WO2014007116A1 - 個片化された接着剤層を有する接着剤シートの製造方法、接着剤シートを用いた配線基板の製造方法、半導体装置の製造方法および接着剤シートの製造装置 - Google Patents
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Abstract
Description
特許文献4、5、6で開示された通常のハーフカットの手法は、接着剤層に靭性があり、接着剤層単独で引っ張りや搬送などに耐えられる材料を前提に設計されており、接着剤層が脆弱で、単独では引っ張りや搬送などに耐えられない材料には適用できなかった。
支持フィルム(a)上に個片化された接着剤層(b)を有する接着剤シートの製造方法であって、
工程A:支持フィルム(a)、接着剤層(b)およびカバーフィルム(c)をこの順に有する接着剤フィルムを、局所的なハーフカットにより、接着剤層(b)およびカバーフィルム(c)のみを局所的に切断する工程、
工程B:前記接着剤フィルムの不要部のカバーフィルム(c)のみを剥離する工程、
工程C:前記接着剤フィルムのカバーフィルム(c)側に、粘着テープを貼り付ける工程、
工程D:前記接着剤フィルムの不要部の接着剤層(b)および目的部のカバーフィルム(c)を、粘着テープとともに剥離する工程、
をこの順で有する接着剤シートの製造方法、である。
ここで、「不要部」とは、剥離されて最終的には接着剤シートに残らない部分をいう。
上記製造方法により得られた接着剤シートの接着剤層(b)側の面と、配線基板の配線側の面を位置あわせし、真空ラミネートまたは真空プレスによって接着剤シートと配線基板の積層体とし、次に接着剤シートの支持フィルム(a)を除去する配線基板の製造方法、である。
上記配線基板の製造方法により得られた配線基板に半導体素子を実装する半導体装置の製造方法、である。
ハーフカット装置、カバーフィルム剥離装置、粘着テープ貼付装置および粘着テープ剥離装置をこの順に備えている接着剤シートの製造装置、である。
本発明の個片化された接着剤層を有する接着剤シートの製造方法は、支持フィルム(a)が積層界面で剥離可能な2層構造であることが好ましい。
本発明の個片化された接着剤層を有する接着剤シートの製造方法は、前記粘着テープが、支持フィルム(a’)および接着剤層(b’)を有しており、前記支持フィルム(a’)がポリオレフィンであることが好ましい。
本発明の個片化された接着剤層を有する接着剤シートの製造方法は、前記粘着テープの厚みが10~40μmであることが好ましい。
本発明の個片化された接着剤層を有する接着剤シートの製造方法は、前記工程Dにおける剥離が、粘着テープの折り曲げ角度をθ1、支持フィルム(a)の折り曲げ角度をθ2として、これらが下式(I)、(II)を満たすことが好ましい。
|θ1|<|θ2|・・・(I)
|θ1|+|θ2|<60°・・・(II)
工程A:支持フィルム(a)、接着剤層(b)およびカバーフィルム(c)をこの順に有する接着剤フィルムを、局所的なハーフカットにより、接着剤層(b)およびカバーフィルム(c)のみを局所的に切断する工程、
工程B:前記接着剤フィルムの不要部のカバーフィルム(c)のみを剥離する工程、
工程C:前記接着剤フィルムのカバーフィルム(c)側に、粘着テープを貼り付ける工程、
工程D:前記接着剤フィルムの不要部の接着剤層(b)および目的部のカバーフィルム(c)を、粘着テープとともに剥離する工程、
をこの順で有する。
|θ1|<|θ2|・・・(I)
|θ1|+|θ2|<60°・・・(II)
接着剤層(b)と支持フィルム(a)の剥離の際にかかる応力に対して、θ2よりもθ1の方が影響が大きい。そのため、|θ1|+|θ2|=一定の条件では、|θ1|<|θ2|とすることにより接着剤層(b)への応力を小さく抑えられる。また、|θ1|+|θ2|<60°であれば、剥離時の接着剤層(b)への応力が大きくなりすぎず、カケや破断などを抑制することができる。なお接着剤層(b)のカケや破断はダストの原因となるため、目的部の接着剤層(b)だけでなく不要部の接着剤層(b)についても、カケや破断は抑制することが好ましい。
(1)ポリイミド樹脂の赤外吸収スペクトルの測定
堀場製作所製FT-IR720を用いてKBr法により測定した。
(2)ポリイミド樹脂の重量平均分子量の測定
ゲルパーミエーションクロマトグラフィー(日本ウォーターズ(株)製 Waters 2690)を用い、ポリスチレン換算で重量平均分子量を求めた。カラムは東ソー(株)製 TOSOH TXK-GEL α-2500、およびα-4000を用い、移動層にはN-メチル-2-ピロリドン(以下、NMP)を用いた。
(3)溶融粘度の測定
得られたサンプルをφ15mmの円形に切り抜き、TAインスツルメンツ社製レオメータ(AR-G2)を用いて、歪1%、周波数1Hz、5℃/分の昇温速度で溶融粘度を測定した。
(4)接着剤層(b)と支持フィルム(a)、カバーフィルム(c)の間の25℃における剥離力の測定
接着剤フィルムを20mm幅に切断し、これの支持フィルム(a)側の面を、両面テープを用いてSUS製の基板に貼り付けた。25℃に調温された測定室で、カバーフィルム(c)を90°方向に剥離させて引っ張り試験装置((株)オリエンテック製、テンシロン)にセットし、90°方向に剥離速度50mm/分で引っ張り、剥離に必要な力を測定し、接着剤層(b)とカバーフィルム(c)の間の25℃における剥離力とした。
<ポリイミド樹脂>
ポリイミド樹脂1の合成
乾燥窒素気流下、2,2-ビス(3-アミノ-4-ヒドロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン(以下、BAHF)24.54g(0.067モル)、1,3-ビス(3-アミノプロピル)テトラメチルジシロキサン(以下、SiDAとする)4.97g(0.02モル)、末端封止剤として、アニリン1.86g(0.02モル)をNMP80gに溶解させた。ここにビス(3,4-ジカルボキシフェニル)エーテル二無水物(以下、ODPA)31.02g(0.1モル)をNMP20gとともに加えて、20℃で1時間反応させ、次いで50℃で4時間撹拌した。その後、キシレンを15g添加し、水をキシレンとともに共沸させながら、180℃で5時間攪拌した。攪拌終了後、溶液を水3Lに投入して白色沈殿したポリマーを得た。この沈殿をろ過して回収し、水で3回洗浄した後、真空乾燥機を用いて80℃、20時間乾燥した。得られたポリマー固体の赤外吸収スペクトルを測定したところ、1,780cm-1付近、1,377cm-1付近にポリイミドに起因するイミド構造の吸収ピークが検出された。重量平均分子量がおよそ25,000のポリイミド樹脂1を得た。
乾燥窒素気流下、2,2-ビス(4-(3,4-ジカルボキシフェノキシ)フェニル)プロパン二無水物(以下、BPADA)52g(0.1モル)、SiDA10.93g(0.044モル)、1,3‐ビス(3-アミノフェノキシ)ベンゼン15.91g(0.055モル)をNMP200gに溶解させた。次いで70℃で1時間撹拌した。その後、190℃で3時間攪拌した。攪拌終了後、溶液を水3Lに投入して白色沈殿したポリマーを得た。この沈殿をろ過して回収し、水で3回洗浄した後、真空乾燥機を用いて80℃、100時間乾燥した。得られたポリマー固体の赤外吸収スペクトルを測定したところ、1,780cm-1付近、1,377cm-1付近にポリイミドに起因するイミド構造の吸収ピークが検出された。重量平均分子量がおよそ30,000のポリイミド樹脂2を得た。
YP-50(重量平均分子量60,000~80,000、新日鐵化学(株)製)
<固形エポキシ化合物>
157S70(商品名、三菱化学(株)製)
<硬化促進剤>
マイクロカプセル型硬化促進剤 ノバキュアHX-3941HP(商品名、旭化成イーマテリアルズ(株)製)
<フィラー>
SO-E2(商品名、(株)アドマテックス製、球形シリカ粒子、平均粒子径0.5μm)
接着剤フィルム1の作製および評価
合成で得たポリイミド樹脂1を25g、固形エポキシ化合物157S70を30g、硬化促進剤ノバキュアHX-3941HPを45g、フィラーSO-E2を100g、溶剤メチルイソブチルケトン80gを調合し、攪拌してフィラーおよび硬化促進剤粒子の分散処理を行った。得られた接着剤ワニスを、コンマコーター(塗工機)を用いてベースフィルムである厚さ38μmのポリエチレンテレフタレートフィルム(AL-5処理、リンテック(株)製)の処理面に塗布し、90℃で10分間乾燥を行って乾燥厚み32μmの接着剤層(b)を形成させた。接着剤層(b)に厚さ25μmの保護フィルム(SK-1処理、リンテック(株)製)を70℃で貼りあわせ接着剤フィルム1を得た。なお接着剤フィルム1においては、ベースフィルムが支持フィルム(a)となり、保護フィルムがカバーフィルム(c)となる。
ベースフィルムとして、38μmのポリエチレンテレフタレートフィルム(38E-NSH、フジモリ産業(株)製)を使用する以外は、上記接着剤フィルム1の作成製と同一の手順で接着剤フィルム2を作製した。接着剤フィルム2においては、ベースフィルムが支持フィルム(a)となり、保護フィルムがカバーフィルム(c)となる。また上記接着剤フィルム1と同様にして、評価したところ、100℃の溶融粘度は700Pa・s、支持フィルム(a)と接着剤層(b)間の剥離力は30N/mであり、カバーフィルム(c)と接着剤層(b)間の剥離力は5N/mであった。接着剤フィルム1との相違点は、支持フィルム(a)の離型処理であり、その差により密着力が異なる点以外の物性は接着剤フィルム1と同等であった。
合成で得たポリイミド樹脂2を25g、固形エポキシ化合物157S70を30g、硬化促進剤ノバキュアHX-3941HPを45g、フィラーSO-E2を100g、溶剤メチルイソブチルケトン80gを調合し、攪拌してフィラーおよび硬化促進剤粒子の分散処理を行った。得られた接着剤ワニスを、コンマコーター(塗工機)を用いてベースフィルムである厚さ38μmのポリエチレンテレフタレートフィルム(AL-5処理、リンテック(株)製)の処理面に塗布し、90℃で10分間乾燥を行って乾燥厚み32μmの接着剤層(b)を形成させた。接着剤層(b)に厚さ25μmの保護フィルム(SK-1処理、リンテック(株)製)を70℃で貼りあわせ接着剤フィルム3を得た。なお接着剤フィルム3においては、ベースフィルムが支持フィルム(a)となり、保護フィルムがカバーフィルム(c)となる。
フェノキシ樹脂YP-50を25g、固形エポキシ化合物157S70を30g、硬化促進剤ノバキュアHX-3941HPを45g、フィラーSO-E2を100g、溶剤トルエン80gを調合し、攪拌してフィラーおよび硬化促進剤粒子の分散処理を行った。得られた接着剤ワニスを、コンマコーター(塗工機)を用いてベースフィルムである厚さ38μmのポリエチレンテレフタレートフィルム(38E-NSH、フジモリ産業(株)製)の処理面に塗布し、90℃で10分間乾燥を行って乾燥厚み32μmの接着剤層(b)を形成させた。接着剤層(b)に厚さ25μmの保護フィルム(AL-5処理、リンテック(株)製)を80℃で貼りあわせ接着剤フィルム4を得た。なお接着剤フィルム4においては、ベースフィルムが支持フィルム(a)となり、保護フィルムがカバーフィルム(c)となる。
31B(日東電工(株)製、53μm厚み)
No.603 #25((株)寺岡製作所製、総厚さ:34μm、支持フィルム(ポリエステル、厚さ25μm)と接着剤層(厚さ9μm)の2層構造)
No.631U #12((株)寺岡製作所製、総厚さ:25μm、支持フィルム(ポリエステル、厚さ12μm)と接着剤層(厚さ13μm)の2層構造)
UHP0810AT 電気化学工業(株)製、総厚さ:90μm、支持フィルム(ポリオレフィン、80μm)と接着剤層(厚さ10m)の2層構造)
(実施例1)
接着剤フィルム1を、8.5mm角の四角形の刃が16個作製されたピナクル刃((株)塚谷刃物製作所製)の上にカバーフィルム(c)側をピナクル刃に接触するように置き、ロータリーダイカッター((株)塚谷刃物製作所製)を用いて、カバーフィルム(c)と接着剤層(b)のハーフカットを行った。ハーフカット後、カバーフィルム(c)の片側の端を引っ張り、カバーフィルム(c)の不要部の除去を行った。不要部の除去後、カバーフィルム(c)側を上にして接着剤フィルム1を実験台に固定し、31Bテープを接着剤フィルムのカバーフィルム(c)側にローラーを用いて貼り付けて、31Bテープが貼り付けられたシートを得た。次に剥離部をローラーで押さえながら、粘着テープを実験台に対して30°方向に引っ張り粘着テープを除去した。(θ1=30°、θ2=0°)。剥離後、8.5mm角の接着剤が16個、支持フィルム(a)上に形成された接着剤シートが得られた。得られた接着剤シートの接着剤部分のカケなどを検査し、欠損などがないものの個数(成功数)を数えた。結果を表1に示す。
(実施例2)
実施例1と同様にして31Bテープが貼り付けられたシートを得た後、支持フィルム(a)を上側にしてサンプルを実験台に固定し、剥離部をローラーで押さえながらベースフィルムを30°方向に引っ張り粘着テープを除去した。(θ1=0°、θ2=30°)。剥離後、8.5mm角の接着剤が16個、支持フィルム(a)上に形成された接着剤シートが得られた。得られた接着剤シートの接着剤部分のカケなどを検査し、欠損などがないものの個数(成功数)を数えた。結果を表1に示す。
(実施例3~5)
θ1を表1のとおり変更した以外は、実施例1と同様にして接着剤シートを得た。得られた接着剤シートの接着剤部分のカケなどを検査し、欠損などがないものの個数(成功数)を数えた。結果を表1に示す。
(実施例6~8)
θ2を表2のとおり変更した以外は、実施例2と同様にして接着剤シートを得た。得られた接着剤シートの接着剤部分のカケなどを検査し、欠損などがないものの個数(成功数)を数えた。結果を表2に示す。
(実施例9)
粘着テープとして、31Bの代わりにNo.603 #25を用いた以外は実施例1と同様にして、接着剤シートを得た。なおNo.603 #25を、接着剤フィルムのカバーフィルム(c)側に貼り付ける際には、接着剤層側の面をカバーフィルム(c)側の面に合わせて行った。得られた接着剤シートの接着剤部分のカケなどを検査し、欠損などがないものの個数(成功数)を数えた。結果を表2に示す。
(実施例10)
粘着テープとして、31Bの代わりにNo.603 #25を用いた以外は実施例2と同様にして、接着剤シートを得た。なおNo.603 #25を、接着剤フィルムのカバーフィルム(c)側に貼り付ける際には、接着剤層側の面をカバーフィルム(c)側の面に合わせて行った。得られた接着剤シートの接着剤部分のカケなどを検査し、欠損などがないものの個数(成功数)を数えた。結果を表2に示す。
(実施例11)
粘着テープとして、31Bの代わりにNo.631U #12を用いた以外は実施例1と同様にして、接着剤シートを得た。なおNo.631U #12を、接着剤フィルムのカバーフィルム(c)側に貼り付ける際には、接着剤層側の面をカバーフィルム(c)側の面に合わせて行った。得られた接着剤シートの接着剤部分のカケなどを検査し、欠損などがないものの個数(成功数)を数えた。結果を表3に示す。
(実施例12)
粘着テープとして、31Bの代わりにNo.631U #12を用いた以外は実施例2と同様にして、接着剤シートを得た。なおNo.631U #12を、接着剤フィルムのカバーフィルム(c)側に貼り付ける際には、接着剤層側の面をカバーフィルム(c)側の面に合わせて行った。得られた接着剤シートの接着剤部分のカケなどを検査し、欠損などがないものの個数(成功数)を数えた。結果を表3に示す。
(実施例13、15)
θ1を表3のとおり変更した以外は、実施例11と同様にして接着剤シートを得た。得られた接着剤シートの接着剤部分のカケなどを検査し、欠損などがないものの個数(成功数)を数えた。結果を表3に示す。
(実施例14、16)
θ2を表3のとおり変更した以外は、実施例12と同様にして接着剤シートを得た。得られた接着剤シートの接着剤部分のカケなどを検査し、欠損などがないものの個数(成功数)を数えた。結果を表3に示す。
(実施例17)
接着剤フィルム2を、8.5mm角の四角形の刃が16個作製されたピナクル刃((株)塚谷刃物製作所製)の上にカバーフィルム(c)側をピナクル刃に接触するように置き、ロータリーダイカッター((株)塚谷刃物製作所製)を用いて、カバーフィルム(c)と接着剤層(b)のハーフカットを行った。ハーフカット後、カバーフィルム(c)の片側の端を引っ張り、カバーフィルム(c)の不要部の除去を行った。不要部の除去後、カバーフィルム(c)側を上にして接着剤フィルム1を実験台に固定し、No.631U #12の接着剤層側の面を接着剤フィルム2のカバーフィルム(c)側にローラーを用いて貼り付けて、No.631U #12が貼り付けられたシートを得た。次に剥離部をローラーで押さえながら、粘着テープを実験台に対して30°方向に引っ張り粘着テープを除去した。(θ1=30°、θ2=0°)。剥離後、8.5mm角の接着剤が16個、支持フィルム(a)上に形成された接着剤シートが得られた。得られた接着剤シートの接着剤部分のカケなどを検査し、欠損などがないものの個数(成功数)を数えた。結果を表4に示す。
(実施例18、19)
接着剤フィルムを表4のとおり変更した以外は、実施例17と同様にして接着剤シートを得た。得られた接着剤シートの接着剤部分のカケなどを検査し、欠損などがないものの個数(成功数)を数えた。結果を表4に示す。
(実施例20)
粘着テープとして、31Bの代わりにUHP0810ATを用いた以外は実施例1と同様にして、接着剤シートを得た。なおUHP0810ATを、接着剤フィルムのカバーフィルム(c)側に貼り付ける際には、接着剤層側の面をカバーフィルム(c)側の面に合わせて行った。得られた接着剤シートの接着剤部分のカケなどを検査し、欠損などがないものの個数(成功数)を数えた。結果を表5に示す。
(実施例21)
粘着テープとして、31Bの代わりにUHP0810ATを用いた以外は実施例2と同様にして、接着剤シートを得た。なおUHP0810ATを、接着剤フィルムのカバーフィルム(c)側に貼り付ける際には、接着剤層側の面をカバーフィルム(c)側の面に合わせて行った。得られた接着剤シートの接着剤部分のカケなどを検査し、欠損などがないものの個数(成功数)を数えた。結果を表5に示す。
(実施例22、24)
θ1を表5のとおり変更した以外は、実施例20と同様にして接着剤シートを得た。得られた接着剤シートの接着剤部分のカケなどを検査し、欠損などがないものの個数(成功数)を数えた。結果を表5に示す。
(実施例23、25)
θ2を表5のとおり変更した以外は、実施例21と同様にして接着剤シートを得た。得られた接着剤シートの接着剤部分のカケなどを検査し、欠損などがないものの個数(成功数)を数えた。結果を表5に示す。
(実施例26)
接着剤フィルム2を、8.5mm角の四角形の刃が16個作製されたピナクル刃((株)塚谷刃物製作所製)の上にカバーフィルム(c)側をピナクル刃に接触するように置き、ロータリーダイカッター((株)塚谷刃物製作所製)を用いて、カバーフィルム(c)と接着剤層(b)のハーフカットを行った。ハーフカット後、カバーフィルム(c)の片側の端を引っ張り、カバーフィルム(c)の不要部の除去を行った。不要部の除去後、カバーフィルム(c)側を上にして接着剤フィルム2を実験台に固定し、UHP0810ATの接着剤層側の面を接着剤フィルム2のカバーフィルム(c)側にローラーを用いて貼り付けて、UHP0810ATが貼り付けられたシートを得た。次に剥離部をローラーで押さえながら、粘着テープを実験台に対して30°方向に引っ張り粘着テープを除去した。(θ1=30°、θ2=0°)。剥離後、8.5mm角の接着剤が16個、支持フィルム(a)上に形成された接着剤シートが得られた。得られた接着剤シートの接着剤部分のカケなどを検査し、欠損などがないものの個数(成功数)を数えた。結果を表7に示す。
(実施例27、28)
接着剤フィルムを表7のとおり変更した以外は、実施例26と同様にして接着剤シートを得た。得られた接着剤シートの接着剤部分のカケなどを検査し、欠損などがないものの個数(成功数)を数えた。結果を表7に示す。
(実施例29)
接着剤フィルム1を、8.5mm角の四角形の刃が16個作製されたピナクル刃((株)塚谷刃物製作所製)の上にカバーフィルム(c)側をピナクル刃に接触するように置き、ロータリーダイカッター((株)塚谷刃物製作所製)を用いて、カバーフィルム(c)と接着剤層(b)のハーフカットを行った。ハーフカット後、カバーフィルム(c)の片側の端を引っ張り、カバーフィルム(c)の不要部の除去を行った。不要部の除去後、カバーフィルム(c)側を上にして接着剤フィルム1を、接着剤フィルム1の表面温度が30℃になるように制御したホットプレート上に固定し、31Bテープを接着剤フィルムのカバーフィルム(c)側にローラーを用いて貼り付けて、31Bテープが貼り付けられたシートを得た。なおホットプレートの温度制御は、接着剤フィルム1の表面温度を熱電対で測定することにより行った。次に剥離部をローラーで押さえながら、ベースフィルムを30°方向に引っ張り粘着テープを除去した。(θ1=0°、θ2=30°)。剥離後、8.5mm角の接着剤が16個、支持フィルム(a)上に形成された接着剤シートが得られた。得られた接着剤シートの接着剤部分のカケなどを検査し、欠損などがないものの個数(成功数)を数えた。結果を表8に示す。
(実施例30~33)
ホットプレートによる接着剤フィルム1の表面温度を表8に記載のとおり変更した以外は実施例29と同様にして接着剤シートを得た。実施例33では、カケと欠損は見られなかったが、接着剤層(b)の変形が見られた。
接着剤フィルム1の支持フィルムの接着剤層形成面とは反対側の面に631S2#50((株)寺岡製作所製)の粘着剤付きPETフィルム(PETフィルム厚さ50μm、粘着剤層込みの総厚さ85μm、PETフィルムとの剥離力6.7N/m)をラミネート接着したものを2層支持フィルム付き接着剤フィルムとし、これを接着剤フィルム1の代わりに用い、厚み方向で630#75の途中までのハーフカットを行った以外は、実施例20と同様にして接着剤シートを得た。得られた接着剤シートの接着剤部分のカケなどを検査し、欠損などがないものの個数(成功数)を数えた。成功数は16個中、16個であった。得られた接着剤シートの個片化された部分の構造は図14に示したものと同様であった。
(比較例)
接着剤フィルム1を、8.5mm角の四角形の刃が16個作製されたピナクル刃((株)塚谷刃物製作所製)の上にカバーフィルム(c)側をピナクル刃に接触するように置き、ロータリーダイカッター((株)塚谷刃物製作所製)を用いて、カバーフィルム(c)と接着剤層(b)のハーフカットを行った。ハーフカット後、カバーフィルム(c)の片側の端を引っ張り、カバーフィルム(c)の不要部の除去を行った。次に粘着テープを貼り付けずに接着剤層(b)の不要部の除去を試みたが、接着剤層(b)が引っ張りに耐えられず破断してしまい、個片化された接着剤が支持フィルム(a)上に形成された接着剤シートを得ることはできなかった。
1b 不要部の接着剤層(b)
2 支持フィルム(a)
2a 2層支持フィルムの上層
2b 2層支持フィルム下層
3 ハーフカット用の刃
4a 不要部のカバーフィルム(c)
4b 必要部のカバーフィルム(c)
5 粘着テープ
6 接着剤フィルム(カバーフィルム(c)/接着剤層(b)/支持フィルム(a))
7 接着剤フィルム送り出しロール
8 搬送ロール(1)
9 搬送ロール(2)
10 接着剤フィルム切断刃
11 接着剤フィルムテンションロール
12 吸着固定ステージ(1)
13 接着剤フィルム引き出しクランプ
14 上部プレート
15 貫通穴
16 吸着固定ステージ(2)
17 カバーフィルム(c)吸着(粘着)アーム
18 粘着テープ巻き出しロール
19 粘着テープ端部押し付けロール
20 粘着テープラミネートロール
21 粘着テープ巻き取りロール
22 剥離端部固定ロール(1)
23 剥離端部固定ロール(2)
24 剥離移動ロール(1)
25 剥離移動ロール(2)
26 剥離移動ロール(3)
27 剥離移動ロール(4)
28 剥離クランプ
Claims (8)
- 支持フィルム(a)上に個片化された接着剤層(b)を有する接着剤シートの製造方法であって、
工程A:支持フィルム(a)、接着剤層(b)およびカバーフィルム(c)をこの順に有する接着剤フィルムを、局所的なハーフカットにより、接着剤層(b)およびカバーフィルム(c)のみを局所的に切断する工程、
工程B:前記接着剤フィルムの不要部のカバーフィルム(c)のみを剥離する工程、
工程C:前記接着剤フィルムのカバーフィルム(c)側に、粘着テープを貼り付ける工程、
工程D:前記接着剤フィルムの不要部の接着剤層(b)および目的部のカバーフィルム(c)を、粘着テープとともに剥離する工程、
をこの順で有する個片化された接着剤層を有する接着剤シートの製造方法。 - 支持フィルム(a)が積層界面で剥離可能な2層構造である請求項1記載の個片化された接着剤層を有する接着剤シートの製造方法。
- 前記粘着テープが、支持フィルム(a’)および接着剤層(b’)を有しており、前記支持フィルム(a’)がポリオレフィンである請求項1または2記載の個片化された接着剤層を有する接着剤シートの製造方法。
- 前記粘着テープの厚みが10~40μmである請求項1~3のいずれかに記載の個片化された接着剤層を有する接着剤シートの製造方法。
- 前記工程Dにおける剥離が、粘着テープの折り曲げ角度をθ1、支持フィルム(a)の折り曲げ角度をθ2として、これらが下式(I)、(II)を満たす請求項1~4のいずれかに記載の個片化された接着剤層を有する接着剤シートの製造方法。
|θ1|<|θ2|・・・(I)
|θ1|+|θ2|<60°・・・(II) - 請求項1~5のいずれかに記載の製造方法により得られた接着剤シートの接着剤層(b)側の面と、配線基板の配線側の面を位置あわせし、真空ラミネートまたは真空プレスによって接着剤シートと配線基板の積層体とし、次に接着剤シートの支持フィルム(a)を除去する配線基板の製造方法。
- 請求項6記載の配線基板の製造方法により得られた配線基板に半導体素子を実装する半導体装置の製造方法。
- ハーフカット装置、カバーフィルム剥離装置、粘着テープ貼付装置および粘着テープ剥離装置をこの順に備えている接着剤シートの製造装置。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201380004258.2A CN103998552B (zh) | 2012-07-03 | 2013-06-26 | 具有单片化的粘合剂层的粘合剂片材的制造方法、使用了粘合剂片材的布线基板的制造方法、半导体装置的制造方法及粘合剂片材的制造装置 |
US14/234,339 US20150107764A1 (en) | 2012-07-03 | 2013-06-26 | Process for producing adhesive sheet having singulated adhesive layer, process for producing wiring substrate using the adhesive sheet, method of manufacturing semiconductor equipment, and equipment for producing adhesive sheet |
JP2013550419A JP5804084B2 (ja) | 2012-07-03 | 2013-06-26 | 個片化された接着剤層を有する接着剤シートの製造方法、接着剤シートを用いた配線基板の製造方法および半導体装置の製造方法 |
KR20147003985A KR101456826B1 (ko) | 2012-07-03 | 2013-06-26 | 개편화된 접착제층을 갖는 접착제 시트의 제조 방법, 접착제 시트를 사용한 배선 기판의 제조 방법, 반도체 장치의 제조 방법 및 접착제 시트의 제조 장치 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012-149074 | 2012-07-03 | ||
JP2012149074 | 2012-07-03 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
WO2014007116A1 true WO2014007116A1 (ja) | 2014-01-09 |
Family
ID=49881873
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
PCT/JP2013/067459 WO2014007116A1 (ja) | 2012-07-03 | 2013-06-26 | 個片化された接着剤層を有する接着剤シートの製造方法、接着剤シートを用いた配線基板の製造方法、半導体装置の製造方法および接着剤シートの製造装置 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20150107764A1 (ja) |
JP (1) | JP5804084B2 (ja) |
KR (1) | KR101456826B1 (ja) |
CN (1) | CN103998552B (ja) |
TW (1) | TWI570210B (ja) |
WO (1) | WO2014007116A1 (ja) |
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- 2013-06-26 WO PCT/JP2013/067459 patent/WO2014007116A1/ja active Application Filing
- 2013-06-26 JP JP2013550419A patent/JP5804084B2/ja active Active
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JPWO2014007116A1 (ja) | 2016-06-02 |
TW201402767A (zh) | 2014-01-16 |
CN103998552B (zh) | 2015-06-17 |
KR101456826B1 (ko) | 2014-10-31 |
CN103998552A (zh) | 2014-08-20 |
JP5804084B2 (ja) | 2015-11-04 |
US20150107764A1 (en) | 2015-04-23 |
TWI570210B (zh) | 2017-02-11 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
ENP | Entry into the national phase |
Ref document number: 2013550419 Country of ref document: JP Kind code of ref document: A |
|
WWE | Wipo information: entry into national phase |
Ref document number: 14234339 Country of ref document: US |
|
ENP | Entry into the national phase |
Ref document number: 20147003985 Country of ref document: KR Kind code of ref document: A |
|
121 | Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application |
Ref document number: 13812687 Country of ref document: EP Kind code of ref document: A1 |
|
NENP | Non-entry into the national phase |
Ref country code: DE |
|
122 | Ep: pct application non-entry in european phase |
Ref document number: 13812687 Country of ref document: EP Kind code of ref document: A1 |