WO2015190479A1 - 仮接着用積層体、仮接着用積層体の製造方法およびデバイスウェハ付き積層体 - Google Patents

仮接着用積層体、仮接着用積層体の製造方法およびデバイスウェハ付き積層体 Download PDF

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thermoplastic resin
device wafer
laminate
support
resin film
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義貴 加持
一郎 小山
悠 岩井
沢野　充
中村　敦
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富士フイルム株式会社
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Definitions

  • the present invention relates to a temporary bonding laminate, a method for producing a temporary bonding laminate, and a laminate with a device wafer. More specifically, the present invention relates to a temporary bonding laminate, a method for manufacturing a temporary adhesion laminate, and a laminate with a device wafer, which can be preferably used for manufacturing a semiconductor device or the like.
  • a large number of IC chips are formed on a device wafer and separated by dicing.
  • IC chips mounted on electronic equipment are also required to be downsized and highly integrated. High integration of integrated circuits in the plane direction is approaching its limit.
  • a wire bonding method As an electrical connection method from an integrated circuit in an IC chip to an external terminal of the IC chip, a wire bonding method has been widely known.
  • a device wafer In order to reduce the size of an IC chip, a device wafer is used.
  • a method of forming a through hole and connecting a metal plug as an external terminal to an integrated circuit so as to penetrate the through hole (a method of forming a so-called silicon through electrode (TSV)) is known.
  • TSV silicon through electrode
  • a technique for improving the degree of integration per unit area of a device wafer by multilayering integrated circuits in an IC chip is known.
  • the multilayered integrated circuit increases the thickness of the IC chip, it is necessary to reduce the thickness of the members constituting the IC chip.
  • thinning of a device wafer is being considered as a thinning of such a member, which not only leads to the miniaturization of an IC chip, but also saves the manufacturing process of a through hole of a device wafer in the production of a silicon through electrode. Because it is possible, it is considered promising.
  • thinning of semiconductor devices such as power devices and image sensors has been attempted from the viewpoint of improving the degree of integration and increasing the degree of freedom of the device structure.
  • a device wafer having a thickness of about 700 to 900 ⁇ m is widely known, but in recent years, for the purpose of reducing the size of an IC chip, the thickness of the device wafer has been reduced to 200 ⁇ m or less. Has been tried. However, since a device wafer having a thickness of 200 ⁇ m or less is very thin and a semiconductor device manufacturing member based on the device wafer is also very thin, such a member may be further processed, or When the member is simply moved, it is difficult to support the member stably and without damage.
  • the wafer is supported by a support layer system, and a plasma polymer layer obtained by a plasma deposition method is interposed as a separation layer between the wafer and the support layer system.
  • the adhesive bond between the support layer system and the separation layer is made larger than the bond bond between the wafer and the separation layer, so that the wafer can be easily detached from the separation layer when the wafer is detached from the support layer system.
  • a technique configured to be separated is also known (see Patent Document 2).
  • a pressure-sensitive adhesive film made of syndiotactic 1,2-polybutadiene and a photopolymerization initiator and having an adhesive force that changes by irradiation with radiation is known (see Patent Document 6). Further, the support substrate and the device wafer are temporarily bonded with an adhesive made of polycarbonate, and the device wafer is processed, irradiated with irradiation radiation, and then heated to process the device wafer. A technique for detaching the substrate from the support substrate is known (see Patent Document 7).
  • the support substrate and the device wafer are temporarily bonded with two layers with different softening points, and after processing the device wafer, the support substrate and the device wafer are detached by heating and sliding laterally.
  • the technique to do is known (refer patent document 8).
  • Patent Document 9 discloses a cycloolefin polymer, at least one of a silicone structure, a fluorinated alkyl group structure, a fluorinated alkenyl structure and an alkyl structure having 8 or more carbon atoms, a polyoxyalkylene structure, and phosphoric acid. It is disclosed that a support and a substrate are temporarily fixed via a temporary fixing material including a compound having a structure having a group and a structure having at least one of a structure having a sulfo group.
  • Patent Document 10 discloses that a device wafer and a support are bonded using an adhesive composition containing a styrene unit as a main chain constituent unit and a wax.
  • Patent Document 11 includes a step of temporarily fixing a device wafer to a support member by interposing a temporary fixing film including a specific polyimide resin between the support member and the device wafer, and a temporary fixing to the support member.
  • a method of manufacturing a semiconductor device including a step of dividing a processed device wafer into individual pieces.
  • Patent Document 12 an adhesive layer is applied and formed on the device surface of a device wafer, and a release layer containing a fluorinated silane compound is applied and formed on the surface of the support. It is disclosed that the release layer is bonded to bond the device wafer and the support.
  • Patent Document 13 discloses (A) a perfluoro compound having at least two alkenyl groups in the molecule and a divalent perfluoroalkylene or divalent perfluoropolyether structure in the main chain, (B ) A fluorine-based elastomer comprising a cured product containing a compound having at least two hydrosilyl groups in the molecule and capable of addition reaction with an alkenyl group, (C) an addition reaction catalyst, and (D) an addition reaction control agent.
  • the electronic component and the base material are detachably held.
  • the surface of the device wafer provided with the device (that is, the device surface of the device wafer) and the support substrate (carrier substrate) are temporarily bonded via a layer made of an adhesive known in Patent Document 1 or the like.
  • the adhesive layer is required to have a certain level of adhesive force in order to stably support the device wafer. Therefore, in the case where the entire device surface of the device wafer and the support are temporarily bonded via an adhesive layer, the device wafer is detached from the support because the temporary bonding between the device wafer and the support is too strong. At this time, the device is likely to be damaged or the device is detached from the device wafer.
  • a plasma polymer layer as a separation layer is formed between the wafer and the support layer system by a plasma deposition method.
  • the forming method is (1) the equipment cost for carrying out the plasma deposition method is usually high; (2) the layer formation by the plasma deposition method requires time for vacuuming and monomer deposition in the plasma apparatus; and (3) Even when a separation layer composed of a plasma polymer layer is provided, when supporting a wafer to be processed, the wafer is released from support while the adhesive bond between the wafer and the separation layer is sufficient. In such a case, it is not easy to control the adhesive bond so that the wafer is easily detached from the separation layer;
  • Patent Document 9 when the adhesive of Patent Document 9 is used as a temporary fixing material, there is a problem that the device is easily damaged when the device wafer is peeled because the peelability is insufficient. Moreover, the adhesive layer was likely to remain on the device wafer side.
  • Patent Document 10 an adhesive composition is applied to a device wafer or the like to form an adhesive layer. For this reason, when the support was peeled from the device wafer, the adhesive layer easily remained on the device wafer side. Moreover, in the method disclosed in Patent Document 10, the peelability of the support from the device wafer was insufficient.
  • the present invention has been made in view of the above-described background, and the object thereof is to provide a temporary bonding laminate capable of easily releasing temporary bonding between a device wafer and a support, a method for manufacturing a temporary bonding laminate, and a device wafer.
  • the object is to provide a laminated body.
  • the present inventors have a thermoplastic resin film and a layer containing a release agent selected from a compound having a siloxane bond and a compound having a silicon atom and a fluorine atom. Then, when a laminate for temporary bonding having at least a layer containing a release agent in a region corresponding to the device surface, which is the surface on the device side of the thermoplastic resin film, is used, the device wafer and the support body with high adhesive force was found to be capable of being temporarily bonded, and the temporary bonding between the device wafer and the support could be easily released, and the present invention was completed.
  • the present invention provides the following.
  • a laminate for temporary bonding used for temporarily bonding a device surface of a device wafer and a support so as to be peelable
  • the laminate for temporary adhesion has a thermoplastic resin film, a layer containing a release agent selected from a compound having a siloxane bond and a compound having a silicon atom and a fluorine atom, and is provided on the device side of the thermoplastic resin film. At least a layer containing a release agent in a region corresponding to the device surface, After temporarily bonding the device wafer and the support body to the temporary bonding laminate, the laminate including at least the support body and the thermoplastic resin film is peeled from the device when the support body is peeled from the device surface of the device wafer.
  • thermoplastic resin film includes a thermoplastic resin having a glass transition point of 50 to 400 ° C.
  • thermoplastic resin film is selected from thermoplastic polyimide, polystyrene elastomer, polyester elastomer, polyamide elastomer, polyether ether ketone, polyphenylene ether, modified polyphenylene ether, polyether sulfone, polyacetal resin and cycloolefin polymer.
  • ⁇ 4> The laminate for temporary bonding according to any one of ⁇ 1> to ⁇ 3>, wherein the 1% weight reduction temperature of the thermoplastic resin film raised from 25 ° C. at 20 ° C./min is 250 ° C. or more. . ⁇ 5>
  • the layer containing a release agent has a water contact angle of 30 ° or more measured under conditions of heating to 250 ° C. for 2 hours and then cooling to 25 ° C., any one of ⁇ 1> to ⁇ 5>
  • ⁇ 7> The temporary adhesive laminate according to any one of ⁇ 1> to ⁇ 6>, wherein the release agent is a silane coupling agent having a silicon atom and a fluorine atom.
  • the release agent is a compound having a silicon atom and a fluorine atom, and the fluorine atom content is 20 to 80%. body.
  • the release agent is a silicone resin that can be baked onto a thermoplastic resin film by heating at 150 ° C. or higher.
  • a method for producing a temporary adhesive laminate comprising a step of forming a layer containing a release agent selected from a compound having a siloxane bond and a compound having a silicon atom and a fluorine atom on the surface of a thermoplastic resin film.
  • a temporary bonding laminate capable of easily releasing the temporary bonding between the device wafer and the support, a method for manufacturing the temporary bonding laminate, and a laminate with a device wafer.
  • substitution and non-substitution includes what does not have a substituent and what has a substituent.
  • the “alkyl group” includes not only an alkyl group having no substituent (unsubstituted alkyl group) but also an alkyl group having a substituent (substituted alkyl group).
  • Actinic light” or “radiation” in the present specification means, for example, those including visible light, ultraviolet rays, far ultraviolet rays, electron beams, X-rays and the like. In this specification, “light” means actinic rays or radiation.
  • exposure is not limited to exposure with far-ultraviolet rays such as mercury lamps, ultraviolet rays, and excimer lasers, X-rays, EUV light, etc., but also particle beams such as electron beams and ion beams. It also means drawing with.
  • (meth) acrylate represents acrylate and methacrylate
  • (meth) acryl represents acrylic and methacryl
  • (meth) acryloyl” represents “acryloyl” and “methacryloyl”. Represents.
  • a weight average molecular weight and a number average molecular weight are defined as a polystyrene conversion value by gel permeation chromatography (GPC) measurement.
  • the weight average molecular weight (Mw) and the number average molecular weight (Mn) are, for example, using HLC-8220 (manufactured by Tosoh Corporation) and using TSKgel Super AWM-H (manufactured by Tosoh Corporation) as a column.
  • 6.0 mm ID ⁇ 15.0 cm can be determined by using a 10 mmol / L lithium bromide NMP (N-methylpyrrolidinone) solution as an eluent.
  • the members and the like described in the drawings already referred to are denoted by the same or corresponding reference numerals in the drawings, and the description is simplified or omitted.
  • the laminated body for temporary bonding of the present invention is a laminated body for temporary bonding that is used for temporarily bonding the device surface of a device wafer and a support so as to be peelable, and the laminated body for temporary bonding is a thermoplastic resin film. And a layer containing a release agent selected from a compound having a siloxane bond and a compound having a silicon atom and a fluorine atom, and is a surface on the device side of the thermoplastic resin film, the region corresponding to the device surface
  • the laminate for temporary bonding has a support and a thermoplastic resin when the support is peeled off from the device surface of the device wafer after temporarily bonding the device wafer and the support.
  • a laminate including at least a film is peeled from the device.
  • the layer containing a release agent is also referred to as a release layer.
  • the temporary bonding laminate of the present invention is the device-side surface of the thermoplastic resin film and has the release layer in a region corresponding to the device surface, so that temporary bonding between the device wafer and the support can be easily performed. Can be released and has excellent peelability. Further, the release layer is formed on the surface of the thermoplastic resin film, and the surface of the thermoplastic resin film is excellent in flatness, so that the release layer can be formed with a substantially uniform film thickness. . That is, when the temporary adhesion laminate is formed by spin coating, outgassing due to residual solvent, wrinkles due to drying shrinkage, and thickening of the periphery due to edge beads, etc. occur. However, what is molded as a film is used as the temporary adhesion laminate.
  • thermoplastic resin film is less likely to be in direct contact with the device surface, and more excellent peelability can be achieved. Therefore, after temporarily bonding the device wafer and the support, when the support is peeled from the device surface of the device wafer, the laminate including at least the support and the thermoplastic resin film is peeled from the device.
  • the thermoplastic resin film does not remain on the side, and it is possible to simplify the trouble of cleaning the device wafer after releasing the temporary adhesion between the device wafer and the support.
  • the thermoplastic resin is softened by heating when the device wafer and the support are pressure-bonded.
  • the device surface of the device wafer and the support are temporarily bonded so as to be peelable means that the device wafer and the support are temporarily bonded and integrated (a laminated body with a device wafer) ) Means to release the temporary adhesion state between the device wafer and the support and separate them.
  • the temporary adhesive state is preferably released by mechanical peeling.
  • the surface on the device side of the thermoplastic resin film and corresponding to the device surface means that the device surface of the device wafer and the support are temporarily bonded.
  • the surface on the device wafer side of the stacked body is a region in contact with the device surface of the device wafer.
  • the laminate for temporary bonding according to the present invention is a device in which the laminate including at least the support and the thermoplastic resin film is used when the support is peeled off from the device surface of the device wafer after temporarily bonding the device wafer and the support. Is to be peeled off.
  • the peeling between the two may be peeling at the interface between the device surface and the release layer, or may be peeling at the interface between the release layer and the thermoplastic resin film. Peeling may be used. That is, the peeling residue of the release layer may adhere to the device surface of the device wafer after peeling the support from the device wafer.
  • the peeling residue of a thermoplastic resin film is not adhering in 99% or more of the area of a device surface.
  • the “laminated body including at least the support and the thermoplastic resin film” is preferably formed by laminating the entire surface of the thermoplastic resin film on the support, but a part of the thermoplastic resin film (preferably the thermoplastic resin). 10% or less of the area of the film, more preferably 5% or less) may be peeled off from the support.
  • the “release layer release residue” means a release agent contained in the release layer.
  • the “peeling residue of the thermoplastic resin film” means a thermoplastic resin contained in the thermoplastic resin film.
  • the release residue of the release layer and the release residue of the thermoplastic resin film can be observed visually, with an optical microscope, a scanning electron microscope, or the like. In the present invention, the release surface is visually observed and measured.
  • a laminate including at least a support and a thermoplastic resin film does not require the entire surface of the thermoplastic resin film to be bonded to the support, and a part of the thermoplastic resin film is bonded to the support. It does not have to be.
  • the laminated body for temporary adhesion of this invention is demonstrated concretely.
  • the thermoplastic resin film may be a thermoplastic resin processed into a film shape by a technique such as injection molding, extrusion molding, or coating. Since the thermoplastic resin film is used to deform following the shape of a chip or the like on the device wafer, the adhesion between the device wafer and the support is good. Furthermore, the support and the device wafer can be temporarily bonded without generating voids.
  • the average thickness of the thermoplastic resin film is not particularly limited, but is preferably 0.1 to 500 ⁇ m, more preferably 0.1 to 300 ⁇ m, and still more preferably 1 to 150 ⁇ m.
  • the average thickness of the thermoplastic resin film is in the above range, the flatness is good and the film can be uniformly bonded to the device surface of the device wafer. Furthermore, an increase in outgas during processing after temporary bonding and a shift during bonding are less likely to occur.
  • the average thickness of the thermoplastic resin film is the thickness at five locations at equal intervals from one end surface to the other end surface in a section along one direction of the thermoplastic resin film. , Defined as the average value of values measured with a micrometer.
  • the “cross section along one direction of the thermoplastic resin film” is a cross section orthogonal to the long side direction when the thermoplastic resin film has a polygonal shape. Moreover, when a thermoplastic resin film is square shape, it is set as the cross section orthogonal to any one side. Moreover, when a thermoplastic resin film is circular or elliptical, it is set as the cross section which passes a gravity center. In the section of the thermoplastic resin film along one direction, the difference between the maximum film thickness and the minimum film thickness is preferably 10% or less of the average film thickness, and preferably 5% or less. More preferred.
  • the 1% weight loss temperature of the thermoplastic resin film raised from 25 ° C. at 20 ° C./min is preferably 250 ° C. or higher, more preferably 300 ° C. or higher, and further preferably 350 ° C. or higher. If the 1% weight loss temperature of the thermoplastic resin film is 250 ° C. or higher, the decomposition of the thermoplastic resin can be suppressed even when the device wafer is exposed to a high temperature during mechanical or chemical treatment, and voids are generated. Can be effectively suppressed.
  • the weight reduction temperature is a value measured under the above temperature rising condition in a nitrogen stream by a thermogravimetric apparatus (TGA).
  • the solvent content of the thermoplastic resin film is preferably 5% by mass or less, more preferably 1% by mass or less, and particularly preferably not contained. According to this aspect, outgas can be suppressed and generation of voids when heated in a temporarily bonded state can be prevented.
  • the solvent content of the thermoplastic resin film can be measured by a gas chromatograph (GC).
  • the thermoplastic resin film preferably contains a thermoplastic resin.
  • the thermoplastic resin is at least one selected from thermoplastic polyimide, polystyrene elastomer, polyester elastomer, polyamide elastomer, polyether ether ketone, polyphenylene ether, modified polyphenylene ether, polyether sulfone, polyacetal resin and cycloolefin polymer. Is preferred.
  • thermoplastic polyimide is more preferable.
  • a thermoplastic resin may be used individually by 1 type, and 2 or more types may be mixed and used for it.
  • the thermoplastic resin film containing the thermoplastic resin can follow the fine irregularities of the device wafer, and can achieve excellent adhesion without generating voids.
  • the thermoplastic resin is a resin that softens at 150 to 350 ° C.
  • the storage elastic modulus at 25 ° C. is preferably 10 4 to 10 12 Pa, and 10 5 to 10 11 Pa. More preferably, it is 10 6 to 10 10 Pa.
  • the storage elastic modulus at 150 to 300 ° C. is preferably 10 2 to 10 7 Pa, more preferably 10 1 to 10 6 Pa, and most preferably 10 0 to 10 5 Pa.
  • the storage elastic modulus is a value measured with a dynamic viscoelasticity measuring device (DMA).
  • DMA dynamic viscoelasticity measuring device
  • the glass transition temperature (hereinafter also referred to as Tg) of the thermoplastic resin is preferably 50 to 400 ° C, more preferably 75 to 400 ° C, and still more preferably 110 to 350 ° C. If the Tg is within the above range, the thermoplastic resin film softens during the temporary bonding between the device wafer and the support, follows the fine irregularities of the device wafer, and has excellent adhesion without causing voids. Can be achieved. When the thermoplastic resin has two or more kinds of Tg, the value of Tg means the lower glass transition point.
  • the melting point of the thermoplastic resin is preferably 100 to 450 ° C, more preferably 120 to 400 ° C.
  • the melting point is in the above range, it can follow the fine irregularities of the device wafer and can achieve excellent adhesion without causing voids.
  • the melting point value means the lower melting point.
  • the weight average molecular weight of the thermoplastic resin is preferably 2,000 to 200,000, more preferably 10,000 to 200,000, and most preferably 50,000 to 100,000. By being in this range, heat resistance can be improved.
  • thermoplastic polyimide those obtained by subjecting tetracarboxylic dianhydride and diamine to a condensation reaction by a known method can be used.
  • Known methods include, for example, a method of dehydrating and ring-closing the polyamic acid obtained by mixing approximately equimolar amounts of tetracarboxylic dianhydride and diamine in an organic solvent and reacting at a reaction temperature of 80 ° C. or lower. It is done.
  • substantially equimolar means that the molar ratio of tetracarboxylic dianhydride and diamine is close to 1: 1.
  • the composition ratio of tetracarboxylic dianhydride and diamine is 0.5 to 2.0 mol of diamine with respect to 1.0 mol of tetracarboxylic dianhydride in total. You may adjust as follows. By adjusting the composition ratio of tetracarboxylic dianhydride and diamine within the above range, the weight average molecular weight of the polyimide resin can be adjusted.
  • thermoplastic polyimide resin examples include those having a repeating structural unit represented by the following general formula (1).
  • X is a direct bond, —SO 2 —, —CO—, —C (CH 3 ) 2 —, —C (CF 3 ) 2 — or —S—
  • R 1 , R 2 , R 3 and R 4 are each independently a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, an alkoxy group, a halogenated alkyl group, a halogenated alkoxy group, or a halogen atom
  • Y is represented by the following formula (2): A group selected from the group consisting of
  • thermoplastic polyimide resin having a repeating structural unit represented by the general formula (1) is an organic solvent using an ether diamine of the following general formula (3) and a tetracarboxylic dianhydride of the following general formula (4) as raw materials. Can be produced by chemically or thermally imidizing the resulting polyamic acid.
  • R 1 , R 2 , R 3 and R 4 each have the same meaning as the symbol in the formula (1).
  • Y has the same meaning as the symbol in the general formula (1).
  • R 1 , R 2 , R 3 and R 4 include a hydrogen atom, an alkyl group such as a methyl group and an ethyl group, a methoxy group and an ethoxy group.
  • alkyl group such as a methyl group and an ethyl group
  • methoxy group and an ethoxy group examples thereof include halogenated alkyl groups such as alkoxy groups, fluoromethyl groups and trifluoromethyl groups, halogenated alkoxy groups such as fluoromethoxy groups, and halogen atoms such as chlorine atoms and fluorine atoms.
  • it is a hydrogen atom.
  • X in the formula is a direct bond, —SO 2 —, —CO—, —C (CH 3 ) 2 —, —C (CF 3 ) 2 — or —S—, preferably a direct bond, — SO 2 —, —CO—, —C (CH 3 ) 2 —.
  • Y is represented by formula (2), and preferably pyromellitic dianhydride is used as the acid dianhydride.
  • thermoplastic polyimide resin preferably has a repeating structural unit represented by the following formula (5).
  • thermoplastic polyimide resin a thermoplastic polyimide resin having a repeating structural unit represented by the following formulas (6) and (7) is also preferable.
  • m and n mean the molar ratio of each structural unit (not necessarily a block polymer), and m / n is 4 to 9, more preferably 5 to 9, The number is preferably in the range of 6-9.
  • thermoplastic polyimide resin having the repeating structural unit of the formula (6) and the formula (7) is reacted with the corresponding ether diamine and tetracarboxylic dianhydride as raw materials in the presence or absence of an organic solvent.
  • the obtained polyamic acid can be produced by imidizing chemically or thermally. These specific manufacturing methods can utilize the conditions of a known polyimide manufacturing method.
  • thermoplastic polyimide resin a thermoplastic polyimide resin having a repeating structural unit represented by the following formula (8) can also be used.
  • thermoplastic polyimide resin having a repeating structural unit of the formula (8) is obtained by reacting a corresponding ether diamine and tetracarboxylic dianhydride as raw materials in the presence or absence of an organic solvent. It can be produced by imidizing the acid chemically or thermally. These specific manufacturing methods can utilize the conditions of a known polyimide manufacturing method.
  • Thermoplastic polyimide resin is excellent in heat resistance.
  • the 1% weight loss temperature of the thermoplastic polyimide resin raised from 25 ° C. at 20 ° C./min is preferably 250 ° C. or higher, more preferably 300 ° C. or higher, and further preferably 350 ° C. or higher.
  • the Tg of the thermoplastic polyimide resin is preferably 200 to 400 ° C, more preferably 250 to 375 ° C, and still more preferably 300 to 350 ° C. If Tg is in the above range, it can follow the fine irregularities of the device wafer and can achieve excellent adhesion without causing voids.
  • thermoplastic polyimide Commercially available products of thermoplastic polyimide include, for example, “Aurum (registered trademark)” manufactured by Mitsui Chemicals, Inc., “Midfil (registered trademark)” manufactured by Kurashiki Boseki Co., Ltd., and “Vespel (registered trademark)” manufactured by DuPont. TP "etc. can be used.
  • Polystyrene Elastomer >>>>>
  • a polystyrene-type elastomer According to the objective, it can select suitably.
  • SBS styrene-butadiene-styrene block copolymer
  • SIS styrene-isoprene-styrene block copolymer
  • SEBS styrene-ethylene-butylene-styrene block copolymer
  • styrene-butadiene-butylene-styrene styrene-butadiene-butylene-styrene.
  • SBBS styrene-ethylene-butylene styrene block copolymer
  • SEBS styrene-ethylene-propylene-styrene block copolymer
  • SEPS styrene-ethylene-ethylene-propylene-styrene block A copolymer etc.
  • the content of repeating units derived from styrene in the polystyrene elastomer is preferably 10 to 90% by mass. From the viewpoint of easy peelability, the lower limit is preferably 25% by mass or more, and more preferably 51% by mass or more.
  • the polystyrene elastomer is preferably a block copolymer of styrene and another resin, more preferably a block polymer of styrene at one or both ends, and a block polymer of styrene at both ends. Is particularly preferred.
  • both ends of the polystyrene-based elastomer are made of a styrene block polymer (a repeating unit derived from styrene)
  • the thermal stability tends to be further improved. This is because a repeating unit derived from styrene having high heat resistance is present at the terminal.
  • the block part of the repeating unit derived from styrene is preferably a reactive polystyrene hard block, which tends to be more excellent in heat resistance and chemical resistance.
  • a reactive polystyrene hard block which tends to be more excellent in heat resistance and chemical resistance.
  • phase-separation by a hard block and a soft block is performed at 200 degreeC or more.
  • the shape of the phase separation is considered to contribute to the suppression of the occurrence of irregularities on the substrate surface of the device wafer.
  • such a resin is more preferable from the viewpoint of solubility in a solvent and resistance to a resist solvent.
  • a repeating unit derived from styrene is a structural unit derived from styrene contained in a polymer when styrene or a styrene derivative is polymerized, and may have a substituent.
  • Examples of the styrene derivative include ⁇ -methylstyrene, 3-methylstyrene, 4-propylstyrene, 4-cyclohexylstyrene, and the like.
  • Examples of the substituent include an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms, an alkoxyalkyl group having 1 to 5 carbon atoms, an acetoxy group, and a carboxyl group.
  • polystyrene elastomers examples include “Septon” (Septon S2104, etc.) manufactured by Kuraray Co., Ltd., “Hibler”, “Tuftec” manufactured by Asahi Kasei Chemicals Corporation, and “Dynalon” manufactured by JSR Co., Ltd. .
  • Polyester elastomer >>>>>
  • a polyester-type elastomer According to the objective, it can select suitably.
  • the dicarboxylic acid include aromatic dicarboxylic acids such as terephthalic acid, isophthalic acid, and naphthalenedicarboxylic acid, and aromatic dicarboxylic acids in which hydrogen atoms of these aromatic nuclei are substituted with methyl groups, ethyl groups, phenyl groups, and the like.
  • Examples thereof include aliphatic dicarboxylic acids having 2 to 20 carbon atoms such as acid, sebacic acid and dodecanedicarboxylic acid, and alicyclic dicarboxylic acids such as cyclohexanedicarboxylic acid. These may be used alone or in combination of two or more.
  • Examples of the diol compound include aliphatic diols such as ethylene glycol, 1,3-propanediol, 1,4-butanediol, 1,6-hexanediol, 1,10-decanediol, 1,4-cyclohexanediol, Examples thereof include alicyclic diols and divalent phenols represented by the following structural formulas.
  • Y DO represents any one of an alkylene group having 1 to 10 carbon atoms, a cycloalkylene group having 4 to 8 carbon atoms, —O—, —S—, and —SO 2 —, or benzene.
  • R DO1 and R DO2 each independently represent a halogen atom or an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms.
  • p do1 and p do2 each independently represent an integer of 0 to 4, and n do1 represents 0 or 1.
  • polyester elastomer examples include bisphenol A, bis- (4-hydroxyphenyl) methane, bis- (4-hydroxy-3-methylphenyl) propane, and resorcin. These may be used alone or in combination of two or more.
  • a multi-block copolymer having an aromatic polyester (for example, polybutylene terephthalate) portion as a hard segment component and an aliphatic polyester (for example, polytetramethylene glycol) portion as a soft segment component should be used. You can also.
  • the multi-block copolymer includes various grades depending on the kind, ratio, and molecular weight of the hard segment and the soft segment. Specific examples include “Primalloy” manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, “Perprene” manufactured by Toyobo Co., Ltd., “Hytrel” manufactured by Toray DuPont Co., Ltd., and the like.
  • Polyamide Elastomer >>>>>
  • a polyamide-type elastomer According to the objective, it can select suitably.
  • an elastomer using a polyamide such as polyamide-6, 11, or 12 as a hard segment and a polyether such as polyoxyethylene, polyoxypropylene, or polytetramethylene glycol and / or polyester as a soft segment may be used.
  • These elastomers are roughly classified into two types: polyether block amide type and polyether ester block amide type. Examples of commercially available products include “Daiamide”, “Vestamide E” manufactured by Daicel Evonik, and “TPAE” manufactured by T & K TOKA.
  • Polyetheretherketone >>>>> The polyether ether ketone can be used without any particular limitation.
  • Polyphenylene ether, modified polyphenylene ether >>>>>
  • the polyphenylene ether or modified polyphenylene ether can be used without any particular limitation.
  • “NORYL” manufactured by SABIC Innovative Plastics Japan “Zylon” manufactured by Asahi Kasei Chemicals Corporation, “Iupiace”, “Remalloy” manufactured by Mitsubishi Engineering Plastics Co., Ltd., “ “Best Run”.
  • Polyethersulfone >>>>>>> Examples of the polyethersulfone include those described in JP-A-2006-89595, JP-A-2004-352920, JP-A-2002-338688, JP-A-07-97447, and JP-A-4-20530. Examples include polyethersulfone. Among polyethersulfones, by using polyethersulfone having an arene structure in the polymer, the crystallinity of the film is increased, and the shear force applied during the processing of device wafers even in a high temperature environment above a certain temperature. Thus, it is easy to obtain a laminate for temporary bonding that can maintain a shearing adhesive force capable of holding a device wafer. Examples of the polyethersulfone having an arene structure include polyethersulfone having a structural unit represented by the formula (IV).
  • R 1 to R 3 are divalent organic groups having an arene structure, provided that the bond in formula (IV) is directly connected to the arene structure in R 1 to R 3 . (That is, —O— and —SO 2 — in —O—R 1 —O—, —O—R 2 —SO 2 — and —SO 2 —R 3 —O— in Formula (IV) are R 1 Is directly connected to the arene structure in R 3 ).
  • R 1 to R 3 may be the same or different.
  • divalent organic group examples include arylene groups such as a phenylene group, a naphthalenediyl group, an anthracenediyl group, and a pyrenediyl group; and two arylene groups such as —C 6 H 4 —C 6 H 4 — A group having a divalent hydrocarbon group between two arylene groups represented by formulas (IV-1) to (IV-3), and the like.
  • the weight average molecular weight (Mw) of the polyethersulfone is preferably 1,000 to 1,000,000, and more preferably 5,000 to 500,000.
  • Mn the number average molecular weight of the polyethersulfone
  • Mw / Mn the molecular weight distribution represented by Mw / Mn is preferably 1 to 5, and more preferably 1 to 3.5.
  • a commercially available product can also be used as the polyethersulfone.
  • “Ultrason E series” (such as Ultrason E6020P) manufactured by BASF
  • “Radel A series” manufactured by Solvay Advanced Polymer manufactured by Solvay Advanced Polymer
  • Sumika Excel PES series manufactured by Sumitomo Chemical Co., Ltd.
  • Solvay Specialty Polymers Japan Co., Ltd For example, “Beradel”.
  • Examples of the “Sumika Excel series” include Sumika Excel (registered trademark) PES 3600P, Sumika Excel (registered trademark) PES 4100P, Sumika Excel (registered trademark) PES 4100MP, Sumika Excel (registered trademark) PES 4800P, Sumika Excel (registered trademark) PES 5003P, SUMIKAEXCEL (registered trademark) PES5200P, SUMIKAEXCEL (registered trademark) PES5400P, and the like.
  • the polyacetal resin can be used without any particular limitation.
  • Cycloolefin polymer >>>>> The cycloolefin polymer can be used without any particular limitation.
  • ZEONEX “ZEONOR” manufactured by Nippon Zeon Co., Ltd.
  • TOPAS manufactured by TOPAS ADVANCED POLYMERS GmbH
  • APEL manufactured by Mitsui Chemicals, Inc.
  • ARTON manufactured by JSR Corporation, etc.
  • the thermoplastic resin film preferably contains the thermoplastic resin in an amount of 50 to 100% by mass, more preferably 70 to 100% by mass, particularly 88 to 100% by mass, based on the total solid content of the thermoplastic resin film. preferable. According to this aspect, it is easy to obtain a temporary adhesion laminate having excellent adhesion and peelability. Only one type of thermoplastic resin may be used, or two or more types may be used. When two or more types of thermoplastic resins are used, the total is preferably within the above range.
  • the thermoplastic resin film may contain an antioxidant from the viewpoint of preventing the polymer component from being lowered in molecular weight or gelled due to oxidation during heating.
  • an antioxidant a phenol-based antioxidant, a sulfur-based antioxidant, a phosphorus-based antioxidant, a quinone-based antioxidant, an amine-based antioxidant, and the like can be used.
  • phenolic antioxidant examples include p-methoxyphenol, 2,6-di-tert-butyl-4-methylphenol, “Irganox (registered trademark) 1010”, “Irganox (registered trademark) 1330” manufactured by BASF, “Irganox (registered trademark) 3114”, “Irganox (registered trademark) 1035”, “Sumilizer (registered trademark) MDP-S” manufactured by Sumitomo Chemical Co., Ltd., “Sumilizer (registered trademark) GA-80” and the like can be mentioned.
  • sulfur-based antioxidant examples include 3,3′-thiodipropionate distearyl, “Sumilizer (registered trademark) TPM”, “Sumilizer (registered trademark) TPS”, and “Sumilizer (registered trademark)” manufactured by Sumitomo Chemical Co., Ltd. TP-D ”and the like.
  • phosphorus antioxidants include tris (2,4-di-tert-butylphenyl) phosphite, bis (2,4-di-tert-butylphenyl) pentaerythritol diphosphite, and poly (dipropylene glycol) phenyl.
  • Examples thereof include phosphite, diphenylisodecyl phosphite, 2-ethylhexyl diphenyl phosphite, triphenyl phosphite, “Irgafos (registered trademark) 168” and “Irgafos (registered trademark) 38” manufactured by BASF.
  • Examples of the quinone antioxidant include p-benzoquinone and 2-tert-butyl-1,4-benzoquinone.
  • Examples of amine-based antioxidants include dimethylaniline and phenothiazine.
  • the antioxidant is preferably Irganox® 1010, Irganox® 1330, 3,3′-thiodipropionate distearyl, Sumilizer® TP-D, Irganox® 1010, Irganox (Registered trademark) 1330 is more preferable, and Irganox (registered trademark) 1010 is particularly preferable.
  • Irganox® 1010 Irganox (Registered trademark) 1330 is more preferable
  • Irganox (registered trademark) 1010 is particularly preferable.
  • Such a combination can be expected to have a synergistic effect of converting hydroperoxide (ROOH), which is a decomposition product, into a stable ROH group while capturing peroxy radicals generated in the process of thermal oxidation.
  • ROOH hydroperoxide
  • the combination of antioxidants includes Irganox® 1010 and Sumilizer® TP-D, Irganox® 1330 and Sumilizer® TP-D, and Sumilizer® GA-80.
  • Sumilizer (R) TP-D are preferred, Irganox (R) 1010, Sumilizer (R) TP-D, Irganox (R) 1330 and Sumilizer (R) TP-D are more preferred, and Irganox (R) Trademark) 1010 and Sumilizer® TP-D are particularly preferred.
  • the molecular weight of the antioxidant is preferably 400 or more, more preferably 600 or more, and particularly preferably 750 or more, from the viewpoint of preventing sublimation during heating.
  • the content of the antioxidant is preferably 0.001 to 20.0% by mass relative to the total solid content of the thermoplastic resin film, and preferably 0.005 to 10. 0 mass% is more preferable.
  • One type of antioxidant may be sufficient and two or more types may be sufficient. When there are two or more kinds of antioxidants, the total is preferably within the above range.
  • the thermoplastic resin film may contain a surfactant.
  • a surfactant various surfactants such as a fluorosurfactant, nonionic surfactant, cationic surfactant, anionic surfactant, and silicone surfactant can be used. Is preferred.
  • the surfactant By containing the surfactant, the liquid properties (particularly fluidity) are improved, and the uniformity of coating thickness and the liquid-saving property can be further improved.
  • the fluorine-containing surfactant preferably has a fluorine content of 3 to 40% by mass, more preferably 5 to 30% by mass, and still more preferably 7 to 25% by mass.
  • a fluorine-based surfactant having a fluorine content within this range is effective in terms of uniformity of coating film thickness and liquid-saving properties. Furthermore, the solubility is also good.
  • fluorosurfactant examples include Megafac F-251, F-281, F-430, F-444, F-477, F-510, F-510, and F- manufactured by DIC Corporation. 552, F-553, F-554, F-555, F-556, F-557, F-558, F-559, F-560, F-561, F-561 562, F-563, F-565, F-567, F-568, F-569, F-570, F-571, R-40, R-41, R- 43, R-94, Sumitomo 3M FC-4430, FC-4432, AGC Seimi Chemical Co., Surflon S-242, S-243, S-386, S-651, S-611, S-420, PF-636, PF-6 manufactured by OMNOVA 6, such as PF-6320, PF-6520, PF-7002 and the like.
  • Nonionic surfactants include glycerol, trimethylolpropane, trimethylolethane and their ethoxylates and propoxylates (eg, glycerol propoxylate, glycerol ethoxylate, etc.), polyoxyethylene lauryl ether, polyoxyethylene stearyl ether, Examples include polyoxyethylene oleyl ether, polyoxyethylene octyl phenyl ether, polyoxyethylene nonyl phenyl ether, polyethylene glycol dilaurate, polyethylene glycol distearate and the like.
  • cationic surfactants EFKA-745 manufactured by Morishita Sangyo Co., Ltd., Polyflow No. manufactured by Kyoeisha Chemical Co., Ltd. 75, no. 90, no. 95 etc. are mentioned.
  • Silicone surfactants include TSF-4440, TSF-4300, TSF-4445, TSF-4460, TSF-4442 manufactured by Momentive Performance Materials Japan GK, KP-341, KF manufactured by Shin-Etsu Silicone Co., Ltd. -6001, KF-6002, BYK-307, BYK-323, BYK-330, etc. manufactured by BYK Chemie Corp.
  • the content of the surfactant is preferably 0.001 to 2.0% by mass with respect to the total solid content of the thermoplastic resin film, and 0.005 to 1. 0 mass% is more preferable. Only one type of surfactant may be used, or two or more types may be used. When two or more surfactants are used, the total is preferably in the above range.
  • the thermoplastic resin film has various additives such as a plasticizer, a compatibilizer, a filler, an adhesion promoter, an ultraviolet absorber, an anti-aggregation agent, and a silane cup within the range that does not impair the effects of the present invention.
  • a ring agent or the like can be blended.
  • the total blending amount is preferably 3% by mass or less based on the total solid content of the thermoplastic resin film.
  • the laminate for temporary bonding of the present invention is a surface selected from a compound having a siloxane bond and a compound having a silicon atom and a fluorine atom in a region corresponding to the device surface of the thermoplastic resin film on the device side. It has a layer containing a mold (release layer).
  • the release agent is preferably a compound having a silicon atom and a fluorine atom. According to this aspect, better peelability can be achieved.
  • the film thickness of the release layer is not particularly limited because an effect can be obtained even if it is a thin film. For example, 0.001 to 1000 nm is preferable, 0.1 to 500 nm is more preferable, and 1 to 100 nm is still more preferable. If it is the said range, it can prevent that a thermoplastic resin film contacts a device wafer directly at the time of temporary adhesion
  • the average thickness of the release layer is determined by ellipsometry in five sections at equal intervals from one end face to the other end face in a cross section along one direction of the release layer. Defined as the average of the measured values.
  • the “cross section along one direction of the release layer” is synonymous with the above-described “cross section along one direction of the thermoplastic resin film”.
  • the release layer contains a compound having a silicon atom and a fluorine atom
  • the release layer contains a compound containing at least one selected from a fluorine atom and a silicon atom with respect to the total solid content of the release layer.
  • the content is preferably 5 to 100% by mass, more preferably 50 to 100% by mass, and still more preferably 90 to 100% by mass.
  • the release layer preferably contains 5 to 100% by mass of the compound having a siloxane bond with respect to the total solid content of the release layer. Is more preferably from 100 to 100% by weight, still more preferably from 90 to 100% by weight.
  • the release layer contains a compound having a silicon atom and a fluorine atom and a compound having a siloxane bond
  • the release layer is a compound having a silicon atom and a fluorine atom with respect to the total solid content of the release layer.
  • the release layer is preferably heated at 250 ° C. for 2 hours and then cooled to 25 ° C., and the water contact angle is preferably 30 ° or more, more preferably 40 ° or more, and 50 ° or more. More preferably. Although an upper limit does not have limitation in particular, For example, 140 degrees or less are preferable, 130 degrees or less are more preferable, and 120 degrees or less are still more preferable. If the water contact angle is 30 ° or more, excellent peelability can be obtained. In the present invention, the water contact angle was measured using various release layers formed on a 100 mm thick Si wafer. A contact angle meter (model number: CA-D) manufactured by Kyowa Interface Science Co., Ltd. was used as the contact angle measurement device. At a room temperature of 25 ° C. and a humidity of 50%, 70 pL of water droplets were dropped to measure contact angles at five locations. The contact angle of 5 points was averaged to obtain the contact angle of each sample.
  • a contact angle meter model number: CA-D manufactured by Kyow
  • the compound having a siloxane bond is preferably a silicone resin.
  • the silicone resin any of a solventless type, an oil type, a solution type, an emulsion type, and a baking type can be preferably used.
  • the silicone resin is preferably one that can be baked onto the surface of the thermoplastic resin film by heating at, for example, 150 ° C. or higher (more preferably 200 ° C. or higher, more preferably 250 ° C. or higher, particularly preferably 300 ° C. or higher).
  • the upper limit is preferably 450 ° C. or lower, more preferably 400 ° C. or lower, and further preferably 350 ° C. or lower.
  • thermoplastic resin film means a state in which the silicone resin reacts by heating after film formation, thereby strongly bonding to the thermoplastic resin and not easily peeling off.
  • the weight average molecular weight of the silicone resin is preferably 10,000 to 10,000,000, more preferably 50,000 to 5,000,000.
  • the silicone resin is preferably a linear organopolysiloxane and / or an organopolysiloxane having a branched structure.
  • organopolysiloxane for example, an organopolysiloxane represented by the following general formula (1) can be used.
  • M 1 is the general formula (2)
  • T is the general formula (3)
  • D is the general formula (4)
  • M 2 is a structural unit represented by the general formula (5).
  • An oxygen atom is shared with an adjacent structural unit to form a siloxane bond.
  • R 1 is an alkenyl group
  • R 2 is a substituted or unsubstituted monovalent organic group
  • a is 2 or more
  • b is an integer of 5 to 100
  • c is an integer of 2,000 to 20,000
  • Examples of the alkenyl group represented by R 1 include vinyl, allyl, and propenyl.
  • Examples of the monovalent organic group represented by R 2 include alkyl groups such as methyl, ethyl, propyl and butyl; cycloalkyl groups such as cyclohexyl group; alkenyl groups such as vinyl, allyl and propenyl; aryl such as phenyl and tolyl A substituted or unsubstituted 1 such as a chloromethyl group, a trifluoropropyl group, a cyanoethyl group or the like in which a part of or all of hydrogen atoms bonded to the carbon atom of the group or these groups are substituted with a halogen atom, a cyano group, an amino group, And valent hydrocarbon groups, and alkoxy groups such as methoxy, ethoxy, propoxy, and methoxyethoxy groups, hydroxyl groups, and epoxy groups.
  • R 1 is preferably a vinyl group from an industrial viewpoint, and at least 80 mol% of R 2 is preferably a methyl group from an industrial viewpoint and characteristics.
  • b is a number that determines the branched structure of the branched organopolysiloxane, and is an integer of 5 to 100, preferably 6 to 80.
  • c is 2,000 to 20,000, preferably 5,000 to 10,000.
  • the range of the degree of polymerization of the organopolysiloxane is limited by the total value of a, b, c, and d, but the display by viscosity is useful for practical use.
  • the viscosity of a polymer having a high degree of polymerization is generally represented by a critical viscosity ⁇ r, and the critical viscosity ⁇ r of an organopolysiloxane is particularly preferably in the range of 1.0 to 3.0.
  • the compound having a siloxane bond may contain a fluorine group.
  • a fluorine group a known fluorine group can be used, and examples thereof include a fluorinated alkyl group and a fluorinated alkylene group.
  • the carbon number of the fluorinated alkyl group is preferably 1 to 30, more preferably 1 to 20, and more preferably 1 to 15.
  • the fluorinated alkyl group may be linear, branched or cyclic. Moreover, you may have an ether bond.
  • the fluorinated alkyl group may be a perfluoroalkyl group in which all of the hydrogen atoms are substituted with fluorine atoms.
  • the carbon number of the fluorinated alkylene group is preferably 2 to 30, more preferably 2 to 20, and more preferably 2 to 15.
  • the fluorinated alkylene group may be linear, branched or cyclic. Moreover, you may have an ether bond. Further, the fluorinated alkylene group may be a perfluoroalkylene group in which all of the hydrogen atoms are substituted with fluorine atoms.
  • the compound having a silicon atom and a fluorine atom is preferably a silane coupling agent.
  • the fluorine atom content of the compound having a silicon atom and a fluorine atom is preferably 20 to 80%, and more preferably 24 to 80%.
  • the fluorine atom content was measured for each compound with an ICP emission spectroscopic analyzer (model number: ICPS-8100) manufactured by Shimadzu Corporation.
  • Examples of the silane coupling agent include a group having at least one fluorine atom and a compound having at least one silyl group.
  • the group having at least one fluorine atom is preferably a compound having a group generally called a perfluoroalkyl group or a perfluoroether group in which two or more fluorine atoms are contained in one molecule.
  • the group having a fluorine atom may have a substituent. The substituent can be arbitrarily selected from the viewpoints of reactivity and thermal stability.
  • halogen atoms such as chlorine, bromine and iodine atoms
  • alkoxy such as methoxy, ethoxy and tert-butoxy
  • An aryloxy group such as a phenoxy group and a p-tolyloxy group
  • an alkoxycarbonyl group such as a methoxycarbonyl group, a butoxycarbonyl group and a phenoxycarbonyl group
  • an acyloxy group such as an acetoxy group, a propionyloxy group and a benzoyloxy group
  • Acyl groups such as benzoyl group, isobutyryl group, acryloyl group, methacryloyl group and methoxalyl group
  • alkylsulfanyl groups such as methylsulfanyl group and tert-butylsulfanyl group
  • aryls such as phenylsulfanyl group and p-to
  • the silyl group preferably has a silanol group or a hydrolyzable silyl group.
  • the hydrolyzable silyl group is a hydrolyzable silyl group.
  • Examples of the hydrolyzable group include an alkoxy group, a mercapto group, a halogen atom, an amide group, an acetoxy group, an amino group, and an isopropenoxy group. be able to.
  • the silyl group is hydrolyzed to become a silanol group, and the silanol group is dehydrated and condensed to form a siloxane bond.
  • Such a hydrolyzable silyl group or silanol group is preferably one represented by the following formula (B-1).
  • R h1 to R h3 is selected from the group consisting of an alkoxy group, a mercapto group, a halogen atom, an amide group, an acetoxy group, an amino group, and an isopropenoxy group. Represents a hydrolyzable group or a hydroxy group.
  • the remaining R h1 to R h3 are each independently a hydrogen atom, a halogen atom, or a monovalent organic substituent (for example, an alkyl group, an aryl group, an alkenyl group, an alkynyl group, and an aralkyl group).
  • the hydrolyzable group bonded to the silicon atom is particularly preferably an alkoxy group or a halogen atom, and more preferably an alkoxy group.
  • the alkoxy group is preferably an alkoxy group having 1 to 30 carbon atoms from the viewpoint of peelability. More preferably, it is an alkoxy group having 1 to 15 carbon atoms, more preferably an alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms, particularly preferably an alkoxy group having 1 to 3 carbon atoms, most preferably a methoxy group or an ethoxy group.
  • the halogen atom include an F atom, a Cl atom, a Br atom, and an I atom. From the viewpoint of ease of synthesis and stability, a Cl atom and a Br atom are preferable, and a Cl atom is more preferable.
  • the compound having at least one of a hydrolyzable silyl group and a silanol group is preferably a compound having one or more groups represented by the above formula (B-1), and a compound having two or more is also used. Can do.
  • the hydrolyzable group can be bonded to one silicon atom in the range of 1 to 4, and the total number of hydrolyzable groups in the formula (B-1) is preferably in the range of 2 or 3. . In particular, it is preferable that three hydrolyzable groups are bonded to a silicon atom. When two or more hydrolyzable groups are bonded to a silicon atom, they may be the same as or different from each other. Specific examples of preferred alkoxy groups include methoxy, ethoxy, propoxy, isopropoxy, butoxy, tert-butoxy, phenoxy, and benzyloxy groups. A plurality of these alkoxy groups may be used in combination, or a plurality of different alkoxy groups may be used in combination.
  • alkoxysilyl group to which the alkoxy group is bonded examples include, for example, a trialkoxysilyl group such as a trimethoxysilyl group, a triethoxysilyl group, a triisopropoxysilyl group, a triphenoxysilyl group; a dimethoxymethylsilyl group, a diethoxymethylsilyl group And dialkoxymonoalkylsilyl groups such as methoxydimethylsilyl group and ethoxydimethylsilyl group.
  • a trialkoxysilyl group such as a trimethoxysilyl group, a triethoxysilyl group, a triisopropoxysilyl group, a triphenoxysilyl group
  • a dimethoxymethylsilyl group a diethoxymethylsilyl group
  • dialkoxymonoalkylsilyl groups such as methoxydimethylsilyl group and ethoxydimethylsilyl
  • Examples of the compound having a silicon atom and a fluorine atom include KBM-7103 manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., OPTOOL DSX manufactured by Daikin Industries, Ltd., F-top manufactured by Mitsubishi Materials Electronics Chemical Co., Ltd., perfluorodecyltrimethoxysilane, Fluorodecyltriethoxysilane, trifluoropropyltrimethoxysilane, trifluoropropyltriethoxysilane, perfluorooctyltrimethoxysilane, perfluorooctyltriethoxysilane, perfluorododecyltrimethoxysilane, perfluorododecyltriethoxysilane, perfluoro Examples thereof include pentyltriethoxysilane and perfluoropentyltrimethoxysilane, and these can be preferably used.
  • the release layer can contain various compounds depending on the purpose within a range not impairing the effects of the present invention.
  • a thermal polymerization initiator, a sensitizing dye, a chain transfer agent, and an antioxidant can be preferably used. These can use what was demonstrated with the thermoplastic resin film mentioned above.
  • the manufacturing method of the laminated body for temporary adhesion of this invention includes the process of forming the layer (mold release layer) containing the mold release agent mentioned above on the surface of the thermoplastic resin film mentioned above.
  • thermoplastic resin film can be manufactured by a conventionally well-known method. For example, it can be produced by a melt film forming method, a solution film forming method or the like. A melt film forming method is preferred. With the melt film forming method, it is possible to increase the thickness while maintaining flatness. Furthermore, polymer components and other additives that are difficult to dissolve in the solvent can be used, and the degree of freedom in material selection is high. In particular, it is possible to use a highly heat-resistant additive that tends to hardly dissolve in a solvent, and it is easy to obtain a thermoplastic resin film excellent in heat resistance.
  • the melt film forming method realizes fluidity by heating and melting the raw material composition, and forming this melt into a sheet using an extrusion molding apparatus or an injection molding apparatus, and cooling it to form a film (sheet) Is the way to get.
  • a long film with good flatness can be obtained.
  • the length of the long film is not particularly limited, but the lower limit is preferably, for example, 1 m or more, and more preferably 2 m or more. Although it is difficult to obtain a long film by the injection molding method, high film thickness accuracy can be obtained.
  • Other additives can also be added by mixing, melting and stirring.
  • a release film may be bonded to one side or both sides of the film to form a “thermoplastic resin film with a release film”.
  • the solution casting method realizes fluidity by dissolving the raw material composition with a solvent, and coats this solution on a support such as a film, drum or band to form a sheet, and then the film (sheet) ).
  • a solvent known solvents can be used without limitation, and organic solvents are preferred.
  • organic solvents examples include ethyl acetate, n-butyl acetate, isobutyl acetate, amyl formate, isoamyl acetate, isobutyl acetate, butyl propionate, isopropyl butyrate, ethyl butyrate, butyl butyrate, methyl lactate, ethyl lactate, alkyl oxyacetate (examples) : Methyl oxyacetate, ethyl oxyacetate, butyl oxyacetate (eg, methyl methoxyacetate, ethyl methoxyacetate, butyl methoxyacetate, methyl ethoxyacetate, ethyl ethoxyacetate)), 3-oxypropionic acid alkyl esters (example: 3 -Methyl oxypropionate, ethyl 3-oxypropionate, etc.
  • 2-oxy Alkyl propionate Stealth (eg, methyl 2-oxypropionate, ethyl 2-oxypropionate, propyl 2-oxypropionate, etc.
  • solvents are also preferably in a form of mixing two or more kinds from the viewpoint of improving the coated surface.
  • particularly preferred are mesitylene, p-menthane, ⁇ -butyrolactone, anisole, methyl 3-ethoxypropionate, ethyl 3-ethoxypropionate, ethyl cellosolve acetate, ethyl lactate, diethylene glycol dimethyl ether, butyl acetate, 3-methoxypropionic acid.
  • the solution coating method includes a method in which the solution is extruded by applying pressure from a slit-shaped opening, a method in which the solution is transferred by gravure or an aronics roller, and a scan is performed while discharging the solution from a spray or dispenser. Coating method, dip coating by storing the solution in a tank and letting it pass through a film, drum or band, etc., coating by swirling the solution with a wire bar, etc.
  • a single film (sheet) can be obtained by coating the solution on the support, then drying to form a solid sheet, and then mechanically peeling the sheet from the support.
  • a release layer may be applied on the support in advance by applying a release layer, immersion treatment, gas treatment, electromagnetic wave irradiation treatment, plasma irradiation treatment, or the like. Or it is good also as a "thermoplastic resin film with a release film", leaving a film as it is, without peeling off from a support body, and the sheet
  • a release film may be bonded to both sides of the film to form a “thermoplastic resin film with a double-sided release film”.
  • Examples of the method for forming a release layer on the surface of the thermoplastic resin film include a laminating method, a coating method, and a coextrusion method.
  • a composition containing at least the above release agent is applied to a release film to form a film-like release layer (release layer film), and there is no thermoplastic resin film release film.
  • release layer film a film-like release layer
  • the surface and the surface of the release layer film having no release film are brought into contact with each other and laminated.
  • a known apparatus such as roller lamination (which may be heated or pressurized) or vacuum lamination (which may be heated) can be used.
  • the coating method is a method in which a release layer forming solution is applied to a surface of a thermoplastic resin film without a release film and then dried.
  • a release layer forming composition it is preferable to use a solution containing the release agent and the solvent described above. Any solvent can be preferably used as long as it can dissolve the release agent.
  • the release agent contains a compound having a silicon atom and a fluorine atom
  • a solvent having a fluorine atom is preferable because of high solubility.
  • An example is Fluorinert FC-40 (manufactured by Sumitomo 3M Limited).
  • the release layer forming solution may be applied and dried in-line without applying the film forming solution after being applied and dried.
  • the physical properties of the solution are designed so that the film forming solution and the release layer forming solution are not compatible, they may be applied simultaneously and dried simultaneously.
  • the release layer forming solution may be applied without drying, and both may be dried simultaneously.
  • the film forming solution and the release layer forming solution are compatible with each other but are designed to have physical properties that cause phase separation when the concentration is increased by drying, the mixed solution is applied and dried. You may make it isolate
  • a release layer can be provided on both surfaces of a thermoplastic resin film by coating the release layer forming solution on both surfaces of the thermoplastic resin film.
  • the co-extrusion method is a sheet in which a thermoplastic resin film and a release layer are integrated by thermally melting a film-forming material and a release-layer forming material, and simultaneously integrating them while extruding. Is the way to get.
  • the release layer By extruding the release layer forming material on both sides of the film forming material, the release layer can be provided on both sides of the thermoplastic resin film.
  • the solvent content is preferably 1% by mass or less, more preferably 0.1% by mass or less, and particularly preferably not contained.
  • the temporary adhesive laminate of the present invention may be a temporary adhesive laminate with a release film by pasting a release film on one or both sides of the temporary adhesive laminate.
  • the release film can be peeled off when used. For example, in the case where a release film is bonded on both sides, after peeling off the release film on one side, laminating the adhesive surface to a device wafer or support, and then peeling off the remaining release film, The sheet surface can be kept as clean as possible.
  • An adhesive support body has the laminated body for temporary adhesion mentioned above on the surface of a support body.
  • the temporary bonding laminate can be formed by laminating the above-described temporary bonding laminate of the present invention on a support.
  • the temporary bonding laminate is set on a vacuum laminator, the temporary bonding laminate is positioned on the support with this apparatus, the temporary adhesion laminate and the support are brought into contact with each other under vacuum, a roller, etc.
  • a method of fixing (laminating) the temporary bonding laminate to the support by pressing Moreover, you may cut the laminated body for temporary attachment fixed to the support body in desired shapes, such as circular shape, for example.
  • the temporary adhesive laminate may be one in which a release layer is formed only on one side of a thermoplastic resin film, or a release layer is formed on both sides. May be. It is preferable that a release layer is formed only on one side of the thermoplastic resin film. In addition, when the mold release layer is formed only on the single side
  • the support (also referred to as carrier support) is not particularly limited, and examples thereof include a silicon substrate, a glass substrate, a metal substrate, and a compound semiconductor substrate.
  • a silicon substrate In particular, in view of the point that it is difficult to contaminate a silicon substrate typically used as a substrate of a semiconductor device and the point that an electrostatic chuck widely used in the manufacturing process of a semiconductor device can be used, it is a silicon substrate. preferable.
  • the thickness of the support is not particularly limited, but is preferably 300 ⁇ m to 100 mm, and more preferably 350 ⁇ m to 10 mm.
  • a release layer may be provided on the surface of the support. That is, the support may be a support with a release layer.
  • the release layer is preferably a low surface energy layer containing fluorine atoms and / or silicon atoms, and preferably has a material containing fluorine atoms and / or silicon atoms.
  • the fluorine content of the release layer is preferably 30 to 80% by mass, more preferably 40 to 76% by mass, and particularly preferably 60 to 75% by mass.
  • the material for the release layer the same materials as those described for the release layer of the temporary bonding laminate described above can be used.
  • the laminate with a device wafer of the present invention has the above-mentioned temporary adhesion laminate of the present invention between the device wafer and the support, and the surface of the release layer side of the temporary adhesion laminate is the device wafer. It is in contact with the device surface and the other surface is in contact with the surface of the support.
  • a well-known device wafer can be used without limitation, and examples thereof include a silicon substrate and a compound semiconductor substrate.
  • the compound semiconductor substrate include a SiC substrate, a SiGe substrate, a ZnS substrate, a ZnSe substrate, a GaAs substrate, an InP substrate, and a GaN substrate.
  • a mechanical structure or a circuit may be formed on the surface of the device wafer. Examples of device wafers on which mechanical structures and circuits are formed include MEMS (Micro Electro Mechanical Systems), power devices, image sensors, micro sensors, LEDs, optical devices, interposers, embedded devices, and micro devices. .
  • the device wafer preferably has a structure such as a metal bump, a pad, or a via.
  • the temporary adhesive film of the present invention can be stably temporarily bonded even to a device wafer having a structure on the surface, and the device wafer can be easily peeled off.
  • the height of the structure is not particularly limited, but is preferably 1 to 100 ⁇ m, for example.
  • the structure may be formed by being embedded up to the inside of the device wafer.
  • the film thickness of the device wafer before the mechanical or chemical treatment is preferably 500 ⁇ m or more, more preferably 600 ⁇ m or more, and still more preferably 700 ⁇ m or more.
  • the upper limit is preferably 1000 ⁇ m or less, and more preferably 900 ⁇ m or less.
  • the film thickness of the device wafer after being thinned by mechanical or chemical treatment is preferably less than 500 ⁇ m, more preferably 400 ⁇ m or less, and even more preferably 300 ⁇ m or less.
  • the lower limit is preferably 5 ⁇ m or more, and more preferably 10 ⁇ m or more.
  • the support is synonymous with the support described in the adhesive support described above, and the preferred range is also the same.
  • the laminated body with a device wafer of the present invention can be produced by thermocompression bonding the surface of the adhesive support described above on which the temporary adhesive laminated body is formed and the device wafer.
  • the pressure bonding conditions are preferably, for example, a temperature of 100 to 400 ° C., a pressure of 0.01 to 1 MPa, and a time of 1 to 15 minutes.
  • it can also be manufactured by placing the above-mentioned temporary adhering laminate of the present invention between a support and a device wafer and thermocompression bonding.
  • FIG. 1A to 1F are schematic cross-sectional views (FIGS. 1A to 1D) for explaining temporary bonding between a support and a device wafer, respectively, and a device wafer temporarily bonded to the support. It is a schematic sectional drawing which shows the state (FIG.1 (E)) which peeled the state (FIG.1 (E)) thinned and a support body and the device wafer (FIG.1 (F)).
  • a temporary adhesion laminate 11 in which a release layer 110 is laminated on the surface of a thermoplastic resin film 111 is provided on the surface of a support 12. It laminates and the adhesive support body 100 by which the mold release layer 110 is arrange
  • positioned on the outermost surface is produced.
  • the adhesive support 100 can be manufactured by the method described above.
  • the entire surface of one side of the support 12 is covered with the temporary adhesion laminate 11.
  • Such an adhesive support is effective when it is desired to further lower the TTV (Total Thickness Variation) of the thinned device wafer (that is, when it is desired to further improve the flatness of the thin device wafer).
  • the structure on the surface of the device wafer is protected by the temporary adhesive film, so that the unevenness derived from the structure at the time of thinning The shape can be almost eliminated. As a result, the TTV of the thin device wafer finally obtained can be further reduced.
  • the device wafer 60 has a plurality of device chips 62 provided on the surface (device surface) 61a of a silicon substrate 61.
  • the thickness of the silicon substrate 61 is preferably 200 to 1200 ⁇ m, for example.
  • the device chip 62 is preferably a metal structure, for example, and the height is preferably 10 to 100 ⁇ m.
  • the adhesive support 100 and the device surface 61a of the device wafer 60 are pressure-bonded, and the support 12 and the device wafer 60 are temporarily bonded.
  • the back surface 61b of the silicon substrate 61 is subjected to mechanical or chemical treatment (though not particularly limited, for example, thinning treatment such as gliding or chemical mechanical polishing (CMP), chemical vapor deposition (CVD) or physical High temperature / vacuum treatment such as vapor phase growth (PVD), treatment with chemicals such as organic solvent, acidic treatment solution and basic treatment solution, plating treatment, actinic ray irradiation, heating / cooling treatment, etc.) 1E, the thickness of the silicon substrate 61 is reduced (for example, the average thickness is preferably less than 500 ⁇ m, more preferably 1 to 200 ⁇ m, and more preferably 1 to 100 ⁇ m). More preferably, a thin device wafer 60a is obtained.
  • CMP chemical mechanical polishing
  • CVD chemical vapor deposition
  • PVD physical High temperature / vacuum treatment
  • the thickness of the silicon substrate 61 is reduced (for example, the average thickness is preferably less than 500 ⁇ m, more preferably 1 to 200 ⁇ m, and more
  • a through hole (not shown) penetrating the silicon substrate is formed from the back surface 61b1 of the thin device wafer 60a after the thinning process, and a silicon through electrode (in this through hole)
  • a process of forming may be performed.
  • the highest temperature achieved in the heat treatment is preferably 130 ° C. to 450 ° C., and more preferably 180 ° C. to 400 ° C.
  • the heat treatment is, for example, preferably 30 seconds to 5 hours at the highest temperature, and more preferably 1 minute to 3 hours at the highest temperature.
  • the support 12 is detached from the thin device wafer 60a.
  • the method of detachment is not particularly limited, but it is preferable that the separation is performed by pulling up from the end of the thin device wafer 60a in the vertical direction with respect to the thin device wafer 60a without any treatment. That is, mechanical peeling is preferable.
  • the peeling interface may be the interface between the device surface 61a and the release layer 110, the interface between the release layer 110 and the thermoplastic resin film 111, or the inside of the release layer 110. Good. That is, the peeling residue of the release layer 110 may adhere to the device surface 61a1.
  • peel strength between the temporary bonding laminate 11 and the thin device wafer is A and the peel strength B between the thermoplastic resin film 111 and the release layer 110, it is preferable to satisfy the following formula.
  • a ⁇ B ... Formula (1) The peel strength was measured five times when peeled by pulling up from the end of the thin device wafer 60a in the direction perpendicular to the device wafer using a digital force gauge manufactured by Imada Co., Ltd. Was used.
  • the stripping solution for example, stripping solutions described in paragraph numbers 0203 to 0212 of JP-A-2014-80570 can be used.
  • the present invention does not necessarily require treatment with a stripping solution or the like.
  • the thermoplastic resin film 111 together with the support 12 can be simultaneously removed from the device surface 61a of the thin device wafer 60a by only mechanical peeling without causing peeling residue or the like.
  • the device surface 61a can be cleaned by contacting with a cleaning liquid described later. If necessary, the semiconductor device having the thin device wafer 60a is manufactured by performing various known processes on the thin device wafer 60a.
  • the cleaning liquid is preferably an organic solvent that dissolves the thermoplastic resin and the release agent.
  • organic solvent include aliphatic hydrocarbons (hexane, heptane, Isopar E, H, G manufactured by Esso Chemical Co., Ltd.), aromatic hydrocarbons (toluene, xylene, etc.), halogenated hydrocarbons (methylene dichloride).
  • polar solvents such as alcohols (methanol, ethanol, propanol, isopropanol, 1-butanol, 1-pentanol, 1-hexanol, 1-heptanol, etc.) 1-octanol, 2-octanol, 2-ethyl-1-hexanol, 1-nonanol, 1-decanol, benzyl alcohol, ethylene glycol monomethyl ether, 2-ethoxyethanol, diethylene glycol monoethyl ether, diethylene glycol Monohexyl ether, triethylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monoethyl ether, propylene glycol monomethyl ether, polyethylene glycol monomethyl ether, polypropylene glycol, tetraethylene glycol, ethylene glycol monobutyl ether, ethylene glycol monobenzyl ether, ethylene glycol monophenyl ether, Propylene glycol monophenyl ether, methylphenyl carbinol
  • the support 12 can be regenerated by removing the thermoplastic resin film 111 on the support 12.
  • a method of removing the thermoplastic resin film 111 a method of removing the thermoplastic resin film 111 as it is, a method of physically removing the film by spraying a brush, ultrasonic waves, ice particles, or an aerosol, a method of dissolving and removing by dissolving in an aqueous solution or an organic solvent
  • the chemical removal method include a method of decomposing and vaporizing by irradiation with actinic light, radiation, and heat, and a conventionally known cleaning method can be used depending on the support.
  • a silicon substrate is used as the support
  • a conventionally known silicon wafer cleaning method can be used.
  • an aqueous solution or organic solvent that can be used for chemical removal includes strong acid, strong base, strong The oxidizing agent or a mixture thereof is raised.
  • acids such as sulfuric acid, hydrochloric acid, hydrofluoric acid, nitric acid and organic acids, bases such as tetramethylammonium, ammonia and organic bases, oxidation of hydrogen peroxide and the like Or a mixture of ammonia and hydrogen peroxide, a mixture of hydrochloric acid and hydrogen peroxide, a mixture of sulfuric acid and hydrogen peroxide, a mixture of hydrofluoric acid and hydrogen peroxide, a mixture of hydrofluoric acid and ammonium fluoride, etc. Can be mentioned.
  • the support cleaning liquid preferably contains an acid having a pKa of less than 0 and hydrogen peroxide.
  • the acid having a pKa of less than 0 is selected from inorganic acids such as hydrogen iodide, perchloric acid, hydrogen bromide, hydrogen chloride, nitric acid and sulfuric acid, or organic acids such as alkylsulfonic acid and arylsulfonic acid. From the viewpoint of detergency of the adhesive layer on the support, an inorganic acid is preferable, and sulfuric acid is most preferable.
  • the hydrogen peroxide As the hydrogen peroxide, 30 w / v% hydrogen peroxide water can be preferably used, and the mixing ratio of the strong acid and 30 w / v% hydrogen peroxide water is preferably 0.1: 1 to 100: 1, and 1: 1. ⁇ 10: 1 is more preferred, and 3: 1 to 5: 1 is most preferred.
  • FIG. 2 is a schematic cross-sectional view for explaining the release of the temporarily bonded state between the conventional adhesive support and the device wafer.
  • the adhesive support 100a and the device wafer are temporarily bonded in the same manner as described with reference to FIG. 1, and the silicon wafer is thinned on the device wafer. Similar to the procedure, the thin device wafer 60a is peeled from the adhesive support 100a.
  • the device wafer is temporarily bonded with a high adhesive force, and the temporary bonding between the support and the device wafer can be easily released without damaging the processed device wafer.
  • Have difficulty For example, in order to ensure sufficient temporary bonding between the device wafer and the support, if a conventional temporary adhesive having high adhesiveness is adopted, the temporary bonding between the device wafer and the support tends to be too strong. Become. Therefore, in order to release the temporary bonding that is too strong, for example, as shown in FIG. 3, a tape (for example, a dicing tape) 70 is attached to the back surface of the thin device wafer 60a, and the thin device wafer 60a is bonded from the adhesive support 100a.
  • a tape for example, a dicing tape
  • the structure chip 63 is detached from the device chip 62 provided with the structure 63 and the device chip 62 is likely to be damaged.
  • a temporary adhesive with low adhesiveness is used, temporary adhesion to the device wafer can be easily released, but the temporary adhesion between the device wafer and the support is too weak in the first place. It is easy to cause a problem that it cannot be reliably supported by the support.
  • the temporary bonding laminate of the present invention exhibits sufficient adhesion and can easily release the temporary bonding between the device wafer 60 and the support 12. That is, according to the temporary bonding laminate of the present invention, the device wafer 60 can be temporarily bonded with a high adhesive force, and the temporary bonding to the thin device wafer 60a can be easily released without damaging the thin device wafer 60a. .
  • the method for manufacturing a semiconductor device of the present invention is not limited to the above-described embodiment, and appropriate modifications and improvements can be made.
  • the silicon substrate is used as the device wafer.
  • the present invention is not limited to this, and any device that can be subjected to mechanical or chemical treatment in the method of manufacturing a semiconductor device is not limited thereto. It may be a processing member.
  • a compound semiconductor substrate can also be mentioned, and specific examples of the compound semiconductor substrate include a SiC substrate, a SiGe substrate, a ZnS substrate, a ZnSe substrate, a GaAs substrate, an InP substrate, and a GaN substrate.
  • the device wafer (silicon substrate) is mechanically or chemically treated as a device wafer thinning process and a through silicon via formation process, but is not limited thereto. Any processing required in the method of manufacturing a semiconductor device is included.
  • the shape, dimension, number, arrangement location, and the like of the device chip in the device wafer exemplified in the above-described embodiment are arbitrary and are not limited.
  • Examples 2, 4 to 7 The film thickness is measured by coating the film preparation composition described below on a polyethylene terephthalate film (release film) having a thickness of 75 ⁇ m with a wire bar at a speed of 1 m / min and drying at 140 ° C. for 10 minutes. A 100 ⁇ m thermoplastic resin film was prepared. Subsequently, the following release layer forming coating solution is bar-coated on the thermoplastic resin film, oven-dried at 120 ° C. for 1 minute, and temporarily bonded with a release layer on one side of the thermoplastic resin film. A laminate was prepared.
  • composition for film production -Thermoplastic resins listed in Table 1: parts by mass shown in Table 1-Irganox (registered trademark) 1010 (manufactured by BASF): 1 part by mass-Sumilizer (registered trademark) TP-D (manufactured by Sumitomo Chemical Co., Ltd.): 1 Part by mass / solvent described in Table 1: part by mass described in Table 1 [Coating liquid for forming release layer] -Release agent described in Table 1: parts by mass described in Table 1-Solvent described in Table 1: parts by mass described in Table 1
  • the temporary bonding laminate produced by the above method was set in a vacuum laminator. And with this apparatus, the laminated body for temporary bonding is positioned on a 100 mm Si wafer, and the surface opposite to the release layer (thermoplastic resin film side) of the Si wafer and the laminated body for temporary bonding is contacted under vacuum. Then, the laminated body for temporary bonding and the Si wafer were fixed with a roller to produce an adhesive support.
  • ⁇ Preparation of test piece> The surface of the adhesive support on which the laminated body for temporary adhesion was formed and the device surface of the device wafer were pressure-bonded under vacuum at Tg + 50 ° C. and a pressure of 0.11 MPa for 3 minutes to prepare a test piece. .
  • ⁇ Comparative Example 3> Composition for forming a release layer containing 0.5 part by mass of OPTOOL DSX (manufactured by Daikin Industries) and 99.5 parts by mass of Fluorinert FC-40 (manufactured by Sumitomo 3M) on the device surface of the device wafer The product was applied and dried to form a release layer having a thickness of 10 nm. Next, using midfill (manufactured by Kurashiki Boseki Co., Ltd.) as the thermoplastic resin film, the thermoplastic resin film and the device surface of the device wafer were pressure-bonded under vacuum at 370 ° C. and 0.11 MPa for 3 minutes. A test piece was prepared.
  • midfill manufactured by Kurashiki Boseki Co., Ltd.
  • the support was prepared by coating and drying to form a release layer having a thickness of 10 nm.
  • midfill manufactured by Kurashiki Boseki Co., Ltd.
  • the thermoplastic resin film and the surface on the side where the release layer of the support was formed were vacuumed at 370 ° C., 0.
  • Press bonding was performed at a pressure of 11 MPa for 3 minutes to produce an adhesive support.
  • the adhesive support and the device surface of the device wafer were subjected to pressure bonding under vacuum at 370 ° C. and a pressure of 0.11 MPa for 3 minutes to prepare a test piece.
  • the water contact angle of the release layer is the same as the film formation conditions for forming the release layer of the various test pieces from the composition for forming the release layer of the various test pieces on the 100 mm thick Si wafer.
  • a test piece was prepared by forming a release layer having the same thickness as the release layer of various test pieces. Next, the test piece was heated at 250 ° C. for 2 hours, then cooled to 25 ° C., and the water contact angle was measured using a contact angle meter (model number: CA-D) manufactured by Kyowa Interface Science Co., Ltd. In the measurement, at a room temperature of 25 ° C. and a humidity of 50%, 70 pL of water droplets were dropped on the surface of the release layer of each test piece to measure five contact angles, and the average value of the five points was taken as the contact angle.
  • the test piece was set together with a dicing frame in the center of the dicing tape mounter, and the dicing tape was positioned from above.
  • the test piece and the dicing tape were fixed with a roller (and vacuum), the dicing tape was cut on a dicing frame, and the test piece was mounted on the dicing tape.
  • the test piece was pulled in the vertical direction of the temporary bonding laminate under the condition of 500 mm / min to confirm the peelability.
  • the prepared test piece was heated at 250 ° C. for 30 minutes, similarly, it was pulled in the vertical direction of the temporary bonding laminate under the condition of 250 mm / min, and the peelability after the thermal process was confirmed. It was evaluated with.
  • ⁇ Heat resistance> The test piece was heated at 300 ° C. or 400 ° C. in a vacuum, observed using an ultrasonic microscope (Hitachi Power Solutions, model: FineSAT), and evaluated according to the following criteria.
  • Examples 1 to 14 had good peelability.
  • Comparative Examples 1 to 4 had a peeling residue of the thermoplastic resin on the device surface and were inferior in peelability.
  • 11 Laminated body for temporary bonding
  • 11b adhesive layer
  • 12 support
  • 60a thin device wafer
  • 61a, 61a1 device surface
  • 61b, 61b1 back surface
  • 100a adhesive support
  • 111 thermoplastic resin film

Landscapes

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Abstract

　デバイスウェハと支持体との仮接着を容易に解除できる仮接着用積層体、仮接着用積層体の製造方法およびデバイスウェハ付き積層体を提供する。　本発明の仮接着用積層体は、デバイスウェハのデバイス面と支持体とを、剥離可能に仮接着するために用いる仮接着用積層体であって、熱可塑性樹脂フィルムと、シロキサン結合を有する化合物およびケイ素原子とフッ素原子を有する化合物から選ばれる離型剤を含む層とを有し、かつ、熱可塑性樹脂フィルムのデバイス側の表面であって、デバイス面に対応する領域に離型剤を含む層を少なくとも有する。デバイスウェハと支持体と仮接着した後、支持体をデバイスウェハのデバイス面から剥離する際に、支持体と熱可塑性樹脂フィルムを少なくとも含む積層体が、デバイスから剥離される。

Description

仮接着用積層体、仮接着用積層体の製造方法およびデバイスウェハ付き積層体
　本発明は、仮接着用積層体、仮接着用積層体の製造方法およびデバイスウェハ付き積層体に関する。より詳細には、半導体装置などの製造に好ましく用いることができる、仮接着用積層体、仮接着用積層体の製造方法およびデバイスウェハ付き積層体に関する。
　イメージセンサ、ＩＣ（集積回路）、ＬＳＩ（大規模集積回路）などの半導体装置の製造プロセスにおいては、デバイスウェハ上に多数のＩＣチップが形成され、ダイシングにより個片化される。
　電子機器の更なる小型化・薄膜化および高性能・低消費電力化のニーズに伴い、電子機器に搭載されるＩＣチップについても更なる小型化および高集積化が求められているが、デバイスウェハの面方向における集積回路の高集積化は限界に近づいている。
　ＩＣチップ内の集積回路から、ＩＣチップの外部端子への電気的な接続方法としては、従来、ワイヤーボンディング法が広く知られているが、ＩＣチップの小型化を図るべく、近年、デバイスウェハに貫通孔を設け、外部端子としての金属プラグを、貫通孔内を貫通するように集積回路に接続する方法（いわゆる、シリコン貫通電極（ＴＳＶ）を形成する方法）が知られている。しかしながら、シリコン貫通電極を形成する方法のみでは、上記した近年のＩＣチップに対する更なる高集積化のニーズに充分応えられるものではない。
　以上を鑑み、ＩＣチップ内の集積回路を多層化することにより、デバイスウェハの単位面積当たりの集積度を向上させる技術が知られている。しかしながら、集積回路の多層化は、ＩＣチップの厚みを増大させるため、ＩＣチップを構成する部材の薄型化が必要である。このような部材の薄型化としては、例えば、デバイスウェハの薄型化が検討されており、ＩＣチップの小型化につながるのみならず、シリコン貫通電極の製造におけるデバイスウェハの貫通孔製造工程を省力化できることから、有望視されている。また、パワーデバイス・イメージセンサなどの半導体デバイスにおいても、上記集積度の向上やデバイス構造の自由度向上の観点から、薄型化が試みられている。
　デバイスウェハとしては、約７００～９００μｍの厚さを有するものが広く知られているが、近年、ＩＣチップの小型化等を目的に、デバイスウェハの厚さを２００μｍ以下となるまで薄くすることが試みられている。
　しかしながら、厚さ２００μｍ以下のデバイスウェハは非常に薄く、これを基材とする半導体デバイス製造用部材も非常に薄いため、このような部材に対して更なる処理を施したり、あるいは、このような部材を単に移動したりする場合等において、部材を安定的に、かつ、損傷を与えることなく支持することは困難である。
　上記のような問題を解決すべく、表面にデバイスが設けられた薄型化前のデバイスウェハと加工用支持基板とをシリコーン粘着剤により仮接着し、デバイスウェハの裏面を研削して薄型化した後に、デバイスウェハを穿孔してシリコン貫通電極を設け、その後、デバイスウェハから加工用支持基板を脱離させる技術が知られている（特許文献１参照）。この技術によれば、デバイスウェハの裏面研削時の耐研削抵抗、異方性ドライエッチング工程などにおける耐熱性、メッキやエッチング時の耐薬品性、最終的な加工用支持基板とのスムースな剥離と低披着体汚染性を同時に達成することが可能であるとされている。
　また、ウェハの支持方法としては、ウェハを支持層システムにより支持する方法であって、ウェハと支持層システムとの間に、プラズマ堆積法により得られるプラズマポリマー層を分離層として介装させて、支持層システムと分離層との間の接着結合を、ウェハと分離層との間の接合結合より大きくなるようにし、ウェハを支持層システムから脱離する際に、ウェハが分離層から容易に脱離するように構成した技術も知られている（特許文献２参照）。
　また、ポリエーテルスルホンと粘性付与剤を使用して、仮接着を行い、加熱により仮接着を解除する技術が知られている（特許文献３参照）。
　また、カルボン酸類とアミン類からなる混合物により、仮接着を行い、加熱により仮接着を解除する技術も知られている（特許文献４参照）。
　また、セルロースポリマー類等からなる接合層を加温した状態で、デバイスウェハと支持基板を圧着することで接着させて、加温して横方向にスライドすることによりデバイスウェハを支持基板から脱離する技術が知られている（特許文献５参照）。
　また、シンジオタクチック１，２－ポリブタジエンと光重合開始剤からなり、放射線の照射により接着力が変化する粘着フィルムが知られている（特許文献６参照）。
　さらに、ポリカーボネート類からなる接着剤により、支持基板とデバイスウェハとを仮接着し、デバイスウェハに対して処理を行った後、照射線を照射し、次いで、加熱することにより、処理済のデバイスウェハを支持基板から脱離する技術が知られている（特許文献７参照）。
　また、軟化点の異なる２層で、支持基板とデバイスウェハを仮接着し、デバイスウェハに対して処理を行った後、加温して横方向にスライドすることで支持基板とデバイスウェハを脱離する技術が知られている（特許文献８参照）。
　また、特許文献９には、シクロオレフィン重合体と、シリコーン構造、フッ素化アルキル基構造、フッ素化アルケニル構造および炭素数８以上のアルキル構造の少なくとも１種の構造、ならびにポリオキシアルキレン構造、リン酸基を有する構造およびスルホ基を有する構造の少なくとも１種の構造、を有する化合物を含む仮固定材を介して、支持体と基材とを仮固定することが開示されている。
　また、特許文献１０には、主鎖の構成単位としてスチレン単位を含むエラストマーと、ワックスとを含む接着剤組成物を用いて、デバイスウェハと支持体とを接着することが開示されている。
　また、特許文献１１には、支持部材およびデバイスウェハの間に、特定のポリイミド樹脂を含んでなる仮固定用フィルムを介在させ、支持部材にデバイスウェハを仮固定する工程と、支持部材に仮固定されたデバイスウェハに所定の加工を施す工程と、有機溶剤を仮固定用フィルムに接触させて仮固定用フィルムの一部又は全部を溶解し、支持部材から加工されたデバイスウェハを分離する工程と、加工されたデバイスウェハを個片化する工程とを有する、半導体装置の製造方法が開示されている。
　また、特許文献１２には、デバイスウェハのデバイス面に接着層を塗布形成し、支持体の表面にフッ化シラン化合物を含む離型層を塗布形成し、デバイスウェハ上の接着層と支持体上の離型層とを接着させて、デバイスウェハと支持体とを接着することが開示されている。
　また、特許文献１３には、（Ａ）分子中に少なくとも２個のアルケニル基を有し、かつ主鎖中に２価パーフルオロアルキレン又は２価パーフルオロポリエーテル構造を有するパーフルオロ化合物、（Ｂ）分子中に少なくとも２個のシドロシリル基を有し、アルケニル基と付加反応可能な化合物、（Ｃ）付加反応触媒、（Ｄ）付加反応制御剤を含有する硬化物からなるフッ素系のエラストマーを用いて、電子部品と基材とを着脱自在に保持することが開示されている。
特開２０１１－１１９４２７号公報 特表２００９－５２８６８８号公報 特開２０１１－２２５８１４号公報 特開２０１１－０５２１４２号公報 特表２０１０－５０６４０６号公報 特開２００７－０４５９３９号公報 米国特許公開２０１１／０３１８９３８号明細書 米国特許公報２０１２／００３４４３７号明細書 特開２０１３－２４１５６８号公報 特開２０１４－３４６３２号公報 特開２０１４－２９９９９号公報 国際公開ＷＯ２０１３／１１９９７６号パンフレット 特開２００５－２３６０４１号公報
　ところで、デバイスが設けられたデバイスウェハの表面（すなわち、デバイスウェハのデバイス面）と支持基板（キャリア基板）とを、特許文献１等で知られている粘着剤からなる層を介して仮接着する場合には、デバイスウェハを安定的に支持するべく、接着層には一定の強さの接着力が要求される。
　そのため、デバイスウェハのデバイス面の全面と支持体とを接着層を介して仮接着する場合においては、デバイスウェハと支持体との仮接着が強すぎることにより、支持体からデバイスウェハを脱離する際に、デバイスの破損や、デバイスウェハからデバイスが脱離してしまうという不具合が生じやすい。
　また、特許文献２のように、ウェハと支持層システムとの接着が強くなりすぎることを抑制すべく、ウェハと支持層システムとの間に、分離層としてのプラズマポリマー層を、プラズマ堆積法により形成する方法は、（１）通常、プラズマ堆積法を実施するための設備コストは大きい；（２）プラズマ堆積法による層形成は、プラズマ装置内の真空化やモノマーの堆積に時間を要する；および（３）プラズマポリマー層からなる分離層を設けても、加工に供されるウェハを支持する場合においては、ウェハと分離層との接着結合を充分なものとしながら、反面、ウェハの支持を解除する場合においては、ウェハが容易に分離層から脱離するような接着結合にコントロールすることは容易ではない；等の問題がある。
　また、特許文献３、４、５記載のように、加熱により仮接着を解除する方法では、支持体からデバイスウェハを脱離する際にデバイスが破損する不具合が生じやすい。
　また、特許文献６、７のように、照射線を照射して仮接着を解除する方法では、照射線を透過する支持体を使用する必要がある。
　また、特許文献８のように、デバイスウェハ側の接合層の軟化点が基板側の接合層の軟化点よりも２０℃以上大きい場合は、剥離後に基板側の接合層がデバイスウェハ側の接合層に転写し、デバイスウェハの洗浄性が低下する問題が発生する。
　また、特許文献９の接着剤を仮固定材として使用した場合、剥離性が不十分なため、デバイスウェハを剥離する際にデバイスが破損する不具合が生じやすい問題があった。また、接着層がデバイスウェハ側に残り易かった。
　また、特許文献１０では、接着剤組成物を、デバイスウェハなどに塗布して接着層を形成している。このため、デバイスウェハから支持体を剥離した際に、接着層がデバイスウェハ側に残り易かった。また、特許文献１０に開示された方法では、デバイスウェハからの支持体の剥離性が不十分であった。
　また、特許文献１１では、有機溶剤を使用して仮固定用フィルムとして有機溶剤に可溶なものを用い、有機溶剤を仮固定用フィルムに接触させることで、デバイスウェハに対する仮支持を解除している。このため、仮支持の解除に時間を要する傾向にあった。さらには、デバイスウェハ側に仮固定用フィルムが残存することがあり、残存したフィルムの除去処理に手間を要することがあった。
　また、特許文献１２では、デバイスウェハのデバイス面に接着層を塗布形成しているので、デバイスウェハから支持体を剥離した際に、接着層がデバイスウェハ側に残り易かった。
　また、特許文献１３では、剥離性が十分ではなかった。
　本発明は、上記背景を鑑みてなされたものであり、その目的は、デバイスウェハと支持体との仮接着を容易に解除できる仮接着用積層体、仮接着用積層体の製造方法およびデバイスウェハ付き積層体を提供することにある。
　本発明者らは、上記課題を解決すべく鋭意検討した結果、熱可塑性樹脂フィルムと、シロキサン結合を有する化合物およびケイ素原子とフッ素原子を有する化合物から選択される離型剤を含む層とを有し、熱可塑性樹脂フィルムのデバイス側の表面であって、デバイス面に対応する領域に離型剤を含む層を少なくとも有する仮接着用積層体を使用したところ、高い接着力によりデバイスウェハと支持体を仮接着できるとともに、デバイスウェハと支持体との仮接着を容易に解除できることを見出し、本発明を完成するに至った。本発明は、以下を提供する。
＜１＞　デバイスウェハのデバイス面と支持体とを、剥離可能に仮接着するために用いる仮接着用積層体であって、
　仮接着用積層体は、熱可塑性樹脂フィルムと、シロキサン結合を有する化合物およびケイ素原子とフッ素原子を有する化合物から選択される離型剤を含む層とを有し、熱可塑性樹脂フィルムのデバイス側の表面であって、デバイス面に対応する領域に離型剤を含む層を少なくとも有し、
　仮接着用積層体は、デバイスウェハと支持体と仮接着した後、支持体をデバイスウェハのデバイス面から剥離する際に、支持体と熱可塑性樹脂フィルムを少なくとも含む積層体が、デバイスから剥離される、仮接着用積層体。
＜２＞　熱可塑性樹脂フィルムは、ガラス転移点が５０～４００℃の熱可塑性樹脂を含む、＜１＞に記載の仮接着用積層体。
＜３＞　熱可塑性樹脂フィルムが、熱可塑性ポリイミド、ポリスチレン系エラストマー、ポリエステル系エラストマー、ポリアミド系エラストマー、ポリエーテルエーテルケトン、ポリフェニレンエーテル、変性ポリフェニレンエーテル、ポリエーテルスルホン、ポリアセタール樹脂およびシクロオレフィンポリマーから選ばれる少なくとも１種の熱可塑性樹脂を含む、＜１＞または＜２＞に記載の仮接着用積層体。
＜４＞　熱可塑性樹脂フィルムの、２５℃から、２０℃／分で昇温した１％重量減少温度が２５０℃以上である＜１＞～＜３＞のいずれかに記載の仮接着用積層体。
＜５＞　離型剤を含む層の厚みが０．００１～１０００ｎｍである、＜１＞～＜４＞のいずれかに記載の仮接着用積層体。
＜６＞　離型剤を含む層は、２５０℃、２時間加熱した後、２５℃に冷却した条件で測定した、水接触角が３０°以上である、＜１＞～＜５＞のいずれかに記載の仮接着用積層体。
＜７＞　離型剤が、ケイ素原子とフッ素原子を有するシランカップリング剤である＜１＞～＜６＞のいずれかに記載の仮接着用積層体。
＜８＞　離型剤が、ケイ素原子とフッ素原子を有する化合物であって、フッ素原子の含有率が２０～８０％である、＜１＞～＜７＞のいずれかに記載の仮接着用積層体。
＜９＞　離型剤が、１５０℃以上の加熱により熱可塑性樹脂フィルムに焼き付けることが可能なシリコーン樹脂である、＜１＞～＜６＞のいずれかに記載の仮接着用積層体。
＜１０＞　熱可塑性樹脂フィルム表面に、シロキサン結合を有する化合物およびケイ素原子とフッ素原子を有する化合物から選択される離型剤を含む層を形成する工程を含む、仮接着用積層体の製造方法。
＜１１＞　デバイスウェハと支持体との間に、＜１＞～＜９＞のいずれかに記載の仮接着用積層体を有し、仮接着用積層体の離型層側の面がデバイスウェハのデバイス面に接し、他方の面が支持体の表面に接している、デバイスウェハ付き積層体。
　本発明によれば、デバイスウェハと支持体との仮接着を容易に解除できる仮接着用積層体、仮接着用積層体の製造方法およびデバイスウェハ付き積層体を提供可能になった。
半導体装置の製造方法を示す一実施形態の概略図である。 従来の接着性支持体とデバイスウェハとの仮接着状態の解除を説明する概略断面図である。
　以下、本発明の実施形態を詳細に説明する。
　本明細書における基（原子団）の表記において、置換および無置換を記していない表記は、置換基を有さないものと共に置換基を有するものをも包含するものである。例えば、「アルキル基」とは、置換基を有さないアルキル基（無置換アルキル基）のみならず、置換基を有するアルキル基（置換アルキル基）をも包含するものである。
　本明細書中における「活性光線」または「放射線」は、例えば、可視光線、紫外線、遠紫外線、電子線、Ｘ線等を含むものを意味する。
　本明細書において、「光」とは、活性光線または放射線を意味している。
　本明細書において、「露光」とは、特に断らない限り、水銀灯、紫外線、エキシマレーザーに代表される遠紫外線、Ｘ線、ＥＵＶ光等による露光のみならず、電子線およびイオンビーム等の粒子線による描画をも意味している。
　本明細書において、「（メタ）アクリレート」は、アクリレートおよびメタアクリレートを表し、「（メタ）アクリル」は、アクリルおよびメタアクリルを表し、「（メタ）アクリロイル」は、「アクリロイル」および「メタクリロイル」を表す。
　本明細書において、重量平均分子量および数平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）測定によるポリスチレン換算値として定義される。本明細書において、重量平均分子量（Ｍｗ）および数平均分子量（Ｍｎ）は、例えば、ＨＬＣ－８２２０（東ソー（株）製）を用い、カラムとしてＴＳＫｇｅｌ Ｓｕｐｅｒ　ＡＷＭ―Ｈ（東ソー（株）製）、６．０ｍｍＩＤ×１５．０ｃｍを、溶離液として１０ｍｍｏｌ／Ｌ　リチウムブロミドＮＭＰ(Ｎ－メチルピロリジノン)溶液を用いることによって求めることができる。
　なお、以下に説明する実施の形態において、既に参照した図面において説明した部材等については、図中に同一符号あるいは相当符号を付すことにより説明を簡略化あるいは省略化する。
＜仮接着用積層体＞
　本発明の仮接着用積層体は、デバイスウェハのデバイス面と支持体とを、剥離可能に仮接着するために用いる仮接着用積層体であって、仮接着用積層体は、熱可塑性樹脂フィルムと、シロキサン結合を有する化合物およびケイ素原子とフッ素原子を有する化合物から選択される離型剤を含む層とを有し、熱可塑性樹脂フィルムのデバイス側の表面であって、デバイス面に対応する領域に離型剤を含む層を少なくとも有し、仮接着用積層体は、デバイスウェハと支持体と仮接着した後、支持体をデバイスウェハのデバイス面から剥離する際に、支持体と熱可塑性樹脂フィルムを少なくとも含む積層体が、デバイスから剥離されるものである。以下、離型剤を含む層を、離型層ともいう。
　本発明の仮接着用積層体は、熱可塑性樹脂フィルムのデバイス側の表面であって、デバイス面に対応する領域に上記離型層を有するので、デバイスウェハと支持体との仮接着を容易に解除でき、剥離性に優れる。また、上記離型層は、熱可塑性樹脂フィルムの表面に形成されており、熱可塑性樹脂フィルムの表面は平坦性に優れているため、離型層をほぼ均一な膜厚で形成することができる。すなわち、スピンコートによって仮接着用積層体を形成すると、残存溶媒によるアウトガス、乾燥収縮によるしわ、エッジビードによる周辺の厚膜化などが生じるが、フィルムとして成型されたものを仮接着用積層体として用いることにより、上記の問題を抑制できる。このため、デバイスウェハと支持体とを仮接着した際において、熱可塑性樹脂フィルムがデバイス面に直接接し難く、より優れた剥離性を達成できる。そのため、デバイスウェハと支持体と仮接着した後、支持体をデバイスウェハのデバイス面から剥離する際に、支持体と熱可塑性樹脂フィルムを少なくとも含む積層体が、デバイスから剥離されるので、デバイスウェハ側には、熱可塑性樹脂フィルムが残存せず、デバイスウェハと支持体との仮接着を解除した後の、デバイスウェハの洗浄などの手間を簡略化できる。
　また、熱可塑性樹脂フィルムを用いるので、デバイスウェハと支持体の圧着する際の加熱により、熱可塑性樹脂が軟化する。その結果、デバイスウェハの微細な凹凸にも追従し、ボイドを生じることなく、優れた接着性を達成できる。
　なお、本明細書において、「デバイスウェハのデバイス面と支持体とを、剥離可能に仮接着する」とは、デバイスウェハと支持体とを仮接着して一体化した状態（デバイスウェハ付き積層体）から、デバイスウェハと支持体との仮接着状態を解除して、両者を分離することを意味する。仮接着状態の解除は、機械剥離による解除が好ましい。
　また、本明細書において、「熱可塑性樹脂フィルムのデバイス側の表面であって、デバイス面に対応する領域」とは、デバイスウェハのデバイス面と支持体とを仮接着した際に、仮接着用積層体のデバイスウェハ側の面が、デバイスウェハのデバイス面と接触する領域である。
　本発明の仮接着用積層体は、デバイスウェハと支持体と仮接着した後、支持体をデバイスウェハのデバイス面から剥離する際に、支持体と熱可塑性樹脂フィルムを少なくとも含む積層体が、デバイスから剥離されるものである。両者の剥離は、デバイス面と離型層との界面での剥離であってもよく、離型層と熱可塑性樹脂フィルムとの界面での剥離であってもよく、離型層の内部での剥離であってもよい。
　すなわち、支持体をデバイスウェハから剥離した後の、デバイスウェハのデバイス面には、離型層の剥離残渣が付着していてもよい。また、熱可塑性樹脂フィルムの剥離残渣は、デバイス面の面積の９９％以上の範囲において、付着していないことが好ましい。また、「支持体と熱可塑性樹脂フィルムを少なくとも含む積層体」は、熱可塑性樹脂フィルムの全面が支持体に積層されていることが好ましいが、熱可塑性樹脂フィルムの一部（好ましくは熱可塑性樹脂フィルムの面積の１０％以下、より好ましくは５％以下）が支持体から剥離していてもよい。
　なお、「離型層の剥離残渣」とは、離型層に含まれる離型剤を意味する。また、「熱可塑性樹脂フィルムの剥離残渣」とは、熱可塑性樹脂フィルムに含まれる熱可塑性樹脂を意味する。離型層の剥離残渣、熱可塑性樹脂フィルムの剥離残渣は、目視、光学顕微鏡、走査型電子顕微鏡などで観測できるが、本発明では、剥離面を目視で観察して測定したものとする。
　また、「支持体と熱可塑性樹脂フィルムを少なくとも含む積層体」は、熱可塑性樹脂フィルムの全面が、支持体と接着している必要はなく、熱可塑性樹脂フィルムの一部が支持体と接着していなくてもよい。
　以下、本発明の仮接着用積層体について具体的に説明する。
＜＜熱可塑性樹脂フィルム＞＞
　本発明の仮接着用積層体において、熱可塑性樹脂フィルムは、熱可塑性樹脂を射出成型、押出成型、塗工等の手法によってフィルム形状に加工したものを用いることができる。熱可塑性樹脂フィルムを使用することで、デバイスウェハ上のチップなどの形状に追従して変形するため、デバイスウェハと支持体との接着性が良好である。更には、ボイドの発生を伴うことなく、支持体とデバイスウェハを仮接着できる。
　熱可塑性樹脂フィルムの平均厚みは、特に限定されるものではないが、例えば、０．１～５００μｍが好ましく、０．１～３００μｍがより好ましく、１～１５０μｍが更に好ましい。熱可塑性樹脂フィルムの平均厚みが上記範囲であれば、平坦性が良好で、デバイスウェハのデバイス面に対して均一に貼り合せることができる。更には、仮接着後の加工時におけるアウトガスの増加や、貼り合せ時のずれなども生じにくい。
　なお、本発明において、熱可塑性樹脂フィルムの平均厚みは、熱可塑性樹脂フィルムの一方向に沿った断面において、一方の端面から他方の端面に向かって、等間隔で５か所の場所における厚みを、マイクロメータにより測定した値の平均値と定義する。
　なお、本発明において、「熱可塑性樹脂フィルムの一方向に沿った断面」とは、熱可塑性樹脂フィルムが多角形状である場合は、長辺方向に直交する断面とする。また、熱可塑性樹脂フィルムが正方形状である場合は、いずれか一方の辺に直交する断面とする。また、熱可塑性樹脂フィルムが円形または楕円形である場合は、重心を通過する断面とする。
　熱可塑性樹脂フィルムは、熱可塑性樹脂フィルムの一方向に沿った断面において、最大膜厚と最小膜厚の差が、平均膜厚の１０％以下であることが好ましく、５％以下であることがより好ましい。
　熱可塑性樹脂フィルムの、２５℃から、２０℃／分で昇温した１％重量減少温度は、２５０℃以上が好ましく、３００℃以上がより好ましく、３５０℃以上が更に好ましい。熱可塑性樹脂フィルムの１％重量減少温度が２５０℃以上であれば、デバイスウェハの、機械的または化学的な処理の際に、高温に曝されても、熱可塑性樹脂の分解を抑制でき、ボイドの発生などを効果的に抑制できる。なお、重量減少温度とは、熱重量測定装置（ＴＧＡ）により、窒素気流下において、上記昇温条件で測定した値である。
　熱可塑性樹脂フィルムの溶剤含有率は、５質量％以下が好ましく、１質量％以下がより好ましく、含有しないことが特に好ましい。この態様によれば、アウトガスを抑制することができ、仮接着した状態で加熱した際のボイドの発生を防ぐことができる。熱可塑性樹脂フィルムの溶剤含有量は、ガスクロマトグラフ（ＧＣ）により測定できる。
＜＜＜熱可塑性樹脂＞＞＞
　本発明の仮接着用積層体において、熱可塑性樹脂フィルムは、熱可塑性樹脂を含むことが好ましい。熱可塑性樹脂としては、熱可塑性ポリイミド、ポリスチレン系エラストマー、ポリエステル系エラストマー、ポリアミド系エラストマー、ポリエーテルエーテルケトン、ポリフェニレンエーテル、変性ポリフェニレンエーテル、ポリエーテルスルホン、ポリアセタール樹脂およびシクロオレフィンポリマーから選ばれる少なくとも１種が好ましい。また、耐熱性の観点から、ポリスチレン系エラストマー、ポリエステル系エラストマー、ポリアミド系エラストマー、ポリエーテルエーテルケトン、ポリフェニレンエーテル、変性ポリフェニレンエーテルおよびポリエーテルスルホン、ポリアセタール樹脂およびシクロオレフィンポリマーから選ばれる少なくとも１種がより好ましく、熱可塑性ポリイミドがさらに好ましい。熱可塑性樹脂は１種を単独で用いてもよく、２種以上を混合して用いてもよい。
　上記熱可塑性樹脂を含む熱可塑性樹脂フィルムは、デバイスウェハの微細な凹凸にも追従し、ボイドを生じることなく、優れた接着性を達成できる。また、支持体をデバイスウェハから剥離する際に、デバイスウェハなどに応力をかけることなく、支持体をデバイスウェハから剥離（好ましくは機械剥離）でき、デバイス等の破損や剥落を防止できる。
　なお、本発明において、熱可塑性樹脂とは、１５０～３５０℃で軟化する樹脂であって、２５℃における貯蔵弾性率は、１０4～１０12Ｐａであることが好ましく、１０5～１０11Ｐａであることがより好ましく、１０6～１０10Ｐａであることが最も好ましい。１５０～３００℃における貯蔵弾性率は、１０2～１０7Ｐａであることが好ましく、１０1～１０6Ｐａであることがより好ましく、１０0～１０5Ｐａであることが最も好ましい。なお、貯蔵弾性率は、動的粘弾性測定装置（ＤＭＡ）で測定した値である。また、「軟化する」とは、１５０～３００℃における貯蔵弾性率が、２５℃における貯蔵弾性率の１００倍以上となる状態を意味する。
　熱可塑性樹脂のガラス転移温度（以下、Ｔｇともいう）は、５０～４００℃が好ましく、７５～４００℃がより好ましく、１１０～３５０℃が更に好ましい。Ｔｇが上記範囲であれば、デバイスウェハと支持体との仮接着時に、熱可塑性樹脂フィルムが軟化して、デバイスウェハの微細な凹凸にも追従し、ボイドを生じることなく、優れた接着性を達成できる。なお、熱可塑性樹脂がＴｇを２種類以上有する場合は、上記Ｔｇの値は、低い方のガラス転移点を意味する。
　熱可塑性樹脂の融点は、１００～４５０℃が好ましく、１２０～４００℃がより好ましい。融点が上記範囲であれば、デバイスウェハの微細な凹凸にも追従し、ボイドを生じることなく、優れた接着性を達成できる。なお、熱可塑性樹脂が融点を２種類以上有する場合は、上記融点の値は、低い方の融点を意味する。
　熱可塑性樹脂の重量平均分子量は、２，０００～２００，０００が好ましく、１０，０００～２００，０００がより好ましく、５０，０００～１００，０００が最も好ましい。この範囲にあることで、耐熱性を良好にできる。
＜＜＜＜熱可塑性ポリイミド＞＞＞＞
　熱可塑性ポリイミドとしては、テトラカルボン酸二無水物とジアミンを公知の方法で縮合反応させて得られるものを用いることができる。
　公知の方法としては、例えば、有機溶剤中で、テトラカルボン酸二無水物とジアミンを略等モル混合し、反応温度８０℃以下で反応させて得られたポリアミック酸を脱水閉環させる方法などが挙げられる。ここで、略等モルとは、テトラカルボン酸二無水物とジアミンのモル量比が１：１近傍であることを言う。なお、必要に応じて、テトラカルボン酸二無水物とジアミンの組成比が、テトラカルボン酸二無水物の合計１．０モルに対して、ジアミンの合計が０．５～２．０モルとなるように調整してもよい。テトラカルボン酸二無水物とジアミンの組成比を上記の範囲内で調整することによって、ポリイミド樹脂の重量平均分子量を調整することができる。
　熱可塑性ポリイミド樹脂としては、下記一般式（１）で表される繰り返し構造単位を持つものが挙げられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000001
　一般式（１）において、Ｘは直接結合、－ＳＯ2－、－ＣＯ－、－Ｃ（ＣＨ3）2－、－Ｃ（ＣＦ3）2－又は－Ｓ－であり、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4はそれぞれ独立して水素原子、炭素数１～６のアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン化アルキル基、ハロゲン化アルコキシ基、又はハロゲン原子であり、Ｙは下記式（２）よりなる群から選ばれた基である。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000002
　一般式（１）で表される繰り返し構造単位を有する熱可塑性ポリイミド樹脂は、下記一般式（３）のエーテルジアミンと下記一般式（４）のテトラカルボン酸二無水物とを原料として、有機溶媒の存在下又は非存在下で反応させ、得られたポリアミド酸を化学的に又は熱的にイミド化して製造できる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000003
　一般式（３）において、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3及びＲ4はそれぞれ式（１）における記号と同じ意味を示す。
　一般式（４）において、Ｙは一般式（１）における記号と同じ意味を示す。
　一般式（１）及び一般式（３）中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4の具体例としては、水素原子、メチル基、エチル基等のアルキル基、メトキシ基、エトキシ基等のアルコキシ基、フルオロメチル基、トリフルオロメチル基等のハロゲン化アルキル基、フルオロメトキシ基等のハロゲン化アルコキシ基、塩素原子、フッ素原子等のハロゲン原子が挙げられる。好ましくは、水素原子である。また、式中のＸは直接結合、－ＳＯ2－、－ＣＯ－、－Ｃ（ＣＨ3）2－、－Ｃ（ＣＦ3）2－又は－Ｓ－であり、好ましくは、直接結合、－ＳＯ2－、－ＣＯ－、－Ｃ（ＣＨ3）2－である。
　一般式（１）及び一般式（４）中、Ｙは、式（２）で表されるものであり、好ましくは酸二無水物としてピロメリット酸二無水物を使用したものである。
　熱可塑性ポリイミド樹脂は、下記式（５）で表される繰り返し構造単位を有することが好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000004
　熱可塑性ポリイミド樹脂は、下記式（６）及び式（７）の繰り返し構造単位を有する熱可塑性ポリイミド樹脂も好ましい具体例として挙げられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000005
　式（６）及び式（７）において、ｍ及びｎは各構造単位のモル比を意味し（必ずしもブロック重合体を意味しない）、ｍ／ｎは４～９、より好ましくは５～９、さらに好ましくは６～９の範囲の数である。
　式（６）及び式（７）の繰り返し構造単位を有する熱可塑性ポリイミド樹脂は、それぞれ対応するエーテルジアミンとテトラカルボン酸二無水物とを原料として、有機溶媒の存在下又は非存在下で反応させ、得られたポリアミド酸を化学的に又は熱的にイミド化して製造できる。これらの具体的製造方法は、公知のポリイミドの製造方法の条件を利用することができる。
　熱可塑性ポリイミド樹脂は、下記式（８）で表される繰り返し構造単位を有する熱可塑性ポリイミド樹脂を使用することもできる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000006
　式（８）の繰り返し構造単位を有する熱可塑性ポリイミド樹脂は、それぞれ対応するエーテルジアミンとテトラカルボン酸二無水物とを原料として、有機溶媒の存在下又は非存在下で反応させ、得られたポリアミド酸を化学的に又は熱的にイミド化して製造できる。これらの具体的製造方法は、公知のポリイミドの製造方法の条件を利用することができる。
　熱可塑性ポリイミド樹脂は、耐熱性に優れる。熱可塑性ポリイミド樹脂の２５℃から、２０℃／分で昇温した１％重量減少温度は、２５０℃以上が好ましく、３００℃以上がより好ましく、３５０℃以上が更に好ましい。
　熱可塑性ポリイミド樹脂のＴｇは、２００～４００℃が好ましく、２５０～３７５℃がより好ましく、３００～３５０℃が更に好ましい。Ｔｇが上記範囲であれば、デバイスウェハの微細な凹凸にも追従し、ボイドを生じることなく、優れた接着性を達成できる。
　熱可塑性ポリイミドの市販品としては、例えば、三井化学（株）製「オーラム（登録商標）」、倉敷紡績（株）製「ミドフィル（登録商標）」、デュポン（株）製「ベスペル（登録商標）ＴＰ」等が使用できる。
＜＜＜＜ポリスチレン系エラストマー＞＞＞＞
　ポリスチレン系エラストマーとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。例えば、スチレン－ブタジエン－スチレンブロック共重合体（ＳＢＳ）、スチレン－イソプレン－スチレンブロック共重合体（ＳＩＳ）、スチレン－エチレン－ブチレン－スチレンブロック共重合体（ＳＥＢＳ）、スチレン－ブタジエン－ブチレン－スチレン共重合体（ＳＢＢＳ）およびこれらの水添物、スチレン－エチレン－ブチレンスチレンブロックコポリマー（ＳＥＢＳ）、スチレン－エチレン－プロピレン－スチレンブロック共重合体（ＳＥＰＳ）、スチレン－エチレン－エチレン－プロピレン－スチレンブロック共重合体等が挙げられる。
　ポリスチレン系エラストマーにおける、スチレン由来の繰り返し単位の含有量は１０～９０質量％が好ましい。易剥離性の観点から、下限値は、２５質量％以上が好ましく、５１質量％以上がより好ましい。
　ポリスチレン系エラストマーは、スチレンと他の樹脂のブロック共重合体であることが好ましく、片末端または両末端がスチレンのブロック重合体であることがより好ましく、両末端がスチレンのブロック重合体であることが特に好ましい。ポリスチレン系エラストマーの両端を、スチレンのブロック重合体（スチレン由来の繰り返し単位）とすると、熱安定性がより向上する傾向にある。これは、耐熱性の高いスチレン由来の繰り返し単位が末端に存在することとなるためである。特に、スチレン由来の繰り返し単位のブロック部位が反応性のポリスチレン系ハードブロックであることにより、耐熱性、耐薬品性により優れる傾向にあり好ましい。また、これらをブロック共重合体とすると、２００℃以上においてハードブロックとソフトブロックでの相分離を行うと考えられる。その相分離の形状はデバイスウェハの基板表面の凹凸の発生の抑制に寄与すると考えられる。加えて、このような樹脂は、溶剤への溶解性およびレジスト溶剤への耐性の観点からもより好ましい。
　また、ポリスチレン系エラストマーは水添物であると、熱に対する安定性が向上し、分解や重合等の変質が起こりにくい。さらに、溶剤への溶解性およびレジスト溶剤への耐性の観点からもより好ましい。
　なお、本明細書において「スチレン由来の繰り返し単位」とは、スチレンまたはスチレン誘導体を重合した際に重合体に含まれるスチレン由来の構成単位であり、置換基を有していてもよい。スチレン誘導体としては、例えば、α－メチルスチレン、３－メチルスチレン、４－プロピルスチレン、４－シクロヘキシルスチレン等が挙げられる。置換基としては、例えば、炭素数１～５のアルキル基、炭素数１～５のアルコキシ基、炭素数１～５のアルコキシアルキル基、アセトキシ基、カルボキシル基等が挙げられる。
　ポリスチレン系エラストマーの市販品としては、例えば、（株）クラレ製「セプトン」（セプトン　Ｓ２１０４など）、「ハイブラー」、旭化成ケミカルズ（株）製「タフテック」、ＪＳＲ（株）製「ダイナロン」が挙げられる。
＜＜＜＜ポリエステル系エラストマー＞＞＞＞
　ポリエステル系エラストマーとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。例えば、ジカルボン酸又はその誘導体と、ジオール化合物又はその誘導体とを重縮合して得られるものが挙げられる。
　ジカルボン酸としては、例えば、テレフタル酸、イソフタル酸、ナフタレンジカルボン酸等の芳香族ジカルボン酸及びこれらの芳香核の水素原子がメチル基、エチル基、フェニル基等で置換された芳香族ジカルボン酸、アジピン酸、セバシン酸、ドデカンジカルボン酸等の炭素数２～２０の脂肪族ジカルボン酸、及びシクロヘキサンジカルボン酸などの脂環式ジカルボン酸などが挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよく、２種以上併用してもよい。
　ジオール化合物としては、例えば、エチレングリコール、１，３－プロパンジオール、１，４－ブタンジオール、１，６－ヘキサンジオール、１，１０－デカンジオール、１，４－シクロヘキサンジオールなどの脂肪族ジオール、脂環式ジオール、下記構造式で表される２価のフェノールなどが挙げられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000007
　上記式中、ＹDOは、炭素原子数１～１０のアルキレン基、炭素原子数４～８のシクロアルキレン基、－Ｏ－、－Ｓ－、及び－ＳＯ2－のいずれかを表すか、ベンゼン環同士の直接結合（単結合）を表す。ＲDO1及びＲDO2は各々独立に、ハロゲン原子又は炭素原子数１～１２のアルキル基を表す。ｐdo1及びｐdo2は各々独立に、０～４の整数を表し、ｎdo1は、０又は１を表す。
　ポリエステル系エラストマーの具体例としては、ビスフェノールＡ、ビス－（４－ヒドロキシフェニル）メタン、ビス－（４－ヒドロキシ－３－メチルフェニル）プロパン、レゾルシンなどが挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよく、２種以上併用して用いてもよい。
　また、ポリエステル系エラストマーとして、芳香族ポリエステル（例えば、ポリブチレンテレフタレート）部分をハードセグメント成分に、脂肪族ポリエステル（例えば、ポリテトラメチレングリコール）部分をソフトセグメント成分にしたマルチブロック共重合体を用いることもできる。マルチブロック共重合体としては、ハードセグメントとソフトセグメントとの種類、比率、及び分子量の違いによりさまざまなグレードのものが挙げられる。具体例としては、三菱化学（株）製の「プリマロイ」、東洋紡績（株）製の「ペルプレン」、東レ・デュポン（株）製の「ハイトレル」等が挙げられる。
＜＜＜＜ポリアミド系エラストマー＞＞＞＞
　ポリアミド系エラストマーとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。例えば、ポリアミド－６、１１、１２などのポリアミドをハードセグメントに用い、ポリオキシエチレン、ポリオキシプロピレン、ポリテトラメチレングリコールなどのポリエーテルおよび／またはポリエステルをソフトセグメントに用いたエラストマーなどが挙げられる。このエラストマーは、ポリエーテルブロックアミド型、ポリエーテルエステルブロックアミド型の２種類に大別される。市販品として、ダイセル・エボニック（株）製の「ダイアミド」、「ベスタミドＥ」、（株）Ｔ＆Ｋ　ＴＯＫＡ製の「ＴＰＡＥ」等が挙げられる。
＜＜＜＜ポリエーテルエーテルケトン＞＞＞＞
　ポリエーテルエーテルケトンとしては、特に制限なく使用することができ、例えば、ビクトレックスジャパン（株）製の「ＶＩＣＴＲＥＸ　ＰＥＥＫ」、倉敷紡績（株）製の「エクスピーク」、ダイセル・エボニック（株）製の「ベスタキープ」等が挙げられる。
＜＜＜＜ポリフェニレンエーテル、変性ポリフェニレンエーテル＞＞＞＞
　ポリフェニレンエーテルもしくは変性ポリフェニレンエーテルとしては、特に制限なく使用することができる。例えば、ＳＡＢＩＣイノベーティブプラスチックスジャパン製の「ＮＯＲＹＬ」、旭化成ケミカルズ（株）製の「ザイロン」、三菱エンジニアリングプラスチックス（株）製の「ユピエース」、「レマロイ」、ダイセル・エボニック（株）製の「ベストラン」等が挙げられる。
＜＜＜ポリエーテルスルホン＞＞＞
　ポリエーテルスルホンとしては、例えば、特開２００６－８９５９５号公報、特開２００４－３５２９２０号公報、特開２００２－３３８６８８号公報、特開平０７－９７４４７号公報および特開平０４－２０５３０号公報に記載のポリエーテルスルホンが挙げられる。
　ポリエーテルスルホンの中でもポリマー中にアレーン構造を有するポリエーテルスルホンを用いることにより、フィルムの結晶性が上昇し、ある一定温度以上の高温環境下においてもデバイスウェハの処理時に付加される剪断力に対してデバイスウェハを保持しうる剪断接着力を維持することが可能な仮接着用積層体が得られやすい。アレーン構造を有するポリエーテルスルホンとしては、例えば、式（ＩＶ）で表される構成単位を有するポリエーテルスルホンが挙げられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000008
式（ＩＶ）中、Ｒ1～Ｒ3は、アレーン構造を有する２価の有機基であって、ただし式（ＩＶ）中の結合手はＲ1～Ｒ3中のアレーン構造に直結している（すなわち、式（ＩＶ）中の－Ｏ－Ｒ1－Ｏ－、－Ｏ－Ｒ2－ＳＯ2－および－ＳＯ2－Ｒ3－Ｏ－における－Ｏ－および－ＳＯ2－は、Ｒ1～Ｒ3中のアレーン構造に直結している）。Ｒ1～Ｒ3は、それぞれ同一であっても異なってもよい。
　２価の有機基としては、例えば、フェニレン基、ナフタレンジイル基、アントラセンジイル基およびピレンジイル基等のアリーレン基；－Ｃ6Ｈ4－Ｃ6Ｈ4－等の２つのアリーレン基が直接結合してなる基；式（ＩＶ－１）～（ＩＶ－３）で示される２つのアリーレン基の間に２価の炭化水素基を有する基などが挙げられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000009
 式（ＩＶ－１）～（ＩＶ－３）中、＊は結合手を示す。
　ポリエーテルスルホンの重量平均分子量（Ｍｗ）は、１，０００～１，０００，０００が好ましく、５，０００～５００，０００がより好ましい。ポリエーテルスルホンの数平均分子量をＭｎとするとき、Ｍｗ／Ｍｎで示される分子量分布は、１～５が好ましく、１～３．５がより好ましい。
　ポリエーテルスルホンとしては、市販品を用いることもできる。例えば、ＢＡＳＦ社製の「ＵｌｔｒａｓｏｎＥシリーズ」（ＵｌｔｒａｓｏｎＥ６０２０Ｐなど）、ソルベイアドバンストポリマー社製の「レーデルＡシリーズ」、住友化学（株）製の「スミカエクセル　ＰＥＳシリーズ」、ソルベイスペシャルティポリマーズジャパン（株）製の「ベラデル」などが挙げられる。「スミカエクセルシリーズ」としては、例えば、スミカエクセル（登録商標）ＰＥＳ３６００Ｐ、スミカエクセル（登録商標）ＰＥＳ４１００Ｐ、スミカエクセル（登録商標）ＰＥＳ４１００ＭＰ、スミカエクセル（登録商標）ＰＥＳ４８００Ｐ、スミカエクセル（登録商標）ＰＥＳ５００３Ｐ、スミカエクセル（登録商標）ＰＥＳ５２００Ｐ、スミカエクセル（登録商標）ＰＥＳ５４００Ｐが挙げられる。
＜＜＜＜ポリアセタール樹脂＞＞＞＞
　ポリアセタール樹脂としては、特に制限なく使用することができる。例えば、デュポン（株）製の「デルリン」、ポリプラスチックス（株）製の「ＤＵＲＡＣＯＮ」、旭化成ケミカルズ（株）製「テナック」、三菱エンジニアリングプラスチックス（株）製の「ユピタール」などが挙げられる。
＜＜＜＜シクロオレフィンポリマー＞＞＞＞
　シクロオレフィンポリマーとしては、特に制限なく使用することができる。例えば、日本ゼオン（株）製の「ゼオネックス」、「ゼオノア」、ＴＯＰＡＳ　ＡＤＶＡＮＣＥＤ　ＰＯＬＹＭＥＲＳ　ＧｍｂＨ社製の「ＴＯＰＡＳ」、三井化学（株）製の「アペル」、ＪＳＲ（株）製の「ＡＲＴＯＮ」などが挙げられる。
　熱可塑性樹脂フィルムは、上記熱可塑性樹脂を熱可塑性樹脂フィルムの全固形分に対して、５０～１００質量％含有することが好ましく、７０～１００質量％がより好ましく、８８～１００質量％が特に好ましい。この態様によれば、接着性および剥離性に優れた仮接着用積層体を得やすい。
　熱可塑性樹脂は１種類のみでもよいし、２種類以上であってもよい。熱可塑性樹脂が２種類以上の場合は、その合計が上記範囲であることが好ましい。
＜＜＜酸化防止剤＞＞＞
　熱可塑性樹脂フィルムは、加熱時の酸化によるポリマー成分の低分子化やゲル化を防止する観点から、酸化防止剤を含有してもよい。酸化防止剤としては、フェノール系酸化防止剤、硫黄系酸化防止剤、リン系酸化防止剤、キノン系酸化防止剤、アミン系酸化防止剤などが使用できる。
　フェノール系酸化防止剤としては例えば、ｐ－メトキシフェノール、２，６－ジ－ｔｅｒｔ－ブチル－４－メチルフェノール、ＢＡＳＦ社製「Ｉｒｇａｎｏｘ（登録商標）１０１０」、「Ｉｒｇａｎｏｘ（登録商標）１３３０」、「Ｉｒｇａｎｏｘ（登録商標）３１１４」、「Ｉｒｇａｎｏｘ（登録商標）１０３５」、住友化学（株）製「Ｓｕｍｉｌｉｚｅｒ（登録商標）　ＭＤＰ－Ｓ」、「Ｓｕｍｉｌｉｚｅｒ（登録商標）　ＧＡ－８０」などが挙げられる。
　硫黄系酸化防止剤としては例えば、３，３’－チオジプロピオネートジステアリル、住友化学（株）製「Ｓｕｍｉｌｉｚｅｒ（登録商標）　ＴＰＭ」、「Ｓｕｍｉｌｉｚｅｒ（登録商標）　ＴＰＳ」、「Ｓｕｍｉｌｉｚｅｒ（登録商標）　ＴＰ－Ｄ」などが挙げられる。
　リン系酸化防止剤としては例えば、トリス（２，４－ジ－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）ホスフィト、ビス（２，４－ジ－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）ペンタエリスリトールジホスフィト、ポリ（ジプロピレングリコール）フェニルホスフィト、ジフェニルイソデシルホスフィト、２－エチルヘキシルジフェニルホスフィト、トリフェニルホスフィト、ＢＡＳＦ社製「Ｉｒｇａｆｏｓ（登録商標）１６８」、「Ｉｒｇａｆｏｓ（登録商標）３８」などが挙げられる。
　キノン系酸化防止剤としては例えば、ｐ－ベンゾキノン、２－ｔｅｒｔ－ブチル－１，４－ベンゾキノンなどが挙げられる。
　アミン系酸化防止剤としては例えば、ジメチルアニリンやフェノチアジンなどが挙げられる。
　酸化防止剤は、Ｉｒｇａｎｏｘ（登録商標）１０１０、Ｉｒｇａｎｏｘ（登録商標）１３３０、３，３’－チオジプロピオネートジステアリル、Ｓｕｍｉｌｉｚｅｒ（登録商標）　ＴＰ－Ｄが好ましく、Ｉｒｇａｎｏｘ（登録商標）１０１０、Ｉｒｇａｎｏｘ（登録商標）１３３０がより好ましく、Ｉｒｇａｎｏｘ（登録商標）１０１０が特に好ましい。
　また、上記酸化防止剤のうち、フェノール系酸化防止剤と、硫黄系酸化防止剤またはリン系酸化防止剤とを併用することが好ましく、フェノール系酸化防止剤と硫黄系酸化防止剤とを併用することが最も好ましい。特に、フェノール系酸化防止剤と硫黄系酸化防止剤とを併用することが好ましい。このような組み合わせにすることにより、熱酸化の過程で生じるペルオキシラジカルを補足しつつ、分解生成物であるヒドロペルオキシド(ＲＯＯＨ)を安定なＲＯＨ基に変換するという相乗効果が期待できる。フェノール系酸化防止剤と硫黄系酸化防止剤とを併用する場合、フェノール系酸化防止剤と硫黄系酸化防止剤との質量比は、フェノール系酸化防止剤：硫黄系酸化防止剤＝１：１０～１０：１が好ましく、１：５～５：１がより好ましい。
　酸化防止剤の組み合わせとしては、Ｉｒｇａｎｏｘ（登録商標）１０１０とＳｕｍｉｌｉｚｅｒ（登録商標）　ＴＰ－Ｄ、Ｉｒｇａｎｏｘ（登録商標）１３３０とＳｕｍｉｌｉｚｅｒ（登録商標）　ＴＰ－Ｄ、および、Ｓｕｍｉｌｉｚｅｒ（登録商標）　ＧＡ－８０とＳｕｍｉｌｉｚｅｒ（登録商標）　ＴＰ－Ｄが好ましく、Ｉｒｇａｎｏｘ（登録商標）１０１０とＳｕｍｉｌｉｚｅｒ（登録商標）　ＴＰ－Ｄ、Ｉｒｇａｎｏｘ（登録商標）１３３０とＳｕｍｉｌｉｚｅｒ（登録商標）　ＴＰ－Ｄがより好ましく、Ｉｒｇａｎｏｘ（登録商標）１０１０とＳｕｍｉｌｉｚｅｒ（登録商標）　ＴＰ－Ｄが特に好ましい。
　酸化防止剤の分子量は加熱中の昇華防止の観点から、４００以上が好ましく、６００以上がさらに好ましく、７５０以上が特に好ましい。
　熱可塑性樹脂フィルムが酸化防止剤を有する場合、酸化防止剤の含有量は、熱可塑性樹脂フィルムの全固形分に対して、０．００１～２０．０質量％が好ましく、０．００５～１０．０質量％がより好ましい。
　酸化防止剤は１種類のみでもよいし、２種類以上であってもよい。酸化防止剤が２種類以上の場合は、その合計が上記範囲であることが好ましい。
＜＜＜界面活性剤＞＞＞
　熱可塑性樹脂フィルムは、界面活性剤を含有してもよい。界面活性剤としては、フッ素系界面活性剤、ノニオン系界面活性剤、カチオン系界面活性剤、アニオン系界面活性剤、シリコーン系界面活性剤などの各種界面活性剤を使用でき、フッ素系界面活性剤が好ましい。界面活性剤を含有させることで、液特性（特に、流動性）が向上し、塗布厚の均一性や省液性をより改善することができる。
　フッ素系界面活性剤は、フッ素含有率が３～４０質量％であることが好ましく、５～３０質量％がより好ましく、７～２５質量％が更に好ましい。フッ素含有率がこの範囲内であるフッ素系界面活性剤は、塗布膜の厚さの均一性や省液性の点で効果的である。さらには、溶解性も良好である。
　フッ素系界面活性剤としては、例えば、ＤＩＣ（株）製のメガファックＦ－２５１、同Ｆ－２８１、同Ｆ－４３０、同Ｆ－４４４、同Ｆ－４７７、同Ｆ－５１０、同Ｆ－５５２、同Ｆ－５５３、同Ｆ－５５４、同Ｆ－５５５、同Ｆ－５５６、同Ｆ－５５７、同Ｆ－５５８、同Ｆ－５５９、同Ｆ－５６０、同Ｆ－５６１、同Ｆ－５６２、同Ｆ－５６３、同Ｆ－５６５、同Ｆ－５６７、同Ｆ－５６８、同Ｆ－５６９、同Ｆ－５７０、同Ｆ－５７１、同Ｒ－４０、同Ｒ－４１、同Ｒ－４３、同Ｒ－９４、住友スリーエム（株）製のＦＣ－４４３０、ＦＣ－４４３２、ＡＧＣセイミケミカル（株）製のサーフロンＳ－２４２、同Ｓ－２４３、同Ｓ－３８６、同Ｓ－６５１、同Ｓ－６１１、同Ｓ－４２０、ＯＭＮＯＶＡ社製のＰＦ－６３６、ＰＦ－６５６、ＰＦ－６３２０、ＰＦ－６５２０、ＰＦ－７００２等が挙げられる。
　ノニオン系界面活性剤としては、グリセロール、トリメチロールプロパン、トリメチロールエタン並びにそれらのエトキシレートおよびプロポキシレート（例えば、グリセロールプロポキシレート、グリセリンエトキシレート等）、ポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル、ポリオキシエチレンオレイルエーテル、ポリオキシエチレンオクチルフェニルエーテル、ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテル、ポリエチレングリコールジラウレート、ポリエチレングリコールジステアレート等が挙げられる。
　カチオン系界面活性剤としては、森下産業（株）製ＥＦＫＡ－７４５、共栄社化学（株）製ポリフローＮｏ．７５、Ｎｏ．９０、Ｎｏ．９５等が挙げられる。
　シリコーン系界面活性剤としては、モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ・ジャパン合同会社製ＴＳＦ－４４４０、ＴＳＦ－４３００、ＴＳＦ－４４４５、ＴＳＦ－４４６０、ＴＳＦ－４４５２、信越シリコーン（株）製ＫＰ－３４１、ＫＦ－６００１、ＫＦ－６００２、ビックケミー（株）製ＢＹＫ－３０７、ＢＹＫ－３２３、ＢＹＫ－３３０等が挙げられる。
　熱可塑性樹脂フィルムが界面活性剤を有する場合、界面活性剤の含有量は、熱可塑性樹脂フィルムの全固形分に対して、０．００１～２．０質量％が好ましく、０．００５～１．０質量％がより好ましい。
　界面活性剤は１種類のみでもよいし、２種類以上であってもよい。界面活性剤が２種類以上の場合は、その合計が上記範囲であることが好ましい。
＜＜その他の添加剤＞＞
　熱可塑性樹脂フィルムは、本発明の効果を損なわない範囲で、必要に応じて、各種添加物、例えば、可塑剤、相溶剤、充填剤、密着促進剤、紫外線吸収剤、凝集防止剤、シランカップリング剤等を配合することができる。これらの添加剤を配合する場合、その合計配合量は熱可塑性樹脂フィルムの全固形分の３質量％以下が好ましい。
＜＜離型層＞＞
　本発明の仮接着用積層体は、熱可塑性樹脂フィルムのデバイス側の表面であって、デバイス面に対応する領域に、シロキサン結合を有する化合物およびケイ素原子とフッ素原子を有する化合物から選択される離型剤を含む層（離型層）を有する。離型剤は、ケイ素原子とフッ素原子を有する化合物であることが好ましい。この態様によれば、より良好な剥離性を達成できる。
　離型層の膜厚は、薄膜であっても効果が得られるので、特に限定はない。例えば、０．００１～１０００ｎｍが好ましく、０．１～５００ｎｍがより好ましく、１～１００ｎｍが更に好ましい。上記範囲であれば、デバイスウェハと支持体との仮接着時において、熱可塑性樹脂フィルムがデバイスウェハと直接接触することを防止でき、より良好な剥離性を達成できる。
　本発明において、離型層の平均厚みは、離型層の一方向に沿った断面において、一方の端面から他方の端面に向かって、等間隔で５か所の場所における厚みを、エリプソメトリーにより測定した値の平均値と定義する。「離型層の一方向に沿った断面」は、上述した「熱可塑性樹脂フィルムの一方向に沿った断面」と同義である。
　離型層が、ケイ素原子とフッ素原子を有する化合物を含有する場合、離型層は、フッ素原子およびケイ素原子から選ばれる少なくとも一種を含有する化合物を、離型層の全固形分に対して、５～１００質量％含有することが好ましく、５０～１００質量％がより好ましく、９０～１００質量％が更に好ましい。
　離型層が、シロキサン結合を有する化合物を含有する場合、離型層は、シロキサン結合を有する化合物を、離型層の全固形分に対して、５～１００質量％含有することが好ましく、５０～１００質量％がより好ましく、９０～１００質量％が更に好ましい。
　離型層が、ケイ素原子とフッ素原子を有する化合物とシロキサン結合を有する化合物とを含有する場合、離型層は、離型層の全固形分に対して、ケイ素原子とフッ素原子を有する化合物を３０～９５質量％、シロキサン結合を有する化合物を５～７０質量％含有することが好ましく、ケイ素原子とフッ素原子を有する化合物を４０～９０質量％、シロキサン結合を有する化合物を１０～６０質量％含有することがより好ましい。
　離型剤は１種類のみでもよいし、２種類以上であってもよい。離型剤が２種類以上の場合は、その合計が上記範囲であることが好ましい。
　離型層は、２５０℃で２時間加熱した後、２５℃に冷却した条件で測定した、水接触角が３０°以上であることが好ましく、４０°以上であることがより好ましく、５０°以上であることが更に好ましい。上限は、特に限定はないが、例えば、１４０°以下が好ましく、１３０°以下がより好ましく、１２０°以下が更に好ましい。上記水接触角が３０°以上であれば、優れた剥離性が得られる。
　なお、本発明において、水接触角は、厚さ１００ｍｍＳｉウェハに各種離型層を成膜したものを用いて測定を行った。接触角の測定装置には、協和界面科学（株）製の接触角計（型番：ＣＡ－Ｄ）を用いた。室温２５℃、湿度５０％において、７０ｐＬの水滴を滴下して５箇所の接触角を測定した。接触角５点を平均して、各サンプルの接触角とした。
＜＜＜シロキサン結合を有する化合物＞＞＞
　シロキサン結合を有する化合物は、シリコーン樹脂であることが好ましい。
　シリコーン樹脂は、無溶剤型、オイル型、溶液型、エマルジョン型、焼付け型のいずれも好ましく用いることができる。
　シリコーン樹脂は、例えば、１５０℃以上（より好ましくは２００℃以上、更に好ましくは２５０℃以上、特に好ましくは３００℃以上）の加熱により熱可塑性樹脂フィルム表面に焼き付け可能なものが好ましい。上限は、４５０℃以下が好ましく、４００℃以下がより好ましく、３５０℃以下が更に好ましい。上記温度での焼き付けが可能なものであれば、高温下の機械的または化学的な処理の際に離型層が分解しにくく、耐熱性に優れる。更には、ボイドの発生を効果的に抑制できる。
　なお、「熱可塑性樹脂フィルム表面に焼き付け可能」とは、シリコーン樹脂を成膜後加熱することにより反応することで、熱可塑性樹脂に強く結合し容易に剥離しない状態のことである。
　シリコーン樹脂の重量平均分子量は、１０,０００～１０,０００，０００が好ましく、５０，０００～５,０００，０００がより好ましい。
　シリコーン樹脂としては、直鎖状のオルガノポリシロキサンおよび／または分岐構造を有するオルガノポリシロキサンが好ましい。オルガノポリシロキサンとしては、例えば、下記一般式（１）で示されるオルガノポリシロキサンなどを用いることができる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000010
 　式（１）中、Ｍ1は一般式（２）、Ｔは一般式（３）、Ｄは一般式（４）、Ｍ2は一般式（５）で示される構造単位であり、式中の酸素原子は隣接する構造単位と共有されてシロキサン結合を形成するものとする。Ｒ1はアルケニル基、Ｒ2は置換または非置換の１価の有機基、ａは２以上、ｂは５～１００の整数、ｃは２，０００～２０，０００の整数、ｄは０または正の整数であって、ａ＋ｄ＝ｂ＋２を満たす数である。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000011
　Ｒ1が表すアルケニル基としては、例えば、ビニル、アリル、プロペニルなど挙げられる。
　Ｒ2が表す１価の有機基としては、例えば、メチル、エチル、プロピル、ブチルなどのアルキル基；シクロヘキシル基などのシクロアルキル基；ビニル、アリル、プロペニルなどのアルケニル基；フェニル、トリルなどのアリール基またはこれらの基の炭素原子に結合する水素原子の一部または全部をハロゲン原子、シアノ基、アミノ基などで置換したクロロメチル基、トリフルオロプロピル基、シアノエチル基などの置換または非置換の１価の炭化水素基、更には、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、メトキシエトキシ基などのアルコキシ基、水酸基、エポキシ基などが挙げられる。
　Ｒ1はビニル基が工業的に好ましく、Ｒ2は少なくともその８０モル％がメチル基であることが工業上も、特性上も好ましい。
　式（１）のｂは分岐状オルガノポリシロキサンの分岐構造を決める数であり、５～１００の整数であり、６～８０が好ましい。ｃは、２，０００～２０，０００であり、５，０００～１０，０００が好ましい。
　ａ、ｄはオルガノポリシロキサンの分子末端に位置するシロキサン単位の数であるが、ａは２以上、ｄは０または正の整数であり、分岐の数と分子末端の数の関係から、ａ＋ｄ＝ｂ＋２を満たす必要がある。
　必ずアルケニル基を有する構造単位はＭ1のみであり、ａが２以上であるのは、１分子中のアルケニル基の数が２以上であること、アルケニル基は分子鎖末端に優先して配置されること、を意味している。ｄ＝０でもａ＋ｄ＝ｂ＋２を満たすことができるのであれば、良好な硬化性を達成するためにはｄ＝０がより好ましい。
　ａ、ｂ、ｃ、ｄの合計値で、オルガノポリシロキサンの重合度の範囲が限定されるが、実用上は粘度による表示が有用である。高重合度のポリマーの粘度としては、一般的に限界粘度ηｒで示されるが、オルガノポリシロキサンの限界粘度ηｒは１．０～３．０の範囲が特に好ましい。
　シロキサン結合を有する化合物は、フッ素基を含んでいても良い。フッ素基としては、既知のフッ素基を使用することができ、例えば、フッ化アルキル基、フッ化アルキレン基等が挙げられる。
　フッ化アルキル基の炭素数は、１～３０が好ましく、１～２０がより好ましく、１～１５がより好ましい。フッ化アルキル基は、直鎖、分岐、環状のいずれであってもよい。また、エーテル結合を有していてもよい。また、フッ化アルキル基は、水素原子の全てがフッ素原子に置換されたパーフルオロアルキル基であってもよい。
　フッ化アルキレン基の炭素数は、２～３０が好ましく、２～２０がより好ましく、２～１５がより好ましい。フッ化アルキレン基は、直鎖、分岐、環状のいずれであってもよい。また、エーテル結合を有していてもよい。また、フッ化アルキレン基は、水素原子の全てがフッ素原子に置換されたパーフルオロアルキレン基であってもよい。
　シロキサン結合を有する化合物の市販品としては、信越化学工業（株）製ＫＭ－９７３６Ａ、ＫＭ－９７３７Ａ、ＫＭ－９７３８Ａ、ＫＭ－９７３９、ＫＭ－７２２Ｔ、ＫＭ－７４０Ｔ、ＫＭ－７４２Ｔ、ＫＭ－７８０、ＫＭ－７８２、ＫＭ－７８５、ＫＭ－７９７、ＫＭ－９７０５、ＫＭ－８６０Ａ、ＫＭ－８６２Ｔ、シルキャストＵ、ＫＦ－９６、ＫＦ－９６５、ＫＦ－５４、ＫＦ－４１０、ＫＦ－４１２、ＫＦ－４７０１、ＫＭ－２４４Ｆ、ＫＳ－６１、ＫＳ－７０２、ＫＳ－７２５、ＫＳ－７０７、ＫＳ－７００、ＫＳ－７２０１、ＫＳ－７２００、ＳＥＰＡ－ＣＯＡＴ、東レ・ダウコーニング（株）製ＳＭ ７０３６ ＥＸ、ＳＭ　７０６０　ＥＸ、ＩＥ－７０４５、ＩＥ－７０４６Ｔ、ＢＹ　２２－７３６　ＥＸ、ＢＹ　２２－７４９　ＳＲ、ＳＭ　７００１ＥＸ、ＳＭ　７００２ＥＸ、ＳＭ　４９０ＥＸ、ＢＹ　２２－７４４ＥＸ、ＳＭ　８７０６ＥＸ、ＳＨ　７０２４、ＳＨ　２００、ＳＨ　２０３、２３０　ＦＬＵＩＤ、ＳＦ　８４１６、ＳＨ　５５０、ＰＲＸ　３０８、ＳＨ　７０２０、ＳＲ　２４７２、モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ・ジャパン合同会社製ＴＳＦ４５１シリーズ、ＴＳＦ４６００、ＴＳＦ４４２０、ＴＳＭ６２０、ＴＳＭ６２１、ＹＳＲ３０２２、ＴＳＭ６２８１、ＹＳＲ６２０９、ＹＳＲ６２０９Ｂ、ＴＳＭ６３０、ＴＳＭ６３０ＮＦ、ＴＳＭ６３１、ＴＳＭ６３２、ＴＳＭ６３７、ＹＭＲ７２１２、ＴＳＭ６３４１、ＴＳＭ６３４３、ＴＳＭ６４７、ＴＳＭ６３４４、ＴＳＭ６３４５、ＴＳＭ６３６２、ＴＳＭ６３６３、ＴＳＭ６５０、ＹＧ６１４４等が使用できる。
＜＜＜ケイ素原子とフッ素原子を有する化合物＞＞＞
　ケイ素原子とフッ素原子を有する化合物は、シランカップリング剤であることが好ましい。また、ケイ素原子とフッ素原子を有する化合物のフッ素原子の含有率は、２０～８０％が好ましく、２４～８０％がさらに好ましい。ここで、フッ素原子の含有率は、各化合物を（株）島津製作所製のＩＣＰ発光分光分析装置（型番：ＩＣＰＳ－８１００）によって測定した。
　シランカップリング剤としては、フッ素原子を少なくとも一つ有する基と、シリル基を少なくとも一つ有する化合物が挙げられる。
　フッ素原子を少なくとも一つ有する基としては、フッ素原子が一分子中に２個以上含まれる、一般的にパーフルオロアルキル基またはパーフルオロエーテル基と呼ばれる基を有している化合物であることが好ましい。フッ素原子を有する基は置換基を有していてもよい。置換基としては、反応性や熱安定性の観点から任意に選択することができ、例えば、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子等のハロゲン原子；メトキシ基、エトキシ基及びｔｅｒｔ－ブトキシ基等のアルコキシ基；フェノキシ基及びｐ－トリルオキシ基等のアリールオキシ基；メトキシカルボニル基、ブトキシカルボニル基及びフェノキシカルボニル基等のアルコキシカルボニル基；アセトキシ基、プロピオニルオキシ基及びベンゾイルオキシ基等のアシルオキシ基；アセチル基、ベンゾイル基、イソブチリル基、アクリロイル基、メタクリロイル基及びメトキサリル基等のアシル基；メチルスルファニル基及びｔｅｒｔ－ブチルスルファニル基等のアルキルスルファニル基；フェニルスルファニル基及びｐ－トリルスルファニル基等のアリールスルファニル基；メチル基、エチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基及びドデシル基等のアルキル基；シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、アダマンチル基等のシクロアルキル基；フェニル基、ｐ－トリル基、キシリル基、クメニル基、ナフチル基、アンスリル基及びフェナントリル基等のアリール基；ヒドロキシ基；カルボキシ基；ホルミル基；スルホニル基；シアノ基；アルキルアミノカルボニル基；アリールアミノカルボニル基；スルホンアミド基；シリル基；アミノ基；モノアルキルアミノ基；ジアルキルアミノ基；アリールアミノ基；及びジアリールアミノ基チオキシ基；又はこれらの組み合わせが挙げられる。
　シリル基としては、シラノール基または加水分解性シリル基を有することが好ましい。加水分解性シリル基とは、加水分解性を有するシリル基のことであり、加水分解性基としては、アルコキシ基、メルカプト基、ハロゲン原子、アミド基、アセトキシ基、アミノ基、イソプロペノキシ基等を挙げることができる。シリル基は加水分解してシラノール基となり、シラノール基は脱水縮合してシロキサン結合が生成する。このような加水分解性シリル基又はシラノール基は下記式（Ｂ－１）で表されるものが好ましい。
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　式（Ｂ－１）中、Ｒh1～Ｒh3の少なくともいずれか１つは、アルコキシ基、メルカプト基、ハロゲン原子、アミド基、アセトキシ基、アミノ基、及び、イソプロペノキシ基よりなる群から選択される加水分解性基、又は、ヒドロキシ基を表す。残りのＲh1～Ｒh3はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、又は、１価の有機置換基（例えば、アルキル基、アリール基、アルケニル基、アルキニル基、アラルキル基を挙げることができる。）を表す。
　式（Ｂ－１）中、ケイ素原子に結合する加水分解性基としては、特にアルコキシ基、ハロゲン原子が好ましく、アルコキシ基がより好ましい。
　アルコキシ基としては、剥離性の観点から、炭素数１～３０のアルコキシ基が好ましい。より好ましくは炭素数１～１５のアルコキシ基、更に好ましくは炭素数１～５のアルコキシ基、特に好ましくは炭素数１～３のアルコキシ基、最も好ましくはメトキシ基又はエトキシ基である。
　ハロゲン原子としては、Ｆ原子、Ｃｌ原子、Ｂｒ原子、Ｉ原子が挙げられ、合成のしやすさ及び安定性の観点で、好ましくはＣｌ原子及びＢｒ原子であり、より好ましくはＣｌ原子である。
　加水分解性シリル基及びシラノール基の少なくとも１種を有する化合物は、上記式（Ｂ－１）で表される基を１つ以上有する化合物であることが好ましく、２つ以上有する化合物も使用することができる。
　加水分解性基は１個のケイ素原子に１～４個の範囲で結合することができ、式（Ｂ－１）中における加水分解性基の総個数は２又は３の範囲であることが好ましい。特に３つの加水分解性基がケイ素原子に結合していることが好ましい。加水分解性基がケイ素原子に２個以上結合するときは、それらは互いに同一であっても、異なっていてもよい。
　好ましいアルコキシ基として、具体的には、例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基、ブトキシ基、ｔｅｒｔ－ブトキシ基、フェノキシ基、ベンジルオキシ基などを挙げることができる。これらの各アルコキシ基を複数個組み合わせて用いてもよいし、異なるアルコキシ基を複数個組み合わせて用いてもよい。
　アルコキシ基の結合したアルコキシシリル基としては、例えば、トリメトキシシリル基、トリエトキシシリル基、トリイソプロポキシシリル基、トリフェノキシシリル基などのトリアルコキシシリル基；ジメトキシメチルシリル基、ジエトキシメチルシリル基などのジアルコキシモノアルキルシリル基；メトキシジメチルシリル基、エトキシジメチルシリル基などのモノアルコキシジアルキルシリル基を挙げることができる。
　ケイ素原子とフッ素原子を有する化合物としては、信越化学工業（株）製ＫＢＭ－７１０３、ダイキン工業（株）製オプツールＤＳＸ、三菱マテリアル電子化成（株）製エフトップ、パーフルオロデシルトリメトキシシラン、パーフルオロデシルトリエトキシシラン、トリフルオロプロピルトリメトキシシラン、トリフルオロプロピルトリエトキシシラン、パーフルオロオクチルトリメトキシシラン、パーフルオロオクチルトリエトキシシラン、パーフルオロドデシルトリメトキシシラン、パーフルオロドデシルトリエトキシシラン、パーフルオロペンチルトリエトキシシラン、パーフルオロペンチルトリメトキシシラン等が挙げられ、これらを好ましく用いることができる。
＜＜＜他の成分＞＞＞
　離型層は、離型剤に加えて、さらに本発明の効果を損なわない範囲において、目的に応じて種々の化合物を含むことができる。例えば、熱重合開始剤、増感色素、連鎖移動剤、酸化防止剤を好ましく使用することができる。これらは、上述した熱可塑性樹脂フィルムで説明したものを用いることができる。
＜仮接着用積層体の製造方法＞
　次に、本発明の仮接着用積層体の製造方法について説明する。
　本発明の仮接着用積層体の製造方法は、上述した熱可塑性樹脂フィルムの表面に、上述した離型剤を含む層（離型層）を形成する工程を含む。
＜＜熱可塑性樹脂フィルムの製造方法＞＞
　熱可塑性樹脂フィルムは、従来公知の方法により製造できる。例えば、溶融製膜法、溶液製膜法などにより製造できる。好ましくは溶融製膜法である。溶融製膜法であれば、平坦性を維持しながら厚膜化が可能である。更には、溶剤に溶解しにくいポリマー成分やその他添加剤を使用することもでき、材料選択の自由度が高い。特に、溶剤に溶解しにくい傾向がある、高耐熱性添加剤を用いることが可能であり、耐熱性に優れた熱可塑性樹脂フィルムが得られやすい。
　溶融製膜法は、原料組成物を過熱して溶融することで流動性を実現し、この融液を押出成型装置や射出成型装置を使用してシート状にし、冷却することでフィルム（シート）を得る方法である。押出成型法では、平坦性のよい長尺フィルムを得ることができる。長尺フィルムの長さは、特に限定はないが、下限は、例えば１ｍ以上が好ましく、２ｍ以上がより好ましい。射出成型法では長尺フィルムを得ることは難しいが高い膜厚精度を得られる。他の添加剤も混合溶融撹拌することで添加することができる。フィルムの片面または両面に離型フィルムを貼合して、「離型フィルム付き熱可塑性樹脂フィルム」としても良い。
　溶液製膜法は、原料組成物を溶剤で溶解することで流動性を実現し、この溶液をフィルムやドラムやバンドなどの支持体に塗工してシート状にし、乾燥することでフィルム（シート）を得る方法である。
　溶剤としては、溶剤は、公知のものを制限なく使用でき、有機溶剤が好ましい。
　有機溶剤としては、酢酸エチル、酢酸－ｎ－ブチル、酢酸イソブチル、ギ酸アミル、酢酸イソアミル、酢酸イソブチル、プロピオン酸ブチル、酪酸イソプロピル、酪酸エチル、酪酸ブチル、乳酸メチル、乳酸エチル、オキシ酢酸アルキル（例：オキシ酢酸メチル、オキシ酢酸エチル、オキシ酢酸ブチル（例えば、メトキシ酢酸メチル、メトキシ酢酸エチル、メトキシ酢酸ブチル、エトキシ酢酸メチル、エトキシ酢酸エチル等））、３－オキシプロピオン酸アルキルエステル類（例：３－オキシプロピオン酸メチル、３－オキシプロピオン酸エチル等（例えば、３－メトキシプロピオン酸メチル、３－メトキシプロピオン酸エチル、３－エトキシプロピオン酸メチル、３－エトキシプロピオン酸エチル等））、２－オキシプロピオン酸アルキルエステル類（例：２－オキシプロピオン酸メチル、２－オキシプロピオン酸エチル、２－オキシプロピオン酸プロピル等（例えば、２－メトキシプロピオン酸メチル、２－メトキシプロピオン酸エチル、２－メトキシプロピオン酸プロピル、２－エトキシプロピオン酸メチル、２－エトキシプロピオン酸エチル））、２－オキシ－２－メチルプロピオン酸メチルおよび２－オキシ－２－メチルプロピオン酸エチル（例えば、２－メトキシ－２－メチルプロピオン酸メチル、２－エトキシ－２－メチルプロピオン酸エチル等）、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、ピルビン酸プロピル、アセト酢酸メチル、アセト酢酸エチル、２－オキソブタン酸メチル、２－オキソブタン酸エチル、１－メトキシ－２－プロピルアセテート等のエステル類；
　ジエチレングリコールジメチルエーテル、テトラヒドロフラン、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、メチルセロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノプロピルエーテルアセテート等のエーテル類；
メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、２－ヘプタノン、３－ヘプタノン、Ｎ－メチル－２－ピロリドン（ＮＭＰ）、Ｎ－エチル－２－ピロリドン（ＮＥＰ）、γブチロラクトン等のケトン類；
塩化メチレン、クロロホルム、１，２－ジクロロエタン、１，２－ジブロモエタン、クロロベンゼン等のハロゲン類；
トルエン、キシレン、アニソール、メシチレン等の芳香族炭化水素類；
リモネン、ｐ－メンタン等の炭化水素類などが好適に挙げられる。
　これらの溶剤は、塗布面状の改良などの観点から、２種以上を混合する形態も好ましい。この場合、特に好ましくは、メシチレン、ｐ－メンタン、γブチロラクトン、アニソール、３－エトキシプロピオン酸メチル、３－エトキシプロピオン酸エチル、エチルセロソルブアセテート、乳酸エチル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、酢酸ブチル、３－メトキシプロピオン酸メチル、２－ヘプタノン、シクロヘキサノン、エチルカルビトールアセテート、ブチルカルビトールアセテート、プロピレングリコールメチルエーテル、およびプロピレングリコールメチルエーテルアセテートから選択される２種以上で構成される混合溶液である。
　溶液の塗工方法としては、スリット状の開口から溶液を圧力で押し出して塗工する方法、グラビアやアロニクスローラーで溶液を転写して塗工する方法、スプレーやディスペンサーから溶液を吐出しながら走査して塗工する方法、溶液をタンクに溜めてその中にフィルムやドラムやバンドを通過させることでディップ塗工する方法、ワイヤーバーで溶液を押流しながらかきとることで塗工する方法などが挙げられる。
　支持体に溶液を塗工した後に、乾燥して固体化したシートになった後、シートを支持体から機械的に引き剥がすことにより、単体のフィルム（シート）を得ることができる。引き剥がしやすいように、予め支持体上に離型性を付与する処理として、離型層の塗布、浸漬処理、ガス処理、電磁波照射処理、プラズマ照射処理などを行っても良い。あるいは、フィルムを支持体から引き剥がさずにそのまま残して、フィルム支持体上にシートが接着した状態のまま、「離型フィルム付き熱可塑性樹脂フィルム」としても良い。これらの処理を連続的に行うことで、ロール状の長尺フィルムを得ることができる。また、フィルムの両面に、離形フィルムを貼合して、「両面離型フィルム付き熱可塑性樹脂フィルム」としても良い。
＜＜離型層の形成方法＞＞
　熱可塑性樹脂フィルムの表面に離型層を形成させる方法としては、ラミネート法、塗工法、共押出法が挙げられる。
　ラミネート法は、離型フィルムに、上記離型剤を少なくとも含む組成物を塗工して、フィルム状の離型層（離型層フィルム）を形成し、熱可塑性樹脂フィルムの離型フィルムの無い面と、離型層フィルムの離型フィルムの無い面とを接触させて、ラミネートする方法である。
　ラミネートは、ローララミネート（加熱、加圧してもよい）、真空ラミネート（加熱してもよい）など、公知の装置を使用可能である。熱可塑性樹脂フィルムの両面に離型層フィルムをラミネートすることで、熱可塑性樹脂フィルムの両面に離型層を設けることができる。
　塗工法は、熱可塑性樹脂フィルムの離型フィルムの無い面に、離型層形成用溶液を塗布後、乾燥して形成する方法である。離型層形成用組成物は、上述した離型剤と溶剤とを含む溶液を用いることが好ましい。溶剤としては、離型剤を溶解可能なものであれば、何れも好ましく用いることができる。離型剤がケイ素原子とフッ素原子を有する化合物を含む場合は、フッ素原子を有する溶剤が溶解性が高いため好ましい。例としては、フロリナートＦＣ－４０（住友スリーエム（株）製）が挙げられる。
　熱可塑性樹脂フィルムを溶液製膜法で作製する場合は、インラインで、フィルム形成用溶液を塗布、乾燥後、巻き取らずに、離型層形成用溶液を塗布、乾燥しても良い。また、フィルム形成用溶液と、離型層形成用溶液とが相溶性がないように溶液の物性を設計した場合には、同時に塗布し、同時に乾燥しても良い。
　また、フィルム形成用溶液を塗布後、乾燥せずに、離型層形成用溶液を塗布し、両者を同時に乾燥しても良い。
　また、フィルム形成用溶液と離型層形成用溶液が一旦は相溶するが、乾燥して濃度が高くなると相分離するような物性に設計した場合には、混合溶液を塗布し、乾燥中に熱可塑性樹脂フィルムと離型層に分離するようにしても良い。
　また、熱可塑性樹脂フィルムの両面に離型層形成用溶液を塗工することで、熱可塑性樹脂フィルムの両面に離型層を設けることができる。
　共押出法は、フィルム形成用の材料と、離型層形成用の材料をそれぞれ熱溶融し、同時に押出成型しながら一体化することによって、熱可塑性樹脂フィルムと離型層が一体になったシートを得る方法である。フィルム形成用の材料の両面に離型層形成用の材料を押出すことで、熱可塑性樹脂フィルムの両面に離型層を設けることができる。
　本発明の仮接着用積層体は、溶剤含有率が、１質量％以下が好ましく、０．１質量％以下がより好ましく、含有しないことが特に好ましい。
　本発明の仮接着用積層体は、仮接着用積層体の片面または両面に、離型フィルムを貼合して「離型フィルム付き仮接着用積層体」としてもよい、この態様によれば、長尺状の仮接着用積層体をロール状に巻き取る際に、仮接着用積層体の表面に傷がついたり、保管中に貼りついたりするトラブルを防止することができる。
　離型フィルムは、使用する際に剥離除去することができる。例えば、両面に離型フィルムが貼合されている場合においては、片面の離型フィルムを剥がし、接着面をデバイスウェハや支持体などにラミネートした後で、残った離型フィルムを剥がすことで、シート面の清浄をできるだけ保つことができる。
＜接着性支持体＞
　次に、本発明の仮接着用積層体を用いた接着性支持体について説明する。
　接着性支持体は、支持体の表面に、上述した仮接着用積層体を有する。
　仮接着用積層体は、支持体上に、上述した本発明の仮接着用積層体をラミネートして形成することができる。例えば、仮接着用積層体を真空ラミネーターにセットし、本装置にて仮接着用積層体を支持体上に位置させ、真空下で、仮接着用積層体と支持体とを接触させ、ローラなどで圧着して仮接着用積層体を支持体に固定（積層）する方法などが挙げられる。また、支持体に固定された仮接着用積層体は、例えば円形状など、所望の形状にカットしてもよい。
　接着性支持体において、仮接着用積層体は、熱可塑性樹脂フィルムの片面のみに離型層が形成されてなるものであってもよいし、両面に離型層が形成されてなるものであってもよい。熱可塑性樹脂フィルムの片面のみに離型層が形成されていることが好ましい。なお、熱可塑性樹脂フィルムの片面のみに離型層が形成されている場合は、支持体とは反対側の面に離型層が形成されている。また、熱可塑性樹脂フィルムの一方の面は、支持体の表面に接していることが好ましい。
　接着性支持体において、支持体（キャリア支持体ともいう）は特に限定されないが、例えば、シリコン基板、ガラス基板、金属基板、化合物半導体基板などが挙げられる。なかでも、半導体装置の基板として代表的に用いられるシリコン基板を汚染しにくい点や、半導体装置の製造工程において汎用されている静電チャックを使用できる点などを鑑みると、シリコン基板であることが好ましい。
　支持体の厚みは、特に限定されるものではないが、例えば、３００μｍ～１００ｍｍが好ましく、３５０μｍ～１０ｍｍがより好ましい。
　支持体の表面には、離型層が設けられていてもよい。すなわち、支持体は、離型層付き支持体であってもよい。
　離型層としては、フッ素原子および／またはケイ素原子を含む低表面エネルギー層が好ましく、フッ素原子および／またはケイ素原子を含む材料を有することが好ましい。離型層のフッ素含有率は、３０～８０質量％が好ましく、４０～７６質量％がより好ましく、６０～７５質量％が特に好ましい。
　離型層の材料としては、上述した仮接着用積層体の離型層で説明したものと同様のものを用いることができる。
＜デバイスウェハ付き積層体＞
　次に、本発明のデバイスウェハ付き積層体について説明する。
　本発明のデバイスウェハ付き積層体は、デバイスウェハと支持体との間に、上述した本発明の仮接着用積層体を有し、仮接着用積層体の離型層側の面がデバイスウェハのデバイス面に接し、他方の面が支持体の表面に接している。
　デバイスウェハは、公知のものを制限なく使用することができ、例えば、シリコン基板、化合物半導体基板などが挙げられる。化合物半導体基板の具体例としては、ＳｉＣ基板、ＳｉＧｅ基板、ＺｎＳ基板、ＺｎＳｅ基板、ＧａＡｓ基板、ＩｎＰ基板、ＧａＮ基板などが挙げられる。
　デバイスウェハの表面には、機械構造や回路が形成されていてもよい。機械構造や回路が形成されたデバイスウェハとしては、例えば、ＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ　Ｅｌｅｃｔｒｏ　Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ　Ｓｙｓｔｅｍｓ）、パワーデバイス、イメージセンサ、マイクロセンサー、ＬＥＤ、光学デバイス、インターポーザー、埋め込み型デバイス、マイクロデバイスなどが挙げられる。
　デバイスウェハは、金属バンプ、パッド、ビア等の構造を有していることが好ましい。本発明の仮接着剤フィルムは表面に構造を有しているデバイスウェハに対しても、安定して仮接着できるとともに、デバイスウェハを容易に剥離できる。構造の高さは、特に限定はないが、例えば、１～１００μｍが好ましい。構造体は、デバイスウェハ内部まで埋め込まれて形成されていても良い。
　機械的または化学的な処理を施す前のデバイスウェハの膜厚は、５００μｍ以上が好ましく、６００μｍ以上がより好ましく、７００μｍ以上が更に好ましい。上限は、例えば、１０００μｍ以下が好ましく、９００μｍ以下がより好ましい。
　機械的または化学的な処理を施して薄膜化した後のデバイスウェハの膜厚は、例えば、５００μｍ未満が好ましく、４００μｍ以下がより好ましく、３００μｍ以下が更に好ましい。下限は、例えば、５μｍ以上が好ましく、１０μｍ以上がより好ましい。
　本発明のデバイスウェハ付き積層体において、支持体（キャリア支持体）としては、上述した接着性支持体で説明した支持体と同義であり、好ましい範囲も同様である。
　本発明のデバイスウェハ付き積層体は、上述した接着性支持体の、仮接着用積層体が形成された側の面と、デバイスウェハとを加熱圧着することにより製造できる。加圧接着条件は、例えば、温度１００～４００℃、圧力０．０１～１ＭＰａ、時間１～１５分が好ましい。
　また、支持体とデバイスウェハとの間に、上述した本発明の仮接着用積層体を配置し、加熱圧着して製造することもできる。
＜半導体装置の製造方法＞
　以下、デバイスウェハ付き積層体を製造する工程を経た半導体装置の製造方法の一実施形態について、図１を合わせて参照しながら説明する。なお、本発明は、以下の実施形態に限定されるものではない。
　図１（Ａ）～（Ｆ）は、それぞれ、支持体とデバイスウェハとの仮接着を説明する概略断面図（図１（Ａ）～（Ｄ））、支持体に仮接着されたデバイスウェハが薄型化された状態（図１（Ｅ））、支持体とデバイスウェハを剥離した状態（図１（Ｆ））を示す概略断面図である。
　この実施形態では、図１（Ａ）～（Ｂ）に示すように、熱可塑性樹脂フィルム１１１の表面に離型層１１０が積層されてなる仮接着用積層体１１を、支持体１２の表面にラミネートして、離型層１１０が最表面に配置された接着性支持体１００を作製する。接着性支持体１００は、上述した方法で製造できる。
　この実施形態の接着性支持体１００は、支持体１２の片面の全面が、仮接着用積層体１１で被覆されている。このような接着性支持体は、薄化デバイスウェハのＴＴＶ（Ｔｏｔａｌ　Ｔｈｉｃｋｎｅｓｓ　Ｖａｒｉａｔｉｏｎ）をより低下させたい場合（すなわち、薄型デバイスウェハの平坦性をより向上させたい場合）に有効である。
　すなわち、仮接着用積層体により仮接着されたデバイスウェハを薄化する場合においては、先ず、デバイスウェハ表面の構造体が仮接着剤フィルムによって保護されているため、薄化時に構造体由来の凹凸形状をほとんど無くすことが可能である。その結果、最終的に得られる薄型デバイスウェハのＴＴＶをより低下させることができる。
　図１（Ｃ）に示すように、デバイスウェハ６０は、シリコン基板６１の表面（デバイス面）６１ａに複数のデバイスチップ６２が設けられてなる。
　シリコン基板６１の厚さは、例えば、２００～１２００μｍが好ましい。デバイスチップ６２は例えば金属構造体であることが好ましく、高さは１０～１００μｍが好ましい。
　次いで、図１（Ｃ）～（Ｄ）に示す通り、接着性支持体１００と、デバイスウェハ６０のデバイス面６１ａとを圧着させ、支持体１２とデバイスウェハ６０とを仮接着させる。
　次いで、シリコン基板６１の裏面６１ｂに対して、機械的または化学的な処理（特に限定されないが、例えば、グライディングや化学機械研磨（ＣＭＰ）等の薄膜化処理、化学気相成長（ＣＶＤ）や物理気相成長（ＰＶＤ）などの高温・真空下での処理、有機溶剤、酸性処理液や塩基性処理液などの薬品を用いた処理、めっき処理、活性光線の照射、加熱・冷却処理など）を施して、図１（Ｅ）に示すように、シリコン基板６１の厚さを薄くし（例えば、平均厚さ５００μｍ未満であることが好ましく、１～２００μｍであることがより好ましく、１～１００μｍが更に好ましい）、薄型デバイスウェハ６０ａを得る。
　また、機械的または化学的な処理として、薄膜化処理の後に、薄型デバイスウェハ６０ａの裏面６１ｂ１からシリコン基板を貫通する貫通孔（図示せず）を形成し、この貫通孔内にシリコン貫通電極（図示せず）を形成する処理を行ってもよい。加熱処理における最高到達温度は、例えば、１３０℃～４５０℃が好ましく、１８０℃～４００℃がより好ましい。加熱処理は、例えば、最高到達温度での３０秒～５時間の加熱であることが好ましく、最高到達温度での１分～３時間の加熱であることがより好ましい。
　次いで、図１（Ｆ）に示すように、支持体１２を、薄型デバイスウェハ６０ａから脱離させる。脱離の方法は特に限定されるものではないが、何ら処理することなく薄型デバイスウェハ６０ａの端部から薄型デバイスウェハ６０ａに対して垂直方向に引き上げて剥離することが好ましい。すなわち、機械剥離が好ましい。
　剥離界面は、デバイス面６１ａと離型層１１０との界面であってもよく、離型層１１０と熱可塑性樹脂フィルム１１１との界面であってもよく、離型層１１０の内部であってもよい。すなわち、デバイス面６１ａ１には、離型層１１０の剥離残渣が付着していてもよい。仮接着用積層体１１と薄型デバイスウェハとの剥離強度をＡ、熱可塑性樹脂フィルム１１１と離型層１１０の剥離強度Ｂとすると、以下の式を満たすことが好ましい。
Ａ＜Ｂ・・・・式（１）
　なお、剥離強度は、（株）イマダ製のデジタルフォースゲージを用い、薄型デバイスウェハ６０ａの端部からデバイスウェハに対して垂直方向に引き上げて剥離した時の値を５回測定し、その平均値を用いた。
　また、仮接着用積層体１１に剥離液に接触させ、その後、必要に応じて、支持体１２に対して薄型デバイスウェハ６０ａを摺動させた後に、薄型デバイスウェハ６０ａの端部からデバイスウェハに対して垂直方向に引き上げて剥離することもできる。剥離液としては、例えば、特開２０１４－８０５７０号公報の段落番号０２０３～０２１２に記載の剥離液などを用いることができる。なお、本発明は、剥離液などによる処理を必ずしも必要とするわけではない。機械剥離のみで、剥離残渣などを生じることなく、薄型デバイスウェハ６０ａのデバイス面６１ａから、支持体１２と共に熱可塑性樹脂フィルム１１１を同時に除去することができる。
　薄型デバイスウェハ６０ａから支持体を剥離した後、後述する洗浄液に接触させ、デバイス面６１ａを洗浄することもできる。必要に応じて、薄型デバイスウェハ６０ａに対して、種々の公知の処理を施し、薄型デバイスウェハ６０ａを有する半導体装置を製造する。
＜洗浄液＞
　以下、洗浄液について詳細に説明する。
　洗浄液としては、熱可塑性樹脂および離型剤を溶解する有機溶剤が好ましい。有機溶剤としては、例えば、脂肪族炭化水素類（ヘキサン、ヘプタン、エッソ化学（株）製アイソパーＥ、Ｈ、Ｇ等、芳香族炭化水素類（トルエン、キシレン等）、ハロゲン化炭化水素（メチレンジクロライド、エチレンジクロライド、トリクレン、モノクロルベンゼン等）、極性溶剤が挙げられる。極性溶剤としては、アルコール類（メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、１－ブタノール、１－ペンタノール、１－ヘキサノール、１－ヘプタノール、１－オクタノール、２－オクタノール、２－エチル－１－ヘキサノール、１－ノナノール、１－デカノール、ベンジルアルコール、エチレングリコールモノメチルエーテル、２－エトキシエタノール、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノヘキシルエーテル、トリエチレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、ポリエチレングリコールモノメチルエーテル、ポリプロピレングリコール、テトラエチレングリコール、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノベンジルエーテル、エチレングリコールモノフェニルエーテル、プロピレングリコールモノフェニルエーテル、メチルフェニルカルビノール、ｎ－アミルアルコール、メチルアミルアルコール等）、ケトン類（アセトン、メチルエチルケトン、エチルブチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン等）、エステル類（酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸ブチル、酢酸アミル、酢酸ベンジル、乳酸メチル、乳酸ブチル、エチレングリコールモノブチルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールアセテート、ジエチルフタレート、レブリン酸ブチル等）、その他（トリエチルフォスフェート、トリクレジルフォスフェート、Ｎ－フェニルエタノールアミン、Ｎ－フェニルジエタノールアミン、Ｎ－メチルジエタノールアミン、Ｎ－エチルジエタノールアミン、４－（２－ヒドロキシエチル）モルホリン、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド、Ｎ－メチルピロリドン等）等が挙げられる。
　また、支持体１２上の熱可塑性樹脂フィルム１１１を除去することにより、支持体１２を再生することができる。熱可塑性樹脂フィルム１１１を除去する方法としては、フィルム状のままと、ブラシ、超音波、氷粒子、エアロゾルの吹付けにより物理的に除去する方法、水溶液または有機溶剤に溶解させて溶解除去する方法、活性光線、放射線、熱の照射により分解、気化させる方法等の化学的に除去する方法が挙げられるが、支持体に応じて、従来既知の洗浄方法を利用することができる。
　例えば、支持体としてシリコン基板を使用した場合、従来既知のシリコンウェハの洗浄方法を使用することができ、例えば化学的に除去する場合に使用できる水溶液または有機溶剤としては、強酸、強塩基、強酸化剤、またはそれらの混合物が上げられ、具体的には、硫酸、塩酸、フッ酸、硝酸、有機酸等の酸類、テトラメチルアンモニウム、アンモニア、有機塩基等の塩基類、過酸化水素等の酸化剤、またはアンモニアと過酸化水素の混合物、塩酸と過酸化水素水の混合物、硫酸と過酸化水素水の混合物、フッ酸と過酸化水素水の混合物、フッ酸とフッ化アンモニウムとの混合物等が挙げられる。
　再生した支持体を使った場合の剥離性の観点から、支持体洗浄液を用いることが好ましい。
　支持体洗浄液は、ｐＫａが０未満の酸と過酸化水素を含んでいることが好ましい。ｐＫａが０未満の酸としては、ヨウ化水素、過塩素酸、臭化水素、塩化水素、硝酸、硫酸等の無機酸、又はアルキルスルホン酸、アリールスルホン酸等の有機酸から選択される。支持体上の接着剤層の洗浄性の観点から無機酸であることが好ましく、硫酸が最も好ましい。
　過酸化水素としては、３０ｗ／ｖ％過酸化水素水が好ましく使用でき、上記強酸と３０ｗ／ｖ％過酸化水素水との混合比は０．１：１～１００：１が好ましく、１：１～１０：１がより好ましく、３：１～５：１が最も好ましい。
＜＜従来の実施形態＞＞
　次いで、従来の実施形態について説明する。
　図２は、従来の接着性支持体とデバイスウェハとの仮接着状態の解除を説明する概略断面図である。
　従来の実施形態においては、図２に示すように、接着性支持体として、支持体１２の上に、従来の仮接着剤により形成された接着層１１ｂが設けられてなる接着性支持体１００ａを使用し、それ以外は、図１を参照して説明した手順と同様に、接着性支持体１００ａとデバイスウェハとを仮接着し、デバイスウェハにおけるシリコン基板の薄膜化処理を行い、次いで、上記した手順と同様に、接着性支持体１００ａから薄型デバイスウェハ６０ａを剥離する。
　しかしながら、従来の仮接着剤によれば、高い接着力によりデバイスウェハを仮接着し、処理後のデバイスウェハに損傷を与えることなく、支持体とデバイスウェハとの仮接着を容易に解除することが困難である。例えば、デバイスウェハと支持体との仮接着を充分にしようとするべく、従来の仮接着剤の内、接着性の高いものを採用すると、デバイスウェハと支持体との仮接着が強すぎる傾向となる。よって、この強すぎる仮接着を解除するべく、例えば、図３に示すように、薄型デバイスウェハ６０ａの裏面にテープ（例えば、ダイシングテープ）７０を貼り付け、接着性支持体１００ａから薄型デバイスウェハ６０ａを剥離する場合においては、構造体６３が設けられたデバイスチップ６２から、構造体６３が脱離するなどして、デバイスチップ６２を破損する不具合が生じやすい。
　一方、従来の仮接着剤の内、接着性が低いものを採用すると、デバイスウェハに対する仮接着を容易に解除することはできるが、そもそもデバイスウェハと支持体との仮接着が弱すぎ、デバイスウェハを支持体で確実に支持できないという不具合が生じやすい。
　これに対し、本発明の仮接着用積層体は、充分な接着性を発現するとともに、デバイスウェハ６０と支持体１２との仮接着を容易に解除できる。すなわち、本発明の仮接着用積層体によれば、高い接着力によりデバイスウェハ６０を仮接着できるとともに、薄型デバイスウェハ６０ａに損傷を与えることなく、薄型デバイスウェハ６０ａに対する仮接着を容易に解除できる。
　本発明の半導体装置の製造方法は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、適宜な変形、改良等が可能である。
　また、上述した実施形態においては、デバイスウェハとして、シリコン基板を挙げたが、これに限定されるものではなく、半導体装置の製造方法において、機械的または化学的な処理に供され得るいずれの被処理部材であっても良い。例えば、化合物半導体基板を挙げることもでき、化合物半導体基板の具体例としては、ＳｉＣ基板、ＳｉＧｅ基板、ＺｎＳ基板、ＺｎＳｅ基板、ＧａＡｓ基板、ＩｎＰ基板、および、ＧａＮ基板などが挙げられる。
　また、上述した実施形態においては、デバイスウェハ（シリコン基板）に対する機械的または化学的な処理として、デバイスウェハの薄膜化処理、および、シリコン貫通電極の形成処理を挙げたが、これらに限定されるものではなく、半導体装置の製造方法において必要ないずれの処理も挙げられる。
　その他、上述した実施形態において例示した、デバイスウェハにおけるデバイスチップの形状、寸法、数、配置箇所等は任意であり、限定されない。
　以下、本発明を実施例によりさらに具体的に説明するが、本発明はその主旨を越えない限り、以下の実施例に限定されるものではない。尚、特に断りのない限り、「部」、「％」は質量基準である。
＜熱可塑性樹脂フィルムからの仮接着用積層体の作製方法＞（実施例１、３、８～１２、比較例１～４）
　下記記載の熱可塑性樹脂フィルム上に、以下の離型層形成用塗布液を、バー塗布し、１２０℃で１分間、オーブン乾燥を行い、熱可塑性樹脂フィルムの片面に離型層を有する仮接着用積層体を作製した。
［離型層形成用塗布液］
・表１記載の離型剤：表１記載の質量部
・表１記載の溶剤：表１記載の質量部
＜熱可塑性樹脂の溶液からの仮接着用積層体の作製方法＞（実施例２、４～７）
　下記記載のフィルム作製用組成物を、厚み７５μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム（離型フィルム）上に、速度１ｍ／分の速度でワイヤーバーによって塗工し、１４０℃で１０分間乾燥することによって、フィルム厚１００μｍの熱可塑性樹脂フィルムを作製した。
　つづいて、熱可塑性樹脂フィルム上に、以下の離型層形成用塗布液を、バー塗布し、１２０℃で１分間、オーブン乾燥を行い、熱可塑性樹脂フィルムの片面に離型層を有する仮接着用積層体を作製した。
［フィルム作製用組成物］
・表１記載の熱可塑性樹脂：表１に示す質量部
・Ｉｒｇａｎｏｘ（登録商標）１０１０（ＢＡＳＦ社製）：１質量部
・Ｓｕｍｉｌｉｚｅｒ（登録商標）ＴＰ－Ｄ（住友化学（株）製）：１質量部
・表１記載の溶剤：表１記載の質量部
［離型層形成用塗布液］
・表１記載の離型剤：表１記載の質量部
・表１記載の溶剤：表１記載の質量部
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000013
表１中に記載の化合物は以下の通りである。
＜熱可塑性樹脂＞
（ａ－１）　ミドフィル（熱可塑性ポリイミド樹脂、１％重量減少温度＝５２０℃、融点＝３８８℃、Ｔｇ＝３２０℃、倉敷紡績（株）製）
（ａ－２）　ＵｌｔｒａｓｏｎＥ６０２０Ｐ（ポリエーテルスルホン、１％重量減少温度＝５１０℃、融点＝２２５℃、Ｔｇ＝２２５℃、ＢＡＳＦ社製）
（ａ－３）　エクスピーク（ポリエーテルエーテルケトン、１％重量減少温度＝４８０℃、融点＝３４３℃、Ｔｇ＝３２０℃、倉敷紡績（株）製）
（ａ－４）　セプトン　Ｓ２１０４（ポリスチレン系エラストマー、１％重量減少温度＝３７０℃、融点＝１７０℃、Ｔｇ＝１２０℃、（株）クラレ製）
（ａ－５）　ＮＯＲＹＬ ＡＰＳ１３０ ｒｅｓｉｎ（変性ポリフェニレンエーテル、１％重量減少温度＝３６０℃、融点＝１３２℃、Ｔｇ＝１２０℃、ＳＡＢＩＣイノベーティブプラスチックスジャパン製）
（ａ－６）　セプトン　Ｓ２００２（ポリスチレン系エラストマー、１％重量減少温度＝３１０℃、融点＝１５０℃、Ｔｇ＝１００℃、（株）クラレ製）
（ａ－７）　デルリン　１００Ｐ　ＢＫ６０２（ポリアセタール樹脂、１％重量減少温度＝２８０℃、融点＝１７８℃、Ｔｇ＝－５０℃、デュポン（株）製）
＜離型剤＞
（ｂ－１）　オプツールＤＳＸ（ケイ素原子とフッ素原子を有する化合物（フッ素系シランカップリング剤）、ダイキン工業（株））
（ｂ－２）　ＫＳ－７００（シロキサン結合を有する化合物（シリコーン樹脂）、焼付け温度＝２５０℃、信越化学工業（株）製）
（ｂ－３）　トリフルオロプロピルトリメトキシシラン（ケイ素原子とフッ素原子を有する化合物、フッ素含有率＝２６％、東京化成工業（株）製）
（ｂ－４）　ＫＳ－７２０１（シロキサン結合を有する化合物（シリコーン樹脂）、焼付け温度＝２００℃、信越化学工業（株）製）
（ｂ－５）　ＫＳ－７２００（シロキサン結合を有する化合物（シリコーン樹脂）、焼付け温度＝２３０℃、信越化学工業（株）製）
（ｂ－６）　オプツール　ＨＤ－１１００（フッ素原子を有し、ケイ素元素を有さない化合物、ダイキン工業（株）製）
（ｂ－７）　トリメトキシ（３－（フェニルアミノ）プロピル）シラン（ケイ素原子を有し、フッ素元素を有さない化合物、東京化成工業（株）製）
（ｂ－８）　ＳＥＰＡ－ＣＯＡＴ（シロキサン結合を有する化合物（シリコーン樹脂）、焼付け温度＝１５０℃、信越化学工業（株）製）
（ｂ－９）　トリフルオロプロピルトリエトキシシラン（ケイ素原子とフッ素原子を有する化合物、フッ素含有率＝２２％、Ｓｈａｎｇｈａｉ　Ｆｕｌｕｄａ　Ｒｕｂｂｅｒ　＆　ｐｌａｓｔｉｃ　Ｍａｔｅｒｉａｌｓ　Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ　Ｃｏ．，　Ｌｔｄ．製）
　なお、熱可塑性樹脂の１％重量減少温度は、熱重量測定装置（ＴＧＡ）により、窒素気流下において、２５℃から、２０℃／分で昇温して測定した値である。
＜接着性支持体の作製＞
　上記方法で作製した仮接着用積層体を、真空ラミネーターにセットした。そして、本装置にて、仮接着用積層体を１００ｍｍＳｉウェハ上に位置させ、真空下でＳｉウェハと仮接着用積層体の離型層の反対側の面（熱可塑性樹脂フィルム側）とを接触させ、ローラにて、仮接着用積層体とＳｉウェハとを固定し、接着性支持体を作製した。
＜試験片の作製＞
　接着性支持体の仮接着用積層体が形成された側の面と、デバイスウェハのデバイス面とを、真空下、Ｔｇ＋５０℃、０．１１ＭＰａの圧力で３分間圧着を行い、試験片を作製した。デバイスウェハとしては、１００ｍｍＳｉウェハ上に直径８０μｍ、高さ４０μｍの銅からなるバンプが２００μｍのピッチで形成されているものを用いた。
＜比較例３＞
　デバイスウェハのデバイス面に、オプツールＤＳＸ（ダイキン工業（株）製）０．５質量部と、フロリナートＦＣ－４０（住友スリーエム（株）製）９９．５質量部とを含む離型層形成用組成物を塗布し、乾燥して離型層を１０ｎｍ形成した。
　次に、熱可塑性樹脂フィルムとしてミドフィル（倉敷紡績（株）製）を用い、熱可塑性樹脂フィルムと、デバイスウェハのデバイス面とを、真空下、３７０℃、０．１１ＭＰａの圧力で３分間圧着を行い、試験片を作製した。
＜比較例４＞
　１００ｍｍＳｉウェハ上に、オプツールＤＳＸ（ダイキン工業（株）製）０．５質量部と、フロリナートＦＣ－４０（住友スリーエム（株）製）９９．５質量部とを含む離型層形成用組成物を塗布し、乾燥して離型層を１０ｎｍ形成することで、支持体を作製した。
　次に、熱可塑性樹脂フィルムとしてミドフィル（倉敷紡績（株）製）を用い、熱可塑性樹脂フィルムと、支持体の離型層が形成された側の面とを、真空下、３７０℃、０．１１ＭＰａの圧力で３分間圧着を行い、接着性支持体を作製した。
　次に、接着性支持体と、デバイスウェハのデバイス面とを、真空下、３７０℃、０．１１ＭＰａの圧力で３分間圧着を行い、試験片を作製した。
＜離型層の水接触角＞
　離型層の水接触角は、厚さ１００ｍｍＳｉウェハに、各種試験片の離型層を形成した離型層形成用組成物を、各種試験片の離型層を形成した成膜条件と同じ条件で成膜し、各種試験片の離型層と同じ膜厚の離型層を形成してテストピースを作製した。
　次に、テストピースを２５０℃、２時間加熱した後、２５℃に冷却し、協和界面科学（株）製の接触角計（型番：ＣＡ－Ｄ）を用いて水接触角を測定した。測定は、室温２５℃、湿度５０％において、各テストピースの離型層表面に、７０ｐＬの水滴を滴下して５箇所の接触角を測定し、５点の平均値を接触角とした。
＜剥離性＞
＜＜剥離強度の評価＞＞
　試験片を、ダイシングテープマウンターの中央にダイシングフレームとともにセットし、ダイシングテープを上方から位置した。ローラー（および真空）で試験片とダイシングテープを固定し、ダイシングフレーム上でダイシングテープをカットし、ダイシングテープ上に試験片をマウントした。
　試験片を５００ｍｍ／ｍｉｎの条件で仮接着用積層体の垂直方向に引っ張り、剥離性を確認した。また、作製された試験片を２５０℃で３０分加熱した後に、同様に、２５０ｍｍ／ｍｉｎの条件で仮接着用積層体の垂直方向に引っ張り、熱プロセス後の剥離性を確認し、以下の基準で評価した。なお、Ｓｉウェハの破損の有無は目視で確認した。
Ａ：最大の剥離力が６Ｎ未満で剥離できた。
Ｂ：最大の剥離力が６Ｎ以上１２Ｎ未満で剥離できた。
Ｃ：最大の剥離力が１２Ｎ以上２０Ｎ未満で剥離できた。
Ｄ：最大の剥離力が２０Ｎ以上もしくはＳｉウェハが破損してしまい、剥離できなかった。
＜＜デバイス面の評価＞＞
　Ｓｉウェハの剥離後のデバイスウェハのデバイス面の外観を目視で観察して、以下の基準で評価した。
Ａ：熱可塑性樹脂フィルムの残存が認められない
Ｂ：わずかに離型層の残渣が認められる
Ｃ：離型層、熱可塑性樹脂フィルムの残渣が認められる
＜耐熱性＞
　試験片を、３００℃もしくは４００℃、真空中で加熱し、超音波顕微鏡（（株）日立パワーソリューションズ、型式：ＦｉｎｅＳＡＴ）を用いて観察し、以下の基準で評価した。
Ａ：仮接着用積層体にボイドが認められない
Ｂ：仮接着用積層体に直径３ｍｍ未満のボイドが数箇所に認められる
Ｃ：仮接着用積層体に直径３ｍｍ以上のボイドが認められる、もしくはボイドが全面に認められる
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000014
　上記結果より、実施例１～１４は、剥離性が良好であった。
　一方、比較例１～４は、デバイス面に熱可塑性樹脂の剥離残渣があり、剥離性が劣るものであった。
１１：仮接着用積層体、１１ｂ：接着層、１２：支持体、６０：デバイスウェハ、６０ａ：薄型デバイスウェハ、６１：シリコン基板、６１ａ、６１ａ１：デバイス面、６１ｂ、６１ｂ１：裏面、６２：デバイスチップ、６３：構造体、１００：接着性支持体、１００ａ：接着性支持体、１１０、離型層、１１１：熱可塑性樹脂フィルム

Claims (11)

  1. 　デバイスウェハのデバイス面と支持体とを、剥離可能に仮接着するために用いる仮接着用積層体であって、
    　前記仮接着用積層体は、熱可塑性樹脂フィルムと、シロキサン結合を有する化合物およびケイ素原子とフッ素原子を有する化合物から選択される離型剤を含む層とを有し、前記熱可塑性樹脂フィルムの前記デバイス側の表面であって、前記デバイス面に対応する領域に前記離型剤を含む層を少なくとも有し、
    　前記仮接着用積層体は、デバイスウェハと支持体と仮接着した後、前記支持体を前記デバイスウェハのデバイス面から剥離する際に、前記支持体と前記熱可塑性樹脂フィルムを少なくとも含む積層体が、前記デバイスから剥離される、仮接着用積層体。
  2. 　前記熱可塑性樹脂フィルムは、ガラス転移点が５０～４００℃の熱可塑性樹脂を含む、請求項１に記載の仮接着用積層体。
  3. 　前記熱可塑性樹脂フィルムが、熱可塑性ポリイミド、ポリスチレン系エラストマー、ポリエステル系エラストマー、ポリアミド系エラストマー、ポリエーテルエーテルケトン、ポリフェニレンエーテル、変性ポリフェニレンエーテル、ポリエーテルスルホン、ポリアセタール樹脂およびシクロオレフィンポリマーから選ばれる少なくとも１種の熱可塑性樹脂を含む、請求項１または２に記載の仮接着用積層体。
  4. 　前記熱可塑性樹脂フィルムの、２５℃から、２０℃／分で昇温した１％重量減少温度が２５０℃以上である請求項１～３のいずれか１項に記載の仮接着用積層体。
  5. 　前記離型剤を含む層の厚みが０．００１～１０００ｎｍである、請求項１～４のいずれか１項に記載の仮接着用積層体。
  6. 　前記離型剤を含む層は、２５０℃、２時間加熱した後、２５℃に冷却した条件で測定した、水接触角が３０°以上である、請求項１～５のいずれか１項に記載の仮接着用積層体。
  7. 　前記離型剤が、ケイ素原子とフッ素原子を有するシランカップリング剤である請求項１～６のいずれか１項に記載の仮接着用積層体。
  8. 　前記離型剤が、ケイ素原子とフッ素原子を有する化合物であって、フッ素原子の含有率が２０～８０％である、請求項１～７のいずれか１項に記載の仮接着用積層体。
  9. 　前記離型剤が、１５０℃以上の加熱により前記熱可塑性樹脂フィルムに焼き付けることが可能なシリコーン樹脂である、請求項１～６のいずれか１項に記載の仮接着用積層体。
  10. 　熱可塑性樹脂フィルム表面に、シロキサン結合を有する化合物およびケイ素原子とフッ素原子を有する化合物から選択される離型剤を含む層を形成する工程を含む、仮接着用積層体の製造方法。
  11. 　デバイスウェハと支持体との間に、請求項１～９のいずれか１項に記載の仮接着用積層体を有し、前記仮接着用積層体の離型層側の面が前記デバイスウェハのデバイス面に接し、他方の面が前記支持体の表面に接している、デバイスウェハ付き積層体。
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Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2018024204A (ja) * 2016-08-12 2018-02-15 富士フイルム株式会社 積層体および積層体の製造方法
JP2019067980A (ja) * 2017-10-03 2019-04-25 信越化学工業株式会社 半導体装置及びその製造方法、並びに積層体
JP2020104489A (ja) * 2018-12-28 2020-07-09 三井化学東セロ株式会社 離型フィルムおよび電子装置の製造方法
JP2020532136A (ja) * 2017-08-29 2020-11-05 レイセオン カンパニー 平坦なダイを形成する方法
JP2021027336A (ja) * 2019-08-01 2021-02-22 株式会社ディスコ 基板の処理法
US20210062088A1 (en) * 2019-08-29 2021-03-04 Sk Innovation Co., Ltd. Etching composition, method for etching insulating film of semiconductor devices using the same and method for preparing semiconductor devices
US20210151331A1 (en) * 2019-11-14 2021-05-20 Disco Corporation Setting method of protective component and manufacturing method of protective component
JP2021197391A (ja) * 2020-06-10 2021-12-27 信越化学工業株式会社 デバイス基板用仮接着剤、デバイス基板積層体及びデバイス基板積層体の製造方法
US11393869B2 (en) 2019-02-26 2022-07-19 Raytheon Company Wafer level shim processing
CN116825702A (zh) * 2022-06-21 2023-09-29 深圳市鸿芯微组科技有限公司 键合贴片机

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019107544A1 (ja) 2017-11-30 2019-06-06 三菱ケミカル株式会社 離型フィルム及び積層体の製造方法
KR102546944B1 (ko) * 2017-12-25 2023-06-23 도레이 카부시키가이샤 이형 필름
TW201945494A (zh) * 2018-03-30 2019-12-01 日商優寶股份有限公司 疊層體、模內標籤、附標籤之成形體、輥狀模內標籤以及模內標籤堆疊物
JP7139048B2 (ja) * 2018-07-06 2022-09-20 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
CN111405751B (zh) * 2020-04-22 2021-04-27 上海科谷纳新材料科技有限公司 实现mpi基材fpc天线性能改进的结构及制备方法

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011225814A (ja) * 2010-04-02 2011-11-10 Jsr Corp 仮固定用組成物、仮固定材、基材の処理方法、および半導体素子
WO2013119976A1 (en) * 2012-02-08 2013-08-15 Brewer Science Inc. Fluorinated silane coating compositions for thin wafer bonding and handling
JP2013222761A (ja) * 2012-04-13 2013-10-28 Shin Etsu Chem Co Ltd ウエハ加工体、支持体の再生方法及びウエハ加工用仮接着材
JP2013235919A (ja) * 2012-05-08 2013-11-21 Jsr Corp 基材の処理方法、積層体および半導体装置
JP2013241568A (ja) * 2012-04-27 2013-12-05 Jsr Corp 基材の処理方法、仮固定用組成物および半導体装置
WO2014003056A1 (ja) * 2012-06-29 2014-01-03 日立化成株式会社 半導体装置の製造方法
WO2015079863A1 (ja) * 2013-11-26 2015-06-04 Jsr株式会社 積層体、基材の処理方法、仮固定用組成物および半導体装置

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4357315B2 (ja) 2004-02-19 2009-11-04 信越ポリマー株式会社 部品固定治具
JP2007045939A (ja) 2005-08-10 2007-02-22 Jsr Corp 粘着フィルムの粘着力低減方法
KR101458143B1 (ko) 2006-03-01 2014-11-05 씬 머티리얼즈 아게 처리방법, 특히, 웨이퍼의 얇은 배면 처리방법, 웨이퍼-캐리어 배열 및 상기 타입의 웨이퍼-캐리어 배열의 제조방법
US20080200011A1 (en) 2006-10-06 2008-08-21 Pillalamarri Sunil K High-temperature, spin-on, bonding compositions for temporary wafer bonding using sliding approach
US7935780B2 (en) * 2007-06-25 2011-05-03 Brewer Science Inc. High-temperature spin-on temporary bonding compositions
KR20100134491A (ko) 2009-06-15 2010-12-23 스미토모 베이클리트 컴퍼니 리미티드 반도체 웨이퍼의 가고정제 및 그것을 이용한 반도체 장치의 제조 방법
JP2011052142A (ja) 2009-09-03 2011-03-17 Jsr Corp 接着剤組成物、それを用いた基材の加工または移動方法および半導体素子
JP5010668B2 (ja) 2009-12-03 2012-08-29 信越化学工業株式会社 積層型半導体集積装置の製造方法
US9263314B2 (en) 2010-08-06 2016-02-16 Brewer Science Inc. Multiple bonding layers for thin-wafer handling
JP5671377B2 (ja) * 2011-03-07 2015-02-18 富士フイルム株式会社 インプリント用硬化性組成物、パターン形成方法およびパターン
JP2012216700A (ja) * 2011-04-01 2012-11-08 Fujifilm Corp パターン形成方法およびパターン
DE102011079687A1 (de) * 2011-07-22 2013-01-24 Wacker Chemie Ag Temporäre Verklebung von chemisch ähnlichen Substraten
JP5892780B2 (ja) * 2011-12-19 2016-03-23 日東電工株式会社 半導体装置の製造方法
JP2014034632A (ja) 2012-08-08 2014-02-24 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 接着剤組成物および接着フィルム並びに接着方法

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011225814A (ja) * 2010-04-02 2011-11-10 Jsr Corp 仮固定用組成物、仮固定材、基材の処理方法、および半導体素子
WO2013119976A1 (en) * 2012-02-08 2013-08-15 Brewer Science Inc. Fluorinated silane coating compositions for thin wafer bonding and handling
JP2013222761A (ja) * 2012-04-13 2013-10-28 Shin Etsu Chem Co Ltd ウエハ加工体、支持体の再生方法及びウエハ加工用仮接着材
JP2013241568A (ja) * 2012-04-27 2013-12-05 Jsr Corp 基材の処理方法、仮固定用組成物および半導体装置
JP2013235919A (ja) * 2012-05-08 2013-11-21 Jsr Corp 基材の処理方法、積層体および半導体装置
WO2014003056A1 (ja) * 2012-06-29 2014-01-03 日立化成株式会社 半導体装置の製造方法
WO2015079863A1 (ja) * 2013-11-26 2015-06-04 Jsr株式会社 積層体、基材の処理方法、仮固定用組成物および半導体装置

Cited By (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2018024204A (ja) * 2016-08-12 2018-02-15 富士フイルム株式会社 積層体および積層体の製造方法
JP2020532136A (ja) * 2017-08-29 2020-11-05 レイセオン カンパニー 平坦なダイを形成する方法
JP2019067980A (ja) * 2017-10-03 2019-04-25 信越化学工業株式会社 半導体装置及びその製造方法、並びに積層体
JP2020104489A (ja) * 2018-12-28 2020-07-09 三井化学東セロ株式会社 離型フィルムおよび電子装置の製造方法
JP7254512B2 (ja) 2018-12-28 2023-04-10 三井化学東セロ株式会社 離型フィルムおよび電子装置の製造方法
US11393869B2 (en) 2019-02-26 2022-07-19 Raytheon Company Wafer level shim processing
JP2021027336A (ja) * 2019-08-01 2021-02-22 株式会社ディスコ 基板の処理法
JP7332095B2 (ja) 2019-08-01 2023-08-23 株式会社ディスコ 基板の処理法
US11823941B2 (en) 2019-08-01 2023-11-21 Disco Corporation Method of processing a substrate
US20210062088A1 (en) * 2019-08-29 2021-03-04 Sk Innovation Co., Ltd. Etching composition, method for etching insulating film of semiconductor devices using the same and method for preparing semiconductor devices
US20210151331A1 (en) * 2019-11-14 2021-05-20 Disco Corporation Setting method of protective component and manufacturing method of protective component
JP2021082631A (ja) * 2019-11-14 2021-05-27 株式会社ディスコ 保護部材の設置方法、被加工物の加工方法及び保護部材の製造方法
US11810794B2 (en) * 2019-11-14 2023-11-07 Disco Corporation Setting method of protective component and manufacturing method of protective component
JP7418184B2 (ja) 2019-11-14 2024-01-19 株式会社ディスコ 保護部材の設置方法、被加工物の加工方法及び保護部材の製造方法
JP2021197391A (ja) * 2020-06-10 2021-12-27 信越化学工業株式会社 デバイス基板用仮接着剤、デバイス基板積層体及びデバイス基板積層体の製造方法
JP7351260B2 (ja) 2020-06-10 2023-09-27 信越化学工業株式会社 デバイス基板用仮接着剤、デバイス基板積層体及びデバイス基板積層体の製造方法
CN116825702A (zh) * 2022-06-21 2023-09-29 深圳市鸿芯微组科技有限公司 键合贴片机
CN116825702B (zh) * 2022-06-21 2024-05-14 深圳市鸿芯微组科技有限公司 键合贴片机

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CN106459680A (zh) 2017-02-22
KR101884258B1 (ko) 2018-08-01
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KR20160149247A (ko) 2016-12-27

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