JP5538534B2 - フッ素含有イミド化合物の製造方法 - Google Patents
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Description
本願は、2010年5月26日に、日本に出願された特願2010−120657号に基づき優先権を主張し、その内容をここに援用する。
さらに、Rfの炭素数が1又は2の場合には原料となるペルフルオロアルキルスルホニルハライドの沸点が低いため、合成にあたってオートクレーブなどの特殊な反応装置が必要であるという課題があった。
[1] 下記式(1)に示されるフッ素含有イミド化合物の製造方法であって、
下記式(2)に示されるフッ素含有スルホン酸と、下記式(3)に示されるフッ素含有スルホンアミドと、を、塩化チオニルの存在下で反応させることを特徴とするフッ素含有イミド化合物の製造方法。
(Rf1SO2)(Rf2SO2)NH ・・・(1)
Rf1SO3H・・・(2)
Rf2SO2NH2 ・・・(3)
但し、上記式(1)〜(3)において、Rf1及びRf2はフッ素又は炭素数1〜4の直鎖状あるいは分岐状のペルフルオロアルキル基である。
上記式(2)に示されるフッ素含有スルホン酸が、下記式(5)に示されるフルオロスルホン酸であり、
上記式(3)に示されるフッ素含有スルホンアミドが、下記式(6)に示されるトリフルオロメチルスルホンアミドであることを特徴とする前項[1]に記載のフッ素含有イミド化合物の製造方法。
(FSO2)(CF3SO2)NH ・・・(4)
FSO3H・・(5)
CF3SO2NH2 ・・・(6)
前記溶解液を加熱し、これに前記フッ素含有スルホンアミドを添加して反応させる過程と、を備えることを特徴とする前項[1]又は前項[2]に記載のフッ素含有イミド化合物の製造方法。
[4] 前記フッ素含有スルホン酸に前記フッ素含有スルホンアミドを溶解して溶解液を生成する過程と、
前記溶解液を加熱し、これに前記塩化チオニルを滴下して反応させる工程と、を備えることを特徴とする前項[1]又は前項[2]に記載のフッ素含有イミド化合物の製造方法。
[5] 前記フッ素含有スルホン酸と、前記フッ素含有スルホンアミドと、前記塩化チオニルと、を混合して混合液を生成する過程と、
前記混合液を加熱して反応させる過程と、を備えることを特徴とする前項[1]又は前項[2]に記載のフッ素含有イミド化合物の製造方法。
本実施形態のフッ素含有イミド化合物の製造方法は、下記式(7)に示されるフッ素含有イミド化合物の製造方法であって、下記式(8)に示されるフッ素含有スルホン酸と、下記式(9)に示されるフッ素含有スルホンアミドと、を、塩化チオニル(SOCl2)の存在下で反応させることを特徴とするフッ素含有イミド化合物の製造方法である。
(Rf1SO2)(Rf2SO2)NH ・・・(7)
Rf1SO3H・・・(8)
Rf2SO2NH2 ・・・(9)
但し、上記式(7)〜(9)において、Rf1及びRf2はフッ素又は炭素数1〜4の直鎖状あるいは分岐状のペルフルオロアルキル基である。
本実施形態のメリットとしては、副生する塩化水素及び二酸化硫黄が気体であるため、反応系に残存しないことが挙げられる。
本実施形態のフッ素含有イミド化合物の製造方法において、一方の原料である上記式(8)で表されるフッ素含有スルホン酸としては、フルオロスルホン酸(FSO3H)、並びにペルフルオロアルキルスルホン酸である、トリフルオロメチルスルホン酸(CF3SO3H)、ペンタフルオロエチルスルホン酸(C2F5SO3H)、ヘプタフルオロプロピルスルホン酸(C3F7SO3H)、及びノナフルオロブチルスルホン酸(C4F9SO3H)が挙げられる。本実施形態のフッ素含有イミド化合物の製造方法においては、これらのフッ素含有スルホン酸のうち、フルオロスルホン酸を用いる場合、従来困難であった、ペルフルオロ−N−(フルオロスルホニル)アルカンスルホニルアミドの製造が可能になり、好ましい。
また、他方の原料である上記式(9)で表されるフッ素含有スルホンアミドとしては、フルオロスルホンアミド(FSO2NH2)、並びにペルフルオロアルキルスルホンアミドである、トリフルオロメチルスルホンアミド(CF3SO2NH2)、ペンタフルオロエチルスルホンアミド(C2F5SO2NH2)、ヘプタフルオロプロピルスルホンアミド(C3F7SO2NH2)、及びノナフルオロブチルスルホンアミド(C4F9SO2NH2)が挙げられる。本実施形態のフッ素含有イミド化合物の製造方法においては、これらのフッ素含有スルホンアミドのうち、トリフルオロメチルスルホンアミド、ペンタフルオロエチルスルホンアミド、ヘプタフルオロプロピルスルホンアミド、ノナフルオロブチルスルホンアミドなどを用いることが原料の入手が容易である観点からより好ましく、トリフルオロメチルスルホンアミドを用いることが原料の入手が特に容易である観点から最も好ましい。
本実施形態のフッ素含有イミド化合物の製造方法は、従来製造が困難であったRf1とRf2のどちらか一方がフッ素である非対称性フッ素含有イミド化合物の合成に特に有効である。
本実施形態のフッ素含有イミド化合物の製造方法では、上記非対称性フッ素含有イミド化合物のうち、トリフルオロ−N−(フルオロスルホニル)メタンスルホニルアミドを合成することが、原料の入手が容易である観点からより好ましい。
先ず、反応容器内にフッ素含有スルホン酸と塩化チオニルとを反応させることなく投入して、フッ素含有スルホン酸に塩化チオニルが溶解した溶解液を生成する。
添加反応過程では、先ず、反応容器内に投入された上記溶解液を加熱する。次に、加熱している上記反応容器にフッ素含有スルホンアミドを添加する。このようにして、フッ素含有スルホン酸とフッ素含有スルホンアミドとを塩化チオニルの存在下で反応させる。
攪拌機、温度計を備えた100mLのガラス製反応器にトリフルオロメチルスルホンアミド30g、塩化チオニル46g、フルオロスルホン酸88gを仕込み、120℃で12時間反応した。反応中は、塩化水素ガスや二酸化硫黄ガスの発生が確認された。
反応液を水に滴下し、19F−NMRにて分析を行った。56.7ppm、―78.3ppmにそれぞれトリフルオロ−N−(フルオロスルホニル)メタンスルホニルアミドのピークが確認された。
内部標準添加法によりトリフルオロ−N−(フルオロスルホニル)メタンスルホニルアミドのトリフルオロメチルスルホンアミド基準の収率は70%であった。
攪拌機、温度計を備えた100mLのガラス製反応器にフルオロスルホン酸50g、トリフルオロメチルスルホンアミド15gを仕込み、120℃に加熱した。加熱した反応液に塩化チオニル24gを2時間かけて滴下した。滴下中は、塩化水素ガスや二酸化硫黄ガスの発生が確認された。
滴下終了後、120℃2時間で反応した。反応終了後、反応液を水に滴下し、19F−NMRにて分析を行った。56.7ppm、―78.3ppmにそれぞれトリフルオロ−N−(フルオロスルホニル)メタンスルホニルアミドのピークが確認された。
内部標準添加法によりトリフルオロ−N−(フルオロスルホニル)メタンスルホニルアミドのトリフルオロメチルスルホンアミド基準の収率は81%であった。
実施例1と同様の装置攪拌機、温度計を備えた100mLのガラス製反応器にフルオロ硫酸45gを仕込み、80℃で加熱した。トリフルオロメチルスルホンアミドを22g加え、さらに80℃で130時間反応させた。
反応液を水に滴下し、19F−NMRにて分析を行った。トリフルオロ−N−(フルオロスルホニル)メタンスルホニルアミドのピークは検出されなかった。
Claims (6)
- 下記式(1)に示されるフッ素含有イミド化合物の製造方法であって、
下記式(2)に示されるフッ素含有スルホン酸と、下記式(3)に示されるフッ素含有スルホンアミドと、を、塩化チオニルの存在下で反応させることを特徴とするフッ素含有イミド化合物の製造方法。
(Rf1SO2)(Rf2SO2)NH ・・・(1)
Rf1SO3H・・(2)
Rf2SO2NH2 ・・・(3)
但し、上記式(1)〜(3)において、Rf1及びRf2はフッ素又は炭素数1〜4の直鎖状あるいは分岐状のペルフルオロアルキル基である。 - 上記式(1)に示されるフッ素含有イミド化合物が、下記式(4)に示されるトリフルオロ−N−(フルオロスルホニル)メタンスルホニルアミドであり、
上記式(2)に示されるフッ素含有スルホン酸が、下記式(5)に示されるフルオロスルホン酸であり、
上記式(3)に示されるフッ素含有スルホンアミドが、下記式(6)に示されるトリフルオロメチルスルホンアミドであることを特徴とする請求項1に記載のフッ素含有イミド化合物の製造方法。
(FSO2)(CF3SO2)NH ・・・(4)
FSO3H・・(5)
CF3SO2NH2 ・・・(6) - 前記フッ素含有スルホン酸に前記塩化チオニルを溶解して溶解液を生成する過程と、
前記溶解液を加熱し、これに前記フッ素含有スルホンアミドを添加して反応させる過程を備えることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載のフッ素含有イミド化合物の製造方法。 - 前記フッ素含有スルホン酸に前記フッ素含有スルホンアミドを溶解して溶解液を生成する過程と、
前記溶解液を加熱し、これに前記塩化チオニルを滴下して反応させる工程を備えることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載のフッ素含有イミド化合物の製造方法。 - 前記フッ素含有スルホン酸と、前記フッ素含有スルホンアミドと、前記塩化チオニルと、を混合して混合液を生成する過程と、
前記混合液を加熱して反応させる過程を備えることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載のフッ素含有イミド化合物の製造方法。 - 反応温度が、50〜140℃の範囲であることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか一項に記載のフッ素含有イミド化合物の製造方法。
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