WO2018038153A1 - 実装方法および実装装置 - Google Patents
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Abstract
半導体チップを高精度に安定して回路基板に実装することを課題とする。具体的には、キャリア基板に第1の面を保持されたダイシング後の半導体チップを載置台に載置された回路基板に実装する実装方法であって、前記キャリア基板に保持された前記半導体チップの前記第1の面と反対側の面である前記第2の面を粘着シートに貼付ける粘着シート貼付け工程と、前記キャリア基板を前記半導体チップから除去するキャリア基板除去工程と、前記粘着シートの粘着力を低減させる粘着力低減工程と、ヘッドが前記半導体チップの前記第1の面側を保持することにより、前記粘着シートから剥離して、前記第2の面側を前記回路基板に接合することにより前記半導体チップを前記回路基板に実装する実装工程と、を順次実行することを特徴とする実装方法とした。
Description
本発明は、半導体チップを高精度に安定して実装する実装方法および実装装置に関するものである。
半導体チップは、コスト低減のために小型化し、小型化した半導体チップを高精度に実装するための取組みが行われている。特に、ディスプレイに用いられるLEDはマイクロLEDと呼ばれる50μm×50μm以下の半導体チップを数μmの精度で高速に実装することが求められている。
特許文献1には、マイクロLEDからなる半導体チップとサファイヤからなるキャリア基板との間にインジウムからなる接着層が設けられることにより半導体チップの実装面がキャリア基板に接着されており、加熱したヘッドで半導体チップを吸着することによりヘッドからの熱で接着層を溶融、半導体チップを剥離させた後、半導体チップを回路基板に実装する構成が記載されている。
しかしながら、特許文献1記載のものは、半導体チップに接着層が残るおそれがあり、その接着層の量のばらつきにより安定した実装が困難であるという問題があった。
本発明は、上記問題点を解決して、半導体チップを高精度に安定して回路基板に実装することを課題とする。
上記課題を解決するために本発明は、キャリア基板に第1の面を保持されたダイシング後の半導体チップを載置台に載置された回路基板に実装する実装方法であって、前記キャリア基板に保持された前記半導体チップの前記第1の面と反対側の面である第2の面を粘着シートに貼付ける粘着シート貼付け工程と、前記キャリア基板を前記半導体チップから除去するキャリア基板除去工程と、前記粘着シートの粘着力を低減させる粘着力低減工程と、ヘッドが前記半導体チップの前記第1の面側を保持することにより、前記粘着シートから剥離して、前記第2の面側を前記回路基板に接合することにより前記半導体チップを前記回路基板に実装する実装工程と、を順次実行することを特徴とする実装方法を提供するものである。
この構成により、粘着シートの粘着力が低減してからヘッドが半導体チップを保持し、実装するので、半導体チップに余計なものが残存することなく実装が可能であり、高精度に安定して回路基板に実装することができる。
前記キャリア基板除去工程は、レーザ光を照射して前記キャリア基板を剥離し除去する構成としてもよい。
この構成により、半導体チップに接着層が残ることなく、キャリア基板を安定して剥離することができる。
前記粘着力低減工程は、前記粘着シート及び前記半導体チップを所定温度に加熱することにより粘着力を低減させる構成としてもよい。
この構成により、粘着シートの粘着力を低減することができ、半導体チップを安定的に剥離することができるようになる。
前記実装工程は、前記半導体チップを前記粘着力低減工程における前記所定温度に維持したまま前記回路基板に実装可能に、前記ヘッド及び前記載置台を加熱制御する構成としてもよい。
この構成により、一旦加熱した半導体チップ、回路基板、粘着シートやヘッド等の温度の変動を防止することができ、半導体チップ、回路基板、粘着シートやヘッド等の実装に関係する部材全ての熱収縮を防止し、高精度で安定した実装を行うことができる。
前記回路基板に前記半導体チップを実装する際の前記回路基板と前記半導体チップの間の接合力は前記ヘッドの保持力よりも強く、前記ヘッドの保持力は粘着力が低減した前記粘着シートの粘着力よりも強い構成としてもよい。
この構成により、ヘッドによる半導体チップの吸着及び回路基板への実装を安定して行うことができる。
また、上記課題を解決するために本発明は、キャリア基板に第1の面を保持されたダイシング後の半導体チップを載置台に載置された回路基板に実装ヘッドで実装する実装方法であって、
前記キャリア基板に保持された前記半導体チップの前記第1の面と反対側の面である第2の面を第1の粘着部材に貼付ける第1粘着部材貼付け工程と、
前記キャリア基板を前記半導体チップから除去するキャリア基板除去工程と、
前記半導体チップの前記第1の面に第2の粘着部材を貼り付ける第2粘着部材貼付け工程と、
前記第1の粘着部材の粘着力を低減させる第1粘着力低減工程と、
前記第2の粘着部材を貼り付けられた前記半導体チップを前記第1の粘着部材から剥離して、前記第2の面を第3の粘着部材に貼り付ける第3粘着部材貼付け工程と、
前記第2の粘着部材の粘着力を低減させる第2粘着力低減工程と、
前記実装ヘッドが前記半導体チップの前記第1の面を保持し前記第3の粘着部材から剥離して、前記第2の面を前記回路基板に接合することにより前記半導体チップを前記回路基板に実装する実装工程と、を備え、
前記第3の粘着部材の粘着力は、前記第1の粘着部材の粘着力よりも小さいことを特徴とする実装方法を提供するものである。
前記キャリア基板に保持された前記半導体チップの前記第1の面と反対側の面である第2の面を第1の粘着部材に貼付ける第1粘着部材貼付け工程と、
前記キャリア基板を前記半導体チップから除去するキャリア基板除去工程と、
前記半導体チップの前記第1の面に第2の粘着部材を貼り付ける第2粘着部材貼付け工程と、
前記第1の粘着部材の粘着力を低減させる第1粘着力低減工程と、
前記第2の粘着部材を貼り付けられた前記半導体チップを前記第1の粘着部材から剥離して、前記第2の面を第3の粘着部材に貼り付ける第3粘着部材貼付け工程と、
前記第2の粘着部材の粘着力を低減させる第2粘着力低減工程と、
前記実装ヘッドが前記半導体チップの前記第1の面を保持し前記第3の粘着部材から剥離して、前記第2の面を前記回路基板に接合することにより前記半導体チップを前記回路基板に実装する実装工程と、を備え、
前記第3の粘着部材の粘着力は、前記第1の粘着部材の粘着力よりも小さいことを特徴とする実装方法を提供するものである。
この構成により、第2の粘着部材を半導体チップに貼り付けた後、第1の粘着部材の粘着力を低減させるため、第1の粘着部材の発泡による半導体チップの位置ずれや姿勢乱れがなく、また、実装する半導体チップを第1の粘着部材より粘着力が小さい第3の粘着部材に貼り付けているため容易に剥離でき、高精度に安定して回路基板に実装することができる。
前記第1粘着力低減工程は、前記第1の粘着部材及び前記半導体チップを前記第1の粘着部材の粘着力が低減する第1の所定温度に加熱することにより前記第1の粘着部材の粘着力を低減させ、前記第2粘着力低減工程は、前記第2の粘着部材及び前記半導体チップを前記第1の所定温度よりも高温であり前記第2の粘着部材の粘着力が低減する第2の所定温度に加熱することにより前記第2の粘着部材の粘着力を低減させる構成としてもよい。
この構成により、第1の所定温度では第2の粘着部材の粘着力が低減することがないため半導体チップを第2の粘着部材で固定することができ、第1の粘着部材が粘着力を低減する際の発泡による半導体チップの位置ずれや姿勢乱れを防止することができる。また、第2の所定温度で第2の粘着部材の粘着力を安定的に低減させることができる。
前記実装工程は、前記半導体チップを前記第2粘着力低減工程における前記第2の所定温度に維持したまま前記回路基板に実装可能に、前記第3の粘着部材を保持する第3粘着部材保持部、前記実装ヘッド、及び前記載置台を加熱制御する構成としてもよい。
この構成により、一旦加熱した半導体チップ、回路基板、実装ヘッド等の温度の変動を防止することができ、実装に関係する部材全ての熱収縮や膨張を防止し、高精度で安定した実装を行うことができる。
また、上記課題を解決するために本発明は、キャリア基板に第1の面を保持されたダイシング後の半導体チップを載置台に載置された回路基板に実装する実装装置であって、前記キャリア基板に保持された前記半導体チップの前記第1の面と反対側の面である第2の面を貼りつける粘着シートを保持する粘着シート保持部と、前記粘着シートに貼付けられた前記半導体チップから前記キャリア基板を除去するキャリア基板除去部と、前記粘着シートの粘着力を低減させる粘着力低減部と、前記第1の面側から前記半導体チップを保持可能なヘッドと、前記ヘッドが前記半導体チップを保持し、前記粘着シートから剥離して、前記第2の面側を前記回路基板に接合するように制御する制御部と、を有することを特徴とする実装装置を提供するものである。
この構成により、粘着シートの粘着力が低減してからヘッドが半導体チップを保持し、実装するので、半導体チップに余計なものが残存することなく実装が可能であり、高精度に安定して回路基板に実装することができる。
前記キャリア基板除去部は、前記キャリア基板にレーザ光を照射可能なレーザ光照射部を含む構成としてもよい。
この構成により、半導体チップに接着層が残ることなく、半導体チップからキャリア基板を安定して剥離し除去することができる。
