JP2013241568A - 基材の処理方法、仮固定用組成物および半導体装置 - Google Patents

Abstract

【課題】基材を支持体から剥離する時において基材の破損を良好に防ぐことが可能な、すなわち歩留まりのよい基材の処理方法を提供する。
【解決手段】〈１〉支持体上に、（Ａ）シクロオレフィン系重合体と、（Ｂ）ジアルキルシリコーン構造等の構造（ｂ１）およびポリオキシアルキレン構造等の構造（ｂ２）を有する化合物とを含有する仮固定材（Ｉ）を少なくとも含む仮固定材を介して、基材を仮固定することにより、積層体を得る工程、〈２〉前記基材を加工し、および／または前記積層体を移動する工程、ならびに〈３〉基材面に対して略垂直方向に、前記基材または前記支持体に力を付加することで、基材を支持体から剥離する工程をこの順で有する、基材の処理方法。
【選択図】なし

Description

本発明は、仮固定材を用いた基材の処理方法、基材を処理する際に、基材を支持体上に仮固定するために好適に用いることができる仮固定材の原料組成物、および半導体装置に関する。

半導体ウエハ等の基材を加工や移動するに際して、支持体から基材がずれて動かないように、仮固定材等を用いて基材と支持体とを仮固定する必要がある。そして、加工および／または移動終了後は、基材を支持体から剥離する必要がある。従来、基材の仮固定に使用可能と考えられる接着剤がいくつか提案されている（例えば、特許文献１参照）。

特許文献１には、接合層を介して接合された第１の基板と第２の基板とを含むスタックを提供し、前記スタックを、少なくとも約１９０℃の温度に曝して前記接合層を軟化させ、第１の基板および第２の基板の少なくとも一方に力を印加して、第１の基板と第２の基板とを分離する、ウエハの接合・分離方法が記載されている。

近年のフォトファブリケーション等では、基材が高温環境下に曝されることがある。例えば積層チップの製造における実装工程では、ウエハやチップを支持体に仮固定して、ウエハやチップの加工（例：貫通孔形成、バンプ形成、再配線、ウエハの薄膜化、ウエハのダイシング）や、チップの積層（例：メッキをメルトフローさせ、チップ間を電気的に接続すること）を行った後、チップを支持体から剥離している。

この場合、基材を支持体から剥離する際に、例えば基材が有するバンプの損耗・倒れを防ぐことが可能な仮固定材が求められる。特許文献１に記載の仮固定方法は、処理対象が耐熱性に優れるバンプ（例えば、銅からなるバンプ）を有する基材の場合、歩留まりよく行える。しかしながら、処理対象が耐熱性に劣るバンプ（例えば、銅部分とハンダ部分とからなるバンプ）を有する基材の場合、基材剥離時の高温加熱処理によって、ハンダ部分が弱り、バンプが破損するという問題がある。

特表２０１０−５０６４０６号公報

本発明の課題は、基材を支持体から剥離する際に基材の破損を良好に防ぐことが可能な、すなわち歩留まりのよい基材の処理方法、前記処理方法に好適に用いられる仮固定材の原料組成物および半導体装置を提供することにある。

本発明者らは上記課題を解決すべく鋭意検討を行った。その結果、以下の構成を有する仮固定材および処理方法により上記課題を解決できることを見出し、本発明を完成するに至った。すなわち本発明は、例えば以下の［１］〜［５］に関する。

［１］〈１〉支持体上に、（Ａ）シクロオレフィン系重合体と、（Ｂ）ジアリールシリコーン構造、ジアルキルシリコーン構造、フッ素化アルキル構造、フッ素化アルケニル構造および炭素数８以上のアルキル構造から選ばれる少なくとも１種の構造（ｂ１）、ならびにポリオキシアルキレン構造、リン酸基を有する構造およびスルホ基を有する構造から選ばれる少なくとも１種の構造（ｂ２）を有する化合物とを含有する仮固定材（Ｉ）を少なくとも含む仮固定材を介して、基材を仮固定することにより、積層体を得る工程、〈２〉前記基材を加工し、および／または前記積層体を移動する工程、ならびに〈３〉基材面に対して略垂直方向に、前記基材または前記支持体に力を付加することで、基材を支持体から剥離する工程をこの順で有する、基材の処理方法。

［２］仮固定材（Ｉ）において、前記化合物（Ｂ）の含有量が、仮固定材（Ｉ）の全質量に対して０．００１〜１０質量％である、前記［１］の基材の処理方法。
［３］仮固定材（Ｉ）が、前記化合物（Ｂ）として、ジアルキルシリコーン構造、フッ素化アルケニル構造および炭素数８以上のアルキル構造から選ばれる少なくとも１種の構造と、ポリオキシアルキレン構造とを有する化合物を含有する、前記［１］または［２］の基材の処理方法。

［４］（Ａ）シクロオレフィン系重合体と、（Ｂ）ジアリールシリコーン構造、ジアルキルシリコーン構造、フッ素化アルキル構造、フッ素化アルケニル構造および炭素数８以上のアルキル構造から選ばれる少なくとも１種の構造（ｂ１）、ならびにポリオキシアルキレン構造、リン酸基を有する構造およびスルホ基を有する構造から選ばれる少なくとも１種の構造（ｂ２）を有する化合物とを含有する仮固定用組成物。

［５］前記［１］〜［３］のいずれか１項の基材の処理方法により得られる半導体装置。

本発明によれば、基材を支持体から剥離する際に基材の破損を良好に防ぐことが可能な、すなわち歩留まりのよい基材の処理方法、前記処理方法に好適に用いられる仮固定材の原料組成物および半導体装置を提供することができる。

基材の剥離を基材面に対して略垂直方向に行う説明図。 仮固定材（Ｉ）からなる層を有する積層体。 仮固定材（Ｉ）からなる層と仮固定材（II）からなる層とを有する積層体。 基材の剥離を基材面に対して略平行方向に行う説明図。

以下、本発明の仮固定材およびその原料組成物である仮固定用組成物について説明した後、前記仮固定材を用いた基材の処理方法、および前記基材の処理方法によって得られる半導体装置について説明する。

１．仮固定材
本発明において仮固定材とは、半導体ウエハ等の基材を加工や移動するに際して、支持体から基材がずれて動かないように基材を仮固定するために用いられる材料のことである。前記加工としては、例えば、ダイシング；裏面研削；レジストパターンの形成、メッキ等による金属バンプ形成、化学気相成長等による膜形成、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）などのフォトファブリケーションによる加工が挙げられる。前記移動としては、例えば、ある装置から別の装置へ基材を移動することが挙げられる。

本発明の仮固定材は、シクロオレフィン系重合体（Ａ）と以下に説明する化合物（Ｂ）とを含有する仮固定材（以下「仮固定材（Ｉ）」ともいう。）、を少なくとも含む。
ここで、化合物（Ｂ）は、ジアリールシリコーン構造、ジアルキルシリコーン構造、フッ素化アルキル構造、フッ素化アルケニル構造および炭素数８以上のアルキル構造から選ばれる少なくとも１種の構造（ｂ１）と、ポリオキシアルキレン構造、リン酸基を有する構造およびスルホ基を有する構造から選ばれる少なくとも１種の構造（ｂ２）とを有するものである。

