WO2018056021A1 - 基板検査装置 - Google Patents

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浩史 山田
潤 藤原
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東京エレクトロン株式会社
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Definitions

  • the present invention relates to a substrate inspection apparatus.
  • a prober In order to inspect a wafer on which a large number of semiconductor devices are formed, a prober is used as an inspection apparatus.
  • the prober has a probe card that faces the wafer, and the probe card is a plate-like base and contacts that are a plurality of columnar contact terminals arranged at the base so as to face each electrode pad and each solder bump in the semiconductor device of the wafer.
  • a probe probe needle
  • the contact probe of the probe card is brought into contact with the electrode pad and the solder bump in the semiconductor device by bringing the wafer into contact with the probe card using a stage on which the wafer is placed.
  • the electrical characteristics such as the conduction state of the electrical circuit are inspected.
  • multiple probe cards can be placed in the inspection chamber, and the wafer can be inspected by another probe card while the wafer is being transferred to one probe card by the transfer stage.
  • Wafer inspection equipment has been developed.
  • a plurality of testers are arranged in the inspection chamber as wafer inspection interfaces arranged to face the wafer, and a probe card is attached to each tester.
  • a transfer stage cannot be provided corresponding to each tester due to cost and layout restrictions. Therefore, a transfer stage is used to inspect the electrical characteristics of a semiconductor device to a probe card. It is difficult to keep the wafer in contact. Therefore, apart from the transfer stage, a plate-like chuck top for mounting the wafer is provided corresponding to each tester, the wafer is brought into contact with the probe card by bringing the chuck top close to the tester, and a pogo for holding the probe card in the tester.
  • sealed space The space between the frame and the chuck top (hereinafter referred to as “sealed space”) is sealed, and the sealed space is further depressurized to shrink the sealed space and draw the wafer together with the chuck top to the pogo frame to the probe card.
  • the wafer is kept in contact (see, for example, Patent Document 2).
  • the sealed space is boosted to eliminate the reduced pressure state of the sealed space, and the chuck top is moved away from the pogo frame to separate the wafer from the probe card.
  • JP 2002-22768 A Japanese Patent Laying-Open No. 2015-97292
  • the electrical characteristics of the semiconductor device may be inspected at an extremely low temperature, for example, around ⁇ 30 ° C., and in this case, when the air is introduced into the sealed space after the inspection is completed, the semiconductor device is cooled. Moisture in the atmosphere may condense on the substrate or chuck top. Therefore, in order to prevent condensation, it has been considered to introduce dry gas, for example, gas in the examination room into which the dry air is introduced into the sealed space. In this case, in order to introduce the gas in the examination room into the sealed space. It is necessary to route the gas introduction path from the inspection room to the sealed space via a solenoid valve as a gas introduction control device, and most of the gas introduction path is located in the air exposure area of the wafer inspection system due to layout restrictions. Is done. That is, since a relatively long gas introduction path is disposed at the air exposure location, the atmosphere easily penetrates into the gas introduction path, and as a result, the atmosphere is easily introduced into the sealed space, thereby preventing condensation from occurring. Is difficult.
  • An object of the present invention is to provide a substrate inspection apparatus capable of preventing the occurrence of condensation.
  • a holding member that holds a probe card, a plate-like chuck that faces the probe card and places the substrate, and the holding member and the chuck are arranged.
  • An inspection chamber the chuck is brought close to the holding member, the substrate is brought into contact with the probe card, a sealed space is formed between the holding member and the chuck, and the sealed space is depressurized.
  • the partitioned space includes a gas introduction path that is provided separately from the inspection chamber and that introduces gas in the partitioned space into the sealed space. Is provided with a dry gas filling substrate inspection apparatus.
  • the gas introduction path introduces the dry gas filled in the partitioned space into the sealed space, and the partitioned space is provided separately from the examination room. Therefore, the gas introduction path is changed from the examination room to the sealed space.
  • the need for routing can be eliminated, and the gas introduction path can be made relatively short.
  • it is possible to suppress the permeation of the atmosphere into the gas introduction path, and it is possible to introduce only the dry gas filled in the partitioned space into the sealed space. Thereby, it can prevent reliably that air
  • FIG. 1 is a horizontal sectional view schematically showing a configuration of a wafer inspection apparatus as a substrate inspection apparatus according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a longitudinal sectional view taken along line II-II in FIG. [FIGS. 3A to 3E]
  • FIGS. 3A to 3E are process diagrams for explaining the operation of the chuck top and the like in the inspection of the electrical characteristics of the semiconductor device on the wafer.
