CN103998552B - 具有单片化的粘合剂层的粘合剂片材的制造方法、使用了粘合剂片材的布线基板的制造方法、半导体装置的制造方法及粘合剂片材的制造装置 - Google Patents

具有单片化的粘合剂层的粘合剂片材的制造方法、使用了粘合剂片材的布线基板的制造方法、半导体装置的制造方法及粘合剂片材的制造装置 Download PDF

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Abstract

本发明涉及一种具有单片化的粘合剂层的粘合剂片材的制造方法，上述粘合剂片材在支承膜(a)上具有单片化的粘合剂层(b)，该制造方法按如下顺序具有以下工序：工序A：对于按顺序具有支承膜(a)、粘合剂层(b)及覆盖膜(c)的粘合剂膜，通过局部半切割而局部地仅切断粘合剂层(b)及覆盖膜(c)的工序；工序B：仅剥离上述粘合剂膜的不需要部分的覆盖膜(c)的工序；工序C：在上述粘合剂膜的覆盖膜(c)侧粘贴胶带的工序；以及工序D：将上述粘合剂膜的不需要部分的粘合剂层(b)及目标部的覆盖膜(c)与胶带一起剥离的工序。本发明提供一种制造在特定位置配置有单片化的粘合剂的粘合剂片材的方法及粘合剂片材的制造装置。

Description

具有单片化的粘合剂层的粘合剂片材的制造方法、使用了粘合剂片材的布线基板的制造方法、半导体装置的制造方法及粘合剂片材的制造装置
技术领域
本发明涉及制造在特定位置配置有单片化的粘合剂层的粘合剂片材的方法。
背景技术
在电子材料中，在将各种部件、例如半导体芯片等安装于布线基板上时，多使用热固化型的粘合剂，已知有模片键合膜(die bondingfilm)(DAF)和非导电膜(NCF)。
近年来，作为在布线基板上安装半导体芯片的方法，逐渐使用倒装芯片安装(flip chip assembly)。
在以往的倒装芯片安装中，在将半导体芯片在布线基板上进行了倒装芯片安装后，在半导体芯片的周围涂布树脂，利用毛细管现象在半导体芯片下侧的间隙中填充液态密封树脂，发挥作为粘合剂的功能(专利文献1)。
另一方面，开发有如下先密封技术：在安装半导体芯片之前在布线基板之上预先形成未固化的密封树脂，将半导体芯片的凸起(bump)压入到密封树脂中，由此，对半导体芯片进行倒装芯片安装并密封(专利文献2)。
另外，提出有使用掩模将树脂膜粘贴到布线基板上的方法等(专利文献3)。
另一方面，若使用在特定位置配置有单片化的粘合剂的粘合剂片材，则通过进行粘合剂片材与布线基板的位置对齐、并从粘合剂片材上将粘合剂转印到布线基板上，能够制造在特定位置配置有粘 合剂的布线基板，作为这样的在特定位置配置有单片化的粘合剂的粘合剂片材的制造方法，通常为使用半切割的方法。(专利文献4、5、6)。
专利文献1:日本特开平11－256012号公报
专利文献2:日本特开2011－207998号公报
专利文献3:日本特开2010－251346号公报
专利文献4:日本特开2009－84442号公报
专利文献5:日本特开2010－45070号公报
专利文献6:日本特开2008－282945号公报
发明内容
在专利文献1和专利文献2所公开的先密封技术中，通过在安装半导体芯片之前在布线基板上涂布液态树脂、或者粘贴未固化的粘合剂膜而在布线基板上形成未固化的粘合剂。此时，存在从外界气体向液态树脂或粘合剂中卷入气泡的情况。若在树脂中产生气泡，则会成为连接不良、绝缘短路的原因。另外，在使用粘合剂膜的情况下，需要以高的位置精度粘贴粘合剂膜的技术。
关于专利文献3所公开的使用掩模的方法，由于能够通过改变掩模设计而应对布线基板的设计变更等，所以是通用性优异的方法，但是存在如下课题：由于在掩模所覆盖的部分和掩模没有覆盖的部分之间产生层差、或掩模本身产生变形等原因，而产生粘贴位置的变动。另外，若增大掩模，则会产生掩模本身的加工误差、弯曲，因此不适于大量生产单一设计的方式。
关于专利文献4、5、6所公开的通常的半切割的方法，以粘合剂层具有韧性、且单独的粘合剂层能够承受拉伸、搬运等的材料为前提进行设计，但无法适用于粘合剂层脆弱、无法单独承受拉伸、搬运等的材料。
鉴于上述课题，本发明涉及在特定位置配置有单片化的粘合剂层的粘合剂片材的制造方法。特别是提供一种对粘合剂层脆弱的粘 合剂片材的制造有效的方法。
为了解决上述课题，本发明的具有单片化的粘合剂层的粘合剂片材的制造方法具有以下构成。即，
一种粘合剂片材的制造方法，该粘合剂片材在支承膜(a)上具有单片化的粘合剂层(b)，该制造方法按如下顺序具有以下工序：
工序A：对于按顺序具有支承膜(a)、粘合剂层(b)及覆盖膜(c)的粘合剂膜，通过局部半切割而局部地仅切断粘合剂层(b)及覆盖膜(c)的工序；
工序B：仅剥离上述粘合剂膜的不需要部分的覆盖膜(c)的工序；
工序C：在上述粘合剂膜的覆盖膜(c)侧粘贴胶带的工序；以及
工序D：将上述粘合剂膜的不需要部分的粘合剂层(b)及目标部的覆盖膜(c)与胶带一起剥离的工序。
在此，“不需要部分”是指被剥离而最终不会留在粘合剂片材上的部分。
本发明的使用粘合剂片材的布线基板的制造方法具有以下构成。即，
一种布线基板的制造方法，将通过上述制造方法而得到的粘合剂片材的粘合剂层(b)侧的面、与布线基板的布线侧的面进行位置对齐，通过真空层压或真空压制而制成粘合剂片材与布线基板的层合体，然后将粘合剂片材的支承膜(a)除去。
本发明的半导体装置的制造方法具有以下构成。即，
一种半导体装置的制造方法，在通过上述布线基板的制造方法而得到的布线基板上安装半导体元件。
本发明的粘合剂片材的制造装置具有以下构成。即，
一种粘合剂片材的制造装置，按顺序具有半切割装置、覆盖膜剥离装置、胶带粘贴装置及胶带剥离装置。
本发明的具有单片化的粘合剂层的粘合剂片材的制造方法中， 优选的是，支承膜(a)是在层合界面处能够剥离的2层构造。
本发明的具有单片化的粘合剂层的粘合剂片材的制造方法中，优选的是，上述胶带具有支承膜(a’)及粘合剂层(b’)，上述支承膜(a’)为聚烯烃。
本发明的具有单片化的粘合剂层的粘合剂片材的制造方法中，优选的是，上述胶带的厚度为10～40μm。
本发明的具有单片化的粘合剂层的粘合剂片材的制造方法中，优选的是，在上述工序D中的剥离中，在使胶带的弯折角度为θ1、使支承膜(a)的弯折角度为θ2的情况下，θ1和θ2满足下式(I)、(II)：
|θ1|＜|θ2|    ···(I)
|θ1|+|θ2|＜60°    ···(II)。
根据本发明的制造方法，能够制造在特定位置配置有单片化的粘合剂层的粘合剂片材。特别适于粘合剂层脆弱而需要利用支承体的保持那样的粘合剂片材的制造。
附图说明
图1是本发明的在特定位置配置有单片化的粘合剂层(b)的粘合剂片材的图。
图2是在本发明的半切割中使用的刃具的图。
图3是本发明的粘合剂膜的半切割后的剖视图。
图4是本发明的将覆盖膜(c)剥离时的不需要部分的图。
图5是本发明的粘合剂膜的覆盖膜(c)剥离后的图。
图6是本发明的使用了2层构造的支承膜的情况下的粘合剂膜的半切割后的剖视图。
图7是本发明的工序D的示意图。
图8是在支承膜(a)上连续地存在粘合剂层(b)的本发明的粘合剂片材的图。
图9是将粘合剂片材切成长条状后的图。
图10是表示本发明的工序A(对于按顺序具有支承膜(a)、粘合剂层(b)及覆盖膜(c)的粘合剂膜，通过局部的半切割而局部地仅切断粘合剂层(b)及覆盖膜(c)的工序)的例子的图，(1)是侧视图，(2)是俯视图。
图11是表示本发明的工序B(仅剥离粘合剂膜的不需要部分的覆盖膜(c)的工序)的例子的图。
图12是表示本发明的工序C(在粘合剂膜的覆盖膜(c)侧粘贴胶带的工序)的例子的图。
图13是表示本发明的工序D(将粘合剂膜的不需要部分的粘合剂层(b)及目标部的覆盖膜(c)与胶带一起剥离的工序)的例子的图。
图14是本发明的使用了2层构造的支承膜的情况下的将粘合剂膜的不需要部分剥离后的剖视图。
图15是具有8.7mm见方的开口凹部的基板的俯视图(1)和剖视图(2)。
图16是表示在具有8.7mm见方的开口凹部的基板的底部形成有单片化的粘合剂层的情况的俯视图(1)和剖视图(2)。
具体实施方式
以下，参照图1～图13说明本发明的实施方式。
本发明为一种在支承膜(a)上具有单片化的粘合剂层(b)的粘合剂片材的制造方法，其按如下顺序具有以下工序：
工序A：对于按顺序具有支承膜(a)、粘合剂层(b)及覆盖膜(c)的粘合剂膜，通过局部半切割而局部地仅切断粘合剂层(b)及覆盖膜(c)的工序；
工序B：仅剥离上述粘合剂膜的不需要部分的覆盖膜(c)的工序；
工序C：在上述粘合剂膜的覆盖膜(c)侧粘贴胶带的工序；以及
工序D：将上述粘合剂膜的不需要部分的粘合剂层(b)及目标部的覆盖膜(c)与胶带一起剥离的工序。
以下，详细说明各工序。
本发明中使用的粘合剂膜需要按顺序至少具有支承膜(a)、粘合剂层(b)及覆盖膜(c)。支承膜(a)、覆盖膜(c)的材料等没有特别限制，能够使用聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚醚砜、聚酰亚胺、聚乙烯(PE)、聚乙酸乙烯酯(PVA)等任意的材料。也可以使用在纸等上层压膜而成的层合体。可以为了调整与粘合剂层(b)的粘附力而根据需要进行基于脱模剂的表面处理，也可以使用通过UV照射等而使剥离力降低那样的膜。关于支承膜(a)、覆盖膜(c)的厚度均没有特别限定，但优选为10～200μm，更优选为20～40μm。若为10～200μm，则工序搬运所需的硬度充分，能够更充分地保持粘合剂层(b)，而且硬度也不会过强，因此不会难以弯曲等。覆盖膜(c)优选比支承膜(a)薄。其理由是，在后述的工序D中的剥离时，支承膜(a)侧的硬度强会使剥离容易。另外，对于支承膜(a)也能够使用具有能够在界面处剥离的2层构造的膜。
本发明的粘合剂层(b)的组成没有特别限制，能够使用由环氧树脂、氧杂环丁烷树脂、双马来酰亚胺树脂等热固性或光固性的树脂、或苯氧基树脂、聚醚砜、聚酰胺酰亚胺、聚酰亚胺等热塑性树脂、或者将它们混合而成的树脂形成的片材。另外，从绝缘可靠性和对于温度循环的可靠性的观点出发，可以含有填料。作为这里所说的填料，能够使用二氧化硅、氮化硅、氧化铝、氮化铝、氧化钛、氮化钛、钛酸钡等无机粒子、或橡胶和树脂等有机粒子。
本发明的粘合剂层(b)可以在常温下脆弱且在高温下具有高的流动性，100℃下的熔融粘度可以为3,000Pa·s以下。100℃下的熔融粘度为3,000Pa·s以下的粘合剂层(b)在成为高温时流动性大，能够合适地用于电路图案的埋入等，但这样的粘合剂层(b)在多数情况下脆弱。根据本发明的粘合剂片材的制造方法，即使是100℃下的熔融粘度为3,000Pa·s以下那样的粘合剂层(b)，也能够合适地 进行制造。
作为这样的粘合剂层(b)的用途，能够例示半导体安装用的非导电膜(NCF)。这是因为，NCF要求埋入微细的布线，需要通过加热而流动化从而变为低粘度。但是，与该特性相应地，在常温下脆弱，多存在通过单独的粘合剂层(b)无法承受冲切或切断、搬运等的情况。但是，根据本发明的粘合剂片材的制造方法，使用支承膜(a)进行切断等，因此能够获得良好的粘合剂片材。
粘合剂层(b)与支承膜(a)之间的粘附力没有特别限制，但优选在25℃下不足30N/m。若粘合剂层(b)与支承膜(a)之间的粘附力在25℃下不足30N/m，则能够高效率地进行后述的工序D：将上述粘合剂膜的不需要部分的粘合剂层(b)及目标部的覆盖膜(c)与胶带一起剥离的工序。
粘合剂层(b)与覆盖膜(c)之间的粘附力没有特别限制，优选在25℃下不足30N/m，并且比粘合剂层(b)与支承膜(a)之间的粘附力低。若粘合剂层(b)与覆盖膜(c)之间的粘附力在25℃下不足30N/m，则能够高效率地进行后述的工序B：仅将粘合剂膜的不需要部分的覆盖膜(c)剥离的工序；以及工序D：将所述粘合剂膜的不需要部分的粘合剂层(b)及目标部的覆盖膜(c)与胶带一起剥离的工序。另外，若粘合剂层(b)与覆盖膜(c)之间的粘附力比粘合剂层(b)与支承膜(a)之间的粘附力低，则能够抑制粘合剂层(b)的非计划的剥离等。在此，“非计划的剥离”是指，无法在期望的界面处剥离，而在不期望的界面处产生剥离的现象。
本发明中使用的粘合剂膜的制造方法的例子如下所示。首先，将作为粘合剂层(b)的原料的树脂、填料、各种添加剂以及溶剂搅拌混合而制成清漆或糊剂，并将其涂布在基底膜上。作为涂布方法，可以列举辊式涂布和狭缝涂布等。基底膜的材质没有限制，能够使用聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚醚砜、聚酰亚胺等任意的材质。在涂布后，根据需要进行干燥。另外，为了保护粘合剂面，在涂布后或干燥后，可以粘贴任意的保护膜。保护膜的材料没有特别限制， 但优选聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜或聚乙烯(PE)、聚乙酸乙烯酯(PVA)膜等，根据需要进行同样的基于脱模剂的表面处理。上述的基底膜和保护膜中的某一方成为支承膜(a)，另一方成为覆盖膜(c)。关于使哪一方成为支承膜(a)没有限制。
工序A为如下工序：对于按顺序具有支承膜(a)、粘合剂层(b)及覆盖膜(c)的粘合剂膜，通过局部半切割而局部地仅切断粘合剂层(b)及覆盖膜(c)。半切割的方法没有特别限制，能够例示使用了尖顶刃具的加压、辊加工等。在进行半切割时，需要将刃具从覆盖膜(c)侧以贯穿覆盖膜(c)和粘合剂层(b)、但不贯穿支承膜(a)的水平压入。例如，在制造图1所示那样的在特定位置配置有单片化的粘合剂层(b)的粘合剂片材的情况下，使用图2所示那样形状的刃具进行半切割。半切割后的粘合剂膜的截面如图3所示。
工序B是仅将半切割后的粘合剂膜的不需要部分的覆盖膜(c)剥离的工序。例如，在制造图1所示那样的在特定位置配置有单片化的粘合剂层(b)的粘合剂片材的情况下，图4的4a所示的区域为不需要部分的覆盖膜(c)，仅将该部分剥离。作为剥离方法，能够例示提起覆盖膜(c)等的方法。剥离的角度没有特别限制，但优选45°～90°。若为该角度，则能够在不引起粘合剂层(b)的非计划的剥离等的情况下进行剥离。在覆盖膜(c)剥离后，不需要部分露出粘合剂层(b)而成为图5所示那样的状态。
工序C是在上述粘合剂膜的覆盖膜(c)侧粘贴胶带的工序。在图5所示的状态下的粘合剂膜的整个面上粘贴胶带。胶带的粘贴方法没有特别限定，能够例示利用辊等进行按压而层压的手法等。
另外，胶带优选具有支承膜(a’)及粘合剂层(b’)。另外，作为支承膜(a’)，由于富有柔软性而能够优选使用聚烯烃。通过使用这样的富有柔软性的膜，能够更容易地抑制粘合剂层(b’)剥离时的破碎或断裂。
另外，关于支承膜(a’)的厚度，从在粘合剂层(b’)剥离时不易产生粘合剂层(b’)的断裂的观点出发，优选为25μm以下，更优 选为15μm以下。另外，从操作性的观点出发，支承膜(a’)的厚度优选为3μm以上。
另外，胶带整体的厚度没有特别限定，但优选为10～40μm。若为该范围，则能够确保搬运性，并且减少剥离时的粘合剂层(b)的破碎等。
工序D是将上述粘合剂膜的不需要部分的粘合剂层(b)及目标部的覆盖膜(c)与胶带一起剥离的工序。通过除去不需要部分的粘合剂层(b)和目标部的覆盖膜(c)，能够得到作为目标的图1所示那样的在支承膜(a)上存在有单片化的粘合剂层(b)的粘合剂片材。
对于支承膜(a)使用具有能够在界面处剥离的2层构造的膜，在工序A中的半切割时，将该2层中的与粘合剂接触的上层完全切断，将该2层中的不与粘合剂层接触的下层不完全地切断，进行这样的半切割，并在该2层的界面处进行工序D中的不需要部分的剥离，由此，能够得到图1所示那样的在支承膜(a)上存在有单片化的粘合剂层(b)的粘合剂片材。在工序D中，为了容易进行该2层的界面处的剥离，优选以使该2层间的剥离强度比粘合层与支承膜上层的界面的剥离强度小的方式选择各材料。
图6那样的构造的粘合剂片材能够优选地用于在比周围凹陷的部位粘贴单片化的粘合剂的情况，能够更优选地用于凹部深的情况或凹部空间的高宽比大、即凹部的深度比凹部开口的大小大的情况。具体而言，可以列举粘合剂片材向布线基板上被阻焊剂或布线层等包围的凹状的部位等的粘贴。在用于这样的粘贴的情况下，若具有2层构造的支承膜的上层的厚度与粘合剂层的厚度的合计为与凹部的深度相同的程度或为凹部深度以上，则能够不会产生变形或粘合剂端部的浮起地容易地在凹部底部上粘贴单片化的粘合剂。
本发明的粘合剂片材的制造方法即使在使用较脆的树脂来作为粘合剂层(b)的情况下，由于剥离时的应力而断裂的情况也很少。但是，剥离时对粘合剂层(b)的应力随着剥离角度的增大而增大， 且随着胶带硬度的增强而增大。因此，在材质相同的情况下，胶带优选在不会产生搬运困难的范围内较薄，剥离角度优选在能够剥离的范围内较小。
因此，剥离时的胶带与粘合剂片材的剥离角度优选满足如下所示的关系。即，如图7所示，在使胶带的弯曲角度为θ1、使支承膜(a)的弯曲角度为θ2时，优选使θ1、θ2同时满足下述关系。θ1定义为胶带的拉拽方向的延长线与剥离前的粘合剂片材的延长线所成的角度，θ2定义为支承膜(a)的拉拽方向的延长线与剥离前的粘合剂片材的延长线所成的角度。
|θ1|＜|θ2|    ···(I)
|θ1|+|θ2|＜60°    ···(II)
对于粘合剂层(b)与支承膜(a)剥离时所施加的应力，θ1的影响比θ2大。因此，在|θ1|+|θ2|＝定值的条件下，通过使|θ1|＜|θ2|，能够将对粘合剂层(b)的应力抑制得较小。另外，若为|θ1|+|θ2|＜60°，则剥离时对粘合剂层(b)的应力不会变得过大，能够抑制破碎或断裂等。需要说明的是，粘合剂层(b)的破碎或断裂会成为灰尘的原因，因此不仅是目标部的粘合剂层(b)，对于不需要部分的粘合剂层(b)，也优选抑制其破碎或断裂。
另外，若在剥离时为35℃以上，则粘合剂层(b)变软，从而能够抑制破碎或断裂，因此优选。另外，若为70℃以下，则粘合剂层(b)不会变得过软，从而单片化部的形状和膜厚能够得以维持，因此优选。
本发明的具有单片化的粘合剂层(b)的布线基板的制造方法为如下方法：将通过上述制造方法而得到的粘合剂片材的粘合剂层(b)侧的面、与布线基板的布线侧的面进行位置对齐，通过真空层压或真空压制而制成粘合剂片材与布线基板的层合体，然后将粘合剂片材的支承膜(a)除去。
工序D后得到的在支承膜(a)上具有单片化的粘合剂层(b)的粘合剂片材能够通过将粘合剂层(b)侧的面、与布线基板的布线 侧的面进行位置对齐并利用真空层压或真空压制而制成粘合剂片材与布线基板的层合体来使用。真空压制和真空层压在布线基板与粘合剂层(b)之间进入气泡的情况较少，能够优选使用。
对具有单片化的粘合剂层(b)的粘合剂片材的粘合剂层(b)侧的面、与布线基板的布线侧的面进行的位置对齐没有特别限定，可以通过照相机对形成在双方上的用于位置识别的特定形状进行识别而进行。另外，也可以是，通过在粘合剂片材与布线基板应重叠的特定部位在双方上设置贯穿孔、并以将这些贯穿孔贯穿的方式插入销来进行。贯穿孔可以在半切割加工时仅在该部分进行全切割而形成，也可以通过其他工序形成。
在真空压制或真空层压中，可以将单片化的多个粘合剂层(b)一起层合在布线基板上，也可以按每个单片进行。在布线基板的弯曲或层差较大的情况下等，可以通过多个压头而独立地对单片化的多个粘合剂层(b)进行压制或层压。
另外，也可以在粘合剂片材上设置不是用于与布线基板的粘合的、临时固定用的单片化的粘合剂层，进行位置对齐后紧接着的临时固定。
在层合后，通过除去粘合剂片材的支承膜(a)，能够得到在特定位置具有单片化的粘合剂层(b)的布线基板。粘合剂层(b)向布线基板的转印可以使用粘合剂片材直接进行，也可以使用将粘合剂片材切断后的单片。例如，可以制作图8所示那样的在支承膜(a)上连续地存在有粘合剂层(b)的粘合剂片材，在将其切断为目标长度而加工成图9所示那样的长条状后进行转印。
本发明的半导体装置的制造方法为在上述布线基板上安装半导体元件的方法。
上述的在特定位置具有单片化的粘合剂层的布线基板能够利用于通过将半导体元件经由粘合剂层而安装于布线基板上而制造半导体装置。例如，能够通过如下步骤制作半导体装置：使用倒装芯片接合机，将由Au或Cu形成有凸起的半导体芯片经由粘合剂层与布 线基板的布线连接，然后，通过注塑树脂将半导体芯片与布线基板密封，由此制作半导体装置。
另外，本发明的粘合剂片材的制造装置按顺序具有半切割装置、覆盖膜剥离装置、胶带粘贴装置及胶带剥离装置。
作为半切割装置，只要是对于粘合剂膜能够通过局部的半切割而局部地仅切断粘合剂层(b)及覆盖膜(c)的装置，则没有特别限定，作为例子而使用图10进行说明。
如图10所示，使用粘合剂膜抽出夹具13将粘合剂膜6的一个方向夹住并施加抽出力，由此从粘合剂膜送出辊7抽出粘合剂膜6。接着，粘合剂膜6经由搬运辊(1)8、搬运辊(2)9而被输送至粘合剂膜拉紧辊11。边通过该粘合剂膜拉紧辊11抑制粘合剂膜6的松弛边使用粘合剂膜切断刃具10将粘合剂膜6切断，由此，成为能够在吸附固定台(1)12的台上进行处理的大小。
接着，对于吸附固定台(1)12的台上的粘合剂膜6，利用安装在上部板14上的半切割用的刃具3并通过局部的半切割而局部地仅切断粘合剂层(b)及覆盖膜(c)。在此，上部板14是上下可动式的，通过使其向吸附固定台(1)12方向移动而将半切割用的刃具3按压到粘合剂膜6上，由此，能够将覆盖膜(c)、粘合剂层(b)切断并对支承膜(a)进行半切割。在制造粘合剂片材时，能够使用这些机构将残留在支承膜(a)上的粘合剂部分切离开，以安装半导体。
另外，优选在上部板14上除半切割用的刃具3外，还设置贯穿孔15形成用的刃具。由此，能够在粘合剂膜6上形成贯穿孔15，能够如上所述地用于位置对齐。需要说明的是，由于为了形成贯穿孔15不仅要将覆盖膜(c)、粘合剂层(b)切断，还需要切断支承膜(a)，所以需要使贯穿孔15形成用的刃具比半切割用的刃具3高出所需要的量。
作为覆盖膜剥离装置，只要能够仅剥离半切割后的粘合剂膜的不需要部分的覆盖膜(c)，则没有特别限定，作为例子而使用图11 进行说明。
如图11(1)所示，覆盖膜剥离装置使粘合剂膜6的支承膜(a)侧的面吸附在吸附固定台(2)16上。另外，使覆盖膜(c)吸附(粘附)臂17吸附在粘合剂膜6的端部。
如图11(2)所示，通过使覆盖膜(c)吸附(粘附)臂17向远离吸附固定台(2)的方向移动，能够使覆盖膜(c)剥离。由此，能够将半切割后的粘合剂膜6上的覆盖膜(c)剥离。此时，通过半切割而被切离开的部分的覆盖膜(c)不剥离。
作为胶带粘贴装置，只要是能够在粘合剂膜的覆盖膜(c)侧粘贴胶带，则没有特别限定，作为例子而使用图12进行说明。
从胶带卷出辊18卷出的胶带5通过胶带端部按压辊19而被按压到通过上述覆盖膜剥离装置而将不需要部分的覆盖膜(c)剥离后的粘合剂膜6上。在此，胶带层压辊20为可动式的，在与胶带端部按压辊19相邻的位置，向吸附在吸附固定台(2)16上的粘合剂膜6按压，并从该位置向右方移动(图12(1))，最终移动至粘合剂膜6的右端(图12(2))。由此，能够将胶带5层压至粘合剂膜6上。
作为胶带剥离装置，只要能够将粘合剂膜的不需要部分的粘合剂层(b)及目标部的覆盖膜(c)与胶带一起剥离，则没有特别的限定，作为例子而使用图13进行说明。
在通过上述胶带粘贴装置将胶带5层压至粘合剂膜6上后，使吸附固定台(2)16远离粘合剂膜6，并且使胶带卷出辊18、胶带端部按压辊19也远离胶带5。
图13为在胶带剥离装置中配置有剥离端部固定辊(1)22、剥离端部固定辊(2)23、剥离移动辊(1)24、剥离移动辊(2)25、剥离移动辊(3)26、剥离移动辊(4)27、剥离夹具28的图。
剥离夹具28具有能够夹住粘合剂膜6端部并向下方移动的机构。另外，以能够调整图13所示的θ1、θ2的大小的方式配置有剥离移动辊(1)24、剥离移动辊(2)25、剥离移动辊(3)26、剥离移 动辊(4)27，由此，与胶带卷绕辊21的相对位置被确定。另外，这些剥离移动辊也可以具有加热机构。
在制造粘合剂片材时，边控制θ1和θ2边使这些剥离移动辊相对于胶带卷绕辊21的相对位置向图13的左方移动。伴随该动作使胶带卷绕辊21旋转而卷绕胶带5，从而能够除去粘合剂膜6上的不需要部分的粘合剂层(b)和目标部的覆盖膜(c)。为了抑制粘合剂层(b)的破碎或断裂，也可以对这些剥离移动辊的全部或一部分进行加热，从而对粘合剂膜6进行加热。
