WO2019013286A1 - 半導体装置 - Google Patents

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内藤　達也
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    • H10P30/208—Ion implantation into wafers, substrates or parts of devices into semiconductor materials, e.g. for doping of electrically inactive species

Definitions

  • the present invention relates to a semiconductor device.
  • Patent Document 1 JP-A-2017-41601
  • Patent Document 2 JP-A-2012-43891
  • a semiconductor substrate having a drift region of a first conductivity type, a transistor part provided on the semiconductor substrate, and the semiconductor part provided on the semiconductor substrate and arranged along a predetermined arrangement direction And a diode unit arranged in the semiconductor device.
  • Both the transistor part and the diode part may have a base region of the second conductivity type provided above the drift region inside the semiconductor substrate.
  • Both the transistor portion and the diode portion penetrate the base region from the upper surface of the semiconductor substrate, extend in the extending direction perpendicular to the arrangement direction on the upper surface of the semiconductor substrate, and have a plurality of trench portions provided with the conductive portions therein.
  • Both the transistor part and the diode part may be provided on the lower surface side of the semiconductor substrate from the transistor part to the diode part, and may have a lower surface side lifetime control region including a lifetime killer.
  • the lower surface side lifetime control region may be provided in a part of the transistor portion in the arrangement direction and may not be provided in the other part.
  • the lower surface side lifetime control region may be provided in a part of the diode section in the arrangement direction and not in another part.
  • the diode portion is a cathode region of the first conductivity type exposed on the lower surface of the semiconductor substrate, and a floating region of the second conductivity type electrically floating provided on the lower surface side of the semiconductor substrate And may be included.
  • the floating region may cover a portion of the cathode region above the cathode region.
  • the floating region may be provided on the lower surface side of the semiconductor substrate than the lower surface side lifetime control region. In a top view of the semiconductor substrate, at least a part of the floating region may overlap the lower surface side lifetime control region.
  • a plurality of floating regions may be provided in the arrangement direction. In the top view of the semiconductor substrate, at least one floating region of the plurality of floating regions may not overlap the lower surface side lifetime control region in the arrangement direction.
  • the lower surface side lifetime control region may be provided in the entire diode section in the arrangement direction. In the arrangement direction, the length of the lower surface side lifetime control region in the transistor portion may be longer than the length of the lower surface side lifetime control region in the diode portion.
  • the semiconductor device may further include an upper surface side lifetime control region provided on the upper surface side of the semiconductor substrate from the transistor portion to the diode portion and including a lifetime killer.
  • the lower surface side lifetime control region may be provided closer to the diode portion in the arrangement direction than the upper surface side lifetime control region.
  • the semiconductor device may further include a collector region provided on the lower surface of the semiconductor substrate.
  • a collector region may be provided on the extension of the path from the end of the upper surface side lifetime control region in the transistor portion to the end of the lower surface side lifetime control region in the transistor portion in the arrangement direction.
  • the lower surface side lifetime control region may be provided closer to the transistor portion in the arrangement direction than the upper surface side lifetime control region.
  • the lifetime killer concentration of the lower surface side lifetime control region may be higher than the lifetime killer concentration of the upper surface side lifetime control region.
  • the length of the upper surface side lifetime control region in the transistor portion may be not less than 0.01 times and not more than 0.15 times the length of the transistor portion.
  • the distance in the direction parallel to the lower surface of the semiconductor substrate between the end of the upper surface side lifetime control region of the transistor portion and the end of the lower surface side lifetime control region of the transistor portion is the upper surface side of the transistor portion
  • the length may be 0.25 times or more and 0.5 times or less the length of the lifetime control region.
  • the lower surface side lifetime control region may be provided to the outside of the upper surface side lifetime control region in the stretching direction.
  • the length of the upper surface side lifetime control region may be larger than the thickness of the semiconductor substrate.
  • a plurality of lower surface side lifetime control regions may be provided in the depth direction of the semiconductor substrate.
  • the lower surface side lifetime control region provided on the lower surface side of the semiconductor substrate is provided closer to the diode portion in the arrangement direction than the lower surface lifetime control region provided on the upper surface side of the semiconductor substrate. It may be done.
  • a portion from the end of the lower surface side lifetime control region provided on the upper surface side of the semiconductor substrate to the end portion of the lower surface side lifetime control region provided on the lower surface side of the semiconductor substrate has a convex shape It may be located at
  • the lower surface side lifetime control region provided on the lower surface side of the semiconductor substrate is provided closer to the diode portion in the arrangement direction than the lower surface lifetime control region provided on the upper surface side of the semiconductor substrate. It may be done.
  • the lifetime killer concentration of the lower surface side lifetime control region provided on the lower surface side of the semiconductor substrate may be higher than the lifetime killer concentration of the lower surface side lifetime control region provided on the upper surface side of the semiconductor substrate.
  • the length of the lower surface side lifetime control region in the diode portion may be not less than 0.015 times and not more than 0.03 times the length of the diode portion.
  • the semiconductor device may further include a buffer region of the first conductivity type provided below the drift region, from the transistor portion to the diode portion.
  • the lower surface side lifetime control area may be provided in the buffer area.
  • the semiconductor device may further include a buffer region of the first conductivity type provided below the drift region, from the transistor portion to the diode portion.
  • the thickness of the buffer area provided below the lower surface side lifetime control area may be larger than the thickness of the buffer area not provided below the lower surface side lifetime control area.
  • FIG. 1 It is a figure which shows partially the upper surface of the semiconductor device 100 which concerns on embodiment of this invention. It is a figure which shows an example of the aa 'cross section in FIG. It is a figure which shows another example of the aa 'cross section in FIG. It is a figure which shows another example of the aa 'cross section in FIG. It is a figure which shows another example of the aa 'cross section in FIG. It is a figure which shows partially the upper surface of the semiconductor device 150 of a comparative example. It is a figure which shows an example of the aa-aa 'cross section in FIG. FIG.
  • FIG. 7 is a view showing an example of lifetime killer concentration distributions of the upper surface side lifetime control region 72 and the lower surface side lifetime control region 74 in the bb ′ cross section of FIG. 2; It is a figure which shows another example of the aa 'cross section in FIG. It is a figure which shows another example of the aa 'cross section in FIG.
  • FIG. 10 is a view showing an example of lifetime killer concentration distributions of the upper surface side lifetime control region 72 and the lower surface side lifetime control region 74-1 to the lower surface side lifetime control region 74-4 in the ff 'cross section of FIG. 9; It is a figure which shows an example of the semiconductor chip 98 which concerns on embodiment of this invention. It is an enlarged view of the area
  • FIG. 13 is a view showing another example of the gg ′ cross section in FIG. 12;
  • FIG. 13 is a view showing another example of the gg ′ cross section in FIG. 12;
  • 17 is a view showing an example of lifetime killer concentration distribution in the Y-axis direction of the lower surface side lifetime control region 74-4 in the hh 'cross section of FIG. 15 and the jj' cross section of FIG. 16;
  • It is a figure which shows partially the upper surface of the other semiconductor device 200 which concerns on this embodiment. It is an enlarged view of the area
  • FIG. 19 is a view showing an example of a qq 'cross section in FIG. 18;
  • FIG. 19 is a view showing an example of a qq 'cross section in FIG. 18;
  • FIG. 19 is a view showing an example of a qq 'cross section in FIG. 18;
  • FIG. 19 is a view showing an example of a qq 'cross section in FIG.
  • FIG. 21 is a cross-sectional view taken along the line kk ′ in FIG. 20, including the transistor section 70 adjacent to the Y axis negative side of the diode section 80. It is a figure showing an example of the upper surface of semiconductor chip 120 concerning this embodiment. It is an enlarged view of area
  • FIG. 24 is a view showing an example of a hh ′ cross section in FIG. 23; FIG. 24 is a view showing an example of a jj ′ cross section in FIG. 23; FIG. 23 is another enlarged view of a region A1 in FIG. 22.
  • FIG. 29 is an enlarged view of a region C1 in FIG. 28.
  • FIG. 30 is an enlarged view of a region C2 in FIG. 29. It is a figure which shows an example of the kk 'cross section in FIG.
  • FIG. 29 is a view showing an example of the m-m 'cross section in FIG. 28.
  • one side in a direction parallel to the depth direction of the semiconductor substrate is referred to as “upper”, and the other side is referred to as “lower”.
  • the upper surface is referred to as the upper surface
  • the other surface is referred to as the lower surface.
  • the directions of “upper” and “lower” are not limited to the direction of gravity or the mounting direction to a substrate or the like at the time of mounting of the semiconductor device.
  • the first conductivity type is N-type and the second conductivity type is P-type is shown, but the first conductivity type may be P-type and the second conductivity type may be N-type.
  • the conductivity types of the substrate, layer, region and the like in the respective embodiments have opposite polarities.
  • doping concentration refers to the concentration of donor or acceptor turned impurities.
  • concentration difference between the donor and the acceptor may be referred to as the doping concentration.
  • the peak value may be used as the doping concentration in the doping region.
  • the average value of the doping concentrations in the doping region may be used as the doping concentration.
  • FIG. 1 is a view partially showing an example of an upper surface of a semiconductor device 100 according to an embodiment of the present invention.
  • the semiconductor device 100 of this example is a semiconductor chip provided with a transistor unit 70 and a diode unit 80.
  • the transistor unit 70 includes a transistor such as an IGBT.
  • the diode unit 80 includes a diode such as a free wheel diode (FWD) provided parallel to the transistor unit 70 on the upper surface of the semiconductor substrate.
  • FWD free wheel diode
  • a region located at the boundary between the transistor unit 70 and the diode unit 80 is a boundary unit 90.
  • FIG. 1 the chip top surface around the chip end is shown, and other regions are omitted.
  • FIG. 1 shows the active region of the semiconductor substrate in the semiconductor device 100
  • the semiconductor device 100 may have an edge termination structure portion surrounding the active region.
  • the active region indicates a region through which current flows when the semiconductor device 100 is controlled to be in an on state.
  • the edge termination structure mitigates the concentration of the electric field on the upper surface side of the semiconductor substrate.
  • the edge termination structure has, for example, a guard ring, a field plate, a resurf and a combination thereof.
  • the semiconductor device 100 of this example is provided inside the semiconductor substrate, and the gate trench portion 40, the dummy trench portion 30, the well region 11, the emitter region 12, the base region 14 and the contact region 15 exposed on the upper surface of the semiconductor substrate. Equipped with, the semiconductor device 100 of this example includes the emitter electrode 52 and the gate metal layer 50 provided above the upper surface of the semiconductor substrate. Emitter electrode 52 and gate metal layer 50 are provided separately from each other.
  • An interlayer insulating film is provided between the emitter electrode 52 and the gate metal layer 50 and the upper surface of the semiconductor substrate, but is omitted in FIG.
  • the contact hole 56, the contact hole 49 and the contact hole 54 are provided to penetrate the interlayer insulating film.
  • emitter electrode 52 is connected to the dummy conductive portion in dummy trench portion 30 through contact hole 56. Between the emitter electrode 52 and the dummy conductive portion, a connection portion 25 formed of a conductive material such as polysilicon doped with an impurity may be provided. An insulating film such as an oxide film is provided between the connection portion 25 and the upper surface of the semiconductor substrate.
  • the gate metal layer 50 contacts the gate runner 48 through the contact hole 49.
  • the gate runner 48 is formed of polysilicon doped with an impurity. Gate runner 48 is connected to the gate conductive portion in gate trench portion 40 on the upper surface of the semiconductor substrate. Gate runner 48 is not connected to the dummy conductive portion in dummy trench portion 30.
  • the gate runner 48 in this example is provided from the lower side of the contact hole 49 to the tip of the gate trench portion 40.
  • An insulating film such as an oxide film is provided between the gate runner 48 and the upper surface of the semiconductor substrate.
  • the gate conductive portion is exposed on the upper surface of the semiconductor substrate.
  • the gate trench portion 40 contacts the gate runner 48 at the exposed portion of the gate conductive portion.
  • Emitter electrode 52 and gate metal layer 50 are formed of a material containing a metal.
  • each electrode is formed of aluminum or aluminum-silicon alloy.
  • Each electrode may have a barrier metal formed of titanium, a titanium compound, or the like below the region formed of aluminum or the like.
  • Each electrode may have a plug formed of tungsten or the like in the contact hole.
  • the one or more gate trench portions 40 and the one or more dummy trench portions 30 are arranged at predetermined intervals along a predetermined arrangement direction (in this example, the Y-axis direction).
  • the gate trench portion 40 in this example is formed by two extending portions 39 extending in parallel with the upper surface of the semiconductor substrate and extending in the extending direction (in this example, the X-axis direction) perpendicular to the arrangement direction; May have a connecting portion 41 connecting the two.
  • at least a portion of the connection portion 41 is provided in a curved shape.
  • the dummy trench portion 30 in the present example may have a U-shape on the upper surface of the semiconductor substrate, similarly to the gate trench portion 40. That is, the dummy trench portion 30 in this example may have two extension portions 29 extending in the extension direction and a connection portion 31 connecting the two extension portions 29.
  • Emitter electrode 52 is provided above gate trench portion 40, dummy trench portion 30, well region 11, emitter region 12, base region 14 and contact region 15.
  • Well region 11 is of the second conductivity type.
  • Well region 11 is provided in a predetermined range from the end of the active region on the side where gate metal layer 50 is provided.
  • the diffusion depth of the well region 11 may be deeper than the depths of the gate trench portion 40 and the dummy trench portion 30.
  • a partial region on the gate metal layer 50 side of the gate trench portion 40 and the dummy trench portion 30 is provided in the well region 11.
  • the bottoms of the ends in the extending direction of the gate trench portion 40 and the dummy trench portion 30 may be covered with the well region 11.
  • the contact holes 54 are provided above the contact region 15 and the emitter region 12, respectively.
  • the contact hole 54 is provided above the base region 14. Neither contact hole 54 is disposed above the base region 14 and the well region 11 disposed at both ends in the X-axis direction.
  • a mesa portion is provided in contact with each trench portion in the Y-axis direction in a direction parallel to the upper surface of the semiconductor substrate.
  • the mesa portion may be a portion of the semiconductor substrate sandwiched between two adjacent trench portions, and may be a portion from the upper surface of the semiconductor substrate to the deepest bottom of each trench portion.
  • the extension portion of each trench portion may be one trench portion. That is, the region between the two extending portions may be a mesa portion.
  • a transistor mesa portion 60 is provided in contact with each trench portion.
  • a boundary mesa portion 62 is provided in the boundary portion 90 in contact with each trench portion.
  • the diode mesa portion 64 is provided in a region sandwiched by the adjacent dummy trench portions 30.
  • Base regions 14 are provided, as an example, at both ends of the transistor mesa 60, the boundary mesa 62, and the diode mesa 64 in the X-axis direction. In FIG. 1, only the base region 14 provided at one end in the X-axis direction is shown.
  • Emitter region 12 is provided on the upper surface of transistor mesa 60 in contact with gate trench portion 40.
  • the emitter region 12 of this example is of the first conductivity type.
  • a contact region 15 of the second conductivity type which has a doping concentration higher than that of the base region 14, is provided.
  • the emitter regions 12 and the contact regions 15 may be alternately provided in the extending direction of the gate trench portion 40.
  • the emitter region 12 and the contact region 15 are provided also below the contact hole 54.
  • Emitter region 12 may be provided in contact with dummy trench portion 30 on the upper surface of transistor mesa portion 60 or may be provided separately. Emitter region 12 in the example of FIG. 1 is provided in contact with dummy trench portion 30.
  • a contact region 15 of the second conductivity type having a doping concentration higher than that of the base region 14 is provided on the top surface of the boundary mesa portion 62.
  • the contact regions 15 may be provided in the entire region sandwiched by the base regions 14 provided at both ends of the boundary mesa portion 62 in the X-axis direction. In the boundary mesa portion 62, the contact region 15 is also provided below the contact hole 54.
  • Contact regions 15 are provided on the top surface of the diode mesa 64 at both ends in the X-axis direction.
  • a base region 14 is provided in a region sandwiched by the contact regions 15.
  • the base region 14 may be provided in the entire region sandwiched by the contact regions 15.
  • the base region 14 and the contact region 15 are also provided below the contact hole 54.
  • the dummy trench portion 30 is provided in the diode portion 80.
  • the linear extension portions 29 of the respective dummy trench portions 30 are connected by the connection portion 31.
  • a diode mesa portion 64 is provided in a region sandwiched by the respective dummy trench portions 30.
  • the emitter region 12 may not be provided in the diode mesa portion 64, and may be provided. In this example, the emitter region 12 is not provided.
  • the contact region 15 or the base region 14 is provided from one dummy trench portion 30 sandwiching the diode mesa portion 64 to the other dummy trench portion 30. That is, on the upper surface of the semiconductor substrate, the width of the diode mesa 64 in the Y-axis direction is equal to the width of the contact region 15 or the base region 14 provided in the diode mesa 64 in the Y-axis direction.
  • the diode section 80 has a cathode region 82 of the first conductivity type on the lower surface side of the semiconductor substrate.
  • a region where the cathode region 82 is provided in a top view of the semiconductor substrate is indicated by a dashed-dotted line portion.
  • the diode section 80 may be an area where the cathode area 82 is projected on the upper surface of the semiconductor substrate.
  • the region where the cathode region 82 is projected on the upper surface of the semiconductor substrate may be separated from the contact region 15 in the + X axis direction.
  • a collector region of the second conductivity type may be provided in a region exposed to the lower surface of the semiconductor substrate and not provided with the cathode region 82.
  • the transistor portion 70 may be a region in which a trench portion or a mesa portion is provided in a region obtained by projecting the collector region on the upper surface of the semiconductor substrate.
  • the upper surface side lifetime control region 72 including the lifetime killer is provided locally in the depth direction of the semiconductor substrate.
  • a region where the upper surface side lifetime control region 72 is provided in a top view of the semiconductor substrate is indicated by a broken line portion.
  • the upper surface side lifetime control area 72 is provided up to the area not shown in FIG. 1 of the area on the Y axis negative side and the areas on the X axis positive side and the negative side in FIG.
  • a direction perpendicular to the semiconductor substrate in a top view of the semiconductor substrate is referred to as a depth direction (Z-axis direction).
  • the lower surface side lifetime control region 74 including the lifetime killer is locally provided below the upper surface side lifetime control region 72 in the depth direction of the semiconductor substrate.
  • a region where the lower surface side lifetime control region 74 is provided in a top view of the semiconductor substrate is indicated by a broken line portion.
  • the lower surface side lifetime control area 74 is provided up to the area not shown in FIG. 1 of the areas on the X axis positive side and the negative side in FIG. 1.
  • the range in which the upper surface side lifetime control area 72 is provided in the Y-axis direction may be wider than the area in which the lower surface side lifetime control area 74 is provided.
  • the entire trench portion in the region where the upper surface side lifetime control region 72 is provided may be the dummy trench portion 30 in top view.
  • the particle beam may be irradiated from the upper surface side to form the upper surface side lifetime control area 72.
  • the gate insulating film may be damaged.
  • the trench portion in the upper surface side lifetime control region 72 as the dummy trench portion 30, the occurrence of damage to the gate insulating film can be suppressed. Therefore, gate threshold fluctuation of the transistor and gate insulating film breakdown can be prevented.
  • FIG. 2 is a view showing an example of an aa ′ cross section in FIG.
  • the aa ′ cross section is a YZ plane passing through the emitter region 12, the contact region 15 and the base region 14 in the transistor portion 70 and the diode portion 80.
  • the semiconductor device 100 of this example has the semiconductor substrate 10, the interlayer insulating film 38, the emitter electrode 52, and the collector electrode 24 in the cross section aa '.
  • Emitter electrode 52 is provided on upper surface 21 of semiconductor substrate 10 and the upper surface of interlayer insulating film 38.
  • the collector electrode 24 is provided on the lower surface 23 of the semiconductor substrate 10. Emitter electrode 52 and collector electrode 24 are formed of a conductive material such as metal.
  • the semiconductor substrate 10 may be a silicon substrate, a silicon carbide substrate, or a nitride semiconductor substrate such as gallium nitride.
  • the semiconductor substrate 10 of this example is a silicon substrate.
  • the semiconductor substrate 10 of this example includes the drift region 18 of the first conductivity type.
  • the drift region 18 in this example is N + type.
  • Drift region 18 may be a region remaining in semiconductor substrate 10 without forming another doping region. That is, the doping concentration of the drift region 18 may be the doping concentration of the semiconductor substrate 10.
  • a buffer region 20 of the first conductivity type may be provided below the drift region 18.
  • the doping concentration of buffer region 20 is higher than the doping concentration of drift region 18.
  • Buffer region 20 may function as a field stop layer that prevents a depletion layer extending from the lower surface side of base region 14 from reaching collector region 22 and cathode region 82 of the second conductivity type.
  • the diode portion 80 has a cathode region 82 below the buffer region 20.
  • the cathode region 82 may be provided at the same depth as the collector region 22 of the transistor unit 70.
  • the diode unit 80 may function as a free wheeling diode (FWD) that allows a return current to flow in the reverse direction when the transistor unit 70 of another semiconductor device 100 is turned off in a power conversion circuit such as an inverter.
  • FWD free wheeling diode
  • a collector region 22 of the second conductivity type is provided below the buffer region 20.
  • the collector region 22 may extend to a region on the lower surface 23 side of the boundary mesa portion 62.
  • the semiconductor device 100 of this example since the collector region 22 extends to the lower surface 23 of the boundary mesa portion 62, the distance between the emitter region 12 of the transistor portion 70 and the cathode region 82 of the diode portion 80 can be secured. Therefore, the semiconductor device 100 of this example can prevent the electrons injected from the gate structure including the emitter region 12 of the transistor unit 70 into the drift region 18 from flowing out into the cathode region 82 of the diode unit 80. .
  • the distance between the contact region 15 of the boundary mesa portion 62 and the cathode region 82 of the diode portion 80 can also be longer than in the case where the cathode region 82 is provided immediately below the boundary mesa portion 62. Therefore, the semiconductor device 100 of this example can suppress the injection of holes from the contact region 15 having a doping concentration higher than that of the base region 14 to the cathode region 82 when the diode unit 80 conducts.
  • the storage region 16 of the first conductivity type may be provided above the drift region 18.
  • the accumulation region 16 is a region where the same dopant as the drift region 18 is accumulated at a higher concentration than the drift region 18.
  • the doping concentration of storage region 16 is higher than the doping concentration of drift region 18.
  • Storage region 16 is provided in contact with gate trench portion 40.
  • a base region 14 of the second conductivity type is provided above the storage region 16 in the transistor mesa 60 and the boundary mesa 62.
  • Base region 14 is provided in contact with gate trench portion 40.
  • the emitter region 12 is provided between the base region 14 and the top surface 21 in the transistor mesa 60.
  • Emitter region 12 is provided in contact with gate trench portion 40.
  • the doping concentration of the emitter region 12 is higher than the doping concentration of the drift region 18.
  • An example of the dopant of the emitter region 12 is arsenic (As).
  • the contact region 15 of the second conductivity type is provided above the storage region 16 in the boundary mesa 62.
  • Contact region 15 is provided in contact with gate trench portion 40.
  • the emitter region 12 may not be provided.
  • a storage region 16 is provided above the drift region 18 in the diode mesa 64. Further, in the present example, a base region 14 is provided above the storage region 16 in the diode mesa 64. Emitter region 12 may not be provided in diode mesa portion 64.
  • the upper surface 21 is provided with one or more gate trench portions 40 and one or more dummy trench portions 30.
  • Each trench portion is provided from the upper surface 21 to the drift region 18. In a region where at least one of emitter region 12, contact region 15 and storage region 16 is provided, each trench portion is also provided to penetrate drift region 18 to reach drift region 18.
  • the fact that the trench portion penetrates the doping region is not limited to the one manufactured in the order of forming the doping region and then forming the trench portion. After forming the trench portion, those in which the doping region is formed between the trench portions are also included in those in which the trench portion penetrates the doping region.
  • the gate trench portion 40 has a gate trench provided on the upper surface 21, a gate insulating film 42, and a gate conductive portion 44.
  • the gate insulating film 42 is provided to cover the inner wall of the gate trench.
  • the gate insulating film 42 may be formed by oxidizing or nitriding the semiconductor on the inner wall of the gate trench.
  • the gate conductive portion 44 is provided inside the gate insulating film 42 inside the gate trench.
  • the gate insulating film 42 insulates the gate conductive portion 44 and the semiconductor substrate 10.
  • the gate conductive portion 44 is formed of a conductive material such as polysilicon.
  • Gate trench portion 40 is covered with interlayer insulating film 38 on upper surface 21.
  • the gate conductive portion 44 includes a region facing the base region 14 adjacent to the transistor mesa portion 60 with the gate insulating film 42 interposed therebetween. When a predetermined voltage is applied to the gate conductive portion 44, a channel of the inversion layer of electrons is formed in the surface layer of the interface in the base region 14 in contact with the gate trench.
  • the dummy trench portion 30 may have the same structure as the gate trench portion 40 in FIG.
  • the dummy trench portion 30 has a dummy trench, a dummy insulating film 32 and a dummy conductive portion 34 provided on the upper surface 21 side.
  • the dummy insulating film 32 is provided to cover the inner wall of the dummy trench.
  • the dummy conductive portion 34 is provided inside the dummy trench, and is provided inside the dummy insulating film 32.
  • the dummy insulating film 32 insulates the dummy conductive portion 34 and the semiconductor substrate 10.
  • the dummy trench portion 30 is covered with the interlayer insulating film 38 on the upper surface 21.
  • the semiconductor device 100 of the present example has a lower surface side lifetime control region 74 provided on the lower surface 23 side of the semiconductor substrate 10 from the transistor unit 70 to the diode unit 80.
  • the peak position in the Z-axis direction of the lifetime killer concentration distribution of the lower surface side lifetime control region 74 is indicated by a symbol “x”.
  • one lower surface side lifetime control area 74 is provided in the Z-axis direction.
  • the lower surface side lifetime control region 74 is provided in a part of the transistor unit 70 in the Y-axis direction, and is not provided in the other part of the transistor unit 70.
  • the lower surface side lifetime control region 74 is provided in a part of the diode unit 80 in the Y-axis direction, and is not provided in the other part of the diode unit 80.
  • T be the thickness of the semiconductor substrate 10.
  • the lower surface side lifetime control region 74 is provided at a position deeper than half of the thickness T with reference to the upper surface 21.
  • the leak current of the transistor section 70 tends to increase. Therefore, in the present embodiment, the lower surface side lifetime control region 74 is provided at a position shallower than half of the thickness T with reference to the upper surface 21.
  • the semiconductor device 100 of this example has an upper surface side lifetime control region 72 provided on the upper surface 21 side of the semiconductor substrate 10 from the transistor unit 70 to the diode unit 80.
  • the peak position in the Z-axis direction of the lifetime killer concentration distribution of the upper surface side lifetime control region 72 is indicated by a symbol “x”.
  • the upper surface side lifetime control area 72 is provided on the entire diode section 80 in the Y-axis direction.
  • the upper surface side lifetime control region 72 is provided up to the transistor portion 70 (not shown in FIG. 2) adjacent on the Y axis negative side of the diode portion 80.
  • the lower surface side lifetime control region 74 in the transistor section 70 is provided on the Y axis negative side with respect to the upper surface side lifetime control region 72. That is, the end Klb of the lower surface side lifetime control area 74 in the transistor section 70 is located on the Y axis negative side with respect to the end Kls of the upper surface side lifetime control area 72.
  • the upper surface side lifetime control region 72 and the lower surface side lifetime control region 74 are provided locally in the depth direction of the semiconductor substrate 10. That is, the defect density of the upper surface side lifetime control region 72 and the lower surface side lifetime control region 74 is higher than that of the other regions of the semiconductor substrate 10.
  • An example of a lifetime killer is helium injected at a predetermined depth position. By injecting helium, crystal defects can be formed inside the semiconductor substrate 10.
  • the lower surface side lifetime control region 74 has a function of improving the leak current characteristic caused by the upper surface side lifetime control region 72.
  • the provision of the lower surface side lifetime control region 74 makes it easier for the minority carrier holes generated in the drift region 18 to be offset with the majority carrier electrons with a short lifetime. Therefore, the semiconductor device 100 of this example can improve the leakage current characteristics of the transistor section 70. Further, in the semiconductor device 100 of the present example, since the lower surface side lifetime control region 74 is provided, the trade-off between the on voltage of the transistor unit 70 and the turn off loss can be made favorable.
  • the distance A is a distance in the Y-axis direction between the end Kls and the end Klb.
  • the distance B is a distance from the end Kls to the boundary between the transistor unit 70 and the diode unit 80 in the Y-axis direction.
  • the distance A may be smaller than the distance B.
  • the distance A may be not less than 0.25 times and not more than 0.5 times the distance B.
  • the distance A may be 50 ⁇ m to 100 ⁇ m.
  • the lower surface side lifetime control region 74 is provided on the Y axis negative side of the upper surface side lifetime control region 72 in the transistor section 70. Therefore, the semiconductor device 100 of this example can suppress the injection of holes from the emitter region 12 of the transistor unit 70 to the cathode region 82 of the diode unit 80 when the diode unit 80 operates. Therefore, the semiconductor device 100 of this example can improve the reverse recovery characteristic of the diode unit 80.
  • the length Lb is the length in the Y-axis direction of the lower surface side lifetime control area 74 in the transistor section 70.
  • the length C is the length in the Y-axis direction of the lower surface side lifetime control area 74 in the diode section 80.
  • the length Lb may be longer than the length C.
  • the semiconductor device 100 of this example since the length Lb is longer than the length C, injection of holes from the emitter region 12 of the transistor unit 70 to the cathode region 82 of the diode unit 80 is suppressed when the diode unit 80 operates. it can. Therefore, the semiconductor device 100 of this example can improve the reverse recovery characteristic of the diode unit 80.
  • the collector region 22 may be provided on an extension of the path from the end Kls to the end Klb, as indicated by the line rr ′ in FIG. That is, a straight line connecting the end Kls and the end Klb may intersect the collector region 22.
  • a straight line connecting the end Kls and the end Klb is arranged to cross the collector region 22 so that holes moving from the emitter region 12 of the transistor to the cathode region 82 of the diode section 80 have a lifetime control on the lower surface side.
  • the presence of the region 74 makes it easy to offset the electrons. Therefore, the semiconductor device 100 of this example can suppress the injection of holes from the emitter region 12 of the transistor unit 70 to the cathode region 82 of the diode unit 80 when the diode unit 80 operates.
  • the lower surface side lifetime control region 74 in the diode section 80 is provided on the Y axis positive side with respect to the upper surface side lifetime control region 72. That is, in the present embodiment, the upper surface side lifetime control region 72 in the diode unit 80 is also provided on the Y axis negative side with respect to the end portion Krb of the lower surface side lifetime control region 74.
  • FIG. 3 is a view showing another example of the aa ′ cross section in FIG.
  • the semiconductor device 100 of FIG. 3 is different from the semiconductor device 100 of FIG. 2 in that the lower surface side lifetime control region 74 of the transistor section 70 is provided extending to the Y axis positive side with respect to the upper surface side lifetime control region 72. It is different.
  • FIG. 3 shows an example in which the end Klb is disposed at a distance of A ′ on the Y axis positive side with respect to the end Kls.
  • the lower surface side lifetime control region 74 of the transistor unit 70 is provided on the Y axis positive side with respect to the upper surface side lifetime control region 72. Therefore, the holes moving from the emitter region 12 of the transistor unit 70 to the cathode region 82 of the diode unit 80 are easily offset with the electrons due to the presence of the lower surface side lifetime control region 74. Therefore, the semiconductor device 100 of this example can suppress the injection of holes from the emitter region 12 of the transistor unit 70 to the cathode region 82 of the diode unit 80 when the diode unit 80 operates. Further, in the semiconductor device 100 of the present example, the leakage current characteristics of the transistor unit 70 can be improved by the presence of the lower surface side lifetime control region 74. Further, in the semiconductor device 100 of this example, the presence of the lower surface side lifetime control region 74 makes it possible to make good trade-off between the on voltage of the transistor section 70 and the turn off loss.
  • FIG. 4 is a view showing another example of the aa ′ cross section in FIG.
  • the semiconductor device 100 of FIG. 4 differs from the semiconductor device 100 of FIG. 2 in that the lower surface side lifetime control region 74 is provided in the buffer region 20.
  • the lower surface side lifetime control region 74 is provided on the Y axis negative side with respect to the upper surface side lifetime control region 72. Therefore, the semiconductor device 100 of this example can suppress the injection of holes from the emitter region 12 of the transistor unit 70 to the cathode region 82 of the diode unit 80 when the diode unit 80 operates. Therefore, the semiconductor device 100 of this example can improve the reverse recovery characteristic of the diode unit 80. Further, in the semiconductor device 100 of the present example, since the lower surface side lifetime control region 74 is provided, the leak current characteristics of the transistor unit 70 can be improved. Further, in the semiconductor device 100 of the present example, since the lower surface side lifetime control region 74 is provided, the trade-off between the on voltage of the transistor unit 70 and the turn off loss can be made favorable.
  • FIG. 5 is a view showing another example of the aa ′ cross section in FIG.
  • the thickness Dk is the thickness in the Z-axis direction of the buffer region 20 in which the lower surface side lifetime control region 74 is provided on the upper side.
  • the thickness D is the thickness in the Z-axis direction of the buffer area 20 where the lower surface side lifetime control area 74 is not provided at the upper side.
  • the semiconductor device 100 of this example differs from the semiconductor device 100 of FIG. 2 in that the thickness Dk is larger than the thickness D.
  • the lower surface side lifetime control region 74 is provided on the Y axis negative side with respect to the upper surface side lifetime control region 72. Therefore, the semiconductor device 100 of this example can suppress the injection of holes from the emitter region 12 of the transistor unit 70 to the cathode region 82 of the diode unit 80 when the diode unit 80 operates. Therefore, the semiconductor device 100 of this example can improve the reverse recovery characteristic of the diode unit 80. Further, in the semiconductor device 100 of the present example, since the lower surface side lifetime control region 74 is provided, the leak current characteristics of the transistor unit 70 can be improved. Further, in the semiconductor device 100 of the present example, since the lower surface side lifetime control region 74 is provided, the trade-off between the on voltage of the transistor unit 70 and the turn off loss can be made favorable.
  • FIG. 6 is a view partially showing the upper surface of the semiconductor device 150 of the comparative example.
  • the lower surface side lifetime control region 274 is provided over the entire transistor portion 70 and the diode portion 80 in the Y-axis direction.
  • the upper surface side lifetime control region 72 is provided at the same position as that in FIG. 1 in a top view of the semiconductor substrate 10.
  • the lower surface side lifetime control region 274 is provided up to regions on the Y axis positive side and negative side not shown in FIG.
  • FIG. 7 is a view showing an example of the zz ′ cross section in FIG.
  • the lower surface side lifetime control region 274 is provided below the upper surface side lifetime control region 272 over the entire transistor portion 70 and the diode portion 80 in the Y axis direction. .
  • the trade-off between the on voltage of the transistor unit 70 and the turn-off loss is likely to deteriorate.
  • FIG. 8 is a diagram showing an example of lifetime killer density distribution of the upper surface side lifetime control region 72 and the lower surface side lifetime control region 74 along the line bb ′ of FIG.
  • helium ions are implanted from the upper surface 21 to form the upper surface side lifetime control region 72
  • helium ions are implanted from the lower surface 23 to form the lower surface side lifetime control region 74.
  • An example of the distribution is shown.
  • the peak position (the depth in the Z-axis direction from the top surface 21) of the lifetime killer concentration of the top-side lifetime control area 72 is the Z-axis direction of the symbol “x” indicating the top-side lifetime control area 72 in FIG. Equal to the position in When helium ions are implanted from the upper surface 21, a lifetime killer having a concentration lower than the peak concentration may be distributed on the upper surface 21 side of the peak position.
  • the peak position (the depth in the Z-axis direction from the lower surface 23) of the lifetime killer concentration of the lower surface-side lifetime control area 74 is the Z-axis direction of the symbol “x” indicating the lower surface side lifetime control area 74 in FIG. Equal to the position in When helium ions are implanted from the lower surface 23, a lifetime killer having a concentration lower than the peak concentration may be distributed closer to the lower surface 23 than the peak position.
  • the peak concentration of the lifetime killer concentration of the lower surface side lifetime control region 74 may be higher or lower than the peak concentration of the lifetime killer concentration of the upper surface side lifetime control region 72.
  • the peak concentration of the lifetime killer concentration of the lower surface side lifetime control region 74 is higher than the peak concentration of the lifetime killer concentration of the upper surface side lifetime control region 72.
  • the lifetime killer concentration of the lower surface side lifetime control region 74 may be two to five times higher than the lifetime killer concentration of the upper surface side lifetime control region 72.
  • the ordinate of the lifetime killer concentration distribution may be helium concentration, or may be the density of crystal defects formed by implantation of helium ions.
  • the crystal defects may be interstitial helium, vacancies, double vacancies, and the like. These crystal defects form carrier recombination centers. Carrier recombination is promoted via the energy level (trap level) of the formed recombination center.
  • the lifetime killer concentration corresponds to the trap level density.
  • the lifetime killer concentration of the lower surface side lifetime control region 74 is higher than the lifetime killer concentration of the upper surface side lifetime control region 72. Therefore, in the semiconductor device 100 of this example, the carrier lifetime of the upper surface side lifetime control region 72 can be extended. Therefore, the semiconductor device 100 of this example can improve the leak current characteristic caused by the lifetime killer. Further, in the semiconductor device 100 of this example, the trade-off between the on voltage and the turn off loss of the transistor unit 70 can be made favorable.
  • FIG. 9 is a view showing another example of the aa ′ cross section in FIG.
  • the semiconductor device 100 of FIG. 9 differs from the semiconductor device 100 of FIG. 2 in that a plurality of lower surface side lifetime control regions 74 are provided in the Z-axis direction.
  • the semiconductor device 100 of FIG. 9 shows an example in which four lower surface side lifetime control regions 74 are provided in the Z-axis direction.
  • the peak positions in the Z-axis direction of the lifetime killer concentration distribution of the lower surface side lifetime control region 74-1 to the lower surface side lifetime control region 74-4 are indicated by the symbol “x”.
  • the lower surface side lifetime control area 74-4 provided on the lower surface 23 side is provided on the Y axis negative side than the lower surface side lifetime control area 74-1 provided on the upper surface 21 side. That is, as indicated by a broken line t-t 'in FIG. 9, the end of the lower surface side lifetime control area 74 is the end surface Klb1 of the lower surface side lifetime control area 74-1 to the lower surface side lifetime control area 74-4. It may be disposed on the Y axis negative side of FIG. The end Klb1 to the end Klb4 may be arranged in a straight line indicated by a broken line t-t 'in the YZ plane.
  • the lower surface side lifetime control region 74-4 is provided on the Y axis negative side with respect to the upper surface side lifetime control region 72. Therefore, the semiconductor device 100 of this example can suppress the injection of holes from the emitter region 12 of the transistor unit 70 to the cathode region 82 of the diode unit 80 when the diode unit 80 operates. Therefore, the semiconductor device 100 of this example can improve the reverse recovery characteristic of the diode unit 80.
  • the lengths in the Y-axis direction of the four lower surface side lifetime control areas 74 may be different from each other.
  • the lower surface side lifetime control region 74-4 provided on the lower surface 23 side is provided on the Y axis negative side than the lower surface side lifetime control region 74-1 provided on the upper surface 21 side.
  • the end of the lower surface side lifetime control region 74 is the lower surface side lifetime control region 74-4 from the end portion Krb1 of the lower surface side lifetime control region 74-1. It may be located on the Y axis negative side of FIG.
  • the end Krb1 to the end Krb4 may be arranged in a straight line indicated by a broken line u-u 'in the YZ plane.
  • the end on the Y-axis positive side of the lower surface side lifetime control region 74 is positioned on the Y-axis negative side as it extends from the end Klb1 to the end Klb4.
  • the semiconductor device 100 of this example can suppress the injection of holes from the emitter region 12 of the transistor unit 70 to the cathode region 82 of the diode unit 80 when the diode unit 80 is operating.
  • FIG. 10 is a view showing another example of the aa ′ cross section in FIG.
  • the end Klb1 to the end Klb4 are arranged in a convex shape on the Y axis positive side in the YZ plane, This differs from the semiconductor device 100 of FIG.
  • the end Klb2 and the end Klb3 are located on the positive side in the Y-axis direction.
  • the end portion Krb1 to the end portion Krb4 are linearly arranged in the YZ plane, but may be arranged to be convex on the Y axis negative side, the Y axis positive side It may be arranged to have a convex shape.
  • FIG. 11 shows the lifetime killer concentration distribution of the upper surface side lifetime control region 72 and the lower surface side lifetime control region 74-1 to the lower surface side lifetime control region 74-4 along the ff 'line of FIG. FIG.
  • helium ions are injected from the lower surface 23, and an example of lifetime killer concentration distribution in the case where the lower surface side lifetime control region 74-1 to the lower surface side lifetime control region 74-4 are respectively formed is shown. ing.
  • the peak position (the depth in the Z-axis direction from the lower surface 23) of the lifetime killer concentration of the lower surface-side lifetime control area 74 is the Z-axis direction of the symbol “x” indicating the lower surface side lifetime control area 74 in FIG. Equal to the position in When helium ions are implanted from the lower surface 23, a lifetime killer having a concentration lower than the peak concentration may be distributed closer to the lower surface 23 than the peak position.
  • the lifetime killer concentration of the lower surface side lifetime control region 74-4 provided on the lower surface 23 side is the lifetime killer of the lower surface side lifetime control region 74-1 provided on the upper surface 21 side. It may be higher than the concentration.
  • the lifetime killer concentration of the lower surface side lifetime control region 74-4 may be twice to five times as high as the lifetime killer concentration of the lower surface side lifetime control region 74-1.
  • the lifetime killer concentration of the lower surface side lifetime control region 74 may be higher from the lower surface side lifetime control region 74-1 to the lower surface side lifetime control region 74-4.
  • a valley may be formed between the peak concentrations of the two lower surface side lifetime control regions 74 adjacent to each other in the Z-axis direction to indicate the minimum of the lifetime killer concentration.
  • the minimum value of the lifetime killer concentration in the valley on the lower surface 23 side may be higher than the minimum value of the lifetime killer concentration in the valley on the upper surface 21 side.
  • the lifetime killer concentration from the position of the peak concentration in the lower surface side lifetime control region 74-4 to the position of the lower surface 23 is formed between two lower surface side lifetime control regions 74 adjacent in the Z-axis direction. It may be higher than the minimum value of lifetime killer concentration in any valley.
  • the lifetime killer concentration of the lower surface side lifetime control region 74-4 provided on the lower surface 23 side is the lifetime of the lower surface side lifetime control region 74-1 provided on the upper surface 21 side. Higher than killer concentration. Therefore, in the semiconductor device 100 of this example, the lifetime killer concentration of the lower surface side lifetime control region 74-4 provided on the lower surface 23 side is the lower surface side lifetime control region 74-1 provided on the upper surface 21 side.
  • the carrier lifetime of the upper surface side lifetime control area 72 can be made longer than when it is lower than the lifetime killer concentration. Therefore, the semiconductor device 100 of this example can improve the leak current characteristic caused by the lifetime killer. Further, in the semiconductor device 100 of this example, the trade-off between the on voltage and the turn off loss of the transistor unit 70 can be made favorable.
  • the concentration of the lifetime killer only needs to be generally high from the upper surface 21 side to the lower surface 23 side. That is, the lifetime killer concentration is locally reversed in height, for example, the lifetime killer concentration of the lower surface side lifetime control region 74-2 is higher than the lifetime killer concentration of the lower surface side lifetime control region 74-3. It is also good.
  • FIG. 12 is a view showing an example of the semiconductor chip 98 according to the embodiment of the present invention.
  • the transistor unit 70 and the diode unit 80 are alternately and periodically arranged in the XY plane.
  • FIG. 12 shows an example in which two transistor portions 70 are provided in the X axis direction and five in the Y axis direction, and two diode portions 80 are provided in the X axis direction and six in the Y axis direction.
  • FIG. 1 is an enlarged view of the area S of FIG.
  • the upper surface side lifetime control area 72 is provided in the area of the broken line in FIG.
  • the upper surface side lifetime control region 72 may be provided to include the cathode region 82 of the diode section 80 in the XY plane, as shown in FIG.
  • the lower surface side lifetime control area 74 is provided in the area of the dashed dotted line in FIG.
  • the lower surface side lifetime control region 74 may be provided from the transistor unit 70 to the diode unit 80.
  • the cathode region 82 of the diode section 80 is provided in the depth direction of the semiconductor chip 98 in the top view of FIG. 12.
  • the width WI is the width in the Y-axis direction of the transistor portion 70. Further, the width WF is the width in the Y-axis direction of the diode unit 80. The width WI may be larger than the width WF. The width WI may be at least twice and at most 5 times the width WF. The width WI is, for example, 1500 ⁇ m. The width WF is 500 ⁇ m as an example.
  • the lower surface side lifetime control region 74 may be provided up to a region E which is outside the upper surface side lifetime control region 72 in the X-axis direction, as shown in FIG. That is, the lower surface side lifetime control region 74 may be provided from the upper surface side lifetime control region 72 to both ends of the semiconductor chip 98 along the X axis.
  • FIG. 13 is an enlarged view of a region F in FIG.
  • the distance B is a distance from the end Kls to the boundary between the transistor unit 70 and the diode unit 80 in the Y-axis direction.
  • the distance C is a distance between the boundary between the transistor unit 70 and the diode unit 80 and the end Klb in the Y-axis direction.
  • the distance B may be equal to or greater than 0.01 times and equal to or less than 0.15 times the width WI of the transistor portion 70. Further, the distance C may be not less than 0.015 times and not more than 0.03 times the width WF of the diode section 80.
  • the distance A is a distance between the end Kls and the end Klb in the Y-axis direction.
  • FIG. 14 is a view showing an example of the gg ′ cross section in FIG.
  • the upper surface side lifetime control region 72 is provided from the transistor unit 70 through the diode unit 80 to the transistor unit 70 adjacent to the diode unit 80 on the opposite side in the Y-axis direction.
  • the lower surface side lifetime control region 74-1 to the lower surface side lifetime control region 74-4 are formed from each of the transistor portions 70 adjacent on both sides of the diode portion 80 in the Y-axis direction.
  • the diode unit 80 is provided.
  • the distance D is between the end Klb4 of the lower surface side lifetime control area 74-4 on the Y axis positive side and the end Krb4 of the lower surface side lifetime control area 74-4 on the Y axis negative side in the Y axis direction. Distance.
  • the ratio of the distance D to the width WF of the diode unit 80 may be 95% or more and 99% or less.
  • the upper surface side lifetime control region 72 is provided from the transistor unit 70 on the Y-axis positive side to the transistor unit 70 on the Y-axis negative side via the diode unit 80.
  • the length Ls is a length between the end Kls and the end Krs.
  • the length Ls may be larger than the thickness T of the semiconductor substrate 10. By making the length Ls larger than the thickness T, holes generated in the drift region 18 are likely to recombine with electrons. Therefore, the semiconductor device 100 of this example can suppress the switching loss of the transistor unit 70.
  • FIG. 15 is a view showing another example of the gg ′ cross section in FIG.
  • the semiconductor device 100 of this example is the semiconductor of FIG. 14 in that the lower surface side lifetime control region 74-1 to the lower surface side lifetime control region 74-4 are provided in the entire diode section 80 in the Y-axis direction. It differs from the device 100.
  • the lower surface side lifetime control region 74-1 to the lower surface side lifetime control region 74-4 may be provided in the entire Y-axis direction of the diode section 80.
  • FIG. 16 is a view showing another example of the gg ′ cross section in FIG.
  • the lifetime killer concentration of the lower surface side lifetime control region 74-1 to the lower surface side lifetime control region 74-4 at the boundary between the transistor portion 70 and the diode portion 80 is the lower surface other than the boundary.
  • This embodiment differs from the semiconductor device 100 of FIG. 15 in that it is higher than the lifetime killer concentration of the side lifetime control area 74-1 to the lower surface side lifetime control area 74-4.
  • the boundary between the transistor portion 70 and the diode portion 80 is indicated by a region U and a region U '.
  • the lifetime killer density of the lower surface side lifetime control region 74-1 to the lower surface side lifetime control region 74-4 in the region U and the region U ′ is higher than that in the regions U and U ′. Therefore, in the semiconductor device 100 of the present example, injection of holes from the emitter region 12 of the transistor unit 70 to the cathode region 82 of the diode unit 80 during operation of the diode unit 80 is higher than that of the semiconductor device 100 of FIG. It can suppress more. Therefore, the semiconductor device 100 of this example can further improve the reverse recovery characteristic of the diode unit 80. It should be noted that there is a region where the lower surface side lifetime control region 74-1 to the lower surface side lifetime control region 74-4 are not partially provided in regions other than the region U and the region U ′ in the Y axis direction. May be
  • FIG. 17 is a view showing an example of lifetime killer concentration distribution in the Y-axis direction of the lower surface side lifetime control region 74-4 along the line hh ′ in FIG. 15 and the line jj ′ in FIG. is there.
  • the lifetime killer concentration of the lower surface side lifetime control region 74-4 in the jj 'cross section is locally high in the region U and the region U'.
  • the lifetime killer concentration of the lower surface side lifetime control region 74-4 in the jj ′ cross section is the lifetime killer concentration of the lower surface side lifetime control region 74-4 in the hh ′ cross section It may be 2 to 5 times higher.
  • the lifetime killer concentration of the lower surface side lifetime control region 74 is locally high in the regions U and U ′. Therefore, compared with the example of FIG. 15, the semiconductor device 100 of this example can further suppress the injection of holes from the emitter region 12 of the transistor unit 70 to the diode unit 80 when the diode unit 80 operates. Therefore, the semiconductor device 100 of this example can further improve the reverse recovery characteristic of the diode unit 80 as compared with the example of FIG.
  • the lifetime killer concentrations of the lower surface side lifetime control region 74-1 in the region U and the region U ′ may be different from each other. Further, the lifetime killer concentration of any of the lower surface side lifetime control region 74-1 to the lower surface side lifetime control region 74-4 may be locally high in the regions U and U '.
  • FIG. 18 is a view partially showing an example of the upper surface of another semiconductor device 200 according to this embodiment.
  • the semiconductor device 200 shown in FIG. 18 differs from the semiconductor device 100 shown in FIG. 1 in that the floating region 17 of the second conductivity type is provided below the upper surface 21 of the diode section 80.
  • Floating region 17 is, for example, of P + type.
  • the floating region 17 may be provided at a predetermined distance on the X axis positive side from the end on the X axis negative side of the cathode region 82 in a top view of the semiconductor substrate 10 as shown in FIG.
  • the floating region 17 may be provided at a predetermined distance on the Y axis negative side from the end on the Y axis positive side of the cathode region 82 in a top view of the semiconductor substrate 10.
  • a plurality of floating regions 17 may be provided in the Y-axis direction in a top view of the semiconductor substrate 10. Although one floating region 17 is illustrated in the X-axis direction in FIG. 18, the region from the region adjacent to the X-axis negative side end of the cathode region 82 to the region adjacent to the X-axis positive side end Plural, in the X-axis direction may be provided. The floating region 17 may be provided inside the cathode region 82 in top view.
  • FIG. 19 is an enlarged view of a region G in FIG.
  • the width Wfl1 is the width in the Y-axis direction of the floating region 17, and the width Wfl2 is the width in the X-axis direction of the floating region 17.
  • the width Wff1 is a distance between the floating region 17 and another floating region 17 adjacent to the floating region in the Y-axis direction.
  • the width Wm is a mesa width of the diode mesa portion 64.
  • a plurality of other floating regions 17 may be provided adjacent to the floating region 17 on the X-axis positive side of the floating region 17 shown in FIG. 19 at predetermined intervals.
  • the width Wfl1 may be smaller than the width Wm.
  • the width Wfl2 may be smaller than the width Wm.
  • the width Wff1 may be smaller than the width Wfl1.
  • the width Wff1 may be smaller than the width Wfl2.
  • FIG. 20 is a view showing an example of a qq 'cross section in FIG.
  • the floating region 17 is provided on the lower surface 23 side in the diode section 80.
  • the floating region 17 may be provided above the buffer region 20.
  • the floating region 17 may be provided in contact with the buffer region 20.
  • Floating region 17 is a region in an electrically floating state.
  • the electrically floating state indicates a state in which the collector electrode 24 and the emitter electrode 52 are not electrically connected.
  • a plurality of floating regions 17 may be provided in the Y-axis direction. Further, a plurality of floating regions 17 may be provided on the X axis positive side of floating region 17 shown in FIG. In the Z-axis direction, floating region 17 may be provided closer to lower surface 23 than lower surface side lifetime control region 74. At least a portion of the floating region 17 may overlap with the lower surface side lifetime control region 74 provided in a portion of the diode section 80 in top view.
  • FIG. 20 shows an example in which the floating area 17 provided on the most positive side in the Y-axis direction overlaps the lower surface side lifetime control area 74 in top view, but at least a part of the floating area 17 is viewed from above And may overlap the lower surface side lifetime control area 74.
  • the at least one floating region 17 may not overlap with the lower surface side lifetime control region 74 in the Y-axis direction.
  • FIG. 20 shows an example in which the floating area 17 excluding the floating area 17 provided on the most positive side in the Y-axis direction does not overlap the lower surface side lifetime control area 74 in the Y-axis direction.
  • the distance Ds is a distance from the upper surface 21 of the upper surface side lifetime control area 72 in the Z-axis direction.
  • the distance Db is a distance from the lower surface 23 of the lower surface side lifetime control area 74 in the Z-axis direction. Both of the distance Ds and the distance Db may be smaller than half of the thickness T of the semiconductor substrate 10.
  • the distance Db may be smaller than the distance Ds.
  • the distance Ds may be 10 ⁇ m to 30 ⁇ m.
  • the distance Ds is 17 ⁇ m as an example.
  • the distance Db may be 5 ⁇ m or more and 20 ⁇ m or less.
  • the distance Db is, for example, 10 ⁇ m.
  • FIG. 21 is a view showing the qq 'cross section shown in FIG. 20 including the transistor section 70 adjacent on the Y axis negative side of the diode section 80.
  • a plurality of floating regions 17 are provided in the diode unit 80 at intervals Wff1 in the Y-axis direction.
  • the floating region 17 provided on the most positive side in the Y-axis direction may be provided adjacent to the boundary between the diode unit 80 and the transistor unit 70 adjacent on the Y-axis positive side.
  • the floating region 17 provided on the most negative side in the Y-axis direction may be provided adjacent to the boundary between the diode unit 80 and the adjacent transistor unit 70 on the Y-axis negative side.
  • the semiconductor device 200 of this example since the floating region 17 is provided in the diode unit 80, injection of electrons from the cathode region 82 can be suppressed. Therefore, the semiconductor device 200 of this example can suppress the surge voltage of the diode unit 80.
  • the sum of the widths Wfl1 of the floating regions 17 from the floating region 17 provided on the most positive side in the Y-axis direction to the floating region 17 provided on the most negative side is greater than the width WF in the Y-axis direction of the diode section 80 It may be small. That is, the floating region 17 may cover a portion of the cathode region 82 above the cathode region 82. In other words, a part of the cathode region 82 in the Y-axis direction may not be covered by the floating region 17. In this example, in the semiconductor device 200, a part of the cathode region 82 in the Y-axis direction is not covered by the floating region 17, so that the diode unit 80 can perform diode operation.
  • the sum of the widths Wfl1 of the floating regions 17 from the floating region 17 provided on the most positive side in the Y-axis direction to the floating region 17 provided on the most negative side is 65 of the width WF of the diode section 80 in the Y-axis direction. % Or more and 95% or less. More preferably, the sum may be 75% or more and 85% or less of the width WF. In the semiconductor device 200 of this example, since the sum is 65% or more and 95% or less of the width WF, the diode portion 80 can perform diode operation while suppressing the surge voltage of the diode portion 80.