前記粘着力低減部は、前記粘着シート及び前記半導体チップを所定温度に加熱する加熱部を含む構成としてもよい。
この構成により、粘着シートの粘着力を低減することができ、半導体チップを安定的に剥離することができるようになる。
前記ヘッド及び前記載置台はそれぞれを加熱することが可能であり、前記半導体チップを前記粘着力低減工程における前記所定温度に維持したまま前記回路基板に実装可能に、前記制御部が前記粘着力低減部、前記ヘッド及び前記載置台の加熱温度を制御する構成としてもよい。
この構成により、一旦加熱した半導体チップ、回路基板、粘着シートやヘッド等の温度の変動を防止することができ、半導体チップ、回路基板、粘着シートやヘッド等の実装に関係する部材全ての熱収縮を防止し、高精度で安定した実装を行うことができる。
前記回路基板に前記半導体チップを実装する際の前記回路基板と前記半導体チップの間の接合力は、前記ヘッドの保持力よりも強く、前記ヘッドの保持力は、粘着力が低減した前記粘着シートの粘着力よりも強い構成としてもよい。
この構成により、ヘッドによる半導体チップの吸着及び回路基板への実装を安定して行うことができる。
また、上記課題を解決するために本発明は、キャリア基板に第1の面を保持されたダイシング後の半導体チップを載置台に載置された回路基板に実装する実装装置であって、第1の粘着部材を保持する第1粘着部材加熱機構を有した第1粘着部材保持部と、前記第1の粘着部材に貼り付けられた前記半導体チップから前記キャリア基板を除去するキャリア基板除去部と、第2の粘着部材を前記半導体チップの第1の面に貼り付ける第1移載ヘッド加熱機構を有した第1の移載ヘッドと、前記半導体チップを第3の粘着部材に貼り付ける第2移載ヘッド加熱機構を有した第2の移載ヘッドと、前記第3の粘着部材を保持する第3粘着部材加熱機構を有した第3粘着部材保持部と、前記第1の粘着部材の粘着力を低減させる第1粘着力低減部と、前記第2の粘着部材の粘着力を低減させる第2粘着力低減部と、前記半導体チップの前記第1の面を保持し前記第3の粘着部材から剥離して、前記第2の面を前記回路基板に接合することにより前記半導体チップを前記回路基板に実装する実装ヘッドと、を備え、前記第3の粘着部材の粘着力は、前記第1の粘着部材の粘着力よりも小さいことを特徴とする実装装置を提供するものである。
この構成により、第2の粘着部材を半導体チップに貼り付けた後、第1の粘着部材の粘着力を低減させるため、第1の粘着部材の発泡による半導体チップの位置ずれや姿勢乱れがなく、また、実装する半導体チップを第1の粘着部材の粘着力より粘着力が小さい第3の粘着部材に貼り付けているため容易に剥離でき、高精度に安定して回路基板に実装することができる。
前記第1粘着力低減部は、前記第1粘着部材加熱機構と前記第1移載ヘッド加熱機構とを前記第1の粘着部材の粘着力が低減する第1の所定温度に加熱するように制御し、前記第2粘着力低減部は、前記第3粘着部材加熱機構と前記第2移載ヘッド加熱機構とを前記第1の所定温度より高温であり第2の粘着部材の粘着力が低減する第2の所定温度に加熱するように制御する構成としてもよい。
この構成により、第1の所定温度では第2の粘着部材の粘着力が低減することがないため半導体チップを第2の粘着部材で固定することができ、第1の粘着部材が粘着力を低減する際の発泡による半導体チップの位置ずれや姿勢乱れを防止することができる。また、第2の所定温度で第2の粘着部材の粘着力を安定的に低減させることができる。
前記実装ヘッドは、実装ヘッド加熱機構を有するとともに、前記載置台は、載置台加熱機構を有し、前記半導体チップを前記第2の所定温度に維持したまま前記回路基板に実装するように、第3粘着部材加熱機構、前記実装ヘッド加熱機構、及び前記載置台加熱機構の加熱温度を制御する実装温度制御部を備えた構成としてもよい。
この構成により、一旦加熱した半導体チップ、回路基板、実装ヘッド等の温度の変動を防止することができ、実装に関係する部材全ての熱収縮や膨張を防止し、高精度で安定した実装を行うことができる。
本発明の実装方法および実装装置により、半導体チップを高精度に安定して回路基板に実装することができる。
本発明の実施例1について、図1~図5を参照して説明する。図1は、本発明の実施例1における実装方法の前半部分を説明する図である。図2は、本発明の実施例1における実装方法の後半部分を説明する図である。図3は、本発明の実施例1における実装装置を説明する図である。図4は、本発明の実施例1における実装装置のヘッド部分を説明する図である。図5は、本発明の実施例1における実装装置のヘッドの平行度調整を説明する図である。
なお、本発明において、半導体チップのもつ2つの主面のうち、キャリア基板に保持された面を第1の面とし、第1面と反対側の面を第2の面と定義し、第2の面にはバンプが形成されているものとする。
まず、本発明の実施例1における実装方法の各工程について、図1、図2を参照して説明する。図1(a)は、キャリア基板2に第1の面が保持されたダイシング後の複数の半導体チップ1を示している。キャリア基板2は図1、図2の奥行き方向にも広がっていて円形又は四角形を有しており、シリコン、ガリウムヒ素、サファイヤ等からなっている。また、半導体チップ1もキャリア基板2の広がりに沿って2次元に複数個(数百個~数万個)が配列されている。マイクロLEDと呼ばれる小型の半導体チップ1では、50μm×50μm以下のサイズであり、このサイズにダイシング幅を加えたピッチで配列されている。このような小型の半導体チップ1は、高精度(例えば、1μm以下の精度)で回路基板6に実装することが求められている。実施例1における半導体チップ1は、事前に各半導体チップ1を検査し不良の半導体チップを除去している。具体的には、後述のレーザリフトオフの場合よりも強いレーザ光を照射し、不良チップを焼失させている。また、半導体チップ1の第2の面にはバンプが形成されている。
図1(b)は、半導体チップ1のキャリア基板2に保持された面である第1の面と反対側の面である第2の面を粘着シート4に貼付ける粘着シート貼付け工程を示している。粘着シート4は、粘着シート保持部17に真空吸着により保持されており、半導体チップ1を貼り付ける面には粘着膜3が形成されている。実施例1における粘着膜3は常温では粘着性を有するが、加熱することによって粘着力が低減する特性を有している。この粘着シート貼付け工程では、後述するヘッド14で半導体チップ1を保持したキャリア基板2を吸着、ハンドリングして、粘着シート保持部17に保持された粘着シート4の粘着膜3上に半導体チップ1の第2の面を貼り付ける。
次に、図1(c)に示すように、キャリア基板除去工程を実行する。キャリア基板除去工程では、レーザリフトオフと呼ばれる方法により半導体チップ1からキャリア基板2を剥離し除去する。例えば、マイクロLEDにおいては、キャリア基板2にエキシマレーザを照射することにより、半導体チップ1であるマイクロLEDのGaN層の一部をGaとNに分解させてサファイヤからなるキャリア基板2を剥離し除去する。剥離したキャリア基板2は、ヘッド14にて吸着して除去する。
なお、実施例1においては、キャリア基板除去工程にてキャリア基板2にレーザ光を照射してレーザリフトオフと呼ばれる方法により半導体チップ1からキャリア基板2を剥離して除去するようにしたが、必ずしもこれに限定されず適宜変更が可能である。例えば、キャリア基板2を半導体チップ1が設けられている側と反対側から削り落として除去するようにしてもよい。これは、バックグラインドと呼ばれ、特に赤色LEDの場合にはレーザリフトオフが適用できないのでこのバックグラインドの手法が用いられる。
続いて、図2(a)に示す粘着力低減工程を実行する。粘着力低減工程では、粘着シート4の粘着膜3を所定温度に加熱することにより粘着膜3の粘着力を低減させる。この粘着力を低減させる所定温度は、後述の実装工程における「バンプが接合可能な温度」である。この「バンプが接合可能な温度」を所定温度に設定するため、粘着膜3の種類を選択することにより、90℃、150℃、180℃等とすることができる。実施例1においては、「バンプが接合可能な温度」が150℃前後の温度であり、この温度で粘着力がほぼゼロとなる粘着膜3を採用した粘着シート4を用いている。つまり、150℃で粘着力がほぼゼロとなる粘着膜3を採用した粘着シート4を用い、150℃を所定温度に設定して粘着シート4を150℃に加熱することにより粘着膜3も150℃となって粘着力が低減し、半導体チップ1を容易に剥離することが可能となる。実施例1においては、粘着シート4の加熱時に半導体チップ1も同じ所定温度である150℃に加熱するように粘着シート保持部17におけるヒータ21を制御する。このように、後述する実装工程で半導体チップ1を回路基板6に接合する際に「バンプが接合可能な温度」と同じ温度を所定温度として粘着力低減工程でも採用することにより、半導体チップ1の温度を粘着力低減工程から実装工程に至るまで一定に保ち、膨張や収縮を避けることができ、高精度で安定した実装が実現できる。
