TWI723209B - 安裝方法及安裝裝置 - Google Patents

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TWI723209B
TWI723209B TW106128775A TW106128775A TWI723209B TW I723209 B TWI723209 B TW I723209B TW 106128775 A TW106128775 A TW 106128775A TW 106128775 A TW106128775 A TW 106128775A TW I723209 B TWI723209 B TW I723209B
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adhesive
adhesive member
mounting
semiconductor chip
head
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Inventor
新井義之
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日商東麗工程股份有限公司
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Abstract

本發明之課題在於將半導體晶片高精度地穩定安裝至電路基板。具體而言，本發明係一種安裝方法，其特徵在於：其係將第1面被保持於載體基板之切晶後之半導體晶片安裝至載置於載置台之電路基板者，且依序執行如下步驟：黏著片貼附步驟，其係將保持於上述載體基板之上述半導體晶片之與上述第1面為相反側之面即上述第2面貼附於黏著片；載體基板去除步驟，其係將上述載體基板自上述半導體晶片去除；黏著力降低步驟，其係使上述黏著片之黏著力降低；及安裝步驟，其係藉由頭保持上述半導體晶片之上述第1面側，而將上述半導體晶片自上述黏著片剝離，並將上述第2面側接合於上述電路基板，藉此將上述半導體晶片安裝至上述電路基板。

Description

安裝方法及安裝裝置
本發明係關於一種高精度地穩定安裝半導體晶片之安裝方法及安裝裝置。
關於半導體晶片，為了降低成本而小型化，並進行用以高精度地安裝經小型化之半導體晶片之嘗試。尤其是，用於顯示器之LED(light emitting diode，發光二極體)要求以數μm之精度高速地安裝被稱為微型LED之50 μm×50 μm以下之半導體晶片。 於專利文獻1中，記載有如下構成：藉由在包含微型LED之半導體晶片與包含藍寶石之載體基板之間設置包含銦之接著層，而將半導體晶片之安裝面接著於載體基板，利用經加熱之頭吸附半導體晶片，藉此利用來自頭之熱將接著層熔融，而使半導體晶片剝離，其後，將半導體晶片安裝至電路基板。 [先前技術文獻] [專利文獻] [專利文獻1] 日本專利第5783481號公報
[發明所欲解決之問題] 然而，專利文獻1中所記載者有於半導體晶片殘留接著層之虞，而存在因該接著層之量之不均導致難以穩定地安裝之問題。 本發明之課題在於解決上述問題而將半導體晶片高精度地穩定安裝至電路基板。 [解決問題之技術手段] 為了解決上述問題，本發明提供一種安裝方法，其特徵在於：其係將第1面被保持於載體基板之切晶後之半導體晶片安裝至載置於載置台之電路基板者，且依序執行如下步驟：黏著片貼附步驟，其係將保持於上述載體基板之上述半導體晶片之與上述第1面為相反側之面即第2面貼附於黏著片；載體基板去除步驟，其係將上述載體基板自上述半導體晶片去除；黏著力降低步驟，其係使上述黏著片之黏著力降低；及安裝步驟，其係藉由頭保持上述半導體晶片之上述第1面側，而將上述半導體晶片自上述黏著片剝離，並將上述第2面側接合於上述電路基板，藉此將上述半導體晶片安裝至上述電路基板。根據該構成，於黏著片之黏著力降低後，頭保持半導體晶片並進行安裝，故而可不於半導體晶片殘存多餘之黏著片而進行安裝，從而能夠高精度地穩定安裝至電路基板。亦可設為如下構成：上述載體基板去除步驟係照射雷射光而將上述載體基板剝離並去除。根據該構成，可不於半導體晶片殘留接著層而將載體基板穩定地剝離。亦可設為如下構成：上述黏著力降低步驟係藉由將上述黏著片及上述半導體晶片加熱至特定溫度而使黏著力降低。根據該構成，可降低黏著片之黏著力，從而能夠將半導體晶片穩定地剝離。亦可設為如下構成：上述安裝步驟係以能夠將上述半導體晶片於維持於上述黏著力降低步驟中之上述特定溫度之狀態下安裝至上述電路基板之方式，對上述頭及上述載置台進行加熱控制。根據該構成，能夠防止暫時加熱後之半導體晶片、電路基板、黏著片或頭等之溫度之變動，從而能夠防止半導體晶片、電路基板、黏著片或頭等與安裝相關之所有構件之熱收縮，而以高精度進行穩定之安裝。亦可設為如下構成：將上述半導體晶片安裝至上述電路基板時之上述電路基板與上述半導體晶片之間之接合力較上述頭之保持力強，且上述頭之保持力較黏著力已降低之上述黏著片之黏著力強。根據該構成，能夠藉由頭穩定地將半導體晶片吸附及安裝至電路基板。又，為了解決上述問題，本發明提供一種安裝方法，其特徵在於：其係利用安裝頭將第1面被保持於載體基板之切晶後之半導體晶片安裝至載置於載置台之電路基板者，且包括：第1黏著構件貼附步驟，其係將保持於上述載體基板之上述半導體晶片之與上述第1面為相反側之面即第2面貼附於第1黏著構件；載體基板去除步驟，其係將上述載體基板自上述半導體晶片去除；第2黏著構件貼附步驟，其係將第2黏著構件貼附於上述半導體晶片之上述第1面；第1黏著力降低步驟，其係使上述第1黏著構件之黏著力降低；第3黏著構件貼附步驟，其係將貼附有上述第2黏著構件之上述半導體晶片自上述第1黏著構件剝離，並將上述第2面貼附於第3黏著構件；第2黏著力降低步驟，其係使上述第2黏著構件之黏著力降低；及安裝步驟，其係上述安裝頭保持上述半導體晶片之上述第1面而將該半導體晶片自上述第3黏著構件剝離，並將上述第2面接合於上述電路基板，藉此將上述半導體晶片安裝至上述電路基板；且上述第3黏著構件之黏著力小於上述第1黏著構件之黏著力。根據該構成，於將第2黏著構件貼附於半導體晶片後，使第1黏著構件之黏著力降低，故而不會因第1黏著構件之發泡導致半導體晶片之位置偏移或姿勢混亂，又，由於將所要安裝之半導體晶片貼附於黏著力小於第1黏著構件之第3黏著構件，故而能夠容易地剝離，從而能夠高精度地穩定安裝至電路基板。亦可設為如下構成：上述第1黏著力降低步驟係藉由將上述第1黏著構件及上述半導體晶片加熱至使上述第1黏著構件之黏著力降低之第1特定溫度而使上述第1黏著構件之黏著力降低，上述第2黏著力降低步驟係藉由將上述第2黏著構件及上述半導體晶片加熱至溫度高於上述第1特定溫度且使上述第2黏著構件之黏著力降低之第2特定溫度而使上述第2黏著構件之黏著力降低。根據該構成，於第1特定溫度下，第2黏著構件之黏著力不會降低，故而可藉由第2黏著構件固定半導體晶片，從而能夠防止因第1黏著構件降低黏著力時之發泡而導致半導體晶片之位置偏移或姿勢混亂。又，於第2特定溫度下能夠使第2黏著構件之黏著力穩定地降低。亦可設為如下構成：上述安裝步驟係以能夠將上述半導體晶片於維持於上述第2黏著力降低步驟中之上述第2特定溫度之狀態下安裝至上述電路基板之方式，對保持上述第3黏著構件之第3黏著構件保持部、上述安裝頭、及上述載置台進行加熱控制。根據該構成，能夠防止暫時加熱後之半導體晶片、電路基板、安裝頭等之溫度之變動，從而能夠防止與安裝相關之所有構件之熱收縮或膨脹，而以高精度進行穩定之安裝。又，為了解決上述問題，本發明提供一種安裝裝置，其特徵在於：其係將第1面被保持於載體基板之切晶後之半導體晶片安裝至載置於載置台之電路基板者，且具有：黏著片保持部，其保持黏著片，該黏著片係貼附保持於上述載體基板之上述半導體晶片之與上述第1面為相反側之面即第2面；載體基板去除部，其將上述載體基板自貼附於上述黏著片之上述半導體晶片去除；黏著力降低部，其使上述黏著片之黏著力降低；頭，其能夠自上述第1面側保持上述半導體晶片；及控制部，其以使上述頭保持上述半導體晶片而將上述半導體晶片自上述黏著片剝離並將上述第2面側接合於上述電路基板之方式進行控制。根據該構成，於黏著片之黏著力降低後，頭保持半導體晶片並進行安裝，故而能夠不於半導體晶片殘存多餘之黏著片而進行安裝，從而能夠高精度地穩定安裝至電路基板。亦可設為如下構成：上述載體基板去除部包含能夠對上述載體基板照射雷射光之雷射光照射部。根據該構成，可不於半導體晶片殘留接著層，而將載體基板自半導體晶片穩定地剝離並去除。亦可設為如下構成：上述黏著力降低部包含將上述黏著片及上述半導體晶片加熱至特定溫度之加熱部。根據該構成，能夠降低黏著片之黏著力，從而能夠將半導體晶片穩定地剝離。亦可設為如下構成：上述頭及上述載置台分別可進行加熱，且以能夠將上述半導體晶片於維持於上述黏著力降低步驟中之上述特定溫度之狀態下安裝至上述電路基板之方式，上述控制部控制上述黏著力降低部、上述頭及上述載置台之加熱溫度。根據該構成，能夠防止暫時加熱後之半導體晶片、電路基板、黏著片或頭等之溫度之變動，從而能夠防止半導體晶片、電路基板、黏著片或頭等與安裝相關之所有構件之熱收縮，而以高精度進行穩定之安裝。亦可設為如下構成：將上述半導體晶片安裝至上述電路基板時之上述電路基板與上述半導體晶片之間之接合力較上述頭之保持力強，且上述頭之保持力較黏著力已降低之上述黏著片之黏著力強。根據該構成，能夠藉由頭穩定地將半導體晶片吸附及安裝至電路基板。又，為了解決上述問題，本發明提供一種安裝裝置，其特徵在於：其係將第1面被保持於載體基板之切晶後之半導體晶片安裝至載置於載置台之電路基板者，且具備：第1黏著構件保持部，其保持第1黏著構件且具有第1黏著構件加熱機構；載體基板去除部，其將上述載體基板自貼附於上述第1黏著構件之上述半導體晶片去除；第1移載頭，其將第2黏著構件貼附於上述半導體晶片之第1面且具有第1移載頭加熱機構；第2移載頭，其將上述半導體晶片貼附於第3黏著構件且具有第2移載頭加熱機構；第3黏著構件保持部，其保持上述第3黏著構件且具有第3黏著構件加熱機構；第1黏著力降低部，其使上述第1黏著構件之黏著力降低；第2黏著力降低部，其使上述第2黏著構件之黏著力降低；及安裝頭，其保持上述半導體晶片之上述第1面而將上述半導體晶片自上述第3黏著構件剝離，並將上述第2面接合於上述電路基板，藉此將上述半導體晶片安裝至上述電路基板；且上述第3黏著構件之黏著力小於上述第1黏著構件之黏著力。根據該構成，於將第2黏著構件貼附於半導體晶片後，使第1黏著構件之黏著力降低，故而不會因第1黏著構件之發泡導致半導體晶片之位置偏移或姿勢混亂，又，由於將所要安裝之半導體晶片貼附於黏著力小於第1黏著構件之黏著力的第3黏著構件，故而能夠容易地剝離，從而能夠高精度地穩定安裝至電路基板。亦可設為如下構成：上述第1黏著力降低部係以將上述第1黏著構件加熱機構及上述第1移載頭加熱機構加熱至使上述第1黏著構件之黏著力降低之第1特定溫度之方式進行控制，上述第2黏著力降低部係以將上述第3黏著構件加熱機構及上述第2移載頭加熱機構加熱至溫度較上述第1特定溫度高且使第2黏著構件之黏著力降低之第2特定溫度之方式進行控制。根據該構成，於第1特定溫度下，第2黏著構件之黏著力不會降低，故而能夠藉由第2黏著構件固定半導體晶片，從而能夠防止因第1黏著構件降低黏著力時之發泡而導致半導體晶片之位置偏移或姿勢混亂。又，於第2特定溫度下能夠使第2黏著構件之黏著力穩定地降低。亦可設為如下構成：上述安裝頭具有安裝頭加熱機構，並且上述載置台具有載置台加熱機構，上述安裝裝置具備安裝溫度控制部，該安裝溫度控制部係以將上述半導體晶片於維持於上述第2特定溫度之狀態下安裝至上述電路基板之方式，控制第3黏著構件加熱機構、上述安裝頭加熱機構、及上述載置台加熱機構之加熱溫度。 根據該構成，能夠防止暫時加熱後之半導體晶片、電路基板、安裝頭等之溫度之變動，從而能夠防止與安裝相關之所有構件之熱收縮或膨脹，而以高精度進行穩定之安裝。 [發明之效果] 根據本發明之安裝方法及安裝裝置，能夠將半導體晶片高精度地穩定安裝至電路基板。
[實施例1] 參照圖1～圖5，對本發明之實施例1進行說明。圖1係說明本發明之實施例1中之安裝方法之前半部分的圖。圖2係說明本發明之實施例1中之安裝方法之後半部分的圖。圖3係說明本發明之實施例1中之安裝裝置的圖。圖4係說明本發明之實施例1中之安裝裝置之頭部分的圖。圖5係說明本發明之實施例1中之安裝裝置之頭之平行度調整的圖。再者，於本發明中，設為將半導體晶片所具有之2個主面中保持於載體基板之面設為第1面，將與第1面為相反側之面定義為第2面，且於第2面形成有凸塊。首先，參照圖1、圖2，對本發明之實施例1中之安裝方法之各步驟進行說明。圖1(a)表示第1面被保持於載體基板2之切晶後之複數個半導體晶片1。載體基板2亦向圖1、圖2之深度方向擴展而具有圓形或四邊形，包含矽、砷化鎵、藍寶石等。又，半導體晶片1亦沿著載體基板2之擴展而二維地排列有複數個(數百個～數萬個)。被稱為微型LED之小型半導體晶片1係50 μm×50 μm以下之尺寸，且以對該尺寸加上切晶寬度所得之間距排列。此種小型半導體晶片1被要求以高精度(例如1 μm以下之精度)安裝至電路基板6。實施例1中之半導體晶片1係事先已對各半導體晶片1進行檢查並去除了不良之半導體晶片。具體而言，照射較下述雷射剝離之情形強之雷射光，使不良晶片燒毀。又，於半導體晶片1之第2面形成有凸塊。圖1(b)表示將半導體晶片1之與保持於載體基板2之面即第1面為相反側之面即第2面貼附於黏著片4之黏著片貼附步驟。黏著片4係藉由真空吸附而保持於黏著片保持部17，且於供半導體晶片1貼附之面形成有黏著膜3。實施例1中之黏著膜3具有於常溫下具有黏著性，但藉由加熱而黏著力降低之特性。於該黏著片貼附步驟中，藉由下述頭14吸附、處理保持有半導體晶片1之載體基板2，將半導體晶片1之第2面貼附於保持在黏著片保持部17之黏著片4之黏著膜3上。其次，如圖1(c)所示，執行載體基板去除步驟。於載體基板去除步驟中，藉由被稱為雷射剝離之方法，將載體基板2自半導體晶片1剝離並去除。例如，於微型LED中，藉由對載體基板2照射準分子雷射，使作為半導體晶片1之微型LED之GaN層之一部分分解為Ga及N而將包含藍寶石之載體基板2剝離並去除。已剝離之載體基板2藉由頭14吸附而去除。再者，於實施例1中，在載體基板去除步驟中，對載體基板2照射雷射光並藉由被稱為雷射剝離之方法，將載體基板2自半導體晶片1剝離並去除，但未必限定於此，可適當進行變更。例如，亦可將載體基板2自與設置有半導體晶片1之側相反之側切下而去除。此被稱為背面研磨，尤其是於紅色LED之情形時，由於無法應用雷射剝離，故而使用該背面研磨之方法。繼而，執行圖2(a)所示之黏著力降低步驟。於黏著力降低步驟中，藉由將黏著片4之黏著膜3加熱至特定溫度，而使黏著膜3之黏著力降低。該使黏著力降低之特定溫度係下述安裝步驟中之「凸塊能夠接合之溫度」。由於將該「凸塊能夠接合之溫度」設定為特定溫度，故而藉由選擇黏著膜3之種類，可設為90℃、150℃、180℃等。於實施例1中，「凸塊能夠接合之溫度」係150℃前後之溫度，使用採用於該溫度下黏著力大致成為零之黏著膜3的黏著片4。亦即，使用採用於150℃下黏著力大致成為零之黏著膜3的黏著片4，將150℃設定為特定溫度，藉由將黏著片4加熱至150℃，而黏著膜3亦成為150℃，從而黏著力降低，而能夠容易地將半導體晶片1剝離。於實施例1中，以於對黏著片4進行加熱時半導體晶片1亦加熱至相同之特定溫度即150℃之方式，控制黏著片保持部17中之加熱器21。如此，藉由將與於下述安裝步驟中將半導體晶片1接合於電路基板6時「凸塊能夠接合之溫度」相同之溫度設為特定溫度且亦於黏著力降低步驟中採用，可將半導體晶片1之溫度自黏著力降低步驟至安裝步驟保持為固定，而避免膨脹或收縮，從而能以高精度實現穩定之安裝。其次，執行圖2(b)及(c)所示之安裝步驟。於安裝步驟中，首先，如圖2(b)所示，藉由頭14同時吸附並拾取複數個黏著片4上之半導體晶片1。所拾取之半導體晶片1之數量可根據頭14之構成任意地設定，但為了實現高速安裝，較理想為拾取儘可能多之半導體晶片1。於實施例1中，以能夠拾取1萬個半導體晶片1之方式構成頭14。於該拾取時，以藉由設置於頭14內部之加熱器22將所拾取之半導體晶片1之溫度加熱維持於黏著力降低步驟中之特定溫度、亦即「凸塊能夠接合之溫度」(於實施例1中為150℃)之方式進行控制。又，以黏著片保持部17中之加熱器21亦同樣地將半導體晶片1之溫度加熱維持於黏著力降低步驟中之特定溫度、亦即「凸塊能夠接合之溫度」(於實施例1中為150℃)之方式進行控制。藉由頭14拾取半導體晶片1之間距係與下述電路基板6之安裝半導體晶片1之間距一致而構成。此處，所謂「凸塊能夠接合之溫度」係適於設置在半導體晶片1之凸塊與電路基板6之電極之接合的溫度，於該溫度下，在凸塊產生黏性而適於接合，若低於該溫度則不產生黏性，若高於該溫度則凸塊氧化而不適於接合。如圖2(c)所示，由頭14拾取之複數個半導體晶片1藉由頭14或載置台13於X、Y、Z方向上適當移動，而接合並安裝至保持於載置台13之電路基板6。實施例1中之電路基板6係於玻璃之表面形成有電路。為了一次將1萬個半導體晶片1安裝至電路基板6，不僅需要於X、Y方向上高精度地定位，而且亦需要調整半導體晶片1與電路基板6之平行度。藉由進行下述平行度調整，能夠使任一半導體晶片1均移動相同高度(Z方向)，藉此進行安裝。於載置台13設置有加熱器24，藉由將載置台13與頭14一併加熱控制為「凸塊能夠接合之溫度」，而使設置於半導體晶片1之凸塊與電路基板6之電極接合。藉由加熱控制頭14及載置台13，可將半導體晶片1維持於黏著力降低步驟中之特定溫度、即「凸塊能夠接合之溫度」(於實施例1中為150℃)，又，將電路基板6亦維持於相同之黏著力降低步驟中之特定溫度，從而將半導體晶片1以及電路基板6、黏著片4或頭14自黏著力降低步驟至安裝步驟維持於相同之特定溫度。藉此，能夠避免半導體晶片1或電路基板6熱收縮，從而穩定地進行高精度之安裝。於安裝步驟中，構成為將半導體晶片1安裝至電路基板6時之電路基板6與半導體晶片1之間之接合力較頭14之保持力強，頭14之保持力較黏著力已降低之黏著片4之黏著力強。即，頭14始終將真空吸附接通，藉由該真空吸附而保持半導體晶片1。藉由該始終接通之真空吸附產生之保持力係以較將半導體晶片1安裝至電路基板6時之電路基板6與半導體晶片1之間之接合力弱且較黏著力已降低之黏著片4之黏著力強之方式設定。藉此，無需對真空吸附進行與接通-斷開相關之控制，而能夠成為更簡單之構成。再者，於實施例1中，將頭14之保持力設為藉由始終接通之真空吸附，但未必限定於此，可根據頭構成之情況適當進行變更。例如，亦可設為進行僅於保持半導體晶片等時將真空吸附接通而除此以外設為斷開之控制的構成。又，亦可構成為：設為使頭前端面具有黏著性之構成，使藉由該黏著性產生之保持力較將半導體晶片1安裝至電路基板6時之電路基板6與半導體晶片1之間之接合力弱且較黏著力已降低之黏著片4之黏著力強。又，於實施例1中，在黏著力降低步驟中，設為藉由將黏著片4之黏著膜3加熱至特定溫度而使黏著膜3之黏著力降低之構成，但未必限定於此，可根據情況適當進行變更。例如，亦可設為藉由對黏著片4之黏著膜3照射紫外線或雷射光而使黏著膜3之黏著力降低之構成。於此情形時，於黏著力降低步驟中，亦對半導體晶片1或黏著片4進行溫度控制至上述「凸塊能夠接合之溫度」即特定溫度。(安裝裝置)其次，參照圖3、圖4，對本發明之實施例1中之安裝裝置進行說明。圖3係說明本發明之實施例1中之安裝裝置的圖。圖4係說明本發明之實施例1中之安裝裝置之頭部分的圖。圖5係說明本發明之實施例1中之安裝裝置之頭之平行度調整的圖。如圖3所示，本發明之實施例1中之安裝裝置50具備載體基板保持部11、2視野光學系統12、載置台13、頭14、及黏著片保持部17，又，具備未圖示之載體基板去除部、黏著力降低部、及控制部。載體基板保持部11成為能夠保持3個載體基板2之構成，能將3種載體基板2各保持1個或將1種載體基板2保持3個，且使半導體晶片1之第2面朝下而保持。例如，於微型LED之情形時，可將保持紅、綠、藍之各色之LED之載體基板分別保持，亦可將保持藍色之LED之載體基板保持3個。載置台13可載置電路基板6且藉由真空吸附將該電路基板6以不會移動之方式保持。又，於鄰接於載置台13之位置設置有黏著片保持部17。於黏著片保持部17，可藉由真空吸附而保持使半導體晶片1黏著之黏著片4。而且，載體基板保持部11、載置台13及黏著片保持部17均構成為能於X、Y方向上移動。如圖3所示，頭14構成為能於Z、θ、xf、yf方向上移動，自載體基板保持部11拾取載體基板2，使半導體晶片1之第2面朝下載置於保持在黏著片保持部17之黏著片4之上並黏著於黏著片4，並且於使保持於黏著片保持部17之黏著片4之黏著膜3之黏著力降低後拾取半導體晶片1，使載置台13於X、Y方向上之移動與頭14於Z、θ方向上之移動連動，藉此能夠將半導體晶片1安裝至電路基板6之上。頭14於xf、yf方向上之移動係於下述平行度調整時執行。再者，於實施例1中，構成為頭14於Z、θ、xf、yf方向上移動，載體基板保持部11、載置台13及黏著片保持部17均於X、Y方向上移動，但未必限定於此，可根據裝置之情況適當進行變更。例如，亦可設為如下構成：頭14於X、Y、θ、xf、yf方向上移動，載體基板保持部11、載置台13及黏著片保持部17均於Z方向上移動。又，若無必要則θ與xf、yf方向之移動機構可省略。例如，於在半導體晶片1及電路基板6之位置不存在旋轉偏移之情形時，可省略θ方向之移動機構。又，於無需進行半導體晶片1與電路基板6之平行度調整之情形時，可省略xf、yf方向之移動機構。2視野光學系統12可於拾取載體基板2時進入至頭14與載體基板2之間拍攝兩者之圖像。又，可於拾取半導體晶片1時拍攝黏著片保持部17上之半導體晶片1之位置，並且於將頭14所拾取之半導體晶片1安裝至載置台13上之電路基板6時，進入至頭14與載置台13之間拍攝半導體晶片1與電路基板6之圖像。所拍攝之各圖像由未圖示之控制部進行圖像處理而識別各自之位置偏移。然後，控制部考慮該位置偏移，以使頭14保持半導體晶片1並將其自黏著片4剝離且將半導體晶片1之第2面側接合於電路基板6之方式進行控制。未圖示之載體基板去除部係包含能夠對載體基板2照射雷射光之雷射光照射部而構成。藉由自該雷射光照射部將雷射光照射至載體基板2，可將載體基板與半導體晶片1容易地剝離。例如，於微型LED之情形時，藉由將準分子雷射照射至包含藍寶石之載體基板，能夠容易地將藍寶石自微型LED剝離。未圖示之黏著力降低部係包含將黏著片4及半導體晶片1加熱至特定溫度之加熱部而構成。具體而言，可藉由設置於黏著片保持部17之加熱器21將黏著片4及半導體晶片1加熱至使黏著膜3之黏著力降低而大致成為零之特定溫度。於將半導體晶片1安裝至電路基板6時，利用2視野光學系統12拍攝半導體晶片1及電路基板6之位置偏移，而於X、Y方向上高精度地安裝。於實施例1中之安裝裝置中，除了調整該X、Y方向之精度以外還調整半導體晶片1與電路基板6之平行度，藉此亦實現Z方向之高精度化。參照圖4、圖5，對該平行度調整進行說明。如圖4所示，於頭14之兩端部，設置有第1雷射位移計15、第2雷射位移計16、及未圖示之第3雷射位移計。自該等3個雷射位移計將雷射光照射至電路基板6而測定各者至電路基板6之距離，藉由控制部對該等距離之差異進行運算而使頭14於xf、yf方向上調整移動(參照圖4、圖5(b))。又，於該xf、yf方向調整前，必須先調整頭14自身之平行度。此係如圖5(a)所示，頭14吸附平坦地製作而成之治具31，自第1雷射位移計15、第2雷射位移計16、及未圖示之第3雷射位移計對該治具31照射雷射光而測定自身之平行度，使其自身於xf、yf方向上移動而進行調整。藉由以上所述之安裝裝置50，可執行本發明之實施例1中之安裝方法。而且，藉由將較多之半導體晶片1或電路基板6於固定地保持一次加熱而成之溫度之狀態下安裝至電路基板6，能夠將半導體晶片高速、高精度地穩定安裝至電路基板。再者，於實施例1中，設為於安裝裝置50設置載體基板去除部之構成，但未必限定於此，可根據安裝裝置之情況適當進行變更。例如，亦可設為載體基板去除裝置及不具有載體基板去除部之安裝裝置51之2台構成。亦即，於安裝裝置51之前步驟設置載體基板去除裝置，藉由該載體基板去除裝置執行黏著片貼附步驟及載體基板去除步驟。可設為如下構成：藉由機器人等搬送器件，將已藉由載體基板去除裝置去除載體基板後之半導體晶片1於黏著於黏著片4之狀態下搬送至安裝裝置51中之黏著片保持部17。藉此，安裝裝置51可小型地構成。如此，於實施例1中，安裝方法之特徵在於：其係將第1面被保持於載體基板之切晶後之半導體晶片安裝至載置於載置台之電路基板者，且依序執行如下步驟：黏著片貼附步驟，其係將保持於上述載體基板之上述半導體晶片之與上述第1面為相反側之面即上述第2面貼附於黏著片；載體基板去除步驟，其係將上述載體基板自上述半導體晶片去除；黏著力降低步驟，其係使上述黏著片之黏著力降低；及安裝步驟，其係藉由頭保持上述半導體晶片之上述第1面側，而將上述半導體晶片自上述黏著片剝離，並將上述第2面側接合於上述電路基板，藉此將上述半導體晶片安裝至上述電路基板；藉由上述安裝方法，於黏著片之黏著力降低後，頭保持半導體晶片並進行安裝，故而可不於半導體晶片殘存多餘之黏著片而進行安裝，從而能夠高精度地穩定安裝至電路基板。又，安裝裝置之特徵在於：其係將第1面被保持於載體基板之切晶後之半導體晶片安裝至載置於載置台之電路基板者，且具有：黏著片保持部，其保持黏著片，該黏著片係貼附保持於上述載體基板之上述半導體晶片之與上述第1面為相反側之面即上述第2面；載體基板去除部，其將上述載體基板自貼附於上述黏著片之上述半導體晶片去除；黏著力降低部，其使上述黏著片之黏著力降低；頭，其能夠自上述第1面側保持上述半導體晶片；及控制部，其以使上述頭保持上述半導體晶片而將上述半導體晶片自上述黏著片剝離並將上述第2面側接合於上述電路基板之方式進行控制；藉由上述安裝裝置，於黏著片之黏著力降低後，頭保持半導體晶片並進行安裝，故而可不於半導體晶片殘存多餘之黏著片而進行安裝，從而能夠高精度地穩定安裝至電路基板。[實施例2]本發明之實施例2於如下方面與實施例1不同：其構成為自黏著力已降低之黏著片4拾取半導體晶片1之頭114逐一拾取半導體晶片1。而且，該頭114亦與實施例1中之頭14同樣地具備包含加熱器122之加熱部。參照圖6，對本發明之實施例2中之安裝方法進行說明。圖6係說明本發明之實施例2中之安裝方法之後半部分的圖。實施例2中之安裝方法之前半部分與實施例1相同。於實施例2中之安裝方法之後半部分中，首先，與實施例1同樣地執行圖6(a)所示之黏著力降低步驟。於黏著力降低步驟中，藉由將黏著片4之黏著膜3加熱至特定溫度而使黏著膜3之黏著力降低。該特定溫度係藉由選擇黏著膜3之種類，而可任意地選擇90℃、150℃、180℃等。於實施例2中，亦使用採用於150℃下黏著力大致成為零之黏著膜3的黏著片4。亦即，藉由將黏著片4加熱至150℃，從而黏著膜3之黏著力降低，而能夠將半導體晶片1容易地剝離。又，以於對黏著片4進行加熱時半導體晶片1亦加熱至相同之特定溫度即150℃之方式，控制黏著片保持部17中之加熱器21。其原因在於，與實施例1同樣地，藉由將與於安裝步驟中將半導體晶片1接合於電路基板6時之溫度150℃相同之溫度設為特定溫度而亦於黏著力降低步驟中採用，而將半導體晶片1之溫度自黏著力降低步驟至安裝步驟保持為固定，從而避免熱收縮。藉此，能以高精度實現穩定之安裝。其次，如圖6(b)所示，藉由頭114將黏著片4上之半導體晶片1逐一吸附並拾取。此時，以藉由設置於頭114內部之加熱器122將所拾取之半導體晶片1之溫度加熱維持於黏著力降低步驟中之特定溫度、亦即於實施例2中亦為150℃之方式進行控制。又，以黏著片保持部17中之加熱器21亦同樣地將半導體晶片1之溫度加熱維持於黏著力降低步驟中之特定溫度、亦即於實施例2中亦為150℃之方式進行控制。如圖6(c)所示，由頭114拾取之1個半導體晶片1係藉由頭114於X、Y、Z方向上適當移動，而接合並安裝至保持於載置台13之電路基板6。於電路基板6之表面設置有轉印層5，藉由該轉印層5可將半導體晶片1以不移動之方式保持。而且，於載置台13設置有加熱器24，藉由將載置台13與頭114一併進行加熱控制，而將設置於半導體晶片1之凸塊與電路基板6之電極接合。藉由對頭114及載置台13進行加熱控制，可將半導體晶片1維持於黏著力降低步驟中之特定溫度、於實施例2中亦為150℃，又，將電路基板6亦維持於相同之黏著力降低步驟中之特定溫度，從而將半導體晶片1自黏著力降低步驟至安裝步驟維持於相同之特定溫度。藉此，可避免半導體晶片1熱收縮，而穩定地進行高精度之安裝。實施例2中之安裝方法尤其於安裝至電路基板6之半導體晶片1發生位置偏移或無法安裝之情形等時有效。藉由將半導體晶片1逐一拾取並安裝至電路基板6，可容易地進行修復。又，此時亦將半導體晶片1之溫度自黏著力降低步驟至安裝步驟保持於固定之特定溫度，藉此能夠防止半導體晶片1之熱收縮，從而以高精度進行穩定之安裝。[實施例3]本發明之實施例3於如下方面與實施例1、實施例2不同：於黏著力降低步驟中，為了防止因黏著片4之黏著力降低導致半導體晶片1飛散，而按壓半導體晶片1。參照圖7，對本發明之實施例3進行說明。圖7係說明本發明之實施例3中之黏著力降低步驟的圖。於實施例3中，如圖7所示，安裝裝置50具備按壓部231，可藉由未圖示之驅動機構於Z方向上按壓移動。於黏著力降低步驟中，預先被加熱至實施例1中所述之黏著力降低步驟中之特定溫度的按壓部231按壓保持於黏著片4之半導體晶片1，且於藉由黏著片保持部17之加熱對黏著片4及半導體晶片1進行加熱而均溫化為特定溫度後至黏著片4之黏著力降低為止之期間繼續按壓，藉此使得不會因黏著片4之黏著力降低導致之半導體晶片1之飛散而引起位置偏移。按壓部231可由鐵或鋁等金屬或塑膠等任意材料構成，具有能夠將黏著片4上之半導體晶片1全部按壓之大小。若黏著力降低步驟結束，則該按壓部231解除按壓而上升。如此，於實施例3中，可防止因黏著力降低步驟中之黏著片4之黏著力降低導致之半導體晶片之位置偏移，從而可藉由順利地進行後續步驟即安裝步驟而執行穩定之安裝。[實施例4]參照圖8～圖13，對本發明之實施例4進行說明。圖8係說明本發明之實施例4中之第1黏著構件貼附步驟及載體基板去除步驟的圖。圖9係說明本發明之實施例4中之第2黏著構件貼附步驟及第1黏著力降低步驟的圖。圖10係說明本發明之實施例4中之第3黏著構件貼附步驟的圖。圖11係說明本發明之實施例4中之第2黏著力降低步驟的圖。圖12係說明本發明之實施例4中之安裝步驟的圖。圖13係說明本發明之實施例4中之安裝裝置的圖。於本發明中，設為將半導體晶片所具有之2個主面中保持於載體基板之面設為第1面，將與第1面為相反側之面定義為第2面，且於第2面形成有凸塊。(安裝方法)首先，參照圖8～圖12，對本發明之實施例4中之安裝方法之各步驟進行說明。圖8(a)表示第1面被保持於載體基板2之切晶後之複數個半導體晶片1。圖8(b)表示將半導體晶片1之與保持於載體基板2之面即第1面為相反側之面即第2面貼附於第1黏著構件304之第1黏著構件貼附步驟。第1黏著構件304係藉由真空吸附而保持於第1黏著構件保持部315，且於供半導體晶片1貼附之面形成有第1黏著膜303。實施例4中之第1黏著膜303通常具有較強之黏著性，但具有藉由加熱至第1特定溫度(參照下述)而黏著力降低之特性。於該第1黏著構件貼附步驟中，藉由下述第1移載頭314吸附、搬送保持有半導體晶片1之載體基板2，而將半導體晶片1之第2面貼附於保持在第1黏著構件保持部315之第1黏著構件304之第1黏著膜303上。其次，如圖8(c)所示，執行載體基板去除步驟。於載體基板去除步驟中，藉由雷射剝離將載體基板2自半導體晶片1剝離並去除。已剝離之載體基板2藉由第1移載頭314吸附而去除。再者，於實施例4中，於載體基板去除步驟中對載體基板2照射雷射光而藉由雷射剝離將載體基板2自半導體晶片1剝離而去除，但未必限定於此，可適當進行變更。例如，亦可為背面研磨。繼而，執行圖9(a)所示之第2黏著構件貼附步驟。於第2黏著構件貼附步驟中，藉由第1移載頭314吸附保持並搬送於表面形成有第2黏著膜305之第2黏著構件306，將第2黏著構件306之第2黏著膜305側按壓並貼附於第2面被保持於第1黏著構件304之第1黏著膜303之半導體晶片1的第1面，該第1黏著構件304保持於第1黏著構件保持部315上。然後，半導體晶片1成為由第1黏著構件304與第2黏著構件306夾入之狀態。此處，如上所述，第1黏著構件304之第1黏著膜303通常具有較大之黏著力，但具有藉由加熱至第1特定溫度(於實施例4中約為90℃)而黏著力降低從而其黏著力大致成為零之特性。又，第2黏著構件306之第2黏著膜305亦通常具有較大之黏著力，但具有藉由加熱至第2特定溫度(於實施例4中約為150℃)而黏著力降低從而其黏著力大致成為零之特性。因此，如下述第1黏著力降低步驟般，若於半導體晶片1由第1黏著構件304與第2黏著構件306夾入之狀態下加熱至第1特定溫度，則第1黏著膜303之黏著力降低而大致成為零，藉此半導體晶片1自第1黏著構件304剝離且繼續保持於第2黏著構件306之狀態。又，若將第2黏著構件306加熱至第2特定溫度，則第2黏著膜305之黏著力降低而大致成為零，藉此第2黏著構件306自半導體晶片1剝離。再者，於實施例4中，採用第1特定溫度約為90℃之第1黏著構件304，且採用第2特定溫度約為150℃之第2黏著構件306，但未必限定於該溫度特性而能夠適當進行變更。例如，亦可採用第1特定溫度約為60℃之第1黏著構件304，且採用第2特定溫度約為120℃之第2黏著構件306，亦可採用具有於除此以外之溫度下各個黏著構件之黏著力降低之特性的黏著構件。只要以使第2黏著構件306之黏著力降低之第2特定溫度至少較使第1黏著構件304之黏著力降低之第1特定溫度高溫之方式構成各黏著構件即可。此時，較理想為將第1特定溫度與第2特定溫度之差設為60℃左右。而且，構成為加熱至第1特定溫度而使第1黏著構件304之黏著力降低，並且加熱至溫度高於第1特定溫度之第2特定溫度而使第2黏著構件306之黏著力降低。此處，第1黏著構件304通常(低於第1特定溫度之溫度)具有較大之黏著力，且第2黏著構件306通常(低於第2特定溫度之溫度)具有較大之黏著力。藉此，防止被該較強之黏著力黏著之半導體晶片1產生位置偏移或姿勢混亂。尤其是，上述載體基板去除步驟中之雷射剝離之力量相當大，若為可藉由頭容易地拾取半導體晶片1般之較弱之黏著力則無法抵擋雷射之力量，故而採用具有較大之黏著力之黏著構件。繼而，如圖9(b)所示，執行第1黏著力降低步驟。於第1黏著力降低步驟中，藉由第1黏著構件保持部315中之第1黏著構件加熱機構321及第1移載頭314中之第1移載頭加熱機構322，以達到第1特定溫度(約為90℃)之方式對第1黏著構件304及第2黏著構件306進行加熱控制而使第1黏著膜303之黏著力降低。此時，第2黏著構件306之第2黏著膜305亦被加熱至第1特定溫度，但由於使第2黏著膜305之黏著力降低之溫度為第2特定溫度(約為150℃)，故而於第1特定溫度下黏著力不降低，第2黏著構件306保持著藉由第2黏著膜305黏著保持半導體晶片1之狀態。繼而，如圖10所示，執行第3黏著構件貼附步驟。首先，藉由第2移載頭316將第1面被保持於第2黏著構件306之半導體晶片1拾取(參照圖10(a))，並搬送至第3黏著構件保持部318，將半導體晶片1之第2面重疊貼附於保持在第3黏著構件保持部318之第3黏著構件307之上(參照圖10(b))。然後，半導體晶片1成為由第3黏著構件307與第2黏著構件306夾入之狀態。第3黏著構件307包含聚矽氧樹脂等，黏著力小於上述第1黏著構件304。亦即，第1黏著構件304雖於第1特定溫度下黏著力降低，但於低於第1特定溫度之溫度下黏著力較大，而無法簡單地拾取所黏著之半導體晶片1。因此，藉由使半導體晶片1黏著於黏著力始終小於第1黏著構件304之第3黏著構件307，可於下述安裝步驟中容易地拾取半導體晶片1。如上所述，於藉由雷射剝離將載體基板2自半導體晶片1去除之載體基板去除步驟中，雷射之力量較大，若為如第3黏著構件307之具有較小之黏著力者，則難以抵擋該力量。因此，設為藉由具有通常具有較大之黏著力之第1黏著膜303的第1黏著構件304抵擋準分子雷射之力量。繼而，如圖11所示，執行第2黏著力降低步驟。於第2黏著力降低步驟中，藉由第3黏著構件保持部318之第3黏著構件加熱機構323、及第2移載頭316之第2移載頭加熱機構324，對第3黏著構件307及第2黏著構件306以與半導體晶片1一併成為第2特定溫度(約為150℃)之方式進行加熱控制。若如此，則第2黏著構件306中之第2黏著膜305之黏著力降低而大致成為零(參照圖11(a))。然後，若將第2黏著構件306自半導體晶片1剝離，且將第2移載頭316與第2黏著構件306一併自第3黏著構件保持部318拉離，則半導體晶片1殘留於第3黏著構件保持部318上之第3黏著構件307(參照圖11(b))。此時，半導體晶片1之第2面側黏著於第3黏著構件307。於第1黏著力降低步驟及第2黏著力降低步驟中，存在自第1黏著膜303及第2黏著膜305產生氣體而發泡之情形。於此情形時，有黏著於各黏著膜之半導體晶片1因發泡而引起位置偏移或產生姿勢混亂之虞。然而，如上所述，於第1黏著力降低步驟中，藉由在第1特定溫度下黏著力不降低之第2黏著構件保持半導體晶片1，又，第2黏著力降低步驟係藉由第3黏著構件307保持半導體晶片1，而能夠防止半導體晶片1之位置偏移或姿勢混亂。此處，第2特定溫度係設定為下述安裝步驟中之凸塊能夠接合之溫度。亦即，於第2黏著力降低步驟至安裝步驟中，將半導體晶片1維持於第2特定溫度，而防止因熱膨脹或收縮導致產生安裝位置偏移。具體而言，以將半導體晶片1維持於第2特定溫度之方式，對第2黏著力降低步驟中之第3黏著構件保持部318之第3黏著構件加熱機構323與第2移載頭316之第2移載頭加熱機構324、及下述安裝步驟中之載置台313之載置台加熱機構325與安裝頭317之安裝頭加熱機構326進行加熱控制。即，凸塊能夠接合之溫度為150℃前後之溫度，使用採用於該溫度下黏著力大致成為零之第2黏著膜305的第2黏著構件306。亦即，使用採用第2特定溫度約為150℃之第2黏著膜305的第2黏著構件306，藉由將第2黏著構件306加熱至約150℃，第2黏著膜305亦成為約150℃而黏著力降低，從而能夠容易地將半導體晶片1剝離。又，以於對第2黏著構件306進行加熱時半導體晶片1亦加熱至相同之第2特定溫度即約150℃之方式，控制第3黏著構件保持部318中之第3黏著構件加熱機構323及第2移載頭316中之第2移載頭加熱機構324。如此，藉由將與於下述安裝步驟中將半導體晶片1接合於電路基板309時凸塊能夠接合之溫度相同之溫度設為第2特定溫度且亦於第2黏著力降低步驟中採用，可將半導體晶片1之溫度自第2黏著力降低步驟至安裝步驟保持為固定，而避免膨脹或收縮，從而能以高精度實現穩定之安裝。最後，如圖12所示，執行安裝步驟。於安裝步驟中，首先，如圖12(a)所示，藉由安裝頭317將第3黏著構件保持部318上之半導體晶片1個別地同時吸附並拾取複數個。所拾取之半導體晶片1之數量可根據安裝頭317之構成任意地設定，但為了實現高速安裝，較理想為拾取儘可能多之半導體晶片1。於實施例4中，以能夠拾取1萬個半導體晶片1之方式構成安裝頭317。於該拾取時，以藉由設置於安裝頭317內部之安裝頭加熱機構326將所拾取之半導體晶片1之溫度加熱維持於第2黏著力降低步驟中之第2特定溫度、亦即凸塊能夠接合之溫度(於實施例4中為150℃)之方式進行控制。又，以第3黏著構件保持部318中之第3黏著構件加熱機構323亦同樣地將半導體晶片1之溫度加熱維持於第2黏著力降低步驟中之第2特定溫度、亦即凸塊能夠接合之溫度(於實施例4中約為150℃)之方式進行控制。藉由安裝頭317拾取半導體晶片1之間距係與電路基板309之安裝半導體晶片1之間距一致而構成。此處，所謂凸塊能夠接合之溫度係適於設置在半導體晶片1之凸塊與電路基板309之電極之接合的溫度，於該溫度下，在凸塊產生黏性而適於接合，但若低於該溫度則不產生黏性，若高於該溫度則凸塊氧化而不適於接合。如圖12(b)所示，由安裝頭317拾取之複數個半導體晶片1係藉由安裝頭317或載置台313於X、Y、Z方向上適當移動，而接合並安裝至保持於載置台313之電路基板309。實施例4中之電路基板309係於玻璃之表面形成有電路。為了一次將1萬個半導體晶片1安裝至電路基板309，不僅需要於X、Y方向上高精度地定位，而且亦需要調整半導體晶片1與電路基板309之平行度。因此，藉由在安裝裝置350中進行安裝頭317與載置台313之平行度調整，可使任一半導體晶片1均移動相同高度(Z方向)，藉此進行安裝。再者，於電路基板309之表面設置有轉印層308，藉由該轉印層308可將半導體晶片1以不移動之方式保持。於載置台313設置有載置台加熱機構325，藉由將載置台313與安裝頭317一併加熱控制為凸塊能夠接合之溫度，而將設置於半導體晶片1之凸塊與電路基板309之電極接合(參照圖12(b))。藉由對安裝頭317及載置台313進行加熱控制，可將半導體晶片1維持於第2黏著力降低步驟中之第2特定溫度、即凸塊能夠接合之溫度(於實施例4中約為150℃)，又，將電路基板309亦維持於第2黏著力降低步驟中之第2特定溫度，從而自第2黏著力降低步驟至安裝步驟，將半導體晶片1以及電路基板309、第2黏著構件306、第2移載頭316、安裝頭317、及載置台313維持於相同之第2特定溫度。藉此，可避免半導體晶片1或電路基板309熱收縮或膨脹，而穩定地進行高精度之安裝。於安裝步驟中，構成為將半導體晶片1安裝至電路基板309時之電路基板309與半導體晶片1之間之接合力較安裝頭317之保持力強，且安裝頭317之保持力較第3黏著構件307之黏著力強。即，安裝頭317始終將真空吸附接通，藉由該真空吸附而保持半導體晶片1。藉由該始終接通之真空吸附產生之保持力係以較將半導體晶片1安裝至電路基板309時之電路基板309與半導體晶片1之間之接合力弱且較第3黏著構件307之黏著力強之方式設定。藉此，無需對真空吸附進行與接通-斷開相關之控制，而能夠成為更簡單之構成。再者，於實施例4中，將安裝頭317之保持力設為藉由始終接通之真空吸附，但未必限定於此，可根據裝置構成之情況適當進行變更。例如，亦可設為進行僅於保持半導體晶片1時將真空吸附接通而除此以外設為斷開之控制的構成。又，亦可構成為：設為使安裝頭317前端面具有黏著性之構成，使藉由該黏著性產生之保持力較安裝時之電路基板309與半導體晶片1之間之接合力弱且較第3黏著構件6之黏著力強。又，於實施例4中，設為於第1黏著力降低步驟及第2黏著力降低步驟中，藉由將各黏著片之各黏著膜加熱至各特定溫度而使黏著力降低之構成，但未必限定於此，可根據情況適當進行變更。例如，亦可設為藉由對黏著構件之黏著膜照射紫外線或雷射光而使黏著膜之黏著力降低之構成。於此情形時，於第2黏著力降低步驟中，亦對半導體晶片1或第2黏著構件306進行溫度控制至上述凸塊能夠接合之溫度即第2特定溫度(安裝裝置)其次，參照圖13，對本發明之實施例4中之安裝裝置進行說明。圖13係說明本發明之實施例4中之安裝裝置的圖。如圖13所示，本發明之實施例4中之安裝裝置350具備載體基板保持部311、2視野光學系統312、載置台313、第1移載頭314、第1黏著構件保持部315、第2移載頭316、安裝頭317、及第3黏著構件保持部318，又，具備未圖示之載體基板去除部、第1黏著力降低部、第2黏著力降低部、及安裝溫度控制部。載體基板保持部311成為能夠保持3個載體基板2之構成，可將3種載體基板2各保持1個或將1種載體基板2保持3個，且使半導體晶片1之第2面朝下而保持。例如，於微型LED之情形時，可將保持紅、綠、藍之各色之LED的載體基板分別保持，亦可將保持1種顏色之LED之載體基板保持3個。載置台313可載置電路基板309且藉由真空吸附將該電路基板309保持為不移動。又，於鄰接於載置台313之位置，設置有第1黏著構件保持部315及第3黏著構件保持部318。於第1黏著構件保持部315，可藉由真空吸附而保持使半導體晶片1黏著之第1黏著構件304。又，於第3黏著構件保持部318，可保持使半導體晶片1黏著之第3黏著構件307。而且，載體基板保持部311、載置台313、第1黏著構件保持部315、及第3黏著構件保持部16均構成為能夠於X、Y方向上移動。第1移載頭314、第2移載頭316、及安裝頭317通常被保管於未圖示之各保管部，於需要時自動地被頭保持部330保持。亦即，第1移載頭314、第2移載頭316、及安裝頭317分別能夠更換地保持於頭保持部330。如圖13所示，頭保持部330構成為能夠於Z、θ、xf、yf方向上移動，藉由第1移載頭314將載體基板2自載體基板保持部311拾取，使半導體晶片1之第2面朝下地黏著於保持在第1黏著構件保持部315之第1黏著構件304之上而貼附於第1黏著構件304。第2移載頭316可於保持於第1黏著構件保持部315之第1黏著構件304之第1黏著膜303之黏著力降低後拾取半導體晶片1，並與第3黏著構件保持部16於X、Y方向上之移動連動地將該半導體晶片1搬送、黏著至第3黏著構件307。又，貼附於第3黏著構件307之半導體晶片1可由安裝頭317拾取而安裝至載置於載置台313之電路基板309。此處，分別於第1黏著構件保持部315設置有第1黏著構件加熱機構321，於第1移載頭314設置有第1移載頭加熱機構322，於第3黏著構件保持部318設置有第3黏著構件加熱機構323，於第2移載頭316設置有第2移載頭加熱機構324，於載置台313設置有載置台加熱機構325，於安裝頭317設置有安裝頭加熱機構326。該等加熱機構具備加熱器，分別可加熱至第1特定溫度或第2特定溫度。具體而言，第1黏著力降低部控制設置於第1黏著構件保持部315之第1黏著構件加熱機構321及設置於第1移載頭314之第1移載頭加熱機構322，能夠將第1黏著構件304及半導體晶片1加熱至使第1黏著膜303之黏著力降低而大致成為零之第1特定溫度。又，第2黏著力降低部控制設置於第3黏著構件保持部318之第3黏著構件加熱機構323及設置於第2移載頭316之第2移載頭加熱機構324，可將第2黏著構件306及半導體晶片1加熱控制為使第2黏著膜305之黏著力降低而大致成為零之第2特定溫度。進而，為了於維持第2特定溫度之狀態下將半導體晶片1安裝至電路基板309，安裝溫度控制部控制設置於第3黏著構件保持部318之第3黏著構件加熱機構323、設置於載置台313之載置台加熱機構325、及設置於安裝頭317之安裝頭加熱機構326，而能夠將半導體晶片1及電路基板309加熱至適於接合之第2特定溫度。再者，於實施例4中，設為如下構成：第1移載頭314將載體基板2自載體基板保持部311拾取，使半導體晶片1之第2面朝下地黏著於保持在第1黏著構件保持部315之第1黏著構件304之上而貼附於第1黏著構件304，第2移載頭316於保持於第1黏著構件保持部315之第1黏著構件304之第1黏著膜303之黏著力降低後將半導體晶片1拾取並貼附於第3黏著構件307；但未必限定於此，可適當進行變更。例如，亦可使第1移載頭314與第2移載頭316共通地構成為一個移載頭，而進行將半導體晶片1貼附於第1黏著構件4及貼附於第3黏著構件保持部7兩者。藉此，可小型地構成安裝裝置。又，構成為第1移載頭314、第2移載頭316、及安裝頭317於Z、θ、xf、yf方向上移動，載體基板保持部311、載置台313、第1黏著構件保持部315、及第3黏著構件保持部318均於X、Y方向上移動，但未必限定於此，可根據裝置之情況適當進行變更。例如，亦可設為如下構成：第1移載頭314、第2移載頭316、及安裝頭317於X、Y、θ、xf、yf方向上移動，載體基板保持部311、載置台313、第1黏著構件保持部315、及第3黏著構件保持部318均於Z方向上移動。又，θ與xf、yf方向之移動機構係若無必要則可省略。例如，於在半導體晶片1及電路基板309之位置不存在旋轉偏移之情形時，可省略θ方向之移動機構。又，於無需進行半導體晶片1與電路基板309之平行度調整之情形時，可省略xf、yf方向之移動機構。2視野光學系統312可於拾取載體基板2時進入至第1移載頭314與載體基板2之間拍攝兩者之圖像。又，可於拾取半導體晶片1時拍攝第1黏著構件保持部315或第3黏著構件保持部318上之半導體晶片1之位置，並且於安裝頭317將所拾取之半導體晶片1安裝至載置台313上之電路基板309時，進入至安裝頭317與載置台313之間拍攝半導體晶片1與電路基板309之圖像。所拍攝之各圖像由未圖示之控制部進行圖像處理而識別各者之位置偏移。然後，未圖示之控制部考慮該位置偏移，以使安裝頭317保持半導體晶片1並將其自第3黏著構件307剝離且將半導體晶片1之第2面接合於電路基板309之方式進行控制。未圖示之載體基板去除部係包含能夠對載體基板2照射準分子雷射之雷射光照射部而構成。藉由自該雷射光照射部將準分子雷射照射至載體基板2，而能夠容易地將載體基板2與半導體晶片1剝離。例如，於微型LED之情形時，藉由將準分子雷射照射至包含藍寶石之載體基板，而能夠容易地將藍寶石自微型LED剝離。藉由以上所述之安裝裝置350，可執行本發明之實施例4中之安裝方法。而且，藉由將半導體晶片1或電路基板309於固定地保持一次加熱而成之溫度之狀態下安裝至電路基板309，而能夠將半導體晶片高速、高精度地穩定安裝至電路基板。再者，於實施例4中，設為於安裝裝置350設置載體基板去除部之構成，但未必限定於此，可根據安裝裝置之情況適當進行變更。例如，亦可設為載體基板去除裝置及不具有載體基板去除部之安裝裝置之2台構成。亦即，於安裝裝置之前步驟中設置載體基板去除裝置，藉由該載體基板去除裝置執行第1黏著構件貼附步驟及載體基板去除步驟。可設為如下構成：藉由機器人等搬送器件，將已藉由載體基板去除裝置去除載體基板後之半導體晶片1於黏著於第1黏著構件304之狀態下搬送至安裝裝置中之第1黏著構件保持部315。藉此，安裝裝置可小型地構成。又，於實施例4中，構成為於1台安裝裝置350中具備第1移載頭314、第2移載頭、及安裝頭317，但未必限定於此，可適當進行變更。例如，亦可設為具備第1移載頭314之第1A安裝裝置、具備第2移載頭316之第1B安裝裝置、及具備安裝頭317之第2安裝裝置之3台構成。又，亦可如上所述般使第1移載頭314與第2移載頭316共通，而設為具備共通之移載頭之第1安裝裝置與具備安裝頭317之第2安裝裝置之2台構成。於將安裝裝置構成為複數個之情形時，只要設為藉由機器人等搬送器件於各個安裝裝置間搬送半導體晶片1之構成即可。如此，於實施例4中，安裝方法之特徵在於：其係藉由安裝頭將第1面被保持於載體基板之切晶後之半導體晶片安裝至載置於載置台之電路基板者，且包括：第1黏著構件貼附步驟，其係將保持於上述載體基板之上述半導體晶片之與上述第1面為相反側之面即第2面貼附於第1黏著構件；載體基板去除步驟，其係將上述載體基板自上述半導體晶片去除；第2黏著構件貼附步驟，其係將第2黏著構件貼附於上述半導體晶片之上述第1面；第1黏著力降低步驟，其係使上述第1黏著構件之黏著力降低；第3黏著構件貼附步驟，其係將貼附有上述第2黏著構件之上述半導體晶片自上述第1黏著構件剝離，且將上述第2面貼附於第3黏著構件；第2黏著力降低步驟，其係使上述第2黏著構件之黏著力降低；及安裝步驟，其係上述安裝頭保持上述半導體晶片之上述第1面而將該半導體晶片自上述第3黏著構件剝離，並將上述第2面接合於上述電路基板，藉此將上述半導體晶片安裝至上述電路基板；且上述第3黏著構件之黏著力小於上述第1黏著構件之黏著力；藉由上述安裝方法，於將第2黏著構件貼附於半導體晶片後，使第1黏著構件之黏著力降低，故而不會因第1黏著構件之發泡導致半導體晶片之位置偏移或姿勢混亂，又，由於將所要安裝之半導體晶片貼附於黏著力小於第1黏著構件之第3黏著構件，故而能夠容易地剝離，從而能夠高精度地穩定安裝至電路基板。又，安裝裝置之特徵在於：其係藉由安裝頭將第1面被保持於載體基板之切晶後之半導體晶片安裝至載置於載置台之電路基板者，且具備：第1黏著構件保持部，其保持第1黏著構件且具有第1黏著構件加熱機構；載體基板去除部，其將上述載體基板自貼附於上述第1黏著構件之上述半導體晶片去除；第1移載頭，其將第2黏著構件貼附於上述半導體晶片之第1面且具有第1移載頭加熱機構；第2移載頭，其將上述半導體晶片貼附於第3黏著構件且具有第2移載頭加熱機構；第3黏著構件保持部，其保持上述第3黏著構件且具有第3黏著構件加熱機構；第1黏著力降低部，其使上述第1黏著構件之黏著力降低；及第2黏著力降低部，其使上述第2黏著構件之黏著力降低；且 上述第3黏著構件之黏著力小於上述第1黏著構件之黏著力；藉由上述安裝裝置，於將第2黏著構件貼附於半導體晶片後，使第1黏著構件之黏著力降低，故而不會因第1黏著構件之發泡導致半導體晶片之位置偏移或姿勢混亂，又，由於將所要安裝之半導體晶片貼附於黏著力小於第1黏著構件之第3黏著構件，故而能夠容易地剝離，從而能夠高精度地穩定安裝至電路基板。 [產業上之可利用性] 本發明中之安裝方法及安裝裝置可廣泛用於高精度地穩定安裝半導體晶片之領域。
1‧‧‧半導體晶片 2‧‧‧載體基板 3‧‧‧黏著膜 4‧‧‧黏著片 5‧‧‧轉印層 6‧‧‧電路基板 11‧‧‧載體基板保持部 12‧‧‧2視野光學系統 13‧‧‧載置台 14‧‧‧頭 15‧‧‧雷射位移計 16‧‧‧雷射位移計 17‧‧‧黏著片保持部 21‧‧‧加熱器 22‧‧‧加熱器 24‧‧‧加熱器 31‧‧‧治具 50‧‧‧安裝裝置 51‧‧‧安裝裝置 114‧‧‧頭 122‧‧‧加熱器 231‧‧‧按壓部 303‧‧‧第1黏著膜 304‧‧‧第1黏著構件 305‧‧‧第2黏著膜 306‧‧‧第2黏著構件 307‧‧‧第3黏著構件 308‧‧‧轉印層 309‧‧‧電路基板 311‧‧‧載體基板保持部 312‧‧‧2視野光學系統 313‧‧‧載置台 314‧‧‧第1移載頭 315‧‧‧第1黏著構件保持部 316‧‧‧第2移載頭 317‧‧‧安裝頭 318‧‧‧第3黏著構件保持部 321‧‧‧第1黏著構件加熱機構 322‧‧‧第1移載頭加熱機構 323‧‧‧第3黏著構件加熱機構 324‧‧‧第2移載頭加熱機構 325‧‧‧載置台加熱機構 326‧‧‧安裝頭加熱機構 330‧‧‧頭保持部 350‧‧‧安裝裝置 X‧‧‧方向 xf‧‧‧方向 Y‧‧‧方向 yf‧‧‧方向 Z‧‧‧方向 θ‧‧‧方向
圖1(a)～(c)係說明本發明之實施例1中之安裝方法之前半部分的圖。圖2(a)～(c)係說明本發明之實施例1中之安裝方法之後半部分的圖。圖3係說明本發明之實施例1中之安裝裝置的圖。圖4係說明本發明之實施例1中之安裝裝置之頭部分的圖。圖5(a)、(b)係說明本發明之實施例1中之安裝裝置之頭之平行度調整的圖。圖6(a)～(c)係說明本發明之實施例2中之安裝方法之後半部分的圖。圖7係說明本發明之實施例3中之黏著力降低步驟的圖。圖8(a)～(c)係說明本發明之實施例4中之第1黏著構件貼附步驟及載體基板去除步驟的圖。圖9(a)、(b)係說明本發明之實施例4中之第2黏著構件貼附步驟及第1黏著力降低步驟的圖。圖10(a)、(b)係說明本發明之實施例4中之第3黏著構件貼附步驟的圖。圖11(a)、(b)係說明本發明之實施例4中之第2黏著力降低步驟的圖。圖12(a)、(b)係說明本發明之實施例4中之安裝步驟的圖。 圖13係說明本發明之實施例4中之安裝裝置的圖。
1‧‧‧半導體晶片
3‧‧‧黏著膜
4‧‧‧黏著片
5‧‧‧轉印層
6‧‧‧電路基板
13‧‧‧載置台
14‧‧‧頭
17‧‧‧黏著片保持部
21‧‧‧加熱器
22‧‧‧加熱器
24‧‧‧加熱器

Claims (12)

  1. 一種安裝方法，其特徵在於：其係將第1面被保持於載體基板之切晶後之半導體晶片安裝至載置於載置台之電路基板者，且依序執行如下步驟：黏著片貼附步驟，其係將保持於上述載體基板之上述半導體晶片之與上述第1面為相反側之面即第2面貼附於黏著片；載體基板去除步驟，其係將上述載體基板自上述半導體晶片去除；黏著力降低步驟，其係使上述黏著片之黏著力降低；及安裝步驟，其係藉由頭保持上述半導體晶片之上述第1面側，而將上述半導體晶片自上述黏著片剝離，並將上述第2面側接合於上述電路基板，藉此將上述半導體晶片安裝至上述電路基板；上述黏著力降低步驟係藉由將上述黏著片及上述半導體晶片加熱至特定溫度而使黏著力降低；且上述安裝步驟係以能夠將上述半導體晶片於維持上述黏著力降低步驟中之上述特定溫度之狀態下安裝至上述電路基板之方式，對上述頭及上述載置台進行加熱控制。
  2. 如請求項1之安裝方法，其中上述載體基板去除步驟係照射雷射光而將上述載體基板剝離。
  3. 如請求項1或2之安裝方法，其中將上述半導體晶片安裝至上述電路基板時之上述電路基板與上述半導體晶片之間之接合力較上述頭之保持力 強，且上述頭之保持力較黏著力已降低之上述黏著片之黏著力強。
  4. 一種安裝方法，其特徵在於：其係利用安裝頭將第1面被保持於載體基板之切晶後之半導體晶片安裝至載置於載置台之電路基板者，且包括：第1黏著構件貼附步驟，其係將保持於上述載體基板之上述半導體晶片之與上述第1面為相反側之面即第2面貼附於第1黏著構件；載體基板去除步驟，其係將上述載體基板自上述半導體晶片去除；第2黏著構件貼附步驟，其係將第2黏著構件貼附於上述半導體晶片之上述第1面；第1黏著力降低步驟，其係使上述第1黏著構件之黏著力降低；第3黏著構件貼附步驟，其係將貼附有上述第2黏著構件之上述半導體晶片自上述第1黏著構件剝離，並將上述第2面貼附於第3黏著構件；第2黏著力降低步驟，其係使上述第2黏著構件之黏著力降低；及安裝步驟，其係使上述安裝頭保持上述半導體晶片之上述第1面而將該半導體晶片自上述第3黏著構件剝離，並將上述第2面接合於上述電路基板，藉此將上述半導體晶片安裝至上述電路基板；且上述第3黏著構件之黏著力小於上述第1黏著構件之黏著力。
  5. 如請求項4之安裝方法，其中上述第1黏著力降低步驟係藉由將上述第1黏著構件及上述半導體晶片加熱至使上述第1黏著構件之黏著力降低之第1特定溫度而使上述第1黏著構件之黏著力降低，上述第2黏著力降低步驟係藉由將上述第2黏著構件及上述半導體晶片加熱至溫度高於上述第1特定溫度且使上述第2黏著構件之黏著力降低之第2特定溫度而使上述第2黏 著構件之黏著力降低。
  6. 如請求項5之安裝方法，其中上述安裝步驟係以能夠將上述半導體晶片於維持上述第2黏著力降低步驟中之上述第2特定溫度之狀態下安裝至上述電路基板之方式，對保持上述第3黏著構件之第3黏著構件保持部、上述安裝頭、及上述載置台進行加熱控制。
  7. 一種安裝裝置，其特徵在於：其係將第1面被保持於載體基板之切晶後之半導體晶片安裝至載置於載置台之電路基板者，且具有：黏著片保持部，其保持黏著片，該黏著片係貼附保持於上述載體基板之上述半導體晶片之與上述第1面為相反側之面即第2面；載體基板去除部，其將上述載體基板自貼附於上述黏著片之上述半導體晶片去除；黏著力降低部，其使上述黏著片之黏著力降低；頭，其能夠自上述第1面側保持上述半導體晶片；及控制部，其以使上述頭保持上述半導體晶片而將上述半導體晶片自上述黏著片剝離並將上述第2面側接合於上述電路基板之方式進行控制；上述黏著力降低部包含將上述黏著片及上述半導體晶片加熱至特定溫度之加熱部；且上述頭及上述載置台能夠分別進行加熱，且上述控制部以能夠將上述半導體晶片於維持上述黏著力降低部中之上述特定溫度之狀態下安裝至上述電路基板之方式，控制上述黏著力降低部、上述頭及上述載置台之加熱溫度。
  8. 如請求項7之安裝裝置，其中上述載體基板去除部包含能夠對上述載體基板照射雷射光之雷射光照射部。
  9. 如請求項7或8之安裝裝置，其中將上述半導體晶片安裝至上述電路基板時之上述電路基板與上述半導體晶片之間之接合力較上述頭之保持力強，且上述頭之保持力較黏著力已降低之上述黏著片之黏著力強。
  10. 一種安裝裝置，其特徵在於：其係利用安裝頭將第1面被保持於載體基板之切晶後之半導體晶片安裝至載置於載置台之電路基板者，且具備：第1黏著構件保持部，其保持第1黏著構件且具有第1黏著構件加熱機構；載體基板去除部，其將上述載體基板自貼附於上述第1黏著構件之上述半導體晶片去除；第1移載頭，其將第2黏著構件貼附於上述半導體晶片之第1面且具有第1移載頭加熱機構；第2移載頭，其將上述半導體晶片貼附於第3黏著構件且具有第2移載頭加熱機構；第3黏著構件保持部，其保持上述第3黏著構件且具有第3黏著構件加熱機構；第1黏著力降低部，其使上述第1黏著構件之黏著力降低；及第2黏著力降低部，其使上述第2黏著構件之黏著力降低；且上述第3黏著構件之黏著力小於上述第1黏著構件之黏著力。
  11. 如請求項10之安裝裝置，其中上述第1黏著力降低部以將上述第1黏著構件加熱機構及上述第1移載頭加熱機構加熱至使上述第1黏著構件之黏著力降低之第1特定溫度之方式進行控制，且上述第2黏著力降低部以將上述第3黏著構件加熱機構及上述第2移載頭加熱機構加熱至溫度較上述第1特定溫度高且使第2黏著構件之黏著力降低之第2特定溫度之方式進行控制。
  12. 如請求項11之安裝裝置，其中上述安裝頭具有安裝頭加熱機構，並且上述載置台具有載置台加熱機構，且該安裝裝置具備安裝溫度控制部，該安裝溫度控制部以將上述半導體晶片於維持上述第2特定溫度之狀態下安裝至上述電路基板之方式，控制第3黏著構件加熱機構、上述安裝頭加熱機構、及上述載置台加熱機構之加熱溫度。
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