TW201402741A - 接著劑組合物、接著板片及半導體裝置之製造方法 - Google Patents

接著劑組合物、接著板片及半導體裝置之製造方法 Download PDF

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Abstract

本發明之課題係在於提供可用於製造多層包裝，於硬化後顯示優良的晶片與晶片間的接著強度，特別是在於半導體裝置，可達成很高的包裝可靠度之接著劑組合物，由該接著劑組合物所組成之單層接著薄膜，具有由該接著劑組合物所組成之接著劑層之接著板片及使用該接著板片之半導體裝置之製造方法。關於本發明之接著劑組合物，其包含：丙烯酸聚合物(A)，其具有可與異氰酸酯基反應之官能基；環氧樹脂(B)；熱硬化劑(C)；及偶合劑(D)，其具有異氰酸酯基。

Description

接著劑組合物、接著板片及半導體裝置之製造方法
本發明係關於特別適合用於切割矽晶圓等，且將所得半導體晶片接著(晶粒接合)於有機基板或導線架或者提他的半導體晶片之步驟之接著劑組合物及該接著劑組合物所組成之接著劑層之接著板片以及使用該接著板片之半導體裝置之製造方法。
矽、砷化鎵等的半導體晶圓，係以大徑的狀態製造，該晶圓係切斷分離(切割)成元件小片(半導體晶片)之後，移致下一步驟之晶粒黏著步驟。此時，半導體晶圓係以預先黏貼於接著板片的狀態，加以切割、洗淨、乾燥、擴展、拾取的各步驟之後，移至下一步驟之晶粒接合步驟。
該等步驟之中，為簡化拾取步驟與接合步驟的製程，有將晶圓固定功能與晶粒接著功能同時兼具之切割．晶粒接合用接著板片之各種提案(專利文獻1等)。揭示於專利文獻1之接著板片，可作所謂直接晶粒接合，可省略晶粒接著用接著劑之塗佈步驟。該接著劑，包含丙烯酸聚合物、含有不飽和烴基之環氧樹脂及熱硬化劑，按照必要包含矽烷偶合劑等的偶合劑。
近年對半導體裝置之要求的物性非常嚴格。例 如，在於電子零件的連接，進行包裝全體將暴露於銲錫熔點以上的高溫下的表面構裝法(回火)。再者，近年轉移到不包含鉛的銲錫，構裝溫度上升到260℃的程度。因此，構裝時在於半導體包裝內部發生的應力較先前大，而發生在於接著界面之剝離及包裝龜裂的異常的可能性變高。因此，於上述專利文獻1，作為環氧樹脂使用含有不飽和烴基之環氧樹脂，提升丙烯酸聚合物與環氧樹脂之相可溶性，改善接著可靠度。
此外，為高密度構裝，有將晶片以多層層積之包裝構造之提案。該包裝構造不只是基板與晶片之間的連接，需要晶片與晶片間的接著。於多層包裝，於晶片上經由接著劑層將晶片層積，使接著劑層硬化之後，進行打線接合，進一步逐步進行晶片的層積、接著劑層的硬化、打線接合，將晶片層積。但是，於該方法，由於在每次層積晶片進行接著劑層之硬化，而增大晶片層積數，則會增加製造步驟，而要求改善生產效率。
因此，有於晶片的層積時不進行接著劑層的硬化，使接著劑層以未硬化或半硬化的狀態進行層積及打線接合，將所有的晶片層積之後，藉由利用模壓封裝步驟時長時間暴露於高溫中，將接著劑層一口氣硬化之研究。但是，採用該製法時，於打線接合時，接著劑層係於未硬化或半硬化的狀態。由於在打線接合時，需要150℃以上的高溫，故接著劑層有部分硬化之情形。該不期望的硬化時，由於並未加壓，故當接著劑層硬化，則不單只是失去接著力，亦會招致接著強度之下降。由如此之情況，期望晶片與晶片間的接著性優良，可提高可靠度之接著劑層。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
專利文獻1：日本特開2008-133330號公報
因此，本發明係以可用於製造多層包裝，於硬化後顯示優良的晶片與晶片間的接著強度，特別是在於半導體裝置，可達成很高的包裝可靠度之接著劑組合物，由該接著劑組合物所組成之單層接著薄膜，具有由該接著劑組合物所組成之接著劑層之接著板片及使用該接著板片之半導體裝置之製造方法為目標。
解決上述課題之本發明，包含以下的要點。
〔1〕一種接著劑組合物，包含：丙烯酸聚合物(A)，其具有可與異氰酸酯基反應之官能基；環氧樹脂(B)；熱硬化劑(C)；及偶合劑(D)，其具有異氰酸酯基。
〔2〕根據〔1〕之接著劑組合物，其中上述官能基係羥基。
〔3〕一種單層接著薄膜，由上述〔1〕或〔2〕之接著劑組合物所組成。
〔4〕一種接著板片，由上述〔1〕或〔2〕之接著劑組合物所組成之接著劑層，可剝離地形成於支持體上。
〔5〕根據〔4〕之接著板片，其中支持體係樹脂薄膜。
〔6〕根據〔4〕之接著板片，其中支持體係具有接著劑層之接著板片。
〔7〕一種半導體裝置之製造方法，包含：將上述〔4〕~〔6〕之任何一項之接著板片之接著劑層貼附於半導體晶圓，將上述半導體晶圓及接著劑層切割作成半導體晶片，使接著劑層固著殘存於上述半導體晶片再由支持體將接著劑層剝離，將上述半導體晶片經由上述接著劑層接著於晶粒墊部或其他的半導體晶片上之步驟。
根據本發明，將晶片相互或晶片與基板相互接著，特別是晶片相互之接著性優良。因此，即使是在製造多層包裝時採用將硬化接著劑層一口氣硬化之製程時，可以優良的接著強度將半導體晶片與其他半導體晶片或基板接合，即使在於苛刻的環境下，亦可得到顯示很高的包裝可靠度之半導體裝置。
以下，進一步具體說明關於本發明之接著劑組合物、接著板片及使用該板片之半導體裝置之製造方法。
(接著劑組合物)