  • the distance D is the distance from the end on the Y-axis negative side of the bottom-side lifetime control area 74 on the Y-axis positive side to the end on the Y-axis positive side of the bottom-side lifetime control area 74 on the Y-axis negative side. is there. That is, the distance D is the width in the Y-axis direction of the area where the lower surface side lifetime control area 74 is not provided in the diode section 80.
  • the distance D may be larger than the sum of the widths Wfl1 of the floating regions 17 from the floating region 17 provided on the most positive side in the Y-axis direction to the floating region 17 provided on the most negative side.
  • the distance D may be 95% or more and 99% or less of the width WF of the diode unit 80 in the Y-axis direction. More preferably, the distance D may be 96% or more and 98% or less of the width WF. That is, the area where the lower surface side lifetime control area 74 is provided may be 1% to 5%, and more preferably 2% to 4%, of the width WF in the Y-axis direction. In the semiconductor device 200 of this example, since the floating region 17 is provided in the diode unit 80, carrier distribution in the depth direction of the semiconductor substrate 10 can be adjusted in the diode unit 80.
  • the semiconductor device 200 of the present example since the lower surface side lifetime control region 74 is provided in the transistor portion 70, the holes of the minority carriers generated in the drift region 18 offset the electrons of the majority carrier with a short lifetime. It will be easier. Therefore, the semiconductor device 200 of this example can improve the leak current characteristics of the transistor unit 70. Further, in the semiconductor device 200 of this example, the trade-off between the on-state voltage and the turn-off loss of the transistor unit 70 can be made favorable.
  • FIG. 22 is a view showing an example of the upper surface of the semiconductor chip 120 according to the present embodiment.
  • the transistor units 70 and the diode units 80 are periodically and alternately arranged in the XY plane.
  • FIG. 22 shows an example in which three transistor portions 70 are provided in the X-axis direction and seven in the Y-axis direction, and three diode portions 80 are provided in the X-axis direction and six in the Y-axis direction.
  • the dividing unit 46 may be provided.
  • the dividing unit 46 may be provided with a gate runner 48 that supplies a gate voltage to the transistor unit 70.
  • the width WI is the width in the Y-axis direction of the transistor portion 70.
  • the width WF is the width in the Y-axis direction of the diode section 80.
  • the width Wh is a width from the end of the well region 11 on the X-axis positive side to the end of the well region 11 on the X-axis negative side, as described later.
  • the width is equal to the width of the portion where the base region 14 is provided on the upper surface 21 side of the semiconductor substrate 10 and the well region 11 is not provided.
  • the contact region 15 and the emitter region 12 are provided in the region indicated by the width Wh so as to be exposed to the upper surface 21.
  • the contact region 15 and the base region 14 are provided in the region indicated by the width Wh so as to be exposed to the upper surface 21.
  • the transistor units 70 may be disposed at both ends on the outer circumferential side in the arrangement direction of the transistor unit 70 and the diode unit 80 (Y-axis direction).
  • the transistor portion 70 may face the edge termination portion.
  • An upper surface side lifetime control region 72 and a lower surface side lifetime control region 74 are provided in the semiconductor chip 120 of this example.
  • the range in which the upper surface side lifetime control area 72 and the lower surface side lifetime control area 74 are provided in the upper surface view is indicated by hatched portions.
  • the upper surface side lifetime control region 72 and the lower surface side lifetime control region 74 are continuously provided in the X-axis direction across the dividing portion 46 from the edge terminal end on the X-axis positive side to the edge terminal end on the X-axis negative side. It may be done.
  • the upper surface side lifetime control region 72 is the Y axis of the transistor portion 70 adjacent on the Y axis negative side of the diode portion 80 from a part of the transistor portion 70 adjacent on the Y axis positive side of the diode portion 80 in the Y axis direction. It may be provided continuously in the Y-axis direction up to a part in the direction. That is, the upper surface side lifetime control region 72 is a transistor adjacent on the Y axis negative side from the transistor portion 70 adjacent on the Y axis positive side of the diode portion 80 so as to cover the entire diode portion 80 in the Y axis direction. It may be provided continuously to the part 70 in the Y-axis direction. The upper surface side lifetime control region 72 may not be provided at the central portion of the transistor unit 70 in the Y-axis direction.
  • the lower surface side lifetime control region 74 may be provided continuously in the Y-axis direction from the region adjacent to the diode unit 80 in the transistor unit 70 to the region adjacent to the transistor unit 70 in the diode unit 80. . That is, the lower surface side lifetime control region 74 may be provided continuously in the Y-axis direction from the transistor unit 70 to the diode unit 80 across the boundary between the transistor unit 70 and the diode unit 80.
  • the lower surface side lifetime killer may not be provided at the central portion of the diode unit 80 in the Y-axis direction.
  • the lower surface side lifetime control region 74 provided in the overlapping region may be another lower surface side lifetime control region 74.
  • FIG. 23 is an enlarged view of a region A1 in FIG.
  • FIG. 23 is a diagram showing the configuration of the cathode region 82 and the floating region 17 in the diode section 80. As shown in FIG. In FIG. 23, configurations other than the cathode region 82 and the floating region 17 such as the gate trench portion 40 and the dummy trench portion 30 provided in the diode portion 80 and the transistor portion 70 are omitted.
  • the semiconductor device 300 of this example in the diode section 80, ten floating regions 17 are provided in the X axis direction and two in the Y axis direction inside the cathode region 82 in the XY plane. Further, in the semiconductor device 300 of this example, the end portion S of the P + -type well region 11 is provided on the X axis positive side of the diode unit 80 and the transistor unit 70. Further, in the semiconductor device 300 of this example, the end S ′ of the P + -type well region 11 is provided on the X axis negative side of the diode unit 80 and the transistor unit 70. In the present example, the well region 11 is provided outside the region where the transistor section 70 and the diode section 80 are alternately arranged. In other words, in the present example, the well region 11 is not provided in the region inside the transistor portion 70 and the diode portion 80 rather than the end portion S.
  • a transistor unit 70 is provided adjacent to the diode unit 80 on both the Y-axis positive side and the Y-axis negative side of the diode unit 80.
  • the width WI of the transistor unit 70 in the Y-axis direction may be larger than the width WF of the diode unit 80 in the Y-axis direction.
  • the width WI may be at least twice and at most 5 times the width WF.
  • the width WI may be in the range of 1200 ⁇ m to 2000 ⁇ m.
  • the width WI is, for example, 1500 ⁇ m.
  • the width WF may be 400 ⁇ m or more and 600 ⁇ m or less.
  • the width WF is 500 ⁇ m as an example.
  • the width Wh from the end S of the well region 11 on the X axis positive side to the end S ′ of the well region 11 on the X axis negative side may be larger than the width WI.
  • the width Wh may be 1.5 times or more and 3 times or less the width WI.
  • the width Wh may be in the range of 3000 ⁇ m to 3600 ⁇ m.
  • the width Wh is, for example, 3100 ⁇ m.
  • the width Wh may be larger than the sum of the width WI and the width WF.
  • the semiconductor device 300 of this example suppresses the snapback phenomenon when the transistor portion 70 is turned on or when the diode portion 80 is turned on because the width Wh is larger than the sum of the width WI and the width WF. it can.
  • the snapback phenomenon is a phenomenon in which the voltage between the collector electrode 24 and the emitter electrode 52 sharply decreases with an increase in the current flowing between the collector electrode 24 and the emitter electrode 52.
  • the upper surface side lifetime control region 72 is a portion of the transistor portion 70 adjacent on the Y-axis positive side of the diode portion 80 in the Y-axis direction on the Y-axis negative side of the diode portion 80. It is provided continuously in the Y-axis direction up to a part of the adjacent transistor portions 70 in the Y-axis direction.
  • the upper surface side lifetime control region 72 is continuously provided in the X axis direction from the well region 11 provided on the X axis positive side of the transistor unit 70 and the diode unit 80 to the well region 11 provided on the X axis negative side. Good.
  • the area where the upper surface side lifetime control area is provided is indicated by the hatched portion.
  • the upper surface side lifetime control region 72 may not be provided in part of the transistor unit 70 in the Y-axis direction.
  • the length Ls is a length of the upper surface side lifetime control area 72 in the Y-axis direction.
  • the distance B is a distance from the boundary between the diode unit 80 and the transistor unit 70 adjacent on the Y-axis positive side to the end of the upper surface side lifetime control region 72 on the Y-axis positive side.
  • the distance B is the distance from the boundary between the diode unit 80 and the transistor unit 70 adjacent to the Y-axis negative side to the end of the upper surface side lifetime control region 72 on the Y-axis negative side.
  • the lower surface side lifetime control region 74 extends from the region adjacent to the diode unit 80 in the transistor unit 70 to the region adjacent to the transistor unit 70 in the diode unit 80 in the Y-axis direction. It is provided continuously to That is, in the present example, the lower surface side lifetime control region 74 is provided continuously in the Y-axis direction from the transistor unit 70 to the diode unit 80 across the boundary between the transistor unit 70 and the diode unit 80.
  • the length Lb is a length of the lower surface side lifetime control area 74 in the Y-axis direction.
  • the lower surface side lifetime killer is not provided at the central portion of the diode unit 80 in the Y-axis direction. Further, in the present embodiment, in the top view of the semiconductor substrate 10, the region overlapping the boundary between the diode unit 80 and the transistor unit 70 adjacent on the Y-axis positive side and the boundary between the transistor unit 70 adjacent on the Y-axis negative side.
  • the lower surface side lifetime control area 74 is provided in each of the overlapping areas.
  • the lower surface side lifetime control region 74 may be provided to overlap a part of the floating region 17 in the Y-axis direction on the boundary side between the transistor unit 70 and the diode unit 80 in a top view.
  • the distance C is a distance from the boundary between the transistor unit 70 adjacent on the Y-axis positive side of the diode unit 80 and the end on the Y-axis negative side of the lower surface side lifetime control region 74. Further, the distance C is a distance from the boundary between the transistor unit 70 adjacent on the Y-axis negative side of the diode unit 80 and the end on the Y-axis positive side of the lower surface side lifetime control region 74.
  • Distance D is the Y-axis direction from the end on the Y-axis negative side of the bottom-side lifetime control area 74 on the Y-axis positive side to the end on the Y-axis positive side of the bottom-side lifetime control area 74 on the Y-axis negative side Is the distance at The distance A is a distance in the Y-axis direction from the end on the Y-axis positive side of the bottom-side lifetime control area 74 on the Y-axis positive side to the end on the Y-axis positive side of the top-surface lifetime control area 72.
  • the distance A may be smaller than the distance B. That is, in the transistor unit 70, the lower surface side lifetime control region 74 may be disposed closer to the diode portion 80 than the upper surface side lifetime control region 72.
  • the semiconductor device 300 of this example since the distance A is smaller than the distance B, injection of holes from the emitter region 12 of the transistor unit 70 to the cathode region 82 of the diode unit 80 can be suppressed when the diode unit 80 operates. Therefore, the semiconductor device 300 of this example can improve the reverse recovery characteristic of the diode unit 80.
  • the distance A may be 0.25 times or more and 0.5 times or less the distance B.
  • the distance A may be 50 ⁇ m to 100 ⁇ m.
  • the length Lb may be longer than the distance C. That is, the lower surface side lifetime control region 74 provided on the transistor portion 70 side from the boundary is lower than the lower surface side lifetime control region 74 provided on the diode portion 80 side from the boundary between the transistor portion 70 and the diode portion 80 , Y axis direction may be long.
  • the semiconductor device 300 of this example since the length Lb is longer than the distance C, the injection of holes from the emitter region 12 of the transistor unit 70 to the cathode region 82 of the diode unit 80 can be suppressed when the diode unit 80 operates. . Therefore, the semiconductor device 300 of this example can improve the reverse recovery characteristic of the diode unit 80.
  • FIG. 24 is an enlarged view of a region B1 in FIG.
  • FIG. 24 is an enlarged view from the end S of the well region 11 on the X axis positive side of the diode section 80 in FIG. 23 to the end S ′ of the well region 11 on the X axis negative side.
  • ten floating regions 17 are provided in the X axis direction and two in the Y axis direction inside the cathode region 82 in the XY plane.
  • the width Wwc is the width in the X-axis direction from the end S of the well region 11 on the X-axis positive side to the end of the cathode region 82 on the X-axis positive side.
  • the width Wwc is the width in the X-axis direction from the end S ′ of the well region 11 on the X-axis negative side to the end of the cathode region 82 on the X-axis negative side.
  • the width Wwc may be smaller than the width WF of the diode unit 80.
  • the width Wwc may be not less than 0.25 times and not more than 0.75 times the width WF.
  • the width Wwc may be 150 ⁇ m or more and 300 ⁇ m or less.
  • the width Wwc is, for example, 250 ⁇ m.
  • a plurality of contact holes 54 are provided side by side in the Y-axis direction. Although one contact hole 54 is shown in FIG. 24, in fact, as apparent from the top views shown in FIGS. 1 and 18, the position in the X-axis direction is the end of the contact hole 54.
  • a plurality of contact holes 54 equal to the position of T and equal to the position of the end T ′ of the contact hole 54 are provided in the Y-axis direction.
  • the width Wwca is a width in the X-axis direction between the end S on the X-axis positive side of the well region 11 and the end T on the X-axis positive side of the contact hole 54.
  • the width Wwca is the width in the X-axis direction between the end S ′ on the X-axis negative side of the well region 11 and the end T ′ on the X-axis negative side of the contact hole 54.
  • the end T on the X-axis positive side of the contact hole 54 is provided away from the end S on the X-axis positive side of the well region 11 by a width Wwca on the X-axis negative side.
  • the end T ′ on the X axis negative side of the contact hole 54 is provided away from the end S ′ on the X axis negative side of the well region 11 by a width Wwca on the X axis positive side.
  • the contact hole 54 may be provided continuously in the X-axis direction from the end T to the end T ′.
  • the width Wwcb is a width in the X-axis direction between the end T of the contact hole 54 and the end of the cathode region 82 on the X-axis positive side.
  • the width Wwcb is the width in the X-axis direction between the end T ′ of the contact hole 54 and the end of the cathode region 82 on the X-axis negative side.
  • the width Wwca may be smaller than the width Wwcb.
  • the width Wwca may be not less than 0.1 times and not more than 0.9 times the width Wwcb.
  • the width Wwca may be not less than 20 ⁇ m and not more than 110 ⁇ m.
  • the width Wwcb may be 120 ⁇ m or more and 180 ⁇ m or less.
  • the width Wwca is, for example, 100 ⁇ m.
  • the width Wwcb is, for example, 150 ⁇ m.
  • the sum of the width Wwca and the width Wwcb is the width Wwc.
  • a floating region 17 is provided inside of the cathode region 82 in the XY plane. Floating region 17 is not electrically connected to any of collector electrode 24 and emitter electrode 52.
  • the floating regions 17 are provided in a lattice shape in the XY plane.
  • the lattice shape refers to a state in which the floating regions 17 are periodically arranged in both the X-axis direction and the Y-axis direction.
  • two floating regions 17 are provided in the Y-axis direction, and ten floating regions 17 are provided in the X-axis direction.
  • the opening region 85 is a region between two floating regions 17 provided adjacent to each other in the X-axis direction in the X-axis direction. Further, the opening area 85 is an area between two floating areas 17 provided adjacent to each other in the Y-axis direction in the Y-axis direction. In the present example, ten floating regions 17 are provided across the opening region 85 from the X-axis negative side of the cathode region 82 to the X-axis positive side.
  • the width Wff2 is the width in the X-axis direction of the opening region 85.
  • the width Wff2 is smaller than the width Wfl2 of the floating region 17 in the X-axis direction.
  • the width Wff2 may be smaller than the width WF of the diode unit 80.
  • the width Wff2 may be not less than 0.01 times and not more than 0.05 times the width WF.
  • the width Wff2 may be 6 ⁇ m or more and 20 ⁇ m or less.
  • the width Wff2 is 10 ⁇ m as an example.
  • the width Wfl2 of the floating region 17 in the X-axis direction may be smaller than the width WF of the diode section 80.
  • the width Wfl2 may be not less than 0.25 times and not more than 0.75 times the width WF.
  • the width Wfl2 may be 150 ⁇ m or more and 300 ⁇ m or less.
  • the width Wfl2 is 240 ⁇ m as an example.
  • the width Wfl1 of the floating region 17 in the Y-axis direction may be smaller than the width WF of the diode section 80.
  • the width Wfl1 may be not less than 0.25 times and not more than 0.75 times the width WF.
  • the width Wfl1 may be 150 ⁇ m or more and 300 ⁇ m or less.
  • the width Wfl1 may be equal to or different from the width Wfl2.
  • the width Wfl1 is 240 ⁇ m as an example.
  • the width Wcf2 is a width in the X-axis direction between the X-axis positive end of the cathode region 82 and the X-axis positive end of the floating region 17 disposed on the most positive side in the X-axis direction.
  • the width Wcf2 may be smaller than the width Wff2.
  • the width Wcf2 may be not less than 0.1 times and not more than 0.9 times the width Wff2.
  • the width Wcf2 may not be zero.
  • the width Wcf2 may be 2 ⁇ m or more and 6 ⁇ m or less.
  • the width Wcf2 is 5 ⁇ m as an example.
  • the width in the X-axis direction between the X-axis negative side end of the cathode region 82 and the X-axis negative side end of the floating region 17 disposed on the most negative side in the X-axis direction is also equal to the width Wcf2.
  • the width Wff1 is the width in the Y-axis direction of the opening region 85.
  • the width Wff1 may be smaller than the width Wfl1.
  • the width Wff1 may be smaller than the width WF of the diode unit 80.
  • the width Wff1 may be not less than 0.01 times and not more than 0.05 times the width WF of the diode section 80.
  • the width Wff1 may be 6 ⁇ m or more and 20 ⁇ m or less.
  • the width Wff1 may be equal to or different from the width Wff2.
  • the width Wff1 is 10 ⁇ m as an example.
  • the total area of the plurality of floating regions 17 disposed inside the cathode region 82 in the XY plane may be smaller than the area of the cathode region 82 in the XY plane.
  • the total area of the plurality of floating regions 17 in the XY plane may be 50% or more and 99% or less of the area of the cathode region 82 in the XY plane.
  • Wh is 3100 ⁇ m
  • Wwc is 250 ⁇ m
  • Wfl2 and Wfl1 are 240 ⁇ m
  • Wcf2 and Wcf1 are 5 ⁇ m
  • Wff2 and Wff1 are 10 ⁇ m
  • the plurality of floating regions 17 occupy the area of cathode region 82 in the XY plane.
  • the total area is 88.6%. That is, a part of the cathode region 82 may not be covered by the floating region 17. In the semiconductor device 300 of this example, since the cathode region 82 is not partially covered by the floating region 17, the diode unit 80 can perform diode operation.
  • the width Wcf1 is a width from the end on the Y-axis positive side of the cathode region 82 to the end on the Y-axis positive side of the floating region 17 on the Y-axis positive side.
  • the width Wcf1 is the width from the end on the Y axis negative side of the cathode region 82 to the end on the Y axis negative side of the floating region 17 on the Y axis negative side.
  • the width Wcf1 may be smaller than the width WF of the diode unit 80.
  • the width Wcf1 may be not less than 0.01 times and not more than 0.05 times the width WF.
  • the width Wcf1 may not be zero. Further, the width Wcf1 may be equal to or different from the width Wcf2.
  • the width Wcf1 may be 2 ⁇ m or more and 6 ⁇ m or less.
  • the width Wcf1 is 5 ⁇ m as an example.
  • the width Wcnt is a width in the arrangement direction (Y-axis direction) of the contact holes 54.
  • the width Wcnt may be smaller than Wff2.
  • the width Wcnt may be smaller than Wff1.
  • the width Wcnt may be smaller than Wcf2.
  • the width Wcnt may be smaller than Wcf1.
  • the width Wcnt may be 0.3 ⁇ m or more and 0.7 ⁇ m or less.
  • the width Wcnt is 0.5 ⁇ m as an example.
  • the upper surface side lifetime control region 72 is provided on the entire surface of the region B1 in top view.
  • the lower surface side lifetime control area 74 is continuously provided from the X axis positive side of the area B in the X axis direction to the negative side.
  • the lower surface side lifetime control region 74 includes a region overlapping the boundary between the diode unit 80 and the transistor unit 70 adjacent to the diode unit 80 on the Y-axis positive side and the transistor unit 70 adjacent on the Y-axis negative side. It is provided in the area
  • the lower surface side lifetime control region 74 is not provided at the central portion of the diode portion 80 in the Y-axis direction.
  • the distance C is a distance from the boundary between the transistor unit 70 adjacent on the Y-axis positive side of the diode unit 80 and the end on the Y-axis negative side of the lower surface side lifetime control region 74. Further, the distance C is a distance from the boundary between the transistor unit 70 adjacent on the Y-axis negative side of the diode unit 80 and the end on the Y-axis positive side of the lower surface side lifetime control region 74.
  • Distance D is the Y-axis direction from the end on the Y-axis negative side of the bottom-side lifetime control area 74 on the Y-axis positive side to the end on the Y-axis positive side of the bottom-side lifetime control area 74 on the Y-axis negative side Is the distance at That is, the distance D is the width of the area where the lower surface side lifetime control area 74 is not provided in the Y-axis direction.
  • FIG. 25 is an enlarged view of a region B2 in FIG.
  • the width Wcf2 is a width in the X-axis direction between an end on the X-axis positive side of the cathode region 82 and an end on the X-axis positive side of the floating region 17 disposed on the most positive side in the X-axis direction. It is.
  • the width Wcf1 is the width in the Y-axis direction between the end on the Y-axis positive side of the cathode region 82 and the end on the Y-axis positive side of the floating region 17 on the Y-axis positive side.
  • the width Wcf1 is 5 ⁇ m as an example.
  • the width Wff2 is the width in the X-axis direction of the opening region 85.
  • the width Wfl2 is the width of the floating region 17 in the X-axis direction.
  • the width Wcf2 may be smaller than the width Wfl2.
  • injection of electrons from the cathode region 82 can be suppressed at the end of the diode section 80.
  • the distance C is a distance in the Y-axis direction between the boundary between the diode unit 80 and the transistor unit 70 adjacent on the Y-axis positive side and the end of the lower surface side lifetime control region 74 on the Y-axis negative side.
  • FIG. 26 is a view showing an example of the h-h 'cross section in FIG.
  • the high-concentration region 19 of the first conductivity type may be provided below the base region 14 provided on the upper surface 21.
  • the high concentration region 19 of this example is, for example, an N + -type.
  • the high concentration region 19 may not be provided in the diode unit 80.
  • a plurality of high concentration regions 19 may be provided in the Z-axis direction.
  • two high concentration regions 19 are provided, ie, a high concentration region 19-1 and a high concentration region 19-2.
  • An N-type region is provided between the high concentration region 19-1 and the high concentration region 19-2 in the Z-axis direction.
  • the doping concentration in the N-type region may be lower than the high concentration region 19-1 and the high concentration region 19-2.
  • the doping concentration in the N-type region may be equal to the doping concentration of the drift region 18 or higher than the doping concentration of the drift region 18.
  • the concentration of holes decreases due to the charge neutral condition, as compared with the drift region 18. That is, the high concentration region 19 suppresses the injection of holes from the base region 14 to the drift region 18. Therefore, the semiconductor device 300 of this example can significantly reduce the injection efficiency of minority carriers from the base region 14 to the drift region 18.
  • the minority carrier injection efficiency is reduced as the number of high concentration regions 19 increases. Therefore, as the number of high concentration regions 19 increases, the reverse recovery characteristics of the diode unit 80, particularly the recovery current, is significantly reduced.
  • the floating region 17 is provided in the buffer region 20 provided above the cathode region 82 in the diode unit 80.
  • two floating regions 17 are provided in the Y-axis direction in the h-h 'cross section.
  • boundary position P1 is a boundary position on the Y axis positive side.
  • boundary position P1 ′ is a boundary position on the Y axis negative side.
  • Boundary positions P1 and P1 ′ are boundary positions in a cross section parallel to the h ⁇ h ′ cross section.
  • the hh ′ cross section is a plane perpendicular to the lower surface 23 and parallel to the arrangement direction of the dummy trench portions 30.
  • the end position P2 is a position in the Y-axis direction of the end closest to the boundary position P1 of the floating region 17 disposed on the Y-axis positive side. Further, the end position P2 'is a position in the Y axis direction of the end closest to the boundary position P1' of the floating region 17 disposed on the Y axis negative side.
  • a plurality of floating regions 17 may be provided in the Y-axis direction from the end position P2 to the end position P2 ′. In this example, two floating regions 17 are provided in the Y-axis direction from the end position P2 to the end position P2 ′.
  • the opening region 85 in which the floating region 17 is not provided is present at the depth position substantially the same as the floating region 17 in the Z-axis direction.
  • the open area 85 may refer to an area sandwiched by the floating area 17 in the Y-axis direction.
  • the open area 85 is an N + -type area.
  • the doping concentration of the opening region 85 may be substantially the same as the doping concentration of the drift region 18 or the buffer region 20.
  • the open area 85 may be the drift area 18 or the buffer area 20 remaining without forming the floating area 17.
  • the width Wcf1 is a width from the end position P1 to the end position P2.
  • the width Wcf1 is a width from the end position P1 ′ to the end position P2 ′.
  • the width Wff1 is an interval between two floating regions 17 adjacent to each other across the opening region 85 in the Y-axis direction.
  • the width Wcf1 may be smaller than the width Wff1.
  • the width Wcf1 may be half or less of the width Wff1 or may be 1/4 or less.
  • the width Wcf1 may not be zero. In the semiconductor device 300 of this example, since the width Wcf1 is small, the injection of electrons from the cathode region 82 can be suppressed at the end of the diode unit 80.
  • the width Wd is the width in the Z-axis direction of the floating region 17.
  • the width Wd may be smaller than the width Wcf1.
  • the width Wd may be not less than 0.05 times and not more than 0.5 times the width Wcf1.
  • the width Wd may be 0.3 ⁇ m or more and 1 ⁇ m or less.
  • the width Wd is 0.5 ⁇ m as an example.
  • the upper surface side lifetime control region 72 is provided on the upper surface 21 side. Further, the lower surface side lifetime control area 74 is provided on the lower surface 23 side.
  • the peak of the lifetime killer concentration of the upper surface side lifetime control area 72 is provided at the position of the distance Ds from the upper surface 21 to the Z axis negative side.
  • the peak of the lifetime killer concentration of the lower surface side lifetime control region 74 is provided at the position of the distance Db on the Z axis positive side from the lower surface 23.
  • Both of the distance Ds and the distance Db may be smaller than half of the thickness T of the semiconductor substrate 10.
  • the distance Db may be smaller than the distance Ds.
  • the distance Ds may be 10 ⁇ m to 30 ⁇ m.
  • the distance Ds is 17 ⁇ m as an example.
  • the distance Db may be 5 ⁇ m or more and 20 ⁇ m or less.
  • the distance Db is, for example, 10 ⁇ m.
  • the upper surface side lifetime control region 72 is provided entirely in the Y-axis direction in the h-h 'cross section. That is, in the present embodiment, the upper surface side lifetime control region 72 passes the diode portion 80 from the transistor portion 70 adjacent to the Y axis positive side of the diode portion 80 to the transistor portion 70 adjacent to the Y axis positive side. It is provided continuously in the axial direction.
  • the distance C is a distance in the Y-axis direction from the boundary between the transistor section 70 adjacent on the Y-axis positive side of the diode section 80 and the end on the Y-axis negative side of the lower surface side lifetime control region 74. Further, the distance C is a distance in the Y-axis direction from the boundary between the transistor unit 70 adjacent on the Y-axis negative side of the diode unit 80 and the end on the Y-axis positive side of the lower surface side lifetime control region 74.
  • the distance D is the Y axis between the end on the Y axis negative side of the bottom side lifetime control area 74 on the Y axis positive side and the end on the Y axis positive side of the bottom side lifetime control area 74 on the Y axis negative side. It is the distance in the direction. That is, the distance D is the width of the area where the lower surface side lifetime control area 74 is not provided in the Y-axis direction.
  • the distance D may be 95% or more and 99% or less of the width WF. More preferably, the distance D may be 98% of the width WF. That is, the area where the lower surface side lifetime control area 74 is provided may be 1% to 5%, and more preferably 2% to 4%, of the width WF in the Y-axis direction. In the semiconductor device 300 of this example, since the floating region 17 is provided in the diode unit 80, carrier distribution in the depth direction of the semiconductor substrate 10 can be adjusted in the diode unit 80.
  • the semiconductor device 300 of this example since the lower surface side lifetime control region 74 is provided in the transistor unit 70, the holes of the minority carriers generated in the drift region 18 offset the electrons of the majority carrier with a short lifetime. It will be easier. Therefore, the semiconductor device 300 of this example can improve the leakage current characteristics of the transistor unit 70. Further, in the semiconductor device 300 of this example, the trade-off between the on voltage and the turn off loss of the transistor unit 70 can be made favorable.
  • FIG. 27 is a view showing an example of a cross section taken along the line jj 'of FIG.
  • the jj 'cross section is an XZ plane passing through the J' '-J' '' line in FIG.
  • the floating region 17 is provided in the buffer region 20 provided above the cathode region 82 in the diode unit 80.
  • the upper surface side lifetime control region 72 is provided on the upper surface 21 side in the jj 'cross section. In the jj 'cross section, the lower surface side lifetime control area 74 is not provided on the lower surface 23 side.
  • the boundary position P5 is a position in the X-axis direction of the boundary on the X-axis negative side.
  • the boundary position P5 ' is the position in the X axis direction of the boundary on the positive side of the X axis.
  • the boundary positions P5 and P5 ' are boundary positions in a cross section parallel to the jj' cross section.
  • the jj ′ cross section is a plane perpendicular to the lower surface 23 and parallel to the extension direction of the dummy trench portion 30.
  • the end position P6 is a position in the X-axis direction of the end closest to the boundary position P5 of the floating region 17 disposed on the most negative side in the X-axis direction.
  • the end position P6 ′ is the position in the X axis direction of the end closest to the boundary position P5 ′ of the floating region 17 disposed on the most positive side in the X axis direction.
  • an open area 85 where the floating area 17 is not provided is present at substantially the same depth position as the floating area 17 in the Z-axis direction.
  • the open area 85 may refer to an area sandwiched by the floating area 17 in the X-axis direction.
  • the open area 85 is an N + -type area.
  • the doping concentration of the opening region 85 may be substantially the same as the doping concentration of the drift region 18 or the buffer region 20.
  • the open area 85 may be the drift area 18 or the buffer area 20 remaining without forming the floating area 17.
  • the width Wfl2 is the width of the floating region 17 in the X-axis direction.
  • the width Wcf2 is a width in the X-axis direction between the boundary position P5 and the end position P6.
  • the width Wcf2 is the width in the X-axis direction between the boundary position P5 'and the end position P6'.
  • the width Wff2 is the distance between two floating regions 17 adjacent to each other across the opening region 85 in the X-axis direction.
  • the width Wcf2 may be smaller than the width Wff2.
  • the floating region 17 is provided in a lattice shape in the XY plane in the diode unit 80, a surge voltage (overshoot voltage) at the time of reverse recovery of the diode unit 80 can be suppressed.
  • FIG. 28 is another enlarged view of the area A1 in FIG. Similar to the semiconductor device 300 shown in FIG. 23, in the semiconductor device 300 of this example, the transistor portion 70 is provided adjacent to the diode portion 80 on the Y axis positive side and the negative side of the diode portion 80.
  • the semiconductor device 300 of this example is different from the semiconductor device 300 shown in FIG. 23 in the arrangement of the floating region 17 in the diode unit 80.
  • the floating region 17 in the diode unit 80, is inside the cathode region 82 in the XY plane, from the Y axis positive side boundary side of the cathode region 82 indicated by the broken line portion. It is provided continuously to the boundary side.
  • the floating region 17 is continuously provided in the Y-axis direction in the X-axis direction at any position in the Y-axis direction from the boundary side on the Y-axis positive side of the cathode region 82 to the boundary side on the Y-axis negative side. , There is no area where the floating area 17 is not provided.
  • FIG. 29 is an enlarged view of a region C1 in FIG.
  • FIG. 29 is an enlarged view from the end S of the well region 11 on the X axis positive side of the diode section 80 in FIG. 28 to the end S ′ of the well region 11 on the X axis negative side.
  • floating regions 17 are provided in a stripe shape in the XY plane.
  • the stripe shape refers to a state in which a plurality of rectangular floating regions 17 are provided at predetermined intervals in the direction of the short side of the rectangle.
  • the floating region 17 in this example has a rectangular shape whose long side is in the Y-axis direction and whose short side is in the X-axis direction.
  • a plurality of floating regions 17 are provided in the X axis direction from the most negative side to the most positive side in the X axis direction of the cathode region 82.
  • the width Wff2 ' is a width in the X-axis direction between two floating regions 17 provided adjacent to each other in the X-axis direction.
  • the width Wff2 ' may be smaller than the width WF of the diode unit 80.
  • the width Wff2 ' may be not less than 0.01 times and not more than 0.05 times the width WF.
  • the width Wff2 ′ may be 6 ⁇ m or more and 20 ⁇ m or less.
  • the width Wff2 ' is 10 ⁇ m as an example.
  • the width Wfl2 ' is the width of the floating region 17 in the X-axis direction.
  • the width Wfl2 ' may be smaller than the width WF of the diode unit 80.
  • the width Wfl2 ' may be 0.04 times or more and 0.13 times or less the width WF.
  • the width Wfl2 ' may be 25 ⁇ m or more and 50 ⁇ m or less.
  • the width Wfl2 ' is 40 ⁇ m as an example.
  • the width Wfl1 ' is the width of the floating region 17 in the Y-axis direction.
  • the width Wfl1 ' may be smaller than the width WF of the diode unit 80.
  • the width Wfl1 ' may be 0.5 times or more and 0.99 times or less the width WF.
  • the width Wfl1 ′ may be 440 ⁇ m or more and 540 ⁇ m or less.
  • the width Wfl1 ' is, for example, 490 ⁇ m.
  • the width Wcf2 is a width in the X-axis direction between the end on the X-axis positive side of the cathode region 82 and the end on the X-axis positive side of the floating region 17 disposed on the most positive side in the X-axis direction.
  • the width Wcf2 is the width in the X-axis direction between the end on the X-axis negative side of the cathode region 82 and the end on the X-axis negative side of the floating region 17 disposed on the most negative side in the X-axis direction. .
  • the width Wcf2 may be smaller than the width Wff2 '.
  • the width Wcf2 may be not less than 0.1 times and not more than 0.9 times the width Wff2 '.
  • the width Wcf2 may not be zero.
  • the width Wcf2 may be 2 ⁇ m or more and 6 ⁇ m or less.
  • the width Wcf2 is 5 ⁇ m as an example.
  • the total area of the plurality of floating regions 17 disposed inside the cathode region 82 in the XY plane may be smaller than the area of the cathode region 82 in the XY plane.
  • the total area of the plurality of floating regions 17 in the XY plane may be 50% or more and 99% or less of the area of the cathode region 82 in the XY plane.
  • Wh is 3100 ⁇ m
  • Wwc is 250 ⁇ m
  • Wfl2 ′ is 40 ⁇ m
  • Wfl1 ′ is 490 ⁇ m
  • Wcf2 and Wcf1 are 5 ⁇ m
  • Wff2 ′ is 10 ⁇ m
  • the floating region 17 is inside the cathode region 82 in top view.
  • the diode unit 80 can perform diode operation.
  • the width Wcf1 in the Y-axis direction between the end on the Y-axis positive side of the cathode region 82 and the end on the Y-axis positive side of the floating region 17 may be smaller than the width WF of the diode section 80.
  • the width Wcf1 may be not less than 0.01 times and not more than 0.05 times the width WF. Further, the width Wcf1 may be equal to or different from the width Wcf2.
  • the width Wcf1 may not be zero.
  • the width Wcf1 may be 2 ⁇ m or more and 6 ⁇ m or less.
  • the width Wcf1 is 5 ⁇ m as an example.
  • the width from the Y-axis negative end of the cathode region 82 to the Y-axis negative end of the floating region 17 may be equal to the width Wcf1.
  • the upper surface side lifetime control region 72 is provided on the entire surface of the region B1 in top view.
  • the lower surface side lifetime control area 74 is continuously provided from the X axis positive side of the area B to the negative side in the X axis direction.
  • the lower surface side lifetime control region 74 includes a region overlapping the boundary between the diode unit 80 and the transistor unit 70 adjacent to the diode unit 80 on the Y-axis positive side and the transistor unit 70 adjacent on the Y-axis negative side. It is provided in the area
  • the lower surface side lifetime control region 74 is not provided at the central portion of the diode portion 80 in the Y-axis direction.
  • the distance C is a distance in the Y-axis direction from the boundary between the transistor section 70 adjacent on the Y-axis positive side of the diode section 80 and the end on the Y-axis negative side of the lower surface side lifetime control region 74. Further, the distance C is a distance in the Y-axis direction from the boundary between the transistor unit 70 adjacent on the Y-axis negative side of the diode unit 80 and the end on the Y-axis positive side of the lower surface side lifetime control region 74.
  • the distance D is Y between the end on the Y axis negative side of the bottom side lifetime control area 74 on the Y axis positive side and the end on the Y axis positive side of the bottom side lifetime control area 74 on the Y axis negative side. It is the distance in the axial direction. That is, the distance D is the width of the area where the lower surface side lifetime control area 74 is not provided in the Y-axis direction.
  • FIG. 30 is an enlarged view of a region C2 in FIG.
  • the width Wcf2 is a width in the X-axis direction between an end on the X-axis positive side of the cathode region 82 and an end on the X-axis positive side of the floating region 17 disposed on the most positive side in the X-axis direction. It is.
  • the width Wcf1 is a width in the Y-axis direction between the end on the Y-axis positive side of the cathode region 82 and the end on the Y-axis positive side of the floating region 17.
  • the width Wcf1 is 5 ⁇ m as an example.
  • the width Wff2 ' is the width in the X-axis direction of the opening region 85.
  • the width Wfl2 ' is the width of the floating region 17 in the X-axis direction.
  • the distance C is a distance in the Y axis direction from the boundary between the diode section 80 and the transistor section 70 adjacent on the Y axis positive side to the end of the lower surface side lifetime control area 74 on the Y axis negative side.
  • FIG. 31 is a view showing an example of the kk 'cross section in FIG.
  • the floating region 17 is provided in the buffer region 20 provided above the cathode region 82 in the diode unit 80.
  • the floating region 17 in this example is continuously provided from the Y axis positive side to the negative side in the kk ′ cross section.
  • the width Wcf1 is the distance between the end position P1 and the end position P2, as in the example of FIG. Further, the width Wcf1 is a distance between the end position P1 'and the end position P2'.
  • the width Wd of the floating region 17 in the Z-axis direction may be smaller than the width Wcf1.
  • the width Wcf1 may be 0.05 times or more and 0.5 times or less the width Wd.
  • the width Wd may be 0.3 ⁇ m or more and 1 ⁇ m or less.
  • the width Wd is 0.5 ⁇ m as an example.
  • the width Wcf1 may be smaller than the width Wfl1. In the semiconductor device 300 of this example, since the width Wcf1 is small, the injection of electrons from the cathode region 82 can be suppressed at the end of the diode unit 80.
  • the upper surface side lifetime control region 72 is provided on the upper surface 21 side. Further, the lower surface side lifetime control area 74 is provided on the lower surface 23 side.
  • the peak of the lifetime killer concentration of the upper surface side lifetime control area 72 is provided at the position of the distance Ds from the upper surface 21 on the Z axis negative side.
  • the peak of the lifetime killer concentration of the lower surface side lifetime control area 74 is provided at the position of the distance Db on the Z axis positive side from the lower surface 23.
  • the upper surface side lifetime control region 72 is provided on the entire Y-axis direction in the kk ′ cross section. That is, in the present embodiment, the upper surface side lifetime control region 72 passes the diode portion 80 from the transistor portion 70 adjacent to the Y axis positive side of the diode portion 80 to the transistor portion 70 adjacent to the Y axis positive side. It is provided continuously in the axial direction.
  • the distance C is a distance in the Y-axis direction from the boundary between the transistor section 70 adjacent on the Y-axis positive side of the diode section 80 and the end on the Y-axis negative side of the lower surface side lifetime control region 74. Further, the distance C is a distance in the Y-axis direction from the boundary between the transistor unit 70 adjacent on the Y-axis negative side of the diode unit 80 and the end on the Y-axis positive side of the lower surface side lifetime control region 74.
  • the distance D is the Y axis between the end on the Y axis negative side of the bottom side lifetime control area 74 on the Y axis positive side and the end on the Y axis positive side of the bottom side lifetime control area 74 on the Y axis negative side. It is the distance in the direction. That is, the distance D is the width of the area where the lower surface side lifetime control area 74 is not provided in the Y-axis direction.
  • the distance D may be 95% or more and 99% or less of the width WF of the diode unit 80. More preferably, the distance D may be 98% of the width WF. That is, in the present embodiment, the area where the lower surface side lifetime control area 74 is provided may be 1% or more and 5% or less of the width WF, and more preferably 2% in the Y-axis direction. In the semiconductor device 300 of this example, since the floating region 17 is provided in the diode unit 80, carrier distribution in the depth direction of the semiconductor substrate 10 can be adjusted in the diode unit 80.
  • the semiconductor device 300 of this example since the lower surface side lifetime control region 74 is provided in the transistor unit 70, the holes of the minority carriers generated in the drift region 18 offset the electrons of the majority carrier with a short lifetime. It will be easier. Therefore, the semiconductor device 300 of this example can improve the leakage current characteristics of the transistor unit 70. Further, in the semiconductor device 300 of this example, the trade-off between the on voltage and the turn off loss of the transistor unit 70 can be made favorable.
  • FIG. 32 is a view showing an example of the m-m 'cross section in FIG.
  • the m-m 'cross section is an XZ plane passing through the m' '-m' '' line in FIG.
  • the floating region 17 is provided in the buffer region 20 provided above the cathode region 82 in the diode unit 80.
  • the upper surface side lifetime control region 72 is provided on the upper surface 21 side in the m-m 'cross section.
  • the lower surface side lifetime control region 74 is not provided on the lower surface 23 side in the m-m 'cross section.
  • the mm ′ cross section is a plane which is perpendicular to the lower surface 23 of the semiconductor substrate 10 and parallel to the extending direction of the dummy trench portion 30. Also in this example, as in the example of FIG. 27, in the Z-axis direction, an open area 85 in which the floating area 17 is not provided is present at the same depth position as the floating area 17.
  • the width Wfl2 ' is the width of the floating region 17 in the X-axis direction.
  • the width Wcf2 is a distance in the X-axis direction between the boundary position P5 and the end position P6, as in the example of FIG. Further, the width Wcf2 is a distance in the X-axis direction between the boundary position P5 'and the end position P6'. Further, the width Wff2 'is an interval between the floating regions 17 adjacent to each other across the opening region 85 in the X-axis direction.
  • the width Wcf2 may be smaller than the width Wff2 '.
  • the semiconductor device 300 of this example in the diode unit 80, a plurality of floating regions 17 are provided across the opening region 85 from the end position P6 to the end position P6 ′. Further, in the semiconductor device 300 of this example, the floating regions 17 are provided in the form of stripes in the XY plane. Therefore, the semiconductor device 300 of this example can suppress the surge voltage at the time of reverse recovery of the diode unit 80.

Landscapes

  • Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)

Abstract

第１導電型のドリフト領域を有する半導体基板と、半導体基板に設けられたトランジスタ部と、半導体基板に設けられ、予め定められた配列方向に沿ってトランジスタ部と配列されたダイオード部と、を備え、トランジスタ部およびダイオード部の双方が、半導体基板の内部においてドリフト領域の上方に設けられた第２導電型のベース領域と、半導体基板の上面からベース領域を貫通し、半導体基板の上面において配列方向に垂直な延伸方向に延伸し、内部に導電部が設けられた複数のトレンチ部と、半導体基板の下面側に、トランジスタ部からダイオード部に渡って設けられ、ライフタイムキラーを含む下面側ライフタイム制御領域と、を有し、下面側ライフタイム制御領域は、配列方向においてトランジスタ部の一部分に設けられ、他の部分には設けられていない、半導体装置を提供する。

Description

半導体装置
　本発明は、半導体装置に関する。
　従来、絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ（ＩＧＢＴ）等の半導体装置が知られている（例えば、特許文献１および２参照）。
　特許文献１　特開２０１７－４１６０１号公報
　特許文献２　特開２０１２－４３８９１号公報
解決しようとする課題
　半導体装置においては、リーク電流等の特性を改善することが好ましい。
一般的開示
　本発明の一つの態様においては、第１導電型のドリフト領域を有する半導体基板と、半導体基板に設けられたトランジスタ部と、半導体基板に設けられ、予め定められた配列方向に沿って前記トランジスタ部と配列されたダイオード部と、を備える半導体装置を提供する。トランジスタ部およびダイオード部の双方は、半導体基板の内部においてドリフト領域の上方に設けられた第２導電型のベース領域を有してよい。トランジスタ部およびダイオード部の双方は、半導体基板の上面からベース領域を貫通し、半導体基板の上面において配列方向に垂直な延伸方向に延伸し、内部に導電部が設けられた複数のトレンチ部を有してよい。トランジスタ部およびダイオード部の双方は、半導体基板の下面側に、トランジスタ部からダイオード部に渡って設けられ、ライフタイムキラーを含む下面側ライフタイム制御領域を有してよい。下面側ライフタイム制御領域は、配列方向においてトランジスタ部の一部分に設けられ、他の部分には設けられなくてよい。
　下面側ライフタイム制御領域は、配列方向において、ダイオード部の一部分に設けられ、他の部分には設けられなくてよい。ダイオード部は、前記半導体基板の下面に露出して設けられた第１導電型のカソード領域と、半導体基板の下面側に設けられた、電気的にフローティングとなっている第２導電型のフローティング領域と、を有してよい。フローティング領域は、カソード領域の上方において、カソード領域の一部を覆っていてよい。
　フローティング領域は、下面側ライフタイム制御領域よりも半導体基板の下面側に設けられてよい。半導体基板の上面視で、フローティング領域の少なくとも一部は、下面側ライフタイム制御領域と重なってよい。
　フローティング領域は、配列方向に複数設けられてよい。半導体基板の上面視で、複数のフローティング領域のうち、少なくとも一つのフローティング領域は、配列方向において下面側ライフタイム制御領域と重ならなくてよい。
　下面側ライフタイム制御領域は、前記配列方向において、前記ダイオード部の全体に設けられてもよい。配列方向において、トランジスタ部における下面側ライフタイム制御領域の長さは、ダイオード部における下面側ライフタイム制御領域の長さよりも長くてよい。
　半導体基板の上面側に、トランジスタ部からダイオード部に渡って設けられ、ライフタイムキラーを含む上面側ライフタイム制御領域をさらに有してよい。トランジスタ部において、下面側ライフタイム制御領域が上面側ライフタイム制御領域よりも、配列方向におけるダイオード部の側に設けられてよい。
　半導体装置は、半導体基板の下面に設けられたコレクタ領域をさらに有してよい。配列方向において、トランジスタ部における上面側ライフタイム制御領域の端部から、トランジスタ部における下面側ライフタイム制御領域の端部へ至る経路の延長上に、コレクタ領域が設けられてよい。
　ダイオード部において、下面側ライフタイム制御領域が上面側ライフタイム制御領域よりも、配列方向におけるトランジスタ部の側に設けられてよい。下面側ライフタイム制御領域のライフタイムキラー濃度は、上面側ライフタイム制御領域のライフタイムキラー濃度よりも高くてよい。
　配列方向において、トランジスタ部における上面側ライフタイム制御領域の長さが、トランジスタ部の長さの０．０１倍以上０．１５倍以下であってよい。配列方向において、トランジスタ部における上面側ライフタイム制御領域の端部と、トランジスタ部における下面側ライフタイム制御領域の端部との、半導体基板の下面と平行な方向の距離は、トランジスタ部における上面側ライフタイム制御領域の長さの０．２５倍以上０．５倍以下であってよい。
　下面側ライフタイム制御領域は、延伸方向において、上面側ライフタイム制御領域よりも外側まで設けられてよい。配列方向において、上面側ライフタイム制御領域の長さは、半導体基板の厚さよりも大きくてよい。
　下面側ライフタイム制御領域は、半導体基板の深さ方向に複数設けられてよい。トランジスタ部において、半導体基板の下面側に設けられた下面側ライフタイム制御領域の方が、半導体基板の上面側に設けられた下面側ライフタイム制御領域よりも、配列方向においてダイオード部の側に設けられてよい。トランジスタ部において、半導体基板の上面側に設けられた下面側ライフタイム制御領域の端部から、半導体基板の下面側に設けられた下面側ライフタイム制御領域の端部までが、凸形状となるように配置されてよい。
　ダイオード部において、半導体基板の下面側に設けられた下面側ライフタイム制御領域の方が、半導体基板の上面側に設けられた下面側ライフタイム制御領域よりも、配列方向においてダイオード部の側に設けられてよい。半導体基板の下面側に設けられた下面側ライフタイム制御領域のライフタイムキラー濃度が、半導体基板の上面側に設けられた下面側ライフタイム制御領域のライフタイムキラー濃度よりも高くてよい。配列方向において、ダイオード部における下面側ライフタイム制御領域の長さは、ダイオード部の長さの０．０１５倍以上０．０３倍以下であってよい。
　半導体装置は、ドリフト領域の下方に、トランジスタ部からダイオード部に渡って設けられた第１導電型のバッファ領域をさらに備えてよい。下面側ライフタイム制御領域は、バッファ領域に設けられてよい。
　半導体装置は、ドリフト領域の下方に、トランジスタ部からダイオード部に渡って設けられた第１導電型のバッファ領域をさらに備えてよい。下面側ライフタイム制御領域の下方に設けられたバッファ領域の厚さが、下面側ライフタイム制御領域の下方に設けられないバッファ領域の厚さよりも大きくてよい。
　なお、上記の発明の概要は、本発明の必要な特徴の全てを列挙したものではない。また、これらの特徴群のサブコンビネーションもまた、発明となりうる。
本発明の実施形態に係る半導体装置１００の上面を部分的に示す図である。 図１におけるａ－ａ'断面の一例を示す図である。 図１におけるａ－ａ'断面の他の一例を示す図である。 図１におけるａ－ａ'断面の他の一例を示す図である。 図１におけるａ－ａ'断面の他の一例を示す図である。 比較例の半導体装置１５０の上面を部分的に示す図である。 図６におけるａａ－ａａ'断面の一例を示す図である。 図２のｂ－ｂ'断面における上面側ライフタイム制御領域７２および下面側ライフタイム制御領域７４のライフタイムキラー濃度分布の一例を示す図である。 図１におけるａ－ａ'断面の他の一例を示す図である。 図１におけるａ－ａ'断面の他の一例を示す図である。 図９のｆ－ｆ'断面における上面側ライフタイム制御領域７２および下面側ライフタイム制御領域７４－１から下面側ライフタイム制御領域７４－４のライフタイムキラー濃度分布の一例を示す図である。 本発明の実施形態に係る半導体チップ９８の一例を示す図である。 図１２における領域Ｆの拡大図である。 図１２におけるｇ－ｇ'断面の一例を示す図である。 図１２におけるｇ－ｇ'断面の他の一例を示す図である。 図１２におけるｇ－ｇ'断面の他の一例を示す図である。 図１５のｈ－ｈ'断面および図１６のｊ－ｊ'断面における下面側ライフタイム制御領域７４－４のＹ軸方向のライフタイムキラー濃度分布の一例を示す図である。 本実施形態に係る他の半導体装置２００の上面を部分的に示す図である。 図１８における領域Ｇの拡大図である。 図１８におけるｑ－ｑ'断面の一例を示す図である。 図２０に示すｋ－ｋ'断面図を、ダイオード部８０のＹ軸負側で隣り合うトランジスタ部７０まで含めて示す図である。 本実施形態に係る半導体チップ１２０の上面の一例を示す図である。 図２２における領域Ａ１の拡大図である。 図２３における領域Ｂ１の拡大図である。 図２４における領域Ｂ２の拡大図である。 図２３におけるｈ－ｈ'断面の一例を示す図である。 図２３におけるｊ－ｊ'断面の一例を示す図である。 図２２における領域Ａ１の他の拡大図である。 図２８における領域Ｃ１の拡大図である。 図２９における領域Ｃ２の拡大図である。 図２８におけるｋ－ｋ'断面の一例を示す図である。 図２８におけるｍ－ｍ'断面の一例を示す図である。
　以下、発明の実施の形態を通じて本発明を説明するが、以下の実施形態は請求の範囲にかかる発明を限定するものではない。また、実施形態の中で説明されている特徴の組み合わせの全てが発明の解決手段に必須であるとは限らない。
　本明細書においては、半導体基板の深さ方向と平行な方向における一方の側を「上」、他方の側を「下」と称する。基板、層またはその他の部材の２つの主面のうち、一方の面を上面、他方の面を下面と称する。「上」、「下」の方向は重力方向、または、半導体装置の実装時における基板等への取り付け方向に限定されない。
　本明細書では、Ｘ軸、Ｙ軸およびＺ軸の直交座標軸を用いて技術的事項を説明する場合がある。本明細書では、半導体基板の上面と平行な面をＸＹ面とし、半導体基板の深さ方向をＺ軸とする。本明細書では、半導体基板の上面と垂直な方向から見ることを上面視と称し、上面視における図を上面図と称する。
　各実施例においては、第１導電型をＮ型、第２導電型をＰ型とした例を示しているが、第１導電型をＰ型、第２導電型をＮ型としてもよい。この場合、各実施例における基板、層、領域等の導電型は、それぞれ逆の極性となる。
　本明細書においてドーピング濃度とは、ドナーまたはアクセプタ化した不純物の濃度を指す。本明細書において、ドナーおよびアクセプタの濃度差をドーピング濃度とする場合がある。また、ドーピングされた領域におけるドーピング濃度分布がピークを有する場合、当該ピーク値を当該ドーピング領域におけるドーピング濃度としてよい。ドーピングされた領域におけるドーピング濃度がほぼ均一な場合等においては、当該ドーピング領域におけるドーピング濃度の平均値をドーピング濃度としてよい。
　図１は、本発明の実施形態に係る半導体装置１００の上面の一例を部分的に示す図である。本例の半導体装置１００は、トランジスタ部７０およびダイオード部８０を備える半導体チップである。トランジスタ部７０は、ＩＧＢＴ等のトランジスタを含む。ダイオード部８０は、半導体基板の上面においてトランジスタ部７０と並んで設けられたＦＷＤ（Ｆｒｅｅ　Ｗｈｅｅｌ　Ｄｉｏｄｅ）等のダイオードを含む。トランジスタ部７０のうち、トランジスタ部７０とダイオード部８０の境界に位置する領域が、境界部９０である。図１においては、チップ端部周辺のチップ上面を示しており、他の領域を省略している。
　また、図１においては、半導体装置１００における半導体基板の活性領域を示すが、半導体装置１００は、活性領域を囲んでエッジ終端構造部を有してよい。活性領域は、半導体装置１００をオン状態に制御した場合に電流が流れる領域を指す。エッジ終端構造部は、半導体基板の上面側の電界集中を緩和する。エッジ終端構造部は、例えばガードリング、フィールドプレート、リサーフおよびこれらを組み合わせた構造を有する。
　本例の半導体装置１００は、半導体基板の内部に設けられ、且つ、半導体基板の上面に露出するゲートトレンチ部４０、ダミートレンチ部３０、ウェル領域１１、エミッタ領域１２、ベース領域１４およびコンタクト領域１５を備える。また、本例の半導体装置１００は、半導体基板の上面の上方に設けられたエミッタ電極５２およびゲート金属層５０を備える。エミッタ電極５２およびゲート金属層５０は、互いに分離して設けられる。
　エミッタ電極５２およびゲート金属層５０と、半導体基板の上面との間には層間絶縁膜が設けられるが、図１では省略している。本例の層間絶縁膜には、コンタクトホール５６、コンタクトホール４９およびコンタクトホール５４が、当該層間絶縁膜を貫通して設けられる。
　また、エミッタ電極５２は、コンタクトホール５６を通って、ダミートレンチ部３０内のダミー導電部と接続される。エミッタ電極５２とダミー導電部との間には、不純物がドープされたポリシリコン等の、導電性を有する材料で形成された接続部２５が設けられてよい。接続部２５と半導体基板の上面との間には、酸化膜等の絶縁膜が設けられる。
　ゲート金属層５０は、コンタクトホール４９を通って、ゲートランナー４８と接触する。ゲートランナー４８は、不純物がドープされたポリシリコン等で形成される。ゲートランナー４８は、半導体基板の上面において、ゲートトレンチ部４０内のゲート導電部と接続される。ゲートランナー４８は、ダミートレンチ部３０内のダミー導電部とは接続されない。本例のゲートランナー４８は、コンタクトホール４９の下方から、ゲートトレンチ部４０の先端部まで設けられる。ゲートランナー４８と半導体基板の上面との間には、酸化膜等の絶縁膜が設けられる。ゲートトレンチ部４０の先端部において、ゲート導電部は半導体基板の上面に露出している。ゲートトレンチ部４０は、ゲート導電部の当該露出した部分にて、ゲートランナー４８と接触する。
　エミッタ電極５２およびゲート金属層５０は、金属を含む材料で形成される。例えば、各電極の少なくとも一部の領域は、アルミニウムまたはアルミニウム‐シリコン合金で形成される。各電極は、アルミニウム等で形成された領域の下層にチタンやチタン化合物等で形成されたバリアメタルを有してよい。また、各電極は、コンタクトホール内においてタングステン等で形成されたプラグを有してもよい。
　１つ以上のゲートトレンチ部４０および１つ以上のダミートレンチ部３０は、所定の配列方向（本例ではＹ軸方向）に沿って所定の間隔で配列される。本例のゲートトレンチ部４０は、半導体基板の上面に平行であって配列方向と垂直な延伸方向（本例ではＸ軸方向）に沿って延伸する２つの延伸部分３９と、２つの延伸部分３９を接続する接続部分４１を有してよい。接続部分４１の少なくとも一部は、曲線状に設けられることが好ましい。ゲートトレンチ部４０の２つの延伸部分３９の端部を接続することで、延伸部分３９の端部における電界集中を緩和できる。ゲートランナー４８は、ゲートトレンチ部４０の接続部分４１において、ゲート導電部と接続してよい。
　本例のダミートレンチ部３０は、ゲートトレンチ部４０と同様に半導体基板の上面においてＵ字形状を有してよい。即ち、本例のダミートレンチ部３０は、延伸方向に沿って延伸する２つの延伸部分２９と、２つの延伸部分２９を接続する接続部分３１を有してよい。
　エミッタ電極５２は、ゲートトレンチ部４０、ダミートレンチ部３０、ウェル領域１１、エミッタ領域１２、ベース領域１４およびコンタクト領域１５の上方に設けられる。ウェル領域１１は第２導電型である。ウェル領域１１は、ゲート金属層５０が設けられる側の活性領域の端部から、予め定められた範囲で設けられる。ウェル領域１１の拡散深さは、ゲートトレンチ部４０およびダミートレンチ部３０の深さよりも深くてよい。ゲートトレンチ部４０およびダミートレンチ部３０の、ゲート金属層５０側の一部の領域は、ウェル領域１１に設けられる。ゲートトレンチ部４０およびダミートレンチ部３０の延伸方向の端の底は、ウェル領域１１に覆われてよい。
　トランジスタ部７０において、コンタクトホール５４は、コンタクト領域１５およびエミッタ領域１２の各領域の上方に設けられる。ダイオード部８０において、コンタクトホール５４は、ベース領域１４の上方に設けられる。いずれのコンタクトホール５４も、Ｘ軸方向両端に配置されたベース領域１４およびウェル領域１１の上方には配置されていない。
　半導体基板の上面と平行な方向において、Ｙ軸方向には各トレンチ部に接してメサ部が設けられる。メサ部とは、隣り合う２つのトレンチ部に挟まれた半導体基板の部分であって、半導体基板の上面から、各トレンチ部の最も深い底部の深さまでの部分であってよい。各トレンチ部の延伸部分を１つのトレンチ部としてよい。即ち、２つの延伸部分に挟まれる領域をメサ部としてよい。
　トランジスタ部７０においては、境界部９０を除き、各トレンチ部に接してトランジスタメサ部６０が設けられる。境界部９０には、各トレンチ部に接して境界メサ部６２が設けられる。また、ダイオード部８０においては、隣り合うダミートレンチ部３０に挟まれた領域にダイオードメサ部６４が設けられる。トランジスタメサ部６０、境界メサ部６２およびダイオードメサ部６４のＸ軸方向における両端部には、一例としてベース領域１４が設けられている。なお、図１においては、Ｘ軸方向の一方の端部に設けられたベース領域１４のみを示している。
　トランジスタメサ部６０の上面には、ゲートトレンチ部４０と接してエミッタ領域１２が設けられる。本例のエミッタ領域１２は第１導電型である。また、トランジスタメサ部６０の上面には、ベース領域１４よりもドーピング濃度の高い第２導電型のコンタクト領域１５が設けられる。トランジスタメサ部６０において、エミッタ領域１２およびコンタクト領域１５は、ゲートトレンチ部４０の延伸方向に交互に設けられてよい。トランジスタメサ部６０において、エミッタ領域１２およびコンタクト領域１５は、コンタクトホール５４の下方にも設けられている。
　トランジスタメサ部６０の上面において、エミッタ領域１２はダミートレンチ部３０と接して設けられてよく、離れて設けられてもよい。図１の例におけるエミッタ領域１２は、ダミートレンチ部３０と接して設けられている。
　境界メサ部６２の上面には、ベース領域１４よりドーピング濃度の高い第２導電型のコンタクト領域１５が設けられる。当該コンタクト領域１５は、境界メサ部６２のＸ軸方向における両端部に設けられるベース領域１４に挟まれる領域全体に設けられてよい。境界メサ部６２において、コンタクト領域１５は、コンタクトホール５４の下方にも設けられている。
　ダイオードメサ部６４の上面には、Ｘ軸方向における両端部にコンタクト領域１５が設けられる。また、当該コンタクト領域１５に挟まれる領域にベース領域１４が設けられる。ベース領域１４は、当該コンタクト領域１５に挟まれる領域全体に設けられてよい。ダイオードメサ部６４において、ベース領域１４およびコンタクト領域１５は、コンタクトホール５４の下方にも設けられている。
　本例の半導体装置１００は、ダイオード部８０においてダミートレンチ部３０が設けられる。本例では、それぞれのダミートレンチ部３０の直線状の延伸部分２９が接続部分３１で接続される。それぞれのダミートレンチ部３０に挟まれる領域に、ダイオードメサ部６４が設けられる。
　ダイオードメサ部６４には、エミッタ領域１２が設けられなくてよく、設けられてもよい。本例では、エミッタ領域１２が設けられない。ダイオードメサ部６４には、コンタクト領域１５またはベース領域１４が、ダイオードメサ部６４を挟む一方のダミートレンチ部３０から、他方のダミートレンチ部３０に渡って設けられている。即ち、半導体基板の上面において、ダイオードメサ部６４のＹ軸方向の幅と、ダイオードメサ部６４に設けられたコンタクト領域１５またはベース領域１４のＹ軸方向の幅は等しい。
　ダイオード部８０は、半導体基板の下面側において、第１導電型のカソード領域８２を有する。図１に、半導体基板の上面視でカソード領域８２が設けられる領域を一点鎖線部で示している。ダイオード部８０は、カソード領域８２を半導体基板の上面に投影した領域であってよい。カソード領域８２を半導体基板の上面に投影した領域は、コンタクト領域１５から＋Ｘ軸方向に離れていてよい。半導体基板の下面に露出する領域においてカソード領域８２が設けられていない領域には、第２導電型のコレクタ領域が設けられてよい。トランジスタ部７０は、コレクタ領域を半導体基板の上面に投影した領域のうち、トレンチ部またはメサ部が設けられている領域であってよい。
　本例の半導体装置１００は、ライフタイムキラーを含む上面側ライフタイム制御領域７２が、半導体基板の深さ方向において局所的に設けられる。図１において、半導体基板の上面視で上面側ライフタイム制御領域７２が設けられる領域を破線部で示している。上面側ライフタイム制御領域７２は、図１においてＹ軸負側の領域、並びにＸ軸正側および負側の領域の、図１において図示されない領域まで設けられる。なお、本明細書において、半導体基板の上面視で半導体基板に垂直な方向を深さ方向（Ｚ軸方向）と称する。
　本例の半導体装置１００は、ライフタイムキラーを含む下面側ライフタイム制御領域７４が、半導体基板の深さ方向において、上面側ライフタイム制御領域７２の下方に局所的に設けられる。図１において、半導体基板の上面視で下面側ライフタイム制御領域７４が設けられる領域を破線部で示している。下面側ライフタイム制御領域７４は、図１においてＸ軸正側および負側の領域の、図１において図示されない領域まで設けられる。上面視で、上面側ライフタイム制御領域７２がＹ軸方向に設けられる範囲は、下面側ライフタイム制御領域７４が設けられる領域よりも広くてよい。
　なお、上面視で、上面側ライフタイム制御領域７２が設けられる領域内のトレンチ部は、全てダミートレンチ部３０であってよい。上面側から粒子線を照射して、上面側ライフタイム制御領域７２を形成する場合がある。ゲートトレンチ部４０のゲート絶縁膜に粒子線が照射されると、当該ゲート絶縁膜にダメージを引き起こす場合がある。上面側ライフタイム制御領域７２内のトレンチ部をダミートレンチ部３０にすることで、当該ゲート絶縁膜へのダメージの発生を抑制できる。このため、トランジスタのゲート閾値変動やゲート絶縁膜破壊を防ぐことができる。
　図２は、図１におけるａ－ａ'断面の一例を示す図である。ａ－ａ'断面は、トランジスタ部７０およびダイオード部８０において、エミッタ領域１２、コンタクト領域１５およびベース領域１４を通過するＹＺ面である。本例の半導体装置１００は、ａ－ａ'断面において、半導体基板１０、層間絶縁膜３８、エミッタ電極５２およびコレクタ電極２４を有する。エミッタ電極５２は、半導体基板１０の上面２１および層間絶縁膜３８の上面に設けられる。
　コレクタ電極２４は、半導体基板１０の下面２３に設けられる。エミッタ電極５２およびコレクタ電極２４は、金属等の導電材料で形成される。
　半導体基板１０は、シリコン基板であってよく、炭化シリコン基板であってよく、窒化ガリウム等の窒化物半導体基板等であってもよい。本例の半導体基板１０はシリコン基板である。
　本例の半導体基板１０は、第１導電型のドリフト領域１８を備える。本例のドリフト領域１８はＮ＋型である。ドリフト領域１８は、半導体基板１０において他のドーピング領域が形成されずに残存した領域であってよい。すなわちドリフト領域１８のドーピング濃度は半導体基板１０のドーピング濃度であってよい。
　また、ドリフト領域１８の下方には第１導電型のバッファ領域２０が設けられてよい。バッファ領域２０のドーピング濃度は、ドリフト領域１８のドーピング濃度よりも高い。バッファ領域２０は、ベース領域１４の下面側から広がる空乏層が、第２導電型のコレクタ領域２２およびカソード領域８２に到達することを防ぐフィールドストップ層として機能してよい。
　ダイオード部８０は、バッファ領域２０の下方にカソード領域８２を有する。カソード領域８２は、トランジスタ部７０のコレクタ領域２２と同じ深さに設けられてよい。ダイオード部８０は、インバータ等の電力変換回路において、他の半導体装置１００のトランジスタ部７０がターンオフする場合に、逆方向に導通する還流電流を流す還流ダイオード（ＦＷＤ）として機能してよい。
　トランジスタ部７０において、バッファ領域２０の下方には、第２導電型のコレクタ領域２２が設けられる。コレクタ領域２２は、境界メサ部６２の下面２３側の領域まで延伸していてよい。本例の半導体装置１００は、境界メサ部６２の下面２３までコレクタ領域２２が延伸しているので、トランジスタ部７０のエミッタ領域１２と、ダイオード部８０のカソード領域８２との距離を確保できる。このため、本例の半導体装置１００は、トランジスタ部７０のエミッタ領域１２を含むゲート構造部からドリフト領域１８に注入される電子が、ダイオード部８０のカソード領域８２に流出するのを防ぐことができる。
　本例においては、カソード領域８２が境界メサ部６２の直下まで設けられる場合と比べて、境界メサ部６２のコンタクト領域１５と、ダイオード部８０のカソード領域８２との距離も長くできる。このため、本例の半導体装置１００は、ダイオード部８０が導通するときに、ベース領域１４よりも高いドーピング濃度のコンタクト領域１５から、カソード領域８２への正孔の注入を抑制できる。
　トランジスタメサ部６０および境界メサ部６２においては、ドリフト領域１８の上方に第１導電型の蓄積領域１６が設けられてよい。蓄積領域１６は、ドリフト領域１８と同じドーパントが、ドリフト領域１８よりも高濃度に蓄積した領域である。蓄積領域１６のドーピング濃度は、ドリフト領域１８のドーピング濃度よりも高い。蓄積領域１６は、ゲートトレンチ部４０に接して設けられる。蓄積領域１６を設けることで、キャリア注入促進効果（ＩＥ効果）を高めて、オン電圧を低減できる。
　本例において、トランジスタメサ部６０および境界メサ部６２における蓄積領域１６の上方には、第２導電型のベース領域１４が設けられる。ベース領域１４は、ゲートトレンチ部４０に接して設けられる。さらに、本例において、トランジスタメサ部６０におけるベース領域１４と上面２１との間には、エミッタ領域１２が設けられる。エミッタ領域１２は、ゲートトレンチ部４０と接して設けられる。エミッタ領域１２のドーピング濃度は、ドリフト領域１８のドーピング濃度よりも高い。エミッタ領域１２のドーパントの一例はヒ素（Ａｓ）である。
　本例において、境界メサ部６２における蓄積領域１６の上方には、第２導電型のコンタクト領域１５が設けられる。コンタクト領域１５は、ゲートトレンチ部４０に接して設けられる。境界メサ部６２には、エミッタ領域１２が設けられなくてよい。
　本例において、ダイオードメサ部６４におけるドリフト領域１８の上方には、蓄積領域１６が設けられる。また、本例において、ダイオードメサ部６４における蓄積領域１６の上方には、ベース領域１４が設けられる。ダイオードメサ部６４においては、エミッタ領域１２は設けられなくてよい。
　上面２１には、１つ以上のゲートトレンチ部４０および１つ以上のダミートレンチ部３０が設けられる。各トレンチ部は、上面２１からドリフト領域１８まで設けられる。エミッタ領域１２、コンタクト領域１５および蓄積領域１６の少なくともいずれかが設けられている領域においては、各トレンチ部はこれらの領域も貫通して、ドリフト領域１８に到達するように設けられる。トレンチ部がドーピング領域を貫通するとは、ドーピング領域を形成してからトレンチ部を形成する順序で製造したものに限定されない。トレンチ部を形成した後に、トレンチ部の間にドーピング領域を形成したものも、トレンチ部がドーピング領域を貫通しているものに含まれる。
　ゲートトレンチ部４０は、上面２１に設けられたゲートトレンチ、ゲート絶縁膜４２およびゲート導電部４４を有する。ゲート絶縁膜４２は、ゲートトレンチの内壁を覆って設けられる。ゲート絶縁膜４２は、ゲートトレンチの内壁の半導体を酸化または窒化して形成してよい。ゲート導電部４４は、ゲートトレンチの内部においてゲート絶縁膜４２よりも内側に設けられる。ゲート絶縁膜４２は、ゲート導電部４４と半導体基板１０とを絶縁する。ゲート導電部４４は、ポリシリコン等の導電材料で形成される。ゲートトレンチ部４０は、上面２１において層間絶縁膜３８により覆われる。
　ゲート導電部４４は、ゲート絶縁膜４２を挟んでトランジスタメサ部６０側で隣り合うベース領域１４と対向する領域を含む。ゲート導電部４４に所定の電圧が印加されると、ベース領域１４のうちゲートトレンチに接する界面の表層に電子の反転層によるチャネルが形成される。
　ダミートレンチ部３０は、図２において、ゲートトレンチ部４０と同一の構造を有してよい。ダミートレンチ部３０は、上面２１側に設けられたダミートレンチ、ダミー絶縁膜３２およびダミー導電部３４を有する。ダミー絶縁膜３２は、ダミートレンチの内壁を覆って設けられる。ダミー導電部３４は、ダミートレンチの内部に設けられ、且つ、ダミー絶縁膜３２よりも内側に設けられる。ダミー絶縁膜３２は、ダミー導電部３４と半導体基板１０とを絶縁する。ダミートレンチ部３０は、上面２１において層間絶縁膜３８により覆われる。
　本例の半導体装置１００は、図２に示すように、半導体基板１０の下面２３側に、トランジスタ部７０からダイオード部８０にわたって設けられた、下面側ライフタイム制御領域７４を有する。図２において、下面側ライフタイム制御領域７４のライフタイムキラー濃度分布のＺ軸方向におけるピーク位置を「×」の記号にて示している。本例においては、下面側ライフタイム制御領域７４はＺ軸方向において一つ設けられる。本例においては、下面側ライフタイム制御領域７４はＹ軸方向においてトランジスタ部７０の一部分に設けられ、トランジスタ部７０の他の部分には設けられない。また、本例においては、下面側ライフタイム制御領域７４は、Ｙ軸方向においてダイオード部８０の一部分に設けられ、ダイオード部８０の他の部分には設けられない。
　半導体基板１０の厚さをＴとする。本例において、下面側ライフタイム制御領域７４は、上面２１を基準として、厚さＴの１／２よりも深い位置に設けられる。下面側ライフタイム制御領域７４を、上面２１を基準として厚さＴの１／２よりも浅い位置に設けると、トランジスタ部７０のリーク電流が増加しやすい。このため、本例においては、下面側ライフタイム制御領域７４は、上面２１を基準として厚さＴの１／２よりも浅い位置に設けられる。
　本例の半導体装置１００は、半導体基板１０の上面２１側に、トランジスタ部７０からダイオード部８０にわたって設けられた上面側ライフタイム制御領域７２を有する。図２において、上面側ライフタイム制御領域７２のライフタイムキラー濃度分布のＺ軸方向におけるピーク位置を「×」の記号にて示している。本例において、上面側ライフタイム制御領域７２は、Ｙ軸方向におけるダイオード部８０の全体に設けられる。本例において、上面側ライフタイム制御領域７２は、ダイオード部８０のＹ軸負側で隣り合う、図２に図示されないトランジスタ部７０まで設けられる。本例において、トランジスタ部７０における下面側ライフタイム制御領域７４は、上面側ライフタイム制御領域７２よりもＹ軸負側に設けられる。即ち、トランジスタ部７０における下面側ライフタイム制御領域７４の端部Ｋｌｂは、上面側ライフタイム制御領域７２の端部ＫｌｓよりもＹ軸負側に位置する。
　本例において、上面側ライフタイム制御領域７２および下面側ライフタイム制御領域７４は、半導体基板１０の深さ方向において局所的に設けられている。即ち、上面側ライフタイム制御領域７２および下面側ライフタイム制御領域７４は、半導体基板１０の他の領域に比べ、欠陥密度が高くなっている。ライフタイムキラーの一例は、所定の深さ位置に注入されたヘリウムである。ヘリウムを注入することで、半導体基板１０の内部に結晶欠陥を形成できる。
　下面側ライフタイム制御領域７４は、上面側ライフタイム制御領域７２に起因するリーク電流特性を改善する機能を有する。下面側ライフタイム制御領域７４が設けられることで、ドリフト領域１８に生じた少数キャリアの正孔が、短いライフタイムで多数キャリアの電子と相殺しやすくなる。このため、本例の半導体装置１００は、トランジスタ部７０のリーク電流特性を改善できる。また、本例の半導体装置１００は、下面側ライフタイム制御領域７４が設けられているので、トランジスタ部７０のオン電圧とターンオフ損失のトレードオフを良好にできる。
　距離Ａは、端部Ｋｌｓと端部Ｋｌｂとの間のＹ軸方向における距離である。距離Ｂは、端部Ｋｌｓからトランジスタ部７０とダイオード部８０との境界までのＹ軸方向における距離である。距離Ａは、距離Ｂよりも小さくてよい。距離Ａは距離Ｂの０．２５倍以上０．５倍以下であってよい。また、距離Ａは、５０μｍ以上１００μｍ以下であってよい。
　本例においては、トランジスタ部７０において下面側ライフタイム制御領域７４が上面側ライフタイム制御領域７２よりもＹ軸負側に設けられる。このため、本例の半導体装置１００は、ダイオード部８０の動作時に、トランジスタ部７０のエミッタ領域１２からダイオード部８０のカソード領域８２への正孔の注入を抑制できる。このため、本例の半導体装置１００は、ダイオード部８０の逆回復特性を改善できる。
　長さＬｂは、トランジスタ部７０における下面側ライフタイム制御領域７４のＹ軸方向の長さである。長さＣは、ダイオード部８０における下面側ライフタイム制御領域７４のＹ軸方向の長さである。長さＬｂは、長さＣよりも長くてよい。本例の半導体装置１００は、長さＬｂが長さＣよりも長いので、ダイオード部８０の動作時に、トランジスタ部７０のエミッタ領域１２からダイオード部８０のカソード領域８２への正孔の注入を抑制できる。このため、本例の半導体装置１００は、ダイオード部８０の逆回復特性を改善できる。
　コレクタ領域２２は、図２においてｒ－ｒ'線で示すように、端部Ｋｌｓから端部Ｋｌｂへ至る経路の延長線上に設けられてよい。即ち、端部Ｋｌｓと端部Ｋｌｂを結ぶ直線は、コレクタ領域２２と交差してよい。端部Ｋｌｓと端部Ｋｌｂを結ぶ直線がコレクタ領域２２と交差するように配置されることで、トランジスタのエミッタ領域１２からダイオード部８０のカソード領域８２へ移動する正孔は、下面側ライフタイム制御領域７４の存在により電子と相殺しやすくなる。このため、本例の半導体装置１００は、ダイオード部８０の動作時に、トランジスタ部７０のエミッタ領域１２からダイオード部８０のカソード領域８２への正孔の注入を抑制できる。
　本例において、ダイオード部８０における下面側ライフタイム制御領域７４は、上面側ライフタイム制御領域７２よりも、Ｙ軸正側に設けられる。即ち、本例において、ダイオード部８０における上面側ライフタイム制御領域７２は、下面側ライフタイム制御領域７４の端部ＫｒｂよりもＹ軸負側にも設けられる。
　図３は、図１におけるａ－ａ'断面の他の一例を示す図である。図３の半導体装置１００は、トランジスタ部７０の下面側ライフタイム制御領域７４が、上面側ライフタイム制御領域７２よりもＹ軸正側に延長して設けられる点で、図２の半導体装置１００と異なる。図３においては、端部Ｋｌｂが、端部ＫｌｓよりもＹ軸正側にＡ'の距離に配置される一例を示している。
　本例の半導体装置１００は、トランジスタ部７０の下面側ライフタイム制御領域７４が、上面側ライフタイム制御領域７２よりも、Ｙ軸正側に設けられる。このため、トランジスタ部７０のエミッタ領域１２からダイオード部８０のカソード領域８２へ移動する正孔は、下面側ライフタイム制御領域７４の存在により電子と相殺しやすくなる。このため、本例の半導体装置１００は、ダイオード部８０の動作時に、トランジスタ部７０のエミッタ領域１２からダイオード部８０のカソード領域８２への正孔の注入を抑制できる。また、本例の半導体装置１００は、下面側ライフタイム制御領域７４が存在することで、トランジスタ部７０のリーク電流特性を改善できる。また、本例の半導体装置１００は、下面側ライフタイム制御領域７４が存在することで、トランジスタ部７０のオン電圧とターンオフ損失のトレードオフを良好にできる。
　図４は、図１におけるａ－ａ'断面の他の一例を示す図である。図４の半導体装置１００は、下面側ライフタイム制御領域７４がバッファ領域２０に設けられる点で、図２の半導体装置１００と異なる。
　本例の半導体装置１００は、下面側ライフタイム制御領域７４が上面側ライフタイム制御領域７２よりもＹ軸負側に設けられる。このため、本例の半導体装置１００は、ダイオード部８０の動作時に、トランジスタ部７０のエミッタ領域１２からダイオード部８０のカソード領域８２への正孔の注入を抑制できる。このため、本例の半導体装置１００は、ダイオード部８０の逆回復特性を改善できる。また、本例の半導体装置１００は、下面側ライフタイム制御領域７４が設けられているので、トランジスタ部７０のリーク電流特性を改善できる。また、本例の半導体装置１００は、下面側ライフタイム制御領域７４が設けられているので、トランジスタ部７０のオン電圧とターンオフ損失のトレードオフを良好にできる。
　図５は、図１におけるａ－ａ'断面の他の一例を示す図である。本例において、厚さＤｋは、上方に下面側ライフタイム制御領域７４が設けられたバッファ領域２０のＺ軸方向の厚さである。また、厚さＤは、上方に下面側ライフタイム制御領域７４が設けられないバッファ領域２０のＺ軸方向の厚さである。本例の半導体装置１００は、厚さＤｋが厚さＤよりも大きい点で、図２の半導体装置１００と異なる。
　本例の半導体装置１００は、下面側ライフタイム制御領域７４が上面側ライフタイム制御領域７２よりも、Ｙ軸負側に設けられる。このため、本例の半導体装置１００は、ダイオード部８０の動作時に、トランジスタ部７０のエミッタ領域１２からダイオード部８０のカソード領域８２への正孔の注入を抑制できる。このため、本例の半導体装置１００は、ダイオード部８０の逆回復特性を改善できる。また、本例の半導体装置１００は、下面側ライフタイム制御領域７４が設けられているので、トランジスタ部７０のリーク電流特性を改善できる。また、本例の半導体装置１００は、下面側ライフタイム制御領域７４が設けられているので、トランジスタ部７０のオン電圧とターンオフ損失のトレードオフを良好にできる。
　図６は、比較例の半導体装置１５０の上面を部分的に示す図である。図６の半導体装置１５０は、下面側ライフタイム制御領域２７４が、Ｙ軸方向においてトランジスタ部７０およびダイオード部８０の全体にわたって設けられる。上面側ライフタイム制御領域７２は、半導体基板１０の上面視で図１と同じ位置に設けられる。比較例の半導体装置１５０は、下面側ライフタイム制御領域２７４が、図６において図示されないＹ軸正側および負側の領域まで設けられる。
　図７は、図６におけるｚ－ｚ'断面の一例を示す図である。図７に示すように、比較例の半導体装置１５０は、下面側ライフタイム制御領域２７４が上面側ライフタイム制御領域２７２の下方に、Ｙ軸方向においてトランジスタ部７０およびダイオード部８０の全体にわたって設けられる。このため、比較例の半導体装置１５０は、ライフタイムキラーに起因するリーク電流特性を改善することが困難である。また、比較例の半導体装置１５０は、トランジスタ部７０のオン電圧とターンオフ損失のトレードオフが悪化しやすい。
　図８は、図２のｂ－ｂ'線に沿った、上面側ライフタイム制御領域７２および下面側ライフタイム制御領域７４のライフタイムキラー濃度分布の一例を示す図である。本例では、ヘリウムイオンを上面２１から注入して上面側ライフタイム制御領域７２が形成され、ヘリウムイオンを下面２３から注入して下面側ライフタイム制御領域７４が形成された場合のライフタイムキラー濃度分布の一例を示している。
　上面側ライフタイム制御領域７２のライフタイムキラー濃度のピーク位置（上面２１からのＺ軸方向の深さ）は、図２において上面側ライフタイム制御領域７２を示す「×」の記号のＺ軸方向における位置に等しい。ヘリウムイオンを上面２１から注入する場合は、ピーク位置よりも上面２１側に、ピーク濃度より低い濃度のライフタイムキラーが分布してよい。
　下面側ライフタイム制御領域７４のライフタイムキラー濃度のピーク位置（下面２３からのＺ軸方向の深さ）は、図２において下面側ライフタイム制御領域７４を示す「×」の記号のＺ軸方向における位置に等しい。ヘリウムイオンを下面２３から注入する場合は、ピーク位置よりも下面２３側に、ピーク濃度より低い濃度のライフタイムキラーが分布してよい。
　下面側ライフタイム制御領域７４のライフタイムキラー濃度のピーク濃度は、上面側ライフタイム制御領域７２のライフタイムキラー濃度のピーク濃度より高くてよく、低くてもよい。本例では、下面側ライフタイム制御領域７４のライフタイムキラー濃度のピーク濃度は、上面側ライフタイム制御領域７２のライフタイムキラー濃度のピーク濃度よりも高い。下面側ライフタイム制御領域７４のライフタイムキラー濃度は、上面側ライフタイム制御領域７２のライフタイムキラー濃度よりも２倍から５倍高くてよい。
　なお、ライフタイムキラー濃度分布の縦軸は、ヘリウム濃度であってもよいし、ヘリウムイオンの注入によって形成された結晶欠陥密度であってもよい。結晶欠陥は、格子間ヘリウム、空孔、複空孔等であってよい。これらの結晶欠陥により、キャリアの再結合中心が形成される。形成された再結合中心のエネルギー準位（トラップ準位）を介して、キャリアの再結合が促進される。ライフタイムキラー濃度は、トラップ準位密度に対応する。
　本例においては、下面側ライフタイム制御領域７４のライフタイムキラー濃度が、上面側ライフタイム制御領域７２のライフタイムキラー濃度よりも高い。このため、本例の半導体装置１００は、上面側ライフタイム制御領域７２のキャリアライフタイムを長くできる。このため、本例の半導体装置１００は、ライフタイムキラーに起因するリーク電流特性を改善できる。また、本例の半導体装置１００は、トランジスタ部７０のオン電圧とターンオフ損失のトレードオフを良好にできる。
　図９は、図１におけるａ－ａ'断面の他の一例を示す図である。図９の半導体装置１００は、下面側ライフタイム制御領域７４がＺ軸方向に複数設けられる点で、図２の半導体装置１００と異なる。図９の半導体装置１００は、下面側ライフタイム制御領域７４がＺ軸方向に４つ設けられる一例を示している。図９において、下面側ライフタイム制御領域７４－１から下面側ライフタイム制御領域７４－４のライフタイムキラー濃度分布のＺ軸方向におけるピーク位置を、それぞれ「×」の記号にて示している。
　本例において、下面２３側に設けられた下面側ライフタイム制御領域７４－４は、上面２１側に設けられた下面側ライフタイム制御領域７４－１よりも、Ｙ軸負側に設けられる。即ち、図９の破線ｔ－ｔ'で示すように、下面側ライフタイム制御領域７４の端部は、下面側ライフタイム制御領域７４－１の端部Ｋｌｂ１から下面側ライフタイム制御領域７４－４の端部Ｋｌｂ４へ至るほど、図９のＹ軸負側に配置されてよい。端部Ｋｌｂ１から端部Ｋｌｂ４は、ＹＺ面内において、破線ｔ－ｔ'で示す直線状に配置されてよい。
　本例においては、下面側ライフタイム制御領域７４－４が上面側ライフタイム制御領域７２よりもＹ軸負側に設けられる。このため、本例の半導体装置１００は、ダイオード部８０の動作時に、トランジスタ部７０のエミッタ領域１２からダイオード部８０のカソード領域８２への正孔の注入を抑制できる。このため、本例の半導体装置１００は、ダイオード部８０の逆回復特性を改善できる。なお、４つの下面側ライフタイム制御領域７４のそれぞれのＹ軸方向の長さは、相互に異なっていてもよい。
　ダイオード部８０において、下面２３側に設けられた下面側ライフタイム制御領域７４－４は、上面２１側に設けられた下面側ライフタイム制御領域７４－１よりも、Ｙ軸負側に設けられてよい。即ち、図９の破線ｕ－ｕ'で示すように、下面側ライフタイム制御領域７４の端部は、下面側ライフタイム制御領域７４－１の端部Ｋｒｂ１から下面側ライフタイム制御領域７４－４の端部Ｋｒｂ４へ至るほど、図９のＹ軸負側に位置してよい。端部Ｋｒｂ１から端部Ｋｒｂ４は、ＹＺ面内において、破線ｕ－ｕ'で示す直線状に配置されてよい。
　本例の半導体装置１００は、下面側ライフタイム制御領域７４のＹ軸正側の端部が、端部Ｋｌｂ１から端部Ｋｌｂ４へ至るほどＹ軸負側に位置している。これにより、本例の半導体装置１００は、ダイオード部８０の動作時に、トランジスタ部７０のエミッタ領域１２からダイオード部８０のカソード領域８２への正孔の注入を抑制できる。
　図１０は、図１におけるａ－ａ'断面の他の一例を示す図である。図１０の半導体装置１００は、破線ｖ－ｖ'で示すように、端部Ｋｌｂ１から端部Ｋｌｂ４までが、ＹＺ面内において、Ｙ軸正側に凸形状となるように配置される点で、図９の半導体装置１００と異なる。図１０の半導体装置１００は、図９の半導体装置１００と比較して、端部Ｋｌｂ２および端部Ｋｌｂ３がＹ軸方向において正側に位置している。これにより、本例の半導体装置１００は、図９の半導体装置１００よりも、ダイオード部８０の動作時に、トランジスタ部７０のエミッタ領域１２からダイオード部８０のカソード領域８２への正孔の注入を、より抑制できる。なお、図１０において、端部Ｋｒｂ１から端部Ｋｒｂ４までは、ＹＺ面内において直線状に配置されているが、Ｙ軸負側に凸形状となるように配置されてもよく、Ｙ軸正側に凸形状となるように配置されてもよい。
　図１１は、図９のｆ－ｆ'線に沿った、上面側ライフタイム制御領域７２および下面側ライフタイム制御領域７４－１から下面側ライフタイム制御領域７４－４のライフタイムキラー濃度分布を示す図である。本例においては、ヘリウムイオンを下面２３から注入して、下面側ライフタイム制御領域７４－１から下面側ライフタイム制御領域７４－４をそれぞれ形成された場合のライフタイムキラー濃度分布の一例を示している。
　下面側ライフタイム制御領域７４のライフタイムキラー濃度のピーク位置（下面２３からのＺ軸方向の深さ）は、図９において下面側ライフタイム制御領域７４を示す「×」の記号のＺ軸方向における位置に等しい。ヘリウムイオンを下面２３から注入する場合は、ピーク位置よりも下面２３側に、ピーク濃度より低い濃度のライフタイムキラーが分布してよい。
　図１１に示すように、下面２３側に設けられた下面側ライフタイム制御領域７４－４のライフタイムキラー濃度は、上面２１側に設けられた下面側ライフタイム制御領域７４－１のライフタイムキラー濃度よりも高くてよい。下面側ライフタイム制御領域７４－４のライフタイムキラー濃度は、下面側ライフタイム制御領域７４－１のライフタイムキラー濃度の２倍から５倍高くてよい。
　下面側ライフタイム制御領域７４のライフタイムキラー濃度は、下面側ライフタイム制御領域７４－１から下面側ライフタイム制御領域７４－４へ至るほど高くてよい。４つの下面側ライフタイム制御領域７４において、Ｚ軸方向に隣り合う２つの下面側ライフタイム制御領域７４のそれぞれのピーク濃度の間には、ライフタイムキラー濃度の極小を示す谷が形成されてよい。下面２３側の谷におけるライフタイムキラー濃度の極小値は、上面２１側の谷におけるライフタイムキラー濃度の極小値よりも高くてよい。さらに、下面側ライフタイム制御領域７４－４のピーク濃度の位置から下面２３の位置までにおけるライフタイムキラー濃度は、Ｚ軸方向に隣り合う２つの下面側ライフタイム制御領域７４の間に形成されるいずれの谷におけるライフタイムキラー濃度の極小値よりも高くて良い。
　本例の半導体装置１００は、下面２３側に設けられた下面側ライフタイム制御領域７４－４のライフタイムキラー濃度が、上面２１側に設けられた下面側ライフタイム制御領域７４－１のライフタイムキラー濃度よりも高い。このため、本例の半導体装置１００は、下面２３側に設けられた下面側ライフタイム制御領域７４－４のライフタイムキラー濃度が上面２１側に設けられた下面側ライフタイム制御領域７４－１のライフタイムキラー濃度よりも低い場合よりも、上面側ライフタイム制御領域７２のキャリアライフタイムを長くできる。このため、本例の半導体装置１００は、ライフタイムキラーに起因するリーク電流特性を改善できる。また、本例の半導体装置１００は、トランジスタ部７０のオン電圧とターンオフ損失のトレードオフを良好にできる。
　なお、下面側ライフタイム制御領域７４において、ライフタイムキラーの濃度は上面２１側から下面２３側にかけて全体的に高くなっていればよい。即ち、下面側ライフタイム制御領域７４－２のライフタイムキラー濃度が下面側ライフタイム制御領域７４－３のライフタイムキラー濃度より高い等、局所的にライフタイムキラー濃度の高低が逆になっていてもよい。
　図１２は、本発明の実施形態に係る半導体チップ９８の一例を示す図である。図１２に示すように、本例の半導体チップ９８は、トランジスタ部７０およびダイオード部８０が、ＸＹ面内において交互に周期的に配列されている。図１２は、トランジスタ部７０がＸ軸方向に２つ、Ｙ軸方向に５つ設けられ、ダイオード部８０がＸ軸方向に２つ、Ｙ軸方向に６つ設けられる一例を示している。なお、図１は、図１２の領域Ｓを拡大した図である。
　本例において、上面側ライフタイム制御領域７２は図１２における破線部の領域に設けられる。上面側ライフタイム制御領域７２は、図１２に示すように、ＸＹ平面内においてダイオード部８０のカソード領域８２を包含するように設けられてよい。また、本例において、下面側ライフタイム制御領域７４は図１２における一点鎖線部の領域に設けられる。下面側ライフタイム制御領域７４は、トランジスタ部７０からダイオード部８０にわたって設けられてよい。また、ダイオード部８０のカソード領域８２は、図１２の上面視で半導体チップ９８の深さ方向に設けられる。
　幅ＷＩは、トランジスタ部７０のＹ軸方向における幅である。また、幅ＷＦは、ダイオード部８０のＹ軸方向における幅である。幅ＷＩは、幅ＷＦよりも大きくてよい。幅ＷＩは、幅ＷＦの２倍以上５倍以下であってよい。幅ＷＩは、一例として１５００μｍである。また、幅ＷＦは、一例として５００μｍである。
　下面側ライフタイム制御領域７４は、図１２に示すように、Ｘ軸方向において上面側ライフタイム制御領域７２よりも外側である領域Ｅまで設けられてよい。即ち、下面側ライフタイム制御領域７４は、上面側ライフタイム制御領域７２よりも、半導体チップ９８のＸ軸両端まで設けられてよい。
　図１３は、図１２における領域Ｆの拡大図である。距離Ｂは、Ｙ軸方向において、端部Ｋｌｓから、トランジスタ部７０とダイオード部８０との境界までの距離である。また、距離Ｃは、Ｙ軸方向において、トランジスタ部７０とダイオード部８０との境界と、端部Ｋｌｂとの間の距離である。距離Ｂは、トランジスタ部７０の幅ＷＩの０．０１倍以上０．１５倍以下であってよい。また、距離Ｃは、ダイオード部８０の幅ＷＦの０．０１５倍以上０．０３倍以下であってよい。なお、距離Ａは、Ｙ軸方向において、端部Ｋｌｓと端部Ｋｌｂとの間の距離である。
　図１４は、図１２におけるｇ－ｇ'断面の一例を示す図である。本例の半導体装置１００は、上面側ライフタイム制御領域７２が、Ｙ軸方向において、トランジスタ部７０からダイオード部８０を経て、当該ダイオード部８０に反対側で隣り合うトランジスタ部７０まで設けられる。また、本例の半導体装置１００は、下面側ライフタイム制御領域７４－１から下面側ライフタイム制御領域７４－４が、Ｙ軸方向において、ダイオード部８０の両側で隣り合うトランジスタ部７０のそれぞれから、当該ダイオード部８０にわたって設けられる。
　距離Ｄは、Ｙ軸方向において、Ｙ軸正側の下面側ライフタイム制御領域７４－４の端部Ｋｌｂ４と、Ｙ軸負側の下面側ライフタイム制御領域７４－４の端部Ｋｒｂ４との間の距離である。距離Ｄがダイオード部８０の幅ＷＦに占める割合は、９５％以上９９％以下であってよい。
　本例において、上面側ライフタイム制御領域７２は、Ｙ軸正側のトランジスタ部７０からダイオード部８０を経て、Ｙ軸負側のトランジスタ部７０まで設けられる。長さＬｓは、端部Ｋｌｓと端部Ｋｒｓとの間の長さである。長さＬｓは、半導体基板１０の厚さＴよりも大きくてよい。長さＬｓを厚さＴよりも大きくすることで、ドリフト領域１８に生じた正孔が、電子と再結合しやすくなる。このため、本例の半導体装置１００は、トランジスタ部７０のスイッチング損失を抑制できる。
　図１５は、図１２におけるｇ－ｇ'断面の他の一例を示す図である。本例の半導体装置１００は、下面側ライフタイム制御領域７４－１から下面側ライフタイム制御領域７４－４が、ダイオード部８０においてＹ軸方向における全体に設けられている点で、図１４の半導体装置１００と異なる。ダイオード部８０において、ＦＷＤの特性は、下面側ライフタイム制御領域７４に影響されにくい。このため、下面側ライフタイム制御領域７４－１から下面側ライフタイム制御領域７４－４は、ダイオード部８０のＹ軸方向における全体に設けられてもよい。
　図１６は、図１２におけるｇ－ｇ'断面の他の一例を示す図である。図１６の半導体装置１００は、トランジスタ部７０とダイオード部８０との境界における下面側ライフタイム制御領域７４－１から下面側ライフタイム制御領域７４－４のライフタイムキラー濃度が、当該境界以外における下面側ライフタイム制御領域７４－１から下面側ライフタイム制御領域７４－４のライフタイムキラー濃度よりも高い点で、図１５の半導体装置１００と異なる。
　図１６において、トランジスタ部７０とダイオード部８０との境界を領域Ｕおよび領域Ｕ'で示している。本例においては、領域Ｕおよび領域Ｕ'における下面側ライフタイム制御領域７４－１から下面側ライフタイム制御領域７４－４のライフタイムキラー濃度が、領域Ｕおよび領域Ｕ'以外よりも高い。このため、本例の半導体装置１００は、図１５の半導体装置１００よりも、ダイオード部８０の動作時に、トランジスタ部７０のエミッタ領域１２からダイオード部８０のカソード領域８２への正孔の注入を、より抑制できる。このため、本例の半導体装置１００は、ダイオード部８０の逆回復特性を、より改善できる。なお、Ｙ軸方向における領域Ｕおよび領域Ｕ'以外の領域において、ダイオード部８０の下面側ライフタイム制御領域７４－１から下面側ライフタイム制御領域７４－４が部分的に設けられない領域があってもよい。
　図１７は、図１５のｈ－ｈ'線および図１６のｊ－ｊ'線に沿った、下面側ライフタイム制御領域７４－４のＹ軸方向におけるライフタイムキラー濃度分布の一例を示す図である。本例において、ｊ－ｊ'断面における下面側ライフタイム制御領域７４－４のライフタイムキラー濃度は、領域Ｕおよび領域Ｕ'において局所的に高い。領域Ｕおよび領域Ｕ'において、ｊ－ｊ'断面における下面側ライフタイム制御領域７４－４のライフタイムキラー濃度は、ｈ－ｈ'断面における下面側ライフタイム制御領域７４－４のライフタイムキラー濃度の２倍から５倍高くてよい。
　本例の半導体装置１００は、下面側ライフタイム制御領域７４のライフタイムキラー濃度が、領域Ｕおよび領域Ｕ'において局所的に高い。このため、本例の半導体装置１００は、図１５の例と比較して、ダイオード部８０の動作時にトランジスタ部７０のエミッタ領域１２からダイオード部８０への正孔の注入を、より抑制できる。このため、本例の半導体装置１００は、図１５の例と比較して、ダイオード部８０の逆回復特性を、より改善できる。
　なお、領域Ｕおよび領域Ｕ'における下面側ライフタイム制御領域７４－１のライフタイムキラー濃度は、相互に異なっていてもよい。また、下面側ライフタイム制御領域７４－１から下面側ライフタイム制御領域７４－４のうちのいずれかのライフタイムキラー濃度が、領域Ｕおよび領域Ｕ'において局所的に高くてもよい。
　図１８は、本実施形態に係る他の半導体装置２００の上面の一例を部分的に示す図である。図１８に示す半導体装置２００は、ダイオード部８０の上面２１よりも下方に、第２導電型のフローティング領域１７が設けられる点で、図１に示す半導体装置１００と異なる。フローティング領域１７は、一例としてＰ＋型である。
　フローティング領域１７は、図１８に示す通り、半導体基板１０の上面視で、カソード領域８２のＸ軸負側の端から、Ｘ軸正側に所定の距離をおいて設けられてよい。フローティング領域１７は、半導体基板１０の上面視で、カソード領域８２のＹ軸正側の端から、Ｙ軸負側に所定の距離をおいて設けられてよい。
　フローティング領域１７は、半導体基板１０の上面視で、Ｙ軸方向に複数設けられてよい。フローティング領域１７は、図１８において、Ｘ軸方向には１つを図示しているが、カソード領域８２のＸ軸負側の端に隣り合う領域から、Ｘ軸正側の端に隣り合う領域まで、Ｘ軸方向に複数設けられてよい。フローティング領域１７は、上面視でカソード領域８２の内側に設けられてよい。
　図１９は、図１８における領域Ｇの拡大図である。図１９に示す通り、幅Ｗｆｌ１は、フローティング領域１７のＹ軸方向の幅である、幅Ｗｆｌ２は、フローティング領域１７のＸ軸方向の幅である。幅Ｗｆｆ１は、フローティング領域１７と、当該フローティング領域にＹ軸方向で隣り合う他のフローティング領域１７との間隔である。また、幅Ｗｍは、ダイオードメサ部６４のメサ幅である。なお、図１９に示すフローティング領域１７のＸ軸正側にも、当該フローティング領域１７に隣り合って、他のフローティング領域１７が所定の間隔をおいて複数設けられてよい。
　幅Ｗｆｌ１は、幅Ｗｍよりも小さくてよい。幅Ｗｆｌ２は、幅Ｗｍよりも小さくてよい。幅Ｗｆｆ１は、幅Ｗｆｌ１よりも小さくてよい。幅Ｗｆｆ１は、幅Ｗｆｌ２よりも小さくてよい。
　図２０は、図１８におけるｑ－ｑ'断面の一例を示す図である。図２０に示すように、本例の半導体装置２００は、ダイオード部８０において、下面２３側にフローティング領域１７が設けられる。フローティング領域１７は、バッファ領域２０の上方に設けられてよい。また、フローティング領域１７は、バッファ領域２０に接して設けられてよい。
　フローティング領域１７は、電気的にフローティング状態の領域である。電気的にフローティング状態とは、コレクタ電極２４およびエミッタ電極５２のいずれにも電気的に接続されていない状態を指す。
　フローティング領域１７は、Ｙ軸方向に複数設けられてよい。また、フローティング領域１７は、図２０に示すフローティング領域１７のＸ軸正側にも、複数設けられてよい。Ｚ軸方向において、フローティング領域１７は、下面側ライフタイム制御領域７４よりも下面２３側に設けられてよい。フローティング領域１７の少なくとも一部は、上面視で、ダイオード部８０の一部に設けられる下面側ライフタイム制御領域７４と重なってよい。図２０は、Ｙ軸方向において最も正側に設けられるフローティング領域１７が、上面視で下面側ライフタイム制御領域７４と重なる一例を示しているが、当該フローティング領域１７の少なくとも一部が、上面視で下面側ライフタイム制御領域７４と重なっていてもよい。
　上面視で、少なくとも一つのフローティング領域１７は、Ｙ軸方向において下面側ライフタイム制御領域７４と重ならなくてよい。図２０は、Ｙ軸方向において最も正側に設けられるフローティング領域１７を除くフローティング領域１７が、Ｙ軸方向において下面側ライフタイム制御領域７４と重ならない一例を示している。
　距離Ｄｓは、上面側ライフタイム制御領域７２の上面２１からのＺ軸方向における距離である。距離Ｄｂは、下面側ライフタイム制御領域７４の下面２３からのＺ軸方向における距離である。距離Ｄｓおよび距離Ｄｂは、共に半導体基板１０の厚さＴの１／２よりも小さくてよい。距離Ｄｂは、距離Ｄｓよりも小さくてよい。距離Ｄｓは、１０μｍ以上３０μｍ以下であってよい。距離Ｄｓは、一例として１７μｍである。距離Ｄｂは、５μｍ以上２０μｍ以下であってよい。距離Ｄｂは、一例として１０μｍである。
　図２１は、図２０に示すｑ－ｑ'断面図を、ダイオード部８０のＹ軸負側で隣り合うトランジスタ部７０まで含めて示す図である。本例の半導体装置２００は、ダイオード部８０において、フローティング領域１７がＹ軸方向に間隔Ｗｆｆ１をおいて複数設けられる。Ｙ軸方向において最も正側に設けられるフローティング領域１７は、当該ダイオード部８０にＹ軸正側で隣り合うトランジスタ部７０との境界に隣り合って設けられてよい。Ｙ軸方向において最も負側に設けられるフローティング領域１７は、当該ダイオード部８０にＹ軸負側で隣り合うトランジスタ部７０との境界に隣り合って設けられてよい。
　本例の半導体装置２００は、ダイオード部８０にフローティング領域１７が設けられるので、カソード領域８２からの電子の注入を抑制できる。このため、本例の半導体装置２００は、ダイオード部８０のサージ電圧を抑制できる。
　Ｙ軸方向において最も正側に設けられるフローティング領域１７から、最も負側に設けられるフローティング領域１７までの、各フローティング領域１７の幅Ｗｆｌ１の総和は、ダイオード部８０のＹ軸方向の幅ＷＦよりも小さくてよい。即ち、フローティング領域１７は、カソード領域８２の上方において、カソード領域８２の一部を覆っていてよい。言い換えると、カソード領域８２のＹ軸方向における一部分は、フローティング領域１７に覆われなくてよい。本例に半導体装置２００は、カソード領域８２のＹ軸方向における一部分がフローティング領域１７に覆われないので、ダイオード部８０がダイオード動作できる。
　Ｙ軸方向において最も正側に設けられるフローティング領域１７から、最も負側に設けられるフローティング領域１７までの、各フローティング領域１７の幅Ｗｆｌ１の総和は、ダイオード部８０のＹ軸方向の幅ＷＦの６５％以上９５％以下であってよい。より好ましくは、当該総和は、幅ＷＦの７５％以上８５％以下であってよい。本例の半導体装置２００は、当該総和を幅ＷＦの６５％以上９５％以下としているので、ダイオード部８０のサージ電圧を抑制しつつ、ダイオード部８０がダイオード動作できる。
　距離Ｄは、Ｙ軸正側の下面側ライフタイム制御領域７４のＹ軸負側の端部から、Ｙ軸負側の下面側ライフタイム制御領域７４のＹ軸正側の端部までの距離である。即ち、距離Ｄは、ダイオード部８０において、下面側ライフタイム制御領域７４が設けられない領域のＹ軸方向における幅である。距離Ｄは、Ｙ軸方向において最も正側に設けられるフローティング領域１７から、最も負側に設けられるフローティング領域１７までの、各フローティング領域１７の幅Ｗｆｌ１の総和よりも大きくてよい。
　距離Ｄは、ダイオード部８０のＹ軸方向の幅ＷＦの９５％以上９９％以下であってよい。より好ましくは、距離Ｄは、幅ＷＦの９６％以上９８％以下であってよい。即ち、下面側ライフタイム制御領域７４が設けられる領域は、Ｙ軸方向において、幅ＷＦの１％以上５％以下であってよく、より好ましくは２％以上４％以下であってよい。本例の半導体装置２００は、ダイオード部８０にフローティング領域１７が設けられるので、ダイオード部８０において、半導体基板１０の深さ方向におけるキャリア分布を調整できる。
　また、本例の半導体装置２００は、トランジスタ部７０に下面側ライフタイム制御領域７４が設けられるので、ドリフト領域１８に生じた少数キャリアの正孔が、短いライフタイムで多数キャリアの電子と相殺しやすくなる。このため、本例の半導体装置２００は、トランジスタ部７０のリーク電流特性を改善できる。また、本例の半導体装置２００は、トランジスタ部７０のオン電圧とターンオフ損失のトレードオフを良好にできる。
　図２２は、本実施形態に係る半導体チップ１２０の上面の一例を示す図である。図２２に示すように、本例の半導体チップ１２０は、トランジスタ部７０およびダイオード部８０が、ＸＹ面内において交互に周期的に配列されている。図２２は、トランジスタ部７０がＸ軸方向に３つ、Ｙ軸方向に７つ設けられ、ダイオード部８０がＸ軸方向に３つ、Ｙ軸方向に６つ設けられる一例を示している。
　Ｘ軸方向に同じ位置を有するトランジスタ部７０およびダイオード部８０と、当該トランジスタ部７０および当該ダイオード部のＸ軸正側または負側で隣り合う、別のトランジスタ部７０およびダイオード部８０との間には、分割部４６が設けられてよい。分割部４６には、トランジスタ部７０にゲート電圧を供給するゲートランナー４８が設けられてよい。
　幅ＷＩは、トランジスタ部７０のＹ軸方向における幅である。幅ＷＦはダイオード部８０のＹ軸方向における幅である。幅Ｗｈは、後述するように、Ｘ軸正側のウェル領域１１の端部から、Ｘ軸負側のウェル領域１１の端部までの幅である。当該幅は、ベース領域１４が半導体基板１０の上面２１側に設けられ、且つウェル領域１１が設けられていない部分の幅に等しい。
　トランジスタ部７０において、幅Ｗｈで示される領域には、上面２１に露出してコンタクト領域１５およびエミッタ領域１２が設けられる。ダイオード部８０において、幅Ｗｈで示される領域には、上面２１に露出してコンタクト領域１５およびベース領域１４が設けられる。
　半導体チップ１２０の外周縁と、トランジスタ部７０およびダイオード部８０の間には、エッジ終端部があってよい。また、エッジ終端部とトランジスタ部７０およびダイオード部８０の間には、ゲート金属層５０と、ゲート金属層５０が集約されたゲートパッド部（不図示）、または他の所定のパッド部があってよい。トランジスタ部７０およびダイオード部８０の配列方向（Ｙ軸方向）において、外周側の両端にはトランジスタ部７０が配置されてよい。当該トランジスタ部７０は、エッジ終端部と対向していてよい。
　本例の半導体チップ１２０には、上面側ライフタイム制御領域７２および下面側ライフタイム制御領域７４が設けられる。図２２において、上面視で上面側ライフタイム制御領域７２および下面側ライフタイム制御領域７４が設けられる範囲を、それぞれ斜線部で示している。上面側ライフタイム制御領域７２および下面側ライフタイム制御領域７４は、Ｘ軸正側のエッジ終端部からＸ軸負側のエッジ終端部まで、分割部４６をまたいでＸ軸方向に連続して設けられてよい。
　上面側ライフタイム制御領域７２は、ダイオード部８０のＹ軸正側で隣り合うトランジスタ部７０のＹ軸方向における一部から、当該ダイオード部８０のＹ軸負側で隣り合うトランジスタ部７０のＹ軸方向における一部まで、Ｙ軸方向に連続して設けられてよい。即ち、上面側ライフタイム制御領域７２は、ダイオード部８０のＹ軸方向における全体を覆うように、当該ダイオード部８０のＹ軸正側で隣り合うトランジスタ部７０から、Ｙ軸負側で隣り合うトランジスタ部７０まで、Ｙ軸方向に連続して設けられてよい。トランジスタ部７０のＹ軸方向における中央部には、上面側ライフタイム制御領域７２が設けられなくてよい。
　下面側ライフタイム制御領域７４は、トランジスタ部７０のうちダイオード部８０に隣り合う領域から、当該ダイオード部８０のうち当該トランジスタ部７０に隣り合う領域まで、Ｙ軸方向に連続して設けられてよい。即ち、下面側ライフタイム制御領域７４は、トランジスタ部７０とダイオード部８０との境界をまたいで、当該トランジスタ部７０から当該ダイオード部８０にわたって、Ｙ軸方向に連続して設けられてよい。
　ダイオード部８０のＹ軸方向における中央部には、下面側ライフタイムキラーが設けられなくてよい。上面視で、ダイオード部８０にＹ軸正側で隣り合うトランジスタ部７０との境界と重なる領域に設けられる下面側ライフタイム制御領域７４と、Ｙ軸負側で隣り合うトランジスタ部７０との境界と重なる領域に設けられる下面側ライフタイム制御領域７４は、それぞれ別の下面側ライフタイム制御領域７４であってよい。
　図２３は、図２２における領域Ａ１の拡大図である。図２３は、ダイオード部８０におけるカソード領域８２およびフローティング領域１７の構成を示す図である。図２３においては、ダイオード部８０およびトランジスタ部７０に設けられるゲートトレンチ部４０およびダミートレンチ部３０等、カソード領域８２およびフローティング領域１７以外の構成を省略して示している。
　本例の半導体装置３００は、ダイオード部８０において、カソード領域８２のＸＹ平面内における内側に、フローティング領域１７がＸ軸方向に１０個、Ｙ軸方向に２個設けられる。また、本例の半導体装置３００は、ダイオード部８０およびトランジスタ部７０のＸ軸正側に、Ｐ＋型のウェル領域１１の端部Ｓが設けられる。また、本例の半導体装置３００は、ダイオード部８０およびトランジスタ部７０のＸ軸負側に、Ｐ＋型のウェル領域１１の端部Ｓ'が設けられる。本例において、ウェル領域１１はトランジスタ部７０とダイオード部８０が交互に配置された領域の外側に設けられている。言い換えると、本例においては、端部Ｓよりもトランジスタ部７０およびダイオード部８０の内部の領域にはウェル領域１１が設けられていない。
　カソード領域８２と、コンタクトホール５４、ダミートレンチ部３０、および、コンタクトホール５４のＸ軸方向における端部に設けられたコンタクト領域１５等、カソード領域８２以外の構成との位置関係は、図１および図１８に示した上面図における位置関係と等しくてよい。
　本例の半導体装置３００は、ダイオード部８０のＹ軸正側およびＹ軸負側の双方に、当該ダイオード部８０と隣り合ってトランジスタ部７０が設けられる。トランジスタ部７０のＹ軸方向の幅ＷＩは、ダイオード部８０のＹ軸方向の幅ＷＦよりも大きくてよい。幅ＷＩは、幅ＷＦの２倍以上５倍以下であってよい。幅ＷＩは、１２００μｍ以上２０００μｍ以下であってよい。幅ＷＩは、一例として１５００μｍである。幅ＷＦは、４００μｍ以上６００μｍ以下であってよい。幅ＷＦは、一例として５００μｍである。
　また、Ｘ軸正側のウェル領域１１の端部Ｓから、Ｘ軸負側のウェル領域１１の端部Ｓ'までの幅Ｗｈは、幅ＷＩより大きくてよい。幅Ｗｈは、幅ＷＩの１．５倍以上３倍以下であってよい。幅Ｗｈは、３０００μｍ以上３６００μｍ以下であってよい。幅Ｗｈは、一例として３１００μｍである。
　幅Ｗｈは、幅ＷＩと幅ＷＦの和よりも大きくてよい。本例の半導体装置３００は、幅Ｗｈが幅ＷＩと幅ＷＦの和よりも大きいので、トランジスタ部７０がオン状態となる場合、またはダイオード部８０が導通状態となる場合に、スナップバック現象を抑制できる。スナップバック現象とは、コレクタ電極２４とエミッタ電極５２との間に流れる電流の増加に対して、コレクタ電極２４とエミッタ電極５２との間の電圧が急に減少する現象である。
　本例の半導体装置３００は、上面側ライフタイム制御領域７２が、ダイオード部８０のＹ軸正側で隣り合うトランジスタ部７０のＹ軸方向における一部から、当該ダイオード部８０のＹ軸負側で隣り合うトランジスタ部７０のＹ軸方向における一部まで、Ｙ軸方向に連続して設けられる。上面側ライフタイム制御領域７２は、トランジスタ部７０およびダイオード部８０のＸ軸正側に設けられるウェル領域１１からＸ軸負側に設けられるウェル領域１１まで、Ｘ軸方向に連続して設けられてよい。図２３において、上面側ライフタイム制御領域が設けられる領域を斜線部で示している。上面側ライフタイム制御領域７２は、トランジスタ部７０のＹ軸方向における一部には設けられなくてよい。
　長さＬｓは、上面側ライフタイム制御領域７２のＹ軸方向における長さである。距離Ｂは、ダイオード部８０にＹ軸正側で隣り合うトランジスタ部７０との境界から、上面側ライフタイム制御領域７２のＹ軸正側の端までの距離である。また、距離Ｂは、ダイオード部８０にＹ軸負側で隣り合うトランジスタ部７０との境界から、上面側ライフタイム制御領域７２のＹ軸負側の端までの距離である。
　本例の半導体装置３００は、下面側ライフタイム制御領域７４が、トランジスタ部７０のうちダイオード部８０に隣り合う領域から、当該ダイオード部８０のうち当該トランジスタ部７０に隣り合う領域まで、Ｙ軸方向に連続して設けられる。即ち、本例において、下面側ライフタイム制御領域７４は、トランジスタ部７０とダイオード部８０との境界をまたいで、当該トランジスタ部７０から当該ダイオード部８０にわたって、Ｙ軸方向に連続して設けられる。長さＬｂは、下面側ライフタイム制御領域７４のＹ軸方向における長さである。
　本例の半導体装置３００は、ダイオード部８０のＹ軸方向における中央部に下面側ライフタイムキラーが設けられない。また、本例においては、半導体基板１０の上面視で、ダイオード部８０にＹ軸正側で隣り合うトランジスタ部７０との境界と重なる領域と、Ｙ軸負側で隣り合うトランジスタ部７０との境界と重なる領域とには、それぞれ別の下面側ライフタイム制御領域７４が設けられる。
　下面側ライフタイム制御領域７４は、上面視で、フローティング領域１７のうち、トランジスタ部７０とダイオード部８０との境界側のＹ軸方向における一部と重なるように設けられてよい。距離Ｃは、ダイオード部８０のＹ軸正側で隣り合うトランジスタ部７０との境界から、下面側ライフタイム制御領域７４のＹ軸負側の端までの距離である。また、距離Ｃは、ダイオード部８０のＹ軸負側で隣り合うトランジスタ部７０との境界から、下面側ライフタイム制御領域７４のＹ軸正側の端までの距離である。
　距離Ｄは、Ｙ軸正側の下面側ライフタイム制御領域７４のＹ軸負側の端から、Ｙ軸負側の下面側ライフタイム制御領域７４のＹ軸正側の端までの、Ｙ軸方向における距離である。距離Ａは、Ｙ軸正側の下面側ライフタイム制御領域７４のＹ軸正側の端から、上面側ライフタイム制御領域７２のＹ軸正側の端までの、Ｙ軸方向における距離である。
　距離Ａは、距離Ｂよりも小さくてよい。即ち、トランジスタ部７０において、下面側ライフタイム制御領域７４は、上面側ライフタイム制御領域７２よりもダイオード部８０側に配置されてよい。本例の半導体装置３００は、距離Ａが距離Ｂよりも小さいので、ダイオード部８０の動作時に、トランジスタ部７０のエミッタ領域１２からダイオード部８０のカソード領域８２への正孔の注入を抑制できる。このため、本例の半導体装置３００は、ダイオード部８０の逆回復特性を改善できる。なお、距離Ａは、距離Ｂの０．２５倍以上０．５倍以下であってよい。また、距離Ａは、５０μｍ以上１００μｍ以下であってよい。
　長さＬｂは、距離Ｃよりも長くてよい。即ち、トランジスタ部７０とダイオード部８０との境界からダイオード部８０側に設けられる下面側ライフタイム制御領域７４よりも、当該境界からトランジスタ部７０側に設けられる下面側ライフタイム制御領域７４の方が、Ｙ軸方向に長くてよい。本例の半導体装置３００は、長さＬｂが距離Ｃよりも長いので、ダイオード部８０の動作時に、トランジスタ部７０のエミッタ領域１２からダイオード部８０のカソード領域８２への正孔の注入を抑制できる。このため、本例の半導体装置３００は、ダイオード部８０の逆回復特性を改善できる。
　図２４は、図２３における領域Ｂ１の拡大図である。図２４は、図２３におけるダイオード部８０のＸ軸正側のウェル領域１１の端ＳからＸ軸負側のウェル領域１１の端Ｓ'までを、拡大して示している。本例の半導体装置３００は、ダイオード部８０において、カソード領域８２のＸＹ平面内における内側に、フローティング領域１７が、Ｘ軸方向に１０個、Ｙ軸方向に２個設けられる。
　幅Ｗｗｃは、Ｘ軸正側のウェル領域１１の端部Ｓからカソード領域８２のＸ軸正側の端までのＸ軸方向における幅である。また、幅Ｗｗｃは、Ｘ軸負側のウェル領域１１の端部Ｓ'からカソード領域８２のＸ軸負側の端までのＸ軸方向における幅である。
　幅Ｗｗｃは、ダイオード部８０の幅ＷＦよりも小さくてよい。幅Ｗｗｃは、幅ＷＦの０．２５倍以上０．７５倍以下であってよい。幅Ｗｗｃは、１５０μｍ以上３００μｍ以下であってよい。幅Ｗｗｃは、一例として２５０μｍである。
　コンタクトホール５４は、Ｙ軸方向に複数並んで設けられる。図２４においては、コンタクトホール５４は１つが図示されているが、実際には、図１および図１８に示した上面図から明らかなように、Ｘ軸方向における位置が当該コンタクトホール５４の端部Ｔの位置に等しく、且つ、当該コンタクトホール５４の端部Ｔ'の位置に等しいコンタクトホール５４が、Ｙ軸方向に複数設けられている。
　幅Ｗｗｃａは、ウェル領域１１のＸ軸正側の端部Ｓと、コンタクトホール５４のＸ軸正側の端部Ｔとの間のＸ軸方向における幅である。また、幅Ｗｗｃａは、ウェル領域１１のＸ軸負側の端部Ｓ'と、コンタクトホール５４のＸ軸負側の端部Ｔ'との間のＸ軸方向における幅である。
　本例において、コンタクトホール５４のＸ軸正側の端部Ｔは、ウェル領域１１のＸ軸正側の端部ＳからＸ軸負側に、幅Ｗｗｃａ離れて設けられている。また、コンタクトホール５４のＸ軸負側の端部Ｔ'は、ウェル領域１１のＸ軸負側の端部Ｓ'からＸ軸正側に、幅Ｗｗｃａ離れて設けられている。コンタクトホール５４は、端部Ｔから端部Ｔ'まで、Ｘ軸方向に連続して設けられてよい。
　幅Ｗｗｃｂは、コンタクトホール５４の端部Ｔとカソード領域８２のＸ軸正側の端との間のＸ軸方向における幅である。また、幅Ｗｗｃｂは、コンタクトホール５４の端部Ｔ'とカソード領域８２のＸ軸負側の端との間のＸ軸方向における幅である。
　幅Ｗｗｃａは、幅Ｗｗｃｂよりも小さくてよい。幅Ｗｗｃａは、幅Ｗｗｃｂの０．１倍以上０．９倍以下であってよい。幅Ｗｗｃａは、２０μｍ以上１１０μｍ以下であってよい。幅Ｗｗｃｂは、１２０μｍ以上１８０μｍ以下であってよい。幅Ｗｗｃａは、一例として１００μｍである。幅Ｗｗｃｂは、一例として１５０μｍである。幅Ｗｗｃａと幅Ｗｗｃｂの和は、幅Ｗｗｃである。
　本例において、カソード領域８２のＸＹ平面内における内側には、フローティング領域１７が設けられる。フローティング領域１７は、コレクタ電極２４およびエミッタ電極５２のいずれにも電気的に接続されない。
　本例において、フローティング領域１７は、ＸＹ平面内において格子状に設けられる。格子状とは、フローティング領域１７がＸ軸方向およびＹ軸方向の双方に、周期的に配列されている状態を指す。本例において、フローティング領域１７はＹ軸方向に２つ設けられ、Ｘ軸方向に１０個設けられる。
　開口領域８５は、Ｘ軸方向に隣り合って設けられる２つのフローティング領域１７のＸ軸方向における間の領域である。また、開口領域８５は、Ｙ軸方向に隣り合って設けられる２つのフローティング領域１７のＹ軸方向における間の領域である。本例において、フローティング領域１７は、カソード領域８２のＸ軸負側からＸ軸正側にわたって、開口領域８５を挟んで１０個設けられる。
　幅Ｗｆｆ２は、開口領域８５のＸ軸方向における幅である。幅Ｗｆｆ２は、フローティング領域１７のＸ軸方向における幅Ｗｆｌ２よりも小さい。幅Ｗｆｆ２は、ダイオード部８０の幅ＷＦより小さくてよい。幅Ｗｆｆ２は、幅ＷＦの０．０１倍以上０．０５倍以下であってよい。幅Ｗｆｆ２は、６μｍ以上２０μｍ以下であってよい。幅Ｗｆｆ２は、一例として１０μｍである。
　フローティング領域１７のＸ軸方向における幅Ｗｆｌ２は、ダイオード部８０の幅ＷＦより小さくてよい。幅Ｗｆｌ２は、幅ＷＦの０．２５倍以上０．７５倍以下であってよい。幅Ｗｆｌ２は、１５０μｍ以上３００μｍ以下であってよい。幅Ｗｆｌ２は、一例として２４０μｍである。
　フローティング領域１７のＹ軸方向における幅Ｗｆｌ１は、ダイオード部８０の幅ＷＦより小さくてよい。幅Ｗｆｌ１は、幅ＷＦの０．２５倍以上０．７５倍以下であってよい。幅Ｗｆｌ１は、１５０μｍ以上３００μｍ以下であってよい。幅Ｗｆｌ１は、幅Ｗｆｌ２と等しくてもよいし、異なっていてもよい。幅Ｗｆｌ１は、一例として２４０μｍである。
　幅Ｗｃｆ２は、カソード領域８２のＸ軸正側の端と、Ｘ軸方向の最も正側に配置されるフローティング領域１７のＸ軸正側の端との間のＸ軸方向における幅である。幅Ｗｃｆ２は、幅Ｗｆｆ２よりも小さくてよい。幅Ｗｃｆ２は、幅Ｗｆｆ２の０．１倍以上０．９倍以下であってよい。幅Ｗｃｆ２は、ゼロでなければよい。幅Ｗｃｆ２は、２μｍ以上６μｍ以下であってよい。幅Ｗｃｆ２は、一例として５μｍである。なお、カソード領域８２のＸ軸負側の端と、Ｘ軸方向の最も負側に配置されるフローティング領域１７のＸ軸負側の端との間のＸ軸方向における幅も、幅Ｗｃｆ２に等しくてよい。
　本例の半導体装置３００において、フローティング領域１７は、Ｙ軸方向に開口領域８５を挟んで２つ設けられる。ここで、幅Ｗｆｆ１は、開口領域８５のＹ軸方向における幅である。幅Ｗｆｆ１は、幅Ｗｆｌ１よりも小さくてよい。幅Ｗｆｆ１は、ダイオード部８０の幅ＷＦよりも小さくてよい。幅Ｗｆｆ１は、ダイオード部８０の幅ＷＦの０．０１倍以上０．０５倍以下であってよい。幅Ｗｆｆ１は、６μｍ以上２０μｍ以下であってよい。幅Ｗｆｆ１は、幅Ｗｆｆ２と等しくてもよいし、異なっていてもよい。幅Ｗｆｆ１は、一例として１０μｍである。
　カソード領域８２の内側に配置される複数のフローティング領域１７のＸＹ平面内における面積の合計は、当該カソード領域８２のＸＹ平面内における面積よりも小さくてよい。当該複数のフローティング領域１７のＸＹ平面内における面積の合計は、当該カソード領域８２のＸＹ平面内における面積の５０％以上９９％以下であってよい。一例として、Ｗｈが３１００μｍ、Ｗｗｃが２５０μｍ、Ｗｆｌ２およびＷｆｌ１が２４０μｍ、Ｗｃｆ２およびＷｃｆ１が５μｍ、並びにＷｆｆ２およびＷｆｆ１が１０μｍの場合、ＸＹ平面内において、カソード領域８２の面積に占める複数のフローティング領域１７の面積の合計は、８８．６％となる。即ち、カソード領域８２の一部分は、フローティング領域１７に覆われなくてよい。本例の半導体装置３００は、カソード領域８２の一部分がフローティング領域１７に覆われないので、ダイオード部８０がダイオード動作できる。
　幅Ｗｃｆ１は、カソード領域８２のＹ軸正側の端から、Ｙ軸正側のフローティング領域１７のＹ軸正側の端までの幅である。また、幅Ｗｃｆ１は、カソード領域８２のＹ軸負側の端から、Ｙ軸負側のフローティング領域１７のＹ軸負側の端までの幅である。
　幅Ｗｃｆ１は、ダイオード部８０の幅ＷＦより小さくてよい。幅Ｗｃｆ１は、幅ＷＦの０．０１倍以上０．０５倍以下であってよい。幅Ｗｃｆ１は、ゼロでなければよい。また、幅Ｗｃｆ１は、幅Ｗｃｆ２と等しくてもよいし、異なっていてもよい。幅Ｗｃｆ１は、２μｍ以上６μｍ以下であってよい。幅Ｗｃｆ１は、一例として５μｍである。
　幅Ｗｃｎｔは、コンタクトホール５４の配列方向（Ｙ軸方向）の幅である。幅Ｗｃｎｔは、Ｗｆｆ２より小さくてよい。本例において幅Ｗｃｎｔは、Ｗｆｆ１より小さくてよい。本例において幅Ｗｃｎｔは、Ｗｃｆ２より小さくてよい。本例において幅Ｗｃｎｔは、Ｗｃｆ１より小さくてよい。幅Ｗｃｎｔは、０．３μｍ以上０．７μｍ以下であってよい。幅Ｗｃｎｔは、一例として０．５μｍである。
　本例において、上面側ライフタイム制御領域７２は、上面視で領域Ｂ１の全面に設けられる。本例において、下面側ライフタイム制御領域７４は、Ｘ軸方向における領域ＢのＸ軸正側から負側まで、連続して設けられる。本例において、下面側ライフタイム制御領域７４は、上面視でダイオード部８０にＹ軸正側で隣り合うトランジスタ部７０との境界と重なる領域と、Ｙ軸負側で隣り合うトランジスタ部７０との境界と重なる領域とに、それぞれ設けられる。本例において、ダイオード部８０のＹ軸方向における中央部には、下面側ライフタイム制御領域７４が設けられない。
　距離Ｃは、ダイオード部８０のＹ軸正側で隣り合うトランジスタ部７０との境界から、下面側ライフタイム制御領域７４のＹ軸負側の端までの距離である。また、距離Ｃは、ダイオード部８０のＹ軸負側で隣り合うトランジスタ部７０との境界から、下面側ライフタイム制御領域７４のＹ軸正側の端までの距離である。距離Ｄは、Ｙ軸正側の下面側ライフタイム制御領域７４のＹ軸負側の端から、Ｙ軸負側の下面側ライフタイム制御領域７４のＹ軸正側の端までの、Ｙ軸方向における距離である。即ち、距離Ｄは、Ｙ軸方向において、下面側ライフタイム制御領域７４が設けられない領域の幅である。
　図２５は、図２４における領域Ｂ２の拡大図である。本例において、幅Ｗｃｆ２は、カソード領域８２のＸ軸正側の端と、Ｘ軸方向において最も正側に配置されるフローティング領域１７のＸ軸正側の端との間のＸ軸方向における幅である。また、幅Ｗｃｆ１は、カソード領域８２のＹ軸正側の端と、Ｙ軸正側のフローティング領域１７のＹ軸正側の端との間のＹ軸方向における幅である。幅Ｗｃｆ１は、一例として５μｍである。
　幅Ｗｆｆ２は、開口領域８５のＸ軸方向における幅である。幅Ｗｆｌ２は、フローティング領域１７のＸ軸方向における幅である。幅Ｗｃｆ２は、幅Ｗｆｌ２よりも小さくてよい。本例の半導体装置３００は、幅Ｗｃｆ２が幅Ｗｆｌ２よりも小さいので、ダイオード部８０の端部において、カソード領域８２からの電子の注入を抑制できる。距離Ｃは、ダイオード部８０にＹ軸正側で隣り合うトランジスタ部７０との境界と、下面側ライフタイム制御領域７４のＹ軸負側の端との間のＹ軸方向における距離である。
　図２６は、図２４におけるｈ－ｈ'断面の一例を示す図である。ダイオード部８０においては、上面２１に設けられるベース領域１４の下方に、第１導電型の高濃度領域１９が設けられてよい。本例の高濃度領域１９は、一例としてＮ＋型である。ダイオード部８０には、高濃度領域１９が設けられなくてもよい。
　高濃度領域１９は、Ｚ軸方向に複数設けられてもよい。本例においては、高濃度領域１９が２つ、即ち、高濃度領域１９－１および高濃度領域１９－２が設けられている。Ｚ軸方向において、高濃度領域１９－１と高濃度領域１９－２の間には、Ｎ型の領域が設けられる。当該Ｎ型の領域におけるドーピング濃度は、高濃度領域１９－１および高濃度領域１９－２よりも低濃度であってよい。当該Ｎ型の領域におけるドーピング濃度は、ドリフト領域１８のドーピング濃度と等しいか、またはドリフト領域１８のドーピング濃度よりも高濃度であってよい。
　高濃度領域１９においては、ドリフト領域１８と比べて、電荷中性条件により正孔の濃度が減少する。即ち、高濃度領域１９が、ベース領域１４からドリフト領域１８への正孔の注入を抑制する。このため、本例の半導体装置３００は、ベース領域１４からドリフト領域１８への少数キャリアの注入効率を格段に低減できる。
　少数キャリアの注入効率は、高濃度領域１９の個数が多いほど低減される。このため、高濃度領域１９の個数が多いほど、ダイオード部８０の逆回復特性、特にリカバリー電流が大きく低減される。
　本例の半導体装置３００は、ダイオード部８０において、カソード領域８２の上方に設けられたバッファ領域２０内に、フローティング領域１７が設けられる。本例において、フローティング領域１７は、ｈ－ｈ'断面において、Ｙ軸方向に２つ設けられる。
　本例においては、半導体基板１０の下面２３と平行な面内において、コレクタ領域２２とカソード領域８２との境界位置が２つ存在する。境界位置Ｐ１は、Ｙ軸正側の境界位置である。また、境界位置Ｐ１'は、Ｙ軸負側の境界位置である。境界位置Ｐ１およびＰ１'は、ｈ－ｈ'断面と平行な断面における境界位置である。本例において、ｈ－ｈ'断面は下面２３と垂直であり、且つ、ダミートレンチ部３０の配列方向と平行な面である。
　本例においては、下面２３と平行な面内において、フローティング領域１７の端部位置が２つ存在する。端部位置Ｐ２は、Ｙ軸正側に配置されるフローティング領域１７の、境界位置Ｐ１に最も近い端部のＹ軸方向における位置である。また、端部位置Ｐ２'は、Ｙ軸負側に配置されるフローティング領域１７の、境界位置Ｐ１'に最も近い端部のＹ軸方向における位置である。フローティング領域１７は、端部位置Ｐ２から端部位置Ｐ２'まで、Ｙ軸方向に複数設けられてよい。本例においては、フローティング領域１７は、端部位置Ｐ２から端部位置Ｐ２'まで、Ｙ軸方向に２つ設けられる。
　また、本例においては、Ｚ軸方向においてフローティング領域１７と略同一の深さ位置に、フローティング領域１７が設けられていない開口領域８５が存在する。開口領域８５は、Ｙ軸方向においてフローティング領域１７に挟まれた領域を指してよい。一例として、開口領域８５はＮ＋型の領域である。開口領域８５のドーピング濃度は、ドリフト領域１８またはバッファ領域２０のドーピング濃度と略同一であってよい。開口領域８５は、フローティング領域１７が形成されずに残存したドリフト領域１８またはバッファ領域２０であってよい。
　幅Ｗｃｆ１は、端部位置Ｐ１から端部位置Ｐ２までの幅である。また、幅Ｗｃｆ１は、端部位置Ｐ１'から端部位置Ｐ２'までの幅である。幅Ｗｆｆ１は、Ｙ軸方向において、開口領域８５を挟んで隣り合う２つのフローティング領域１７の間隔である。幅Ｗｃｆ１は、幅Ｗｆｆ１よりも小さくてよい。幅Ｗｃｆ１は、幅Ｗｆｆ１の半分以下であってよく、１／４以下であってもよい。幅Ｗｃｆ１は、ゼロでなければよい。本例の半導体装置３００は、幅Ｗｃｆ１が小さいので、ダイオード部８０の端部において、カソード領域８２からの電子の注入を抑制できる。
　幅Ｗｄは、フローティング領域１７のＺ軸方向の幅である。幅Ｗｄは、幅Ｗｃｆ１よりも小さくてよい。幅Ｗｄは、幅Ｗｃｆ１の０．０５倍以上０．５倍以下であってよい。幅Ｗｄは、０．３μｍ以上１μｍ以下であってよい。幅Ｗｄは、一例として０．５μｍである。
　本例の半導体装置３００は、上面２１側に上面側ライフタイム制御領域７２が設けられる。また、下面２３側に下面側ライフタイム制御領域７４が設けられる。上面側ライフタイム制御領域７２のライフタイムキラー濃度のピークは、上面２１からＺ軸負側に距離Ｄｓの位置に設けられる。下面側ライフタイム制御領域７４のライフタイムキラー濃度のピークは、下面２３からＺ軸正側に距離Ｄｂの位置に設けられる。距離Ｄｓおよび距離Ｄｂは、共に半導体基板１０の厚さＴの１／２よりも小さくてよい。距離Ｄｂは、距離Ｄｓよりも小さくてよい。距離Ｄｓは、１０μｍ以上３０μｍ以下であってよい。距離Ｄｓは、一例として１７μｍである。距離Ｄｂは、５μｍ以上２０μｍ以下であってよい。距離Ｄｂは、一例として１０μｍである。
　本例において、上面側ライフタイム制御領域７２は、ｈ－ｈ'断面においてＹ軸方向における全体に設けられる。即ち、本例において、上面側ライフタイム制御領域７２は、ダイオード部８０のＹ軸正側に隣り合うトランジスタ部７０からＹ軸正側に隣り合うトランジスタ部７０にわたって、当該ダイオード部８０を通ってＹ軸方向に連続して設けられる。
　距離Ｃは、ダイオード部８０のＹ軸正側で隣り合うトランジスタ部７０との境界から、下面側ライフタイム制御領域７４のＹ軸負側の端までのＹ軸方向における距離である。また、距離Ｃは、ダイオード部８０のＹ軸負側で隣り合うトランジスタ部７０との境界から、下面側ライフタイム制御領域７４のＹ軸正側の端までのＹ軸方向における距離である。距離Ｄは、Ｙ軸正側の下面側ライフタイム制御領域７４のＹ軸負側の端と、Ｙ軸負側の下面側ライフタイム制御領域７４のＹ軸正側の端との間のＹ軸方向における距離である。即ち、距離Ｄは、Ｙ軸方向において、下面側ライフタイム制御領域７４が設けられない領域の幅である。
　距離Ｄは、幅ＷＦの９５％以上９９％以下であってよい。より好ましくは、距離Ｄは、幅ＷＦの９８％であってよい。即ち、下面側ライフタイム制御領域７４が設けられる領域は、Ｙ軸方向において、幅ＷＦの１％以上５％以下であってよく、より好ましくは２％以上４％以下であってよい。本例の半導体装置３００は、ダイオード部８０にフローティング領域１７が設けられるので、ダイオード部８０において、半導体基板１０の深さ方向におけるキャリア分布を調整できる。
　また、本例の半導体装置３００は、トランジスタ部７０に下面側ライフタイム制御領域７４が設けられるので、ドリフト領域１８に生じた少数キャリアの正孔が、短いライフタイムで多数キャリアの電子と相殺しやすくなる。このため、本例の半導体装置３００は、トランジスタ部７０のリーク電流特性を改善できる。また、本例の半導体装置３００は、トランジスタ部７０のオン電圧とターンオフ損失のトレードオフを良好にできる。
　図２７は、図２４におけるｊ－ｊ'断面の一例を示す図である。ｊ－ｊ'断面は、図２６におけるＪ''―Ｊ'''線を通るＸＺ平面である。本例の半導体装置３００は、ダイオード部８０において、カソード領域８２の上方に設けられたバッファ領域２０内に、フローティング領域１７が設けられる。
　本例の半導体装置３００は、ｊ－ｊ'断面において、上面２１側に上面側ライフタイム制御領域７２が設けられる。当該ｊ－ｊ'断面においては、下面２３側に下面側ライフタイム制御領域７４が設けられない。
　本例においては、半導体基板１０の下面２３と平行な面内において、コレクタ領域２２とカソード領域８２との境界位置が２つ存在する。境界位置Ｐ５は、Ｘ軸負側の境界のＸ軸方向における位置である。また、境界位置Ｐ５'は、Ｘ軸正側の境界のＸ軸方向における位置である。境界位置Ｐ５およびＰ５'は、ｊ－ｊ'断面と平行な断面における境界位置である。本例において、ｊ－ｊ'断面は下面２３と垂直であり、且つ、ダミートレンチ部３０の延伸方向と平行な面である。
　本例においては、下面２３と平行な面内において、フローティング領域１７の端部位置が２つ存在する。端部位置Ｐ６は、Ｘ軸方向において最も負側に配置されるフローティング領域１７の、境界位置Ｐ５に最も近い端部のＸ軸方向における位置である。また、端部位置Ｐ６'は、Ｘ軸方向において最も正側に配置されるフローティング領域１７の、境界位置Ｐ５'に最も近い端部のＸ軸方向における位置である。
　また、本例においては、Ｚ軸方向において、フローティング領域１７と略同一深さ位置には、フローティング領域１７が設けられていない開口領域８５が存在する。開口領域８５は、Ｘ軸方向においてフローティング領域１７に挟まれた領域を指してよい。一例として、開口領域８５はＮ＋型の領域である。開口領域８５のドーピング濃度は、ドリフト領域１８またはバッファ領域２０のドーピング濃度と略同一であってよい。開口領域８５は、フローティング領域１７が形成されずに残存したドリフト領域１８またはバッファ領域２０であってよい。
　幅Ｗｆｌ２は、フローティング領域１７のＸ軸方向における幅である。幅Ｗｃｆ２は、境界位置Ｐ５と端部位置Ｐ６との間のＸ軸方向における幅である。また、幅Ｗｃｆ２は、境界位置Ｐ５'と端部位置Ｐ６'との間のＸ軸方向における幅である。また、幅Ｗｆｆ２は、Ｘ軸方向において、開口領域８５を挟んで隣り合う２つのフローティング領域１７の間隔である。幅Ｗｃｆ２は、幅Ｗｆｆ２よりも小さくてよい。本例の半導体装置３００は、ダイオード部８０において、フローティング領域１７をＸＹ平面内において格子状に設けているので、ダイオード部８０の逆回復時のサージ電圧（オーバーシュート電圧）を抑制できる。
　図２８は、図２２における領域Ａ１の他の拡大図である。本例の半導体装置３００は、図２３に示す半導体装置３００と同様に、ダイオード部８０のＹ軸正側および負側に、ダイオード部８０と隣り合ってトランジスタ部７０が設けられる。
　本例の半導体装置３００は、ダイオード部８０におけるフローティング領域１７の配置が、図２３に示す半導体装置３００と異なる。本例の半導体装置３００は、ダイオード部８０において、ＸＹ平面内におけるカソード領域８２の内側に、フローティング領域１７が、破線部で示すカソード領域８２のＹ軸正側の境界側からＹ軸負側の境界側まで、連続的に設けられる。フローティング領域１７がＹ軸方向に連続的に設けられるとは、カソード領域８２のＹ軸正側の境界側からＹ軸負側の境界側までのＹ軸方向何れの場所においても、Ｘ軸方向に、フローティング領域１７が設けられない領域が無いことを指す。
　図２９は、図２８における領域Ｃ１の拡大図である。図２９は、図２８におけるダイオード部８０のＸ軸正側のウェル領域１１の端ＳからＸ軸負側のウェル領域１１の端Ｓ'までを、拡大して示している。
　本例においては、フローティング領域１７は、ＸＹ平面内においてストライプ状に設けられる。ストライプ状とは、長方形状のフローティング領域１７が、当該長方形の短辺方向に、所定の間隔を置いて複数設けられている状態を指す。本例のフローティング領域１７は、Ｙ軸方向を長辺、Ｘ軸方向を短辺とする長方形状である。本例においては、当該フローティング領域１７が、カソード領域８２のＸ軸方向における最も負側から最も正側にわたって、Ｘ軸方向に複数設けられてい。幅Ｗｆｆ２'は、Ｘ軸方向に隣り合って設けられる２つのフローティング領域１７の間のＸ軸方向における幅である。
　幅Ｗｆｆ２'は、ダイオード部８０の幅ＷＦより小さくてよい。幅Ｗｆｆ２'は、幅ＷＦの０．０１倍以上０．０５倍以下であってよい。幅Ｗｆｆ２'は、６μｍ以上２０μｍ以下であってよい。幅Ｗｆｆ２'は、一例として１０μｍである。
　幅Ｗｆｌ２'は、フローティング領域１７のＸ軸方向の幅である。幅Ｗｆｌ２'は、ダイオード部８０の幅ＷＦよりも小さくてよい。幅Ｗｆｌ２'は、幅ＷＦの０．０４倍以上０．１３倍以下であってよい。幅Ｗｆｌ２'は、２５μｍ以上５０μｍ以下であってよい。幅Ｗｆｌ２'は、一例として４０μｍである。
　幅Ｗｆｌ１'は、フローティング領域１７のＹ軸方向における幅である。幅Ｗｆｌ１'は、ダイオード部８０の幅ＷＦより小さくてよい。幅Ｗｆｌ１'は、幅ＷＦの０．５倍以上０．９９倍以下であってよい。幅Ｗｆｌ１'は、４４０μｍ以上５４０μｍ以下であってよい。幅Ｗｆｌ１'は、一例として４９０μｍである。
　幅Ｗｃｆ２は、カソード領域８２のＸ軸正側の端と、Ｘ軸方向において最も正側に配置されるフローティング領域１７のＸ軸正側の端との間のＸ軸方向における幅である。また、幅Ｗｃｆ２は、カソード領域８２のＸ軸負側の端と、Ｘ軸方向において最も負側に配置されるフローティング領域１７のＸ軸負側の端との間のＸ軸方向における幅である。
　幅Ｗｃｆ２は、幅Ｗｆｆ２'よりも小さくてよい。幅Ｗｃｆ２は、幅Ｗｆｆ２'の０．１倍以上０．９倍以下であってよい。幅Ｗｃｆ２は、ゼロでなければよい。幅Ｗｃｆ２は、２μｍ以上６μｍ以下であってよい。幅Ｗｃｆ２は、一例として５μｍである。
　カソード領域８２の内側に配置される複数のフローティング領域１７のＸＹ平面内における面積の合計は、当該カソード領域８２のＸＹ平面内における面積よりも小さくてよい。当該複数のフローティング領域１７のＸＹ平面内における面積の合計は、当該カソード領域８２のＸＹ平面内における面積の５０％以上９９％以下であってよい。一例として、Ｗｈが３１００μｍ、Ｗｗｃが２５０μｍ、Ｗｆｌ２'が４０μｍ、Ｗｆｌ１'が４９０μｍ、Ｗｃｆ２およびＷｃｆ１が５μｍ、並びにＷｆｆ２'が１０μｍの場合、フローティング領域１７は、上面視で、カソード領域８２の内側にＸ軸方向に５１個、Ｙ軸方向に１個、設けられる。この場合、カソード領域８２の面積に占める複数のフローティング領域１７の面積の合計は、７６．８％となる。本例の半導体装置３００は、カソード領域８２の一部分がフローティング領域１７に覆われないので、ダイオード部８０がダイオード動作できる。
　カソード領域８２のＹ軸正側の端と、フローティング領域１７のＹ軸正側の端との間のＹ軸方向における幅Ｗｃｆ１は、ダイオード部８０の幅ＷＦよりも小さくてよい。幅Ｗｃｆ１は、幅ＷＦの０．０１倍以上０．０５倍以下であってよい。また、幅Ｗｃｆ１は、幅Ｗｃｆ２と等しくてもよいし、異なっていてもよい。幅Ｗｃｆ１は、ゼロでなければよい。幅Ｗｃｆ１は、２μｍ以上６μｍ以下であってよい。幅Ｗｃｆ１は、一例として５μｍである。なお、カソード領域８２のＹ軸負側の端から、フローティング領域１７のＹ軸負側の端までの幅も、幅Ｗｃｆ１に等しくてよい。
　本例において、上面側ライフタイム制御領域７２は、上面視で領域Ｂ１の全面に設けられる。本例において、下面側ライフタイム制御領域７４は、Ｘ軸方向において領域ＢのＸ軸正側から負側まで、連続して設けられる。本例において、下面側ライフタイム制御領域７４は、上面視でダイオード部８０にＹ軸正側で隣り合うトランジスタ部７０との境界と重なる領域と、Ｙ軸負側で隣り合うトランジスタ部７０との境界と重なる領域とに、それぞれ設けられる。本例において、ダイオード部８０のＹ軸方向における中央部には、下面側ライフタイム制御領域７４が設けられない。
　距離Ｃは、ダイオード部８０のＹ軸正側で隣り合うトランジスタ部７０との境界から、下面側ライフタイム制御領域７４のＹ軸負側の端までのＹ軸方向における距離である。また、距離Ｃは、ダイオード部８０のＹ軸負側で隣り合うトランジスタ部７０との境界から、下面側ライフタイム制御領域７４のＹ軸正側の端までのＹ軸方向における距離である。距離Ｄは、Ｙ軸正側の下面側ライフタイム制御領域７４のＹ軸負側の端と、Ｙ軸負側の下面側ライフタイム制御領域７４のＹ軸正側の端との間の、Ｙ軸方向における距離である。即ち、距離Ｄは、Ｙ軸方向において、下面側ライフタイム制御領域７４が設けられない領域の幅である。
　図３０は、図２９における領域Ｃ２の拡大図である。本例において、幅Ｗｃｆ２は、カソード領域８２のＸ軸正側の端と、Ｘ軸方向において最も正側に配置されるフローティング領域１７のＸ軸正側の端との間のＸ軸方向における幅である。また、幅Ｗｃｆ１は、カソード領域８２のＹ軸正側の端と、フローティング領域１７のＹ軸正側の端との間のＹ軸方向における幅である。幅Ｗｃｆ１は、一例として５μｍである。幅Ｗｆｆ２'は、開口領域８５のＸ軸方向における幅である。幅Ｗｆｌ２'は、フローティング領域１７のＸ軸方向における幅である。距離Ｃは、ダイオード部８０にＹ軸正側で隣り合うトランジスタ部７０との境界から、下面側ライフタイム制御領域７４のＹ軸負側の端までのＹ軸方向における距離である。
　図３１は、図２９におけるｋ－ｋ'断面の一例を示す図である。本例の半導体装置３００は、ダイオード部８０において、カソード領域８２の上方に設けられたバッファ領域２０内に、フローティング領域１７が設けられる。本例のフローティング領域１７は、ｋ－ｋ'断面において、Ｙ軸正側から負側に渡って連続的に設けられる。
　本例においては、図２６の例と同様に、境界位置Ｐ１および境界位置Ｐ２、並びに境界位置Ｐ１'および境界位置Ｐ２'が存在する。本例においては、フローティング領域１７が、端部位置Ｐ２から端部位置Ｐ２'にわたって連続的に設けられる。このため、本例において開口領域８５は存在しない。
　幅Ｗｃｆ１は、図２６の例と同様に、端部位置Ｐ１と端部位置Ｐ２との間の距離である。また、幅Ｗｃｆ１は、端部位置Ｐ１'と端部位置Ｐ２'との間の距離である。フローティング領域１７のＺ軸方向における幅Ｗｄは、幅Ｗｃｆ１よりも小さくてよい。幅Ｗｃｆ１は、幅Ｗｄの０．０５倍以上０．５倍以下であってよい。幅Ｗｄは、０．３μｍ以上１μｍ以下であってよい。幅Ｗｄは、一例として０．５μｍである。また、幅Ｗｃｆ１は、幅Ｗｆｌ１よりも小さくてよい。本例の半導体装置３００は、幅Ｗｃｆ１が小さいので、ダイオード部８０の端部において、カソード領域８２からの電子の注入を抑制できる。
　本例の半導体装置３００は、上面２１側に上面側ライフタイム制御領域７２が設けられる。また、下面２３側に下面側ライフタイム制御領域７４が設けられる。本例において、上面側ライフタイム制御領域７２のライフタイムキラー濃度のピークは、上面２１からＺ軸負側に距離Ｄｓの位置に設けられる。本例において、下面側ライフタイム制御領域７４のライフタイムキラー濃度のピークは、下面２３からＺ軸正側に距離Ｄｂの位置に設けられる。
　本例において、上面側ライフタイム制御領域７２は、ｋ－ｋ'断面においてＹ軸方向の全体に設けられる。即ち、本例において、上面側ライフタイム制御領域７２は、ダイオード部８０のＹ軸正側に隣り合うトランジスタ部７０からＹ軸正側に隣り合うトランジスタ部７０にわたって、当該ダイオード部８０を通ってＹ軸方向に連続して設けられる。
　距離Ｃは、ダイオード部８０のＹ軸正側で隣り合うトランジスタ部７０との境界から、下面側ライフタイム制御領域７４のＹ軸負側の端までのＹ軸方向における距離である。また、距離Ｃは、ダイオード部８０のＹ軸負側で隣り合うトランジスタ部７０との境界から、下面側ライフタイム制御領域７４のＹ軸正側の端までのＹ軸方向における距離である。距離Ｄは、Ｙ軸正側の下面側ライフタイム制御領域７４のＹ軸負側の端と、Ｙ軸負側の下面側ライフタイム制御領域７４のＹ軸正側の端との間のＹ軸方向における距離である。即ち、距離Ｄは、Ｙ軸方向において、下面側ライフタイム制御領域７４が設けられない領域の幅である。
　距離Ｄは、ダイオード部８０の幅ＷＦの９５％以上９９％以下であってよい。より好ましくは、距離Ｄは、幅ＷＦの９８％であってよい。即ち、本例において、下面側ライフタイム制御領域７４が設けられる領域は、Ｙ軸方向において、幅ＷＦの１％以上５％以下であってよく、より好ましくは２％であってよい。本例の半導体装置３００は、ダイオード部８０にフローティング領域１７が設けられるので、ダイオード部８０において、半導体基板１０の深さ方向におけるキャリア分布を調整できる。
　また、本例の半導体装置３００は、トランジスタ部７０に下面側ライフタイム制御領域７４が設けられるので、ドリフト領域１８に生じた少数キャリアの正孔が、短いライフタイムで多数キャリアの電子と相殺しやすくなる。このため、本例の半導体装置３００は、トランジスタ部７０のリーク電流特性を改善できる。また、本例の半導体装置３００は、トランジスタ部７０のオン電圧とターンオフ損失のトレードオフを良好にできる。
　図３２は、図２９におけるｍ－ｍ'断面の一例を示す図である。ｍ－ｍ'断面は、図３１におけるｍ''ーｍ'''線を通るＸＺ平面である。本例の半導体装置３００は、ダイオード部８０において、カソード領域８２の上方に設けられたバッファ領域２０内に、フローティング領域１７が設けられる。
　本例の半導体装置３００は、ｍ－ｍ'断面において、上面２１側に上面側ライフタイム制御領域７２が設けられる。本例の半導体装置３００は、ｍ－ｍ'断面においては、下面２３側に下面側ライフタイム制御領域７４が設けられない。
　本例においては、図２７の例と同様に、境界位置Ｐ５および端部位置Ｐ６、並びに境界位置Ｐ５'および端部位置Ｐ６'が存在する。本例において、ｍ－ｍ'断面は、半導体基板１０の下面２３と垂直であり、且つ、ダミートレンチ部３０の延伸方向と平行な面である。本例においても、図２７の例と同様に、Ｚ軸方向において、フローティング領域１７と同一の深さ位置には、フローティング領域１７が設けられていない開口領域８５が存在する。
　幅Ｗｆｌ２'は、フローティング領域１７のＸ軸方向における幅である。幅Ｗｃｆ２は、図２７の例と同様に、境界位置Ｐ５と端部位置Ｐ６との間のＸ軸方向における距離である。また、幅Ｗｃｆ２は、境界位置Ｐ５'と端部位置Ｐ６'との間のＸ軸方向における距離である。また、幅Ｗｆｆ２'は、Ｘ軸方向において、開口領域８５を挟んで隣り合うフローティング領域１７の間隔である。幅Ｗｃｆ２は、幅Ｗｆｆ２'よりも小さくてよい。
　本例の半導体装置３００は、ダイオード部８０において、フローティング領域１７が、端部位置Ｐ６から端部位置Ｐ６'にわたって開口領域８５を挟んで複数設けられる。また、本例の半導体装置３００は、フローティング領域１７をＸＹ平面内においてストライプ状に設けられる。このため、本例の半導体装置３００は、ダイオード部８０の逆回復時のサージ電圧を抑制できる。
　以上、本発明を実施の形態を用いて説明したが、本発明の技術的範囲は上記実施の形態に記載の範囲には限定されない。上記実施の形態に、多様な変更または改良を加えることが可能であることが当業者に明らかである。その様な変更または改良を加えた形態も本発明の技術的範囲に含まれ得ることが、請求の範囲の記載から明らかである。
　請求の範囲、明細書、および図面中において示した装置、システム、プログラム、および方法における動作、手順、ステップ、および段階等の各処理の実行順序は、特段「より前に」、「先立って」等と明示しておらず、また、前の処理の出力を後の処理で用いるのでない限り、任意の順序で実現しうることに留意すべきである。請求の範囲、明細書、および図面中の動作フローに関して、便宜上「まず、」、「次に、」等を用いて説明したとしても、この順で実施することが必須であることを意味するものではない。
１０・・・半導体基板、１１・・・ウェル領域、１２・・・エミッタ領域、１４・・・ベース領域、１５・・・コンタクト領域、１６・・・蓄積領域、１８・・・ドリフト領域、２０・・・バッファ領域、２１・・・上面、２２・・・コレクタ領域、２３・・・下面、２４・・・コレクタ電極、２５・・・接続部、２９・・・延伸部分、３０・・・ダミートレンチ部、３１・・・接続部分、３２・・・ダミー絶縁膜、３４・・・ダミー導電部、３８・・・層間絶縁膜、３９・・・延伸部分、４０・・・ゲートトレンチ部、４１・・・接続部分、４２・・・ゲート絶縁膜、４４・・・ゲート導電部、４６・・・分割部、４８・・・ゲートランナー、４９・・・コンタクトホール、５０・・・ゲート金属層、５２・・・エミッタ電極、５４・・・コンタクトホール、５６・・・コンタクトホール、６０・・・トランジスタメサ部、６２・・・境界メサ部、６４・・・ダイオードメサ部、７０・・・トランジスタ部、７２・・・上面側ライフタイム制御領域、７４・・・下面側ライフタイム制御領域、７４－１・・・下面側ライフタイム制御領域、７４－２・・・下面側ライフタイム制御領域、７４－３・・・下面側ライフタイム制御領域、７４－４・・・下面側ライフタイム制御領域、８０・・・ダイオード部、８２・・・カソード領域、９０・・・境界部、９８・・・半導体チップ、１００・・・半導体装置、１２０・・・半導体チップ、１５０・・・半導体装置、２００・・・半導体装置、２７２・・・上面側ライフタイム制御領域、２７４・・・下面側ライフタイム制御領域、３００・・・半導体装置

Claims (25)

  1. 　第１導電型のドリフト領域を有する半導体基板と、
    　前記半導体基板に設けられたトランジスタ部と、
    　前記半導体基板に設けられ、予め定められた配列方向に沿って前記トランジスタ部と配列されたダイオード部と、
    　を備え、
    　前記トランジスタ部および前記ダイオード部の双方が、
    　前記半導体基板の内部において前記ドリフト領域の上方に設けられた第２導電型のベース領域と、
    　前記半導体基板の上面から前記ベース領域を貫通し、前記半導体基板の上面において前記配列方向に垂直な延伸方向に延伸し、内部に導電部が設けられた複数のトレンチ部と、
    　前記半導体基板の下面側に、前記トランジスタ部から前記ダイオード部に渡って設けられ、ライフタイムキラーを含む下面側ライフタイム制御領域と、
    　を有し、
    　前記下面側ライフタイム制御領域は、前記配列方向において前記トランジスタ部の一部分に設けられ、他の部分には設けられていない、
    　半導体装置。
  2. 　前記下面側ライフタイム制御領域は、前記配列方向において、前記ダイオード部の一部分に設けられ、他の部分には設けられていない、請求項１に記載の半導体装置。
  3. 　前記ダイオード部は、前記半導体基板の下面に露出して設けられた第１導電型のカソード領域と、前記半導体基板の下面側に設けられた、電気的にフローティングとなっている第２導電型のフローティング領域と、を有し、
    　前記フローティング領域は、前記カソード領域の上方において、前記カソード領域の一部を覆っている、
    　請求項１または２に記載の半導体装置。
  4. 　前記フローティング領域が、前記下面側ライフタイム制御領域よりも前記半導体基板の下面側に設けられる、請求項３に記載の半導体装置。
  5. 　前記半導体基板の上面視で、前記フローティング領域の少なくとも一部が、前記下面側ライフタイム制御領域と重なる、請求項３または４に記載の半導体装置。
  6. 　前記フローティング領域は、前記配列方向に複数設けられ、
    　前記半導体基板の上面視で、複数の前記フローティング領域のうち、少なくとも一つのフローティング領域は、前記配列方向において前記下面側ライフタイム制御領域と重ならない、請求項３から５のいずれか一項に記載の半導体装置。
  7. 　前記下面側ライフタイム制御領域は、前記配列方向において、前記ダイオード部の全体に設けられる、請求項１に記載の半導体装置。
  8. 　前記配列方向において、前記トランジスタ部における前記下面側ライフタイム制御領域の長さは、前記ダイオード部における前記下面側ライフタイム制御領域の長さよりも長い、請求項１から７のいずれか一項に記載の半導体装置。
  9. 　前記半導体基板の上面側に、前記トランジスタ部から前記ダイオード部に渡って設けられ、ライフタイムキラーを含む上面側ライフタイム制御領域をさらに有し、
    　前記トランジスタ部において、前記下面側ライフタイム制御領域が前記上面側ライフタイム制御領域よりも、前記配列方向における前記ダイオード部の側に設けられる、
    　請求項１から８のいずれか一項に記載の半導体装置。
  10. 　前記半導体基板の上面側に、前記トランジスタ部から前記ダイオード部に渡って設けられ、ライフタイムキラーを含む上面側ライフタイム制御領域をさらに有し、
    　前記トランジスタ部において、前記下面側ライフタイム制御領域が前記上面側ライフタイム制御領域よりも、前記配列方向における前記トランジスタ部の側に設けられる、
    　請求項１から８のいずれか一項に記載の半導体装置。
  11. 　前記トランジスタ部は、前記半導体基板の下面と前記ドリフト領域との間に設けられた第２導電型のコレクタ領域をさらに有し、
    　前記配列方向において、前記トランジスタ部における前記上面側ライフタイム制御領域の端部から、前記トランジスタ部における前記下面側ライフタイム制御領域の端部へ至る経路の延長上に、前記コレクタ領域が設けられる、請求項９または１０に記載の半導体装置。
  12. 　前記ダイオード部において、前記下面側ライフタイム制御領域が前記上面側ライフタイム制御領域よりも、前記配列方向における前記トランジスタ部の側に設けられる、
    　請求項９から１１のいずれか一項に記載の半導体装置。
  13. 　前記下面側ライフタイム制御領域のライフタイムキラー濃度が、前記上面側ライフタイム制御領域のライフタイムキラー濃度よりも高い、請求項９から１２のいずれか一項に記載の半導体装置。
  14. 　前記配列方向において、前記トランジスタ部における前記上面側ライフタイム制御領域の長さが、前記トランジスタ部の長さの０．０１倍以上０．１５倍以下である、請求項９から１３のいずれか一項に記載の半導体装置。
  15. 　前記配列方向において、
    　前記トランジスタ部における前記上面側ライフタイム制御領域の端部と、前記トランジスタ部における前記下面側ライフタイム制御領域の端部との、前記半導体基板の下面と平行な方向の距離が、前記トランジスタ部における前記上面側ライフタイム制御領域の長さの０．２５倍以上０．５倍以下である、請求項９から１４のいずれか一項に記載の半導体装置。
  16. 　前記下面側ライフタイム制御領域が、前記延伸方向において、前記上面側ライフタイム制御領域よりも外側まで設けられる、請求項９から１５のいずれか一項に記載の半導体装置。
  17. 　前記配列方向において、前記上面側ライフタイム制御領域の長さは、前記半導体基板の厚さよりも大きい、請求項９から１６のいずれか一項に記載の半導体装置。
  18. 　前記下面側ライフタイム制御領域は、前記半導体基板の深さ方向に複数設けられ、
    　前記トランジスタ部において、前記半導体基板の下面側に設けられた前記下面側ライフタイム制御領域の方が、前記半導体基板の上面側に設けられた前記下面側ライフタイム制御領域よりも、前記配列方向において前記ダイオード部の側に設けられる、請求項１から１７のいずれか一項に記載の半導体装置。
  19. 　前記トランジスタ部において、前記半導体基板の上面側に設けられた前記下面側ライフタイム制御領域の端部から、前記半導体基板の下面側に設けられた前記下面側ライフタイム制御領域の端部までが、凸形状となるように配置される、請求項１８に記載の半導体装置。
  20. 　前記ダイオード部において、前記半導体基板の下面側に設けられた前記下面側ライフタイム制御領域の方が、前記半導体基板の上面側に設けられた前記下面側ライフタイム制御領域よりも、前記配列方向において前記ダイオード部の側に設けられる、請求項１８または１９に記載の半導体装置。
  21. 　前記半導体基板の下面側に設けられた前記下面側ライフタイム制御領域のライフタイムキラー濃度が、前記半導体基板の上面側に設けられた前記下面側ライフタイム制御領域のライフタイムキラー濃度よりも高い、請求項１８から２０のいずれか一項に記載の半導体装置。
  22. 　前記トランジスタ部と前記ダイオード部との境界における前記下面側ライフタイム制御領域のライフタイムキラー濃度が、前記境界以外における前記下面側ライフタイム制御領域のライフタイムキラー濃度よりも高い、請求項１から２１のいずれか一項に記載の半導体装置。
  23. 　前記配列方向において、前記ダイオード部における前記下面側ライフタイム制御領域の長さが、前記ダイオード部の長さの０．０１５倍以上０．０３倍以下である、請求項１、２および８から２２のいずれか一項に記載の半導体装置。
  24. 　前記ドリフト領域の下方に、前記トランジスタ部から前記ダイオード部に渡って設けられた第１導電型のバッファ領域をさらに備え、
    　前記下面側ライフタイム制御領域が、前記バッファ領域に設けられる、
    　請求項１から２３のいずれか一項に記載の半導体装置。
  25. 　前記ドリフト領域の下方に、前記トランジスタ部から前記ダイオード部に渡って設けられた第１導電型のバッファ領域をさらに備え、
    　前記下面側ライフタイム制御領域の下方に設けられた前記バッファ領域の厚さが、前記下面側ライフタイム制御領域の下方に設けられない前記バッファ領域の厚さよりも大きい、請求項１から２３のいずれか一項に記載の半導体装置。
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