通过以上步骤能够得到本发明的粘合剂片材。
以下，更具体地说明本发明的在支承膜(a)上具有单片化的粘合剂层(b)的粘合剂片材的制造方法，但本发明不限定于此。
各评价方法如下所述。
(1)聚酰亚胺树脂的红外吸收光谱的测定
使用堀场制作所制FT－IR720并通过KBr法进行测定。
(2)聚酰亚胺树脂的重均分子量的测定
使用凝胶渗透色谱仪(日本WATERS(株)制Waters2690)，通过聚苯乙烯换算而求出重均分子量。色谱柱使用TOSOH(株)制TOSOH TXK－GELα－2500、及α－4000，流动相(moving bed)使用N－甲基－2－吡咯烷酮(以下称为NMP)。
(3)熔融粘度的测定
将得到的样品切成的圆形，使用TA INSTRUMENTS公司制流变仪(AR－G2)，以应变1％、频率1Hz、5℃/分钟的升温速度测定熔融粘度。
(4)粘合剂层(b)与支承膜(a)、覆盖膜(c)之间的25℃下的剥离力的测定
将粘合剂膜切成20mm宽度，使用双面胶带将其支承膜(a)侧的面粘贴在SUS制的基板上。在调温至25℃的测定室中，将得到的样品放置在拉伸试验装置((株)ORIENTEC制，Tensilon)上并使 覆盖膜(c)向90°方向剥离，以剥离速度50mm/分钟向90°方向拉拽，测定剥离所需要的力，并将其作为粘合剂层(b)与覆盖膜(c)之间的25℃下的剥离力。
另外，将覆盖膜(c)从粘合剂膜剥离，使用双面胶带将粘合剂层(b)侧粘贴在SUS制的基板上。在调温至25℃的测定室中，将得到的样品放置在拉伸试验装置((株)ORIENTEC制，Tensilon)上并使支承膜(a)向90°方向剥离，以剥离速度50mm/分钟向90°方向拉拽，测定剥离所需要的力，并将其作为粘合剂层(b)与支承膜(a)之间的25℃下的剥离力。
＜聚酰亚胺树脂＞
聚酰亚胺树脂1的合成
在干燥氮气流下，使2，2－双(3－氨基－4－羟基苯基)六氟丙烷(以下，记作BAHF)24.54g(0.067摩尔)、1，3－双(3－氨基丙基)四甲基二硅氧烷(以下，记作SiDA)4.97g(0.02摩尔)、作为封端剂的苯胺1.86g(0.02摩尔)溶解于80g的NMP中。在其中将双(3，4－二羧基苯基)醚二酐(以下，记作ODPA)31.02g(0.1摩尔)与NMP20g一起加入，使其在20℃下反应1小时，然后在50℃下搅拌4小时。之后，添加15g的二甲苯，使水与二甲苯共沸，并在180℃下搅拌5小时。在搅拌结束后，将溶液投入3L水中而得到白色沉淀的聚合物。将该沉淀过滤回收，并用水清洗3次，然后使用真空干燥机在80℃下干燥20小时。测定得到的聚合物固体的红外吸收光谱，结果在1,780cm－1附近、1,377cm－1附近检测出由聚酰亚胺引起的酰亚胺结构的吸收峰。得到重均分子量约为25,000的聚酰亚胺树脂1。
聚酰亚胺树脂2的合成
在干燥氮气流下，使2，2－双(4－(3，4－二羧基苯氧基)苯基)丙烷二酐(以下称为BPADA)52g(0.1摩尔)、SiDA10.93g(0.044摩尔)、1，3‐双(3－氨基苯氧基)苯15.91g(0.055摩尔)溶解于NMP200g中。接着，在70℃下搅拌1小时。然后，在190℃ 下搅拌3小时。在搅拌结束后，将溶液投入3L水中而得到白色沉淀的聚合物。将该沉淀过滤回收，并用水清洗3次，然后使用真空干燥机在80℃下干燥100小时。测定得到的聚合物固体的红外吸收光谱，结果在1,780cm－1附近、1,377cm－1附近检测出由聚酰亚胺引起的酰亚胺结构的吸收峰。得到重均分子量约为30,000的聚酰亚胺树脂2。
＜苯氧基树脂＞
YP－50(重均分子量60,000～80,000，新日铁化学(株)制)
＜固态环氧化合物＞
157S70(商品名，三菱化学(株)制)
＜固化促进剂＞
微囊型固化促进剂NOVACURE HX－3941HP(商品名，旭化成E-MATERIALS(株)制)
＜填料＞
SO－E2(商品名，(株)ADMATECHS制，球形二氧化硅粒子、平均粒径0.5μm)
粘合剂膜1的制作及评价 
对通过合成得到的25g聚酰亚胺树脂1、30g固态环氧化合物157S70、45g固化促进剂NOVACURE HX－3941HP、100g填料SO－E2、和80g溶剂甲基异丁基酮进行调制、搅拌而进行填料及固化促进剂粒子的分散处理。将得到的粘合剂清漆使用逗号涂布器(comma coater)(涂布机)涂布在作为基底膜的厚度38μm的聚对苯二甲酸乙二醇酯膜(AL－5处理，LINTEC(株)制)的处理面上，在90℃下进行10分钟干燥而使其形成干燥厚度32μm的粘合剂层(b)。将厚度25μm的保护膜(SK－1处理，LINTEC(株)制)在70℃下贴合在粘合剂层(b)上而得到粘合剂膜1。需要说明的是，在粘合剂膜1中，基底膜成为支承膜(a)，保护膜成为覆盖膜(c)。
接下来，将覆盖膜(c)从粘合剂膜1剥离，以使粘合剂层(b)彼此相对的方式在60℃下进行贴合。重复进行将贴合后的样品的一 方的支承膜(a)剥离、并进一步进行贴合的过程而使其层合，直至粘合剂层(b)的厚度成为800μm。然后，对于将支承膜(a)剥离而得到的样品，通过流变仪测定熔融粘度，结果100℃下的熔融粘度为700Pa·s。另外，测定粘合剂膜1的支承膜(a)与粘合剂层(b)之间的剥离力，结果为10N/m，粘合剂膜1的覆盖膜(c)与粘合剂层(b)之间的剥离力为5N/m。
粘合剂膜2的制作及评价 
除了作为基底膜而使用38μm的聚对苯二甲酸乙二醇酯膜(38E－NSH，藤森产业(株)制)以外，通过与上述粘合剂膜1的制作相同的步骤而制作粘合剂膜2。在粘合剂膜2中，基底膜成为支承膜(a)，保护膜成为覆盖膜(c)。另外，与上述粘合剂膜1相同地操作并进行了评价，结果100℃下的熔融粘度为700Pa·s，支承膜(a)与粘合剂层(b)之间的剥离力为30N/m，覆盖膜(c)与粘合剂层(b)之间的剥离力为5N/m。该粘合剂膜2与粘合剂膜1的不同点为，支承膜(a)的脱模处理，由于该差异导致粘附力不同，除了这一点以外的物性与粘合剂膜1为同等程度。
粘合剂膜3的制作及评价 
对通过合成得到的25g聚酰亚胺树脂2、30g固态环氧化合物157S70、45g固化促进剂NOVACURE HX－3941HP、100g填料SO－E2、和80g溶剂甲基异丁基酮进行调制、搅拌而进行填料及固化促进剂粒子的分散处理。将得到的粘合剂清漆使用逗号涂布器(comma coater)(涂布机)涂布在作为基底膜的厚度38μm的聚对苯二甲酸乙二醇酯膜(AL－5处理，LINTEC(株)制)的处理面上，在90℃下进行10分钟干燥而使其形成干燥厚度32μm的粘合剂层(b)。将厚度25μm的保护膜(SK－1处理，LINTEC(株)制)在70℃下贴合在粘合剂层(b)上而得到粘合剂膜3。需要说明的是，在粘合剂膜3中，基底膜成为支承膜(a)，保护膜成为覆盖膜(c)。
接下来，将覆盖膜(c)从粘合剂膜3剥离，以使粘合剂层(b)彼此相对的方式在80℃下进行贴合。重复进行将贴合后的样品的一 方的支承膜(a)剥离、并进一步进行贴合的过程而使其层合，直至粘合剂层(b)的厚度成为800μm。然后，对于将支承膜(a)剥离而得到的样品，通过流变仪测定熔融粘度，结果100℃下的熔融粘度为2,500Pa·s。另外，测定粘合剂膜3的支承膜(a)与粘合剂层(b)之间的剥离力，结果为5N/m，粘合剂膜3的覆盖膜(c)与粘合剂层(b)之间的剥离力为2N/m。
粘合剂膜4的制作及评价 
对25g苯氧基树脂YP－50、30g固态环氧化合物157S70、45g固化促进剂NOVACURE HX－3941HP、100g填料SO－E2、和80g溶剂甲苯进行调制、搅拌而进行填料及固化促进剂粒子的分散处理。将得到的粘合剂清漆使用逗号涂布器(comma coater)(涂布机)涂布在作为基底膜的厚度38μm的聚对苯二甲酸乙二醇酯膜(38E－NSH，藤森产业(株)制)的处理面上，在90℃下进行10分钟干燥而使其形成干燥厚度32μm的粘合剂层(b)。将厚度25μm的保护膜(AL－5处理，LINTEC(株)制)在80℃下贴合在粘合剂层(b)上而得到粘合剂膜4。需要说明的是，在粘合剂膜4中，基底膜成为支承膜(a)，保护膜成为覆盖膜(c)。
接下来，将覆盖膜(c)从粘合剂膜4剥离，以使粘合剂层(b)彼此相对的方式在80℃下进行贴合。重复进行将贴合后的样品的一方的支承膜(a)剥离、并进一步进行贴合的过程而使其层合，直至粘合剂层(b)的厚度成为800μm。然后，对于将支承膜(a)剥离而得到的样品，通过流变仪测定熔融粘度，结果100℃下的熔融粘度为7,000Pa·s。另外，测定粘合剂膜4的支承膜(a)与粘合剂层(b)之间的剥离力，结果为10N/m，粘合剂膜4的覆盖膜(c)与粘合剂层(b)之间的剥离力为2N/m。
＜胶带＞
31B(日东电工(株)制，厚度53μm)
No.603#25((株)寺冈制作所制，总厚度：34μm，支承膜(聚酯，厚度25μm)与粘合剂层(厚度9μm)的2层构造)
No.631U#12((株)寺冈制作所制，总厚度：25μm，支承膜(聚酯，厚度12μm)与粘合剂层(厚度13μm)的2层构造)
UHP0810AT电气化学工业(株)制，总厚度：90μm，支承膜(聚烯烃，80μm)与粘合剂层(厚度10μm)的2层构造)
(实施例1)
以使覆盖膜(c)侧与制作有16个8.5mm见方的四边形刃具的尖顶刃具((株)塚谷刃具制作所制)接触的方式，将粘合剂膜1放置在该尖顶刃具之上，使用旋转模切机(rotary die cutter)((株)塚谷刃具物制作所制)进行覆盖膜(c)与粘合剂层(b)的半切割。在半切割后，拉拽覆盖膜(c)的一侧的端部，进行覆盖膜(c)的不需要部分的除去。在除去不需要部分后，使覆盖膜(c)侧为上而将粘合剂膜1固定在实验台上，使用辊将31B胶带粘贴于粘合剂膜的覆盖膜(c)侧，得到粘贴有31B胶带的片材。接着，边通过辊按压剥离部边将胶带向相对于实验台30°方向拉拽而将胶带除去。(θ1＝30°、θ2＝0°)。在剥离后，得到在支承膜(a)上形成有16个8.5mm见方的粘合剂的粘合剂片材。检查所得到的粘合剂片材的粘合剂部分的破碎等，数出没有缺损等的粘合剂的个数(成功数)。结果如表1所示。
(实施例2)
与实施例1相同地操作得到粘贴有31B胶带的片材，然后，使支承膜(a)为上侧而将样品固定在实验台上，边通过辊按压剥离部边向30°方向拉拽基底膜而将胶带除去。(θ1＝0°、θ2＝30°)。在剥离后，得到在支承膜(a)上形成有16个8.5mm见方的粘合剂的粘合剂片材。检查所得到的粘合剂片材的粘合剂部分的破碎等，数出没有缺损等的粘合剂的个数(成功数)。结果如表1所示。
(实施例3～5)
除如表1那样改变了θ1以外，与实施例1相同地操作得到粘合剂片材。检查所得到的粘合剂片材的粘合剂部分的破碎等，数出没有缺损等的粘合剂的个数(成功数)。结果如表1所示。
(实施例6～8)
除如表2那样改变了θ2以外，与实施例2相同地操作得到粘合剂片材。检查所得到的粘合剂片材的粘合剂部分的破碎等，数出没有缺损等的粘合剂的个数(成功数)。结果如表2所示。
(实施例9)
除替代31B而使用No.603#25作为胶带以外，与实施例1相同地操作得到粘合剂片材。需要说明的是，在将No.603#25粘贴于粘合剂膜的覆盖膜(c)侧时，使No.603#25的粘合剂层侧的面与覆盖膜(c)侧的面对准而进行。检查所得到的粘合剂片材的粘合剂部分的破碎等，数出没有缺损等的粘合剂的个数(成功数)。结果如表2所示。
(实施例10)
除替代31B而使用No.603#25作为胶带以外，与实施例2相同地操作得到粘合剂片材。需要说明的是，在将No.603#25粘贴于粘合剂膜的覆盖膜(c)侧时，使No.603#25的粘合剂层侧的面与覆盖膜(c)侧的面对准而进行。检查所得到的粘合剂片材的粘合剂部分的破碎等，数出没有缺损等的粘合剂的个数(成功数)。结果如表2所示。
(实施例11)
除替代31B而使用No.631U#12作为胶带以外，与实施例1相同地操作得到粘合剂片材。需要说明的是，在将No.631U#12粘贴于粘合剂膜的覆盖膜(c)侧时，使No.631U#12的粘合剂层侧的面与覆盖膜(c)侧的面对准而进行。检查所得到的粘合剂片材的粘合剂部分的破碎等，数出没有缺损等的粘合剂的个数(成功数)。结果如表3所示。
(实施例12)
除替代31B而使用No.631U#12作为胶带以外，与实施例2相同地操作得到粘合剂片材。需要说明的是，在将No.631U#12粘贴于粘合剂膜的覆盖膜(c)侧时，使No.631U#12的粘合剂层侧的面 与覆盖膜(c)侧的面对准而进行。检查所得到的粘合剂片材的粘合剂部分的破碎等，数出没有缺损等的粘合剂的个数(成功数)。结果如表3所示。
(实施例13、15)
除如表3那样改变了θ1以外，与实施例11相同地操作得到粘合剂片材。检查所得到的粘合剂片材的粘合剂部分的破碎等，数出没有缺损等的粘合剂的个数(成功数)。结果如表3所示。
(实施例14、16)
除如表3那样改变了θ2以外，与实施例12相同地操作得到粘合剂片材。检查所得到的粘合剂片材的粘合剂部分的破碎等，数出没有缺损等的粘合剂的个数(成功数)。结果如表3所示。
(实施例17)
以使覆盖膜(c)侧与制作有16个8.5mm见方的四边形刃具的尖顶刃具((株)塚谷刃具制作所制)接触的方式，将粘合剂膜2放置在该尖顶刃具之上，使用旋转模切机(rotary die cutter)((株)塚谷刃具物制作所制)进行覆盖膜(c)与粘合剂层(b)的半切割。在半切割后，拉拽覆盖膜(c)的一侧的端部，进行覆盖膜(c)的不需要部分的除去。在除去不需要部分后，使覆盖膜(c)侧为上而将粘合剂膜2固定在实验台上，使用辊将No.631U#12的粘接剂层侧的面粘贴于粘合剂膜2的覆盖膜(c)侧，得到粘贴有No.631U#12的片材。接着，边通过辊按压剥离部边将胶带向相对于实验台30°方向拉拽而将胶带除去。(θ1＝30°、θ2＝0°)。在剥离后，得到在支承膜(a)上形成有16个8.5mm见方的粘合剂的粘合剂片材。检查所得到的粘合剂片材的粘合剂部分的破碎等，数出没有缺损等的粘合剂的个数(成功数)。结果如表4所示。
(实施例18、19)
除如表4那样改变了粘合剂膜以外，与实施例17相同地操作得到粘合剂片材。检查所得到的粘合剂片材的粘合剂部分的破碎等，数出没有缺损等的粘合剂的个数(成功数)。结果如表4所示。
(实施例20)
除替代31B而使用UHP0810AT作为胶带以外，与实施例1相同地操作得到粘合剂片材。需要说明的是，在将UHP0810AT粘贴于粘合剂膜的覆盖膜(c)侧时，使UHP0810AT的粘合剂层侧的面与覆盖膜(c)侧的面对准而进行。检查所得到的粘合剂片材的粘合剂部分的破碎等，数出没有缺损等的粘合剂的个数(成功数)。结果如表5所示。
进行将所得到的粘合剂片材的单片化部分粘贴到图15(1)和(2)所示的具有8.7mm见方的开口凹部的基板的凹部底部的实验。以使粘合剂片材的单片化部分的中心与开口凹部的中心一致并使粘合剂片材的单片化部分的4边与凹部的底部的4边平行的方式使位置对齐，然后使用真空层压机(NICHIGO-MORTON(株)制CVP300T)进行粘贴。此时，在加热温度80℃、加压力0.5MPa下进行。将没有空隙和浮起地将粘合剂粘贴于凹部底部的情况作为成功，将观察到剥离或浮起的情况作为不成功。使用凹部深度X为200μm、160μm、110μm、80μm、50μm、30μm的基板进行实验，结果如表6所示。
(实施例21)
除替代31B而使用UHP0810AT作为胶带以外，与实施例2相同地操作得到粘合剂片材。需要说明的是，在将UHP0810AT粘贴于粘合剂膜的覆盖膜(c)侧时，使UHP0810AT的粘合剂层侧的面与覆盖膜(c)侧的面对准而进行。检查所得到的粘合剂片材的粘合剂部分的破碎等，数出没有缺损等的粘合剂的个数(成功数)。结果如表5所示。
(实施例22、24)
除如表5那样改变了θ1以外，与实施例20相同地操作得到粘合剂片材。检查所得到的粘合剂片材的粘合剂部分的破碎等，数出没有缺损等的粘合剂的个数(成功数)。结果如表5所示。
(实施例23、25)
除如表5那样改变了θ2以外，与实施例21相同地操作得到粘合 剂片材。检查所得到的粘合剂片材的粘合剂部分的破碎等，数出没有缺损等的粘合剂的个数(成功数)。结果如表5所示。
(实施例26)
以使覆盖膜(c)侧与制作有16个8.5mm见方的四边形刃具的尖顶刃具((株)塚谷刃具制作所制)接触的方式，将粘合剂膜2放置在该尖顶刃具之上，使用旋转模切机(rotary die cutter)((株)塚谷刃具物制作所制)进行覆盖膜(c)与粘合剂层(b)的半切割。在半切割后，拉拽覆盖膜(c)的一侧的端部，进行覆盖膜(c)的不需要部分的除去。在除去不需要部分后，使覆盖膜(c)侧为上而将粘合剂膜2固定在实验台上，使用辊将UHP0810AT的粘接剂层侧的面粘贴于粘合剂膜2的覆盖膜(c)侧，得到粘贴有UHP0810AT的片材。接着，边通过辊按压剥离部边将胶带向相对于实验台30°方向拉拽而将胶带除去。(θ1＝30°、θ2＝0°)。在剥离后，得到在支承膜(a)上形成有16个8.5mm见方的粘合剂的粘合剂片材。检查所得到的粘合剂片材的粘合剂部分的破碎等，数出没有缺损等的粘合剂的个数(成功数)。结果如表7所示。
(实施例27、28)
除如表7那样改变了粘合剂膜以外，与实施例26相同地得到粘合剂片材。检查所得到的粘合剂片材的粘合剂部分的破碎等，数出没有缺损等的粘合剂的个数(成功数)。结果如表7所示。
(实施例29)
以使覆盖膜(c)侧与制作有16个8.5mm见方的四边形刃具的尖顶刃具((株)塚谷刃具制作所制)接触的方式，将粘合剂膜1放置在该尖顶刃具之上，使用旋转模切机(rotary die cutter)((株)塚谷刃具物制作所制)进行覆盖膜(c)与粘合剂层(b)的半切割。在半切割后，拉拽覆盖膜(c)的一侧的端部，进行覆盖膜(c)的不需要部分的除去。在除去不需要部分后，使覆盖膜(c)侧为上而将粘合剂膜1固定在以使粘合剂膜1的表面温度成为30℃的方式进行控制的热板上，使用辊将31B胶带粘贴于粘合剂膜的覆盖膜(c) 侧，得到粘贴有31B胶带的片材。需要说明的是，热板的温度控制通过用热电偶对粘合剂膜1的表面温度进行测定而进行。接着，边通过辊按压剥离部边将基底膜向30°方向拉拽而将胶带除去。(θ1＝0°、θ2＝30°)。在剥离后，得到在支承膜(a)上形成有16个8.5mm见方的粘合剂的粘合剂片材。检查所得到的粘合剂片材的粘合剂部分的破碎等，数出没有缺损等的粘合剂的个数(成功数)。结果如表8所示。
(实施例30～33)
除如表8所记载的那样改变了基于热板的粘合剂膜1的表面温度以外，与实施例29相同地操作得到粘合剂片材。在实施例33中，没有观察到破碎和缺损，但观察到粘合剂层(b)的变形。
(实施例34)
将在粘合剂膜1的支承膜的与粘合剂层形成面相反一侧的面上层压粘合631S2#50((株)寺冈制作所制)的带粘附剂的PET膜(PET膜厚度50μm，算上粘附剂层的总厚度85μm，与PET膜的剥离力6.7N/m)而得到的膜作为带2层支承膜的粘合剂膜，使用其来代替粘合剂膜1，并在厚度方向上进行直到630#75的中途为止的半切割，除此之外，与实施例20相同地操作得到粘合剂片材。检查所得到的粘合剂片材的粘合剂部分的破碎等，数出没有缺损等的粘合剂的个数(成功数)。成功数在16个中为16个。所得到的粘合剂片材的单片化的部分的构造与图14所示的构造相同。
进行将所得到的粘合剂片材的单片化部分粘贴到图15(1)和(2)所示的具有8.7mm见方的开口凹部的基板的凹部底部的实验。以使粘合剂片材的单片化部分的中心与开口凹部的中心一致并使粘合剂片材的单片化部分的4边与凹部的底部的4边平行的方式使位置对齐，然后使用真空层压机(NICHIGO-MORTON(株)制CVP300T)进行粘贴。此时，在加热温度80℃、加压力0.5MPa下进行。将没有空隙和浮起地将粘合剂粘贴于凹部底部的情况作为成功，将观察到剥离或浮起的情况作为不成功。使用凹部深度X为200μm、160μm、 110μm、80μm、50μm、30μm的基板进行实验，结果如表9所示。
(比较例)
以使覆盖膜(c)侧与制作有16个8.5mm见方的四边形刃具的尖顶刃具((株)塚谷刃具制作所制)接触的方式，将粘合剂膜1放置在该尖顶刃具之上，使用旋转模切机(rotary die cutter)((株)塚谷刃具物制作所制)进行覆盖膜(c)与粘合剂层(b)的半切割。在半切割后，拉拽覆盖膜(c)的一侧的端部，进行覆盖膜(c)的不需要部分的除去。接着，不粘贴胶带地尝试除去粘合剂层(b)的不需要部分，但粘合剂层(b)无法承受拉拽而断裂，无法得到在支承膜(a)上形成有单片化的粘合剂的粘合剂片材。
[表1]
[表2]
[表3]
[表4]
[表5]
[表6]
X(μm) 200 160 110 80 50 30
成功数 0个/16个 0个/16个 0个/16个 10个/16个 15个/16个 16个/16个
[表7]
[表8]
[表9]
X(μm) 200 160 110 80 50 30
成功数 2个/16个 12个/16个 16个/16个 16个/16个 16个/16个 16个/16个
产业上的可利用性
根据本发明，能够制造在特定位置配置有单片化的粘合剂的粘合剂片材，通过将该粘合剂转印到布线基板上，能够期待向半导体的倒装芯片安装用布线基板等的展开。本发明的粘合剂片材对于半导体安装用的非导电膜(NCF)等的、流动性高且脆弱的粘合剂向布线基板的高精度粘贴是有效的。
附图标记说明 
1a  单片化的粘合剂层(b)(需要部分)
1b  不需要部分的粘合剂层(b)
2   支承膜(a)
2a  2层支承膜的上层
2b  2层支承膜下层
3   半切割用的刃具
4a  不需要部分的覆盖膜(c)
4b  需要部分的覆盖膜(c)
5   胶带
6   粘合剂膜(覆盖膜(c)/粘合剂层(b)/支承膜(a))
7   粘合剂膜送出辊
8   搬运辊(1)
9   搬运辊(2)
10  粘合剂膜切割刃具
11  粘合剂膜拉紧辊
12  吸附固定台(1)
13  粘合剂膜抽出夹具
14  上部板
15  贯穿孔
16  吸附固定台(2)
17  覆盖膜(c)吸附(粘附)臂
18  胶带卷出辊
19  胶带端部按压辊
20  胶带层压辊
21  胶带卷绕辊
22  剥离端部固定辊(1)
23  剥离端部固定辊(2)
24  剥离移动辊(1)
25  剥离移动辊(2)
26  剥离移动辊(3)
27  剥离移动辊(4)
28  剥离夹具

Claims (6)

1.一种具有单片化的粘合剂层的粘合剂片材的制造方法，所述粘合剂片材在支承膜(a)上具有单片化的粘合剂层(b)，所述粘合剂片材的制造方法按如下顺序具有以下工序：
工序A：对于按顺序具有支承膜(a)、粘合剂层(b)及覆盖膜(c)的粘合剂膜，通过局部半切割而局部地仅切断粘合剂层(b)及覆盖膜(c)的工序；
工序B：仅剥离所述粘合剂膜的不需要部分的覆盖膜(c)的工序；
工序C：在所述粘合剂膜的覆盖膜(c)侧粘贴胶带的工序；以及
工序D：将所述粘合剂膜的不需要部分的粘合剂层(b)及目标部的覆盖膜(c)与胶带一起剥离的工序，
其中，所述支承膜(a)是在层合界面处能够剥离的2层构造。
2.如权利要求1所述的具有单片化的粘合剂层的粘合剂片材的制造方法，其中，所述胶带具有支承膜(a’)及粘合剂层(b’)，所述支承膜(a’)为聚烯烃。
3.如权利要求1所述的具有单片化的粘合剂层的粘合剂片材的制造方法，其中，所述胶带的厚度为10～40μm。
4.如权利要求1所述的具有单片化的粘合剂层的粘合剂片材的制造方法，其中，在所述工序D中的剥离中，在使胶带的弯折角度为θ1、使支承膜(a)的弯折角度为θ2的情况下，θ1和θ2满足下式(I)、(II)：
|θ1|＜|θ2|···(I)
|θ1|+|θ2|＜60°···(II)。
5.一种布线基板的制造方法，其特征在于，将通过权利要求1～4中任一项所述的制造方法而得到的粘合剂片材的粘合剂层(b)侧的面、与布线基板的布线侧的面进行位置对齐，通过真空层压或真空压制而制成粘合剂片材与布线基板的层合体，然后将粘合剂片材的支承膜(a)除去。
6.一种半导体装置的制造方法，在通过权利要求5所述的布线基板的制造方法而得到的布线基板上安装半导体元件。
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