關於本發明之接著劑組合物，係包含：可與異氰酸酯基反應之官能基丙烯酸聚合物(A)(以下，亦稱為「(A)成分」。關於其他成分亦相同。)；環氧樹脂(B)；熱硬化劑(C)；及具有異氰酸酯基之偶合劑(D)，作為必須成分，為改良種物性，亦可按照必要含有其他成分。以下，具體說明該等各成分。
(A)丙烯酸聚合物
丙烯酸聚合物(A)，具有可與異氰酸酯基反應的官能基(以下，有記載為「反應性官能基」之情形。)。丙烯酸聚合物(A)藉由具有反應性官能基，丙烯酸聚合物(A)可經由反應性官能基與後述之偶合劑(D)所具有的異氰酸酯基鍵結。此外，偶合劑(D)於異氰酸酯基以外，由於具有可與無機物反應之官能基，故將與黏貼於該接著劑組合物所組成之接著劑層之被著體(半導體晶圓、半導體晶片或基板等)結合。因此，丙烯酸聚合物(A)，係經由偶合劑(D)與被著體結合，可使被著體相互強固地結合。結果，可提高半導體裝置之可靠度。此外，反應性官能基，使用有機多價異氰酸酯化合物作為後述之架橋劑時，亦與有機多價異氰酸酯化合物反應，形成架橋構造。
反應性官能基，可舉羥基、羧基、或胺基等，以羥基為佳。具有羥基之丙烯酸聚合物，與後述之環氧樹脂(B)之相溶性佳。
構成丙烯酸聚合物(A)之單體，使用具有反應性官能基之單體。具有羥基之單體，可舉具有羥基之(甲基)丙烯酸酯。
具有羥基之(甲基)丙烯酸酯，可舉(甲基)丙烯酸羥基甲酯、(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸4-羥基丁酯等。
具有羥基之(甲基)丙烯酸酯以外的具有羥基之單體，可舉乙烯醇，或N-羥甲基丙烯醯胺等。具有羧基之單體，可舉(甲基)丙烯酸、馬來酸、富馬酸等。
丙烯酸聚合物(A)，作為構成此之其他單體，係至少具有(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸丁酯等的(甲基)丙烯酸烷酯；(甲基)丙烯酸環烷酯、(甲基)丙烯酸苄基酯、(甲基)丙烯酸異冰片酯、(甲基)丙烯酸二環戊酯、(甲基)丙烯酸二環戊烯酯、(甲基)丙烯酸二環戊烯氧乙酯、醯亞胺(甲基)丙烯酸酯等之具有環狀骨架之(甲基)丙烯酸酯等之不具有反應性官能基之(甲基)丙烯酸酯之一種以上。該等可以1種單獨，亦可並用2種以上。
在於丙烯酸聚合物(A)，來自具有反應性官能基之單體之構成單位，以1~50質量%的範圍包含為佳，以2~25質量%之範圍包含更佳。本發明之接著劑組合物，含有有機多價異氰酸酯化合物作為架橋劑時，使在於丙烯酸聚合物(A)，來自具有反應性官能基之單體之構成單位在上述範圍，反應性官能基與架橋劑(G)所具有之官能基(異氰酸酯基)反應形成三維網狀構造，可提高丙烯酸聚合物(A)之架橋密度。結果，可得具有優良的剪強度之接著劑組合物。此外，由於接著劑組合物的吸水性為降低，而可得包裝可靠度優良之半導體裝置。
在於丙烯酸聚合物(A)，來自不具有反應性官能基之(甲基)丙烯酸酯之構成單位，通常以50~99質量%的範圍包含，以70~90質量%之範圍包含為佳。
此外，與具有上述反應性官能基之單體及不具有反應性官能基之(甲基)丙烯酸酯一起，在不損及本發明之目的的範圍，亦可使用醋酸乙烯酯、丙烯腈、苯乙烯等，作為構成丙烯酸聚合物(A)之單體。
丙烯酸聚合物(A)之重量平均分子量(Mw)，以1萬~200萬為佳，以10萬~150萬更佳。丙烯酸聚合物(A)之重量平均分子量過低，則接著劑層與支持體之接著力變高而有發生晶片的拾取不良之情形。丙烯酸聚合物(A)之重量平均分子量過高，則有接著劑層無法追隨被著體之凹凸，成為空隙等之發生要因之情形。丙烯酸聚合物(A)之重量平均分子量，係以凝膠滲透層析(GPC)法測定之聚苯乙烯換算值。
丙烯酸聚合物(A)之玻璃轉移溫度(Tg)，以-60~70℃為佳，以-30~50℃更佳，進一步以0~30℃為佳。丙烯酸聚合物(A)之Tg過低，則接著劑層與支持體之剝離力變大而有發生晶片的拾取不良之情形。丙烯酸聚合物(A)之Tg過高，則有用於固定晶圓之接著力不充分之虞。
丙烯酸聚合物(A)，於接著劑組合物之全質量中，以50質量%以上的比例包含為佳。藉由以如此之構成，將接著劑層用於一口氣硬化製程時成為較佳的狀態。因為，採用如此之製程時，於打線接合時，接著劑層係在於未硬化或半硬化的狀態。因此，於打線接合時，晶片因振動而位移，特別是將晶片與晶片相互層積時，晶片間的接著性下降，結果有使半導體裝置之可靠度下降之情形。藉由丙烯酸聚合物(A)以上述比例含於接著劑組合物，有使接著劑層具有適當的彈性，抑制振動或位移之趨勢。如此地，為確保步驟適性而增加丙烯酸聚合物(A)之含量時，相對地硬化性成分(環氧樹脂(B)與熱硬化劑(C))之量會變少。因此，有硬化不足的可能性，但本發明之接著劑組合物，由於丙烯酸聚合物(A)與偶合劑(D)鍵結，可消除如此 之硬化不足之問題。加上，丙烯酸聚合物(A)於接著劑組合物中的存在量的增加，亦意味著接著劑組合物中的反應性官能基的存在量的增加。因此，可增加丙烯酸聚合物(A)與偶合劑(D)之鍵結密度。丙烯酸聚合物(A)，於接著劑組合物之全質量中，以60~90質量%的比例包含更佳，進一步以65~80質量%的比例包含為佳。
