CN113646871A - 半导体装置的制造方法、晶粒接合膜及切割晶粒接合一体型粘合片 - Google Patents

半导体装置的制造方法、晶粒接合膜及切割晶粒接合一体型粘合片 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种用于将半导体晶片与搭载所述半导体晶片的支承部件粘合的晶粒接合膜。该晶粒接合膜在‑15℃下的断裂伸长率为5％以下。另外，该晶粒接合膜包含环氧树脂、环氧树脂固化剂、及含有环氧基的(甲基)丙烯酸共聚物，以环氧树脂、环氧树脂固化剂及含有环氧基的(甲基)丙烯酸共聚物的总量为基准，环氧树脂及环氧树脂固化剂的合计含量为10质量％以上且小于30质量％。晶粒接合膜在‑15℃下的断裂伸长率为5％以下。

Description

半导体装置的制造方法、晶粒接合膜及切割晶粒接合一体型 粘合片
技术领域
本发明涉及一种半导体装置的制造方法、晶粒接合膜及切割晶粒接合(dicing/die-bonding)一体型粘合片。
背景技术
作为半导体装置的制造方法，一般使用半导体晶圆背面贴附方式。半导体晶圆背面贴附方式是如下方式：在半导体晶圆的背面贴附晶粒接合膜及切割带，然后在切割工序中切断半导体晶圆、晶粒接合膜及切割带的一部分。例如，提出了在切割带上附设晶粒接合膜，并将其贴附在半导体晶圆上的方法(例如，参考专利文献1～专利文献4)。
然而，近年来，为了增大每一个封装的存储容量，封装中的晶片层叠张数增加。伴随于此，正在研究通过背面研磨工序等使半导体晶圆的厚度更薄，例如，制造厚度为30μm以下的半导体晶圆。若使半导体晶圆变薄，则在切割工序中半导体晶圆容易破裂，因此存在制造效率大幅降低的情况。
作为将比较薄的半导体晶圆单片化的方法，例如，已知有如下方法(隐形切割)：对切断预定线上的半导体晶圆内部照射激光光而形成改性层，然后通过使外周部扩张，将半导体晶圆单片化(例如，参考专利文献5)。在隐形切割中，即使在半导体晶圆的厚度比较薄的情况下，也具有降低碎裂(chipping)等不良情况的效果，故能够期待制造效率的提高。
作为在这种隐形切割中使用的切割晶粒接合一体型粘合片，公开了一种在通过扩张而沿着晶片分割粘合剂层时使用的可扩张的半导体晶圆加工用胶带(例如，参考专利文献6)。
以往技术文献
专利文献
专利文献1：日本专利特开2002-226796号公报
专利文献2：日本专利特开2002-158276号公报
专利文献3：日本专利特开平02-032181号公报
专利文献4：国际公开第04/109786号
专利文献5：日本专利特开2003-338467号公报
专利文献6：日本专利特开2011-216508号公报
发明内容
发明要解决的技术课题
但是，切割晶粒接合一体型粘合片中的晶粒接合膜通常由于柔软且具有伸缩性，因此在使基材膜扩张时，存在晶粒接合膜难以被分割的问题。
用于解决技术课题的手段
因此，本发明的主要目的在于提供一种割断性优异的晶粒接合膜及使用该晶粒接合膜的半导体装置的制造方法。
以往，已知为了提高切割晶粒接合一体型粘合片的割断性，而调整由切割带的基材膜的热收缩引起的应力的增大(例如，参考上述专利文献6)。在这种状况下，本发明人等进行了深入研究，结果发现晶粒接合膜的断裂伸长率影响到割断性，从而完成了本发明。
本发明的一个方面涉及一种半导体装置的制造方法。该半导体装置的制造方法包括：准备切割晶粒接合一体型粘合片的工序，所述切割晶粒接合一体型粘合片依次具备：由-15℃下的断裂伸长率为5％以下的晶粒接合膜组成的粘合剂层、压敏胶粘剂层、及基材膜；准备半导体晶圆，对半导体晶圆形成改性层的工序；将切割晶粒接合一体型粘合片的粘合剂层的面贴附到半导体晶圆上的工序；通过使基材膜扩张，将半导体晶圆及粘合剂层单片化，制作带有粘合剂层的半导体晶片的工序；从压敏胶粘剂层拾取带有粘合剂层的半导体晶片的工序；以及将带有粘合剂层的半导体晶片经由粘合剂层而粘合在半导体晶片搭载用支承基板上的工序。晶粒接合膜包含：环氧树脂、环氧树脂固化剂、及含有环氧基的(甲基)丙烯酸共聚物，以环氧树脂、环氧树脂固化剂、及含有环氧基的(甲基)丙烯酸共聚物的总量为基准，环氧树脂及环氧树脂固化剂的合计含量为10质量％以上且小于30质量％。
关于晶粒接合膜，将该晶粒接合膜热压接在配线基板上并在170℃下固化3小时后的晶粒接合膜的固化物中，250℃的晶粒剪切强度可以为0.7MPa以上。
晶粒接合膜还可以包含硅烷偶联剂。
硅烷偶联剂可以为下述通式(1)所示的硅烷偶联剂。
Figure BDA0003267160530000031
[通式(1)中，R为烷氧基，n为1～3的整数]。
晶粒接合膜还可以包含无机填料。以晶粒接合膜总量为基准，无机填料的含量可以为25质量％以上。
以晶粒接合膜总量为基准，含有环氧基的(甲基)丙烯酸共聚物的含量可以为60质量％以下。
本发明的另一方面涉及一种用于将半导体晶片及搭载半导体晶片的支承部件粘合的晶粒接合膜。该晶粒接合膜在-15℃下的断裂伸长率为5％以下。另外，该晶粒接合膜包含环氧树脂、环氧树脂固化剂及含有环氧基的(甲基)丙烯酸共聚物，以环氧树脂、环氧树脂固化剂及含有环氧基的(甲基)丙烯酸共聚物的总量为基准，环氧树脂及环氧树脂固化剂的合计含量为10质量％以上且小于30质量％。
本发明的另一个方面涉及一种切割晶粒接合一体型粘合片。该切割晶粒接合一体型粘合片依次具备：由上述晶粒接合膜组成的粘合剂层、压敏胶粘剂层、及基材膜。
发明效果
根据本发明，提供一种割断性优异的晶粒接合膜及使用该晶粒接合膜的半导体装置的制造方法。几种方式的晶粒接合膜在晶粒剪切强度及埋入性方面均优异。另外，根据本发明，提供一种使用这种晶粒接合膜的切割晶粒接合一体型粘合片。
附图说明
图1是表示半导体装置的一实施方式的示意剖视图。
图2是用于说明半导体装置的制造方法的一实施方式的示意剖视图，图2的(a)、(b)、(c)、(d)及(e)是表示各工序的示意剖视图。