次に、図2(b)及び(c)に示す実装工程を実行する。実装工程では、まず図2(b)に示すように、ヘッド14で粘着シート4上の半導体チップ1を複数個同時に吸着してピックアップする。ピックアップする半導体チップ1の数は、ヘッド14の構成により任意に設定できるが、高速実装を実現するにはできるだけ多くの半導体チップ1をピックアップすることが望ましい。実施例1においては、1万個の半導体チップ1をピックアップできるようにヘッド14を構成している。このピックアップの際に、ヘッド14内部に設けられたヒータ22によりピックアップした半導体チップ1の温度を粘着力低減工程における所定温度、つまり「バンプが接合可能な温度」(実施例1においては150℃)に加熱維持するように制御する。また、粘着シート保持部17におけるヒータ21も同様に半導体チップ1の温度を粘着力低減工程における所定温度、つまり「バンプが接合可能な温度」(実施例1においては150℃)に加熱維持するように制御する。ヘッド14で半導体チップ1をピックアップするピッチは、後述する回路基板6の半導体チップ1を実装するピッチに合わせて構成されている。ここで、「バンプが接合可能な温度」とは、半導体チップ1に設けたバンプと回路基板6の電極との接合に適した温度であり、この温度ではバンプに粘りがでて接合に適すが、この温度より低いと粘りが発生せず、この温度よりも高いとバンプが酸化して接合には適さない。
ヘッド14でピックアップした複数の半導体チップ1は、図2(c)に示すように、ヘッド14又は載置台13がX、Y、Z方向に適宜移動することにより、載置台13に保持された回路基板6に接合して実装される。実施例1における回路基板6は、ガラスの表面に回路が形成されている。一度に1万個の半導体チップ1を回路基板6に実装するには、X、Y方向に高精度に位置決めするだけでなく、半導体チップ1と回路基板6との平行度も調整する必要がある。後述する平行度調整を行うことによって、いずれの半導体チップ1も同じ高さ(Z方向)だけ移動することで実装できる。
載置台13にはヒータ24が設けられており、ヘッド14とともに載置台13を「バンプが接合可能な温度」に加熱制御することにより、半導体チップ1に設けたバンプと回路基板6の電極とが接合される。ヘッド14及び載置台13が加熱制御されることにより、半導体チップ1が粘着力低減工程における所定温度、すなわち「バンプが接合可能な温度」(実施例1においては150℃)に維持され、また回路基板6も同じ粘着力低減工程における所定温度に維持され、粘着力低減工程から実装工程まで、半導体チップ1はじめ回路基板6、粘着シート4やヘッド14を同じ所定温度に維持することができる。これにより、半導体チップ1や回路基板6が熱収縮することが避けられ、高精度な実装を安定して行うことができる。
実装工程において、回路基板6に半導体チップ1を実装する際の回路基板6と半導体チップ1の間の接合力はヘッド14の保持力よりも強く、ヘッド14の保持力は粘着力が低減した粘着シート4の粘着力よりも強くなるように構成されている。すなわち、ヘッド14は常時真空吸着をオンにしており、この真空吸着により半導体チップ1を保持する。この常時オンの真空吸着による保持力が、回路基板6に半導体チップ1を実装する際の回路基板6と半導体チップ1の間の接合力よりも弱く、粘着力が低減した粘着シート4の粘着力よりも強くなるように設定されている。これにより、真空吸着をオン-オフに関する制御を行う必要がなくなり、よりシンプルな構成とすることができる。
なお、実施例1においては、ヘッド14の保持力を常時オンの真空吸着によることとしたが、必ずしもこれに限定されず、ヘッド構成の都合により適宜変更が可能である。例えば、半導体チップ等を保持するときのみ真空吸着をオンにして、それ以外をオフとする制御を行う構成としてもよい。また、ヘッド先端面に粘着性を持たせた構成として、その粘着性による保持力を回路基板6に半導体チップ1を実装する際の回路基板6と半導体チップ1の間の接合力よりも弱く、粘着力が低減した粘着シート4の粘着力よりも強くなるように構成してもよい。
また、実施例1においては、粘着力低減工程において、粘着シート4の粘着膜3を所定温度に加熱することにより粘着膜3の粘着力を低減させる構成としたが、これに必ずしも限定されず、都合により適宜変更することができる。例えば、粘着シート4の粘着膜3に紫外線又はレーザ光を照射することにより粘着膜3の粘着力を低減させる構成としてもよい。この場合も粘着力低減工程において、前述の「バンプが接合可能な温度」である所定温度に半導体チップ1や粘着シート4の温度制御を行う。
(実装装置)
次に、本発明の実施例1における実装装置について、図3、図4を参照して説明する。図3は、本発明の実施例1における実装装置を説明する図である。図4は、本発明の実施例1における実装装置のヘッド部分を説明する図である。図5は、本発明の実施例1における実装装置のヘッドの平行度調整を説明する図である。
次に、本発明の実施例1における実装装置について、図3、図4を参照して説明する。図3は、本発明の実施例1における実装装置を説明する図である。図4は、本発明の実施例1における実装装置のヘッド部分を説明する図である。図5は、本発明の実施例1における実装装置のヘッドの平行度調整を説明する図である。
本発明の実施例1における実装装置50は、図3に示すように、キャリア基板保持部11、2視野光学系12、載置台13、ヘッド14、及び粘着シート保持部17を備え、また図示しないキャリア基板除去部、粘着力低減部、及び制御部を備えている。キャリア基板保持部11は、3つのキャリア基板2を保持できる構成になっており、3種類のキャリア基板2を1つずつ又は1種類のキャリア基板2を3つ保持可能で、半導体チップ1の第2の面を下にして保持する。例えば、マイクロLEDの場合は、赤、緑、青の各色のLEDを保持するキャリア基板をそれぞれ保持してもよいし、青のLEDを保持するキャリア基板を3つ保持するようにしてもよい。
載置台13は、回路基板6を載置して真空吸着により動かないように保持することができる。また載置台13に隣接した位置には、粘着シート保持部17が設けられている。粘着シート保持部17には、半導体チップ1を粘着させる粘着シート4を真空吸着により保持することができる。そして、キャリア基板保持部11、載置台13及び粘着シート保持部17はともに、X、Y方向に移動可能に構成されている。
ヘッド14は、図3に示すようにZ、θ、xφ、yφ方向に移動可能に構成され、キャリア基板2をキャリア基板保持部11からピックアップし、粘着シート保持部17に保持される粘着シート4の上に半導体チップ1の第2の面を下にして載置し粘着シート4に粘着させるとともに、粘着シート保持部17に保持される粘着シート4の粘着膜3の粘着力が低減された後に半導体チップ1をピックアップして、載置台13のX、Y方向への移動とヘッド14のZ、θ方向の移動とを連動させることによって回路基板6の上に実装することができる。ヘッド14のxφ、yφ方向への移動は、後述する平行度調整の際に実行される。
なお、実施例1においては、ヘッド14がZ、θ、xφ、yφ方向に移動し、キャリア基板保持部11、載置台13及び粘着シート保持部17はともに、X、Y方向に移動するように構成したが、必ずしもこれに限定されず、装置の都合により適宜変更が可能である。例えば、ヘッド14がX、Y、θ、xφ、yφ方向に移動し、キャリア基板保持部11、載置台13及び粘着シート保持部17はともにZ方向に移動する構成としてもよい。また、θとxφ、yφ方向の移動機構は必要がなければ省略することが可能である。例えば、半導体チップ1及び回路基板6の位置に回転ずれがない場合はθ方向の移動機構は省略できる。また、半導体チップ1と回路基板6との平行度調整の必要がない場合は、xφ、yφ方向の移動機構は省略できる。
2視野光学系12は、キャリア基板2のピックアップ時にヘッド14とキャリア基板2との間に侵入して双方の画像を撮像することができる。また、半導体チップ1のピックアップ時に粘着シート保持部17上の半導体チップ1の位置を撮像するとともに、ヘッド14がピックアップした半導体チップ1を載置台13上の回路基板6に実装する際に、ヘッド14と載置台13との間に侵入して半導体チップ1と回路基板6の画像を撮像することができる。撮像された各画像は、図示しない制御部で画像処理されてそれぞれの位置ずれを認識する。そして、制御部は、この位置ずれを考慮して、ヘッド14が半導体チップ1を保持し、粘着シート4から剥離して、半導体チップ1の第2の面側を回路基板6に接合するように制御する。
図示しないキャリア基板除去部は、キャリア基板2にレーザ光を照射可能なレーザ光照射部を含んで構成されている。このレーザ光照射部からレーザ光をキャリア基板2に照射することによりキャリア基板と半導体チップ1を容易に剥離することができる。例えば、マイクロLEDの場合は、エキシマレーザをサファイヤからなるキャリア基板に照射することにより、容易にマイクロLEDからサファイヤを剥離することができる。
図示しない粘着力低減部は、粘着シート4及び半導体チップ1を所定温度に加熱する加熱部を含んで構成されている。具体的には、粘着シート保持部17に設けられたヒータ21により、粘着膜3の粘着力が低減しほぼゼロとなる所定温度に粘着シート4及び半導体チップ1を加熱することができる。
半導体チップ1を回路基板6に実装する際には、2視野光学系12で半導体チップ1及び回路基板6の位置ずれを撮像してX、Y方向に高精度に実装する。実施例1における実装装置においては、このX、Y方向の精度に加えて半導体チップ1と回路基板6との平行度を調整することにより、Z方向の高精度化も実現している。
この平行度調整について、図4、図5を参照して説明する。図4に示すように、ヘッド14の両端部には、第1のレーザ変位計15、第2レーザ変位計16、及び図示しない第3のレーザ変位計が設けられている。これらの3つのレーザ変位計からレーザ光を回路基板6に照射してそれぞれの回路基板6までの距離を測定し、制御部にてそれら距離の違いを演算してヘッド14をxφ、yφ方向に調整移動させる(図4、図5(b)参照)。
