JP6313165B2 - 熱硬化性の封止用樹脂シート、セパレータ付き封止用シート、半導体装置、及び、半導体装置の製造方法 - Google Patents
熱硬化性の封止用樹脂シート、セパレータ付き封止用シート、半導体装置、及び、半導体装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6313165B2 JP6313165B2 JP2014175772A JP2014175772A JP6313165B2 JP 6313165 B2 JP6313165 B2 JP 6313165B2 JP 2014175772 A JP2014175772 A JP 2014175772A JP 2014175772 A JP2014175772 A JP 2014175772A JP 6313165 B2 JP6313165 B2 JP 6313165B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sealing
- separator
- sealing sheet
- sheet
- semiconductor chip
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000007789 sealing Methods 0.000 title claims description 239
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 111
- 229920005989 resin Polymers 0.000 title claims description 37
- 239000011347 resin Substances 0.000 title claims description 36
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 28
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 title claims description 21
- 238000000034 method Methods 0.000 title description 51
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 33
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 claims description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 59
- 239000004820 Pressure-sensitive adhesive Substances 0.000 description 35
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 35
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 31
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 31
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 25
- -1 tetraphenylphosphonium tetraphenylborate Chemical compound 0.000 description 24
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 20
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 17
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 14
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 13
- 230000008569 process Effects 0.000 description 13
- 239000004088 foaming agent Substances 0.000 description 12
- 229920000103 Expandable microsphere Polymers 0.000 description 10
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 10
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 10
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 9
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 9
- 239000011256 inorganic filler Substances 0.000 description 8
- 229910003475 inorganic filler Inorganic materials 0.000 description 8
- 238000004898 kneading Methods 0.000 description 8
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 8
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 8
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 7
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 7
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 7
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000003063 flame retardant Substances 0.000 description 6
- 239000005350 fused silica glass Substances 0.000 description 6
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 6
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 6
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 6
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 6
- RNFJDJUURJAICM-UHFFFAOYSA-N 2,2,4,4,6,6-hexaphenoxy-1,3,5-triaza-2$l^{5},4$l^{5},6$l^{5}-triphosphacyclohexa-1,3,5-triene Chemical compound N=1P(OC=2C=CC=CC=2)(OC=2C=CC=CC=2)=NP(OC=2C=CC=CC=2)(OC=2C=CC=CC=2)=NP=1(OC=1C=CC=CC=1)OC1=CC=CC=C1 RNFJDJUURJAICM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 5
- PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N bisphenol F Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1CC1=CC=C(O)C=C1 PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 5
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 5
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 5
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N Methacrylic acid Chemical compound CC(=C)C(O)=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 description 4
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 4
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 4
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 4
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 4
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 description 4
- QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 2-methylphenol;3-methylphenol;4-methylphenol Chemical compound CC1=CC=C(O)C=C1.CC1=CC=CC(O)=C1.CC1=CC=CC=C1O QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004677 Nylon Substances 0.000 description 3
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 3
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 3
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical class C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 3
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 3
- 229930003836 cresol Natural products 0.000 description 3
- 239000005038 ethylene vinyl acetate Substances 0.000 description 3
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 description 3
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 3
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 3
- 239000004005 microsphere Substances 0.000 description 3
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 3
- 229920001778 nylon Polymers 0.000 description 3
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 3
- 229920001200 poly(ethylene-vinyl acetate) Polymers 0.000 description 3
- 229920001707 polybutylene terephthalate Polymers 0.000 description 3
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 3
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- BPSIOYPQMFLKFR-UHFFFAOYSA-N trimethoxy-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCOCC1CO1 BPSIOYPQMFLKFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- HECLRDQVFMWTQS-RGOKHQFPSA-N 1755-01-7 Chemical compound C1[C@H]2[C@@H]3CC=C[C@@H]3[C@@H]1C=C2 HECLRDQVFMWTQS-RGOKHQFPSA-N 0.000 description 2
- UHKPXKGJFOKCGG-UHFFFAOYSA-N 2-methylprop-1-ene;styrene Chemical compound CC(C)=C.C=CC1=CC=CC=C1.C=CC1=CC=CC=C1 UHKPXKGJFOKCGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N Pentane Chemical compound CCCCC OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004962 Polyamide-imide Substances 0.000 description 2
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 2
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 2
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 2
- 229920001328 Polyvinylidene chloride Polymers 0.000 description 2
- ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N Propane Chemical compound CCC ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UUQQGGWZVKUCBD-UHFFFAOYSA-N [4-(hydroxymethyl)-2-phenyl-1h-imidazol-5-yl]methanol Chemical compound N1C(CO)=C(CO)N=C1C1=CC=CC=C1 UUQQGGWZVKUCBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- XECAHXYUAAWDEL-UHFFFAOYSA-N acrylonitrile butadiene styrene Chemical compound C=CC=C.C=CC#N.C=CC1=CC=CC=C1 XECAHXYUAAWDEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004676 acrylonitrile butadiene styrene Substances 0.000 description 2
- 229920000122 acrylonitrile butadiene styrene Polymers 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004760 aramid Substances 0.000 description 2
- 229920003235 aromatic polyamide Polymers 0.000 description 2
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 2
- 238000004040 coloring Methods 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 2
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000006260 foam Substances 0.000 description 2
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NNPPMTNAJDCUHE-UHFFFAOYSA-N isobutane Chemical compound CC(C)C NNPPMTNAJDCUHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 229910000000 metal hydroxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004692 metal hydroxides Chemical class 0.000 description 2
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 2
- GKTNLYAAZKKMTQ-UHFFFAOYSA-N n-[bis(dimethylamino)phosphinimyl]-n-methylmethanamine Chemical compound CN(C)P(=N)(N(C)C)N(C)C GKTNLYAAZKKMTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000013034 phenoxy resin Substances 0.000 description 2
- 229920006287 phenoxy resin Polymers 0.000 description 2
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 2
- 229920002312 polyamide-imide Polymers 0.000 description 2
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 2
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 2
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 2
- 239000005033 polyvinylidene chloride Substances 0.000 description 2
- 230000002633 protecting effect Effects 0.000 description 2
- 239000005060 rubber Substances 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920006132 styrene block copolymer Polymers 0.000 description 2
- AAAQKTZKLRYKHR-UHFFFAOYSA-N triphenylmethane Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 AAAQKTZKLRYKHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RIOQSEWOXXDEQQ-UHFFFAOYSA-N triphenylphosphine Chemical compound C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 RIOQSEWOXXDEQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002966 varnish Substances 0.000 description 2
- RUEBPOOTFCZRBC-UHFFFAOYSA-N (5-methyl-2-phenyl-1h-imidazol-4-yl)methanol Chemical compound OCC1=C(C)NC(C=2C=CC=CC=2)=N1 RUEBPOOTFCZRBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NWOMMWVCNAOLOG-UHFFFAOYSA-N 1h-imidazol-5-ylmethanediol Chemical compound OC(O)C1=CN=CN1 NWOMMWVCNAOLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NPSJHQMIVNJLNN-UHFFFAOYSA-N 2-ethylhexyl 4-nitrobenzoate Chemical compound CCCCC(CC)COC(=O)C1=CC=C([N+]([O-])=O)C=C1 NPSJHQMIVNJLNN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004808 2-ethylhexylester Substances 0.000 description 1
- ZXTHWIZHGLNEPG-UHFFFAOYSA-N 2-phenyl-4,5-dihydro-1,3-oxazole Chemical compound O1CCN=C1C1=CC=CC=C1 ZXTHWIZHGLNEPG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004941 2-phenylimidazoles Chemical class 0.000 description 1
- 229920002126 Acrylic acid copolymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 1
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SNRUBQQJIBEYMU-UHFFFAOYSA-N Dodecane Natural products CCCCCCCCCCCC SNRUBQQJIBEYMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 244000043261 Hevea brasiliensis Species 0.000 description 1
- SJEYSFABYSGQBG-UHFFFAOYSA-M Patent blue Chemical compound [Na+].C1=CC(N(CC)CC)=CC=C1C(C=1C(=CC(=CC=1)S([O-])(=O)=O)S([O-])(=O)=O)=C1C=CC(=[N+](CC)CC)C=C1 SJEYSFABYSGQBG-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004696 Poly ether ether ketone Substances 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000005062 Polybutadiene Substances 0.000 description 1
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 description 1
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- QOSMNYMQXIVWKY-UHFFFAOYSA-N Propyl levulinate Chemical compound CCCOC(=O)CCC(C)=O QOSMNYMQXIVWKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000297 Rayon Polymers 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000980 acid dye Substances 0.000 description 1
- 229920000800 acrylic rubber Polymers 0.000 description 1
- 125000005250 alkyl acrylate group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005907 alkyl ester group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229920005603 alternating copolymer Polymers 0.000 description 1
- WNROFYMDJYEPJX-UHFFFAOYSA-K aluminium hydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[OH-].[Al+3] WNROFYMDJYEPJX-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 1
- 230000003712 anti-aging effect Effects 0.000 description 1
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 description 1
- 230000003078 antioxidant effect Effects 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 238000007611 bar coating method Methods 0.000 description 1
- 229920005601 base polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004067 bulking agent Substances 0.000 description 1
- 229920005549 butyl rubber Polymers 0.000 description 1
- AXCZMVOFGPJBDE-UHFFFAOYSA-L calcium dihydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[Ca+2] AXCZMVOFGPJBDE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000000920 calcium hydroxide Substances 0.000 description 1
- 229910001861 calcium hydroxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 1
- 125000002091 cationic group Chemical group 0.000 description 1
- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000003431 cross linking reagent Substances 0.000 description 1
- 229910002026 crystalline silica Inorganic materials 0.000 description 1
- GCFAUZGWPDYAJN-UHFFFAOYSA-N cyclohexyl 3-phenylprop-2-enoate Chemical compound C=1C=CC=CC=1C=CC(=O)OC1CCCCC1 GCFAUZGWPDYAJN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000982 direct dye Substances 0.000 description 1
- 239000000986 disperse dye Substances 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004494 ethyl ester group Chemical group 0.000 description 1
- 229920006242 ethylene acrylic acid copolymer Polymers 0.000 description 1
- 229920001038 ethylene copolymer Polymers 0.000 description 1
- 229920006226 ethylene-acrylic acid Polymers 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 238000005187 foaming Methods 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 238000007731 hot pressing Methods 0.000 description 1
- 239000012943 hotmelt Substances 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 230000009545 invasion Effects 0.000 description 1
- 229920000554 ionomer Polymers 0.000 description 1
- 235000014413 iron hydroxide Nutrition 0.000 description 1
- NCNCGGDMXMBVIA-UHFFFAOYSA-L iron(ii) hydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[Fe+2] NCNCGGDMXMBVIA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000001282 iso-butane Substances 0.000 description 1
- 229920003049 isoprene rubber Polymers 0.000 description 1
- VTHJTEIRLNZDEV-UHFFFAOYSA-L magnesium dihydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[Mg+2] VTHJTEIRLNZDEV-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000000347 magnesium hydroxide Substances 0.000 description 1
- 229910001862 magnesium hydroxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010338 mechanical breakdown Methods 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 150000004702 methyl esters Chemical class 0.000 description 1
- 229920003052 natural elastomer Polymers 0.000 description 1
- 229920001194 natural rubber Polymers 0.000 description 1
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 description 1
- 239000004745 nonwoven fabric Substances 0.000 description 1
- 150000002903 organophosphorus compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 1
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229920001084 poly(chloroprene) Polymers 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 229920002492 poly(sulfone) Polymers 0.000 description 1
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920002239 polyacrylonitrile Polymers 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 description 1
- 229920002857 polybutadiene Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 1
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 1
- 229920002530 polyetherether ketone Polymers 0.000 description 1
- 229920001601 polyetherimide Polymers 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 229920005672 polyolefin resin Polymers 0.000 description 1
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- 239000001294 propane Substances 0.000 description 1
- 238000003847 radiation curing Methods 0.000 description 1
- 239000000985 reactive dye Substances 0.000 description 1
- 229920003987 resole Polymers 0.000 description 1
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- DCKVNWZUADLDEH-UHFFFAOYSA-N sec-butyl acetate Chemical compound CCC(C)OC(C)=O DCKVNWZUADLDEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002914 sec-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- PQTBTIFWAXVEPB-UHFFFAOYSA-N sulcotrione Chemical compound ClC1=CC(S(=O)(=O)C)=CC=C1C(=O)C1C(=O)CCCC1=O PQTBTIFWAXVEPB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- 239000000454 talc Substances 0.000 description 1
- 229910052623 talc Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010345 tape casting Methods 0.000 description 1
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 239000002562 thickening agent Substances 0.000 description 1
- CVNKFOIOZXAFBO-UHFFFAOYSA-J tin(4+);tetrahydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[Sn+4] CVNKFOIOZXAFBO-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- 238000009966 trimming Methods 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
- H01L23/293—Organic, e.g. plastic
- H01L23/295—Organic, e.g. plastic containing a filler
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B7/00—Layered products characterised by the relation between layers; Layered products characterised by the relative orientation of features between layers, or by the relative values of a measurable parameter between layers, i.e. products comprising layers having different physical, chemical or physicochemical properties; Layered products characterised by the interconnection of layers
- B32B7/04—Interconnection of layers
- B32B7/12—Interconnection of layers using interposed adhesives or interposed materials with bonding properties
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/12—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
- H01L23/293—Organic, e.g. plastic
- H01L23/296—Organo-silicon compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
- H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
- H01L23/3114—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed the device being a chip scale package, e.g. CSP
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/93—Batch processes
- H01L24/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
- H01L24/96—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being encapsulated in a common layer, e.g. neo-wafer or pseudo-wafer, said common layer being separable into individual assemblies after connecting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/93—Batch processes
- H01L24/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
- H01L24/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
- H01L21/565—Moulds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
- H01L21/568—Temporary substrate used as encapsulation process aid
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/04105—Bonding areas formed on an encapsulation of the semiconductor or solid-state body, e.g. bonding areas on chip-scale packages
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
- H01L2224/12105—Bump connectors formed on an encapsulation of the semiconductor or solid-state body, e.g. bumps on chip-scale packages
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/18—High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/19—Manufacturing methods of high density interconnect preforms
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/18—High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/20—Structure, shape, material or disposition of high density interconnect preforms
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
- H01L2924/1815—Shape
- H01L2924/1816—Exposing the passive side of the semiconductor or solid-state body
- H01L2924/18162—Exposing the passive side of the semiconductor or solid-state body of a chip with build-up interconnect
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/30—Technical effects
- H01L2924/35—Mechanical effects
- H01L2924/351—Thermal stress
- H01L2924/3511—Warping
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Sealing Material Composition (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Packaging Frangible Articles (AREA)
Description
厚みt[mm]と50℃における貯蔵弾性率G’[Pa]との積αが、下記式1を満たすことを特徴とする。
式1 : 300≦α≦1.5×105
また、貯蔵弾性率が高すぎると撓みを抑制することはできるものの、半導体チップを埋め込むことができない。そこで、通常、封止用シートとして使用される厚みを考慮して、厚みと貯蔵弾性率との積αを1.5×105以下とすれば、好適に半導体チップを封止用シートに埋め込むことができることを本発明者らは見出した。
以上より、本発明の封止用シートによれば、厚みt[mm]と50℃における貯蔵弾性率G’[Pa]との積αが、上記式1を満たす範囲内にあるため、搬送時等に吸着コレットから封止用シートが落下することができ、且つ、半導体チップを封止用シートの好適に埋め込むことができる。
なお、貯蔵弾性率G’の測定温度について、搬送時の温度、すなわち、室温(25℃)ではなく、50℃としたのは、25℃では測定誤差が大きくなるため、測定誤差が少なく且つ室温に近い温度を採用したことによる。
前記封止用シートと、前記封止用シートの少なくとも一方の面に積層されたセパレータとを備え、
25℃における曲げ弾性率E[N/mm2]と前記封止用シートの面積A[mm2]との積βが、下記式2を満たすことを特徴とする。
式2 : 4.0×106≦β≦1.7×109
半導体チップが支持体上に固定された積層体を準備する工程Aと、
前記セパレータ付き封止用シートを準備する工程Bと、
前記セパレータ付き封止用シートを、前記積層体の前記半導体チップ上に配置する工程Cと、
前記半導体チップを前記封止用シートに埋め込み、前記半導体チップが前記封止用シートに埋め込まれた封止体を形成する工程Dとを有することを特徴とする。
図1は、本実施形態に係るセパレータ付き封止用シートの断面模式図である。図1に示すように、セパレータ付き封止用シート10は、封止用シート40と、封止用シート40の一方の面に積層されたセパレータ41aと、封止用シート40の他方の面に積層されたセパレータ41bとを備える。セパレータ41a及びセパレータ41bは、本発明のセパレータに相当する。
なお、本実施形態では、本発明のセパレータ付き封止用シートが、封止用シートの両面にセパレータが積層された場合、すなわち、両面セパレータ付き封止用シートについて説明するが、本発明のセパレータ付き封止用シートは、この例に限定されず、封止用シートの一方の面にのみセパレータが積層された場合、すなわち、片面セパレータ付き封止用シートであってもよい。
また、本実施形態では、セパレータ付き封止用シートについて説明するが、本発明は、セパレータが積層されていない封止用シートの単体であってもよい。なお、セパレータが積層されていない封止用シートとしては、例えば、セパレータ付き封止用シート10においてセパレータ41a及びセパレータ41bが積層されていない形態(封止用シート40の単体)を挙げることができる。
封止用シート40は、厚みt[mm]と50℃における貯蔵弾性率G’[Pa]との積αが、下記式1を満たす。
なお、封止用シートの厚みとは、25箇所をランダムに測定し、その測定厚さの平均値をいう。
なお、前記貯蔵弾性率G’は、封止用シート成型後、且つ、熱硬化前の貯蔵弾性率をいう。前記貯蔵弾性率G’の測定方法は実施例記載の方法による。前記貯蔵弾性率G’[Pa]は、無機充填剤(フィラー)の充填量、粒子径を変更するなど、封止用シート40を構成する組成を変えることによりコントロールすることができる。
以上より、前記積γを1200000以上とすれば、外部からの衝撃等から好適に半導体チップを保護することができる。
また、封止用シート40の平面視での形状は、特に限定されないが、矩形や円形とすることができる。なかでも、各辺の長さが200mm以上且つ各辺の長さが750mm以下の矩形が好ましい。なお、全ての辺の長さが200mmの場合、前記面積Aは、40000mm2となり全ての辺の長さが750mmの場合、前記面積Aは、562500mm2となる。
なお、平均粒径は、例えば、母集団から任意に抽出される試料を用い、レーザー回折散乱式粒度分布測定装置を用いて測定することにより導き出すことができる。
なお、前記曲げ弾性率Eは、封止用シート成型後、且つ、熱硬化前の曲げ弾性率をいう。前記曲げ弾性率の測定方法は実施例記載の方法による。前記曲げ弾性率E[Pa]は、無機充填剤(フィラー)の充填量、粒子径を変更するなど、封止用シート40を構成する組成を変えることによりコントロールすることができる。
セパレータ41a及びセパレータ41bとしては、封止用シート40と一体となり、セパレータ付き封止用シート10として前記積βが前記式2を満たすように選択されることが好ましい。特に、封止用シート40と一体となり、セパレータ付き封止用シート10として25℃における前記曲げ弾性率Eが前記数値範囲内となるように選択されることが好ましい。
なお、本実施形態では、本発明のセパレータ付き封止用シート10が両面セパレータ付き封止用シートである場合について説明している。そのため、本発明の「セパレータ付き封止用シートの25℃における曲げ弾性率E」は、セパレータ41a、セパレータ41b、及び、封止用シート40が一体となったセパレータ付き封止用シート10全体の25℃における曲げ弾性率に相当するものとして説明している。ただし、本発明のセパレータ付き封止用シートが、片面セパレータ付き封止用シートである場合、本発明の「セパレータ付き封止用シートの25℃における曲げ弾性率E」は、封止用シートと、前記封止用シートのいずれか一方の面に積層されたセパレータとが一体となった片面セパレータ付き封止用シート全体の25℃における曲げ弾性率に相当する。
本実施の形態に係る半導体装置の製造方法について、図2〜図10を参照しながら以下に説明する。図2〜図10は、本実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための断面模式図である。以下ではまず、いわゆるFan−out(ファンアウト)型ウェハレベルパッケージ(WLP)と呼称される半導体装置の製造方法について説明する。
半導体チップが仮固定材上に仮固定された積層体を準備する工程Aと、
セパレータ付き封止用シートを準備する工程Bと、
前記セパレータ付き封止用シートを前記積層体の前記半導体チップ上に配置する工程Cと、
前記半導体チップを前記封止用シートに埋め込み、前記半導体チップが前記封止用シートに埋め込まれた封止体を形成する工程Dとを少なくとも含む。
図2に示すように、本実施形態に係る半導体装置の製造方法では、まず、半導体チップ53が仮固定材60上に仮固定された積層体50を準備する(工程A)。積層体50は、例えば、以下の仮固定材準備工程と半導体チップ仮固定工程とにより得られる。
仮固定材準備工程では、支持基材60b上に熱膨張性粘着剤層60aが積層された仮固定材60を準備する(図2参照)。なお、熱膨張性粘着剤層に代えて、放射線硬化型粘着剤層を用いることもできる。本実施形態では、熱膨張性粘着剤層を備える仮固定材60について説明する。ただし、支持基材上に熱膨張性粘着剤層が積層された仮固定材については、特開2014−015490号公報等に詳細に記載されているので、以下では、簡単に説明することとする。
熱膨張性粘着剤層60aは、ポリマー成分と、発泡剤とを含む粘着剤組成物により形成することができる。ポリマー成分(特にベースポリマー)としては、アクリル系ポリマー(「アクリルポリマーA」と称する場合がある)を好適に用いることができる。アクリルポリマーAとしては、(メタ)アクリル酸エステルを主モノマー成分として用いたものが挙げられる。前記(メタ)アクリル酸エステルとしては、例えば、(メタ)アクリル酸アルキルエステル(例えば、メチルエステル、エチルエステル、プロピルエステル、イソプロピルエステル、ブチルエステル、イソブチルエステル、sec−ブチルエステル、t−ブチルエステル、ペンチルエステル、イソペンチルエステル、ヘキシルエステル、ヘプチルエステル、オクチルエステル、2−エチルヘキシルエステル、イソオクチルエステル、ノニルエステル、デシルエステル、イソデシルエステル、ウンデシルエステル、ドデシルエステル、トリデシルエステル、テトラデシルエステル、ヘキサデシルエステル、オクタデシルエステル、エイコシルエステル等のアルキル基の炭素数1〜30、特に炭素数4〜18の直鎖状又は分岐鎖状のアルキルエステル等)及び(メタ)アクリル酸シクロアルキルエステル(例えば、シクロペンチルエステル、シクロヘキシルエステル等)などが挙げられる。これらの(メタ)アクリル酸エステルは単独で又は2種以上を併用してもよい。
熱膨張性粘着剤層60aにおいて用いられている発泡剤としては、特に制限されず、公知の発泡剤から適宜選択することができる。発泡剤は単独で又は2種以上組み合わせて使用することができる。発泡剤としては、熱膨張性微小球を好適に用いることができる。
熱膨張性微小球としては、特に制限されず、公知の熱膨張性微小球(種々の無機系熱膨張性微小球や、有機系熱膨張性微小球など)から適宜選択することができる。熱膨張性微小球としては、混合操作が容易である観点などより、マイクロカプセル化されている発泡剤を好適に用いることができる。このような熱膨張性微小球としては、例えば、イソブタン、プロパン、ペンタンなどの加熱により容易にガス化して膨張する物質を、弾性を有する殻内に内包させた微小球などが挙げられる。前記殻は、熱溶融性物質や熱膨張により破壊する物質で形成される場合が多い。前記殻を形成する物質として、例えば、塩化ビニリデン−アクリロニトリル共重合体、ポリビニルアルコール、ポリビニルブチラール、ポリメチルメタクリレート、ポリアクリロニトリル、ポリ塩化ビニリデン、ポリスルホンなどが挙げられる。
支持基材60bは、仮固定材60の強度母体となる薄板状部材である。支持基材60bの材料としては取り扱い性や耐熱性等を考慮して適宜選択すればよく、例えばSUS等の金属材料、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルサルフォン等のプラスチック材料、ガラスやシリコンウェハ等を用いることができる。これらの中でも、耐熱性や強度、再利用可能性等の観点から、SUSプレートが好ましい。
仮固定材60は、支持基材60b上に熱膨張性粘着剤層60aを形成することにより得られる。熱膨張性粘着剤層は、例えば、粘着剤と、発泡剤(熱膨張性微小球など)と、必要に応じて溶媒やその他の添加剤などとを混合して、シート状の層に形成する慣用の方法を利用し形成することができる。具体的には、例えば、粘着剤、発泡剤(熱膨張性微小球など)、および必要に応じて溶媒やその他の添加剤を含む混合物を、支持基材60b上に塗布する方法、適当なセパレータ(剥離紙など)上に前記混合物を塗布して熱膨張性粘着剤層を形成し、これを支持基材60b上に転写(移着)する方法などにより、熱膨張性粘着剤層を形成することができる。
本実施形態では、熱膨張性粘着剤層は、加熱により熱膨張させることができる。加熱処理方法としては、例えば、ホットプレート、熱風乾燥機、近赤外線ランプ、エアードライヤーなどの適宜な加熱手段を利用して行うことができる。加熱処理時の加熱温度は、熱膨張性粘着剤層中の発泡剤(熱膨張性微小球など)の発泡開始温度(熱膨張開始温度)以上であればよいが、加熱処理の条件は、発泡剤(熱膨張性微小球など)の種類等による接着面積の減少性、支持基材、半導体チップを含む封止体等の耐熱性、加熱方法(熱容量、加熱手段等)などにより適宜設定できる。一般的な加熱処理条件としては、温度100℃〜250℃で、1秒間〜90秒間(ホットプレートなど)または5分間〜15分間(熱風乾燥機など)である。なお、加熱処理は使用目的に応じて適宜な段階で行うことができる。また、加熱処理時の熱源としては、赤外線ランプや加熱水を用いることができる場合もある。
半導体チップ仮固定工程では、準備した仮固定材60上に複数の半導体チップ53をその回路形成面53aが仮固定材60に対向するように配置し、仮固定する(図2参照)。半導体チップ53の仮固定には、フリップチップボンダーやダイボンダーなどの公知の装置を用いることができる。
また、本実施形態に係る半導体装置の製造方法では、両面セパレータ付き封止用シート10(図1参照)を準備する(工程B)。
工程Bの後、図3に示すように、両面セパレータ付き封止用シート10を、セパレータ41aを介して吸着コレット19により持ち上げる。なお、両面セパレータ付き封止用シート10のセパレータ41aと封止用シート11との界面、及び、封止用シート11とセパレータ41bとの界面は、自重によって剥離しない程度の剥離力で貼り付いている。
本実施形態において、封止用シート40は、厚みt[mm]と50℃における貯蔵弾性率G’[Pa]との積αが上記式1を満たすため、封止用シート40が撓んで吸着コレット19と両面セパレータ付き封止用シート10との間に隙間ができることが抑制できる。その結果、吸着コレット19から両面セパレータ付き封止用シート10が落下することが抑制されている。
次に、両面セパレータ付き封止用シート10からセパレータ41bを剥離する。なお、両面セパレータ付き封止用シート10のセパレータ41aと封止用シート40との界面での剥離力は、セパレータ41bの剥離の際に剥離しない程度の剥離力で貼り付いている。
次に、図4に示すように、下側加熱板62上に積層体50を半導体チップ53が仮固定された面を上にして配置するとともに、積層体50の半導体チップ53が仮固定された面上にセパレータ41a付きの封止用シート40を配置する(工程C)。この工程においては、下側加熱板62上にまず積層体50を配置し、その後、積層体50上にセパレータ41a付きの封止用シート40を配置してもよく、積層体50上にセパレータ41a付きの封止用シート40を先に積層し、その後、積層体50とセパレータ41a付きの封止用シート40とが積層された積層物を下側加熱板62上に配置してもよい。
次に、図5に示すように、下側加熱板62と上側加熱板64とにより熱プレスして、半導体チップ53を封止用シート40に埋め込み、半導体チップ53が封止用シート40に埋め込まれた封止体58を形成する(工程D)。封止用シート40は、半導体チップ53及びそれに付随する要素を外部環境から保護するための封止樹脂として機能することとなる。これにより、仮固定材60上に仮固定されている半導体チップ53が封止用シート40に埋め込まれた封止体58が得られる。
前記減圧条件としては、圧力が、例えば、0.1〜5kPa、好ましくは、0.1〜100Paであり、減圧保持時間(減圧開始からプレス開始までの時間)が、例えば、5〜600秒であり、好ましくは、10〜300秒である。
次に、もう一方のセパレータ41aを剥離する(図6参照)。
次に、封止用シート40を熱硬化させる。具体的には、例えば、仮固定材60上に仮固定されている半導体チップ53が封止用シート40に埋め込まれた封止体58全体を加熱する。
次に、図7に示すように、仮固定材60を加熱して熱膨張性粘着剤層60aを熱膨張させることにより、熱膨張性粘着剤層60aと封止体58との間で剥離を行う。あるいは、支持基材60bと熱膨張性粘着剤層60aとの界面で剥離を行い、その後、熱膨張性粘着剤層60aと封止体58との界面で熱膨張による剥離を行うという手順も好適に採用することができる。いずれも場合であっても、熱膨張性粘着剤層60a加熱して熱膨張させその粘着力を低下させることで、熱膨張性粘着剤層60aと封止体58との界面での剥離を容易に行うことができる。熱膨張の条件としては、上述の「熱膨張性粘着剤層の熱膨張方法」の欄の条件を好適に採用することができる。特に、熱膨張性粘着剤層は、前記熱硬化工程における加熱では剥離せず、この熱膨張性粘着剤層剥離工程における加熱において剥離する構成であることが好ましい。
次に、必要に応じて、図8に示すように、封止体58の封止用シート40を研削して半導体チップ53の裏面53cを表出させる。封止用シート40を研削する方法としては、特に限定されず、例えば、高速回転する砥石を用いるグラインディング法を挙げることができる。
本実施形態ではさらに、封止体58の半導体チップ53の回路形成面53aに再配線69を形成する再配線形成工程を含むことが好ましい。再配線形成工程では、上記仮固定材60の剥離後、上記露出した半導体チップ53と接続する再配線69を封止体58上に形成する(図9参照)。
次いで、形成した再配線69上にバンプ67を形成するバンピング加工を行ってもよい(図9参照)。バンピング加工は、半田ボールや半田メッキなど公知の方法で行うことができる。
最後に、半導体チップ53、封止用シート40及び再配線69などの要素からなる積層体のダイシングを行う(図10参照)。これにより、チップ領域の外側に配線を引き出した半導体装置59を得ることができる。
エポキシ樹脂:新日鐵化学(株)製のYSLV−80XY(ビスフェノールF型エポキシ樹脂、エポキン当量200g/ep.軟化点80℃)
フェノール樹脂:明和化成社製のMEH−7851−SS(ビフェニルアラルキル骨格を有するフェノール樹脂、水酸基当量203g/eq.軟化点67℃)
シランカップリング剤:信越化学社製のKBM−403(3−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン)
硬化促進剤:四国化成工業社製の2PHZ−PW(2−フェニル−4,5−ジヒドロキシメチルイミダゾール)
熱可塑性樹脂:三菱レイヨン株式会社製のJ−5800(アクリルゴム系応力緩和剤)
フィラー:電気化学工業社製のFB−9454FC(溶融球状シリカ粉末、平均粒子径17.6μm)
カーボンブラック:三菱化学社製の#20(粒子径50nm)
(実施例1〜12、比較例1〜8)
表1に記載の配合比に従い、各成分を配合し、ロール混練機により60〜120℃、10分間、減圧条件下(0.01kg/cm2)で溶融混練し、製造例1〜5に係る混練物(樹脂組成物A〜E)を調製した。
次いで、得られた樹脂組成物を、平板プレス法により、シート状に形成した。樹脂組成物の種類、シートの厚さ、及び、面積の組み合わせは、表2の通りとした。以上により、実施例1〜12、比較例1〜8に係る封止用シートを得た。なお、本実施例では、面積250000mm2は、縦500mm×横500mmとし、面積40000mm2は、縦200mm×横200mmとしている。
上記にて作製した各封止用シートの両面に、三菱樹脂株式会社製のシリコーン離形処理済みMRU−50(本発明のセパレータに相当、厚さ50μm)を貼り付けた。これにより、実施例1〜12、比較例1〜8に係る両面セパレータ付き封止用シートを得た。
粘弾性測定装置ARES(レオメトリックス・サイエンティフィック社製)を用い、実施例1〜12、比較例1〜8に係る封止用シートの50℃における貯蔵弾性率G’を測定した。測定条件は、以下の通りとした。その際の50℃の値を50℃における貯蔵弾性率G’とした。結果を表2に示す。なお、測定は、実施例1〜12、比較例1〜8と組成を同じとし、厚さを1mmとした封止用シートを平板プレスにて作成した後、25mmφの形状に加工して行なった。
<貯蔵弾性率G’の測定条件>
測定温度:40〜130℃
昇温速度:10℃/min
プレートタイプ:パラレルプレート、25mmφ
周波数:1Hz
ひずみ量:10%
サンプルサイズ:25mmφ×厚さ1mm
測定オートグラフ(島津製作所製)を用い、実施例1〜12、比較例1〜8に係るセパレータ付き封止用シートの25℃における曲げ弾性率Eを測定した。測定条件は、以下の通りとした。結果を表2に示す。なお、測定は、封止用シートに両面にセパレータをつけたままの状態で行なった。
<曲げ弾性率Eの測定条件>
測定温度:25℃
サンプルサイズ:10mm幅×厚み5mm
ストローク:5mm/min
実施例、比較例に係る封止用シートを150℃で1時間加熱し、熱硬化させた。次に、フィルム粘弾性測定装置RSA−3(ティー・エイ・インスツルメンツ社製)を用い、実施例1〜12、比較例1〜8に係る封止用シートの熱硬化後の25℃における貯蔵弾性率E’を測定した。測定条件は、以下の通りとした。結果を表2に示す。
<貯蔵弾性率E’の測定条件>
測定温度:−20〜300℃
昇温速度:10℃/min
測定モード:引張
周波数:1Hz
ひずみ量:0.05%
サンプルサイズ:縦20mm×横1mm×厚さ0.05mm
実施例1〜12、比較例1〜8の両面セパレータ付き封止用シートを、片側の離型処理フィルムを介して吸着コレットにより持ち上げ、もう片側の離型処理フィルムを剥離した時の封止用シートの落下の有無を確認した。落下せず、且つ、目視にて樹脂の変形や割れが無い場合を○、落下したり、樹脂変形や割れ・ひびが発見された場合を×とした。結果を表2に示す。
なお、吸着コレットとしては、以下のものを用いた。また吸着条件は、以下の通りとした。
<吸着条件>
吸着パッド30mmφ×8個
真空度−60kPa
まず、縦200mm×横200mm×厚さ1.1mmのガラスプレートを準備した。このガラスプレート上に仮固定材(日東電工株式会社製REVALPHA No.3195V)をラミネーターにて貼付た。さらに、その上に縦7mm×横7mm×厚さ0.4mmのチップを縦13個×横13個のマトリックス状に配置した。チップ実装間隔(チップの端とチップの端との間隔)は、16mmとした。このガラスキャリアに厚み0.6mmに予めシート化した封止用シートを積層し真空プレス装置(装置名:VACUUM ACE、ミカドテクノス社製)を用いて熱プレスした。次に、60℃のホットプレート上にて不要樹脂を取り除くトリミングを行った。その後、150℃1時間の加熱処理を行い、樹脂を硬化させた。その後、185℃の熱板上で仮止め材を剥離し封止体を得た。
得られた封止体のチップ露出面のチップと樹脂の境界部分の顕微鏡観察(装置名:VHX−2000、キーエンス社製)を行い、チップ端部に未充填領域もしくは空気の噛み込み痕が観察された場合を埋め込み性×、観察されなかった場合を埋め込み性○として評価した。結果を表2に示す。
40 封止用シート
41a、41b セパレータ
50 積層体
53 半導体チップ
58 封止体
59 半導体装置
60 仮固定材
Claims (7)
- 厚みt[mm]と50℃における貯蔵弾性率G’[Pa]との積αが、下記式1を満たすことを特徴とする熱硬化性の封止用樹脂シート。
式1 : 300≦α≦1.5×105 - 請求項1に記載の封止用樹脂シートと、前記封止用樹脂シートの少なくとも一方の面に積層されたセパレータとを備えたセパレータ付き封止用シートであって、
25℃における曲げ弾性率E[N/mm2]と前記封止用樹脂シートの面積A[mm2]との積βが、下記式2を満たすことを特徴とするセパレータ付き封止用シート。
式2 : 4.0×106≦β≦1.7×109 - 請求項1に記載の封止用樹脂シートを用いて製造された半導体装置。
- 請求項2に記載のセパレータ付き封止用シートを用いて製造された半導体装置。
- 前記封止用樹脂シートの面積Aが40000mm2以上であることを特徴とする請求項1に記載の封止用樹脂シート。
- 前記封止用樹脂シートの面積Aが40000mm2以上であることを特徴とする請求項2に記載のセパレータ付き封止用シート。
- 半導体チップが支持体上に固定された積層体を準備する工程Aと、
請求項2に記載のセパレータ付き封止用シートを準備する工程Bと、
前記セパレータ付き封止用シートを、前記積層体の前記半導体チップ上に配置する工程Cと、
前記半導体チップを前記封止用樹脂シートに埋め込み、前記半導体チップが前記封止用樹脂シートに埋め込まれた封止体を形成する工程Dとを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (8)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014175772A JP6313165B2 (ja) | 2014-08-29 | 2014-08-29 | 熱硬化性の封止用樹脂シート、セパレータ付き封止用シート、半導体装置、及び、半導体装置の製造方法 |
CN201910870833.6A CN110600434A (zh) | 2014-08-29 | 2015-08-06 | 密封用片、带隔片的密封用片、半导体装置、及半导体装置的制造方法 |
US15/506,884 US20170278716A1 (en) | 2014-08-29 | 2015-08-06 | Sealing sheet, sealing sheet with separator, semiconductor device, and production method for semiconductor device |
CN201580046113.8A CN106795418B (zh) | 2014-08-29 | 2015-08-06 | 密封用片、带隔片的密封用片、半导体装置、及半导体装置的制造方法 |
SG11201701445PA SG11201701445PA (en) | 2014-08-29 | 2015-08-06 | Sealing sheet, sealing sheet with separator, semiconductor device, and production method for semiconductor device |
EP15836357.2A EP3187561B1 (en) | 2014-08-29 | 2015-08-06 | Sealing sheet with a separator and production method for semiconductor device |
PCT/JP2015/072379 WO2016031521A1 (ja) | 2014-08-29 | 2015-08-06 | 封止用シート、セパレータ付き封止用シート、半導体装置、及び、半導体装置の製造方法 |
TW104127979A TWI709642B (zh) | 2014-08-29 | 2015-08-26 | 密封用片材、附隔離件之密封用片材、半導體裝置、及半導體裝置之製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014175772A JP6313165B2 (ja) | 2014-08-29 | 2014-08-29 | 熱硬化性の封止用樹脂シート、セパレータ付き封止用シート、半導体装置、及び、半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016050240A JP2016050240A (ja) | 2016-04-11 |
JP6313165B2 true JP6313165B2 (ja) | 2018-04-18 |
Family
ID=55399420
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014175772A Active JP6313165B2 (ja) | 2014-08-29 | 2014-08-29 | 熱硬化性の封止用樹脂シート、セパレータ付き封止用シート、半導体装置、及び、半導体装置の製造方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20170278716A1 (ja) |
EP (1) | EP3187561B1 (ja) |
JP (1) | JP6313165B2 (ja) |
CN (2) | CN110600434A (ja) |
SG (1) | SG11201701445PA (ja) |
TW (1) | TWI709642B (ja) |
WO (1) | WO2016031521A1 (ja) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109643666A (zh) * | 2016-08-24 | 2019-04-16 | 东丽工程株式会社 | 安装方法和安装装置 |
JP7030825B2 (ja) * | 2017-02-09 | 2022-03-07 | インヴェンサス ボンディング テクノロジーズ インコーポレイテッド | 接合構造物 |
CN109686854A (zh) * | 2017-10-19 | 2019-04-26 | 京东方科技集团股份有限公司 | 封装结构及封装方法、电子装置及封装薄膜回收方法 |
DE102018103149B4 (de) | 2017-11-15 | 2024-03-07 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Finnen integrierter Schaltungsvorrichtungen und zugehöriges Herstellungsverfahren |
KR102461568B1 (ko) * | 2018-10-22 | 2022-10-31 | 도요보 가부시키가이샤 | 디바이스 연결체의 제조 방법 및 디바이스 연결체 |
CN113517205A (zh) * | 2020-04-27 | 2021-10-19 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 半导体器件及其形成方法 |
US11699663B2 (en) | 2020-04-27 | 2023-07-11 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Passivation scheme design for wafer singulation |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4470887B2 (ja) * | 2003-12-11 | 2010-06-02 | 日立化成工業株式会社 | 封止用エポキシ樹脂成形材料および電子部品装置 |
JP5101931B2 (ja) * | 2007-06-13 | 2012-12-19 | 日東電工株式会社 | 熱硬化型接着シート |
JP5309886B2 (ja) * | 2007-10-22 | 2013-10-09 | 日立化成株式会社 | 半導体封止用フィルム状接着剤、半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
US8484759B2 (en) * | 2009-08-17 | 2013-07-09 | Ut-Battelle, Llc | Spatially resolved quantitative mapping of thermomechanical properties and phase transition temperatures using scanning probe microscopy |
WO2011129200A1 (ja) * | 2010-04-13 | 2011-10-20 | 三菱樹脂株式会社 | 透明両面粘着シート |
JP2012241063A (ja) * | 2011-05-17 | 2012-12-10 | Nitto Denko Corp | 半導体装置製造用の接着シート |
JP2013074184A (ja) * | 2011-09-28 | 2013-04-22 | Nitto Denko Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP5943898B2 (ja) * | 2012-11-29 | 2016-07-05 | 日東電工株式会社 | 熱硬化性樹脂シート及び電子部品パッケージの製造方法 |
-
2014
- 2014-08-29 JP JP2014175772A patent/JP6313165B2/ja active Active
-
2015
- 2015-08-06 WO PCT/JP2015/072379 patent/WO2016031521A1/ja active Application Filing
- 2015-08-06 EP EP15836357.2A patent/EP3187561B1/en active Active
- 2015-08-06 CN CN201910870833.6A patent/CN110600434A/zh active Pending
- 2015-08-06 CN CN201580046113.8A patent/CN106795418B/zh active Active
- 2015-08-06 US US15/506,884 patent/US20170278716A1/en not_active Abandoned
- 2015-08-06 SG SG11201701445PA patent/SG11201701445PA/en unknown
- 2015-08-26 TW TW104127979A patent/TWI709642B/zh active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN110600434A (zh) | 2019-12-20 |
JP2016050240A (ja) | 2016-04-11 |
US20170278716A1 (en) | 2017-09-28 |
EP3187561A4 (en) | 2017-09-20 |
EP3187561A1 (en) | 2017-07-05 |
WO2016031521A1 (ja) | 2016-03-03 |
TW201619341A (zh) | 2016-06-01 |
TWI709642B (zh) | 2020-11-11 |
CN106795418A (zh) | 2017-05-31 |
EP3187561B1 (en) | 2019-10-09 |
SG11201701445PA (en) | 2017-03-30 |
CN106795418B (zh) | 2019-10-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6313165B2 (ja) | 熱硬化性の封止用樹脂シート、セパレータ付き封止用シート、半導体装置、及び、半導体装置の製造方法 | |
JP5961055B2 (ja) | 封止樹脂シート、電子部品パッケージの製造方法及び電子部品パッケージ | |
US9382455B2 (en) | Adhesive composition, an adhesive sheet and a production method of a semiconductor device | |
US9434865B2 (en) | Adhesive composition, an adhesive sheet and a production method of a semiconductor device | |
TW201516122A (zh) | 半導體晶片密封用熱固性樹脂片及半導體封裝之製造方法 | |
JP6484061B2 (ja) | 電子部品パッケージの製造方法 | |
TW201205660A (en) | Film for flip chip type semiconductor back surface, and dicing tape-integrated film for semiconductor back surface | |
WO2021172410A1 (ja) | 熱硬化性樹脂フィルム、複合シート、及び第1保護膜付き半導体チップの製造方法 | |
TW201532151A (zh) | 半導體封裝之製造方法 | |
JPWO2019098329A1 (ja) | 熱硬化性樹脂フィルム及び第1保護膜形成用シート | |
TW201513195A (zh) | 半導體封裝件之製造方法 | |
US10128131B2 (en) | Sealing sheet with separators on both surfaces, and method for manufacturing semiconductor device | |
WO2016080116A1 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
WO2016117268A1 (ja) | 封止用シート | |
JP2015103649A (ja) | 熱硬化型ダイボンドフィルム、ダイシングシート付きダイボンドフィルム、半導体装置の製造方法、及び、半導体装置 | |
JP6302801B2 (ja) | 封止用シート | |
JP6677966B2 (ja) | セパレータ付き封止用シート、及び、半導体装置の製造方法 | |
JP6630861B2 (ja) | セパレータ付き封止用シート、及び、半導体装置の製造方法 | |
TWI822962B (zh) | 具第1保護膜之工件加工物的製造方法 | |
JP2023020205A (ja) | 半導体素子封止用積層体、及び、半導体装置の製造方法 | |
JP2008247937A (ja) | 粘接着剤組成物、粘接着シートおよび半導体装置の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20170623 |
|
A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871 Effective date: 20171226 |
|
A975 | Report on accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005 Effective date: 20180104 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20180110 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20180202 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180223 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20180309 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20180322 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6313165 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R157 | Certificate of patent or utility model (correction) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R157 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |