JP2021197391A - デバイス基板用仮接着剤、デバイス基板積層体及びデバイス基板積層体の製造方法 - Google Patents
デバイス基板用仮接着剤、デバイス基板積層体及びデバイス基板積層体の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2021197391A JP2021197391A JP2020100689A JP2020100689A JP2021197391A JP 2021197391 A JP2021197391 A JP 2021197391A JP 2020100689 A JP2020100689 A JP 2020100689A JP 2020100689 A JP2020100689 A JP 2020100689A JP 2021197391 A JP2021197391 A JP 2021197391A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- device substrate
- resin
- silicone
- resin layer
- silicone resin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 105
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 title claims abstract description 19
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 title claims abstract description 19
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 17
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 97
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 97
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 claims abstract description 70
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 46
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 claims abstract description 30
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 claims abstract description 26
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 claims abstract description 10
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 70
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims description 19
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims description 9
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 4
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 claims description 4
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 claims description 3
- 239000004697 Polyetherimide Substances 0.000 claims description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims description 3
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 claims description 3
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 claims description 3
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 claims description 3
- 229920001601 polyetherimide Polymers 0.000 claims description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 3
- 239000000088 plastic resin Substances 0.000 claims description 2
- 239000003292 glue Substances 0.000 claims 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 14
- -1 pinene Natural products 0.000 description 28
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 description 23
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 18
- 125000003342 alkenyl group Chemical group 0.000 description 17
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 17
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 15
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 13
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 12
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 12
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 12
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 12
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 10
- 239000003431 cross linking reagent Substances 0.000 description 10
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 10
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 description 9
- 230000003078 antioxidant effect Effects 0.000 description 9