  • 4 is a diagram schematically showing a configuration of a gas control unit in FIG.
  • FIG. 1 is a horizontal sectional view schematically showing a configuration of a wafer inspection apparatus as a substrate inspection apparatus according to the present embodiment
  • FIG. 2 is a longitudinal sectional view taken along line II-II in FIG.
  • the wafer inspection apparatus 10 includes an inspection chamber 11, which includes an inspection region 12 for inspecting the electrical characteristics of the semiconductor device of the wafer W, and the wafer W being carried out of the inspection chamber 11. It has a carry-in / out area 13 for entering and a conveyance area 14 provided between the inspection area 12 and the carry-in / out area 13.
  • a plurality of testers 15 as wafer inspection interfaces are arranged in the inspection area 12, and a pogo frame 22 (holding member) that holds the probe card 18 is attached to the lower part of each tester 15.
  • the loading / unloading area 13 is divided into a plurality of receiving spaces 16, and a container 16 for receiving a plurality of wafers W, for example, a port 16 a for receiving the FOUP 17, a loader 16 c for loading and unloading the probe card 18, and the like.
  • a controller 16d that controls the operation of each component of the wafer inspection apparatus 10 is disposed.
  • a chuck top 20 (chuck) made of a plate-like member on which the wafer W is placed and sucked is disposed so as to face the probe card 18 corresponding to each tester 15.
  • the chuck top 20 is supported by the aligner 21, and the aligner 21 moves the chuck top 20 up and down and left and right so that the wafer W placed on the chuck top 20 faces the probe card 18.
  • a movable transfer robot 19 is arranged in the transfer area 14.
  • the transfer robot 19 receives the wafer W from the port 16a of the loading / unloading area 13 and transfers the wafer W to the chuck top 20 corresponding to each tester 15. Also, the wafer W after the inspection of the electrical characteristics of the semiconductor device is completed. From the chuck top 20 corresponding to the above to the port 16a. Further, the transport robot 19 transports the probe card 18 requiring maintenance from each tester 15 to the loader 16c in the carry-in / out area 13, and transports a new or maintained probe card 18 from the loader 16c to each tester 15. .
  • the electrical characteristics of the semiconductor device of the wafer to which each tester 15 has been transferred are inspected. While the transfer robot 19 is transferring the wafer toward one tester 15, Since the tester 15 can inspect the electrical characteristics of the semiconductor devices of other wafers, the wafer inspection efficiency can be improved.
  • 3A to 3E are process diagrams for explaining the operation of the chuck top and the like in the inspection of the electrical characteristics of the semiconductor device on the wafer.
  • the aligner 21 moves the chuck top 20 that has received the wafer W from the transfer robot 19 and causes the wafer W placed on the chuck top 20 to face the probe card 18 (FIG. 3A).
  • a cylindrical stretchable bellows 23 hangs down from the pogo frame 22, and an annular lip seal 24 is disposed on the chuck top 20 so as to surround the wafer W, but the aligner 21 is the chuck top 20.
  • the bellows 23 comes into contact with the lip seal 24, and a sealed space S surrounded by the chuck top 20, the pogo frame 22, the bellows 23 and the lip seal 24 is formed (see FIG. 3B).
  • the aligner 21 raises the chuck top 20, the wafer W eventually comes into contact with the probe card 18.
  • the sealed space S contracts and the chuck top 20 is drawn to the pogo frame 22 so that the contact state between the probe card 18 and the wafer W is maintained.
  • the chuck top 20 is separated from the aligner 21 when the chuck top 20 is drawn to the pogo frame 22 (FIG. 3C).
  • the aligner 21 stands by below the chuck top 20. Thereafter, by passing electricity from the probe card 18 to the electrical circuit of the semiconductor device on the wafer W, the electrical characteristics such as the conduction state of the electrical circuit are inspected.
  • each gas control unit 25 corresponds to each tester 15, that is, one gas control unit 25 is provided for one tester 15, and the gas control unit 25 introduces gas into the sealed space S in the corresponding tester 15. To do.
  • FIG. 4 is a diagram schematically showing the configuration of the gas control unit in FIG. In FIG. 4, a part is drawn in a cross-sectional view for easy understanding.
  • the gas control unit 25 includes a housing-like gas controller 26, a dry gas supply unit 27, a decompression pump 28, and a gas introduction pipe 29.