图3是用于说明半导体装置的制造方法的一实施方式的示意剖视图，图3的(f)、(g)、(h)及(i)是表示各工序的示意剖视图。
图4是表示切割晶粒接合一体型粘合片的一实施方式的示意剖视图。
具体实施方式
以下，一边适当参考附图，一边对本发明的实施方式进行说明。但是，本发明不限于以下的实施方式。在以下的实施方式中，除了特别注明的情况以外，其构成要素(也包括工序等)并非必须。各图中的构成要素的大小为概念性的大小，构成要素之间的大小的相对关系不限于各图所示的关系。
本说明书中的数值及其范围也同样地，并不限制本发明。在本说明书中，使用“～”表示的数值范围表示包含“～”的前后所记载的数值来分别作为最小值及最大值的范围。在本说明书中分阶段记载的数值范围中，在一个数值范围中记载的上限值或下限值可以替换为另一分阶段记载的数值范围的上限值或下限值。另外，在本说明书中记载的数值范围内，该数值范围的上限值或下限值也可以替换为实施例中所示的值。
在本说明书中，(甲基)丙烯酸酯是指丙烯酸酯或与其对应的甲基丙烯酸酯。对于(甲基)丙烯酰基、(甲基)丙烯酸共聚物等其他类似表述，也同样如此。
[半导体装置]
图1是表示半导体装置的一实施方式的示意剖视图。在图1所示的半导体装置100中，半导体晶片Wa经由粘合剂层30a(或粘合剂层30a的固化物)而粘合到半导体晶片搭载用支承基板60。半导体晶片Wa通过焊线70而与半导体晶片搭载用支承基板60电连接。半导体晶片Wa在半导体晶片搭载用支承基板60的表面60a上通过树脂密封材料80而经树脂密封。在半导体晶片搭载用支承基板60的与表面60a相反一侧的面上，可形成焊球90来用于与外部基板(母板)电连接。
作为半导体晶片，例如可使用IC、LSI、VLSI等一般的半导体晶片。
作为半导体晶片搭载用支承基板，例如可使用具有下垫板的引线框、陶瓷基板、有机基板等，而不限于基板材料。作为陶瓷基板，例如可以举出氧化铝基板、氮化铝基板等。作为有机基板，例如可以举出在玻璃布中含浸有环氧树脂的FR-4基板、含浸有双马来酰亚胺-三嗪树脂的BT基板、使用聚酰亚胺膜作为基材的聚酰亚胺膜基板等。
设置在半导体晶片搭载用支承基板上的配线可以为单面配线、双面配线或多层配线中的任一种，根据需要，也可以设置与半导体晶片搭载用支承基板电连接的贯通孔或非贯通孔。进而，在配线配置在半导体装置的外部的情况下，也可以设置保护树脂层。
[半导体装置(半导体封装)的制造方法]
图2的(a)～(e)及图3的(f)～(i)是用于说明半导体装置的制造方法的一实施方式的示意剖视图。一实施方式的半导体装置的制造方法包括：准备切割晶粒接合一体型粘合片的工序(切割晶粒接合一体型粘合片准备工序)，所述切割晶粒接合一体型粘合片依次具备：由-15℃下的断裂伸长率为5％以下的晶粒接合膜组成的粘合剂层、压敏胶粘剂层、及基材膜；准备半导体晶圆，对半导体晶圆形成改性层的工序(改性层形成工序)；将切割晶粒接合一体型粘合片的粘合剂层的面贴附在半导体晶圆上的工序(晶圆层压工序)；通过使基材膜扩张，将半导体晶圆及粘合剂层单片化，制作带有粘合剂层的半导体晶片的工序(切割工序)；从压敏胶粘剂层拾取带有粘合剂层的半导体晶片的工序(拾取工序)；以及将带有粘合剂层的半导体晶片经由粘合剂层而粘合在支承基板上的工序(半导体晶片粘合工序)。
＜切割晶粒接合一体型粘合片准备工序＞
图4是表示切割晶粒接合一体型粘合片的一实施方式的示意剖视图。切割晶粒接合一体型粘合片1依次具备粘合剂层30、压敏胶粘剂层20、及基材膜10。
(粘合剂层)
构成粘合剂层30的晶粒接合膜为热固化性，且经过半固化(B阶段)状态，在固化处理后可成为完全固化物(C阶段)状态。
晶粒接合膜在-15℃下的断裂伸长率为5％以下。通过使用这种晶粒接合膜，在扩张时，存在晶粒接合膜容易割断的倾向。晶粒接合膜在-15℃下的断裂伸长率也可以为4.5％以下、4％以下、或3.5％以下。晶粒接合膜在-15℃下的断裂伸长率例如可以为0.5％以上。另外，在本说明书中，-15℃下的断裂伸长率是指通过实施例中记载的方法测定而得的数值。
晶粒接合膜包含：环氧树脂(以下，有时称为“(A)成分”)、环氧树脂固化剂(以下，有时称为“(B)成分”)、及含有环氧基的(甲基)丙烯酸共聚物(以下，有时称为“(C)成分”)。晶粒接合膜还可以含有无机填料(以下，有时称为“(D)成分”)，另外，还可以含有硅烷偶联剂(以下，有时称为“(E)成分”)。通过调整这些成分的种类及含量，可调整晶粒接合膜在-15℃下的断裂伸长率。
(A)成分：环氧树脂
(A)成分是具有通过加热等在分子间形成三维键并固化的性质，且固化后显示粘合作用的成分。(A)成分只要在分子内具有环氧基，则可以并无特别限制地使用。(A)成分可在分子内具有两个以上的环氧基。
作为(A)成分，例如可以举出：双酚A型环氧树脂、双酚F型环氧树脂、双酚S型环氧树脂、苯酚酚醛清漆型环氧树脂、甲酚酚醛清漆型环氧树脂、双酚A酚醛清漆型环氧树脂、双酚F酚醛清漆型环氧树脂、二苯乙烯型环氧树脂、含三嗪骨架的环氧树脂、含芴骨架的环氧树脂、三苯酚甲烷型环氧树脂、联苯型环氧树脂、亚二甲苯基型环氧树脂、联苯芳烷基型环氧树脂、萘型环氧树脂、二环戊二烯型环氧树脂、多官能酚类、蒽等多环芳香族类的二缩水甘油醚化合物等。这些可以单独使用一种，或也可以将两种以上组合使用。其中，从膜的粘性、柔软性等观点出发，(A)成分也可以为甲酚酚醛清漆型环氧树脂、双酚型环氧树脂、或二环戊二烯型环氧树脂。
(A)成分的环氧当量没有特别限制，可以为90～300g/eq、110～290g/eq、或130～280g/eq。若(A)成分的环氧当量在此范围内，则有能够将晶粒接合膜的断裂伸长率调整得更低的倾向。结果，最终获得的晶粒接合膜有应力更容易集中，在扩张时容易分割的倾向。