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 9
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 8
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 7
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 7
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 7
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 7
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 7
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 7
- URLKBWYHVLBVBO-UHFFFAOYSA-N Para-Xylene Chemical group CC1=CC=C(C)C=C1 URLKBWYHVLBVBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 6
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 6
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 6
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 229920006136 organohydrogenpolysiloxane Polymers 0.000 description 6
- CLSUSRZJUQMOHH-UHFFFAOYSA-L platinum dichloride Chemical compound Cl[Pt]Cl CLSUSRZJUQMOHH-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 6
- LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N propylene glycol methyl ether acetate Chemical compound COCC(C)OC(C)=O LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 6
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 5
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 5
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 5
- ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 1-methoxypropan-2-ol Chemical compound COCC(C)O ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 4
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 4
- BGTOWKSIORTVQH-UHFFFAOYSA-N cyclopentanone Chemical compound O=C1CCCC1 BGTOWKSIORTVQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920005645 diorganopolysiloxane polymer Polymers 0.000 description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- BKIMMITUMNQMOS-UHFFFAOYSA-N nonane Chemical compound CCCCCCCCC BKIMMITUMNQMOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- CFJYNSNXFXLKNS-UHFFFAOYSA-N p-menthane Chemical compound CC(C)C1CCC(C)CC1 CFJYNSNXFXLKNS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N phenol group Chemical group C1(=CC=CC=C1)O ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 4
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 4
- QYLFHLNFIHBCPR-UHFFFAOYSA-N 1-ethynylcyclohexan-1-ol Chemical compound C#CC1(O)CCCCC1 QYLFHLNFIHBCPR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Chemical compound CC(C)CC(C)=O NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Natural products CCC(C)C(C)=O UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 description 3
- 238000005227 gel permeation chromatography Methods 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 3
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 3
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 3
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 3
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 3
- 239000000047 product Substances 0.000 description 3
- 238000010992 reflux Methods 0.000 description 3
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 3
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CEBKHWWANWSNTI-UHFFFAOYSA-N 2-methylbut-3-yn-2-ol Chemical compound CC(C)(O)C#C CEBKHWWANWSNTI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GTJOHISYCKPIMT-UHFFFAOYSA-N 2-methylundecane Chemical compound CCCCCCCCCC(C)C GTJOHISYCKPIMT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 241001050985 Disco Species 0.000 description 2
