WO2014024682A1 - ビス（ハロスルホニル）アミンの製造方法 - Google Patents

ビス（ハロスルホニル）アミンの製造方法 Download PDF

Info

Publication number
WO2014024682A1
WO2014024682A1 PCT/JP2013/070029 JP2013070029W WO2014024682A1 WO 2014024682 A1 WO2014024682 A1 WO 2014024682A1 JP 2013070029 W JP2013070029 W JP 2013070029W WO 2014024682 A1 WO2014024682 A1 WO 2014024682A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
reaction
halogenating agent
amine
temperature
acid
Prior art date
Application number
PCT/JP2013/070029
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
道明 丸山
Original Assignee
日本曹達株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=50067915&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=WO2014024682(A1) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by 日本曹達株式会社 filed Critical 日本曹達株式会社
Priority to ES13828591T priority Critical patent/ES2707633T3/es
Priority to KR1020157001555A priority patent/KR101738789B1/ko
Priority to CA2880723A priority patent/CA2880723C/en
Priority to JP2014529417A priority patent/JPWO2014024682A1/ja
Priority to US14/416,495 priority patent/US9650250B2/en
Priority to CN201380040804.8A priority patent/CN104507855B/zh
Priority to EP13828591.1A priority patent/EP2881365B1/en
Priority to SG11201500611RA priority patent/SG11201500611RA/en
Publication of WO2014024682A1 publication Critical patent/WO2014024682A1/ja

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B21/00—Nitrogen; Compounds thereof
    • C01B21/082—Compounds containing nitrogen and non-metals and optionally metals
    • C01B21/087—Compounds containing nitrogen and non-metals and optionally metals containing one or more hydrogen atoms
    • C01B21/093—Compounds containing nitrogen and non-metals and optionally metals containing one or more hydrogen atoms containing also one or more sulfur atoms
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B21/00—Nitrogen; Compounds thereof
    • C01B21/082—Compounds containing nitrogen and non-metals and optionally metals
    • C01B21/086—Compounds containing nitrogen and non-metals and optionally metals containing one or more sulfur atoms
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
    • H01M10/00—Secondary cells; Manufacture thereof
    • H01M10/05—Accumulators with non-aqueous electrolyte
    • H01M10/056—Accumulators with non-aqueous electrolyte characterised by the materials used as electrolytes, e.g. mixed inorganic/organic electrolytes
    • H01M10/0564—Accumulators with non-aqueous electrolyte characterised by the materials used as electrolytes, e.g. mixed inorganic/organic electrolytes the electrolyte being constituted of organic materials only
    • H01M10/0566—Liquid materials
    • H01M10/0567—Liquid materials characterised by the additives
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
    • H01M10/00—Secondary cells; Manufacture thereof
    • H01M10/05—Accumulators with non-aqueous electrolyte
    • H01M10/056—Accumulators with non-aqueous electrolyte characterised by the materials used as electrolytes, e.g. mixed inorganic/organic electrolytes
    • H01M10/0564—Accumulators with non-aqueous electrolyte characterised by the materials used as electrolytes, e.g. mixed inorganic/organic electrolytes the electrolyte being constituted of organic materials only
    • H01M10/0566—Liquid materials
    • H01M10/0568—Liquid materials characterised by the solutes
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E60/00—Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
    • Y02E60/10—Energy storage using batteries