於丙烯酸聚合物(A)，亦可加成反應性雙鍵鍵結基。具有反應性雙鍵鍵結基之丙烯酸聚合物，可藉由紫外線照射使反應性雙鍵鍵結基鍵結，形成架橋構造。反應性雙鍵鍵結基，以具有反應性之乙烯基、烯丙基或(甲基)丙烯醯基為佳，反應性雙鍵鍵結基可以一般的法導入丙烯酸聚合物(A)。藉由將該反應性雙鍵鍵結基導入丙烯酸聚合物(A)，例如將本發明之接著板片，用於作為切割．晶粒接合板片，貼附於晶圓之後，藉由於切割步驟前照射紫外線等的能量線，可使具有反應性雙鍵鍵結基之丙烯酸聚合物(A)反應，而預備硬化。藉由進行預備硬化，於硬化前接著劑層相對較軟化故晶圓的貼附性佳，且在切割時具有適度的硬度，可防止接著劑對切割刀的附著及其他的異常。此外，亦可控制支持體(樹脂薄膜或切割帶)，於接著劑層之界面之剝離性。再者，於預備硬化狀態，硬度變得較未硬化狀態高，故可提升打線接合時的穩定性。再者，藉由該預備硬化所得之效果，於調合後述之反應性雙鍵鍵結基之環氧樹脂、具有反應性雙鍵鍵結基之熱硬化劑或能量線聚合性化合物(I)時，亦可同樣地得到。
(B)環氧樹脂
環氧樹脂(B)，可使用先前習知之各種環氧樹脂。環氧樹脂，可舉雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、亞苯基骨架型環氧樹脂、酚酚醛型環氧樹脂、甲酚酚醛型環氧樹脂、二環戊二烯型環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂、三酚甲烷型環氧樹脂、雜環型環氧樹脂、二苯基乙烯型環氧樹脂、縮合環芳香烴變性環氧樹脂、或該等的鹵化物等的，構造單位中包含二個以上的官能基之環氧樹脂。該等環氧樹脂可以1種單獨或並用2種以上。
環氧樹脂(B)，於接著劑組合物100質量%中，以3~50質量%為佳，以5~40質量%更佳，進一步以5~35質量%的範圍的量使用為佳。環氧樹脂(B)之比例未滿3質量%，則有無法得到具有充分的接著力之接著劑層之情形。此外，環氧樹脂(B)之比例超過50質量%，則失去造膜性，有無法將接著劑層作成板片狀，而難以製造切割．晶粒接合板片之情形。
如上所述，接著劑組合物之全質量中的丙烯酸聚合物(A)之比例為既定以上，可得提升接著劑層之打線接合適性之效果，或增加丙烯酸聚合物(A)與偶合劑(D)之鍵結密度之效果。用於獲得如此之效果之接著劑組合物之設計指標，通常由採用丙烯酸聚合物(A)與環氧樹脂(B)作為接著劑組合物之主要成分，調合於接著劑組合物之質量比例之觀點討論，則其比例(A：B)以50：50~95：5為佳，以65：35~90：10更佳，以70：30~85：15特別佳。
環氧樹脂(B)，亦可具有下述骨架。
式中，X係選自由可為相同亦可不同之-O-(醚)、-COO-(酯)、-OCO-(酯)、-OCH(CH3)O-(縮醛)之二價的基，以-O-，或-OCH(CH3)O-為佳。
R，係選自由可為相同亦可不同之亞烷基、聚醚骨架、聚丁二烯骨架、聚異戊二烯骨架之二價基，亞烷基或聚醚骨架，亦可分別具有側鏈，此外，亦可為含有環烷骨架之構造。 二價的基R，較佳的是例如，具有-(CH2CH2)-(OCH2CH2)m-、或-(CH(CH3)CH2)-(OCH(CH3)CH2)m-之構造式(m為0~5)之亞烷基或醚骨架，具體可舉，亞乙基、亞丙基之亞烷基，或亞乙基氧亞乙基、二(亞乙基氧)乙基、三(亞乙基氧)乙基、亞丙基氧丙基、二(亞丙基氧)丙基、三(亞丙基氧)丙基等的多醚骨架。
在於本發明之接著劑組合物，環氧樹脂(B)，使用具有反應性雙鍵鍵結基之環氧樹脂為佳。該環氧樹脂(B)，由於具有反應性雙鍵鍵結基，與環氧樹脂相比與具有反應性雙鍵鍵結基之丙烯酸聚合物(A)及後述的偶合劑(D)之相溶性高。此外，使用該環氧樹脂時，有較只有包含不具有反應性雙鍵鍵結基之環氧樹脂之接著劑組合物可提升可靠度的趨勢。
反應性雙鍵鍵結基，可舉可對上述丙烯酸聚合物(A)加成者之相同者。此外，具有反應性雙鍵鍵結基之環氧樹脂，與上述反應性雙鍵鍵結基之丙烯酸聚合物同樣地，可藉由紫外線、電子線等的能量線的照射而聚合硬化。
(C)熱硬化劑
熱硬化劑(C)，可作用作為對環氧樹脂(B)之硬化劑。熱硬化劑(C)，可舉於分子中具有2個以上可與環氧基反應之官能基之化合物，如此之官能基，可舉酚性羥基、醇性羥基、胺基、羧基、酸酐基等。該等之中，以酚性羥基、胺基及酸酐基為佳，以酚性羥基及胺基更佳。包含具有胺基之熱硬化劑(胺系熱硬化劑)之接著劑層，由於吸濕性有較包含具有酚性羥基之熱硬化劑(酚系無硬化劑)之接著劑層高，故投入濕熱無條件後之接著劑層的接著性的下降較大，而含有酚系熱硬化劑之接著劑層耐濕熱性高，故投入溫熱條件後的接著劑層的接著性的下降較小。因此，熱硬化劑(C)，以於分子中具有2個以上可與環氧基反應之酚性羥基之化合物特別佳。
硬化劑(C)之具體例，可舉多官能系酚樹脂、雙酚、酚醛型酚樹脂、二環戊二烯系酚樹脂、三酚甲烷型酚樹脂、芳烷基酚樹脂等的酚性熱硬化劑；DICY(雙氰胺)等之胺系硬化劑。硬化劑(C)可以1種單獨使用，亦可並用2種以上。
熱硬化劑(C)，亦可使用具有反應性雙鍵鍵結基之硬化劑。具有反應性雙鍵鍵結基之硬化劑，可舉例如，將酚樹脂之羥基之一部分，以包含反應性雙鍵鍵結基之基取代而成之化合物或，包含反應性雙鍵鍵結基之基直接鍵結於酚樹脂之芳香環之化合物等。反應性雙鍵鍵結基，可舉與上述可對丙烯酸聚合物(A)加成者之相同者。具有反應性雙鍵鍵結基之硬化劑(C)，與上述具有反應性雙鍵鍵結基之丙烯酸聚合物同樣地，可藉由紫外線、電子線等的能量線的照射聚合硬化。
在於本發明之接著劑組合物，硬化劑(C)之含量， 對環氧樹脂(B)100質量部，通常為0.1~500質量部，以1~200質量部為佳。硬化劑(C)地含量低於上述範圍，則有接著劑組合物之硬化性不足而無法得到具有充分的接著能力之接著劑層之情形。硬化劑(C)之含量超過上述範圍，則接著劑組合物之吸濕率上升，而有降低半導體包裝的可靠度之情形。
(D)偶合劑
偶合劑(D)，係具有異氰酸酯基。具有異氰酸酯基之偶合劑，可舉3-異氰酸酯基丙基三乙氧基矽烷、異氰酸酯基甲基甲基二丁氧基矽烷、異氰酸酯基甲基三乙氧基矽烷等。該等之市售品，可舉例如3-異氰酸酯基丙基三乙氧基矽烷(信越化學工業公司KBE-9007)。接著劑組合物，藉由含有偶合劑(D)，異氰酸酯基與丙烯酸聚合物(A)所具有的反應性官能基鍵結，另一方面烷氧基等可與無機物質鍵結之官能基，會與被著體表面鍵結，故可發揮可提升接著劑層組合物與被著體之接著性之本發明的效果，而可提升包裝的可靠度。
丙烯酸聚合物(A)，對環氧樹脂(B)及熱硬化劑(C)之合計100質量部，上述偶合劑以0.001~10質量部為佳，以以0.005~10質量部更佳，進一步以0.01~5質量部的範圍包含為佳。此外，對丙烯酸聚合物(A)100質量部，以0.1~2質量部為佳，以0.3~1.5質量部更佳，進一步以0.4~1.3質量部的範圍包含為佳。上述偶合劑的量過多，則有接著劑組合物受熱時偶合劑揮發而成為發生空隙之原因之情形。另一方面，偶合劑的量過少，則無法充分發揮偶合劑的添加效果。藉由使偶合劑(D)的量在於上述範圍，可使提升接著劑層組合物與被著體之 接著性之本發明之效果更加發揮，可進一步提升包裝可靠度。
其他的成分
接著劑組合物，加上上述成分亦可含有下述成分。
(E)光聚合起始劑
接著劑組合物，含有光聚合起始劑為佳。接著劑組合物，含有：作為丙烯酸聚合物(A)之具有反應性雙鍵鍵結基之丙烯酸聚合物；作為環氧樹脂(B)之具有反應性雙鍵鍵結基之環氧樹脂；作為熱硬化劑(C)之具有反應性雙鍵鍵結基之熱硬化劑；或後述之能量線聚合性化合物(I)(以下有一併稱為「具有反應性雙鍵鍵結基之丙烯酸聚合物(A)等」之情形。)時，藉由含有光聚合起始劑，可有效地以能量線照射進行該等成分的聚合。
光聚合起始劑(E)，具體可舉，二苯甲酮、苯乙酮、安息香、安息香甲醚、安息香乙醚、安息香異丙醚、安息香異丁醚、安息香苯甲酸、安息香苯甲酸甲酯、安息香二甲基酮、2,4-二乙基噻吨酮、α-羥基環己基苯基酮、苄基二苯基硫醚、四甲基秋蘭姆單硫醚、偶氮二異丁腈、苯基乙二酮、二苯基乙二酮、二苄基甲酮、1,2-二苯基甲烷、2-羥基-2-甲基-1-[4-(1-甲基乙烯基)苯基]丙酮、2,4,6-三甲基苄基二苯基氧化膦及及β-氯蒽醌等。光聚合起始劑(E)可以1種單獨或組合2種以上。
使用光聚合起始劑(E)時，其調合比例，只要基於上述具有反應性雙鍵鍵結基之丙烯酸聚合物、具有反應性雙鍵鍵結基之環氧樹脂、具有反應性雙鍵鍵結基之熱硬化劑、及能量線聚合性化合物(I)所具有的反應性雙鍵鍵結基的量，適宜設定即可。並無限定，例如，對具有反應性雙鍵鍵結基之丙烯酸 聚合物、具有反應性雙鍵鍵結基之環氧樹脂、具有反應性雙鍵鍵結基之熱硬化劑、及能量線聚合性化合物(I)之合計100質量部，通常為0.1~10質量部，以1~5質量部為佳。光聚合起始劑(E)之含量，低於上述範圍，則光聚合不足而有無法得到滿足的反應之情形，超過上述範圍，則生成不參與光聚脂殘留物，有使接著劑組合物之硬化性不充分之情形。
(F)硬化促進劑
硬化促進劑(F)，係用於調整樹脂膜形成層之硬化速度。較佳的硬化促進劑，可舉三亞乙基二胺、苄基二甲基胺、三乙醇胺、二甲基胺基乙醇、三(二甲基胺基甲基)酚等之3級胺類；2-甲基咪唑、2-苯基咪唑、2-苯基-4-甲基咪唑、2-苯基-4,5-二羥基甲基咪唑、2-苯基-4-甲基-5-羥基甲基咪唑等的咪唑類；三丁基膦、二苯基膦、三苯基膦等的有機膦類；四苯基鏻四苯基硼酸酯、三苯基鏻四苯基硼酸酯等的四苯基硼酸鹽等。該等可以1種單獨或混合2種以上使用。
使用硬化促進劑(F)時，硬化促進劑(F)，對環氧樹脂(B)100質量部，包含0.01~10質量部為佳，進一步以0.1~1質量部的量為佳。藉由以上述範圍的量包含硬化促進劑(F)，即使暴露於高溫度高濕度下亦可具有優良的接著性，即使暴露於嚴酷的回焊條件時，亦可達成很高的可靠度。硬化促進劑(F)之含量少，則有硬化不足或無法得到充分的接著性，過剩則具有很高的極性的硬化促進劑在高溫度高濕度下在樹脂膜形成層中移向接著界面側，因偏析而降低包裝的可靠度。
(G)架橋劑
接著劑組合物，為調節接著劑層之初期接著力及凝聚力，亦可架橋劑(G)。再者，調合架橋劑時，於上述丙烯酸聚合物(A)，包含可與架橋劑反應之官能基。
架橋劑(G)可舉有機多價異氰酸酯化合物、有機多價亞胺化合物等。
架橋劑(G)為有機多價異氰酸酯化合物時，丙烯酸聚合物(A)所有的反應性官能基兼作與架橋劑反應之官能基之功能。
上述有機多價異氰酸酯化合物，可舉芳香族多價異氰酸酯化合物、脂肪族多價異氰酸酯化合物、脂環族多價異氰酸酯化合物及該等有機多價異氰酸酯化合物之三聚物、及使該等有機多價異氰酸酯化合物與多元醇化合物反應而得之末端異氰酸酯尿烷預聚合物等。
有機多價異氰酸酯化合物，具體可舉2,4-亞甲苯基異氰酸酯、2,6-亞甲苯基異氰酸酯、1,3-亞甲苯基二異氰酸酯、1,4-二甲苯二異氰酸酯、二苯甲烷-4,4'-二異氰酸酯、二苯甲烷-2,4'-二異氰酸酯、3-甲基二苯甲烷二異氰酸酯、六亞甲基異氰酸酯、異佛爾酮二異氰酸酯、二環己基甲烷-4,4'-二異氰酸酯、二環己基甲烷-2,4'-二異氰酸酯、及該等的多元醇加成體、以及賴氨酸異氰酸酯。
在於本發明之丙烯酸聚合物(A)，由於具有可與異氰酸酯塞反應之官能基，使用異氰酸酯系的架橋劑為佳。藉此，架橋劑與丙烯酸聚合物(A)發生反應，可簡便地對接著劑導入架橋構造。
上述有機多價亞胺化合物，可舉N,N'-二苯甲烷 -4,4'-雙(1-氮丙啶基羧基醯胺)、三羥甲基丙烷-三-β-氮丙啶基丙酸酯、四羥甲基甲烷-三-β-氮丙啶基丙酸酯及N,N'-甲苯-2,4-雙(1-氮丙啶基羧基醯胺)三亞乙基三聚氰胺等。
丙烯酸系聚合物(A)，具有羧基作為反應性官能基時，藉由使用有機亞胺化合物作為架橋劑與羧基反應。即，羧基亦可作用作為與架橋劑反應之官能基。藉此，可對接著劑導入架橋構造。
使用架橋劑(G)時，架橋劑(G)對丙烯酸聚合物(A)100質量部，通常為0.01~20質量部，以0.1~10質量部為佳，以0.5~5質量部的比例使用更佳。
(H)填充劑
為調整硬化後的接著劑層的硬度，於接著劑組合物，亦可含有填充劑。填充劑，以所謂無機填充劑或有機填充劑均可，由耐熱性的觀點使用無機填充劑為佳。
填充劑的材質，二氧化矽、氧化鋁、碳酸鈣、矽酸鈣、氫氧化鎂、氫氧化鋁、氧化鈦、碳黑、滑石、雲母或黏土等。其中以二氧化矽為佳。
上述填充劑之平均粒徑，以0.005~2μm的範圍內為佳。上述填充劑之平均粒徑在於上述範圍時，可不損及與半導體晶圓的貼附性地發揮接著性。再者，上述「平均粒徑」，係表示以雷射繞射．散射法所測定之體積平均徑。
對丙烯酸聚合物(A)、環氧樹脂(B)、熱硬化劑(C)之合計100質量，以5~100質量部的範圍包含上述填充劑為佳。上述填充劑的量過多，則有對晶圓的貼附性或對基板的接 善性變差之情形。上述填充劑粒子的量過少，則有無法充分發揮填充劑的添加效果之情形。
接著劑層以如此之範圍含有填充劑(H)，則即使接著劑層在於未硬化或半硬化狀態，亦容易得到可耐打線接合時的振動的程度的彈性模數。因此，抑制晶片在打線接合時的振動，位移，有可穩定地實施打線接合之趨勢。
此外，本發明之接著劑組合物，由於含有偶合劑(D)，偶合劑(D)之可與無機物質鍵結之官能基與填充劑(D)之表面鍵結，而丙烯酸聚合物(A)與填充劑鍵結之情形。此時，可提升硬化後的接著劑層之凝聚性。
(I)能量線聚合性化合物
於接著劑組合物，亦可調合能量線聚合性化合物。能量線聚合性化合物(I)，係包有反應性雙鍵鍵結基，受到紫外線、電子線等的能量線的照射而聚合硬化。如此之能量線聚合性化合物(I)，具體可舉三羥甲基丙烷三丙烯酸酯、異戊四醇三丙烯酸酯、異戊四醇四丙烯酸酯、二異戊四醇單羥基五丙烯酸酯、二異戊四醇六丙烯酸酯或1,4-丁二醇二丙烯酸酯、1,6-己二醇二丙烯酸酯、聚乙二醇二丙烯酸酯、寡聚酯丙烯酸酯、尿烷丙烯酸酯系寡聚物、環氧變性丙烯酸酯、聚醚丙烯酸酯及依康酸寡聚物等之丙烯酸酯系化合物。如此之化合物，係於分子內至少具有一個聚合性雙鍵鍵結，通常，重量平均分子量為100~30000，以300~10000程度為佳。使用能量線聚合性化合物(I)時，其調合量，並無特別限定，於接著劑組合物之固體分全質量中，以1~50質量%程度的比例使用為佳。
(J)熱塑性樹脂
於接著劑組合物，亦可使用熱塑性樹脂(J)。熱塑性樹脂(J)係為保持樹脂膜形成層硬化後的可饒性而調合。熱塑性樹脂(J)，以重量平均分子量1000~10萬者為佳，進一步以3000~8萬者為佳。藉由含有熱塑性樹脂(J)，在於半導體晶片的拾取步驟可容易地進行支持體與接著劑層之層間剝離，進一步接著劑層可追隨晶圓的凹凸而可抑制空隙等的發生。
熱塑性樹脂(J)之玻璃轉移溫度，以-30~150℃為佳，進一步以-20~120℃的範圍為佳。熱塑性樹脂(J)之玻璃轉移溫度過低，則接著劑層與支持體之剝離力變大而有發生拾取不良之情形，過高則有用於固定晶圓之接著力變得不充分之虞。
熱塑性樹脂(J)，可舉聚酯樹脂、尿烷樹脂、苯氧基樹脂、聚丁烯、聚丁二烯、聚苯乙烯等。該等，可以1種單獨或混合2種以上使用。
使用熱塑性樹脂(J)時，其調合量對丙烯酸聚合物(A)、環氧樹脂(B)及熱硬化劑(C)之合計100質量部，以1~300質量部為佳，進一步以2~100質量部的範圍為佳。藉由使熱塑性樹脂(J)之含量在於該範圍，可得上述效果。
(K)其他的偶合劑
此外，於接著劑組合物，在上述偶合劑(D)以外，亦可調合不具有異氰酸酯基之偶合劑。如此之偶合劑(K)，可舉沒有異氰酸酯基之矽烷偶合劑，具體可舉γ-縮水甘油基丙基三甲氧基矽烷、γ-縮水甘油基丙基甲基二乙氧基矽烷、β-(3,4-環氧環己 基)乙基三甲氧基矽烷、γ-(甲基丙烯醯氧丙基)三甲氧基矽烷、γ-胺基丙基三甲氧基矽烷、N-6-(胺基乙基)-γ-胺基丙基三甲氧基矽烷、N-6-(胺基乙基)-γ-胺基丙基甲基二乙氧基矽烷、N-苯基胺基丙基三甲氧基矽烷、γ-丙基三乙氧基矽烷、γ-胇基丙基三甲氧基矽烷γ-胇基丙基甲基二甲氧基矽烷、雙(3-三乙氧基矽基丙基)四硫化物、甲基三甲氧基矽烷、甲基三乙氧基矽烷、乙烯三甲氧基矽烷、乙烯三乙酸基矽烷、咪唑矽烷等。該等可以1種單獨或混合2種以上使用。使用偶合劑(K)時，對丙烯酸聚合物(A)、環氧樹脂(B)及熱硬化劑(C)之合計100質量部，其他的偶合劑(K)，以0.001~10質量部為佳，進一步以0.005~10質量部為佳，以0.01~5質量部的範圍包含特別佳。