- SGVYKUFIHHTIFL-UHFFFAOYSA-N Isobutylhexyl Natural products CCCCCCCC(C)C SGVYKUFIHHTIFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NHTMVDHEPJAVLT-UHFFFAOYSA-N Isooctane Chemical compound CC(C)CC(C)(C)C NHTMVDHEPJAVLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N Pentane Chemical compound CCCCC OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 2
- 239000004820 Pressure-sensitive adhesive Substances 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 description 2
- 125000004849 alkoxymethyl group Chemical group 0.000 description 2
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- DIOQZVSQGTUSAI-UHFFFAOYSA-N decane Chemical compound CCCCCCCCCC DIOQZVSQGTUSAI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 2
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004205 dimethyl polysiloxane Substances 0.000 description 2
- JVSWJIKNEAIKJW-UHFFFAOYSA-N dimethyl-hexane Natural products CCCCCC(C)C JVSWJIKNEAIKJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical group [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N ethyl 2-hydroxypropanoate Chemical compound CCOC(=O)C(C)O LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 2
- VKPSKYDESGTTFR-UHFFFAOYSA-N isododecane Natural products CC(C)(C)CC(C)CC(C)(C)C VKPSKYDESGTTFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZUBZATZOEPUUQF-UHFFFAOYSA-N isononane Chemical compound CCCCCCC(C)C ZUBZATZOEPUUQF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XMGQYMWWDOXHJM-UHFFFAOYSA-N limonene Chemical compound CC(=C)C1CCC(C)=CC1 XMGQYMWWDOXHJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RLSSMJSEOOYNOY-UHFFFAOYSA-N m-methyl-PhOH Natural products CC1=CC=CC(O)=C1 RLSSMJSEOOYNOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 125000000962 organic group Chemical group 0.000 description 2
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 2
- IWDCLRJOBJJRNH-UHFFFAOYSA-N p-cresol Chemical compound CC1=CC=C(O)C=C1 IWDCLRJOBJJRNH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229930004008 p-menthane Natural products 0.000 description 2
- 229920000435 poly(dimethylsiloxane) Polymers 0.000 description 2
- 229920002577 polybenzoxazole Polymers 0.000 description 2
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 2
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KJDMMCYMVUTZSN-UHFFFAOYSA-N (1-ethynylcyclohexyl)oxy-trimethylsilane Chemical compound C[Si](C)(C)OC1(C#C)CCCCC1 KJDMMCYMVUTZSN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KMOUUZVZFBCRAM-OLQVQODUSA-N (3as,7ar)-3a,4,7,7a-tetrahydro-2-benzofuran-1,3-dione Chemical compound C1C=CC[C@@H]2C(=O)OC(=O)[C@@H]21 KMOUUZVZFBCRAM-OLQVQODUSA-N 0.000 description 1
- LEEANUDEDHYDTG-UHFFFAOYSA-N 1,2-dimethoxypropane Chemical compound COCC(C)OC LEEANUDEDHYDTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VZXTWGWHSMCWGA-UHFFFAOYSA-N 1,3,5-triazine-2,4-diamine Chemical class NC1=NC=NC(N)=N1 VZXTWGWHSMCWGA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JEIHSRORUWXJGF-UHFFFAOYSA-N 1-[(2-methylpropan-2-yl)oxy]propan-2-yl acetate Chemical compound CC(=O)OC(C)COC(C)(C)C JEIHSRORUWXJGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JOLQKTGDSGKSKJ-UHFFFAOYSA-N 1-ethoxypropan-2-ol Chemical compound CCOCC(C)O JOLQKTGDSGKSKJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LIPRQQHINVWJCH-UHFFFAOYSA-N 1-ethoxypropan-2-yl acetate Chemical compound CCOCC(C)OC(C)=O LIPRQQHINVWJCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SKDGWNHUETZZCS-UHFFFAOYSA-N 2,3-ditert-butylphenol Chemical compound CC(C)(C)C1=CC=CC(O)=C1C(C)(C)C SKDGWNHUETZZCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VMAWODUEPLAHOE-UHFFFAOYSA-N 2,4,6,8-tetrakis(ethenyl)-2,4,6,8-tetramethyl-1,3,5,7,2,4,6,8-tetraoxatetrasilocane Chemical compound C=C[Si]1(C)O[Si](C)(C=C)O[Si](C)(C=C)O[Si](C)(C=C)O1 VMAWODUEPLAHOE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 2-METHOXYETHANOL Chemical compound COCCO XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethanol Chemical compound CCOCCO ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003903 2-propenyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])=C([H])[H] 0.000 description 1
- ZCTILCZSUSTVHT-UHFFFAOYSA-N 3,5-dimethylhex-1-yn-3-yloxy(trimethyl)silane Chemical compound CC(C)CC(C)(C#C)O[Si](C)(C)C ZCTILCZSUSTVHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JSGVZVOGOQILFM-UHFFFAOYSA-N 3-methoxy-1-butanol Chemical compound COC(C)CCO JSGVZVOGOQILFM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MFKRHJVUCZRDTF-UHFFFAOYSA-N 3-methoxy-3-methylbutan-1-ol Chemical compound COC(C)(C)CCO MFKRHJVUCZRDTF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 4-Butyrolactone Chemical class O=C1CCCO1 YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N Butyl acetate Natural products CCCCOC(C)=O DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 1
- XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N Cyclohexane Chemical compound C1CCCCC1 XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YXHKONLOYHBTNS-UHFFFAOYSA-N Diazomethane Chemical compound C=[N+]=[N-] YXHKONLOYHBTNS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XXRCUYVCPSWGCC-UHFFFAOYSA-N Ethyl pyruvate Chemical compound CCOC(=O)C(C)=O XXRCUYVCPSWGCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000008065 acid anhydrides Chemical class 0.000 description 1
- 238000013006 addition curing Methods 0.000 description 1
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- 230000001588 bifunctional effect Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- NFCHUEIPYPEHNE-UHFFFAOYSA-N bis(2,2-dimethylbut-3-ynoxy)-dimethylsilane Chemical compound C#CC(C)(C)CO[Si](C)(C)OCC(C)(C)C#C NFCHUEIPYPEHNE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940043232 butyl acetate Drugs 0.000 description 1
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 238000004440 column chromatography Methods 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 238000002788 crimping Methods 0.000 description 1
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000113 cyclohexyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- SBZXBUIDTXKZTM-UHFFFAOYSA-N diglyme Chemical compound COCCOCCOC SBZXBUIDTXKZTM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000012156 elution solvent Substances 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- JEWSTVAZLFGEOX-UHFFFAOYSA-N ethenyl-ethenylsilyloxy-methylsilane Chemical compound C(=C)[SiH](O[SiH2]C=C)C JEWSTVAZLFGEOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 description 1
- 125000001301 ethoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])O* 0.000 description 1