  • the gas introduction pipe 29 is made of a moisture-impermeable material, for example, Teflon (registered trademark), and is connected to the gas controller 26 and the pogo frame 22 via joints 30 and 31 made of metal.
  • a communication passage 32 is formed in the pogo frame 22 to communicate the gas introduction pipe 29 and the sealed space S.
  • the gas controller 26 includes a solenoid valve 33, a connection pipe 34 that connects the solenoid valve 33 and the gas introduction pipe 29, an intake pipe 35 that is connected to the solenoid valve 33, and a pressure reduction that connects the solenoid valve 33 and the pressure reduction pump 28. Tube 36.
  • the gas controller 26 has a dry gas chamber 38 which is a space separated from the atmosphere by a partition wall 37, and the solenoid valve 33, the connecting pipe 34 and the intake pipe 35 are arranged in the internal space of the dry gas chamber 38.
  • the dry gas supply unit 27 is connected to the dry gas chamber 38 and always fills the internal space of the dry gas chamber 38 with dry gas, for example, dry air.
  • One end of the intake pipe 35 is opened in the internal space of the dry gas chamber 38, and the intake pipe 35, the solenoid valve 33, the connection pipe 34, the gas introduction pipe 29, and the communication path 32 are connected to the internal space of the dry gas chamber 38 and the sealed space S. Communicate.
  • the solenoid valve 33 selectively connects the connecting pipe 34 and eventually the gas introduction pipe 29 to either the intake pipe 35 or the decompression pipe 36.
  • the solenoid valve 33 connects the gas introduction pipe 29 to the intake pipe 35
  • the interior space of the dry gas chamber 38 is filled via the intake pipe 35, the solenoid valve 33, the connection pipe 34, the gas introduction pipe 29, and the communication path 32.
  • the dry gas is sucked into the sealed space S whose pressure has been reduced. That is, the intake pipe 35, the solenoid valve 33, the connection pipe 34, the gas introduction pipe 29, and the communication path 32 constitute a gas introduction path for introducing dry gas into the sealed space S.
  • the solenoid valve 33 connects the gas introduction pipe 29 to the decompression pipe 36
  • the decompression pump 28 is connected to the sealed space S via the decompression pipe 36, the solenoid valve 33, the connection pipe 34, the gas introduction pipe 29, and the communication path 32. The pressure is reduced.
  • the gas introduction path including the intake pipe 35, the solenoid valve 33, the connection pipe 34, the gas introduction pipe 29, and the communication path 32 is filled in the internal space of the dry gas chamber 38. Since the dry gas is introduced into the sealed space S and the dry gas chamber 38 is provided separately from the examination room 11, it is possible to eliminate the need to route the gas introduction pipe 29 in the gas introduction path from the examination room 11 to the sealed space S. Accordingly, the gas introduction pipe 29 can be made relatively short. As a result, the permeation of the atmosphere into the gas introduction pipe 29 can be suppressed, and only the dry gas filled in the internal space of the dry gas chamber 38 can be introduced into the sealed space S. Thereby, it is possible to reliably prevent air from being introduced into the sealed space S, and it is possible to prevent dew condensation from occurring on the wafer W and the chuck top 20.
  • the gas introduction pipe 29 is made of Teflon which is a moisture-impermeable material, it is possible to prevent the atmosphere from directly penetrating the gas introduction pipe 29. Further, since the joints 30 and 31 of the gas introduction pipe 29 are made of metal, it is possible to prevent the atmosphere from penetrating from the joints 30 and 31 into the gas introduction pipe 29.
  • the dry gas is always filled in the dry gas chamber 38 from the dry gas supply unit 27, the dry gas can be introduced into the sealed space S when necessary regardless of the timing. It is possible to prevent the occurrence of condensation.
  • the gas introduction path introduces the dry gas into the sealed space S through the pogo frame 22 (communication path 32), and the sealed space S is formed between the pogo frame 22 and the chuck top 20. That is, since the pogo frame 22 faces the sealed space S, it is possible to quickly introduce dry gas into the sealed space S, so that the reduced pressure state of the sealed space S is quickly released and the wafer W is removed from the probe card 18. It can be separated quickly.
  • the gas introduction path is branched by the solenoid valve 33 and connected to the decompression pump 28, the sealed space S can be decompressed using the gas introduction path. That is, it is not necessary to provide a path separately from the gas introduction path for depressurization of the sealed space S, so that the configuration of the wafer inspection apparatus 10 can be simplified.
