TW201545874A - 暫時接著用積層體、暫時接著用積層體的製造方法以及帶有元件晶圓的積層體 - Google Patents

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Abstract

提供可容易地解除元件晶圓與支撐體的暫時接著的暫時接著用積層體、暫時接著用積層體的製造方法以及帶有元件晶圓的積層體。本發明的暫時接著用積層體是用以將元件晶圓的元件面與支撐體可剝離地暫時接著的暫時接著用積層體，其包含熱塑性樹脂膜、含有脫模劑的層，所述脫模劑選自具有矽氧烷鍵的化合物及具有矽原子與氟原子的化合物；且在熱塑性樹脂膜的元件側的表面，且是元件面對應的區域至少包含含有脫模劑的層。在將元件晶圓與支撐體暫時接著後，自元件晶圓的元件面剝離支撐體時，至少包含支撐體與熱塑性樹脂膜的積層體自元件剝離。

Description

暫時接著用積層體、暫時接著用積層體的製造方法以及帶有元件晶圓的積層體
本發明是有關於一種暫時接著用積層體、暫時接著用積層體的製造方法以及帶有元件晶圓的積層體。更詳細而言是有關於一種可於半導體裝置等的製造中較佳地使用的暫時接著用積層體、暫時接著用積層體的製造方法以及帶有元件晶圓的積層體。
在影像感測器（ image sensor）、積體電路（ IntegratedCircuit，IC）、大規模積體電路（ large-scale integration，LSI）等半導體裝置的製造製程中，在元件晶圓上形成多個IC 晶片，藉由切割（dicing） 而進行單片化。隨著電子設備的進一步的小型化、薄膜化及高性能、低消耗電力化的需求，關於電子設備上所搭載的IC 晶片也要求進一步的小型化及高積體化， 但元件晶圓的面方向的積體電路的高積體化接近極限。
作為自IC晶片內的積體電路向IC晶片的外部端子的電性連接方法，現在廣泛已知有引線結合（wire bonding）法，但為了實現IC晶片的小型化，近年來已知有在元件晶圓上設置貫通孔，將作為外部端子的金屬插塞以貫通貫通孔內的方式而與積體電路連接的方法（所謂形成矽貫通電極（TSV）的方法）。然而，僅僅藉由形成矽貫通電極的方法，無法充分應對所述近年來的對IC晶片的進一步的高積體化的需求。
鑒於以上，已知有藉由將IC晶片內的積體電路多層化而使元件晶圓的每單位面積的積體度提高的技術。然而，積體電路的多層化使IC晶片的厚度增大，因此需要構成IC晶片的構件的薄型化。此種構件的薄型化例如正研究元件晶圓的薄型化，不僅與IC晶片的小型化有關，而且可使矽貫通電極的製造中的元件晶圓的貫通孔製造步驟省力化，因此被視為有前途。而且，在功率元件、影像感測器等半導體元件中，自使所述積體度提高或使元件結構的自由度提高的觀點考慮，正嘗試薄型化。
元件晶圓廣泛已知有具有700 μm～900 μm的厚度的元件晶圓，近年來，以IC晶片的小型化等為目的而嘗試使元件晶圓的厚度薄得變為200 μm以下。 然而，厚度為200 μm以下的元件晶圓非常薄，以其為基材的半導體元件製造用構件也非常薄，因此在對此種構件實施更進一步的處理、或僅僅移動此種構件的情況等，難以穩定、且並不產生損傷地支撐構件。
為了解決所述問題，已知有如下的技術：藉由矽酮黏著劑將在表面設有元件的薄型化前的元件晶圓與加工用支撐基板暫時接著，對元件晶圓的背面進行研削而薄型化後，對元件晶圓進行穿孔而設置矽貫通電極，其後使加工用支撐基板自元件晶圓脫離（參照專利文獻1）。藉由該技術可同時達成抵抗元件晶圓的背面研削時的研削阻力、各異向性乾式蝕刻步驟等中的耐熱性、鍍敷或蝕刻時的耐化學品性、與最終的加工用支撐基板的順利的剝離、低披著體污染性。
而且，作為晶圓的支撐方法，亦已知如下的技術：藉由支撐層系統而支撐晶圓的方法，在晶圓與支撐層系統之間安裝藉由電漿堆積法而所得的電漿聚合物層作為分離層，以使支撐層系統與分離層之間的接著結合變得大於晶圓與分離層之間的接合結合，在使晶圓自支撐層系統脫離時，晶圓可自分離層容易地脫離的方式而構成（參照專利文獻2）。
而且，已知如下的技術：使用聚醚碸與黏性賦予劑而進行暫時接著，藉由加熱而解除暫時接著（參照專利文獻3）。 而且，亦已知如下的技術：藉由包含羧酸類與胺類的混合物而進行暫時接著，藉由加熱而解除暫時接著（參照專利文獻4）。 而且，已知如下的技術：在對包含纖維素聚合物類等的接合層進行加溫的狀態下，對元件晶圓與支撐基板進行壓接，藉此使其接著，進行加溫而於橫方向上滑動，藉此使元件晶圓自支撐基板脫離（參照專利文獻5）。
而且，已知一種黏著膜，其包含間規1,2-聚丁二烯與光聚合起始劑，藉由照射放射線而使接著力變化（參照專利文獻6）。 另外，已知如下的技術：藉由包含聚碳酸酯類的接著劑對支撐基板與元件晶圓進行暫時接著，對元件晶圓進行處理後，照射照射線，其次進行加熱，藉此而使進行了處理的元件晶圓自支撐基板脫離（參照專利文獻7）。
而且，已知如下的技術：以軟化點不同的2層將支撐基板與元件晶圓暫時接著，對元件晶圓進行處理後，進行加溫而於橫方向上滑動，藉此使支撐基板與元件晶圓脫離的技術（參照專利文獻8）。
而且，在專利文獻9中揭示了經由暫時固定材料而將支撐體與基材暫時固定的方法，所述暫時固定材料包含：環烯聚合物；具有矽酮結構、氟化烷基結構、氟化烯基結構及碳數為8以上的烷基結構的至少一種結構，以及聚環氧烷結構、具有磷酸基的結構及具有磺基的結構的至少一種結構的化合物。
而且，在專利文獻10中揭示了使用接著劑組成物而將元件晶圓與支撐體接著的方法，所述接著劑組成物含有包含苯乙烯單元作為主鏈的構成單元的彈性體、蠟。
而且，在專利文獻11中揭示了一種半導體裝置的製造方法，其包含：在支撐構件及元件晶圓之間插入含有特定的聚醯亞胺樹脂而成的暫時固定用膜，於支撐構件上暫時固定元件晶圓的步驟；對支撐構件上所暫時固定的元件晶圓實施規定加工的步驟；使有機溶劑與暫時固定用膜接觸而溶解暫時固定用膜的一部分或全部，自支撐構件分離所加工的元件晶圓的步驟；將所加工的元件晶圓單片化的步驟。
而且，在專利文獻12中揭示了在元件晶圓的元件面塗佈形成接著層，在支撐體的表面塗佈形成含有氟化矽烷化合物的脫模層，使元件晶圓上的接著層與支撐體上的脫模層接著，將元件晶圓與支撐體接著的方法。
而且，在專利文獻13中揭示了使用氟系彈性體而裝卸自由地保持電子零件與基材的方法，所述氟系彈性體包含含有如下化合物的硬化物：（A）在分子中具有至少兩個烯基、且在主鏈中具有二價全氟伸烷基或二價全氟聚醚結構的全氟化合物、（B）在分子中具有至少兩個氫矽烷基、且可與烯基進行加成反應的化合物、（C）加成反應觸媒、（D）加成反應控制劑。 [現有技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2011-119427號公報 [專利文獻2]日本專利特表2009-528688號公報 [專利文獻3]日本專利特開2011-225814號公報 [專利文獻4]日本專利特開2011-052142號公報 [專利文獻5]日本專利特表2010-506406號公報 [專利文獻6]日本專利特開2007-045939號公報 [專利文獻7]美國專利公開2011/0318938號說明書 [專利文獻8]美國專利公報2012/0034437號說明書 [專利文獻9]日本專利特開2013-241568號公報 [專利文獻10]日本專利特開2014-34632號公報 [專利文獻11]日本專利特開2014-29999號公報 [專利文獻12]國際公開WO2013/119976號小冊子 [專利文獻13]日本專利特開2005-236041號公報
[發明所欲解決之課題]
然而，在經由專利文獻1等中所已知的包含黏著劑的層而將設有元件的元件晶圓的表面（亦即，元件晶圓的元件面）與支撐基板（載體基板）暫時接著的情況下，為了穩定地支撐元件晶圓，對接著層要求一定強度的接著力。 因此，在經由接著層而將元件晶圓的元件面的整個面與支撐體暫時接著的情況下，由於元件晶圓與支撐體的暫時接著過強，因此在使元件晶圓自支撐體脫離時，容易產生元件破損、或元件自元件晶圓脫離的不良情況。
而且，如專利文獻2所示那樣，為了抑制晶圓與支撐層系統的接著過強，藉由電漿堆積法於晶圓與支撐層系統之間形成作為分離層的電漿聚合物層的方法存在如下問題：（1）通常情況下，用以實施電漿堆積法的設備成本大；（2）利用電漿堆積法的層形成在電漿裝置內的真空化或單體的堆積需要時間；及（3）即使設置包含電漿聚合物層的分離層，雖然在支撐供至加工的晶圓的情況下，晶圓與分離層的接著結合充分，但另一方面，在解除晶圓的支撐的情況下，無法容易地控制晶圓容易地自分離層脫離的接著結合等。
而且，在如專利文獻3、專利文獻4、專利文獻5所記載那樣，藉由加熱而解除暫時接著的方法中，在使元件晶圓自支撐體脫離時，容易產生元件破損的不良情況。
而且，在如專利文獻6、專利文獻7那樣，照射照射線而解除暫時接著的方法中，需要使用透過照射線的支撐體。
而且，如專利文獻8那樣，在元件晶圓側的接合層的軟化點比基板側的接合層的軟化點大20℃以上的情況下，於剝離後將基板側的接合層轉印於元件晶圓側的接合層上，產生元件晶圓的清洗性降低的問題。
而且，在使用專利文獻9的接著劑作為暫時固定材料的情況下，剝離性不充分，因此存在於剝離元件晶圓時容易產生元件破損的不良情況的問題。而且，接著層容易殘留於元件晶圓側。
而且，在專利文獻10中，將接著劑組成物塗佈於元件晶圓等上而形成接著層。因此，在自元件晶圓剝離支撐體時，接著層容易殘留於元件晶圓側。而且，在專利文獻10中所揭示的方法中，支撐體自元件晶圓的剝離性不充分。
而且，在專利文獻11中，使用有機溶劑而製成暫時固定用膜，使用可溶於有機溶劑中者，使有機溶劑與暫時固定用膜接觸，由此而解除對於元件晶圓的暫時支撐。因此，存在暫時支撐的解除需要時間的傾向。另外，存在於元件晶圓側殘存暫時固定用膜的現象，且所殘存的膜的除去處理需要操作。
而且，在專利文獻12中，在元件晶圓的元件面塗佈形成接著層，因此在自元件晶圓剝離支撐體時，接著層容易殘留於元件晶圓側。
而且，在專利文獻13中，剝離性並不充分。
本發明是鑒於所述背景而成者，其目的在於提供可容易地解除元件晶圓與支撐體的暫時接著的暫時接著用積層體、暫時接著用積層體的製造方法以及帶有元件晶圓的積層體。 [解決課題之手段]
本發明者等人為了解決所述課題而進行了銳意研究，結果發現使用如下的暫時接著用積層體，可藉由高的接著力而將元件晶圓與支撐體暫時接著，且可容易地解除元件晶圓與支撐體的暫時接著，從而完成本發明，所述暫時接著用積層體包含熱塑性樹脂膜、含有脫模劑的層，所述脫模劑選自具有矽氧烷鍵的化合物及具有矽原子與氟原子的化合物；且在熱塑性樹脂膜的元件側的表面，且是元件面對應的區域至少包含含有脫模劑的層。本發明提供以下者。 ＜1＞ 一種暫時接著用積層體，其用以將元件晶圓的元件面與支撐體可剝離地暫時接著， 暫時接著用積層體包含熱塑性樹脂膜、含有脫模劑的層，所述脫模劑選自具有矽氧烷鍵的化合物及具有矽原子與氟原子的化合物；在熱塑性樹脂膜的元件側的表面，且是元件面對應的區域至少包含含有脫模劑的層； 暫時接著用積層體在將元件晶圓與支撐體暫時接著後，自元件晶圓的元件面剝離支撐體時，至少包含支撐體與熱塑性樹脂膜的積層體自元件剝離。 ＜2＞ 如＜1＞所述的暫時接著用積層體，其中，熱塑性樹脂膜含有玻璃轉移點為50℃～400℃的熱塑性樹脂。 ＜3＞ 如＜1＞或＜2＞所述的暫時接著用積層體，其中，熱塑性樹脂膜含有選自熱塑性聚醯亞胺、聚苯乙烯系彈性體、聚酯系彈性體、聚醯胺系彈性體、聚醚醚酮、聚苯醚、改質聚苯醚、聚醚碸、聚縮醛樹脂及環烯聚合物的至少一種熱塑性樹脂。 ＜4＞ 如＜1＞～＜3＞中任一項所述的暫時接著用積層體，其中，熱塑性樹脂膜的自25℃起、以20℃/min進行升溫的1%重量減少溫度為250℃以上。 ＜5＞ 如＜1＞～＜4＞中任一項所述的暫時接著用積層體，其中，含有脫模劑的層的厚度為0.001 nm～1000 nm。 ＜6＞ 如＜1＞～＜5＞中任一項所述的暫時接著用積層體，其中，含有脫模劑的層在250℃下加熱2小時後，冷卻至25℃的條件下所測定的水接觸角為30°以上。 ＜7＞ 如＜1＞～＜6＞中任一項所述的暫時接著用積層體，其中，脫模劑是具有矽原子與氟原子的矽烷偶合劑。 ＜8＞ 如＜1＞～＜7＞中任一項所述的暫時接著用積層體，其中，脫模劑是具有矽原子與氟原子的化合物，且氟原子的含有率為20%～80%。 ＜9＞ 如＜1＞～＜6＞中任一項所述的暫時接著用積層體，其中，脫模劑是可藉由150℃以上的加熱而燒印於所述熱塑性樹脂膜上的矽酮樹脂。 ＜10＞ 一種暫時接著用積層體的製造方法，其包含：於熱塑性樹脂膜表面形成含有脫模劑的層的步驟，所述脫模劑選自具有矽氧烷鍵的化合物及具有矽原子與氟原子的化合物。 ＜11＞ 一種帶有元件晶圓的積層體，其於元件晶圓與支撐體之間包含如＜1＞～＜9＞中任一項所述的暫時接著用積層體，暫時接著用積層體的脫模層側之面與元件晶圓的元件面相接，另一個面與支撐體的表面相接。 [發明的效果]
藉由本發明可提供可容易地解除元件晶圓與支撐體的暫時接著的暫時接著用積層體、暫時接著用積層體的製造方法以及帶有元件晶圓的積層體。
以下， 對本發明的實施形態加以詳細說明。於本說明書的基（原子團）的表述中，未記載經取代及未經取代的表述包含不具取代基的基（原子團）以及具有取代基的基（原子團）。例如，所謂「烷基」不僅僅包含不具取代基的烷基（未經取代的烷基），而且亦包含具有取代基的烷基（經取代的烷基）。本發明中的所謂「光化射線」或「放射線」例如表示包含可見光線、紫外線、遠紫外線、電子束、X射線等。於本發明書中，所謂「光」是表示光化射線或放射線。於本說明書中，所謂「曝光」若無特別限制，則不僅僅表示利用水銀燈、紫外線、以準分子雷射為代表的遠紫外線、X射線、EUV光等的曝光，亦表示利用電子束及離子束等粒子束的描繪。於本說明書中，「(甲基)丙烯酸酯」表示丙烯酸酯及甲基丙烯酸酯，「(甲基)丙烯酸基」表示丙烯酸基及甲基丙烯酸基，「(甲基)丙烯醯基」表示丙烯醯基及甲基丙烯醯基。於本說明書中，重量平均分子量及數量平均分子量定義為利用凝膠滲透層析（Gel Permeation Chromatography，GPC）測定的聚苯乙烯換算值。於本說明書中，重量平均分子量（Mw）及數量平均分子量（Mn） 例如可藉由使用HLC-8220（ 東曹股份有限公司製造），使用TSKgelSuperAWM-H（東曹股份有限公司製造）、6.0mmID×15.0cm作為管柱，使用10mmol/L的溴化鋰的N-甲基吡咯啶酮（N-MethylPyrrolidone，NMP）溶液作為溶離液而求出。另外，在以下所說明的實施形態中，關於已經在參照的圖式中所說明的構件等，在圖中附以同一符號或相當符號而對說明進行簡略化或省略化。
＜暫時接著用積層體＞ 本發明的暫時接著用積層體是用以將元件晶圓的元件面與支撐體可剝離地暫時接著的暫時接著用積層體，暫時接著用積層體包含熱塑性樹脂膜、含有脫模劑的層，所述脫模劑選自具有矽氧烷鍵的化合物及具有矽原子與氟原子的化合物；在熱塑性樹脂膜的元件側的表面，且是元件面對應的區域至少包含含有脫模劑的層；暫時接著用積層體在將元件晶圓與支撐體暫時接著後，自元件晶圓的元件面剝離支撐體時，至少包含支撐體與熱塑性樹脂膜的積層體自元件剝離。以下，將含有脫模劑的層稱為「脫模層」。
本發明的暫時接著用積層體在熱塑性樹脂膜的元件側的表面，且是元件面對應的區域包含所述脫模層，因此可容易地解除元件晶圓與支撐體的暫時接著，剝離性優異。而且，所述脫模層形成於熱塑性樹脂膜的表面，熱塑性樹脂膜的表面的平坦性優異，因此可以基本均一的膜厚而形成脫模層。亦即，若藉由旋塗而形成暫時接著用積層體，則產生由殘存溶媒所造成的逸氣、由乾燥收縮所造成的褶皺、由晶邊（Edge bead）所造成的周邊的厚膜化等，但藉由將成型為膜者作為暫時接著用積層體而使用，可抑制所述問題。因此，在將元件晶圓與支撐體暫時接著時，熱塑性樹脂膜難以與元件面直接相接，可達成更優異的剝離性。因此，在將元件晶圓與支撐體暫時接著後，自元件晶圓的元件面剝離支撐體時，至少包含支撐體與熱塑性樹脂膜的積層體自元件剝離，因此在元件晶圓側並不殘存熱塑性樹脂膜，可對解除元件晶圓與支撐體的暫時接著後的元件晶圓的清洗等操作進行簡略化。 而且，由於使用熱塑性樹脂膜，因此藉由元件晶圓與支撐體的壓接時的加熱，熱塑性樹脂軟化。其結果，亦追從元件晶圓的微細的凹凸，可並不產生空隙地達成優異的接著性。 另外，於本說明書中，所謂「將元件晶圓的元件面與支撐體可剝離地暫時接著」是表示自將元件晶圓與支撐體暫時接著而一體化的狀態（帶有元件晶圓的積層體），解除元件晶圓與支撐體的暫時接著狀態，將兩者分離。暫時接著狀態的解除較佳的是利用機械剝離的解除。 而且，於本說明書中，所謂「熱塑性樹脂膜的元件側的表面，且是元件面對應的區域」是在將元件晶圓的元件面與支撐體暫時接著時，暫時接著用積層體的元件晶圓側的面與元件晶圓的元件面接觸的區域。
本發明的暫時接著用積層體是在將元件晶圓與支撐體暫時接著後，自元件晶圓的元件面剝離支撐體時，至少包含支撐體與熱塑性樹脂膜的積層體自元件剝離者。兩者的剝離可為元件面與脫模層的界面的剝離，也可為脫模層與熱塑性樹脂膜的界面的剝離，還可為脫模層的內部的剝離。 亦即，自元件晶圓剝離支撐體後的元件晶圓的元件面亦可附著有脫模層的剝離殘渣。而且，較佳的是於元件面的面積的99%以上的範圍中並未附著熱塑性樹脂膜的剝離殘渣。而且，「至少包含支撐體與熱塑性樹脂膜的積層體」較佳的是熱塑性樹脂膜的整個面積層於支撐體上，亦可自支撐體剝離熱塑性樹脂膜的一部分（較佳的是熱塑性樹脂膜的面積的10%以下、更佳的是5%以下）。 另外，所謂「脫模層的剝離殘渣」是表示脫模層中所含的脫模劑。而且，所謂「熱塑性樹脂膜的剝離殘渣」是表示熱塑性樹脂膜中所含的熱塑性樹脂。脫模層的剝離殘渣、熱塑性樹脂膜的剝離殘渣可藉由目視、光學顯微鏡、掃描式電子顯微鏡等而觀測，於本發明中，藉由目視觀察剝離面而測定。 而且，「至少包含支撐體與熱塑性樹脂膜的積層體」無需熱塑性樹脂膜的整個面與支撐體接著，亦可熱塑性樹脂膜的一部分並不與支撐體接著。 以下，關於本發明的暫時接著用積層體加以具體說明。
＜＜熱塑性樹脂膜＞＞ 於本發明的暫時接著用積層體中，熱塑性樹脂膜可使用藉由射出成型、擠出成型、塗敷等手法將熱塑性樹脂加工為膜形狀者。藉由使用熱塑性樹脂膜，追從元件晶圓上的晶片等的形狀而變形，因此元件晶圓與支撐體的接著性良好。另外，可並不伴隨著產生空隙地將支撐體與元件晶圓暫時接著。
熱塑性樹脂膜的平均厚度並無特別限定，例如較佳的是0.1 μm～500 μm，更佳的是0.1 μm～300 μm，進一步更佳的是1 μm～150 μm。熱塑性樹脂膜的平均厚度若為所述範圍，則平坦性良好，可對於元件晶圓的元件面而均一地貼合。另外，亦難以產生暫時接著後的加工時的逸氣的增加、或貼合時的偏移等。 另外，於本發明中，熱塑性樹脂膜的平均厚度定義為如下值的平均值：在沿熱塑性樹脂膜的一個方向的剖面中，自其中一個端面向另一個端面，以等間隔藉由測微計而測定5個位置的厚度的值。 另外，於本發明中，所謂「沿熱塑性樹脂膜的一個方向的剖面」，在熱塑性樹脂膜為多邊形狀的情況下，是與長邊方向正交的剖面。而且，在熱塑性樹脂膜為正方形狀的情況下，是與任意一個邊正交的剖面。而且，在熱塑性樹脂膜為圓形或橢圓形的情況下，是通過重心的剖面。 熱塑性樹脂膜較佳的是在沿熱塑性樹脂膜的一個方向的剖面中，最大膜厚與最小膜厚的差為平均膜厚的10%以下，更佳的是5%以下。
熱塑性樹脂膜的自25℃起、以20℃/min進行升溫的1%重量減少溫度較佳的是250℃以上，更佳的是300℃以上，進一步更佳的是350℃以上。熱塑性樹脂膜的1%重量減少溫度若為250℃以上，則在元件晶圓的機械或化學處理時，即使暴露於高溫下，亦可抑制熱塑性樹脂的分解，可有效地抑制空隙的產生等。另外，所謂「重量減少溫度」是藉由熱重量測定裝置（TGA），在氮氣流下、所述升溫條件下測定的值。
熱塑性樹脂膜的溶劑含有率較佳的是5質量%以下，更佳的是1質量%以下，特佳的是並不含有。藉由該態樣，可抑制逸氣，可防止在暫時接著的狀態下進行加熱時產生空隙。熱塑性樹脂膜的溶劑含量可藉由氣相層析（Gas Chromatography，GC）而測定。
＜＜＜熱塑性樹脂＞＞＞ 在本發明的暫時接著用積層體中，較佳的是熱塑性樹脂膜含有熱塑性樹脂。作為熱塑性樹脂， 較佳的是選自熱塑性聚醯亞胺、聚苯乙烯系彈性體、聚酯系彈性體、聚醯胺系彈性體、聚醚醚酮、聚苯醚、改質聚苯醚、聚醚碸、聚縮醛樹脂及環烯聚合物的至少一種。而且，自耐熱性的觀點考慮，更佳的是選自聚苯乙烯系彈性體、聚酯系彈性體、聚醯胺系彈性體、聚醚醚酮、聚苯醚、改質聚苯醚及聚醚碸、聚縮醛樹脂及環烯聚合物的至少一種，進一步更佳的是熱塑性聚醯亞胺。熱塑性樹脂可單獨使用一種，亦可將兩種以上混合使用。 包含所述熱塑性樹脂的熱塑性樹脂膜亦追從元件晶圓的微細的凹凸，可並不產生空隙地達成優異的接著性。而且，在自元件晶圓剝離支撐體時，可並不對元件晶圓等施加應力地自元件晶圓剝離（較佳為機械剝離）支撐體，可防止元件等的破損或剝落。 另外，於本發明中，所謂「熱塑性樹脂」是在150℃～350℃下軟化的樹脂，25℃的儲存彈性模數較佳的是104 Pa～1012 Pa，更佳的是105 Pa～1011 Pa，最佳的是106 Pa～1010 Pa。150℃～300℃的儲存彈性模數較佳的是102 Pa～107 Pa，更佳的是101 Pa～106 Pa，最佳的是100 Pa～105 Pa。另外，儲存彈性模數是藉由動態黏彈性測定裝置（DMA）而測定的值。而且，所謂「軟化」是表示150℃～300℃的儲存彈性模數成為25℃的儲存彈性模數的100倍以上的狀態。
熱塑性樹脂的玻璃轉移溫度（以下亦稱為「Tg」）較佳的是50℃～400℃，更佳的是75℃～400℃，進一步更佳的是110℃～350℃。若Tg為所述範圍，則在元件晶圓與支撐體的暫時接著時，熱塑性樹脂膜軟化，亦追從元件晶圓的微細的凹凸，可並不產生空隙地達成優異的接著性。另外，在熱塑性樹脂具有兩種以上Tg的情況下，所述Tg的值表示低的玻璃轉移點。 熱塑性樹脂的熔點較佳的是100℃～450℃，更佳的是120℃～400℃。若熔點為所述範圍，則亦追從元件晶圓的微細的凹凸，可並不產生空隙地達成優異的接著性。另外，在熱塑性樹脂具有兩種以上熔點的情況下，所述熔點的值表示低的熔點。 熱塑性樹脂的重量平均分子量較佳的是2,000～200,000，更佳的是10,000～200,000，最佳的是50,000～100,000。藉由處於該範圍內，可使耐熱性良好。
＜＜＜＜熱塑性聚醯亞胺＞＞＞＞ 熱塑性聚醯亞胺可使用藉由公知的方法使四羧酸二酐與二胺進行縮合反應而所得者。 公知的方法例如可列舉在有機溶劑中，將四羧酸二酐與二胺大致等莫耳地混合，在反應溫度為80℃以下使其反應，使所得的聚醯胺酸（Polyamic acid）進行脫水閉環的方法等。此處，所謂「大致等莫耳」是指四羧酸二酐與二胺的莫耳量比為1：1附近。另外，亦可視需要以四羧酸二酐與二胺的組成比成為相對於四羧酸二酐的合計1.0莫耳而言，二胺的合計為0.5莫耳～2.0莫耳的方式進行調整。藉由在所述的範圍內調整四羧酸二酐與二胺的組成比，可調整聚醯亞胺樹脂的重量平均分子量。
熱塑性聚醯亞胺樹脂可列舉具有下述通式（1）所表示的重複結構單元的熱塑性聚醯亞胺樹脂。 [化1]
通式（1）中，X是直接鍵結、-SO2 -、-CO-、-C(CH3 )2 -、-C(CF3 )2 -或-S-，R1 、R2 、R3 、R4 分別獨立為氫原子、碳數1～6的烷基、烷氧基、鹵化烷基、鹵化烷氧基、或鹵素原子，Y是選自由下述式（2）所構成的群組的基。
[化2]
具有通式（1）所表示的重複結構單元的熱塑性聚醯亞胺樹脂可將下述通式（3）的醚二胺與下述通式（4）的四羧酸二酐作為原料，在有機溶媒的存在下或未存在下使其反應，對所得的聚醯胺酸（Polyamide acid）進行化學的或熱的醯亞胺化而製造。
[化3]
通式（3）中，R1 、R2 、R3 及R4 分別表示與式（1）中的記號相同的含義。 通式（4）中，Y表示與通式（1）中的記號相同的含義。
通式（1）及通式（3）中，R1 、R2 、R3 、R4 的具體例可列舉氫原子，甲基、乙基等烷基，甲氧基、乙氧基等烷氧基，氟甲基、三氟甲基等鹵化烷基，氟甲氧基等鹵化烷氧基，氯原子、氟原子等鹵素原子。較佳的是氫原子。而且，式中的X是直接鍵結、-SO2 -、-CO-、-C(CH3 )2 -、-C(CF3 )2 -或-S-，較佳的是直接鍵結、-SO2 -、-CO-、-C(CH3 )2 -。 通式（1）及通式（4）中，Y是以式（2）所表示者，較佳的是使用均苯四甲酸二酐作為酸二酐者。
較佳的是熱塑性聚醯亞胺樹脂具有下述式（5）所表示的重複結構單元。 [化4]
熱塑性聚醯亞胺樹脂亦可列舉具有下述式（6）及式（7）的重複結構單元的熱塑性聚醯亞胺樹脂作為較佳的具體例。
[化5]
式（6）及式（7）中，m及n表示各結構單元的莫耳比（未必表示嵌段聚合物），m/n是4～9、更佳為5～9、進一步更佳為6～9的範圍的數。
具有式（6）及式（7）的重複結構單元的熱塑性聚醯亞胺樹脂可將分別對應的醚二胺與四羧酸二酐作為原料，在有機溶媒的存在下或未存在下使其反應，對所得的聚醯胺酸進行化學的或熱的醯亞胺化而進行製造。該些具體的製造方法可利用公知的聚醯亞胺的製造方法的條件。
熱塑性聚醯亞胺樹脂亦可使用具有下述式（8）所表示的重複結構單元的熱塑性聚醯亞胺樹脂。
[化6]
具有式（8）的重複結構單元的熱塑性聚醯亞胺樹脂可將分別對應的醚二胺與四羧酸二酐作為原料，在有機溶媒的存在下或未存在下使其反應，對所得的聚醯胺酸進行化學的或熱的醯亞胺化而進行製造。該些具體的製造方法可利用公知的聚醯亞胺的製造方法的條件。
熱塑性聚醯亞胺樹脂的耐熱性優異。熱塑性聚醯亞胺樹脂的自25℃起、以20℃/min進行升溫的1%重量減少溫度較佳的是250℃以上，更佳的是300℃以上，進一步更佳的是350℃以上。 熱塑性聚醯亞胺樹脂的Tg較佳的是200℃～400℃，更佳的是250℃～375℃，進一步更佳的是300℃～350℃。若Tg為所述範圍，則亦追從元件晶圓的微細的凹凸，可並不產生空隙地達成優異的接著性。
熱塑性聚醯亞胺的市售品例如可列舉三井化學股份有限公司製造的「歐若（AURUM）（註冊商標）」、倉敷紡績股份有限公司製造的「米德斐（Midfil）（註冊商標）」、杜邦股份有限公司製造的「維斯派（Vespel）（註冊商標）TP」等。
＜＜＜＜聚苯乙烯系彈性體＞＞＞＞ 聚苯乙烯系彈性體並無特別限制，可根據目的而適宜選擇。例如可列舉苯乙烯-丁二烯-苯乙烯嵌段共聚物（SBS）、苯乙烯-異戊二烯-苯乙烯嵌段共聚物（SIS）、苯乙烯-乙烯-丁烯-苯乙烯嵌段共聚物（SEBS）、苯乙烯-丁二烯-丁烯-苯乙烯共聚物（SBBS）及該些的氫化物、苯乙烯-乙烯-丁烯-苯乙烯嵌段共聚物（SEBS）、苯乙烯-乙烯-丙烯-苯乙烯嵌段共聚物（SEPS）、苯乙烯-乙烯-乙烯-丙烯-苯乙烯嵌段共聚物等。 聚苯乙烯系彈性體中的源自苯乙烯的重複單元的含量較佳的是10質量%～90質量%。自易剝離性的觀點考慮，下限值較佳的是25質量%以上，更佳的是51質量%以上。
聚苯乙烯系彈性體較佳的是苯乙烯與其他樹脂的嵌段共聚物，更佳的是單末端或兩末端為苯乙烯的嵌段聚合物，特佳的是兩末端為苯乙烯的嵌段聚合物。若使聚苯乙烯系彈性體的兩端為苯乙烯的嵌段聚合物（源自苯乙烯的重複單元），則存在熱穩定性進一步提高的傾向。其原因在於耐熱性高的源自苯乙烯的重複單元存在於末端。特別是藉由使源自苯乙烯的重複單元的嵌段部位為反應性的聚苯乙烯系硬嵌段，而存在耐熱性、耐化學品性更優異的傾向，因此較佳。而且認為，若使該些為嵌段共聚物，則於200℃以上進行硬嵌段與軟嵌段的相分離。認為該相分離的形狀有助於抑制元件晶圓的基板表面產生凹凸。另外，此種樹脂自於溶劑中的溶解性及對抗蝕劑溶劑的耐受性的觀點考慮而言亦更佳。 而且，若聚苯乙烯系彈性體為氫化物，則對熱的穩定性提高，難以產生分解或聚合等變質。另外，自於溶劑中的溶解性及對抗蝕劑溶劑的耐受性的觀點考慮而言亦更佳。 另外，本說明書中所謂「源自苯乙烯的重複單元」是在使苯乙烯或苯乙烯衍生物聚合時，聚合物中所含的源自苯乙烯的構成單元，亦可具有取代基。苯乙烯衍生物例如可列舉α-甲基苯乙烯、3-甲基苯乙烯、4-丙基苯乙烯、4-環己基苯乙烯等。取代基例如可列舉碳數1～5的烷基、碳數1～5的烷氧基、碳數1～5的烷氧基烷基、乙醯氧基、羧基等。
聚苯乙烯系彈性體的市售品例如可列舉可樂麗股份有限公司製造的「賽普頓（Septon）」（賽普頓（Septon）S2104等）、「哈伊布拉（HYBRAR）」、旭化成化學股份有限公司製造的「塔弗泰（Tuftec）」、JSR股份有限公司製造的「迪娜隆（Dynaron）」。
＜＜＜＜聚酯系彈性體＞＞＞＞ 聚酯系彈性體並無特別限制，可根據目的而適宜選擇。例如可列舉使二羧酸或其衍生物與二醇化合物或其衍生物進行縮聚而所得者。 二羧酸例如可列舉對苯二甲酸、間苯二甲酸、萘二羧酸等芳香族二羧酸及該些的芳香環的氫原子經甲基、乙基、苯基等取代的芳香族二羧酸，己二酸、癸二酸、十二烷二羧酸等碳數2～20的脂肪族二羧酸，及環己烷二羧酸等脂環式二羧酸等。該些可單獨使用一種，亦可併用兩種以上。 二醇化合物例如可列舉乙二醇、1,3-丙二醇、1,4-丁二醇、1,6-己二醇、1,10-癸二醇、1,4-環己二醇等脂肪族二醇、脂環式二醇、下述結構式所表示的二元酚等。
[化7]
所述式中，YDO 表示碳原子數1～10的伸烷基、碳原子數4～8的伸環烷基、-O-、-S-、及-SO2 -的任意者，或者表示苯環彼此的直接鍵結（單鍵）。RDO1 及RDO2 各自獨立地表示鹵素原子或碳原子數1～12的烷基。pdo1 及pdo2 各自獨立地表示0～4的整數，ndo1 表示0或1。
聚酯系彈性體的具體例可列舉雙酚A、雙-(4-羥基苯基)甲烷、雙-(4-羥基-3-甲基苯基)丙烷、間苯二酚等。該些可單獨使用一種，亦可併用兩種以上。 而且，聚酯系彈性體亦可使用使芳香族聚酯（例如聚對苯二甲酸丁二酯）部分為硬鏈段成分、使脂肪族聚酯（例如聚丁二醇）部分為軟鏈段成分的多嵌段共聚物。作為多嵌段共聚物，可根據硬鏈段與軟鏈段的種類、比率、及分子量的不同而列舉各種等級的多嵌段共聚物。具體例可列舉三菱化學股份有限公司製造的「普利麥利（Premalloy）」、東洋紡績股份有限公司製造的「派普萊恩（PELPRENE）」、東麗杜邦股份有限公司製造的「海翠（Hytrel）」等。
＜＜＜＜聚醯胺系彈性體＞＞＞＞ 聚醯胺系彈性體並無特別限制，可根據目的而適宜選擇。例如可列舉於硬鏈段中使用聚醯胺-6、聚醯胺-11、聚醯胺-12等聚醯胺，於軟鏈段中使用聚氧乙烯、聚氧丙烯、聚丁二醇等聚醚及/或聚酯的彈性體等。該彈性體可大致分為聚醚嵌段醯胺型、聚醚酯嵌段醯胺型這兩種。市售品可列舉大賽璐贏創股份有限公司製造的「大安米德（Daiamid）」、「外斯安米德（Vestamid）E」、T＆K TOKA股份有限公司製造的「泰普（TPAE）」等。
＜＜＜＜聚醚醚酮＞＞＞＞ 聚醚醚酮可並無特別限制地使用，例如可列舉日本威格斯（Victrex Japan）股份有限公司製造的「威格斯派酷（VICTREX PEEK）」、倉敷紡績股份有限公司製造的「埃酷斯派酷（EXPEEK）」、大賽璐贏創股份有限公司製造的「外斯塔凱普（VESTAKEEP）」等。
＜＜＜＜聚苯醚、改質聚苯醚＞＞＞＞ 聚苯醚或改質聚苯醚可並無特別限制地使用。例如沙特基礎工業創新塑膠日本公司製造的「諾利（NORYL）」、旭化成化學股份有限公司製造的「柴龍（Zylon）」、三菱工程塑膠股份有限公司製造的「魯派斯（Iupiace）」、「勒瑪利（Lemalloy）」、大賽璐贏創股份有限公司製造的「外斯濤瀾（VESTORAN）」等。
＜＜＜聚醚碸＞＞＞ 聚醚碸例如可列舉日本專利特開2006-89595號公報、日本專利特開2004-352920號公報、日本專利特開2002-338688號公報、日本專利特開平07-97447號公報及日本專利特開平04-20530號公報中所記載的聚醚碸。 於聚醚碸中，藉由使用在聚合物中具有芳烴結構的聚醚碸，膜的結晶性上升，容易獲得即使在某一定溫度以上的高溫環境下，亦可維持對於元件晶圓的處理時所附加的剪切力而言，可保持元件晶圓的剪切接著力的暫時接著用積層體。具有芳烴結構的聚醚碸例如可列舉具有式（IV）所表示的構成單元的聚醚碸。
[化8]
式（IV）中，R1 ～R3 是具有芳烴結構的二價的有機基，其中式（IV）中的結合鍵與R1 ～R3 中的芳烴結構直接鍵結（亦即，式（IV）中的-O-R1 -O-、-O-R2 -SO2 -及-SO2 -R3 -O-中的-O-及-SO2 -與R1 ～R3 中的芳烴結構直接鍵結）。R1 ～R3 可分別相同亦可不同。 二價的有機基例如可列舉伸苯基、萘二基、蒽二基及芘二基等伸芳基；-C6 H4 -C6 H4 -等2個伸芳基直接鍵結而成的基；式（IV-1）～式（IV-3）所表示的在2個伸芳基之間具有二價烴基的基等。
[化9]式（IV-1）～式（IV-3）中，*表示結合鍵。
聚醚碸的重量平均分子量（Mw）較佳的是1,000～1,000,000，更佳的是5,000～500,000。在將聚醚碸的數量平均分子量設為Mn時，以Mw/Mn所表示的分子量分佈較佳的是1～5，更佳的是1～3.5。 聚醚碸亦可使用市售品。例如可列舉巴斯夫公司製造的「慕拉森（Ultrason）E系列」（慕拉森（Ultrason）E6020P等）、蘇威高性能聚合物公司製造的「拉德爾（RADEL）A系列」、住友化學股份有限公司製造的「住友愛克賽（SUMIKAEXCEL）PES系列」、日本蘇威特種聚合物股份有限公司製造的「崴拉德爾（VERADEL）」等。「住友愛克賽（SUMIKAEXCEL）系列」例如可列舉住友愛克賽（SUMIKAEXCEL）（註冊商標）PES3600P、住友愛克賽（SUMIKAEXCEL）（註冊商標）PES4100P、住友愛克賽（SUMIKAEXCEL）（註冊商標）PES4100MP、住友愛克賽（SUMIKAEXCEL）（註冊商標）PES4800P、住友愛克賽（SUMIKAEXCEL）（註冊商標）PES5003P、住友愛克賽（SUMIKAEXCEL）（註冊商標）PES5200P、住友愛克賽（SUMIKAEXCEL）（註冊商標）PES5400P。
＜＜＜＜聚縮醛樹脂＞＞＞＞ 聚縮醛樹脂可並無特別限制地使用。例如可列舉杜邦股份有限公司製造的「迭爾林（Delrin）」、寶理塑膠股份有限公司製造的「杜拉康（DURACON）」、旭化成化學股份有限公司製造的「鐵耐克（Tenac）」、三菱工程塑膠股份有限公司製造的「龍皮泰（Iupital）」等。
＜＜＜＜環烯聚合物＞＞＞＞ 環烯聚合物可並無特別限制地使用。例如可列舉日本瑞翁股份有限公司製造的「甾奧耐克（ZEONEX）」、「甾奧努（ZEONOR）」、托帕斯先進聚合物股份有限公司（TOPAS ADVANCED POLYMERS GmbH）公司製造的「托帕斯（TOPAS）」、三井化學股份有限公司製造的「阿佩爾（APEL）」、JSR股份有限公司製造的「阿頓（ARTON）」等。
熱塑性樹脂膜較佳的是含有相對於熱塑性樹脂膜的所有固體成分而言為50質量%～100質量%的所述熱塑性樹脂，更佳的是70質量%～100質量%，特佳的是88質量%～100質量%。藉由該態樣，容易獲得接著性及剝離性優異的暫時接著用積層體。 熱塑性樹脂可僅僅為一種，亦可為兩種以上。在熱塑性樹脂為兩種以上的情況下，較佳的是其合計為所述範圍。
＜＜＜抗氧化劑＞＞＞ 自防止加熱時的氧化所造成的聚合物成分的低分子化或凝膠化的觀點考慮，熱塑性樹脂膜亦可含有抗氧化劑。抗氧化劑可使用酚系抗氧化劑、硫系抗氧化劑、磷系抗氧化劑、醌系抗氧化劑、胺系抗氧化劑等。 酚系抗氧化劑例如可列舉對甲氧基苯酚、2,6-二-第三丁基-4-甲基苯酚、巴斯夫公司製造的「易璐瑙斯（Irganox）（註冊商標）1010」、「易璐瑙斯（Irganox）（註冊商標）1330」、「易璐瑙斯（Irganox）（註冊商標）3114」、「易璐瑙斯（Irganox）（註冊商標）1035」、住友化學股份有限公司製造的「蘇米萊澤（Sumilizer）（註冊商標） MDP-S」、「蘇米萊澤（Sumilizer）（註冊商標） GA-80」等。 硫系抗氧化劑例如可列舉3,3'-硫代二丙酸二硬脂酯、住友化學股份有限公司製造的「蘇米萊澤（Sumilizer）（註冊商標） TPM」、「蘇米萊澤（Sumilizer）（註冊商標） TPS」、「蘇米萊澤（Sumilizer）（註冊商標） TP-D」等。 磷系抗氧化劑例如可列舉三(2,4-二-第三丁基苯基)亞磷酸酯、雙(2,4-二-第三丁基苯基)季戊四醇二亞磷酸酯、聚(二丙二醇)苯基亞磷酸酯、二苯基異癸基亞磷酸酯、2-乙基己基二苯基亞磷酸酯、三苯基亞磷酸酯、巴斯夫公司製造的「易璐佛斯（Irgafos）（註冊商標）168」、「易璐佛斯（Irgafos）（註冊商標）38」等。 醌系抗氧化劑例如可列舉對苯醌、2-第三丁基-1,4-苯醌等。 胺系抗氧化劑例如可列舉二甲基苯胺或啡噻嗪等。 抗氧化劑較佳的是易璐瑙斯（Irganox）（註冊商標）1010、易璐瑙斯（Irganox）（註冊商標）1330、3,3'-硫代二丙酸二硬脂酯、蘇米萊澤（Sumilizer）（註冊商標） TP-D，更佳的是易璐瑙斯（Irganox）（註冊商標）1010、易璐瑙斯（Irganox）（註冊商標）1330，特佳的是易璐瑙斯（Irganox）（註冊商標）1010。 而且，所述抗氧化劑中，較佳的是將酚系抗氧化劑與硫系抗氧化劑或磷系抗氧化劑併用，最佳的是將酚系抗氧化劑與硫系抗氧化劑併用。特佳的是將酚系抗氧化劑與硫系抗氧化劑併用。藉由設為此種組合，可期待補足在熱氧化的過程中所產生的過氧自由基、將作為分解產物的氫過氧化物（ROOH）轉換為穩定的ROH基的相乘效應。在併用酚系抗氧化劑與硫系抗氧化劑的情況下，酚系抗氧化劑與硫系抗氧化劑的質量比較佳的是酚系抗氧化劑：硫系抗氧化劑=1：10～10：1，更佳的是1：5～5：1。 抗氧化劑的組合較佳的是易璐瑙斯（Irganox）（註冊商標）1010與蘇米萊澤（Sumilizer）（註冊商標）TP-D、易璐瑙斯（Irganox）（註冊商標）1330與蘇米萊澤（Sumilizer）（註冊商標）TP-D、及蘇米萊澤（Sumilizer）（註冊商標）GA-80與蘇米萊澤（Sumilizer）（註冊商標）TP-D，更佳的是易璐瑙斯（Irganox）（註冊商標）1010與蘇米萊澤（Sumilizer）（註冊商標）TP-D、易璐瑙斯（Irganox）（註冊商標）1330與蘇米萊澤（Sumilizer）（註冊商標）TP-D，特佳的是易璐瑙斯（Irganox）（註冊商標）1010與蘇米萊澤（Sumilizer）（註冊商標）TP-D。
自防止加熱中的昇華的觀點考慮，抗氧化劑的分子量較佳的是400以上，更佳的是600以上，特佳的是750以上。
在熱塑性樹脂膜含有抗氧化劑的情況下，抗氧化劑的含量較佳的是相對於熱塑性樹脂膜的所有固體成分而言為0.001質量%～20.0質量%，更佳的是0.005質量%～10.0質量%。 抗氧化劑可僅僅為一種，亦可為兩種以上。在抗氧化劑為兩種以上的情況下，較佳的是其合計為所述範圍。
＜＜＜界面活性劑＞＞＞ 熱塑性樹脂膜亦可含有界面活性劑。界面活性劑可使用氟系界面活性劑、非離子系界面活性劑、陽離子系界面活性劑、陰離子系界面活性劑、矽酮系界面活性劑等各種界面活性劑，較佳的是氟系界面活性劑。藉由含有界面活性劑，可使液體特性（特別是流動性）提高，進一步改善塗佈厚度的均一性或省液性。
氟系界面活性劑較佳的是氟含有率為3質量%～40質量%，更佳的是5質量%～30質量%，進一步更佳的是7質量%～25質量%。氟含有率為該範圍內的氟系界面活性劑於塗佈膜的厚度的均一性或省液性的方面有效。另外，溶解性亦良好。
氟系界面活性劑例如可列舉迪愛生（DIC）股份有限公司製造的美佳法（Megafac）F-251、美佳法（Megafac）F-281、美佳法（Megafac）F-430、美佳法（Megafac）F-444、美佳法（Megafac）F-477、美佳法（Megafac）F-510、美佳法（Megafac）F-552、美佳法（Megafac）F-553、美佳法（Megafac）F-554、美佳法（Megafac）F-555、美佳法（Megafac）F-556、美佳法（Megafac）F-557、美佳法（Megafac）F-558、美佳法（Megafac）F-559、美佳法（Megafac）F-560、美佳法（Megafac）F-561、美佳法（Megafac）F-562、美佳法（Megafac）F-563、美佳法（Megafac）F-565、美佳法（Megafac）F-567、美佳法（Megafac）F-568、美佳法（Megafac）F-569、美佳法（Megafac）F-570、美佳法（Megafac）F-571、美佳法（Megafac）R-40、美佳法（Megafac）R-41、美佳法（Megafac）R-43、美佳法（Megafac）R-94、住友3M股份有限公司製造的FC-4430、FC-4432、AGC清美化學股份有限公司製造的沙福隆（Surflon）S-242、沙福隆（Surflon）S-243、沙福隆（Surflon）S-386、沙福隆（Surflon）S-651、沙福隆（Surflon）S-611、沙福隆（Surflon）S-420、歐諾法（OMNOVA）公司製造的PF-636、PF-656、PF-6320、PF-6520、PF-7002等。
非離子系界面活性劑可列舉丙三醇、三羥甲基丙烷、三羥甲基乙烷以及該些的乙氧基化物及丙氧基化物（例如丙三醇丙氧基化物、甘油乙氧基化物等）、聚氧乙烯月桂基醚、聚氧乙烯硬脂基醚、聚氧乙烯油烯基醚、聚氧乙烯辛基苯基醚、聚氧乙烯壬基苯基醚、聚乙二醇二月桂酸酯、聚乙二醇二硬脂酸酯等。
陽離子系界面活性劑可列舉森下產業股份有限公司製造EFKA-745、共榮社化學股份有限公司製造的珀利弗洛（Polyflow）No.75、珀利弗洛（Polyflow）No.90、珀利弗洛（Polyflow）No.95等。
矽酮系界面活性劑可列舉邁圖高新材料日本合同公司製造的TSF-4440、TSF-4300、TSF-4445、TSF-4460、TSF-4452，信越矽利光股份有限公司製造的KP-341、KF-6001、KF-6002，畢克化學股份有限公司製造的BYK-307、BYK-323、BYK-330等。
在熱塑性樹脂膜含有界面活性劑的情況下，界面活性劑的含量較佳的是相對於熱塑性樹脂膜的所有固體成分而言為0.001質量%～2.0質量%，更佳的是0.005質量%～1.0質量%。 界面活性劑可僅僅為一種，亦可為兩種以上。在界面活性劑為兩種以上的情況下，較佳的是其合計為所述範圍。
＜＜其他添加劑＞＞ 熱塑性樹脂膜可在不損及本發明的效果的範圍內視需要調配各種添加物，例如塑化劑、相溶劑、填充劑、密接促進劑、紫外線吸收劑、凝聚抑制劑、矽烷偶合劑等。在調配該些添加劑的情況下，較佳的是其合計調配量為熱塑性樹脂膜的所有固體成分的3質量%以下。
＜＜脫模層＞＞ 本發明的暫時接著用積層體在熱塑性樹脂膜的元件側的表面，且是元件面對應的區域包含含有脫模劑的層（脫模層），所述脫模劑選自具有矽氧烷鍵的化合物及具有矽原子與氟原子的化合物。脫模劑較佳的是具有矽原子與氟原子的化合物。若為該狀態，則可達成更良好的剝離性。
脫模層的膜厚即使薄膜亦可獲得效果，因此並無特別限定。例如較佳的是0.001 nm～1000 nm，更佳的是0.1 nm～500 nm，進一步更佳的是1 nm～100 nm。若為所述範圍，則於元件晶圓與支撐體的暫時接著時，可防止熱塑性樹脂膜與元件晶圓直接接觸，可達成更良好的剝離性。 於本發明中，脫模層的平均厚度定義為如下值的平均值：在沿脫模層的一個方向的剖面中，自其中一個端面向另一個端面，藉由橢圓偏光法以等間隔而測定5個位置的厚度的值。「沿脫模層的一個方向的剖面」與所述「沿熱塑性樹脂膜的一個方向的剖面」同義。
在脫模層含有具有矽原子與氟原子的化合物的情況下，較佳的是脫模層含有相對於脫模層的所有固體成分而言為5質量%～100質量%的含有選自氟原子及矽原子的至少一種的化合物，更佳的是50質量%～100質量%，進一步更佳的是90質量%～100質量%。 在脫模層含有具有矽氧烷鍵的化合物的情況下，較佳的是脫模層含有相對於脫模層的所有固體成分而言為5質量%～100質量%的具有矽氧烷鍵的化合物，更佳的是50質量%～100質量%，進一步更佳的是90質量%～100質量%。 在脫模層含有具有矽原子與氟原子的化合物與具有矽氧烷鍵的化合物的情況下，較佳的是脫模層含有相對於脫模層的所有固體成分而言為30質量%～95質量%的具有矽原子與氟原子的化合物、5質量%～70質量%的具有矽氧烷鍵的化合物，更佳的是含有40質量%～90質量%的具有矽原子與氟原子的化合物、10質量%～60質量%的具有矽氧烷鍵的化合物。 脫模劑可僅僅為一種，亦可為兩種以上。在脫模劑為兩種以上的情況下，較佳的是其合計為所述範圍。
脫模層較佳的是在250℃下加熱2小時後，冷卻至25℃的條件下所測定的水接觸角為30°以上，更佳的是40°以上，進一步更佳的是50°以上。上限並無特別限定，例如較佳的是140°以下，更佳的是130°以下，進一步更佳的是120°以下。所述水接觸角若為30°以上，則獲得優異的剝離性。 另外，於本發明中，水接觸角是使用在厚度為100 mm的Si晶圓上成膜有各種脫模層者而進行測定。接觸角的測定裝置使用協和界面科學股份有限公司製造的接觸角計（型號：CA-D）。在室溫25℃、濕度50%下，滴加70 pL的水滴而測定5個部位的接觸角。將5點的接觸角加以平均而作為各樣品的接觸角。
＜＜＜具有矽氧烷鍵的化合物＞＞＞ 具有矽氧烷鍵的化合物較佳的是矽酮樹脂。 矽酮樹脂可較佳地使用無溶劑型、油型、溶液型、乳液型、燒印型的任意矽酮樹脂。 矽酮樹脂例如較佳的是可藉由150℃以上（更佳為200℃以上、進一步更佳為250℃以上、特佳為300℃以上）的加熱而燒印於熱塑性樹脂膜表面的矽酮樹脂。上限較佳的是450℃以下，更佳的是400℃以下，進一步更佳的是350℃以下。若為可在所述溫度下燒印的矽酮樹脂，則在進行高溫下的機械或化學處理時，脫模層難以分解，耐熱性優異。另外，可有效地抑制空隙的產生。 另外，所謂「可燒印於熱塑性樹脂膜表面」是藉由對矽酮樹脂進行成膜後加熱而使其反應，較強地結合於熱塑性樹脂上而並不容易地剝離的狀態。 矽酮樹脂的重量平均分子量較佳的是10,000～10,000,000，更佳的是50,000～5,000,000。
矽酮樹脂較佳的是直鏈狀的有機聚矽氧烷及/或具有分支結構的有機聚矽氧烷。有機聚矽氧烷例如可使用下述通式（1）所表示的有機聚矽氧烷等。
[化10]式（1）中，M1 是通式（2）所表示的結構單元、T是通式（3）所表示的結構單元、D是通式（4）所表示的結構單元、M2 是通式（5）所表示的結構單元，式中的氧原子與鄰接的結構單元共有而形成矽氧烷鍵。R1 是烯基，R2 是經取代或未經取代的一價有機基，a是2以上，b是5～100的整數，c是2,000～20,000的整數，d是0或正整數，且是滿足a+d=b+2的數。
[化11]
R1 所表示的烯基例如可列舉乙烯基、烯丙基、丙烯基等。 R2 所表示的一價有機基例如可列舉甲基、乙基、丙基、丁基等烷基；環己基等環烷基；乙烯基、烯丙基、丙烯基等烯基；苯基、甲苯基等芳基或該些基的碳原子上鍵結的氫原子的一部分或全部被鹵素原子、氰基、胺基等取代而成的氯甲基、三氟丙基、氰乙基等經取代或未經取代的一價烴基，另外可列舉甲氧基、乙氧基、丙氧基、甲氧基乙氧基等烷氧基，羥基，環氧基等。 於工業上而言較佳的是R1 為乙烯基，於工業上、特性上而言較佳的是R2 的至少其80莫耳%為甲基。 式（1）的b是決定分支狀有機聚矽氧烷的分支結構的數，是5～100的整數，較佳的是6～80。c是2,000～20,000，較佳的是5,000～10,000。 a、d是位於有機聚矽氧烷的分子末端的矽氧烷單元數，a為2以上、d為0或正整數，自分支數與分子末端數的關係考慮，需要滿足a+d=b+2。 必須具有烯基的結構單元僅僅是M1 ，a為2以上表示在1分子中的烯基數為2以上，烯基優先配置於分子鏈末端。若d=0且可滿足a+d=b+2，則達成良好的硬化性，因此更佳的是d=0。 a、b、c、d的合計值限定有機聚矽氧烷的聚合度的範圍，於實用上可用以顯示黏度。高聚合度的聚合物的黏度一般以極限黏度ηr而表示，有機聚矽氧烷的極限黏度ηr特佳的是1.0～3.0的範圍。
具有矽氧烷鍵的化合物亦可含有氟基。氟基可使用已知的氟基，例如可列舉氟化烷基、氟化伸烷基等。 氟化烷基的碳數較佳的是1～30，更佳的是1～20，進一步更更佳的是1～15。氟化烷基可為直鏈、分支、環狀的任意者。而且，亦可具有醚鍵。而且，氟化烷基亦可為氫原子的全部被取代為氟原子的全氟烷基。 氟化伸烷基的碳數較佳的是2～30，更佳的是2～20，進一步更佳的是2～15。氟化伸烷基可為直鏈、分支、環狀的任意者。而且，亦可具有醚鍵。而且，氟化伸烷基亦可為氫原子的全部被取代為氟原子的全氟伸烷基。
具有矽氧烷鍵的化合物的市售品可使用信越化學工業股份有限公司製造的KM-9736A、KM-9737A、KM-9738A、KM-9739、KM-722T、KM-740T、KM-742T、KM-780、KM-782、KM-785、KM-797、KM-9705、KM-860A、KM-862T、斯路卡斯特（Silcast）U、KF-96、KF-965、KF-54、KF-410、KF-412、KF-4701、KM-244F、KS-61、KS-702、KS-725、KS-707、KS-700、KS-7201、KS-7200、SEPA-COAT、東麗道康寧股份有限公司製造的SM 7036 EX、SM 7060 EX、IE-7045、IE-7046T、BY 22-736 EX、BY 22-749 SR、SM 7001EX、SM 7002EX、SM 490EX、BY 22-744EX、SM 8706EX、SH 7024、SH 200、SH 203、230 FLUID、SF 8416、SH 550、PRX 308、SH 7020、SR 2472、邁圖高新材料日本合同公司製造的TSF451系列、TSF4600、TSF4420、TSM620、TSM621、YSR3022、TSM6281、YSR6209、YSR6209B、TSM630、TSM630NF、TSM631、TSM632、TSM637、YMR7212、TSM6341、TSM6343、TSM647、TSM6344、TSM6345、TSM6362、TSM6363、TSM650、YG6144等。
＜＜＜具有矽原子與氟原子的化合物＞＞＞ 具有矽原子與氟原子的化合物較佳的是矽烷偶合劑。而且，具有矽原子與氟原子的化合物的氟原子的含有率較佳的是20%～80%，更佳的是24%～80%。此處，氟原子的含有率是藉由島津製作所股份有限公司製造的ICP發射光譜分析裝置（型號：ICPS-8100）而對各化合物進行測定。
矽烷偶合劑可列舉包含具有至少一個氟原子的基、與至少一個矽烷基的化合物。 較佳的是具有在一分子中含有兩個以上氟原子的一般被稱為全氟烷基或全氟醚基的基作為具有至少一個氟原子的基的化合物。具有氟原子的基亦可具有取代基。取代基可自反應性或熱穩定性的觀點而任意地選擇，例如可列舉氯原子、溴原子及碘原子等鹵素原子；甲氧基、乙氧基及第三丁氧基等烷氧基；苯氧基及對甲苯氧基等芳氧基；甲氧基羰基、丁氧基羰基及苯氧基羰基等烷氧基羰基；乙醯氧基、丙醯氧基及苯甲醯氧基等醯氧基；乙醯基、苯甲醯基、異丁醯基、丙烯醯基、甲基丙烯醯基及甲氧草醯基等醯基；甲基硫基（sulfanyl）及第三丁基硫基等烷基硫基；苯基硫基及對甲苯基硫基等芳基硫基；甲基、乙基、第三丁基及十二烷基等烷基；環戊基、環己基、環庚基、金剛烷基等環烷基；苯基、對甲苯基、二甲苯基、異丙苯基、萘基、蒽基及菲基等芳基；羥基；羧基；甲醯基；磺醯基（sulfonyl）；氰基；烷基胺基羰基；芳基胺基羰基；磺醯胺基；矽烷基；胺基；單烷基胺基；二烷基胺基；芳基胺基；及二芳基胺基硫酮基；或該些的組合。 矽烷基較佳的是具有矽烷醇基或水解性矽烷基。所謂「水解性矽烷基」是具有水解性的矽烷基，水解性基可列舉烷氧基、巰基、鹵素原子、醯胺基、乙醯氧基、胺基、異丙烯氧基等。矽烷基水解而成為矽烷醇基，矽烷醇基脫水縮合而生成矽氧烷鍵。此種水解性矽烷基或矽烷醇基較佳的是下述式（B-1）所表示者。
[化12]
式（B-1）中，Rh1 ～Rh3 的至少任一個表示選自由烷氧基、巰基、鹵素原子、醯胺基、乙醯氧基、胺基、及異丙烯氧基所構成的群組的水解性基、或羥基。剩餘的Rh1 ～Rh3 分別獨立地表示氫原子、鹵素原子、或一價的有機取代基（例如可列舉烷基、芳基、烯基、炔基、芳烷基）。 式（B-1）中，與矽原子鍵結的水解性基特佳的是烷氧基、鹵素原子，更佳的是烷氧基。 自剝離性的觀點考慮，烷氧基較佳的是碳數1～30的烷氧基。更佳的是碳數1～15的烷氧基、進一步更佳的是碳數1～5的烷氧基、特佳的是碳數1～3的烷氧基、最佳的是甲氧基或乙氧基。 鹵素原子可列舉F原子、Cl原子、Br原子、I原子，自合成的容易性及穩定性的觀點考慮，較佳的是Cl原子及Br原子，更佳的是Cl原子。
具有水解性矽烷基及矽烷醇基的至少一種的化合物較佳的是具有一個以上所述式（B-1）所表示的基的化合物，亦可使用具有兩個以上所述式（B-1）所表示的基的化合物。
水解性基可以1個～4個的範圍而鍵結於1個矽原子上，式（B-1）中的水解性基的總個數較佳的是2或3的範圍。特佳的是3個水解性基鍵結於矽原子上。在2個以上水解性基鍵結於矽原子上時，該些可相互相同，亦可不同。 較佳的烷氧基具體而言例如可列舉甲氧基、乙氧基、丙氧基、異丙氧基、丁氧基、第三丁氧基、苯氧基、苄氧基等。該些各烷氧基可多個組合使用，亦可將多個不同的烷氧基組合而使用。 鍵結有烷氧基的烷氧基矽烷基例如可列舉三甲氧基矽烷基、三乙氧基矽烷基、三異丙氧基矽烷基、三苯氧基矽烷基等三烷氧基矽烷基；二甲氧基甲基矽烷基、二乙氧基甲基矽烷基等二烷氧基單烷基矽烷基；甲氧基二甲基矽烷基、乙氧基二甲基矽烷基等單烷氧基二烷基矽烷基。
具有矽原子與氟原子的化合物可列舉信越化學工業股份有限公司製造的KBM-7103、大金工業股份有限公司製造的奧普次（OPTOOL）DSX、三菱綜合材料電子化成股份有限公司製造的艾福拓（Eftop）、全氟癸基三甲氧基矽烷、全氟癸基三乙氧基矽烷、三氟丙基三甲氧基矽烷、三氟丙基三乙氧基矽烷、全氟辛基三甲氧基矽烷、全氟辛基三乙氧基矽烷、全氟十二烷基三甲氧基矽烷、全氟十二烷基三乙氧基矽烷、全氟戊基三乙氧基矽烷、全氟戊基三甲氧基矽烷等，可較佳地使用該些化合物。
＜＜＜其他成分＞＞＞ 脫模層除了脫模劑以外，亦可進一步在不損及本發明的效果的範圍內，視需要含有各種化合物。例如可較佳地使用熱聚合起始劑、增感色素、鏈轉移劑、抗氧化劑。該些可使用在所述熱塑性樹脂膜中所說明者。
＜暫時接著用積層體的製造方法＞ 其次，關於本發明的暫時接著用積層體的製造方法而加以說明。 本發明的暫時接著用積層體的製造方法包含在所述熱塑性樹脂膜的表面形成所述含有脫模劑的層（脫模層）的步驟。
＜＜熱塑性樹脂膜的製造方法＞＞ 熱塑性樹脂膜可藉由現有公知的方法而製造。例如可藉由熔融製膜法、溶液製膜法等而製造。較佳的是熔融製膜法。若為熔融製膜法，則可一面維持平坦性一面厚膜化。另外，亦可使用難以溶解於溶劑中的聚合物成分或其他添加劑，材料選擇的自由度高。特別是可使用存在難以溶解於溶劑中的傾向的高耐熱性添加劑，容易獲得耐熱性優異的熱塑性樹脂膜。
熔融製膜法是藉由對原料組成物進行過熱使其熔融而實現流動性，使用擠出成型裝置或射出成型裝置將該熔融液製成片材狀，進行冷卻而獲得膜（片材）的方法。藉由擠出成型法可獲得平坦性良好的長條膜。長條膜的長度並無特別限定，下限例如較佳的是1 m以上，更佳的是2 m以上。雖然藉由射出成型法難以獲得長條膜，但獲得高的膜厚精度。亦可藉由混合熔融攪拌而添加其他添加劑。亦可在膜的單面或兩個面貼合脫模膜，製成「帶有脫模膜的熱塑性樹脂膜」。
溶液製膜法是藉由溶劑溶解原料組成物而實現流動性，將該溶液塗敷於膜或鼓或帶等支撐體上而製成片材狀，進行乾燥而獲得膜（片材）的方法。 至於溶劑，溶劑可並無限制地使用公知的溶劑，較佳的是有機溶劑。 有機溶劑可適宜地列舉：乙酸乙酯、乙酸-正丁酯、乙酸異丁酯、甲酸戊酯、乙酸異戊酯、乙酸異丁酯、丙酸丁酯、丁酸異丙酯、丁酸乙酯、丁酸丁酯、乳酸甲酯、乳酸乙酯、氧基乙酸烷基酯（例如：氧基乙酸甲酯、氧基乙酸乙酯、氧基乙酸丁酯（例如甲氧基乙酸甲酯、甲氧基乙酸乙酯、甲氧基乙酸丁酯、乙氧基乙酸甲酯、乙氧基乙酸乙酯等））、3-氧基丙酸烷基酯類（例如：3-氧基丙酸甲酯、3-氧基丙酸乙酯等（例如3-甲氧基丙酸甲酯、3-甲氧基丙酸乙酯、3-乙氧基丙酸甲酯、3-乙氧基丙酸乙酯等））、2-氧基丙酸烷基酯類（例如：2-氧基丙酸甲酯、2-氧基丙酸乙酯、2-氧基丙酸丙酯等（例如2-甲氧基丙酸甲酯、2-甲氧基丙酸乙酯、2-甲氧基丙酸丙酯、2-乙氧基丙酸甲酯、2-乙氧基丙酸乙酯））、2-氧基-2-甲基丙酸甲酯及2-氧基-2-甲基丙酸乙酯（例如2-甲氧基-2-甲基丙酸甲酯、2-乙氧基-2-甲基丙酸乙酯等）、丙酮酸甲酯、丙酮酸乙酯、丙酮酸丙酯、乙醯乙酸甲酯、乙醯乙酸乙酯、2-側氧基丁酸甲酯、2-側氧基丁酸乙酯、乙酸-1-甲氧基-2-丙酯等酯類； 二乙二醇二甲醚、四氫呋喃、乙二醇單甲醚、乙二醇單乙醚、甲基溶纖劑乙酸酯、乙基溶纖劑乙酸酯、二乙二醇單甲醚、二乙二醇單乙醚、二乙二醇單丁醚、丙二醇單甲醚、丙二醇單甲醚乙酸酯、丙二醇單乙醚乙酸酯、丙二醇單丙醚乙酸酯等醚類； 甲基乙基酮、環己酮、2-庚酮、3-庚酮、N-甲基-2-吡咯啶酮（NMP）、N-乙基-2-吡咯啶酮（NEP）、γ-丁內酯等酮類； 二氯甲烷、氯仿、1,2-二氯乙烷、1,2-二溴乙烷、氯苯等鹵素類； 甲苯、二甲苯、苯甲醚、均三甲苯等芳香族烴類； 檸檬烯、對薄荷烷等烴類等。 自塗佈面狀的改良等觀點考慮，該些溶劑亦較佳的是混合兩種以上的形態。在這種情況下，特佳的是包含選自均三甲苯、對薄荷烷、γ-丁內酯、苯甲醚、3-乙氧基丙酸甲酯、3-乙氧基丙酸乙酯、乙基溶纖劑乙酸酯、乳酸乙酯、二乙二醇二甲醚、乙酸丁酯、3-甲氧基丙酸甲酯、2-庚酮、環己酮、乙基卡必醇乙酸酯、丁基卡必醇乙酸酯、丙二醇甲醚、及丙二醇甲醚乙酸酯的兩種以上的混合溶液。 溶液的塗敷方法可列舉：藉由壓力自狹縫狀的開口擠出溶液而進行塗敷的方法、藉由凹版或網紋輥轉印溶液而進行塗敷的方法、一面自噴霧器或分配器而噴出溶液一面進行掃描塗敷的方法、使溶液滯留於貯槽中而於其中通過膜或鼓或帶而進行浸漬塗敷的方法、一面藉由線棒壓流溶液一面進行描繪而進行塗敷的方法等。 在支撐體上塗敷溶液之後，進行乾燥而成為固體化的片材，然後將片材自支撐體機械性地剝離，藉此可獲得單體的膜（片材）。作為為了容易剝離而預先對支撐體上賦予脫模性的處理，可進行脫模層的塗佈、浸漬處理、氣體處理、電磁波照射處理、電漿照射處理等。或者還可並不將膜自支撐體剝離而殘存，於膜支撐體上接著有片材的狀態下製成「帶有脫模膜的熱塑性樹脂膜」。藉由連續地進行該些處理，可獲得輥狀的長條膜。而且，亦可於膜的兩個面貼合脫模膜，製成「兩個面帶有脫模膜的熱塑性樹脂膜」。
＜＜脫模層的形成方法＞＞
在熱塑性樹脂膜的表面形成脫模層的方法可列舉層壓法、塗敷法、共擠出法。
層壓法是在脫模膜上塗敷至少含有所述脫模劑的組成物，形成膜狀的脫模層（脫模層膜），使熱塑性樹脂膜的無脫模膜的面、與脫模層膜的無脫模膜的面接觸而進行層壓的方法。 層壓可使用輥層壓（亦可進行加熱、加壓）、真空層壓（亦可進行加熱）等公知的裝置。藉由在熱塑性樹脂膜的兩個面層壓脫模層膜，可在熱塑性樹脂膜的兩個面設置脫模層。
塗敷法是在熱塑性樹脂膜的無脫模膜的面塗佈脫模層形成用溶液後，進行乾燥而形成的方法。脫模層形成用組成物較佳的是使用含有所述脫模劑與溶劑的溶液。溶劑若為可溶解脫模劑者，則可較佳地使用任意者。在脫模劑含有具有矽原子與氟原子的化合物的情況下，具有氟原子的溶劑的溶解性高，因此較佳。例子可列舉弗洛利奈特（Fluorinert）FC-40（住友3M股份有限公司製造）。 在藉由溶液製膜法而製作熱塑性樹脂膜的情況下，亦可在線（in-line）地塗佈膜形成用溶液，進行乾燥後，並不捲取地塗佈脫模層形成用溶液，進行乾燥。而且，在以膜形成用溶液與脫模層形成用溶液並無相溶性地設計溶液的物性的情況下，亦可同時塗佈、同時乾燥。 而且，亦可在塗佈膜形成用溶液後，並不進行乾燥地塗佈脫模層形成用溶液，對兩者同時進行乾燥。 而且，在設計為膜形成用溶液與脫模層形成用溶液暫時相溶，但若進行乾燥而濃度變高，則產生相分離的物性的情況下，亦可塗佈混合溶液，在乾燥中分離為熱塑性樹脂膜與脫模層。 而且，藉由在熱塑性樹脂膜的兩個面塗敷脫模層形成用溶液，可在熱塑性樹脂膜的兩個面設置脫模層。
共擠出法是將膜形成用材料、脫模層形成用材料分別熱熔融，一面同時進行擠出成型一面進行一體化，由此獲得熱塑性樹脂膜與脫模層成為一體的片材的方法。藉由在膜形成用材料的兩個面擠出脫模層形成用材料，可在熱塑性樹脂膜的兩個面設置脫模層。
本發明的暫時接著用積層體較佳的是溶劑含有率為1質量%以下，更佳的是0.1質量%以下，特佳的是並不含有。
本發明的暫時接著用積層體亦可在暫時接著用積層體的單面或兩個面貼合脫模膜而製成「帶有脫模膜的暫時接著用積層體」，藉由該態樣，可在將長條狀的暫時接著用積層體捲取為卷狀時，防止暫時接著用積層體的表面擦傷、或在保管中黏牢的困擾。 脫模膜可在使用時剝離除去。例如在兩個面貼合脫模膜的情況下，剝下單面的脫模膜，將接著面層壓於元件晶圓或支撐體等上之後，將殘存的脫模膜剝下，藉此可儘可能地保持片材面的潔淨。
＜接著性支撐體＞ 其次，關於使用本發明的暫時接著用積層體的接著性支撐體而加以說明。 接著性支撐體在支撐體的表面包含所述暫時接著用積層體。 暫時接著用積層體可在支撐體上層壓所述本發明的暫時接著用積層體而形成。例如可列舉將暫時接著用積層體安放在真空層壓機上，藉由本裝置而使暫時接著用積層體位於支撐體上，在真空下使暫時接著用積層體與支撐體接觸，藉由輥等進行壓接而將暫時接著用積層體固定（積層）於支撐體上的方法等。而且，固定在支撐體上的暫時接著用積層體例如可切為圓形狀等所期望的形狀。
在接著性支撐體中，暫時接著用積層體可為僅僅在熱塑性樹脂膜的單面形成脫模層而成者，亦可為在兩個面形成脫模層而成者。較佳的是僅僅在熱塑性樹脂膜的單面形成脫模層。另外，於僅僅在熱塑性樹脂膜的單面形成脫模層的情況下，在與支撐體的相反側的面形成脫模層。而且，較佳的是熱塑性樹脂膜的其中一個面與支撐體的表面相接。
於接著性支撐體中，支撐體（亦稱為「載體支撐體」）並無特別限定，例如可列舉矽基板、玻璃基板、金屬基板、化合物半導體基板等。其中，若鑒於難以污染作為半導體裝置的基板而代表性使用的矽基板的方面、或可使用在半導體裝置的製造步驟中所通用的靜電吸盤的方面等，則較佳的是矽基板。 支撐體的厚度並無特別限定，例如較佳的是300 μm～100 mm，更佳的是350 μm～10 mm。 在支撐體的表面亦可設置脫模層。亦即，支撐體亦可為帶有脫模層的支撐體。 脫模層較佳的是含有氟原子及/或矽原子的低表面能層，較佳的是包含含有氟原子及/或矽原子的材料。脫模層的氟含有率較佳的是30質量%～80質量%，更佳的是40質量%～76質量%，特佳的是60質量%～75質量%。 脫模層的材料可使用與所述暫時接著用積層體的脫模層中所說明的材料相同的材料。
＜帶有元件晶圓的積層體＞ 其次，關於本發明的帶有元件晶圓的積層體而加以說明。 本發明的帶有元件晶圓的積層體在元件晶圓與支撐體之間包含所述本發明的暫時接著用積層體，暫時接著用積層體的脫模層側的面與元件晶圓的元件面相接，另一個面與支撐體的表面相接。
元件晶圓可並無限制地使用公知者，例如可列舉矽基板、化合物半導體基板等。化合物半導體基板的具體例可列舉SiC基板、SiGe基板、ZnS基板、ZnSe基板、GaAs基板、InP基板、GaN基板等。 在元件晶圓的表面亦可形成有機械結構或電路。形成有機械結構或電路的元件晶圓例如可列舉微機電系統（Micro Electro Mechanical Systems，MEMS）、功率元件、影像感測器、微型感測器、LED、光學元件、內插器、埋設型元件、微型元件等。 元件晶圓較佳的是具有金屬凸塊、墊、孔等結構。本發明的暫時接著劑膜即使對於在表面具有結構的元件晶圓，亦可穩定地暫時接著，且可容易地剝離元件晶圓。結構的高度並無特別限定，例如較佳的是1 μm～100 μm。結構物亦可埋設至元件晶圓內部而形成。 實施機械或化學處理之前的元件晶圓的膜厚較佳的是500 μm以上，更佳的是600 μm以上，進一步更佳的是700 μm以上。上限例如較佳的是1000 μm以下，更佳的是900 μm以下。 實施機械或化學處理而進行薄膜化後的元件晶圓的膜厚例如較佳的是不足500 μm，更佳的是400 μm以下，進一步更佳的是300 μm以下。下限例如較佳的是5 μm以上，更佳的是10 μm以上。
本發明的帶有元件晶圓的積層體中，支撐體（載體支撐體）與所述接著性支撐體中所說明的支撐體同義，較佳的範圍亦相同。
本發明的帶有元件晶圓的積層體可藉由將所述接著性支撐體的形成有暫時接著用積層體之側的面、與元件晶圓加熱壓接而製造。加壓接著條件例如較佳的是溫度為100℃～400℃、壓力為0.01 MPa～1 MPa、時間為1分鐘～15分鐘。 而且，亦可於支撐體與元件晶圓之間配置所述本發明的暫時接著用積層體，進行加熱壓接而製造。
＜半導體裝置的製造方法＞ 以下，關於經過製造帶有元件晶圓的積層體的步驟的半導體裝置的製造方法的一實施形態，一併參照圖1而加以說明。另外，本發明並不限定於以下的實施形態。 圖1的（A）～圖1的（F）分別是說明支撐體與元件晶圓的暫時接著的示意剖面圖（圖1的（A）～圖1的（D））、暫時接著於支撐體上的元件晶圓薄型化的狀態（圖1的（E））、表示支撐體與元件晶圓剝離的狀態（圖1的（F））的示意剖面圖。
在該實施形態中，如圖1的（A）～圖1的（B）所示那樣，將在熱塑性樹脂膜111的表面積層脫模層110而成的暫時接著用積層體11層壓於支撐體12的表面，製作在最表面配置有脫模層110的接著性支撐體100。接著性支撐體100可藉由所述方法而製造。 該實施形態的接著性支撐體100的支撐體12的單面的整個面被暫時接著用積層體11所包覆。此種接著性支撐體在欲使薄化元件晶圓的總厚度變異（Total Thickness Variation，TTV）進一步降低的情況（亦即，欲使薄型元件晶圓的平坦性進一步提高的情況）下有效。 亦即，在對藉由暫時接著用積層體而暫時接著的元件晶圓進行薄化的情況下，首先元件晶圓表面的結構物由暫時接著劑膜而進行保護，因此在薄化時源自結構物的凹凸形狀基本消失。其結果，可使最終所得的薄型元件晶圓的TTV進一步降低。
如圖1的（C）所示，元件晶圓60在矽基板61的表面（元件面）61a設有多個元件晶片62。 矽基板61的厚度例如較佳的是200 μm～1200 μm。元件晶片62例如較佳的是金屬結構物，高度較佳的是10 μm～100 μm。 其次，如圖1的（C）～圖1的（D）所示，使接著性支撐體100與元件晶圓60的元件面61a壓接，使支撐體12與元件晶圓60暫時接著。
其次，對矽基板61的背面61b，實施機械或化學處理（並無特別限定，例如滑動或化學機械研磨（Chemical Mechanical Polishing，CMP）等薄膜化處理，化學氣相沈積（Chemical Vapor Deposition，CVD）或物理氣相沈積（Physical Vapor Deposition，PVD）等在高溫、真空下的處理，使用有機溶劑、酸性處理液或鹼性處理液等藥品的處理，鍍敷處理，照射光化射線，加熱、冷卻處理等），如圖1的（E）所示那樣，使矽基板61的厚度變薄（例如平均厚度較佳為不足500 μm，更佳為1 μm～200 μm，進一步更佳為1 μm～100 μm），獲得薄型元件晶圓60a。 而且，作為機械或化學處理，亦可進行如下的處理：於薄膜化處理之後，形成自薄型元件晶圓60a的背面61b1貫通矽基板的貫通孔（未圖示），於該貫通孔內形成矽貫通電極（未圖示）的處理。加熱處理中的最高到達溫度例如較佳的是130℃～450℃，更佳的是180℃～400℃。加熱處理例如較佳的是在最高到達溫度下進行30秒～5小時的加熱，更佳的是在最高到達溫度下進行1分鐘～3小時的加熱。
其次，如圖1的（F）所示那樣，使支撐體12自薄型元件晶圓60a脫離。脫離的方法並無特別限定，較佳的是並不進行任何處理地自薄型元件晶圓60a的端部向相對於薄型元件晶圓60a而垂直的方向提拉而剝離。亦即，較佳的是機械剝離。 剝離界面可為元件面61a與脫模層110的界面，亦可為脫模層110與熱塑性樹脂膜111的界面，亦可為脫模層110的內部。亦即，於元件面61a1上亦可附著有脫模層110的剝離殘渣。若將暫時接著用積層體11與薄型元件晶圓的剝離強度設為A，將熱塑性樹脂膜111與脫模層110的剝離強度設為B，則較佳的是滿足以下的式。   A＜B····式（1）   另外，剝離強度是使用怡馬達（IMADA）股份有限公司製造的數位測力計，測定5次自薄型元件晶圓60a的端部向相對於元件晶圓而垂直的方向提拉而剝離時的值，使用其平均值。
而且，亦可使暫時接著用積層體11與剝離液接觸，其後視需要使薄型元件晶圓60a相對於支撐體12而滑動後，自薄型元件晶圓60a的端部向相對於元件晶圓而垂直的方向提拉而剝離。剝離液例如可使用日本專利特開2014-80570號公報的段落編號0203～段落編號0212中所記載的剝離液等。另外，本發明並不必須需要利用剝離液等的處理。可僅僅藉由機械剝離，並不產生剝離殘渣等地自薄型元件晶圓60a的元件面61a，將支撐體12與熱塑性樹脂膜111一併同時除去。
亦可於自薄型元件晶圓60a剝離支撐體後，使其與後述的清洗液接觸，對元件面61a進行清洗。視需要對薄型元件晶圓60a實施各種公知的處理，製造包含薄型元件晶圓60a的半導體裝置。
＜清洗液＞ 以下，關於清洗液而加以詳細說明。 清洗液較佳的是溶解熱塑性樹脂及脫模劑的有機溶劑。有機溶劑例如可列舉脂肪族烴類（己烷、庚烷、埃索化學股份有限公司製造的埃索帕（Isopar）E、埃索帕（Isopar）H、埃索帕（Isopar）G等）、芳香族烴類（甲苯、二甲苯等）、鹵化烴（二氯甲烷、1,2-二氯乙烷、三氯乙烯、單氯苯等）、極性溶劑。極性溶劑可列舉醇類（甲醇、乙醇、丙醇、異丙醇、1-丁醇、1-戊醇、1-己醇、1-庚醇、1-辛醇、2-辛醇、2-乙基-1-己醇、1-壬醇、1-癸醇、苄醇、乙二醇單甲醚、2-乙氧基乙醇、二乙二醇單乙醚、二乙二醇單己醚、三乙二醇單甲醚、丙二醇單乙醚、丙二醇單甲醚、聚乙二醇單甲醚、聚丙二醇、四乙二醇、乙二醇單丁醚、乙二醇單苄醚、乙二醇單苯醚、丙二醇單苯醚、甲基苯基甲醇、正戊醇、甲基戊醇等）、酮類（丙酮、甲基乙基酮、乙基丁基酮、甲基異丁基酮、環己酮等）、酯類（乙酸乙酯、乙酸丙酯、乙酸丁酯、乙酸戊酯、乙酸苄酯、乳酸甲酯、乳酸丁酯、乙二醇單丁基乙酸酯、丙二醇單甲醚乙酸酯、二乙二醇乙酸酯、鄰苯二甲酸二乙酯、乙醯丙酸丁酯等）、其他（磷酸三乙酯、磷酸三甲苯酯、N-苯基乙醇胺、N-苯基二乙醇胺、N-甲基二乙醇胺、N-乙基二乙醇胺、4-(2-羥基乙基)嗎啉、N,N-二甲基乙醯胺、N-甲基吡咯啶酮等）等。
而且，藉由將支撐體12上的熱塑性樹脂膜111除去，可使支撐體12再生。將熱塑性樹脂膜111除去的方法可列舉：在膜狀的狀態下，藉由刷子、超音波、冰粒子、吹附氣溶膠而物理性除去的方法；使其溶解於水溶液或有機溶劑中而溶解除去的方法；藉由照射光化射線、放射線、熱而使其分解、氣化的方法等化學性除去的方法，可根據支撐體而利用現有已知的清洗方法。 例如，在使用矽基板作為支撐體的情況下，可採用現有已知的矽晶圓的清洗方法，例如可在化學性除去的情況使用的水溶液或有機溶劑可列舉強酸、強鹼、強氧化劑、或該些的混合物，具體而言可列舉硫酸、鹽酸、氫氟酸、硝酸、有機酸等酸類，四甲基銨、氨、有機鹼等鹼類，過氧化氫等氧化劑，或氨與過氧化氫的混合物、鹽酸與過氧化氫水的混合物、硫酸與過氧化氫水的混合物、氫氟酸與過氧化氫水的混合物、氫氟酸與氟化銨的混合物等。
自使用再生的支撐體的情況的剝離性的觀點考慮，較佳的是使用支撐體清洗液。 支撐體清洗液較佳的是含有pKa不足0的酸與過氧化氫。pKa不足0的酸選自碘化氫、過氯酸、溴化氫、氯化氫、硝酸、硫酸等無機酸，或烷基磺酸、芳基磺酸等有機酸。自支撐體上的接著劑層的清洗性的觀點考慮，較佳的是無機酸，最佳的是硫酸。 過氧化氫可較佳地使用30 w/v%過氧化氫水，所述強酸與30 w/v%過氧化氫水的混合比較佳的是0.1：1～100：1，更佳的是1：1～10：1，最佳的是3：1～5：1。
＜＜現有實施形態＞＞ 其次，關於現有的實施形態加以說明。 圖2是說明現有的解除接著性支撐體與元件晶圓的暫時接著狀態的示意剖面圖。 在現有的實施形態中，如圖2所示那樣，接著性支撐體使用在支撐體12上設置由現有的暫時接著劑而形成的接著層11b而成的接著性支撐體100a，除此以外與參照圖1而說明的順序同樣地將接著性支撐體100a與元件晶圓暫時接著，進行元件晶圓中的矽基板的薄膜化處理，其次與所述順序同樣地自接著性支撐體100a剝離薄型元件晶圓60a。
然而若利用現有的暫時接著劑，則藉由高的接著力而將元件晶圓暫時接著，難以並不對處理後的元件晶圓造成損傷地容易地解除支撐體與元件晶圓的暫時接著。例如，若為了使元件晶圓與支撐體的暫時接著充分而採用現有的暫時接著劑中的接著性高的暫時接著劑，則成為元件晶圓與支撐體的暫時接著過強的傾向。因此，為了解除該過強的暫時接著，例如如圖3所示那樣，在薄型元件晶圓60a的背面貼附膠帶（例如切割膠帶）70，在自接著性支撐體100a剝離薄型元件晶圓60a的情況下，自設有結構物63的元件晶片62剝離結構物63等，容易產生元件晶片62破損的不良情況。 另一方面，若使用現有的暫時接著劑中的接著性低的暫時接著劑，則雖然可容易地解除對元件晶圓的暫時接著，但畢竟元件晶圓與支撐體的暫時接著過弱，容易產生無法藉由支撐體確實地支撐元件晶圓的不良情況。
相對於此，本發明的暫時接著用積層體可表現出充分的接著性，且可容易地解除元件晶圓60與支撐體12的暫時接著。亦即，若利用本發明的暫時接著用積層體，可藉由高的接著力而將元件晶圓60暫時接著，且可並不對薄型元件晶圓60a造成損傷地容易地解除對於薄型元件晶圓60a的暫時接著。
本發明的半導體裝置的製造方法並不限定於所述實施形態，可進行適宜的變形、改良等。 而且，於所述實施形態中，元件晶圓可列舉矽基板，但並不限定於此，在半導體裝置的製造方法中可為可供至機械或化學處理的任意被處理構件。例如，可列舉化合物半導體基板，化合物半導體基板的具體例可列舉SiC基板、SiGe基板、ZnS基板、ZnSe基板、GaAs基板、InP基板、及GaN基板等。 而且，於所述實施形態中，對元件晶圓（矽基板）的機械或化學處理可列舉元件晶圓的薄膜化處理、及矽貫通電極的形成處理，但並不限定於該些，亦可列舉在半導體裝置的製造方法中所需的任意處理。 另外，於所述實施形態中所例示的元件晶圓中的元件晶片的形狀、尺寸、數目、配置位置等為任意，並無限定。 [實施例]
以下，藉由實施例對本發明加以更具體的說明，但本發明只要不超出其主旨，則並不限定於以下的實施例。另外，若無特別說明，則「份」、「%」為質量基準。
＜由熱塑性樹脂膜製作暫時接著用積層體的方法＞（實施例1、實施例3、實施例8～實施例12、比較例1～比較例4） 在下述記載的熱塑性樹脂膜上棒塗以下的脫模層形成用塗佈液，在120℃下進行1分鐘的烘箱乾燥，製作在熱塑性樹脂膜的單面包含脫模層的暫時接著用積層體。
[脫模層形成用塗佈液] ·表1中記載的脫模劑：表1中記載的質量份 ·表1中記載的溶劑：表1中記載的質量份
＜由熱塑性樹脂的溶液製作暫時接著用積層體的方法＞（實施例2、實施例4～實施例7） 將下述記載的膜製作用組成物以速度為1 m/min的速度藉由線棒而塗敷於厚度為75 μm的聚對苯二甲酸乙二酯膜（脫模膜）上，在140℃下進行10分鐘乾燥，由此而製作膜厚為100 μm的熱塑性樹脂膜。 其次，在熱塑性樹脂膜上棒塗以下的脫模層形成用塗佈液，在120℃下進行1分鐘的烘箱乾燥，製作在熱塑性樹脂膜的單面包含脫模層的暫時接著用積層體。
[膜製作用組成物] ·表1中記載的熱塑性樹脂：表1中所示的質量份 ·易璐瑙斯（Irganox）（註冊商標）1010（巴斯夫公司製造）：1質量份 ·蘇米萊澤（Sumilizer）（註冊商標）TP-D（住友化學股份有限公司製造）：1質量份 ·表1中記載的溶劑：表1中記載的質量份 [脫模層形成用塗佈液] ·表1中記載的脫模劑：表1中記載的質量份 ·表1中記載的溶劑：表1中記載的質量份
表1中記載的化合物如下所示。 ＜熱塑性樹脂＞ （a-1） 米德斐（Midfil）（熱塑性聚醯亞胺樹脂、1%重量減少溫度=520℃、熔點=388℃、Tg=320℃、倉敷紡績股份有限公司製造） （a-2） 慕拉森（Ultrason）E6020P（聚醚碸、1%重量減少溫度=510℃、熔點=225℃、Tg=225℃、巴斯夫公司製造） （a-3） 埃酷斯派酷（EXPEEK）（聚醚醚酮、1%重量減少溫度=480℃、熔點=343℃、Tg=320℃、倉敷紡績股份有限公司製造） （a-4） 賽普頓（Septon）S2104（聚苯乙烯系彈性體、1%重量減少溫度=370℃、熔點=170℃、Tg=120℃、可樂麗股份有限公司製造） （a-5） 諾利（NORYL）APS130 resin（改質聚苯醚、1%重量減少溫度=360℃、熔點=132℃、Tg=120℃、沙特基礎工業創新塑膠日本公司製造） （a-6） 賽普頓（Septon）S2002（聚苯乙烯系彈性體、1%重量減少溫度=310℃、熔點=150℃、Tg=100℃、可樂麗股份有限公司製造） （a-7） 迭尓林（Delrin）100P BK602（聚縮醛樹脂、1%重量減少溫度=280℃、熔點=178℃、Tg=-50℃、杜邦股份有限公司製造） ＜脫模劑＞ （b-1） 奧普次（OPTOOL）DSX（具有矽原子與氟原子的化合物（氟系矽烷偶合劑）、大金工業股份有限公司） （b-2） KS-700（具有矽氧烷鍵的化合物（矽酮樹脂）、燒印溫度=250℃、信越化學工業股份有限公司製造） （b-3） 三氟丙基三甲氧基矽烷（具有矽原子與氟原子的化合物、氟含有率=26%、東京化成工業股份有限公司製造） （b-4） KS-7201（具有矽氧烷鍵的化合物（矽酮樹脂）、燒印溫度=200℃、信越化學工業股份有限公司製造） （b-5） KS-7200（具有矽氧烷鍵的化合物（矽酮樹脂）、燒印溫度=230℃、信越化學工業股份有限公司製造） （b-6） 奧普次（OPTOOL）HD-1100（具有氟原子且不具有矽元素的化合物、大金工業股份有限公司製造） （b-7） 三甲氧基(3-(苯基胺基)丙基)矽烷（具有矽原子且不具有氟元素的化合物、東京化成工業股份有限公司製造） （b-8） SEPA-COAT（具有矽氧烷鍵的化合物（矽酮樹脂）、燒印溫度=150℃、信越化學工業股份有限公司製造） （b-9） 三氟丙基三乙氧基矽烷（具有矽原子與氟原子的化合物、氟含有率=22%、上海富路達橡塑材料科技有限公司（Shanghai Fuluda Rubber ＆ plastic Materials Technology Co., Ltd.）製造） 另外，熱塑性樹脂的1%重量減少溫度是藉由熱重量測定裝置（TGA），在氮氣流下，以20℃/min自25℃升溫而測定的值。
＜接著性支撐體的製作＞ 將利用所述方法所製作的暫時接著用積層體安放於真空層壓機上。其次，藉由本裝置而使暫時接著用積層體位於100 mm的Si晶圓上，在真空下使Si晶圓與暫時接著用積層體的脫模層的相反側的面（熱塑性樹脂膜側）接觸，藉由輥而將暫時接著用積層體與Si晶圓固定，製作接著性支撐體。
＜試片的製作＞ 將接著性支撐體的形成有暫時接著用積層體之側的面、與元件晶圓的元件面在真空下、Tg+50℃、0.11 MPa的壓力下進行3分鐘的壓接，製作試片。元件晶圓使用在100 mm的Si晶圓上以200 μm的間距而形成有直徑為80 μm、高度為40 μm的包含銅的凸塊的元件晶圓。
＜比較例3＞ 在元件晶圓的元件面塗佈含有0.5質量份奧普次（OPTOOL）DSX（大金工業股份有限公司製造）、99.5質量份弗洛利奈特（Fluorinert）FC-40（住友3M股份有限公司製造）的脫模層形成用組成物，進行乾燥而形成10 nm的脫模層。 其次，使用米德斐（Midfil）（倉敷紡績股份有限公司製造）作為熱塑性樹脂膜，將熱塑性樹脂膜與元件晶圓的元件面在真空下、370℃、0.11 MPa的壓力下進行3分鐘的壓接，製作試片。
＜比較例4＞ 在100 mm的Si晶圓上塗佈含有0.5質量份奧普次（OPTOOL）DSX（大金工業股份有限公司製造）、99.5質量份弗洛利奈特（Fluorinert）FC-40（住友3M股份有限公司製造）的脫模層形成用組成物，進行乾燥而形成10 nm的脫模層，由此而製作支撐體。 其次，使用米德斐（Midfil）（倉敷紡績股份有限公司製造）作為熱塑性樹脂膜，將熱塑性樹脂膜與支撐體的形成有脫模層之側的面在真空下、370℃、0.11 MPa的壓力下進行3分鐘的壓接，製作接著性支撐體。 其次，將接著性支撐體與元件晶圓的元件面在真空下、370℃、0.11 MPa的壓力下進行3分鐘的壓接，製作試片。
＜脫模層的水接觸角＞ 脫模層的水接觸角是在厚度為100 mm的Si晶圓上，在與形成各種試片的脫模層的成膜條件相同的條件下對形成有各種試片的脫模層的脫模層形成用組成物進行成膜，形成與各種試片的脫模層相同膜厚的脫模層而製作試件。 其次，對試件進行250℃、2小時的加熱後，冷卻至25℃，使用協和界面科學股份有限公司製造的接觸角計（型號：CA-D）而測定水接觸角。測定是在室溫25℃、濕度50%下，在各試件的脫模層表面滴加70 pL的水滴而測定5個部位的接觸角，將5點的平均值作為接觸角。
＜剝離性＞ ＜＜剝離強度的評價＞＞ 將試片與切割框一同安放於切割膠帶安裝機的中央，自上方放置切割膠帶。藉由輥（及真空）將試片與切割膠帶固定，於切割框上對切割膠帶進行切割，於切割膠帶上安裝試片。 於500 mm/min的條件下將試片向暫時接著用積層體的垂直方向拉伸，確認剝離性。而且，將所製作的試片在250℃下加熱30分鐘後，同樣地在250 mm/min的條件下向暫時接著用積層體的垂直方向拉伸，確認熱製程後的剝離性，藉由以下基準進行評價。另外，藉由目視確認Si晶圓有無破損。 A：最大剝離力不足6 N而剝離。 B：最大剝離力為6 N以上、不足12 N而剝離。 C：最大剝離力為12 N以上、不足20 N而剝離。 D：最大剝離力為20 N以上或Si晶圓破損，無法剝離。
＜＜元件面的評價＞＞ 藉由目視觀察Si晶圓剝離後的元件晶圓的元件面的外觀，藉由以下基準進行評價。 A：未發現熱塑性樹脂膜的殘存 B：發現少許脫模層的殘渣 C：發現脫模層、熱塑性樹脂膜的殘渣
＜耐熱性＞ 將試片於300℃或400℃、真空中進行加熱，使用超音波顯微鏡（日立電力解決方案股份有限公司（Hitachi Power Solutions Co.,Ltd.）、型號：凡薩特（FineSAT））而進行觀察，藉由以下基準進行評價。 A：於暫時接著用積層體未發現空隙 B：於暫時接著用積層體的數個位置發現直徑不足3 mm的空隙 C：於暫時接著用積層體發現直徑為3 mm以上的空隙、或於整個面發現空隙
根據所述結果，實施例1～實施例14的剝離性良好。 另一方面，比較例1～比較例4在元件面具有熱塑性樹脂的剝離殘渣，剝離性差。
11‧‧‧暫時接著用積層體
11b‧‧‧接著層
12‧‧‧支撐體
60‧‧‧元件晶圓
60a‧‧‧薄型元件晶圓
61‧‧‧矽基板
61a、61a1‧‧‧元件面
61b、61b1‧‧‧背面
62‧‧‧元件晶片
63‧‧‧結構物
70‧‧‧膠帶
100‧‧‧接著性支撐體
100a‧‧‧接著性支撐體
110‧‧‧脫模層
111‧‧‧熱塑性樹脂膜
圖1 是表示半導體裝置的製造方法的一實施形態的示意圖。圖2 是說明現有的接著性支撐體與元件晶圓的暫時接著狀態的解除的示意剖面圖。
11‧‧‧暫時接著用積層體
12‧‧‧支撐體
60‧‧‧元件晶圓
60a‧‧‧薄型元件晶圓
61‧‧‧矽基板
61a、61a1‧‧‧元件面
61b、61b1‧‧‧背面
62‧‧‧元件晶片
100‧‧‧接著性支撐體
110‧‧‧脫模層
111‧‧‧熱塑性樹脂膜

Claims (11)

  1. 一種暫時接著用積層體，其用以將元件晶圓的元件面與支撐體可剝離地暫時接著， 所述暫時接著用積層體包含熱塑性樹脂膜、含有脫模劑的層，所述脫模劑選自具有矽氧烷鍵的化合物及具有矽原子與氟原子的化合物；在所述熱塑性樹脂膜的元件側的表面，且是所述元件面對應的區域至少包含所述含有脫模劑的層； 所述暫時接著用積層體在將元件晶圓與支撐體暫時接著後，自所述元件晶圓的元件面剝離所述支撐體時，至少包含所述支撐體與所述熱塑性樹脂膜的積層體自所述元件剝離。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的暫時接著用積層體，其中，所述熱塑性樹脂膜含有玻璃轉移點為50℃～400℃的熱塑性樹脂。
  3. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的暫時接著用積層體，其中，所述熱塑性樹脂膜含有選自熱塑性聚醯亞胺、聚苯乙烯系彈性體、聚酯系彈性體、聚醯胺系彈性體、聚醚醚酮、聚苯醚、改質聚苯醚、聚醚碸、聚縮醛樹脂及環烯聚合物的至少一種熱塑性樹脂。
  4. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的暫時接著用積層體，其中，所述熱塑性樹脂膜的自25℃起、以20℃/min進行升溫的1%重量減少溫度為250℃以上。
  5. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的暫時接著用積層體，其中，所述含有脫模劑的層的厚度為0.001 nm～1000 nm。
  6. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的暫時接著用積層體，其中，所述含有脫模劑的層在250℃下加熱2小時後，冷卻至25℃的條件下所測定的水接觸角為30°以上。
  7. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的暫時接著用積層體，其中，所述脫模劑是具有矽原子與氟原子的矽烷偶合劑。
  8. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的暫時接著用積層體，其中，所述脫模劑是具有矽原子與氟原子的化合物，且氟原子的含有率為20%～80%。
  9. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的暫時接著用積層體，其中，所述脫模劑是可藉由150℃以上的加熱而燒印於所述熱塑性樹脂膜上的矽酮樹脂。
  10. 一種暫時接著用積層體的製造方法，其包含：於熱塑性樹脂膜表面形成含有脫模劑的層的步驟，所述脫模劑選自具有矽氧烷鍵的化合物及具有矽原子與氟原子的化合物。
  11. 一種帶有元件晶圓的積層體，其於元件晶圓與支撐體之間包含如申請專利範圍第1項至第9項中任一項所述的暫時接著用積層體，所述暫時接著用積層體的脫模層側之面與所述元件晶圓的元件面相接，另一個面與所述支撐體的表面相接。
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