- BHXIWUJLHYHGSJ-UHFFFAOYSA-N ethyl 3-ethoxypropanoate Chemical compound CCOCCC(=O)OCC BHXIWUJLHYHGSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940116333 ethyl lactate Drugs 0.000 description 1
- 229940117360 ethyl pyruvate Drugs 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001046 glycoluril group Chemical class [H]C12N(*)C(=O)N(*)C1([H])N(*)C(=O)N2* 0.000 description 1
- 238000013007 heat curing Methods 0.000 description 1
- FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N hexanoic acid Chemical compound CCCCCC(O)=O FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000006038 hexenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- 229940087305 limonene Drugs 0.000 description 1
- 235000001510 limonene Nutrition 0.000 description 1
- 150000007974 melamines Chemical class 0.000 description 1
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M methacrylate group Chemical group C(C(=C)C)(=O)[O-] CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 125000000956 methoxy group Chemical group [H]C([H])([H])O* 0.000 description 1
- BDJSOPWXYLFTNW-UHFFFAOYSA-N methyl 3-methoxypropanoate Chemical compound COCCC(=O)OC BDJSOPWXYLFTNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001570 methylene group Chemical group [H]C([H])([*:1])[*:2] 0.000 description 1
- QXLPXWSKPNOQLE-UHFFFAOYSA-N methylpentynol Chemical compound CCC(C)(O)C#C QXLPXWSKPNOQLE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 1
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 1
- 125000004365 octenyl group Chemical group C(=CCCCCCC)* 0.000 description 1
- JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N olefin Natural products CCCCCCCC=C JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 150000002898 organic sulfur compounds Chemical class 0.000 description 1
- 150000002903 organophosphorus compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000002530 phenolic antioxidant Substances 0.000 description 1
- 150000002989 phenols Chemical class 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229920001230 polyarylate Polymers 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 1
- 229920001955 polyphenylene ether Polymers 0.000 description 1
- BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N propan-1-ol Chemical compound CCCO BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000013464 silicone adhesive Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 230000008961 swelling Effects 0.000 description 1
- WMOVHXAZOJBABW-UHFFFAOYSA-N tert-butyl acetate Chemical compound CC(=O)OC(C)(C)C WMOVHXAZOJBABW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JAELLLITIZHOGQ-UHFFFAOYSA-N tert-butyl propanoate Chemical compound CCC(=O)OC(C)(C)C JAELLLITIZHOGQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000008719 thickening Effects 0.000 description 1
- JNRUXZIXAXHXTN-UHFFFAOYSA-N trimethyl(2-methylbut-3-yn-2-yloxy)silane Chemical compound C#CC(C)(C)O[Si](C)(C)C JNRUXZIXAXHXTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NWMVPLQDJXJDEW-UHFFFAOYSA-N trimethyl(3-methylpent-1-yn-3-yloxy)silane Chemical compound CCC(C)(C#C)O[Si](C)(C)C NWMVPLQDJXJDEW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003672 ureas Chemical class 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
- Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
Abstract
Description
1.(A)ガラス転移温度が200℃以上である非シリコーン系熱可塑性樹脂を含む樹脂層A、及び(B)シリコーン樹脂を含む樹脂層Bを含むデバイス基板用仮接着剤。
2.前記非シリコーン系熱可塑性樹脂が、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリエーテルスルホン、芳香族ポリエーテル、芳香族ポリエステル及びこれらの変性樹脂から選ばれる少なくとも1種である1のデバイス基板用仮接着剤。
3.前記シリコーン樹脂の25℃における粘度が7,000Pa・s以上であり、前記シリコーン樹脂の80〜150℃の範囲における最低粘度が50〜5,000Pa・sである1又は2のデバイス基板用仮接着剤。
4.前記シリコーン樹脂の25℃における粘度が10,000Pa・s以上であり、前記シリコーン樹脂の80〜150℃の範囲における最低粘度が50〜1,000Pa・sである3のデバイス基板用仮接着剤。
5.デバイス基板と、仮接着層と、支持体とをこの順に備える積層体であって、前記仮接着層が、デバイス基板側から順に、(A)ガラス転移温度が200℃以上である非シリコーン系熱可塑性樹脂を含む樹脂層A、及び(B)シリコーン樹脂を含む樹脂層Bを含むものであるデバイス基板積層体。
6.5のデバイス基板積層体の製造方法であって、
(a)デバイス基板にシリコーン樹脂を含む樹脂層Aを形成し、支持体にガラス転移温度が200℃以上である非シリコーン系熱可塑性樹脂を含む樹脂層Aを形成する工程、並びに
(b)樹脂層Aを形成したデバイス基板と樹脂層Bを形成した支持体とを、樹脂層A及び樹脂層Bを介して貼り合わせる工程
を含むデバイス基板積層体の製造方法。
(A)樹脂層Aは、ガラス転移温度(Tg)が200℃以上の非シリコーン系熱可塑性樹脂を含むものである。このような樹脂としては、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリエーテルスルホン、芳香族ポリエーテル、芳香族ポリエステル、アクリル樹脂等これらの変性樹脂等が挙げられる。これらのうち、特に芳香族ポリエーテル及び芳香族ポリエステルが好ましい。
(B)樹脂層Bは、シリコーン樹脂を含むものである。前記シリコーン樹脂は、特に限定されないが、熱硬化性シリコーン樹脂であることが好ましい。
本発明のデバイス基板積層体は、デバイス基板と、仮接着層と、支持体とをこの順に備える積層体であって、前記仮接着層が、デバイス基板側から順に、前記樹脂層A及び樹脂層Bを含むものである。
本発明のデバイス基板積層体の製造方法は、下記工程(a)及び(b)を含むものである。
[工程(a)]
工程(a)は、前記デバイス基板の片面に樹脂層Aを形成し、前記支持体の片面に、樹脂層Bを形成する工程である。前記デバイス基板が、片面が回路形成面であり、もう一方の面が回路非形成面である場合、回路形成面に樹脂層Aが形成される。
工程(b)は、樹脂層Aを形成したデバイス基板と、樹脂層Bを形成した支持体とを、樹脂層A及び樹脂層Bを介して貼り合わせる工程である。このとき、好ましくは40〜200℃、より好ましくは60〜180℃の温度範囲で、好ましくは100Pa以下、より好ましくは10Pa以下の減圧下、樹脂層Aと樹脂層Bとを貼り合わせ、これを均一に圧着させ、積層体とする。圧着させるときの圧力は、好ましくは0.01〜10MPa、より好ましくは0.1〜5MPaである。貼り合わせは、市販のウエハ接合装置、例えばEVG社のEVG520IS、850TB、SUSS社のXBC300等を用いて行うことができる。
工程(b)後、前記樹脂層Bを熱硬化させてもよい(工程(c))。熱硬化は、工程(b)で形成した前記積層体を、好ましくは120〜220℃、10分〜4時間、より好ましくは150〜200℃、30分〜2時間加熱することで行うことができる。
前記積層体のデバイス基板を研削又は研磨し、回路非形成面を加工し、デバイス基板を前記積層体から剥離することで、薄型デバイス基板を製造することができる。薄型デバイス基板の製造方法の具体例としては、下記工程(d)〜(f)を含む方法が挙げられる。
工程(d)は、前記デバイス基板積層体の回路非形成面を研削又は研磨する工程、すなわち、前記積層体のデバイス基板の裏面を研磨又は研削して、該デバイス基板の厚みを薄くする工程である。デバイス基板裏面の研磨又は研削する方式は、特に限定されず、公知の方法が採用される。研磨又は研削は、デバイス基板と砥石(ダイヤモンド等)に水をかけて冷却しながら行うことが好ましい。デバイス基板の裏面を研磨又は研削する装置としては、例えば(株)ディスコ製DAG−810(商品名)等が挙げられる。また、デバイス基板の裏面をCMP研磨してもよい。
工程(e)は、デバイス基板の回路非形成面を研削した積層体、すなわち、裏面研削によって薄型化された積層体のデバイス基板の回路非形成面に加工を施す工程である。この工程にはウエハレベルで用いられる様々なプロセスが含まれる。例としては、電極形成、金属配線形成、保護膜形成等が挙げられる。より具体的には、電極等の形成のための金属スパッタリング、金属スパッタリング層をエッチングするウェットエッチング、金属配線形成のマスクとするためのレジストの塗布、露光、及び現像によるパターンの形成、レジストの剥離、ドライエッチング、金属めっきの形成、TSV形成のためのシリコンエッチング、シリコン表面の酸化膜形成など、従来公知のプロセスが挙げられる。
工程(f)は、工程(e)で加工を施したデバイス基板を積層体から剥離する工程である。この剥離工程は、通常、室温〜60℃程度の比較的低温の条件で実施される。剥離方法としては、積層体のデバイス基板又は支持体の一方を水平に固定しておき、他方を水平方向から一定の角度を付けて持ち上げる方法が挙げられる。
[合成例1]
撹拌機、温度計、窒素置換装置及び還流冷却器を具備した5Lフラスコに、化合物(M−1)43.1g、化合物(M−3)29.5g、トルエン135g及び塩化白金酸0.04gを仕込み、80℃に加熱した。その後、化合物(M−5)17.5gを1時間かけてフラスコ内に滴下した。このとき、フラスコ内温度は、85℃まで上昇した。滴下終了後、更に80℃で2時間熟成した後、トルエンを留去し、シクロヘキサノンを80g添加して、樹脂濃度50質量%のシクロヘキサノンを溶剤とする樹脂溶液を得た。この溶液中の樹脂のMwは、45,000であった。更に、この樹脂溶液50gに、架橋剤としてエポキシ架橋剤であるEOCN−1020(日本化薬(株)製)7.5g、硬化触媒としてBSDM(富士フイルム和光純薬(株)製ビス(tert−ブチルスルホニル)ジアゾメタン)0.2g、及び酸化防止剤としてアデカスタブ(登録商標)AO−60((株)ADEKA製ヒンダードフェノール系酸化防止剤)0.1gを添加して、1μmのメンブレンフィルターで濾過して、シリコーン樹脂溶液B1を得た。
撹拌機、温度計、窒素置換装置及び還流冷却器を具備した5Lフラスコに、化合物(M−2)84.1g及びトルエン600gを入れ、溶解した後、化合物(M−3)294.6g及び化合物(M−4)25.5gを加え、60℃に加熱した。その後、カーボン担持白金触媒(5質量%)1gを投入し、内部反応温度が65〜67℃に昇温するのを確認した後、更に、90℃まで加熱し、3時間熟成した。次いで室温まで冷却した後、メチルイソブチルケトン(MIBK)600gを加え、得られた溶液をフィルターで加圧濾過して白金触媒を取り除いた。この樹脂溶液中の溶剤を減圧留去し、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)200gを添加して、樹脂濃度60質量%のPGMEAを溶剤とする樹脂溶液を得た。この溶液中の樹脂のMwは、28,000であった。更に、この樹脂溶液100gに、架橋剤として4官能フェノール化合物であるTEP−TPA(旭有機材工業(株)製)9g、及び硬化触媒としてテトラヒドロ無水フタル酸(新日本理化(株)製、リカシッドHH−A)0.2gを添加して、1μmのメンブレンフィルターで濾過して、シリコーン樹脂溶液B2を得た。
撹拌機、温度計、窒素置換装置及び還流冷却器を具備した5Lフラスコに、化合物(M−2)84.1g及びトルエン600gを入れ、溶解した後、化合物(M−3)14.6g及び化合物(M−5)125.5gを加え、60℃に加熱した。その後、カーボン担持白金触媒(5質量%)1gを投入し、内部反応温度が65〜67℃に昇温するのを確認した後、更に、90℃まで加熱し、3時間熟成した。次いで室温まで冷却した後、MIBK600gを加え、得られた溶液をフィルターで加圧濾過して白金触媒を取り除いた。この樹脂溶液中の溶剤を減圧留去し、PGMEA70gを添加して、樹脂濃度60質量%のPGMEAを溶剤とする樹脂溶液を得た。この溶液中の樹脂のMwは、32,000であった。更に、この樹脂溶液100gに、架橋剤としてTrisP−PA(本州化学工業(株)製)を15g、硬化触媒としてn−ヘキシルイミダゾールを0.2g、及び酸化防止剤としてアデカスタブAO−60 0.1gを添加して、1μmのメンブレンフィルターで濾過して、シリコーン樹脂溶液B3を得た。
0.5mol%のビニル基を分子側鎖に有し、数平均分子量(Mn)が3万のビニル基含有ポリジメチルシロキサン80質量部、及びイソドデカン400質量部からなる溶液に、化合物(M−6)3.0質量部及びエチニルシクロヘキサノール0.7質量部を添加し、混合した。なお、ビニル基含有ポリジメチルシロキサンのビニル基に対するオルガノハイドロジェンポリシロキサンのSiH基のモル比(SiH/SiVi)は、1.1であった。更に、白金触媒CAT−PL−5(信越化学工業(株)製)を0.5質量部添加して、0.2μmのメンブレンフィルターで濾過して、リコーン樹脂溶液B4を得た。
[調製例1]
ポリアリレート樹脂であるユニファイナーM−2000H(Mw=35,000、ユニチカ(株)製)20gをシクロヘキサノン134gに溶解し、得られた溶液を0.2μmのメンブレンフィルターで濾過して、13質量%の非シリコーン系熱可塑性樹脂溶液A1を得た。樹脂のTgをJIS K 7121に準拠し測定したところ、270℃であった。
ポリフェニレンエーテル樹脂であるザイロンS201A(Mw=15,000、旭化成(株)製)20gをp−キシレン180gに溶解し、得られた溶液を1μmのメンブレンフィルターで濾過して、10質量%の非シリコーン系熱可塑性樹脂溶液A2を得た。樹脂のTgをJIS K 7121に準拠し測定したところ、218℃であった。
水素添加ポリスチレン系熱可塑性樹脂であるセプトン2002(Mw=43,000、(株)クラレ製)24gをイソノナン176gに溶解し、得られた溶液を0.2μmのメンブレンフィルターで濾過して、12質量%の非シリコーン系熱可塑性樹脂溶液A3を得た。樹脂のTgをJIS K 7121に準拠し測定したところ、89℃であった。
[実施例1〜5及び比較例1]
表面に高さ10μm、直径40μmの銅ポストが全面に形成された直径200mm、厚さ725μmのシリコンウエハに、非シリコーン系熱可塑性樹脂溶液A1、A2又はA3をスピンコートした後、ホットプレートで150℃、5分間加熱することで、銅ポスト形成面に表1に示す厚さの樹脂層Aを成膜した。
一方、支持体である直径200mm、厚さ700μmのガラス板に、シリコーン樹脂溶液B1、B2、B3又はB4をスピンコートした後、ホットプレートで、150℃、3分間加熱することで、ガラス板上に表1に示す厚さの樹脂層Bを形成した。
界面の接着状況を目視で確認し、界面での気泡などの異常が発生しなかった場合を良好と評価して「○」で示し、異常が発生した場合を不良と評価して「×」で示した。
グラインダー((株)DISCO製、DAG810)で、ダイヤモンド砥石を用いてシリコンウエハの裏面研削を行った。最終基板厚50μmまで研削した後、光学顕微鏡(100倍)にてクラック、剥離等の異常の有無を調べた。異常が発生しなかった場合を良好と評価して「○」で示し、異常が発生した場合を不良と評価して「×」で示した。
シリコンウエハを裏面研削した後の加工体をCVD装置に導入し、2μmのSiO2膜の生成実験を行い、その際の外観異常の有無を調べた。外観異常が発生しなかった場合を良好と評価して「○」で示し、ボイド、ウエハ膨れ、ウエハ破損等の外観異常が発生した場合を不良と評価して「×」で示した。
なお、CVD耐性試験の条件は、以下のとおりである。
装置:プラズマCVD PD270STL(サムコ(株)製)
RF500W、内圧40Pa
TEOS(テトラエチルオルソシリケート):O2=20sccm:680sccm
支持体の剥離性は、まず、CVD耐性試験を終えたウエハ加工体の50μmまで薄型化したウエハ側にダイシングフレームを用いてダイシングテープを貼り、このダイシングテープ面を真空吸着によって、吸着板にセットした。その後、室温にて、ガラス板の1点をピンセットにて持ち上げることで、ガラス板を剥離した。50μmのウエハを割ることなく剥離できた場合を「○」で示し、割れ等の異常が発生した場合を不良と評価して「×」で示した。
前記剥離性試験終了後のダイシングテープを介してダイシングフレームに装着された200mmウエハ(CVD耐性試験条件に晒されたもの)を、仮接着層を上にしてスピンコーターにセットし、表1に示す洗浄溶剤を5分間噴霧して洗浄した後、ウエハを回転させながらイソプロピルアルコールを噴霧してリンスした。その後、外観を観察して残存する樹脂層の有無を目視で確認した。樹脂の残存が認められないものを良好と評価して「○」で示し、樹脂の残存が認められたものを不良と評価して「×」で示した。
粘度は、以下の測定機器及び条件で測定した。
装置:HAAKE MARS II(サーモサイエンティフィック社製)
昇温速度:10℃/分
測定周波数:1Hz
測定ギャップ:500μm
測定サンプルサイズ:直径8mm
Claims (6)
- (A)ガラス転移温度が200℃以上である非シリコーン系熱可塑性樹脂を含む樹脂層A、及び(B)シリコーン樹脂を含む樹脂層Bを含むデバイス基板用仮接着剤。
- 前記非シリコーン系熱可塑性樹脂が、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリエーテルスルホン、芳香族ポリエーテル、芳香族ポリエステル及びこれらの変性樹脂から選ばれる少なくとも1種である請求項1記載のデバイス基板用仮接着剤。
- 前記シリコーン樹脂の25℃における粘度が7,000Pa・s以上であり、前記シリコーン樹脂の80〜150℃の範囲における最低粘度が50〜5,000Pa・sである請求項1又は2記載のデバイス基板用仮接着剤。
- 前記シリコーン樹脂の25℃における粘度が10,000Pa・s以上であり、前記シリコーン樹脂の80〜150℃の範囲における最低粘度が50〜1,000Pa・sである請求項3記載のデバイス基板用仮接着剤。
- デバイス基板と、仮接着層と、支持体とをこの順に備える積層体であって、前記仮接着層が、デバイス基板側から順に、(A)ガラス転移温度が200℃以上である非シリコーン系熱可塑性樹脂を含む樹脂層A、及び(B)シリコーン樹脂を含む樹脂層Bを含むものであるデバイス基板積層体。
- 請求項5記載のデバイス基板積層体の製造方法であって、
(a)デバイス基板にシリコーン樹脂を含む樹脂層Aを形成し、支持体にガラス転移温度が200℃以上である非シリコーン系熱可塑性樹脂を含む樹脂層Aを形成する工程、並びに
(b)樹脂層Aを形成したデバイス基板と樹脂層Bを形成した支持体とを、樹脂層A及び樹脂層Bを介して貼り合わせる工程
を含むデバイス基板積層体の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020100689A JP7351260B2 (ja) | 2020-06-10 | 2020-06-10 | デバイス基板用仮接着剤、デバイス基板積層体及びデバイス基板積層体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020100689A JP7351260B2 (ja) | 2020-06-10 | 2020-06-10 | デバイス基板用仮接着剤、デバイス基板積層体及びデバイス基板積層体の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2021197391A true JP2021197391A (ja) | 2021-12-27 |
JP7351260B2 JP7351260B2 (ja) | 2023-09-27 |
Family
ID=79195901
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020100689A Active JP7351260B2 (ja) | 2020-06-10 | 2020-06-10 | デバイス基板用仮接着剤、デバイス基板積層体及びデバイス基板積層体の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7351260B2 (ja) |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014143308A (ja) * | 2013-01-24 | 2014-08-07 | Hitachi Chemical Co Ltd | 仮固定用組成物及び半導体装置の製造方法 |
WO2015190479A1 (ja) * | 2014-06-13 | 2015-12-17 | 富士フイルム株式会社 | 仮接着用積層体、仮接着用積層体の製造方法およびデバイスウェハ付き積層体 |
JP2017092138A (ja) * | 2015-11-05 | 2017-05-25 | Jsr株式会社 | 基材の処理方法、積層体、半導体装置およびその製造方法、ならびに仮固定用組成物 |
JP2019067980A (ja) * | 2017-10-03 | 2019-04-25 | 信越化学工業株式会社 | 半導体装置及びその製造方法、並びに積層体 |
-
2020
- 2020-06-10 JP JP2020100689A patent/JP7351260B2/ja active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014143308A (ja) * | 2013-01-24 | 2014-08-07 | Hitachi Chemical Co Ltd | 仮固定用組成物及び半導体装置の製造方法 |
WO2015190479A1 (ja) * | 2014-06-13 | 2015-12-17 | 富士フイルム株式会社 | 仮接着用積層体、仮接着用積層体の製造方法およびデバイスウェハ付き積層体 |
JP2017092138A (ja) * | 2015-11-05 | 2017-05-25 | Jsr株式会社 | 基材の処理方法、積層体、半導体装置およびその製造方法、ならびに仮固定用組成物 |
JP2019067980A (ja) * | 2017-10-03 | 2019-04-25 | 信越化学工業株式会社 | 半導体装置及びその製造方法、並びに積層体 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP7351260B2 (ja) | 2023-09-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5687230B2 (ja) | ウエハ加工体、ウエハ加工用部材、ウエハ加工用仮接着材、及び薄型ウエハの製造方法 | |
KR101907010B1 (ko) | 웨이퍼 가공체, 웨이퍼 가공용 부재, 웨이퍼 가공용 가접착재 및 박형 웨이퍼의 제조 방법 | |
JP6130522B2 (ja) | ウエハ加工体、ウエハ加工用仮接着材、及び薄型ウエハの製造方法 | |
JP5767159B2 (ja) | ウエハ加工体、ウエハ加工用部材、ウエハ加工用仮接着材、及び薄型ウエハの製造方法 | |
JP6023737B2 (ja) | ウエハ加工体、ウエハ加工用仮接着材、及び薄型ウエハの製造方法 | |
JP5767161B2 (ja) | ウエハ加工用仮接着材、それを用いたウエハ加工用部材、ウエハ加工体、及び薄型ウエハの作製方法 | |
JP6225894B2 (ja) | ウエハの仮接着方法及び薄型ウエハの製造方法 | |
JP5983519B2 (ja) | ウエハ加工体、ウエハ加工用部材、ウエハ加工用仮接着材、及び薄型ウエハの製造方法 | |
JP6325432B2 (ja) | ウエハ加工体、ウエハ加工用仮接着材、及び薄型ウエハの製造方法 | |
JP6404787B2 (ja) | ウエハ加工体、ウエハ加工用仮接着材、及び薄型ウエハの製造方法 | |
KR102494875B1 (ko) | 웨이퍼 가공용 가접착재, 웨이퍼 가공체 및 박형 웨이퍼의 제조 방법 | |
JP5767155B2 (ja) | ウエハ加工体、支持体の再生方法及びウエハ加工用仮接着材 | |
JP2017079245A (ja) | ウエハ加工体、ウエハ加工用仮接着材、及び薄型ウエハの製造方法 | |
JP7045765B2 (ja) | 回路付基板加工体及び回路付基板加工方法 | |
JP7542089B2 (ja) | 基板加工用仮接着材料及び積層体の製造方法 | |
JP2024113159A (ja) | ウエハ加工用仮接着剤、ウエハ積層体及び薄型ウエハの製造方法 | |
JP7220135B2 (ja) | 積層体の製造方法、及び基板の製造方法 | |
JP7351260B2 (ja) | デバイス基板用仮接着剤、デバイス基板積層体及びデバイス基板積層体の製造方法 | |
JP6947132B2 (ja) | ウエハ加工用仮接着剤、ウエハ積層体、ウエハ積層体の製造方法、及び薄型ウエハの製造方法 | |
WO2024185859A1 (ja) | ウエハ加工用仮接着材、ウエハ加工体及び薄型ウエハの製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20220623 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20230531 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20230606 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230728 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20230815 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20230828 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7351260 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |