WO2016159022A1 - 共振子 - Google Patents

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WO2016159022A1
WO2016159022A1 PCT/JP2016/060269 JP2016060269W WO2016159022A1 WO 2016159022 A1 WO2016159022 A1 WO 2016159022A1 JP 2016060269 W JP2016060269 W JP 2016060269W WO 2016159022 A1 WO2016159022 A1 WO 2016159022A1
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WO
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electrode
arm
unit
vibration
holding unit
Prior art date
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PCT/JP2016/060269
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French (fr)
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中村　大佐
西村　俊雄
ヴィレ カーヤカリ
Original Assignee
株式会社村田製作所
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Publication date
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    • H03H2009/0244—Anchor loss

Definitions

  • the present invention relates to a resonator.
  • a piezoelectric vibrator is used as a device for realizing a timekeeping function in an electronic device. Along with the downsizing of electronic equipment, the piezoelectric vibrator is also required to be downsized, and a resonator manufactured using a MEMS (Micro Electro Mechanical Systems) technique has been attracting attention.
  • MEMS Micro Electro Mechanical Systems
  • a conventional resonator includes a rectangular vibrating portion, electrodes formed on the vibrating portion, a holding arm that connects the vibrating portion and the holding portion, and a holding arm. It is comprised from the wiring which leads the electrode provided on the holding
  • the holding arm has an elongated shape so as not to disturb the vibration of the vibrating part.
  • the resonance resistance in the holding arm is increased, and on the contrary, the vibration of the vibrating portion is hindered. There is.
  • This invention is made in view of such a situation, and it aims at reducing the resonance resistance in the holding
  • a resonator includes a vibration unit including a first electrode and a second electrode, and a piezoelectric film formed between the first electrode and the second electrode, and vibration.
  • the first electrode or the second electrode is formed over the holding unit and is connected to the extraction electrode on the holding unit, and the electric resistance value per unit area of the extraction electrode is determined by the holding unit.
  • the electric resistance value per unit area of the first electrode or the second electrode formed over the entire area is smaller.
  • Such a resonator has a configuration in which the upper electrode on the holding unit is drawn out by the lead electrode having a smaller electric resistance value per unit area than the upper electrode. Thereby, the resonance resistance in the holding unit can be reduced.
  • the holding unit further includes an insulating protective film on the first electrode or the second electrode formed over the holding unit, and the lead electrode is connected via a via penetrating the protective film, It is preferable to connect with the 1st electrode or 2nd electrode formed over the holding
  • the extraction electrode and the electrode can be connected on the holding unit.
  • both the first electrode and the second electrode are formed over the holding unit, and the extraction electrode is connected to the first electrode or the second electrode.
  • both the upper electrode and the lower electrode can be connected by the extraction electrode.
  • the holding unit includes a first arm provided in a direction substantially parallel to one side of the vibration unit, and a second arm provided in a direction substantially perpendicular to the first arm and connecting the first arm and the vibration unit.
  • the lead electrode is preferably connected to the first electrode or the second electrode through a via at a connection point between the first arm and the second arm.
  • the rigidity and mass of the bent portion can be increased by providing a via in the bent portion of the holding unit.
  • the acoustic reflection effect at the bent portion can be enhanced and the vibration confinement can be improved.
  • the holding unit is provided in a direction substantially perpendicular to the pair of first arms and the pair of first arms provided in a direction substantially parallel to one side of the vibration unit, and the pair of first arms at both ends thereof.
  • a vibration buffer formed by a pair of second arms connected to both ends of one arm, and the extraction electrode is connected to the vibration buffer at a connection point between the first arm and the pair of second arms.
  • the first electrode or the second electrode is preferably connected via a via.
  • the resonance resistance in the holding unit that holds the vibrating portion is reduced.
  • FIG. 1 is an exploded perspective view schematically showing a structure of a resonance device according to a first embodiment. It is a top view which shows roughly an example of the structure of the resonator which concerns on 1st Embodiment. It is a figure which shows roughly an example of the structure of the cross section of the resonator which concerns on 1st Embodiment. It is a figure which shows roughly an example of the structure of the cross section of the resonator which concerns on 1st Embodiment. It is a top view which shows roughly an example of the structure of the resonator which concerns on 2nd Embodiment.
  • FIG. 1 is a perspective view schematically showing the appearance of the resonance device 1 according to the first embodiment of the present invention.
  • the resonance device 1 includes a lower substrate 14, an upper substrate 13 that forms a vibration space between the lower substrate 14, and a resonator 10 that is sandwiched and held between the lower substrate 14 and the upper substrate 13.
  • the resonator 10 is a MEMS vibrator manufactured using the MEMS technology.
  • FIG. 2 is an exploded perspective view schematically showing the structure of the resonance device 1 according to the first embodiment of the present invention.
  • the lower substrate 14 extends in a flat plate shape along the XY plane, and a flat rectangular parallelepiped concave portion 17 is formed on the upper surface thereof.
  • the recess 17 forms a part of the vibration space of the resonator 10.
  • the upper substrate 13 extends in a flat plate shape along the XY plane, and a flat rectangular parallelepiped concave portion 18 is formed on the lower surface thereof.
  • the recess 18 forms part of the vibration space of the resonator 10. A vacuum state is maintained in this vibration space.
  • the lower substrate 14 and the upper substrate 13 are made of, for example, silicon (Si).
  • FIG. 3 is a plan view schematically showing the structure of the resonator 10 according to the present embodiment.
  • the resonator 10 includes a vibrating unit 120, a holding unit 11, holding units 111 and 112, and lead electrodes W111 and W112.
  • the vibrating unit 120 has a substantially rectangular parallelepiped outline extending in a flat plate shape along the XY plane in the orthogonal coordinate system of FIG.
  • a rectangular plate-shaped upper electrode 121 having a length direction and a width direction is provided on the vibration unit 120.
  • the vibration part 120 and the upper electrode 121 have a long side in the X-axis direction and a short side in the Y-axis direction.
  • a protective film 235 is formed so as to cover the entire surface of the upper electrode 121. Further, two adjustment films 236 are stacked on the surface of the protective film 235 in parallel with the long side of the vibration unit 120.
  • the protective film 235 and the adjustment film 236 are films for adjusting the resonance frequency of the vibration unit 120.
  • the adjustment film 236 is formed so that the surface thereof is exposed in a relatively large displacement region in the vibration unit 120. Specifically, the adjustment film 236 is formed so as to be exposed in a region corresponding to the vicinity of both ends in the short side direction of the vibration unit 120. Further, the surface of the protective film 235 is exposed in other regions.
  • a space is formed between the vibrating unit 120 and the holding unit 11 at a predetermined interval.
  • the vibration unit 120 is connected to and held by the holding unit 11 by holding units 111 and 112 described later on a pair of short sides.
  • the vibration part 120 is not held by the holding part 11 in a pair of long sides.
  • (1-2. Laminated structure) 4 is a cross-sectional view taken along the line AA ′ of FIG. A laminated structure of the vibration unit 120 will be described with reference to FIG.
  • the vibration unit 120 has a lower electrode 129 (an example of a first electrode) stacked on a Si substrate 130 made of degenerate Si.
  • the Si substrate 130 has a length of about 140 ⁇ m, a width of about 400 ⁇ m, and a thickness of about 10 ⁇ m.
  • the lower electrode 129 is formed using, for example, a metal such as molybdenum (Mo) or aluminum (Al), and has a thickness of about 0.1 ⁇ m. Note that the Si substrate 130 made of degenerated Si may be used as the lower electrode without forming the lower electrode 129.
  • a piezoelectric thin film 128 is laminated on the lower electrode 129 so as to cover the lower electrode 129, and an upper electrode 121 (an example of a second electrode) is further formed on the piezoelectric thin film 128.
  • the upper electrode 121 may be divided into a plurality of parts.
  • the piezoelectric thin film 128 is a piezoelectric thin film that converts an applied voltage into vibration.
  • the piezoelectric thin film 128 can be mainly composed of a nitride such as aluminum nitride or an oxide.
  • the piezoelectric thin film 128 can be formed of scandium aluminum nitride (ScAlN).
  • ScALN is obtained by replacing a part of aluminum (Al) in aluminum nitride (AlN) with scandium (Sc).
  • the piezoelectric thin film 128 has a thickness of 0.8 ⁇ m, for example.
  • the upper electrode 121 is formed using a metal such as molybdenum (Mo) or aluminum (Al), and has a thickness of about 0.1 ⁇ m.
  • a protective film 235 is laminated on the upper electrode 121 so as to cover the upper electrode 121, and an adjustment film 236 is further laminated on the protective film 235. After the adjustment film 236 is formed on substantially the entire surface of the vibration unit 120, the adjustment film 236 is formed only in a predetermined region by processing such as etching.
  • the protective film 235 is formed of a material whose mass reduction rate by etching is slower than that of the adjustment film 236.
  • the protective film 235 is formed of a nitride film such as AlN or an oxide film such as SiO2.
  • the mass reduction rate is represented by the product of the etching rate (thickness removed per unit time) and the density.
  • the adjustment film 236 is formed of a material whose mass reduction rate by etching is faster than that of the protective film 235.
  • the adjustment film 236 is formed of a metal such as molybdenum (Mo), tungsten (W), gold (Au), platinum (Pt), nickel (Ni).
  • Mo molybdenum
  • W tungsten
  • Au gold
  • Pt platinum
  • Ni nickel
  • the protective film 235 and the adjustment film 236 may have any etching rate relationship as long as the mass reduction rate relationship is as described above.
  • Etching of the protective film 235 and the adjustment film 236 is performed, for example, by simultaneously irradiating the protective film 235 and the adjustment film 236 with an ion beam (for example, an argon (Ar) ion beam).
  • the ion beam can be irradiated over a wider range than the resonator 10.
  • an example is shown in which etching is performed using an ion beam, but the etching method is not limited to that using an ion beam.
  • the vibration unit 120 is subjected to contour vibration in the XY plane when an alternating electric field is applied.
  • the piezoelectric thin film 128 is oriented in the c-axis direction, so that a predetermined electric field is applied to the upper electrode 121 and the lower electrode 129, and a predetermined potential difference is generated between the lower electrode 129 and the upper electrode 121. Is formed, the piezoelectric thin film 128 expands and contracts in the XY in-plane direction in accordance with the potential difference, so that the vibration unit 120 undergoes contour vibration.
  • the main factors that determine the resonance frequency of the vibration unit 120 include mass and spring constant.
  • the etching of the protective film 235 and the adjustment film 236 causes a reduction in mass and a reduction in spring constant at the same time. Reducing the mass increases the resonance frequency, and decreasing the spring constant decreases the resonance frequency.
  • the influence of the mass is relatively strong in the region where the displacement is large, and the influence of the spring constant is relatively strong in the region where the displacement is small.
  • an adjustment film 236 is formed so as to be exposed in a region where the displacement is relatively large.
  • the adjustment film 236 has a higher mass reduction rate by the ion beam than the protective film 235. For this reason, the mass of the region having a relatively large displacement is quickly reduced. Thereby, the resonance frequency can be raised.
  • the protective film 235 is etched simultaneously with the adjustment film 236, the amount of change in the spring constant is small because the mass reduction rate is slower than that of the adjustment film 236. Therefore, the influence of the decrease in the resonance frequency accompanying the change in the spring constant is small. Therefore, in the vibration unit 120, it is possible to efficiently adjust the resonance frequency by simultaneously irradiating the protective film 235 and the adjustment film 236 with the ion beam.
  • the temperature characteristics of the resonance frequency are affected by changes in the spring constant.
  • the vibration unit 120 since the amount of change in the spring constant is small, it is possible to reduce the change in the temperature characteristic of the resonance frequency.
  • the holding unit 11 is formed in a rectangular frame shape along the XY plane.
  • maintenance part 11 should just be provided in at least one part of the circumference
  • the holding unit 11 is provided so as to surround the vibration unit 120 and the outside of the vibration unit 120 along the XY plane. More specifically, the holding unit 11 includes a pair of long-side plate-like frames 11 a and 11 b extending in parallel with the X-axis direction so as to face the short side of the vibration unit 120, and the long side of the vibration unit 120.
  • a pair of short-side frames 11c and 11d that extend in parallel to the Y-axis direction and are connected to both ends of the frames 11a and 11b at both ends thereof, respectively.
  • the frame 11c side is described as the upper side of the resonator 10
  • the frame 11d side is described as the lower side of the resonator 10.
  • a lower wiring W ⁇ b> 129 that is integrally formed by the same process as the lower electrode 129 of the vibration unit 120 is formed on the Si substrate 130. Further, a piezoelectric thin film 128 is laminated so as to cover the lower wiring W 129, and a protective film 235 is laminated on the piezoelectric thin film 128.
  • the holding unit 11 is integrally formed with the Si substrate 130, the lower electrode 129, the piezoelectric thin film 128, and the upper electrode 121 of the vibration unit 120 in this order on the Si substrate 130 in the order of the lower wiring W 129, the piezoelectric thin film 128, and the upper wiring W 121 described later. The Thereafter, the upper wiring W121 is removed so as to have a desired shape by processing such as etching, and a protective film 235 is laminated and formed.
  • the holding unit 111 is provided inside the holding unit 11 along the XY plane and in a space between the short side of the vibrating unit 120 and the frame 11a, and the short side of the vibrating unit 120 and the frame 11a are connected to each other. Connecting.
  • the holding unit 112 is provided in a space between the short side of the vibration unit 120 and the frame 11b, and connects the short side of the vibration unit 120 and the frame 11b.
  • FIG. 5A is a BB ′ sectional view of FIG. 3
  • FIG. 5B is a CC ′ sectional view of FIG. 3.
  • a stacked structure of the holding units 111 and 112 will be described with reference to FIGS.
  • the holding units 111 and 112 are formed on the Si substrate 130 made of a degenerate semiconductor by a lower wiring W129 integrally formed by the same process as the lower electrode 129 of the vibration unit 120. Are stacked.
  • the lower electrode 129 and the lower wiring W129 are continuously formed from the vibrating unit 120 to the holding units 111 and 112.
  • a piezoelectric thin film 128 is laminated on the lower wiring W129 so as to cover the lower wiring W129.
  • an upper wiring W121 integrally formed by the same process as the upper electrode 121 of the vibration unit 120 is provided on the piezoelectric thin film 128, an upper wiring W121 integrally formed by the same process as the upper electrode 121 of the vibration unit 120 is provided.