以晶粒接合膜总量为基准，(A)成分的含量可以为1～30质量％。以晶粒接合膜总量为基准，(A)成分的含量为1质量％以上时，膜的交联度增大，整体强度提高，从而存在难以从基板剥离的倾向，为30质量％以下时，存在耐热历史性及膜的保存稳定性提高的倾向。以晶粒接合膜总量为基准，(A)成分的含量可以为2质量％以上、3质量％以上、或5质量％以上，也可以为20质量％以下、15质量％以下、或10质量％以下。
(B)成分：环氧树脂固化剂
(B)成分例如可以为能够成为环氧树脂的固化剂的酚醛树脂。酚醛树脂只要是在分子内具有酚性羟基的酚醛树脂，则可无特别限制地使用。作为酚醛树脂，例如可以举出：使苯酚、甲酚、间苯二酚、邻苯二酚、双酚A、双酚F、苯基苯酚、氨基苯酚等酚类及/或α-萘酚、β-萘酚、二羟基萘等萘酚类与甲醛等具有醛基的化合物在酸性催化剂下缩合或共缩合而获得的酚醛清漆型酚醛树脂、由烯丙基化双酚A、烯丙基化双酚F、烯丙基化萘二醇、苯酚酚醛清漆、苯酚等酚类及/或萘酚类与二甲氧基对二甲苯或双(甲氧基甲基)联苯所合成的苯酚芳烷基树脂、萘酚芳烷基树脂、联苯芳烷基型酚醛树脂、苯基芳烷基型酚醛树脂等。这些可以单独使用一种，也可以将两种以上组合使用。
酚醛树脂的羟基当量可以为40～300g/eq、70～290g/eq、或100～280g/eq。酚醛树脂的羟基当量为40g/eq以上时，膜的储存弹性系数有进一步提高的倾向，羟基当量为300g/eq以下时，可防止由发泡、脱气等的产生所引起的不良情况。
从固化性的观点出发，(A)成分的环氧当量与酚醛树脂的羟基当量的比((A)成分的环氧当量/酚醛树脂的羟基当量)可以为：0.30/0.70～0.70/0.30、0.35/0.65～0.65/0.35、0.40/0.60～0.60/0.40、或0.45/0.55～0.55/0.45。若该当量比为0.30/0.70以上，则有获得更充分的固化性的倾向。若该当量比为0.70/0.30以下，则可防止粘度变得过高，且可获得更充分的流动性。
以晶粒接合膜总量为基准，(B)成分的含量可以为1～30质量％。以晶粒接合膜总量为基准，(B)成分的含量为1质量％以上时，膜的交联度增大，整体强度提高，存在难以从基板剥离的倾向，含量为30质量％以下时，存在耐热历史性及膜的保存稳定性提高的倾向。以晶粒接合膜总量为基准，(B)成分的含量可以为2质量％以上、3质量％以上、或5质量％以上，也可以为20质量％以下、15质量％以下、或10质量％以下。
以晶粒接合膜总量为基准，(A)成分及(B)成分的合计含量可以为25质量％以下。以晶粒接合膜总量为基准，(A)成分及(B)成分的合计含量可以为20质量％以下、18质量％以下、或15质量％以下。以晶粒接合膜总量为基准，(A)成分及(B)成分的合计含量可以为3质量％以上、5质量％以上、或7质量％以上。
(C)成分：含有环氧基的(甲基)丙烯酸共聚物
(甲基)丙烯酸共聚物是指含有源自(甲基)丙烯酸酯的构成单元的聚合物。含有环氧基的(甲基)丙烯酸共聚物是含有源自具有环氧基的(甲基)丙烯酸酯的构成单元作为构成单元的聚合物。另外，(甲基)丙烯酸共聚物也可以为(甲基)丙烯酸酯与丙烯腈的共聚物等丙烯酸橡胶。这些可以单独使用一种，也可以将两种以上组合使用。
作为(C)成分的市售品，例如可以举出：“SG-70L”、“SG-708-6”、“WS-023EK30”、“SG-280EK23”、“HTR-860P-3”、“HTR-860P-3CSP”、“HTR-860P-3CSP-3DB”(均为NagaseChemteX Corporation制造)。
(C)成分的玻璃转移温度(Tg)可以为-50～50℃或-30～20℃。若丙烯酸树脂的Tg为-50℃以上，则晶粒接合膜的粘性降低，因此存在操作性进一步提高的倾向。若丙烯酸树脂的Tg为50℃以下，则存在能够更充分地确保形成晶粒接合膜时的粘合剂组合物的流动性的倾向。其中，(C)成分的玻璃转移温度(Tg)是指使用DSC(示差扫描热量计)(例如，Rigaku公司制造的“Thermo Plus 2”)测定而得的值。
(C)成分的重均分子量(Mw)可以为5万～120万、10万～120万、或30万～90万。(C)成分的重均分子量为5万以上时，存在成膜性更优异的倾向。(C)成分的重均分子量为120万以下时，存在形成晶粒接合膜时的粘合剂组合物的流动性更优异的倾向。另外，重均分子量(Mw)为通过凝胶渗透色谱法(GPC)测定，且使用基于标准聚苯乙烯的校准曲线换算而得的值。
(C)成分的重均分子量(Mw)的测定装置、测定条件等如以下所述。
泵：L-6000(Hitachi,Ltd.制造)
管柱：将吉尔帕(Gelpack)GL-R440(Hitachi Chemical Company,Ltd.制造)、吉尔帕(Gelpack)GL-R450(Hitachi Chemical Company,Ltd.制造)、以及吉尔帕GL-R400M(Hitachi Chemical Company,Ltd.制造)(各为10.7mm(直径)×300mm)依次连接而成的管柱
溶离液：四氢呋喃(以下称为“THF”。)
样品：将试样120mg溶解在THF5mL中而得的溶液
流速：1.75mL/分
以(A)成分、(B)成分及(C)成分的总量为基准，(A)成分及(B)成分的合计含量为10质量％以上且小于30质量％。以(A)成分、(B)成分及(C)成分的总量为基准，(A)成分及(B)成分的合计含量小于30质量％时，有能够将晶粒接合膜的断裂伸长率调整得低的倾向。结果，最终获得的晶粒接合膜有应力更容易集中，在扩张时容易分割的倾向。以(A)成分、(B)成分及(C)成分的总量为基准，(A)成分及(B)成分的合计含量为10质量％以上时，将晶粒接合膜热压接在配线基板上且在170℃下固化3小时后的晶粒接合膜的固化物有显示更高的晶粒剪切强度的倾向。以(A)成分、(B)成分及(C)成分的总量为基准，(A)成分及(B)成分的合计含量可以为28质量％以下、25质量％以下、22质量％以下或20质量％以下，也可以为12质量％以上或15质量％以上。
以(A)成分、(B)成分及(C)成分的总量为基准，(C)成分的含量可以为超过70质量％且90质量％以下。以(A)成分、(B)成分及(C)成分的总量为基准，(C)成分的含量超过70质量％时，有如下倾向：将晶粒接合膜热压接在配线基板上并进行模塑时的基板的阶差变得容易埋入。以(A)成分、(B)成分及(C)成分的总量为基准，(C)成分的含量为90质量％以下时，有能够将晶粒接合膜的断裂伸长率调整得低的倾向。结果，最终获得的晶粒接合膜有应力更容易集中，在扩张时容易分割的倾向。以(A)成分、(B)成分及(C)成分的总量为基准，(C)成分的含量可以为72质量％以上、75质量％以上、78质量％以上、或80质量％以上，也可以为88质量％以下或85质量％以下。
以晶粒接合膜总量为基准，(C)成分的含量可以为60质量％以下。以晶粒接合膜总量为基准，(C)成分的含量为60质量％以下时，有能够将晶粒接合膜的断裂伸长率调整得更低的倾向。结果，最终获得的晶粒接合膜有应力更容易集中，在扩张时容易分割的倾向。以晶粒接合膜总量为基准，(C)成分的含量也可以为58质量％以下。以晶粒接合膜总量为基准，(C)成分的含量也可以为35质量％以上、40质量％以上、或45质量％以上。
(D)成分：无机填料
作为(D)成分，例如可以举出：氢氧化铝、氢氧化镁、碳酸钙、碳酸镁、硅酸钙、硅酸镁、氧化钙、氧化镁、氧化铝、氮化铝、硼酸铝晶须、氮化硼、结晶性二氧化硅、非晶性二氧化硅等。这些可以单独使用一种，也可以将两种以上组合使用。这些中，(D)成分可以为二氧化硅。
若(D)成分的平均粒径比较大，则有能够将晶粒接合膜的断裂伸长率调整得更低的倾向。结果，最终获得的晶粒接合膜有应力更容易集中，在扩张时容易分割的倾向。(D)成分的平均粒径可以为0.1～1.0μm。(D)成分的平均粒径可以为0.2μm以上、0.3μm以上，或0.4μm以上，可以为0.9μm以下、0.8μm以下，或0.7μm以下。其中，平均粒径是指由BET比表面积换算而求出的值。
(D)成分的形状可以为球状。另外，球状是包含正球状的概念。
从(D)成分的表面与溶剂、其他成分等的相容性、粘合强度的观点出发，(D)成分可以通过表面处理剂进行表面处理。作为表面处理剂，例如可以举出硅烷系偶联剂等。作为硅烷系偶联剂的官能团，例如可以举出乙烯基、(甲基)丙烯酰基、环氧基、巯基、氨基、二氨基、烷氧基、乙氧基等。
以晶粒接合膜总量为基准，(D)成分的含量可以为25质量％以上。以晶粒接合膜总量为基准，(D)成分的含量为25质量％以上时，有能够将晶粒接合膜的断裂伸长率调整得更低的倾向。结果，最终获得的晶粒接合膜有应力更容易集中，在扩张时容易分割的倾向。以晶粒接合膜总量为基准，(D)成分的含量可以为26质量％以上或28质量％以上。以晶粒接合膜总量为基准，(D)成分的含量可以为50质量％以下、45质量％以下、或40质量％以下。另外，晶粒接合膜含有(D)成分时，以晶粒接合膜总量为基准，(A)成分、(B)成分及(C)成分的合计含量可以为75质量％以下、74质量％以下、或72质量％以下，可以为50质量％以上、55质量％以上、或60质量％以上。
(D)成分相对于(C)成分的质量比((D)成分的质量/(C)成分的质量)可以为0.30以上、0.35以上、0.40以上、0.45以上，或0.50以上。(D)成分相对于(C)成分的质量比((D)成分的质量/(C)成分的质量)为0.30以上时，有能够将晶粒接合膜的断裂伸长率调整得低的倾向。结果，最终获得的晶粒接合膜有应力更容易集中，在扩张时容易分割的倾向。(D)成分相对于(C)成分的质量比((D)成分的质量/(C)成分的质量)例如可以为0.80以下、0.70以下、或0.60以下。
(E)成分：硅烷偶联剂
晶粒接合膜含有(E)成分，从而有可进一步提高异种成分之间的界面结合的倾向。(E)成分可以为由下述通式(1)所表示的硅烷偶联剂。
Figure BDA0003267160530000111
通式(1)中，R为甲氧基、乙氧基等烷氧基，n为1～3的整数。
作为通式(1)所表示的硅烷偶联剂，例如可以举出：苯氨基丙基三甲氧基硅烷、苯氨基丙基三乙氧基硅烷、苯氨基乙基三甲氧基硅烷、苯氨基乙基三乙氧基硅烷、苯氨基甲基三甲氧基硅烷、苯氨基甲基三乙氧基硅烷等。
(E)成分也可以含有通式(1)所表示的硅烷偶联剂以外的硅烷偶联剂。作为这种硅烷偶联剂，例如可以举出：乙烯基三氯硅烷、乙烯基三乙氧基硅烷、乙烯基三(β-甲氧基乙氧基)硅烷、γ-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、β-(3,4-环氧环己基)乙基三甲氧基硅烷、γ-缩水甘油氧基丙基三甲氧基硅烷、γ-缩水甘油氧基丙基甲基二甲氧基硅烷、乙烯基三乙酰氧基硅烷、γ-巯基丙基三甲氧基硅烷、γ-氨基丙基三甲氧基硅烷、γ-氨基丙基甲基二甲氧基硅烷、γ-氨基丙基三乙氧基硅烷、γ-氨基丙基甲基二乙氧基硅烷、γ-(N,N-二甲基)氨基丙基三甲氧基硅烷、γ-(N,N-二乙基)氨基丙基三甲氧基硅烷、γ-(N,N-二丁基)氨基丙基三甲氧基硅烷、γ-(N-甲基)苯氨基丙基三甲氧基硅烷、γ-(N-乙基)苯氨基丙基三甲氧基硅烷、γ-(N,N-二甲基)氨基丙基三乙氧基硅烷、γ-(N,N-二乙基)氨基丙基三乙氧基硅烷、γ-(N,N-二丁基)氨基丙基三乙氧基硅烷、γ-(N-甲基)苯氨基丙基三乙氧基硅烷、γ-(N-乙基)苯氨基丙基三乙氧基硅烷、γ-(N,N-二甲基)氨基丙基甲基二甲氧基硅烷、γ-(N,N-二乙基)氨基丙基甲基二甲氧基硅烷、γ-(N,N-二丁基)氨基丙基甲基二甲氧基硅烷、γ-(N-甲基)苯氨基丙基甲基二甲氧基硅烷、γ-(N-乙基)苯氨基丙基甲基二甲氧基硅烷、N-(三甲氧基硅烷基丙基)乙二胺、N-(二甲氧基甲基硅烷基异丙基)乙二胺、甲基三甲氧基硅烷、二甲基二甲氧基硅烷、甲基三乙氧基硅烷、γ-氯丙基三甲氧基硅烷、六甲基二硅烷、乙烯基三甲氧基硅烷、γ-巯基丙基甲基二甲氧基硅烷、γ-脲基丙基三乙氧基硅烷等。这些可以单独使用一种，也可以将两种以上组合使用。
