TW202105489A - 半導體裝置的製造方法、黏晶膜及切晶-黏晶一體型接著片 - Google Patents

半導體裝置的製造方法、黏晶膜及切晶-黏晶一體型接著片 Download PDF

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Abstract

本發明揭示了一種用於將半導體晶片與搭載所述半導體晶片的支撐構件接著的黏晶膜。該黏晶膜在-15℃下的斷裂伸長率為5%以下。另外，該黏晶膜包含環氧樹脂、環氧樹脂硬化劑、及含有環氧基的(甲基)丙烯酸共聚物，以環氧樹脂、環氧樹脂硬化劑及含有環氧基的(甲基)丙烯酸共聚物的總量為基準，環氧樹脂及環氧樹脂硬化劑的合計含量為10質量%以上且小於30質量%。黏晶膜在-15℃下的斷裂伸長率為5%以下。

Description

半導體裝置的製造方法、黏晶膜及切晶-黏晶一體型接著片
本發明是有關於一種半導體裝置的製造方法、黏晶膜及切晶-黏晶一體型接著片。
作為半導體裝置的製造方法，一般使用半導體晶圓背面貼附方式。半導體晶圓背面貼附方式是如下方式：在半導體晶圓的背面貼附黏晶膜及切晶膠帶，然後在切晶步驟中切斷半導體晶圓、黏晶膜及切晶膠帶的一部分。例如，提出了在切晶膠帶上附設黏晶膜，並將其貼附在半導體晶圓上的方法（例如，參照專利文獻1～專利文獻4）。
然而，近年來，為了增大每一個封裝的存儲容量，封裝中的晶片的積層片數增加。伴隨於此，正在研究藉由背面研磨（back grind）步驟等使半導體晶圓的厚度更薄，例如，製造厚度為30 μm以下的半導體晶圓。若使半導體晶圓變薄，則在切晶步驟中半導體晶圓容易破裂，因此存在製造效率大幅降低的情況。
作為將比較薄的半導體晶圓單片化的方法，例如，已知有如下方法（隱形切晶（Steel dicing））：對切斷預定線上的半導體晶圓內部照射雷射光而形成改質層，然後擴展外周部，藉此將半導體晶圓單片化（例如，參照專利文獻5）。在隱形切晶中，即使在半導體晶圓的厚度比較薄的情況下，亦具有降低碎裂（chipping）等不良情況的效果，故能夠期待製造效率的提高。
作為在此種隱形切晶中使用的切晶-黏晶一體型接著片，揭示了一種在藉由擴展而沿著晶片分割接著劑層時使用的可擴展的半導體晶圓加工用膠帶（例如，參照專利文獻6）。 [現有技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2002-226796號公報 [專利文獻2]日本專利特開2002-158276號公報 [專利文獻3]日本專利特開平02-032181號公報 [專利文獻4]國際公開第04/109786號 [專利文獻5]日本專利特開2003-338467號公報 [專利文獻6]日本專利特開2011-216508號公報
[發明所欲解決之課題] 但是，切晶-黏晶一體型接著片中的黏晶膜通常由於柔軟且具有伸縮性，故在擴展基材膜時，存在黏晶膜難以被分割的問題。
因此，本發明的主要目的在於提供一種割斷性優異的黏晶膜及使用其的半導體裝置的製造方法。 [解決課題之手段]
以往，已知為了提高切晶-黏晶一體型接著片的割斷性，而調整由切晶膠帶的基材膜的熱收縮引起的應力增大（例如，參照上述專利文獻6）。在此種狀況下，本發明者等人進行了深入研究，結果發現黏晶膜的斷裂伸長率影響到割斷性，從而完成了本發明。
本發明的一個方面是有關於一種半導體裝置的製造方法。該半導體裝置的製造方法包括：準備切晶-黏晶一體型接著片的步驟，所述切晶-黏晶一體型接著片依次包括：包含-15℃下的斷裂伸長率為5%以下的黏晶膜的接著劑層、黏著劑層、及基材膜；準備半導體晶圓，對半導體晶圓形成改質層的步驟；將切晶-黏晶一體型接著片的接著劑層的面貼附到半導體晶圓上的步驟；藉由擴展基材膜，將半導體晶圓及接著劑層單片化，製作帶有接著劑層的半導體晶片的步驟；自黏著劑層拾取帶有接著劑層的半導體晶片的步驟；以及將帶有接著劑層的半導體晶片經由接著劑層而接著在半導體晶片搭載用支撐基板上的步驟。黏晶膜包含：環氧樹脂、環氧樹脂硬化劑、及含有環氧基的(甲基)丙烯酸共聚物，以環氧樹脂、環氧樹脂硬化劑、及含有環氧基的(甲基)丙烯酸共聚物的總量為基準，環氧樹脂及環氧樹脂硬化劑的合計含量為10質量%以上且小於30質量%。
關於黏晶膜，將該黏晶膜熱壓接在配線基板上並在170℃下硬化3小時後的黏晶膜的硬化物中，250℃的晶片剪切強度可為0.7 MPa以上。
黏晶膜可更包含矽烷偶合劑。
矽烷偶合劑可為下述通式（1）所示的矽烷偶合劑。 [化1]
Figure 02_image001
[通式（1）中，R為烷氧基，n為1～3的整數]。
黏晶膜亦可更包含無機填料。以黏晶膜總量為基準，無機填料的含量可為25質量%以上。
以黏晶膜總量為基準，含有環氧基的(甲基)丙烯酸共聚物的含量可為60質量%以下。
本發明的另一方面是有關於一種用於將半導體晶片及搭載半導體晶片的支撐構件接著的黏晶膜。該黏晶膜在-15℃下的斷裂伸長率為5%以下。另外，該黏晶膜包含環氧樹脂、環氧樹脂硬化劑及含有環氧基的(甲基)丙烯酸共聚物，以環氧樹脂、環氧樹脂硬化劑及含有環氧基的(甲基)丙烯酸共聚物的總量為基準，環氧樹脂及環氧樹脂硬化劑的合計含量為10質量%以上且小於30質量%。
本發明的另一個方面是有關於一種切晶-黏晶一體型接著片。該切晶-黏晶一體型接著片依次具備：包含上述黏晶膜的接著劑層、黏著劑層、及基材膜。 [發明的效果]
根據本發明，提供一種割斷性優異的黏晶膜及使用其的半導體裝置的製造方法。幾種方式的黏晶膜在晶片剪切強度及埋入性方面亦優異。另外，根據本發明，提供一種使用此種黏晶膜的切晶-黏晶一體型接著片。
以下，一邊適當參照圖式，一邊對本發明的實施方式進行說明。但是，本發明不限於以下的實施方式。在以下的實施方式中，除了特別明示的情況以外，其構成要素（亦包括步驟等）並非必須。各圖中的構成要素的大小為概念性的大小，構成要素之間的大小的相對關係不限於各圖所示的關係。
本說明書中的數值及其範圍亦同樣，並不限制本發明。在本說明書中，使用「～」表示的數值範圍表示包含「～」的前後所記載的數值來分別作為最小值及最大值的範圍。在本說明書中分階段記載的數值範圍中，在一個數值範圍中記載的上限值或下限值可替換為另一分階段記載的數值範圍的上限值或下限值。另外，在本說明書中記載的數值範圍內，該數值範圍的上限值或下限值亦可替換為實施例中所示的值。
在本說明書中，(甲基)丙烯酸酯是指丙烯酸酯或與其對應的甲基丙烯酸酯。對於(甲基)丙烯醯基、(甲基)丙烯酸共聚物等其他類似表達亦同樣。
[半導體裝置] 圖1是表示半導體裝置的一實施方式的示意剖面圖。在圖1所示的半導體裝置100中，半導體晶片Wa經由接著劑層30a（或接著劑層30a的硬化物）而接著到半導體晶片搭載用支撐基板60。半導體晶片Wa藉由打線接合線70而與半導體晶片搭載用支撐基板60電連接。半導體晶片Wa在半導體晶片搭載用支撐基板60的表面60a上藉由樹脂密封材80而經樹脂密封。在半導體晶片搭載用支撐基板60的與表面60a相反一側的面上，可形成焊球90來用於與外部基板（母板）的電連接。
作為半導體晶片，例如可使用積體電路（integrated circuit，IC）、大型積體電路（large-scale integration，LSI）、超大型積體電路（very large scale integration，VLSI）等一般的半導體晶片。
作為半導體晶片搭載用支撐基板，例如可使用具有管芯焊盤的引線框架、陶瓷基板、有機基板等，而不限於基板材質。作為陶瓷基板，例如可列舉氧化鋁基板、氮化鋁基板等。作為有機基板，例如可列舉在玻璃布中含浸有環氧樹脂的FR-4基板、含浸有雙馬來醯亞胺-三嗪樹脂的BT基板、使用聚醯亞胺膜作為基材的聚醯亞胺膜基板等。
設置在半導體晶片搭載用支撐基板上的配線可為單面配線、雙面配線或多層配線中的任一種，根據需要，亦可設置與半導體晶片搭載用支撐基板電連接的貫通孔或非貫通孔。進而，在配線配置在半導體裝置的外部的情況下，亦可設置保護樹脂層。
[半導體裝置（半導體封裝）的製造方法] 圖2的（a）～圖2的（e）及圖3的（f）～圖3的（i）是用於說明半導體裝置的製造方法的一實施方式的示意剖面圖。一實施方式的半導體裝置的製造方法包括：準備切晶-黏晶一體型接著片的步驟（切晶-黏晶一體型接著片準備步驟），所述切晶-黏晶一體型接著片依次具備：包含-15℃下的斷裂伸長率為5%以下的黏晶膜的接著劑層、黏著劑層、及基材膜；準備半導體晶圓，對半導體晶圓形成改質層的步驟（改質層形成步驟）；將切晶-黏晶一體型接著片的接著劑層的面貼附在半導體晶圓上的步驟（晶圓層壓步驟）；擴展基材膜，藉此將半導體晶圓及接著劑層單片化，製作帶有接著劑層的半導體晶片的步驟（切晶步驟）；自黏著劑層拾取帶有接著劑層的半導體晶片的步驟（拾取步驟）；以及將帶有接著劑層的半導體晶片經由接著劑層而接著在支撐基板上的步驟（半導體晶片接著步驟）。
＜切晶-黏晶一體型接著片準備步驟＞ 圖4是表示切晶-黏晶一體型接著片的一實施方式的示意剖面圖。切晶-黏晶一體型接著片1依次具備接著劑層30、黏著劑層20、及基材膜10。
（接著劑層） 構成接著劑層30的黏晶膜為熱硬化性，且經過半硬化（B階段）狀態，在硬化處理後可成為完全硬化物（C階段）狀態。
黏晶膜在-15℃下的斷裂伸長率為5%以下。藉由使用此種黏晶膜，在擴展時，存在黏晶膜容易割斷的傾向。黏晶膜在-15℃下的斷裂伸長率亦可為4.5%以下、4%以下、或3.5%以下。黏晶膜在-15℃下的斷裂伸長率例如可為0.5%以上。再者，在本說明書中，-15℃下的斷裂伸長率是指藉由實施例中記載的方法測定而得的數值。
黏晶膜包含：環氧樹脂（以下，有時稱為「（A）成分」）、環氧樹脂硬化劑（以下，有時稱為「（B）成分」）、及含有環氧基的(甲基)丙烯酸共聚物（以下，有時稱為「（C）成分」）。黏晶膜亦可更含有無機填料（以下，有時稱為「（D）成分」），另外，亦可更含有矽烷偶合劑（以下，有時稱為「（E）成分」）。藉由調整該些成分的種類及含量，可調整黏晶膜在-15℃下的斷裂伸長率。
（A）成分：環氧樹脂 （A）成分是具有藉由加熱等在分子間形成三維鍵並硬化的性質，且硬化後顯示接著作用的成分。（A）成分只要在分子內具有環氧基，則可並無特別限制地使用。（A）成分可在分子內具有兩個以上的環氧基。
作為（A）成分，例如可列舉：雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、雙酚S型環氧樹脂、苯酚酚醛清漆型環氧樹脂、甲酚酚醛清漆型環氧樹脂、雙酚A酚醛清漆型環氧樹脂、雙酚F酚醛清漆型環氧樹脂、二苯乙烯型環氧樹脂、含三嗪骨架的環氧樹脂、含芴骨架的環氧樹脂、三苯酚甲烷型環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂、伸二甲苯基型環氧樹脂、聯苯芳烷基型環氧樹脂、萘型環氧樹脂、二環戊二烯型環氧樹脂、多官能酚類、蒽等多環芳香族類的二縮水甘油醚化合物等。該些可單獨使用一種，或亦可將兩種以上組合使用。該些中，自膜的黏性、柔軟性等觀點出發，（A）成分亦可為甲酚酚醛清漆型環氧樹脂、雙酚型環氧樹脂、或二環戊二烯型環氧樹脂。
（A）成分的環氧當量沒有特別限制，可為90 g/eq～300 g/eq、110 g/eq～290 g/eq、或130 g/eq～280 g/eq。若（A）成分的環氧當量處於此種範圍內，則有能夠將黏晶膜的斷裂伸長率調整得更低的傾向。結果，最終獲得的黏晶膜有應力更容易集中，在擴展時容易分割的傾向。
以黏晶膜總量為基準，（A）成分的含量可為1質量%～30質量%。以黏晶膜總量為基準，（A）成分的含量為1質量%以上時，膜的交聯度增大，整體強度提高，從而存在難以自基板剝離的傾向，為30質量%以下時，存在耐熱歷史性及膜的保存穩定性提高的傾向。以黏晶膜總量為基準，（A）成分的含量可為2質量%以上、3質量%以上、或5質量%以上，亦可為20質量%以下、15質量%以下、或10質量%以下。
（B）成分：環氧樹脂硬化劑 （B）成分例如可為能夠成為環氧樹脂的硬化劑的酚醛樹脂。酚醛樹脂只要是在分子內具有酚性羥基的酚醛樹脂，則可無特別限制地使用。作為酚醛樹脂，例如可列舉：使苯酚、甲酚、間苯二酚（resorcin）、鄰苯二酚、雙酚A、雙酚F、苯基苯酚、胺基苯酚等酚類及/或α-萘酚、β-萘酚、二羥基萘等萘酚類與甲醛等具有醛基的化合物於酸性觸媒下縮合或共縮合而獲得的酚醛清漆型酚醛樹脂、由烯丙基化雙酚A、烯丙基化雙酚F、烯丙基化萘二醇、苯酚酚醛清漆、苯酚等酚類及/或萘酚類與二甲氧基對二甲苯或雙(甲氧基甲基)聯苯所合成的苯酚芳烷基樹脂、萘酚芳烷基樹脂、聯苯芳烷基型酚醛樹脂、苯基芳烷基型酚醛樹脂等。該些可單獨使用一種，亦可將兩種以上組合使用。
酚醛樹脂的羥基當量可為40 g/eq～300 g/eq、70 g/eq～290 g/eq、或100 g/eq～280 g/eq。酚醛樹脂的羥基當量為40 g/eq以上時，膜的儲存彈性係數有進一步提高的傾向，為300 g/eq以下時，可防止由發泡、脫氣等的產生所引起的不良情況。
自硬化性的觀點出發，（A）成分的環氧當量與酚醛樹脂的羥基當量的比（（A）成分的環氧當量/酚醛樹脂的羥基當量）可為：0.30/0.70～0.70/0.30、0.35/0.65～0.65/0.35、0.40/0.60～0.60/0.40、或0.45/0.55～0.55/0.45。若該當量比為0.30/0.70以上，則有獲得更充分的硬化性的傾向。若該當量比為0.70/0.30以下，則可防止黏度變得過高，且可獲得更充分的流動性。
以黏晶膜總量為基準，（B）成分的含量可為1質量%～30質量%。以黏晶膜總量為基準，（B）成分的含量為1質量%以上時，膜的交聯度增大，整體強度提高，存在難以自基板剝離的傾向，為30質量%以下時，存在耐熱歷史性及膜的保存穩定性提高的傾向。以黏晶膜總量為基準，（B）成分的含量可為2質量%以上、3質量%以上、或5質量%以上，亦可為20質量%以下、15質量%以下、或10質量%以下。
以黏晶膜總量為基準，（A）成分及（B）成分的合計含量可為25質量%以下。以黏晶膜總量為基準，（A）成分及（B）成分的合計含量可為20質量%以下、18質量%以下、或15質量%以下。以黏晶膜總量為基準，（A）成分及（B）成分的合計含量可為3質量%以上、5質量%以上、或7質量%以上。
（C）成分：含有環氧基的(甲基)丙烯酸共聚物 (甲基)丙烯酸共聚物是指含有源自(甲基)丙烯酸酯的構成單元的聚合物。含有環氧基的(甲基)丙烯酸共聚物是含有源自具有環氧基的(甲基)丙烯酸酯的構成單元作為構成單元的聚合物。另外，(甲基)丙烯酸共聚物亦可為(甲基)丙烯酸酯與丙烯腈的共聚物等丙烯酸橡膠。該些可單獨使用一種，亦可將兩種以上組合使用。
作為（C）成分的市售品，例如可列舉：「SG-70L」、「SG-708-6」、「WS-023 EK30」、「SG-280 EK23」、「HTR-860P-3」、「HTR-860P-3CSP」、「HTR-860P-3CSP-3DB」（均為長瀨化成（Nagase ChemteX）股份有限公司製造）。
（C）成分的玻璃轉移溫度（Tg）可為-50℃～50℃或-30℃～20℃。若丙烯酸樹脂的Tg為-50℃以上，則黏晶膜的黏性降低，因此存在操作性進一步提高的傾向。若丙烯酸樹脂的Tg為50℃以下，則存在能夠更充分地確保形成黏晶膜時的接著劑組成物的流動性的傾向。此處，（C）成分的玻璃轉移溫度（Tg）是指使用熱示差掃描熱量計（示差掃瞄熱量分析儀（Differential Scanning Calorimeter，DSC））（例如，理學（Rigaku）股份有限公司製造的「賽摩普拉斯（Thermo Plus） 2」）測定而得的值。
（C）成分的重量平均分子量（Mw）可為5萬～120萬、10萬～120萬、或30萬～90萬。（C）成分的重量平均分子量為5萬以上時，存在成膜性更優異的傾向。（C）成分的重量平均分子量為120萬以下時，存在形成黏晶膜時的接著劑組成物的流動性更優異的傾向。再者，重量平均分子量（Mw）為藉由凝膠滲透層析法（Gel Permeation Chromatography，GPC）測定，且使用基於標準聚苯乙烯的校準曲線換算而得的值。
（C）成分的重量平均分子量（Mw）的測定裝置、測定條件等如以下所述。 泵：L-6000（日立製作所股份有限公司製造） 管柱：將吉爾帕（Gelpack）GL-R440（日立化成股份有限公司製造）、吉爾帕（Gelpack）GL-R450（日立化成股份有限公司製造）、以及吉爾帕GL-R400M（日立化成股份有限公司製造）（各為10.7 mm（直徑）×300 mm）依序連結而成的管柱 溶離液：四氫呋喃（以下稱為「THF」。） 樣品：將試樣120 mg溶解在THF5 mL中而得的溶液 流速：1.75 mL/分
以（A）成分、（B）成分及（C）成分的總量為基準，（A）成分及（B）成分的合計含量為10質量%以上且小於30質量%。以（A）成分、（B）成分及（C）成分的總量為基準，（A）成分及（B）成分的合計含量小於30質量%時，有能夠將黏晶膜的斷裂伸長率調整得低的傾向。結果，最終獲得的黏晶膜有應力更容易集中，在擴展時容易分割的傾向。以（A）成分、（B）成分及（C）成分的總量為基準，（A）成分及（B）成分的合計含量為10質量%以上時，將黏晶膜熱壓接在配線基板上且在170℃下硬化3小時後的黏晶膜的硬化物中，有顯示更高的晶片剪切強度的傾向。以（A）成分、（B）成分及（C）成分的總量為基準，（A）成分及（B）成分的合計含量可為28質量%以下、25質量%以下、22質量%以下或20質量%以下，亦可為12質量%以上或15質量%以上。
以（A）成分、（B）成分及（C）成分的總量為基準，（C）成分的含量可為超過70質量%且90質量%以下。以（A）成分、（B）成分及（C）成分的總量為基準，（C）成分的含量超過70質量%時，有如下傾向：將黏晶膜熱壓接在配線基板上並進行模塑時的基板的階差變得容易埋入。以（A）成分、（B）成分及（C）成分的總量為基準，（C）成分的含量為90質量%以下時，有能夠將黏晶膜的斷裂伸長率調整得低的傾向。結果，最終獲得的黏晶膜有應力更容易集中，在擴展時容易分割的傾向。以（A）成分、（B）成分及（C）成分的總量為基準，（C）成分的含量可為72質量%以上、75質量%以上、78質量%以上、或80質量%以上，亦可為88質量%以下或85質量%以下。
以黏晶膜總量為基準，（C）成分的含量可為60質量%以下。以黏晶膜總量為基準，（C）成分的含量為60質量%以下時，有可將黏晶膜的斷裂伸長率調整得更低的傾向。結果，最終獲得的黏晶膜有應力更容易集中，在擴展時容易分割的傾向。以黏晶膜總量為基準，（C）成分的含量亦可為58質量%以下。以黏晶膜總量為基準，（C）成分的含量亦可為35質量%以上、40質量%以上、或45質量%以上。
（D）成分：無機填料 作為（D）成分，例如可列舉：氫氧化鋁、氫氧化鎂、碳酸鈣、碳酸鎂、矽酸鈣、矽酸鎂、氧化鈣、氧化鎂、氧化鋁、氮化鋁、硼酸鋁晶須、氮化硼、結晶性二氧化矽、非晶性二氧化矽等。該些可單獨使用一種，亦可將兩種以上組合使用。該些中，（D）成分可為二氧化矽。
若（D）成分的平均粒徑比較大，則有能夠將黏晶膜的斷裂伸長率調整得更低的傾向。結果，最終獲得的黏晶膜有應力更容易集中，在擴展時容易分割的傾向。（D）成分的平均粒徑可為0.1 μm～1.0 μm。（D）成分的平均粒徑可為0.2 μm以上、0.3 μm以上，或0.4 μm以上，可為0.9 μm以下、0.8 μm以下，或0.7 μm以下。此處，平均粒徑是指藉由自布厄特（Brunauer-Emmett-Teller，BET）比表面積換算而求出的值。
（D）成分的形狀可為球狀。再者，球狀是包含正球狀的概念。
自（D）成分的表面與溶劑、其他成分等的相容性、接著強度的觀點出發，（D）成分可藉由表面處理劑進行表面處理。作為表面處理劑，例如可列舉矽烷系偶合劑等。作為矽烷系偶合劑的官能基，例如可列舉乙烯基、(甲基)丙烯醯基、環氧基、巰基、胺基、二胺基、烷氧基、乙氧基等。
以黏晶膜總量為基準，（D）成分的含量可為25質量%以上。以黏晶膜總量為基準，（D）成分的含量為25質量%以上時，有能夠將黏晶膜的斷裂伸長率調整得更低的傾向。結果，最終獲得的黏晶膜有應力更容易集中，在擴展時容易分割的傾向。以黏晶膜總量為基準，（D）成分的含量可為26質量%以上或28質量%以上。以黏晶膜總量為基準，（D）成分的含量可為50質量%以下、45質量%以下、或40質量%以下。另外，黏晶膜含有（D）成分時，以黏晶膜總量為基準，（A）成分、（B）成分及（C）成分的合計含量可為75質量%以下、74質量%以下、或72質量%以下，可為50質量%以上、55質量%以上、或60質量%以上。
（D）成分相對於（C）成分的質量比（（D）成分的質量/（C）成分的質量）可為0.30以上、0.35以上、0.40以上、0.45以上，或0.50以上。（D）成分相對於（C）成分的質量比（（D）成分的質量/（C）成分的質量）為0.30以上時，有能夠將黏晶膜的斷裂伸長率調整得低的傾向。結果，最終獲得的黏晶膜有應力更容易集中，在擴展時容易分割的傾向。（D）成分相對於（C）成分的質量比（（D）成分的質量/（C）成分的質量）例如可為0.80以下、0.70以下、或0.60以下。
（E）成分：矽烷偶合劑 黏晶膜含有（E）成分，藉此有可進一步提高異種成分間的界面結合的傾向。（E）成分可為由下述通式（1）所表示的矽烷偶合劑。
[化2]
Figure 02_image002
通式（1）中，R為甲氧基、乙氧基等烷氧基，n為1～3的整數。
作為通式（1）所表示的矽烷偶合劑，例如可列舉：苯胺基丙基三甲氧基矽烷、苯胺基丙基三乙氧基矽烷、苯胺基乙基三甲氧基矽烷、苯胺基乙基三乙氧基矽烷、苯胺基甲基三甲氧基矽烷、苯胺基甲基三乙氧基矽烷等。
（E）成分亦可含有通式（1）所表示的矽烷偶合劑以外的矽烷偶合劑。作為此種矽烷偶合劑，例如可列舉：乙烯基三氯矽烷、乙烯基三乙氧基矽烷、乙烯基三(β-甲氧基乙氧基)矽烷、γ-甲基丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷、β-(3,4-環氧環己基)乙基三甲氧基矽烷、γ-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷、γ-縮水甘油氧基丙基甲基二甲氧基矽烷、乙烯基三乙醯氧基矽烷、γ-巰基丙基三甲氧基矽烷、γ-胺基丙基三甲氧基矽烷、γ-胺基丙基甲基二甲氧基矽烷、γ-胺基丙基三乙氧基矽烷、γ-胺基丙基甲基二乙氧基矽烷、γ-(N,N-二甲基)胺基丙基三甲氧基矽烷、γ-(N,N-二乙基)胺基丙基三甲氧基矽烷、γ-(N,N-二丁基)胺基丙基三甲氧基矽烷、γ-(N-甲基)苯胺基丙基三甲氧基矽烷、γ-(N-乙基)苯胺基丙基三甲氧基矽烷、γ-(N,N-二甲基)胺基丙基三乙氧基矽烷、γ-(N,N-二乙基)胺基丙基三乙氧基矽烷、γ-(N,N-二丁基)胺基丙基三乙氧基矽烷、γ-(N-甲基)苯胺基丙基三乙氧基矽烷、γ-(N-乙基)苯胺基丙基三乙氧基矽烷、γ-(N,N-二甲基)胺基丙基甲基二甲氧基矽烷、γ-(N,N-二乙基)胺基丙基甲基二甲氧基矽烷、γ-(N,N-二丁基)胺基丙基甲基二甲氧基矽烷、γ-(N-甲基)苯胺基丙基甲基二甲氧基矽烷、γ-(N-乙基)苯胺基丙基甲基二甲氧基矽烷、N-(三甲氧基矽烷基丙基)乙二胺、N-(二甲氧基甲基矽烷基異丙基)乙二胺、甲基三甲氧基矽烷、二甲基二甲氧基矽烷、甲基三乙氧基矽烷、γ-氯丙基三甲氧基矽烷、六甲基二矽烷、乙烯基三甲氧基矽烷、γ-巰基丙基甲基二甲氧基矽烷、γ-脲基丙基三乙氧基矽烷等。該些可單獨使用一種，亦可將兩種以上組合使用。
以黏晶膜總量為基準，（E）成分的含量可為0.01質量%～3.0質量%。（E）成分的含量在此種範圍內時，有能夠進一步提高異種成分間的界面結合的傾向。
通式（1）所表示的矽烷偶合劑相對於（E）成分的總量的質量比（通式（1）所表示的矽烷偶合劑的質量/（E）成分的總質量）可為0.5以上、0.6以上、0.7以上、0.8以上、或0.85以上。
黏晶膜可更含有硬化促進劑（以下有時稱為「（F）成分」）。
（F）成分：硬化促進劑 黏晶膜含有（F）成分，藉此有可進一步兼顧接著性與步驟時間縮短的傾向。作為（F）成分，例如可列舉咪唑類及其衍生物、有機磷系化合物、二級胺類、三級胺類、四級銨鹽等。該些可單獨使用一種，亦可將兩種以上組合使用。該些中，自反應性的觀點出發，（F）成分可為咪唑類及其衍生物。
作為咪唑類，例如可列舉：2-甲基咪唑、1-苄基-2-甲基咪唑、1-氰基乙基-2-苯基咪唑、1-氰基乙基-2-甲基咪唑等。該些可單獨使用一種，亦可將兩種以上組合使用。
以黏晶膜總量為基準，（F）成分的含量可為0.001質量%～1質量%。（F）成分的含量在此種範圍內時，有能夠兼顧接著性與步驟時間縮短、同時提高保存穩定性的傾向。
其他成分 黏晶膜亦可更含有抗氧化劑、流變控制劑、調平劑等作為其他成分。以黏晶膜總量為基準，該些成分的含量可為0.01質量%～3質量%。
黏晶膜可藉由將含有上述（A）成分～（C）成分以及根據需要的（D）成分～（F）成分及其他成分的接著劑組成物形成為膜狀來製作。此種黏晶膜可藉由將接著劑組成物塗佈在支撐膜上而形成。接著劑組成物可作為用溶劑稀釋的接著劑組成物的清漆來使用。在使用接著劑組成物的清漆的情況下，可藉由將接著劑組成物的清漆塗佈在支撐膜上，將溶劑加熱乾燥而除去來形成黏晶膜。
溶劑只要能夠溶解（D）成分以外的成分，則沒有特別限制。作為溶劑，例如可列舉：甲苯、二甲苯、均三甲苯、枯烯、對異丙基甲苯等芳香族烴；己烷、庚烷等脂肪族烴；甲基環己烷等環狀烷烴；四氫呋喃、1,4-二噁烷等環狀醚；丙酮、甲基乙基酮、甲基異丁基酮、環己酮、4-羥基-4-甲基-2-戊酮等酮；乙酸甲酯、乙酸乙酯、乙酸丁酯、乳酸甲酯、乳酸乙酯、γ-丁內酯等酯；碳酸伸乙酯、碳酸伸丙酯等碳酸酯；N,N-二甲基甲醯胺、N,N-二甲基乙醯胺、N-甲基-2-吡咯啶酮等醯胺等。該些可單獨使用一種，亦可將兩種以上組合使用。該些中，自溶解性及沸點的觀點出發，溶劑可以是甲苯、二甲苯、甲基乙基酮、甲基異丁基酮或環己酮。以接著劑組成物的清漆的總質量為基準，接著劑組成物的清漆中的固體成分濃度可為10質量%～80質量%。
接著劑組成物的清漆可藉由將（A）成分～（C）成分以及根據需要的（D）成分～（F）成分、其他成分及溶劑混合、混煉來製備。再者，各成分的混合、混煉的順序沒有特別限制，可適當設定。混合及混煉可將通常的攪拌機、擂潰機、三輥磨機、球磨機、珠磨機等分散機適當組合來進行。製備接著劑組成物的清漆後，可藉由真空脫氣等除去清漆中的氣泡。
作為支撐膜，沒有特別限制，例如可列舉：聚四氟乙烯、聚乙烯、聚丙烯、聚甲基戊烯、聚對苯二甲酸乙二酯、聚醯亞胺等膜。支撐膜的厚度例如可為10 μm～200 μm或20 μm～170 μm。
作為將接著劑組成物的清漆塗佈在支撐膜上的方法，可使用公知的方法，例如可列舉：刀塗法、輥塗法、噴塗法、凹版塗佈法、棒塗法、簾塗法等。加熱乾燥的條件只要是所使用的溶劑充分揮發的條件即可，沒有特別限制，例如可為在50℃～200℃下為0.1分鐘～90分鐘。
黏晶膜的厚度可根據用途適當調整。黏晶膜的厚度可為3 μm～40 μm、5 μm～35 μm或7 μm～30 μm。
關於黏晶膜，將該黏晶膜熱壓接在配線基板上並在170℃下硬化3小時後的黏晶膜的硬化物中，250℃的晶片剪切強度可為0.7 MPa以上。250℃的晶片剪切強度為0.7 MPa以上時，能夠防止在基板輸送時在黏晶膜與基板之間發生剝離，在模塑時在半導體晶圓與黏晶膜之間混入異物。250℃的晶片剪切強度可為0.8 MPa以上、1.0 MPa以上、或1.2 MPa以上。250℃的晶片剪切強度的上限沒有特別限制，例如可為3 MPa以下。
所獲得的黏晶膜可直接作為接著劑層30使用。
（黏著劑層及基材膜） 黏著劑層20及基材膜10可使用在基材膜10上設置有黏著劑層20的積層體、即切晶膠帶。
黏著劑層20可以是藉由高能射線或熱而硬化（即，可控制黏著力）的層、藉由高能射線而硬化的層、或藉由紫外線而硬化的層。構成黏著劑層的黏著劑可使用切晶膠帶領域中通常使用的黏著劑。黏著劑可適當選擇使用藉由高能射線的照射而使對接著劑層30的黏著力降低的黏著劑。
基材膜10可使用在切晶膠帶領域中通常使用的基材膜。基材膜10的基材只要在切晶步驟中可擴展，則沒有特別限制，例如可列舉：結晶性聚丙烯、非晶性聚丙烯、高密度聚乙烯、中密度聚乙烯、低密度聚乙烯、超低密度聚乙烯、低密度直鏈聚乙烯、聚丁烯、聚甲基戊烯等聚烯烴、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、離子聚合物樹脂、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯（無規、交替）共聚物、乙烯-丁烯共聚物、乙烯-己烯共聚物、聚胺基甲酸酯、聚對苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯等聚酯、聚碳酸酯、聚醯亞胺、聚醚醚酮、聚醯亞胺、聚醚醯亞胺、聚醯胺、全芳香族聚醯胺、聚苯硫醚、聚芳醯胺（紙）、玻璃、玻璃布、氟樹脂、聚氯乙烯、聚偏二氯乙烯、纖維素系樹脂、矽酮樹脂等。該些中，自楊氏係數、應力緩和性、熔點等特性的觀點出發，基材膜10的基材可為聚丙烯、聚乙烯-聚丙烯無規共聚物、聚乙烯-聚丙烯嵌段共聚物、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、離子聚合物樹脂、或乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物。
藉由貼合黏晶膜與切晶膠帶的黏著劑層，可獲得依次具備接著劑層30、黏著劑層20、及基材膜10的切晶-黏晶一體型接著片1。
＜改質層形成步驟＞ 首先，準備厚度H1的半導體晶圓W1。形成改質層的半導體晶圓W1的厚度H1可超過35 μm。繼而，在半導體晶圓W1的一個主面上貼附保護膜2（參照圖2的（a））。貼附保護膜2的面可為半導體晶圓W1的電路面。保護膜2可為在半導體晶圓的背面研削（背面研磨）中使用的背面研磨帶。接著，對半導體晶圓W1內部照射雷射光而形成改質層4（參照圖2的（b）），藉由對半導體晶圓W1的與貼附有保護膜2的面相反的一側（背面側）進行背面研磨（背面研削）及拋光（研磨），製作具有改質層4的半導體晶圓W2（參照圖2的（c））。所獲得的半導體晶圓W2的厚度H2可為35 μm以下。
＜晶圓層壓步驟＞ 接著，將切晶-黏晶一體型接著片1的接著劑層30配置於規定的裝置中。繼而，在半導體晶圓W2的主面Ws上，經由接著劑層30而貼附切晶-黏晶一體型接著片1（參照圖2的（d）），並剝離半導體晶圓W2的保護膜2（參照圖2的（e））。
＜切晶步驟＞ 接著，在冷卻條件下，藉由擴展基材膜10，於改質層4分割半導體晶圓W2。藉此，將半導體晶圓W2及接著劑層30單片化，製作帶有接著劑層的半導體晶片（參照圖3的（f））。擴展基材膜10的條件可為0℃以下的冷卻條件。
＜紫外線照射步驟＞ 對於黏著劑層20，可根據需要照射紫外線（參照圖3的（g））。在黏著劑層20中的黏著劑藉由紫外線硬化的情況下，該黏著劑層20硬化，可降低黏著劑層20與接著劑層30之間的接著力。在紫外線照射中，可使用波長200 nm～400 nm的紫外線。紫外線照射條件可調整成在照度：30 mW/cm2 ～240 mW/cm2 下照射量為200 mJ～500 mJ。
＜拾取步驟＞ 接著，擴展基材膜10，藉此使切晶後的帶有接著劑層的半導體晶片50相互分離，同時用針42自基材膜10側頂起，用抽吸夾頭44抽吸帶有接著劑層的半導體晶片50，而自黏著劑硬化物層20ac拾取（參照圖3的（h））。再者，帶有接著劑層的半導體晶片50具有半導體晶片Wa、及接著劑層30a。半導體晶片Wa是藉由切晶將半導體晶圓W2分割而成者，接著劑層30a是藉由切晶將接著劑層30分割而成者。黏著劑硬化物層20ac是藉由切晶將黏著劑層硬化而成的黏著劑硬化物層分割而成者。黏著劑硬化物層20ac在拾取帶有接著劑層的半導體晶片50時可殘存在基材膜10上。在拾取步驟中，未必需要擴展，但藉由擴展能進一步提高拾取性。
＜半導體晶片接著步驟＞ 接著，在拾取帶有接著劑層的半導體晶片50後，藉由熱壓接將帶有接著劑層的半導體晶片50經由接著劑層30a而接著在半導體晶片搭載用支撐基板60上（參照圖3的（i））。亦可在半導體晶片搭載用支撐基板60上接著多個帶有接著劑層的半導體晶片50。接著劑層30a例如可在120℃～150℃下，加熱0.5小時～6小時來硬化。
圖1所示的半導體裝置可藉由更包括如下步驟的製造方法來製造：上述步驟；藉由打線接合線70電連接半導體晶片Wa與半導體晶片搭載用支撐基板60的步驟；以及使用樹脂密封材80將半導體晶片Wa樹脂密封在半導體晶片搭載用支撐基板60的表面60a上的步驟。
[黏晶膜] 一實施方式的黏晶膜用於將半導體晶片與搭載所述半導體晶片的支撐構件接著。該黏晶膜在-15℃下的斷裂伸長率為5%以下。該黏晶膜包含：環氧樹脂、環氧樹脂硬化劑、及含有環氧基的(甲基)丙烯酸共聚物，以環氧樹脂、環氧樹脂硬化劑及含有環氧基的(甲基)丙烯酸共聚物的總量為基準，環氧樹脂及環氧樹脂硬化劑的合計含量為10質量%以上且小於30質量%。黏晶膜中所含的成分、含量等與上述接著劑層中例示的成分、含量等相同。因此，此處省略重覆的說明。
[切晶-黏晶一體型接著片] 一實施方式的切晶-黏晶一體型接著片依次具備：包含上述黏晶膜的接著劑層、黏著劑層、及基材膜。 實施例
以下，列舉實施例對本發明進行更具體的說明。但是，本發明不限於該些實施例。
＜黏晶膜的製作＞ 按照以下順序製備接著劑組成物的清漆。各成分的種類及含量（固體成分）如表1所示。首先，調配（A）環氧樹脂、（B）環氧樹脂硬化劑、（D）無機填料、及（E）矽烷偶合劑，並向其中加入環己酮進行攪拌。繼而，加入（C）含有環氧基的(甲基)丙烯酸共聚物及（F）硬化促進劑，並進行真空脫氣，藉此獲得接著劑組成物的清漆。
再者，表1中的各成分如以下所述。
（A）成分：環氧樹脂 （A1）甲酚酚醛清漆型環氧樹脂（日鐵化學&材料（NIPPON STEEL Chemical & Material）股份有限公司製造，商品名「YDCN-700-10」，環氧當量：210 g/eq）
（B）成分：環氧樹脂硬化劑 （B1）苯酚芳烷基型酚醛樹脂（三井化學股份有限公司製造，商品名「米萊斯（Milex）XLC-LL」，軟化點：77℃，羥基當量：176 g/eq） （B2）聯苯芳烷基型酚醛樹脂（日本化藥股份有限公司製造，商品名「KAYAHARD GPH-103」，軟化點：99℃～106℃，羥基當量：220 g/eq～240 g/eq）
（C）成分：含有環氧基的(甲基)丙烯酸共聚物 （C1）丙烯酸橡膠（長瀨化成（Nagase ChemteX）股份有限公司製造，商品名「HTR-860P-3」，重量平均分子量：80萬，玻璃轉移點：-13℃，丙烯酸丁酯：丙烯酸乙酯：丙烯腈：甲基丙烯酸縮水甘油酯=39.4：29.3：30.3：3.0（質量比））
（D）成分：無機填料 （D1）二氧化矽填料（亞都瑪科技（Admatechs）股份有限公司製造，商品名「SC2050」，平均粒徑：0.5 μm、含有真球狀的球狀二氧化矽） （D2）二氧化矽填料（亞都瑪科技（Admatechs）股份有限公司製造，商品名「YA050」，平均粒徑：0.05 μm、含有真球狀的球狀二氧化矽）
（E）成分：矽烷偶合劑 （E1）γ-巰基丙基三甲氧基矽烷（日本邁圖高新材料（Momentive Performance Materials Japan）合同公司製造，商品名「A-189」） （E2）3-(N-苯基)胺基丙基三甲氧基矽烷（苯胺基丙基三甲氧基矽烷）（日本邁圖高新材料（Momentive Performance Materials Japan）合同公司製造，商品名「Y9669」，通式（1）中，R=均為甲氧基，n=3的矽烷偶合劑） （E3）苯胺基甲基三甲氧基矽烷（信越化學工業股份有限公司製造，商品名「X12-1191」，通式（1）中，R=均為甲氧基，n=1的矽烷偶合劑）
（F）成分：硬化促進劑 （F1）1-氰基乙基-2-苯基咪唑（四國化成工業股份有限公司製造，商品名「固唑（Curezol）2PZ-CN」）
接著，將獲得的接著劑組成物的清漆塗佈在作為支撐膜的厚度38 μm的實施了脫模處理的聚對苯二甲酸乙二酯（PET）膜上。對塗佈的清漆在90℃下加熱乾燥5分鐘及在130℃下加熱乾燥5分鐘。如此，在支撐膜上獲得處於半硬化（B階段）狀態的具有表1所示厚度的實施例1～實施例3及比較例1、比較例2的黏晶膜。
＜-15℃下的斷裂伸長率的測定＞ 將實施例1～實施例3及比較例1、比較例2的黏晶膜分別切成寬度10 mm、長度100 mm，來製作條狀的斷裂伸長率測定用樣品。將測定用樣品的支撐膜剝離除去後，以夾具間的距離為40 mm的方式設置在騰喜龍（Tensilon）（島津製作所股份有限公司製造，商品名「UTM-III-500」）上。然後，冷卻至-15℃，一邊以50 mm/分鐘的速度拉伸一邊測定膜長度，讀取膜斷裂的時刻的膜長度。由斷裂時刻的膜長度及初期的膜長度（40 mm），基於下式算出斷裂伸長率。結果如表1所示。 斷裂伸長率（%）=（斷裂時的膜長度-初期的膜長度（40 mm））/初期的膜長度（40 mm）×100
＜切晶-黏晶一體型接著片的製作＞ 藉由在包含離子聚合物系樹脂的基材膜（厚度：100 μm、直徑：370 mm）上塗佈紫外線硬化型黏著劑（厚度：10 μm），來製作作為黏著劑層與基材膜的積層體的切晶膠帶。接著，準備實施例1～實施例3及比較例1、比較例2的帶有支撐膜的黏晶膜（厚度：表1、直徑：312 mm），以切晶膠帶的紫外線硬化型黏著劑與黏晶膜相接的方式進行貼合，製作依次具備接著劑層（黏晶膜）、黏著劑層（紫外線硬化型黏著劑）、及基材膜的實施例1～實施例3及比較例1、比較例2的切晶-黏晶一體型接著片。
＜割斷性的評價＞ 準備厚度為50 μm、直徑為300 mm的半導體晶圓。使用隱形切晶雷射鋸（迪士科（Disco）股份有限公司製造，裝置名「DFL7361」），以獲得4 mm×12 mm的半導體晶片的方式在半導體晶圓上形成改質層。接著，使用背面研磨裝置（迪士科（Disco）股份有限公司製造，裝置名「DGP8761」）進行背面研磨，將半導體晶圓的厚度調整為25 μm。將實施例1～實施例3及比較例1、比較例2的切晶-黏晶一體型接著片的支撐膜剝離，並用層壓裝置（迪士科（Disco）股份有限公司製造，裝置名「DFM2800」）在70℃下將切晶-黏晶一體型接著片的接著劑層（黏晶膜）層壓並貼附到厚度調整為25 μm的半導體晶圓上。將貼附有切晶-黏晶一體型接著片的半導體晶圓固定，使用擴展裝置（迪士科（Disco）股份有限公司製造，裝置名「DDS2300」），在-15℃下將切晶膠帶擴展，將接著劑層及半導體晶圓單片化為4 mm×12 mm的帶有接著劑層的半導體晶片。此時，以擴展速度為100 mm/秒，擴展量為8 mm的方式調整擴展條件。觀察經單片化的半導體晶片，將接著劑層及半導體晶圓雙方同時被切斷的比例為整體的90%以上的情況設為割斷性良好而評價為「A」，將低於90%的情況設為割斷性不良而評價為「B」。結果如表1所示。
＜晶片剪切強度的測定＞ 使用割斷性優異的實施例1～實施例3的切晶-黏晶一體型接著片，測定黏晶膜的晶片剪切強度。如以下般製作用於測定晶片剪切強度的半導體晶片。準備厚度為400 μm的半導體晶圓，將實施例1～實施例3的切晶-黏晶一體型接著片的黏晶膜側在平台溫度70℃下層壓到半導體晶圓上，製作切晶樣品。使用全自動切塊機DFD-6361（迪士科（Disco）股份有限公司製造），將得到的切晶樣品切斷。切斷中，藉由使用兩個刀片的階梯式切割方法進行，使用切晶刀片ZH05-SD2000-N1-70-FF及ZH05-SD4000-N1-70-EE（均為迪士科（Disco）股份有限公司製造）。切斷條件為刀片轉速：4000 rpm、切斷速度：50 mm/秒、晶片尺寸：5 mm×5 mm。切斷中，以留下約200 μm的半導體晶圓的方式進行第一階段的切斷，並且以在切晶膠帶中形成20 μm左右的切痕的方式進行第二階段的切斷。接著，對包含紫外線硬化型黏著劑的黏著劑層照射紫外線，使黏著劑層硬化。接著，使用拾取用夾頭，拾取應拾取的半導體晶片。在拾取中，使用中央1根及四角4根共計5根銷頂起。拾取條件是將頂起速度設為20 mm/秒，將頂起高度設定為450 μm。如此，獲得實施例1～實施例3的帶黏晶膜的半導體晶片。將獲得的實施例1～實施例3的帶黏晶膜的半導體晶片在溫度120℃，壓力0.1 MPa、時間1.0秒的條件下，壓接在配線基板（帶阻焊劑的有機基板，阻焊劑：太陽控股（TAIYO HOLDINGS）股份有限公司，商品名「AUS308」，基板上的凹凸：約6 μm）上，在170℃下硬化3小時，製作黏晶膜的硬化物的樣品，使用萬能黏結強度試驗機（bond tester）（諾信高科技（Nordson Advanced Technology）股份有限公司製造），在測定溫度250℃下測定。結果如表1所示。
＜埋入性的評價＞ 使用割斷性優異的實施例1～實施例3的切晶-黏晶一體型接著片，評價黏晶膜的埋入性。準備厚度為75 μm的半導體晶圓，晶片尺寸調整為7.5 mm×7.5 mm，除此以外，與晶片剪切強度的測定中使用的半導體晶片的製作同樣地，製作用於評價埋入性的實施例1～實施例3的帶黏晶膜的半導體晶片。製作將實施例1～實施例3的帶黏晶膜的半導體晶片在溫度為120℃，壓力為0.15 MPa、時間1.0秒的條件下，貼附在配線基板（帶阻焊劑的有機基板，阻焊劑：太陽控股（TAIYO HOLDINGS）股份有限公司，商品名「AUS308」、基板上的凹凸：約6 μm）上的樣品，將該樣品在加熱板上在150℃下加熱6小時而使其硬化。然後，使用模塑用密封材（日立化成股份有限公司製造，商品名「CEL-9700HF」），將半導體晶片在175℃、6.9 MPa、120秒的條件下進行密封，製作評價用封裝。用超音波顯微鏡觀察評價用封裝的配線基板，確認基板上的凹凸的埋入性。將基板上的凹凸中沒有空隙者設為埋入性良好而評價為「A」，將有空隙者設為埋入性不良而評價為「B」。結果如表1所示。
[表1]
實施例1 實施例2 實施例3 比較例1 比較例2
（A）成分 （A1） 6 6 6 7 7
（B）成分 （B1） 3 3 3 3 3
（B2） 3 3 3 4 4
（C）成分 （C1） 56 56 56 68 68
（D）成分 （D1） 29 29 29 - 16
（D2） - - - 16 -
（E）成分 （E1） 0.3 0.3 0.3 0.4 0.4
（E2） 2.0 - 2.0 1.2 -
（E3） - 2.0 - - -
（F）成分 （F1） 0.01 0.01 0.01 0.01 0.01
（C）成分的含量（%）（以黏晶膜總量為基準） 56.4 56.4 56.4 68.2 69.1
（D）成分的含量（%）（以黏晶膜總量為基準） 29.2 29.2 29.2 16.1 16.3
[（A）+（B）]/[（A）+（B）+（C）]×100（%） 17.6 17.6 17.6 17.1 17.1
（D）/（C） 0.52 0.52 0.52 0.24 0.24
黏晶膜的厚度（μm） 30 30 7 30 30
-15℃下的斷裂伸長率（%） 3.4 2.7 3.4 5.1 5.5
割斷性 A A A B B
晶片剪切強度（250℃）（MPa） 2.0 2.0 1.3 - -
埋入性 A A A - -
-15℃下的斷裂伸長率為5%以下的實施例1～實施例3的黏晶膜與-15℃下的斷裂伸長率超過5%的比較例1、比較例2的黏晶膜相比，擴展時的割斷性優異。另外，判明實施例1～實施例3的黏晶膜在晶片剪切強度及埋入性方面亦優異。
如上所述，確認了本發明的黏晶膜的割斷性優異。
1:切晶-黏晶一體型接著片 2:保護膜 4:改質層 10:基材膜 20:黏著劑層 20ac:黏著劑硬化物層 30、30a:接著劑層 42:針 44:抽吸夾頭 50:帶有接著劑層的半導體晶片 70:打線接合線 60:半導體晶片搭載用支撐基板 60a:表面 80:樹脂密封材 90:焊球 W1、W2:半導體晶圓 Wa:半導體晶片 Ws:半導體晶圓W2的主面 H1:半導體晶圓W1的厚度 H2:半導體晶圓W2的厚度 100:半導體裝置
圖1是表示半導體裝置的一實施方式的示意剖面圖。 圖2的（a）～圖2的（e）是用於說明半導體裝置的製造方法的一實施方式的示意剖面圖，圖2的（a）、圖2的（b）、圖2的（c）、圖2的（d）及圖2的（e）是表示各步驟的示意剖面圖。 圖3的（f）～圖3的（i）是用於說明半導體裝置的製造方法的一實施方式的示意剖面圖，圖3的（f）、圖3的（g）、圖3的（h）及圖3的（i）是表示各步驟的示意剖面圖。 圖4是表示切晶-黏晶一體型接著片的一實施方式的示意剖面圖。

Claims (13)

  1. 一種半導體裝置的製造方法，包括： 準備切晶-黏晶一體型接著片的步驟，所述切晶-黏晶一體型接著片依次包括：包含-15℃下的斷裂伸長率為5%以下的黏晶膜的接著劑層、黏著劑層、及基材膜； 準備半導體晶圓，對所述半導體晶圓形成改質層的步驟； 將所述切晶-黏晶一體型接著片的所述接著劑層的面貼附到半導體晶圓上的步驟； 擴展所述基材膜，藉此將所述半導體晶圓及所述接著劑層單片化，製作帶有接著劑層的半導體晶片的步驟； 自所述黏著劑層拾取所述帶有接著劑層的半導體晶片的步驟；以及 將所述帶有接著劑層的半導體晶片經由所述接著劑層而接著在半導體晶片搭載用支撐基板上的步驟；且 所述黏晶膜包含：環氧樹脂、環氧樹脂硬化劑、及含有環氧基的(甲基)丙烯酸共聚物， 以所述環氧樹脂、所述環氧樹脂硬化劑、及所述含有環氧基的(甲基)丙烯酸共聚物的總量為基準，所述環氧樹脂及所述環氧樹脂硬化劑的合計含量為10質量%以上且小於30質量%。
  2. 如請求項1所述的半導體裝置的製造方法，其中關於所述黏晶膜，將所述黏晶膜熱壓接於配線基板並在170℃下硬化3小時後的所述黏晶膜的硬化物中，250℃的晶片剪切強度為0.7 MPa以上。
  3. 如請求項1或請求項2所述的半導體裝置的製造方法，其中，所述黏晶膜更包含矽烷偶合劑。
  4. 如請求項3所述的半導體裝置的製造方法，其中，所述矽烷偶合劑為下述通式（1）所示的矽烷偶合劑，
    Figure 03_image003
    [通式（1）中，R為烷氧基，n為1～3的整數]。
  5. 如請求項1至請求項4中任一項所述的半導體裝置的製造方法，其中，所述黏晶膜更含有無機填料， 以黏晶膜總量為基準，所述無機填料的含量為25質量%以上。
  6. 如請求項1至請求項5中任一項所述的半導體裝置的製造方法，其中，以黏晶膜總量為基準，所述含有環氧基的(甲基)丙烯酸共聚物的含量為60質量%以下。
  7. 一種黏晶膜，用於將半導體晶片與搭載所述半導體晶片的支撐構件接著， 所述黏晶膜的-15℃下的斷裂伸長率為5%以下，且 所述黏晶膜包含環氧樹脂、環氧樹脂硬化劑、及含有環氧基的(甲基)丙烯酸共聚物， 以所述環氧樹脂、所述環氧樹脂硬化劑、及所述含有環氧基的(甲基)丙烯酸共聚物的總量為基準，所述環氧樹脂及所述環氧樹脂硬化劑的合計含量為10質量%以上且小於30質量%。
  8. 如請求項7所述的黏晶膜，其中關於所述黏晶膜，將所述黏晶膜熱壓接於配線基板並在170℃下硬化3小時後的所述黏晶膜的硬化物中，250℃的晶片剪切強度為0.7 MPa以上。
  9. 如請求項7或請求項8所述的黏晶膜，其中，所述黏晶膜更包含矽烷偶合劑。
  10. 如請求項9所述的黏晶膜，其中，所述矽烷偶合劑為下述通式（1）所示的矽烷偶合劑，
    Figure 03_image004
    [通式（1）中，R為烷氧基，n為1～3的整數]。
  11. 如請求項7至請求項10中任一項所述的黏晶膜，其更包含無機填料，且 以黏晶膜總量為基準，所述無機填料的含量為25質量%以上。
  12. 如請求項7至請求項11中任一項所述的黏晶膜，其中，以黏晶膜總量為基準，所述含有環氧基的(甲基)丙烯酸共聚物的含量為60質量%以下。
  13. 一種切晶-黏晶一體型接著片，依次包括： 包含如請求項7至請求項12中任一項所述的黏晶膜的接著劑層； 黏著劑層；以及 基材膜。
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