상기 자기 갭 내의 상기 제 2 자기장의 자기장 세기를 초과하는, 상기 제 2 자성 요소;
상기 제 1 자성 요소 또는 상기 제 1 자기 가이드 요소 중 적어도 하나와 접속되는 적어도 하나의 전도성 요소;
제 2 자기 가이드 요소; 및
상기 제 2 자기 가이드 요소 및 상기 적어도 하나의 제 2 자성 요소와 접속되는 적어도 하나의 제 3 자성 요소를 포함하는, 자기 회로 어셈블리. - 제 1 항에 있어서, 상기 적어도 하나의 제 2 자성 요소의 자화 방향과 상기 제 1 자성 요소의 자화 방향 사이의 끼인각(included angle)은 45도 내지 135도의 범위에 있거나 또는 90도 내지 135도의 범위에 있는, 자기 회로 어셈블리.
- 삭제
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 적어도 하나의 제 3 자성 요소의 자화 방향과 상기 제 1 자성 요소의 자화 방향 사이의 끼인각은 45도 내지 135도의 범위에 있거나 또는 90도 내지 135도의 범위에 있는, 자기 회로 어셈블리.
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 자기 갭 아래에 위치되는 적어도 하나의 제 4 자성 요소를 더 포함하고, 상기 적어도 하나의 제 4 자성 요소는 상기 제 1 자성 요소 및 상기 제 2 자기 가이드 요소와 접속되는, 자기 회로 어셈블리.
- 제 5 항에 있어서, 상기 적어도 하나의 제 4 자성 요소의 자화 방향과 상기 제 1 자성 요소의 자화 방향 사이의 끼인각은 45도 내지 135도의 범위에 있거나 또는 90도 내지 135도의 범위에 있는, 자기 회로 어셈블리.
- 제 5 항에 있어서, 상기 제 1 자기 가이드 요소의 상부 표면과 접속되는 적어도 하나의 제 5 자성 요소를 더 포함하는, 자기 회로 어셈블리.
- 제 7 항에 있어서, 상기 적어도 하나의 제 5 자성 요소의 자화 방향과 상기 제 1 자성 요소의 자화 방향 사이의 끼인각은 150도 내지 180도의 범위에 있는, 자기 회로 어셈블리.
- 제 7 항에 있어서, 상기 제 1 자성 요소의 두께, 상기 적어도 하나의 제 5 자성 요소의 두께, 및 상기 제 1 자기 가이드 요소의 두께의 합에 대한 상기 제 1 자성 요소의 두께의 비는 0.4 내지 0.6의 범위에 있는, 자기 회로 어셈블리.
- 제 7 항에 있어서, 상기 적어도 하나의 제 5 자성 요소의 두께는 상기 제 1 자성 요소의 두께와 동일하거나 또는 그보다 작은, 자기 회로 어셈블리.
- 제 7 항에 있어서, 상기 제 5 자성 요소의 상부 표면과 접속되는 제 3 자기 가이드 요소를 더 포함하고, 상기 제 3 자기 가이드 요소는 상기 제 1 자기장의 자기장 세기의 누출을 억제하도록 구성되는, 자기 회로 어셈블리.
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 제 1 자기 가이드 요소는 상기 제 1 자성 요소의 상부 표면과 접속되고, 상기 제 2 자기 가이드 요소는 베이스 플레이트 및 측벽을 포함하고, 상기 제 1 자성 요소는 제 2 자기 가이드 요소의 베이스 플레이트와 접속되는, 자기 회로 어셈블리.
- 삭제
- 골전도 스피커의 자기 회로 어셈블리에 있어서,
상기 자기 회로 어셈블리는 제 1 자기장을 생성하고,
상기 자기 회로 어셈블리는:
제 2 자기장을 생성하는 제 1 자성 요소;
제 1 자기 가이드 요소;
상기 제 1 자성 요소를 둘러싸도록 구성되는 제 2 자기 가이드 요소로서, 자기 갭이 상기 제 2 자기 가이드 요소와 상기 제 1 자성 요소 사이에 구성되는, 상기 제 2 자기 가이드 요소;
상기 자기 갭 아래에 위치되는 적어도 하나의 제 2 자성 요소로서, 상기 자기 갭 내의 제 1 자기장의 자기장 세기는 상기 자기 갭 내의 제 2 자기장의 자기장 세기를 초과하는, 상기 제 2 자성 요소;
상기 제 1 자성 요소 또는 상기 제 1 자기 가이드 요소 중 적어도 하나와 접속되는 적어도 하나의 전도성 요소;
제 2 자기 가이드 요소; 및
상기 제 2 자기 가이드 요소 및 상기 적어도 하나의 제 2 자성 요소와 접속되는 적어도 하나의 제 3 자성 요소를 포함하는, 자기 회로 어셈블리. - 골전도 스피커의 자기 회로 어셈블리에 있어서,
상기 자기 회로 어셈블리는 제 1 자기장을 생성하고,
상기 자기 회로 어셈블리는:
제 2 자기장을 생성하는 제 1 자성 요소;
제 1 자기 가이드 요소;
제 2 자기 가이드 요소로서, 상기 제 2 자기 가이드 요소의 적어도 일부가 상기 제 1 자성 요소를 둘러싸도록 구성되고 자기 갭이 상기 제 2 자기 가이드 요소와 상기 제 1 자성 요소 사이에 구성되는, 상기 제 2 자기 가이드 요소;
상기 제 1 자기 가이드 요소의 상부 표면과 접속되는 적어도 하나의 제 2 자성 요소로서, 상기 자기 갭 내의 제 1 자기장의 자기장 세기는 상기 자기 갭 내의 제 2 자기장의 자기장 세기를 초과하는, 상기 제 2 자성 요소;
상기 제 1 자성 요소 또는 상기 제 1 자기 가이드 요소 중 적어도 하나와 접속되는 적어도 하나의 전도성 요소;
제 2 자기 가이드 요소; 및
상기 제 2 자기 가이드 요소 및 상기 적어도 하나의 제 2 자성 요소와 접속되는 적어도 하나의 제 3 자성 요소를 포함하는, 자기 회로 어셈블리. - 삭제
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