  • the inspection passage 11 is opened to the inside of the inspection chamber 11 without connecting one end of the communication path 32 to the gas introduction pipe 29. It is also conceivable to introduce the dry gas inside the chamber 11 directly into the sealed space S through the communication path 32.
  • the resin parts inside the inspection room 11 may absorb moisture, and further, air may remain in detailed piping or the like. Even if the gas is introduced, the remaining atmosphere is introduced into the sealed space S through the communication path 32, and further, moisture released from the resin component may be introduced into the sealed space S through the communication path 32. is there.
  • the dry gas is introduced into the sealed space S from the inside of the dry gas chamber 38 that is always isolated from the atmosphere and filled with the dry gas. Compared to the case where the gas is directly introduced into the sealed space S, there is a gain in that moisture and air can be reliably prevented from being introduced into the sealed space S.
  • the communication path 32 is provided in the pogo frame 22, and the dry gas is introduced from the communication path 32 to the sealed space S, but the communication path that opens to the sealed space S is provided in the chuck top 20.
  • the gas introduction pipe 29 may be connected to the communication path to introduce dry gas into the sealed space S from the communication path of the chuck top 20.
  • the dry gas supply unit 27 fills the dry gas chamber 38 with dry air as a dry gas, but the gas charged into the dry gas chamber 38 is not limited to dry air, and other
  • the dry gas chamber 38 may be filled with a dry gas such as a dry inert gas.
  • the sealed space S is surrounded by the pogo frame 22, the bellows 23, the lip seal 24 and the chuck top 20.
  • the bellows are suspended from the probe card 18 and brought into contact with the wafer W, whereby the probe card 18 and the wafer W are sealed.
  • a sealed space may be formed between the two.

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Abstract

結露の発生を防止することができる基板検査装置を提供する。ウエハ検査装置１０は、プローブカード１８を保持するポゴフレーム２２と、プローブカード１８に対向し且つウエハＷを載置するチャックトップ２０と、ポゴフレーム２２やチャックトップ２０が配置される検査室１１とは別に設けられるドライガス室３８とを備え、チャックトップ２０をポゴフレーム２２に近づけてプローブカード１８へウエハＷを接触させるとともに、ポゴフレーム２２及びチャックトップ２０の間に密閉空間Ｓを形成し、密閉空間Ｓを減圧することによってプローブカード１８及びウエハＷの接触状態を維持し、ガス導入管２９がドライガス室３８の内部空間のドライガスを密閉空間Ｓへ導入することによってプローブカード１８からウエハＷを離脱させる。

Description

基板検査装置
　本発明は基板検査装置に関する。
　多数の半導体デバイスが形成されたウエハの検査を行うために、検査装置としてプローバが用いられている。プローバはウエハと対向するプローブカードを備え、プローブカードは板状の基部と、基部においてウエハの半導体デバイスにおける各電極パッドや各半田バンプと対向するように配置される複数の柱状接触端子であるコンタクトプローブ（プローブ針）とを備える（例えば、特許文献１参照。）。
　プローバでは、ウエハを載置するステージを用いてプローブカードへウエハを接触させることにより、プローブカードの各コンタクトプローブを半導体デバイスにおける電極パッドや半田バンプと接触させ、各コンタクトプローブから各電極パッドや各半田バンプに接続された半導体デバイスの電気回路へ電気を流すことによって該電気回路の導通状態等の電気的特性を検査する。
　また、ウエハの検査効率を向上するために、検査室内に複数のプローブカードを配置し、搬送ステージによって一のプローブカードへウエハを搬送中に他のプローブカードで他のウエハの半導体デバイスを検査可能なウエハ検査装置が開発されている。このウエハ検査装置では、ウエハと対向可能に配置されるウエハ検査用インターフェースとして複数のテスタが検査室内に配置され、各テスタにプローブカードが取り付けられる。
　一方、このようなウエハ検査装置では、コストやレイアウトの制約から各テスタに対応して搬送ステージを設けることができないため、半導体デバイスの電気的特性を検査するために搬送ステージを用いてプローブカードへウエハを接触させ続けることは困難である。そこで、搬送ステージとは別に各テスタに対応してウエハを載置する板状のチャックトップを設け、チャックトップをテスタに近づけてプローブカードへウエハを接触させるとともに、テスタにおいてプローブカードを保持するポゴフレーム及びチャックトップの間の空間（以下、「密閉空間」という。）を密閉し、さらに密閉空間を減圧することにより、密閉空間を収縮させてウエハをチャックトップごとポゴフレームへ引き寄せてプローブカードへウエハを接触させ続ける（例えば、特許文献２参照。）。また、半導体デバイスの電気的特性の検査が終了した場合、密閉空間を昇圧することにより、密閉空間の減圧状態を解消し、チャックトップをポゴフレームから遠ざけてウエハをプローブカードから離間させる。
特開２００２−２２７６８号公報 特開２０１５−９７２９２号公報
　しかしながら、半導体デバイスの電気的特性の検査を極低温、例えば、−３０℃付近で行うことがあり、この場合、検査終了後に密閉空間を昇圧するために当該密閉空間へ大気を導入すると冷却された基板やチャックトップに大気中の水分が結露することがある。そこで、結露を防止するために、ドライガス、例えば、ドライエアが導入される検査室内のガスを密閉空間へ導入することも検討されたが、この場合、検査室内のガスを密閉空間へ導入するためのガス導入路を検査室からガス導入制御機器としてのソレノイドバルブを経由して密閉空間へ引き回す必要があり、さらに、ガス導入路の大部分がレイアウトの制約からウエハ検査装置の大気暴露箇所に配置される。すなわち、比較的長いガス導入路が大気暴露箇所に配置されるため、大気がガス導入路へ浸透し易く、その結果、密閉空間へ大気が導入され易くなるために結露が発生するのを防止することが困難である。
　本発明の目的は、結露の発生を防止することができる基板検査装置を提供することにある。
　上記目的を達成するために、本発明によれば、プローブカードを保持する保持部材と、前記プローブカードに対向し且つ前記基板を載置する板状のチャックと、前記保持部材及び前記チャックが配置される検査室とを備え、前記チャックを前記保持部材に近づけて前記プローブカードへ前記基板を接触させるとともに前記保持部材及び前記チャックの間に密閉空間を形成し、前記密閉空間を減圧することによって前記プローブカード及び前記基板の接触状態を維持する基板検査装置において、前記検査室とは別に設けられ且つ仕切られた空間のガスを前記密閉空間へ導入するガス導入路を備え、前記仕切られた空間にはドライガスが充填されることを特徴とする基板検査装置が提供される。
　本発明によれば、ガス導入路は仕切られた空間に充填されたドライガスを密閉空間へ導入し、仕切られた空間は検査室と別に設けられるので、ガス導入路を検査室から密閉空間へ引き回す必要を無くすことができ、もって、ガス導入路を比較的短くすることができる。その結果、ガス導入路へ大気が浸透するのを抑制することができ、仕切られた空間に充填されたドライガスのみを密閉空間へ導入することができる。これにより、密閉空間へ大気が導入されるのを確実に防止することができ、結露の発生を防止することができる。
　［図１］本発明の実施の形態に係る基板検査装置としてのウエハ検査装置の構成を概略的に示す水平断面図である。
　［図２］図１における線ＩＩ−ＩＩに沿う縦断面図である。
　［図３Ａ乃至図３Ｅ］ウエハの半導体デバイスの電気的特性の検査におけるチャックトップ等の動作を説明するための工程図である。
　［図４］図２におけるガス制御ユニットの構成を概略的に示す図である。
　以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。
　まず、本実施の形態に係る基板検査装置としてのウエハ検査装置について説明する。
　図１は、本実施の形態に係る基板検査装置としてのウエハ検査装置の構成を概略的に示す水平断面図であり、図２は、図１における線ＩＩ−ＩＩに沿う縦断面図である。
　図１及び図２において、ウエハ検査装置１０は検査室１１を備え、該検査室１１は、ウエハＷの半導体デバイスの電気的特性の検査を行う検査領域１２と、検査室１１に対するウエハＷの搬出入を行う搬出入領域１３と、検査領域１２及び搬出入領域１３の間に設けられた搬送領域１４とを有する。検査領域１２にはウエハ検査用インターフェースとしての複数のテスタ１５が配置され、テスタ１５の各々の下部にはプローブカード１８を保持するポゴフレーム２２（保持部材）が装着される。
　搬出入領域１３は複数の収容空間１６に区画され、各収容空間１６には複数のウエハＷを収容する容器、例えば、ＦＯＵＰ１７を受け入れるポート１６ａ、プローブカード１８が搬入され且つ搬出されるローダ１６ｃやウエハ検査装置１０の各構成要素の動作を制御するコントローラ１６ｄが配置される。
　検査領域１２では、各テスタ１５に対応して、プローブカード１８に対向するように、ウエハＷを載置して吸着する板状部材からなるチャックトップ２０（チャック）が配置される。チャックトップ２０はアライナー２１に支持され、アライナー２１はチャックトップ２０を上下左右に移動させ、チャックトップ２０に載置されたウエハＷをプローブカード１８へ正対させる。
　搬送領域１４には移動自在な搬送ロボット１９が配置される。搬送ロボット１９は、搬出入領域１３のポート１６ａからウエハＷを受け取って各テスタ１５に対応するチャックトップ２０へ搬送し、また、半導体デバイスの電気的特性の検査が終了したウエハＷを各テスタ１５に対応するチャックトップ２０からポート１６ａへ搬送する。さらに、搬送ロボット１９は各テスタ１５からメンテナンスを必要とするプローブカード１８を搬出入領域１３のローダ１６ｃへ搬送し、また、新規やメンテナンス済みのプローブカード１８をローダ１６ｃから各テスタ１５へ搬送する。
　このウエハ検査装置１０では、各テスタ１５が搬送されたウエハの半導体デバイスの電気的特性の検査を行うが、搬送ロボット１９が一のテスタ１５へ向けてウエハを搬送している間に、他のテスタ１５は他のウエハの半導体デバイスの電気的特性の検査を行うことができるので、ウエハの検査効率を向上することができる。
　図３Ａ乃至図３Ｅは、ウエハの半導体デバイスの電気的特性の検査におけるチャックトップ等の動作を説明するための工程図である。
　まず、搬送ロボット１９からウエハＷを受け取ったチャックトップ２０をアライナー２１が移動させ、チャックトップ２０に載置されたウエハＷをプローブカード１８へ正対させる（図３Ａ）。ウエハ検査装置１０では、ポゴフレーム２２からは筒状の伸縮自在なベローズ２３が垂れ下がり、チャックトップ２０にはウエハＷを囲むように環状のリップシール２４が配置されるが、アライナー２１がチャックトップ２０を上昇させてウエハＷをプローブカード１８へ接近させると、ベローズ２３がリップシール２４と当接し、チャックトップ２０、ポゴフレーム２２、ベローズ２３及びリップシール２４で囲われる密閉空間Ｓを構成する（図３Ｂ）。
　その後もアライナー２１がチャックトップ２０を上昇させると、やがてウエハＷがプローブカード１８へ接触する。次いで、密閉空間Ｓが減圧されると、密閉空間Ｓが収縮してチャックトップ２０がポゴフレーム２２へ引き寄せられてプローブカード１８及びウエハＷの接触状態が維持される。ウエハ検査装置１０では、チャックトップ２０はアライナー２１に支持されるのみなので、チャックトップ２０がポゴフレーム２２へ引き寄せられる際、チャックトップ２０はアライナー２１から離間する（図３Ｃ）。なお、アライナー２１はチャックトップ２０の下方で待機する。その後、プローブカード１８からウエハＷの半導体デバイスの電気回路へ電気を流すことによって該電気回路の導通状態等の電気的特性が検査される。
　半導体デバイスの電気的特性の検査が終了すると、密閉空間Ｓへガスが導入されて当該密閉空間Ｓが昇圧されることにより、密閉空間Ｓの減圧状態が解消され、チャックトップ２０がポゴフレーム２２から遠ざかり、ウエハＷがプローブカード１８から離間する。このとき、チャックトップ２０の下方で待機していたアライナー２１がチャックトップ２０を受け取る（図３Ｄ）。次いで、アライナー２１が下降してベローズ２３からリップシール２４を離間させる（図３Ｅ）。その後、アライナー２１が移動してウエハＷをチャックトップ２０から搬送ロボット１９へ引き渡す。
　図２に戻り、ウエハ検査装置１０では、検査室１１と別に設けられる複数のガス制御ユニット２５が配置される。各ガス制御ユニット２５は各テスタ１５に対応して、すなわち、１つのテスタ１５に対して１つのガス制御ユニット２５が設けられ、ガス制御ユニット２５は対応するテスタ１５における密閉空間Ｓへガスを導入する。
　図４は、図２におけるガス制御ユニットの構成を概略的に示す図である。図４では、理解を容易にするために一部が断面図で描画されている。
　図４において、ガス制御ユニット２５は、筐体状のガスコントローラ２６と、ドライガス供給ユニット２７と、減圧ポンプ２８と、ガス導入管２９とを有する。ガス導入管２９は、非透湿材、例えば、テフロン（登録商標）で構成され、金属で構成される継ぎ手３０，３１を介してガスコントローラ２６及びポゴフレーム２２に連結される。ポゴフレーム２２の内部にはガス導入管２９及び密閉空間Ｓを連通させる連通路３２が形成される。ガスコントローラ２６は、ソレノイドバルブ３３と、該ソレノイドバルブ３３及びガス導入管２９を連結する連結管３４と、ソレノイドバルブ３３に接続される吸気管３５と、ソレノイドバルブ３３及び減圧ポンプ２８を連結する減圧管３６とを有する。
　ガスコントローラ２６は隔壁３７で仕切られて大気から隔離された空間からなるドライガス室３８を有し、ソレノイドバルブ３３、連結管３４及び吸気管３５はドライガス室３８の内部空間に配置される。ドライガス供給ユニット２７はドライガス室３８に接続されてドライガス室３８の内部空間へドライガス、例えば、ドライエアを常時充填する。吸気管３５の一端はドライガス室３８の内部空間において開放され、吸気管３５、ソレノイドバルブ３３、連結管３４、ガス導入管２９及び連通路３２は、ドライガス室３８の内部空間と密閉空間Ｓを連通する。
　ソレノイドバルブ３３は、連結管３４、ひいてはガス導入管２９を、吸気管３５及び減圧管３６のいずれかへ選択的に接続させる。ソレノイドバルブ３３がガス導入管２９を吸気管３５に接続させる際、吸気管３５、ソレノイドバルブ３３、連結管３４、ガス導入管２９及び連通路３２を介してドライガス室３８の内部空間に充填されたドライガスが減圧された密閉空間Ｓへ吸い込まれる。すなわち、吸気管３５、ソレノイドバルブ３３、連結管３４、ガス導入管２９及び連通路３２は、密閉空間Ｓへドライガスを導入するガス導入路を構成する。一方、ソレノイドバルブ３３がガス導入管２９を減圧管３６に接続させる際、減圧ポンプ２８は、減圧管３６、ソレノイドバルブ３３、連結管３４、ガス導入管２９及び連通路３２を介して密閉空間Ｓを減圧する。
　本実施の形態に係るウエハ検査装置１０によれば、吸気管３５、ソレノイドバルブ３３、連結管３４、ガス導入管２９及び連通路３２からなるガス導入路はドライガス室３８の内部空間に充填されたドライガスを密閉空間Ｓへ導入し、ドライガス室３８は検査室１１と別に設けられるので、ガス導入路におけるガス導入管２９を検査室１１から密閉空間Ｓへ引き回す必要を無くすことができ、もって、ガス導入管２９を比較的短くすることができる。その結果、ガス導入管２９へ大気が浸透するのを抑制することができ、ドライガス室３８の内部空間に充填されたドライガスのみを密閉空間Ｓへ導入することができる。これにより、密閉空間Ｓへ大気が導入されるのを確実に防止することができ、ウエハＷやチャックトップ２０において結露が発生するのを防止することができる。
　ガス制御ユニット２５では、ガス導入管２９は非透湿材であるテフロンで構成されるので、大気が直接、ガス導入管２９へ浸透するのを防止することができる。また、ガス導入管２９の継ぎ手３０，３１は金属で構成されるので、継ぎ手３０，３１からガス導入管２９へ大気が浸透するのを防止することができる。
　また、ドライガス室３８にはドライガス供給ユニット２７からドライガスが常時充填されるので、タイミングに関わりなく、必要とされるときにドライガスを密閉空間Ｓへ導入することができ、もって、確実に結露の発生を防止することができる。
　ウエハ検査装置１０では、ガス導入路がポゴフレーム２２（連通路３２）を介して密閉空間Ｓへドライガスを導入するが、密閉空間Ｓはポゴフレーム２２及びチャックトップ２０の間に形成される、すなわち、ポゴフレーム２２は密閉空間Ｓに面するので、密閉空間Ｓへ迅速にドライガスを導入することができ、もって、密閉空間Ｓの減圧状態を迅速に解除してプローブカード１８からウエハＷを迅速に離間させることができる。
　また、ウエハ検査装置１０では、ガス導入路がソレノイドバルブ３３によって分岐されて減圧ポンプ２８へ接続されるので、ガス導入路を用いて密閉空間Ｓを減圧することができる。すなわち、密閉空間Ｓの減圧のために、ガス導入路とは別に経路を設ける必要が無いので、ウエハ検査装置１０の構成を簡素化することができる。
　なお、検査室１１の内部には、通常、ドライガスが導入されるため、例えば、連通路３２の一端をガス導入管２９へ接続させること無く、検査室１１の内部へ開放することにより、検査室１１の内部のドライガスを連通路３２によって直接、密閉空間Ｓへ導入することも考えられる。しかしながら、検査室１１の内部がメンテナンス等によって大気開放された際に、当該内部の樹脂部品が吸湿し、さらに、細部の配管等に大気が残留することがあるため、検査室１１の内部にドライガスが導入されても、残留した大気が連通路３２を介して密閉空間Ｓへ導入され、さらには、樹脂部品から放出された水分が連通路３２を介して密閉空間Ｓへ導入されるおそれがある。これに対して、本実施の形態は、大気から隔離されて常時、ドライガスが充填されるドライガス室３８の内部からドライガスが密閉空間Ｓへ導入されるため、検査室１１の内部のドライガスを直接、密閉空間Ｓへ導入する場合に比して、密閉空間Ｓへの水分や大気の導入を確実に防止できる点で利得がある。
　以上、本発明について、上述した実施の形態を用いて説明したが、本発明は上述した実施の形態に限定されるものではない。
　例えば、ウエハ検査装置１０では、ポゴフレーム２２に連通路３２が設けられ、連通路３２から密閉空間Ｓへドライガスが導入されたが、チャックトップ２０に密閉空間Ｓへ開口する連通路を設け、当該連通路へガス導入管２９を連結してチャックトップ２０の連通路から密閉空間Ｓへドライガスを導入してもよい。
　ウエハ検査装置１０では、コストや安全性を考慮し、ドライガス供給ユニット２７がドライガス室３８へドライガスとしてドライエアを充填するが、ドライガス室３８へ充填されるガスはドライエアに限られず、他の乾燥したガス、例えば、乾燥した不活性ガスをドライガス室３８へ充填してもよい。
　また、密閉空間Ｓは、ポゴフレーム２２、ベローズ２３、リップシール２４及びチャックトップ２０によって囲まれるが、ベローズをプローブカード１８から垂れ下げてウエハＷに当接させることにより、プローブカード１８及びウエハＷの間に密閉空間を形成してもよい。
　本出願は、２０１６年９月２３日に出願された日本出願第２０１６−１８５７２４号に基づく優先権を主張するものであり、当該日本出願に記載された全内容を本出願に援用する。
Ｓ　密閉空間
１１　検査室
１８　プローブカード
２０　チャックトップ
２２　ポゴフレーム
２５　ガス制御ユニット
２８　減圧ポンプ
２９　ガス導入管
３０，３１　継ぎ手
３８　ドライガス室

Claims (7)

  1. 　プローブカードを保持する保持部材と、前記プローブカードに対向し且つ前記基板を載置する板状のチャックと、前記保持部材及び前記チャックが配置される検査室とを備え、前記チャックを前記保持部材に近づけて前記プローブカードへ前記基板を接触させるとともに前記保持部材及び前記チャックの間に密閉空間を形成し、前記密閉空間を減圧することによって前記プローブカード及び前記基板の接触状態を維持する基板検査装置において、
    　前記検査室とは別に設けられ且つ仕切られた空間のガスを前記密閉空間へ導入するガス導入路を備え、
    　前記仕切られた空間にはドライガスが充填されることを特徴とする基板検査装置。
  2. 　前記ガス導入路は非透湿材で構成されることを特徴とする請求項１記載の基板検査装置。
  3. 　前記ガス導入路は少なくとも１つの継ぎ手を有し、前記継ぎ手は金属で構成されることを特徴とする請求項１又は２記載の基板検査装置。
  4. 　前記仕切られた空間にはドライガスが常時充填されることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の基板検査装置。
  5. 　前記ガス導入路は前記保持部材を介して前記密閉空間へ前記ドライガスを導入することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の基板検査装置。
  6. 　前記ガス導入路は分岐して減圧ポンプへ接続されることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の基板検査装置。
  7. 　前記ドライガスはドライエアからなることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の基板検査装置。
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