TWI791751B - 半導體裝置的製造方法及接著膜 - Google Patents

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Abstract

本發明揭示有一種半導體裝置的製造方法，其包括：準備帶有接著膜的半導體晶圓的步驟，所述帶有接著膜的半導體晶圓於黏著膜上依序具有接著膜及半導體晶圓；切割步驟，切割帶有接著膜的半導體晶圓，而獲得帶有接著膜的半導體晶片；以及壓接步驟，將帶有接著膜的半導體晶片壓接於半導體基板，且自黏著膜起，接著膜依序包含第一膜及80℃下的剪切黏度與第一膜不同的第二膜，第二膜的80℃下的剪切黏度為500 Pa·s以上。

Description

半導體裝置的製造方法及接著膜
本發明是有關於一種導體裝置的製造方法及接著膜。
先前，於半導體晶片與半導體基板的接合中，主要使用銀糊。但是，隨著近年來半導體晶片的小型化及積體化，對於所使用的半導體基板亦開始要求小型化及細密化。另一方面，於使用銀糊的情況下，有時會出現起因於糊的露出或半導體晶片的斜度的於打線接合(wire bonding)時產生的不良、膜厚控制困難、產生空隙等問題。
因此，近年來一直使用用以接合半導體晶片與半導體基板的接著膜(例如參照專利文獻1)。於使用包括切割帶(dicing tape)及積層於切割帶上的接著膜的接著片情況下，藉由於半導體晶圓的背面貼附接著膜，並藉由切割來使半導體晶圓單片化，而可獲得帶有接著膜的半導體晶片。所獲得的帶有接著膜的半導體晶片可經由接著膜而貼附於半導體基板，並藉由熱壓接而接合。
[現有技術文獻] [專利文獻]
專利文獻1：日本專利特開2007-053240號公報
然而，隨著半導體晶片的小型化及積體化，當使接著膜硬化時，存在半導體裝置的半導體基板發生翹曲的情況。若半導體基板發生翹曲，則例如於密封步驟中，有半導體晶片自密封材露出，產生電氣不良之虞。
另外，於使用作為導線埋入型接著膜的導線上膜(Film Over Wire，FOW)或作為晶片埋入型接著膜的晶片上膜(Film Over Die，FOD)的情況下，進而有半導體基板的翹曲增大的傾向。另外，對於該些接著膜，要求埋入導線、控制器晶片等，因而帶有接著膜的半導體晶片亦存在發生翹曲的情況。
本發明是鑒於此種情況而成，主要目的在於提供一種能夠抑制半導體基板的翹曲的半導體裝置的製造方法。
本發明的一方面提供一種半導體裝置的製造方法，其包括：準備帶有接著膜的半導體晶圓的步驟，所述帶有接著膜的半導體晶圓於黏著膜上依序具有接著膜及半導體晶圓；切割步驟，切割帶有接著膜的半導體晶圓，而獲得帶有接著膜的半導體晶片；以及壓接步驟，將帶有接著膜的半導體晶片壓接於半導體基板；且自黏著膜起，接著膜依序包含第一膜及80℃下的剪切黏度與第一膜不同的第二膜，第二膜的80℃下的剪切黏度為500Pa．s以上。根據此種半導體裝置的製造方法，能夠抑制半導體基板的翹曲。
第二膜的厚度可為3μm~150μm。第二膜的硬化後的 150℃下的儲存彈性係數可為1000MPa以下。
半導體裝置可為藉由將第一半導體晶片經由第一導線而以打線接合的方式連接於半導體基板上，並且於第一半導體晶片上，經由接著膜而壓接第二半導體晶片，從而將第一導線的至少一部分埋入接著膜中而成的導線埋入型的半導體裝置；亦可為將第一導線及第一半導體晶片埋入接著膜中而成的晶片埋入型的半導體裝置。此種半導體裝置中，不僅能夠抑制半導體基板的翹曲，亦能夠抑制帶有接著膜的半導體晶片(第二半導體晶片)的翹曲。
另一方面中，本發明提供一種接著膜，其包括第一膜及第二膜，所述第二膜積層於第一膜上，且80℃下的剪切黏度與第一膜不同，第二膜的80℃下的剪切黏度為500Pa．s以上。
第二膜的厚度可為3μm~150μm。第二膜的硬化後的150℃下的儲存彈性係數可為1000MPa以下。
所述接著膜可為於第一半導體晶片經由第一導線而以打線接合的方式連接於半導體基板上，並且於第一半導體晶片上壓接第二半導體晶片而成的半導體裝置中，用於壓接第二半導體晶片並且埋入第一導線的至少一部分者(即FOW用途)；亦可為用於埋入第一導線及第一半導體晶片者(即FOD用途)。
根據本發明，可提供一種能夠抑制半導體基板的翹曲的半導體裝置的製造方法。若干形態的製造方法能夠實現亦抑制帶有接 著膜的半導體晶片的翹曲。另外，根據本發明，可提供一種此種製造方法中可使用的接著膜。
1、4a、4b:基材膜
2:黏著膜
3a:第一膜
3b:第二膜
5:吸引夾頭
6、10:半導體基板
11:導線
11a:第一導線
11b:第二導線
12:密封材
13:端子
14:電路圖案
20:拾取用夾頭
21:上推面
22:上推銷
100、110、120:膜
130:接著膜
130c、130c1、130c2、130c3、130c4:硬化物
140:切割-黏晶一體型接著膜
200:接著片
300:帶有接著膜的半導體晶圓
400、410、500:半導體裝置
A:半導體晶圓
a:半導體晶片
a1、a3:第一半導體晶片
a2、a4:第二半導體晶片
B:刀片
UV:紫外線
圖1是包括基材膜及黏著膜的膜的示意圖。
圖2(a)是包括基材膜及接著膜的膜的示意圖。圖2(b)是包括基材膜及接著膜的膜的示意圖。圖2(c)是接著膜的示意圖。
圖3是接著膜的示意圖。
圖4是帶有接著膜的半導體晶圓的示意圖。
圖5是表示切割步驟的示意圖。
圖6是表示紫外線照射步驟的示意圖。
圖7是表示拾取步驟的示意圖。
圖8是表示壓接步驟的示意圖。
圖9是表示半導體裝置的一實施形態的示意圖。
圖10是表示半導體裝置的一實施形態的示意圖。
圖11是表示半導體裝置的製造步驟的示意圖。
圖12是表示半導體裝置的製造步驟的示意圖。
圖13是表示半導體裝置的一實施形態的示意圖。
圖14是表示半導體裝置的製造步驟的示意圖。
圖15是表示半導體裝置的製造步驟的示意圖。
圖16是表示半導體裝置的製造步驟的示意圖。
圖17是表示半導體裝置的製造步驟的示意圖。
圖18是表示半導體裝置的製造步驟的示意圖。
圖19是表示拾取用夾頭(collet)的上推面的圖。
以下，適當參照圖式來對本發明的實施形態進行說明。但，本發明並不限定於以下的實施形態。
本說明書中，(甲基)丙烯酸是指丙烯酸或與其對應的甲基丙烯酸。關於(甲基)丙烯醯基等其他的類似表述亦同樣。
<半導體裝置的製造方法>
[準備步驟]
於本步驟中，準備作為切割對象的帶有接著膜的半導體晶圓。
對接著膜的製作方法的一例進行說明。首先，於基材膜1、基材膜4a及基材膜4b上分別塗佈獨立的黏著劑、第一接著劑及第二接著劑，製作包括基材膜1及黏著膜2的膜100(圖1)、包括基材膜4a及第一膜3a的膜110(圖2(a))、及包括基材膜4b及第二膜3b的膜120(圖2(b))。其後，自膜110及膜120剝去基材膜4a及基材膜4b，並將第一膜3a及第二膜3b貼合，而製作接著膜130(圖2(c))。繼而，可以成為黏著膜2、第一膜3a及第二膜3b的順序的方式積層於膜100，從而獲得包括基材膜1、黏著膜2及接著膜130的接著片200(圖3)。接著片200亦可藉由於膜100(圖1)上塗佈第一接著劑清漆，繼而塗佈第二接著劑清漆的方法進行製作。再者，有時將自接著片200去除了基材膜1者稱為切割-黏晶一體型接著膜140。其後，可藉由於接著膜130 上貼附半導體晶圓A而獲得帶有接著膜的半導體晶圓300(圖4)。即，以所述方式獲得的帶有接著膜的半導體晶圓300可稱為於黏著膜上依序包括接著膜及半導體晶圓的積層體。
作為基材膜1、基材膜4a及基材膜4b，例如可列舉：聚四氟乙烯膜、聚對苯二甲酸乙二酯膜、聚乙烯膜、聚丙烯膜、聚甲基戊烯膜、聚醯亞胺膜等塑膠膜等。對於基材膜，視需要亦可進行底塗塗佈、紫外線(ultraviolet，UV)處理、電暈放電處理、研磨處理、蝕刻處理等表面處理。
黏著膜2可由感壓型或紫外線硬化型的黏著劑形成。黏著膜2的厚度可根據所製造的半導體裝置的形狀、尺寸而適當設定，較佳為1μm~100μm，更佳為5μm~70μm，進而佳為10μm~40μm。
(接著膜)
接著膜130包括第一膜3a及積層於第一膜3a上的80℃下的剪切黏度與第一膜3a不同的第二膜3b。另外，第二膜3b的80℃下的剪切黏度為500Pa．s以上。
第一膜3a及第二膜3b均為熱硬化性，可由經過半硬化(B階段)狀態且於硬化處理後可成完全硬化物(C階段)狀態的第一接著劑及第二接著劑形成。第一膜3a及第二膜3b較佳為含有熱硬化性樹脂(以下有時簡稱為「(a)成分」)、高分子量成分(以下有時簡稱為「(b)成分」)及無機填料(以下有時簡稱為「(c)成分」)。第一膜3a及第二膜3b亦可更含有偶合劑(以下有時簡 稱為「(d)成分」)及硬化促進劑(以下有時簡稱為「(e)成分」)。
(a)熱硬化性樹脂
就接著性的觀點而言，(a)成分較佳為包含環氧樹脂(以下有時簡稱為「(a1)成分」)及可作為環氧樹脂的硬化劑的酚樹脂(以下有時簡稱為「(a2)成分」)。
(a1)成分只要為分子內具有環氧基者則可並無特別限制地使用。作為(a1)成分，例如可列舉：雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、雙酚S型環氧樹脂、苯酚酚醛清漆型環氧樹脂、甲酚酚醛清漆型環氧樹脂、雙酚A酚醛清漆型環氧樹脂、雙酚F酚醛清漆型環氧樹脂、二苯乙烯型環氧樹脂、含三嗪骨架的環氧樹脂、含茀骨架的環氧樹脂、三苯酚甲烷型環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂、伸二甲苯基型環氧樹脂、聯苯芳烷基型環氧樹脂、萘型環氧樹脂、多官能苯酚類、蒽等多環芳香族類的二縮水甘油醚化合物等。該些可單獨使用一種或者將兩種以上組合使用。該些中，就膜的黏性、柔軟性等觀點而言，(a1)成分可為甲酚酚醛清漆型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、或雙酚A型環氧樹脂。
(a1)成分亦可包含軟化點小於30℃或常溫(25℃)下為液體的環氧樹脂。藉由包含此種環氧樹脂，則所獲得的膜可賦予柔軟性，晶片、導線或半導體基板的埋入性進一步提升，而有可緩和因埋入不足所導致的翹曲的傾向。
(a1)成分亦可包含軟化點為50℃以上的環氧樹脂。該情況下，較佳為使用當進行了軟化時流動性優異者。
(a2)成分只要為分子內具有酚性羥基者則可並無特別限制地使用。作為(a2)成分，例如可列舉：使苯酚、甲酚、間苯二酚(resorcin)、鄰苯二酚、雙酚A、雙酚F、苯基苯酚、胺基苯酚等酚類及/或α-萘酚、β-萘酚、二羥基萘等萘酚類與甲醛等具有醛基的化合物於酸性觸媒下縮合或共縮合而獲得的酚醛清漆型酚樹脂；由烯丙基化雙酚A、烯丙基化雙酚F、烯丙基化萘二醇、苯酚酚醛清漆、苯酚等酚類及/或萘酚類與二甲氧基對二甲苯或雙(甲氧基甲基)聯苯所合成的苯酚芳烷基樹脂、萘酚芳烷基樹脂等。該些可單獨使用一種或者將兩種以上組合使用。該些中，(a2)成分可為苯酚芳烷基樹脂或萘酚芳烷基樹脂。
(a2)成分的羥基當量較佳為70g/eq以上，更佳為70g/eq~300g/eq。若(a2)成分的羥基當量為70g/eq以上，則有膜的儲存彈性係數進一步提升的傾向，若為300g/eq以下，則能夠防止因產生發泡、逸氣等所導致的不良。
(a2)成分的軟化點較佳為50℃~200℃，更佳為60℃~150℃。若(a2)成分的軟化點為200℃以下，則有可抑制與環氧樹脂的相容性下降的傾向。
就硬化性的觀點而言，(a1)成分的環氧當量與(a2)成分的羥基當量的比((a1)成分的環氧當量/(a2)成分的羥基當量)可為0.30/0.70~0.70/0.30、0.35/0.65~0.65/0.35、0.40/0.60~0.60/0.40、或0.45/0.55~0.55/0.45。若該當量比為0.30/0.70以上，則有可獲得更充分的硬化性的傾向。若該當量比為0.70/0.30以 下，則可防止黏度變得過高，可獲得更充分的流動性。
相對於(a)成分、(b)成分及(c)成分的總質量100質量份，(a)成分的含量可為5質量份~70質量份、10質量份~65質量份、或20質量份~60質量份。若(a)成分的含量為5質量份以上，則有藉由交聯而彈性係數提升的傾向。若(a)成分的含量為70質量份以下，則有可維持膜操作性，並且剪切黏度及彈性係數容易成為所期望的範圍的傾向。
(b)高分子量成分
(b)成分較佳為玻璃轉移溫度(Tg)為50℃以下者。作為(b)成分，例如可列舉：丙烯酸樹脂、聚酯樹脂、聚醯胺樹脂、聚醯亞胺樹脂、矽酮樹脂、丁二烯樹脂、丙烯腈樹脂等；該些的改質體等。
就流動性的觀點而言，(b)成分可包含丙烯酸樹脂。此處，所謂丙烯酸樹脂，是指包含源自(甲基)丙烯酸酯的結構單元的聚合物。丙烯酸樹脂較佳為包含源自具有環氧基、醇性或酚性羥基、羧基等交聯性官能基的(甲基)丙烯酸酯的結構單元作為結構單元的聚合物。另外，丙烯酸樹脂亦可為(甲基)丙烯酸酯與丙烯腈的共聚物等丙烯酸橡膠。
丙烯酸樹脂的玻璃轉移溫度(Tg)可為-50℃~50℃或-30℃~30℃。若丙烯酸樹脂的Tg為-50℃以上，則有可防止接著劑的柔軟性變得過高的傾向。藉此，於晶圓切割時容易將膜狀接著劑切斷，能夠防止毛刺的產生。若丙烯酸樹脂的Tg為50℃以下， 則有可抑制接著劑的柔軟性下降的傾向。藉此，當將膜狀接著劑貼附於晶圓時，有容易將空隙充分埋入的傾向。另外，能夠防止因晶圓的密接性的下降所導致的切割時的碎化(chipping)。此處，玻璃轉移溫度(Tg)是使用示差掃描熱量計(Differential Scanning Calorimeter，DSC)(例如理學股份有限公司製造的「Thermo Plus 2」)所測定出的值。
丙烯酸樹脂的重量平均分子量(Mw)可為10萬~300萬或50萬~200萬。若丙烯酸樹脂的Mw為此種範圍，則可適當地控制膜形成性、膜狀時的強度、可撓性、黏性等，並且回流性優異，可提升埋入性。另外，藉由使用Mw低(例如小於10萬)的丙烯酸樹脂，進而增加Mw低(例如小於10萬)的丙烯酸樹脂的添加量，則埋入性有提升的傾向，但剪切黏度及硬化後的儲存彈性係數有變低的傾向。此處，Mw是指藉由凝膠滲透層析法(Gel Permeation Chromatography，GPC)進行測定，並使用基於標準聚苯乙烯的校準曲線進行換算而得的值。
作為丙烯酸樹脂的市售品，例如可列舉：SG-70L、SG-708-6、WS-023 EK30、SG-280 EK23、HTR-860P-3CSP、HTR-860P-3CSP-30B(均為長瀨化成(Nagase ChemteX)股份有限公司製造)。
相對於(a)成分、(b)成分及(c)成分的總質量100質量份，(b)成分的含量可為5質量份~95質量份、5質量份~85質量份、或10質量份~80質量份。若(b)成分的含量為5質 量份以上，則有80℃下的膜的剪切黏度變高的傾向。
(c)無機填料
作為(c)成分，例如可列舉：氫氧化鋁、氫氧化鎂、碳酸鈣、碳酸鎂、矽酸鈣、矽酸鎂、氧化鈣、氧化鎂、氧化鋁、氮化鋁、硼酸鋁晶鬚、氮化硼、二氧化矽等。該些可單獨使用一種或者將兩種以上組合使用。該些中，就熔融黏度的調整的觀點而言，(c)成分可為二氧化矽。
就流動性的觀點而言，(c)成分的平均粒徑可為0.01μm~1μm、0.01μm~0.08μm、或0.03μm~0.06μm。此處，平均粒徑是指藉由根據布厄特(Brunauer-Emmett-Teller，BET)比表面積進行換算而求出的值。
相對於(a)成分、(b)成分及(c)成分的總質量100質量份，(c)成分的含量可為3質量份~80質量份、3質量份~70質量份、或3質量份~60質量份。若(c)成分的含量為3質量份以上，則有剪切黏度及彈性係數進一步提升的傾向。
(d)偶合劑
(d)成分可為矽烷偶合劑。作為矽烷偶合劑，例如可列舉：γ-脲基丙基三乙氧基矽烷、γ-巰基丙基三甲氧基矽烷、3-苯基胺基丙基三甲氧基矽烷、3-(2-胺基乙基)胺基丙基三甲氧基矽烷等。該些可單獨使用一種或者將兩種以上組合使用。
(e)硬化促進劑
(e)成分並無特別限定，可使用通常所使用者。作為(e) 成分，例如可列舉：咪唑類及其衍生物、有機磷系化合物、二級胺類、三級胺類、四級銨鹽等。該些可單獨使用一種或者將兩種以上組合使用。該些中，就反應性的觀點而言，(e)成分可為咪唑類及其衍生物。
作為咪唑類，例如可列舉：2-甲基咪唑、1-苄基-2-甲基咪唑、1-氰基乙基-2-苯基咪唑、1-氰基乙基-2-甲基咪唑等。該些可單獨使用一種或者將兩種以上組合使用。
第一膜3a及第二膜3b亦可更含有其他成分。作為其他成分，例如可列舉顏料、離子捕捉劑、抗氧化劑等。
相對於(a)成分、(b)成分及(c)成分的總質量100質量份，(d)成分、(e)成分及其他成分的含量可為0質量份~30質量份。
第一膜3a及第二膜3b可藉由以下方式形成：製備含有(a)成分~(c)成分、視需要的(d)成分及(e)成分以及溶劑的第一接著劑清漆及第二接著劑清漆，將該些塗佈於基材膜，並進行加熱乾燥而將溶劑去除。第一接著劑清漆及第二接著劑清漆例如可藉由將(a)成分~(e)成分於溶劑中混合、混煉而進行製備。
混合、混煉可使用通常的攪拌機、擂潰機、三輥磨機(three-rod roll mill)、球磨機(ball mill)等分散機，將該些適當組合而進行。
用於製作第一接著劑清漆及第二接著劑清漆的溶劑只 要為可將所述各成分均勻地溶解、混煉或分散者則可無限制地使用現有公知者。作為此種溶劑，例如可列舉：丙酮、甲基乙基酮、甲基異丁基酮、環己酮等酮系溶媒；二甲基甲醯胺、二甲基乙醯胺、N-甲基吡咯啶酮、甲苯、二甲苯等。就乾燥速度快、價格低的方面而言，較佳為使用甲基乙基酮、環己酮等。
作為將第一接著劑清漆及第二接著劑清漆塗佈於基材膜的方法，可使用公知的方法，例如可列舉：刮塗法、輥塗法、噴塗法、凹版塗佈法、棒塗法、簾塗法等。加熱乾燥的條件只要為所使用的溶劑充分揮發的條件則無特別限制，例如可於50℃~150℃下加熱1分鐘~30分鐘來進行。
第一膜3a的厚度可根據所製造的半導體裝置的形狀或尺寸而適當設定，例如可為1μm~200μm。第一膜3a的厚度可為3μm~150μm、或3μm~120μm。再者，FOW用途中，較佳為20μm~120μm，更佳為30μm~80μm。為了埋入導線，需要確保足夠的厚度以使導線不與晶片接觸。FOD用途中，較佳為40μm~200μm，更佳為60μm~150μm。為了埋入晶片(例如晶片控制器)，依存於其厚度，重要的是確保足夠的厚度。
第二膜3b的厚度可根據所製造的半導體裝置的形狀或尺寸而適當設定，例如可為3μm~150μm。第二膜3b的厚度可為3μm~100μm、或3μm~50μm。再者，FOW用途中，較佳為3μm~150μm，更佳為3μm~80μm。為了埋入導線，需要確保足夠的厚度以使導線不與晶片接觸。FOD用途中，較佳為3μm~ 150μm，更佳為3μm~100μm。為了埋入晶片(例如晶片控制器)，依存於其厚度，重要的是確保足夠的厚度。
由第一膜3a與第二膜3b所構成的接著膜130的厚度可根據所製造的半導體裝置的形狀或尺寸而適當設定，較佳為6μm~300μm，更佳為10μm~250μm，進而佳為20μm~200μm。再者，FOW用途中，較佳為40μm~250μm，更佳為50μm~80μm。為了埋入導線，需要確保足夠的厚度以使導線不與晶片接觸。FOD用途中，較佳為60μm~250μm，更佳為80μm~150μm。為了埋入晶片(例如晶片控制器)，依存於其厚度，重要的是確保足夠的厚度。
第一膜3a的80℃下的剪切黏度若與第二膜3b的80℃下的剪切黏度不同，則並無特別限制。第一膜3a的80℃下的剪切黏度若高於第二膜3b的80℃下的剪切黏度，則第二膜3b對翹曲應力加以緩衝而使半導體基板的翹曲難以傳遞至晶片上表面，因而，結果有抑制半導體基板的翹曲的傾向。另外，若低於第二膜3b的80℃下的剪切黏度，則第二膜3b難以追隨因晶片及半導體基板的翹曲所導致的應力，因而有抑制半導體基板的翹曲的傾向。就進一步抑制半導體基板的翹曲的觀點而言，第一膜3a的80℃下的剪切黏度較佳為低於第二膜3b的80℃下的剪切黏度。
第一膜3a的80℃下的剪切黏度例如可為500Pa．s~30000Pa．s。第一膜3a的80℃下的剪切黏度可為500Pa．s以上、700Pa．s以上、或1000Pa．s以上。若第一膜3a的80℃下的剪切 黏度為500Pa．s以上，則有膜的操作性更優異的傾向。第一膜3a的80℃下的剪切黏度可為30000Pa．s以下、20000Pa．s以下、或15000Pa．s以下。若第一膜3a的80℃下的剪切黏度為30000Pa．s以下，則可充分埋入晶片、導線或半導體基板，有可抑制翹曲的傾向。
第二膜3b的80℃下的剪切黏度與第一膜3a不同。第二膜3b的80℃下的剪切黏度為500Pa．s以上。第二膜3b的80℃下的剪切黏度若為滿足此種條件者則並無特別限制。根據與所述相同的理由，就進一步抑制半導體基板的翹曲的觀點而言，第二膜3b的80℃下的剪切黏度較佳為高於第一膜3a的80℃下的剪切黏度。
第二膜3b的80℃下的剪切黏度為500Pa．s以上，且可為3000Pa．s以上、5000Pa．s以上、10000Pa．s以上、15000Pa．s以上、20000Pa．s以上、或25000Pa．s以上。若第二膜3b的80℃下的剪切黏度為500Pa．s以上，則有膜的操作性更優異的傾向。第二膜3b的80℃下的剪切黏度的上限並無特別限制，可為100000Pa．s以下、70000Pa．s以下、或50000Pa．s以下。
再者，第一膜3a及第二膜3b的80℃下的剪切黏度例如可藉由實施例中記載的方法進行測定。
第一膜3a及第二膜3b的80℃下的剪切黏度例如可藉由改變該些膜中所含有的成分的種類及含量來進行調整。
第一膜3a的硬化後的150℃下的儲存彈性係數並無特別 限制，可為1000MPa以下、500MPa以下、或300MPa以下，且可為10MPa以上、15MPa以上、或20MPa以上。若第一膜3a的硬化後的150℃下的儲存彈性係數為1000MPa以下，則可充分埋入晶片、導線或半導體基板，有可抑制翹曲的傾向。若第一膜3a的硬化後的150℃下的儲存彈性係數為10MPa以上，則有於壓接時防止膜的擠壓，可抑制自晶片的端部露出的傾向。
第二膜3b的硬化後的150℃下的儲存彈性係數可為1000MPa以下。第二膜3b的硬化後的150℃下的儲存彈性係數可為500MPa以下、100MPa以下、或70MPa以下，且可為10MPa以上、15MPa以上、或20MPa以上。若第二膜3b的硬化後的150℃下的儲存彈性係數為1000MPa以下，則有可進一步緩和半導體基板或晶片的翹曲的傾向。
再者，第一膜3a及第二膜3b的硬化後的150℃下的儲存彈性係數例如可藉由實施例中記載的方法進行測定。
接著膜130可藉由使用輥層壓機、真空層壓機等，將第一膜3a與第二膜3b於規定條件(例如室溫(20℃)或加熱狀態)下層壓，並去除基材膜4a及基材膜4b而進行製作。
接著膜130亦可藉由以下方式進行製作：首先，將第一接著劑組成物的清漆塗佈於基材膜，並進行加熱乾燥而將溶劑去除，製作第一膜3a，繼而，於第一膜3a上塗佈第二接著劑組成物的清漆，並進行加熱乾燥而將溶劑去除，形成第二膜3b，並去除基材膜。
半導體晶圓A並無特別限定，例如可使用10μm~100μm的薄型半導體晶圓。另外，作為半導體晶圓A，除單晶矽以外，亦可列舉多晶矽、各種陶瓷、砷化鎵等化合物半導體等。
[切割步驟]
其後，如圖5所示，使用例如刀片B來切割帶有接著膜的半導體晶圓300，進而加入清洗、乾燥步驟。藉此而切割至接著膜130，獲得帶有接著膜的(經單片化的)半導體晶片。切割時亦可使用切割器來代替刀片B。作為刀片B，例如可使用迪思科(Disco)股份有限公司製造的切割刀片NBC-ZH05系列、NBC-ZH系列等。作為切割器，例如可使用全自動切割鋸(full automatic dicing saw)6000系列、半自動切割鋸(semi-automatic dicing saw)3000系列(均為迪思科股份有限公司製造)等。再者，於切割時，於半導體晶圓A的周圍配置晶圓環(未圖示)，經由接著膜來將半導體晶圓A固定。半導體晶圓A對接著膜的貼附面可為電路面，亦可為電路面的相反面。
半導體晶片尺寸較佳為一邊為20mm以下，即20mm×20mm以下。半導體晶片尺寸更佳為一邊為3mm~15mm，進而佳為一邊為5mm~10mm。再者，半導體基板亦包含晶片或同標準者。
[紫外線照射步驟]
亦可更包括於切割步驟後，對黏著膜2照射紫外線(ultraviolet，UV)的紫外線照射步驟(圖6)。藉此，可將黏著 膜2的一部分或大部分聚合硬化。紫外線照射的照度並無特別限定，較佳為10mW/cm2~200mW/cm2，更佳為20mW/cm2~150mW/cm2。另外，紫外線照射時的照射量並無特別限定，較佳為50mJ/cm2~400mJ/cm2，更佳為100mJ/cm2~250mJ/cm2。
[拾取步驟]
於拾取步驟中，例如藉由吸引夾頭5來拾取應拾取的半導體晶片a。此時，亦可自基材膜1的下表面，利用例如針桿等來上推應拾取的半導體晶片a。若以半導體晶片a與接著膜130之間的密接力高於黏著膜2與基材膜1之間及接著膜130與黏著膜2之間的密接力的方式進行半導體晶片a的拾取，則將接著膜130以附著於半導體晶片a的下表面的狀態剝離(參照圖7)。
黏著膜2與第一膜3a的密接力較佳為小於半導體晶圓A與第二膜3b的密接力。若密接力為此種關係，則當於拾取步驟中上推晶片時，可防止在第一膜3a與第二膜3b之間發生剝離。若在第一膜3a與第二膜3b的界面發生剝離，則有無法獲得翹曲的減少效果的傾向。
[壓接步驟]
繼而，經由接著膜130而將半導體晶片a載置於半導體基板6來進行加熱。藉由加熱，接著膜130顯現充分的接著力，從而完成經由接著膜的硬化物130c的半導體晶片a與半導體基板6的接著(圖8)。再者，作為半導體基板6，例如可列舉半導體晶片搭載用支撐構件、其他半導體晶片等。
壓接溫度並無特別限定，較佳為50℃~200℃，更佳為100℃~150℃。若壓接溫度高，則接著膜3變軟，因而有埋入性提升的傾向。壓接時間並無特別限定，較佳為0.5秒~20秒，更佳為1秒~5秒。壓接時的壓力並無特別限定，較佳為0.01MPa~5MPa，更佳為0.02MPa~2MPa。於FOW及FOD用途中，為提升埋入性，將壓接壓力設定得越高則越佳。
[硬化步驟]
於壓接步驟後，實施使接著膜130硬化的硬化步驟。用以使接著膜130硬化的溫度及時間可根據接著膜中所含的成分的硬化溫度來適當設定。可使溫度階段地變化，亦可使用具有此種機構者。溫度及時間可為例如40℃~300℃，且可為例如30分鐘~300分鐘。
<半導體裝置>
使用圖式來對藉由本實施形態的製造方法而獲得的半導體裝置的態樣進行具體說明。再者，近年來提出有各種結構的半導體裝置，藉由本實施形態的製造方法而獲得的半導體裝置並不限定於以下所說明的結構。
圖9是表示半導體裝置的一實施形態的示意剖面圖。圖9所示的半導體裝置400是將作為帶有接著膜的半導體晶片的半導體晶片a經由接著膜130而壓接於半導體基板10而成，而且是將半導體晶片a經由導線11而以打線接合的方式連接於半導體基板10上而成的半導體裝置。該半導體裝置中，半導體晶片a藉由 接著膜的硬化物130c而接著於半導體基板10，半導體晶片a的連接端子(未圖示)經由導線11而與外部連接端子(未圖示)電性連接，並藉由密封材12而密封。
圖10是表示半導體裝置的一實施形態的示意剖面圖。圖10所示的半導體裝置410為導線埋入型的半導體裝置，其是藉由將第一半導體晶片a1經由第一導線11a而以打線接合的方式連接於半導體基板10上，並且於第一半導體晶片a1上，經由接著膜130而壓接作為帶有接著膜的半導體晶片的第二半導體晶片a2，從而將第一導線11a的至少一部分埋入接著膜130中而成。該半導體裝置中，第一半導體晶片a1藉由接著膜的硬化物130c1而接著於形成有端子13的半導體基板10，且於第一半導體晶片a1上，進而藉由接著膜的硬化物130c2而接著有第二半導體晶片a2。第一半導體晶片a1及第二半導體晶片a2的連接端子(未圖示)經由第一導線11a及第二導線11b而與電路圖案14電性連接，並藉由密封材12而密封。如上所述，於將多個半導體晶片重合的結構的半導體裝置且需要埋入導線的一部分的情況下，所述製造方法亦可較佳地使用。
圖11及圖12是表示圖10所示的半導體裝置的製造順序的圖。首先，經由接著膜130而將帶有接著膜的第一半導體晶片a1加熱壓接並接著於半導體基板10。藉由接著膜的硬化物130c1而將第一半導體晶片a1埋入。此時，亦可使用其他通常的製造方法。其後，藉由經過打線接合步驟而獲得圖11所示的半導體基板。 其次，經由接著膜130而將帶有接著膜的第二半導體晶片a2加熱壓接並接著於第一半導體晶片a1。如上所述而獲得圖12所示的半導體基板。其後，藉由進而經過打線接合步驟及密封步驟，而可獲得圖10所示的半導體裝置。
圖13是表示半導體裝置的一實施形態的示意剖面圖。圖13所示的半導體裝置500為晶片埋入型的半導體裝置，其是藉由將第一半導體晶片a3經由第一導線11a而以打線接合的方式連接於半導體基板10上，並且於第一半導體晶片a3上，經由接著膜130而壓接為帶有接著膜的半導體晶片且較第一半導體晶片a3的面積更大的第二半導體晶片a4，從而將第一導線11a及第一半導體晶片a3埋入接著膜130中而成。半導體裝置500中，進而經由第二導線11b而將半導體基板10與第二半導體晶片a4電性連接，並且藉由密封材12而將第二半導體晶片a4密封。
第一半導體晶片a3的厚度可為10μm~170μm，第二半導體晶片a4的厚度可為20μm~400μm。接著膜的硬化物130c4的厚度為20μm~200μm，較佳為30μm~200μm，更佳為40μm~150μm。埋入接著膜的硬化物130c4內部的第一半導體晶片a3例如為用以驅動半導體裝置500的控制器晶片。
半導體基板10例如可為於表面形成有電路圖案14的有機基板。第一半導體晶片a3經由接著膜的硬化物130c3而壓接於電路圖案14上，第二半導體晶片a4以覆蓋未壓接有第一半導體晶片a3的電路圖案14、第一半導體晶片a3、第一導線11a及電路圖 案14的一部分的方式經由接著膜的硬化物130c4而壓接於半導體基板10。於由半導體基板10上的電路圖案14所引起的凹凸的階差中埋入有接著膜的硬化物130c4。並且，藉由樹脂製的密封材12而將第二半導體晶片a4、電路圖案14、及第二導線11b密封。
圖14~圖18是表示圖13所示的半導體裝置的製造順序的圖。首先，如圖14所示，於半導體基板10上的電路圖案14上壓接帶有接著膜的第一半導體晶片a3，且經由第一導線11a而將半導體基板10上的電路圖案14與第一半導體晶片a3電性接合連接。此時，亦可使用其他通常的製造方法。
其次，如圖15所示，準備較第一半導體晶片a3的面積更大的帶有接著膜的第二半導體晶片a4。
並且，將帶有接著膜的第二半導體晶片a4壓接於經由第一導線11a而接合連接有第一半導體晶片a3的半導體基板10。具體而言，如圖16所示，以接著膜覆蓋第一半導體晶片a3的方式載置帶有接著膜的第二半導體晶片a4，繼而，如圖17所示，藉由使第二半導體晶片a4壓接於半導體基板10而將第二半導體晶片a4固定於半導體基板10。
繼而，如圖18所示，於將半導體基板10與第二半導體晶片a4經由第二導線11b而電性連接後，利用密封材12將電路圖案14、第二導線11b及第二半導體晶片a4密封。藉由經過此種步驟而可製造半導體裝置500。
[實施例]
以下，列舉實施例來對本發明進行更具體的說明。但本發明並不限定於該些實施例。
<接著劑清漆的製備>
[合成例A~合成例F]
以表1所示的品名及組成比(單位：質量份)，於包含作為(a)熱硬化性樹脂的環氧樹脂及酚樹脂、以及(c)無機填料的組成物中添加環己酮，進行攪拌混合。於其中添加表1所示的作為(b)高分子量成分的丙烯酸橡膠並進行攪拌，進而添加表1所示的(d)偶合劑及(e)硬化促進劑來進行攪拌，直至各成分變得均勻，從而製備合成例A~合成例F的接著劑清漆。
再者，表1中的各成分的記號是指下述者。
(環氧樹脂)
YDCN-700-10(商品名，新日鐵住金化學股份有限公司製造，鄰甲酚酚醛清漆型環氧樹脂，環氧當量：209g/eq)
EXA-830CRP(商品名，迪愛生(DIC)股份有限公司製造，雙酚F型環氧樹脂，環氧當量：159g/eq)
YDF-8170C(商品名，新日化環氧製造股份有限公司製造，雙酚F型環氧樹脂，環氧當量：156，常溫下為液體，重量分子量約為310)
(酚樹脂)
PSM-4326(商品名，群榮化學股份有限公司製造，苯酚酚醛清漆樹脂，羥基當量：105g/eq)
HE-100C-30(商品名，空氣水(AIR WATER)股份有限公司製造，苯基芳烷基型酚樹脂，羥基當量：174g/eq，軟化點為77℃)
(無機填料)
R972(商品名，日本艾羅西爾(Aerosil)股份有限公司製造，二氧化矽，平均粒徑：0.016μm)
SC2050-HLG(商品名，雅都瑪(Admatechs)股份有限公司製造，二氧化矽填料分散液，平均粒徑為0.50μm)
(高分子量成分)
HTR-860P-3CSP(商品名，長瀨化成股份有限公司製造，丙烯酸橡膠，重量平均分子量：80萬，Tg：12℃)
HTR-860P-3CSP-30B(商品名，長瀨化成股份有限公司製造，丙烯酸橡膠，重量平均分子量：30萬，Tg：12℃)
(偶合劑)
A-189(商品名，日本邁圖高新材料(Momentive Performance Materials Japan)有限責任公司製造，γ-巰基丙基三甲氧基矽烷)
A-1160(商品名，日本邁圖高新材料有限責任公司製造，γ-脲基丙基三乙氧基矽烷)
(硬化促進劑)
2PZ-CN(商品名，四國化成工業股份有限公司製造，1-氰基乙基-2-苯基咪唑)
Figure 108103596-A0305-02-0026-1
<膜的製作>
(膜A的製作)
利用100目的過濾器對合成例A的接著劑清漆進行過濾，並進行真空脫泡。作為基材膜，準備厚度38μm的已實施脫模處理的聚對苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate，PET)膜，將真空脫泡後的接著劑清漆塗佈於PET膜上。以90℃下5分鐘、繼而140℃下5分鐘的兩階段對所塗佈的接著劑清漆進行加熱乾燥。加熱乾燥後，剝去PET膜而獲得處於B階段狀態的膜A。該膜A中，調整接著劑清漆的塗佈量而製作厚度不同的膜。將厚度為10μm、20μm、40μm、100μm、120μm及130μm的膜分別設為膜A-10、膜A-20、膜A-40、膜A-100、膜A-120及膜A-130。
(膜A的剪切黏度的測定)
剪切黏度是使用ARES(流變科學(Rheometric Scientific)公司製造)來進行測定。測定樣品是藉由以下方式進行製作：以 70℃下厚度成為160μm的方式，將黏晶膜(日立化成股份有限公司製造)貼合於膜A，並衝壓為直徑9mmΦ。藉由一邊對測定樣品賦予5%的應變一邊以5℃/分鐘的升溫速度升溫而進行測定，將80℃下的值設為80℃下的剪切黏度。膜A的80℃下的剪切黏度為2000Pa．s。
(膜A的硬化後的儲存彈性係數的測定)
儲存彈性係數是使用動態黏彈性測定裝置(流變股份有限公司製造，商品名：DVE流變光譜(DVE Rheospectra))進行測定。測定樣品是藉由以下方式進行製作：以70℃下厚度成為160μm的方式，將黏晶膜(日立化成股份有限公司製造)貼合於膜A，並加工為寬4mm的長條狀，利用示差掃描熱量計(DSC)於反應率成為100%的條件下使其硬化。對所製作的測定樣品，測定升溫速度10℃/min下自室溫至270℃的儲存彈性係數，將150℃下的值設為硬化後的150℃下的儲存彈性係數。膜A的硬化後的150℃下的儲存彈性係數為54MPa。
(膜B的製作)
將合成例A的接著劑清漆變更為合成例B的接著劑清漆，除此以外，以與膜A的製作相同的方式獲得膜B。該膜B中，製作厚度為120μm的膜B-120。膜B的80℃下的剪切黏度為1200Pa．s，膜B的硬化後的150℃下的儲存彈性係數為31MPa。
(膜C的製作)
將合成例A的接著劑清漆變更為合成例C的接著劑清漆，除 此以外，以與膜A的製作相同的方式獲得膜C。該膜C中，製作厚度為120μm的膜C-120。膜C的80℃下的剪切黏度為9000Pa．s，膜C的硬化後的150℃下的儲存彈性係數為160MPa。
(膜D的製作)
將合成例A的接著劑清漆變更為合成例D的接著劑清漆，除此以外，以與膜A的製作相同的方式獲得膜D。該膜D中，調整接著劑清漆的塗佈量而製作厚度不同的膜。將厚度為10μm、20μm及40μm的膜分別設為膜D-10、膜D-20及膜D-40。膜D的剪切黏度為28000Pa．s，膜D的硬化後的150℃下的儲存彈性係數為6MPa。
(膜E的製作)
將合成例A的接著劑清漆變更為合成例E的接著劑清漆，除此以外，以與膜A的製作相同的方式獲得膜E。該膜E中，製作厚度為10μm的膜E-10。膜E的80℃下的剪切黏度為7400Pa．s，膜E的硬化後的150℃下的儲存彈性係數為760MPa。
(膜F的製作)
將合成例A的接著劑清漆變更為合成例F的接著劑清漆，除此以外，以與膜A的製作相同的方式獲得膜F。該膜F中，製作厚度為20μm的膜F-20。膜F的80℃下的剪切黏度為14200Pa．s，膜F的硬化後的150℃下的儲存彈性係數為20MPa。
<接著膜的製作>
[實施例1-1~實施例1-8及比較例1-1~比較例1-3]
如表2、表3及表4所示，將膜A~膜F用作第一膜或第二膜。藉由貼合第一膜及第二膜，並加工為圓形而獲得接著膜。於第一膜的與第二膜為相反側的面貼合黏著膜(厚度為110μm，日立化成股份有限公司製造)，製作實施例1-1~實施例1-8及比較例1-1~比較例1-3的切割-黏晶一體型接著膜。
Figure 108103596-A0305-02-0029-2
Figure 108103596-A0305-02-0029-3
Figure 108103596-A0305-02-0029-4
<半導體裝置的製作>
[實施例2-1]
(包括第一半導體晶片的半導體基板的製作)
準備包括接著膜及黏著膜的切割-黏晶一體型接著膜(接著膜：厚度為10μm、膜E-10，黏著膜：厚度為110μm，日立化成股份有限公司製造)。於階段溫度70℃下將50μm厚的半導體晶圓層壓於接著膜，製作切割樣品。
使用全自動切割器(full auto dicer)DFD-6361(迪思科股份有限公司製造)，將所獲得的切割樣品切斷。切斷時，以使用兩片刀片的階梯切面方式來進行，並使用切割刀片ZH05-SD3500-N1-xx-DD、及ZH05-SD4000-N1-xx-BB(均為迪思科股份有限公司製造)。切斷條件設為刀片轉數為4000rpm、切斷速度為50mm/sec、晶片尺寸為3mm×3mm。切斷中，以半導體晶圓殘存25μm左右的方式進行第一階段的切斷，繼而，以黏著膜中切入20μm左右的切口的方式進行第二階段的切斷。
其次，使用拾取用夾頭來拾取應拾取的半導體晶片，作為第一半導體晶片(控制器晶片)。圖19是表示拾取用夾頭的上推面的圖。如圖19所示，所使用的拾取用夾頭20例如具有3mm×3mm的上推面21，5根上推銷22沿上推面21的對角線上，以規定的間隔排列。拾取時，使用中央的1根銷來進行上推。拾取條件是將上推速度設定為20mm/s，將上推高度設定為450μm。如上所述而獲得帶有接著膜的第一半導體晶片(控制器晶片)。
其次，使用黏晶機(die bonder)BESTEM-D02(佳能機 械(Canon Machinery)公司製造)，將帶有接著膜的第一半導體晶片壓接於具有虛擬電路(dummy circuit)的玻璃環氧基板。此時，以第一半導體晶片位於虛擬電路的中央的方式來調整位置。以所述方式而獲得包括第一半導體晶片的半導體基板。
(帶有接著膜的第二半導體晶片的製作)
準備實施例1-1的切割-黏晶一體型接著膜，於階段溫度70℃下將100μm厚的半導體晶圓(矽晶圓)層壓於第二膜的與第一膜為相反側的面，製作切割樣品。
使用全自動切割器DFD-6361(迪思科股份有限公司製造)，將所獲得的切割樣品切斷。切斷時，以使用兩片刀片的階梯切面方式來進行，並使用切割刀片ZH05-SD2000-N1-xx-FF及ZH05-SD2000-N1-xx-EE(均為迪思科股份有限公司製造)。切斷條件設為刀片轉數為40000rpm、切斷速度為50mm/s、晶片尺寸為7mm×7mm。切斷中，以半導體晶圓殘存50μm左右的方式進行第一階段的切斷，繼而，以黏著膜中切入20μm左右的切口的方式進行第二階段的切斷。
其次，使用拾取用夾頭，拾取半導體晶片。除使用5根上推銷來上推以外，以與第一半導體晶片的拾取條件相同的方式，獲得帶有接著膜的第二半導體晶片。
(半導體裝置的製作)
將所獲得的帶有接著膜的第二半導體晶片壓接於包括第一半導體晶片的半導體基板。此時，以第二半導體晶片位於第一半導 體晶片的中央的方式來調整位置。繼而，藉由加壓烘箱(千代田電子(Chiyoda Electric)股份有限公司製造)，將壓接有第二半導體晶片的半導體基板於溫度70℃下保持2小時，進而於溫度150℃下保持30分鐘，使接著膜硬化，藉此而製作實施例2-1的半導體裝置。
(翹曲量的測定)
<半導體基板的翹曲量>
對於實施例2-1的半導體裝置的半導體基板的表面(第二半導體晶片的背面)，於室溫下(25℃)，藉由雷射位移計(基恩士(KEYENCE)股份有限公司製造，LKG80，級(step)100μm，測定範圍為縱7mm、橫7mm)來進行測定。根據所獲得的各點的位移而算出三維的平均面，並以兩端的點成為零點的方式進行修正。將所獲得的零點與藉由測量而獲得的位移的差最大者設為翹曲量，求出半導體基板的翹曲量。將結果示於表5中。
<第二半導體晶片的翹曲量>
對於實施例2-1的半導體裝置的第二半導體晶片的半導體晶圓的表面，於室溫下(25℃)，藉由雷射位移計(基恩士股份有限公司製造，LKG80，級(step)100μm，測定範圍為縱7mm、橫7mm)來進行測定。根據所獲得的各點的位移而算出三維的平均面，並以兩端的點成為零點的方式進行修正。將所獲得的零點與藉由測量而獲得的位移的差最大者設為翹曲量，求出第二半導體晶片的翹曲量。將結果示於表5中。
[實施例2-2~實施例2-6]
將實施例1-1的切割-黏晶一體型接著膜變更為實施例1-2~實施例1-6的切割-黏晶一體型接著膜，除此以外，以與實施例2-1相同的方式分別製作實施例2-2~實施例2-6的半導體裝置，並求出半導體基板的翹曲量及第二半導體晶片的翹曲量。將結果表示於表5、表6及表7中。
[比較例2-1]
將實施例1-1的切割-黏晶一體型接著膜變更為比較例1-1的切割-黏晶一體型接著膜，除此以外，以與實施例2-1相同的方式製作比較例2-1的半導體裝置，並求出半導體基板的翹曲量及第二半導體晶片的翹曲量。將結果示於表5及表6中。
Figure 108103596-A0305-02-0033-5
Figure 108103596-A0305-02-0034-6
Figure 108103596-A0305-02-0034-7
與比較例2-1的半導體裝置相比，實施例2-1~實施例2-6的半導體裝置可抑制半導體基板的翹曲，進而可抑制第二半導體晶片的翹曲。另外，第一膜的剪切黏度越低，則越能夠降低翹曲量。推測其原因在於，第一半導體晶片的埋入性良好，因而可減少該晶片周邊的空隙，可抑制源自空隙的翹曲。
<半導體裝置的製作>
[實施例2-7]
(帶有接著膜的半導體晶片的製作)
準備實施例1-7的切割-黏晶一體型接著膜，於階段溫度70℃下將100μm厚的半導體晶圓(矽晶圓)層壓於第二膜的與第一膜為相反側的面，製作切割樣品。
使用全自動切割器DFD-6361(迪思科股份有限公司製造)，將所獲得的切割樣品切斷。切斷時，以使用兩片刀片的階梯切面方式來進行，並使用切割刀片ZH05-SD2000-N1-xx-FF及ZH05-SD2000-N1-xx-EE(均為迪思科股份有限公司製造)。切斷條件設為刀片轉數為40000rpm、切斷速度為50mm/s、晶片尺寸為7mm×7mm。切斷中，以半導體晶圓殘存50μm左右的方式進行第一階段的切斷，繼而，以黏著膜中切入20μm左右的切口的方式進行第二階段的切斷。
其次，使用拾取用夾頭，拾取半導體晶片。除使用5根銷來上推以外，以與第一半導體晶片的拾取條件相同的方式，獲得帶有接著膜的半導體晶片。
將所獲得的帶有接著膜的半導體晶片壓接於具有虛擬電路的玻璃環氧基板。此時，以半導體晶片位於虛擬電路的中央的方式來調整位置。繼而，藉由加壓烘箱(千代田電子股份有限公司製造)，將壓接有半導體晶片的玻璃環氧基板於溫度70℃下保持2小時，進而於溫度150℃下保持30分鐘，使接著膜硬化，藉此而製作實施例2-7的半導體裝置。
(翹曲量的測定)
藉由與所述半導體基板的翹曲量相同的方法，求出半導體基 板的翹曲量。將結果示於表8中。
[實施例2-8及比較例2-2、比較例2-3]
將實施例1-7的切割-黏晶一體型接著膜變更為實施例1-8及比較例1-2、比較例1-3的切割-黏晶一體型接著膜，除此以外，以與實施例2-7相同的方式分別製作實施例2-8及比較例2-2、比較例2-3的半導體裝置，並求出半導體基板的翹曲量。將結果示於表8中。
Figure 108103596-A0305-02-0036-8
與比較例2-2及比較例2-3的半導體裝置相比，實施例2-7及實施例2-8的半導體裝置可抑制半導體基板的翹曲。
根據以上而確認到，本發明的半導體裝置的製造方法能夠抑制半導體基板的翹曲。
6‧‧‧半導體基板
130c‧‧‧硬化物
a‧‧‧半導體晶片

Claims (10)

  1. 一種半導體裝置的製造方法，其包括：準備帶有接著膜的半導體晶圓的步驟，所述帶有接著膜的半導體晶圓於黏著膜上依序具有接著膜及半導體晶圓；切割步驟，切割所述帶有接著膜的半導體晶圓，而獲得帶有接著膜的半導體晶片；以及壓接步驟，將所述帶有接著膜的半導體晶片壓接於半導體基板；且自所述黏著膜起，所述接著膜依序包含第一膜及80℃下的剪切黏度與所述第一膜不同的第二膜，所述第二膜的80℃下的剪切黏度為500Pa．s以上。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的半導體裝置的製造方法，其中所述第二膜的厚度為3μm~150μm。
  3. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的半導體裝置的製造方法，其中所述第二膜的硬化後的150℃下的儲存彈性係數為1000MPa以下。
  4. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的半導體裝置的製造方法，其中所述半導體裝置為藉由將第一半導體晶片經由第一導線而以打線接合的方式連接於半導體基板上，並且於所述第一半導體晶片上，經由所述接著膜而壓接第二半導體晶片，從而將所述第一導線的至少一部分埋入所述接著膜中而成的導線埋入型的半導體裝置。
  5. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的半導體裝置的製造方法，其中所述半導體裝置為藉由將第一半導體晶片經由第一導線而以打線接合的方式連接於半導體基板上，並且於所述第一半導體晶片上，經由所述接著膜而壓接第二半導體晶片，從而將所述第一導線及所述第一半導體晶片埋入所述接著膜中而成的晶片埋入型的半導體裝置。
  6. 一種接著膜，其包括：第一膜；以及第二膜，所述第二膜積層於所述第一膜上，且80℃下的剪切黏度與所述第一膜不同，所述第二膜的80℃下的剪切黏度為500Pa．s以上。
  7. 如申請專利範圍第6項所述的接著膜，其中所述第二膜的厚度為3μm~150μm。
  8. 如申請專利範圍第6項或第7項所述的接著膜，其中所述第二膜的硬化後的150℃下的儲存彈性係數為1000MPa以下。
  9. 如申請專利範圍第6項或第7項所述的接著膜，其於第一半導體晶片經由第一導線而以打線接合的方式連接於半導體基板上，並且於所述第一半導體晶片上壓接第二半導體晶片而成的半導體裝置中，用於壓接所述第二半導體晶片並且埋入所述第一導線的至少一部分。
  10. 如申請專利範圍第6項或第7項所述的接著膜，其於第一半導體晶片經由第一導線而以打線接合的方式連接於半導體 基板上，並且於所述第一半導體晶片上壓接第二半導體晶片而成的半導體裝置中，用於壓接所述第二半導體晶片並且埋入所述第一導線及所述第一半導體晶片。
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