WO2015152302A1 - ガスバリア性フィルムおよびその製造方法、並びにこれを用いた電子デバイスおよびその製造方法 - Google Patents

ガスバリア性フィルムおよびその製造方法、並びにこれを用いた電子デバイスおよびその製造方法 Download PDF

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WO2015152302A1
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barrier film
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礼子 小渕
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コニカミノルタ株式会社
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    • Y02P70/00Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Definitions

  • the present invention relates to a gas barrier film and a manufacturing method thereof, an electronic device using the same, and a manufacturing method thereof. More specifically, the present invention relates to a gas barrier film having a protective film and a manufacturing method thereof, and an electronic device using the gas barrier film from which the protective film has been peeled, and a manufacturing method thereof.
  • a gas barrier film that prevents permeation of water vapor, oxygen, and the like is being used in the field of electronic devices such as liquid crystal display elements (LCD), solar cells (PV), and organic electroluminescence (EL) elements.
  • a gas barrier film applicable to such an electronic device is continuously produced by, for example, a roll-to-roll method, a film formation surface at the time of winding (specifically, a film formed on the surface of a resin substrate)
  • a protective film is attached to the film-forming surface through an adhesive layer before winding with a winding roller, or a protective layer is provided.
  • the provision of the protective film has an advantage of helping to protect the surface of the gas barrier film from damage and easily installing the gas barrier film on an object to be applied. For this reason, examination of the manufacturing method of the gas barrier film which bonded the protective film is performed.
  • Patent Document 1 discloses a technique for preventing the gas barrier film from being bent by shrinking the laminate film due to a temperature drop after laminating film lamination by adjusting the temperature and tension at the time of laminating film lamination. Yes.
  • the surface of the gas barrier layer (inorganic film having gas barrier properties) immediately after being formed by irradiating active energy rays to the layer containing polysilazane is extremely clean, it is excessive when a protective film is bonded to the gas barrier layer.
  • the pressure-sensitive adhesive derived from the pressure-sensitive adhesive layer of the protective film remains on the gas barrier film after the protective film is peeled off.
  • the pressure-sensitive adhesive remaining on the gas barrier film causes corrosion of the element when an electronic device is formed on the film. Therefore, a process such as UV cleaning is required to remove the pressure-sensitive adhesive, thereby reducing production efficiency. Cause it. Further, if the gas barrier layer is formed and left for a long time without a protective film, excessive adhesion of the protective film can be avoided, but productivity is lowered.
  • an object of the present invention is to provide a gas barrier film that can simplify the process of removing the adhesive remaining after the protective film is removed.
  • the present inventor conducted intensive research to solve the above problems. As a result, it was found that the above problem can be solved by setting the element abundance ratio C / Si of the outermost layer portion of the gas barrier layer measured with the protective film peeled to a certain value or less, and the present invention has been completed. It was.
  • the present invention comprises a substrate, A gas barrier layer disposed on one side of the substrate; A protective film disposed on the gas barrier layer via an adhesive layer; A gas barrier film having The gas barrier layer is formed by irradiating an active energy ray on a coating film obtained by applying a coating liquid containing a polysilazane compound on the substrate and drying it, and then subjecting it to a modification treatment.
  • the gas barrier film is characterized in that an element abundance ratio C / Si of an outermost layer portion of the gas barrier layer measured in a state where the protective film is peeled is 1.5 or less.
  • a gas barrier film that can simplify the process of removing the adhesive remaining after the protective film is removed.
  • the present invention is a gas barrier film comprising a substrate, a gas barrier layer disposed on one surface of the substrate, and a protective film disposed on the gas barrier layer via an adhesive layer,
  • the gas barrier layer is formed by irradiating an active energy ray on a coating film obtained by applying a coating liquid containing a polysilazane compound on the substrate and drying it, and then subjecting it to a modification treatment.
  • the element abundance ratio C / Si of the outermost layer portion range from the surface to the depth of 2.8 nm in terms of SiO 2 of XPS) measured with the protective film peeled is 1.5 or less. This is a gas barrier film.
  • the gas barrier film of the present invention having such a configuration can simplify the process of removing the adhesive remaining after the protective film is removed.
  • a conventional protective film for a gas barrier film is effective in terms of preventing damage to the gas barrier layer, but since the amount of the adhesive remaining after peeling is large, the adhesive on the surface is required before the electronic device is provided on the gas barrier layer. A process such as UV cleaning is required. Since the time required for this treatment is proportional to the remaining amount of the pressure-sensitive adhesive, in the conventional method for producing a gas barrier film for electronic devices, it takes time to remove the remaining pressure-sensitive adhesive, and the productivity is lowered.
  • the “element content ratio C / Si of the outermost layer portion of the gas barrier layer measured with the protective film peeled” representing the residual amount of the adhesive is 1.5 or less. If it is, the removal process of the residual adhesive before use of a gas-barrier film may be completed for a short time, and the said process can be eliminated depending on the case. Therefore, the gas barrier film according to the present invention can simplify the process after removing the protective film (before use).
  • measurements such as operation and physical properties are performed under conditions of room temperature (20 to 25 ° C.) / Relative humidity 40 to 50%.
  • a gas barrier film 201 of the present invention includes a base material 55, a gas barrier layer 52 formed on the base material 55, and a protective film bonded to the gas barrier layer 52 via an adhesive layer 51. 50.
  • the gas barrier film 201 of the present invention comprises (a) a control layer 53 (for example, an organic layer, a hygroscopic layer, an antistatic layer, a smooth layer) between the base 55 and the gas barrier layer 52 formed on the base 55.
  • an intermediate layer 54 for example, an anchor coat layer, a smooth layer, or the like
  • another functional layer not shown: organic layer, moisture absorption layer, antistatic layer, etc.
  • a smooth layer, bleed-out layer a structure in which the above (a) to (c) are appropriately combined may be used.
  • a plastic film or a sheet is usually used as a substrate, and a film or sheet made of a colorless and transparent resin is preferably used.
  • the plastic film to be used is not particularly limited in material, thickness and the like as long as it can hold a silicon-containing film or the like, and can be appropriately selected according to the purpose of use.
  • Specific examples of the plastic film include polyester resin, methacrylic resin, methacrylic acid-maleic acid copolymer, polystyrene resin, transparent fluororesin, polyimide, fluorinated polyimide resin, polyamide resin, polyamideimide resin, and polyetherimide.
  • Resin cellulose acylate resin, polyurethane resin, polyether ether ketone resin, polycarbonate resin, alicyclic polyolefin resin, polyarylate resin, polyether sulfone resin, polysulfone resin, cycloolefin copolymer, fluorene ring modified polycarbonate resin, alicyclic modification
  • thermoplastic resins such as polycarbonate resin, fluorene ring-modified polyester resin, and acryloyl compound.
  • the substrate is preferably made of a heat-resistant material.
  • a resin base material having a predetermined linear expansion coefficient and a predetermined glass transition temperature (Tg) described in paragraph “0028” of JP-A-2015-24384 (also referred to as publicly known document 1) is provided in the same paragraph. It is preferably used from the description in “0028”.
  • thermoplastic resin that can be used as the substrate include those described in paragraphs “0029” to “0030” of publicly known document 1.
  • the base material is preferably transparent, but transparency is not necessarily required when it is not installed on the observation side.
  • the transparent material a material having a predetermined light transmittance obtained by the measurement method described in paragraph “0034” of publicly known document 1 is preferably used.
  • an opaque material what is illustrated to paragraph "0035" of well-known literature 1 etc. are mentioned.
  • the thickness of the base material used for the gas barrier film according to the present invention is not particularly limited because it is appropriately selected depending on the application, but is typically 1 to 800 ⁇ m, preferably 10 to 200 ⁇ m.
  • the base material may have functional layers such as a transparent conductive layer and a primer layer on the base material.
  • As the functional layer in addition to those described above, those described in paragraph numbers “0036” to “0038” of JP-A-2006-289627 can be preferably used.
  • the substrate preferably has a high surface smoothness.
  • the surface smoothness those having an average surface roughness (Ra) of 2 nm or less are preferable. Although there is no particular lower limit, it is practically 0.01 nm or more. If necessary, both surfaces of the substrate, at least the side on which the silicon-containing film is provided, may be polished to improve smoothness.
  • the base material using the above-described resins or the like may be an unstretched film or a stretched film.
  • various known treatments for improving adhesion such as corona discharge treatment, flame treatment, oxidation treatment, or plasma treatment, and lamination of a primer layer described later Etc. may be performed, and it is preferable to combine the above treatments as necessary.
  • the gas barrier layer irradiates a coating film obtained by applying and drying a coating liquid containing a polysilazane compound (hereinafter also simply referred to as “coating liquid”) on one surface of a substrate and irradiating active energy rays. It is formed by a modification treatment.
  • coating liquid a coating liquid containing a polysilazane compound
  • the coating solution contains a polysilazane compound.
  • Polysilazane compound is a polymer having a bond such as Si—N, Si—H, or N—H in its structure, such as SiO 2 , Si 3 N 4 , and their intermediate solid solution SiO x N y . Functions as an inorganic precursor.
  • the polysilazane compound is not particularly limited, but is preferably a compound that is converted to silica by being converted to silica at a relatively low temperature in consideration of the modification treatment described later, for example, in JP-A-8-112879. It is preferable that it is a compound which has the main skeleton which consists of a unit represented by the following general formula (1) of description.
  • R 1 , R 2 and R 3 represent a hydrogen atom, a substituted or unsubstituted alkyl group, aryl group, vinyl group or (trialkoxysilyl) alkyl group. At this time, R 1 , R 2 and R 3 may be the same or different.
  • examples of the alkyl group include linear, branched or cyclic alkyl groups having 1 to 8 carbon atoms.
  • the aryl group include aryl groups having 6 to 30 carbon atoms.
  • non-condensed hydrocarbon groups such as phenyl group, biphenyl group, terphenyl group; pentarenyl group, indenyl group, naphthyl group, azulenyl group, heptaenyl group, biphenylenyl group, fluorenyl group, acenaphthylenyl group, preadenenyl group , Condensed polycyclic hydrocarbon groups such as acenaphthenyl group, phenalenyl group, phenanthryl group, anthryl group, fluoranthenyl group, acephenanthrenyl group, aceantrirenyl group, triphenylenyl group, pyrenyl group, chrysenyl group, naphthacenyl group, etc.
  • non-condensed hydrocarbon groups such as phenyl group, biphenyl group, terphenyl group; pentarenyl group, indenyl group, nap
  • the (trialkoxysilyl) alkyl group includes an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms having a silyl group substituted with an alkoxy group having 1 to 8 carbon atoms. More specific examples include 3- (triethoxysilyl) propyl group and 3- (trimethoxysilyl) propyl group.
  • the substituent optionally present in R 1 to R 3 is not particularly limited, and examples thereof include an alkyl group, a halogen atom, a hydroxyl group (—OH), a mercapto group (—SH), a cyano group (—CN), There are a sulfo group (—SO 3 H), a carboxyl group (—COOH), a nitro group (—NO 2 ) and the like. Note that the optionally present substituent is not the same as R 1 to R 3 to be substituted. For example, when R 1 to R 3 are alkyl groups, they are not further substituted with an alkyl group.
  • R 1 , R 2 and R 3 are preferably a hydrogen atom, a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, a butyl group, an isobutyl group, a tert-butyl group, a phenyl group, a vinyl group, 3 -(Triethoxysilyl) propyl group or 3- (trimethoxysilylpropyl) group.
  • Perhydropolysilazane (PHPS) in which all of R 1 , R 2 and R 3 are hydrogen atoms is particularly preferred.
  • a gas barrier layer (gas barrier film) formed from such polysilazane exhibits high density.
  • Perhydropolysilazane is presumed to have a linear structure and a ring structure centered on 6- and 8-membered rings. Its molecular weight is about 600 to 2000 (polystyrene conversion) in terms of number average molecular weight (Mn), and can be a liquid or solid substance (depending on the molecular weight).
  • the perhydropolysilazane may be a commercially available product.
  • Examples of the commercially available product include AQUAMICA NN120, NN120-10, NN120-20, NN110, NAX120, NAX120-20, NAX110, NL120A, NL120-20, NL110A, NL150A, NP110, NP140 (all are made by AZ Electronic Materials Co., Ltd.) and the like.
  • the content of the polysilazane compound in the coating solution varies depending on the desired film thickness of the gas barrier layer, the pot life of the coating solution, etc., but is 0.2% by mass to 35% by mass with respect to the total amount of the coating solution. Is preferred.
  • the coating solution may further contain an amine catalyst, a metal, and a solvent.
  • Amine catalyst and metal An amine catalyst and a metal can promote the conversion of a polysilazane compound into a silicon oxide compound in the modification treatment described below.
  • the amine catalyst that can be used is not particularly limited, but N, N-dimethylethanolamine, N, N-diethylethanolamine, triethanolamine, triethylamine, 3-morpholinopropylamine, N, N, N ′, N ′ -Tetramethyl-1,3-diaminopropane, N, N, N ', N'-tetramethyl-1,6-diaminohexane.
  • the metal that can be used is not particularly limited, and examples thereof include platinum compounds such as platinum acetylacetonate, palladium compounds such as palladium propionate, and rhodium compounds such as rhodium acetylacetonate.
  • the amine catalyst and the metal are preferably contained in an amount of 0.05 to 10% by mass, more preferably 0.1 to 5% by mass, and further preferably 0.5 to 2% by mass with respect to the polysilazane compound. .
  • the addition amount of the amine catalyst or the metal is within the above range, it is preferable because excessive silanol formation, a decrease in film density, an increase in film defects, and the like due to rapid progress of the reaction can be prevented.
  • the solvent that can be contained in the coating solution is not particularly limited as long as it does not react with the polysilazane compound, and a known solvent can be used.
  • a known solvent can be used.
  • Specific examples include hydrocarbon solvents such as aliphatic hydrocarbons, alicyclic hydrocarbons, aromatic hydrocarbons, and halogenated hydrocarbons; ether solvents such as aliphatic ethers and alicyclic ethers. More specifically, examples of the hydrocarbon solvent include pentane, hexane, cyclohexane, toluene, xylene, solvesso, turben, methylene chloride, trichloroethane, and the like.
  • ether solvents examples include dibutyl ether, dioxane, and tetrahydrofuran. These solvents can be used alone or in admixture of two or more. These solvents can be appropriately selected according to the purpose in consideration of the solubility of the polysilazane compound and the evaporation rate of the solvent.
  • a coating film is obtained by apply
  • a coating method of the coating solution a known method can be adopted as appropriate.
  • coating methods include spin coating, roll coating, flow coating, ink jet, spray coating, printing, dip coating, casting film formation, bar coating, wireless bar coating, and gravure printing. Law.
  • the coating thickness can be appropriately set according to the purpose.
  • the coating thickness is preferably 10 to 1000 nm after drying, more preferably 20 to 600 nm, and still more preferably 40 to 400 nm. If the film thickness is 10 nm or more, sufficient barrier properties can be obtained, and if it is 1000 nm or less, stable coating properties can be obtained at the time of layer formation, and high light transmittance can be realized.
  • the coating film After applying the coating solution, the coating film is dried. By drying the coating film, the organic solvent contained in the coating film can be removed.
  • the drying temperature of the coating film varies depending on the substrate to be applied, but is preferably 20 to 200 ° C.
  • the drying temperature is preferably set to 150 ° C. or lower in consideration of deformation of the base material due to heat.
  • the modification treatment of the coating film (gas barrier layer formed by the coating method) in the present invention refers to a conversion reaction of a silicon compound to silicon oxide or silicon oxynitride, and specifically, the gas barrier film of the present invention. Is a process for forming an inorganic thin film (that is, a gas barrier layer) at a level that can contribute to the development of gas barrier properties as a whole.
  • the conversion reaction of the silicon compound to silicon oxide or silicon oxynitride can be applied by appropriately selecting a known method.
  • modification treatment include irradiation with active energy rays, and specifically include plasma treatment, ultraviolet irradiation treatment, or ion implantation treatment.
  • Vacuum ultraviolet irradiation treatment excimer irradiation treatment
  • the most preferable modification treatment method is a treatment by vacuum ultraviolet irradiation (excimer irradiation treatment).
  • the wavelength used is required to be 200 nm or less from the viewpoint of efficient modification, and light energy of 100 to 200 nm, which is larger than the interatomic bond strength in the polysilazane compound, may be used.
  • the following is a method for forming a silicon oxide film.
  • the modification of the polysilazane compound means that the polysilazane compound is converted into a silicon oxide compound and / or a silicon oxynitride compound.
  • the light source of vacuum ultraviolet light (also referred to as vacuum ultraviolet light) is not particularly limited, and a known light source can be used.
  • a low pressure mercury lamp, an excimer lamp, etc. are mentioned.
  • an excimer lamp, particularly a xenon (Xe) excimer lamp is preferable to use.
  • Such an excimer light (vacuum ultraviolet light) irradiation apparatus can use a commercially available lamp (for example, Ushio Electric Co., Ltd., M.D.Com Co., Ltd.).
  • the irradiation intensity of the vacuum ultraviolet light irradiation varies depending on the composition and concentration of the substrate used and the gas barrier layer, but is preferably 1 mW / cm 2 to 100 kW / cm 2 , and preferably 1 mW / cm 2 to 10 W / cm 2. It is more preferable that
  • the time of vacuum ultraviolet light irradiation varies depending on the composition and concentration of the base material and gas barrier layer used, but is preferably 0.1 second to 10 minutes, more preferably 0.5 seconds to 3 minutes. preferable.
  • Integrated light quantity of vacuum ultraviolet light is not particularly limited, preferably from 200 ⁇ 5000mJ / cm 2, and more preferably 500 ⁇ 3000mJ / cm 2. It is preferable that the accumulated amount of vacuum ultraviolet light is 200 mJ / cm 2 or more because high barrier properties can be obtained by sufficient modification. On the other hand, when the cumulative amount of vacuum ultraviolet light is 5000 mJ / cm 2 or less, it is preferable because a gas barrier layer having high smoothness can be formed without deformation of the substrate.
  • the irradiation temperature of the vacuum ultraviolet light varies depending on the substrate to be applied, and can be appropriately determined by those skilled in the art.
  • the irradiation temperature of the vacuum ultraviolet light is preferably 50 to 200 ° C, more preferably 80 to 150 ° C. It is preferable for the irradiation temperature to be within the above-mentioned range since deformation of the base material, deterioration of strength, etc. are unlikely to occur and the characteristics of the base material are not impaired.
  • the irradiation atmosphere of the vacuum ultraviolet light is not particularly limited, but it is preferably performed in an atmosphere containing oxygen from the viewpoint of generating active oxygen and ozone and efficiently modifying.
  • the oxygen concentration in the vacuum ultraviolet irradiation is preferably 10 to 10000 volume ppm (0.001 to 1 volume%), more preferably 50 to 5000 volume ppm. It is preferable that the oxygen concentration is 10 ppm by volume or more because the reforming efficiency is increased. On the other hand, when the oxygen concentration is 10,000 ppm by volume or less, the substitution time between the atmosphere and oxygen can be shortened, which is preferable.
  • the coating film which is the target of the active energy ray irradiation treatment is mixed with oxygen and a small amount of moisture at the time of application, and adsorbed oxygen and adsorbed water may also be present in the substrate and adjacent layers. If oxygen or the like is used, the oxygen source required for generation of active oxygen or ozone for performing the reforming process may be sufficient without newly introducing oxygen into the irradiation chamber.
  • the vacuum ultraviolet light of 172 nm like the Xe excimer lamp is absorbed by oxygen, the amount of vacuum ultraviolet light reaching the coating film may be decreased. Therefore, the oxygen concentration is set low when the vacuum ultraviolet light is irradiated. In addition, it is preferable that the vacuum ultraviolet light be able to efficiently reach the coating film.
  • the film thickness, density, and the like of the gas barrier layer obtained by the above-described modification treatment can be controlled by appropriately selecting application conditions, vacuum ultraviolet light irradiation conditions, and the like.
  • the film thickness and density of the gas barrier layer can be controlled by appropriately selecting the irradiation method of vacuum ultraviolet light from continuous irradiation, irradiation divided into a plurality of times, and so-called pulsed irradiation, etc. in which the plurality of times of irradiation is short. Can be done.
  • the thickness (application thickness) of the gas barrier layer can be appropriately set according to the purpose.
  • the thickness (coating thickness) of the gas barrier layer is preferably about 1 nm to 100 ⁇ m, more preferably about 10 nm to 10 ⁇ m, and more preferably 50 nm to 2 ⁇ m after drying. More preferably, the thickness is 20 nm to 1 ⁇ m. If the thickness of the gas barrier layer is 1 nm or more, sufficient barrier properties can be obtained, and if it is 100 ⁇ m or less, stable coating properties can be obtained when forming the gas barrier layer, and high light transmittance can be realized.
  • the gas barrier layer preferably has an appropriate surface smoothness.
  • the center line average roughness (Ra) of the gas barrier layer is preferably 50 nm or less, and more preferably 10 nm or less.
  • the lower limit of the center line average roughness (Ra) of such a gas barrier layer is not particularly limited, but is practically 0.01 nm or more and preferably 0.1 nm or more. If it is such a gas barrier layer having Ra, another gas barrier layer can also be formed on the gas barrier layer corresponding to the unevenness in the gas barrier layer. For this reason, another gas barrier layer can more efficiently coat defects such as cracks and dangling bonds generated in the gas barrier layer, thereby forming a dense surface.
  • the center line average roughness (Ra) of the gas barrier layer is measured by using an atomic force microscope (AFM), performing an automatic tilt correction process on the AFM topography image obtained by measuring the surface of the sample, It can be obtained by performing a three-dimensional roughness analysis.
  • AFM atomic force microscope
  • the degree of the reforming treatment can be confirmed by determining each atomic composition ratio of silicon (Si) atoms, nitrogen (N) atoms, oxygen (O) atoms, etc. by XPS analysis of the formed gas barrier layer.
  • XPS analysis is measured by the method described in Examples.
  • the gas barrier property of the gas barrier layer may be somewhat low. More specifically, the water vapor barrier property of the gas barrier layer is preferably 100 hours or more, more preferably 200 hours or more until the area where the metal calcium is corroded reaches 50% or more.
  • the “water vapor barrier property” can be measured by the method described in “Evaluation 2: Evaluation of water vapor barrier property” in Examples. However, in the method described in the examples, the measurement is performed every 20 hours. For example, the measurement is initially performed every 50 hours, and when the corroded area approaches 50%, the measurement interval is shortened to corrode. You may specify the time until the done area becomes 50% or more. As described above, the measurement time interval is not particularly limited, but may be appropriately devised so that the number of measurements is further reduced.
  • the gas barrier film may have a control layer / intermediate layer / protective layer / functional layer.
  • the control layer is usually disposed between the substrate and the gas barrier layer.
  • the “protective layer” is different from the “protective film”.
  • the control layer / intermediate layer / protective layer / functional layer may be a CVD layer (a layer formed by a chemical vapor deposition (CVD) method), and preferably the control layer is a CVD layer.
  • the CVD layer includes at least one oxide, nitride, oxynitride, or oxycarbide selected from the group consisting of silicon, aluminum, and titanium.
  • the at least one oxide, nitride, oxynitride, or oxycarbide selected from the group consisting of silicon, aluminum, and titanium include silicon oxide (SiO 2 ), silicon nitride, silicon oxynitride ( These composites include SiON), silicon oxycarbide (SiOC), silicon carbide, aluminum oxide, titanium oxide, and aluminum silicate. These may contain other elements as secondary components.
  • a CVD layer has a gas barrier property by having the said compound.
  • the permeated water amount measured by the following method is 0.1 g / (m 2 ⁇ 24 h) or less. And is more preferably 0.01 g / (m 2 ⁇ 24 h) or less.
  • the vacuum state is released, and the aluminum sealing side is quickly passed through a UV-curable resin (manufactured by Nagase ChemteX Corporation) to 0.2 mm thick quartz glass in a dry nitrogen gas atmosphere.
  • the cell for evaluation is manufactured by facing and irradiating with ultraviolet rays.
  • the obtained sample is stored under high temperature and high humidity of 85 ° C. and 85% RH, and the amount of moisture permeated into the cell is calculated from the corrosion amount of metallic calcium based on the method described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2005-283561. .
  • a sample obtained by vapor-depositing metallic calcium using a quartz glass plate having a thickness of 0.2 mm instead of a laminate sample as a comparative sample is similarly used.
  • the sample is stored at 85 ° C. and 85% RH under high temperature and high humidity, and it is confirmed that metal calcium corrosion does not occur even after 300 hours.
  • a silicon compound, a titanium compound, and an aluminum compound are used as a raw material compound used for forming the CVD layer.
  • a decomposition gas for decomposing a raw material gas containing metal to obtain an inorganic compound hydrogen gas, methane gas, acetylene gas, carbon monoxide gas, carbon dioxide gas, nitrogen gas, ammonia gas, nitrous oxide gas, Nitrogen oxide gas, nitrogen dioxide gas, oxygen gas, water vapor and the like can be mentioned.
  • the decomposition gas may be mixed with an inert gas such as argon gas or helium gas.
  • the source gas containing metal is a source compound used for forming the CVD layer.
  • FIG. 2 is a schematic view showing an example of a vacuum plasma CVD apparatus used for forming a CVD layer according to the present invention.
  • the vacuum plasma CVD apparatus 101 has a vacuum chamber 102, and a susceptor 105 is disposed on the bottom surface inside the vacuum chamber 102. Further, a cathode electrode 103 is disposed on the ceiling side inside the vacuum chamber 102 at a position facing the susceptor 105.
  • a heat medium circulation system 106, a vacuum exhaust system 107, a gas introduction system 108, and a high-frequency power source 109 are disposed outside the vacuum chamber 102.
  • a heat medium is disposed in the heat medium circulation system 106.
  • the heat medium circulation system 106 stores a pump for moving the heat medium, a heating device for heating the heat medium, a cooling device for cooling, a temperature sensor for measuring the temperature of the heat medium, and a set temperature of the heat medium.
  • a heating / cooling device 160 having a storage device is provided.
  • An apparatus that can be used when manufacturing a CVD layer by such a plasma CVD method is not particularly limited, and includes at least a pair of film formation rollers and a plasma power source, and the pair of film formations. It is preferable that the apparatus has a configuration capable of discharging between rollers. For example, when the manufacturing apparatus shown in FIG. 3 is used, the apparatus is manufactured by a roll-to-roll method using a plasma CVD method. It is also possible.
  • FIG. 3 is a schematic diagram showing an example of a manufacturing apparatus that can be suitably used for manufacturing a CVD layer.
  • the same or corresponding elements are denoted by the same reference numerals, and redundant description is omitted.
  • FIG. 3 includes a delivery roller 32, transport rollers 33, 34, 35, and 36, film formation rollers 39 and 40, a gas supply pipe 41, a plasma generation power source 42, and a film formation roller 39. And magnetic field generators 43 and 44 installed inside 40 and a winding roller 45.
  • a manufacturing apparatus at least the film forming rollers 39 and 40, the gas supply pipe 41, the plasma generating power source 42, and the magnetic field generating apparatuses 43 and 44 are arranged in a vacuum chamber (not shown). ing.
  • the vacuum chamber is connected to a vacuum pump (not shown), and the pressure in the vacuum chamber can be appropriately adjusted by the vacuum pump. Details relating to the apparatus can be referred to conventionally known documents, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2011-73430.
  • the CVD layer is formed by a plasma CVD method using a plasma CVD apparatus (roll-to-roll method) having a counter roll electrode shown in FIG.
  • a plasma CVD apparatus roll-to-roll method
  • This is excellent in flexibility (flexibility) and mechanical strength, especially when transported by roll-to-roll, when mass-produced using a plasma CVD apparatus (roll-to-roll method) having a counter roll electrode.
  • Such a manufacturing apparatus is also excellent in that it can inexpensively and easily mass-produce gas barrier films that are required for durability against temperature changes used in solar cells and electronic components.
  • An intermediate layer / protective layer / functional layer is separately provided between the above-described base material and the gas barrier layer or control layer formed on the base material or on the surface of any one of the above-mentioned layers as long as the effects of the present invention are not impaired. May be provided.
  • the surface opposite to the surface on which the gas barrier layer of the substrate is disposed substrate surface
  • an anchor coat layer, smooth Intermediate layers such as layers and bleed-out prevention layers can be formed.
  • the intermediate layer is preferably formed between the base material and the gas barrier layer.
  • an anchor coat layer On the base material of the gas barrier film according to the present invention, an anchor coat layer may be formed as an easy adhesion layer for the purpose of improving adhesiveness (adhesion).
  • the anchor coating agent used in this anchor coat layer include polyester resin, isocyanate resin, urethane resin, acrylic resin, ethylene vinyl alcohol resin, vinyl modified resin, epoxy resin, modified styrene resin, modified silicon resin, and alkyl titanate. One type or two or more types can be used in combination.
  • a commercially available product may be used as the anchor coating agent. Specifically, a UV curable organic / inorganic hybrid hard coat material OPSTARZ5011 manufactured by JSR Corporation can be used.
  • the above-mentioned anchor coating agent is coated on a substrate by a known method such as roll coating, gravure coating, knife coating, dip coating, spray coating, and the like, and is coated by drying and removing the solvent, diluent, etc. Can do.
  • the application amount of the anchor coating agent is preferably about 0.1 to 5 g / m 2 (dry state).
  • a commercially available base material with an easy-adhesion layer may be used.
  • the anchor coat layer can be formed by a vapor phase method such as physical vapor deposition or chemical vapor deposition.
  • a vapor phase method such as physical vapor deposition or chemical vapor deposition.
  • an inorganic film mainly composed of silicon oxide can be formed for the purpose of improving adhesion and the like.
  • the thickness of the anchor coat layer is not particularly limited, but is preferably about 0.5 to 10.0 ⁇ m.
  • the smooth layer is usually formed on one surface of the substrate, flattenes the rough surface of the substrate with minute protrusions, etc., and generates irregularities and pinholes in the gas barrier layer formed on the substrate It has the function to prevent.
  • the smooth layer can be formed by applying a photosensitive resin composition on a substrate and then curing it.
  • the photosensitive resin composition usually contains a photosensitive resin, a photopolymerization initiator, and a solvent.
  • the photosensitive resin is not particularly limited as long as it is a photosensitive resin containing a reactive monomer having at least one photopolymerizable unsaturated bond in the molecule, but an acrylate compound having a radical reactive unsaturated bond.
  • Resin containing acrylate compound and mercapto compound having thiol group resin containing polyfunctional acrylate monomer such as epoxy acrylate, urethane acrylate, polyester acrylate, polyether acrylate, polyethylene glycol acrylate, glycerol methacrylate, etc. Can be mentioned. These resins can be used alone or in admixture of two or more.
  • the photosensitive resin composition may further contain additives such as an antioxidant, an ultraviolet absorber, a plasticizer, inorganic particles, and a resin other than the photosensitive resin as necessary.
  • the smoothness of the smooth layer is a value expressed by the surface roughness specified in JIS B 0601, and the maximum cross-sectional height Rt (p) is preferably 10 to 30 nm.
  • Rt (p) is 10 nm or more
  • the coating means contacts the smooth layer surface by a coating method such as a wire bar or a wireless bar.
  • Rt (p) is 30 nm or less because the unevenness of the gas barrier layer obtained in the steps described later can be smoothed.
  • the thickness of the smooth layer is not particularly limited, but is preferably 1 to 10 ⁇ m, and more preferably 2 to 7 ⁇ m. It is preferable that the thickness of the smooth layer is 1 ⁇ m or more because the function as the smooth layer can be sufficiently exhibited. On the other hand, when the thickness of the smooth layer is 10 ⁇ m or less, the balance of the optical properties of the gas barrier film can be adjusted, and curling of the gas barrier film can be suppressed.
  • bleed-out prevention layer In the base material having a smooth layer, unreacted oligomers or the like may migrate from the base material to the surface during heating, and the base material surface may be contaminated.
  • the bleed-out prevention layer has a function of suppressing contamination of the substrate surface.
  • the bleed-out prevention layer is usually provided on the surface opposite to the smooth layer of the substrate having the smooth layer.
  • the bleed-out prevention layer may have the same configuration as the smooth layer as long as it has the above function. That is, the bleed-out prevention layer can be formed by applying a photosensitive resin composition on a substrate and then curing it.
  • the photosensitive resin composition includes a photosensitive resin, a photopolymerization initiator, and a solvent.
  • the photosensitive resin, the photopolymerization initiator, and the solvent the same ones as those described in the smooth layer can be used.
  • the photosensitive resin composition may further contain additives such as an antioxidant, an ultraviolet absorber, a plasticizer, inorganic particles, and a resin other than the photosensitive resin, as in the above-described smooth layer. .
  • a predetermined dilution solvent is added to prepare a coating solution, and the coating solution is applied onto a substrate by a known coating method. Thereafter, the bleed-out preventing layer can be formed by irradiating with ionizing radiation and curing.
  • the thickness of the bleed-out prevention layer is preferably 1 to 10 ⁇ m, and more preferably 2 to 7 ⁇ m. It is preferable that the thickness of the bleed-out preventing layer is 1 ⁇ m or more because the heat resistance of the gas barrier film can be improved. On the other hand, when the thickness of the bleed-out prevention layer is 10 ⁇ m or less, the optical characteristics of the gas barrier film are preferably adjusted, and curling of the gas barrier film can be suppressed.
  • the total film thickness of the base material and the intermediate layer is 5 It is preferably ⁇ 500 ⁇ m, more preferably 25 to 250 ⁇ m.
  • an intermediate layer may be formed between the gas barrier layer and the control layer.
  • the intermediate layer can be formed for the purpose of enhancing the gas barrier property of the gas barrier layer, the purpose of enhancing the adhesion between the gas barrier layer and the control layer, or the like. Under the present circumstances, the said intermediate
  • the intermediate layer may be any of an inorganic layer, an organic layer, an organic-inorganic hybrid layer, and the like, but is preferably an inorganic layer.
  • the material for the inorganic layer is not particularly limited, and examples thereof include zirconia and titania.
  • the thickness of the inorganic layer is preferably 0.05 to 10 nm, and more preferably 0.1 to 5 nm.
  • an organic resin such as an organic monomer, oligomer or polymer, or an organic / inorganic composite resin layer using a siloxane or silsesquioxane monomer, oligomer or polymer having an organic group is preferably used. It can.
  • These organic resins or organic-inorganic composite resins preferably have a polymerizable group or a crosslinkable group, contain these organic resins or organic-inorganic composite resins, and contain a polymerization initiator, a crosslinking agent, etc. as necessary. It is preferable to apply a light irradiation treatment or a heat treatment to the layer formed by coating from the organic resin composition coating solution to be cured.
  • the protective layer can contain an inorganic material. Inclusion of an inorganic material generally leads to an increase in the elastic modulus of the protective layer.
  • the elastic modulus of the protective layer can be adjusted to a desired value by appropriately adjusting the content ratio of the inorganic material.
  • the protective layer is blended with the organic resin or inorganic material and other components as necessary, and prepared as a coating solution by using a diluting solvent as necessary, and the coating solution is conventionally known on the substrate surface. It is preferable to form the film by applying it with an application method and then curing it by irradiation with ionizing radiation.
  • irradiating with ionizing radiation ultraviolet rays in a wavelength region of 100 to 400 nm, preferably 200 to 400 nm, emitted from an ultrahigh pressure mercury lamp, a high pressure mercury lamp, a low pressure mercury lamp, a carbon arc, a metal halide lamp, or the like are irradiated.
  • the irradiation can be performed by irradiating an electron beam having a wavelength region of 100 nm or less emitted from a scanning or curtain type electron beam accelerator.
  • the protective layer can be cured by irradiation with the above excimer lamp.
  • the overcoat layer is preferably cured by irradiation with an excimer lamp.
  • the protective layer a method of forming the intermediate polysiloxane modified layer can be applied.
  • the gas barrier film according to the present invention has a protective film disposed on the gas barrier layer via an adhesive layer.
  • a protective film By providing the protective film, it helps to protect the surface of the gas barrier film from damage, and is easy to install on an object to which the gas barrier film is applied. Therefore, when the gas barrier film according to the present invention is used as a substrate of an electronic device such as an organic EL element, it is possible to prevent deterioration of the element due to a defect in the gas barrier layer.
  • the gas barrier film according to the present invention is characterized in that the element abundance ratio C / Si of the outermost layer portion of the gas barrier layer measured in a state where the protective film is peeled is 1.5 or less.
  • the element abundance ratio C / Si of the outermost layer portion of the gas barrier layer measured in a state where the protective film is peeled off is larger than 1.5, the time required for the step of removing the residual adhesive becomes longer, and the viewpoint of productivity Is not preferable.
  • the element abundance ratio C / Si of the outermost layer portion of the gas barrier layer is preferably 1.2 or less.
  • the gas barrier film according to the present invention is kept for a certain time from the end of the modification treatment to the bonding of the protective film.
  • the element abundance ratio C / Si of the outermost layer portion of the gas barrier layer is more preferably 1.0 or less, still more preferably 0.8 or less, still more preferably 0.6 or less, and particularly preferably Is less than 0.5.
  • the element abundance ratio C / Si of the outermost layer portion of the gas barrier layer after the protective film is peeled is less than 0.5, in some cases, it is not necessary to perform the step of removing the residual adhesive described later, and the gas barrier according to the present invention.
  • Productivity of an electronic device in which an electronic device body is provided on a conductive film can be greatly improved.
  • the XPS measurement is performed by measuring the surface of the gas barrier layer on the side opposite to the base material while sputtering with Ar at a certain depth, and plotting C / Si, as in the XPS analysis conditions of the following examples. be able to.
  • the “outermost layer portion of the gas barrier layer” means a portion where the first plot is measured when the plot interval is set to 2.8 nm in terms of SiO 2 as described in Examples. .
  • the C / Si measurement was performed within 6 hours after peeling the gas barrier film according to the present invention with the protective film adhered for 1 minute or more after the sample was prepared, by cutting the sample into a size matching the XPS apparatus. Mean value.
  • the protective film according to the present invention is not particularly limited, but includes a film made of at least a resin material.
  • the protective film in the present invention may be wound into a roll before being bonded to the gas barrier layer of the gas barrier film. Moreover, you may have a release layer on the film surface by the side of the adhesion layer, and you may wind in the roll shape in the state which bonded the release layer.
  • the resin material (resin film) used for the protective film is not particularly limited, but is a polyolefin film such as polyethylene film or polypropylene film; a polyester film such as polyethylene terephthalate or polybutylene terephthalate; a polyamide such as hexamethylene adipamide. Films; halogen-containing films such as polyvinyl chloride, polyvinylidene chloride, polyfluoroethylene; plastic films such as polyvinyl acetate such as polyvinyl acetate, polyvinyl alcohol, and ethylene vinyl acetate copolymer, and derivative films thereof are paper It is preferable because it does not generate fine dust.
  • a polyethylene terephthalate film is preferably used from the viewpoints of heat resistance and availability.
  • the thickness of the protective film is not particularly limited, but a thickness of 10 ⁇ m to 300 ⁇ m is used. Preferably, the thickness is from 25 ⁇ m to 150 ⁇ m. If it is 10 ⁇ m or more, the film can be handled well without being too thin. On the other hand, if it is 300 micrometers or less, a protective film will not become hard too much and favorable conveyance property and the adhesiveness to a roll will be obtained.
  • the adhesive layer is disposed between the gas barrier layer and the protective film for the purpose of bonding the protective film on the gas barrier layer.
  • the pressure-sensitive adhesive layer can be formed by applying a pressure-sensitive adhesive composition to which a crosslinking agent is added to the pressure-sensitive adhesive and crosslinking.
  • the protective film on which the adhesive layer is formed is also referred to as a protective film with an adhesive layer. That is, the protective film with an adhesive layer is a configuration having a protective film of a base material and an adhesive layer formed on the base material (protective film), and those having these configurations are simply described as protective films. There is also a case.
  • the type of the adhesive is not particularly limited, and for example, an acrylic adhesive, a rubber adhesive, a urethane adhesive, a silicon adhesive, an ultraviolet curable adhesive, a polyolefin adhesive, an ethylene vinyl acetate copolymer (EVA) ) -Based pressure-sensitive adhesives, etc., and preferably at least one selected from acrylic pressure-sensitive adhesives, silicon-based pressure-sensitive adhesives, and rubber-based pressure-sensitive adhesives.
  • acrylic pressure-sensitive adhesive for example, a homopolymer of (meth) acrylic acid ester or a copolymer with another copolymerizable monomer is used.
  • monomers or copolymerizable monomers constituting these copolymers include alkyl esters of (meth) acrylic acid (for example, methyl esters, ethyl esters, butyl esters, 2-ethylhexyl esters, octyl esters, isoforms).
  • Nonyl esters, etc. hydroxyalkyl esters of (meth) acrylic acid (eg, hydroxyethyl ester, hydroxybutyl ester, hydroxyhexyl ester), (meth) acrylic acid glycidyl ester, (meth) acrylic acid, itaconic acid, maleic anhydride Acid, (meth) acrylic acid amide, (meth) acrylic acid N-hydroxymethylamide, (meth) acrylic acid alkylaminoalkyl ester (for example, dimethylaminoethyl methacrylate, t-butynoleaminoethylol) Methacrylate etc.), vinyl acetate, styrene, and acrylonitrile.
  • an alkyl acrylate ester having a homopolymer glass transition point of 500 ° C. or lower is usually used.
  • the curing agent for the acrylic pressure-sensitive adhesive for example, an isocyanate-based, epoxy-based, or alidiline-based curing agent can be used.
  • an isocyanate curing agent an aromatic type such as tonoleylene diisocyanate (TDI) can be preferably used in order to obtain a stable adhesive force even after long-term storage and to form a harder adhesive layer.
  • the pressure-sensitive adhesive may contain, for example, a stabilizer, an ultraviolet absorber, a flame retardant, and an antistatic agent as additives.
  • low surface energy such as organic resin such as wax, silicon, fluorine, etc. is used to such an extent that these components do not migrate to the counterpart substrate. You may add the component which has.
  • organic resin such as wax, a higher fatty acid ester or a low molecular weight phthalate ester may be used.
  • the rubber-based pressure-sensitive adhesive examples include polyisobutylene rubber, butyl rubber and a mixture thereof, or these rubber-based pressure-sensitive adhesives such as apinic acid rosin ester, terpene / phenol copolymer, terpene / indene copolymer, etc. Those containing a tackifier are used.
  • Examples of the base polymer of the rubber adhesive include natural rubber, isoprene rubber, styrene-tadiene rubber, recycled rubber, polyisobutylene rubber, styrene-isoprene styrene rubber, styrene butadiene styrene rubber, and the like. It is done.
  • the block rubber-based pressure-sensitive adhesive is a block copolymer represented by the general formula ABA or a block copolymer represented by the general formula AB (where A is a styrene polymer block, B Is a butadiene polymer block, an isoprene polymer block, or an olefin polymer block obtained by hydrogenating them, and is mainly composed of a styrene-based thermoplastic elastomer), and is mainly composed of a tackifier resin, a softener and the like. Composition.
  • the styrene polymer block A preferably has an average molecular weight of about 4,000 to 120,000, and more preferably about 10,000 to 60,000.
  • the glass transition temperature is preferably 150 ° C. or higher.
  • the butadiene polymer block, the isoprene polymer block, or the olefin polymer block B obtained by hydrogenation thereof preferably has an average molecular weight of about 30,000 to 400,000, and more preferably 60,000 to 200,000. About 000 is more preferable.
  • the glass transition temperature is preferably ⁇ 150 ° C. or lower.
  • a / B is 50/50 or less, the rubber elasticity of the polymer does not become small at room temperature, and the adhesiveness can be sufficiently expressed.
  • the value of A / B is 5/95 or more, the styrene domain will not be sparse, the cohesive force will not be insufficient, and the desired adhesive force can be obtained. For this reason, it is possible to effectively prevent problems such as tearing of the adhesive layer during peeling.
  • the releasability from the protective film can be improved.
  • the polyolefin resin include low density polyethylene, medium density polyethylene, high density polyethylene, linear low density polyethylene, ethylene ⁇ -olefin copolymer, propylene ⁇ -olefin copolymer, ethylene-ethyl acrylate copolymer, ethylene -Vinyl acetate copolymer, ethylene methyl methacrylate copolymer, ethylene n-butyl acrylate copolymer, and mixtures thereof.
  • the polyolefin resin preferably has a low molecular weight, and specifically, the low molecular weight extracted by boiling boiling with n-pentane is preferably less than 1.0% by mass. If the low molecular weight component is less than 1.0% by mass, the low molecular weight component can maintain (hold) the adhesive force without affecting the adhesive property according to the temperature change or change with time. is there.
  • the affinity with the gas barrier layer (white back surface provided with a coating film mainly composed of polyvinyl alcohol) can be further reduced.
  • This silicone oil is a high molecular compound with a polyalkoxysiloxane chain in the main chain, which increases the hydrophobicity of the adhesive layer and further bleeds to the adhesive interface, ie, the adhesive layer surface. It works to make the progress (promotion) phenomenon difficult to occur.
  • the adhesive layer is obtained by adding a crosslinking agent to the rubber-based adhesive and crosslinking.
  • crosslinking agent for example, sulfur, a vulcanization aid, and a vulcanization accelerator (typically, dibutylthiocarbamate zinc, etc.) are used for crosslinking of the natural rubber-based pressure-sensitive adhesive.
  • Polyisocyanates are used as a cross-linking agent capable of cross-linking an adhesive made from natural rubber and carboxylic acid copolymerized polyisoprene at room temperature.
  • Polyalkylphenol resins are used as a crosslinking agent in which a crosslinking agent such as butyl rubber and natural rubber has heat resistance and non-fouling characteristics.
  • silicone-based adhesive there are an addition reaction curable silicone adhesive and a condensation polymerization curable silicone adhesive.
  • an addition reaction curable type is preferably used.
  • composition of the addition reaction curable silicone pressure-sensitive adhesive composition those listed below are preferably used.
  • A Polydiorganosiloxane having two or more alkenyl groups in one molecule
  • B Polyorganosiloxane containing SiH groups
  • C Control agent
  • D Platinum catalyst
  • E Conductive fine particles where (A ) Component is a polydiorganosiloxane having two or more alkenyl groups in one molecule, and examples of such alkenyl group-containing polydiorganosiloxane include those represented by the following general formula (1).
  • R is a monovalent hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms
  • X is an alkenyl group-containing organic group.
  • p is 2 or more.
  • R is a monovalent hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms, specifically, an alkyl group such as a methyl group, an ethyl group, a propyl group or a butyl group, a cycloalkyl group such as a cyclohexyl group, a phenyl group or a tolyl group.
  • An aryl group such as, for example, is mentioned, and a methyl group and a phenyl group are particularly preferable.
  • X is an alkenyl group-containing organic group, preferably having 2 to 10 carbon atoms, specifically, vinyl group, allyl group, hexenyl group, octenyl group, acryloylpropyl group, acryloylmethyl group, methacryloylpropyl group, cyclohexenylethyl group.
  • the properties of the polydiorganosiloxane may be oily or raw rubbery, and the viscosity of the component (A) is preferably 100 mPa ⁇ s or more, particularly 1,000 mPa ⁇ s or more at 250 ° C.
  • the upper limit is not particularly limited, but is preferably selected so that the degree of polymerization is 20,000 or less because of easy mixing with other components.
  • (A) component may be used individually by 1 type, and may use 2 or more types together.
  • the polyorganosiloxane containing SiH groups as the component (B) is a crosslinking agent, and is an organohydropolysiloxane having at least 2, preferably 3 or more hydrogen atoms bonded to silicon atoms in one molecule. , Branched, annular, etc. can be used.
  • R 1 is a monovalent hydrocarbon group containing no aliphatic unsaturated bond having 1 to 6 carbon atoms.
  • b is an integer of 0 to 3
  • x and y are integers, respectively, and indicate the number at which the viscosity of this organohydropolysiloxane at 250 ° C. is 1 to 5,000 mPa ⁇ s.
  • the viscosity of this organohydropolysiloxane at 250 ° C. is preferably 1 to 5,000 mPa ⁇ s, particularly 5 to 1000 mPa ⁇ s, and may be a mixture of two or more.
  • Crosslinking by addition reaction occurs between the component (A) and the component (B) of the crosslinking agent, and the gel fraction of the adhesive layer after curing is determined by the proportion of the crosslinking component. It is preferable that the molar ratio of the SiH group in the component (B) to the alkenyl group in the component (B) is 0.5 to 20, particularly 0.8 to 15. If it is 0.5 or more, the crosslinking density is maintained, and a holding force can be obtained accordingly. On the other hand, if it is 20 or less, adhesive force and tack can be obtained.
  • the proportion of the cross-linking component in the composition may be increased. There may be effects such as reduced flexibility. From such a point, the blending mass ratio of the component (A) / (B) may be 20/80 to 80/20, and particularly preferably 45/55 to 70/30. If the blending ratio of component (A) is 20/80 or more, sufficient adhesive properties such as adhesive strength and tack can be obtained, and if it is 80/20 or less, sufficient heat resistance is obtained.
  • Component (C) is an addition reaction control agent, so that when a silicone pressure-sensitive adhesive composition is prepared and applied to a substrate, the treatment liquid does not thicken or gel before heat curing. It is to be added.
  • component (C) examples include 3-methyl-1-butyn-3-ol, 3-methyl-1-pentyn-3-ol, 3,5-dimethyl-1-hexyn-3-ol, -Ethynylcyclohexanol, 3-methyl-3-trimethylsiloxy-1-butyne, 3-methyl-3-trimethylsiloxy-1-pentyne, 3,5-dimethyl-3-trimethylsiloxy-1-hexyne, 1-ethynyl -1-trimethylsiloxycyclohexane, bis (2,2-dimethyl-3-butynoxy) dimethylsilane, 1,3,5,7-tetramethyl-1,3,5,7-tetravinylcyclotetrasiloxane, 1,1 3,3-tetramethyl-1,3-divinyldisiloxane, and the like.
  • the amount of component (C) is preferably in the range of 0 to 5.0 parts by weight, particularly 0.05 to 2.0 parts by weight, based on a total of 100 parts by weight of components (A) and (B). Is preferred. If it is 5.0 mass parts or less, sufficient curability can be expressed.
  • Component (D) is a platinum catalyst, containing chloroplatinic acid, an alcohol solution of chloroplatinic acid, a reaction product of chloroplatinic acid and alcohol, a reaction product of chloroplatinic acid and an olefin compound, and containing chloroplatinic acid and a vinyl group
  • a reaction product with siloxane can be used.
  • the addition amount of the component (D) is preferably 1 to 5,000 ppm, particularly 5 to 2,000 ppm in terms of platinum with respect to the total amount of the components (A) and (B). If it is 1 ppm or more, sufficient curability is obtained, the crosslinking density is high, and the holding power can be maintained.
  • the shape of the conductive fine particles of the component is not particularly limited, such as spherical, dendritic, and needle-like.
  • the particle size is not particularly limited, but it is preferable that the maximum particle size does not exceed 1.5 times the coating thickness of the pressure-sensitive adhesive. If the maximum particle size does not exceed 1.5 times the adhesive coating thickness, the conductive fine particles will not protrude too much on the adhesive coating surface, and the floating from the adherend will start from this part. Etc. can be suppressed.
  • a crosslinking agent for example, a crosslinking agent, a catalyst, a plasticizer, an antioxidant, a colorant, an antistatic agent, a filler, a tackifier, a surfactant, and the like may be added.
  • a crosslinking agent for example, a crosslinking agent, a catalyst, a plasticizer, an antioxidant, a colorant, an antistatic agent, a filler, a tackifier, a surfactant, and the like may be added.
  • the adhesive layer on the substrate As a method of coating the adhesive layer on the substrate, it is performed by a roll coater, blade coater, bar coater, air knife coater, gravure coater, reverse coater, die coater, lip coater, spray coater, comma coater, etc.
  • An adhesive layer is formed through smoothing, drying, heating, electron beam exposure processes such as ultraviolet rays, and the like.
  • the adhesive strength of the adhesive is preferably 0.001 N / 25 cm or more. If the pressure-sensitive adhesive has an adhesive strength of 0.001 N / 25 cm or more, sufficient adhesion to the film can be obtained, peeling during continuous conveyance does not occur, and it is already due to contact with a roll or the like during conveyance. The influence on the formed gas barrier film can be prevented. Further, the adhesive strength of the adhesive is preferably 50 N / 25 cm or less. If the adhesive strength of the pressure-sensitive adhesive is 50 N / 25 cm or less, the gas barrier film is destroyed or the pressure-sensitive adhesive is applied onto the gas barrier film without applying excessive force to the gas barrier film when the resin material is peeled off. It is preferable in that it is less likely to cause residue.
  • the adhesive strength of the pressure-sensitive adhesive can be determined by measuring 20 minutes after the protective film is pressure-bonded to the test plate using Corning 1737 as a test plate according to a measurement method based on JIS Z 0237.
  • the thickness of the adhesive layer is preferably 0.1 ⁇ m or more and 30 ⁇ m or less. If the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer is 0.1 ⁇ m or more, sufficient adhesion between the resin material and the gas barrier film can be obtained, peeling during continuous conveyance does not occur, and rolls during conveyance, etc. The influence on the gas barrier film already formed by the contact can be prevented. In addition, when the thickness of the adhesive layer is 30 ⁇ m or less, when the protective film is peeled off, the gas barrier film is destroyed or the adhesive on the gas barrier film without applying excessive force to the gas barrier film. Does not cause excessive residue.
  • the weight average molecular weight of the pressure-sensitive adhesive constituting the pressure-sensitive adhesive layer is preferably 400,000 or more and 1.4 million or less. If the weight average molecular weight is 400,000 or more, the adhesive strength is not excessive, and if it is 1.4 million or less, sufficient adhesive strength can be obtained. When the weight average molecular weight is within the above range, it is possible to prevent the adhesive from remaining on the gas barrier layer, and particularly when a gas barrier film is formed by the plasma treatment method, heat and energy are applied. If the molecular weight is within an appropriate range, it is possible to prevent the adhesive material from being transferred or peeled off.
  • the coating film obtained by applying and drying a coating liquid containing a polysilazane compound on one surface of the substrate is irradiated with an active energy ray to be modified.
  • a method for producing a gas barrier film comprising the step (1) of forming a gas barrier layer and the step (2) of bonding a protective film on the gas barrier layer via an adhesive layer.
  • “application of a coating solution containing a polysilazane compound on one surface of a substrate” means (1) a mode in which a coating solution containing a polysilazane compound is directly applied directly on one surface of a substrate.
  • a coating liquid containing a polysilazane compound on the surface of the laminate in which the control layer, intermediate layer, protective layer or functional layer described in the first embodiment is laminated on one surface of the substrate The form which apply
  • the element abundance ratio C / Si of the outermost layer portion of the gas barrier layer measured in a state where the protective film is peeled off is the same as in the first embodiment of the present invention. It is 1.5 or less, preferably 1.2 or less.
  • the time required for the step of removing the residual adhesive becomes longer, and the viewpoint of productivity This is because it is not preferable.
  • the method for measuring the element abundance ratio C / Si of the outermost layer portion of the gas barrier layer measured with the protective film peeled is as described in the first embodiment of the present invention.
  • the manufacturing method may include a step (3) of forming at least one of a control layer, an intermediate layer, a protective layer, and a functional layer. More specifically, in the step (3), a coating liquid (for example, a second coating liquid containing polysiloxane) for forming at least one of a control layer, an intermediate layer, a protective layer, and a functional layer is applied. It is a process of forming a corresponding layer.
  • the coating film obtained by applying the second coating solution may be subjected to a curing treatment such as vacuum ultraviolet light irradiation.
  • a curing treatment such as vacuum ultraviolet light irradiation.
  • the protective film is bonded to the gas barrier layer formed on the resin substrate as in the step (1) or the step (1) and the step (3) through an adhesive layer.
  • the gas barrier film can be transported and stored without exposing the surface of the gas barrier layer.
  • finish of the modification process in the process (1) which forms a gas barrier layer to bonding of the said protective film is 5. It is preferable to set it as 2 seconds or more, More preferably, it is 10 seconds or more, More preferably, it is 3 minutes or more. If the time from the end of the modification treatment to the pasting of the protective film is 5 seconds or more, the cleanliness of the gas barrier layer surface is reduced, and excessive adhesion of the protective film to the gas barrier layer is prevented. It is preferable from the viewpoint that the element abundance ratio C / Si of the outermost layer portion of the gas barrier layer measured in the peeled state can be reduced to 1.5 or less.
  • finish of a modification process to bonding of the said protective film it is more preferable that it is 3 minutes or less. If the time from completion
  • the element abundance ratio C / Si can be reduced to 1.2 or less.
  • the time point of “end of the modification process” is a time point when the irradiation of the active energy ray is finished on the coating film.
  • it is set as the time (measurement start time) after irradiating the active energy ray to all the coating films after forming a coating film on a roll-shaped base film.
  • the time point (until the bonding of the protective film) (measurement end time) refers to the time point when the protective film starts to be bonded onto the gas barrier layer of the gas barrier film.
  • the two films were first overlapped while the roll-shaped gas barrier film and the roll-shaped protective film with the adhesive layer were pulled out and conveyed. Time).
  • the step (2) of laminating the protective film may be an on-line system in which the protective film is laminated continuously with the formation of the gas barrier layer, or after the gas barrier layer is formed, the gas barrier property is once formed on the winding shaft. After winding up the film, it may be an off-line method in which a protective film is bonded in a separate step. Moreover, also when performing the removal process (4) of a residual adhesive when peeling the bonded protective film from the surface of a gas barrier layer, it is an online which removes the remainder of the adhesive mentioned later continuously after peeling. An off-line system in which the resin base material having the gas barrier layer is wound up once after the protective film with the adhesive layer is peeled off and the remaining adhesive is removed in a separate process may be used.
  • the resin base material of the gas barrier film is manufactured as an elongated body, but it is not desirable to perform a long manufacturing process in one line from the viewpoint of space and conveyance. At the same time, if a defect occurs in a part of the line, it is preferable to divide into a plurality of lines from the viewpoint of availability and yield. For example, it is necessary to stop the entire line. In that case, it is convenient to wind up the resin base material which is a long body around a roll once, and to convey or store. Furthermore, when the surface of the gas barrier layer in the middle of production is exposed when winding on a roll, the surface of the gas barrier layer is damaged due to foreign matter adhering to the back surface of the resin base material or scratches with the resin base material. Gas barrier properties are reduced. Therefore, it is advantageous to protect the surface of the gas barrier layer once with a protective film before winding it on a roll.
  • the protective film with the pressure-sensitive adhesive layer is mainly composed of a base material for the protective film and a pressure-sensitive adhesive layer containing the pressure-sensitive adhesive formed on the base material (protective film).
  • a release layer containing a release agent is provided thereon (hereinafter, the protective film with the pressure-sensitive adhesive layer having the above structure is also simply referred to as a protective film).
  • the protective film is preferably prepared in a rolled state with the release layer inside. Next, the resin material having releasability is fed out from the roll, the release layer is separated to expose the adhesive layer, and the separated release layer is wound up on a take-up roll.
  • the gas barrier film having a gas barrier layer is conveyed in the horizontal direction from the gas barrier layer forming step to the position of the protective film disposed on the downstream side. Subsequently, the adhesive layer of the said protective film is bonded and bonded on the gas barrier film surface.
  • the adhesive layer of the protective film on the surface of the gas barrier film after completion of the gas barrier layer forming step, more specifically, as described above, from the end of the modification treatment in the gas barrier layer forming step, the adhesive layer of the protective film on the surface of the gas barrier film.
  • the time until bonding is set to a certain time or more, preferably 5 seconds or more.
  • the gas barrier film on which the protective film is bonded is wound up in a roll shape around a winding core attached to a winding shaft.
  • the protective film protects the surface of the gas barrier film, it is effective for adhesion of foreign matters adhering to the back surface of the gas barrier film to the gas barrier layer and generation of scratches during transportation, when winding in a roll shape. Can be prevented.
  • ⁇ Third embodiment electronic device>
  • the remaining adhesive is further removed.
  • an electronic device main body is provided on the gas barrier layer (which is the outermost layer) of the gas barrier film. That is, an electronic device including an electronic device main body and a gas barrier film from which the above protective film is peeled is provided.
  • the gas barrier film of the present invention as described above has excellent gas barrier properties, transparency, and flexibility. Therefore, the gas barrier film of the present invention is used for various applications such as electronic devices such as packages, photoelectric conversion elements (solar cell elements), organic electroluminescence (EL) elements, and liquid crystal display elements. Can do.
  • electronic devices such as packages, photoelectric conversion elements (solar cell elements), organic electroluminescence (EL) elements, and liquid crystal display elements. Can do.
  • the electronic device body is disposed on the gas barrier layer of the gas barrier film according to the present invention.
  • the electronic device body a known electronic device body to which sealing with a gas barrier film can be applied can be used.
  • an organic EL element a solar cell (PV), a liquid crystal display element (LCD), electronic paper, a thin film transistor, a touch panel, and the like can be given.
  • the electronic device body is preferably an organic EL element or a solar cell.
  • FIG. 4 shows an example of an organic EL panel 301 which is an electronic device using the gas barrier film 202 according to the present invention as a sealing film as shown in FIG.
  • the organic EL panel 301 includes a gas barrier film 202 from which the protective film has been peeled off (preferably, the remaining adhesive is further removed), a transparent electrode 64 such as ITO formed on the gas barrier film 202, and the transparent electrode 64.
  • An organic EL element 61 formed on the gas barrier film 202 and a counter film 62 disposed via an adhesive layer 63 provided so as to cover the organic EL element 61 are provided. It can be said that the transparent electrode 64 forms part of the organic EL element 61.
  • the transparent electrode 64 and the organic EL element 61 are formed on the surface of the gas barrier film 202 on which the gas barrier layer is formed (the surface exposed by peeling off the protective film).
  • the counter film 62 may be a metal film such as an aluminum foil or the gas barrier film according to the present invention. When a gas barrier film is used for the counter film 62, the surface on which the gas barrier layer is formed may be attached to the organic EL element 61 with the adhesive layer 63.
  • ⁇ Fourth Embodiment: Electronic Device Manufacturing Method> after peeling a protective film from the gas barrier film which concerns on this invention, or the gas barrier film obtained by the manufacturing method which concerns on this invention, it becomes a gas barrier film (it becomes outermost layer).
  • a method for manufacturing an electronic device comprising the step of forming an electronic device body on a gas barrier layer.
  • an electronic device manufacturing method including a step (4) of peeling a protective film from a gas barrier film according to the present invention and a step (6) of forming an electronic device body on a gas barrier layer of the gas barrier film.
  • the manufacturing method may include a step (5) of removing the residual pressure-sensitive adhesive after the step (4).
  • steps (4) to (6) will be described.
  • Step (4): peeling of protective film This is a step of removing the protective film (with an adhesive layer) by peeling it from the gas barrier layer when the electronic device is formed on the gas barrier layer of the gas barrier film.
  • the gas barrier film according to the present invention is used as a sealing film for an electronic device, it is used after the protective film is peeled off from the gas barrier layer.
  • the method for peeling the protective film from the gas barrier layer of the gas barrier film is not particularly limited, but it is preferable to peel the protective film while feeding the gas barrier film bonded with the protective film from the wound roll. .
  • the peeled protective film can be collected by winding it on another roll.
  • the gas barrier layer of the gas barrier film from which the protective film has been peeled is exposed again.
  • the element abundance ratio C / Si of the outermost layer portion of the gas barrier layer indicating the amount of the remaining adhesive on the surface of the gas barrier layer after peeling of the protective film is 0.5 or more. When there is, it is conveyed to the removal process of a residual adhesive.
  • Step (5) Removal of residual adhesive
  • the residual pressure-sensitive adhesive removing step (5) is a step of removing the pressure-sensitive adhesive remaining on the surface of the gas barrier layer after the protective film is peeled off.
  • the method for removing the residual pressure-sensitive adhesive is not particularly limited, but it is preferable to apply energy to the gas barrier film surface with active energy rays.
  • this step is performed with an element abundance ratio C / Si of the outermost layer portion of the gas barrier layer measured in a state where the protective film is peeled off. If it is less than 0.5, it can be omitted.
  • the amount of the adhesive remaining on the gas barrier layer of the gas barrier film can be confirmed, for example, by analyzing the gas barrier layer surface of the gas barrier film by XPS as described later.
  • the application of energy to the gas barrier layer surface of the gas barrier film is basically performed by bonding any protective film through any adhesive layer (that is, with any residual adhesive derived from any adhesive layer). Can be applied).
  • any protective film that is, with any residual adhesive derived from any adhesive layer.
  • Can be applied when the resin material having releasability is bonded and wound into a roll, it is stored for about 1 to 20 hours, typically overnight. The effect of remaining can be reduced.
  • the smoothness of the gas barrier layer surface of a gas barrier film can be improved by energy provision.
  • the energy to be applied is preferably a kind selected from ultraviolet light, corona discharge, plasma discharge, and laser light. Of these, it is preferable to use the same energy as that used for forming the gas barrier film from the viewpoint of simplicity of equipment and cost. As with the formation of the gas barrier film, the energy to be applied is particularly preferably vacuum ultraviolet light having a wavelength of 150 to 200 nm.
  • the energy provision in the removal process (5) of a residual adhesive is the amount of energy provision used for formation of a gas barrier film, when the same method as the energy provision for formation of a gas barrier film is used. It is preferably 1% or more and less than 100%, more preferably 1 to 20%, still more preferably 5 to 15%.
  • the specific energy application amount varies depending on the composition of the gas barrier film and the energy source, and can be appropriately selected depending on them.
  • the same method as that described in the gas barrier film forming step (1) can be adopted except for the energy irradiation amount.
  • the irradiation amount particularly in the case of atmospheric pressure plasma irradiation is preferably 1 J / cm 2 or more and less than 200 J / cm 2 , more preferably 5 to 50 J / cm 2 .
  • a corona discharge process can be given to a gas-barrier film using a conventionally well-known corona discharge processing apparatus (for example, Kasuga Denki Co., Ltd. make).
  • the output is preferably 10 mW ⁇ min / m 2 or more, more preferably 10 to 200 W ⁇ min / m 2 .
  • the amount of energy irradiation is within the above range, the desired effect of improving the gas barrier property can be obtained, and there is no problem with the gas barrier film due to excessive energy irradiation.
  • Step (6) is a step of forming the electronic device body on the gas barrier layer of the gas barrier film from which the protective film has been peeled off in the step (4) or the steps (4) and (5).
  • the organic EL element 301 will be described as an example.
  • organic EL element 301 a method for manufacturing an organic EL element including an anode / hole injection layer / hole transport layer / light emitting layer / electron transport layer / electron injection layer / cathode will be described.
  • a desired electrode material for example, a thin film made of an anode material is formed on the gas barrier film 202 so as to have a thickness of 1 ⁇ m or less, preferably 10 to 200 nm, for example, by a method such as vapor deposition, sputtering, or plasma CVD. Then, an anode is produced.
  • an organic compound thin film of a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, and an electron injection layer, which are organic EL element materials, is formed thereon.
  • a method for forming this organic compound thin film there are a vapor deposition method, a wet process (spin coating method, casting method, ink jet method, printing method), etc., but a homogeneous film is easily obtained and pinholes are not easily generated. From the point of view, the vacuum deposition method, the spin coating method, the ink jet method, and the printing method are particularly preferable. Further, different film forming methods may be applied for each layer.
  • the vapor deposition conditions vary depending on the type of compound used, but generally a boat heating temperature of 50 to 450 ° C., a degree of vacuum of 10 ⁇ 6 to 10 ⁇ 2 Pa, and a vapor deposition rate of 0.01 to It is desirable to select appropriately within a range of 50 nm / second, a substrate temperature of ⁇ 50 to 300 ° C., and a film thickness of 0.1 nm to 5 ⁇ m, preferably 5 to 200 nm.
  • a thin film made of a cathode material is formed thereon by a method such as vapor deposition or sputtering so as to have a film thickness of 1 ⁇ m or less, preferably in the range of 50 to 200 nm, and a cathode is provided.
  • a desired organic EL element can be obtained.
  • the organic EL element 301 is manufactured from the anode and the hole injection layer to the cathode consistently by a single evacuation, but it may be taken out halfway and subjected to different film forming methods. At that time, it is necessary to consider that the work is performed in a dry inert gas atmosphere. In addition, it is also possible to reverse the production order and produce the cathode, the electron injection layer, the electron transport layer, the light emitting layer, the hole transport layer, the hole injection layer, and the anode in this order.
  • a voltage of about 2 to 40 V is applied with the anode being positive and the cathode being negative.
  • An alternating voltage may be applied.
  • the alternating current waveform to be applied may be arbitrary.
  • roller CVD method Using a discharge plasma CVD apparatus between rollers to which the magnetic field shown in FIG. 3 is applied (hereinafter, this method is referred to as “roller CVD method”), a heat-resistant laminate is formed on the surface of the resin substrate opposite to the anchor coat layer. Mount the resin substrate on the equipment so that the laminate film side (rear surface) of the resin substrate to which the film is bonded is in contact with the film formation roller, and anchor coating layer according to the following film formation conditions (plasma CVD conditions) On top, a control layer (CVD layer) having gas barrier properties was formed under the condition of a thickness of 100 nm.
  • Control layer by CVD method deposition of CVD layer
  • Control layer by CVD method CVD layer deposition was performed under the following conditions (film deposition conditions) in terms of an effective film width of 1000 mm.
  • the power supply frequency was 84 kHz
  • the temperatures of the film deposition rolls were all 30 ° C. It was.
  • ⁇ Formation of gas barrier layer coating method> Specifically, a coating liquid containing a polysilazane compound (polysilazane-containing coating liquid) was applied and dried on the anchor coat layer / control layer (CVD layer) on the resin substrate by the coating method shown below. A gas barrier layer was formed by irradiating the coating film with an active energy ray and modifying it.
  • the polysilazane-containing coating solution was applied by spin coating so that the film thickness after drying was 80 nm, and dried at 80 ° C. for 2 minutes.
  • the dried coating film was subjected to a vacuum ultraviolet irradiation treatment according to the following method using a Xe excimer lamp having a wavelength of 172 nm to form a gas barrier layer.
  • the dry film thickness was measured by cross-sectional TEM observation.
  • the oxygen concentration during irradiation treatment was 0.1 vol% or less, and the irradiation energy was 2 J / cm 2 .
  • the base material on which the coating film (polysilazane layer) fixed on the operation stage was formed was subjected to a modification treatment under the following conditions to form a gas barrier layer.
  • Excimer lamp light intensity 130 mW / cm 2 (172 nm)
  • Distance between sample and light source 1mm
  • Stage heating temperature 70 ° C
  • Oxygen concentration in the irradiation device 0.1% by volume
  • Excimer lamp irradiation time 10 seconds.
  • a laminate film which is a protective film with a pressure-sensitive adhesive layer, was pasted after 5 seconds after the modification treatment. That is, the time from the end of the modification treatment to the bonding of the protective film was 5 seconds.
  • Toraytec 7332 manufactured by Toray was used as a laminate film.
  • end of the modification process and “until bonding of the protective film” are as described in “Step (2): bonding of protective film” of the second embodiment.
  • Example 1 the gas barrier films of Examples 2 to 5 and Comparative Example 1 were prepared in the same manner except that the time from the end of the modification treatment to the bonding of the protective film was changed as shown in Table 1. Produced.
  • Example 6 to 10 Comparative Example 2
  • the gas barriers of Examples 6 to 10 and Comparative Example 2 were the same as in Examples 1 to 5 and Comparative Example 1 except that the type of the protective film with the adhesive layer was changed to VLH9 manufactured by Mitsui Chemicals, Inc. A conductive film was prepared.
  • Example 11 to 15 and Comparative Example 3 The gas barrier properties of Examples 11 to 15 and Comparative Example 3 were the same as in Examples 1 to 5 and Comparative Example 1 except that the type of the protective film with the adhesive layer was changed to PAC3J manufactured by Sanei Kaken Co., Ltd. A film was prepared.
  • Example 16 to 20 Comparative Example 4
  • the gas barrier properties of Examples 16 to 20 and Comparative Example 4 were the same as in Examples 1 to 5 and Comparative Example 1 except that the type of the protective film with the adhesive layer was changed to 010M manufactured by Futamura Chemical Co., Ltd. A film was prepared.
  • the measurement location was 1/5, 2/5, 3/5, and 4/5 with respect to the length in the width direction of the gas barrier film.
  • the position of 10, 20, 30, 40 cm is measured from one end.
  • the element abundance ratio C / Si in the outermost layer was obtained by averaging the measurement results at the above four locations.
  • the XPS analysis in the present invention was performed under the following conditions, but the composition distribution in the thickness direction of the gas barrier layer (especially the element abundance ratio C / Si in the outermost layer) even when the apparatus and measurement conditions were changed. Applicable if it can be measured.
  • the resolution in the thickness direction is mainly maintained at a certain level or more, and the element abundance ratio C / To prevent the element abundance ratio C / Si necessary for calculating whether or not Si is 1.5 or less from the decimal point and the second digit up to the second digit depending on the etching depth per one time
  • the etching depth (corresponding to the conditions of the following sputter ion and depth profile) at each measurement location (4 locations) is preferably 1 to 15 nm, and more preferably 1 to 10 nm.
  • the plot value including the depth 2.8 nm in terms of SiO 2 from the surface layer is the same value as the element abundance ratio C / Si. Applicable if available.
  • the etching depth per one measurement point (corresponding to the conditions of the following sputter ion and depth profile) was adjusted to 2.8 nm (SiO 2 conversion) as shown below.
  • ⁇ XPS analysis conditions >> ⁇ Equipment: ULVAC-PHI QUANTERASXM ⁇ X-ray source: Monochromatic Al-K ⁇ Measurement area: Si2p, C1s, N1s, O1s ⁇ Sputtering ion: Ar (2 keV) Depth profile: repeats measurement after sputtering for a certain time. In one measurement, the sputtering time was adjusted so that the thickness was about 2.8 nm in terms of SiO 2 .
  • the background was determined by the Shirley method, and quantified using the relative sensitivity coefficient method from the obtained peak area.
  • MultiPak manufactured by ULVAC-PHI was used for data processing.
  • the gas barrier film sample after peeling of the protective film placed in the chamber of the cleaning apparatus was irradiated with UV light (ultraviolet rays) for 1 minute using the introduced gas as air.
  • UV light ultraviolet rays
  • the gas barrier film is taken out, and the composition in the thickness direction of the gas barrier layer exposed on the surface of the gas barrier film within 1 minute to 24 hours (the same time as the above XPS analysis) is taken.
  • the distribution was measured under the same conditions as the XPS analysis described above. This operation was repeated, and the time required for the element abundance ratio C / Si in the outermost layer portion of the gas barrier layer of the gas barrier film sample to be less than 0.5 was determined.
  • the productivity is determined according to the following criteria. Evaluated. The obtained results are shown in Table 1.
  • UV cleaning time is performed for a sample having an element abundance ratio C / Si of the outermost layer portion of the gas barrier layer of less than 0.5. It was determined that it was unnecessary, and UV cleaning was not performed.
  • Vapor deposition device JEE-400, a vacuum vapor deposition device manufactured by JEOL Ltd. Constant temperature and humidity oven: Yamato Humidic Chamber IG47M ⁇ Evaluation materials> Metal that reacts with moisture and corrodes: Calcium metal (granular) Water vapor impervious metal: Aluminum (diameter ( ⁇ ) 3-5mm, granular) ⁇ Preparation of water vapor barrier property sample>
  • gas barrier films Examples 1 to 20 and Comparative Examples 1 to 4
  • JEE-400 vacuum deposition apparatus
  • metal calcium was deposited on the surface of the gas barrier layer exposed on the surface of the gas barrier film in a size of 12 mm ⁇ 12 mm through the mask so that the deposited film thickness was 80 nm.
  • the mask was removed in a vacuum state, and aluminum was vapor-deposited on the entire surface of one side of the sheet and temporarily sealed.
  • the vacuum state was released, and it was quickly transferred to a dry nitrogen gas atmosphere.
  • a quartz glass with a thickness of 0.2 mm is bonded to the temporarily sealed aluminum vapor-deposited surface via a sealing UV curable resin (manufactured by Nagase ChemteX Corporation), and the UV curable resin is cured and bonded by irradiating with UV light. Then, the sample for water vapor barrier property evaluation was produced.
  • the obtained water vapor barrier property evaluation sample was stored under high temperature and high humidity of 85 ° C. and 85% RH, and corrosion of metallic calcium was observed. Observation is performed every 20 hours after storage, and the area where metal calcium corrodes relative to the metal calcium vapor deposition area of 12 mm ⁇ 12 mm is calculated in%, and the time until the area where metal calcium corrodes becomes 50% or more is reached.
  • the water vapor barrier property was evaluated according to the following criteria. The evaluation results thus obtained are shown in Table 1 below.
  • Time until the corroded area of metallic calcium reaches 50% or more is 100 hours or more.
  • hole transport layer Polyethylene dioxythiophene / polystyrene sulfonate (PEDOT / PSS: Baytron (registered trademark) P AI 4083, manufactured by Bayer) diluted with 65% pure water and 5% methanol to form hole transport layer It was prepared as a coating solution.
  • PEDOT / PSS Baytron (registered trademark) P AI 4083, manufactured by Bayer
  • the surface opposite to the surface on which the first electrode layer of the gas barrier film was formed was subjected to a cleaning surface modification treatment.
  • a cleaning surface modification treatment a low-pressure mercury lamp (wavelength: 184.9 nm, irradiation intensity: 15 mW / cm 2 ) was used, and the distance from the gas barrier film was 10 mm. Note that a static eliminator using weak X-rays was used for the charge removal treatment.
  • the thickness of the coating liquid for hole transport layer formation prepared above is 50 nm after drying under the conditions of 25 ° C. and 50% relative humidity (RH) in the air. It applied using the extrusion coating machine. About the obtained coating film, the solvent was removed by blowing air at a distance of 100 mm in height from the film formation surface under the conditions of a discharge wind speed of 1 m / s, a wide wind speed distribution of 5%, and a temperature of 100 ° C., and then heat treatment A back surface heat transfer type heat treatment was performed at a temperature of 150 ° C. by an apparatus to form a hole transport layer.
  • RH relative humidity
  • the white light emitting layer forming coating solution prepared above is dried under an atmosphere having a nitrogen gas concentration of 99% or more at a coating temperature of 25 ° C. and a coating speed of 1 m / min. It apply
  • the solvent was removed by blowing air at a distance of 100 mm in height from the film formation surface under the conditions of a discharge wind speed of 1 m / s, a wide wind speed distribution of 5%, and a temperature of 60 ° C., and then heat treatment The back surface heat transfer type heat treatment was performed at a temperature of 130 ° C. by an apparatus to form a light emitting layer.
  • Electron Transport Layer The following EA was dissolved in 2,2,3,3-tetrafluoro-1-propanol so as to be a 0.5 mass% solution, and an electron transport layer forming coating solution was prepared. .
  • the thickness of the coating liquid for electron transport layer preparation prepared above is dried under the conditions of a nitrogen gas concentration of 99% or more, a coating temperature of 25 ° C., and a coating speed of 1 m / min. It apply
  • the solvent was removed by blowing air at a distance of 100 mm in height from the film formation surface under the conditions of a discharge wind speed of 1 m / s, a wide wind speed distribution of 5%, and a temperature of 60 ° C., and then heat treatment The back surface heat transfer type heat treatment was performed at a temperature of 200 ° C. by an apparatus to form an electron transport layer.
  • An electron injection layer was formed on the electron transport layer formed above. More specifically, a gas barrier film including a first electrode layer, a hole transport layer, a light emitting layer, and an electron transport layer was put into a decompression chamber and decompressed to 5 ⁇ 10 ⁇ 4 Pa. An electron injection layer having a thickness of 3 nm was formed by heating cesium fluoride of a tantalum vapor deposition boat prepared in advance in the vacuum chamber.
  • a second electrode was formed on the electron injection layer formed as described above, except for the portion to be the extraction electrode on the first electrode. More specifically, a gas barrier film including a first electrode layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, and an electron injection layer was put into a decompression chamber and decompressed to 5 ⁇ 10 ⁇ 4 Pa.
  • a second electrode was formed by using aluminum as the second electrode forming material, having an extraction electrode, and forming a mask pattern by vapor deposition so that the emission area was 50 mm ⁇ 50 mm. Note that the thickness of the second electrode was 100 nm.
  • the gas barrier film formed up to the second electrode was moved to a nitrogen atmosphere and cut into a specified size using an ultraviolet laser.
  • Electrode lead connection An anisotropic conductive film DP3232S9 (manufactured by Sony Chemical & Information Device Co., Ltd.) is used for the cut gas barrier film, and a flexible printed circuit board (base film: polyimide 12.5 ⁇ m, rolled copper foil 18 ⁇ m, coverlay: Polyimide 12.5 ⁇ m, surface-treated NiAu plating) was connected. At this time, the connection was made by crimping for 10 seconds at a temperature of 170 ° C. (ACF temperature of 140 ° C. measured separately using a thermocouple) and a pressure of 2 MPa.
  • the organic EL element 1 was produced by adhere
  • thermosetting adhesive containing epoxy adhesive bisphenol A diglycidyl ether (DGEBA), dicyandiamide (DICY), and an epoxy adduct curing accelerator was used. .
  • a thermosetting adhesive with a thickness of 20 ⁇ m was uniformly applied to the aluminum surface along the adhesive surface (shiny surface) of the aluminum foil.
  • the sealing member is closely attached and arranged so as to cover the joint between the extraction electrode and the electrode lead, and is closely attached by the pressure roll under the conditions of a pressure roll temperature of 120 ° C., a pressure of 0.5 MPa, and an apparatus speed of 0.3 m / min. Sealed.
  • 1 gas barrier film (configuration including a base material and a CVD layer), 2, 55, 110 substrate, 3 CVD layer (control layer, intermediate layer, protective layer or functional layer, etc.) 31 manufacturing equipment, 32 Feeding roller, 33, 34, 35, 36 transport rollers, 39, 40 Deposition roller, 41 gas supply pipe, 42 Power supply for plasma generation, 43, 44 Magnetic field generator, 45 take-up roller, 101 plasma CVD apparatus, 102 vacuum chamber, 103 cathode electrode, 105 susceptors, 106 heat medium circulation system, 107 vacuum exhaust system, 108 gas introduction system, 109 high frequency power supply, 160 Heating and cooling device.
  • 201 gas barrier film before protective film peeling
  • 202 gas barrier film after protective film peeling
  • 50 protective film 51 adhesive layer
  • 52 gas barrier layer 53
  • Control layer for example, organic layer, moisture absorption layer, antistatic layer, smooth layer, bleed out layer
  • 54 intermediate layers eg, anchor coat layers, smooth layers, and bleed-out prevention layers
  • 301 organic EL panel 61 organic EL elements, 62 Opposite film, 63 adhesive layer, 64 Transparent electrode.

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Abstract

保護フィルム(50)を除去した後の残存粘着剤の除去工程を簡略化し得るガスバリア性フィルムを提供することを目的とする。 基材(55)と、基材(55)の一方の面上に配置されたガスバリア層(52)と、ガスバリア層(52)上に粘着層(51)を介して配置された保護フィルム(50)と、を有するガスバリア性フィルム(201)であって、ガスバリア層(52)が、基材上(55)にポリシラザンを含有する塗布液を塗布して乾燥させて得られた塗膜に活性エネルギー線を照射して改質処理することにより形成されたものであり、保護フィルム(55)を剥離した状態で測定されるガスバリア層(52)の最表層部の元素存在比C/Siが1.5以下である。

Description

ガスバリア性フィルムおよびその製造方法、並びにこれを用いた電子デバイスおよびその製造方法
 本発明は、ガスバリア性フィルムおよびその製造方法、並びにこれを用いた電子デバイスおよびその製造方法に関する。より詳細には、本発明は、保護フィルムを有するガスバリア性フィルムおよびその製造方法、並びに前記保護フィルムを剥離した前記ガスバリア性フィルムを用いた電子デバイスおよびその製造方法に関する。
 従来、食品、包装材料、医薬品などの分野で、水蒸気や酸素等のガスの透過を防ぐため、樹脂基材の表面に金属や金属酸化物の蒸着膜等の無機膜を設けた比較的簡易な構造を有するガスバリア性フィルムが用いられてきた。
 近年、このような水蒸気や酸素等の透過を防ぐガスバリア性フィルムが、液晶表示素子(LCD)、太陽電池(PV)、有機エレクトロルミネッセンス(EL)素子などの電子デバイスの分野にも利用されつつある。このような電子デバイスに適用可能なガスバリア性フィルムを、例えば、ロールツーロール方式で連続的に製造する際には、巻き取り時の成膜面(詳しくは、樹脂基材表面に成膜されたガスバリア性を有する無機膜の表面)への傷を抑制することなどを目的に、巻き取りローラーにより巻き取る前に保護フィルムを粘着層を介して成膜面に張り付ける、又は保護層を設けている。特に保護フィルムを備えることにより、ガスバリア性フィルム表面を損傷から保護するのに役立ち、かつ、適用する対象物にガスバリア性フィルムを設置し易いといった利点がある。このため保護フィルムを貼合したガスバリア性フィルムの製造方法の検討が行われている。
 例えば、特許文献1では、ラミネートフィルム貼合時の温度と張力を調整することにより、ラミネートフィルム貼合後の温度低下でラミネートフィルムが収縮し、ガスバリア性フィルムが折れ曲がることを防ぐ技術について開示されている。
 また、特許文献2では、基材フィルムと、ガスバリア性を有する無機膜と、保護フィルムとからなるガスバリア性フィルムの製造方法において、前記基材フィルム表面に成膜した前記無機膜を事前に加熱処理して、前記無機膜中の空気を追い出すことにより保護フィルムを張り付けた際の気泡の発生を抑制し、巻き取り時に気泡がつぶれて無機膜が損傷することを防ぐ技術について開示されている。このように、貼合する際のガスバリア性を有する無機膜(ガスバリア層ともいう)の損傷防止を目的として保護フィルムの貼合方法の検討が行われてきた。
特開2013-208855号公報 特開2012-52170号公報
 しかしながら、ポリシラザンを含む層に活性エネルギー線を照射するなどして形成した直後のガスバリア層(ガスバリア性を有する無機膜)表面は極めて清浄であるため、ガスバリア層に保護フィルムを貼合したときに過度に強く密着し、保護フィルムを剥離した後にガスバリア性フィルム上に保護フィルムの粘着層由来の粘着剤が残存してしまうという問題がある。ガスバリア性フィルム上に残存した粘着剤は、電子デバイスをその上に形成したときに素子の腐食の原因となるため、粘着剤を除去する為にUV洗浄といった工程が必要になり、生産効率を低下させる原因となる。また、ガスバリア層を形成後、保護フィルムがない状態で長い時間放置すれば保護フィルムの過度な密着は避けられるが、生産性が低下してしまう。
 したがって、本発明は、上記事情を鑑みてなされたものであり、保護フィルムを除去した後に残存する粘着剤の除去工程を簡略化し得るガスバリア性フィルムを提供することを目的とする。
 本発明者は、上記の問題を解決すべく、鋭意研究を行った。その結果、保護フィルムを剥離した状態で測定されるガスバリア層の最表層部の元素存在比C/Siを一定値以下とすることによって、上記課題が解決できることを見出し、本発明を完成するに至った。
 すなわち、本発明は、基材と、
 前記基材の一方の面上に配置されたガスバリア層と、
 前記ガスバリア層上に粘着層を介して配置された保護フィルムと、
を有するガスバリア性フィルムであって、
 前記ガスバリア層が、前記基材上にポリシラザン化合物を含有する塗布液を塗布して乾燥させて得られた塗膜に活性エネルギー線を照射して改質処理することにより形成されたものであり、
 前記保護フィルムを剥離した状態で測定される前記ガスバリア層の最表層部の元素存在比C/Siが1.5以下であることを特徴とする、ガスバリア性フィルムである。
 本発明によれば、保護フィルムを除去した後に残存する粘着剤の除去工程を簡略化し得るガスバリア性フィルムが提供される。
本発明のガスバリア性フィルムの層構成の一実施形態を示す概略断面図である。 本発明に係る制御層の好ましい形態であるCVD層の形成に用いられる真空プラズマCVD装置の一例を示す模式図である。 本発明に係る制御層の好ましい形態であるCVD層の形成に用いられる他の製造装置の一例を示す模式図である。 本発明に係るガスバリア性フィルムを封止フィルムとして用いた電子デバイスである有機ELパネルの一例である。
 本発明は、基材と、前記基材の一方の面上に配置されたガスバリア層と、前記ガスバリア層上に粘着層を介して配置された保護フィルムと、を有するガスバリア性フィルムであって、前記ガスバリア層が、前記基材上にポリシラザン化合物を含有する塗布液を塗布して乾燥させて得られた塗膜に活性エネルギー線を照射して改質処理することにより形成されたものであり、前記保護フィルムを剥離した状態で測定される前記ガスバリア層の最表層部(XPSのSiO換算で表面から深さ2.8nmまでの範囲)の元素存在比C/Siが1.5以下であることを特徴とする、ガスバリア性フィルムである。
 かような構成を有する本発明のガスバリア性フィルムは、保護フィルムを除去した後に残存する粘着剤の除去工程を簡略化し得る。
 従来のガスバリア性フィルムの保護フィルムは、ガスバリア層の損傷を防ぐ観点では有効であるが、剥離した後の粘着剤の残存量が多いため電子デバイスをガスバリア層上に設ける前に表面の粘着剤をUV洗浄するなどの工程を要する。この処理に要する時間は、粘着剤の残存量に比例するため、従来の電子デバイス用ガスバリア性フィルムの製造方法では残存した粘着剤の除去工程に時間がかかり生産性が低下してしまう。
 一方、本発明に係るガスバリア性フィルムのように、粘着剤の残存量を表す「保護フィルムを剥離した状態で測定した前記ガスバリア層の最表層部の元素存在比C/Si」が1.5以下であれば、ガスバリア性フィルムの使用前における残存粘着剤の除去工程が短時間で済み、場合によっては当該工程をなくすことができる。よって、本発明に係るガスバリア性フィルムによれば保護フィルムを除去した後(使用前)の工程を簡略化することができる。
 以下、本発明の好ましい実施形態を説明する。なお、本発明は、以下の実施の形態のみには限定されない。
 また、特記しない限り、操作および物性等の測定は室温(20~25℃)/相対湿度40~50%の条件で測定する。
 <第1の形態:ガスバリア性フィルム>
 本発明のガスバリア性フィルムの層の構成について、図1を用いて説明する。図1に示すように、本発明のガスバリア性フィルム201は、基材55、基材55上に形成されたガスバリア層52、および前記ガスバリア層52に粘着層51を介して貼合された保護フィルム50を有する。本発明のガスバリア性フィルム201は、(ア)基材55と当該基材55上に形成されるガスバリア層52との間に制御層53(例えば、有機層、吸湿層、帯電防止層、平滑層、ブリードアウト層)を設けた構造;(イ)基材55と当該基材55上に形成されるガスバリア層52または制御層53との間に中間層54(例えば、アンカーコート層、平滑層、およびブリードアウト防止層)を設けた構造;(ウ)ガスバリア層52が形成されていない側の基材55上に別の機能層(図示せず:例えば、有機層、吸湿層、帯電防止層、平滑層、ブリードアウト層)を設けた構造;上記(ア)~(ウ)を適宜組み合わせた構造などであってもよい。
 [基材]
 本発明に係るガスバリア性フィルムは、通常、基材として、プラスチックフィルムまたはシートが用いられ、無色透明な樹脂からなるフィルムまたはシートが好ましく用いられる。用いられるプラスチックフィルムは、シリコン含有膜等を保持できるフィルムであれば材質、厚み等に特に制限はなく、使用目的等に応じて適宜選択することができる。前記プラスチックフィルムとしては、具体的には、ポリエステル樹脂、メタクリル樹脂、メタクリル酸-マレイン酸共重合体、ポリスチレン樹脂、透明フッ素樹脂、ポリイミド、フッ素化ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、セルロースアシレート樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂、ポリカーボネート樹脂、脂環式ポリオレフィン樹脂、ポリアリレート樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリスルホン樹脂、シクロオレフィンコポリマー、フルオレン環変性ポリカーボネート樹脂、脂環変性ポリカーボネート樹脂、フルオレン環変性ポリエステル樹脂、アクリロイル化合物などの熱可塑性樹脂が挙げられる。
 本発明に係るガスバリア性フィルムを有機EL素子等の電子デバイスの封止フィルムとして使用する場合は、前記基材は耐熱性を有する素材からなることが好ましい。具体的には、特開2015-24384号公報(公知文献1もという)の段落「0028」に記載の所定の線膨張係数及び所定のガラス転移温度(Tg)を有する樹脂基材が、同段落「0028」に記載内容から好適に使用される。
 基材のTgや線膨張係数は、添加剤などによって調整することができる。基材として用いることができる熱可塑性樹脂のより好ましい具体例としては、公知文献1の段落「0029」~「0030」に記載するもの等が挙げられる。
 本発明に係るガスバリア性フィルムを偏光板と組み合わせて使用する場合、公知文献1の段落「0031」~「0033」に記載の実施形態を適用することができる。
 本発明に係るガスバリア性フィルムは、有機EL素子等の電子デバイスに利用されることから、基材は透明であることが好ましいが、観察側に設置しない場合などは必ずしも透明性が要求されない。このうち、透明な材料としては、公知文献1の段落「0034」に記載の測定方法で得られる、所定の光線透過率を有するものが好適に用いられる。また不透明な材料としては、公知文献1の段落「0035」に例示するものなどが挙げられる。
 本発明に係るガスバリア性フィルムに用いられる基材の厚みは、用途によって適宜選択されるため特に制限がないが、典型的には1~800μmであり、好ましくは10~200μmである。前記基材(プラスチックフィルム)は、前記基材上に透明導電層、プライマー層等の機能層を有していても良い。機能層については、上述したもののほか、特開2006-289627号公報の段落番号「0036」~「0038」に記載されているものを好ましく採用できる。
 基材は、表面の平滑性が高いものが好ましい。表面の平滑性としては、平均表面粗さ(Ra)が2nm以下であるものが好ましい。下限は特にないが、実用上、0.01nm以上である。必要に応じて、基材の両面、少なくともシリコン含有膜を設ける側を研摩し、平滑性を向上させておいてもよい。
 また、上記に挙げた樹脂等を用いた基材は、未延伸フィルムでもよく、延伸フィルムでもよい。
 基材の少なくとも本発明に係るガスバリア層を設ける側には、密着性向上のための公知の種々の処理、例えばコロナ放電処理、火炎処理、酸化処理、またはプラズマ処理や、後述するプライマー層の積層等を行ってもよく、必要に応じて上記処理を組み合わせて行うことが好ましい。
 [ガスバリア層(PHPS層)]
 ガスバリア層は、基材の一方の面上にポリシラザン化合物を含有する塗布液(以下、単に「塗布液」とも称する)を塗布して乾燥させて得られた塗膜に活性エネルギー線を照射して改質処理することにより形成される。
 (塗布液)
 塗布液は、ポリシラザン化合物を含む。
 ポリシラザン化合物
 ポリシラザン化合物とは、その構造内にSi-N、Si-H、N-H等の結合を有するポリマーであり、SiO、Si、およびこれらの中間固溶体SiO等の無機前駆体として機能する。
 前記ポリシラザン化合物は、特に制限されないが、後述する改質処理を行うことを考慮すると、比較的低温でセラミック化してシリカに変性する化合物であることが好ましく、例えば、特開平8-112879号公報に記載の下記の一般式(1)で表される単位からなる主骨格を有する化合物であることが好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000001
 上記一般式(1)において、R、R及びRは、水素原子、置換または非置換の、アルキル基、アリール基、ビニル基または(トリアルコキシシリル)アルキル基を表す。この際、R、R及びRは、それぞれ、同じであってもあるいは異なるものであってもよい。ここで、アルキル基としては、炭素原子数1~8の直鎖、分岐鎖または環状のアルキル基が挙げられる。より具体的には、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、n-ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、n-ヘキシル基、n-ヘプチル基、n-オクチル基、2-エチルヘキシル基、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基などがある。また、アリール基としては、炭素原子数6~30のアリール基が挙げられる。より具体的には、フェニル基、ビフェニル基、ターフェニル基などの非縮合炭化水素基;ペンタレニル基、インデニル基、ナフチル基、アズレニル基、ヘプタレニル基、ビフェニレニル基、フルオレニル基、アセナフチレニル基、プレイアデニル基、アセナフテニル基、フェナレニル基、フェナントリル基、アントリル基、フルオランテニル基、アセフェナントリレニル基、アセアントリレニル基、トリフェニレニル基、ピレニル基、クリセニル基、ナフタセニル基などの縮合多環炭化水素基が挙げられる。(トリアルコキシシリル)アルキル基としては、炭素原子数1~8のアルコキシ基で置換されたシリル基を有する炭素原子数1~8のアルキル基が挙げられる。より具体的には、3-(トリエトキシシリル)プロピル基、3-(トリメトキシシリル)プロピル基などが挙げられる。上記R~Rに場合によって存在する置換基は、特に制限はないが、例えば、アルキル基、ハロゲン原子、ヒドロキシル基(-OH)、メルカプト基(-SH)、シアノ基(-CN)、スルホ基(-SOH)、カルボキシル基(-COOH)、ニトロ基(-NO)などがある。なお、場合によって存在する置換基は、置換するR~Rと同じとなることはない。例えば、R~Rがアルキル基の場合には、さらにアルキル基で置換されることはない。これらのうち、好ましくは、R、R及びRは、水素原子、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、tert-ブチル基、フェニル基、ビニル基、3-(トリエトキシシリル)プロピル基または3-(トリメトキシシリルプロピル)基である。R、R及びRすべてが水素原子であるパーヒドロポリシラザン(PHPS)が特に好ましい。このようなポリシラザンから形成されるガスバリア層(ガスバリア膜)は高い緻密性を示す。
 パーヒドロポリシラザンは直鎖構造と6員環および8員環を中心とする環構造が存在した構造と推定されている。その分子量は数平均分子量(Mn)で約600~2000程度(ポリスチレン換算)であり、液体または固体の物質でありうる(分子量によって異なる)。当該パーヒドロポリシラザンは、市販品を使用してもよく、当該市販品としては、アクアミカ NN120、NN120-10、NN120-20、NN110、NAX120、NAX120-20、NAX110、NL120A、NL120-20、NL110A、NL150A、NP110、NP140(いずれも、AZエレクトロニックマテリアルズ株式会社製)等が挙げられる。
 塗布液中のポリシラザン化合物の含有量は、所望のガスバリア層の膜厚や塗布液のポットライフ等によっても異なるが、塗布液の全量に対して、0.2質量%~35質量%であることが好ましい。
 前記塗布液は、さらにアミン触媒、金属、および溶媒を含んでいてもよい。
 アミン触媒および金属
 アミン触媒および金属は、後述する改質処理において、ポリシラザン化合物の酸化ケイ素化合物への転化を促進しうる。
 用いられうるアミン触媒としては、特に制限されないが、N,N-ジメチルエタノールアミン、N,N-ジエチルエタノールアミン、トリエタノールアミン、トリエチルアミン、3-モルホリノプロピルアミン、N,N,N’,N’-テトラメチル-1,3-ジアミノプロパン、N,N,N’,N’-テトラメチル-1,6-ジアミノヘキサンが挙げられる。
 また、用いられうる金属としては、特に制限されないが、白金アセチルアセトナート等の白金化合物、プロピオン酸パラジウム等のパラジウム化合物、ロジウムアセチルアセトナート等のロジウム化合物が挙げられる。
 アミン触媒および金属は、ポリシラザン化合物に対して、0.05~10質量%含むことが好ましく、0.1~5質量%含むことが好より好ましく、0.5~2質量%含むことがさらに好ましい。アミン触媒ないし金属の添加量を上記範囲とすると、反応の急激な進行よる過剰なシラノール形成、膜密度の低下、および膜欠陥の増大等を防止しうることから好ましい。
 溶媒
 塗布液に含有されうる溶媒としては、ポリシラザン化合物と反応するものでなければ特に制限はなく、公知の溶媒が用いられうる。具体的には、脂肪族炭化水素、脂環式炭化水素、芳香族炭化水素、ハロゲン化炭化水素等の炭化水素系溶媒;脂肪族エーテル、脂環式エーテル等のエーテル系溶媒が挙げられる。より詳細には、炭化水素溶媒としては、ペンタン、ヘキサン、シクロヘキサン、トルエン、キシレン、ソルベッソ、ターベン、塩化メチレン、トリクロロエタン等が挙げられる。また、エーテル系溶媒としては、ジブチルエーテル、ジオキサン、テトラヒドロフラン等が挙げられる。これらの溶媒は単独で、または2種以上を混合して用いられうる。これらの溶媒は、ポリシラザン化合物の溶解度や溶剤の蒸発速度等を考慮し、目的に応じて適宜選択されうる。
 (塗膜の形成)
 上記塗布液を基材上に塗布して乾燥することによって、塗膜が得られる。
 塗布液の塗布方法としては、適宜公知の方法が採用されうる。塗布方法としては、例えば、スピンコート法、ロールコート法、フローコート法、インクジェット法、スプレーコート法、プリント法、ディップコート法、流延成膜法、バーコート法、ワイヤレスバーコート法、グラビア印刷法が挙げられる。
 塗布厚さは、目的に応じて適切に設定され得る。例えば、塗布厚さは、乾燥後の厚さが10~1000nmであることが好ましく、20~600nmであることがより好ましく、40~400nmであることがさらに好ましい。膜厚が10nm以上であれば十分なバリア性を得ることができ、1000nm以下であれば、層形成時に安定した塗布性を得ることができ、かつ高い光線透過性を実現できる。
 塗布液を塗布した後は、塗膜を乾燥させる。塗膜を乾燥することによって、塗膜中に含有される有機溶媒を除去することができる。
 塗膜の乾燥温度は、適用する基材によっても異なるが、20~200℃であることが好ましい。例えば、ガラス転移温度(Tg)が70℃のポリエチレンテレフタレート基材を基材として用いる場合には、乾燥温度は、熱による基材の変形等を考慮して150℃以下に設定することが好ましい。
 (塗膜の改質処理)
 本発明における上記塗膜(塗布法により形成されたガスバリア層)の改質処理とは、ケイ素化合物の酸化ケイ素または酸窒化ケイ素等への転化反応を指し、具体的には本発明のガスバリア性フィルムが全体としてガスバリア性を発現するのに貢献できるレベルの無機薄膜(であるガスバリア層)を形成する処理をいう。
 ケイ素化合物の酸化ケイ素または酸窒化ケイ素等への転化反応は、公知の方法を適宜選択して適用することができる。改質処理としては、活性エネルギー線照射が挙げられ、具体的には、プラズマ処理、紫外線照射処理、或いはイオン注入処理が挙げられる。
 真空紫外線照射処理:エキシマ照射処理
 本発明において、最も好ましい改質処理方法は、真空紫外線照射による処理(エキシマ照射処理)である。真空紫外線照射による処理は、改質を効率的に行う観点から使用する波長は200nm以下である必要があり、ポリシラザン化合物内の原子間結合力より大きい100~200nmの光エネルギーを用いればよく、好ましくは100~180nmの波長の光エネルギーを用い、原子の結合を光量子プロセスと呼ばれる光子のみの作用により、直接切断しながら活性酸素やオゾンによる酸化反応を進行させることで、比較的低温(約200℃以下)で、酸化ケイ素膜の形成を行う方法である。ここで、ポリシラザン化合物の改質とは、ポリシラザン化合物が酸化ケイ素化合物および/または酸窒化ケイ素化合物へ転化することを意味する。
 真空紫外線(真空紫外光ともいう)の光源としては、特に限定されず、公知のものが使用されうる。例えば、低圧水銀ランプ、エキシマランプ等が挙げられる。これらのうち、エキシマランプ、特にキセノン(Xe)エキシマランプを用いることが好ましい。
 このようなエキシマ光(真空紫外光)の照射装置は、市販のランプ(例えば、ウシオ電機株式会社製、株式会社エム・ディ・コム製)を使用することが可能である。
 真空紫外光照射の照射強度は、使用する基材やガスバリア層の組成、濃度等によっても異なるが、1mW/cm~100kW/cmであることが好ましく、1mW/cm~10W/cmであることがより好ましい。
 真空紫外光照射の時間は、使用する基材やガスバリア層の組成、濃度等によっても異なるが、0.1秒~10分であることが好ましく、0.5秒~3分であることがより好ましい。
 真空紫外光の積算光量は、特に制限されないが、200~5000mJ/cmであることが好ましく、500~3000mJ/cmであることがより好ましい。真空紫外光の積算光量が200mJ/cm以上であると、十分な改質が行われることにより高いバリア性が得られうることから好ましい。一方、真空紫外光の積算光量が5000mJ/cm以下であると、基材が変形することなく平滑性の高いガスバリア層が形成されうることから好ましい。
 また、真空紫外光の照射温度は、適用する基材によっても異なり、当業者によって適宜決定されうる。真空紫外光の照射温度は、50~200℃であることが好ましく、80~150℃であることがより好ましい。照射温度が上記範囲内であると、基材の変形や強度の劣化等が生じにくく、基材の特性が損なわれないことから好ましい。
 さらに、真空紫外光の照射雰囲気は、特に制限されないが、活性酸素やオゾンを発生させて効率的に改質を行う観点から酸素を含む雰囲気下で行うことが好ましい。真空紫外照射の酸素濃度は10~10000体積ppm(0.001~1体積%)であることが好ましく、50~5000体積ppmであることがより好ましい。酸素濃度が10体積ppm以上であると、改質効率が高くなることから好ましい。一方、酸素濃度が10000体積ppm以下であると、大気と酸素との置換時間が短縮されうることから好ましい。
 活性エネルギー線照射処理(紫外線照射処理等)の対象となる塗膜は、塗布時に酸素および微量の水分が混入し、さらには基材や隣接層等にも吸着酸素や吸着水が存在しうる。当該酸素等を利用すれば、照射庫内に新たに酸素を導入しなくとも、改質処理を行う活性酸素やオゾンの発生に要する酸素源は十分でありうる。また、Xeエキシマランプのような172nmの真空紫外光は酸素により吸収されるため、塗膜に到達する真空紫外線量が減少する場合があることから、真空紫外光の照射時には、酸素濃度を低く設定し、真空紫外光が効率よく塗膜まで到達できる条件とすることが好ましい。
 上述の改質処理によって得られるガスバリア層の膜厚や密度等は、塗布条件や真空紫外光照射の条件等を適宜選択することにより制御することができる。例えば、真空紫外光の照射方法を、連続照射、複数回に分割した照射、複数回の照射が短時間な、いわゆるパルス照射等から適宜選択することで、ガスバリア層の膜厚や密度等が制御されうる。
 ガスバリア層の厚さ(塗布厚さ)は、目的に応じて適切に設定され得る。例えば、ガスバリア層の厚さ(塗布厚さ)は、乾燥後の厚さとして、1nm~100μm程度であることが好ましく、10nm~10μm程度であることがより好ましく、50nm~2μmであることがさらにより好ましく、20nm~1μmであることが特に好ましい。ガスバリア層の膜厚が1nm以上であれば十分なバリア性を得ることができ、100μm以下であれば、ガスバリア層形成時に安定した塗布性を得ることができ、かつ高い光線透過性を実現できる。
 また、ガスバリア層は、適度な表面の平滑性を有することが好ましい。具体的には、ガスバリア層の表面の平滑性としては、ガスバリア層の中心線平均粗さ(Ra)が、50nm以下であることが好ましく、10nm以下であることがより好ましい。このようなガスバリア層の中心線平均粗さ(Ra)の下限は、特に制限されないが、実用上、0.01nm以上であり、0.1nm以上であることが好ましい。このようなRaを有するガスバリア層であれば、当該ガスバリア層中の凹凸に良好に対応して当該ガスバリア層上にさらに別のガスバリア層を形成することもできる。このため、ガスバリア層に生じるクラックやダングリングボンド等の欠陥を別のガスバリア層がより効率よく被覆して、密な表面を形成することができる。ゆえに、高温高湿条件下でのガスバリア性(例えば、低酸素透過性、低水蒸気透過性)の低下をより有効に抑制・防止できる。なお、本明細書において、ガスバリア層の中心線平均粗さ(Ra)は、原子間力顕微鏡(AFM)を使用し、試料の表面を測定したAFMトポグラフィー像につき傾斜自動補正処理を行い、次いで3次元粗さ解析を行うことにより求めることができる。
 改質処理の程度については、形成されたガスバリア層をXPS分析することによって、ケイ素(Si)原子、窒素(N)原子、酸素(O)原子等の各原子組成比を求めることで確認できる。なお、本明細書において「XPS分析」は、実施例に記載の方法により測定されるものとする。
 なお、下記別のガスバリア層を設けた場合、その補修効果等により、得られるガスバリア性フィルムは高いガスバリア性を有する。よって、ガスバリア層のガスバリア性は多少低くてもよい。より具体的には、ガスバリア層の水蒸気バリア性は、金属カルシウムが腐食した面積が50%以上になるまでの時間が、100時間以上であることが好ましく、200時間以上であることがより好ましい。なお、上記「水蒸気バリア性」は実施例の《評価2:水蒸気バリア性の評価》に記載の方法によって測定することができる。ただし、実施例に記載の方法では、20時間ごとに測定しているが、例えば、最初は50時間ごとに測定し、腐食した面積が50%に近付いた時点で測定間隔を短くして、腐食した面積が50%以上になるまでの時間を特定してもよい。このように測定時間の間隔については、特に制限されるものではないが、より計測回数が少なくなるように適宜工夫すればよい。
 [制御層/中間層/保護層/機能層]
 一実施形態において、ガスバリア性フィルムは制御層/中間層/保護層/機能層を有していてもよい。制御層は、通常、基材とガスバリア層との間に配置される。なお、ここでいう「保護層」は、「保護フィルム」とは異なるものである。
 (CVD層)
 前記制御層/中間層/保護層/機能層は、CVD層(化学気相蒸着(CVD)法により形成された層)であってもよく、好ましくは、制御層は、CVD層である。ここで、CVD層は、ケイ素、アルミニウムおよびチタンからなる群より選択される少なくとも1種の酸化物、窒化物、酸窒化物または酸炭化物の少なくとも1種を含む。ケイ素、アルミニウムおよびチタンからなる群より選択される少なくとも1種の酸化物、窒化物、酸窒化物または酸炭化物としては、具体的には、酸化ケイ素(SiO)、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素(SiON)、酸炭化ケイ素(SiOC)、炭化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化チタン、およびアルミニウムシリケートなどのこれらの複合体が挙げられる。これらは、副次的な成分として他の元素を含有してもよい。
 CVD層は上記化合物を有することで、ガスバリア性を有する。ここで、CVD層のガスバリア性は、基材上にCVD層を形成させた積層体で算出した際に、以下の方法により測定された透過水分量が0.1g/(m・24h)以下であることが好ましく、0.01g/(m・24h)以下であることがより好ましい。
 〔透過水分量(WVTR)の測定方法〕
 以下の測定方法に従って、基材上にCVD層を形成させた積層体試料の透過水分量を測定する。
 試料のCVD層面に、真空蒸着装置(日本電子株式会社製、真空蒸着装置 JEE-400)を用い、積層体試料の蒸着させたい部分(12mm×12mmを9箇所)以外をマスクし、金属カルシウム(粒状)を蒸着させる(蒸着膜厚80nm)。その後、真空状態のままマスクを取り去り、シート片側全面に水蒸気不透過性の金属である金属アルミニウム(直径(φ)3~5mm、粒状)をもう一つの金属蒸着源から蒸着させる。アルミニウム封止後、真空状態を解除し、速やかに乾燥窒素ガス雰囲気下で、厚さ0.2mmの石英ガラスに封止用紫外線硬化樹脂(ナガセケムテックス株式会社製)を介してアルミニウム封止側と対面させ、紫外線を照射することで、評価用セルを作製する。
 得られた試料を85℃、85%RHの高温高湿下で保存し、特開2005-283561号公報に記載の方法に基づき、金属カルシウムの腐食量からセル内に透過した水分量を計算する。
 なお、CVD層面以外からの水蒸気の透過がないことを確認するために、比較試料として積層体試料の代わりに、厚さ0.2mmの石英ガラス板を用いて金属カルシウムを蒸着した試料を、同様な85℃、85%RHの高温高湿下保存を行い、300時間経過後でも金属カルシウム腐食が発生しないことを確認する。
 CVD層の形成に用いられる原料化合物としては、ケイ素化合物、チタン化合物、およびアルミニウム化合物を用いる。
 これらは従来公知の化合物を用いることができる。
 また、金属を含む原料ガスを分解して無機化合物を得るための分解ガスとしては、水素ガス、メタンガス、アセチレンガス、一酸化炭素ガス、二酸化炭素ガス、窒素ガス、アンモニアガス、亜酸化窒素ガス、酸化窒素ガス、二酸化窒素ガス、酸素ガス、水蒸気などが挙げられる。また、上記分解ガスを、アルゴンガス、ヘリウムガスなどの不活性ガスと混合してもよい。ここで、金属を含む原料ガスは、CVD層の形成に用いられる原料化合物のことである。
 以下、本発明に係るCVD層の形成に用いられるCVD法のうち、好適な形態であるプラズマCVD法について具体的に説明する。
 図2は、本発明に係るCVD層の形成に用いられる真空プラズマCVD装置の一例を示す模式図である。
 図2において、真空プラズマCVD装置101は、真空槽102を有しており、真空槽102の内部の底面側には、サセプタ105が配置されている。また、真空槽102の内部の天井側には、サセプタ105と対向する位置にカソード電極103が配置されている。真空槽102の外部には、熱媒体循環系106と、真空排気系107と、ガス導入系108と、高周波電源109が配置されている。熱媒体循環系106内には熱媒体が配置されている。熱媒体循環系106には、熱媒体を移動させるポンプと、熱媒体を加熱する加熱装置と、冷却する冷却装置と、熱媒体の温度を測定する温度センサと、熱媒体の設定温度を記憶する記憶装置とを有する加熱冷却装置160が設けられている。図2に記載の真空プラズマCVD装置の詳細については、国際公開番号WO12・014653を参照することができる。
 また、生産性の観点から、ロールツーロール方式で前記基材の表面上に前記CVD層を形成させることが好ましい。また、このようなプラズマCVD法によりCVD層を製造する際に用いることが可能な装置としては、特に制限されないが、少なくとも一対の成膜ローラーと、プラズマ電源とを備え、かつ前記一対の成膜ローラー間において放電することが可能な構成となっている装置であることが好ましく、例えば、図3に示す製造装置を用いた場合には、プラズマCVD法を利用しながらロールツーロール方式で製造することも可能となる。
 以下、図3を参照しながら、CVD層の形成方法について、より詳細に説明する。なお、図3は、CVD層を製造するために好適に利用することが可能な製造装置の一例を示す模式図である。また、以下の説明および図面中、同一または相当する要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。
 図3に示す製造装置31は、送り出しローラー32と、搬送ローラー33、34、35、36と、成膜ローラー39、40と、ガス供給管41と、プラズマ発生用電源42と、成膜ローラー39および40の内部に設置された磁場発生装置43、44と、巻取りローラー45とを備えている。また、このような製造装置においては、少なくとも成膜ローラー39、40と、ガス供給管41と、プラズマ発生用電源42と、磁場発生装置43、44とが図示を省略した真空チャンバ内に配置されている。さらに、このような製造装置31において前記真空チャンバは図示を省略した真空ポンプに接続されており、かかる真空ポンプにより真空チャンバ内の圧力を適宜調整することが可能となっている。装置に関する詳細は従来公知の文献、例えば、特開2011-73430号公報を参照することができる。
 上記したように、本実施形態のより好ましい態様としては、CVD層を、図3に示す対向ロール電極を有するプラズマCVD装置(ロールツーロール方式)を用いたプラズマCVD法によって成膜する。これは、対向ロール電極を有するプラズマCVD装置(ロールツーロール方式)を用いて量産する場合に、可撓性(屈曲性)に優れ、機械的強度、特にロールツーロールでの搬送時の耐久性と、バリア性能とが両立するCVD層を効率よく製造することができるためである。このような製造装置は、太陽電池や電子部品などに使用される温度変化に対する耐久性が求められるガスバリア性フィルムを、安価でかつ容易に量産することができる点でも優れている。
 [中間層/保護層/機能層]
 上述の基材と当該基材上に形成されるガスバリア層または制御層との間または上記いずれかの層の表面に、本発明の効果を損なわない範囲で別途、中間層/保護層/機能層を設けてもよい。例えば、基材のガスバリア層が配置された面とは反対の面(基材表面)(機能層)、基材とガスバリア層または制御層との間(中間層)には、アンカーコート層、平滑層、およびブリードアウト防止層等の中間層が形成されうる。なお、中間層は、基材とガスバリア層との間に形成されることが好ましい。
 (アンカーコート層)
 本発明に係るガスバリア性フィルムの基材上には、接着性(密着性)の向上を目的として、アンカーコート層を易接着層として形成してもよい。このアンカーコート層に用いられるアンカーコート剤としては、ポリエステル樹脂、イソシアネート樹脂、ウレタン樹脂、アクリル樹脂、エチレンビニルアルコール樹脂、ビニル変性樹脂、エポキシ樹脂、変性スチレン樹脂、変性シリコン樹脂、およびアルキルチタネート等を、1種または2種以上併せて使用することができる。上記アンカーコート剤は、市販品を使用してもよい。具体的には、JSR株式会社製のUV硬化型有機/無機ハイブリッドハードコート材 OPSTARZ7501を用いることができる。
 これらのアンカーコート剤には、従来公知の添加剤を加えることもできる。そして、上記のアンカーコート剤は、ロールコート、グラビアコート、ナイフコート、ディップコート、スプレーコート等の公知の方法により基材上にコーティングし、溶剤、希釈剤等を乾燥除去することによりコーティングすることができる。上記のアンカーコート剤の塗布量としては、0.1~5g/m(乾燥状態)程度が好ましい。なお、市販の易接着層付き基材を用いてもよい。
 また、アンカーコート層は、物理蒸着法または化学蒸着法といった気相法により形成することもできる。例えば、特開2008-142941号公報に記載のように、接着性等を改善する目的で酸化ケイ素を主体とした無機膜を形成することもできる。
 また、アンカーコート層の厚さは、特に制限されないが、0.5~10.0μm程度が好ましい。
 (平滑層)
 平滑層は、通常、基材の一方の面上に形成され、微小な突起等が存在する基材の粗面を平坦化し、基材上に成膜するガスバリア層などにおける凹凸やピンホールの発生を防止する機能を有する。平滑層は、感光性樹脂組成物を基材上に塗布した後、硬化させることによって形成されうる。
 前記感光性樹脂組成物は、通常、感光性樹脂、光重合開始剤、および溶媒を含む。
 前記感光性樹脂としては、光重合性不飽和結合を分子内に1個以上有する反応性モノマーを含有している感光性樹脂であれば特に制限されないが、ラジカル反応性不飽和結合を有するアクリレート化合物を含有する樹脂、アクリレート化合物とチオール基を有するメルカプト化合物を含有する樹脂、エポキシアクリレート、ウレタンアクリレート、ポリエステルアクリレート、ポリエーテルアクリレート、ポリエチレングリコールアクリレート、グリセロールメタクリレート等の多官能アクリレートモノマーを含有する樹脂等が挙げられる。これらの樹脂は、単独で、または2種以上を混合して用いられうる。
 前記感光性樹脂組成物は、必要に応じてさらに酸化防止剤、紫外線吸収剤、可塑剤、無機粒子、感光性樹脂以外の樹脂等の添加剤が添加されていてもよい。
 平滑層の平滑性は、JIS B 0601に規定される表面粗さで表現される値で、最大断面高さRt(p)が、10~30nmであることが好ましい。Rt(p)が10nm以上であると、ポリシラザン化合物を含む塗布液を塗布して塗膜を形成する工程において、ワイヤーバー、ワイヤレスバー等の塗布方式で平滑層表面に塗工手段が接触する場合に、安定した塗布性が得られうることから好ましい。一方、Rt(p)が30nm以下であると、後述の工程で得られるガスバリア層の凹凸が平滑化されうることから好ましい。
 平滑層の厚さとしては、特に制限されないが、1~10μmであることが好ましく、2~7μmであることがより好ましい。平滑層の厚さが1μm以上であると、上記平滑層としての機能を十分に発揮しうることから好ましい。一方、平滑層の厚さが10μm以下であると、ガスバリア性フィルムの光学特性のバランスを調整することができ、ガスバリア性フィルムのカールを抑制しうることから好ましい。
 (ブリードアウト防止層)
 平滑層を有する基材は、加熱の際に基材中から表面に未反応のオリゴマー等が移行して、基材表面が汚染されうる。ブリードアウト防止層は、当該基材表面の汚染を抑制する機能を有する。当該ブリードアウト防止層は、通常、平滑層を有する基材の平滑層とは反対の面に設けられる。
 ブリードアウト防止層は、上記機能を有していれば、平滑層と同じ構成であってもよい。すなわち、ブリードアウト防止層は、感光性樹脂組成物を基材上に塗布した後、硬化させることによって形成されうる。
 前記感光性樹脂組成物は、感光性樹脂、光重合開始剤、および溶媒を含む。前記感光性樹脂、光重合開始剤、および溶媒は上述の平滑層に記載のものと同様のものが用いられうる。また、前記感光性樹脂組成物は、上述の平滑層と同様に、さらに酸化防止剤、紫外線吸収剤、可塑剤、無機粒子、感光性樹脂以外の樹脂等の添加剤が添加されていてもよい。
 したがって、例えば、各種成分を適宜配合して所定の希釈溶剤を加えて塗布液を調製し、当該塗布液を基材上に公知の塗布方法によって塗布する。その後、電離放射線を照射して硬化させることによりブリードアウト防止層が形成されうる。
 ブリードアウト防止層の厚さとしては、1~10μmであることが好ましく、2~7μmであることがより好ましい。ブリードアウト防止層の厚さが1μm以上であると、ガスバリア性フィルムの耐熱性が向上しうることから好ましい。一方、ブリードアウト防止層の厚さが10μm以下であると、ガスバリア性フィルムの光学特性が好適に調整され、また、ガスバリア性フィルムのカールを抑制しうることから好ましい。
 基材上に、上述のアンカーコート層、平滑層、およびブリードアウト層からなる群から選択される少なくとも1つの中間層が形成される場合には、基材および中間層の総膜厚は、5~500μmであることが好ましく、25~250μmであることがより好ましい。
 また、ガスバリア層と制御層との層間に中間層を形成してもよい。
 当該中間層は、ガスバリア層のガスバリア性を強化する目的、ガスバリア層と制御層との接着性を強化する目的等で形成されうる。この際、前記中間層は、本発明の効果を損なわない範囲で形成される。
 中間層は、無機層、有機層、および有機無機ハイブリッド層等のいずれであってもよいが、無機層であることが好ましい。
 無機層の材料としては、特に制限されないが、ジルコニア、チタニア等が挙げられる。
 無機層の厚さとしては、0.05~10nmであることが好ましく、0.1~5nmであることがより好ましい。
 (保護層)
 保護層に用いられる有機物としては、有機モノマー、オリゴマー、ポリマー等の有機樹脂、有機基を有するシロキサンやシルセスキオキサンのモノマー、オリゴマー、ポリマー等を用いた有機無機複合樹脂層を好ましく用いることができる。これらの有機樹脂もしくは有機無機複合樹脂は重合性基や架橋性基を有することが好ましく、これらの有機樹脂もしくは有機無機複合樹脂を含有し、必要に応じて重合開始剤や架橋剤等を含有する有機樹脂組成物塗布液から塗布形成した層に、光照射処理や熱処理を加えて硬化させることが好ましい。
 保護層には、無機材料を含有させることができる。無機材料を含有させることは一般的に保護層の弾性率増加につながる。無機材料の含有比率を適宜調整することでも保護層の弾性率を所望の値に調整することができる。
 保護層は、前記有機樹脂や無機材料、および必要に応じて他の成分を配合して、適宜必要に応じて用いる希釈溶剤によって塗布液として調製し、当該塗布液を基材表面に従来公知の塗布方法によって塗布した後、電離放射線を照射して硬化させることにより形成することが好ましい。なお、電離放射線を照射する方法としては、超高圧水銀灯、高圧水銀灯、低圧水銀灯、カーボンアーク、メタルハライドランプなどから発せられる100~400nm、好ましくは200~400nmの波長領域の紫外線を照射する。又は走査型やカーテン型の電子線加速器から発せられる100nm以下の波長領域の電子線を照射することにより行うことができる。
 また、保護層は上述のエキシマランプによる照射で硬化させることもできる。ガスバリア層と保護層とを同一ラインで塗布形成する場合には、オーバーコート層の硬化もエキシマランプによる照射で行うことが好ましい。
 また保護層として、前記中間層のポリシロキサン改質層を形成する方法を適用することができる。
 [保護フィルム]
 本発明に係るガスバリア性フィルムは、前記ガスバリア層上に粘着層を介して配置された保護フィルムを有する。保護フィルムを備えることにより、ガスバリア性フィルム表面を損傷から保護するのに役立ち、かつ、ガスバリア性フィルムを適用する対象物に設置し易い。よって、本発明に係るガスバリア性フィルムを有機EL素子等の電子デバイスの基板として使用する場合にガスバリア層の欠陥による素子の劣化を防ぐことができる。
 本発明に係るガスバリア性フィルムは、前記保護フィルムを剥離した状態で測定される前記ガスバリア層の最表層部の元素存在比C/Siが1.5以下であることを特徴とする。前記保護フィルムを剥離した状態で測定される前記ガスバリア層の最表層部の元素存在比C/Siが1.5より大きいと、残存粘着剤の除去工程に要する時間が長くなり、生産性の観点から好ましくない。また、前記ガスバリア層の最表層部の元素存在比C/Siとして、好ましくは1.2以下である。前記ガスバリア層の最表層部の元素存在比C/Siが1.2以下であれば、本発明に係るガスバリア性フィルムを前記改質処理の終了から前記保護フィルムの貼合まで一定時間おいてから保護フィルムを貼合することにより得る場合に放置の時間による生産性への影響が抑えられるため好ましい。さらに、前記ガスバリア層の最表層部の元素存在比C/Siとしてより好ましくは1.0以下であり、更に好ましくは0.8以下であり、さらにより好ましくは0.6以下であり、特に好ましくは、0.5未満である。前記ガスバリア層の最表層部の元素存在比C/Siは低いほど好ましいが、元素存在比C/Siは0.3以上とすることが好ましい。保護フィルム剥離後の前記ガスバリア層の最表層部の元素存在比C/Siが0.5未満であれば、場合によっては後述の残存粘着剤の除去工程を行う必要がなく、本発明に係るガスバリア性フィルム上に電子デバイス本体が設けられてなる電子デバイスの生産性を大幅に向上させることができる。
 なお、XPS測定は、下記実施例のXPS分析条件のように、ガスバリア層の基材と反対側の表面をArで一定の深さずつスパッタしながら測定し、C/Siをプロットすることにより行うことができる。本発明について「ガスバリア層の最表層部」とは、実施例に記載の通り、プロット間隔をSiO換算で2.8nmに設定して測定した場合の、1プロット目を測定した部分を意味する。C/Si測定は、試料作成後、保護フィルムが1分以上貼りついた状態の本発明に係るガスバリア性フィルムを、XPS装置に合致したサイズに試料を断裁し、剥離後6時間以内に測定した値を意味する。
 以下、保護フィルムおよび粘着層の好ましい形態を説明する。
 本発明に係る保護フィルムとしては、特に制限はないが、少なくとも樹脂材料からなるフィルムが挙げられる。本発明における保護フィルムは、ガスバリア性フィルムのガスバリア層に貼合する前には、ロール状に巻いてあってもよい。また、粘着層側のフィルム表面に離型層を有していてもよく、離形層を貼り合わせた状態でロール状に巻いてあってもよい。
 保護フィルムに用いられる樹脂材料(樹脂フィルム)としては、特に制限はないが、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム等のポリオレフィン系フィルム;ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート等のポリエステルフィルム・ヘキサメチレンアジパミド等のポリアミド系フィルム;ポリビニルクロライド、ポリビニリデンクロライド、ポリフルオロエチレン等の含ハロゲン系フィルム;ポリ酢酸ビニル、ポリビニルアルコール、エチレン酢酸ビニル共重合体等の酢酸ビニル及びその誘導体フィルム等のプラスチックフィルムが、紙とは異なり微細塵を発生しないことから好ましい。なお、本発明においては、耐熱性および、入手の容易性の観点からポリエチレンテレフタラートフィルムが好ましく用いられる。
 保護フィルムの厚さも特に制限はされないが、10μm~300μmのものが使用される。好ましくは25μm~150μmのものである。10μm以上であればフィルムが薄くなりすぎることもなく、良好に取り扱うことができる。一方、300μm以下であれば、保護フィルムが硬くなりすぎることもなく、良好な搬送性やロールへの密着性が得られる。
 (粘着層)
 粘着層は、ガスバリア層上に保護フィルムを貼り合せる目的で、ガスバリア層と保護フィルムとの間に配置されている。保護フィルム上に、粘着剤に、架橋剤を添加した粘着剤組成物を塗布し、架橋することで粘着層を形成できる。以下、粘着層を形成した保護フィルムを粘着層付きの保護フィルムともいう。すなわち、粘着層付きの保護フィルムは、基材の保護フィルムと、該基材(保護フィルム)上に形成した粘着層とを有する構成であり、これらの構成を有するものを、単に保護フィルムとして説明する場合もある。
 粘着剤の種類としては特に制限はなく、例えば、アクリル系粘着剤、ゴム系粘着剤、ウレタン系粘着剤、シリコン系粘着剤、紫外線硬化型粘着剤、ポリオレフィン系粘着剤、エチレン酢酸ビニルコポリマー(EVA)系粘着剤などを挙げることができるが、アクリル系粘着剤、シリコン系粘着剤及びゴム系粘着剤から選ばれる少なくとも1種であることが好ましい。
 アクリル系粘着剤としては、例えば、(メタ)アクリル酸エステルの単独重合体または他の共重合性モノマーとの共重合体が用いられる。更に、これらの共重合体を構成するモノマーもしくは共重合性モノマーとしては、例えば、(メタ)アクリル酸のアルキルエステル(例えば、メチルエステル、エチルエステル、ブチルエステル、2-エチルヘキシルエステル、オクチルエステル、イソノニルエステル等)、(メタ)アクリル酸のヒドロキシアルキルエステル(例えば、ヒドロキシエチルエステル、ヒドロキシブチルエステル、ヒドロキシヘキシルエステノレ)、(メタ)アクリル酸グリシジルエステル、(メタ)アクリル酸、イタコン酸、無水マレイン酸、(メタ)アクリル酸アミド、(メタ)アクリル酸N-ヒドロキシメチルアミド、(メタ)アクリル酸アルキルアミノアルキルエステル(例えば、ジメチルアミノエチノレメタクリレート、t-ブチノレアミノエチノレメタクリレート等)、酢酸ビニル、スチレン、アクリロニトリルなどが挙げられる。主要成分のモノマーとしては、通常、ホモポリマーのガラス転移点が500℃以下のアクリル酸アルキルエステルが使用される。
 アクリル系粘着剤の硬化剤としては、例えば、イソシアネート系、エポキシ系、アリジリン系硬化剤が利用できる。イソシアネート系硬化剤では、長期保存後も安定した粘着力を得ることと、より硬い粘着層とする目的で、トノレイレンジイソシアネート(TDI)等の芳香族系のタイプを好ましく用いることができる。更に、この粘着剤には、添加剤として、例えば、安定剤、紫外線吸収剤、難燃剤、帯電防止剤を含有させることもできる。
 また、再剥離性を付与させるため、あるいは粘着力を低く安定に維持するために、それらの成分が相手基材に移行しない程度に、ワックス等の有機樹脂、シリコン、フッ素等の低表面エネルギーを有する成分を添加しても良い。例えば、ワックス等の有機樹脂では、高級脂肪酸エステルや低分子のフタル酸エステルを用いても良い。
 ゴム系粘着剤としては、例えば、ポリイソブチレンゴム、ブチルゴムとこれらの混合物、或いは、これらゴム系粘着剤にアピエチン酸ロジンエステル、テルぺン・フェノール共重合体、テルぺン・インデン共重合体などの粘着付与剤を配合したものが用いられる。
 ゴム系粘着剤のベースポリマーとしては、例えば、天然ゴム、イソプレン系ゴム、スチレン-タジエン系ゴム、再生ゴム、ポリイソブチレン系ゴム、更にはスチレン-イソプレンスチレン系ゴム、スチレンブタジエンスチレン系ゴム等が挙げられる。
 中でも、ブロックゴム系粘着剤は、一般式A-B-Aで表されるブロック共重合体や一般式A-Bで表されるブロック共重合体(但し、Aはスチレン系重合体ブロック、Bはブタジエン重合体ブロック、イソプレン重合体ブロック、またはそれらを水素添加して得られるオレフィン重合体ブロックであり、以下、スチレン系熱可塑性エラストマーという)を主体に、粘着付与樹脂、軟化剤などが配合された組成物が挙げられる。
 上記ブロックゴム系粘着剤において、スチレン系重合体ブロックAは平均分子量が4,000~120,000程度のものが好ましく、更に10,000~60,000程度のものがより好ましい。そのガラス転移温度は150℃以上のものが好ましい。また、ブタジエン重合体ブロック、イソプレン重合体ブロックまたはこれらを水素添加して得られるオレフィン重合体ブロックBは、平均分子量が30,000~400,000程度のものが好ましく、更に60,000~200,000程度のものがより好ましい。そのガラス転移温度は-150℃以下のものが好ましい。上記A成分とB成分との好ましい質量比はA/B=5/95~50/50であり、更に好ましくはA/B=10/90~30/70である。A/Bの値が、50/50以下であれば常温においてポリマーのゴム弾性が小さくなりすぐることもなく、粘着性を十分に発現することができる。一方、A/Bの値が5/95以上であればスチレンドメインが疎になることもなく、凝集力が不足することもなく、所望の接着力が得られる。そのため、剥離時に接着層がちぎれてしまう等の不具合を効果的に防止することができる。
 更に、上記粘着剤に、ポリオレフィン系樹脂を添加することにより、保護フィルム(剥離紙もしくは剥離フィルム)からの離型性を向上することができる。このポリオレフィン系樹脂としては、例えば、低密度ポリエチレン、中密度ポリエチレン、高密度ポリエチレン、線状低密度ポリエチレン、エチレンαオレフィン共重合体、プロピレンαオレフィン共重合体、エチレン-エチルアクリレート共重合体、エチレン-酢酸ビニル共重合体、エチレンメチルメタクリレート共重合体、エチレンn-ブチルアクリレート共重合体及び、これらの混合物が挙げられる。
 このポリオレフィン系樹脂は、低分子量分が少ないことが好ましく、具体的には、nーペンタンによる沸点乾留で抽出される低分子量分が1.0質量%未満であることが好ましい。低分子量分が1.0質量%未満であれば、この低分子量分が温度変化や経時変化に応じて、粘着特性に影響することもなく、粘着力を維持(保持)することができるからである。
 また、上記粘着剤には、シリコンオイルを添加することにより、ガスバリア層(ポリビニルアルコールを主成分とする塗膜が設けられた白背面)との親和性を更に低下せしめることができる。このシリコンオイルはポリアルコキシシロキサン鎖を主鎖にもつ高分子化合物で、粘着層の疎水性を高め、更に接着界面、即ち、粘着層表面にブリードするため、粘着剤の接着力を抑制し、接着昂進(促進)現象が起き難くする働きがある。
 上記ゴム系粘着剤に、架橋剤を添加し架橋することで粘着層とする。
 架橋剤としては、例えば、天然ゴム系粘着剤の架橋には、イオウと加硫助剤および加硫促進剤(代表的なものとして、ジブチルチオカーパメイト亜鉛など)が使用される。天然ゴムおよびカルボン酸共重合ポリイソプレンを原料とした粘着剤を室温で架橋可能な架橋剤として、ポリイソシアネート類が使用される。ブチルゴムおよび、天然ゴムなどの架橋剤に耐熱性と非汚染性の特色がある架橋剤として、ポリアルキルフェノール樹脂類が使用される。ブタジエンゴム、スチレンブタジエンゴムおよび天然ゴムを原料とした粘着剤の架橋に有機過酸化物、例えば、ベンゾイルパーオキサイド、ジクミルパーオキサイドなどがあり、非汚染性の粘着剤が得られる。架橋助剤として、多官能メタクリルエステル類を使用する。その他紫外線架橋、電子線架橋などの架橋による粘着剤の形成がある。
 シリコン系粘着剤としては付加反応硬化型シリコン粘着剤と縮重合硬化型シリコン粘着剤があるが、本発明では付加反応硬化型が好ましく用いられる。
 付加反応硬化型シリコン粘着剤組成物の組成としては、以下に挙げるものが好適に用いられる。
(A)1分子中に2個以上のアルケニル基を有するポリジオルガノシロキサン
(B)SiH基を含有するポリオルガノシロキサン
(C)制御剤
(D)白金触媒
(E)導電性微粒子
 ここで、(A)成分は、1分子中に2個以上のアルケニル基を有するポリジオルガノシロキサンであり、このようなアルケニル基含有ポリジオルガノシロキサンとしては、下記一般式(1)で示されるものが例示できる。
 一般式(1)
 R(3-a)SiO-(RXSiO)-(RSiO)-(RXSiO)-R(3-a)SiO
 一般式(1)において、Rは炭素数1~10の1価炭化水素基であり、Xはアルケニル基含有の有機基である。aは0~3の整数で1が好ましく、mは0以上であるが、a=0の場合、mは2以上であり、m及びnは、それぞれ100≦m+n≦20,000を満足する数であり、pは2以上である。
 Rは炭素数1~10の1価炭化水素基であり、具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基などのアルキル基、シクロヘキシル基などのシクロアルキル基、フェニル基、トリル基などのアリール基などが挙げられるが、特にメチル基、フェニル基が好ましい。
 Xはアルケニル基含有の有機基で炭素数2~10のものが好ましく、具体的にはビニル基、アリル基、ヘキセニル基、オクテニル基、アクリロイルプロピル基、アクリロイルメチル基、メタクリロイルプロピル基、シクロヘキセニルエチル基、ビニルオキシプロピル基等が挙げられるが、特にビニル基、ヘキセニル基などが好ましい。
 このポリジオルガノシロキサンの性状は、オイル状、生ゴム状であればよく、(A)成分の粘度は、250℃において100mPa・s以上、特に1,000mPa・s以上が好ましい。なお、上限としては、特に限定されないが、他成分との混合の容易さから、重合度が20,000以下となるように選定することが好ましい。また、(A)成分は1種を単独で用いても良いし、2種以上を併用してもよい。
 (B)成分であるSiH基を含有するポリオルガノシロキサンは架橋剤であり、1分子中にケイ素原子に結合した水素原子を少なくとも2個、好ましくは3個以上有するオルガノヒドロポリシロキサンで、直鎖状、分岐状、環状のものなどを使用することができる。
 (B)成分としては、下記一般式(2)で表される化合物を挙げることができるが、これらのものには限定されない。
 一般式(2)
 H (3-b)SiO-(HRSiO)-(HRSiO)-SiR (3-b)
 一般式(2)において、Rは炭素数1~6の脂肪族不飽和結合を含有しない1価炭化水素基である。bは0~3の整数、x、yはそれぞれ整数であり、このオルガノヒドロポリシロキサンの250℃における粘度が1~5,000mPa・sとなる数を示す。
 このオルガノヒドロポリシロキサンの250℃における粘度は、1~5,000mPa・s、特に5~1000mPa・Sであることが好ましく、また2種以上の混合物でもよい。
 付加反応による架橋は、(A)成分と架橋剤の(B)成分の間で生じ、硬化後の粘着層のゲル分率は架橋成分の割合によって決まる(B)成分の使用量は、(A)成分中のアルケニル基に対する(B)成分中のSiH基のモル比が0.5~20、特に0.8~15の範囲となるように配合することが好ましい。0.5以上であれば、架橋密度が保たれ、これにともない保持力を得ることができる。一方で、20以下であれば、粘着力及びタックが得られる。
 また、耐熱保持力などの耐熱性や溶剤浸透抑制などの耐溶媒性を向上させるためには、組成物中の架橋成分の割合を増やせばよいが、過剰に増やすと粘着力の低下や膜の柔軟性が低下するなどの影響が発生する場合がある。このような点から、(A)/(B)成分の配合質量比は20/80~80/20とすればよく、特に45/55~70/30とすることが好ましい。(A)成分の配合割合が20/80以上であれば、粘着力、タックなどの十分な粘着特性を得ることができ、また、80/20以下であれば十分な耐熱性が得られる。
 (C)成分は付加反応制御剤であり、シリコン粘着剤組成物を調合し、基材に塗工する際、加熱硬化の以前に処理液が増粘やゲル化をおこさないようにするために添加するものである。
 (C)成分の具体例としては、3-メチル-1-ブチン-3-オール、3-メチル-1-ぺンチン-3-オール、3,5-ジメチル-1-ヘキシン-3-オール、1-エチニルシクロヘキサノール、3-メチル-3-トリメチルシロキシ-1-ブチン、3-メチル-3-トリメチルシロキシ-1-ぺンチン、3,5-ジメチル-3-トリメチルシロキシ-1-ヘキシン、1-エチニル-1-トリメチルシロキシシクロヘキサン、ビス(2,2-ジメチル-3-ブチノキシ)ジメチルシラン、1,3,5,7-テトラメチル-1,3,5,7-テトラビニルシクロテトラシロキサン、1,1,3,3-テトラメチル-1,3-ジビニルジシロキサンなどが挙げられる。
 (C)成分の配合量は、(A)及び(B)成分の合計100質量部に対して0~5.0質量部の範囲であることが好ましく、特に0.05~2.0質量部が好ましい。5.0質量部以下であれば、十分な硬化性が発現することができる。
 (D)成分は白金系触媒であり、塩化白金酸、塩化白金酸のアルコール溶液、塩化白金酸とアルコールとの反応物、塩化白金酸とオレフィン化合物との反応物、塩化白金酸とビニル基含有シロキサンとの反応物などが挙げられる。
 (D)成分の添加量は、(A)及び(B)成分の合計量に対し、白金分として1~5,000ppm、特に5~2,000ppmとすることが好ましい。1ppm以上であれば、十分な硬化性が得られ、架橋密度も高く、保持力を維持することができる。
 (E)成分の導電性微粒子の形状は、球状、樹枝状、針状など特に制限はない。また、粒径は特に制限はないが、最大粒径が粘着剤の塗工厚みの1.5倍を越えないことが好ましい。最大粒径が粘着剤の塗工厚みの1.5倍を越えなければ、粘着剤塗工表面に導電性微粒子の突出が大きくなりすぎることもなく、この部分を起点に被着体からの浮きなどが発生するのを抑制することができる。
 粘着層には種々の添加剤が添加されていても良い。例えば、架橋剤、触媒、可塑剤、酸化防止剤、着色剤、帯電防止剤、充填剤、粘着付与剤、界面活性剤等を添加してもよい。
 粘着層の基材上への塗布方法としては、ロールコーター、ブレードコーター、バーコーター、エアーナイフコーター、グラビアコーター、リバースコーター、ダイコーター、リップコーター、スプレーコーター、コンマコーター等により行われ、必要によりスムージングや、乾燥、加熱、紫外線等電子線露光工程等を経て、粘着層が形成される。
 粘着剤の粘着力としては、0.001N/25cm以上が好ましい。粘着剤の粘着力が0.001N/25cm以上であれば、フィルムとの十分な密着力を得ることができ、連続搬送中での剥離が発生しなくなると共に、搬送時のロール等の接触による既に形成したガスバリア性フィルムに対する影響を防止することができる。また、粘着剤の粘着力としては、50N/25cm以下が好ましい。粘着剤の粘着力が50N/25cm以下であれば、樹脂材料を剥離するときに、ガスバリア性フィルムに対し過度の力を掛けることなく、ガスバリア性フィルムの破壊や、ガスバリア性フィルム上への粘着剤の残留を起こすことが少ない点で好ましい。
 粘着剤の粘着力は、JIS Z 0237に準拠した測定法に従って、試験板としてコーニング1737を用い、保護フィルムを試験板に圧着して20分後に測定して求めることができる。
 また、粘着層の厚さとしては、0.1μm以上30μm以下であることが好ましい。粘着層の厚さが0.1μm以上であれば、樹脂材料とガスバリア性フィルムとの十分な密着力を得ることができ、連続搬送中での剥離が発生しなくなると共に、搬送時のロール等の接触による既に形成したガスバリア性フィルムに対する影響を防止することができる。また、粘着層の厚さが30μm以下であれば、保護フィルムを剥離するときに、ガスバリア性フィルムに対し過度の力を掛けることなく、ガスバリア性フィルムの破壊や、ガスバリア性フィルム上への粘着剤の過度の残留を起こすことがない。
 粘着層を構成する粘着剤の重量平均分子量は、40万以上140万以下であることが好ましい。重量平均分子量が40万以上であれば、過度の粘着力となることはなく、140万以下であれば十分な粘着力を得ることができる。上記の重量平均分子量の範囲であれば、ガスバリア層上への粘着剤の残留を防止することができ、また、特にプラズマ処理法でガスバリア性フィルムを形成する際には、熱やエネルギーがかかるため、適当な分子量範囲であれば、粘着材料の転写や剥離が生じることを防止することができる。
 <第2の形態:ガスバリア性フィルムの製造方法>
 本発明の第2の形態によれば、基材の一方の面上にポリシラザン化合物を含有する塗布液を塗布して乾燥させて得られた塗膜に活性エネルギー線を照射して改質処理することによりガスバリア層を形成する工程(1)と、前記ガスバリア層上に、保護フィルムを粘着層を介して貼合する工程(2)と、を含むガスバリア性フィルムの製造方法が提供される。ここで、「基材の一方の面上にポリシラザン化合物を含有する塗布液を塗布」とは、(1)基材の一方の面の直上に直接、ポリシラザン化合物を含有する塗布液を塗布する形態のほか、さらに(2)基材の一方の面上に上記第1の形態で説明した制御層、中間層、保護層ないし機能層が積層された積層体の表面にポリシラザン化合物を含有する塗布液を塗布する形態を含む。かかる製造方法により得られたガスバリア性フィルムについても、本発明の第1の形態と同様に、前記保護フィルムを剥離した状態で測定される前記ガスバリア層の最表層部の元素存在比C/Siが1.5以下、好ましくは1.2以下であることを特徴とする。前記保護フィルムを剥離した状態で測定される前記ガスバリア層の最表層部の元素存在比C/Siが1.5より大きいと、残存粘着剤の除去工程に要する時間が長くなり、生産性の観点から好ましくないためである。保護フィルムを剥離した状態で測定される前記ガスバリア層の最表層部の元素存在比C/Siの測定方法などは、本発明の第1の形態で説明した通りである。
 一実施形態において、前記製造方法は、制御層、中間層、保護層、機能層の少なくとも1層を形成する工程(3)を含んでもよい。工程(3)はより詳細には、制御層、中間層、保護層、機能層の少なくとも1層を形成するための塗布液(例えば、ポリシロキサンを含む第2の塗布液等)を塗布して対応する層を形成する工程である。当該工程(3)は第2の塗布液を塗布して得られた塗膜に真空紫外光照射等の硬化処理を行ってもよい。工程(1)および工程(3)については、第1の形態における説明を参照することができる。以下では、ガスバリア層上に、保護フィルムを貼合する工程(2)について説明する。
 (工程(2):保護フィルムの貼合)
 上記第1の形態において、工程(1)または工程(1)および工程(3)のように樹脂基材上に形成したガスバリア層に、保護フィルムを粘着層を介して貼合する工程である。本工程を設けることによりガスバリア層の表面を露出させることなく、ガスバリア性フィルムを搬送、保管等することができる。
 保護フィルムをガスバリア性フィルムのガスバリア層上に貼合する方法としては、特に制限されないが、ガスバリア層を形成する工程(1)における改質処理の終了から前記保護フィルムの貼合までの時間を5秒以上とすることが好ましく、より好ましくは10秒以上であり、更に好ましくは3分以上である。改質処理の終了から前記保護フィルムの貼合までの時間が5秒以上であれば、ガスバリア層表面の清浄性が低下し、保護フィルムのガスバリア層への過度な密着が防止され、保護フィルムを剥離した状態で測定される前記ガスバリア層の最表層部の元素存在比C/Siを1.5以下に低減し得る観点から好ましい。また、改質処理の終了から前記保護フィルムの貼合までの時間は、7分以下であることが好ましく、3分以下であることがより好ましい。改質処理の終了から前記保護フィルムの貼合までの時間が7分以下であれば、保護フィルムの貼合に要する時間が生産性に与える影響を最小限に抑えられる観点から好ましい。改質処理の終了から前記保護フィルムの貼合までの時間の目安としては、5秒から30秒以上の時間を確保すれば、保護フィルムを剥離した状態で測定される前記ガスバリア層の最表層部の元素存在比C/Siを1.2以下に低減し得る。ここで、「改質処理の終了」の時点(計測開始時点)は、塗膜に活性エネルギー線の照射を終えた時点とする。ロールツーロール方式で連続的に生産する場合には、ロール状の基材フィルムに塗膜を形成後、全ての塗膜に活性エネルギー線の照射を終えた時点(計測開始時点)とする。「保護フィルムの貼合まで」の時点(計測終了時点)は、保護フィルムをガスバリア性フィルムのガスバリア層上に貼り合わせを始めた時点をいう。ロールツーロール方式で連続的に生産する場合には、ロール状のガスバリア性フィルムと、ロール状の粘着層付き保護フィルムとを引き出してロール搬送しながら、2つのフィルムが最初に重ね合わされた(貼り合わされた)時点とする。
 保護フィルムを貼合する工程(2)は、ガスバリア層の形成と連続して保護フィルムを貼合するオンライン方式であっても、あるいは、ガスバリア層を形成した後、一旦、巻き取り軸でガスバリア性フィルムを巻き取った後、別工程で、保護フィルムを貼合するオフライン方式であってもよい。また、貼合した保護フィルムを、ガスバリア層の表面上から剥離する際に残存粘着剤の除去工程(4)を実施する場合にも、剥離後に連続して後述する粘着剤の残りを除去するオンライン方式であってもよく、粘着層付きの保護フィルムの剥離後に、ガスバリア層を有する樹脂基材をいったん巻き取り、別工程で粘着剤の残りを除去するオフライン方式であってもよい。
 一般的に、ガスバリア性フィルムの樹脂基材は、長尺体として製造されるが、長い製造工程を一つのラインで実施することは、スペースや搬送の点から望ましくない。それと共に、仮にラインの一部に不具合が生じた場合には、ライン全体を止める必要があるなど、稼働率や歩留まりの点からも、複数ラインに分けて製造することが好適である。その際、長尺体である樹脂基材を一度ロールに巻き取って搬送または保管等することが便利である。さらに、ロールに巻き取る際に、製造途中のガスバリア層の表面が露出していると、樹脂基材の裏面に付着した異物や樹脂基材との擦傷によってガスバリア層表面が損なわれ、結果として最終的なガスバリア性が低下する。そのため、ロールに巻き取る前に保護フィルムで一旦ガスバリア層の表面を保護することにはメリットがある。
 以下に、工程(2)の好ましい実施形態について説明する。粘着剤層付きの保護フィルムは、前述するように、主として、保護フィルムの基材および該基材(保護フィルム)上に形成された粘着剤を含む粘着層から構成され、必要に応じて、更にその上に離型剤を含む離型層を有している(以下、上記構成を有する粘着剤層付きの保護フィルムを、単に保護フィルムともいう)。上記保護フィルムは、好ましくは、離型層を内側にしてロール状に巻いた状態で用意される。次いで、離型性を有する樹脂材料は、ロールから繰り出され、離型層を分離して粘着層を露出させ、分離された離型層は巻き取りロールに巻き取られる。一方、ガスバリア層を有するガスバリア性フィルムは、ガスバリア層形成工程から水平方向に、下流側に配置された保護フィルムの位置まで搬送される。次いで、ガスバリア性フィルム表面に上記保護フィルムの粘着層を貼り合せ、貼合する。本発明の一実施形態においては、ガスバリア層形成工程終了後から、より詳しくは、上記したように、ガスバリア層形成工程での改質処理の終了から、ガスバリア性フィルム表面に上記保護フィルムの粘着層を貼り合せるまでの時間を一定時間以上、好ましくは5秒以上とする。保護フィルムを貼合したガスバリア性フィルムは、巻き取り軸に取り付けられた巻き芯に、ロール状に巻き取られる。この際、保護フィルムがガスバリア性フィルムの表面を保護するため、ロール状に巻き取る際の、ガスバリア性フィルムの裏面に付着する異物のガスバリア層への付着や、搬送の際の擦り傷発生等を効果的に防止し得る。
 <第3の形態:電子デバイス>
 本発明の一実施形態によれば、本発明に係るガスバリア性フィルムまたは本発明に係る製造方法により得られたガスバリア性フィルムから保護フィルムを剥離した後、(好ましくは、更に残存粘着剤を除去した後、)ガスバリア性フィルムの(最表層となる)ガスバリア層上に電子デバイス本体が設けられてなることを特徴とする、電子デバイスが提供される。即ち、電子デバイス本体と、上述の保護フィルムを剥離したガスバリア性フィルムとを含む電子デバイスが提供される。
 [電子デバイス]
 上記したような本発明のガスバリア性フィルムは、優れたガスバリア性、透明性、屈曲性を有する。このため、本発明のガスバリア性フィルムは、電子デバイス等のパッケージ、光電変換素子(太陽電池素子)や有機エレクトロルミネッセンス(EL)素子、液晶表示素子等の電子デバイスなど、様々な用途に使用することができる。
 (電子デバイス本体)
 電子デバイス本体は、本発明に係るガスバリア性フィルムのガスバリア層上に配置される。電子デバイス本体としては、ガスバリア性フィルムによる封止が適用されうる公知の電子デバイスの本体が使用できる。例えば、有機EL素子、太陽電池(PV)、液晶表示素子(LCD)、電子ペーパー、薄膜トランジスタ、タッチパネル等が挙げられる。本発明の効果がより効率的に得られるという観点から、該電子デバイス本体は、有機EL素子または太陽電池であることが好ましい。これらの電子デバイス本体の構成についても、特に制限はなく、従来公知の構成を有しうる。
 以下、具体的な電子デバイス本体の一例として有機EL素子およびこれを用いた有機ELパネルについて図面を用いて説明する。
 図4に示すように、本発明に係るガスバリア性フィルム202を封止フィルムとして用いた電子機器である有機ELパネル301の一例を図4に示す。有機ELパネル301は、保護フィルムを剥離した(好ましくは、更に残存粘着剤を除去した)ガスバリアフィルム202と、ガスバリアフィルム202上に形成されたITOなどの透明電極64と、透明電極64を介してガスバリアフィルム202上に形成された有機EL素子61と、その有機EL素子61を覆うように設けられた接着剤層63を介して配設された対向フィルム62等を備えている。なお、透明電極64は、有機EL素子61の一部を成すともいえる。このガスバリア性フィルム202におけるガスバリア層が形成された面(保護フィルムを剥離することで露出される面)に、透明電極64と有機EL素子61が形成されるようになっている。また、対向フィルム62は、アルミ箔などの金属フィルムのほか、本発明に係るガスバリア性フィルムを用いてもよい。対向フィルム62にガスバリア性フィルムを用いる場合、ガスバリア層が形成された面を有機EL素子61に向けて、接着剤層63によって貼付するようにすればよい。
 <第4の形態:電子デバイスの製造方法>
 本発明の第4の形態によれば、本発明に係るガスバリア性フィルムまたは本発明に係る製造方法により得られたガスバリア性フィルムから保護フィルムを剥離した後、ガスバリア性フィルムの(最表層となる)ガスバリア層上に電子デバイス本体を形成する工程を含むことを特徴とする、電子デバイスの製造方法が提供される。本発明に係るガスバリア性フィルムから保護フィルムを剥離する工程(4)と、ガスバリア性フィルムのガスバリア層上に電子デバイス本体を形成する工程(6)と、を含む電子デバイスの製造方法が提供される。一実施形態において、前記製造方法は、前記工程(4)の後に残存粘着剤を除去する工程(5)を含んでもよい。以下、工程(4)~(6)について説明する。
 (工程(4):保護フィルムの剥離)
 電子デバイスをガスバリア性フィルムのガスバリア層上に形成する際に(粘着剤層付の)保護フィルムをガスバリア層から剥離することにより除去する工程である。
 本発明に係るガスバリア性フィルムは、電子デバイスの封止フィルムとして使用する際には、前記保護フィルムをガスバリア層から剥離した後で使用する。
 前記保護フィルムをガスバリア性フィルムのガスバリア層から剥離する方法としては、特に制限されないが、前記保護フィルムを貼合したガスバリア性フィルムを、巻き取ったロールから繰り出しながら前記保護フィルムを剥離することが好ましい。剥離した保護フィルムは、別のロールに巻き取ることにより回収することができる。前記保護フィルムを剥離したガスバリア性フィルムは、ガスバリア層が再び露出する。用途により許容しうる残存粘着剤の量は異なるが、前記保護フィルム剥離後のガスバリア層表面の残存粘着剤の量を示すガスバリア層の最表層部の元素存在比C/Siが0.5以上である場合は、残存粘着剤の除去工程に搬送される。
 (工程(5):残存粘着剤の除去)
 保護フィルムを剥離した後には、上記のように、ガスバリア層上に粘着層由来の粘着剤が残存し、電子デバイス用途でガスバリア性フィルムを使用する際にガスバリア性の低下や素子の劣化などの原因となる場合がある。残存粘着剤の除去工程(5)は、保護フィルム剥離後にガスバリア層表面に残存する粘着剤を除去する工程である。残存粘着剤の除去の方法としては、特に限定されないが、ガスバリア性フィルム表面に対して活性エネルギー線によりエネルギー付与することが好ましい。なお、本ガスバリア性フィルムを封止フィルムとして使用する電子デバイスにもよるが、本工程は、前記保護フィルムを剥離した状態で測定される前記ガスバリア層の最表層部の元素存在比C/Siが0.5未満であれば省略することができる。
 ガスバリア性フィルムのガスバリア層上に残存している粘着剤の量は、例えば、後述のようにガスバリア性フィルムのガスバリア層表面をXPSによって分析することによって確認できる。
 ガスバリア性フィルムのガスバリア層表面へのエネルギー付与は、基本的にはどのような保護フィルムをどのような粘着層を介して貼合しても(即ち、どのような粘着層由来の残存粘着剤であっても)、適用することができる。また、離型性を有する樹脂材料を貼合し、ロール状に巻き取った後、1~20時間程度、典型的には一晩保管しておいた際にも、エネルギー付与によって、粘着剤の残存の影響を低減できる。また、エネルギー付与により、ガスバリア性フィルムのガスバリア層表面の平滑性を向上させることができる。
 付与するエネルギーとしては、紫外光、コロナ放電、プラズマ放電およびレーザー光から選ばれる一種であることが好ましい。このうち、ガスバリア性フィルムの形成に使用したものと同様のエネルギーを使用することが、設備の簡便さやコスト面から好ましい。ガスバリア性フィルムの形成と同様、付与するエネルギーは特に波長150~200nmの真空紫外光であることが好ましい。
 また、残存粘着剤の除去工程(5)におけるエネルギー付与は、ガスバリア性フィルムの形成のためのエネルギー付与と同様の方法を用いた場合には、ガスバリア性フィルムの形成のために用いるエネルギー付与量の1%以上100%未満であることが好ましく、より好ましくは1~20%、さらに好ましくは5~15%である。具体的なエネルギー付与量としては、ガスバリア性フィルムの組成およびエネルギー源によって異なるため、それらに応じて適宜選択できる。
 プラズマ照射についても、エネルギー照射量を除き、ガスバリア性フィルムの形成工程(1)で記載した方法と同様の方法を採用できる。プラズマ照射のうち、特に大気圧プラズマ照射の場合の照射量は、1J/cm以上200J/cm未満が好ましく、より好ましくは5~50J/cmである。
 コロナ照射については、特に制限はなく、従来公知のコロナ放電処理装置(例えば、春日電機社製)を使用してガスバリア性フィルムにコロナ放電処理を施すことができる。出力としては、10mW・分/m以上が好ましく、より好ましくは10~200W・分/mである。
 レーザー光照射については、特に制限はなく、例えば、エキシマレーザー(波長λ=248nm)を用いてエネルギー照射を行うことができる。ランプの出力としては400W~30kW、照度としては100mW/cm~100kW/cm、照射エネルギー量としては、10mJ/cm~5000mJ/cmが好ましく、100mJ/cm~2000mJ/cmがより好ましい。
 それぞれ、エネルギー照射量が上記の範囲内であれば、ガスバリア性向上の所期の効果を得ることができ、また、過剰なエネルギー照射によるガスバリア性フィルムの不具合が生じることはない。
 本発明では、保護フィルムを剥離した後、ガスバリア性フィルムを連続的に搬送してすぐにエネルギー付与をすることが好ましい。
 (工程(6):ガスバリア層上に電子デバイス本体を形成する工程)
 工程(6)は、前記工程(4)、または工程(4)および工程(5)により保護フィルムを剥離したガスバリア性フィルムのガスバリア層上に電子デバイス本体を形成する工程である。以下、有機EL素子301を例として説明する。
 ここでは有機EL素子301の一例として、陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/電子注入層/陰極からなる有機EL素子の作製方法について説明する。
 まず、ガスバリア性フィルム202上に所望の電極物質、例えば、陽極用物質からなる薄膜を1μm以下、好ましくは10~200nmの膜厚になるように、例えば、蒸着やスパッタリング、プラズマCVD等の方法により形成させ、陽極を作製する。
 次に、その上に有機EL素子材料である正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層の有機化合物薄膜を形成させる。この有機化合物薄膜の成膜方法としては、蒸着法、ウェットプロセス(スピンコート法、キャスト法、インクジェット法、印刷法)等があるが、均質な膜が得られやすく、且つピンホールが生成しにくい等の点から、真空蒸着法、スピンコート法、インクジェット法、印刷法が特に好ましい。更に層毎に異なる成膜法を適用してもよい。成膜に蒸着法を採用する場合、その蒸着条件は使用する化合物の種類等により異なるが、一般にボート加熱温度50~450℃、真空度10-6~10-2Pa、蒸着速度0.01~50nm/秒、基板温度-50~300℃、膜厚0.1nm~5μm、好ましくは5~200nmの範囲で適宜選ぶことが望ましい。
 これらの層を形成後、その上に陰極用物質からなる薄膜を1μm以下、好ましくは50~200nmの範囲の膜厚になるように、例えば、蒸着やスパッタリング等の方法により形成させ、陰極を設けることにより所望の有機EL素子が得られる。
 この有機EL素子301の作製は、一回の真空引きで一貫して陽極、正孔注入層から陰極まで作製するのが好ましいが、途中で取り出して異なる成膜法を施しても構わない。その際、作業を乾燥不活性ガス雰囲気下で行う等の配慮が必要となる。また、作製順序を逆にして、陰極、電子注入層、電子輸送層、発光層、正孔輸送層、正孔注入層、陽極の順に作製することも可能である。
 このようにして得られた有機EL素子301を備える多色の表示装置(有機ELパネル)に、直流電圧を印加する場合には、陽極をプラス、陰極をマイナスの極性として電圧2~40V程度を印加すると発光が観測できる。また、交流電圧を印加してもよい。なお、印加する交流の波形は任意でよい。
 本発明の効果を、以下の実施例および比較例を用いて説明する。ただし、本発明の技術的範囲が以下の実施例のみに制限されるわけではない。また、下記操作において、特記しない限り、操作および物性等の測定は室温(20~25℃)/相対湿度40~50%の条件で行う。
《ガスバリア性フィルムの作製》
 [実施例1]
 〈基材〉
 基材として、厚さ50μmのポリエチレンテレフタレート(PET)フィルム(帝人デュポンフィルム株式会社製、商品名「テイジンテトロンフィルム」)(以下、樹脂基材ともいう)を用いた。
 〈アンカーコート層の形成〉
 上記樹脂基材の易接着面側に、JSR株式会社製のUV硬化型有機/無機ハイブリッドハードコート材 OPSTARZ7501を用い、乾燥後の層厚が4.0μmになるように塗布した後、乾燥条件として、80℃で3分間の乾燥を行った。次いで、空気雰囲気下で、高圧水銀ランプを使用し、硬化条件;1.0J/cmで硬化を行い、アンカーコート層を形成した。
 〈制御層(CVD層)の形成:ローラーCVD法〉
 図3に記載の磁場を印加したローラー間放電プラズマCVD装置(以下、この方法をローラーCVD法と称す。)を用い、上記樹脂基材の前記アンカーコート層とは反対の面に耐熱性のラミネートフィルムを貼り合せた樹脂基材のラミネートフィルム側(裏面)が成膜ローラーと接触するようにして、樹脂基材を装置に装着し、下記の成膜条件(プラズマCVD条件)により、アンカーコート層上に、ガスバリア性を有する制御層(CVD層)を、厚さが100nmとなる条件で成膜した。
 (CVD法による制御層(CVD層の成膜)
 CVD法による制御層(CVD層の成膜は、成膜有効幅1000mm換算として、下記(成膜条件)で行った。その他の条件として、電源周波数は84kHz、成膜ロールの温度はすべて30℃とした。
 (成膜条件)
 原料ガス(HMDSO)の供給量:50sccm(Standard Cubic Centimeter per Minute、0℃、1気圧基準)
 酸素ガスの供給量:500sccm(0℃、1気圧基準)
 真空チャンバ内の真空度:2Pa
 プラズマ発生用電源からの印加電力:0.8kW
 プラズマ発生用電源の周波数:80kHz
 フィルムの搬送速度:1.0m/min。
 〈ガスバリア層の形成:塗布法〉
 樹脂基材上のアンカーコート層/制御層(CVD層)上に、以下に示す塗布法により、詳しくは、ポリシラザン化合物を含有する塗布液(ポリシラザン含有塗布液)を塗布、乾燥させて得られた塗膜に活性エネルギー線を照射して改質処理することにより、ガスバリア層を形成した。
 (ポリシラザン含有塗布液の調製)
 パーヒドロポリシラザンを20質量%含むジブチルエーテル溶液(AZエレクトロニックマテリアルズ株式会社製、NN120-20)と、アミン触媒(N,N,N’,N’-テトラメチル-1,6-ジアミノヘキサン(TMDAH)、(アミン触媒の含量:5質量%))を含むパーヒドロポリシラザン20質量%のジブチルエーテル溶液(AZエレクトロニックマテリアルズ株式会社製、NAX120-20)とを、4:1(質量比)の割合で混合し、さらに乾燥膜厚調整のためジブチルエーテルで適宜希釈し、ポリシラザン含有塗布液を調製した。
 乾燥後の膜厚が80nmになるよう、スピンコートにより上記ポリシラザン含有塗布液を塗布し、80℃で2分間乾燥した。次いで、乾燥した塗膜に対して、波長172nmのXeエキシマランプを用い、下記の方法に従って、真空紫外線照射処理を施してガスバリア層とした。乾燥膜厚は断面TEM観察により測定した。照射処理時の酸素濃度0.1体積%以下、照射エネルギーは2J/cmとした。
 (真空紫外線照射条件・照射エネルギーの測定)
 次いで、上記形成した塗膜に対し、下記の方法に従って、酸素濃度0.1体積%で、改質処理を実施した。
 (真空紫外線照射装置)
 装置:株式会社 エム・ディ・コム製エキシマ照射装置MODEL:MECL-M-1-200
 照射波長:172nm
 ランプ封入ガス:Xe。
 (照射条件)
 稼動ステージ上に固定した上記塗膜(ポリシラザン層)を形成した基材に対し、以下の条件で改質処理を行って、ガスバリア層を形成した。
     エキシマランプ光強度:130mW/cm(172nm)
     試料と光源の距離:1mm
     ステージ加熱温度:70℃
     照射装置内の酸素濃度:0.1体積%
     エキシマランプ照射時間:10秒。
 〈保護フィルムの貼合〉
 改質処理終了後、5秒後に粘着剤層付の保護フィルムであるラミネートフィルムを貼り合わせた。即ち、上記改質処理の終了から前記保護フィルムの貼合までの時間を5秒とした。ラミネートフィルムは、東レ製トレテック7332を使用した。なお、「改質処理の終了」及び「保護フィルムの貼合まで」については、第2の形態の「工程(2):保護フィルムの貼合」において説明した通りである。
 [実施例2~5、比較例1]
 実施例1において、改質処理の終了から前記保護フィルムの貼合までの時間を表1に示すように変更した以外は、同様にして、実施例2~5、比較例1のガスバリア性フィルムを作製した。
 [実施例6~10、比較例2]
 実施例1~5、比較例1において、前記粘着剤層付の保護フィルムの種類を三井化学東セロ株式会社製、VLH9に変更した以外は同様にして、実施例6~10、比較例2のガスバリア性フィルムを作製した。
 [実施例11~15、比較例3]
 実施例1~5、比較例1において、前記粘着剤層付の保護フィルムの種類を株式会社サンエー化研製、PAC3Jに変更した以外は同様にして、実施例11~15、比較例3のガスバリア性フィルムを作製した。
 [実施例16~20、比較例4]
 実施例1~5、比較例1において、前記粘着剤層付の保護フィルムの種類をフタムラ化学株式会社製、010Mに変更した以外は同様にして、実施例16~20、比較例4のガスバリア性フィルムを作製した。
 《評価1:生産性の評価:残存粘着剤の除去工程の時間短縮》
 (保護フィルム剥離後のガスバリア層の最表層部の元素存在比C/Si(残存粘着剤の量)の測定)
 上記のように作製した各実施例および各比較例のガスバリア性フィルムについて、粘着剤層付の保護フィルムをガスバリア性フィルムから剥離した後、1分以上24時間以内(ここでは、いずれの試料もフィルム剥離後約5分でXPS装置内にセットし、真空引きを開始した。装置内にセットしてから測定開始までは23時間以内である。)に、ガスバリア性フィルム表面に露出したガスバリア層の厚さ方向の組成分布を、XPS(光電子分光法)分析により下記のように測定した。なお、保護フィルム剥離後、上記時間内に測定すれば測定結果に影響しない。
 測定箇所は、ガスバリア性フィルムの幅手方向の長さに対して1/5、2/5、3/5、4/5の位置とした。例えば、500mm幅フィルムの場合、一方の端から10,20,30,40cmの位置を測定する。なお、最表層部の元素存在比C/Siは、上記した4か所の測定結果を平均して求めた。
 本発明におけるXPS分析は、下記の条件で行ったものであるが、装置や測定条件が変わっても、ガスバリア層の厚さ方向の組成分布(特に、最表層部の元素存在比C/Si)を測定できれば適用可能である。
 ガスバリア層の厚さ方向の組成分布(特に、最表層部の元素存在比C/Si)の測定では、主に厚さ方向の解像度を一定以上に保持し、最表層部の元素存在比C/Siが1.5以下であるか否か算出するのに必要な元素存在比C/Siを小数点以下、2桁目までの数値が、1回あたりのエッチング深さにより変化しないようにするには、各測定箇所(4か所)の1回あたりのエッチング深さ(下記のスパッタイオンとデプスプロファイルの条件に相当)は1~15nmであることが好ましく、1~10nmであることがより好ましい。ただし、1回あたりのエッチング深さが上記範囲を外れる場合であっても、表層からのSiO換算の深さ2.8nmを含むプロット値が元素存在比C/Siとして同じ値が得られるのであれば適用可能である。本実施例での測定では、測定点1点あたりのエッチング深さ(下記のスパッタイオンとデプスプロファイルの条件に相当)は、以下に示すように2.8nm(SiO換算)に調整した。
 《XPS分析条件》
 ・装置:アルバックファイ製QUANTERASXM
 ・X線源:単色化Al-Kα
 ・測定領域:Si2p、C1s、N1s、O1s
 ・スパッタイオン:Ar(2keV)
 ・デプスプロファイル:一定時間スパッタ後、測定を繰り返す。1回の測定は、SiO換算で、約2.8nmの厚さ分となるようにスパッタ時間を調整した。
 ・定量:バックグラウンドをShirley法で求め、得られたピーク面積から相対感度係数法を用いて定量した。データ処理は、アルバックファイ社製のMultiPakを用いた。
 このようにして、ガスバリア層の膜厚方向の組成分布のプロファイルのデータを得た。得られたプロファイルのデータより、ガスバリア層の最表層部の元素存在比C/Siを算出した。その結果を下記表1に示す。
 次に、上記のように作製した各実施例および各比較例のガスバリア性フィルム試料について、粘着剤層付の保護フィルムをガスバリア性フィルムから剥離した後、1分以上24時間以内(上記XPS分析と同じ時間とした)に、該ガスバリア性フィルム試料のガスバリア層表面に残存する粘着剤を、紫外線(UV)照射によって除去した(UV洗浄した)。紫外線照射は、サムコ製UV洗浄装置UV-1を使用し、導入気体を空気としてUV光を照射することにより行った。
 詳しくは、上記洗浄装置のチャンバ内に入れた上記保護フィルム剥離後のガスバリア性フィルム試料に対し、導入気体を空気としてUV光(紫外線)を1分間照射した。次に、チャンバ内を窒素置換した後、ガスバリア性フィルムを取出し、1分以上24時間以内(上記XPS分析と同じ時間とした)に、ガスバリア性フィルム表面に露出したガスバリア層の厚さ方向の組成分布を、上記したXPS分析と同様の条件で測定した。この操作を繰り返して、ガスバリア性フィルム試料のガスバリア層の最表層部の元素存在比C/Siが0.5未満になるまでの要する時間を求めた。
 上記により求めた、ガスバリア性フィルム試料のガスバリア層の最表層部の元素存在比C/Siを0.5未満に低下させるのに要する時間(UV洗浄時間)に基づき、下記の基準に従って、生産性を評価した。得られた結果を表1に示す。なお、上記したXPS分析により求めたガスバリア層の膜厚方向の組成分布のプロファイルのデータから、ガスバリア層の最表層部の元素存在比C/Siが0.5未満の試料については、UV洗浄は不要と判定し、UV洗浄は行わなかった。
 ・生産性の評価基準
  ◎:UV洗浄が不要、
  ○:UV洗浄に要する時間が、5分未満、
  △:UV洗浄に要する時間が、5分以上10分未満、
  ×:UV洗浄に要する時間が、10分以上。
 《評価2:水蒸気バリア性の評価》
 水蒸気バリア性の評価を行うにあたって、以下の装置と材料を使用した。
 〈使用装置〉
 蒸着装置:日本電子(株)製真空蒸着装置JEE-400
 恒温恒湿度オーブン:Yamato Humidic ChamberIG47M
 〈評価材料〉
 水分と反応して腐食する金属:金属カルシウム(粒状)
 水蒸気不透過性の金属:アルミニウム(直径(φ)3~5mm、粒状)
 〈水蒸気バリア性評価用試料の作製〉
 真空蒸着装置(JEE-400)を用い、作製したガスバリア性フィルム(実施例1~20、比較例1~4)について、作製後、粘着剤層付の保護フィルムをガスバリア性フィルムから剥離した後、1分時間以上24時間以内に、ガスバリア性フィルム表面に露出したガスバリア層表面に、マスクを通して12mm×12mmのサイズで金属カルシウムを蒸着膜厚が80nmとなるように蒸着させた。
 その後、真空状態のままマスクを取り去り、シート片側全面にアルミニウムを蒸着させて仮封止をした。次いで、真空状態を解除し、速やかに乾燥窒素ガス雰囲気下に移した。前記仮封止したアルミニウム蒸着面に封止用紫外線硬化樹脂(ナガセケムテックス社製)を介して厚さ0.2mmの石英ガラスを貼り合わせ、紫外線を照射して前記紫外線硬化樹脂を硬化接着させて本封止することで、水蒸気バリア性評価用試料を作製した。
 そして、恒温恒湿度オーブンを用い、得られた水蒸気バリア性評価用試料を85℃、85%RHの高温高湿下で保存し、金属カルシウムの腐食を観察した。観察は、保存後20時間ごとに行い、12mm×12mmの金属カルシウム蒸着面積に対する金属カルシウムが腐食した面積を%表示で算出し、金属カルシウムが腐食した面積が50%となるまでの時間以上になるまでの時間を求め、下記の基準に従って水蒸気バリア性を評価した。こうして得られた評価結果を、下記表1に示す。
 ・水蒸気バリア性の評価基準
  ○:金属カルシウムが腐食した面積が50%以上になるまでの時間が、200時間以上である。
  △:金属カルシウムが腐食した面積が50%以上になるまでの時間が、100時間以上である。
  ×:金属カルシウムが腐食した面積が50%以上になるまでの時間が、100時間未満である。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002
 <有機EL素子の作製>
 実施例1~20および比較例1~4で製造したガスバリア性フィルムから粘着剤層付の保護フィルムを剥離したガスバリア性フィルムを封止フィルムとして用いて、以下の方法で有機EL素子を作製した。
 第1電極層の形成
 実施例1で製造したガスバリア性フィルムについて、製造粘着層付保護フィルムを貼り合わせた後、10分以上1年以内に(ここでは、いずれの試料も約1か月とした)、粘着剤層付の保護フィルムをガスバリア性フィルムから剥離した後、1分以上24時間以内(上記XPS分析と同じ時間とした)に、ガスバリア性フィルム表面に露出したガスバリア層上に、厚さ150nmのITO(インジウムチンオキシド)をスパッタ法により成膜した。次いで、フォトリソグラフィー法によりパターニングを行い、第1電極層を形成した。なお、パターニングは発光面積が50mm平方となるように行った。
 正孔輸送層の形成
 ポリエチレンジオキシチオフェン・ポリスチレンスルホネート(PEDOT/PSS:Baytron(登録商標) P AI 4083、Bayer社製)を純水65%およびメタノール5%で希釈した溶液を正孔輸送層形成用塗布液として準備した。
 ガスバリア性フィルムの第1電極層が形成された面とは反対の面を洗浄表面改質処理した。当該洗浄表面改質処理には低圧水銀ランプ(波長:184.9nm、照射強度15mW/cm)を使用し、ガスバリア性フィルムとの距離が10mmとなる条件で行った。なお、帯電除去処理には、微弱X線による除電器を使用した。
 上記で形成した第1電極層上に、上記で準備した正孔輸送層形成用塗布液を、大気中、25℃、相対湿度(RH)50%の条件で、乾燥後の厚みが50nmとなるように押出し塗布機を用いて塗布した。得られた塗膜について、吐出風速1m/s、幅手の風速分布5%、温度100℃の条件で、成膜面から高さ100mmの距離で送風することにより溶媒を除去し、次いで加熱処理装置により温度150℃で裏面伝熱方式の熱処理を行い、正孔輸送層を形成した。
 発光層の形成
 ホスト材のH-Aを1.0gと、ドーパント材のD-Aを100mgと、ドーパント材のD-Bを0.2mgと、ドーパント材のD-Cを0.2mgと、を100gのトルエンに溶解し、白色発光層形成用塗布液として準備した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000003
 上記で形成した正孔輸送層上に、上記で準備した白色発光層形成用塗布液を窒素ガス濃度99%以上の雰囲気下、塗布温度25℃、塗布速度1m/minの条件で、乾燥後の厚みが40nmとなるように押出し塗布機を用いて塗布した。得られた塗膜について、吐出風速1m/s、幅手の風速分布5%、温度60℃の条件で、成膜面から高さ100mmの距離で送風することにより溶媒を除去し、次いで加熱処理装置により温度130℃で裏面伝熱方式の熱処理を行い、発光層を形成した。
 電子輸送層の形成
 下記E-Aを、0.5質量%溶液となるように2,2,3,3-テトラフルオロ-1-プロパノール中に溶解し、電子輸送層形成用塗布液を準備した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000004
 上記で形成した発光層上に、上記で準備した電子輸送層形成用塗布液を窒素ガス濃度99%以上の雰囲気下、塗布温度25℃、塗布速度1m/minの条件で、乾燥後の厚みが30nmとなるように押出し塗布機を用いて塗布した。得られた塗膜について、吐出風速1m/s、幅手の風速分布5%、温度60℃の条件で、成膜面から高さ100mmの距離で送風することにより溶媒を除去し、次いで加熱処理装置により温度200℃で裏面伝熱方式の熱処理を行い、電子輸送層を形成した。
 電子注入層の形成
 上記で形成した電子輸送層上に、電子注入層を形成した。より詳細には、第1電極層、正孔輸送層、発光層、および電子輸送層を備えるガスバリア性フィルムを減圧チャンバに投入し、5×10-4Paまで減圧した。減圧チャンバ内に予め準備していたタンタル製蒸着ボートのフッ化セシウムを加熱することで、厚さ3nmの電子注入層を形成した。
 第2電極の形成
 第1電極上に取り出し電極になる部分を除き、上記で形成した電子注入層上に第2電極を形成した。より詳細には、第1電極層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、および電子注入層を備えるガスバリア性フィルムを減圧チャンバに投入し、5×10-4Paまで減圧した。第2電極形成材料としてアルミニウム用いて、取り出し電極を有し、かつ、発光面積が50mm×50mmとなるように蒸着法でマスクパターン成膜して、第2電極を形成した。なお、第2電極の厚さは100nmであった。
 裁断
 第2電極まで形成したガスバリア性フィルムを、窒素雰囲気に移動させて、紫外線レーザーを用いて規定の大きさに裁断した。
 電極リード接続
 裁断したガスバリア性フィルムに、異方性導電フィルムDP3232S9(ソニーケミカル&インフォメーションデバイス株式会社製)を用いて、フレキシブルプリント基板(ベースフィルム:ポリイミド12.5μm、圧延銅箔18μm、カバーレイ:ポリイミド12.5μm、表面処理NiAuメッキ)を接続した。この際、温度170℃(別途熱電対を用いて測定したACF温度140℃)、圧力2MPaで10秒間圧着を行うことで接続を行った。
 封止
 電極リード(フレキシブルプリント基板)を接続したガスバリア性フィルムを、市販のロールラミネート装置を用いて封止部材を接着することで、有機EL素子1を作製した。より詳細には、封止部材には、30μm厚のアルミニウム箔(東洋アルミニウム株式会社製)に、ポリエチレンテレフタレート(PET)フィルム(12μm厚)をドライラミネーション用の接着剤(2液反応型のウレタン系接着剤)を介して貼合したもの(接着剤層の厚み1.5μm)を用いた。封止部材を接着するための接着剤としては、エポキシ系接着剤であるビスフェノールAジグリシジルエーテル(DGEBA)、ジシアンジアミド(DICY)、およびエポキシアダクト系硬化促進剤を含む熱硬化性接着剤を用いた。ディスペンサを使用して、アルミニウム面にアルミ箔の接着面(つや面)に沿って厚み20μmで熱硬化性接着剤を均一に塗布した。次いで、封止部材を、取り出し電極および電極リードの接合部を覆うようにして密着・配置し、圧着ロール温度120℃、圧力0.5MPa、装置速度0.3m/minの条件で圧着ロールにより密着封止した。
1  ガスバリア性フィルム(基材とCVD層を含む構成)、
2、55、110  基材、
3  CVD層(制御層、中間層、保護層ないし機能層等)、
31  製造装置、
32  送り出しローラー、
33、34、35、36  搬送ローラー、
39、40  成膜ローラー、
41  ガス供給管、
42 プラズマ発生用電源、
43、44  磁場発生装置、
45  巻取りローラー、
101  プラズマCVD装置、
102  真空槽、
103  カソード電極、
105  サセプタ、
106  熱媒体循環系、
107  真空排気系、
108  ガス導入系、
109  高周波電源、
160  加熱冷却装置。
201  ガスバリア性フィルム(保護フィルム剥離前)、
202  ガスバリア性フィルム(保護フィルム剥離後)、
50  保護フィルム
51  粘着層、
52  ガスバリア層、
53  制御層(CVD層;例えば、有機層、吸湿層、帯電防止層、平滑層、ブリードアウト層)、
54  中間層(例えば、アンカーコート層、平滑層、およびブリードアウト防止層)、
301  有機ELパネル、
61  有機EL素子、
62  対向フィルム、
63  接着剤層、
64  透明電極。

Claims (5)

  1.  基材と、
     前記基材の一方の面上に配置されたガスバリア層と、
     前記ガスバリア層上に粘着層を介して配置された保護フィルムと、
    を有するガスバリア性フィルムであって、
     前記ガスバリア層が、前記基材上にポリシラザン化合物を含有する塗布液を塗布して乾燥させて得られた塗膜に活性エネルギー線を照射して改質処理することにより形成されたものであり、
     前記保護フィルムを剥離した状態で測定される前記ガスバリア層の最表層部の元素存在比C/Siが1.5以下であることを特徴とする、ガスバリア性フィルム。
  2.  前記元素存在比C/Siが、1.2以下である、請求項1に記載のガスバリア性フィルム。
  3.  請求項1または2に記載のガスバリア性フィルムの製造方法であって、
     前記改質処理の終了から前記保護フィルムの貼合までの時間が5秒~3分である、ガスバリア性フィルムの製造方法。
  4.  請求項1または2に記載のガスバリア性フィルムまたは請求項3に記載の製造方法により得られたガスバリア性フィルムから保護フィルムを剥離した後、前記ガスバリア層上に電子デバイス本体が設けられてなることを特徴とする、電子デバイス。
  5.  請求項1または2に記載のガスバリア性フィルムまたは請求項3に記載の製造方法により得られたガスバリア性フィルムから保護フィルムを剥離した後、前記ガスバリア層上に電子デバイス本体を形成する工程を含むことを特徴とする、電子デバイスの製造方法。
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