また、このxφ、yφ方向調整に先立って、ヘッド14自身の平行度を調整する必要がある。これは、図5(a)に示すように、平坦に製作した治具31をヘッド14が吸着し、この治具31に第1のレーザ変位計15、第2のレーザ変位計16、及び図示しない第3のレーザ変位計からレーザ光を照射して自身の平行度を測定してxφ、yφ方向に自身を移動させて調整を行う。
以上、述べた実装装置50により、本発明の実施例1における実装方法を実行できる。そして、多くの半導体チップ1や回路基板6を一度加熱した温度を一定に保ったまま回路基板6に実装することにより、半導体チップを高速・高精度に安定して回路基板に実装することができる。
なお、実施例1においては、実装装置50にキャリア基板除去部を設ける構成としたが、必ずしもこれに限定されず、実装装置の都合により適宜変更が可能である。例えば、キャリア基板除去装置とキャリア基板除去部を有さない実装装置51の2台構成としてもよい。つまり実装装置51の前工程にキャリア基板除去装置を設け、このキャリア基板除去装置で粘着シート貼付け工程及びキャリア基板除去工程を実行する。キャリア基板除去装置でキャリア基板を除去した半導体チップ1を粘着シート4に粘着させた状態で実装装置51における粘着シート保持部17にロボット等の搬送手段で搬送する構成としてよい。これにより実装装置51はコンパクトに構成できる。
このように実施例1においては、キャリア基板に第1の面を保持されたダイシング後の半導体チップを載置台に載置された回路基板に実装する実装方法であって、前記キャリア基板に保持された前記半導体チップの前記第1の面と反対側の面である前記第2の面を粘着シートに貼付ける粘着シート貼付け工程と、前記キャリア基板を前記半導体チップから除去するキャリア基板除去工程と、前記粘着シートの粘着力を低減させる粘着力低減工程と、ヘッドが前記半導体チップの前記第1の面側を保持することにより、前記粘着シートから剥離して、前記第2の面側を前記回路基板に接合することにより前記半導体チップを前記回路基板に実装する実装工程と、を順次実行することを特徴とする実装方法により、粘着シートの粘着力が低減してからヘッドが半導体チップを保持し、実装するので、半導体チップに余計なものが残存することなく実装が可能であり、高精度に安定して回路基板に実装することができる。
また、キャリア基板に第1の面を保持されたダイシング後の半導体チップを載置台に載置された回路基板に実装する実装装置であって、前記キャリア基板に保持された前記半導体チップの前記第1の面と反対側の面である前記第2の面を貼りつける粘着シートを保持する粘着シート保持部と、前記粘着シートに貼付けられた前記半導体チップから前記キャリア基板を除去するキャリア基板除去部と、前記粘着シートの粘着力を低減させる粘着力低減部と、前記第1の面側から前記半導体チップを保持可能なヘッドと、前記ヘッドが前記半導体チップを保持し、前記粘着シートから剥離して、前記第2の面側を前記回路基板に接合するように制御する制御部と、を有することを特徴とする実装装置により、粘着シートの粘着力が低減してからヘッドが半導体チップを保持し、実装するので、半導体チップに余計なものが残存することなく実装が可能であり、高精度に安定して回路基板に実装することができる。
本発明の実施例2は、粘着力が低減した粘着シート4から半導体チップ1をピックアップするヘッド114が1つずつ半導体チップ1をピックアップするように構成された点で実施例1と異なっている。そして、このヘッド114も実施例1におけるヘッド14と同様にヒータ122からなる加熱部を備えている。
本発明の実施例2における実装方法について、図6を参照して説明する。図6は、本発明の実施例2における実装方法の後半部分を説明する図である。実施例2における実装方法の前半部分は実施例1と同じである。実施例2における実装方法の後半部分では、まず、実施例1と同様に図6(a)に示す粘着力低減工程を実行する。粘着力低減工程では、粘着シート4の粘着膜3を所定温度に加熱することにより粘着膜3の粘着力を低減させる。この所定温度は、粘着膜3の種類を選択することにより、90℃、150℃、180℃等任意に選択することができる。実施例2においても、150℃で粘着力がほぼゼロとなる粘着膜3を採用した粘着シート4を用いている。つまり、粘着シート4を150℃に加熱することにより粘着膜3の粘着力が低減し、半導体チップ1を容易に剥離することが可能となる。また、粘着シート4の加熱時に半導体チップ1も同じ所定温度である150℃に加熱するように粘着シート保持部17におけるヒータ21を制御する。これは、実施例1と同様に、実装工程で半導体チップ1を回路基板6に接合する際の温度150℃と同じ温度を所定温度として粘着力低減工程でも採用することにより、半導体チップ1の温度を粘着力低減工程から実装工程に至るまで一定に保ち、熱収縮を避けるためである。これにより、高精度で安定した実装が実現できる。
次に、図6(b)に示すように、ヘッド114で粘着シート4上の半導体チップ1を1個ずつ吸着してピックアップする。この際に、ヘッド114内部に設けられたヒータ122によりピックアップした半導体チップ1の温度を粘着力低減工程における所定温度、つまり実施例2においても150℃、に加熱維持するように制御する。また、粘着シート保持部17におけるヒータ21も同様に半導体チップ1の温度を粘着力低減工程における所定温度、つまり実施例2においても150℃、に加熱維持するように制御する。
ヘッド114でピックアップした1つの半導体チップ1は、図6(c)に示すように、ヘッド114がX、Y、Z方向に適宜移動することにより、載置台13に保持された回路基板6に接合して実装される。回路基板6の表面には転写層5が設けられていて、この転写層5により半導体チップ1が動かないように保持できる。そして、載置台13にはヒータ24が設けられており、ヘッド114とともに載置台13を加熱制御することにより、半導体チップ1に設けたバンプと回路基板6の電極とが接合される。ヘッド114及び載置台13が加熱制御されることにより、半導体チップ1が粘着力低減工程における所定温度、実施例2においても150℃、に維持され、また回路基板6も同じ粘着力低減工程における所定温度に維持され、粘着力低減工程から実装工程まで、半導体チップ1を同じ所定温度に維持することができる。これにより、半導体チップ1が熱収縮することが避けられ、高精度な実装を安定して行うことができる。
実施例2における実装方法は、特に、回路基板6に実装した半導体チップ1が位置ずれや実装できなかった場合等に有効である。半導体チップ1を1個ずつピックアップして回路基板6に実装することでリペアーすることが容易にできる。また、この際にも半導体チップ1の温度を粘着力低減工程から実装工程に至るまで一定の所定温度に保つことで、半導体チップ1の熱収縮を防ぎ、高精度で安定した実装を行うことができる。
本発明の実施例3は、粘着力低減工程において、粘着シート4の粘着力が低減したことにより、半導体チップ1が飛散することを防止するために、半導体チップ1を押圧する点で実施例1、実施例2と異なっている。
本発明の実施例3について、図7を参照して説明する。図7は、本発明の実施例3における粘着力低減工程を説明する図である。実施例3においては、図7に示すように実装装置50が押圧部231を備えており、図示しない駆動機構によりZ方向に押圧移動することができる。粘着力低減工程においては、実施例1で述べた粘着力低減工程における所定温度に予め加熱された押圧部231が粘着シート4に保持されている半導体チップ1を押圧し、粘着シート保持部17の加熱により粘着シート4及び半導体チップ1が加熱され所定温度に均温化されてから粘着シート4の粘着力が低減するまでの間押圧を継続することにより、粘着シート4の粘着力が低減したことによる半導体チップ1の飛散により位置ずれが起こらないようにしている。押圧部231は、鉄やアルミ等の金属やプラスチック等任意の材料で構成でき、粘着シート4上の半導体チップ1を全て押圧可能な大きさを有している。この押圧部231は粘着力低減工程が終われば、押圧を解除して上昇させる。
このように実施例3においては、粘着力低減工程における粘着シート4の粘着力が低減することによる半導体チップの位置ずれを防ぐことができ、後工程である実装工程をスムーズに行うことで安定した実装を実行できる。
本発明の実施例4について、図8~図13を参照して説明する。図8は、本発明の実施例4における第1粘着部材貼付け工程とキャリア基板除去工程を説明する図である。図9は、本発明の実施例4における第2粘着部材貼付け工程と第1粘着力低減工程を説明する図である。図10は、本発明の実施例4における第3粘着部材貼付け工程を説明する図である。図11は、本発明の実施例4における第2粘着力低減工程を説明する図である。図12は、本発明の実施例4における実装工程を説明する図である。図13は、本発明の実施例4における実装装置を説明する図である。
本発明において、半導体チップのもつ2つの主面のうち、キャリア基板に保持された面を第1の面とし、第1面と反対側の面を第2の面と定義し、第2の面にはバンプが形成されているものとする。
(実装方法)
まず、本発明の実施例4における実装方法の各工程について、図8~図12を参照して説明する。図8(a)は、キャリア基板2に第1の面が保持されたダイシング後の複数の半導体チップ1を示している。
まず、本発明の実施例4における実装方法の各工程について、図8~図12を参照して説明する。図8(a)は、キャリア基板2に第1の面が保持されたダイシング後の複数の半導体チップ1を示している。
図8(b)は、半導体チップ1のキャリア基板2に保持された面である第1の面と反対側の面である第2の面を第1の粘着部材304に貼付ける第1粘着部材貼付け工程を示している。第1の粘着部材304は、第1粘着部材保持部315に真空吸着により保持されており、半導体チップ1を貼り付ける面には第1の粘着膜303が形成されている。実施例4における第1の粘着膜303は通常は強い粘着性を有するが、第1の所定温度(後述参照)に加熱することによって粘着力が低減する特性を有している。この第1粘着部材貼付け工程では、後述する第1の移載ヘッド314で半導体チップ1を保持したキャリア基板2を吸着、搬送して、第1粘着部材保持部315に保持された第1の粘着部材304の第1の粘着膜303上に半導体チップ1の第2の面を貼り付ける。
次に、図8(c)に示すように、キャリア基板除去工程を実行する。キャリア基板除去工程では、レーザリフトオフにより半導体チップ1からキャリア基板2を剥離し除去する。剥離したキャリア基板2は、第1の移載ヘッド314にて吸着して除去する。
なお、実施例4においては、キャリア基板除去工程にてキャリア基板2にレーザ光を照射してレーザリフトオフにより半導体チップ1からキャリア基板2を剥離して除去するようにしたが、必ずしもこれに限定されず適宜変更が可能である。例えば、バックグラインドであっても良い。
続いて、図9(a)に示す第2粘着部材貼付け工程を実行する。第2粘着部材貼付け工程では、第1の移載ヘッド314で第2の粘着膜305が表面に形成された第2の粘着部材306を吸着保持して搬送し、第2の粘着部材306の第2の粘着膜305側を第1粘着部材保持部315上に保持された第1の粘着部材304の第1の粘着膜303に第2の面が保持された半導体チップ1の第1の面に押圧して貼り付ける。そして、半導体チップ1は第1の粘着部材304と第2の粘着部材306とに挟まれた状態となる。
ここで、前述のように第1の粘着部材304の第1の粘着膜303は通常は大きな粘着力を有しているが、第1の所定温度(実施例4においては、およそ90℃)に加熱することにより粘着力が低減してその粘着力がほぼゼロとなる特性を有している。また、第2の粘着部材306の第2の粘着膜305も通常は大きな粘着力を有しているが、第2の所定温度(実施例4においては、およそ150℃)に加熱することにより粘着力が低減しその粘着力がほぼゼロとなる特性を有している。したがって、後述する第1粘着力低減工程のように、半導体チップ1が第1の粘着部材304と第2の粘着部材306とに挟まれた状態で第1の所定温度に加熱すると、第1の粘着膜303の粘着力が低減しほぼゼロとなることにより、半導体チップ1は第1の粘着部材304から剥離し第2の粘着部材306には保持された状態が継続することとなる。また、第2の粘着部材306を第2の所定温度に加熱すると第2の粘着膜305の粘着力が低減しほぼゼロとなることにより、半導体チップ1から第2の粘着部材306が剥離することとなる。
なお、実施例4においては、第1の所定温度がおよそ90℃である第1の粘着部材304を採用し、第2の所定温度がおよそ150℃である第2の粘着部材306を採用したが、必ずしもこの温度特性に限定されず適宜変更が可能である。例えば、第1の所定温度がおよそ60℃である第1の粘着部材304を採用し、第2の所定温度がおよそ120℃である第2の粘着部材306を採用してもよいし、それ以外の温度でそれぞれの粘着部材の粘着力が低減する特性を有する粘着部材を採用してもよい。少なくとも第1の粘着部材304の粘着力が低減する第1の所定温度よりも第2の粘着部材306の粘着力が低減する第2の所定温度が高温になるように各粘着部材を構成すればよい。その際、第1の所定温度と第2の所定温度との差を60℃程度にすることが望ましい。そして、第1の所定温度に加熱して第1の粘着部材304の粘着力を低減させるとともに、第1の所定温度よりも高温の第2の所定温度に加熱して第2の粘着部材306の粘着力を低減させるように構成する。
ここで、第1の粘着部材304は通常(第1の所定温度よりも低い温度)では大きな粘着力を有し、第2の粘着部材306は通常(第2の所定温度よりも低い温度)では大きな粘着力を有している。これにより、この強い粘着力に粘着された半導体チップ1が位置ずれや姿勢乱れが生じることを防止している。特に、前述のキャリア基板除去工程におけるレーザリフトオフのパワーはかなり大きく、ヘッドで半導体チップ1を容易にピックアップできるような弱い粘着力ではレーザのパワーを受け止められないため、大きな粘着力を有した粘着部材を採用している。
次に、図9(b)に示すように、第1粘着力低減工程を実行する。第1粘着力低減工程では、第1粘着部材保持部315における第1粘着部材加熱機構321及び第1の移載ヘッド314における第1移載ヘッド加熱機構322により、第1の粘着部材304及び第2の粘着部材306を第1の所定温度(およそ90℃)になるように加熱制御して第1の粘着膜303の粘着力を低減させる。このとき、第2の粘着部材306の第2の粘着膜305も第1の所定温度に加熱されるが、第2の粘着膜305の粘着力が低減する温度は第2の所定温度(およそ150℃)であるので、第1の所定温度では粘着力が低減せず、第2の粘着部材306は第2の粘着膜305により半導体チップ1を粘着保持したままである。
続いて、図10に示すように、第3粘着部材貼付け工程を実行する。まず、第2の移載ヘッド316で第2の粘着部材306に第1の面が保持された半導体チップ1をピックアップ(図10(a)参照)して、第3粘着部材保持部318まで搬送し、第3粘着部材保持部318に保持された第3の粘着部材307の上に半導体チップ1の第2の面を重ね貼り付ける(図10(b)参照)。そして、半導体チップ1は第3の粘着部材307と第2の粘着部材306とに挟まれた状態となる。第3の粘着部材307は、シリコーン樹脂等からなり、前述した第1の粘着部材304よりも粘着力が小さい。つまり、第1の粘着部材304は第1の所定温度で粘着力が低下するが、それより低い温度では粘着力が大きく、粘着された半導体チップ1を簡単にピックアップすることはできない。そのため、常に第1の粘着部材304よりも粘着力が小さい第3の粘着部材307に半導体チップ1を粘着させることで、後述する実装工程で半導体チップ1を容易にピックアップすることができる。
前述したように、レーザリフトオフで半導体チップ1からキャリア基板2を除去するキャリア基板除去工程においては、レーザのパワーが大きく、第3の粘着部材307のような小さい粘着力を有するものではそのパワーを受け止めることが困難である。そのため、通常は大きい粘着力を有した第1の粘着膜303をもつ第1の粘着部材304でエキシマレーザのパワーを受け止めることとしている。
次に、図11に示すように、第2粘着力低減工程を実行する。第2粘着力低減工程では、第3粘着部材保持部318の第3粘着部材加熱機構323と、第2の移載ヘッド316の第2移載ヘッド加熱機構324とにより、第3の粘着部材307と第2の粘着部材306とを半導体チップ1とともに第2の所定温度(およそ150℃)になるように加熱制御する。そうすると、第2の粘着部材306における第2の粘着膜305の粘着力が低減しほぼゼロとなる(図11(a)参照)。そして、第2の粘着部材306が半導体チップ1から剥離され、第2の移載ヘッド316を第2の粘着部材306とともに第3粘着部材保持部318から引き離すと、第3粘着部材保持部318上の第3の粘着部材307に半導体チップ1が残る(図11(b)参照)。このとき、半導体チップ1の第2の面側が第3の粘着部材307に粘着されている。
第1の粘着力低減工程及び第2の粘着力低減工程において、第1の粘着膜303及び第2の粘着膜305からガスが発生して発泡する場合がある。その場合、各粘着膜に粘着されている半導体チップ1が発泡により位置ずれを起こしたり、姿勢乱れが生じたりする恐れがある。しかしながら、上述のように、第1粘着力低減工程では、第1の所定温度では粘着力の低減しない第2の粘着部材で半導体チップ1を保持しており、また、第2粘着力低減工程は、半導体チップ1を第3の粘着部材307で保持しており、半導体チップ1の位置がずれたり、姿勢が乱れたりすることが防止できる。
ここで、第2の所定温度は、後述する実装工程におけるバンプが接合可能な温度に設定されている。つまり、第2粘着力低減工程から実装工程においては、半導体チップ1を第2の所定温度に維持して熱膨張や収縮によって実装位置ずれが発生することを防止している。具体的には、半導体チップ1を第2の所定温度に維持するように第2粘着力低減工程における第3粘着部材保持部318の第3粘着部材加熱機構323と第2の移載ヘッド316の第2移載ヘッド加熱機構324、及び後述する実装工程における載置台313の載置台加熱機構325と実装ヘッド317の実装ヘッド加熱機構326を加熱制御する。
すなわち、バンプが接合可能な温度が150℃前後の温度であり、この温度で粘着力がほぼゼロとなる第2の粘着膜305を採用した第2の粘着部材306を用いている。つまり、第2の所定温度がおよそ150℃である第2の粘着膜305を採用した第2の粘着部材306を用い、第2の粘着部材306をおよそ150℃に加熱することにより第2の粘着膜305もおよそ150℃となって粘着力が低減し、半導体チップ1を容易に剥離することが可能となる。また、第2の粘着部材306の加熱時に半導体チップ1も同じ第2の所定温度であるおよそ150℃に加熱するように第3粘着部材保持部318における第3粘着部材加熱機構323及び第2の移載ヘッド316における第2移載ヘッド加熱機構324を制御する。このように、後述する実装工程で半導体チップ1を回路基板309に接合する際にバンプが接合可能な温度と同じ温度を第2の所定温度として第2粘着力低減工程でも採用することにより、半導体チップ1の温度を第2粘着力低減工程から実装工程に至るまで一定に保ち、膨張や収縮を避けることができ、高精度で安定した実装が実現できる。
最後に、図12に示すように、実装工程を実行する。実装工程では、まず、図12(a)に示すように、実装ヘッド317で第3粘着部材保持部318上の半導体チップ1を個別に複数個同時に吸着してピックアップする。ピックアップする半導体チップ1の数は、実装ヘッド317の構成により任意に設定できるが、高速実装を実現するにはできるだけ多くの半導体チップ1をピックアップすることが望ましい。実施例4においては、1万個の半導体チップ1をピックアップできるように実装ヘッド317を構成している。このピックアップの際に、実装ヘッド317内部に設けられた実装ヘッド加熱機構326によりピックアップした半導体チップ1の温度を第2粘着力低減工程における第2の所定温度、つまりバンプが接合可能な温度(実施例4においては150℃)に加熱維持するように制御する。また、第3粘着部材保持部318における第3粘着部材加熱機構323も同様に半導体チップ1の温度を第2粘着力低減工程における第2の所定温度、つまりバンプが接合可能な温度(実施例4においてはおよそ150℃)に加熱維持するように制御する。実装ヘッド317で半導体チップ1をピックアップするピッチは、回路基板309の半導体チップ1を実装するピッチに合わせて構成されている。ここで、バンプが接合可能な温度とは、半導体チップ1に設けたバンプと回路基板309の電極との接合に適した温度であり、この温度ではバンプに粘りがでて接合に適すが、この温度より低いと粘りが発生せず、この温度よりも高いとバンプが酸化して接合には適さない。
実装ヘッド317でピックアップした複数の半導体チップ1は、図12(b)に示すように、実装ヘッド317又は載置台313がX、Y、Z方向に適宜移動することにより、載置台313に保持された回路基板309に接合して実装される。実施例4における回路基板309は、ガラスの表面に回路が形成されている。一度に1万個の半導体チップ1を回路基板309に実装するには、X、Y方向に高精度に位置決めするだけでなく、半導体チップ1と回路基板309との平行度も調整する必要がある。そのため実装装置350において実装ヘッド317と載置台313の平行度調整を行うことによって、いずれの半導体チップ1も同じ高さ(Z方向)だけ移動することで実装することができる。なお、回路基板309の表面には転写層308が設けられていて、この転写層308により半導体チップ1が動かないように保持できる。
載置台313には載置台加熱機構325が設けられており、実装ヘッド317とともに載置台313をバンプが接合可能な温度に加熱制御することにより、半導体チップ1に設けたバンプと回路基板309の電極とが接合される(図12(b)参照)。実装ヘッド317及び載置台313が加熱制御されることにより、半導体チップ1が第2粘着力低減工程における第2の所定温度、すなわち、バンプが接合可能な温度(実施例4においてはおよそ150℃)に維持され、また回路基板309も第2粘着力低減工程における第2の所定温度に維持され、第2粘着力低減工程から実装工程まで、半導体チップ1はじめ回路基板309、第2の粘着部材306、第2の移載ヘッド316、実装ヘッド317、及び載置台313を同じ第2の所定温度に維持することができる。これにより、半導体チップ1や回路基板309が熱収縮や膨張することが避けられ、高精度な実装を安定して行うことができる。
実装工程において、回路基板309に半導体チップ1を実装する際の回路基板309と半導体チップ1の間の接合力は実装ヘッド317の保持力よりも強く、実装ヘッド317の保持力は第3の粘着部材307の粘着力よりも強くなるように構成されている。すなわち、実装ヘッド317は常時真空吸着をオンにしており、この真空吸着により半導体チップ1を保持する。この常時オンの真空吸着による保持力が、回路基板309に半導体チップ1を実装する際の回路基板309と半導体チップ1の間の接合力よりも弱く、第3の粘着部材307の粘着力よりも強くなるように設定されている。これにより、真空吸着をオン-オフに関する制御を行う必要がなくなり、よりシンプルな構成とすることができる。
なお、実施例4においては、実装ヘッド317の保持力を常時オンの真空吸着によることとしたが、必ずしもこれに限定されず、装置構成の都合により適宜変更が可能である。例えば、半導体チップ1を保持するときのみ真空吸着をオンにして、それ以外をオフとする制御を行う構成としてもよい。また、実装ヘッド317先端面に粘着性を持たせた構成として、その粘着性による保持力を実装する際の回路基板309と半導体チップ1の間の接合力よりも弱く、第3の粘着部材6の粘着力よりも強くなるように構成してもよい。
また、実施例4においては、第1粘着力低減工程及び第2粘着力低減工程において、各粘着シートの各粘着膜を各所定温度に加熱することにより粘着力を低減させる構成としたが、これに必ずしも限定されず、都合により適宜変更することができる。例えば、粘着部材の粘着膜に紫外線又はレーザ光を照射することにより粘着膜の粘着力を低減させる構成としてもよい。この場合も第2粘着力低減工程においては、前述のバンプが接合可能な温度である第2の所定温度に半導体チップ1や第2の粘着部材306の温度制御を行う。
(実装装置)
次に、本発明の実施例4における実装装置について、図13を参照して説明する。図13は、本発明の実施例4における実装装置を説明する図である。
次に、本発明の実施例4における実装装置について、図13を参照して説明する。図13は、本発明の実施例4における実装装置を説明する図である。
本発明の実施例4における実装装置350は、図13に示すように、キャリア基板保持部311、2視野光学系312、載置台313、第1の移載ヘッド314、第1粘着部材保持部315、第2の移載ヘッド316、実装ヘッド317、及び第3粘着部材保持部318を備え、また図示しないキャリア基板除去部、第1粘着力低減部、第2粘着力低減部、及び実装温度制御部を備えている。キャリア基板保持部311は、3つのキャリア基板2を保持できる構成になっており、3種類のキャリア基板2を1つずつ又は1種類のキャリア基板2を3つ保持可能で、半導体チップ1の第2の面を下にして保持する。例えば、マイクロLEDの場合は、赤、緑、青の各色のLEDを保持するキャリア基板をそれぞれ保持してもよいし、1色のLEDを保持するキャリア基板を3つ保持するようにしてもよい。
載置台313は、回路基板309を載置して真空吸着により動かないように保持することができる。また載置台313に隣接した位置には、第1粘着部材保持部315及び第3粘着部材保持部318が設けられている。第1粘着部材保持部315には、半導体チップ1を粘着させる第1の粘着部材304を真空吸着により保持することができる。また、第3粘着部材保持部318には、半導体チップ1を粘着させる第3の粘着部材307を保持することができる。そして、キャリア基板保持部311、載置台313、第1粘着部材保持部315、及び第3粘着部材保持部16はともに、X、Y方向に移動可能に構成されている。
第1の移載ヘッド314、第2の移載ヘッド316、及び実装ヘッド317は、図示しない各保管部に通常は保管されており、必要時に自動的にヘッド保持部330に保持される。つまり、第1の移載ヘッド314、第2の移載ヘッド316、及び実装ヘッド317はそれぞれ交換可能にヘッド保持部330に保持される。ヘッド保持部330は、図13に示すようにZ、θ、xφ、yφ方向に移動可能に構成され、キャリア基板2を第1の移載ヘッド314でキャリア基板保持部311からピックアップし、第1粘着部材保持部315に保持される第1の粘着部材304の上に半導体チップ1の第2の面を下にして粘着させて第1の粘着部材304に貼り付ける。第2の移載ヘッド316は、第1粘着部材保持部315に保持される第1の粘着部材304の第1の粘着膜303の粘着力が低減された後に半導体チップ1をピックアップして、第3粘着部材保持部16のX、Y方向への移動と連動させて第3の粘着部材307に搬送、粘着させることができる。また、第3の粘着部材307に貼り付けられた半導体チップ1は実装ヘッド317によってピックアップして載置台313に載置された回路基板309に実装することができる。
ここで、第1粘着部材保持部315には第1粘着部材加熱機構321、第1の移載ヘッド314には第1移載ヘッド加熱機構322、第3粘着部材保持部318には第3粘着部材加熱機構323、第2の移載ヘッド316には第2移載ヘッド加熱機構324、載置台313には載置台加熱機構325、実装ヘッド317には実装ヘッド加熱機構326がそれぞれ設けられている。これらの加熱機構はヒータを備えており、それぞれ第1の所定温度又は第2の所定温度に加熱することができる。
具体的には、第1粘着力低減部が、第1粘着部材保持部315に設けられた第1粘着部材加熱機構321と第1の移載ヘッド314に設けられた第1移載ヘッド加熱機構322とを制御して、第1の粘着膜303の粘着力が低減しほぼゼロとなる第1の所定温度に第1の粘着部材304及び半導体チップ1を加熱することができる。また、第2粘着力低減部が、第3粘着部材保持部318に設けられた第3粘着部材加熱機構323と第2の移載ヘッド316に設けられた第2移載ヘッド加熱機構324とを制御して、第2の粘着膜305の粘着力が低減しほぼゼロとなる第2の所定温度に第2の粘着部材306及び半導体チップ1を加熱制御することができる。さらに、第2の所定温度を維持したまま半導体チップ1を回路基板309に実装するために、実装温度制御部が、第3粘着部材保持部318に設けられた第3粘着部材加熱機構323、載置台313に設けられた載置台加熱機構325、及び実装ヘッド317に設けられた実装ヘッド加熱機構326を制御して、半導体チップ1と回路基板309とを接合に適した第2の所定温度に加熱することができる。
なお、実施例4においては、第1の移載ヘッド314がキャリア基板保持部311からキャリア基板2をピックアップし、第1粘着部材保持部315に保持される第1の粘着部材304の上に半導体チップ1の第2の面を下にして粘着させて第1の粘着部材304に貼り付け、第2の移載ヘッド316が、第1粘着部材保持部315に保持される第1の粘着部材304の第1の粘着膜303の粘着力が低減された後に半導体チップ1をピックアップして、第3の粘着部材307に貼り付ける構成としたが、必ずしもこれに限定されず適宜変更が可能である。例えば、第1の移載ヘッド314と第2の移載ヘッド316とを共通にして、一つの移載ヘッドとして構成し、半導体チップ1の第1粘着部材4への貼付け及び第3の粘着部材保持部7への貼付けの双方を行うようにしてもよい。これによりコンパクトに実装装置を構成することができる。
また、第1の移載ヘッド314、第2の移載ヘッド316、及び実装ヘッド317がZ、θ、xφ、yφ方向に移動し、キャリア基板保持部311、載置台313、第1粘着部材保持部315、及び第3粘着部材保持部318はともに、X、Y方向に移動するように構成したが、必ずしもこれに限定されず、装置の都合により適宜変更が可能である。例えば、第1の移載ヘッド314、第2の移載ヘッド316、及び実装ヘッド317がX、Y、θ、xφ、yφ方向に移動し、キャリア基板保持部311、載置台313、第1粘着部材保持部315、及び第3粘着部材保持部318はともにZ方向に移動する構成としてもよい。また、θとxφ、yφ方向の移動機構は必要がなければ省略することが可能である。例えば、半導体チップ1及び回路基板309の位置に回転ずれがない場合はθ方向の移動機構は省略できる。また、半導体チップ1と回路基板309との平行度調整の必要がない場合は、xφ、yφ方向の移動機構は省略できる。
2視野光学系312は、キャリア基板2のピックアップ時に第1の移載ヘッド314とキャリア基板2との間に侵入して双方の画像を撮像することができる。また、半導体チップ1のピックアップ時に第1粘着部材保持部315や第3粘着部材保持部318上の半導体チップ1の位置を撮像するとともに、実装ヘッド317がピックアップした半導体チップ1を載置台313上の回路基板309に実装する際に、実装ヘッド317と載置台313との間に侵入して半導体チップ1と回路基板309の画像を撮像することができる。撮像された各画像は、図示しない制御部で画像処理されてそれぞれの位置ずれを認識する。そして、図示しない制御部が、この位置ずれを考慮して、実装ヘッド317が半導体チップ1を保持し、第3の粘着部材307から剥離して、半導体チップ1の第2の面を回路基板309に接合するように制御する。
図示しないキャリア基板除去部は、キャリア基板2にエキシマレーザを照射可能なレーザ光照射部を含んで構成されている。このレーザ光照射部からエキシマレーザをキャリア基板2に照射することによりキャリア基板2と半導体チップ1を容易に剥離することができる。例えば、マイクロLEDの場合は、エキシマレーザをサファイヤからなるキャリア基板に照射することにより、容易にマイクロLEDからサファイヤを剥離することができる。
以上、述べた実装装置350により、本発明の実施例4における実装方法を実行できる。そして、半導体チップ1や回路基板309を一度加熱した温度を一定に保ったまま回路基板309に実装することにより、半導体チップを高速・高精度に安定して回路基板に実装することができる。
なお、実施例4においては、実装装置350にキャリア基板除去部を設ける構成としたが、必ずしもこれに限定されず、実装装置の都合により適宜変更が可能である。例えば、キャリア基板除去装置とキャリア基板除去部を有さない実装装置の2台構成としてもよい。つまり実装装置の前工程にキャリア基板除去装置を設け、このキャリア基板除去装置で第1粘着部材貼付け工程及びキャリア基板除去工程を実行する。キャリア基板除去装置でキャリア基板を除去した半導体チップ1を第1の粘着部材304に粘着させた状態で実装装置における第1粘着部材保持部315にロボット等の搬送手段で搬送する構成としてよい。これにより実装装置はコンパクトに構成できる。
また、実施例4においては、第1の移載ヘッド314、第2の移載ヘッド、及び実装ヘッド317を1台の実装装置350に備えるように構成したが、必ずしもこれに限定されず適宜変更が可能である。例えば、第1の移載ヘッド314を備えた第1A実装装置、第2の移載ヘッド316を備えた第1B実装装置、及び実装ヘッド317を備えた第2実装装置の3台構成としてもよい。また、前述のように第1の移載ヘッド314と第2の移載ヘッド316とを共通にして、共通の移載ヘッドを備えた第1実装装置と実装ヘッド317を備えた第2実装装置の2台構成としてもよい。実装装置を複数に構成した場合は、それぞれの実装装置間をロボット等の搬送手段により、半導体チップ1を搬送する構成とすればよい。
このように実施例4においては、キャリア基板に第1の面を保持されたダイシング後の半導体チップを載置台に載置された回路基板に実装ヘッドで実装する実装方法であって、
前記キャリア基板に保持された前記半導体チップの前記第1の面と反対側の面である第2の面を第1の粘着部材に貼付ける第1粘着部材貼付け工程と、
前記キャリア基板を前記半導体チップから除去するキャリア基板除去工程と、
前記半導体チップの前記第1の面に第2の粘着部材を貼り付ける第2粘着部材貼付け工程と、
前記第1の粘着部材の粘着力を低減させる第1粘着力低減工程と、
前記第2の粘着部材を貼り付けられた前記半導体チップを前記第1の粘着部材から剥離して、前記第2の面を第3の粘着部材に貼り付ける第3粘着部材貼付け工程と、
前記第2の粘着部材の粘着力を低減させる第2粘着力低減工程と、
前記実装ヘッドが前記半導体チップの前記第1の面を保持し前記第3の粘着部材から剥離して、前記第2の面を前記回路基板に接合することにより前記半導体チップを前記回路基板に実装する実装工程と、を備え、
前記第3の粘着部材の粘着力は、前記第1の粘着部材の粘着力よりも小さいことを特徴とする実装方法により、第2の粘着部材を半導体チップに貼り付けた後、第1の粘着部材の粘着力を低減させるため、第1の粘着部材の発泡による半導体チップの位置ずれや姿勢乱れがなく、また、実装する半導体チップを第1の粘着部材より粘着力が小さい第3の粘着部材に貼り付けているため容易に剥離でき、高精度に安定して回路基板に実装することができる。
前記キャリア基板に保持された前記半導体チップの前記第1の面と反対側の面である第2の面を第1の粘着部材に貼付ける第1粘着部材貼付け工程と、
前記キャリア基板を前記半導体チップから除去するキャリア基板除去工程と、
前記半導体チップの前記第1の面に第2の粘着部材を貼り付ける第2粘着部材貼付け工程と、
前記第1の粘着部材の粘着力を低減させる第1粘着力低減工程と、
前記第2の粘着部材を貼り付けられた前記半導体チップを前記第1の粘着部材から剥離して、前記第2の面を第3の粘着部材に貼り付ける第3粘着部材貼付け工程と、
前記第2の粘着部材の粘着力を低減させる第2粘着力低減工程と、
前記実装ヘッドが前記半導体チップの前記第1の面を保持し前記第3の粘着部材から剥離して、前記第2の面を前記回路基板に接合することにより前記半導体チップを前記回路基板に実装する実装工程と、を備え、
前記第3の粘着部材の粘着力は、前記第1の粘着部材の粘着力よりも小さいことを特徴とする実装方法により、第2の粘着部材を半導体チップに貼り付けた後、第1の粘着部材の粘着力を低減させるため、第1の粘着部材の発泡による半導体チップの位置ずれや姿勢乱れがなく、また、実装する半導体チップを第1の粘着部材より粘着力が小さい第3の粘着部材に貼り付けているため容易に剥離でき、高精度に安定して回路基板に実装することができる。
また、キャリア基板に第1の面を保持されたダイシング後の半導体チップを実装ヘッドで載置台に載置された回路基板に実装する実装装置であって、
第1の粘着部材を保持する第1粘着部材加熱機構を有した第1粘着部材保持部と、
前記第1の粘着部材に貼り付けられた前記半導体チップから前記キャリア基板を除去するキャリア基板除去部と、
第2の粘着部材を前記半導体チップの第1の面に貼り付ける第1移載ヘッド加熱機構を有した第1の移載ヘッドと、
前記半導体チップを第3の粘着部材に貼り付ける第2移載ヘッド加熱機構を有した第2の移載ヘッドと、
前記第3の粘着部材を保持する第3粘着部材加熱機構を有した第3粘着部材保持部と、
前記第1の粘着部材の粘着力を低減させる第1粘着力低減部と、
前記第2の粘着部材の粘着力を低減させる第2粘着力低減部と、を備え、
前記第3の粘着部材の粘着力は、前記第1の粘着部材の粘着力よりも小さいことを特徴とする実装装置により、第2の粘着部材を半導体チップに貼り付けた後、第1の粘着部材の粘着力を低減させるため、第1の粘着部材の発泡による半導体チップの位置ずれや姿勢乱れがなく、また、実装する半導体チップを第1の粘着部材より粘着力が小さい第3の粘着部材に貼り付けているため容易に剥離でき、高精度に安定して回路基板に実装することができる。