Definitions

  • the present invention relates to a method for producing bis (halosulfonyl) amine. More specifically, the present invention controls the reaction rate of sulfamic acid, halogenating agent, and halosulfonic acid to be almost constant from the beginning of the reaction to the end of the reaction, thereby suppressing the rapid generation of gas and the amount of the halogenating agent used.
  • the present invention relates to a process for producing bis (halosulfonyl) amine, which is advantageous for industrial production. This application claims priority on August 6, 2012 based on Japanese Patent Application No. 2012-174209 for which it applied to Japan, and uses the content here.
  • Bis (fluorosulfonyl) amine salts are useful compounds in various fields such as battery electrolytes, additives to battery electrolytes, and conductive coating materials (Patent Document 1, Patent Document 2, and Patent Document 3).
  • Bis (chlorosulfonyl) amine can be converted into various bis (fluorosulfonyl) amine salts by reacting with a fluorinating agent or by performing a cation exchange reaction after reacting with a fluorinating agent. Therefore, it is a useful compound (Patent Document 4, Patent Document 5, Non-Patent Document 1).
  • Patent Document 3 Patent Document 4, Patent Document. 6, Non-Patent Document 2, Non-Patent Document 3).
  • An object of the present invention is to control the reaction rate of sulfamic acid, halogenating agent, and halosulfonic acid to be almost constant from the beginning of the reaction to the end of the reaction, thereby suppressing rapid gas generation and reducing the amount of halogenating agent used. It is to provide a process for producing bis (halosulfonyl) amine which is advantageous for industrial production.
  • the present invention includes the following.
  • a method for producing bis (halosulfonyl) amine which comprises heating a mixture containing sulfamic acid and halosulfonic acid to a temperature higher than room temperature and then adding a halogenating agent thereto.
  • the production method according to (1) wherein the temperature higher than room temperature is 50 ° C. to 140 ° C.
  • the reaction rate of the sulfamic acid, the halogenating agent and the halosulfonic acid is controlled to be substantially constant from the initial reaction to the final reaction, thereby suppressing the rapid generation of gas and reducing the amount of the halogenating agent used. Since it can be reduced, it is advantageous for industrial production of bis (halosulfonyl) amine. Moreover, according to the production method of the present invention, bis (halosulfonyl) amine can be produced in a high yield, which is advantageous for industrial production.
  • a method for producing bis (halosulfonyl) amine according to an embodiment of the present invention includes heating a mixture containing sulfamic acid and halosulfonic acid to a temperature higher than room temperature, and then adding a halogenating agent thereto. .
  • bis (halosulfonyl) amine is a compound represented by Formula (3).
  • X in Formula (3) shows a halogen atom. X may be the same or different.
  • Specific examples of bis (halosulfonyl) amine include N- (fluorosulfonyl) -N- (chlorosulfonyl) amine and bis (chlorosulfonyl) amine.
  • the sulfamic acid used in the present invention is a known substance represented by the formula (1).
  • a commercially available sulfamic acid may be used.
  • the sulfamic acid is preferably one that is dried before being subjected to the reaction to remove contained water.
  • the method of a drying process is not specifically limited, Generally used methods, such as heat drying and reduced pressure drying, can be mentioned.
  • the halosulfonic acid used in the present invention is a known substance represented by the formula (2).
  • X in Formula (2) shows a halogen atom.
  • a commercially available halosulfonic acid may be used.
  • the halosulfonic acid is preferably one that is dried before being subjected to the reaction to remove the contained water. Although the method of a drying process is not specifically limited, Generally used methods, such as heat drying and reduced pressure drying, can be mentioned.
  • As the halosulfonic acid fluorosulfonic acid and chlorosulfonic acid are preferable, and chlorosulfonic acid is more preferable.
  • the halogenating agent used in the present invention is not particularly limited, and commercially available products can be used.
  • the halogenating agent is preferably one that is dried before being subjected to the reaction to remove the contained water.
  • the method of a drying process is not specifically limited, Generally used methods, such as heat drying and reduced pressure drying, can be mentioned.
  • the halogenating agent include phosphorus trichloride, phosphorus pentachloride, thionyl chloride, thionyl fluoride, and the like. From the viewpoint of easy purification after completion of the reaction, thionyl chloride is preferable.
  • the molar ratio of halosulfonic acid to sulfamic acid is preferably 0.9 to 1.2, more preferably 0.95 to 1.05.
  • the mixture may optionally contain a solvent for dissolving or dispersing them.
  • the solvent is not particularly limited as long as it does not inhibit the reaction of sulfamic acid, halogenating agent and halosulfonic acid, but is preferably a compound having no aromatic proton.
  • the mixture containing sulfamic acid and halosulfonic acid is heated before adding the halogenating agent.
  • the heated mixture has a temperature at the time of adding the halogenating agent higher than room temperature, preferably 50 to 140 ° C., more preferably 60 to 80 ° C. By adjusting to such a temperature, it is possible to prevent gas from being generated abruptly.
  • the addition amount of the halogenating agent is not particularly limited.
  • the addition amount of the halogenating agent with respect to 1 mol of sulfamic acid is preferably 2 to 4 mol, more preferably 2 to 3 mol.
  • the addition amount of the halogenating agent is less than 2 mol, the yield and purity tend to decrease.
  • the method of adding the halogenating agent is not particularly limited, but it may be added gradually gradually, may be added gradually, or may be added in several steps at intervals. Also good. In the case of continuous or intermittent addition, it is preferable to keep the addition rate low in order to prevent a rapid increase in the reaction rate.
  • the addition rate can be appropriately set depending on the scale of the reactor and the set reaction temperature. When adding in several times, in order to prevent a rapid increase in reaction rate, it is preferable to keep the amount added at a time low. The amount to be added at a time can be appropriately set depending on the scale of the reactor and the set reaction temperature.
  • the temperature of the mixture after adding the halogenating agent can be variously set in order to control the scale of the reactor and the desired reaction rate, and is usually higher than room temperature, preferably 50 to 140 ° C., more preferably 60 ° C. ⁇ 80 ° C.
  • the temperature of the mixture after adding the halogenating agent can be set to, for example, 50 ° C. to 85 ° C., 86 ° C. to 105 ° C., or 106 ° C. to 140 ° C. Can do.
  • reaction time is not specifically limited, Usually, it is 48 hours or less, Preferably it is 24 hours or less.
  • the reaction can be performed in the presence of a catalyst.
  • the catalyst is preferably a basic catalyst.
  • Base catalysts include aliphatic tertiary amine compounds such as trimethylamine, triethylamine, tripropylamine, tributylamine, tri (hydroxyethyl) amine, methylpiperidine, dimethylpiperazine, diazabicyclooctane; trimethylphosphine, triethylphosphine, etc. Of trialkylphosphine.
  • the amount of the catalyst used is preferably 0.0001 to 0.1 mol with respect to 1 mol of sulfamic acid.
  • the catalyst may be added to the mixture before the halogenating agent is added, may be added simultaneously with the addition of the halogenating agent, or may be added after the halogenating agent is added. Of these, the method of charging the mixture before adding the halogenating agent is preferred.
  • Non-Patent Document 3 for example, sulfamic acid, halogenating agent, and halosulfonic acid seem to cause a reaction represented by the reaction formula (A) or (B).
  • the reaction rate of sulfamic acid, halogenating agent, and halosulfonic acid can be controlled to be almost constant from the initial reaction stage to the final reaction stage, thereby suppressing the rapid generation of gas.
  • Example 1 A 500 ml reaction vessel equipped with a stirrer, a thermometer and a reflux tube was charged with 97.1 g (1.00 mol) of sulfamic acid and 121.2 g (1.04 mol) of chlorosulfonic acid to obtain a mixed solution. The mixture was heated to 70 ° C. with stirring. Next, 237.9 g (2.00 mol) of thionyl chloride was added dropwise thereto over 1 hour. Subsequently, the reaction was carried out at 70 ° C. for 6 hours. The temperature was then raised to 80 ° C. over 0.5 hours. Thereafter, 119.0 g (1.00 mol) of thionyl chloride was added dropwise over 1 hour.
  • Example 2 In a 2000 ml reaction vessel equipped with a stirrer, a thermometer and a reflux tube, 268.0 g (2.76 mol) of sulfamic acid and 334.5 g (2.87 mol) of chlorosulfonic acid were added and stirred to obtain a mixed solution. The mixture was heated to 70 ° C. with stirring. Next, 656.7 g (5.52 mol) of thionyl chloride was added dropwise thereto over 1.5 hours. Subsequently, the reaction was carried out at 70 ° C. for 6 hours. Thereafter, 131.3 g (1.10 mol) of thionyl chloride was added dropwise over 0.2 hours. Next, the temperature was raised to 90 ° C.
  • Comparative Example 1 In a 500 ml reaction vessel equipped with a stirrer, thermometer and reflux tube, 9.71 g (0.10 mol) sulfamic acid, 12.12 g (0.104 mol) chlorosulfonic acid, and 29.74 g (0.25 mol) thionyl chloride. ) And stirred to obtain a mixed solution. The mixture was heated with stirring to raise the temperature to 70 ° C. and then reacted at 70 ° C. for 4 hours. The temperature was raised to 130 ° C. over 2 hours and reacted at 130 ° C. for 2 hours. Gas was rapidly generated while the temperature was raised to 130 ° C. The resulting reaction solution was distilled under reduced pressure.
  • the reaction rate of the sulfamic acid, the halogenating agent and the halosulfonic acid is controlled to be substantially constant from the initial reaction to the final reaction, thereby suppressing the rapid generation of gas and reducing the amount of the halogenating agent used. Since it can be reduced, it is advantageous for industrial production of bis (halosulfonyl) amine.

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)

Abstract

本発明は、スルファミン酸とハロゲン化剤とハロスルホン酸との反応速度を反応初期から反応終期までほぼ一定に制御して、ガスの急激な発生を抑え、且つハロゲン化剤の使用量を減らすことができる工業的製造に有利なビス（ハロスルホニル）アミンの製造方法を提供する。本発明のビス（ハロスルホニル）アミンの製造方法は、スルファミン酸とハロスルホン酸を含む混合物を加熱して室温より高い温度にし、次いでこれにハロゲン化剤を添加し、その後、所定温度に調整して反応させることを含む製造方法によって、Ｎ－（フルオロスルホニル）－Ｎ－（クロロスルホニル）アミン、ビス（クロロスルホニル）アミンなどのビス（ハロスルホニル）アミンを得る。

Description

ビス（ハロスルホニル）アミンの製造方法
　本発明は、ビス（ハロスルホニル）アミンの製造方法に関する。より詳細に、本発明は、スルファミン酸とハロゲン化剤とハロスルホン酸との反応速度を反応初期から反応終期までほぼ一定に制御して、ガスの急激な発生を抑え、且つハロゲン化剤の使用量を減らすことができる工業的製造に有利なビス（ハロスルホニル）アミンの製造方法に関する。
本願は、２０１２年８月６日に、日本に出願された特願２０１２－１７４２０９号に基づき優先権を主張し、その内容をここに援用する。
　ビス（フルオロスルホニル）アミン塩は、電池電解質、電池電解液への添加物、導電性塗膜材料などとして様々な分野において有用な化合物である（特許文献１、特許文献２、特許文献３）。ビス（クロロスルホニル）アミンは、フッ素化剤と反応させることにより、また、フッ素化剤と反応させた後カチオン交換反応等を行うことにより、様々なビス（フルオロスルホニル）アミン塩に導くことができるため、有用な化合物である（特許文献４、特許文献５、非特許文献１）。
　ビス（クロロスルホニル）アミンの合成法として、スルファミン酸と塩化チオニルとクロロスルホン酸とを混ぜ合わせ、その混合物を加熱して反応させる方法が知られている（特許文献３、特許文献４、特許文献６、非特許文献２、非特許文献３）。
特表平０８－５１１２７４号 特開２０１０－１２１１１４号 特開２０１０－１６８２４９号 特開２０１０－１８９３７２号 特表２００４－５２２６８１号 特開平０８－２１７７４５号
Inorg.Synth.11,138-140(1968年) Eur.J.Org.Chem.5165-5170（2010年） Z.Anorg.Allg.Chem.631,55-59(2005年)
　スルファミン酸と塩化チオニルとクロロスルホン酸との反応を完結させるために、８０℃以上の温度に加熱する必要がある。塩素化剤として賞用される塩化チオニルは、その沸点が７６℃である。塩化チオニルを含有する混合物を８０℃以上に昇温すると塩化チオニルが蒸発して反応系から塩化チオニルが失われる。そのため、反応系に塩化チオニルを過剰に添加する必要がある。そこで、反応初期の温度を低くし、反応終期の温度を高くするという方法を試みた。この方法によれば塩化チオニルの消失は少なくて済むが、初期反応温度から終期反応温度に切り替える際などに多量のガスが急激に発生することがあるので工業的な製造方法としては不適当であった。
　本発明の課題は、スルファミン酸とハロゲン化剤とハロスルホン酸との反応速度を反応初期から反応終期までほぼ一定に制御して、ガスの急激な発生を抑え、且つハロゲン化剤の使用量を減らすことができる工業的製造に有利なビス（ハロスルホニル）アミンの製造方法を提供することである。
　本発明者らは上記課題を解決するために鋭意検討を重ねた結果、以下の態様の発明を完成するに至った。
　すなわち、本発明は、以下のものを包含する。
（１）スルファミン酸とハロスルホン酸を含む混合物を加熱して室温より高い温度にし、次いでこれにハロゲン化剤を添加することを含む、ビス（ハロスルホニル）アミンの製造方法。
（２）室温より高い温度が５０℃～１４０℃である（１）に記載の製造方法。
（３）ハロゲン化剤を複数回に分けて添加する（１）または（２）に記載の製造方法。
（４）ハロゲン化剤が塩化チオニルである（１）～（３）いずれか１項に記載の製造方法。
（５）スルファミン酸１モルに対し、塩化チオニル２～３モルを用いる（４）に記載の製造方法。
（６）ハロゲン化剤を添加した後、混合物の温度を５０℃～８５℃にて反応させることをさらに含む（１）～（５）いずれか１項に記載の製造方法。
（７）ハロゲン化剤を添加した後、混合物の温度を８６℃～１０５℃にて反応させることをさらに含む（１）～（５）いずれか１項に記載の製造方法。
（８）ハロゲン化剤を添加した後、混合物の温度を１０６℃～１４０℃にて反応させることをさらに含む（１）～（５）いずれか１項に記載の製造方法。
　本発明の製造方法は、スルファミン酸とハロゲン化剤とハロスルホン酸との反応速度を反応初期から反応終期までほぼ一定に制御して、ガスの急激な発生を抑え、且つハロゲン化剤の使用量を減らすことができるので、ビス（ハロスルホニル）アミンの工業的製造に有利である。また、本発明の製造方法によれば、高収率でビス（ハロスルホニル）アミンを製造できるため、工業的製造に有利である。
　本発明の一実施形態に係るビス（ハロスルホニル）アミンの製造方法は、スルファミン酸とハロスルホン酸を含む混合物を加熱して室温より高い温度にし、次いでこれにハロゲン化剤を添加することを含むものである。なお、ビス（ハロスルホニル）アミンは、式（３）で表される化合物である。但し、式（３）中のＸはハロゲン原子を示す。Ｘは、同じでもよいし、異なってもよい。ビス（ハロスルホニル）アミンの具体例としては、Ｎ－（フルオロスルホニル）－Ｎ－（クロロスルホニル）アミン、ビス（クロロスルホニル）アミンなどが挙げられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000001
　本発明で使用するスルファミン酸は、式（１）で表される公知物質である。スルファミン酸は、市販されたものを使用してもよい。スルファミン酸は、反応に供する前に乾燥処理して、含有する水を除去したものが好ましい。乾燥処理の方法は、特に限定されないが、加熱乾燥、減圧乾燥などの一般的に用いられる方法を挙げることができる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000002
　本発明で使用するハロスルホン酸は、式（２）で表される公知物質である。但し、式（２）中のＸはハロゲン原子を示す。ハロスルホン酸は、市販されたものを使用してもよい。ハロスルホン酸は、反応に供する前に乾燥処理して、含有する水を除去したものが好ましい。乾燥処理の方法は、特に限定されないが、加熱乾燥、減圧乾燥などの一般的に用いられる方法を挙げることができる。ハロスルホン酸としては、フルオロスルホン酸、クロロスルホン酸が好ましく、クロロスルホン酸がより好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000003
　本発明で使用するハロゲン化剤は特に限定されず、市販品を用いることができる。ハロゲン化剤は、反応に供する前に乾燥処理して、含有する水を除去したものが好ましい。乾燥処理の方法は、特に限定されないが、加熱乾燥、減圧乾燥などの一般的に用いられる方法を挙げることができる。ハロゲン化剤としては、三塩化リン、五塩化リン、塩化チオニル、フッ化チオニルなどを挙げることができる。反応終了後の精製が容易であるという観点からは、塩化チオニルが好ましい。
　スルファミン酸およびハロスルホン酸を含有する混合物は、スルファミン酸に対するハロスルホン酸のモル比が、好ましくは０．９～１．２、より好ましくは０．９５～１．０５である。
　該混合物はスルファミン酸およびハロスルホン酸以外にそれらを溶解または分散するための溶剤を必要に応じて含んでいてもよい。溶剤はスルファミン酸とハロゲン化剤とハロスルホン酸との反応を阻害しないものであれば特に制限されないが、好ましくは芳香族プロトンを持たない化合物である。
　スルファミン酸およびハロスルホン酸を含有する混合物は、ハロゲン化剤を添加する前に加熱される。加熱された混合物はハロゲン化剤を添加する際における温度が、室温より高い温度、好ましくは５０～１４０℃、より好ましくは６０℃～８０℃である。このような温度に調整することにより、ガスが急激に発生することを防ぐことができる。
　ハロゲン化剤の添加量は、特に限定されない。例えば、スルファミン酸１モルに対するハロゲン化剤の添加量は、好ましくは２～４モル、より好ましくは２～３モルである。ハロゲン化剤の添加量が２モルを下回ると収率や純度が低下する傾向がある。
　ハロゲン化剤を添加する仕方は、特に限定されないが、連続的に徐々に添加してもよいし、断続的に徐々に添加してもよいし、間を開けて複数回に分けて添加してもよい。
　連続的または断続的に添加する場合には、急激な反応速度の増大を防ぐために、添加速度を低く抑えることが好ましい。添加速度は、反応器の規模、設定した反応温度により、適宜設定することができる。複数回に分けて添加する場合は、急激な反応速度の増大を防ぐために、１度に添加する量を低く抑えることが好ましい。１度に添加する量は、反応器の規模、設定した反応温度により、適宜設定することができる。
　ハロゲン化剤を添加した後、温度を調整しながらさらに反応させることができる。ハロゲン化剤を添加した後の混合物の温度は、反応器の規模や所望の反応速度に制御するために種々設定でき、通常は室温より高い温度、好ましくは５０～１４０℃、より好ましくは６０℃～８０℃である。また、ハロゲン化剤を添加した後の混合物の温度は、例えば、５０℃～８５℃に設定することができ、８６℃～１０５℃に設定するができ、または１０６℃～１４０℃に設定することができる。
　反応時間は特に限定されないが、通常、４８時間以下であり、好ましくは２４時間以下である。
　当該反応は触媒の存在下に行うことができる。触媒としては塩基触媒が好ましい。塩基触媒としては、トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリプロピルアミン、トリブチルアミン、トリ（ヒドロキシエチル）アミン、メチルピペリジン、ジメチルピペラジン、ジアザビシクロオクタンなどの脂肪族三級アミン化合物；　トリメチルフォスフィン、トリエチルフォスフィンなどのトリアルキルフォスフィンを挙げることができる。触媒の使用量はスルファミン酸１モルに対して好ましくは０．０００１～０．１モルである。
　触媒は、ハロゲン化剤を添加する前に混合物に仕込んでもよいし、ハロゲン化剤の添加と同時に添加してもよいし、ハロゲン化剤を添加した後に添加してもよい。これらのうち、ハロゲン化剤を添加する前に混合物に仕込んでおく方法が好ましい。
　スルファミン酸とハロゲン化剤とハロスルホン酸とは、例えば、非特許文献３によれば、反応式（Ａ）または（Ｂ）で表されるような反応を起こしているようである。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000004
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000005
　この反応式からわかるように、スルファミン酸１モルとハロスルホン酸１モルとハロゲン化剤としての塩化チオニル２モルが反応すると、亜硫酸ガス（ＳＯ2）２モルと、塩酸ガス（ＨＣｌ）３モルが生成する。スルファミン酸とハロゲン化剤（塩化チオニル）とハロスルホン酸と混ぜ合わせ、該混合物を加熱し温度を上げて反応させると、反応速度が速くなりすぎ、亜硫酸ガスと塩酸ガスが急激に発生し、反応器の圧力が高くなるなどの支障を来たすことがある。
　これに対して、本発明の方法によると、スルファミン酸とハロゲン化剤とハロスルホン酸との反応速度を反応初期から反応終期までほぼ一定に制御して、ガスの急激な発生を抑えることができる。
　以下、実施例を挙げて本発明をより具体的に説明する。なお、本発明は以下の実施例によって制限を受けるものではなく、本発明の趣旨に適合し得る範囲で適宜に変更を加えて実施することが勿論可能であり、それらはいずれも本発明の技術的範囲に包含される。
実施例１
　攪拌器、温度計および還流管を取り付けた５００ｍｌの反応容器に、スルファミン酸９７．１ｇ（１．００ｍｏｌ）およびクロロスルホン酸１２１．２ｇ（１．０４ｍｏｌ）を入れ撹拌して混合液を得た。この混合液を撹拌下に加熱して７０℃にした。次いで、これに塩化チオニル２３７．９ｇ（２．００ｍｏｌ）を１時間かけて滴下した。引き続き７０℃にて６時間反応させた。　次いで０．５時間かけて温度を８０℃に上げた。その後、塩化チオニル１１９．０ｇ（１．００ｍｏｌ）を１時間かけて滴下した。次いで１．９時間かけて温度を９０℃に上げ、引き続き９０℃にて４時間反応させた。
　その後、温度を１３０℃に上げ、１３０℃にて２時間反応させた。このときに未反応の塩化チオニルが蒸発し系外に排出された。
　上記の反応中にガスの急激な発生はなかった。
　得られた反応液を減圧蒸留した。１０５℃以上／７ｔｏｒｒの留分として無色透明の液状物〔ビス（クロロスルホニル）アミン〕２０６．６ｇ（０．９７ｍｏｌ、スルファミン酸基準の収率９７％、塩化チオニル基準の収率３２％）を得た。
実施例２
　攪拌器、温度計および還流管を取り付けた２０００ｍｌの反応容器に、スルファミン酸２６８．０ｇ（２．７６ｍｏｌ）およびクロロスルホン酸３３４．５ｇ（２．８７ｍｏｌ）を入れ撹拌して混合液を得た。この混合液を撹拌下に加熱して７０℃にした。次いで、これに塩化チオニル６５６．７ｇ（５．５２ｍｏｌ）を１．５時間かけて滴下した。引き続き７０℃にて６時間反応させた。　その後、塩化チオニル１３１．３ｇ（１．１０ｍｏｌ）を０．２時間かけて滴下した。次いで３時間かけて温度を９０℃に上げ、引き続き９０℃にて４時間反応させた。
　その後、温度を１３０℃に上げ、１３０℃にて２時間反応させた。このときに未反応の塩化チオニルが蒸発し系外に排出された。
　上記の反応中にガスの急激な発生はなかった。
　得られた反応液を減圧蒸留した。１００℃以上／７．５ｔｏｒｒの留分として無色透明の液状物〔ビス（クロロスルホニル）アミン〕５５３．６ｇ（２．５９ｍｏｌ、スルファミン酸基準の収率９４％、塩化チオニル基準の収率３９．１％）を得た。
比較例１
　攪拌器、温度計および還流管を取り付けた５００ｍｌの反応容器に、スルファミン酸９．７１ｇ（０．１０ｍｏｌ）、クロロスルホン酸１２．１２ｇ（０．１０４ｍｏｌ）、および塩化チオニル２９．７４ｇ（０．２５ｍｏｌ）を入れ撹拌して混合液を得た。この混合液を撹拌下に加熱して温度を７０℃に上げ、引き続き７０℃で４時間反応させた。
　２時間かけて温度を１３０℃に上げ、１３０℃にて２時間反応させた。１３０℃に温度を上げている最中にガスが急激に発生した。
　得られた反応液を減圧蒸留した。１１０℃以上／７ｔｏｒｒの留分として無色透明の液状物〔ビス（クロロスルホニル）アミン〕７．７４ｇ（０．０３６ｍｏｌ、スルファミン酸基準の収率３６％、塩化チオニル基準の収率１４．４％）を得た。
　以上の結果から、本発明の方法によると、ガスの急激な発生を抑制して、高収率でビス（ハロスルホニル）アミンを製造できることがわかる。また、ビス（ハロスルホニル）アミンの収量に対するハロゲン化剤の使用量を顕著に減少させることができることもわかる。
本発明の製造方法は、スルファミン酸とハロゲン化剤とハロスルホン酸との反応速度を反応初期から反応終期までほぼ一定に制御して、ガスの急激な発生を抑え、且つハロゲン化剤の使用量を減らすことができるので、ビス（ハロスルホニル）アミンの工業的製造に有利である。

Claims (8)

  1. 　スルファミン酸とハロスルホン酸を含む混合物を加熱して室温より高い温度にし、次いでこれにハロゲン化剤を添加することを含む、ビス（ハロスルホニル）アミンの製造方法。
  2. 　室温より高い温度が５０℃～１４０℃である請求項１に記載の製造方法。
  3. 　ハロゲン化剤を複数回に分けて添加する請求項１または２に記載の製造方法。
  4. 　ハロゲン化剤が塩化チオニルである請求項１～３のいずれか１項に記載の製造方法。
  5. 　スルファミン酸１モルに対し、塩化チオニル２～３モルを用いる請求項４に記載の製造方法。
  6. 　ハロゲン化剤を添加した後、混合物の温度を５０℃～８５℃にて反応させることをさらに含む請求項１～５のいずれか１項に記載の製造方法。
  7. 　ハロゲン化剤を添加した後、混合物の温度を８６℃～１０５℃にて反応させることをさらに含む請求項１～５のいずれか１項に記載の製造方法。
  8. 　ハロゲン化剤を添加した後、混合物の温度を１０６℃～１４０℃にて反応させることをさらに含む請求項１～５のいずれか１項に記載の製造方法。
PCT/JP2013/070029 2012-08-06 2013-07-24 ビス（ハロスルホニル）アミンの製造方法 WO2014024682A1 (ja)

Priority Applications (8)

Application Number Priority Date Filing Date Title
ES13828591T ES2707633T3 (es) 2012-08-06 2013-07-24 Método para producir bis(halosulfonil)amina
KR1020157001555A KR101738789B1 (ko) 2012-08-06 2013-07-24 비스(할로술포닐)아민의 제조 방법
CA2880723A CA2880723C (en) 2012-08-06 2013-07-24 Method for producing bis(halosulfonyl)amine
JP2014529417A JPWO2014024682A1 (ja) 2012-08-06 2013-07-24 ビス（ハロスルホニル）アミンの製造方法
US14/416,495 US9650250B2 (en) 2012-08-06 2013-07-24 Method for producing bis(halosulfonyl)amine
CN201380040804.8A CN104507855B (zh) 2012-08-06 2013-07-24 双(卤代磺酰基)胺的制造方法
EP13828591.1A EP2881365B1 (en) 2012-08-06 2013-07-24 Method for producing bis(halosulfonyl)amine
SG11201500611RA SG11201500611RA (en) 2012-08-06 2013-07-24 Method for producing bis(halosulfonyl)amine