シクロオレフィン系重合体（Ａ）を含有する仮固定材（Ｉ）は、高い耐熱性を有する。このため、基材の加工処理において高温環境下での作業工程が存在する場合、基材自体や基材に形成された各部材（例：バンプ）の破損を防ぐことができる。

シクロオレフィン系重合体（Ａ）とともに、化合物（Ｂ）を含有する仮固定材（Ｉ）は、図１に示すように基材面に対して略垂直方向（具体的には、基材面に対して垂直な軸（ｚ軸）に対して、０°〜６０°の方向）に力が付加された場合の接着力が小さいのに対して、図４に示すように基材面に対して略平行方向に力が付加された場合の接着力が大きい。したがって、基材の加工や移動終了後に行う基材の剥離を、仮固定材への高温加熱処理を特に行うことなく、基材面に対して略垂直方向に力を付加することにより行うことで、剥離の際に基材が有するバンプに付加される剪断力を小さくすることができ、バンプの倒れを防ぐことができる。

以下では、上記効果について、推定も含めて以下に詳述する。
化合物（Ｂ）において、構造（ｂ１）は比較的低い双極子モーメントを有し、構造（ｂ２）は比較的高い双極子モーメントを有するので、化合物（Ｂ）は、シクロオレフィン系重合体（Ａ）と良好に混和することができる。そして、仮固定用組成物から仮固定材を形成するときに、化合物（Ｂ）は、仮固定用組成物の表面張力の関係から、仮固定材の空気側に多く存在することになる。したがって、仮固定材は、支持体／仮固定材／基材からなる積層体の形成過程において、空気と接する側に化合物（Ｂ）を多く含有する層を有することになる。

例えば、（ｉ）基材上に仮固定材を形成するときは、仮固定材／基材という構成において、仮固定材の基材側ではなく空気側に、化合物（Ｂ）が多く存在することになる。例えば、（ii）支持体上に仮固定材を形成するときは、支持体／仮固定材という構成において、仮固定材の支持体側ではなく空気側に、化合物（Ｂ）が多く存在することになる。

後述する工程（２）での基材の保持力は、仮固定材の剪断力に対する耐性に依存する。シクロオレフィン系重合体（Ａ）を含有する仮固定材は、工程（２）で仮固定材に加わる剪断力に対して充分な耐性を有するが、化合物（Ｂ）を多く含有すると剪断力に対する耐性は低下する。しかしながら、上記理由により化合物（Ｂ）は仮固定材中で偏在していると考えられることから、仮固定材中で化合物（Ｂ）を多く含有する層は、例えば上記（ｉ）でさらに仮固定材上に支持体を設けた場合は支持体と接する側にあり、例えば上記（ii）でさらに仮固定材上に基材を設けた場合は基材と接する側にあるため、剪断力が特に加わる仮固定材の中央付近（基材と支持体の中間付近）は、化合物（Ｂ）を多く含有しない。このため、仮固定材は、工程（２）で加わる剪断力に対して充分な耐性を有することができる。また、シクロオレフィン系重合体（Ａ）は、耐熱性に優れ、さらに、フォトファブリケーションで用いられる薬液に対して、耐性を有する。

一方、後述する工程（３）の剥離処理において、化合物（Ｂ）を多く含有する層があることにより、当該層は基材面の垂直方向に対する引っ張り強度が弱いため、当該層から剥離が行われることから、略垂直方向には容易に基材を支持体から剥離できる。

このため、シクロオレフィン系重合体（Ａ）と化合物（Ｂ）とを含有する仮固定材（Ｉ）を用いた基材の処理方法は、基材を破損することがなく、歩留まりのよい基材の処理方法となる。

一実施形態では、本発明の仮固定材は、仮固定材（Ｉ）の層を少なくとも有する。仮固定材（Ｉ）の層は、例えば、シクロオレフィン系重合体（Ａ）と化合物（Ｂ）とを含有する仮固定用組成物（Ｉ）から形成される。

仮固定材（Ｉ）において、化合物（Ｂ）の含有量は、仮固定材（Ｉ）の全質量に対して、通常０．００１〜１０質量％、好ましくは０．０１〜８質量％、より好ましくは０．０３〜６質量％である。化合物（Ｂ）の含有量が前記下限値以上であると、基材面に対して略垂直方向に基材または支持体を引っ張り上げる力に対して仮固定材の接着力が小さくなるのに対して、基材面に対して略水平方向に付加される力に対して仮固定材の接着力を維持することができる。化合物（Ｂ）を前記範囲内で用いると、基材面に対して略垂直方向に基材または支持体を引っ張り上げる力に対する仮固定材の接着力が充分に低下し、基材の破損を伴うことなく、剥離できる。

本発明の仮固定材は、仮固定材（Ｉ）からなる仮固定材とすることができる。また、本発明の仮固定材は、仮固定材（Ｉ）からなる層とその他の仮固定材からなる層とを有する２層以上の仮固定材であってもよい。

一実施形態では、本発明の仮固定材は、化合物（Ｂ）を実質的に含有しない仮固定材（以下「仮固定材（II）」ともいう。）の層を少なくとも有する。仮固定材（II）の層は、例えば、化合物（Ｂ）を実質的に含有しない仮固定用組成物（II）から形成される。

仮固定材（II）において、化合物（Ｂ）の含有量は、仮固定材（II）の全質量に対して、通常０．０００５質量％以下、より好ましくは０．０００１質量％以下、特に好ましくは０質量％である。また、仮固定材（II）がシクロオレフィン系重合体（Ａ）を含有する場合、化合物（Ｂ）の含有量は、シクロオレフィン系重合体（Ａ）１００質量部に対して、通常０．０００５質量部未満、好ましくは０．０００１質量部未満、特に好ましくは０質量部である。

本発明の仮固定材としては、少なくとも１層が仮固定材（Ｉ）の層であり、少なくとも１層が仮固定材（II）の層である構成を採用することもできる。この場合、より好ましくは、仮固定材（Ｉ）の層と仮固定材（II）の層とからなる２層の仮固定材である。

本発明の仮固定材が２層以上有する場合、基材に接する層は仮固定材（II）の層であることが好ましい。基材に接する層、特にバンプを有する基材に接する層として、仮固定材（II）を形成することで、基材の剥離時にバンプの倒れをより防ぐことができる。

本発明の仮固定材の全厚さは、基材の仮固定面のサイズ、加工処理等で要求される密着性の程度に応じて任意に選択することができる。本発明の仮固定材の全厚さは、通常０．１μｍを超えて２ｍｍ以下、好ましくは０．１μｍを超えて１ｍｍ以下、より好ましくは０．１μｍを超えて０．５ｍｍ以下である。本発明の仮固定材の全厚さが前記範囲にあると、基材の保持力が充分であり、加工処理または移動処理中に仮固定面からの基材の剥がれが生じることもない。

また、本発明の仮固定材が２層以上有する場合、仮固定材（Ｉ）および（II）の各層の厚さは、通常０．１〜１００μｍ、好ましくは０．５〜８０μｍ、より好ましくは１〜６０μｍである。

本発明の仮固定材は、例えば３００℃以下という温度で基材を仮固定できるとともに、ハンダリフローなどの高温環境下（例：２２５℃以上、具体的には２２５〜３００℃）でも、支持体と基板とを固定できる。一方、本発明の仮固定材は、例えば０〜１００℃の温度範囲で行われるバックグラインドなどで加わる剪断力に耐えられる。

このように本発明の仮固定材は、基材の処理（加工および／または移動等）時に付加されうる剪断力に対して充分な保持力（剪断接着力）を有する。本発明の仮固定材は、２５℃近辺で行われる基材の薄膜化、フォトファブリケーション、例えば２５〜３００℃での温度範囲で行われるエッチング加工やスパッタ膜の形成、２２５〜３００℃での温度範囲で行われるメッキ処理やメッキリフロー処理等においても、基材を支持体上に保持することができる。

本発明の仮固定材は、このような特性を有することから、現代の経済活動の場面で要求される様々な加工処理、例えば各種材料表面の微細化加工処理、各種表面実装、半導体ウエハや半導体素子の運搬等の際に、基材の仮止め材として好適に用いられる。

２．仮固定用組成物
仮固定材（Ｉ）からなる層は、例えば、シクロオレフィン系重合体（Ａ）と化合物（Ｂ）とを含有する本発明の仮固定用組成物（Ｉ）を用いて形成することができる。仮固定材（II）からなる層は、例えば、化合物（Ｂ）を実質的に含有しない仮固定用組成物（II）を用いて形成することができる。

２−１．仮固定用組成物（Ｉ）
本発明の仮固定用組成物（Ｉ）は、シクロオレフィン系重合体（Ａ）と化合物（Ｂ）とを含有する。また、仮固定用組成物（Ｉ）は、シクロオレフィン系重合体（Ａ）とともに、熱可塑性樹脂（以下「熱可塑性樹脂（Ｌ）」ともいう。ただし、当該（Ａ）は除く。）を含有してもよい。

〈シクロオレフィン系重合体（Ａ）〉
シクロオレフィン系重合体（Ａ）としては、例えば、環状オレフィン系化合物と非環状オレフィン系化合物との付加共重合体、１種または２種以上の環状オレフィン系化合物の開環メタセシス重合体、前記開環メタセシス重合体を水素化して得られる重合体が挙げられる。このようなシクロオレフィン系重合体の合成方法は従来公知である。

環状オレフィン系化合物としては、例えば、ノルボルネン系オレフィン、テトラシクロドデセン系オレフィン、ジシクロペンタジエン系オレフィン、およびこれらの誘導体が挙げられる。前記誘導体としては、例えば、アルキル基、アルキリデン基、アラルキル基、シクロアルキル基、ヒドロキシ基、アルコキシ基、アセチル基、シアノ基、アミド基、イミド基、シリル基、芳香環、エーテル結合、およびエステル結合等による置換誘導体が挙げられる。

前記誘導体での各基の好ましい炭素数は、以下のとおりである：アルキル基の炭素数は、好ましくは１〜２０、より好ましくは１〜１０である。アルキリデン基の炭素数は、好ましくは１〜２０、より好ましくは１〜１０である。アラルキル基の炭素数は、好ましくは７〜３０、より好ましくは７〜１８である。シクロアルキル基の炭素数は、好ましくは３〜３０、より好ましくは３〜１８である。アルコキシ基の炭素数は、好ましくは１〜１０である。
環状オレフィン系化合物の好適例として、式（１）で表される化合物が挙げられる。

式（１）中のＲ¹〜Ｒ³は以下のとおりである：Ｒ¹およびＲ²はそれぞれ独立に水素またはアルキル基である。Ｒ³はそれぞれ独立に水素、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、アルデヒド基、アセチル基、ニトリル基である。また、２つのＲ³が相互に結合して環構造（例：脂環）を形成してもよく、例えば当該脂環がＲ³として例示した前記基を置換基として有してもよい。

式（１）での各基の好ましい炭素数は、以下のとおりである：アルキル基の炭素数は、好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは１〜１０である。シクロアルキル基の炭素数は、好ましくは３〜３０、より好ましくは３〜１８である。アリール基の炭素数は、好ましくは６〜１８である。アラルキル基の炭素数は、好ましくは７〜３０、より好ましくは７〜１８である。アルコキシ基の炭素数は、好ましくは１〜１０である。アルコキシカルボニル基の炭素数は、好ましくは１〜１１である。

非環状オレフィン系化合物としては、炭素数２〜２０、好ましくは２〜１０の直鎖状または分岐鎖状のオレフィンが挙げられ、より好ましくはエチレン、プロピレン、ブテンであり、特に好ましくはエチレンである。

《付加共重合体》
環状オレフィン系化合物と非環状オレフィン系化合物との付加共重合体は、例えば、式（Ｉ）で表される構成単位と、非環状オレフィン系化合物に由来する構成単位（非環状オレフィンの重合性二重結合の反応に基づく構成単位）とを有する重合体である。

式（Ｉ）中のＲ¹〜Ｒ³は、式（１）中の同一記号と同義である。

付加共重合体の市販品としては、例えば、ＴＯＰＡＳ ＡＤＶＡＮＣＥＤ ＰＯＬＹＭＥＲＳ社製の「ＴＯＰＡＳ（トパス）」、三井化学（株）製の「ＡＰＥＬ（アペル）」が挙げられる。

《開環メタセシス重合体およびその水添体》
１種または２種以上の環状オレフィン系化合物の開環メタセシス重合体は、例えば、式（II）で表される構成単位を有する重合体であり、前記開環メタセシス重合体を水素化して得られる重合体は、例えば、式（III）で表される構成単位を有する重合体である。

式（II）および（III）中のＲ¹〜Ｒ³は、式（１）中の同一記号と同義である。

開環メタセシス重合体の市販品としては、例えば、日本ゼオン（株）製の「ＺＥＯＮＯＲ（ゼオノア）」や「ＺＥＯＮＥＸ（ゼオネックス）」、ＪＳＲ（株）製の「ＡＲＴＯＮ（アートン）」が挙げられる。

シクロオレフィン系重合体（Ａ）のゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）法により測定される重量平均分子量（Ｍｗ）は、ポリスチレン換算で、通常１０，０００〜１００，０００、好ましくは３０，０００〜１００，０００である。シクロオレフィン系重合体（Ａ）のゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）法により測定される数平均分子量をＭｎとするとき、Ｍｗ／Ｍｎで示される分子量分布は、通常２〜４、好ましくは３〜４である。

〈熱可塑性樹脂（Ｌ）〉
本発明の仮固定用組成物（Ｉ）は、シクロオレフィン系重合体（Ａ）以外の熱可塑性樹脂（Ｌ）を含有してもよい。

熱可塑性樹脂（Ｌ）としては、例えば、石油樹脂、ノボラック樹脂、およびこれらの混合物が挙げられる。これらの中でも、シクロオレフィン系重合体（Ａ）との相溶性をコントロールするのが容易なため、石油樹脂が好ましい。

熱可塑性樹脂（Ｌ）を用いる場合、本発明の仮固定用組成物（Ｉ）中の当該樹脂（Ｌ）の含有量は、シクロオレフィン系重合体（Ａ）１００質量部に対して、好ましくは０．１〜１５０質量部、より好ましくは０．５〜１００質量部、特に好ましくは１〜８０質量部である。熱可塑性樹脂（Ｌ）の含有量が前記範囲にあると、支持体と基材を仮固定する際の温度の低温化の点や、半導体ウエハ等の基材を加工や移動するに際して、支持体から基材がずれて動かないようにする点で好ましい。

《石油樹脂》
熱可塑性樹脂（Ｌ）の好適例である石油樹脂としては、例えば、Ｃ５系石油樹脂、Ｃ９系石油樹脂、Ｃ５系／Ｃ９系混合石油樹脂、シクロペンタジエン系樹脂、ビニル置換芳香族化合物の重合体、オレフィンとビニル置換芳香族化合物との共重合体、シクロペンタジエン系化合物とビニル置換芳香族化合物との共重合体、これらの水素添加物、およびこれらの混合物が挙げられる。これらの中でも、Ｃ５系石油樹脂、Ｃ９系石油樹脂、Ｃ５系／Ｃ９系混合石油樹脂、シクロペンタジエン系樹脂、ビニル置換芳香族化合物の重合体、これらの水素添加物、およびこれらの混合物が好ましい。Ｃ５系石油樹脂としては脂肪族系樹脂が好ましく、Ｃ９系石油樹脂としては脂環族系樹脂が好ましい。これらの中でも、Ｃ９系石油樹脂、シクロペンタジエン系樹脂、これらの水素添加物、およびこれらの混合物が特に好ましい。

石油樹脂のＧＰＣ法により測定される重量平均分子量（Ｍｗ）は、ポリスチレン換算で、通常２００００以下、好ましくは１００〜２００００、さらに好ましくは２００〜１００００、特に好ましくは３００〜５０００である。

《ノボラック樹脂》
熱可塑性樹脂（Ｌ）の好適例であるノボラック樹脂は、例えば、フェノール類とアルデヒド類とを触媒（例：シュウ酸）の存在下で縮合させることにより得ることができる。

フェノール類としては、例えば、フェノール、ｏ−クレゾール、ｍ−クレゾール、ｐ−クレゾール、ｏ−エチルフェノール、ｍ−エチルフェノール、ｐ−エチルフェノール、ｏ−ブチルフェノール、ｍ−ブチルフェノール、ｐ−ブチルフェノール、２，３−キシレノール、２，４−キシレノール、２，５−キシレノール、２，６−キシレノール、３，４−キシレノール、３，５−キシレノール、２，３，５−トリメチルフェノール、３，４，５−トリメチルフェノール、カテコール、レゾルシノール、ピロガロール、α−ナフトール、β−ナフトールが挙げられる。

アルデヒド類としては、例えば、ホルムアルデヒド、パラホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、ベンズアルデヒドが挙げられる。
ノボラック樹脂の好ましい具体例としては、フェノール／ホルムアルデヒド縮合ノボラック樹脂、クレゾール／ホルムアルデヒド縮合ノボラック樹脂、フェノール−ナフトール／ホルムアルデヒド縮合ノボラック樹脂が挙げられる。

ノボラック樹脂のＧＰＣにより測定される重量平均分子量（Ｍｗ）は、ポリスチレン換算で、通常２０００以上、好ましくは２０００〜２００００である。ノボラック樹脂のＧＰＣ法により測定される数平均分子量をＭｎとするとき、Ｍｗ／Ｍｎで示される分子量分布は、通常１〜１０、好ましくは１．５〜５である。

〈化合物（Ｂ）〉
化合物（Ｂ）は、構造（ｂ１）と構造（ｂ２）とを有する。
《構造（ｂ１）》
構造（ｂ１）は、ジアリールシリコーン構造、ジアルキルシリコーン構造、フッ素化アルキル構造、フッ素化アルケニル構造および炭素数８以上のアルキル構造から選ばれる少なくとも１種の構造である。構造（ｂ１）は比較的低い双極子モーメントを有することから、化合物（Ｂ）とシクロオレフィン系重合体（Ａ）とを良好に混和することができる。
ジアリールシリコーン構造は、例えば、式（ｂ１−１）、（ｂ１−１'）で表される。

式（ｂ１−１）中、Ａｒ¹およびＡｒ²は、それぞれ独立に、炭素数６〜１５のアリール基、好ましくは炭素数６〜１０のアリール基である。式（ｂ１−１'）中、Ａｒ¹は、炭素数６〜１５のアリール基、好ましくは炭素数６〜１０のアリール基であり、Ａｒ^2'は、炭素数６〜１５のアリーレン基、好ましくは炭素数６〜１０のアリーレン基であり、＊は、ポリオキシアルキレン構造等の構造（ｂ２）との結合手である。
ジアルキルシリコーン構造は、例えば、式（ｂ１−２）、（ｂ１−２'）で表される。

式（ｂ１−２）中、Ｒ¹およびＲ²は、それぞれ独立に、炭素数１〜３０のアルキル基、好ましくは炭素数１〜２０のアルキル基である。式（ｂ１−２'）中、Ｒ¹は、炭素数１〜３０のアルキル基、好ましくは炭素数１〜２０のアルキル基であり、Ｒ^2'は、炭素数１〜３０のアルキレン基、好ましくは炭素数１〜２０のアルキレン基であり、＊は、ポリオキシアルキレン構造等の構造（ｂ２）との結合手である。

フッ素化アルキル構造は、例えば、炭素数１〜３０、好ましくは１〜２０のフッ素化アルキル基（アルキル基の１または２以上の水素がフッ素で置き換えられた基）であり、特に好ましくはパーフルオロアルキル基である。

フッ素化アルケニル構造は、例えば、炭素数３〜２５、好ましくは５〜２０のフッ素化アルケニル基（アルケニル基の１または２以上の水素がフッ素で置き換えられた基）であり、特に好ましくは式（ｂ１−３）または（ｂ１−４）で表される基等のパーフルオロアルケニル基である。

アルキル構造は、例えば、炭素数８以上、好ましくは８〜４０のアルキル基であり、具体的には、デカニル基、オクチル基が挙げられる。

《構造（ｂ２）》
構造（ｂ２）は、ポリオキシアルキレン構造、リン酸基（Ｈ₂ＰＯ₄−）を有する構造、およびスルホ基（−ＳＯ₃Ｈ）を有する構造から選ばれる少なくとも１種の構造である。構造（ｂ２）は比較的高い双極子モーメントを有することから、この構造（ｂ２）と比較的低い双極子モーメントを有する構造（ｂ１）とを有する化合物（Ｂ）は、仮固定材の空気側に偏在することができる。

ポリオキシアルキレン構造は、例えば、式−（Ａ−Ｏ）_n−（式中、Ａは炭素数１〜２０のアルキレン基、好ましくは炭素数１〜１２のアルキレン基であり、ｎは２〜５０、好ましくは２〜４０の整数である。）で表される基である。

《化合物（Ｂ）の具体例》
以下、化合物（Ｂ）の具体例を示す。
ジアルキルシリコーン構造またはジアリールシリコーン構造とポリオキシアルキレン構造とを有する化合物としては、例えば、ポリフローＫＬ−２４５、ＫＬ−２７０、ＫＬ−７００（共栄社化学（株）製）、ＴＥＧＯ ＷＥＴ ２７０（エボニック・デグサ・ジャパン（株）製）、下記式（Ｂ１）（特に下記式（Ｂ２））で表される化合物等のポリエーテル変性ポリシロキサンが挙げられる。

式（Ｂ１）中、Ｒは、炭素数６〜１５のアリール基または炭素数１〜３０のアルキル基であり、Ｒ'は炭素数６〜１５のアリーレン基または炭素数１〜３０のアルキレン基であり、Ａは炭素数１〜２０のアルキレン基であり、Ｒａは水素原子または炭素数１〜５のアルキル基であり、ｎは２〜５０の整数であり、ｘおよびｙは、それぞれ独立に２〜１００の整数である。

式（Ｂ２）中、Ｒａは水素原子または炭素数１〜５のアルキル基であり、ｎは２〜２０の整数であり、ｘおよびｙは、それぞれ独立に２〜１００の整数である。
式（Ｂ２）で表される化合物の市販品としては、例えば、ＳＨ２８ＰＡ、ＳＨ３０ＰＡ、ＳＨ−８４００、ＳＨ−１９０、同−１９３、ＳＦ−８４２８（東レ・ダウコーニング（株）製）が挙げられる。

フッ素化アルキル構造またはフッ素化アルケニル構造と、ポリオキシアルキレン構造とを有する化合物（Ｂ）としては、例えば、ジグリセリンエチレンオキサイド付加物パーフルオロノネニルエーテル、ヒドロキシ架橋フルオロポリエーテルが挙げられる。また、市販品としては、例えば、商品名「ＰｏｌｙＦｏｘ ＰＦ−１５１Ｎ」(オムノバソリューションズ社製)、フタージェント２０９Ｆ、ＮＢＸ−１５（ネオス（株）製）が挙げられる。

炭素数８以上のアルキル構造と、ポリオキシアルキレン構造とを有する化合物（Ｂ）としては、例えば、商品名「ＳＹグリスター ＭＬ７５０」（阪本薬品工業（株）製）が挙げられる。

リン酸基またはスルホ基を有する構造を有する化合物（Ｂ）としては、例えば、パーフルオロオクタンスルホン酸が挙げられる。また、市販品としては、例えば、商品名「メガファック」シリーズ（ＤＩＣ社製）が挙げられる。

これらの中でも、ポリオキシアルキレン構造を有する化合物（Ｂ）が、仮固定材（Ｉ）の基材面に対して略垂直方向に対する接着力を低下させるという効果に優れていることから好ましい。より好ましくは、ジアルキルシリコーン構造、フッ素化アルケニル構造および炭素数８以上のアルキル構造から選ばれる少なくとも１種の構造と、ポリオキシアルキレン構造とを有する化合物である。

本発明の仮固定用組成物（Ｉ）において、化合物（Ｂ）の含有量は、仮固定用組成物（Ｉ）の全固形分１００質量％に対して、通常０．００１〜１０質量％、好ましくは０．０１〜８質量％、より好ましくは０．０３〜６質量％である。化合物（Ｂ）の含有量が前記下限値以上であると、基材面に対して略垂直方向に基材または支持体を引っ張り上げる力に対して仮固定材の接着力が小さくなるのに対して、基材面に対して略水平方向に付加される力に対して仮固定材の接着力を維持することができる。化合物（Ｂ）を前記範囲内で用いると、基材面に対して略垂直方向に基材または支持体を引っ張り上げる力に対する仮固定材の接着力が充分に低下し、基材の破損を伴うことなく、剥離できる。

２−２．仮固定用組成物（II）
仮固定用組成物（II）は、化合物（Ｂ）を実質的に含有せず、好ましくはシクロオレフィン系重合体（Ａ）を含有し、化合物（Ｂ）を実質的に含有しない。

仮固定用組成物（II）において、化合物（Ｂ）の含有量は、仮固定用組成物（II）の全固形分１００質量％に対して、通常０．０００５質量％以下、より好ましくは０．０００１質量％以下、特に好ましくは０質量％である。また、仮固定用組成物（II）がシクロオレフィン系重合体（Ａ）を含有する場合、化合物（Ｂ）の含有量は、シクロオレフィン系重合体（Ａ）１００質量部に対して、通常０．０００５質量部未満、好ましくは０．０００１質量部未満、特に好ましくは０質量部である。

また、仮固定用組成物（II）は、シクロオレフィン系重合体（Ａ）とともに、上述した熱可塑性樹脂（Ｌ）を含有してもよい。熱可塑性樹脂（Ｌ）を用いる場合、仮固定用組成物（II）中の当該樹脂（Ｌ）の含有量は、シクロオレフィン系重合体（Ａ）１００質量部に対して、好ましくは０．１〜１５０質量部、より好ましくは０．５〜１００質量部、特に好ましくは１〜８０質量部である。熱可塑性樹脂（Ｌ）の含有量が前記範囲にあると、支持体と基材を仮固定する際の温度の低温化の点や、半導体ウエハ等の基材を加工や移動するに際して、支持体から基材がずれて動かないようにする点で好ましい。

仮固定用組成物（II）において、シクロオレフィン系重合体（Ａ）や熱可塑性樹脂（Ｌ）の具体例および好ましい例は、「２−１．仮固定用組成物（Ｉ）」の欄にて説明したとおりである。

２−３．仮固定用組成物（Ｉ）および（II）の調製
仮固定用組成物（Ｉ）および（II）の調製には、熱可塑性樹脂の加工に用いる公知の装置、例えば、二軸押出機、単軸押出機、連続ニーダー、ロール混練機、加圧ニーダー、バンバリーミキサーを用いることができる。

仮固定用組成物（Ｉ）および（II）の調製には、当該組成物の粘度を塗布に適した範囲に設定する点で、溶剤を用いてもよい。溶剤としては、例えば、リモネン、メシチレン、ジペンテン、ピネン、ビシクロヘキシル、シクロドデセン、１−tert−ブチル−３，５−ジメチルベンゼン、ブチルシクロヘキサン、シクロオクタン、シクロヘプタン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン等の炭化水素類、アニソール、プロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジグライム等のアルコール／エーテル類、炭酸エチレン、酢酸エチル、酢酸Ｎ−ブチル、乳酸エチル、３−エトキシプロピオン酸エチル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、炭酸プロピレン、γ−ブチロラクトン等のエステル／ラクトン類、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、メチルイソブチルケトン、２−ヘプタノン等のケトン類、Ｎ−メチル−２−ピロリジノン等のアミド／ラクタム類が挙げられる。

仮固定用組成物（Ｉ）および（II）が溶剤を含有することにより、これら仮固定用組成物の粘度を調整することが容易となり、したがって基材または支持体等上に仮固定材を形成することが容易となる。例えば、溶剤は、仮固定用組成物（Ｉ）および（II）の溶剤以外の全成分の合計濃度が、通常５〜７０質量％、より好ましくは１５〜５０質量％となる範囲で用いることができる。

また、仮固定用組成物（Ｉ）および（II）は、必要に応じて、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、酸化チタン、酸化ケイ素等の金属酸化物粒子、酸化防止剤、重合禁止剤、紫外線吸収剤、密着助剤、ポリスチレン架橋粒子を含有してもよい。

３．基材の処理方法
本発明の基材の処理方法は、〈１〉支持体上に、本発明の仮固定材（Ｉ）を少なくとも有する仮固定材を介して基材を仮固定することにより、積層体を得る工程、〈２〉前記基材を加工し、および／または前記積層体を移動する工程、ならびに〈３〉基材面に対して略垂直方向に、前記基材または前記支持体に力を付加することで、基材を支持体から剥離する工程をこの順で有する。
以下、上記各工程をそれぞれ、工程〈１〉、工程〈２〉、工程〈３〉ともいう。

３−１．工程〈１〉
工程〈１〉では、例えば、（1-1）支持体および／または基材の表面に、本発明の仮固定材（Ｉ）を少なくとも含む仮固定材を形成し、前記仮固定材を介して基材と支持体とを貼り合せることにより、基材を支持体上に仮固定することができる。また、（1-2）支持体の表面に、本発明の仮固定材（Ｉ）を少なくとも含む仮固定材を形成し、前記仮固定材上に基材を形成することにより、基材を支持体上に仮固定することもできる。基材は、必要に応じて表面処理されていてもよい。

上述の仮固定材の形成方法としては、例えば、（ｉ）仮固定材の層を、支持体上および／または基材上に直接形成する方法、（ii）仮固定材の層を、離型処理が施されたＰＥＴ（Polyethylene Terephthalate）フィルム上に一定膜厚で成膜した後、支持体および／または基材へラミネート方式により転写する方法が挙げられる。膜厚均一性の点から、前記（ｉ）の方法が好ましい。

仮固定材の層を形成する仮固定用組成物の塗布方法としては、例えば、スピンコート法、インクジェット法が挙げられる。スピンコート法では、例えば、回転速度が３００〜３，５００ｒｐｍ、好ましくは５００〜１，５００ｒｐｍ、加速度が５００〜１５，０００ｒｐｍ／秒、回転時間が３０〜３００秒という条件のもと、仮固定用組成物をスピンコーティングする方法が挙げられる。

仮固定用組成物を塗布して塗膜を形成した後は、例えば、ホットプレート等で加熱して、溶剤を蒸発させることができる。加熱の条件は、例えば、温度が通常１５０〜２７５℃、好ましくは１５０〜２６０℃であり、時間が通常２〜１５分、より好ましくは３〜１０分である。

上記（ｉ）の方法において、基材と支持体とを貼り合せる方法としては、例えば、基材および支持体のいずれか一方または双方に仮固定材の層を形成して、両者を貼り合せる方法が挙げられる。この際の温度は、仮固定用組成物の含有成分、塗布方法等に応じて適宜選択される。このようにして、基材が支持体上に仮固定材を介して強固に保持される。基材と支持体との圧着条件は、例えば、１５０〜３００℃で１〜５分間、０．０１〜５ＭＰａの力を付加することにより行えばよい。

加工（移動）対象物である前記基材としては、例えば、半導体ウエハ、ガラス基板、樹脂基板、金属基板、金属箔、研磨パッド、樹脂塗膜が挙げられる。半導体ウエハには、通常はバンプや配線、絶縁膜等が形成されている。樹脂塗膜としては、例えば、有機成分を主成分として含有する層が挙げられ；具体的には、感光性材料から形成される感光性樹脂層、絶縁性材料から形成される絶縁性樹脂層、感光性絶縁樹脂材料から形成される感光性絶縁樹脂層等が挙げられる。支持体としては、例えば、ガラス基板やシリコンウエハ等の取扱いが容易で且つ硬くて平坦な面を有するものが挙げられる。

本発明の基材の処理方法は、バンプを有する半導体ウエハ等、特に、耐熱性に乏しいピラーバンプ（例：銅部分とはんだ部分とからなるピラーバンプ）を有する半導体ウエハ等に対しても適用することができる。特に、バンプのアスペクト比（高さ／最大横幅）が０．８以上のとき、基材を支持体から剥離する際のバンプの破損を防ぐという効果が、従来の方法に比べ顕著に表れる。

仮固定材の層を基材上に形成するに際して、仮固定材の面内への広がりを均一にするため、基材表面を予め表面処理することもできる。表面処理の方法としては、基材表面に予め表面処理剤を塗布する方法等が挙げられる。

上記表面処理剤としては、例えば、３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、２−アミノプロピルトリメトキシシラン、２−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−（２−アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−（２−アミノエチル）−３−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、３−ウレイドプロピルトリメトキシシラン、３−ウレイドプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−エトキシカルボニル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−エトキシカルボニル−３−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−トリエトキシシリルプロピルトリエチレントリアミン、Ｎ−トリメトキシシリルプロピルトリエチレントリアミン、１０−トリメトキシシリル−１，４，７−トリアザデカン、１０−トリエトキシシリル−１，４，７−トリアザデカン、９−トリメトキシシリル−３，６−ジアザノニルアセテート、９−トリエトキシシリル−３，６−ジアザノニルアセテート、Ｎ−ベンジル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−ベンジル−３−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−フェニル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−フェニル−３−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−ビス（オキシエチレン）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−ビス（オキシエチレン）−３−アミノプロピルトリエトキシシラン、ヘキサメチルジシラザン等のカップリング剤が挙げられる。

工程（１）にて形成される積層体の一例を図２に示す。この積層体４０は、支持体２０と、支持体２０上に形成された仮固定材３０（仮固定材（Ｉ）からなる層）と、仮固定材３０によって支持体２０に仮固定された、バンプ１１を有する基材１０とを有する。

工程（１）にて形成される積層体の例を図３に示す。この積層体４０は、支持体２０と、支持体２０上に形成された仮固定材３０と、仮固定材３０によって支持体２０に仮固定された、バンプ１１を有する基材１０とを有し、仮固定材３０が、支持体２０に接する仮固定材（Ｉ）からなる層３１と、基材１０に接する仮固定材（II）からなる層３２とを有する。

３−２．工程〈２〉
工程〈２〉は、上記のように支持体上に仮固定された基材を加工し、および／または得られた積層体を移動する工程である。移動工程は、基材（例：半導体ウエハ）をある装置から別の装置へ支持体とともに移動する工程である。また、上記のようにして支持体上に仮固定された基材の加工処理としては、例えば、基材の薄膜化（例：裏面研削）；エッチング加工、スパッタ膜の形成、メッキ処理およびメッキリフロー処理から選ばれる一以上の処理を含むフォトファブリケーション；ならびにダイシングが挙げられる。これらの中でも、剪断力が仮固定材に主にかかる処理である、基材の薄膜化であっても、本発明は適用可能である。

また、フォトファブリケーションにおいては、メッキリフロー処理等に対する耐性（耐熱性）が必要である。上述のとおり、本発明の仮固定材を用いた基材の処理方法は、耐熱性の点で優れている。

基材の加工処理は、仮固定材の保持力が失われない温度で行えば特に限定されない。本発明では、上記仮固定材の層が、低温および高温環境下においても加工処理時に基材を保持（若しくは保護）しうる保持力を有している。

３−３．工程〈３〉
基材の加工処理または移動後は、基材面に対して略垂直方向に、基材または支持体に力を付加することで、基材を支持体から剥離する。本発明では、図４に示すように基材面に対して略平行方向に力を付加して基材または支持体を剥離するのではなく、図１に示すように基材面に対して略垂直方向に力を付加して基材または支持体を剥離する。

基材または支持体の剥離を基材面に対して略平行方向に行う場合、すなわち剪断力により剥離を行う場合、剥離の際に基材が有するバンプにも剪断力が加わり、バンプが倒れるおそれがある。一方、剥離を基材面に対して略垂直方向に行うことで、剥離の際に基材が有するバンプに加わる剪断力が小さくなり、バンプの倒れを防ぐことができる。この点は、特に積層チップの製造における実装工程では、アスペクト比が大きいバンプ（ピラーバンプ）が用いられるため、バンプの倒れが顕著に現れるところ、本発明ではこのような倒れを防ぐことができる。

本発明では、図１に示すように、基材面に対して略垂直方向に力を付加する。本発明において、「基材面に対して略垂直方向に力を付加する」とは、具体的には、基材面に対して垂直な軸（ｚ軸）に対して、通常０°〜６０°の範囲、好ましくは０°〜４５°の範囲、より好ましくは０°〜３０°の範囲、さらに好ましくは０°〜５°の範囲、さらに好ましくは０°（基材面に対して垂直）の方向に力を付加することを意味する。このようにして、力を付加して、基材または支持体を剥離する。上記範囲内で力を付加することにより、基板を破損することなく、特にバンプを破損することなく、基材と支持体とを剥離することができる。

基材または支持体の剥離は、通常５〜１００℃、好ましくは１０〜４５℃、さらに好ましくは１５〜３０℃で行うことができる。ここでの温度は、支持体の温度を意味する。
本発明では、上述したように、剪断力が主に付加される仮固定材の中央付近（基材と支持体の中間付近）に化合物（Ｂ）が多く含まれないため、剪断力に対して充分な耐性を有する。一方、基材面に対して略垂直方向に力が付加された場合、仮固定材には、化合物（Ｂ）が多く含まれる基材側付近の層または支持体側付近の層が存在するため、当該層から剥離が起こりやすい。すなわち、剥離方向（力を付加する方向）が基材面に対して略平行方向である場合の仮固定材の接着力に比べて、略垂直方向である場合の仮固定材の接着力が小さいため、仮固定材に対して接着力を低減するための高温加熱処理を特に行う必要はなく、したがってバンプ等の破損を防ぐことができる。

剥離の態様としては、通常０．０１〜１００００Ｎ／ｃｍ²、好ましくは０．１〜３０００Ｎ／ｃｍ²、さらに好ましくは０．５〜１００Ｎ／ｃｍ²の圧力を、基材面に対して略垂直方向に付加して、基材または支持体を剥離する方法が挙げられる。剥離方式としては、例えば、基材または支持体の周縁を持ち上げ（当該周縁の一部または全部を仮固定材から剥離し）、基材面に対して略垂直方向に力を加えながら、基材または支持体の周縁から中心に向けて順に剥離する方法（フックプル方式）で行うことができる。本発明では、このような剥離力・剥離方法で、基材と支持体とを剥離することができる。

また、剥離をする際、基材の破損を防ぐため、基材の支持体との仮止め面と反対の面に補強テープ（例えば、市販のダイシングテープ）を貼って、剥離することができる。
なお、剥離後の基材に仮固定用組成物が残存している場合は、溶剤で洗浄して除去することができる。洗浄方法としては、例えば、基材を洗浄液に浸漬する方法、基材に洗浄液をスプレーする方法、基材を洗浄液に浸漬しながら超音波を加える方法が挙げられる。洗浄液の温度は特に限定されないが、好ましくは１０〜８０℃、より好ましくは２０〜５０℃である。

溶剤としては、例えば、リモネン、メシチレン、ジペンテン、ピネン、ビシクロヘキシル、シクロドデセン、１−tert−ブチル−３，５−ジメチルベンゼン、ブチルシクロヘキサン、シクロオクタン、シクロヘプタン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン等の炭化水素類、アニソール、プロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジグライム等のアルコール／エーテル類、炭酸エチレン、酢酸エチル、酢酸Ｎ−ブチル、乳酸エチル、３−エトキシプロピオン酸エチル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、炭酸プロピレン、γ−ブチロラクトン等のエステル／ラクトン類、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、メチルイソブチルケトン、２−ヘプタノン等のケトン類、Ｎ−メチル−２−ピロリジノン等のアミド／ラクタム類が挙げられる。
以上のようにして、基材を支持体から剥離することができる。

４．半導体装置
本発明の半導体装置は、本発明の基材の処理方法によって得られる。本発明の仮固定材は、半導体装置（例：半導体素子）の剥離時に容易に除去されるため、前記半導体装置は仮固定材による汚染（例：シミ、焦げ）が極めて低減されたものとなっている。また、本発明の半導体装置は、基材自体や基材が有する各部材（例：バンプ）の破損・損耗が極めて低減されたものとなっている。

以下、本発明を実施例に基づいて更に具体的に説明するが、本発明はこれら実施例に限定されない。以下の実施例等の記載において、特に言及しない限り、「部」は「質量部」を示す。

重合体や樹脂の重量平均分子量（Ｍｗ）および数平均分子量（Ｍｎ）は、例えば、東ソー（株）製のＧＰＣカラム（Ｇ２０００ＨＸＬ ２本、Ｇ３０００ＨＸＬ １本、Ｇ４０００ＨＸＬ １本）を使用し、測定した。

［実施例１Ａ］
１００部のシクロオレフィン重合体（商品名「ＡＲＴＯＮ Ｒ５３００」、ＪＳＲ（株）製）と、７５部の水添Ｃ９系石油樹脂（商品名「アルコンＰ−１４０」、荒川化学工業（株）製）と、０．１部のジアルキルシリコーン構造およびポリオキシアルキレン構造を有する化合物（Ｂ１）（商品名「ポリフローＫＬ−７００」、共栄社化学（株）製）とを２５℃で混合して、実施例１Ａの仮固定用組成物を調製した。

［実施例２Ａ〜９Ａおよび調製例１Ａ］
実施例１Ａにおいて、配合成分を表１に記載のとおりに変更したこと以外は実施例１Ａと同様にして、実施例２Ａ〜９Ａおよび調製例１Ａの仮固定用組成物２〜１０をそれぞれ調製した。

以下、実施例または調製例で使用した各成分の詳細を記す。
シクロオレフィン系重合体（Ａ）
Ａ１：商品名「ＡＲＴＯＮ Ｒ５３００」、ＪＳＲ（株）製
Ａ２：商品名「ＺＥＯＮＥＸ ４８０Ｒ」、日本ゼオン（株）製
水添石油樹脂：商品名「アルコンＰ−１４０」、荒川化学工業（株）製
化合物（Ｂ）
Ｂ１：商品名「ポリフローＫＬ−７００」、共栄社化学（株）製、
ジアルキルシリコーン構造とポリオキシアルキレン構造とを有する化合物
Ｂ２：商品名「ＴＥＧＯ ＷＥＴ ２７０」、エボニック・デグサ・ジャパン（株）製、
ジアルキルシリコーン構造とポリオキシアルキレン構造とを有する化合物
Ｂ３：商品名「フタージェント２０９Ｆ」、ネオス（株）製、
フッ素化アルケニル構造とポリオキシアルキレン構造とを有する化合物
Ｂ４：商品名「ＳＨ２８ＰＡ」、東レ・ダウコーニング（株）製、
ジアルキルシリコーン構造とポリオキシアルキレン構造とを有する化合物
Ｂ５：商品名「ＮＢＸ−１５」、ネオス（株）製、
フッ素化アルケニル構造とポリオキシアルキレン構造とを有する化合物
Ｂ６：商品名「ＳＹグリスター ＭＬ７５０」、阪本薬品工業（株）製
炭素数８以上のアルキル構造とポリオキシアルキレン構造とを有する化合物
添加剤：商品名「ＴＩＮＵＶＩＮ ４７９」、ＢＡＳＦ社製

［実施例１Ｂ］
複数のバンプが設けられた４インチシリコンウエハ（基材）上に、仮固定用組成物１をスピンコート法により塗布し、ホットプレートを用いて、大気下、１６０℃で５分間加熱し、次いで、窒素雰囲気下、２３０℃で１０分間加熱し、厚さ３０μｍの塗膜（仮固定材）を有する基板を得た。得られた基板を縦１ｃｍ、横１ｃｍに切断し、仮固定材を有する基板１を得た。

なお、上記バンプは、サイズが縦２０μｍ、横２０μｍ、高さ２０μｍであり、シリコンウエハ側の下半分は銅からなるピラー部であり、上半分はＳｎ−Ａｇ合金からなるはんだ部を有する。

上述の基板１とガラス基板（２ｃｍ×２ｃｍの正方形面を有するガラス基板；支持体）とを、仮固定材を介して貼り合わせ、ダイボンダー装置を用いて、１８０℃で５Ｎの力を６０秒間加え、シリコンウエハとガラス基板とを仮固定材を介して仮固定した。

ガラス基板と仮固定材との間に気泡なく仮固定されていることを目視により確認できた。また、万能ボンドテスター（商品名「デイジ４０００」、デイジ社製）を用いて、基材面に対して平行方向に剪断力（５００μｍ／秒の速度、２３℃）を加えたが、２００Ｎ／ｃｍ²の力を加えてもシリコンウエハおよびガラス基板はずれずに保持（仮固定）されていることが確認できた。

次いで、仮固定した基板に万能ボンドテスター（商品名「デイジ４０００」、デイジ社製）を用いて、基材面に対して垂直な軸（ｚ軸）方向にフックプル方式（ｚ軸に対して０°）で力（５００μｍ／秒の速度、２３℃）を加えた。その結果、２０Ｎ／ｃｍ²未満の力で、ガラス基板を剥離することができた。
剥離後の基板１上の仮固定材残渣をメシチレンにて洗浄した後、バンプの状態を目視にて観察した。その結果、バンプには変形がなく、良好に剥離を行えたことがわかった。

［実施例２Ｂ〜９Ｂおよび比較例１Ｂ］
実施例１Ｂにおいて、表２に記載のとおりに仮固定用組成物を変更したこと以外は実施例１Ｂと同様にした。結果を表２に示す。

［実施例１０Ｂ］
実施例１Ｂで仮固定した基板に万能ボンドテスター（商品名「デイジ４０００」、デイジ社製）を用いて、基材面に対して垂直な軸（ｚ軸）に対して、４５°の方向に力（５００μｍ／秒の速度、２３℃）を加えた。その結果、２０Ｎ／ｃｍ²未満の力で、ガラス基板を剥離することができた。

［比較例２Ｂ］
実施例１Ｂで仮固定した基板に万能ボンドテスター（商品名「デイジ４０００」、デイジ社製）を用いて、基材面に対して平行方向に力（５００μｍ／秒の速度、２３０℃）を加えた。その結果、２０Ｎ／ｃｍ²未満の力で、ガラス基板を剥離することができた。

剥離後の基板１上の仮固定材残渣をメシチレンにて洗浄した後、バンプの状態を目視にて観察した。その結果、バンプのハンダ部に変形があり、良好に剥離を行えなかったことがわかった。
以上の結果を表２に示す。

１０・・・基材（例：シリコンウエハ）
１１・・・バンプ
２０・・・支持体
３０・・・仮固定材
３１・・・仮固定材（Ｉ）
３２・・・仮固定材（II）
４０・・・積層体

式（Ｂ２）中、Ｒａは水素原子または炭素数１〜５のアルキル基であり、ｎは２〜２０の整数であり、ｘおよびｙは、それぞれ独立に２〜１００の整数である。
式（Ｂ２）で表される化合物の市販品としては、例えば、ＳＨ２８ＰＡ、ＳＨ３０ＰＡ、ＳＨ−８４００、ＳＨ−１９０、ＳＨ−１９３、ＳＦ−８４２８（東レ・ダウコーニング（株）製）が挙げられる。

［実施例１Ａ］
１００部のシクロオレフィン重合体（商品名「ＡＲＴＯＮ Ｒ５３００」、ＪＳＲ（株）製）と、７５部の水添Ｃ９系石油樹脂（商品名「アルコンＰ−１４０」、荒川化学工業（株）製）と、０．１部のジアルキルシリコーン構造およびポリオキシアルキレン構造を有する化合物（Ｂ１）（商品名「ポリフローＫＬ−７００」、共栄社化学（株）製）とを２５℃で混合して、実施例１Ａの仮固定用組成物１を調製した。

Claims (5)

1. 〈１〉支持体上に、
   （Ａ）シクロオレフィン系重合体と、
   （Ｂ）ジアリールシリコーン構造、ジアルキルシリコーン構造、フッ素化アルキル構造、フッ素化アルケニル構造および炭素数８以上のアルキル構造から選ばれる少なくとも１種の構造（ｂ１）、ならびにポリオキシアルキレン構造、リン酸基を有する構造およびスルホ基を有する構造から選ばれる少なくとも１種の構造（ｂ２）を有する化合物と
   を含有する仮固定材（Ｉ）を少なくとも含む仮固定材
   を介して、基材を仮固定することにより、積層体を得る工程、
   〈２〉前記基材を加工し、および／または前記積層体を移動する工程、ならびに
   〈３〉基材面に対して略垂直方向に、前記基材または前記支持体に力を付加することで、
   基材を支持体から剥離する工程
   をこの順で有する、基材の処理方法。
2. 仮固定材（Ｉ）において、前記化合物（Ｂ）の含有量が、仮固定材（Ｉ）の全質量に対して０．００１〜１０質量％である、請求項１の基材の処理方法。
3. 仮固定材（Ｉ）が、前記化合物（Ｂ）として、ジアルキルシリコーン構造、フッ素化アルケニル構造および炭素数８以上のアルキル構造から選ばれる少なくとも１種の構造と、ポリオキシアルキレン構造とを有する化合物を含有する、請求項１または２の基材の処理方法。
4. （Ａ）シクロオレフィン系重合体と、
   （Ｂ）ジアリールシリコーン構造、ジアルキルシリコーン構造、フッ素化アルキル構造、フッ素化アルケニル構造および炭素数８以上のアルキル構造から選ばれる少なくとも１種の構造（ｂ１）、ならびにポリオキシアルキレン構造、リン酸基を有する構造およびスルホ基を有する構造から選ばれる少なくとも１種の構造（ｂ２）を有する化合物と
   を含有する仮固定用組成物。
5. 請求項１〜３のいずれか１項の基材の処理方法により得られる半導体装置。

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