第1の粘着部材を保持する第1粘着部材加熱機構を有した第1粘着部材保持部と、
前記第1の粘着部材に貼り付けられた前記半導体チップから前記キャリア基板を除去するキャリア基板除去部と、
第2の粘着部材を前記半導体チップの第1の面に貼り付ける第1移載ヘッド加熱機構を有した第1の移載ヘッドと、
前記半導体チップを第3の粘着部材に貼り付ける第2移載ヘッド加熱機構を有した第2の移載ヘッドと、
前記第3の粘着部材を保持する第3粘着部材加熱機構を有した第3粘着部材保持部と、
前記第1の粘着部材の粘着力を低減させる第1粘着力低減部と、
前記第2の粘着部材の粘着力を低減させる第2粘着力低減部と、を備え、
前記第3の粘着部材の粘着力は、前記第1の粘着部材の粘着力よりも小さいことを特徴とする実装装置により、第2の粘着部材を半導体チップに貼り付けた後、第1の粘着部材の粘着力を低減させるため、第1の粘着部材の発泡による半導体チップの位置ずれや姿勢乱れがなく、また、実装する半導体チップを第1の粘着部材より粘着力が小さい第3の粘着部材に貼り付けているため容易に剥離でき、高精度に安定して回路基板に実装することができる。
本発明における実装方法および実装装置は、半導体チップを高精度に安定して実装する分野に広く用いることができる。
1:半導体チップ 2:キャリア基板 3:粘着膜 4:粘着シート 5:転写層 6:回路基板 11:キャリア基板保持部 12:2視野光学系 13:載置台 14:ヘッド 15:レーザ変位計 16:レーザ変位計 17:粘着シート保持部 21:ヒータ 22:ヒータ 24:ヒータ 31:治具 50:実装装置 51:実装装置 114ヘッド 122:ヒータ 231:押圧部 303:第1の粘着膜 304:第1の粘着部材 305:第2の粘着膜 306:第2の粘着部材 307:第3の粘着部材 308:転写層 309:回路基板 311:キャリア基板保持部 312:2視野光学系 313:載置台 314:第1の移載ヘッド 315:第1粘着部材保持部 316:第2の移載ヘッド 317:実装ヘッド 318:第3粘着部材保持部 321:第1粘着部材加熱機構 322:第1移載ヘッド加熱機構 323:第3粘着部材加熱機構 324:第2移載ヘッド加熱機構 325:載置台加熱機構 326:実装ヘッド加熱機構 330:ヘッド保持部 350:実装装置
Claims (16)
- キャリア基板に第1の面を保持されたダイシング後の半導体チップを載置台に載置された回路基板に実装する実装方法であって、
前記キャリア基板に保持された前記半導体チップの前記第1の面と反対側の面である第2の面を粘着シートに貼付ける粘着シート貼付け工程と、
前記キャリア基板を前記半導体チップから除去するキャリア基板除去工程と、
前記粘着シートの粘着力を低減させる粘着力低減工程と、
ヘッドが前記半導体チップの前記第1の面側を保持することにより、前記粘着シートから剥離して、前記第2の面側を前記回路基板に接合することにより前記半導体チップを前記回路基板に実装する実装工程と、
を順次実行することを特徴とする実装方法。 - 前記キャリア基板除去工程は、レーザ光を照射して前記キャリア基板を剥離することを特徴とする請求項1に記載の実装方法。
- 前記粘着力低減工程は、前記粘着シート及び前記半導体チップを所定温度に加熱することにより粘着力を低減させることを特徴とする請求項1又は2に記載の実装方法。
- 前記実装工程は、前記半導体チップを前記粘着力低減工程における前記所定温度に維持したまま前記回路基板に実装可能に、前記ヘッド及び前記載置台を加熱制御することを特徴とする請求項3に記載の実装方法。
- 前記回路基板に前記半導体チップを実装する際の前記回路基板と前記半導体チップの間の接合力は前記ヘッドの保持力よりも強く、前記ヘッドの保持力は粘着力が低減した前記粘着シートの粘着力よりも強いことを特徴とする請求項1~4のいずれかに記載の実装方法。
- キャリア基板に第1の面を保持されたダイシング後の半導体チップを載置台に載置された回路基板に実装ヘッドで実装する実装方法であって、
前記キャリア基板に保持された前記半導体チップの前記第1の面と反対側の面である第2の面を第1の粘着部材に貼付ける第1粘着部材貼付け工程と、
前記キャリア基板を前記半導体チップから除去するキャリア基板除去工程と、
前記半導体チップの前記第1の面に第2の粘着部材を貼り付ける第2粘着部材貼付け工程と、
前記第1の粘着部材の粘着力を低減させる第1粘着力低減工程と、
前記第2の粘着部材を貼り付けられた前記半導体チップを前記第1の粘着部材から剥離して、前記第2の面を第3の粘着部材に貼り付ける第3粘着部材貼付け工程と、
前記第2の粘着部材の粘着力を低減させる第2粘着力低減工程と、
前記実装ヘッドが前記半導体チップの前記第1の面を保持し前記第3の粘着部材から剥離して、前記第2の面を前記回路基板に接合することにより前記半導体チップを前記回路基板に実装する実装工程と、を備え、
前記第3の粘着部材の粘着力は、前記第1の粘着部材の粘着力よりも小さいことを特徴とする実装方法。 - 前記第1粘着力低減工程は、前記第1の粘着部材及び前記半導体チップを前記第1の粘着部材の粘着力が低減する第1の所定温度に加熱することにより前記第1の粘着部材の粘着力を低減させ、前記第2粘着力低減工程は、前記第2の粘着部材及び前記半導体チップを前記第1の所定温度よりも高温であり前記第2の粘着部材の粘着力が低減する第2の所定温度に加熱することにより前記第2の粘着部材の粘着力を低減させることを特徴とする請求項6に記載の実装方法。
- 前記実装工程は、前記半導体チップを前記第2粘着力低減工程における前記第2の所定温度に維持したまま前記回路基板に実装可能に、前記第3の粘着部材を保持する第3粘着部材保持部、前記実装ヘッド、及び前記載置台を加熱制御することを特徴とする請求項7に記載の実装方法。
- キャリア基板に第1の面を保持されたダイシング後の半導体チップを載置台に載置された回路基板に実装する実装装置であって、
前記キャリア基板に保持された前記半導体チップの前記第1の面と反対側の面である第2の面を貼りつける粘着シートを保持する粘着シート保持部と、
前記粘着シートに貼付けられた前記半導体チップから前記キャリア基板を除去するキャリア基板除去部と、
前記粘着シートの粘着力を低減させる粘着力低減部と、
前記第1の面側から前記半導体チップを保持可能なヘッドと、
前記ヘッドが前記半導体チップを保持し、前記粘着シートから剥離して、前記第2の面側を前記回路基板に接合するように制御する制御部と、
を有することを特徴とする実装装置。 - 前記キャリア基板除去部は、前記キャリア基板にレーザ光を照射可能なレーザ光照射部を含むことを特徴とする請求項9に記載の実装装置。
- 前記粘着力低減部は、前記粘着シート及び前記半導体チップを所定温度に加熱する加熱部を含むことを特徴とする請求項9又は10に記載の実装装置。
- 前記ヘッド及び前記載置台はそれぞれを加熱することが可能であり、前記半導体チップを前記粘着力低減部における前記所定温度に維持したまま前記回路基板に実装可能に、前記制御部が前記粘着力低減部、前記ヘッド及び前記載置台の加熱温度を制御することを特徴とする請求項11に記載の実装装置。
- 前記回路基板に前記半導体チップを実装する際の前記回路基板と前記半導体チップの間の接合力は、前記ヘッドの保持力よりも強く、前記ヘッドの保持力は、粘着力が低減した前記粘着シートの粘着力よりも強いことを特徴とする請求項9~12のいずれかに記載の実装装置。
- キャリア基板に第1の面を保持されたダイシング後の半導体チップを実装ヘッドで載置台に載置された回路基板に実装する実装装置であって、
第1の粘着部材を保持する第1粘着部材加熱機構を有した第1粘着部材保持部と、
前記第1の粘着部材に貼り付けられた前記半導体チップから前記キャリア基板を除去するキャリア基板除去部と、
第2の粘着部材を前記半導体チップの第1の面に貼り付ける第1移載ヘッド加熱機構を有した第1の移載ヘッドと、
前記半導体チップを第3の粘着部材に貼り付ける第2移載ヘッド加熱機構を有した第2の移載ヘッドと、
前記第3の粘着部材を保持する第3粘着部材加熱機構を有した第3粘着部材保持部と、
前記第1の粘着部材の粘着力を低減させる第1粘着力低減部と、
前記第2の粘着部材の粘着力を低減させる第2粘着力低減部と、を備え、
前記第3の粘着部材の粘着力は、前記第1の粘着部材の粘着力よりも小さいことを特徴とする実装装置。 - 前記第1粘着力低減部は、前記第1粘着部材加熱機構と前記第1移載ヘッド加熱機構とを前記第1の粘着部材の粘着力が低減する第1の所定温度に加熱するように制御し、
前記第2粘着力低減部は、前記第3粘着部材加熱機構と前記第2移載ヘッド加熱機構とを前記第1の所定温度より高温であり第2の粘着部材の粘着力が低減する第2の所定温度に加熱するように制御することを特徴とする請求項14に記載の実装装置。 - 前記実装ヘッドは、実装ヘッド加熱機構を有するとともに、前記載置台は、載置台加熱機構を有し、
前記半導体チップを前記第2の所定温度に維持したまま前記回路基板に実装するように、第3粘着部材加熱機構、前記実装ヘッド加熱機構、及び前記載置台加熱機構の加熱温度を制御する実装温度制御部を備えたことを特徴とする請求項15に記載の実装装置。
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