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012-174209 2012-08-06
JP2012174209 2012-08-06

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2014024682A1 true WO2014024682A1 (ja) 2014-02-13

Family

ID=50067915

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2013/070029 WO2014024682A1 (ja) 2012-08-06 2013-07-24 ビス（ハロスルホニル）アミンの製造方法

Country Status (9)

Country Link
US (1) US9650250B2 (ja)
EP (1) EP2881365B1 (ja)
JP (2) JPWO2014024682A1 (ja)
KR (1) KR101738789B1 (ja)
CN (1) CN104507855B (ja)
CA (1) CA2880723C (ja)
ES (1) ES2707633T3 (ja)
SG (1) SG11201500611RA (ja)
WO (1) WO2014024682A1 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160146796A (ko) * 2014-04-18 2016-12-21 아르끄마 프랑스 플루오로설포닐 기를 함유하는 이미드의 제조 방법
JP2021525207A (ja) * 2018-05-23 2021-09-24 アルケマ フランス フルオロスルホニル基を含有するイミド塩を調製するための方法

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2018132087A1 (en) * 2017-01-10 2018-07-19 Kuwait Institute For Scientific Research Combination multi-effect distillation and multi-stage flash evaporation system
FR3081457B1 (fr) * 2018-05-23 2020-05-08 Arkema France Procede de preparation du sel de lithium du bis(fluorosulfonyl)imide
FR3088931B1 (fr) * 2018-11-28 2021-01-22 Arkema France Procédé de préparation du sel de lithium de bis(fluorosulfonyl)imide
KR102516462B1 (ko) 2020-12-23 2023-04-03 주식회사 천보신소재 비스(클로로술포닐)이미드의 제조 방법

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08217745A (ja) 1995-02-13 1996-08-27 Central Glass Co Ltd イミド類、その塩類およびそれらの製造法
JPH08511274A (ja) 1994-03-21 1996-11-26 サントル・ナショナル・ドゥ・ラ・ルシェルシュ・シャンティフィク 良好な耐食性を示すイオン性伝導材料
JP2004522681A (ja) 2000-12-29 2004-07-29 ハイドロ−ケベック ハロスルホニル基、又はジハロホスホニル基を含む化合物をフッ素化するための方法
WO2010010613A1 (ja) * 2008-07-23 2010-01-28 第一工業製薬株式会社 ビス（フルオロスルホニル）イミドアニオン化合物の製造方法およびイオン対化合物
JP2010121114A (ja) 2008-10-22 2010-06-03 Mitsubishi Materials Corp 導電性塗膜形成剤、その製造方法及びそれを用いた成形品
JP2010168249A (ja) 2009-01-22 2010-08-05 Nippon Shokubai Co Ltd フルオロスルホニルイミド類およびその製造方法
JP2010189372A (ja) 2008-03-31 2010-09-02 Nippon Shokubai Co Ltd フルオロスルホニルイミド類およびその製造方法
WO2012160280A2 (fr) * 2011-05-24 2012-11-29 Arkema France Procede de preparation de bis(fluorosulfonyl)imidure de lithium ou sodium
JP2013087019A (ja) * 2011-10-18 2013-05-13 Sumitomo Electric Ind Ltd イミド塩の製造方法

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4356292B2 (ja) * 2001-08-21 2009-11-04 住友化学株式会社 アミノ酸エステル塩酸塩の製造方法
JP4322871B2 (ja) * 2003-12-16 2009-09-02 日本曹達株式会社 クロロスルホニルイソシアナートの製造方法
CN101980955B (zh) * 2008-03-31 2013-07-03 株式会社日本触媒 磺酰亚胺盐及其制备方法
CN102405189B (zh) 2009-11-27 2014-07-09 株式会社日本触媒 氟磺酰亚胺盐以及氟磺酰亚胺盐的制备方法
EP2578567B1 (en) 2010-05-26 2016-01-13 Mitsubishi Materials Corporation Process for preparation of fluorine-containing imide compounds
JP5672016B2 (ja) 2011-01-14 2015-02-18 住友電気工業株式会社 フッ素化合物の製造方法

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08511274A (ja) 1994-03-21 1996-11-26 サントル・ナショナル・ドゥ・ラ・ルシェルシュ・シャンティフィク 良好な耐食性を示すイオン性伝導材料
JPH08217745A (ja) 1995-02-13 1996-08-27 Central Glass Co Ltd イミド類、その塩類およびそれらの製造法
JP2004522681A (ja) 2000-12-29 2004-07-29 ハイドロ−ケベック ハロスルホニル基、又はジハロホスホニル基を含む化合物をフッ素化するための方法
JP2010189372A (ja) 2008-03-31 2010-09-02 Nippon Shokubai Co Ltd フルオロスルホニルイミド類およびその製造方法
WO2010010613A1 (ja) * 2008-07-23 2010-01-28 第一工業製薬株式会社 ビス（フルオロスルホニル）イミドアニオン化合物の製造方法およびイオン対化合物
JP2010121114A (ja) 2008-10-22 2010-06-03 Mitsubishi Materials Corp 導電性塗膜形成剤、その製造方法及びそれを用いた成形品
JP2010168249A (ja) 2009-01-22 2010-08-05 Nippon Shokubai Co Ltd フルオロスルホニルイミド類およびその製造方法
WO2012160280A2 (fr) * 2011-05-24 2012-11-29 Arkema France Procede de preparation de bis(fluorosulfonyl)imidure de lithium ou sodium
JP2013087019A (ja) * 2011-10-18 2013-05-13 Sumitomo Electric Ind Ltd イミド塩の製造方法