(L)泛用添加劑
接著劑組合物，於上述以外，亦可按照必要調合各種添加劑。各種添加劑，可舉可塑劑、帶電防止劑、氧化防止劑、顏料、染料、除氣劑等。
如上所述由各成分組成之接著劑組合物所組成之接著劑層，具有感壓接著性與加熱硬化性，於未硬化狀態可對各被著體以常溫輕押，按加熱使之軟化而貼附。此外，丙烯酸聚合物(A)與偶合劑(D)鍵結，而偶合劑(D)與晶片或基板鍵結。因此，即使在製造多層包裝時，採用將接著劑層一口氣硬化之製程時，亦可將半導體晶片以優良的接著強度與其他的半導體晶片或基板接合，可得顯示很高的包裝可靠度之半導體裝置。於接著劑層包含具有反應性雙鍵鍵結基之丙烯酸聚合物(A)等時，亦具有能量線硬化性，可於本硬化之前可藉由能量線照射 預備硬化。藉由預備硬化使接著劑層的硬度增加，可提升打線接合時之穩定性。
接著劑組合物，可為將此製膜而成之單層之接著薄膜，較佳的是由由上述接著劑組合物所組成之接著劑層可剝離地形成於支持體上而得之接著板片。
(接著板片)
以下，以接著劑層可剝離地形成於支持體上而得之接著板片為例，說明其良好的態樣及使用態樣。使用接著劑層可剝離地形成於支持體上而得之接著板片時，將接著劑層接著於晶圓、晶片等的被著體，將支持體剝離，將接著劑層轉印於被著體。關於本發明之接著板片之形狀，可為帶狀、標籤狀等的任何形狀。支持體，可為表面不具有黏性樹脂薄膜，此外，亦可為所謂切割板片(具有接著劑層之接著板片)。
可使用於作為接著板片之支持體之樹脂薄膜，可舉例如，聚乙烯薄膜、聚丙烯薄膜、聚丁烯薄膜、聚丁二烯薄膜、聚甲戊烯薄膜、聚氯乙烯薄膜、氯乙烯共聚物薄膜、聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜、聚萘二甲酸乙二醇酯薄膜、聚對苯二甲酸丁二醇酯薄膜、聚氨酯薄膜、乙烯醋酸乙烯酯共聚物薄膜、離聚物樹脂薄膜、乙烯．(甲基)丙烯酸共聚物薄膜、乙烯．(甲基)丙烯酸酯共聚物薄膜、聚苯乙烯薄膜、聚碳酸酯薄膜、聚醯亞胺薄膜、氟樹脂薄膜等的薄膜。此外，亦可使用該等的架橋薄膜。再者亦可為該等的層積薄膜。此外，可使用將該等著色之薄膜。接著劑層具有能量線硬化性時，以具有能量線穿透性者為佳。此外，貼附接著板片之間，有視認貼附之被著體之 表面之必要時，具有可見光穿透性(透明或半透明)為佳。
關於本發明之接著板片，係貼附於各種被著體，對被著體施以所需加工之後，接著劑層，係以固著殘存於被著體的狀態由支持體剝離。即，將接著劑層，使用於包含由支持體轉印於被著體之步驟之製程。因此，與支持體(樹脂薄膜)接觸之接著劑層之面的表面張力，以40mN/m以下為佳，進一步以37mN/m以下為佳，以35mN/m以下特別佳。下限值通常為25mN/m左右。如此之表面張力低的樹脂薄膜，可藉由適宜選擇材質而得，此外亦可藉由於樹脂薄膜的表面塗佈剝離劑，施以剝離處理而得。
用於樹脂薄膜之剝離處理之剝離劑，可使用醇酸系、矽酮系、氟系、不飽和聚酯系、聚烯烴系、蠟系等，特別是以醇酸系、矽酮系、氟系的剝離劑具有耐熱性而佳。
為使用上述剝離劑將樹脂薄膜的表面剝離處理，將剝離劑直接以無溶劑，或以溶劑稀釋或乳膠，藉由凹版塗佈機、棒塗佈機、氣刀塗佈機、輥輪塗佈機等塗佈，以常溫或加熱或者以電子線硬化，以濕式層壓或乾式層壓、熱熔融層壓、熔融擠出層壓、共押出加工等形成層積體即可。
支持體，亦可為具有黏著劑層之接著板片。黏著板片，如上所述於樹脂薄膜上具有黏著劑層，於黏著劑層上，可剝離地層積上述接著劑層。因此，黏著板片之黏著劑層，可由具有再剝離性之習知之接著劑構成，可選擇紫外線硬化型、加熱發泡型、水膨潤型、弱黏型等的接著劑，可使接著劑層的剝離容易。
此外，接著板片，亦可係將支持體及接著劑層，預先沖出與被著體(半導體晶圓等)同形之形狀。特別是由支持體及接著劑層所組成之層積體，以保持於長條的支持體上的形態為佳。
支持體的厚度通常為10~500μm，以15~300μm為佳，以20~250μm程度特別佳。支持體為接著板片時，在於通常的支持體的厚度，由黏著劑所組成之層佔1~50μm程度之厚度。此外，接著劑層的厚度，通常為2~500μm，以6~300μm為佳，以10~150μm程度特別佳。
於接著板片，為在使用前保護接著劑層和黏著板片之黏著劑、用於固定在以下所述夾具之黏著劑層等，亦可於接著劑層的表面層積剝離薄膜。該剝離薄膜，係使用於聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜或聚丙烯薄膜等的塑膠材料矽塗佈矽酮樹脂等的剝離劑者。此外，於接著板片之表面外周部，亦可設有用於固定環形框等的其他的夾具之另外的黏著劑層或黏著膠帶。
接著板片之製造方法，並無特別限定，支持體為樹脂薄膜時，可於樹脂薄膜上，塗佈乾燥接著劑組合物，形成接著劑層而製造。此外，亦可將接著劑層設於剝離薄膜上，將此轉印於上述樹脂薄膜或切割板片而製造。在於製造步驟之任意一個階段，亦可將接著劑層，藉由沖出加工等裁切成與貼附之晶圓的形狀相同的形狀或較晶圓更大的同心圓的形狀。
其次，將關於本發明之接著板片之利用方法，將該接著板片使用於半導體裝置之製造之情形為例說明。
(半導體裝置之製造方法)
關於本發明之半導體裝置之製造方法，其包含，於上述接著板片之接著劑層黏著半導體晶圓，將該半導體晶圓及接著劑層切割成半導體晶片，使接著劑層固著殘存於該半導體晶片的背面由支持體剝離，將該半導體晶片經由接著劑層接著於有機基板或導線架的晶粒墊部上，獲其他的半導體晶球上之步驟。
以下，詳述關於本發明之半導體裝置之製造方法。
關於本發明之半導體裝置之製造方法，首先，準備於表面形成電路，首先形成，背面被研削的半導體晶圓。
半導體晶圓，可為矽晶圓，亦可為砷化鎵等的化合物半導體晶圓。對晶圓表面的電路的形成，可以包含蝕刻法、舉離法等先前泛用之方法之各種方法進行。接著，將半導體晶圓的電路面的相反面(背面)研削。研削法，並無特別限定，可以使用研磨機等的習知的手段研削。背面研削時，為保護表面的電路於電路面，貼附稱為表面保護板片之黏著板片。背面研削，係將晶圓的電路面側(即表面保護片側)以吸盤等固定，將沒有形成電路的背面以研磨機研削。晶圓研削後的厚度並無特別限定，通常為20~500μm程度。
接著，將環形框及半導體晶圓的背面側載置於關於本發明之接著板片之接著劑層上，輕按壓，根據情形加熱邊使接著劑軟化，將半導體晶圓固定。於接著劑層，有調合具有反應性雙鍵鍵結基之丙烯酸聚合物(A)等時，亦可對接著劑層，由支持體側照射能量線，使反應性雙鍵鍵結基反應，將接著劑層預備硬化，使接著劑層與支持體之間的接著力下降。照 射的能量線，可舉紫外線(UV)或電子線(EB)，使用紫外線為佳。接著，使用切片鋸等的切割手段，切割上述半導體晶圓及接著劑層得到半導體晶片。此時之切割深度，係半導體晶圓的厚度與接著劑層的厚度的合計及加上切片鋸的磨耗部分的深度，接著劑層亦切割成與晶片相同尺寸。再者，能量線照射，可於貼附半導體晶圓之後，亦可於半導體晶片的剝離(拾取)前之任一階段進行，可例如於切割之後進行，此外，亦可於下述的擴展步驟之後進行。再者，能量線照射亦可分成複數次進行。
接著按照必要，進行接著板片的擴展，則半導體晶片的間隔擴張，呈可更加容易地進行半導體晶片的拾取。此時，在於接著劑層與支持體之間發生偏移，減少接著劑層與支持體之間的接著力，提升半導體晶片的拾取性。如此地進行半導體晶片的拾取，則可使切割之接著劑層固著殘存於半導體晶片背面再由支持體剝離。
接著，經由接著劑層將半導體晶片，載置於晶片搭載部之導線架之晶粒墊上或其他的半導體晶片(下層晶片)的表面上。晶片搭載部，為提升接著劑層的接著性，亦可於載置半導體晶片之前或載置之後加熱。加熱溫度，通常為80~200℃，以100~180℃為佳，加熱時間通常為0.1秒~5分鐘，以0.5秒~3分鐘為佳。此外，在於載置時的加壓的壓力，通常為1kPa~200MPa。
將半導體晶片載置於晶片搭載部之後，亦可不等到如後所述之利用樹脂封裝之加熱之接著劑層的本硬化，於樹脂封裝之前進行加熱使接著劑層本硬化。此時之加熱條件，係 上述加熱溫度的範圍，加熱時間，通常為1~180分鐘，以10~120分鐘為佳。
此外，可不進行載置後的加熱處理作成假接著狀態，於打線接合後，利用在於包裝製造通常進行之樹脂封裝的加熱，使接著劑層本硬化。藉由經過如此之步驟，使接著劑層硬化，可將半導體晶片與晶片搭載部強固地接著。於打線接合前，藉由進行上述能量線照射之接著劑層之硬化時，由於接著劑層的凝聚性提升，有可穩定地進行打線接合的趨勢。再者，由於接著劑層在晶粒接合條件下軟化，故可充分嵌入晶片搭載部之凹凸，可防防止發生空隙而提高包裝的可靠度。採用如此之製程時，有因在於打線接合之加熱，使參與接著劑層之熱硬化之成分之反應進行一部分，降低在於半導體裝置之包裝可靠度之虞。但是，藉由使用本發明之接著劑組合物，可提升接著劑層對晶片的接著性，有可維持包裝可靠度的趨勢。
本發明之接著劑組合物及接著板片，在如上所述的使用方法之外，亦可使用於半導體化合物、玻璃、陶瓷、金屬等的接著。
實施例
以下，以實施例說明本發明，惟本發明不應該限定於該等實施例。再者，於以下之實施例及比較例，<對基板之嵌入性評估>及<耐IR回火性評估>係如下進行。
<對基板的嵌入性評估>
由實施例及比較例所得之接著板片，去除剝離薄膜後，將接著劑層貼附於玻璃晶片(8mm×8mm，厚度150μm)，接著，去除 支持體得到附有接著劑層之玻璃晶片。
於貼銅層積板(三菱氣體化學股份有限公司製CCL-HL830，銅箔厚度：18μm)之銅箔形成電路圖案，於圖形上之具有防焊漆(太陽INK製PSR-4000 AUS303)之基板(CHINO技研股份有限公司LN001E-001 PCB(Au)AUS303)上，將上述附有接著劑層之玻璃晶片經由接著劑層，以150℃、100gf、1秒的條件壓接。接著，以假定模鑄步驟之熱封測試機(TESTER產業公司製TP-701)以施加於每個晶片之壓力6.9Mpa，175℃進行2分鐘的熱壓接。之後，使用數位顯微鏡(KEYENCE公司製VHX-200)以倍率20倍，由玻璃晶片面側觀察確認接著劑層與晶圓的界面的嵌入性。嵌入性係將空隙等的包含空氣層的部分去除，晶片面積的95%以上有嵌入，則嵌入性良好。
<耐IR回火性評估>
(半導體晶片的製造)
於乾式拋光之矽晶圓(150mm徑，厚度75μm)之研磨面，將實施例及比較例之接著板片以貼膜機(LINTEC公司製Adwill RAD2500)進行貼附，固定於晶圓切割用環形框。之後，使用紫外線照射裝置(LINTEC公司製Adwill RAD2000)由支持體面照射紫外線照射(220mW/cm2，160mJ/cm2)。接著，使用切割裝置(DISCO股份有限公司製DFD651)切割成8mm×8mm的晶片尺寸。切割時的切入量，係切入支持體20μm。
(半導體包裝之製造)
基板，使用於貼銅層積板(三菱氣體化學股份有限公司製CCL-HL830，銅箔的厚度：18μm)之銅箔形成電路圖案，於圖 形上之具有防焊漆(太陽INK公司製PSR-4000 AUS303)之基板(CHINO技研股份有限公司LN001E-001 PCB(Au)AUS303)。將上述所得接著板片上之接著劑層與支持體一起由支持體取下，於基板上，經由接著基層以120℃，250gf，0.5秒的條件壓接。之後，進一步在接著肢半導體晶片上，將其他的半導體晶片經由接著劑層再度以120℃，250gf，0.5秒的條件壓接，將半導體晶片層積2層。將該基板上的層積晶片製作27個，之後，以模鑄樹脂(KYOCERA CHEMICAL股份有限公司製KE-1100AS3)使封裝厚400μm封裝(封裝裝置APIC YAMADA股份有限公司MPC-06M TriAl Press)，以175℃ 5小時使樹脂硬化。
接著，將封裝之基板貼附於切割帶(LINTEC公司製Adwill D-510T)，使用切割裝置(DISCO股份有限公司製DFD651)切割成8mm×8mm的尺寸，得到可靠度評估用半導體包裝。
(半導體包裝表面構裝性之評估)
將所得半導體包裝，於60℃，60%相對濕度的條件下放置120小時、使之吸濕之後，以預熱160℃而最高溫度成260℃之加熱時間1分鐘的IR回火(回火爐：相模理工製WL-15-20DNX型)進行3次。之後，以掃描式超音波探傷裝置(日立建機Finetech股份有限公司製Hye-Focus)評估接合部有無浮起．剝離，有無包裝龜裂及剖面研磨裝置(REFINETEC股份有限公司製REFINE POLISHER HV)削出剖面，使用數位顯微鏡(KEYENCE公司製VHX-1000)將剖面觀察評估。
於晶圓/半導體晶片接合部或半導體晶片/半導體晶片接合 部，觀察到長度0.5mm以上的剝離時判斷為有剝離，將27個包裝投入試驗，數沒有發生剝離之個數。
<接著劑組合物>
將構成接著劑組合物之各成分表示如下。
(A)丙烯酸聚合物：由甲基丙烯酸酯85質量部及丙烯酸2-羥基乙酯15質量部所組成之共聚物(Mw：35萬，Tg：6℃)
(B)環氧樹脂：丙烯醯加成甲酚酚醛型環氧樹脂(日本化藥股份有限公司CNA-147)
(C)熱硬化劑：芬酯型酚樹脂(三井化學股份有限公司製MILEX XLC-4L)
(D)偶合劑：
(D-1)具有異氰酸酯基之矽烷偶合劑(信越化學工業公司製KBE-9007，烷氧基當量68.3g/eq，分子量205)
(D-2)具有環氧基之矽烷偶合劑(信越化學工業公司製KBE-402，烷氧基當量124.2g/eq，分子量248)
(D-3)具有環氧基之矽烷偶合劑(信越化學工業公司製KBE-403，烷氧基當量92.8g/eq，分子量278)
(D-4)具有胇基之矽烷偶合劑(信越化學工業公司製KBM-803，烷氧基當量65.4g/eq，分子量196)
再者，偶合劑的使用量，係使包含於接著劑組合物之來自偶合劑之烷氧基之莫耳數於實施例1及比較例1~3大致相等地調整。
(E)光聚合起始劑(Ciba．Speciality．Chemcals股份有限公司製，IRGACURE 184)
(F)硬化促進劑：咪唑(四國化成工業股份有限公司製，CUREZOL 2PHZ)
(G)架橋劑：芳香族多價異氰酸酯(日本聚氨酯工業股份有限公司製CORONEATEL)
(實施例及比較例)
將上述各成分以第1表所記載的量(質量比)，使用甲乙酮作為溶劑調合，得到接著劑組合物之甲乙酮溶液(固形濃度30質量%)。將接著劑組合物溶液，塗佈在以矽酮剝離處理之剝離薄膜(LINTEC公司製SP-PET381031)之剝離處理面上，使之乾燥(乾燥條件：烘箱100℃，1分鐘)，使乾燥後的厚度為20μm之後，與支持體(聚乙烯薄膜，厚度100μm，表面張力33mN/m)貼合，將接著劑層轉印於支持體上而得到接著板片。將所得接著板片之嵌入性及耐IR回火性之評估結果，示於第1表。
[第1表]
由上述結果，可知藉由採用本發明之構成，晶片相互及晶片與基板之接著性均很高，可維持可靠度。因此，藉由提供本發明之接著劑組合物、單層接著薄膜及接著板片， 可容易製造多層層疊之半導體包裝，可提升生產性。

Claims (7)

  1. 一種接著劑組合物，包含：丙烯酸聚合物(A)，其具有可與異氰酸酯基反應之官能基；環氧樹脂(B)；熱硬化劑(C)；及偶合劑(D)，其具有異氰酸酯基。
  2. 根據申請專利範圍第1項之接著劑組合物，其中上述官能基係羥基。
  3. 一種單層接著薄膜，由請專利範圍第1或2項之接著劑組合物所組成。
  4. 一種接著板片，由請專利範圍第1或2項之接著劑組合物所組成之接著劑層，可剝離地形成於支持體上。
  5. 根據請專利範圍第4項之接著板片，其中支持體係樹脂薄膜。
  6. 根據請專利範圍第4項之接著板片，其中支持體係具有接著劑層之接著板片。
  7. 一種半導體裝置之製造方法，包含：將專利範圍第4至6項之任何一項之接著板片之接著劑層貼附於半導體晶圓，將上述半導體晶圓及接著劑層切割作成半導體晶片，使接著劑層固著殘存於上述半導體晶片再由支持體將接著劑層剝離，將上述半導體晶片經由上述接著劑層接著於晶粒墊部或其他的半導體晶片上之步驟。
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