以晶粒接合膜总量为基准，(E)成分的含量可以为0.01～3.0质量％。(E)成分的含量在这种范围内时，有可进一步提高异种成分之间的界面结合的倾向。
通式(1)所表示的硅烷偶联剂相对于(E)成分的总量的质量比(通式(1)所表示的硅烷偶联剂的质量/(E)成分的总质量)可以为0.5以上、0.6以上、0.7以上、0.8以上、或0.85以上。
晶粒接合膜还可以含有固化促进剂(以下有时称为“(F)成分”)。
(F)成分：固化促进剂
晶粒接合膜含有(F)成分，从而有可进一步兼顾粘合性与工序时间缩短的倾向。作为(F)成分，例如可以举出咪唑类及其衍生物、有机磷系化合物、仲胺类、叔胺类、季铵盐等。这些可以单独使用一种，也可以将两种以上组合使用。这些中，从反应性的观点出发，(F)成分可以为咪唑类及其衍生物。
作为咪唑类，例如可以举出：2-甲基咪唑、1-苄基-2-甲基咪唑、1-氰基乙基-2-苯基咪唑、1-氰基乙基-2-甲基咪唑等。这些可以单独使用一种，也可以将两种以上组合使用。
以晶粒接合膜总量为基准，(F)成分的含量可以为0.001～1质量％。(F)成分的含量在这种范围内时，有能够兼顾粘合性与工序时间缩短、同时提高保存稳定性的倾向。
其他成分
晶粒接合膜还可以含有抗氧化剂、流变控制剂、流平剂等作为其他成分。以晶粒接合膜总量为基准，这些成分的含量可以为0.01～3质量％。
晶粒接合膜可通过将含有上述(A)成分～(C)成分以及根据需要的(D)成分～(F)成分及其他成分的粘合剂组合物形成为膜状来制作。这种晶粒接合膜可通过将粘合剂组合物涂布在支承膜上而形成。粘合剂组合物可以作为用溶剂稀释的粘合剂组合物的清漆来使用。在使用粘合剂组合物的清漆的情况下，可通过将粘合剂组合物的清漆涂布在支承膜上，将溶剂加热干燥而除去来形成晶粒接合膜。
溶剂只要能够溶解(D)成分以外的成分，则没有特别限制。作为溶剂，例如可以举出：甲苯、二甲苯、均三甲苯、枯烯、对异丙基甲苯等芳香族烃；己烷、庚烷等脂肪族烃；甲基环己烷等环状烷烃；四氢呋喃、1,4-二噁烷等环状醚；丙酮、甲基乙基酮、甲基异丁基酮、环己酮、4-羟基-4-甲基-2-戊酮等酮；乙酸甲酯、乙酸乙酯、乙酸丁酯、乳酸甲酯、乳酸乙酯、γ-丁内酯等酯；碳酸亚乙酯、碳酸亚丙酯等碳酸酯；N,N-二甲基甲酰胺、N,N-二甲基乙酰胺、N-甲基-2-吡咯烷酮等酰胺等。这些可以单独使用一种，也可以将两种以上组合使用。这些中，从溶解性及沸点的观点出发，溶剂可以是甲苯、二甲苯、甲基乙基酮、甲基异丁基酮或环己酮。以粘合剂组合物的清漆的总质量为基准，粘合剂组合物的清漆中的固体成分浓度可以为10～80质量％。
粘合剂组合物的清漆可通过将(A)成分～(C)成分以及根据需要的(D)成分～(F)成分、其他成分及溶剂混合、混炼来制备。另外，各成分的混合、混炼的顺序没有特别限制，可适当设定。混合及混炼可将通常的搅拌机、擂溃机、三辊、球磨机、珠磨机等分散机适当组合来进行。制备粘合剂组合物的清漆后，可以通过真空脱气等除去清漆中的气泡。
作为支承膜，没有特别限制，例如可以举出：聚四氟乙烯、聚乙烯、聚丙烯、聚甲基戊烯、聚对苯二甲酸乙二酯、聚酰亚胺等膜。支承膜的厚度例如可以为10～200μm或20～170μm。
作为将粘合剂组合物的清漆涂布在支承膜上的方法，可使用公知的方法，例如可以举出：刀涂法、辊涂法、喷涂法、凹版涂布法、棒涂法、帘式涂布法等。加热干燥的条件只要是所使用的溶剂充分挥发的条件即可，没有特别限制，例如可以为在50～200℃下为0.1分钟～90分钟。
晶粒接合膜的厚度可根据用途适当调整。晶粒接合膜的厚度可以为3～40μm、5～35μm或7～30μm。
关于晶粒接合膜，将该晶粒接合膜热压接在配线基板上并在170℃下固化3小时后的晶粒接合膜的固化物中，250℃的晶粒剪切强度可以为0.7MPa以上。在250℃的晶粒剪切强度为0.7MPa以上时，能够防止在基板输送时在晶粒接合膜与基板之间发生剥离，在模塑时在半导体晶圆与晶粒接合膜之间混入异物。在250℃的晶粒剪切强度可以为0.8MPa以上、1.0MPa以上、或1.2MPa以上。在250℃的晶粒剪切强度的上限没有特别限制，例如可以为3MPa以下。
所获得的晶粒接合膜可直接作为粘合剂层30使用。
(压敏胶粘剂层及基材膜)
压敏胶粘剂层20及基材膜10可使用在基材膜10上设置有压敏胶粘剂层20的层叠体、即切割带。
压敏胶粘剂层20可以是通过高能射线或热而固化(即，可控制胶粘力)的层、通过高能射线而固化的层、或通过紫外线而固化的层。构成压敏胶粘剂层的压敏胶粘剂可使用切割带领域中通常使用的压敏胶粘剂。压敏胶粘剂可适当选择使用通过高能射线的照射而使对粘合剂层30的胶粘力降低的压敏胶粘剂。
基材膜10可使用在切割带领域中通常使用的基材膜。基材膜10的基材只要在切割工序中可扩张，则没有特别限制，例如可以举出：结晶性聚丙烯、非晶性聚丙烯、高密度聚乙烯、中密度聚乙烯、低密度聚乙烯、超低密度聚乙烯、低密度直链聚乙烯、聚丁烯、聚甲基戊烯等聚烯烃、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、离子聚合物树脂、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯(无规、交替)共聚物、乙烯-丁烯共聚物、乙烯-己烯共聚物、聚氨基甲酸酯、聚对苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯等聚酯、聚碳酸酯、聚酰亚胺、聚醚醚酮、聚酰亚胺、聚醚酰亚胺、聚酰胺、全芳香族聚酰胺、聚苯硫醚、聚芳纶(纸)、玻璃、玻璃布、氟树脂、聚氯乙烯、聚偏二氯乙烯、纤维素系树脂、硅酮树脂等。这些中，从杨氏系数、应力松弛性、熔点等特性的观点出发，基材膜10的基材可以为聚丙烯、聚乙烯-聚丙烯无规共聚物、聚乙烯-聚丙烯嵌段共聚物、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、离子聚合物树脂、或乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物。
通过贴合晶粒接合膜与切割带的压敏胶粘剂层，可获得依次具备粘合剂层30、压敏胶粘剂层20、及基材膜10的切割晶粒接合一体型粘合片1。
＜改性层形成工序＞
首先，准备厚度H1的半导体晶圆W1。形成改性层的半导体晶圆W1的厚度H1可超过35μm。继而，在半导体晶圆W1的一个主面上贴附保护膜2(参考图2的(a))。贴附保护膜2的面可以为半导体晶圆W1的电路面。保护膜2可以为在半导体晶圆的背面磨削(背面研磨)中使用的背面研磨带。接着，对半导体晶圆W1内部照射激光光而形成改性层4(参考图2的(b))，通过对半导体晶圆W1的与贴附有保护膜2的面相反的一侧(背面侧)进行背面研磨(背面磨削)及抛光(研磨)，制作具有改性层4的半导体晶圆W2(参考图2的(c))。所获得的半导体晶圆W2的厚度H2可以为35μm以下。
＜晶圆层压工序＞
接着，将切割晶粒接合一体型粘合片1的粘合剂层30配置于规定的装置中。继而，在半导体晶圆W2的主面Ws上，经由粘合剂层30而贴附切割晶粒接合一体型粘合片1(参考图2的(d))，并剥离半导体晶圆W2的保护膜2(参考图2的(e))。
＜切割工序＞
接着，在冷却条件下，通过使基材膜10扩张，在改性层4分割半导体晶圆W2。从而，将半导体晶圆W2及粘合剂层30单片化，制作带有粘合剂层的半导体晶片(参考图3的(f))。使基材膜10扩张的条件可以为0℃以下的冷却条件。
＜紫外线照射工序＞
对于压敏胶粘剂层20，可根据需要照射紫外线(参考图3的(g))。在压敏胶粘剂层20中的压敏胶粘剂通过紫外线固化的情况下，该压敏胶粘剂层20固化，可降低压敏胶粘剂层20与粘合剂层30之间的粘合力。在紫外线照射中，可使用波长200～400nm的紫外线。紫外线照射条件可调整成在照度：30～240mW/cm2下照射量为200～500mJ。
＜拾取工序＞
接着，通过使基材膜10扩张，使切割后的带有粘合剂层的半导体晶片50相互分开，同时用顶针42从基材膜10侧顶起，用抽吸夹头44抽吸带有粘合剂层的半导体晶片50，而从压敏胶粘剂固化物层20ac拾取(参考图3的(h))。另外，带有粘合剂层的半导体晶片50具有半导体晶片Wa、及粘合剂层30a。半导体晶片Wa通过切割分割半导体晶圆W2而得，粘合剂层30a通过切割分割粘合剂层30而得。压敏胶粘剂固化物层20ac通过切割分割压敏胶粘剂层固化而成的压敏胶粘剂固化物层而得。压敏胶粘剂固化物层20ac在拾取带有粘合剂层的半导体晶片50时可残留在基材膜10上。在拾取工序中，未必需要扩张，但通过扩张能进一步提高拾取性。
＜半导体晶片粘合工序＞
接着，在拾取带有粘合剂层的半导体晶片50后，通过热压接将带有粘合剂层的半导体晶片50经由粘合剂层30a而粘合在半导体晶片搭载用支承基板60上(参考图3的(i))。也可以在半导体晶片搭载用支承基板60上粘合多个带有粘合剂层的半导体晶片50。粘合剂层30a例如可以在120～150℃下，加热0.5小时～6小时来固化。
图1所示的半导体装置可通过还包括如下工序的制造方法来制造：上述工序；通过焊线70电连接半导体晶片Wa与半导体晶片搭载用支承基板60的工序；以及使用树脂密封材料80将半导体晶片Wa树脂密封在半导体晶片搭载用支承基板60的表面60a上的工序。
[晶粒接合膜]
一实施方式的晶粒接合膜用于将半导体晶片与搭载所述半导体晶片的支承部件粘合。该晶粒接合膜在-15℃下的断裂伸长率为5％以下。该晶粒接合膜包含：环氧树脂、环氧树脂固化剂、及含有环氧基的(甲基)丙烯酸共聚物，以环氧树脂、环氧树脂固化剂及含有环氧基的(甲基)丙烯酸共聚物的总量为基准，环氧树脂及环氧树脂固化剂的合计含量为10质量％以上且小于30质量％。晶粒接合膜中所含的成分、含量等与上述粘合剂层中例示的成分、含量等相同。因此，此处省略重复的说明。
[切割晶粒接合一体型粘合片]
一实施方式的切割晶粒接合一体型粘合片依次具备：由上述晶粒接合膜组成的粘合剂层、压敏胶粘剂层、及基材膜。
实施例
以下，举出实施例对本发明进行更具体的说明。但是，本发明不限于这些实施例。
＜晶粒接合膜的制作＞
按照以下顺序制备粘合剂组合物的清漆。各成分的种类及含量(固体成分)如表1所示。首先，配合(A)环氧树脂、(B)环氧树脂固化剂、(D)无机填料、及(E)硅烷偶联剂，并向其中加入环己酮进行搅拌。继而，加入(C)含有环氧基的(甲基)丙烯酸共聚物及(F)固化促进剂，并进行真空脱气，从而获得粘合剂组合物的清漆。
另外，表1中的各成分如以下所述。
(A)成分：环氧树脂
(A1)甲酚酚醛清漆型环氧树脂(NIPPON STEEL Chemical&Material Co.,Ltd.制造，商品名“YDCN-700-10”，环氧当量：210g/eq)
(B)成分：环氧树脂固化剂
(B1)苯酚芳烷基型酚醛树脂(Mitsui Chemicals,Inc.制造，商品名“Milex XLC-LL”，软化点：77℃，羟基当量：176g/eq)
(B2)联苯芳烷基型酚醛树脂(Nippon Kayaku Co.,Ltd.制造，商品名“KAYAHARDGPH-103”，软化点：99～106℃，羟基当量：220～240g/eq)
(C)成分：含有环氧基的(甲基)丙烯酸共聚物
(C1)丙烯酸橡胶(Nagase Chemtex Corporation制造，商品名“HTR-860P-3”，重均分子量：80万，玻璃转移点：-13℃，丙烯酸丁酯:丙烯酸乙酯:丙烯腈:甲基丙烯酸缩水甘油酯＝39.4:29.3:30.3:3.0(质量比))
(D)成分：无机填料
(D1)二氧化硅填料(Admatechs Company Limited制造，商品名“SC2050”，平均粒径：0.5μm、含有真球状的球状二氧化硅)
(D2)二氧化硅填料(Admatechs Company Limited制造，商品名“YA050”，平均粒径：0.05μm、含有真球状的球状二氧化硅)
(E)成分：硅烷偶联剂
(E1)γ-巯基丙基三甲氧基硅烷(Momentive Performance Materials JapanLLC.制造，商品名“A-189”)
(E2)3-(N-苯基)氨基丙基三甲氧基硅烷(苯氨基丙基三甲氧基硅烷)(MomentivePerformance Materials Japan LLC.制造，商品名“Y9669”，通式(1)中，R＝均为甲氧基，n＝3的硅烷偶联剂)
(E3)苯氨基甲基三甲氧基硅烷(Shin-Etsu Chemical Co.,Ltd.制造，商品名“X12-1191”，通式(1)中，R＝均为甲氧基，n＝1的硅烷偶联剂)
(F)成分：固化促进剂
(F1)1-氰基乙基-2-苯基咪唑(SHIKOKU CHEMICALS CORPORATION制造，商品名“固唑(Curezol)2PZ-CN”)
接着，将获得的粘合剂组合物的清漆涂布在作为支承膜的厚度38μm的实施了脱模处理的聚对苯二甲酸乙二酯(PET)膜上。对涂布的清漆在90℃下加热干燥5分钟及在130℃下加热干燥5分钟。如此，在支承膜上获得处于半固化(B阶段)状态的具有表1所示厚度的实施例1～实施例3及比较例1、比较例2的晶粒接合膜。
＜-15℃下的断裂伸长率的测定＞
将实施例1～实施例3及比较例1、比较例2的晶粒接合膜分别切成宽度10mm、长度100mm，来制作条状的断裂伸长率测定用样品。将测定用样品的支承膜剥离除去后，以夹具之间的距离为40mm的方式设置在腾喜龙(Tensilon)(Shimadzu Corporation制造，商品名“UTM-III-500”)上。然后，冷却至-15℃，一边以50mm/分钟的速度拉伸一边测定膜长度，读取膜断裂的时刻的膜长度。由断裂时刻的膜长度及初始膜长度(40mm)，基于下式算出断裂伸长率。结果如表1所示。
断裂伸长率(％)＝(断裂时的膜长度-初始膜长度(40mm))/初始膜长度(40mm)×100
＜切割晶粒接合一体型粘合片的制作＞
通过在包含离子聚合物系树脂的基材膜(厚度：100μm、直径：370mm)上涂布紫外线固化型压敏胶粘剂(厚度：10μm)，来制作作为压敏胶粘剂层与基材膜的层叠体的切割带。接着，准备实施例1～实施例3及比较例1、比较例2的带有支承膜的晶粒接合膜(厚度：表1、直径：312mm)，以切割带的紫外线固化型压敏胶粘剂与晶粒接合膜相接的方式进行贴合，制作依次具备粘合剂层(晶粒接合膜)、压敏胶粘剂层(紫外线固化型压敏胶粘剂)、及基材膜的实施例1～实施例3及比较例1、比较例2的切割晶粒接合一体型粘合片。
＜割断性的评价＞
准备厚度为50μm、直径为300mm的半导体晶圆。使用隐形切割激光锯(DISCOCORPORATION制造，装置名“DFL7361”)，以获得4mm×12mm的半导体晶片的方式在半导体晶圆上形成改性层。接着，使用背面研磨装置(DISCO CORPORATION制造，装置名“DGP8761”)进行背面研磨，将半导体晶圆的厚度调整为25μm。将实施例1～实施例3及比较例1、比较例2的切割晶粒接合一体型粘合片的支承膜剥离，并用层压装置(DISCO CORPORATION制造，装置名“DFM2800”)在70℃下将切割晶粒接合一体型粘合片的粘合剂层(晶粒接合膜)层压并贴附到厚度调整为25μm的半导体晶圆上。将贴附有切割晶粒接合一体型粘合片的半导体晶圆固定，使用扩张装置(DISCO CORPORATION制造，装置名“DDS2300”)，在-15℃下使切割带扩张，将粘合剂层及半导体晶圆单片化为4mm×12mm的带有粘合剂层的半导体晶片。此时，以扩张速度为100mm/秒，扩张量为8mm的方式调整扩张条件。观察经单片化的半导体晶片，将粘合剂层及半导体晶圆双方同时被切断的比例为整体的90％以上的情况设为割断性良好并评价为“A”，将低于90％的情况设为割断性不良并评价为“B”。结果如表1所示。
＜晶粒剪切强度的测定＞
使用割断性优异的实施例1～实施例3的切割晶粒接合一体型粘合片，测定晶粒接合膜的晶粒剪切强度。如以下般制作用于测定晶粒剪切强度的半导体晶片。准备厚度为400μm的半导体晶圆，将实施例1～实施例3的切割晶粒接合一体型粘合片的晶粒接合膜侧在平台温度70℃下层压到半导体晶圆上，制作切割样品。使用全自动切块机DFD-6361(DISCOCORPORATION制造)，将得到的切割样品切断。切断中，通过使用两个刀片的阶梯式切割方法进行，使用切割刀片ZH05-SD2000-N1-70-FF及ZH05-SD4000-N1-70-EE(均为DISCOCORPORATION制造)。切断条件为刀片转速：4000rpm、切断速度：50mm/秒、晶片尺寸：5mm×5mm。切断中，以留下约200μm的半导体晶圆的方式进行第一阶段的切断，并且以在切割带中形成20μm左右的切痕的方式进行第二阶段的切断。接着，对由紫外线固化型压敏胶粘剂组成的压敏胶粘剂层照射紫外线，使压敏胶粘剂层固化。接着，使用拾取用夹头，拾取应拾取的半导体晶片。在拾取中，使用中央1根及四角4根共计5根销顶起。拾取条件是将顶起速度设为20mm/秒，将顶起高度设定为450μm。如此，获得实施例1～实施例3的带晶粒接合膜的半导体晶片。将获得的实施例1～实施例3的带晶粒接合膜的半导体晶片在温度120℃，压力0.1MPa、时间1.0秒的条件下，压接在配线基板(带阻焊剂的有机基板，阻焊剂：TAIYOHOLDINGS CO.,LTD.，商品名“AUS308”，基板上的凹凸：约6μm)上，在170℃下固化3小时，制作晶粒接合膜的固化物的样品，使用万能粘结强度试验机(bond tester)(NordsonAdvanced Technology(Japan)K.K.制造)，在测定温度250℃下测定。结果如表1所示。
＜埋入性的评价＞
使用割断性优异的实施例1～实施例3的切割晶粒接合一体型粘合片，评价晶粒接合膜的埋入性。准备厚度为75μm的半导体晶圆，晶片尺寸调整为7.5mm×7.5mm，除此以外，与晶粒剪切强度的测定中使用的半导体晶片的制作同样地，制作用于评价埋入性的实施例1～实施例3的带晶粒接合膜的半导体晶片。制作将实施例1～实施例3的带晶粒接合膜的半导体晶片在温度为120℃，压力为0.15MPa、时间1.0秒的条件下，贴附在配线基板(带阻焊剂的有机基板，阻焊剂：TAIYO HOLDINGS CO.,LTD.，商品名“AUS308”、基板上的凹凸：约6μm)上的样品，将该样品在加热板上在150℃下加热6小时而使其固化。然后，使用模塑用密封材料(Hitachi Chemical Company,Ltd.制造，商品名“CEL-9700HF”)，将半导体晶片在175℃、6.9MPa、120秒的条件下进行密封，制作评价用封装。用超声波显微镜观察评价用封装的配线基板，确认基板上的凹凸的埋入性。将基板上的凹凸中没有空隙的设为埋入性良好并评价为“A”，将有空隙者设为埋入性不良并评价为“B”。结果如表1所示。
[表1]
Figure BDA0003267160530000211
-15℃下的断裂伸长率为5％以下的实施例1～实施例3的晶粒接合膜与-15℃下的断裂伸长率超过5％的比较例1、比较例2的晶粒接合膜相比，扩张时的割断性优异。另外，判断实施例1～实施例3的晶粒接合膜在晶粒剪切强度及埋入性方面也优异。
如上所述，确认了本发明的晶粒接合膜的割断性优异。
符号说明
1-切割晶粒接合一体型粘合片，2-保护膜，4-改性层，10-基材膜，20-压敏胶粘剂层，20ac-压敏胶粘剂固化物层，30、30a-粘合剂层，42-顶针，44-抽吸夹头，50-带有粘合剂层的半导体晶片，70-焊线，60-半导体晶片搭载用支承基板，80-树脂密封材料，90-焊球，W1、W2-半导体晶圆，H1-半导体晶圆W1的厚度，H2-半导体晶圆W2的厚度，100-半导体装置。

Claims (13)

1.一种半导体装置的制造方法，其包括：
准备切割晶粒接合一体型粘合片的工序，所述切割晶粒接合一体型粘合片依次具备：由-15℃下的断裂伸长率为5％以下的晶粒接合膜组成的粘合剂层、压敏胶粘剂层、及基材膜；
准备半导体晶圆，对所述半导体晶圆形成改性层的工序；
将所述切割晶粒接合一体型粘合片的所述粘合剂层的面贴附到半导体晶圆上的工序；
通过使所述基材膜扩张，将所述半导体晶圆及所述粘合剂层单片化，制作带有粘合剂层的半导体晶片的工序；
从所述压敏胶粘剂层拾取所述带有粘合剂层的半导体晶片的工序；以及
将所述带有粘合剂层的半导体晶片经由所述粘合剂层而粘合在半导体晶片搭载用支承基板上的工序；且
所述晶粒接合膜包含：环氧树脂、环氧树脂固化剂、及含有环氧基的(甲基)丙烯酸共聚物，
以所述环氧树脂、所述环氧树脂固化剂、及所述含有环氧基的(甲基)丙烯酸共聚物的总量为基准，所述环氧树脂及所述环氧树脂固化剂的合计含量为10质量％以上且小于30质量％。
2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，
关于所述晶粒接合膜，将该晶粒接合膜热压接于配线基板并在170℃下固化3小时后的所述晶粒接合膜的固化物中，250℃的晶粒剪切强度为0.7MPa以上。
3.根据权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法，其中，
所述晶粒接合膜还包含硅烷偶联剂。
4.根据权利要求3所述的半导体装置的制造方法，其中，
所述硅烷偶联剂为下述通式(1)所示的硅烷偶联剂，
Figure FDA0003267160520000021
通式(1)中，R为烷氧基，n为1～3的整数。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体装置的制造方法，其中，
所述晶粒接合膜还含有无机填料，
以晶粒接合膜总量为基准，所述无机填料的含量为25质量％以上。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体装置的制造方法，其中，
以晶粒接合膜总量为基准，所述含有环氧基的(甲基)丙烯酸共聚物的含量为60质量％以下。
7.一种晶粒接合膜，其用于将半导体晶片与搭载所述半导体晶片的支承部件粘合，其中，
所述晶粒接合膜的-15℃下的断裂伸长率为5％以下，且
所述晶粒接合膜包含环氧树脂、环氧树脂固化剂、及含有环氧基的(甲基)丙烯酸共聚物，
以所述环氧树脂、所述环氧树脂固化剂、及所述含有环氧基的(甲基)丙烯酸共聚物的总量为基准，所述环氧树脂及所述环氧树脂固化剂的合计含量为10质量％以上且小于30质量％。
8.根据权利要求7所述的晶粒接合膜，其中，
关于所述晶粒接合膜，将该晶粒接合膜热压接于配线基板并在170℃下固化3小时后的所述晶粒接合膜的固化物中，250℃的晶粒剪切强度为0.7MPa以上。
9.根据权利要求7或8所述的晶粒接合膜，其中，
所述晶粒接合膜还包含硅烷偶联剂。
10.根据权利要求9所述的晶粒接合膜，其中，
所述硅烷偶联剂为下述通式(1)所示的硅烷偶联剂，
Figure FDA0003267160520000022
通式(1)中，R为烷氧基，n为1～3的整数。
11.根据权利要求7至10中任一项所述的晶粒接合膜，其还包含无机填料，其中，
以晶粒接合膜总量为基准，所述无机填料的含量为25质量％以上。
12.根据权利要求7至11中任一项所述的晶粒接合膜，其中，
以晶粒接合膜总量为基准，所述含有环氧基的(甲基)丙烯酸共聚物的含量为60质量％以下。
13.一种切割晶粒接合一体型粘合片，其依次具备：
由根据权利要求7至12中任一项所述的晶粒接合膜组成的粘合剂层；
压敏胶粘剂层；以及
基材膜。
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