Non-Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
BERAN,M. ET AL.: "A new method of the preparation of imido-bis(sulfuric acid) dihalogenide,(F,Cl), and the potassium salt of imido-bis(sulfuric acid) difluoride", ZEITSCHRIFT FUER ANORGANISCHE UND ALLGEMEINE CHEMIE, vol. 631, no. 1, 2005, pages 55 - 59, XP055014688 *
EUR. J. ORG. CHEM., 2010, pages 5165 - 5170
INORG. SYNTH., vol. 11, 1968, pages 138 - 140
See also references of EP2881365A4 *
Z. ANORG. ALLG. CHEM., vol. 631, 2005, pages 55 - 59

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160146796A (ko) * 2014-04-18 2016-12-21 아르끄마 프랑스 플루오로설포닐 기를 함유하는 이미드의 제조 방법
JP2017514779A (ja) * 2014-04-18 2017-06-08 アルケマ フランス フルオロスルホニル基を含むイミドの調製
JP2020100548A (ja) * 2014-04-18 2020-07-02 アルケマ フランス フルオロスルホニル基を含むイミドの調製
KR102537359B1 (ko) * 2014-04-18 2023-05-25 아르끄마 프랑스 플루오로설포닐 기를 함유하는 이미드의 제조 방법
JP2021525207A (ja) * 2018-05-23 2021-09-24 アルケマ フランス フルオロスルホニル基を含有するイミド塩を調製するための方法
JP7441801B2 (ja) 2018-05-23 2024-03-01 アルケマ フランス フルオロスルホニル基を含有するイミド塩を調製するための方法

Also Published As

Publication number Publication date
US9650250B2 (en) 2017-05-16
CA2880723A1 (en) 2014-02-13
KR20150031307A (ko) 2015-03-23
CN104507855B (zh) 2017-10-20
EP2881365B1 (en) 2018-11-28
KR101738789B1 (ko) 2017-05-22
JP2017226597A (ja) 2017-12-28
SG11201500611RA (en) 2015-03-30
CN104507855A (zh) 2015-04-08
EP2881365A1 (en) 2015-06-10
ES2707633T3 (es) 2019-04-04
CA2880723C (en) 2017-09-05
JP6497419B2 (ja) 2019-04-10
JPWO2014024682A1 (ja) 2016-07-25
EP2881365A4 (en) 2016-04-20
US20150175422A1 (en) 2015-06-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6497419B2 (ja) ビス（ハロスルホニル）アミンの製造方法
JP6391081B2 (ja) リチウムビス（フルオロスルホニル）イミドの生成方法
JP5527993B2 (ja) ビス（フルオロスルホニル）イミドの製造方法
JP5899789B2 (ja) イミド塩の製造方法
TWI529176B (zh) A method for producing an ionic metal complex salt containing an organic compound as a complex
JP5538534B2 (ja) フッ素含有イミド化合物の製造方法
WO2012026360A1 (ja) ビス（フルオロスルホニル）イミドの製造方法
WO2011148961A1 (ja) フッ素含有イミド化合物の製造方法
JP5560136B2 (ja) ビス（フルオロスルホニル）イミドの製造方法
JP2012162470A (ja) ビス（フルオロスルホニル）アミド塩、及びペルフルオロ−ｎ−（フルオロスルホニル）アルカンスルホニルアミド塩の製造方法
JP2011016782A (ja) グリコール酸の製造方法、及びグリコール酸含有組成物
JP4360866B2 (ja) ヨウ素酸の製造方法
JPS61200103A (ja) ホフマン分解されたアクリルアミド系ポリマ−の製法
JP4329093B2 (ja) 脂肪族カルボン酸ジクロリドの製造方法
CN115893338A (zh) 一种双氟磺酰亚胺的制备方法
CN110167907A (zh) 3-氯-1,1,2,2-四氟丙烷的制造方法
KR101370619B1 (ko) 리튬 옥사이드를 이용한 리튬 디플루오르 포스페이트, 리튬 테트라플루오르 포스파이트 또는 리튬 디플루오르 보레이트의 제조 방법
JP2012214464A (ja) Ｎ−スルフィニル−ペルフルオロアルカンスルホンアミドの製造方法
JP2005272372A (ja) 高純度２，４−ジクロロ−３−アルキル−６−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール類およびその製造方法
JP2018506572A5 (ja)
JP2002371047A5 (ja)

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 13828591

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2014529417

Country of ref document: JP

Kind code of ref document: A

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 20157001555

Country of ref document: KR

Kind code of ref document: A

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 14416495

Country of ref document: US

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2013828591

Country of ref document: EP

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2880723

Country of ref document: CA

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: IDP00201500654

Country of ref document: ID

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE