WO2015080227A1

WO2015080227A1 - キャリア付銅箔、積層体、プリント配線板、及び、プリント配線板の製造方法

Info

Publication number: WO2015080227A1
Application number: PCT/JP2014/081468
Authority: WO
Inventors: 友太永浦
Original assignee: Jx日鉱日石金属株式会社
Priority date: 2013-11-27
Filing date: 2014-11-27
Publication date: 2015-06-04
Also published as: US10201092B2; KR20160079914A; TWI586526B; JP5870148B2; TW201527086A; JP2015127136A; CN105765110A; US20160353581A1; KR101780162B1; CN105765110B

Abstract

　極薄銅層表面の回路形成性が良好なキャリア付銅箔を提供する。キャリア付銅箔は、キャリア、中間層、極薄銅層をこの順に有する。極薄銅層表面の波長が４００ｎｍである光の吸収率が８５％以上である。

Description

キャリア付銅箔、積層体、プリント配線板、及び、プリント配線板の製造方法

　本発明は、キャリア付銅箔、積層体、プリント配線板、及び、プリント配線板の製造方法に関し、特に、ファインパターン用のプリント配線基板の製造時に用いるキャリア付銅箔、積層体、プリント配線板、及び、プリント配線板の製造方法に関する。

　プリント配線板はここ半世紀に亘って大きな進展を遂げ、今日ではほぼすべての電子機器に使用されるまでに至っている。近年の電子機器の小型化、高性能化ニーズの増大に伴い搭載部品の高密度実装化や信号の高周波化が進展し、プリント配線板に対して導体パターンの微細化（ファインピッチ化）や高周波対応等が求められており、特にプリント配線板上にＩＣチップを載せる場合、Ｌ（ライン）／Ｓ（スペース）＝２０μｍ／２０μｍ以下のファインピッチ化が求められている。

　プリント配線板はまず、銅箔とガラスエポキシ基板、ＢＴ樹脂、ポリイミドフィルムなどを主とする絶縁基板を貼り合わせた銅張積層体として製造される。貼り合わせは、絶縁基板と銅箔を重ね合わせて加熱加圧させて形成する方法(ラミネート法)、または、絶縁基板材料の前駆体であるワニスを銅箔の被覆層を有する面に塗布し、加熱・硬化する方法(キャスティング法)が用いられる。

　ファインピッチ化に伴って銅張積層体に使用される銅箔の厚みも９μｍ、さらには５μｍ以下になるなど、箔厚が薄くなりつつある。ところが、箔厚が９μｍ以下になると前述のラミネート法やキャスティング法で銅張積層体を形成するときのハンドリング性が極めて悪化する。そこで、厚みのある金属箔をキャリアとして利用し、これに剥離層を介して極薄銅層を形成したキャリア付銅箔が登場している。キャリア付銅箔の一般的な使用方法としては、特許文献１等に開示されているように、極薄銅層の表面を絶縁基板に貼り合わせて熱圧着後に、キャリアを、剥離層を介して剥離する。

　キャリア付銅箔を用いたプリント配線板の作製において、キャリア付銅箔の典型的な使用方法は、まず、キャリア付銅箔を絶縁基板へ積層した後に極薄銅層からキャリアを剥離する。次に、キャリアを剥がして露出した極薄銅層の上に光硬化性樹脂で形成されためっきレジストを設ける。次に、めっきレジストの所定領域に対して露光することで当該領域を硬化させる。続いて、非露光領域の硬化されていないめっきレジストを除去した後、当該レジスト除去領域に電解めっき層を設ける。次に、硬化しためっきレジストを除去することで、回路が形成された絶縁基板が得られ、これを用いてプリント配線板を作製する。

特開２００６－０２２４０６号公報

　このようなプリント配線板の製造方法において、絶縁基板上に形成される回路は、露光により硬化させためっきレジストの形状に対応する。そのため、硬化させためっきレジストの形状が不良であると、回路の形状も不良となり、ファインピッチ回路の形成が困難となる。また、キャリア付銅箔の極薄銅層の表面に回路めっきを形成し、当該形成した回路めっきを覆うように（回路めっきが埋没するように）極薄銅層上に埋め込み樹脂を設けて樹脂層を積層し、樹脂層の所定位置に穴あけを行い、回路めっきを露出させてブラインドビアを形成して積層体の複数の層間で回路や配線を導通させる、いわゆる埋め込み法を用いたプリント配線板の作製においては、各層間での回路の位置に求められる精度が非常に高く、所望の形状や位置に正確に回路を形成することが必要である。

　しかしながら、極薄銅層表面にめっきレジストを設け、めっきレジストの所定領域に対して露光すると、通常めっきレジストは光透過性であるため、光がめっきレジストを透過して極薄銅層表面で反射する。このときの反射光には、通常、極薄銅層表面に垂直な方向に反射する正反射光と、垂直に反射せずに広がって反射する拡散反射光とがある。このうち、拡散反射光はめっきレジストの硬化させたい領域以外の領域にも進入してしまい、硬化させたい領域以外にあるめっきレジストも硬化してしまう。このため、従来、めっきレジストの硬化させたい領域を精度良く加工することが困難であり、対応する回路形状を精度良く形成することが困難であるという問題がある。

　そこで、本発明は、極薄銅層表面の回路形成性が良好なキャリア付銅箔を提供することを課題とする。

　上記目的を達成するため、本発明者は鋭意研究を重ねたところ、キャリア付銅箔の極薄銅層表面の光吸収性を制御することが、極薄銅層表面の回路形成性の向上に極めて効果的であることを見出した。

　本発明は上記知見を基礎として完成したものであり、一側面において、キャリア、中間層、極薄銅層をこの順に有するキャリア付銅箔であって、前記極薄銅層表面の波長が４００ｎｍである光の吸収率が８５％以上であるキャリア付銅箔である。

　本発明のキャリア付銅箔は一実施形態において、前記極薄銅層表面の波長が４００ｎｍである光の吸収率が８７％以上である。

　本発明のキャリア付銅箔は別の一実施形態において、前記極薄銅層表面の波長が４００ｎｍである光の吸収率が９０％以上である。

　本発明のキャリア付銅箔は更に別の一実施形態において、前記極薄銅層表面の波長が４００ｎｍである光の吸収率が９１％以上である。

　本発明のキャリア付銅箔は更に別の一実施形態において、前記極薄銅層表面の波長が４００ｎｍである光の吸収率が９２％以上である。

　本発明のキャリア付銅箔は更に別の一実施形態において、前記極薄銅層表面の波長が４００ｎｍである光の吸収率が９３％以上である。

　本発明のキャリア付銅箔は更に別の一実施形態において、前記極薄銅層表面の波長が４００ｎｍである光の吸収率が９５％以上である。

　本発明のキャリア付銅箔は更に別の一実施形態において、前記極薄銅層の表面を、ＪＩＳ　Ｂ０６０１－１９９４に準拠してレーザー顕微鏡で測定したとき、前記表面の粗さＲｚの平均値が１．７μｍ以下である。

　本発明のキャリア付銅箔は更に別の一実施形態において、前記キャリアが電解銅箔または圧延銅箔で形成されている。

　本発明のキャリア付銅箔は更に別の一実施形態において、前記極薄銅層及び前記キャリアの少なくとも一方の表面、又は、両方の表面に粗化処理層を有する。

　本発明のキャリア付銅箔は更に別の一実施形態において、前記粗化処理層が、銅、ニッケル、コバルト、リン、タングステン、ヒ素、モリブデン、クロム及び亜鉛からなる群から選択されたいずれかの単体又はいずれか１種以上を含む合金からなる層である。

　本発明のキャリア付銅箔は更に別の一実施形態において、前記粗化処理層の表面に、樹脂層を備える。

　本発明のキャリア付銅箔は更に別の一実施形態において、前記粗化処理層の表面に、耐熱層、防錆層、クロメート処理層及びシランカップリング処理層からなる群から選択された１種以上の層を有する。

　本発明のキャリア付銅箔は更に別の一実施形態において、前記極薄銅層及び前記キャリアの少なくとも一方の表面、又は、両方の表面に耐熱層、防錆層、クロメート処理層及びシランカップリング処理層からなる群から選択された１種以上の層を有する。

　本発明のキャリア付銅箔は更に別の一実施形態において、前記耐熱層、防錆層、クロメート処理層及びシランカップリング処理層からなる群から選択された１種以上の層の上に樹脂層を備える。

　本発明のキャリア付銅箔は更に別の一実施形態において、前記極薄銅層上に樹脂層を備える。

　本発明のキャリア付銅箔は更に別の一実施形態において、前記樹脂層が接着用樹脂である。

　本発明のキャリア付銅箔は更に別の一実施形態において、前記樹脂層が半硬化状態の樹脂である。

　本発明は更に別の一側面において、本発明のキャリア付銅箔を用いて製造した積層体である。

　本発明の積層体は一実施形態において、前記キャリア付銅箔を一対備え、前記一対のキャリア付銅箔を互いに積層して構成された積層体であり、前記キャリア付銅箔において平面視したときに前記キャリア付銅箔の積層部分の外周の少なくとも一部が樹脂又はプリプレグで覆われてなる。

　本発明の積層体は別の一実施形態において、前記キャリア付銅箔を一対備え、前記一対のキャリア付銅箔の間に樹脂又はプリプレグを有するように構成された積層体であり、前記キャリア付銅箔において平面視したときに前記キャリア付銅箔の積層部分の外周の少なくとも一部が樹脂又はプリプレグで覆われてなる。

　本発明の積層体は更に別の一実施形態において、前記キャリア付銅箔において平面視したときに前記キャリア付銅箔の積層部分の外周の全体にわたって樹脂又はプリプレグで覆われてなる。

　本発明は別の一側面において、本発明のキャリア付銅箔を用いて製造したプリント配線板である。

　本発明は更に別の一側面において、本発明のキャリア付銅箔と絶縁基板とを準備する工程、前記キャリア付銅箔と絶縁基板とを積層する工程、前記キャリア付銅箔と絶縁基板とを積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程を経て銅張積層体を形成し、その後、セミアディティブ法、サブトラクティブ法、パートリーアディティブ法又はモディファイドセミアディティブ法のいずれかの方法によって、回路を形成する工程を含むプリント配線板の製造方法である。

　本発明は更に別の一側面において、本発明のキャリア付銅箔の前記極薄銅層側表面または前記キャリア側表面に回路を形成する工程、
　前記回路が埋没するように前記キャリア付金属箔の前記極薄銅層側表面または前記キャリア側表面に樹脂層を形成する工程、
　前記樹脂層上に回路を形成する工程、
　前記樹脂層上に回路を形成した後に、前記キャリアまたは前記極薄銅層を剥離させる工程、及び、
　前記キャリアまたは前記極薄銅層を剥離させた後に、前記極薄銅層または前記キャリアを除去することで、前記極薄銅層側表面または前記キャリア側表面に形成した、前記樹脂層に埋没している回路を露出させる工程
を含むプリント配線板の製造方法である。

　本発明のプリント配線板の製造方法は一実施形態において、前記樹脂層上に回路を形成する工程が、前記樹脂層上に別のキャリア付銅箔を極薄銅層側から貼り合わせ、前記樹脂層に貼り合わせたキャリア付銅箔を用いて前記回路を形成する工程である。

　本発明のプリント配線板の製造方法は別の一実施形態において、前記樹脂層上に貼り合わせる別のキャリア付銅箔が、本発明のキャリア付銅箔である。

　本発明のプリント配線板の製造方法は更に別の一実施形態において、前記樹脂層上に回路を形成する工程が、セミアディティブ法、サブトラクティブ法、パートリーアディティブ法又はモディファイドセミアディティブ法の何れかの方法によって行われる。

　本発明のプリント配線板の製造方法は更に別の一実施形態において、キャリアを剥離する前に、キャリア付銅箔のキャリア側表面に基板を形成する工程を更に含む。

　本発明によれば、極薄銅層表面の回路形成性が良好なキャリア付銅箔を提供することができる。

Ａ～Ｃは、本発明のキャリア付銅箔を用いたプリント配線板の製造方法の具体例に係る、回路めっき・レジスト除去までの工程における配線板断面の模式図である。Ｄ～Ｆは、本発明のキャリア付銅箔を用いたプリント配線板の製造方法の具体例に係る、樹脂及び２層目キャリア付銅箔積層からレーザー穴あけまでの工程における配線板断面の模式図である。Ｇ～Ｉは、本発明のキャリア付銅箔を用いたプリント配線板の製造方法の具体例に係る、ビアフィル形成から１層目のキャリア剥離までの工程における配線板断面の模式図である。Ｊ～Ｋは、本発明のキャリア付銅箔を用いたプリント配線板の製造方法の具体例に係る、フラッシュエッチングからバンプ・銅ピラー形成までの工程における配線板断面の模式図である。実施例に係るサンプルシートの測定箇所を示す模式図である。本発明の一実施形態に係る積層体１０の平面模式図である。本発明の一実施形態に係る積層体１０の断面模式図である。本発明の別の一実施形態に係る積層体２０の断面模式図である。本発明の更に別の一実施形態に係る積層体３０の断面模式図である。本発明の更に別の一実施形態に係る積層体４０の断面模式図である。本発明の更に別の一実施形態に係る積層体５０の断面模式図である。

＜キャリア付銅箔＞
　本発明のキャリア付銅箔は、キャリア、中間層、極薄銅層をこの順に有する。キャリア付銅箔自体の使用方法は当業者に周知であるが、例えば極薄銅層の表面を紙基材フェノール樹脂、紙基材エポキシ樹脂、合成繊維布基材エポキシ樹脂、ガラス布・紙複合基材エポキシ樹脂、ガラス布・ガラス不織布複合基材エポキシ樹脂及びガラス布基材エポキシ樹脂、ポリエステルフィルム、ポリイミドフィルム等の絶縁基板に貼り合わせて熱圧着後にキャリアを剥がし、絶縁基板に接着した極薄銅層を目的とする導体パターンにエッチングし、最終的に積層体（銅張積層体等）、又は、プリント配線板等を製造することができる。

＜キャリア＞
　本発明に用いることのできるキャリアは典型的には金属箔または樹脂フィルムであり、例えば銅箔、銅合金箔、ニッケル箔、ニッケル合金箔、鉄箔、鉄合金箔、ステンレス箔、アルミニウム箔、アルミニウム合金箔、絶縁樹脂フィルム、ポリイミドフィルム、ＬＣＤフィルムの形態で提供される。
　本発明に用いることのできるキャリアは典型的には圧延銅箔や電解銅箔の形態で提供される。一般的には、電解銅箔は硫酸銅めっき浴からチタンやステンレスのドラム上に銅を電解析出して製造され、圧延銅箔は圧延ロールによる塑性加工と熱処理を繰り返して製造される。銅箔の材料としてはタフピッチ銅（ＪＩＳ　Ｈ３１００　合金番号Ｃ１１００）や無酸素銅（ＪＩＳ　Ｈ３１００　合金番号Ｃ１０２０またはＪＩＳ　Ｈ３５１０　合金番号Ｃ１０１１）といった高純度の銅の他、例えばＳｎ入り銅、Ａｇ入り銅、Ｃｒ、Ｚｒ又はＭｇ等を添加した銅合金、Ｎｉ及びＳｉ等を添加したコルソン系銅合金のような銅合金も使用可能である。なお、本明細書において用語「銅箔」を単独で用いたときには銅合金箔も含むものとする。

　本発明に用いることのできるキャリアの厚さについても特に制限はないが、キャリアとしての役目を果たす上で適した厚さに適宜調節すればよく、例えば１２μｍ以上とすることができる。但し、厚すぎると生産コストが高くなるので一般には３５μｍ以下とするのが好ましい。従って、キャリアの厚みは典型的には１２～３００μｍであり、より典型的には１２～１５０μｍであり、より典型的には１２～７０μｍであり、より典型的には１８～３５μｍである。

＜中間層＞
　キャリアの片面又は両面上には中間層を設ける。銅箔キャリアと中間層との間に他の層を設けてもよい。本発明で用いる中間層は、キャリア付銅箔が絶縁基板への積層工程前にはキャリアから極薄銅層が剥離し難い一方で、絶縁基板への積層工程後にはキャリアから極薄銅層が剥離可能となるような構成であれば特に限定されない。例えば、本発明のキャリア付銅箔の中間層はＣｒ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｗ、Ｐ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｚｎ、これらの合金、これらの水和物、これらの酸化物、有機物からなる群から選択される一種又は二種以上を含んでも良い。また、中間層は複数の層であっても良い。
　また、例えば、中間層はキャリア側からＣｒ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｗ、Ｐ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｚｎで構成された元素群から選択された一種の元素からなる単一金属層、或いは、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｗ、Ｐ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｚｎで構成された元素群から選択された一種又は二種以上の元素からなる合金層を形成し、その上にＣｒ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｗ、Ｐ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｚｎで構成された元素群から選択された一種又は二種以上の元素の水和物または酸化物または有機物からなる層を形成することで構成することができる。
　また、例えば中間層は、キャリア側からＣｒ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｗ、Ｐ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｚｎの元素群の内何れか一種の元素からなる単一金属層、あるいはＣｒ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｗ、Ｐ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｚｎの元素群から選択された一種以上の元素からなる合金層、その次にＣｒ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｗ、Ｐ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｚｎの元素群の内何れか一種の元素からなる単一金属層、あるいはＣｒ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｗ、Ｐ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｚｎの元素群から選択された一種以上の元素からなる合金層で構成することができる。また、他の層には中間層として用いることができる層構成を用いてもよい。
　中間層を片面にのみ設ける場合、キャリアの反対面にはＮｉめっき層などの防錆層を設けることが好ましい。なお、中間層をクロメート処理や亜鉛クロメート処理やめっき処理で設けた場合には、クロムや亜鉛など、付着した金属の一部は水和物や酸化物となっている場合があると考えられる。
　また、例えば、中間層は、キャリア上に、ニッケル、ニッケル－リン合金又はニッケル－コバルト合金と、クロムとがこの順で積層されて構成することができる。ニッケルと銅との接着力はクロムと銅の接着力よりも高いので、極薄銅層を剥離する際に、極薄銅層とクロムとの界面で剥離するようになる。また、中間層のニッケルにはキャリアから銅成分が極薄銅層へと拡散していくのを防ぐバリア効果が期待される。中間層におけるニッケルの付着量は好ましくは１００μｇ／ｄｍ²以上４００００μｇ／ｄｍ²以下、より好ましくは１００μｇ／ｄｍ²以上４０００μｇ／ｄｍ²以下、より好ましくは１００μｇ／ｄｍ²以上２５００μｇ／ｄｍ²以下、より好ましくは１００μｇ／ｄｍ²以上１０００μｇ／ｄｍ²未満であり、中間層におけるクロムの付着量は５μｇ／ｄｍ²以上１００μｇ／ｄｍ²以下であることが好ましい。中間層を片面にのみ設ける場合、キャリアの反対面にはＮｉめっき層などの防錆層を設けることが好ましい。

　＜ストライクめっき＞
　中間層の上には極薄銅層を設ける。その前に極薄銅層のピンホールを低減させるために銅－リン合金によるストライクめっきを行ってもよい。ストライクめっきにはピロリン酸銅めっき液などが挙げられる。

＜極薄銅層＞
　中間層の上には極薄銅層を設ける。なお、中間層と極薄銅層との間には他の層を設けてもよい。
　極薄銅層は、硫酸銅、ピロリン酸銅、スルファミン酸銅、シアン化銅等の電解浴を利用した電気めっきにより形成することができ、一般的な電解銅箔で使用され、高電流密度での銅箔形成が可能であることから硫酸銅浴が好ましい。極薄銅層の厚みは特に制限はないが、一般的にはキャリアよりも薄く、例えば１２μｍ以下である。典型的には０．５～１２μｍであり、より典型的には１．５～５μｍであり、より典型的には２～５μｍである。なお、極薄銅層はキャリアの両面に設けてもよい。また、他の層には中間層として用いることができる構成の層を用いてもよい。

　本発明のキャリア付銅箔を用いて積層体（銅張積層体等）を作製することができる。当該積層体としては、例えば、「極薄銅層／中間層／キャリア／樹脂又はプリプレグ」の順に積層された構成であってもよく、「極薄銅層／中間層／キャリア／樹脂又はプリプレグ／キャリア／中間層／極薄銅層」の順に積層された構成であってもよい。前記樹脂又はプリプレグは後述する樹脂層であってもよく、後述する樹脂層に用いる樹脂、樹脂硬化剤、化合物、硬化促進剤、誘電体、反応触媒、架橋剤、ポリマー、プリプレグ、骨格材等を含んでもよい。なお、キャリア付銅箔は平面視したときに樹脂又はプリプレグより小さくてもよい。

　本発明の積層体は、本発明のキャリア付銅箔を一対備え、一対のキャリア付銅箔を互いに積層して構成された積層体であり、キャリア付銅箔において平面視したときにキャリア付銅箔の積層部分の外周の少なくとも一部が樹脂又はプリプレグで覆われてなるものであってもよい。また、このとき、積層体は、一対のキャリア付銅箔を互いに分離可能に接触させて構成されていてもよい。また、キャリア付銅箔において平面視したときにキャリア付銅箔の積層部分の外周の全体にわたって樹脂又はプリプレグで覆われてなるものであってもよい。このような構成とすることにより、キャリア付銅箔を平面視したときに、キャリア付銅箔の積層部分が樹脂又はプリプレグにより覆われ、他の部材がこの部分の側方向、すなわち積層方向に対して横からの方向から当たることを防ぐことができるようになり、結果としてハンドリング中のキャリア付銅箔同士の剥がれを少なくすることができる。また、キャリア付銅箔の積層部分の外周を露出しないように樹脂又はプリプレグで覆うことにより、前述したような薬液処理工程におけるこの界面への薬液の浸入を防ぐことができ、キャリア付銅箔の腐食や侵食を防ぐことができる。

　また、本発明の積層体は、本発明のキャリア付銅箔を一対備え、一対のキャリア付銅箔の間に樹脂又はプリプレグを有するように構成された積層体であり、キャリア付銅箔において平面視したときにキャリア付銅箔の積層部分の外周の少なくとも一部が樹脂又はプリプレグで覆われてなるものであってもよい。当該形態の一例として、キャリア付銅箔の端部（すなわち、キャリア付銅箔を平面視したときの前記キャリア付銅箔の積層部分の外周部分）が樹脂又はプリプレグで覆われた積層体の具体的な構成について図を用いて説明する。図６（積層体１０の平面模式図）及び図７（積層体１０の断面模式図）に示すように、積層体１０は、本発明のキャリア付銅箔１１を一対備え、一対のキャリア付銅箔１１（キャリア１２、中間層１３、極薄銅層１４）の間に樹脂（板状樹脂１８）またはプリプレグ（板状プリプレグ１９）を有するように構成された積層体であり、キャリア付銅箔１１において平面視したときにキャリア付銅箔１１の樹脂又はプリプレグへの積層部分の外周の少なくとも一部が樹脂１５又はプリプレグ１６で覆われて構成されている。また、別の一実施形態として、キャリア付銅箔１１において平面視したときにキャリア付銅箔１１の樹脂（板状樹脂１８）またはプリプレグ（板状プリプレグ１９）への積層部分の外周の全体にわたって樹脂１５又はプリプレグ１６で覆われて構成されていてもよい。

　このような構成とすることにより、キャリア付銅箔１１を平面視したときに、キャリア付銅箔１１の樹脂（板状樹脂１８）またはプリプレグ（板状プリプレグ１９）への積層部分が樹脂１５又はプリプレグ１６により覆われ、他の部材がこの部分の側方向、すなわち積層方向に対して横からの方向から当たることを防ぐことができるようになり、結果としてハンドリング中のキャリア付銅箔１１同士の剥がれを少なくすることができる。また、キャリア付銅箔１１の樹脂（板状樹脂１８）またはプリプレグ（板状プリプレグ１９）への積層部分の外周を露出しないように樹脂１５又はプリプレグ１６で覆うことにより、前述したような薬液処理工程におけるこの界面への薬液の浸入を防ぐことができ、キャリア付銅箔１１の腐食や侵食を防ぐことができる。

　また、樹脂１５又はプリプレグ１６がキャリア付銅箔１１を平面視したときに開口部１７を有するようにキャリア付銅箔１１の樹脂（板状樹脂１８）またはプリプレグ（板状プリプレグ１９）への積層部分の外周を覆い、当該開口部１７においてキャリア付銅箔１１が露出していてもよい。当該開口部１７は、通常のフォトリソグラフィ技術や、マスキングテープやマスキングシート等を積層した後に開口部１７のみエッチング除去する技術、または樹脂１５又はプリプレグ１６に対して、プレスにより、二つのキャリア付銅箔１１を接触させて得られる積層物を圧着または熱圧着することなどにより形成することができる。当該開口部１７は、平面視したときに、キャリア付銅箔１１の端部（外周）より内側で形成されていてもよいし、キャリア付銅箔１１の端部または二つのキャリア付銅箔１１の積層部分の外周の少なくとも一部に到達していてもよい。

　また、図７に示す積層体１０は、キャリア付銅箔１１を、それぞれ極薄銅層１４が内側となるように積層しているが、これに限られず、図８に示す積層体２０のように極薄銅層２４がそれぞれ外側となるように積層して構成してもよいし、一方のキャリア付銅箔を極薄銅層が内側となるように積層し、他方のキャリア付銅箔を極薄銅層が外側となるように積層してもよい。

　本発明の積層体は、図７～図９に示すように、一つの積層体１０、２０、３０の中に、一対のキャリア付銅箔１１、２１、３１を互いに接触させた積層物を二つ以上含み、当該一対のキャリア付銅箔１１、２１、３１の間に設けられる板状樹脂１８、２８、３８又は板状プリプレグ１９、２９、３９と、樹脂１５、２５、３５又はプリプレグ１６、２６、３６とを一体的に形成してもよい。すなわち、板状樹脂１８、２８、３８又は板状プリプレグ１９、２９、３９と、樹脂１５、２５、３５又はプリプレグ１６、２６、３６とを同じタイミングで加熱硬化させるなどして一体的に形成してもよい。
　また、本発明の積層体は、図１０、図１１に示すように、板状樹脂４８、５８又は板状プリプレグ４９、５９と、樹脂４５、５５又はプリプレグ４６、５６とが別々の部材として形成されていてもよい。すなわち、積層体４０、５０において、キャリア付銅箔４１、５１で挟まれる板状樹脂４８、５８又は板状プリプレグ４９、５９と、積層面を側面から覆うように形成した樹脂４５、５５又はプリプレグ４６、５６とを異なるタイミングで形成し、図７～図９のように板状樹脂と積層面を覆う樹脂とが一体にならないようにしてもよい。なお、図１０、図１１において、板状樹脂４８、５８又は板状プリプレグ４９、５９と、樹脂４５、５５又はプリプレグ４６、５６とが異なる種類であってもよいし、同じ種類であってもよい。例えば、板状プリプレグ４９、５９と、エポキシ樹脂などの樹脂４５、５５とを用いて構成することができる。なお、板状樹脂１８、２８、３８、４８、５８若しくは板状プリプレグ１９、２９、３９、４９、５９及び樹脂１５、２５、３５、４５、５５若しくはプリプレグ１６、２６、３６、４６、５６は後述する樹脂層であってもよく、後述する樹脂層に用いる樹脂、樹脂硬化剤、化合物、硬化促進剤、誘電体、反応触媒、架橋剤、ポリマー、プリプレグ、骨格材等を含んでもよい。
　なお、図１０、図１１に示す積層体４０、５０は、例えば板状樹脂４８、５８又は板状プリプレグ４９、５９の両面に、キャリア付銅箔４１、５１をそれぞれ積層し、必要に応じて、表面のキャリア付銅箔４１、５１をマスクして、積層面に対して側面から後述するような樹脂を塗布して加熱硬化させることで作製してもよい。
　また、図６～１１に示す積層体１０、２０、３０、４０、５０は、それぞれ、Ｂ－Ｂ線で切断することで切り出された積層体としてもよい。なお、切断位置となるＢ－Ｂ線は、図６、図７、図８、図１０では積層体外周部を覆う樹脂１５、２５、４５、プリプレグ１６、２６、４６の上に設けているが、これに限られない。すなわち、切断位置となるＢ－Ｂ線を開口部１７、２７、４７の上に設けてもよい。

＜粗化処理＞
　極薄銅層の表面には、例えば絶縁基板との密着性を良好にすること等のために粗化処理を施すことで粗化処理層を設けてもよい。
　また、キャリアの表面粗化処理を施すことで粗化処理層を設けてもよい。このような構成によれば、本発明のキャリア付銅箔をキャリア側から樹脂基板に積層する処理を行うとき、キャリアと樹脂基板との密着性が向上し、プリント配線板の製造工程においてキャリアと樹脂基板とが剥離し難くなる。
　粗化処理は、例えば、銅又は銅合金で粗化粒子を形成することにより行うことができる。粗化処理は微細なものであっても良い。粗化処理層は、銅、ニッケル、コバルト、リン、タングステン、ヒ素、モリブデン、クロム及び亜鉛からなる群から選択されたいずれかの単体又はいずれか１種以上を含む合金からなる層などであってもよい。また、銅又は銅合金で粗化粒子を形成した後、更にニッケル、コバルト、銅、亜鉛の単体または合金等で二次粒子や三次粒子を設ける粗化処理を行うこともできる。その後に、ニッケル、コバルト、銅、亜鉛の単体または合金等で耐熱層または防錆層を形成しても良く、更にその表面にクロメート処理、シランカップリング処理などの処理を施してもよい。または粗化処理を行わずに、ニッケル、コバルト、銅、亜鉛の単体または合金等で耐熱層又は防錆層を形成し、さらにその表面にクロメート処理、シランカップリング処理などの処理を施してもよい。すなわち、粗化処理層の表面に、耐熱層、防錆層、クロメート処理層及びシランカップリング処理層からなる群から選択された１種以上の層を形成してもよく、極薄銅層及びキャリアの少なくとも一方の表面、又は、両方の表面に、耐熱層、防錆層、クロメート処理層及びシランカップリング処理層からなる群から選択された１種以上の層を形成してもよい。なお、上述の耐熱層、防錆層、クロメート処理層、シランカップリング処理層はそれぞれ複数の層で形成されてもよい（例えば２層以上、３層以上など）。なお、これらの表面処理は極薄銅層の表面粗さにほとんど影響を与えない。

　粗化処理は、例えば、銅又は銅合金で粗化粒子を形成することにより行うことができる。粗化処理層は、ファインピッチ形成の観点から微細な粒子で構成されるのが好ましい。粗化粒子を形成する際の電気めっき条件について、電流密度を高く、めっき液中の銅濃度を低く、又は、クーロン量を大きくすると粒子が微細化する傾向にある。

　本発明のキャリア付銅箔の極薄銅層の粗化処理方法は、具体的には以下の（１）～（４）のいずれかによって行うことができる。
　（１）粗化処理の際の電流密度を高くする。これによって、極薄銅層表面の凹凸が微細となり、表面の凹凸が増加するため、光が吸収されやすくなる。
　（２）粗化処理の際のクーロン量を大きくする。これによって、極薄銅層表面の凹凸、粒子の積み重なりが多くなるため、光が吸収されやすくなる。
　（３）粗化処理の際の粗化処理時間を長くする。これによって、極薄銅層表面の凹凸、粒子の積み重なりが多くなるため、光が吸収されやすくなる。
　（４）粗化処理粒子が小さくなるような添加元素（例えばＮｉ、Ｃｏ、Ｗ、Ａｓ等)を処理液に添加する。これによって、極薄銅層表面の凹凸が微細となり、表面の凹凸が増加するため、光が吸収されやすくなる。

　上述の、本発明のキャリア付銅箔の極薄銅層の粗化処理方法をより具体的に以下に説明する。
・粗化処理が銅合金粗化めっき（めっき液中の銅濃度が、その他の元素の濃度と同程度の値であるか、その他の元素の濃度の数十分の１倍から数十倍、好ましくは数倍から数十倍であるめっき浴で行う粗化めっき。）である場合：
　（Ａ）下地の粗化処理が無い場合(以下の（ａ）、（ｂ）のいずれか１つ以上を満たせばよい）
　　（ａ）当該銅合金粗化めっきのめっき条件において、電流密度を４０～６０Ａ／ｄｍ²に制御する。また、粗化処理時間を１～１０秒に制御し、クーロン量を４５～３００Ａｓ／ｄｍ²に制御する。
　　（ｂ）当該銅合金粗化めっきのめっき条件において、クーロン量を２００～３００Ａｓ／ｄｍ²に制御する。また、粗化処理時間を１～１０秒に制御し、電流密度を３０～４５Ａｓ／ｄｍ²に制御する。
　（Ｂ）下地の粗化処理が有る場合(以下の（ｃ）～（ｅ）のいずれか２つ以上を満たせばよい）
　　（ｃ）当該銅合金粗化めっきのめっき条件において、電流密度を５２～６５Ａ／ｄｍ²に制御する。
　　（ｄ）当該銅合金粗化めっきのめっき条件において、粗化処理時間を６～１６秒に制御する。
　　（ｅ）当該銅合金粗化めっきのめっき条件において、クーロン量を６０～８０Ａｓ／ｄｍ²に制御する。
・粗化処理が銅粗化めっき（めっき液中の銅濃度がその他の元素の濃度よりも１００倍以上高いめっき浴で行う粗化めっき。）である場合：
　銅粗化めっき１、その後の銅粗化めっき２の少なくとも二段の粗化処理を行う。このとき、以下の（ｆ）、（ｇ）のいずれかを満たすように粗化処理を行う。
　　（ｆ）一段目の粗化処理のクーロン量を６００Ａｓ／ｄｍ²以上に制御する。
　　（ｇ）二段目の粗化処理の電流密度を０．５～１３Ａ／ｄｍ²に制御し、クーロン量を０．０５～１０００Ａｓ／ｄｍ²に制御する。また、このとき、好ましくは粗化処理時間を０．１～２０秒とする。

　（表面粗さＲｚ）
　前記極薄銅層の表面を、ＪＩＳ　Ｂ０６０１－１９９４に準拠してレーザー顕微鏡で測定したとき、前記表面の粗さＲｚ（十点平均粗さ）を１．７μｍ以下とすることで、当該表面に形成する回路のマイグレーションの発生を良好に抑制することができ、ファインピッチ形成の観点で極めて有利となる。Ｒｚの平均値は好ましくは１．６μｍ以下であり、より好ましくは１．５μｍ以下であり、より好ましくは１．４μｍ以下であり、より好ましくは１．３μｍ以下であり、より好ましくは１．２μｍ以下であり、より好ましくは１．０μｍ以下であり、より好ましくは０．８μｍ以下である。但し、Ｒｚの平均値は、小さくなりすぎると樹脂との密着力が低下することから、０．０１μｍ以上であることが好ましく、０．１μｍ以上であることがより好ましく、０．３μｍ以上が更により好ましく、０．５μｍ以上が最も好ましい。

　なお、本発明において極薄銅層の表面粗さ（Ｒｚ）は、極薄銅層が表面処理されている場合は、当該表面処理された側の表面の粗さを示す。なお、プリント配線板または銅張積層体など、極薄銅層表面に樹脂などの絶縁基板が接着されている場合においては、絶縁基板を溶かして除去することで、銅回路または銅箔表面について、前述の表面粗さ（Ｒｚ）を測定することができる。

　（光の吸収率）
　本発明のキャリア付銅箔は、極薄銅層表面の波長が４００ｎｍである光の吸収率が８５％以上に制御されている。キャリア付銅箔は、極薄銅層側から絶縁基板に積層させ、キャリアを剥がした後、露出した極薄銅層表面に回路を形成する。このとき、まず極薄銅層表面（本発明において、極薄銅層の表面に粗化処理等の表面処理がされている場合には、「極薄銅層表面」は極薄銅層の表面処理された後の表面をいう）にめっきレジストを設け、めっきレジストの所定領域に対して露光するが、通常、めっきレジストは光透過性であるため、光がめっきレジストを透過して極薄銅層表面で反射する。このときの反射光には、通常、極薄銅層表面に垂直な方向に反射する正反射光と、垂直に反射せずに広がって反射する拡散反射光とがある。このうち、拡散反射光はめっきレジストの硬化させたい領域以外の領域にも進入してしまい、硬化させたい領域以外にあるめっきレジストも硬化してしまうおそれがある。これに対し、本発明では、極薄銅層表面の波長が４００ｎｍである光の吸収率が８５％以上に制御されているため、露光の際にめっきレジストを透過した光を極薄銅層表面で吸収することで、極薄銅層表面での光の反射を抑制することができる。このため、不必要なめっきレジストの硬化を抑制することができ、めっきレジストの硬化させたい領域を精度良く加工することができ、それによって対応する回路形状を精度良く形成することができる。極薄銅層表面の波長が４００ｎｍである光の吸収率は、好ましくは８７％以上であり、より好ましくは９０％以上であり、更により好ましくは９１％以上であり、更により好ましくは９２％以上であり、更により好ましくは９３％以上であり、更により好ましくは９５％以上である。極薄銅層表面の波長が４００ｎｍである光の吸収率の上限は１００％であり、典型的には９９.９％以下、典型的には９９.５％以下、９９．３％以下である。

＜プリント配線板及び積層体＞
　キャリア付銅箔を極薄銅層側から絶縁樹脂板に貼り付けて熱圧着させ、キャリアを剥がすことで積層体（銅張積層体等）を作製することができる。また、その後、極薄銅層部分をエッチングすることにより、プリント配線板の銅回路を形成することができる。ここで用いる絶縁樹脂板はプリント配線板に適用可能な特性を有するものであれば特に制限を受けないが、例えば、リジッドＰＷＢ用に紙基材フェノール樹脂、紙基材エポキシ樹脂、合成繊維布基材エポキシ樹脂、ガラス布・紙複合基材エポキシ樹脂、ガラス布・ガラス不織布複合基材エポキシ樹脂及びガラス布基材エポキシ樹脂等を使用し、ＦＰＣ用にポリエステルフィルムやポリイミドフィルム等を使用する事ができる。このようにして作製したプリント配線板、積層体は、搭載部品の高密度実装が要求される各種電子部品に搭載することができる。
　なお、本発明において、「プリント配線板」には部品が装着されたプリント配線板およびプリント回路板およびプリント基板も含まれることとする。また、本発明のプリント配線板を２つ以上接続して、プリント配線板が２つ以上接続したプリント配線板を製造することができ、また、本発明のプリント配線板を少なくとも１つと、もう一つの本発明のプリント配線板又は本発明のプリント配線板に該当しないプリント配線板とを接続することができ、このようなプリント配線板を用いて電子機器を製造することもできる。なお、本発明において、「銅回路」には銅配線も含まれることとする。

　また、キャリア付銅箔は、極薄銅層上に粗化処理層を備えても良く、前記粗化処理層上に、耐熱層、防錆層、クロメート処理層、およびシランカップリング処理層からなる群のから選択された層を一つ以上備えても良い。
　また、前記極薄銅層上に粗化処理層を備え、前記粗化処理層上に、耐熱層、防錆層を備えてもよく、前記耐熱層、防錆層上にクロメート処理層を備えてもよく、前記クロメート処理層上にシランカップリング処理層を備えても良い。
　また、前記キャリア付銅箔は前記極薄銅層上、あるいは前記粗化処理層上、あるいは前記耐熱層、防錆層、あるいはクロメート処理層、あるいはシランカップリング処理層の上に樹脂層を備えても良い。

　前記樹脂層は接着剤であってもよく、接着用の半硬化状態（Ｂステージ状態）の絶縁樹脂層であってもよい。半硬化状態（Ｂステージ状態）とは、その表面に指で触れても粘着感はなく、該絶縁樹脂層を重ね合わせて保管することができ、更に加熱処理を受けると硬化反応が起こる状態のことを含む。

　また前記樹脂層は熱硬化性樹脂を含んでもよく、熱可塑性樹脂であってもよい。また、前記樹脂層は熱可塑性樹脂を含んでもよい。前記樹脂層は公知の樹脂、樹脂硬化剤、化合物、硬化促進剤、誘電体、反応触媒、架橋剤、ポリマー、プリプレグ、骨格材等を含んでよい。また、前記樹脂層は例えば国際公開番号ＷＯ２００８／００４３９９、国際公開番号ＷＯ２００８／０５３８７８、国際公開番号ＷＯ２００９／０８４５３３、特開平１１－５８２８号、特開平１１－１４０２８１号、特許第３１８４４８５号、国際公開番号ＷＯ９７／０２７２８、特許第３６７６３７５号、特開２０００－４３１８８号、特許第３６１２５９４号、特開２００２－１７９７７２号、特開２００２－３５９４４４号、特開２００３－３０４０６８号、特許第３９９２２２５号、特開２００３－２４９７３９号、特許第４１３６５０９号、特開２００４－８２６８７号、特許第４０２５１７７号、特開２００４－３４９６５４号、特許第４２８６０６０号、特開２００５－２６２５０６号、特許第４５７００７０号、特開２００５－５３２１８号、特許第３９４９６７６号、特許第４１７８４１５号、国際公開番号ＷＯ２００４／００５５８８、特開２００６－２５７１５３号、特開２００７－３２６９２３号、特開２００８－１１１１６９号、特許第５０２４９３０号、国際公開番号ＷＯ２００６／０２８２０７、特許第４８２８４２７号、特開２００９－６７０２９号、国際公開番号ＷＯ２００６／１３４８６８、特許第５０４６９２７号、特開２００９－１７３０１７号、国際公開番号ＷＯ２００７／１０５６３５、特許第５１８０８１５号、国際公開番号ＷＯ２００８／１１４８５８、国際公開番号ＷＯ２００９／００８４７１、特開２０１１－１４７２７号、国際公開番号ＷＯ２００９／００１８５０、国際公開番号ＷＯ２００９／１４５１７９、国際公開番号ＷＯ２０１１／０６８１５７、特開２０１３－１９０５６号に記載されている物質（樹脂、樹脂硬化剤、化合物、硬化促進剤、誘電体、反応触媒、架橋剤、ポリマー、プリプレグ、骨格材等）および／または樹脂層の形成方法、形成装置を用いて形成してもよい。

　また、前記樹脂層は、その種類は格別限定されるものではないが、例えば、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、多官能性シアン酸エステル化合物、マレイミド化合物、ポリマレイミド化合物、マレイミド系樹脂、芳香族マレイミド樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、ウレタン樹脂、ポリエーテルスルホン（ポリエーテルサルホン、ポリエーテルサルフォンともいう）、ポリエーテルスルホン（ポリエーテルサルホン、ポリエーテルサルフォンともいう）樹脂、芳香族ポリアミド樹脂、芳香族ポリアミド樹脂ポリマー、ゴム性樹脂、ポリアミン、芳香族ポリアミン、ポリアミドイミド樹脂、ゴム変成エポキシ樹脂、フェノキシ樹脂、カルボキシル基変性アクリロニトリル－ブタジエン樹脂、ポリフェニレンオキサイド、ビスマレイミドトリアジン樹脂、熱硬化性ポリフェニレンオキサイド樹脂、シアネートエステル系樹脂、カルボン酸の無水物、多価カルボン酸の無水物、架橋可能な官能基を有する線状ポリマー、ポリフェニレンエーテル樹脂、２，２－ビス（４－シアナトフェニル）プロパン、リン含有フェノール化合物、ナフテン酸マンガン、２，２－ビス（４－グリシジルフェニル）プロパン、ポリフェニレンエーテル－シアネート系樹脂、シロキサン変性ポリアミドイミド樹脂、シアノエステル樹脂、フォスファゼン系樹脂、ゴム変成ポリアミドイミド樹脂、イソプレン、水素添加型ポリブタジエン、ポリビニルブチラール、フェノキシ、高分子エポキシ、芳香族ポリアミド、フッ素樹脂、ビスフェノール、ブロック共重合ポリイミド樹脂およびシアノエステル樹脂の群から選択される一種以上を含む樹脂を好適なものとして挙げることができる。

　また前記エポキシ樹脂は、分子内に２個以上のエポキシ基を有するものであって、電気・電子材料用途に用いることのできるものであれば、特に問題なく使用できる。また、前記エポキシ樹脂は分子内に２個以上のグリシジル基を有する化合物を用いてエポキシ化したエポキシ樹脂が好ましい。また、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡＤ型エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、ブロム化（臭素化）エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、臭素化ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、オルトクレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ゴム変性ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、トリグリシジルイソシアヌレート、Ｎ，Ｎ－ジグリシジルアニリン等のグリシジルアミン化合物、テトラヒドロフタル酸ジグリシジルエステル等のグリシジルエステル化合物、リン含有エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ビフェニルノボラック型エポキシ樹脂、トリスヒドロキシフェニルメタン型エポキシ樹脂、テトラフェニルエタン型エポキシ樹脂、の群から選ばれる１種又は２種以上を混合して用いることができ、又は前記エポキシ樹脂の水素添加体やハロゲン化体を用いることができる。
　前記リン含有エポキシ樹脂として公知のリンを含有するエポキシ樹脂を用いることができる。また、前記リン含有エポキシ樹脂は例えば、分子内に２以上のエポキシ基を備える９，１０－ジヒドロ－９－オキサ－１０－ホスファフェナントレン－１０－オキサイドからの誘導体として得られるエポキシ樹脂であることが好ましい。

（樹脂層が誘電体（誘電体フィラー）を含む場合）
　前記樹脂層は誘電体（誘電体フィラー）を含んでもよい。
　上記いずれかの樹脂層または樹脂組成物に誘電体（誘電体フィラー）を含ませる場合には、キャパシタ層を形成する用途に用い、キャパシタ回路の電気容量を増大させることができるのである。この誘電体（誘電体フィラー）には、ＢａＴｉＯ₃、ＳｒＴｉＯ₃、Ｐｂ（Ｚｒ－Ｔｉ）Ｏ₃（通称ＰＺＴ）、ＰｂＬａＴｉＯ₃・ＰｂＬａＺｒＯ（通称ＰＬＺＴ）、ＳｒＢｉ₂Ｔａ₂Ｏ₉（通称ＳＢＴ）等のペブロスカイト構造を持つ複合酸化物の誘電体粉を用いる。

　誘電体（誘電体フィラー）は粉状であってもよい。誘電体（誘電体フィラー）が粉状である場合、この誘電体（誘電体フィラー）の粉体特性は、粒径が０．０１μｍ～３．０μｍ、好ましくは０．０２μｍ～２．０μｍの範囲のものであることが好ましい。なお、誘電体を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）で写真撮影し、当該写真上の誘電体の粒子の上に直線を引いた場合に、誘電体の粒子を横切る直線の長さが最も長い部分の誘電体の粒子の長さをその誘電体の粒子の径とする。そして、測定視野における誘電体の粒子の径の平均値を、誘電体の粒径とする。

　前述の樹脂層に含まれる樹脂および／または樹脂組成物および／または化合物を例えばメチルエチルケトン（ＭＥＫ）、シクロペンタノン、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、Ｎ－メチルピロリドン、トルエン、メタノール、エタノール、プロピレングリコールモノメチルエーテル、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、シクロヘキサノン、エチルセロソルブ、Ｎ－メチル－２－ピロリドン、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミドなどの溶剤に溶解して樹脂液（樹脂ワニス）とし、これを前記キャリア付銅箔の極薄銅層側の表面に、例えばロールコータ法などによって塗布し、ついで必要に応じて加熱乾燥して溶剤を除去しＢステージ状態にする。乾燥には例えば熱風乾燥炉を用いればよく、乾燥温度は１００～２５０℃、好ましくは１３０～２００℃であればよい。前記樹脂層の組成物を、溶剤を用いて溶解し、樹脂固形分３ｗｔ％～７０ｗｔ％、好ましくは、３ｗｔ％～６０ｗｔ％、好ましくは１０ｗｔ％～４０ｗｔ％、より好ましくは２５ｗｔ％～４０ｗｔ％の樹脂液としてもよい。なお、メチルエチルケトンとシクロペンタノンとの混合溶剤を用いて溶解することが、環境的な見地より現段階では最も好ましい。なお、溶剤には沸点が５０℃～２００℃の範囲である溶剤を用いることが好ましい。
　また、前記樹脂層はＭＩＬ規格におけるＭＩＬ－Ｐ－１３９４９Ｇに準拠して測定したときのレジンフローが５％～３５％の範囲にある半硬化樹脂膜であることが好ましい。
　本件明細書において、レジンフローとは、ＭＩＬ規格におけるＭＩＬ－Ｐ－１３９４９Ｇに準拠して、樹脂厚さを５５μｍとした樹脂付表面処理銅箔から１０ｃｍ角試料を４枚サンプリングし、この４枚の試料を重ねた状態（積層体）でプレス温度１７１℃、プレス圧１４ｋｇｆ／ｃｍ²、プレス時間１０分の条件で貼り合わせ、そのときの樹脂流出重量を測定した結果から数１に基づいて算出した値である。

　前記樹脂層を備えた表面処理銅箔（樹脂付き表面処理銅箔）は、その樹脂層を基材に重ね合わせたのち全体を熱圧着して該樹脂層を熱硬化せしめ、ついで表面処理銅箔がキャリア付銅箔の極薄銅層である場合にはキャリアを剥離して極薄銅層を表出せしめ（当然に表出するのは該極薄銅層の中間層側の表面である）、表面処理銅箔の粗化処理されている側とは反対側の表面から所定の配線パターンを形成するという態様で使用される。

　この樹脂付き表面処理銅箔を使用すると、多層プリント配線基板の製造時におけるプリプレグ材の使用枚数を減らすことができる。しかも、樹脂層の厚みを層間絶縁が確保できるような厚みにしたり、プリプレグ材を全く使用していなくても銅張積層体を製造することができる。またこのとき、基材の表面に絶縁樹脂をアンダーコートして表面の平滑性を更に改善することもできる。

　なお、プリプレグ材を使用しない場合には、プリプレグ材の材料コストが節約され、また積層工程も簡略になるので経済的に有利となり、しかも、プリプレグ材の厚み分だけ製造される多層プリント配線基板の厚みは薄くなり、１層の厚みが１００μｍ以下である極薄の多層プリント配線基板を製造することができるという利点がある。
　この樹脂層の厚みは０．１～５００μｍであることが好ましく、０．１～３００μｍであることがより好ましく、０．１～２００μｍであることがより好ましく、０．１～１２０μｍであることがより好ましい。

　樹脂層の厚みが０．１μｍより薄くなると、接着力が低下し、プリプレグ材を介在させることなくこの樹脂付きキャリア付銅箔を内層材を備えた基材に積層したときに、内層材の回路との間の層間絶縁を確保することが困難になる場合がある。一方、樹脂層の厚みを１２０μｍより厚くすると、１回の塗布工程で目的厚みの樹脂層を形成することが困難となり、余分な材料費と工数がかかるため経済的に不利となる場合がある。
　なお、樹脂層を有するキャリア付銅箔が極薄の多層プリント配線板を製造することに用いられる場合には、前記樹脂層の厚みを０．１μｍ～５μｍ、より好ましくは０．５μｍ～５μｍ、より好ましくは１μｍ～５μｍとすることが、多層プリント配線板の厚みを小さくするために好ましい。
　また、樹脂層が誘電体を含む場合には、樹脂層の厚みは０．１～５０μｍであることが好ましく、０．５μｍ～２５μｍであることが好ましく、１．０μｍ～１５μｍであることがより好ましい。
　また、前記硬化樹脂層、半硬化樹脂層との総樹脂層厚みは０．１μｍ～１２０μｍであるものが好ましく、５μｍ～１２０μｍであるものが好ましく、１０μｍ～１２０μｍであるものが好ましく、１０μｍ～６０μｍのものがより好ましい。そして、硬化樹脂層の厚みは２μｍ～３０μｍであることが好ましく、３μｍ～３０μｍであることが好ましく、５～２０μｍであることがより好ましい。また、半硬化樹脂層の厚みは３μｍ～５５μｍであることが好ましく、７μｍ～５５μｍであることが好ましく、１５～１１５μｍであることがより望ましい。総樹脂層厚みが１２０μｍを超えると、薄厚の多層プリント配線板を製造することが難しくなる場合があり、５μｍ未満では薄厚の多層プリント配線板を形成し易くなるものの、内層の回路間における絶縁層である樹脂層が薄くなりすぎ、内層の回路間の絶縁性を不安定にする傾向が生じる場合があるためである。また、硬化樹脂層厚みが２μｍ未満であると、銅箔粗化面の表面粗度を考慮する必要が生じる場合がある。逆に硬化樹脂層厚みが２０μｍを超えると硬化済み樹脂層による効果は特に向上することがなくなる場合があり、総絶縁層厚は厚くなる。

　なお、前記樹脂層の厚みを０．１μｍ～５μｍとする場合には、樹脂層とキャリア付銅箔との密着性を向上させるため、極薄銅層の上に耐熱層および／または防錆層および／またはクロメート処理層および／またはシランカップリング処理層を設けた後に、当該耐熱層または防錆層またはクロメート処理層またはシランカップリング処理層の上に樹脂層を形成することが好ましい。
　なお、前述の樹脂層の厚みは、任意の１０点において断面観察により測定した厚みの平均値をいう。

　更に、この樹脂付きキャリア付銅箔のもう一つの製品形態としては、前記極薄銅層上、あるいは前記耐熱層、防錆層、あるいは前記クロメート処理層、あるいは前記シランカップリング処理層の上に樹脂層で被覆し、半硬化状態とした後、ついでキャリアを剥離して、キャリアが存在しない樹脂付き銅箔の形で製造することも可能である。

＜プリント配線板の製造方法＞
　本発明に係るプリント配線板の製造方法の一実施形態においては、本発明に係るキャリア付銅箔と絶縁基板とを準備する工程、前記キャリア付銅箔と絶縁基板とを積層する工程、前記キャリア付銅箔と絶縁基板とを極薄銅層側が絶縁基板と対向するように積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程を経て銅張積層体を形成し、その後、セミアディティブ法、モディファイドセミアディティブ法、パートリーアディティブ法及びサブトラクティブ法のいずれかの方法によって、回路を形成する工程を含む。絶縁基板は内層回路入りのものとすることも可能である。

　本発明において、セミアディティブ法とは、絶縁基板又は銅箔シード層上に薄い無電解めっきを行い、パターンを形成後、電気めっき及びエッチングを用いて導体パターンを形成する方法を指す。

　従って、セミアディティブ法を用いた本発明に係るプリント配線板の製造方法の一実施形態においては、本発明に係るキャリア付銅箔と絶縁基板とを準備する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板とを積層する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板とを積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層を酸などの腐食溶液を用いたエッチングやプラズマなどの方法によりすべて除去する工程、
前記極薄銅層をエッチングにより除去することにより露出した前記樹脂にスルーホールまたは／およびブラインドビアを設ける工程、
前記スルーホールまたは／およびブラインドビアを含む領域についてデスミア処理を行う工程、
前記樹脂および前記スルーホールまたは／およびブラインドビアを含む領域について無電解めっき層を設ける工程、
前記無電解めっき層の上にめっきレジストを設ける工程、
前記めっきレジストに対して露光し、その後、回路が形成される領域のめっきレジストを除去する工程、
前記めっきレジストが除去された前記回路が形成される領域に、電解めっき層を設ける工程、
前記めっきレジストを除去する工程、
前記回路が形成される領域以外の領域にある無電解めっき層をフラッシュエッチングなどにより除去する工程、
を含む。

　セミアディティブ法を用いた本発明に係るプリント配線板の製造方法の別の一実施形態においては、本発明に係るキャリア付銅箔と絶縁基板とを準備する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板とを積層する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板とを積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層を酸などの腐食溶液を用いたエッチングやプラズマなどの方法によりすべて除去する工程、
前記極薄銅層をエッチングにより除去することにより露出した前記樹脂の表面について無電解めっき層を設ける工程、
前記無電解めっき層の上にめっきレジストを設ける工程、
前記めっきレジストに対して露光し、その後、回路が形成される領域のめっきレジストを除去する工程、
前記めっきレジストが除去された前記回路が形成される領域に、電解めっき層を設ける工程、
前記めっきレジストを除去する工程、
前記回路が形成される領域以外の領域にある無電解めっき層及び極薄銅層をフラッシュエッチングなどにより除去する工程、
を含む。

　本発明において、モディファイドセミアディティブ法とは、絶縁層上に金属箔を積層し、めっきレジストにより非回路形成部を保護し、電解めっきにより回路形成部の銅厚付けを行った後、レジストを除去し、前記回路形成部以外の金属箔を（フラッシュ）エッチングで除去することにより、絶縁層上に回路を形成する方法を指す。

　従って、モディファイドセミアディティブ法を用いた本発明に係るプリント配線板の製造方法の一実施形態においては、本発明に係るキャリア付銅箔と絶縁基板とを準備する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板とを積層する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板とを積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層と絶縁基板にスルーホールまたは／およびブラインドビアを設ける工程、
前記スルーホールまたは／およびブラインドビアを含む領域についてデスミア処理を行う工程、
前記スルーホールまたは／およびブラインドビアを含む領域について無電解めっき層を設ける工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層表面にめっきレジストを設ける工程、
前記めっきレジストを設けた後に、電解めっきにより回路を形成する工程、
前記めっきレジストを除去する工程、
前記めっきレジストを除去することにより露出した極薄銅層をフラッシュエッチングにより除去する工程、
を含む。

　モディファイドセミアディティブ法を用いた本発明に係るプリント配線板の製造方法の別の一実施形態においては、本発明に係るキャリア付銅箔と絶縁基板とを準備する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板とを積層する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板とを積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層の上にめっきレジストを設ける工程、
前記めっきレジストに対して露光し、その後、回路が形成される領域のめっきレジストを除去する工程、
前記めっきレジストが除去された前記回路が形成される領域に、電解めっき層を設ける工程、
前記めっきレジストを除去する工程、
前記回路が形成される領域以外の領域にある無電解めっき層及び極薄銅層をフラッシュエッチングなどにより除去する工程、
を含む。

　本発明において、パートリーアディティブ法とは、導体層を設けてなる基板、必要に応じてスルーホールやバイアホール用の孔を穿けてなる基板上に触媒核を付与し、エッチングして導体回路を形成し、必要に応じてソルダレジストまたはメッキレジストを設けた後に、前記導体回路上、スルーホールやバイアホールなどに無電解めっき処理によって厚付けを行うことにより、プリント配線板を製造する方法を指す。

　従って、パートリーアディティブ法を用いた本発明に係るプリント配線板の製造方法の一実施形態においては、本発明に係るキャリア付銅箔と絶縁基板とを準備する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板とを積層する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板とを積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層と絶縁基板にスルーホールまたは／およびブラインドビアを設ける工程、
前記スルーホールまたは／およびブラインドビアを含む領域についてデスミア処理を行う工程、
前記スルーホールまたは／およびブラインドビアを含む領域について触媒核を付与する工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層表面にエッチングレジストを設ける工程、
前記エッチングレジストに対して露光し、回路パターンを形成する工程、
前記極薄銅層および前記触媒核を酸などの腐食溶液を用いたエッチングやプラズマなどの方法により除去して、回路を形成する工程、
前記エッチングレジストを除去する工程、
前記極薄銅層および前記触媒核を酸などの腐食溶液を用いたエッチングやプラズマなどの方法により除去して露出した前記絶縁基板表面に、ソルダレジストまたはメッキレジストを設ける工程、
前記ソルダレジストまたはメッキレジストが設けられていない領域に無電解めっき層を設ける工程、
を含む。

　本発明において、サブトラクティブ法とは、銅張積層体上の銅箔の不要部分を、エッチングなどによって、選択的に除去して、導体パターンを形成する方法を指す。

　従って、サブトラクティブ法を用いた本発明に係るプリント配線板の製造方法の一実施形態においては、本発明に係るキャリア付銅箔と絶縁基板とを準備する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板とを積層する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板とを積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層と絶縁基板にスルーホールまたは／およびブラインドビアを設ける工程、
前記スルーホールまたは／およびブラインドビアを含む領域についてデスミア処理を行う工程、
前記スルーホールまたは／およびブラインドビアを含む領域について無電解めっき層を設ける工程、
前記無電解めっき層の表面に、電解めっき層を設ける工程、
前記電解めっき層または／および前記極薄銅層の表面にエッチングレジストを設ける工程、
前記エッチングレジストに対して露光し、回路パターンを形成する工程、
前記極薄銅層および前記無電解めっき層および前記電解めっき層を酸などの腐食溶液を用いたエッチングやプラズマなどの方法により除去して、回路を形成する工程、
前記エッチングレジストを除去する工程、
を含む。

　サブトラクティブ法を用いた本発明に係るプリント配線板の製造方法の別の一実施形態においては、本発明に係るキャリア付銅箔と絶縁基板とを準備する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板とを積層する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板とを積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層と絶縁基板にスルーホールまたは／およびブラインドビアを設ける工程、
前記スルーホールまたは／およびブラインドビアを含む領域についてデスミア処理を行う工程、
前記スルーホールまたは／およびブラインドビアを含む領域について無電解めっき層を設ける工程、
前記無電解めっき層の表面にマスクを形成する工程、
マスクが形成されていない前記無電解めっき層の表面に電解めっき層を設ける工程、
前記電解めっき層または／および前記極薄銅層の表面にエッチングレジストを設ける工程、
前記エッチングレジストに対して露光し、回路パターンを形成する工程、
前記極薄銅層および前記無電解めっき層を酸などの腐食溶液を用いたエッチングやプラズマなどの方法により除去して、回路を形成する工程、
前記エッチングレジストを除去する工程、
を含む。

　スルーホールまたは／およびブラインドビアを設ける工程、及びその後のデスミア工程は行わなくてもよい。

　ここで、本発明のキャリア付銅箔を用いたプリント配線板の製造方法の具体例を図面を用いて詳細に説明する。
　まず、図１－Ａに示すように、表面に粗化処理層が形成された極薄銅層を有するキャリア付銅箔（１層目）を準備する。
　次に、図１－Ｂに示すように、極薄銅層の粗化処理層上にレジストを塗布し、露光・現像を行い、レジストを所定の形状にエッチングする。
　次に、図１－Ｃに示すように、回路用のめっきを形成した後、レジストを除去することで、所定の形状の回路めっきを形成する。
　次に、図２－Ｄに示すように、回路めっきを覆うように（回路めっきが埋没するように）極薄銅層上に埋め込み樹脂を設けて樹脂層を積層し、続いて別のキャリア付銅箔（２層目）を極薄銅層側から接着させる。
　次に、図２－Ｅに示すように、２層目のキャリア付銅箔からキャリアを剥がす。
　次に、図２－Ｆに示すように、樹脂層の所定位置にレーザー穴あけを行い、回路めっきを露出させてブラインドビアを形成する。
　次に、図３－Ｇに示すように、ブラインドビアに銅を埋め込みビアフィルを形成する。
　次に、図３－Ｈに示すように、ビアフィル上に、上記図１－Ｂ及び図１－Ｃのようにして回路めっきを形成する。
　次に、図３－Ｉに示すように、１層目のキャリア付銅箔からキャリアを剥がす。
　次に、図４－Ｊに示すように、フラッシュエッチングにより両表面の極薄銅層を除去し、樹脂層内の回路めっきの表面を露出させる。
　次に、図４－Ｋに示すように、樹脂層内の回路めっき上にバンプを形成し、当該はんだ上に銅ピラーを形成する。このようにして本発明のキャリア付銅箔を用いたプリント配線板を作製する。

　上記別のキャリア付銅箔（２層目）は、本発明のキャリア付銅箔を用いてもよく、従来のキャリア付銅箔を用いてもよく、さらに通常の銅箔を用いてもよい。また、図３－Ｈに示される２層目の回路上に、さらに回路を１層或いは複数層形成してもよく、それらの回路形成をセミアディティブ法、サブトラクティブ法、パートリーアディティブ法又はモディファイドセミアディティブ法のいずれかの方法によって行ってもよい。

　また、前記１層目に用いられるキャリア付銅箔は、当該キャリア付銅箔のキャリア側表面に基板を有してもよい。当該基板または樹脂層を有することで１層目に用いられるキャリア付銅箔は支持され、しわが入りにくくなるため、生産性が向上するという利点がある。なお、前記基板には、前記１層目に用いられるキャリア付銅箔を支持する効果するものであれば、全ての基板を用いることが出来る。例えば前記基板として本願明細書に記載のキャリア、プリプレグ、樹脂層や公知のキャリア、プリプレグ、樹脂層、金属板、金属箔、無機化合物の板、無機化合物の箔、有機化合物の板、有機化合物の箔を用いることができる。

　キャリア側表面に基板を形成するタイミングについては特に制限はないが、キャリアを剥離する前に形成することが必要である。特に、前記キャリア付銅箔の前記極薄銅層側表面に樹脂層を形成する工程の前に形成することが好ましく、キャリア付銅箔の前記極薄銅層側表面に回路を形成する工程の前に形成することがより好ましい。

　本発明に係るキャリア付銅箔は、極薄銅層表面の色差が以下（１）を満たすように制御されていることが好ましい。本発明において「極薄銅層表面の色差」とは、極薄銅層の表面の色差、又は、粗化処理等の各種表面処理が施されている場合はその表面処理層表面の色差を示す。すなわち、本発明に係るキャリア付銅箔は、極薄銅層または粗化処理層または耐熱層または防錆層またはクロメート処理層またはシランカップリング層の表面の色差が以下（１）を満たすように制御されていることが好ましい。
（１）極薄銅層または粗化処理層または耐熱層または防錆層またはクロメート処理層またはシランカップリング処理層の表面のＪＩＳ　Ｚ８７３０に基づく色差ΔＥ＊ａｂが４５以上である。

　ここで、色差ΔＬ、Δａ、Δｂは、それぞれ色差計で測定され、黒/白/赤/緑/黄/青を加味し、ＪＩＳ　Ｚ８７３０に基づくＬ*ａ*ｂ表色系を用いて示される総合指標であり、ΔＬ：白黒、Δａ：赤緑、Δｂ：黄青として表される。また、ΔＥ＊ａｂはこれらの色差を用いて下記式で表される。

　上述の色差は、極薄銅層形成時の電流密度を高くし、メッキ液中の銅濃度を低くし、メッキ液の線流速を高くすることで調整することができる。
　また上述の色差は、極薄銅層の表面に粗化処理を施して粗化処理層を設けることで調整することもできる。粗化処理層を設ける場合には銅およびニッケル、コバルト、タングステン、モリブデンからなる群から選択される一種以上の元素とを含む電界液を用いて、従来よりも電流密度を高く（例えば４０～６０Ａ／ｄｍ²）し、処理時間を短く（例えば０．１～１．３秒）することで調整することができる。極薄銅層の表面に粗化処理層を設けない場合には、Ｎｉの濃度をその他の元素の２倍以上としたメッキ浴を用いて、極薄銅層または耐熱層または防錆層またはクロメート処理層またはシランカップリング処理層の表面にＮｉ合金メッキ（例えばＮｉ－Ｗ合金メッキ、Ｎｉ－Ｃｏ－Ｐ合金メッキ、Ｎｉ－Ｚｎ合金めっき）を従来よりも低電流密度（０．１～１．３Ａ／ｄｍ²）で処理時間を長く（２０秒～４０秒）設定して処理することで達成できる。

　極薄銅層表面のＪＩＳ　Ｚ８７３０に基づく色差ΔＥ＊ａｂが４５以上であると、例えば、キャリア付銅箔の極薄銅層表面に回路を形成する際に、極薄銅層と回路とのコントラストが鮮明となり、その結果、視認性が良好となり回路の位置合わせを精度良く行うことができる。極薄銅層表面のＪＩＳ　Ｚ８７３０に基づく色差ΔＥ＊ａｂは、好ましくは５０以上であり、より好ましくは５５以上であり、更により好ましくは６０以上である。

　極薄銅層または粗化処理層または耐熱層または防錆層またはクロメート処理層またはシランカップリング層の表面の色差が上記のようの制御されている場合には、回路めっきとのコントラストが鮮明となり、視認性が良好となる。従って、上述のようなプリント配線板の例えば図３－Ｃに示すような製造工程において、回路めっきを精度良く所定の位置に形成することが可能となる。また、上述のようなプリント配線板の製造方法によれば、回路めっきが樹脂層に埋め込まれた構成となっているため、例えば図４－Ｊに示すようなフラッシュエッチングによる極薄銅層の除去の際に、回路めっきが樹脂層によって保護され、その形状が保たれ、これにより微細回路の形成が容易となる。また、回路めっきが樹脂層によって保護されるため、耐マイグレーション性が向上し、回路の配線の導通が良好に抑制される。このため、微細回路の形成が容易となる。また、図４－Ｊ及び図４－Ｋに示すようにフラッシュエッチングによって極薄銅層を除去したとき、回路めっきの露出面が樹脂層から凹んだ形状となるため、当該回路めっき上にバンプが、さらにその上に銅ピラーがそれぞれ形成しやすくなり、製造効率が向上する。

　なお、埋め込み樹脂（レジン）には公知の樹脂、プリプレグを用いることができる。例えば、ＢＴ（ビスマレイミドトリアジン）レジンやＢＴレジンを含浸させたガラス布であるプリプレグ、味の素ファインテクノ株式会社製ＡＢＦフィルムやＡＢＦを用いることができる。また、前記埋め込み樹脂（レジン）には本明細書に記載の樹脂層および／または樹脂および／またはプリプレグを使用することができる。

　以下に、本発明の実施例によって本発明をさらに詳しく説明するが、本発明は、これらの実施例によってなんら限定されるものではない。

１．キャリア付銅箔の製造
　実施例１～１０及び比較例１～１５として、以下の銅箔バルク層（生箔）を準備した。

・一般電解生箔
　銅濃度８０～１２０ｇ／Ｌ、硫酸濃度８０～１２０ｇ／Ｌ、塩化物イオン濃度３０～１００ｐｐｍ、ニカワ濃度１～５ｐｐｍ、電解液温度５７～６２℃の硫酸銅電解液を電解銅メッキ浴とし、アノードとカソード（銅箔用電着用金属製ドラム）の間を流れる電解液の線速度を１．５～２．５ｍ／秒、電流密度７０Ａ／ｄｍ²で厚み１８μｍ（重量厚み１４３ｇ／ｍ²）の一般電解生箔を作製した。

・キャリア付銅箔
　前述の一般電解生箔製造条件で、厚み１８μｍの一般電解生箔を作製した。これを銅箔キャリアとして、以下の方法により、中間層、厚み１．５、２、３、５μｍの極薄銅層を形成し、キャリア付き極薄銅箔を得た。なお、本明細書に記載の電解、エッチング、表面処理又はめっき等に用いられる処理液（エッチング液、電解液）の残部は特に明記しない限り水である。
（１）Ｎｉ層（中間層：下地メッキ１）
　銅箔キャリアのＳ面に対して、以下の条件でロール・トウ・ロール型の連続メッキラインで電気メッキすることにより１０００μｇ／ｄｍ²の付着量のＮｉ層を形成した。具体的なメッキ条件を以下に記す。
　　硫酸ニッケル：２７０～２８０ｇ／Ｌ
　　塩化ニッケル：３５～４５ｇ／Ｌ
　　酢酸ニッケル：１０～２０ｇ／Ｌ
　　ホウ酸：３０～４０ｇ／Ｌ
　　光沢剤：サッカリン、ブチンジオール等
　　ドデシル硫酸ナトリウム：５５～７５ｐｐｍ
　　ｐＨ：４～６
　　浴温：５５～６５℃
　　電流密度：１０Ａ／ｄｍ²
（２）Ｃｒ層（中間層：下地メッキ２）
　次に、（１）にて形成したＮｉ層表面を水洗及び酸洗後、引き続き、ロール・トウ・ロール型の連続メッキライン上でＮｉ層の上に１１μｇ／ｄｍ²の付着量のＣｒ層を以下の条件で電解クロメート処理することにより付着させた。
　　　重クロム酸カリウム１～１０ｇ／Ｌ、亜鉛０ｇ／Ｌ
　　　ｐＨ：７～１０
　　　液温：４０～６０℃
　　　電流密度：２Ａ／ｄｍ²
（３）極薄銅層
　次に、（２）にて形成したＣｒ層表面を水洗及び酸洗後、引き続き、ロール・トウ・ロール型の連続メッキライン上で、Ｃｒ層の上に厚み１．５、２、３、５μｍの極薄銅層を以下の条件で電気メッキすることにより形成し、キャリア付極薄銅箔を作製した。
　　　銅濃度：８０～１２０ｇ／Ｌ
　　　硫酸濃度：８０～１２０ｇ／Ｌ
　　　塩化物イオン濃度：３０～１００ｐｐｍ
　　　レベリング剤１（ビス（３スルホプロピル）ジスルフィド）：
　　　１０～３０ｐｐｍ
　　　レベリング剤２（アミン化合物）：１０～３０ｐｐｍ
　なお、レベリング剤２として下記のアミン化合物を用いた。

（上記化学式中、Ｒ₁及びＲ₂はヒドロキシアルキル基、エーテル基、アリール基、芳香族置換アルキル基、不飽和炭化水素基、アルキル基からなる一群から選ばれるものである。）
　　　電解液温度：５０～８０℃
　　　電流密度：１００Ａ／ｄｍ²

　次に、極薄銅層の表面に粗化処理、バリヤー処理、防錆処理、シランカップリング剤塗布の各表面処理をこの順で施した。各処理条件を以下に示す。

　〔粗化処理〕
　先に記した各種生箔表面に、表１に記載の条件で粗化処理を行った。表１において、粗化処理１及び粗化処理２の記載がいずれもあるものは、粗化処理１及び粗化処理２をこの順で行ったことを示している。
　また、表１における粗化処理条件（１）～（９）は、表２及び３に記載の各粗化処理条件を示している。

　〔バリヤー（耐熱）処理〕
　実施例１、２、４～７、１０、比較例１、３、４、８、９、１３、１４については、バリヤー（耐熱）処理を下記の条件で行い、真鍮メッキ層又は亜鉛・ニッケル合金メッキ層を形成した。

　実施例１、４、６、１０、比較例１、３、８、１３のバリヤー層（真鍮メッキ）形成条件：
　銅濃度５０～８０ｇ／Ｌ、亜鉛濃度２～１０ｇ／Ｌ、水酸化ナトリウム濃度５０～８０ｇ／Ｌ、シアン化ナトリウム濃度５～３０ｇ／Ｌ、温度６０～９０℃の真鍮メッキ浴を用い、電流密度５～１０Ａ／ｄｍ²（多段処理）でメッキ電気量３０Ａｓ／ｄｍ²を、粗化処理層を形成した面に付与した。

　実施例２、５、７、比較例４、９、１４のバリヤー層（亜鉛・ニッケルメッキ）形成条件：
　Ｎｉ：１０ｇ／Ｌ～３０ｇ／Ｌ、Ｚｎ:１ｇ／Ｌ～１５ｇ／Ｌ、硫酸(Ｈ₂ＳＯ₄)：１ｇ／Ｌ～１２ｇ／Ｌ、塩化物イオン：０ｇ／Ｌ～５g／Ｌを添加したメッキ浴を用い、電流密度１．３Ａ／ｄｍ²でメッキ電気量５．５Ａｓ／ｄｍ²を、粗化処理層を形成した面に付与した。

　〔防錆処理〕
　実施例１、２、４～７、１０、比較例１、３、４、８、９、１３、１４については、防錆処理（クロメート処理）を下記の条件で行い、防錆処理層を形成した。
　（クロメート条件）　ＣｒＯ₃：２．５ｇ／Ｌ、Ｚｎ：０．７ｇ／Ｌ、Ｎａ₂ＳＯ₄：１０ｇ／Ｌ、ｐＨ４．８、５４℃のクロメート浴で０．７Ａｓ／ｄｍ²の電気量を付加。
　〔シランカップリング処理〕
　実施例１、２、４～７、１０、比較例１、３、４、８、９、１３、１４については、シランカップリング剤処理を下記の条件で行い、シランカップリング処理層を形成した。
　銅箔の粗化処理した側の面に、０．２～２％のアルコキシシランを含有量するｐＨ７～８の水溶液を噴霧することで、シランカップリング剤の塗布処理を行った。

　なお、実施例１０と比較例１については、防錆処理、シランカップリング処理剤塗布の後、更に下記の条件で樹脂層の形成も行った。
（樹脂合成例）
　ステンレス製の碇型攪拌棒、窒素導入管とストップコックのついたトラップ上に、玉付冷却管を取り付けた還流冷却器を取り付けた２リットルの三つ口フラスコに、３，４、３’，４’－ビフェニルテトラカルボン酸二無水物１１７．６８ｇ（４００ｍｍｏｌ）、１，３－ビス（３－アミノフェノキシ）ベンゼン８７．７ｇ（３００ｍｍｏｌ）、γ－バレロラクトン４．０ｇ（４０ｍｍｏｌ）、ピリジン４．８ｇ（６０ｍｍｏｌ）、Ｎ－メチル－２－ピロリドン（以下ＮＭＰと記す）３００ｇ、トルエン２０ｇを加え、１８０℃で１時間加熱した後室温付近まで冷却した後、３，４、３’，４’－ビフェニルテトラカルボン酸二無水物２９．４２ｇ（１００ｍｍｏｌ）、２，２－ビス｛４－（４－アミノフェノキシ）フェニル｝プロパン８２．１２ｇ（２００ｍｍｏｌ）、ＮＭＰ２００ｇ、トルエン４０ｇを加え、室温で１時間混合後、１８０℃で３時間加熱して、固形分３８％のブロック共重合ポリイミドを得た。このブロック共重合ポリイミドは、下記に示す一般式(１)：一般式(２)＝３：２であり、数平均分子量：７００００、重量平均分子量：１５００００であった。

　合成例で得られたブロック共重合ポリイミド溶液をＮＭＰで更に希釈し、固形分１０％のブロック共重合ポリイミド溶液とした。このブロック共重合ポリイミド溶液にビス(４－マレイミドフェニル)メタン(ＢＭＩ-Ｈ、ケイ・アイ化成)を固形分重量比率３５、ブロック共重合ポリイミドの固形分重量比率６５として（即ち、樹脂溶液に含まれるビス(４－マレイミドフェニル)メタン固形分重量：樹脂溶液に含まれるブロック共重合ポリイミド固形分重量＝３５：６５）６０℃、２０分間溶解混合して樹脂溶液とした。その後、実施例２８では銅箔のＭ面（高光沢面）に、実施例８では銅箔の極薄銅表面に、リバースロール塗工機を用いて前記樹脂溶液を塗工し、窒素雰囲気下で、１２０℃で３分間、１６０℃で３分間乾燥処理後、最後に３００℃で２分間加熱処理を行い、樹脂層を備える銅箔を作製した。なお、樹脂層の厚みは２μｍとした。
　得られた樹脂層を有するキャリア付銅箔を、当該樹脂層側から厚み１００μｍの三菱ガス化学株式会社製のＢＴ（ビスマレイミドトリアジン）樹脂の両面に張り合わせた。そして、キャリア付銅箔のキャリアを剥離し、両面銅張積層体を作成した。その後、露出した極薄銅層表面側からパルスレーザーの照射を行い、スルーホールを形成した。その結果、実施例１０のキャリア付銅箔を用いて作製した両面銅張積層体の方が、スルーホールを形成するために必要であったレーザーのパルス回数（ショット数）が、比較例１のキャリア付銅箔を用いて作製した両面銅張積層よりも少なかった。そのため、実施例１０のキャリア付銅箔を用いて作製した両面銅張積層体の方が、生産性が高いと考えられる。

２．キャリア付銅箔の評価
　上記のようにして得られたキャリア付銅箔について、以下の方法で各評価を実施した。
　＜極薄銅層の表面粗さ＞
　極薄銅層の表面粗さＲｚ（レーザー）を、ＪＩＳ　Ｂ０６０１－１９９４に準拠して、オリンパス社製レーザー顕微鏡ＯＬＳ４０００にて測定した。Ｒｚ（レーザー）を任意に１０箇所測定し、そのＲｚ（レーザー）の１０箇所の平均値をＲｚ（レーザー）の値とした。
　なお、Ｒｚについて、極薄銅層及びキャリア表面の倍率１０００倍観察において評価長さ６４７μｍ、カットオフ値ゼロの条件で、キャリアとして用いた電解銅箔の製造装置における電解銅箔の進行方向と垂直な方向（ＴＤ）の測定で、それぞれ値を求めた。レーザー顕微鏡による表面のＲｚの測定環境温度は２３～２５℃とした。

　＜マイグレーション＞
　各キャリア付銅箔（実施例１０と比較例１については樹脂層を形成する前のキャリア付銅箔）（５５０ｍｍ×５５０ｍｍの正方形）の極薄銅層表面上に、ＤＦ（ドライフィルム、日立化成社製、商品名ＲＹ－3625）をラミネート塗布した。１５ｍＪ／ｃｍ²の条件で露光し、現像液（炭酸ナトリウム）を用いて３８℃で１分間液噴射揺動し、ラインアンドスペース（Ｌ／Ｓ）＝７．５μｍ／７．５μｍでレジストパターンを形成した。次いで、硫酸銅めっき（荏原ユージライト製CUBRITE21）を用いて７．５μｍめっきＵＰしたのち、剥離液（水酸化ナトリウム）でＤＦを剥離して、極薄銅層表面に、一つ当たり５５ｍｍ×５５ｍｍの大きさの領域毎に、ラインアンドスペース（Ｌ／Ｓ）＝７．５μｍ／７．５μｍの銅めっき配線を形成した。その後、前記形成した銅めっき配線を埋め込むように樹脂（ＢＴ（ビスマレイミドトリアジン）レジン）を極薄銅層表面に積層し、更に前記樹脂の上にＪＸ日鉱日石金属株式会社製の電解銅箔ＪＴＣ箔（厚み１８μｍ）を光沢面側から積層した。その後加圧下で、２２０℃で２時間加熱し、キャリア付銅箔と樹脂と電解銅箔との積層体を作製した。その後、キャリア付銅箔のキャリアを積層体から除去した後、露出した極薄銅層を硫酸－過酸化水素系のエッチャントでエッチング除去してＬ／Ｓ＝７．５μｍ／７．５μｍの配線を形成した。得られた配線基板から、上述した一つ当たり５５ｍｍ×５５ｍｍの大きさの領域に従って配線基板を１００個切り出した。
　得られた各配線基板に対して、マイグレーション測定機（IMV製 MIG－9000）を用いて、以下の測定条件で、配線パターン間の絶縁劣化の有無を評価した。１００個の配線基板についてマイグレーションが発生した基板の数を評価することで、短絡（マイグレーション）発生率〔＝（マイグレーション発生数／１００個）×１００〕（％）を算出した。

　・測定条件
　閾値：初期抵抗６０％ダウン
　測定時間：１０００ｈ
　電圧：６０Ｖ
　温度：８５℃
　相対湿度：８５％ＲＨ

　＜光吸収性＞
　光吸収性は以下の様に測定した。
　各キャリア付銅箔の極薄銅層表面の、波長が４００ｎｍである光の全反射率を測定し、以下の式により波長が４００ｎｍである光の吸収率を測定した。なお、本発明において光の波長が４００ｎｍである場合の、光の吸収率を測定している理由は、銅めっき回路を形成する際の銅めっきレジストとなるドライフィルムを露光する際に用いられる光の波長が概ね４００ｎｍ程度であるためである。
　　〔波長が４００ｎｍである光の吸収率〕（％）＝１００（％）－〔波長が４００ｎｍである光の全反射率〕（％）
　ここで、光の全反射率の測定は２００ｎｍ～２６００ｎｍについて行い、波長が４００ｎｍである場合の、光の全反射率の測定値を採用した。
　なお、上記光の全反射率の測定は、各キャリア付銅箔のサンプルシートの長辺方向において、両端から５０ｍｍ以内の領域内の各１箇所、中央部の５０ｍｍ×５０ｍｍの領域内の１箇所の合計３箇所について行った。当該３箇所の測定箇所を図５に示す。
　そして、３箇所で測定した波長が４００ｎｍである光の全反射率の値の算術平均の値を、当該サンプルシートの波長が４００ｎｍである光の全反射率とした。なお、サンプルの大きさが小さい場合には、上述の両端から５０ｍｍ以内の領域ならびに中央部の５０ｍｍ×５０ｍｍの領域は重なってもよい。
＜測定装置＞
　Ｕ－４１００（日立製作所製、紫外可視近赤外分光光度計（固体））
＜測定条件＞
　測定方法：全反射法（リファレンス：酸化アルミニウム製標準白板）
　モード：全反射
　測定モード：波長スキャン
　データモード：％Ｒ
　測定開始波長：２６００．００ｎｍ
　測定終了波長：２００．００ｎｍ
　サンプリング間隔：１．００ｎｍ
　入射角：上記測定装置の推奨する設定（１０°）とした。
　検出器：積分球／光電子倍増管　（２００ｎｍ～８５０ｎｍ）
　　　　：積分球／ＰｂＳ　（８５０ｎｍ～２６００ｎｍ）
　検出器切換波長：８５０ｎｍ
　ホトマル電圧：自動１
　光源切換モード：自動切換
　光源切換波長：３４０．００ｎｍ
　ベースライン設定：上記測定装置の推奨する設定とした。
　高分解能測定：ＯＦＦ
　減光板減衰率：減光板未使用
　セル長：１０．０ｍｍ
・紫外可視領域（波長：２００ｎｍ～８５０ｎｍ）
　スキャンスピード：３００ｎｍ／ｍｉｎ
　スリット幅：６．００ｎｍ（固定）
・近赤外領域（波長：８５０ｎｍ～２６００ｎｍ）
　スキャンスピード：７５０ｎｍ／ｍｉｎ
　スリット幅：自動制御
　ＰｂＳ感度：２
　検出器切換補正：補正なし
　光量制御モード：固定

　＜回路形成性（回路脱落率）＞
　各キャリア付銅箔（実施例１０と比較例１については樹脂層を形成する前のキャリア付銅箔）（５５０ｍｍ×５５０ｍｍの正方形）の極薄銅層表面上に、ＤＦ（ドライフィルム、日立化成社製、商品名ＲＹ－3625）をラミネート塗布した。１５ｍＪ／ｃｍ²の条件で露光し、現像液（炭酸ナトリウム）を用いて３８℃で１分間液噴射揺動し、ラインアンドスペース（Ｌ／Ｓ）＝７．５μｍ／７．５μｍでレジストパターンを形成した。次いで、硫酸銅めっき（荏原ユージライト製CUBRITE21）を用いて７．５μｍめっきＵＰしたのち、剥離液（水酸化ナトリウム）でＤＦを剥離して、極薄銅層表面に、一つ当たり５５ｍｍ×５５ｍｍの大きさの領域毎に、ラインアンドスペース（Ｌ／Ｓ）＝７．５μｍ／７．５μｍの銅めっき配線を形成した。そして、前述の５５ｍｍ×５５ｍｍの大きさの領域に従ってサンプルを１００個切り出した。そして得られたサンプルについてＡＯＩ検査を行い、銅めっき配線が脱落しているサンプルの個数を測定した。そして以下の式を用いて回路脱落率を評価した。
　回路脱落率（％）＝銅めっき配線が脱落しているサンプルの数（個）／１００（個）×１００（％）
　試験条件及び評価結果を表１～３に示す。

　（評価結果）
　実施例１～１０はいずれも極薄銅層表面の波長が４００ｎｍである光の吸収率が８５％以上であるため、回路形成性が良好であった。
　比較例１～１５はいずれも極薄銅層表面の波長が４００ｎｍである光の吸収率が８５％未満であるため、回路形成性が不良であった。

１０、２０、３０、４０、５０　　積層体
１１、２１、３１、４１、５１　　キャリア付銅箔
１２、２２、３２、４２、５２　　キャリア
１３、２３、３３、４３、５３　　中間層
１４、２４、３４、４４、５４　　極薄銅層
１５、２５、３５、４５、５５　　樹脂
１６、２６、３６、４６、５６　　プリプレグ
１７、２７、４７　　開口部
１８、２８、３８、４８、５８　　板状樹脂
１９、２９、３９、４９、５９　　板状プリプレグ

Claims

　キャリア、中間層、極薄銅層をこの順に有するキャリア付銅箔であって、
　前記極薄銅層表面の波長が４００ｎｍである光の吸収率が８５％以上であるキャリア付銅箔。
　前記極薄銅層表面の波長が４００ｎｍである光の吸収率が８７％以上である請求項１に記載のキャリア付銅箔。
　前記極薄銅層表面の波長が４００ｎｍである光の吸収率が９０％以上である請求項２に記載のキャリア付銅箔。
　前記極薄銅層表面の波長が４００ｎｍである光の吸収率が９１％以上である請求項３に記載のキャリア付銅箔。
　前記極薄銅層表面の波長が４００ｎｍである光の吸収率が９２％以上である請求項４に記載のキャリア付銅箔。
　前記極薄銅層表面の波長が４００ｎｍである光の吸収率が９３％以上である請求項５に記載のキャリア付銅箔。
　前記極薄銅層表面の波長が４００ｎｍである光の吸収率が９５％以上である請求項６に記載のキャリア付銅箔。
　前記極薄銅層の表面を、ＪＩＳ　Ｂ０６０１－１９９４に準拠してレーザー顕微鏡で測定したとき、前記表面の粗さＲｚの平均値が１．７μｍ以下である請求項１～７のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔。
　前記キャリアが電解銅箔または圧延銅箔で形成されている請求項１～８のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔。
　前記極薄銅層及び前記キャリアの少なくとも一方の表面、又は、両方の表面に粗化処理層を有する請求項１～９のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔。
　前記粗化処理層が、銅、ニッケル、コバルト、リン、タングステン、ヒ素、モリブデン、クロム及び亜鉛からなる群から選択されたいずれかの単体又はいずれか１種以上を含む合金からなる層である請求項１０に記載のキャリア付銅箔。
　前記粗化処理層の表面に、樹脂層を備える請求項１０又は１１に記載のキャリア付銅箔。
　前記粗化処理層の表面に、耐熱層、防錆層、クロメート処理層及びシランカップリング処理層からなる群から選択された１種以上の層を有する請求項１０又は１１に記載のキャリア付銅箔。
　前記極薄銅層及び前記キャリアの少なくとも一方の表面、又は、両方の表面に耐熱層、防錆層、クロメート処理層及びシランカップリング処理層からなる群から選択された１種以上の層を有する請求項１～１３のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔。
　前記耐熱層、防錆層、クロメート処理層及びシランカップリング処理層からなる群から選択された１種以上の層の上に樹脂層を備える請求項１３又は１４に記載のキャリア付銅箔。
　前記極薄銅層上に樹脂層を備える請求項１～１５のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔。
　前記樹脂層が接着用樹脂である請求項１２、１５及び１６のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔。
　前記樹脂層が半硬化状態の樹脂である請求項１２、１５～１７のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔。
　請求項１～１８のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔を用いて製造した積層体。
　前記キャリア付銅箔を一対備え、前記一対のキャリア付銅箔を互いに積層して構成された積層体であり、前記キャリア付銅箔において平面視したときに前記キャリア付銅箔の積層部分の外周の少なくとも一部が樹脂又はプリプレグで覆われてなる請求項１９に記載の積層体。
　前記キャリア付銅箔を一対備え、前記一対のキャリア付銅箔の間に樹脂又はプリプレグを有するように構成された積層体であり、前記キャリア付銅箔において平面視したときに前記キャリア付銅箔の積層部分の外周の少なくとも一部が樹脂又はプリプレグで覆われてなる請求項１９に記載の積層体。
　前記キャリア付銅箔において平面視したときに前記キャリア付銅箔の積層部分の外周の全体にわたって樹脂又はプリプレグで覆われてなる請求項２０又は２１に記載の積層体。
　請求項１～１８のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔を用いて製造したプリント配線板。
　請求項１～１８のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔と絶縁基板とを準備する工程、
　前記キャリア付銅箔と絶縁基板とを積層する工程、
　前記キャリア付銅箔と絶縁基板とを積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程を経て銅張積層体を形成し、
その後、セミアディティブ法、サブトラクティブ法、パートリーアディティブ法又はモディファイドセミアディティブ法のいずれかの方法によって、回路を形成する工程を含むプリント配線板の製造方法。
　請求項１～１８のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔の前記極薄銅層側表面または前記キャリア側表面に回路を形成する工程、
　前記回路が埋没するように前記キャリア付金属箔の前記極薄銅層側表面または前記キャリア側表面に樹脂層を形成する工程、
　前記樹脂層上に回路を形成する工程、
　前記樹脂層上に回路を形成した後に、前記キャリアまたは前記極薄銅層を剥離させる工程、及び、
　前記キャリアまたは前記極薄銅層を剥離させた後に、前記極薄銅層または前記キャリアを除去することで、前記極薄銅層側表面または前記キャリア側表面に形成した、前記樹脂層に埋没している回路を露出させる工程
を含むプリント配線板の製造方法。
　前記樹脂層上に回路を形成する工程が、前記樹脂層上に別のキャリア付銅箔を極薄銅層側から貼り合わせ、前記樹脂層に貼り合わせたキャリア付銅箔を用いて前記回路を形成する工程である請求項２５に記載のプリント配線板の製造方法。
　前記樹脂層上に貼り合わせる別のキャリア付銅箔が、請求項１～１８のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔である請求項２６に記載のプリント配線板の製造方法。
　前記樹脂層上に回路を形成する工程が、セミアディティブ法、サブトラクティブ法、パートリーアディティブ法又はモディファイドセミアディティブ法の何れかの方法によって行われる請求項２５～２７の何れか一項に記載のプリント配線板の製造方法。
　キャリアを剥離する前に、キャリア付銅箔のキャリア側表面に基板を形成する工程を更に含む請求項２５～２８の何れか一項に記載のプリント配線板の製造方法。