  • the upper electrode 121 and the upper wiring W121 are continuously formed from the vibrating unit 120 to the holding units 111 and 112.
  • the Si substrate 130, the lower wiring W129, the piezoelectric thin film 128, and the upper wiring W121 of the holding units 111 and 112 are integrally formed with the Si substrate 130, the lower electrode 129, the piezoelectric thin film 128, and the upper electrode 121 of the vibration unit 120, and are etched.
  • An upper wiring W121 is removed to form a desired shape by processing, and a protective film 235 is laminated and formed.
  • the lead electrode W111 is formed from the frame 11a to the holding unit 111.
  • the lead electrode W111 is connected to the upper wiring W121 on the holding unit 111.
  • the upper wiring W121 is a wiring in which the upper electrode 121 of the vibration unit 120 is continuously formed to the holding unit 111.
  • the upper wiring W121 is continuously connected from the connection point between the upper electrode 121 of the vibration unit 120 and the holding unit 111 to the middle of the holding unit 111 or to the connection point between the holding unit 111 and the frame 11a. It is formed to cover.
  • the lead electrode W111 is continuously formed from the connection portion with the upper wiring W121 to the frame body 11a.
  • the lead electrode W111 is formed so that the electric resistance value per unit area is smaller than that of the upper wiring W121.
  • the extraction electrode W111 is formed thicker than the upper wiring W121.
  • the lead electrode W111 is a highly conductive metal such as aluminum. Furthermore, the extraction electrode W111 is desirably a light metal. Thereby, it can reduce that the vibration of the vibration part 120 is inhibited by the extraction electrode W111.
  • the lead electrode W111 may be formed of the same material as the adjustment film 236 at the same time.
  • the lead electrode W111 is formed from the surface of the protective film 235 of the holding unit 111 to the surface of the protective film 235 of the frame 11a.
  • the lead electrode W111 is connected to the upper wiring W121 via a via V111 formed through the protective film 235 on the holding unit 111.
  • the via V111 is formed, for example, by forming a protective film 235 on the resonator 10 and then removing a part thereof by etching or the like. After the via V111 is formed, a conductive and light metal such as aluminum is laminated on the protective film 235 and the via V111, and a part thereof is removed by etching or the like, thereby forming the extraction electrode W111. Note that the lead electrode W111 may be stacked after the via V111 is filled with metal first.
  • the resonator 10 reduces the path resistance in the holding unit 111 by drawing out the upper wiring W121 using the extraction electrode W111 having a smaller electrical resistance value per unit area in the XY plane than the upper electrode 121. Vibration characteristics can be improved.
  • the lead electrode W112 is formed from the frame 11b to the holding unit 112.
  • the lead electrode W112 is connected to the lower wiring W129 on the holding unit 112.
  • the lower wiring W129 is a wiring in which the lower electrode 129 of the vibration unit 120 is continuously formed to the holding unit 112.
  • the lower wiring W129 continuously extends from a connection point between the lower electrode 129 of the vibration unit 120 and the holding unit 112 to a middle point of the holding unit 112 or a connection point between the holding unit 112 and the frame 11b. It is formed to cover.
  • the lead electrode W112 is continuously formed from the connection portion with the lower wiring W129 to the frame body 11b.
  • the lead electrode W112 is formed so that the electric resistance value per unit area is smaller than that of the lower wiring W129.
  • the extraction electrode W112 is formed so as to be thicker than the lower wiring W129.
  • the lead electrode W112 is a metal having high conductivity such as aluminum.
  • the extraction electrode W112 is preferably a light metal. Thereby, it can reduce that the vibration of the vibration part 120 is inhibited by the extraction electrode W112.
  • the extraction electrode W112 may be formed of the same material as the adjustment film 236 at the same time.
  • FIG. 5B is a CC ′ sectional view of FIG. With reference to FIG. 5B, a cross-sectional structure of the extraction electrode W112 will be described.
  • the lead electrode W112 is formed from the surface of the protective film 235 of the holding unit 112 to the surface of the protective film 235 of the frame 11b.
  • the lead electrode W112 is connected to the lower wiring W129 via a via V112 formed on the holding unit 112 so as to penetrate the protective film 235, the upper wiring W121, and the piezoelectric thin film 128.
  • the via V112 and the upper wiring W121 are separated by the piezoelectric thin film 128.
  • the via V112 is stacked in the hole after the protective film 235 is filled in the hole formed by removing a part of the upper wiring W121 by etching or the like.
  • the protective film 235 and the piezoelectric thin film 128 are partially removed by etching or the like.
  • a conductive and light metal such as aluminum is laminated on the protective film 235 and the via V112, and a part thereof is removed by etching or the like, whereby the extraction electrode W112 is formed.
  • the lead electrode W112 may be stacked after the via V112 is filled with metal first.
  • the resonator 10 reduces the path resistance in the holding unit 112 by pulling out the lower electrode 129 by using the lead electrode W112 having a smaller electrical resistance value per unit area than the lower electrode 129, and vibration is reduced. Characteristics can be improved.
  • FIG. 6 is a plan view schematically showing an example of the structure of the resonator 10 according to the present embodiment.
  • the resonator 10 according to this embodiment includes bus bars B121 and B122 and wirings W121a, W121b, W122a, and W122b in addition to the configuration described in the first embodiment.
  • the vibration unit 120 includes four upper electrodes 121 to 124.
  • the upper electrodes 121 and 123 are connected by a bus bar B121 described later.
  • the upper electrodes 122 and 124 are connected by a bus bar B122 described later.
  • the adjustment film 236 is formed so as to be exposed in regions corresponding to the four corners of the upper electrodes 121 to 124, and the protective film 235 is formed so as to be exposed in other regions.
  • the protective film 235 may be formed only on the vibrating portion 120, for example, in a region covering the upper electrodes 121 to 124.
  • an electric field is applied to the upper electrodes 121 to 124 of the vibration unit 120 so that adjacent electrodes are in opposite phases.
  • the lower electrode 129 is in a floating state.
  • Other configurations of the vibration unit 120 are the same as those in the first embodiment.
  • the holding unit 11 is connected to the holding units 111 and 112 in the frame body 11c and the frame body 11d.
  • maintenance part 11 is the same as that of 1st Embodiment.
  • the holding unit 111 connects the frame body 11c and the vibration unit 120.
  • the holding unit 111 includes arms 111a (an example of the second arm), 111b (an example of the second arm), 111m (an example of the first arm), and 111n.
  • the arm 111m faces the long side of the vibration unit 120 and extends in parallel to the X-axis direction.
  • the holding unit 111 is connected to the vibrating unit 120 by two arms 111a and 111b.
  • One end of the arm 111a is connected to the long side of the vibrating portion 120 near the center of the short side of the upper electrode 122, and the other end is one end of the arm 111m (hereinafter also referred to as “bent portion C111a”).
  • One end of the arm 111b is connected to the long side of the vibrating portion 120 near the center of the short side of the upper electrode 123, and the other end is the other end of the arm 111m (hereinafter also referred to as “bent portion C111b”).
  • One end of the arm 111n is connected substantially perpendicularly to the vicinity of the center of the arm 111m, and the other end is connected to the frame 11c. That is, the holding unit 111 is bent at a connection portion between the arm 111a and the arm 111m, and the arm 111b and the arm 111m, and is connected to one arm 111n in the middle.
  • the holding unit 111 is bent at the bent portions C111a and C111b and connected to one in the middle, thereby reducing the number of connection points between the holding portion 11 and the holding unit 111. Can do. As a result, it is possible to reduce the attenuation of the vibration of the vibration unit 120 caused by an increase in the number of connection points between the holding unit 11 and the holding unit 111.
  • the length of each component of the holding unit 111 the length from the connection point between the arm 111m and the center of the arm 111n to the bent portion C111a or C111b is L, and the wavelength of vibration of the vibration unit 120 is ⁇ .
  • the arm 111 m of the holding unit 111 vibrates at the same wavelength ⁇ as that of the vibrating unit 120.
  • the bent portions C111a and C111b can be provided at locations corresponding to the nodes of the vibration wave. Thereby, the acoustic reflection effect in the bent portions C111a and C111b is enhanced, and the vibration confinement property can be improved.
  • the holding unit 112 connects the frame body 11d and the vibrating unit 120.
  • the holding unit 112 includes arms 112a (an example of the second arm), 112b (an example of the second arm), 112m (an example of the first arm), and 112n.
  • the arm 112m faces the long side of the vibration unit 120 and extends parallel to the X-axis direction.
  • the holding unit 112 is connected to the vibration unit 120 by two arms 112a and 112b.
  • One end of the arm 112a is connected to the long side of the vibrating portion 120 near the center of the short side of the upper electrode 122, and the other end is one end of the arm 111m (hereinafter also referred to as “bent portion C112a”). Connected almost vertically.
  • One end of the arm 112b is connected to the long side of the vibrating part 120 near the center of the short side of the upper electrode 123, and the other end is the other end of the arm 112m (hereinafter also referred to as “bent part C112b”). Connected almost vertically.
  • One end of the arm 112n is connected substantially perpendicularly to the vicinity of the center of the arm 112m, and the other end is connected to the frame 11d.
  • the holding unit 112 is bent at the connection point between the arm 112a and the arm 112m, and the arm 112b and the arm 112m, and is connected to one arm 112n on the way.
  • the holding unit 112 is bent at the bent portions C112a and C112b, and is connected to one in the middle, thereby reducing the number of connection points between the holding portion 11 and the holding unit 112. Can do. As a result, it is possible to reduce the attenuation of the vibration of the vibration unit 120 caused by an increase in the number of connection points between the holding unit 11 and the holding unit 112.
  • the length of the holding unit 112 from the connection point between the arm 111m and the center of the arm 112n to the bent portion C112a or C112b is also adjusted to be the length L. Thereby, the acoustic reflection effect in the bent portion C112a or C112b is enhanced, and the vibration confinement property can be improved.
  • the bus bar B121 is provided at the end of the vibrating unit 120 on the frame 11c side so as to face the upper electrode 122.
  • the bus bar B121 includes an upper end of the upper electrode 121 facing the upper electrode 122 (end on the frame 11c side) and an upper end of the upper electrode 123 facing the upper electrode 122 (end on the frame 11c side). Part).
  • bus bar B122 is provided at the end of the vibrating unit 120 on the frame 11d side so as to face the upper electrode 123.
  • the bus bar B122 includes a lower end of the upper electrode 122 facing the upper electrode 123 (end on the frame 11d side), and a lower end of the upper electrode 124 facing the upper electrode 123 (end on the frame 11d side). Part).
  • the wiring W121a is connected near the center of the bus bar B121, extends from there in a direction substantially perpendicular to the bus bar B121, and extends from the surface of the arm 111a (between the piezoelectric thin film 128 and the protective film 235 in the arm 111a) to the arm 111m. It is provided over the surface (between the piezoelectric thin film 128 and the protective film 235 in the arm 111m) at one end (the bent portion C111a).
  • the W-distribution line 121b is connected to the vicinity of the center of the short side of the upper electrode 123 on the frame 11c side, extends in a direction substantially perpendicular to the short side, and extends from the surface of the arm 111b to the other end (bent portion) of the arm 111m. C111b) over the surface (between the piezoelectric thin film 128 and the protective film 235 in the arm 111m).
  • wirings W122a and W122b have the same configuration as the wirings W121b and W121a, respectively.
  • the extraction electrode W111 is formed from the frame 11c to the holding unit 111.
  • the lead electrode W111 of the present embodiment has a T-shape on the side not connected to the frame body 11c.
  • the lead electrode W111 has T-shaped ends extending to the bent portions C111a and C111b of the holding unit 111, respectively.
  • the extraction electrode W111 is connected to the wiring W121a at the bent portion C111a, and is connected to the wiring W121b at the bent portion C111b.
  • the lead electrode W111 and the wirings W121a and W121b are connected to the bent portions C111a and C111b of the holding unit 111 through vias V111a and V111b formed so as to penetrate the protective film 235.
  • the rigidity and mass of the bent portions C111a and C111b can be increased. .
  • the acoustic reflection effect in the bent portions C111a and C111b is enhanced, and the vibration confinement property can be further improved.
  • Other configurations and functions of the extraction electrode W111 are the same as those in the first embodiment.
  • the lead electrode W112 is formed from the frame 11d to the holding unit 112.
  • the lead electrode W112 of this embodiment has a T-shape on the side not connected to the frame 11d.
  • the lead electrode W112 has T-shaped end portions extending to the bent portions C112a and C112b of the holding unit 112, respectively.
  • the extraction electrode W112 is connected to the wiring W122a at the bent portion C112a, and is connected to the wiring W122b at the bent portion C112b.
  • the lead electrode W112 and the wirings W122a and W122b are connected to the bent portions C112a and C112b of the holding unit 112 through vias V112a and V112b formed so as to penetrate the protective film 235.
  • the rigidity and mass of the bent portions C112a and C112b can be increased.
  • the acoustic reflection effect at the bent portions C112a and C112b is enhanced, and the vibration confinement can be further improved.
  • Other configurations and functions of the extraction electrode W112 are the same as those in the first embodiment.
  • FIG. 7 is a plan view schematically showing an example of the structure of the resonator 10 according to the present embodiment.
  • the resonator 10 according to this embodiment includes bus bars B121a, B121b, B122, wirings W121c, W121d, W122c, W122d, and lead electrodes W111A, W111B, W112A, W112B in addition to the configuration described in the first embodiment. Yes.
  • the vibration unit 120 includes five upper electrodes 121 to 125.
  • the adjustment film 236 is formed so as to be exposed in regions corresponding to the four corners of the upper electrodes 121 to 125, and the protective film 235 is formed so as to be exposed in other regions.
  • the protective film 235 may be formed only on the vibrating portion 120, for example, in a region covering the upper electrodes 121 to 124.
  • An electric field is applied to the upper electrodes 121 to 125 of the vibration unit 120 so that adjacent electrodes are in opposite phases.
  • the lower electrode 129 is in a floating state.
  • Other configurations and functions of the vibration unit 120 are the same as those in the first embodiment.
  • the holding part 11 has four bending vibration parts 5a and 5b at the connection places with the holding units 111 and 112.
  • the bending vibration parts 5a and 5b are parts provided between the slits 3a and 3b and the holding units 111 and 112 by providing the holding part 11 with the slits 3a and 3b. That is, the holding portion 11 is provided with slits 3a and 3b extending in a direction orthogonal to the direction in which the holding units 111 and 112 extend.
  • One edge on the outer side of the bending vibration parts 5a and 5b faces the slits 3a and 3b, and the other edge faces the space between the holding part 11 and the vibration part 120.
  • the bending vibration parts 5a and 5b are formed so that the distance from the end of the bending vibration parts 5a and 5b to the connection point with the midpoint of the holding units 111 and 112 is ⁇ / 4. As a result, the pitch reflection effect at the ends of the bending vibration portions 5a and 5b is enhanced, and the effect of confining vibration is increased.
  • the resonator 10 has two pairs of holding units 111 and 112.
  • Each of the holding units 111 and 112 has vibration buffer portions 4 a and 4 b that protrude in a direction orthogonal to the holding units 111 and 112.
  • the vibration buffer parts 4a and 4b are formed from two pairs of arms 41 and 42 that face each other.
  • the arms 41 (an example of a pair of first arms) extend in a direction substantially parallel to the long side of the vibration unit 120.
  • the arms 42 (an example of a pair of second arms) are provided in a direction substantially perpendicular to the arms 41, and are connected to both ends of the arms 41 at both ends thereof.
  • the holding units 111 and 112 since the holding units 111 and 112 have the vibration buffer parts 4a and 4b, the propagation of vibrations to the bending vibration parts 5a and 5b can be suppressed, and the harmonics of the contour vibration propagated from the vibration part 120 can be suppressed. Wave vibration can be confined efficiently.
  • Other configurations and functions of the holding units 111 and 112 are the same as those in the first embodiment.
  • bus bar B121a has a configuration equivalent to that of the bus bar B121 in the second embodiment.
  • bus bar B122 has a configuration equivalent to that of the bus bar B122 in the second embodiment.
  • the bus bar B121b is provided at the end of the vibrating unit 120 on the frame 11c side so as to face the upper electrode 124.
  • the bus bar B121b includes an upper end of the upper electrode 123 facing the upper electrode 124 (end on the frame 11c side) and an upper end of the upper electrode 125 facing the upper electrode 124 (end on the frame 11c side). Part).
  • the wiring W121c is connected near the center of the bus bar B121a.
  • the wiring W121c extends substantially perpendicularly to the bus bar B121a from the connection point with the bus bar B121a, branches bifurcated in the vicinity of the center of the arm 41 (vibration unit 120 side) on the vibration buffer unit 4, and extends along the arm 41. It extends.
  • the bifurcated wiring W121c is bent in a direction substantially perpendicular to the arm 41 at the connection portion between the arm 41 and the arm 42 (on the vibration unit 120 side), and extends along the arm 42 along the upper end (frame body). 11c side).
  • Wiring W121d is connected near the center of bus bar B121b. Other configurations and functions of the wiring W121d are the same as the configurations and functions of the wiring W121c.
  • the wiring W122c is connected near the center of the short side on the lower side (the frame 11d side) of the upper electrode 122.
  • Other configurations and functions of the wiring W122c are the same as the configurations and functions of the wiring W121a.
  • the wiring W122d is connected to the vicinity of the center of the lower side of the upper electrode 124 (the frame 11d side). Other configurations and functions of the wiring W122d are the same as the configurations and functions of the wiring W121a.
  • the extraction electrode W111A is formed from the frame 11c to the holding unit 111.
  • the lead electrode W111A of the present embodiment has a T shape on the side not connected to the frame 11c.
  • Each of the T-shaped end portions of the extraction electrode W111A extends to both ends of the arm 41 (the frame body 11c side) in the vibration buffer portion 4a of the holding unit 111.
  • the extraction electrode W111A is connected to the wiring W121c at both ends of the arm 41 on the frame body 11c side in the vibration buffer 4a.
  • the lead electrode W111A and the wiring W121c are connected via vias V111a and V111b formed so as to penetrate the protective film 235 at both ends of the arm 41 on the frame 11c side in the vibration buffer 4a.
  • the configuration / function of the extraction electrode W111B is the same as the configuration / function of the extraction electrode W111A.
  • the extraction electrode W112A is formed from the frame body 11d to the holding unit 112.
  • the lead electrode W112A of the present embodiment has a T-shape on the side not connected to the frame 11d.
  • the lead electrode W112A has T-shaped end portions extending to both ends of the vibration buffering portion 4b of the holding unit 112.
  • the extraction electrode W112A is connected to the wiring W122c at both ends of the arm 41 on the frame body 11d side in the vibration buffer 4b.
  • the lead electrode W112A and the wiring W122c are connected via vias V112a and V112b formed so as to penetrate the protective film 235 at both ends of the arm 41 on the frame 11d side in the vibration buffer 4b.
  • the configuration / function of the extraction electrode W112B is the same as the configuration / function of the extraction electrode W112B.
  • the rigidity and mass at both ends of the vibration buffer portion 4b are increased.
  • the vibration buffer unit 4b it becomes possible to more effectively suppress the propagation of vibration to the holding unit 112, and to confine the harmonic vibration of the contour vibration propagated from the vibration unit 120 more efficiently. be able to.
  • Other configurations and functions of the extraction electrodes W112A and W112B are the same as the configurations and functions of the extraction electrode W112 in the first embodiment.
  • FIG. 8 is a plan view schematically showing an example of the structure of the resonator 10 according to the present embodiment. Below, the difference with 1st Embodiment is demonstrated among each structure of the resonator 10 which concerns on this embodiment.
  • the resonator 10 according to this embodiment includes bus bars B121m and B122m and wirings W121e, W121f, W121n, W122e, W122f, and W122n in addition to the configuration described in the first embodiment.
  • the vibration unit 120 includes four upper electrodes 121 to 124.
  • the adjustment film 236 is formed so as to be exposed in regions corresponding to the four corners of the upper electrodes 121 to 124, and the protective film 235 is formed so as to be exposed in other regions.
  • the protective film 235 may be formed only in a region that covers the upper electrodes 121 to 124.
  • an electric field is applied to the upper electrodes 121 to 124 of the vibration unit 120 so that adjacent electrodes are in opposite phases. Specifically, an electric field having the same phase is applied to the upper electrode 121 and the upper electrode 123, and an electric field having an opposite phase to that of the upper electrodes 121 and 123 is applied to the upper electrode 122 and the upper electrode 124.
  • the lower electrode 129 is in a floating state.
  • the upper electrodes 121 and 123 are connected by a bus bar B121m, which will be described later, provided on the holding unit 111.
  • the upper electrodes 122 and 124 are connected by a bus bar B122m provided on the holding unit 112.
  • Other configurations and functions of the vibration unit 120 are the same as those in the first embodiment.
  • the configuration / function of the holding unit 11 in the present embodiment is the same as the configuration / function of the holding unit 11 in the third embodiment.
  • the holding unit 111 connects the frame body 11c and the vibration unit 120.
  • the holding unit 111 has arms 111a, 111b, 111c, 111d, 111m, and 111n.
  • the arm 111m is provided in the space between the vibration unit 120 and the frame 11c so as to face the long side of the vibration unit 120 across the upper electrodes 121 to 124 in parallel with the X-axis direction.
  • the arm 111n has a vibration buffer 4.
  • the arm 111n is provided in parallel with the Y-axis direction, and connects the arm 111m and the frame 11c.
  • the configuration and function of the vibration buffer 4 are the same as those of the vibration buffer 4a and 4b in the third embodiment.
  • the arms 111a to 111d are provided in the space between the vibration unit 120 and the frame 11c so as to face the long side of the vibration unit 120 in parallel to the Y-axis direction.
  • the arm 111a has a lower end connected to the long side of the vibration unit 120 near the center of the upper short side of the upper electrode 121, and an upper end connected to one end of the arm 111m.
  • the arm 111d has a lower end connected to the long side of the vibrating portion 120 near the center of the upper short side of the upper electrode 124, and an upper end connected to the other end of the arm 111m.
  • the arm 111b has a lower end connected to the long side of the vibration unit 120 near the center of the upper short side of the upper electrode 122, and an upper end connected to the arm 111m.
  • the arm 111c has a lower end connected to the long side of the vibrating unit 120 near the center of the upper short side of the upper electrode 123, and an upper end connected to the arm 111m.
  • Each of the arms 111m, arms 111n, and arms 111a to 111d is a rectangular plate having a long side with a width of about 5 ⁇ m.
  • the holding unit 111 has the same number of arms as the number of electrodes of the vibration unit 120, and is configured to be bilaterally symmetric about the arm 111n in the X-axis direction. As a result, it is possible to suppress vibration disturbances caused by coupling unnecessary vibration modes to higher-order contour vibrations.
  • the configuration / function of the holding unit 112 is the same as the configuration / function of the holding unit 111.
  • the bus bar B121m is provided in a space between the long side of the vibration unit 120 and the frame 11c. Specifically, the bus bar B121m is provided on the surface of the arm 111m (between the piezoelectric thin film 128 and the protective film 235 on the arm 111m), and extends across the upper electrodes 121 to 124 in parallel with the X-axis direction. It extends opposite to the long side of 120.
  • the configuration / function of the bus bar B122m is the same as the configuration / function of the bus bar B121m.
  • the resonator 10 includes the bus bar B121m that connects the upper electrodes 121 and 123 having the same phase and the bus bar B122m that connects the upper electrodes 122 and 124 that have the same phase, which are provided in the vibration unit 120.
  • the configuration is provided outside the vibration unit 120. Therefore, a gap is formed between the bus bar B121m and the upper electrode 122 and between the bus bar B122m and the upper electrode 123, so that the influence of parasitic capacitance can be reduced.
  • the upper electrodes 122 and 123 can be provided up to the end of the vibration unit 120.
  • the number of arms (arms 111n and 112n in the present embodiment) that are connection points between the holding units 111 and 112 and the holding unit 11 can be reduced. Therefore, the vibration attenuation of the vibration unit 120 can be reduced.
  • the wiring W121e is provided on the surface of the arm 111a (between the piezoelectric thin film 128 and the protective film 235 in the arm 111a), and the upper electrode 121 is drawn onto the arm 111a and connected to the bus bar B121m.
  • the wiring W121f is provided on the surface of the arm 111c (between the piezoelectric thin film 128 and the protective film 235 in the arm 111c), and the upper electrode 123 to which an electric field having the same phase as the electric field of the upper electrode 121 is applied is drawn onto the arm 111c. , Connected to the bus bar B121m.
  • Wiring W121n is connected to bus bar B121m.
  • the wiring W121n extends substantially perpendicularly to the bus bar B121m from the connection point with the bus bar B121, branches into a fork in the vicinity of the center of the arm 41 (vibration unit 120 side) on the vibration buffer unit 4, and extends to the arm 41. Extending along.
  • the bifurcated wiring W121n is bent in a direction substantially perpendicular to the arm 41 at the connection portion (vibration unit 120 side) between the arm 41 and the arm 42, and extends along the arm 42 along the upper end (frame body). 11c side).
  • the wiring W122e is provided on the surface of the arm 112a (between the piezoelectric thin film 128 and the protective film 235 in the arm 112a), and the upper electrode 122 is drawn onto the arm 112b and connected to the bus bar B122m.
  • the wiring W122f is provided on the surface of the arm 112d (between the piezoelectric thin film 128 and the protective film 235 in the arm 112d), and the upper electrode 124 to which an electric field having the same phase as the electric field of the upper electrode 122 is applied is drawn onto the arm 112d. , Connected to the bus bar B122m.
  • Wiring W122n is connected to bus bar B122m. Other configurations and functions of the wiring W122n are the same as the configurations and functions of the wiring W121n.
  • the configuration / function of the extraction electrode W111 in the present embodiment is the same as the configuration / function of the extraction electrode W111A in the third embodiment.
  • the configuration / function of the extraction electrode W112 in the present embodiment is the same as the configuration / function of the extraction electrode W112A in the third embodiment.
  • FIG. 9 is a plan view schematically showing an example of the structure of the resonator 10 according to the present embodiment. Below, the difference with 1st Embodiment is demonstrated among each structure of the resonator 10 which concerns on this embodiment.
  • the resonator 10 according to this embodiment includes bus bars B121m and B122m and wirings W121e, W121f, W121k, W122e, W122f, and W122k in addition to the configuration described in the first embodiment.
  • Vibration unit 120 The configuration / function of the vibration unit 120 in the present embodiment is the same as the configuration / function of the vibration unit 120 in the fourth embodiment.
  • the configuration / function of the holding unit 11 in the present embodiment is the same as the configuration / function of the holding unit 11 in the second embodiment.
  • the holding unit 111 connects the frame body 11c and the vibration unit 120.
  • the holding unit 111 includes arms 111a, 111b, 111c, 111d, 111m, 111g, and 111f and a node generation unit 130A.
  • the node generation unit 130 ⁇ / b> A is provided in a region between the long side (the frame body 11 c side) in the vibration unit 120 and the frame body 11 c in the holding unit 11.
  • the node generation unit 130A has a side 131a facing the long side of the arm 111m, and is connected to the arm 111f at the side 131a. Further, the side 131a is provided substantially parallel to the long side of the arm 111m at regular intervals.
  • the node generation unit 130A is connected to the arm 111m by the arm 111f and is connected to the holding unit 11 by the arm 111g.
  • the node generation unit 130A has a shape whose width along the X-axis direction becomes narrower from the arm 111f toward the arm 111g.
  • the node generation unit 130A has a line-symmetric shape with respect to the vertical bisector of the side 131a.
  • the node generation unit 130A has a portion where the width along the X-axis direction is maximum on the arm 111f side from the center in the Y-axis direction.
  • the width along the X-axis direction of the node generation unit 130A is the maximum at the side 131a, and gradually decreases from the arm 111f toward the arm 111g. It becomes the narrowest at the connection point with 111g.
  • the width along the X-axis direction of the node generation unit 130A does not need to be continuously reduced.
  • the width gradually decreases as a whole even if the width is gradually reduced or partially expanded. It only has to be narrowed.
  • the periphery of the node generation unit 130A is not limited to a smooth shape, and may have irregularities.
  • the node generation unit 130A has a semicircular shape having a radius of about 30 ⁇ m with the side 131a as a diameter.
  • the center of the circle forming the arc of the node generation unit 130A is located at the center of the side 131a.
  • the center of the circle forming the arc of the node generation unit 130A may be located at the center of the arm 111m.
  • the side 131a is not limited to a linear shape, and may be an arc shape.
  • the arm 111f is connected to the apex of the side 131a.
  • the center of the circle forming the arc of the side 131a may be located on the arm 111f side or on the arm 111g side.
  • the length of the side 131a is preferably larger than the width along the X-axis direction of the arm 111f and smaller than the long side of the vibration unit 120.
  • the configurations / functions of the arms 111a, 111b, 111c, 111d, 111m in the present embodiment are the same as the configurations / functions of the arms 111a, 111b, 111c, 111d, 111m in the fourth embodiment.
  • the arm 111f has a substantially rectangular shape in the present embodiment.
  • One end of the arm 111f is connected to the vicinity of the center of the long side of the arm 111m, and extends substantially perpendicularly to the long side of the arm 111m from there toward the node generation unit 130A.
  • the other end of the arm 111f is connected to the side 131a of the node generation unit 130A.
  • the width of the arm 111f along the X-axis direction is about 10 ⁇ m.
  • the arm 111g has a substantially rectangular shape. One end of the arm 111g is connected to a portion where the width along the X-axis direction in the node generation unit 130A is the narrowest. The other end of the arm 111g is connected to a region of the holding unit 11 that faces the node generation unit 130A.
  • the width of the arm 111g along the X-axis direction is preferably equal to or smaller than the width of the arm 111f. By making the width of the arm 111g smaller than the width of the arm 111f, it is possible to suppress the propagation of vibration from the node generation unit 130A to the holding unit 11. In the present embodiment, the width of the arm 111g along the X-axis direction is smaller than the width of the arm 111f and is about 5 ⁇ m.
  • the node generation unit 130A of the holding unit 111 in this embodiment has a structure in which the width along the X-axis direction is gradually narrowed from the arm 111f to the arm 111g. For this reason, even when the propagation state of the vibration propagated from the vibration unit 120 is changed, the node generation unit 130A is formed with a portion having a small displacement adjacent to a portion having a large displacement due to the vibration. Thereby, the node generation unit 130A can adjust the displacement part with respect to the vibration leaked from the vibration unit 120, and can form a vibration node on the node generation unit 130A.
  • the node generation unit 130A can suppress propagation of vibration from the vibration unit 120 to the holding unit 11 by being connected to the arm 111g in the formed node. As a result, the anchor loss of the resonator 10 can be reduced and the Q value can be improved.
  • the holding unit 112 connects the frame body 11d and the vibrating unit 120.
  • the holding unit 112 includes arms 112a, 112b, 112c, 112d, 112m, 112g, 112f and a node generation unit 130B.
  • the configuration / function of the arm 112f is the same as the configuration / function of the arm 111f
  • the configuration / function of the arm 112g is the same as the configuration / function of the arm 111g
  • the configuration / function of the node generation unit 130B is a node generation
  • the configuration and function of the unit 130B are the same.
  • the configuration / function of the arms 112a, 112b, 112c, 112d, 112m in the present embodiment are the same as the configuration / function of the arms 112a, 112b, 112c, 112d, 112m in the fourth embodiment.
  • Busbar B121m, B122m The configurations and functions of the bus bars B121m and B122m in the present embodiment are the same as the configurations and functions of the bus bars B121m and B122m in the fourth embodiment.
  • the wiring W121k is connected to the bus bar B121m and is formed from the arm 111f to the arm 111g along the vertical bisector on the side 131a of the node generation unit 130A. Note that the configuration of the wiring W122k is similar to the configuration of the wiring W121k.
  • the lead electrode W111 extends from the frame 11c in a direction substantially perpendicular to the frame 11c, and extends from the arm 111g to the side 131a of the node generator 130A.
  • the extraction electrode W111 is connected to the wiring W121k in the vicinity of the connection portion between the side 131a and the arm 111f in the node generation unit 130A.
  • the lead electrode W111 and the wiring W121k are connected via a via V111a formed so as to penetrate the protective film 235 in the vicinity of the connection portion between the side 131a and the arm 111f.
  • the extraction electrode W111 may be formed from the frame 11c to the vicinity of the connection portion between the node generation unit 130A and the arm 111g.
  • the lead electrode W111 and the wiring W121k are connected via a via V111a formed so as to penetrate the protective film 235 in the vicinity of the connection portion between the node generation unit 130A and the arm 111g.
  • the lead electrode W111 may be formed from the frame 11c to the vicinity of the connection portion between the arm 111f and the arm 111m.
  • the lead electrode W111 and the wiring W121k are connected via a via V111a formed so as to penetrate the protective film 235 in the vicinity of the connection portion between the arm 111f and the arm 111m.
  • Other configurations and functions of the extraction electrode W111 are the same as those in the first embodiment.
  • the configuration / function of the extraction electrode W112 in the present embodiment is the same as the configuration / function of the extraction electrode W111 in the present embodiment.
  • each embodiment described above is for facilitating the understanding of the present invention, and is not intended to limit the present invention.
  • the present invention can be changed / improved without departing from the spirit thereof, and the present invention includes equivalents thereof.
  • those obtained by appropriately modifying the design of each embodiment by those skilled in the art are also included in the scope of the present invention as long as they include the features of the present invention.
  • each element included in each embodiment and its arrangement, material, condition, shape, size, and the like are not limited to those illustrated, and can be changed as appropriate.
  • Each embodiment is an exemplification, and it is needless to say that a partial replacement or combination of configurations shown in different embodiments is possible, and these are also included in the scope of the present invention as long as they include the features of the present invention. .

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Abstract

　保持ユニットにおける共振抵抗を小さくする。　第１の電極及び第２の電極と、当該第１の電極と第２の電極との間に形成される圧電膜と、を有する振動部と、振動部を囲むように設けられた、保持部と、振動部と保持部とを接続する、互いに対向して設けられた１対の保持ユニットと、保持部から保持ユニットに亘って形成された引き出し電極と、を備え、第１の電極または第２の電極は、保持ユニットへ亘って形成され、保持ユニット上で引き出し電極と接続されており、引き出し電極の単位面積あたりの電気抵抗値は、保持ユニットへ亘って形成された第１の電極または第２の電極の単位面積当たりの電気抵抗値よりも小さい。

Description

共振子
　本発明は、共振子に関する。
　電子機器において計時機能を実現するためのデバイスとして、圧電振動子が用いられている。電子機器の小型化に伴い、圧電振動子も小型化が要求されており、ＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ　Ｅｌｅｃｔｒｏ　Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ　Ｓｙｓｔｅｍｓ）技術を用いて製造される共振子が注目されている。
　従来の共振子は、たとえば特許文献１に開示されているように、矩形の振動部と、振動部上に分割形成された電極と、振動部と保持部とを連結する保持腕と、保持腕上に設けられた電極を保持部へ引き出す配線から構成される。
米国特許第７６３９１０号明細書
　保持腕は振動部の振動を阻害しないように、細長い形状であることが望ましい。しかし、特許文献１に開示されているような従来の共振子では、保持腕を細長く形成することによって、保持腕における共振抵抗が高くなってしまい、かえって振動部の振動を阻害してしまうという課題がある。
　本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであり、振動部を保持する保持ユニットにおける共振抵抗を小さくすることを目的とする。
　本発明の一側面に係る共振子は、第１の電極及び第２の電極と、当該第１の電極と第２の電極との間に形成される圧電膜と、を有する振動部と、振動部を囲むように設けられた、保持部と、振動部と保持部とを接続する、互いに対向して設けられた１対の保持ユニットと、保持部から保持ユニットに亘って形成された引き出し電極と、を備え、第１の電極または第２の電極は、保持ユニットへ亘って形成され、保持ユニット上で引き出し電極と接続されており、引き出し電極の単位面積あたりの電気抵抗値は、保持ユニットへ亘って形成された第１の電極または第２の電極の単位面積当たりの電気抵抗値よりも小さい。
　かかる共振子によれば、保持ユニット上の上部電極を、当該上部電極よりも単位面積当たりの電気抵抗値が小さい引き出し電極によって引き出す構成となっている。これによって、保持ユニットにおける共振抵抗を小さくすることができる。
　また保持ユニットは、保持ユニットへ亘って形成された第１の電極または第２の電極の上に、絶縁体の保護膜をさらに有し、引き出し電極は、保護膜を貫通するビアを介して、保持ユニットへ亘って形成された第１の電極または第２の電極と接続することが好ましい。
　この好ましい態様によれば、共振周波数を調整するための保護膜を有した共振子であっても、保持ユニット上において、引き出し電極と電極とを接続することができる。
　また、第１の電極及び第２の電極の双方とも、保持ユニットへ亘って形成され、引き出し電極は、第１の電極または第２の電極と接続することが好ましい。
　この好ましい態様によれば、上部電極と下部電極とのいずれも引き出し電極によって接続することができる。
　また、保持ユニットは、振動部の１辺と略平行な方向に設けられる第１腕と、第１腕と略垂直な方向に設けられ、第１腕と振動部とを接続する第２腕と、を有し、引き出し電極は、第１腕と第２腕との接続点において、ビアを介して第１の電極または第２の電極と接続することが好ましい。
　この好ましい態様によれば、保持ユニットの屈曲部にビアを設けることによって、屈曲部の剛性や質量を増大させることができる。これによって屈曲部における音響反射効果を高め、振動の閉じ込め性を向上させることができる。
　また、保持ユニットは、振動部の１辺と略平行な方向に設けられる１対の第１腕と、１対の第１腕と略垂直な方向に設けられ、その両端で当該１対の第１腕の両端と接続する、１対の第２腕と、から形成される振動緩衝部を備え、引き出し電極は、振動緩衝部の、第１腕と１対の第２腕との接続点において、ビアを介して第１の電極または第２の電極と接続されることが好ましい。
　この好ましい態様によれば、振動緩衝部の両端にビアを設けることにより、振動緩衝部の両端の剛性や質量が増大する。これによって、振動緩衝部において、より効果的に保持ユニットへの振動の伝搬を抑えることが可能になり、振動部から伝搬される輪郭振動の高調波の振動を効率的に閉じ込めることができる。
　本発明によれば、振動部を保持する保持ユニットにおける共振抵抗が小さくなる。
第１の実施形態に係る共振装置の外観を概略的に示す斜視図である。 第１の実施形態に係る共振装置の構造を概略的に示す分解斜視図である。 第１の実施形態に係る共振子の構造の一例を概略的に示す平面図である。 第１の実施形態に係る共振子の断面の構造の一例を概略的に示す図である。 第１の実施形態に係る共振子の断面の構造の一例を概略的に示す図である。 第２の実施形態に係る共振子の構造の一例を概略的に示す平面図である。 第３の実施形態に係る共振子の構造の一例を概略的に示す平面図である。 第４の実施形態に係る共振子の構造の一例を概略的に示す平面図である。 第５の実施形態に係る共振子の構造の一例を概略的に示す平面図である。
［第１の実施形態］
　以下、添付の図面を参照して本発明の第１実施形態について説明する。図１は、本発明の第１実施形態に係る共振装置１の外観を概略的に示す斜視図である。この共振装置１は、下側基板１４と、下側基板１４との間に振動空間を形成する上側基板１３と、下側基板１４及び上側基板１３の間に挟み込まれて保持される共振子１０と、を備えている。共振子１０は、ＭＥＭＳ技術を用いて製造されるＭＥＭＳ振動子である。
　図２は、本発明の第１実施形態に係る共振装置１の構造を概略的に示す分解斜視図である。下側基板１４はＸＹ平面に沿って平板状に広がっており、その上面に例えば平たい直方体形状の凹部１７が形成されている。凹部１７は共振子１０の振動空間の一部を形成する。その一方で、上側基板１３はＸＹ平面に沿って平板状に広がっており、その下面に例えば平たい直方体形状の凹部１８が形成されている。凹部１８は共振子１０の振動空間の一部を形成する。この振動空間では真空状態が維持されている。下側基板１４及び上側基板１３は例えばシリコン（Ｓｉ）から形成されている。
　図３は、本実施形態に係る、共振子１０の構造を概略的に示す平面図である。図３を用いて本実施形態に係る共振子１０の各構成について説明する。共振子１０は、振動部１２０と、保持部１１と、保持ユニット１１１、１１２と、引き出し電極Ｗ１１１、Ｗ１１２とを備えている。
（１．振動部１２０）
（１－１．詳細構成）
　振動部１２０は、図３の直交座標系におけるＸＹ平面に沿って平板状に広がる略直方体の輪郭を有している。振動部１２０上には、長さ方向と幅方向とを有する矩形板状の上部電極１２１が設けられている。図３において、振動部１２０と上部電極１２１は、Ｘ軸方向に長辺、Ｙ軸方向に短辺を有している。
　上部電極１２１の全面を覆うように、保護膜２３５が形成されている。さらに、保護膜２３５の表面には、振動部１２０の長辺と平行に２つの調整膜２３６が積層されている。保護膜２３５及び調整膜２３６は、振動部１２０の共振周波数を調整するための膜である。
　調整膜２３６は、振動部１２０における変位の比較的大きい領域において、その表面が露出するように形成されている。具体的には、調整膜２３６は、振動部１２０の短辺方向の両端付近に対応する領域において露出するように形成される。また、保護膜２３５は、その他の領域において、その表面が露出している。
　振動部１２０と保持部１１との間には、所定の間隔で空間が形成されている。図３の例では、振動部１２０は、１対の短辺において、それぞれ後述する保持ユニット１１１、１１２によって保持部１１に接続され、保持されている。他方で、振動部１２０は、１対の長辺において、保持部１１によって保持されていない。
（１－２．積層構造）
　図４は、図３のＡＡ´断面図である。図４を用いて振動部１２０の積層構造について説明する。
　図４に示すように、振動部１２０は、縮退ＳｉからなるＳｉ基板１３０上に、下部電極１２９（第１の電極の一例である。）が積層されている。Ｓｉ基板１３０は、たとえば、長さ１４０μｍ程度、幅４００μｍ程度、厚さ１０μｍ程度である。下部電極１２９は、たとえば、モリブデン（Ｍｏ）やアルミニウム（Ａｌ）等の金属を用いて形成され、厚さ０．１μｍ程度である。なお、下部電極１２９を形成せずに、縮退ＳｉからなるＳｉ基板１３０を下部電極として用いてもよい。
　また、下部電極１２９の上には、下部電極１２９を覆うように圧電薄膜１２８が積層されており、さらに、圧電薄膜１２８上には、上部電極１２１（第２の電極の一例である。）が積層されている。他の例として、上部電極１２１は、複数に分割されてもよい。
　圧電薄膜１２８は、印加された電圧を振動に変換する圧電体の薄膜であり、たとえば、窒化アルミニウム等の窒化物や酸化物を主成分とすることができる。具体的には、圧電薄膜１２８は、窒化スカンジウムアルミニウム（ＳｃＡｌＮ）により形成することができる。ＳｃＡＬＮは、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）におけるアルミニウム（Ａｌ）の一部をスカンジウム（Ｓｃ）に置換したものである。また、圧電薄膜１２８は、たとえば、０．８μｍの厚さを有する。
　また、上部電極１２１は、下部電極１２９と同様、たとえばモリブデン（Ｍｏ）やアルミニウム（Ａｌ）等の金属を用いて形成され、厚さ０．１μｍ程度である。
　上部電極１２１の上には、上部電極１２１を覆うように、保護膜２３５が積層されており、さらに、保護膜２３５上には、調整膜２３６が積層されている。調整膜２３６は、振動部１２０の略全面に形成された後、エッチング等の加工により所定の領域のみに形成される。
　保護膜２３５は、エッチングによる質量低減の速度が調整膜２３６より遅い材料により形成される。たとえば、保護膜２３５は、ＡｌＮ等の窒化膜やＳｉＯ2等の酸化膜により形成される。なお、質量低減速度は、エッチング速度（単位時間あたりに除去される厚み）と密度との積により表される。
　調整膜２３６は、エッチングによる質量低減の速度が保護膜２３５より速い材料により形成される。たとえば、調整膜２３６は、モリブデン（Ｍｏ）やタングステン（Ｗ）や金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）等の金属により形成される。
　なお、保護膜２３５と調整膜２３６とは、質量低減速度の関係が上述のとおりであれば、エッチング速度の大小関係は任意である。
　保護膜２３５及び調整膜２３６に対するエッチングは、たとえば保護膜２３５及び調整膜２３６に同時にイオンビーム（たとえば、アルゴン（Ａｒ）イオンビーム）を照射することによって行われる。イオンビームは共振子１０よりも広い範囲に照射することが可能である。なお、本実施形態では、イオンビームによりエッチングを行う例を示すが、エッチング方法は、イオンビームによるものに限られない。
（１－３．機能）
　次に、振動部１２０の各層の機能について説明する。振動部１２０は、交番電界が印加されることによって、ＸＹ平面内において輪郭振動する。
　具体的には、圧電薄膜１２８はｃ軸方向に配向しており、そのため、上部電極１２１と下部電極１２９に所定の電界を印加して、下部電極１２９と上部電極１２１との間に所定の電位差を形成すると、この電位差に応じて圧電薄膜１２８がＸＹ面内方向において伸縮することにより、振動部１２０が輪郭振動する。
　振動部１２０の共振周波数を決定する主な要素として、質量とバネ定数がある。保護膜２３５及び調整膜２３６のエッチングにより、質量の低減とバネ定数の低下が同時に発生する。質量の低減は共振周波数を上昇させ、バネ定数の低下は共振周波数を低下させる。ただし、変位の大きな領域では相対的に質量の影響が強く、変位の小さな領域では相対的にバネ定数の影響が強くなる。
　振動部１２０においては、変位の比較的大きい領域において露出するように調整膜２３６が形成されている。上述のとおり、イオンビームによる質量低減速度は、保護膜２３５よりも調整膜２３６の方が速い。そのため、変位の比較的大きい領域の質量が速く低減する。これにより、共振周波数を上昇させることができる。なお、調整膜２３６と同時に保護膜２３５もエッチングされるが、質量の低減速度が調整膜２３６よりも遅いため、バネ定数の変化量は小さい。従って、バネ定数の変化に伴う共振周波数の低下の影響は小さい。従って、振動部１２０においては、保護膜２３５及び調整膜２３６に同時にイオンビームを照射することにより、効率的に共振周波数を調整することが可能になる。
　また、共振周波数の温度特性はバネ定数の変化による影響を受ける。しかしながら、振動部１２０においては、上述のとおり、バネ定数の変化量が小さいため、共振周波数の温度特性の変化を低減することが可能となる。
　図３に戻り、共振子１０の他の構成について説明する。
（２．保持部１１）
（２－１．詳細構成）
　保持部１１は、本実施形態では、ＸＹ平面に沿って矩形の枠状に形成される。なお、保持部１１は、振動部１２０の周囲の少なくとも一部に設けられていればよく、枠状の形状に限定されない。保持部１１は、振動部１２０と、ＸＹ平面に沿って振動部１２０の外側を囲むように設けられる。保持部１１は、より具体的には、Ｘ軸方向に平行に、振動部１２０の短辺に対向して延びる１対の長辺板状の枠体１１ａ、１１ｂと、振動部１２０の長辺に対向してＹ軸方向に平行に延び、その両端で枠体１１ａ、１１ｂの両端にそれぞれ接続される１対の短辺の枠体１１ｃ、１１ｄと、を備えている。
　以下の説明では、枠体１１ｃ側を共振子１０の上側、枠体１１ｄ側を共振子１０の下側として説明する。
（２－２．積層構造）
　図４に示すように、保持部１１は、Ｓｉ基板１３０上に、振動部１２０の下部電極１２９と同一のプロセスで一体形成された下部配線Ｗ１２９が形成されている。さらに下部配線Ｗ１２９を覆うように、圧電薄膜１２８が積層され、圧電薄膜１２８の上には、保護膜２３５が積層されている。保持部１１は、Ｓｉ基板１３０上に下部配線Ｗ１２９、圧電薄膜１２８、後述する上部配線Ｗ１２１の順に、振動部１２０のＳｉ基板１３０、下部電極１２９、圧電薄膜１２８、及び上部電極１２１と一体形成される。その後、エッチング等の加工により望ましい形状となるように上部配線Ｗ１２１が除去された上に、保護膜２３５が積層されて形成される。
（３．保持ユニット１１１、１１２）
（３－１．詳細構成）
　保持ユニット１１１は、ＸＹ平面に沿って保持部１１の内側であって、振動部１２０の短辺と枠体１１ａとの間の空間に設けられ、振動部１２０の短辺と枠体１１ａとを接続する。また、保持ユニット１１２は、振動部１２０の短辺と枠体１１ｂとの間の空間に設けられ、振動部１２０の短辺と枠体１１ｂとを接続する。
（３－２．積層構造）
　図５（Ａ）は図３のＢＢ´断面図、図５（Ｂ）は図３のＣＣ´断面図である。図５（Ａ）及び（Ｂ）を用いて保持ユニット１１１、１１２の積層構造について説明する。
　図５（Ａ）及び（Ｂ）に示すように、保持ユニット１１１、１１２は、縮退半導体からなるＳｉ基板１３０上に、振動部１２０の下部電極１２９と同一のプロセスで一体形成された下部配線Ｗ１２９が積層されている。下部電極１２９と下部配線Ｗ１２９とは、振動部１２０から保持ユニット１１１、１１２へと亘って連続して形成されている。
　下部配線Ｗ１２９の上には、下部配線Ｗ１２９を覆うように圧電薄膜１２８が積層されている。さらに、圧電薄膜１２８上には、振動部１２０の上部電極１２１と同一のプロセスで一体形成された上部配線Ｗ１２１が設けられている。上部電極１２１と上部配線Ｗ１２１とは、振動部１２０から保持ユニット１１１、１１２へと亘って連続して形成されている。
　保持ユニット１１１、１１２のＳｉ基板１３０、下部配線Ｗ１２９、圧電薄膜１２８、上部配線Ｗ１２１は、振動部１２０のＳｉ基板１３０、下部電極１２９、圧電薄膜１２８、上部電極１２１と一体形成され、エッチング等の加工により望ましい形状となるように上部配線Ｗ１２１が除去されて形成された上に、保護膜２３５が積層されて形成される。
（４．引き出し電極Ｗ１１１）
（４－１．詳細構成）
　引き出し電極Ｗ１１１は、枠体１１ａから保持ユニット１１１に亘って形成される。引き出し電極Ｗ１１１は、保持ユニット１１１上で上部配線Ｗ１２１と接続する。上部配線Ｗ１２１は、振動部１２０の上部電極１２１が連続して保持ユニット１１１へと形成された配線である。具体的には、上部配線Ｗ１２１は、振動部１２０の上部電極１２１と保持ユニット１１１との接続箇所から、保持ユニット１１１の途中または保持ユニット１１１と枠体１１ａとの接続箇所までを、連続して覆うように形成されている。
　引き出し電極Ｗ１１１は、上部配線Ｗ１２１との接続箇所から枠体１１ａに亘って連続して形成されている。
　引き出し電極Ｗ１１１は、単位面積あたりの電気抵抗値が上部配線Ｗ１２１よりも小さくなるように形成される。本実施形態では、引き出し電極Ｗ１１１は、上部配線Ｗ１２１よりも厚く形成される。引き出し電極Ｗ１１１は、たとえばアルミニウム等の導電性が高い金属である。さらに、引き出し電極Ｗ１１１は、軽い金属であることが望ましい。これにより、引き出し電極Ｗ１１１によって振動部１２０の振動が阻害されることを低減させることができる。なお、引き出し電極Ｗ１１１は、調整膜２３６と同じ材質で同時に形成されてもよい。
（４－２．断面構造）
　図５（Ａ）を参照して、引き出し電極Ｗ１１１の断面の構造について説明する。引き出し電極Ｗ１１１は、保持ユニット１１１の保護膜２３５の表面から、枠体１１ａの保護膜２３５の表面に亘って形成される。引き出し電極Ｗ１１１は、上部配線Ｗ１２１と、保持ユニット１１１上に保護膜２３５を貫通して形成されたビアＶ１１１を介して接続される。
　ビアＶ１１１は、たとえば、共振子１０に保護膜２３５が形成された後に、その一部をエッチング等によって除去して形成される。ビアＶ１１１が形成された後、アルミニウム等の導通性が高く軽い金属を、保護膜２３５及びビアＶ１１１に積層させ、その一部をエッチング等で除去することにより、引き出し電極Ｗ１１１が形成される。なお、先にビアＶ１１１に金属を充填した後に、引き出し電極Ｗ１１１を積層して形成してもよい。
　本実施形態に係る共振子１０は、ＸＹ平面における単位面積当たりの電気抵抗値が上部電極１２１よりも小さい引き出し電極Ｗ１１１を用いて、上部配線Ｗ１２１を引き出すことによって、保持ユニット１１１における経路抵抗を低減させ、振動特性を向上させることができる。
（５．引き出し電極Ｗ１１２）
（５－１．詳細構成）
　引き出し電極Ｗ１１２は、枠体１１ｂから保持ユニット１１２に亘って形成される。引き出し電極Ｗ１１２は、保持ユニット１１２上で下部配線Ｗ１２９と接続する。下部配線Ｗ１２９は、振動部１２０の下部電極１２９が連続して保持ユニット１１２へと形成された配線である。具体的には、下部配線Ｗ１２９は、振動部１２０の下部電極１２９と保持ユニット１１２との接続箇所から、保持ユニット１１２の途中または保持ユニット１１２と枠体１１ｂとの接続箇所までを、連続して覆うように形成されている。
　引き出し電極Ｗ１１２は、下部配線Ｗ１２９との接続箇所から枠体１１ｂに亘って連続して形成されている。
　引き出し電極Ｗ１１２は、単位面積あたりの電気抵抗値が下部配線Ｗ１２９よりも小さくなるように形成される。本実施形態では、引き出し電極Ｗ１１２は、下部配線Ｗ１２９よりも厚さが大きくなるように形成される。引き出し電極Ｗ１１２は、たとえばアルミニウム等の導通性が高い金属である。引き出し電極Ｗ１１２は、軽い金属であることが望ましい。これにより、引き出し電極Ｗ１１２によって振動部１２０の振動が阻害されることを低減させることができる。なお、引き出し電極Ｗ１１２は、調整膜２３６と同じ材質で同時に形成されるとしてもよい。
（５－２．断面構造）
　図５（Ｂ）は、図３のＣＣ´断面図である。図５（Ｂ）を参照して、引き出し電極Ｗ１１２の断面の構造について説明する。引き出し電極Ｗ１１２は、保持ユニット１１２の保護膜２３５の表面から、枠体１１ｂの保護膜２３５の表面に亘って形成される。引き出し電極Ｗ１１２は、下部配線Ｗ１２９と、保持ユニット１１２上に、保護膜２３５、上部配線Ｗ１２１及び圧電薄膜１２８を貫通するように形成されたビアＶ１１２を介して接続される。なお、ビアＶ１１２と、上部配線Ｗ１２１とは、圧電薄膜１２８によって隔てられている。
　ビアＶ１１２は、たとえば、共振子１０に上部配線Ｗ１２１が形成された後に、上部配線Ｗ１２１の一部をエッチング等によって除去して形成した孔に、保護膜２３５が充填された後に、当該孔に積層されている保護膜２３５、及び圧電薄膜１２８の一部をエッチング等によって除去して形成される。ビアＶ１１２が形成された後、アルミニウム等の導電性が高く軽い金属を、保護膜２３５及びビアＶ１１２に積層させ、その一部をエッチング等で除去することにより、引き出し電極Ｗ１１２が形成される。なお、先にビアＶ１１２に金属を充填した後に、引き出し電極Ｗ１１２を積層して形成するとしてもよい。
　本実施形態に係る共振子１０は、下部電極１２９よりも単位面積当たりの電気抵抗値の小さい引き出し電極Ｗ１１２を用いて、下部電極１２９を引き出すことによって、保持ユニット１１２における経路抵抗を低減させ、振動特性を向上させることができる。
［第２の実施形態］
　第２の実施形態以降では第１の実施形態と共通の事柄についての記述を省略し、異なる点についてのみ説明する。特に、同様の構成による同様の作用効果については実施形態毎には逐次言及しない。
　図６は、本実施形態に係る、共振子１０の構造の一例を概略的に示す平面図である。以下に、本実施形態に係る共振子１０の詳細構成のうち、第１の実施形態との差異点を中心に説明する。本実施形態に係る共振子１０は、第１の実施形態で説明した構成に加えバスバーＢ１２１、Ｂ１２２、及び配線Ｗ１２１ａ、Ｗ１２１ｂ、Ｗ１２２ａ、Ｗ１２２ｂを備えている。
（１．振動部１２０）
　本実施形態では、振動部１２０は、４つの上部電極１２１～１２４を有している。上部電極１２１と１２３とは後述するバスバーＢ１２１によって接続されている。
　また、上部電極１２２と１２４とは後述するバスバーＢ１２２によって接続されている。
　また、調整膜２３６は、上部電極１２１～１２４の四隅に対応する領域において露出するように形成され、保護膜２３５は、その他の領域において露出するように形成されている。なお、保護膜２３５は、振動部１２０上において、例えば上部電極１２１～１２４を覆う領域にのみ形成される構成でもよい。
　さらに、振動部１２０の上部電極１２１～１２４は、隣り合う電極同士が逆位相となるように電界が印加される。下部電極１２９は、本実施形態では、フローティング状態になっている。その他の振動部１２０の構成は第１の実施形態と同様である。
（２．保持部１１）
　保持部１１は、枠体１１ｃと枠体１１ｄとにおいて、保持ユニット１１１、１１２と接続している。その他の保持部１１の構成は第１の実施形態と同様である。
（３．保持ユニット１１１、１１２）
　本実施形態では、保持ユニット１１１は、枠体１１ｃと振動部１２０とを接続する。
　保持ユニット１１１は腕１１１ａ（第２腕の一例である。）、１１１ｂ（第２腕の一例である。）、１１１ｍ（第１腕の一例である。）及び１１１ｎを有している。
　腕１１１ｍは、振動部１２０の長辺と対向して、Ｘ軸方向に平行に延びている。
　保持ユニット１１１は、２本の腕１１１ａ、１１１ｂによって振動部１２０と接続する。腕１１１ａは、一端が上部電極１２２の短辺の中央付近において、振動部１２０の長辺と接続し、他端が腕１１１ｍの一方の端部（以下、「屈曲部Ｃ１１１ａ」とも呼ぶ。）と略垂直に接続している。腕１１１ｂは、一端が上部電極１２３の短辺の中央付近において、振動部１２０の長辺と接続し、他端が腕１１１ｍの他方の端部（以下、「屈曲部Ｃ１１１ｂ」とも呼ぶ。）と略垂直に接続している。
　腕１１１ｎは、一端が腕１１１ｍの中央付近と略垂直に接続し、他端が枠体１１ｃと接続している。すなわち、保持ユニット１１１は、腕１１１ａと腕１１１ｍ、及び腕１１１ｂと腕１１１ｍの接続箇所において屈曲し、途中で１本の腕１１１ｎに連結している。
　このように、本実施形態に係る保持ユニット１１１は、屈曲部Ｃ１１１ａ、Ｃ１１１ｂにおいて屈曲して、途中で１本に連結することで、保持部１１と保持ユニット１１１との接続点の数を減らすことができる。ひいては、保持部１１と保持ユニット１１１との接続点が多くなることにより生じる、振動部１２０の振動の減衰を低減させることができる。
　次に、保持ユニット１１１の各構成の長さと振動部１２０が振動する波長との関係について説明する。
　保持ユニット１１１における、腕１１１ｍと腕１１１ｎの中心との接続点から、屈曲部Ｃ１１１ａ又はＣ１１１ｂまでの長さをＬ、振動部１２０の振動の波長をλとする。本実施形態では、保持ユニット１１１は、Ｌ＝λ／４という関係式が成立するように、長さＬが調整されている。これによって、振動部１２０の振動特性を向上させることができる。
　具体的には、保持ユニット１１１の腕１１１ｍは、振動部１２０と同じ波長λで振動する。そのため、長さＬをλ／４とすることで、振動波の節に相当する箇所に、屈曲部Ｃ１１１ａ、Ｃ１１１ｂを設けることができる。これによって、屈曲部Ｃ１１１ａ、Ｃ１１１ｂにおける音響反射効果が高められ、振動の閉じ込め性を向上させることができる。
　他方で、保持ユニット１１２は、枠体１１ｄと振動部１２０とを接続する。
　保持ユニット１１２は腕１１２ａ（第２腕の一例である。）、１１２ｂ（第２腕の一例である。）、１１２ｍ（第１腕の一例である。）及び１１２ｎを有している。
　腕１１２ｍは、振動部１２０の長辺と対向して、Ｘ軸方向に平行に延びている。
　保持ユニット１１２は、２本の腕１１２ａ、１１２ｂによって振動部１２０と接続する。腕１１２ａは、一端が上部電極１２２の短辺の中央付近において、振動部１２０の長辺と接続し、他端が腕１１１ｍの一方の端部（以下、「屈曲部Ｃ１１２ａ」とも呼ぶ。）と略垂直に接続している。腕１１２ｂは、一端が上部電極１２３の短辺の中央付近において、振動部１２０の長辺と接続し、他端が腕１１２ｍの他方の端部（以下、「屈曲部Ｃ１１２ｂ」とも呼ぶ。）と略垂直に接続している。
　腕１１２ｎは、一端が腕１１２ｍの中央付近と略垂直に接続し、他端が枠体１１ｄと接続している。すなわち、保持ユニット１１２は、腕１１２ａと腕１１２ｍ、及び腕１１２ｂと腕１１２ｍの接続箇所において屈曲し、途中で１本の腕１１２ｎに連結している。
　このように、本実施形態に係る保持ユニット１１２は、屈曲部Ｃ１１２ａ、Ｃ１１２ｂにおいて屈曲して、途中で１本に連結することで、保持部１１と保持ユニット１１２との接続点の数を減らすことができる。ひいては、保持部１１と保持ユニット１１２との接続点が多くなることにより生じる、振動部１２０の振動の減衰を低減させることができる。
　保持ユニット１１２の、腕１１１ｍと腕１１２ｎの中心との接続点から、屈曲部Ｃ１１２ａ又はＣ１１２ｂまでの長さも、長さＬとなるように調整されている。これによって、屈曲部Ｃ１１２ａ又はＣ１１２ｂにおける音響反射効果が高められ、振動の閉じ込め性を向上させることができる。
（４．バスバーＢ１２１、Ｂ１２２）
　バスバーＢ１２１は、上部電極１２２に対向して、振動部１２０における枠体１１ｃ側の端部に設けられている。バスバーＢ１２１は、上部電極１２１における上部電極１２２と対向する長辺の上端（枠体１１ｃ側の端部）と、上部電極１２３における上部電極１２２と対向する長辺の上端（枠体１１ｃ側の端部）とに接続される。
　また、バスバーＢ１２２は、上部電極１２３に対向して、振動部１２０における枠体１１ｄ側の端部に設けられている。バスバーＢ１２２は、上部電極１２２における上部電極１２３と対向する長辺の下端（枠体１１ｄ側の端部）と、上部電極１２４における上部電極１２３と対向する長辺の下端（枠体１１ｄ側の端部）とに接続される。
（５．配線Ｗ１２１ａ、Ｗ１２１ｂ、Ｗ１２２ａ、Ｗ１２２ｂ）
　配線Ｗ１２１ａは、バスバーＢ１２１の中央付近に接続され、そこからバスバーＢ１２１に対して略垂直な方向に延び、腕１１１ａの表面（腕１１１ａにおける圧電薄膜１２８と保護膜２３５との間）から腕１１１ｍの一端（屈曲部Ｃ１１１ａ）における表面（腕１１１ｍにおける圧電薄膜１２８と保護膜２３５との間）に亘って設けられる。配Ｗ線１２１ｂは、上部電極１２３における枠体１１ｃ側の短辺の中央付近に接続され、そこから当該短辺に略垂直な方向に延び、腕１１１ｂの表面から腕１１１ｍの他端（屈曲部Ｃ１１１ｂ）における表面（腕１１１ｍにおける圧電薄膜１２８と保護膜２３５との間）に亘って設けられる。
　なお、配線Ｗ１２２ａ、Ｗ１２２ｂはそれぞれ配線Ｗ１２１ｂ、Ｗ１２１ａと同等の構成である。
（６．引き出し電極Ｗ１１１）
　本実施形態では、引き出し電極Ｗ１１１は、枠体１１ｃから保持ユニット１１１へと亘って形成されている。本実施形態の引き出し電極Ｗ１１１は、枠体１１ｃと接続していない側がＴ字型の形状となっている。引き出し電極Ｗ１１１は、Ｔ字形状の端部のそれぞれが保持ユニット１１１の屈曲部Ｃ１１１ａ、Ｃ１１１ｂまで延びている。
　本実施形態では、引き出し電極Ｗ１１１は、屈曲部Ｃ１１１ａにおいて、配線Ｗ１２１ａに接続され、屈曲部Ｃ１１１ｂにおいて、配線Ｗ１２１ｂに接続される。引き出し電極Ｗ１１１と配線Ｗ１２１ａ、Ｗ１２１ｂとは、保持ユニット１１１の屈曲部Ｃ１１１ａ、Ｃ１１１ｂに保護膜２３５を貫通するように形成されたビアＶ１１１ａ、Ｖ１１１ｂを介して接続される。
　上述のように、長さＬがλ／４となる位置に設けられた屈曲部Ｃ１１１ａ、Ｃ１１１ｂにビアＶ１１１ａ、Ｖ１１１ｂを形成することによって、屈曲部Ｃ１１１ａ、Ｃ１１１ｂの剛性及び質量を増大させることができる。これによって、屈曲部Ｃ１１１ａ、Ｃ１１１ｂにおける音響反射効果が高められ、振動の閉じ込め性をより一層向上させることができる。その他の引き出し電極Ｗ１１１の構成・機能は第１の実施形態と同様である。
（７．引き出し電極Ｗ１１２）
　本実施形態では、引き出し電極Ｗ１１２は、枠体１１ｄから保持ユニット１１２へと亘って形成されている。本実施形態の引き出し電極Ｗ１１２は、枠体１１ｄと接続していない側がＴ字型の形状となっている。引き出し電極Ｗ１１２は、Ｔ字形状の端部のそれぞれが保持ユニット１１２の屈曲部Ｃ１１２ａ、Ｃ１１２ｂまで延びている。
　本実施形態では、引き出し電極Ｗ１１２は、屈曲部Ｃ１１２ａにおいて、配線Ｗ１２２ａに接続され、屈曲部Ｃ１１２ｂにおいて、配線Ｗ１２２ｂに接続される。引き出し電極Ｗ１１２と配線Ｗ１２２ａ、Ｗ１２２ｂとは、保持ユニット１１２の屈曲部Ｃ１１２ａ、Ｃ１１２ｂに保護膜２３５を貫通するように形成されたビアＶ１１２ａ、Ｖ１１２ｂを介して接続される。
　上述のように、長さＬがλ／４となる位置に設けられた屈曲部Ｃ１１２ａ、Ｃ１１２ｂにビアＶ１１２ａ、Ｖ１１２ｂを形成することによって、屈曲部Ｃ１１２ａ、Ｃ１１２ｂの剛性及び質量を増大させることができる。これによって、屈曲部Ｃ１１２ａ、Ｃ１１２ｂにおける音響反射効果が高められ、振動の閉じ込め性をより一層向上させることができる。その他の引き出し電極Ｗ１１２の構成・機能は第１の実施形態と同様である。
　その他の構成、効果は第１の実施形態と同様である。
［第３の実施形態］
　図７は、本実施形態に係る、共振子１０の構造の一例を概略的に示す平面図である。以下に、本実施形態に係る共振子１０の各構成のうち、第１の実施形態との差異点について説明する。本実施形態に係る共振子１０は、第１の実施形態で説明した構成に加えバスバーＢ１２１ａ、Ｂ１２１ｂ、Ｂ１２２、配線Ｗ１２１ｃ、Ｗ１２１ｄ、Ｗ１２２ｃ、Ｗ１２２ｄ、及び引き出し電極Ｗ１１１Ａ、Ｗ１１１Ｂ、Ｗ１１２Ａ、Ｗ１１２Ｂを備えている。
（１．振動部１２０）
　本実施形態では、振動部１２０は、５つの上部電極１２１～１２５を有している。
　調整膜２３６は、上部電極１２１～１２５の四隅に対応する領域において露出するように形成され、保護膜２３５は、その他の領域において露出するように形成されている。なお、保護膜２３５は、振動部１２０上において、例えば上部電極１２１～１２４を覆う領域にのみ形成される構成でもよい。
　振動部１２０の上部電極１２１～１２５は、隣り合う電極同士が逆位相となるように電界が印加される。下部電極１２９は、本実施形態では、フローティング状態になっている。その他の振動部１２０の構成・機能は第１の実施形態と同様である。
（２．保持部１１）
　本実施形態では、保持部１１は、保持ユニット１１１、１１２との接続箇所に４つの屈曲振動部５ａ、５ｂを有している。屈曲振動部５ａ、５ｂとは、保持部１１にスリット３ａ、３ｂを設けることにより、スリット３ａ、３ｂと保持ユニット１１１、１１２との間に設けられている部分である。すなわち、保持部１１には、保持ユニット１１１、１１２の延びる方向と直交する方向に延びるスリット３ａ、３ｂが設けられている。屈曲振動部５ａ、５ｂの外側の一方の縁は、スリット３ａ、３ｂに臨んでおり、他方の縁は保持部１１と振動部１２０との間の空間に臨んでいる。
　屈曲振動部５ａ、５ｂは、屈曲振動部５ａ、５ｂの端部から、保持ユニット１１１、１１２の中点との接続点までの距離が、λ／４となるように形成されている。これによって、屈曲振動部５ａ、５ｂの端部における、音高反射効果が高められ、振動の閉じ込め性の効果が上昇する。
（３．保持ユニット１１１、１１２）
　本実施形態では、共振子１０は、２対の保持ユニット１１１、１１２を有している。保持ユニット１１１、１１２はいずれも保持ユニット１１１、１１２に直交する方向に突出している振動緩衝部４ａ、４ｂを有している。振動緩衝部４ａ、４ｂは、それぞれ互いに対向する２対の腕４１、４２から形成される。腕４１（１対の第１腕の一例である。）は、振動部１２０の長辺と略平行な方向に延びている。腕４２（１対の第２腕の一例である。）は、腕４１と略垂直な方向に設けられ、その両端で、腕４１のそれぞれの両端と接続している。
　本実施形態では、保持ユニット１１１、１１２が振動緩衝部４ａ、４ｂを有することにより、屈曲振動部５ａ、５ｂへの振動の伝搬を抑えることができ、振動部１２０から伝搬してきた輪郭振動の高調波の振動を、効率的に閉じ込めることができる。
　その他の保持ユニット１１１、１１２の構成・機能は第１の実施形態と同様である。
（４．バスバーＢ１２１ａ、Ｂ１２１ｂ、Ｂ１２２）
　バスバーＢ１２１ａは、第２の実施形態におけるバスバーＢ１２１と同等の構成を有している。また、バスバーＢ１２２は、第２の実施形態におけるバスバーＢ１２２と同等の構成を有している。
　バスバーＢ１２１ｂは、上部電極１２４に対向して、振動部１２０における枠体１１ｃ側の端部に設けられている。バスバーＢ１２１ｂは、上部電極１２３における上部電極１２４と対向する長辺の上端（枠体１１ｃ側の端部）と、上部電極１２５における上部電極１２４と対向する長辺の上端（枠体１１ｃ側の端部）とに接続される。
（５．配線Ｗ１２１ｃ、Ｗ１２１ｄ、Ｗ１２２ｃ、Ｗ１２２ｄ）
　配線Ｗ１２１ｃは、バスバーＢ１２１ａの中央付近に接続される。配線Ｗ１２１ｃは、バスバーＢ１２１ａとの接続箇所からバスバーＢ１２１ａに対して略垂直に延び、振動緩衝部４上における、腕４１（振動部１２０側）の中央付近において二股に分岐して、腕４１に沿って延びている。二股に分岐した配線Ｗ１２１ｃは、腕４１と腕４２との接続箇所（振動部１２０側）において、腕４１と略垂直な方向に屈曲して腕４２に沿って、当該腕４２の上端（枠体１１ｃ側）まで延びている。
　配線Ｗ１２１ｄは、バスバーＢ１２１ｂの中央付近に接続される。配線Ｗ１２１ｄのその他の構成・機能は、配線Ｗ１２１ｃの構成・機能と同様である。
　配線Ｗ１２２ｃは、上部電極１２２における下側（枠体１１ｄ側）の短辺の中央付近に接続される。その他の配線Ｗ１２２ｃの構成・機能は、配線Ｗ１２１ａの構成・機能と同様である。
　配線Ｗ１２２ｄは、上部電極１２４における下側（枠体１１ｄ側）の短辺の中央付近に接続される。その他の配線Ｗ１２２ｄの構成・機能は、配線Ｗ１２１ａの構成・機能と同様である。
（６．引き出し電極Ｗ１１１Ａ、Ｗ１１１Ｂ）
　本実施形態では、引き出し電極Ｗ１１１Ａは、枠体１１ｃから保持ユニット１１１へと亘って形成されている。本実施形態の引き出し電極Ｗ１１１Ａは、枠体１１ｃと接続していない側がＴ字型の形状となっている。引き出し電極Ｗ１１１Ａは、Ｔ字形状の端部のそれぞれが保持ユニット１１１の振動緩衝部４ａにおける腕４１（枠体１１ｃ側）の両端まで延びている。
　本実施形態では、引き出し電極Ｗ１１１Ａは、振動緩衝部４ａにおける枠体１１ｃ側の腕４１の両端において、配線Ｗ１２１ｃに接続される。引き出し電極Ｗ１１１Ａと配線Ｗ１２１ｃとは、振動緩衝部４ａにおける枠体１１ｃ側の腕４１の両端に保護膜２３５を貫通するように形成されたビアＶ１１１ａ、Ｖ１１１ｂを介して接続される。
　なお、引き出し電極Ｗ１１１Ｂの構成・機能は、引き出し電極Ｗ１１１Ａの構成・機能と同様である。
　ビアＶ１１１ａ、Ｖ１１１ｂを振動緩衝部４ａの両端に設けることにより、振動緩衝部４ａの両端の剛性や質量が増大する。この結果、振動緩衝部４ａにおいて、より効果的に保持ユニット１１１への振動の伝搬を抑えることが可能になり、振動部１２０から伝搬される輪郭振動の高調波の振動をより一層確実に閉じ込めることができる。
　その他の引き出し電極Ｗ１１１Ａ、Ｗ１１１Ｂの構成・機能は第１の実施形態における引き出し電極Ｗ１１１の構成・機能と同様である。
（５．引き出し電極Ｗ１１２Ａ、１１２Ｂ）
　本実施形態では、引き出し電極Ｗ１１２Ａは、枠体１１ｄから保持ユニット１１２へと亘って形成されている。本実施形態の引き出し電極Ｗ１１２Ａは、枠体１１ｄと接続していない側がＴ字型の形状となっている。引き出し電極Ｗ１１２Ａは、Ｔ字形状の端部のそれぞれが保持ユニット１１２の振動緩衝部４ｂの両端まで延びている。
　本実施形態では、引き出し電極Ｗ１１２Ａは、振動緩衝部４ｂにおける枠体１１ｄ側の腕４１の両端において、配線Ｗ１２２ｃに接続される。引き出し電極Ｗ１１２Ａと配線Ｗ１２２ｃとは、振動緩衝部４ｂにおける枠体１１ｄ側の腕４１の両端に保護膜２３５を貫通するように形成されたビアＶ１１２ａ、Ｖ１１２ｂを介して接続される。
　なお、引き出し電極Ｗ１１２Ｂの構成・機能は、引き出し電極Ｗ１１２Ｂの構成・機能と同様である。
　ビアＶ１１２ａ、Ｖ１１２ｂを振動緩衝部４ｂの両端に設けることにより、振動緩衝部４ｂの両端の剛性や質量が増大する。この結果、振動緩衝部４ｂにおいて、より効果的に保持ユニット１１２への振動の伝搬を抑えることが可能になり、振動部１２０から伝搬される輪郭振動の高調波の振動をより一層効率的に閉じ込めることができる。
　その他の引き出し電極Ｗ１１２Ａ、Ｗ１１２Ｂの構成・機能は、第１の実施形態における引き出し電極Ｗ１１２の構成・機能と同様である。
　［第４の実施形態］
　図８は、本実施形態に係る、共振子１０の構造の一例を概略的に示す平面図である。以下に、本実施形態に係る共振子１０の各構成のうち、第１の実施形態との差異点について説明する。本実施形態に係る共振子１０は、第１の実施形態で説明した構成に加えバスバーＢ１２１ｍ、Ｂ１２２ｍ、及び配線Ｗ１２１ｅ、Ｗ１２１ｆ、Ｗ１２１ｎ、Ｗ１２２ｅ、Ｗ１２２ｆ、Ｗ１２２ｎを備えている。
（１．振動部１２０）
　本実施形態では、振動部１２０は、４つの上部電極１２１～１２４を有している。また、調整膜２３６は、上部電極１２１～１２４の四隅に対応する領域において露出するように形成され、保護膜２３５は、その他の領域において露出するように形成されている。なお、保護膜２３５は、上部電極１２１～１２４を覆う領域のみに形成される構成でもよい。
　さらに、振動部１２０の上部電極１２１～１２４は、隣り合う電極同士が逆位相となるように電界が印加される。具体的には、上部電極１２１と上部電極１２３とには同位相の電界が印加され、上部電極１２２と上部電極１２４とには上部電極１２１，１２３とは逆位相の電界が印加される。下部電極１２９は、本実施形態では、フローティング状態になっている。
　上部電極１２１と１２３とは保持ユニット１１１上に設けられた後述するバスバーＢ１２１ｍによって接続している。また、上部電極１２２と１２４とは保持ユニット１１２上に設けられたバスバーＢ１２２ｍによって接続している。
　その他の振動部１２０の構成・機能は第１の実施形態と同様である。
（２．保持部１１）
　本実施形態における保持部１１の構成・機能は、第３の実施形態における保持部１１の構成・機能と同様である。
（３．保持ユニット１１１、１１２）
　本実施形態では、保持ユニット１１１は、枠体１１ｃと振動部１２０とを接続する。
　保持ユニット１１１は腕１１１ａ、１１１ｂ、１１１ｃ、１１１ｄ、１１１ｍ、及び１１１ｎを有している。
　腕１１１ｍは、振動部１２０と枠体１１ｃとの間の空間において、Ｘ軸方向に平行に、上部電極１２１～１２４に亘って、振動部１２０の長辺に対向して設けられている。
　腕１１１ｎは、振動緩衝部４を有している。腕１１１ｎは、Ｙ軸方向に平行に設けられ、腕１１１ｍと枠体１１ｃとを接続する。なお、振動緩衝部４の構成・機能については、第３の実施形態における振動緩衝部４ａ、４ｂと同様である。
　腕１１１ａ～１１１ｄは、振動部１２０と枠体１１ｃとの間の空間において、Ｙ軸方向に平行に、振動部１２０の長辺に対向して設けられている。腕１１１ａは、下端が上部電極１２１の上側の短辺の中央付近において、振動部１２０の長辺に接続し、上端は腕１１１ｍの一方の端部に接続している。腕１１１ｄは、下端が上部電極１２４の上側の短辺の中央付近において、振動部１２０の長辺に接続し、上端は腕１１１ｍの他方の端部に接続している。また、腕１１１ｂは、下端が上部電極１２２の上側の短辺の中央付近において、振動部１２０の長辺に接続し、上端は腕１１１ｍに接続している。腕１１１ｃは、下端が上部電極１２３の上側の短辺の中央付近において、振動部１２０の長辺に接続し、上端は腕１１１ｍに接続している。
　腕１１１ｍ、腕１１１ｎ、腕１１１ａ～１１１ｄは、いずれも、幅５μｍ程度の長辺の矩形の板である。本実施形態においては、保持ユニット１１１は、振動部１２０の電極の数と同じ数の腕を有しており、Ｘ軸方向において腕１１１ｎを中心に左右対称となる構成をしている。これによって、不要な振動モードが高次輪郭振動に結合することにより発生する振動障害を抑制することが可能になる。
　なお、保持ユニット１１２の構成・機能は、保持ユニット１１１の構成・機能と同様である。
（４．バスバーＢ１２１ｍ、Ｂ１２２ｍ）
　バスバーＢ１２１ｍは、振動部１２０の長辺と枠体１１ｃとの間の空間に設けられている。具体的には、バスバーＢ１２１ｍは、腕１１１ｍの表面（腕１１１ｍにおける圧電薄膜１２８と保護膜２３５との間）に設けられ、Ｘ軸方向に平行に、上部電極１２１～１２４に亘って、振動部１２０の長辺と対向して延びている。なお、バスバーＢ１２２ｍの構成・機能は、バスバーＢ１２１ｍの構成・機能と同様である。
　このように、本実施形態に係る共振子１０は、振動部１２０に設けられた同位相の上部電極１２１、１２３を接続するバスバーＢ１２１ｍ、及び同位相の上部電極１２２、１２４を接続するバスバーＢ１２２ｍが、振動部１２０の外部に設けられる構成となっている。そのため、バスバーＢ１２１ｍと上部電極１２２との間、及びバスバーＢ１２２ｍと上部電極１２３との間に隙間ができるため、寄生容量の影響を低減することができる。また、振動部１２０上にバスバーを設ける必要がなくなるため、振動部１２０の端部まで上部電極１２２、１２３を設けることが可能となる。
　さらに、バスバーＢ１２１ｍ、Ｂ１２２ｍが保持ユニット１１１、１１２上に設けられていることにより、保持ユニット１１１、１１２と保持部１１との接続点である腕（本実施形態における腕１１１ｎ、１１２ｎ）の数を減らすことができ、振動部１２０の振動の減衰を低減できる。
（５．配線Ｗ１２１ｅ、Ｗ１２１ｆ、Ｗ１２１ｎ、Ｗ１２２ｅ、Ｗ１２２ｆ、Ｗ１２２ｎ）
　配線Ｗ１２１ｅは、腕１１１ａの表面（腕１１１ａにおける圧電薄膜１２８と保護膜２３５との間）に設けられ、上部電極１２１を腕１１１ａ上に引き出し、バスバーＢ１２１ｍに接続させる。配線Ｗ１２１ｆは、腕１１１ｃの表面（腕１１１ｃにおける圧電薄膜１２８と保護膜２３５との間）に設けられ、上部電極１２１の電界と同位相の電界が印加される上部電極１２３を腕１１１ｃ上に引き出し、バスバーＢ１２１ｍに接続させる。
　配線Ｗ１２１ｎは、バスバーＢ１２１ｍに接続される。配線Ｗ１２１ｎは、バスバーＢ１２１、との接続箇所からバスバーＢ１２１ｍに対して略垂直に延び、振動緩衝部４上における、腕４１（振動部１２０側）の中央付近において二股に分岐して、腕４１に沿って延びている。二股に分岐した配線Ｗ１２１ｎは、腕４１と腕４２との接続箇所（振動部１２０側）において、腕４１と略垂直な方向に屈曲して腕４２に沿って、当該腕４２の上端（枠体１１ｃ側）まで延びている。
　配線Ｗ１２２ｅは、腕１１２ａの表面（腕１１２ａにおける圧電薄膜１２８と保護膜２３５との間）に設けられ、上部電極１２２を腕１１２ｂ上に引き出し、バスバーＢ１２２ｍに接続させる。配線Ｗ１２２ｆは、腕１１２ｄの表面（腕１１２ｄにおける圧電薄膜１２８と保護膜２３５との間）に設けられ、上部電極１２２の電界と同位相の電界が印加される上部電極１２４を腕１１２ｄ上に引き出し、バスバーＢ１２２ｍに接続させる。
　配線Ｗ１２２ｎは、バスバーＢ１２２ｍに接続される。その他の配線Ｗ１２２ｎの構成・機能は、配線Ｗ１２１ｎの構成・機能と同様である。
（６．引き出し電極Ｗ１１１）
　本実施形態における引き出し電極Ｗ１１１の構成・機能は、第３の実施形態における引き出し電極Ｗ１１１Ａの構成・機能と同様である。
（７．引き出し電極Ｗ１１２）
　本実施形態における引き出し電極Ｗ１１２の構成・機能は、第３の実施形態における引き出し電極Ｗ１１２Ａの構成・機能と同様である。
　［第５の実施形態］
　図９は、本実施形態に係る、共振子１０の構造の一例を概略的に示す平面図である。以下に、本実施形態に係る共振子１０の各構成のうち、第１の実施形態との差異点について説明する。本実施形態に係る共振子１０は、第１の実施形態で説明した構成に加えバスバーＢ１２１ｍ、Ｂ１２２ｍ、及び配線Ｗ１２１ｅ、Ｗ１２１ｆ、Ｗ１２１ｋ、Ｗ１２２ｅ、Ｗ１２２ｆ、Ｗ１２２ｋを備えている。
（１．振動部１２０）
　本実施形態における振動部１２０の構成・機能は、第４の実施形態における振動部１２０の構成・機能と同様である。
（２．保持部１１）
　本実施形態における保持部１１の構成・機能は、第２実施形態における保持部１１の構成・機能と同様である。
（３．保持ユニット１１１、１１２）
　本実施形態では、保持ユニット１１１は、枠体１１ｃと振動部１２０とを接続する。
　保持ユニット１１１は腕１１１ａ、１１１ｂ、１１１ｃ、１１１ｄ、１１１ｍ、１１１ｇ、１１１ｆ及びノード生成部１３０Ａを有している。
　ノード生成部１３０Ａは、振動部１２０における長辺（枠体１１ｃ側）と、保持部１１における枠体１１ｃとの間の領域に設けられる。ノード生成部１３０Ａは、腕１１１ｍの長辺と対向する辺１３１ａを有し、当該辺１３１ａにおいて、腕１１１ｆに接続されている。また、辺１３１ａは、腕１１１ｍの長辺に対して一定間隔で、略平行に設けられる。ノード生成部１３０Ａは、腕１１１ｆによって腕１１１ｍに接続され、腕１１１ｇによって保持部１１に接続されている。
　ノード生成部１３０Ａは、Ｘ軸方向に沿った幅が、腕１１１ｆから腕１１１ｇへと向かうにつれて狭まる形状を有する。また、ノード生成部１３０Ａは、辺１３１ａの垂直二等分線に対して、線対称の形状を有する。ノード生成部１３０Ａは、Ｘ軸方向に沿った幅が最大となる箇所を、Ｙ軸方向における中心よりも腕１１１ｆ側に有している。本実施形態においては、ノード生成部１３０ＡのＸ軸方向に沿った幅は、辺１３１ａにおいて最大であり、腕１１１ｆから腕１１１ｇへと向かうにつれて、徐々に狭くなり、ノード生成部１３０Ａの頂点と腕１１１ｇとの接続箇所において、最も狭くなる。なお、ノード生成部１３０ＡのＸ軸方向に沿った幅は、連続的に狭まる必要はなく、例えば、段階的に狭まったり、一部に広がる部分を有していたりしても、全体として徐々に狭まっていればよい。また、ノード生成部１３０Ａの周縁は、滑らかな形状に限らず、凹凸を有しても良い。
　本実施形態において、ノード生成部１３０Ａは、辺１３１ａを直径とする半径３０μｍ程度の半円の形状をしている。この場合、ノード生成部１３０Ａの円弧を形成する円の中心は、辺１３１ａの中心に位置する。なお、ノード生成部１３０Ａの円弧を形成する円の中心は、腕１１１ｍの中心に位置しても良い。
　また、辺１３１ａは、直線形状に限らず円弧形状でもよい。この場合、腕１１１ｆは、辺１３１ａの頂点と接続される。さらにこの場合、辺１３１ａの円弧を形成する円の中心は、腕１１１ｆ側に位置しても良いし、腕１１１ｇ側に位置しても良い。辺１３１ａの長さは、腕１１１ｆのＸ軸方向に沿った幅よりも大きく、振動部１２０の長辺よりも小さいことが好ましい。
　本実施形態における腕１１１ａ、１１１ｂ、１１１ｃ、１１１ｄ、１１１ｍの構成・機能は、第４の実施形態における腕１１１ａ、１１１ｂ、１１１ｃ、１１１ｄ、１１１ｍの構成・機能と同様である。
　腕１１１ｆは、本実施形態において、略矩形の形状をしている。腕１１１ｆは、一端が腕１１１ｍの長辺における中央付近に接続されており、そこからノード生成部１３０Ａに向かって、腕１１１ｍの長辺に対して略垂直に延びている。腕１１１ｆの他端は、ノード生成部１３０Ａの辺１３１ａに接続している。本実施形態においては、腕１１１ｆのＸ軸方向に沿った幅は１０μｍ程度である。
　腕１１１ｇは、略矩形の形状をしている。腕１１１ｇは、一端がノード生成部１３０ＡにおけるＸ軸方向に沿った幅が最も狭まる箇所に接続されている。腕１１１ｇの他端は、保持部１１における、ノード生成部１３０Ａに対向する領域に接続している。腕１１１ｇのＸ軸方向に沿った幅は、腕１１１ｆの幅以下であることが好ましい。腕１１１ｇの幅を腕１１１ｆの幅よりも小さくすることで、ノード生成部１３０Ａから保持部１１へと振動が伝搬されることを抑制することができる。なお、本実施形態においては、腕１１１ｇのＸ軸方向に沿った幅は、腕１１１ｆの幅よりも小さく、５μｍ程度である。
　本実施形態における保持ユニット１１１のノード生成部１３０Ａは、Ｘ軸方向に沿った幅が、腕１１１ｆから腕１１１ｇへ向かうにつれて徐々に狭まっている構造である。このため、振動部１２０から伝搬される振動の伝搬状態が変化した場合であっても、ノード生成部１３０Ａには、振動による変位が大きい部位に隣接して変位が小さい部位が形成される。これによって、ノード生成部１３０Ａは、振動部１２０から漏えいした振動に対し、変位部位を調整して、ノード生成部１３０Ａ上に振動のノードを形成することができる。ノード生成部１３０Ａは、この形成されたノードにおいて、腕１１１ｇに接続されることによって、振動部１２０から保持部１１への振動の伝搬を抑制することができる。この結果、共振子１０のアンカーロスを低減させることができ、Ｑ値を向上させることができる。
　他方、本実施形態では、保持ユニット１１２は、枠体１１ｄと振動部１２０とを接続する。保持ユニット１１２は腕１１２ａ、１１２ｂ、１１２ｃ、１１２ｄ、１１２ｍ、１１２ｇ、１１２ｆ及びノード生成部１３０Ｂを有している。
　腕１１２ｆの構成・機能は、腕１１１ｆの構成・機能と同様であり、腕１１２ｇの構成・機能は腕１１１ｇの構成・機能と同様であり、さらに、ノード生成部１３０Ｂの構成・機能はノード生成部１３０Ｂの構成・機能と同様である。
　また、本実施形態におけるは腕１１２ａ、１１２ｂ、１１２ｃ、１１２ｄ、１１２ｍの構成・機能は、第４の実施形態におけるは腕１１２ａ、１１２ｂ、１１２ｃ、１１２ｄ、１１２ｍの構成・機能と同様である。
（４．バスバーＢ１２１ｍ、Ｂ１２２ｍ）
　本実施形態におけるバスバーＢ１２１ｍ、Ｂ１２２ｍの構成・機能は、第４の実施形態におけるバスバーＢ１２１ｍ、Ｂ１２２ｍの構成・機能と同様である。
（５．配線Ｗ１２１ｅ、Ｗ１２１ｆ、Ｗ１２１ｋ、Ｗ１２２ｅ、Ｗ１２２ｆ、Ｗ１２２ｋ）
　本実施形態における配線Ｗ１２１ｅ、Ｗ１２１ｆ、Ｗ１２２ｅ、Ｗ１２２ｆの構成・機能は、第４の実施形態における配線Ｗ１２１ｅ、Ｗ１２１ｆ、Ｗ１２２ｅ、Ｗ１２２ｆの構成・機能と同様である。
　配線Ｗ１２１ｋは、バスバーＢ１２１ｍに接続され、そこからノード生成部１３０Ａの辺１３１ａにおける垂直二等分線に沿って、腕１１１ｆから腕１１１ｇに亘って形成される。なお、配線Ｗ１２２ｋの構成は、配線Ｗ１２１ｋの構成と同様である。
（６．引き出し電極Ｗ１１１）
　本実施形態における引き出し電極Ｗ１１１は、枠体１１ｃから当該枠体１１ｃに対して略垂直な方向に延び、そこから腕１１１ｇからノード生成部１３０Ａにおける辺１３１ａに亘って形成される。引き出し電極Ｗ１１１は、ノード生成部１３０Ａにおける、辺１３１ａと腕１１１ｆとの接続箇所付近において、配線Ｗ１２１ｋに接続される。引き出し電極Ｗ１１１と配線Ｗ１２１ｋとは、辺１３１ａと腕１１１ｆとの接続箇所付近に、保護膜２３５を貫通するように形成されたビアＶ１１１ａを介して接続される。
　なお、引き出し電極Ｗ１１１は、枠体１１ｃから、ノード生成部１３０Ａと腕１１１ｇとの接続箇所付近に亘って形成される構成でもよい。この場合、引き出し電極Ｗ１１１と配線Ｗ１２１ｋとは、ノード生成部１３０Ａと腕１１１ｇとの接続箇所付近に、保護膜２３５を貫通するように形成されたビアＶ１１１ａを介して接続される。
　また、引き出し電極Ｗ１１１は、枠体１１ｃから、腕１１１ｆと腕１１１ｍの接続箇所付近に亘って形成される構成でもよい。この場合、引き出し電極Ｗ１１１と配線Ｗ１２１ｋとは、腕１１１ｆと腕１１１ｍの接続箇所付近に、保護膜２３５を貫通するように形成されたビアＶ１１１ａを介して接続される。
　その他の引き出し電極Ｗ１１１の構成・機能は第１の実施形態と同様である。
（７．引き出し電極Ｗ１１２）
　本実施形態における引き出し電極Ｗ１１２の構成・機能は、本実施形態における引き出し電極Ｗ１１１の構成・機能と同様である。
　以上説明した各実施形態は、本発明の理解を容易にするためのものであり、本発明を限定して解釈するためのものではない。本発明は、その趣旨を逸脱することなく、変更／改良され得るととともに、本発明にはその等価物も含まれる。即ち、各実施形態に当業者が適宜設計変更を加えたものも、本発明の特徴を備えている限り、本発明の範囲に包含される。例えば、各実施形態が備える各要素およびその配置、材料、条件、形状、サイズなどは、例示したものに限定されるわけではなく適宜変更することができる。また、各実施形態は例示であり、異なる実施形態で示した構成の部分的な置換または組み合わせが可能であることは言うまでもなく、これらも本発明の特徴を含む限り本発明の範囲に包含される。
　１０　　　　　　　　　　　　　　共振子
　１１　　　　　　　　　　　　　　保持部
　１１ａ～ｄ　　　　　　　　　　　枠体
　１１１　　　　　　　　　　　　　保持ユニット
　１１１ａ、１１１ｂ、１１１ｎ　　　腕
　１１２　　　　　　　　　　　　　　保持ユニット
　１１２ａ、１１２ｂ、１１２ｎ　　　腕
　１２０　　　　　　　　　　　　　　振動部
　１２１～１２５　　　　　　　　　　上部電極
　１２８　　　　　　　　　　　　　　圧電薄膜
　１２９　　　　　　　　　　　　　　下部電極
　１３０　　　　　　　　　　　　　　Ｓｉ基板
　２３５　　　　　　　　　　　　　　保護膜
　２３６　　　　　　　　　　　　　　調整膜
　Ｂ１２１、Ｂ１２２　　　　　　　　バスバー
　Ｗ１１１、Ｗ１１２　　　　　　　　引き出し電極
　Ｖ１１１、Ｖ１１１ａ、Ｖ１１１ｂ　ビア
　Ｖ１１２、Ｖ１１２ａ、Ｖ１１２ｂ　ビア

Claims (5)

  1. 　第１の電極及び第２の電極と、当該第１の電極と前記第２の電極との間に形成される圧電膜と、を有する振動部と、
    　前記振動部を囲むように設けられた、保持部と、
    　前記振動部と前記保持部とを接続する、互いに対向して設けられた１対の保持ユニットと、
    　前記保持部から前記保持ユニットに亘って形成された引き出し電極と、
    を備え、
    　前記第１の電極または前記第２の電極は、前記保持ユニットへ亘って形成され、前記保持ユニット上で前記引き出し電極と接続されており、
    　前記引き出し電極の単位面積あたりの電気抵抗値は、前記保持ユニットへ亘って形成された前記第１の電極または前記第２の電極の単位面積当たりの電気抵抗値よりも小さい、共振子。
  2. 　前記保持ユニットは、
    　前記保持ユニットへ亘って形成された前記第１の電極または前記第２の電極の上に、絶縁体の保護膜をさらに有し、
    　前記引き出し電極は、
    　前記保護膜を貫通するビアを介して、前記保持ユニットへ亘って形成された前記第１の電極または前記第２の電極と接続することを特徴とする請求項１に記載の共振子。
  3. 　前記第１の電極及び前記第２の電極の双方とも、前記保持ユニットへ亘って形成され、
    　前記引き出し電極は、前記第１の電極または前記第２の電極と接続することを特徴とする請求項２に記載の共振子。
  4. 　前記保持ユニットは、
    　前記振動部の１辺と略平行な方向に設けられる第１腕と、
    　前記第１腕と略垂直な方向に設けられ、前記第１腕と振動部とを接続する第２腕と、
    　を有し、
    　前記引き出し電極は、
    　前記第１腕と前記第２腕との接続点において、ビアを介して前記第１の電極または前記第２の電極と接続することを特徴とする請求項１～３いずれか一項に記載の共振子。
  5. 　前記保持ユニットは、
    　前記振動部の１辺と略平行な方向に設けられる１対の第１腕と、前記１対の第１腕と略垂直な方向に設けられ、その両端で当該１対の第１腕の両端と接続する、１対の第２腕と、から形成される振動緩衝部
    を備え、
    　前記引き出し電極は、
    　前記振動緩衝部の、前記第１腕と１対の第２腕との接続点において、ビアを介して第１の電極または第２の電極と接続されることを特徴とする請求項１～３いずれか一項に記載の共振子。
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