JPWO2019059188A1 - 半導体装置製造用接着フィルム及びその製造方法、並びに、半導体装置及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

本開示に係る半導体装置製造用接着フィルムの製造方法は（Ａ）幅１００ｍｍ以下の帯状のキャリアフィルムと、キャリアフィルムの表面を覆うように形成された接着剤層とを少なくとも有する積層体を準備する工程と、（Ｂ）接着剤層を型抜きすることによって、キャリアフィルム上にキャリアフィルムの長手方向に並ぶように配置された複数の接着剤片を得る工程とをこの順序で含み、（Ｂ）工程において型抜きを行うとき、以下の不等式（１）で示される条件を満たすように、接着剤層及びキャリアフィルムに対して切込みを入れ、接着剤片が、長方形又は正方形の少なくとも一辺において、凸部及び凹部の少なくとも一方が形成された形状を有する。０＜Ｄ／Ｔ≦０．６ （１）［式中、Ｄはキャリアフィルムに対する切込みの深さ（単位μｍ）であり、Ｔはキャリアフィルムの厚さ（単位μｍ）である。］

Description

本開示は、半導体装置の製造プロセスにおいて使用される接着フィルム及びその製造方法、並びに、半導体装置及びその製造方法に関する。

従来、半導体装置は以下の工程を経て製造される。まず、ダイシング用粘着シートに半導体ウエハを貼り付け、その状態で半導体ウエハを半導体チップに個片化する。その後、ピックアップ工程、マウンティング工程、リフロー工程及びダイボンディング工程等が実施される。特許文献１は、ダイシング工程において半導体ウエハを固定する機能と、ダイボンディング工程において半導体チップを基板と接着させる機能とを併せ持つ粘接着シート（ダイシングダイボンディングシート）を開示する。

特開２００７−２８８１７０号公報

ところで、近年、スマートフォンに代表される小型デバイス向け半導体装置の進化に伴い、半導体装置の製造プロセスも従来と著しく変化している。例えば、特許文献１に記載の粘接着シート（ダイシングダイボンディングシート）を使用したダイシング工程及びダイボンディング工程を実施しないプロセス、あるいは、リフロー工程を実施しないプロセスの実用化が進められている。これに伴い、半導体装置の製造プロセスで使用される接着フィルムも新たな態様のものが求められている。かかる状況に加え、本発明者らは、半導体装置が搭載される小型デバイスの高機能化及び薄型化等に対応すべく、基板の限られた特定の領域に、これに応じた形状の半導体チップを接着するのに使い勝手のよい接着フィルムの開発を進めた。

従来の半導体装置においては、半導体チップの形状と、これを基板に接着するための接着剤片の形状が同じであることが一般的であり、例えば、これらの形状は長方形又は正方形であった。しかし、例えば、半導体チップが接着されるべき基板の領域に制限がある場合、あるいは、従来と異なる位置で半導体チップと基板との電気的接続が必要とされる場合、従来の形状と比較して複雑な形状の接着剤片を使用するニーズが高まっている。

本開示は、半導体装置の製造プロセスにおける接着工程を効率的に実施するのに有用な複雑な形状の接着剤片を備える接着フィルム及びこれを十分に安定的に製造する方法を提供することを目的とする。また、本開示は、複雑な形状の接着剤片を使用した半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。

本開示は、半導体装置の製造プロセスにおいて使用される接着フィルムの製造方法を提供する。この製造方法は、（Ａ）幅１００ｍｍ以下の帯状のキャリアフィルムと、キャリアフィルムの表面を覆うように形成された接着剤層とを少なくとも有する積層体を準備する工程と、（Ｂ）接着剤層を型抜きすることによって、キャリアフィルム上にキャリアフィルムの長手方向に並ぶように配置された複数の接着剤片を得る工程とをこの順序で含み、（Ｂ）工程において型抜きを行うとき、以下の不等式（１）で示される条件を満たすように、接着剤層及びキャリアフィルムに対して切込みを入れ、接着剤片が、長方形又は正方形の少なくとも一辺において、凸部及び凹部の少なくとも一方が形成された形状を有する。
０＜Ｄ／Ｔ≦０．６ （１）
［式中、Ｄはキャリアフィルムに対する切込みの深さ（単位μｍ）であり、Ｔはキャリアフィルムの厚さ（単位μｍ）である。］

上記（Ａ）工程及び（Ｂ）工程を経ることで、幅１００ｍｍ以下の帯状のキャリアフィルムと、キャリアフィルム上にキャリアフィルムの長手方向に並ぶように配置されている複数の接着剤片とを備える接着フィルムが製造される。（Ｂ）工程において、不等式（１）で示される条件を満たすように切込みが入れられることで、上記構成の接着フィルムを十分に安定的に製造することができる。

接着剤片は、上述のとおり、長方形又は正方形よりも複雑な形状を有する。接着剤片の形状は、半導体チップが接着されるべき基板の領域の形状、又は、半導体チップの形状に応じて適宜、設定すればよい。例えば、接着剤片は６つ以上の角を有してもよいし、８つ以上の角を有してもよい。なお、６つの角を持つ接着剤片の形状の一例として、Ｌ字型が挙げられる。

上記製造方法で製造される接着フィルムは、複数の接着剤片の表面を覆う保護部材を更に備えたものであってもよい。すなわち、（Ａ）工程で準備する積層体は、接着剤層を覆うように配置された保護フィルムを更に有し、（Ｂ）工程において、上記不等式（１）で示される条件を満たすように、保護フィルム、接着剤層及びキャリアフィルムに対して切込みを入れてもよい。（Ｂ）工程において、保護フィルムが接着剤層とともに型抜きされることで、接着剤片は保護部材によって覆われた状態となる。この保護部材は、接着剤片のキャリアフィルム側の第一面と反対側の第二面を覆っており、接着剤片と同じ形状を有する。接着剤片を保護部材で覆った状態とすることで、使用するときまで埃等が接着剤片に付着することを防止できる。

本開示は、半導体装置の製造プロセスにおいて使用される接着フィルムを提供する。この接着フィルムは、幅１００ｍｍ以下の帯状のキャリアフィルムと、キャリアフィルム上にキャリアフィルムの長手方向に並ぶように配置されている複数の接着剤片と、接着剤片の外縁に沿うように、キャリアフィルムに形成された切込みとを備え、切込みの深さ及びキャリアフィルムの厚さが以下の不等式（１）で示される条件を満たし、接着剤片が、長方形又は正方形の少なくとも一辺において、凸部及び凹部の少なくとも一方が形成された形状を有する。
０＜Ｄ／Ｔ≦０．６ （１）
［式中、Ｄはキャリアフィルムに対する切込みの深さ（単位μｍ）であり、Ｔはキャリアフィルムの厚さ（単位μｍ）である。］

この接着フィルムによれば、キャリアフィルム上に並ぶように配置された複数の接着剤片を順次ピックアップし、その後、各接着剤片を基板の所定の領域に配置することができ、基板と半導体チップとの接着工程を効率的に実施できる。例えば、帯状の接着フィルムをリールに巻いた態様とすれば、ロールｔｏロール方式によって、より一層効率的に接着工程を実施できる。接着剤片の形状は、半導体チップが接着されるべき基板の領域の形状、又は、半導体チップの形状に応じて適宜、設定すればよい。キャリアフィルムの厚さは、例えば、１０〜２００μｍである。

キャリアフィルム上に配置される接着剤片のサイズ及び個数等は、製造する半導体装置の設計に応じて適宜設定すればよい。例えば、一つの接着剤片の面積は１０〜２００ｍｍ^２の範囲とすることができる。キャリアフィルムの表面であって複数の接着剤片によって覆われている領域の割合はキャリアフィルムの面積を基準として１０〜６０％とすることができる。キャリアフィルム上には、一つ又は複数の、上記複数の接着剤片からなる列が形成されていてもよい。

上記接着フィルムは、接着剤片のキャリアフィルム側の第一面と反対側の第二面を覆っており、接着剤片と同じ形状を有する保護部材を更に備えてもよい。接着剤片を保護部材で覆った状態とすることで、使用するときまで埃等が接着剤片に付着することを防止できる。

接着フィルムの加工性の観点（型抜きを行う際及びその後に、キャリアフィルムから接着剤片が不用意に剥離することを防止する点）から、キャリアフィルムと接着剤片との間の密着力が２Ｎ／ｍ以上であることが好ましい。

本開示によれば、半導体装置の製造プロセスにおける接着工程を効率的に実施するのに有用な複雑な形状の接着剤片を備える接着フィルム及びこれを十分に安定的に製造する方法が提供される。また、本開示によれば、複雑な形状の接着剤片を使用した半導体装置及びその製造方法が提供される。

図１は本開示に係る接着フィルムの一実施形態を模式的に示す斜視図である。 図２は図１に示すＩＩ−ＩＩ線における断面図である。 図３（ａ）〜図３（ｆ）は接着剤片の形状のバリエーションを示す平面図である。 図４はＴ字型の接着剤片と半導体チップとの配置の一例を示した平面図である。 図５はキャリアフィルム、接着剤層及び保護フィルムがこの順序で積層された積層体を模式的に示す断面図である。 図６は型抜きによってキャリアフィルム上に複数の接着剤片が形成される様子を示す斜視図である。 図７はキャリアフィルムから接着剤片及びこれを覆う保護部材がピックアップされる様子を模式的に示す断面図である。 図８は本開示に係る接着剤片を使用して製造された半導体装置の一例を模式的に示す断面図である。 図９（ａ）は実施例及び比較例においてピックアップ性の評価に使用した装置を模式的に示す断面図であって、ダブルクリップのコーナー部において接着剤片がキャリアフィルムから剥離する様子を示す断面図であり、図９（ｂ）は接着剤片がキャリアフィルムに密着したままコーナー部を通過する様子を示す断面図である。

以下、図面を適宜参照しながら、本開示の実施形態について説明する。なお、本発明は以下の実施形態に限定されるものではない。本明細書において、（メタ）アクリルとは、アクリル又はメタクリルを意味する。

＜半導体装置製造用接着フィルム＞
図１は本実施形態に係る接着フィルムを模式的に示す斜視図である。図２は図１に示すＩＩ−ＩＩ線における断面図である。これらの図に示す接着フィルム１０は、幅１００ｍｍ以下の帯状のキャリアフィルム１と、キャリアフィルム１上に、その長手方向（図１に示す矢印Ｘの方向）に並ぶように配置されている複数の接着剤片３ｐと、接着剤片３ｐの表面Ｆ２を覆っており且つ接着剤片３ｐと同じ形状を有する保護部材５ｐと、接着剤片３ｐの外縁に沿うように、キャリアフィルム１に形成された切込み１ｃとを備える。図２に示すとおり、接着剤片３ｐの表面Ｆ２（第二面）は、接着剤片３ｐのキャリアフィルム１側の面Ｆ１（第一面）と反対側の面である。

接着フィルム１０は、半導体装置の製造プロセスにおける種々の接着工程（例えば、半導体チップと基板の接着）に適用可能である。接着フィルム１０によれば、キャリアフィルム１上に並ぶように配置された複数の接着剤片３ｐを順次ピックアップし、その後、各接着剤片３ｐを基板の所定の領域に配置することができ、基板と半導体チップとの接着工程を効率的に実施できる。なお、図１，２には、キャリアフィルム１上に、複数の接着剤片３ｐからなる列３Ａが一列設けられている場合を図示したが、二つ以上の列３Ａがキャリアフィルム１上に設けられていてもよい。

本実施形態に係る接着剤片３ｐは、図１に示すように、太いＴ字のような形状（Ｔ字型）を有する。この形状は、図３（ａ）に示すように、８つの角Ｃ１〜Ｃ８を有する。なお、この形状は、長方形の一辺の中央部に、一つの凸部が形成された形状ということができるし、長方形の一辺の両端にそれぞれ一つずつの凹部が形成された形状ということもできる。

接着剤片３ｐの形状は、図３（ａ）に示す形状に限定されず、長方形又は正方形の少なくとも一辺において、凸部及び凹部の少なくとも一方が形成された形状であればよい。例えば、図３（ｂ）に示すように、Ｌ字型であってもよく、６つの角Ｃ１〜Ｃ６を有していてもよい。図３（ｃ）に示すように、長方形又は正方形に一つの凹部が形成された形状であって、８個の角Ｃ１〜Ｃ８を有していてもよい。図３（ｄ）に示すように、長方形又は正方形の一つの角部（図３（ｄ）における左下）に凹部が形成されており且つ一辺（図３（ｄ）における右側）に凸部が形成された形状であって、１０個の角Ｃ１〜Ｃ１０を有していてもよい。図３（ｅ）に示すように、長方形又は正方形の一辺に凸部が形成されており且つ他の一辺に凹部が形成された形状であって、１２個の角Ｃ１〜Ｃ１２を有していてもよい。なお、凹部又は凸部の形状は、図３（ｆ）に示すように、三角形であったり、円弧状であったりしてもよい。

接着剤片の形状は、半導体チップが接着されるべき基板の領域の形状、又は、半導体チップの形状に応じて適宜、設定すればよい。また、半導体チップの形状が例えば長方形又は正方形であり且つその角部に複数の端子が設けられており、これらの端子と基板の配線とを接続する必要がある場合、端子と配線が接着剤片によって覆れないように、接着剤片の形状を決定してもよい。図４はＴ字型の接着剤片３ｐと長方形の半導体チップＳとの配置の一例を示した平面図である。図４に示す領域Ｒ１，Ｒ２は、基板と半導体チップとの間に接着剤が存在しておらず、これらの領域Ｒ１，Ｒ２において基板と半導体チップを電気的に接続することが可能である。

本実施形態における接着剤片３ｐは十分にサイズが小さいものを想定しており、一つの接着剤片３ｐの面積は、例えば、１０〜２００ｍｍ^２であり、２０〜１６０ｍｍ^２又は２５〜１００ｍｍ^２であってもよい。キャリアフィルム１の表面であって複数の接着剤片３ｐによって覆われている領域の割合（接着剤片の面積率）は、キャリアフィルム１の面積を基準として、例えば、１０〜６０％であり、１０〜３５％又は１５〜３３％であってもよい。この面積率は、一つの接着剤片３ｐの面積Ａを、キャリアフィルム１上に設けられている接着剤片３ｐのピッチ（図１におけるピッチＰ）とキャリアフィルム１の幅（図１における幅Ｗ）との積で除すことによって算出してもよい。つまり、この面積率Ｒは、以下の式で算出される値としてもよい。
面積率Ｒ（％）＝Ａ／（Ｐ×Ｗ）×１００

接着剤片３ｐ及びこれを覆う保護部材５ｐは、型抜きによって形成される（図６参照）。型抜きの際に、接着剤片３ｐの外縁に沿って、キャリアフィルム１に切込み１ｃが形成される。キャリアフィルム１に対する切込み１ｃの深さをＤμｍとし、キャリアフィルムの厚さをＴμｍとすると（図２参照）、切込み１ｃの深さは以下の不等式（１）で示される条件を満たし、不等式（２）で示される条件を満たすことが好ましく、不等式（３）で示される条件を満たすことがより好ましい。
０＜Ｄ／Ｔ≦０．６ （１）
０．１≦Ｄ／Ｔ≦０．６ （２）
０．１５≦Ｄ／Ｔ≦０．６ （３）

Ｄ／Ｔの値が上記不等式（１）〜（３）の下限値より大きい値又は以上であることで、接着剤片３ｐの形状が複雑であっても、図６に示す型抜きを好適に実施できる。具体的には、接着剤片３ｐ及び保護部材５ｐがキャリアフィルム１上に付着せずに、不要部分３０側に残存することを十分に抑制できる。他方、Ｄ／Ｔの値が上記不等式（１）〜（３）の上限値より小さい値又は以下であることで、図７に示すピックアップを好適に実施できる。具体的には、接着フィルム１０に一定の張力を付与した状態で、くさび状部材６０に接着フィルム１０のキャリアフィルム１側の面を当接させながら、図７に示す矢印の方向に接着フィルム１０を移動させることで、同図に示すように、接着剤片３ｐ及び保護部材５ｐの前方がキャリアフィルム１から浮いた状態となりやすい。

Ｄ／Ｔの値が０．６より大きいと、接着剤片３ｐ（接着剤層３）を構成する接着剤組成物が切込み１ｃに入り込むことでピックアップ性不十分になりやすいと推察される。例えば、型抜きの際、図６に示す回転体５１及びロール５２から積層体２０が過剰の押圧力を受ける場合、Ｄ／Ｔの値が過度に大きくなる（切込み１ｃが過度に深くなる）傾向にある。この押圧力によって、接着剤組成物が切込み１ｃに入り込むことが助長されたり、接着剤組成物が保護部材５ｐからはみ出やすくなると推察される。発明者らの検討によると、接着フィルム１０の使用時において、ピックアップ性の観点から、保護部材５ｐの外縁からの接着剤組成物のはみ出し距離は４０μｍ未満であることが好ましい。

以下、接着フィルム１０の構成について説明する。
［キャリアフィルム］
キャリアフィルム１は、上述のとおり、帯状であって、１００ｍｍ以下の幅を有する。キャリアフィルム１の幅は、その上に配置する接着剤片３ｐのサイズ及び列３Ａの数に応じて適宜設定すればよい。例えば、図１に示すように、列３Ａの数が一つである場合、キャリアフィルム１の幅は１０〜５０ｍｍであることが好ましく、１０〜３０ｍｍ又は１０〜２０ｍｍであってもよい。キャリアフィルム１の幅が１０ｍｍ以上であることで、ロールｔｏロール方式を採用した場合、キャリアフィルム１が捻れることに起因する作業性低下を防止しやすい。

キャリアフィルム１の材質は、接着フィルム１０の製造プロセス及び半導体装置の製造プロセスにおいて加わる張力に十分に耐え得るものであれば、特に制限はない。キャリアフィルム１は、その上に配置される接着剤片３ｐ及び／又は保護部材５ｐの視認性の観点から、透明であることが好ましい。キャリアフィルム１としては、ポリエチレンテレフタレートフィルム等のポリエステル系フィルム、ポリテトラフルオロエチレンフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリビニルアセテートフィルム、ポリ−４−メチルペンテン−１、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−アクリル酸エチル共重合体等の単独共重合体又は共重合体あるいはこれらの混合物等のポリオレフィン系フィルム、ポリ塩化ビニルフィルム、ポリイミドフィルム等のプラスチックフィルムなどを用いることができる。キャリアフィルム１は単層構造であっても、多層構造であってもよい。

キャリアフィルム１の厚さは、作業性を損なわない範囲で適宜選択すればよく、例えば、１０〜２００μｍであり、２０〜１００μｍ又は２５〜８０μｍであってもよい。これらの厚さの範囲は、実用的に問題なく、経済的にも有効な範囲である。

キャリアフィルム１に対する接着剤片３ｐの密着力を高めるために、キャリアフィルム１の表面に、コロナ処理、クロム酸処理、オゾン暴露、火炎暴露、高圧電撃暴露、イオン化放射線処理等の化学的又は物理的表面処理を施してもよい。キャリアフィルム１として、フッ素樹脂からなる表面エネルギーの低いフィルムを用いることもできる。このようなフィルムとしては、例えば、帝人フィルムソリューション株式会社製のＡ−６３（離型処理剤：変性シリコーン系）、及び、帝人フィルムソリューション株式会社製のＡ−３１（離型処理剤：Ｐｔ系シリコーン系）等がある。

キャリアフィルム１に対する接着剤片３ｐの密着力が過度に高くなることを防止するために、キャリアフィルム１の表面に、シリコーン系剥離剤、フッ素系剥離剤、長鎖アルキルアクリレート系剥離剤等の離型剤から構成される離型層を形成してもよい。

キャリアフィルム１と接着剤片３ｐとの間の密着力は２Ｎ／ｍ以上であることが好ましく、２〜１０Ｎ／ｍであることがより好ましく、２〜６Ｎ／ｍ又は２〜４Ｎ／ｍであってもよい。この密着力が２Ｎ／ｍ以上であることで、接着フィルム１０を製造する過程においてキャリアフィルム１から接着剤片３ｐが不用意に剥離することを防止しやすく、他方、１０Ｎ／ｍ以下であることで、接着フィルム１０の使用時においてキャリアフィルム１から接着剤片３ｐ及びこれを覆う保護部材５ｐを安定的にピックアップしやすい。なお、キャリアフィルム１に対する接着剤片３ｐの密着力は、９０°ピール強度を意味し、具体的には、キャリアフィルム１上に接着剤片３ｐと同じ組成からなる幅２０ｍｍの接着剤層が形成された試料を準備し、この接着剤層を９０°の角度で且つ剥離速度５０ｍｍ／分でキャリアフィルムから剥離したときに測定されるピール強度を意味する。

［接着剤片］
接着剤片３ｐは、キャリアフィルム１の表面を覆うように形成された接着剤層３と、接着剤層３を覆うように配置された保護フィルム５とを同時に型抜きすることにより、保護部材５ｐとともに形成されるものである（図６参照）。接着剤片３ｐの厚さは、作業性を損なわない範囲で適宜選択すればよく、例えば、３〜５０μｍであり、５〜４０μｍ又は７〜３０μｍであってもよい。接着剤片３ｐの厚さが３μｍ以上であることで十分な接着性を確保しやすく、他方、５０μｍ以下であることで接着剤片３ｐを構成する接着剤組成物が保護部材５ｐからはみ出ることを抑制しやすい。

接着剤片３ｐを構成する接着剤組成物は、半導体装置の製造プロセスに問題なく使用し得る性質（例えば、接着性及び１５０℃程度の熱に対する耐熱性）を有していればよく、従来、半導体装置の製造プロセスにおいて使用されているものを適宜採用すればよい。接着剤片３ｐは、熱可塑性樹脂と、熱硬化性樹脂と、硬化促進剤と、フィラーとを含むことが好ましく、必要に応じ、光反応性モノマー及び光重合開始剤等を含んでもよい。基板の薄化に伴い、耐熱性が低い基板が使用される傾向にあり、半導体装置の製造プロセスの低温化が求められる傾向にある。接着剤片３ｐは１６０℃以下の温度条件で対象物を接着できることが好ましい。

（熱可塑性樹脂）
熱可塑性樹脂としては、熱可塑性を有する樹脂、又は少なくとも未硬化状態において熱可塑性を有し、加熱後に架橋構造を形成する樹脂を用いることができる。熱可塑性樹脂としては、半導体加工用テープとして、収縮性、耐熱性及び剥離性に優れる観点から、反応性基を有する（メタ）アクリル共重合体（以下、「反応性基含有（メタ）アクリル共重合体」という場合もある）が好ましい。
熱可塑性樹脂として、反応性基含有（メタ）アクリル共重合体を含む場合、接着剤片３ｐは、熱硬化性樹脂を含まない態様でもよい。すなわち、反応性基含有（メタ）アクリル共重合体と、硬化促進剤と、フィラーとを含む態様でもよい。
熱可塑性樹脂は、一種を単独で又は二種以上を組み合わせて用いることができる。

（メタ）アクリル共重合体としては、アクリル樹脂、アクリルゴム等の（メタ）アクリル酸エステル共重合体等が挙げられ、アクリルゴムが好ましい。アクリルゴムは、アクリル酸エステルを主成分とし、（メタ）アクリル酸エステル及びアクリロニトリルから選択されるモノマーの共重合により形成されるものが好ましい。

（メタ）アクリル酸エステルとしては、メチルアクリレート、エチルアクリレート、プロピルアクリレート、イソプロピルアクリレート、ブチルアクリレート、イソブチルアクリレート、ヘキシルアクリレート、シクロヘキシルアクリレート、２−エチルヘキシルアクリレート、ラウリルアクリレート、メチルメタクリレート、エチルメタクリレート、プロピルメタクリレート、イソプロピルアクリレート、ブチルメタクリレート、イソブチルメタクリレート、ヘキシルメタクリレート、シクロヘキシルメタクリレート、２−エチルヘキシルメタクリレート、ラウリルメタクリレート等が挙げられる。
（メタ）アクリル酸エステル共重合体としては、共重合成分としてブチルアクリレート及びアクリロニトリルを含む共重合体、共重合成分としてエチルアクリレート及びアクリロニトリルを含む共重合体が好ましい。

反応性基含有（メタ）アクリル共重合体は、反応性基を有する（メタ）アクリルモノマーを共重合成分として含む反応性基含有（メタ）アクリル共重合体であることが好ましい。このような反応性基含有（メタ）アクリル共重合体は、反応性基を有する（メタ）アクリルモノマーと、上記のモノマーとが含まれる単量体組成物を共重合することにより得ることができる。

反応性基としては、耐熱性向上の観点から、エポキシ基、カルボキシル基、アクリロイル基、メタクリロイル基、水酸基、エピスルフィド基が好ましく、中でも架橋性の点から、エポキシ基及びカルボキシル基がより好ましい。

本実施形態において、反応性基含有（メタ）アクリル共重合体は、エポキシ基を有する（メタ）アクリルモノマーを共重合成分として含むエポキシ基含有（メタ）アクリル共重合体であることが好ましい。この場合、エポキシ基を有する（メタ）アクリルモノマーとしては、グリシジルアクリレート、４−ヒドロキシブチルアクリレートグリシジルエーテル、３，４−エポキシシクロヘキシルメチルアクリレート、グリシジルメタクリレート、４−ヒドロキシブチルメタクリレートグリシジルエーテル、３，４−エポキシシクロヘキシルメチルメタクリレート等が挙げられる。反応性基を有する（メタ）アクリルモノマーは、耐熱性の観点から、グリシジルアクリレート、グリシジルメタクリレートが好ましい。

熱可塑性樹脂のＴｇは、−５０℃〜５０℃であることが好ましい。熱可塑性樹脂のＴｇが５０℃以下であると、接着剤片３ｐの柔軟性を確保しやすい。また、被着体に貼り付ける際に凹凸が存在する場合、追随しやすくなり、適度な接着性を有するようになる。一方、熱可塑性樹脂のＴｇが−５０℃以上であると、接着剤片３ｐの柔軟性が高くなりすぎることを抑制しやすく、優れた取扱性及び接着性、剥離性を達成できる。

熱可塑性樹脂のＴｇは、示差走査熱量測定（ＤＳＣ）によって得られる中間点ガラス転移温度値である。熱可塑性樹脂のＴｇは、具体的には、昇温速度１０℃／分、測定温度：−８０〜８０℃の条件で熱量変化を測定し、ＪＩＳ Ｋ ７１２１：１９８７に準拠した方法によって算出した中間点ガラス転移温度である。

熱可塑性樹脂の重量平均分子量は、１０万以上２００万以下であることが好ましい。重量平均分子量が１０万以上であると、仮固定の用途で使用する場合、耐熱性を確保しやすくなる。一方、重量平均分子量が２００万以下であると、仮固定の用途で使用する場合、フローの低下及び貼付性の低下を抑制しやすい。上述した観点から、熱可塑性樹脂の重量平均分子量は、５０万以上２００万以下であることがより好ましく、１００万以上２００万以下であることが更に好ましい。なお、重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー法（ＧＰＣ）で標準ポリスチレンによる検量線を用いたポリスチレン換算値である。

反応性基を有する（メタ）アクリル共重合体がグリシジルアクリレート又はグリシジルメタクリレートを共重合成分として含む場合、これらの含有量は合計で、共重合成分全量を基準として、０．１〜２０質量％であることが好ましく、０．５〜１５質量％であることがより好ましく、１．０〜１０質量％であることが更に好ましい。含有量が上記範囲内であると、接着剤片３ｐの柔軟性、接着性及び剥離性の全てをより高水準に達成しやすい。

上述のような反応性基を有する（メタ）アクリル共重合体としては、パール重合、溶液重合等の重合方法によって得られるものを用いてもよい。または、ＨＴＲ−８６０Ｐ−３ＣＳＰ（商品名、ナガセケムテックス株式会社製）等の市販品を用いてもよい。

（熱硬化性樹脂）
熱硬化性樹脂としては、熱により硬化する樹脂であれば特に制限なく用いることができる。熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、熱硬化型ポリイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、メラミン樹脂、ユリア樹脂等が挙げられる。これらは、一種を単独で又は二種以上を組み合わせて用いることができる。

エポキシ樹脂は、硬化して耐熱作用を有するものであれば特に限定されない。エポキシ樹脂は、ビスフェノールＡ型エポキシ等の二官能エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂などを用いることができる。エポキシ樹脂は、また、多官能エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、複素環含有エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂等、従来公知のものを用いることができる。

ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂としては、エピコート８０７、エピコート８１５、エピコート８２５、エピコート８２７、エピコート８２８、エピコート８３４、エピコート１００１、エピコート１００４、エピコート１００７、エピコート１００９（いずれも三菱ケミカル株式会社製）、ＤＥＲ−３３０、ＤＥＲ−３０１、ＤＥＲ−３６１（いずれもダウケミカル社製）、ＹＤ８１２５、ＹＤＦ８１７０（いずれも新日鉄住金化学株式会社製）等が挙げられる。
フェノールノボラック型エポキシ樹脂としては、エピコート１５２、エピコート１５４（いずれも三菱ケミカル株式会社製）、ＥＰＰＮ−２０１（日本化薬株式会社製）、ＤＥＮ−４３８（ダウケミカル社製）等が挙げられる。
ｏ−クレゾールノボラック型エポキシ樹脂としては、ＹＤＣＮ−７００−１０（新日鉄住金化学株式会社製）、ＥＯＣＮ−１０２Ｓ、ＥＯＣＮ−１０３Ｓ、ＥＯＣＮ−１０４Ｓ、ＥＯＣＮ−１０１２、ＥＯＣＮ−１０２５、ＥＯＣＮ−１０２７（いずれも日本化薬株式会社製）、ＹＤＣＮ７０１、ＹＤＣＮ７０２、ＹＤＣＮ７０３、ＹＤＣＮ７０４（いずれも新日鉄住金化学株式会社製）等が挙げられる。
多官能エポキシ樹脂としては、Ｅｐｏｎ １０３１Ｓ（三菱ケミカル株式会社製）、アラルダイト０１６３（ＢＡＳＦジャパン社製）、デナコールＥＸ−６１１、ＥＸ−６１４、ＥＸ−６１４Ｂ、ＥＸ−６２２、ＥＸ−５１２、ＥＸ−５２１、ＥＸ−４２１、ＥＸ−４１１、ＥＸ−３２１（いずれもナガセケムテックス株式会社製）等が挙げられる。
アミン型エポキシ樹脂としては、エピコート６０４（三菱ケミカル株式会社製）、ＹＨ−４３４（新日鉄住金化学株式会社製）、ＴＥＴＲＡＤ−Ｘ、ＴＥＴＲＡＤ−Ｃ（いずれも三菱ガス化学株式会社製）、ＥＬＭ−１２０（住友化学株式会社製）等が挙げられる。
複素環含有エポキシ樹脂としては、アラルダイトＰＴ８１０（ＢＡＳＦジャパン社製）、ＥＲＬ４２３４、ＥＲＬ４２９９、ＥＲＬ４２２１、ＥＲＬ４２０６（いずれもユニオンカーバイド社製）等が挙げられる。これらのエポキシ樹脂は、一種を単独で又は二種以上を組み合わせて用いることができる。

熱硬化樹脂成分の一部であるエポキシ樹脂硬化剤としては、通常用いられている公知の樹脂を使用することができる。具体的には、アミン類、ポリアミド、酸無水物、ポリスルフィド、三フッ化ホウ素、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＳのようなフェノール性水酸基を１分子中に二個以上有するビスフェノール類、フェノールノボラック樹脂、ビスフェノールＡノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂等のフェノール樹脂などが挙げられる。エポキシ樹脂硬化剤としては、特に、吸湿時の耐電食性に優れるという観点から、フェノールノボラック樹脂、ビスフェノールＡノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂等のフェノール樹脂が好ましい。
なお、エポキシ硬化剤は、エポキシ樹脂と同時に用いてもよいし、単独で用いてもよい。

上記フェノール樹脂硬化剤の中でも、フェノライトＬＦ４８７１、フェノライトＴＤ−２０９０、フェノライトＴＤ−２１４９、フェノライトＶＨ−４１５０、フェノライトＶＨ４１７０（いずれもＤＩＣ株式会社製、商品名）、Ｈ−１（明和化成株式会社製、商品名）、エピキュアＭＰ４０２ＦＰＹ、エピキュアＹＬ６０６５、エピキュアＹＬＨ１２９Ｂ６５、ミレックスＸＬ、ミレックスＸＬＣ、ミレックスＸＬＣ−ＬＬ、ミレックスＲＮ、ミレックスＲＳ、ミレックスＶＲ（いずれも三菱ケミカル株式会社製、商品名）等の構造を有する材料を用いることが好ましい。

接着剤片３ｐにおける熱硬化性樹脂の含有量は、熱可塑性樹脂１００質量部に対して、１０〜５００質量部が好ましく、３０〜４５０質量部がより好ましく、５０〜４００質量部が更に好ましい。熱硬化性樹脂の含有量が上記範囲内であると、接着剤片３ｐの熱硬化後の優れた密着性を達成しやすい。

（硬化促進剤）
硬化促進剤としては、イミダゾール類、ジシアンジアミド誘導体、ジカルボン酸ジヒドラジド、トリフェニルホスフィン、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、２−エチル−４−メチルイミダゾール−テトラフェニルボレート、１，８−ジアザビシクロ［５，４，０］ウンデセン−７−テトラフェニルボレート等が挙げられる。これらは、一種を単独で又は二種以上を組み合わせて用いることができる。

接着剤片３ｐがエポキシ基を有する（メタ）アクリル共重合体を含有する場合、係るアクリル共重合体に含まれるエポキシ基の硬化を促進する硬化促進剤を含有することが好ましい。エポキシ基の硬化を促進する硬化促進剤としては、フェノール系硬化剤、酸無水物系硬化剤、アミン系硬化剤、イミダゾール系硬化剤、イミダゾリン系硬化剤、トリアジン系硬化剤及びホスフィン系硬化剤が挙げられる。これらの中でも、速硬化性、耐熱性及び剥離性の観点から、工程時間の短縮及び作業性の向上が期待できるイミダゾール系硬化剤であることが好ましい。これらの化合物は、一種を単独で又は二種以上を組み合わせて用いることができる。

接着剤片３ｐにおける硬化促進剤の含有量は、熱可塑性樹脂１００質量部に対して、０．０１〜５０質量部が好ましく、０．０２〜２０質量部がより好ましく、０．０２５〜１０質量部が更に好ましい。硬化促進剤の含有量が上記範囲内であると、接着剤片３ｐの硬化性を向上させながら保存安定性の低下を十分抑制できる傾向にある。

（無機フィラー）
接着剤片３ｐは、無機フィラーを含有することが好ましい。無機フィラーとしては、銀粉、金粉、銅粉等の金属フィラー、シリカ、アルミナ、窒化ホウ素、チタニア、ガラス、酸化鉄、セラミック等の非金属無機フィラーなどが挙げられる。無機フィラーは所望する機能に応じて選択することができる。

上記無機フィラーは表面に有機基を有するものが好ましい。無機フィラーの表面が有機基によって修飾されていることにより、接着剤片３ｐを形成するためのワニスを調製するときの有機溶剤への分散性、並びに接着剤片３ｐの高い弾性率及び優れた剥離性を両立しやすい。

表面に有機基を有する無機フィラーは、例えば、下記式（Ｂ−１）で表されるシランカップリング剤と無機フィラーとを混合し、３０℃以上の温度で攪拌することにより得ることができる。無機フィラーの表面が有機基によって修飾されたことは、ＵＶ測定、ＩＲ測定、ＸＰＳ測定等で確認することが可能である。

式（Ｂ−１）中、Ｘは、フェニル基、グリシドキシ基、アクリロイル基、メタクリロイル基、メルカプト基、アミノ基、ビニル基、イソシアネート基及びメタクリロキシ基からなる群より選択される有機基を示し、ｓは０又は１〜１０の整数を示し、Ｒ^１１、Ｒ^１２及びＲ^１３は各々独立に、炭素数１〜１０のアルキル基を示す。
炭素数１〜１０のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、イソプロピル基、イソブチル基等が挙げられる。
炭素数１〜１０のアルキル基は、入手が容易であるという観点から、メチル基、エチル基及びペンチル基が好ましい。Ｘは、耐熱性の観点から、アミノ基、グリシドキシ基、メルカプト基及びイソシアネート基が好ましく、グリシドキシ基及びメルカプト基がより好ましい。式（Ｂ−１）中のｓは、高熱時のフィルム流動性を抑制し、耐熱性を向上させる観点から、０〜５が好ましく、０〜４がより好ましい。

シランカップリング剤としては、トリメトキシフェニルシラン、ジメチルジメトキシフェニルシラン、トリエトキシフェニルシラン、ジメトキシメチルフェニルシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリス（２−メトキシエトキシ）シラン、Ｎ−（２−アミノエチル）−３−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ−（２−アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、３−イソシアネートプロピルトリエトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、３−ウレイドプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−（１，３―ジメチルブチリデン）−３−（トリエトキシシリル）−１−プロパンアミン、Ｎ，Ｎ’―ビス（３−（トリメトキシシリル）プロピル）エチレンジアミン、ポリオキシエチレンプロピルトリアルコキシシラン、ポリエトキシジメチルシロキサン等が挙げられる。
これらの中でも、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、３−イソシアネートプロピルトリエトキシシラン、３−メルカプトプロピルトリメトキシシランが好ましく、トリメトキシフェニルシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、３−メルカプトプロピルトリメトキシシランがより好ましい。シランカップリング剤は、一種を単独で又は二種以上を組み合わせて用いることができる。

上記カップリング剤の含有量は、耐熱性と保存安定性とのバランスを図る観点から、無機フィラー１００質量部に対して、０．０１〜５０質量部が好ましく、０．０５〜２０質量部がより好ましく、耐熱性向上の観点から、０．５〜１０質量部が更に好ましい。

接着剤片３ｐにおける無機フィラーの含有量は、熱可塑性樹脂１００質量部に対し、６００質量部以下であることが好ましく、５００質量部以下であることがより好ましく、４００質量部以下であることが更に好ましい。無機フィラーの含有量の下限は特に制限はないが、熱可塑性樹脂１００質量部に対し、５質量部以上であることが好ましく、８質量部以上であることがより好ましい。無機フィラーの含有量を上記範囲とすることにより、熱硬化に伴う収縮を抑制できるとともに、接着剤片３ｐの高い弾性率及び優れた剥離性を両立しやすい。

（有機フィラー）
接着剤片３ｐは、有機フィラーを含有してもよい。有機フィラーとしては、カーボン、ゴム系フィラー、シリコーン系微粒子、ポリアミド微粒子、ポリイミド微粒子等が挙げられる。有機フィラーの含有量は、熱可塑性樹脂１００質量部に対し、３００質量部以下が好ましく、２００質量部以下がより好ましく、１００質量部以下が更により好ましい。有機フィラーの含有量の下限は特に制限はないが、熱可塑性樹脂１００質量部に対し、５質量部以上であることが好ましい。

（有機溶剤）
接着剤片３ｐは、必要に応じて、有機溶剤を用いて希釈してもよい。有機溶剤は特に限定されないが、製膜時の揮発性等を沸点から考慮して決めることができる。具体的には、メタノール、エタノール、２−メトキシエタノール、２−エトキシエタノール、２−ブトキシエタノール、メチルエチルケトン、アセトン、メチルイソブチルケトン、トルエン、キシレン等の比較的低沸点の溶剤が、製膜時にフィルムの硬化が進みにくいという観点から好ましい。また、製膜性を向上させる等の目的では、ジメチルアセトアミド、ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルピロリドン、シクロヘキサノン等の比較的高沸点の溶剤を使用することが好ましい。これらの溶剤は、一種を単独で又は二種以上を組み合わせて用いることができる。

［保護部材］
保護部材５ｐは、キャリアフィルム１の表面を覆うように形成された接着剤層３と、接着剤層３を覆うように配置された保護フィルム５とを同時に型抜きすることにより、接着剤片３ｐとともに形成されるものである（図６参照）。本実施形態に係る保護部材５ｐは、型抜きによって接着剤片３ｐと同時に形成されるものであるから、接着剤片３ｐと実質的に同じ形状である。保護フィルム５としては、接着フィルム１０の製造プロセスにおいて打抜き加工が可能であり且つ半導体装置の製造プロセスにおいて接着剤片３ｐから保護部材５ｐを容易に剥離し得るものであればよい。

接着剤片３ｐと保護部材５ｐとの間の密着力は１６Ｎ／ｍ以下であることが好ましく、１０Ｎ／ｍ以下であることがより好ましく、５Ｎ／ｍ以下又は４．５Ｎ／ｍ以下であってもよい。特に、接着剤片３ｐが熱硬化性を有する樹脂組成物からなる場合、１００℃で１０分の熱処理後において、接着剤片３ｐに対する保護部材５ｐの密着力が上記範囲であることが好ましい。この密着力が１６Ｎ／ｍ以下であることで、保護部材５ｐで覆われた状態の接着剤片３ｐを、例えば、１００℃で３秒の条件で被着体（例えば、基板）に仮圧着させた後、接着剤片３ｐから保護部材５ｐを粘着テープ等で容易に剥離することができる。なお、接着剤片３ｐに対する保護部材５ｐの密着力は、９０°ピール強度を意味し、具体的には、接着剤片３ｐと同じ組成からなる幅２０ｍｍの接着剤層上に同じ幅の保護フィルムが配置された試料を準備し、この保護フィルムを９０°の角度で且つ剥離速度３００ｍｍ／分で接着剤層から剥離したときに測定されるピール強度を意味する。

保護フィルム５としては、ポリエチレンテレフタレートフィルム等のポリエステル系フィルム、ポリテトラフルオロエチレンフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリビニルアセテートフィルム、ポリ−４−メチルペンテン−１、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−アクリル酸エチル共重合体等の単独共重合体又は共重合体あるいはこれらの混合物等のポリオレフィン系フィルム、ポリ塩化ビニルフィルム、ポリイミドフィルムなどのプラスチックフィルムなどを用いることができる。保護フィルム５は単層構造であっても、多層構造であってもよい。保護フィルム５で接着剤層３を覆うことで、接着剤層３に過度の張力が加わることを抑制できるとともに、型抜き際に接着剤層３に異物が混入することを防ぐことができる。

保護フィルム５の厚さは、作業性を損なわない範囲で適宜選択すればよく、例えば、１０〜２００μｍであり、２０〜１００μｍ又は２５〜８０μｍであってもよい。これらの厚さの範囲は、実用的に問題なく、経済的にも有効な範囲である。

保護部材５ｐの光透過率は、キャリアフィルム１の光透過率よりも低いことが好ましい。かかる構成を採用することにより、接着剤片３ｐの位置及び向き等をカメラ等のデバイスで認識することが可能となり、半導体装置の製造プロセスにおける接着工程を自動化しやすい。例えば、保護部材５ｐとして、波長５００ｎｍの光の透過率が１０％未満（より好ましくは７％未満）に着色されたものを使用することが好ましい。

＜接着フィルムの製造方法＞
次に、接着フィルム１０の製造方法について説明する。本実施形態の製造方法は以下の工程を含む。
（Ａ）幅１００ｍｍ以下の帯状のキャリアフィルム１と、キャリアフィルム１の表面を覆うように形成された接着剤層３と、接着剤層３を覆うように配置された保護フィルム５と有する積層体２０を準備する工程。
（Ｂ）積層体２０における接着剤層３及び保護フィルム５を型抜きすることによって、キャリアフィルム１上にキャリアフィルム１の長手方向に並ぶように配置された複数の接着剤片３ｐを得る工程。

図５は、（Ａ）工程で準備する積層体２０を模式的に示す断面図である。積層体２０は以下のようにして作製することができる。まず、接着剤層３の原料樹脂組成物を有機溶剤等の溶媒に溶解させてワニス化した塗工液を準備する。この塗工液をキャリアフィルム１上に塗工した後、溶媒を除去することで接着剤層３を形成する。塗工方法としては、ナイフコート法、ロールコート法、スプレーコート法、グラビアコート法、バーコート法及びカーテンコート法等が挙げられる。次いで、接着剤層３の表面に保護フィルム５を常温〜６０℃の条件で貼り合わせる。これにより、積層体２０を得ることができる。なお、幅の広いキャリアフィルムに接着剤層３を形成した後、これを覆うように保護フィルム５を貼り合わせることによって積層フィルムを作製し、これを１００ｍｍ以下の幅に切断（スリット）することによって積層体２０を得てもよい。

図６は、（Ｂ）工程における型抜きによってキャリアフィルム１上に複数の接着剤片３ｐ及びこれを覆う保護部材５ｐが形成される様子を示す斜視図である。図６に示すように、型抜きを実施するための複数の刃５１ｃを外周面に有する回転体５１と、回転体５１と対をなすロール５２との間を積層体２０が通過することで、刃５１ｃの形状に応じた接着剤片３ｐ及び保護部材５ｐがキャリアフィルム１上に連続的に形成される。このとき、積層体２０は、保護フィルム５側の面が回転体５１に向き、キャリアフィルム１側の面がロール５２に向いている。回転体５１の回転軸５１ａと、ロール５２の回転軸５２ａとの距離を調整すること、又は、刃５１ｃの高さを変更することで、刃５１ｃによって積層体２０に形成される切込みの深さを調整することができる。

上述のとおり、型抜きの際に、接着剤片３ｐの外縁に沿うように、キャリアフィルム１に切込み１ｃが形成される。キャリアフィルム１に対する切込み１ｃの深さをＤμｍとし、キャリアフィルムの厚さをＴμｍとすると（図２参照）、切込み１ｃの深さは以下の不等式（１）で示される条件を満たし、不等式（２）で示される条件を満たすことが好ましく、不等式（３）で示される条件を満たすことがより好ましい。
０＜Ｄ／Ｔ≦０．６ （１）
０．１≦Ｄ／Ｔ≦０．６ （２）
０．１５≦Ｄ／Ｔ≦０．６ （３）

Ｄ／Ｔの値が上記不等式（１）〜（３）の下限値より大きい値又は以上であることで、図６に示す型抜きを好適に実施できる。他方、Ｄ／Ｔの値が上記不等式（１）〜（３）の上限値より小さい値又は以下であることで、図７に示すピックアップを好適に実施できる。

回転体５１及びロール５２の間を通過した積層体２０は、図６に示すように、接着フィルム１０と、不要部分３０とに分離され、それぞれのリール（不図示）に巻き取られる。不要部分３０は、接着剤片３ｐ及び保護部材５ｐがくり抜かれた接着剤層３と保護フィルム５からなる。

＜接着フィルムの使用方法＞
次に、接着フィルム１０の使用方法について説明する。図７はキャリアフィルム１から接着剤片３ｐ及びこれを覆う保護部材５ｐをピックアップされる様子を模式的に示す断面図である。接着フィルム１０に一定の張力を付与した状態で、くさび状部材６０に接着フィルム１０のキャリアフィルム１側の面を当接させながら、図７に示す矢印の方向に接着フィルム１０を移動させる。これにより、同図に示すように、接着剤片３ｐ及び保護部材５ｐの前方がキャリアフィルム１から浮いた状態となる。この状態のときに、例えば、吸引力を有するピックアップ装置６５で接着剤片３ｐ及び保護部材５ｐをピックアップする。例えば、ピックアップ装置６５として、保護部材５ｐを視認するカメラ等を備えたものを使用することで、接着剤片３ｐ及び保護部材５ｐの有無、並びに、向き等の情報を把握することが可能である。これらの情報に基づいて、その後の接着工程を適切に実施することができる。

次いで、保護部材５ｐで覆われた状態の接着剤片３ｐを基板（不図示）の所定の位置及び向きに配置する。この状態のまま、基板に対する接着剤片３ｐの仮圧着を行う。仮圧着は、例えば、温度６０〜１５０℃、押圧力０．０３〜１ＭＰａの条件で０．１〜１０秒にわたって行えばよい。仮圧着によって、接着剤片３ｐが基板に対して弱くではあるが基板から剥離しない程度に密着する。この状態で粘着テープ等を使用して保護部材５ｐを接着剤片３ｐから剥離する。保護部材５ｐの剥離によって露出した接着剤片３ｐの表面に、接着剤片３ｐと異なる形状の半導体チップ（不図示）を配置した後、基板に対する半導体チップの圧着を行う。圧着は、例えば、温度６０〜１５０℃、押圧力０．０５〜１ＭＰａの条件で０．１〜１０秒にわたって行えばよい。なお、基板の薄化に伴い、加熱温度は低いことが望ましく、圧着温度は１６０℃以下であることが好ましく、その後の熱硬化温度も１６０℃以下であることが好ましい。

＜半導体装置＞
図８は接着剤片３ｐを使用して製造された半導体装置の一例を模式的に示す断面図である。同図に示す半導体装置１００は、半導体チップＳと、半導体チップＳが電気的に接続された基板５０と、半導体チップＳと基板５０との間に配置されており、半導体チップＳと基板５０とを接着する接着剤片３ｐとを備える。半導体チップＳの形状は、例えば、長方形又は正方形であるのに対して接着剤片３ｐの形状はＴ字型であり、半導体チップＳの形状と接着剤片３ｐの形状が異なっている。かかる構成を採用することにより、図４に示したとおり、領域Ｒ１，Ｒ２において基板５０と半導体チップＳを導電材料Ａ１，Ａ２によって電気的に接続することが可能である。

半導体装置１００の製造方法は、基板５０と接着剤片３ｐと半導体チップＳとがこの順序で積層されている積層体（不図示）を準備する工程と、積層体を加熱することによって接着剤片を介して基板５０と半導体チップＳを接着する工程とを含む。基板５０と半導体チップＳを接着する際の温度は、低温であることが好ましく、例えば、１６０℃以下である。

以上、本開示の実施形態について詳細に説明したが、本開示は上記実施形態に限定されるものではない。例えば、上記実施形態においては、保護部材５ｐの有無及び向き等をカメラ等で把握できるように、着色された保護フィルム５を使用する場合を例示したが、これの代わりに、保護部材５ｐの所定の位置にマークを付してもよい。また、接着剤片３ｐが着色された態様とすれば、保護部材５ｐは設けなくてもよい。なお、接着剤片３ｐの向きが問題とならない場合（例えば、接着剤片３ｐの形状が円形である場合）には、向きを識別する必要はない。

以下、本開示について実施例に基づいて説明する。本開示は以下の実施例に限定されるものではない。

＜実施例１＞
（接着剤ワニスの調製）
以下の材料を混合するとともに真空脱気することによって接着剤ワニスを得た。
・熱可塑性樹脂：ＨＴＲ−８６０Ｐ−３（商品名、ナガセケムテックス株式会社製、グリシジル基含有アクリルゴム、分子量１００万、Ｔｇ−７℃）１００質量部
・熱硬化性樹脂：ＹＤＣＮ−７００−１０（商品名、新日鉄住金化学株式会社製、ｏ−クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、エポキシ当量２１０）３０質量部
・熱硬化性樹脂：ＬＦ−４８７１（商品名、ＤＩＣ株式会社製、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、エポキシ当量１１８）９５質量部
・熱硬化性樹脂：ＹＤＦ−８１７０Ｃ（商品名、新日鉄住金化学株式会社製、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、エポキシ当量１５７）１００質量部
・硬化促進剤：２ＰＺ−ＣＮ（商品名、四国化成工業株式会社製、イミダゾール化合物）０．３質量部
・表面処理フィラー：ＳＣ−２０５０−ＨＬＧ（商品名、株式会社アドマテックス製）３３０質量部
・シランカップリング剤：Ａ−１８９（商品名、ＮＵＣ株式会社製、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン）０．９質量部
・シランカップリング剤：Ａ−１１６０（商品名、ＮＵＣ株式会社製、γ−ウレイドプロピルトリエトキシシラン）２質量部

（接着フィルムの作製）
上記接着剤ワニスを、表面離型処理ポリエチレンテレフタレート（帝人フィルムソリューション株式会社製、商品名：テイジンテトロンフィルムＡ−５３、厚さＴ：３８μｍ）上に塗工した。乾燥工程を経て、上記ポリエチレンテレフタレートフィルム（キャリアフィルム）の一方の面に、厚さ２５μｍの接着剤層が形成されたフィルムを得た。このフィルムと、着色された厚さ５０μｍのポリエチレンフィルム（タマポリ株式会社製、ＴＤＭ−１）とを貼り合わせることによって、積層フィルムを得た。この積層フィルムを１５ｍｍ幅にスリットすることによって、帯状の積層体を得た。

上記のようにして得た積層体に対して、図６に示す構成の装置を使用して型抜きを行うことで、本実施例に係る接着フィルムを得た。接着剤片の形状は、縦約７ｍｍ×横約６ｍｍの矩形の一部の角が欠けた形状（面積：２９ｍｍ^２）とした。ピッチＰは約９ｍｍとした。キャリアフィルムに対する切込みの深さＤは１３μｍであり、Ｄ／Ｔ（＝１３／３８）の値は約０．３であった。切込みの深さＤは、キャリアフィルムに形成された切込みの任意の１０箇所について、それぞれの深さを電子顕微鏡画像に基づいて測定し、その平均値とした。以下の実施例及び比較例においても同様である。

＜実施例２＞
実施例１で使用したキャリアフィルムと異なる表面処理が施されたキャリアフィルムを使用し且つキャリアフィルムに対する切込みの深さＤを変更したことの他は、実施例１と同様にして接着フィルムを作製した。キャリアフィルムとして、表面離型処理ポリエチレンテレフタレートフィルム（帝人フィルムソリューション株式会社製、商品名：テイジンテトロンフィルムＡ−６３、厚さＴ：３８μｍ）を使用した。キャリアフィルムに対する切込みの深さＤは１８μｍであり、Ｄ／Ｔ（＝１８／３８）の値は約０．５であった。

＜実施例３＞
キャリアフィルムに対する切込みの深さＤを変更したことの他は、実施例２と同様にして接着フィルムを作製した。キャリアフィルムに対する切込みの深さＤは２１μｍであり、Ｄ／Ｔ（＝２１／３８）の値は約０．６であった。

＜比較例１＞
キャリアフィルムに対する切込みの深さＤを変更したことの他は、実施例１と同様にして接着フィルムを作製した。キャリアフィルムに対する切込みの深さＤは２６μｍであり、Ｄ／Ｔ（＝２６／３８）の値は約０．７であった。

＜比較例２＞
キャリアフィルムに対する切込みの深さＤを変更したことの他は、実施例１と同様にして接着フィルムを作製した。キャリアフィルムに対する切込みの深さＤは３３μｍであり、Ｄ／Ｔ（＝３３／３８）の値は約０．９であった。

＜比較例３＞
実施例１で使用したキャリアフィルムと異なる表面処理が施されたキャリアフィルムを使用し且つキャリアフィルムに対する切込みの深さＤを変更したことの他は、実施例１と同様にして接着フィルムを作製した。キャリアフィルムとして、表面離型処理ポリエチレンテレフタレートフィルム（帝人フィルムソリューション株式会社製、商品名：テイジンテトロンフィルムＡ−３１、厚さＴ：３８μｍ）を使用した。キャリアフィルムに対する切込みの深さＤは２９μｍであり、Ｄ／Ｔ（＝２９／３８）の値は約０．８であった。

実施例及び比較例に係る接着フィルムについて以下の項目の評価を行った。表１及び表２に結果を示す。
（１）キャリアフィルム密着力（９０°ピール強度）
型抜きを行っていない積層フィルム（キャリアフィルム／接着剤層／保護フィルム）を２０ｍｍ幅に切り出した。両面テープを用い、キャリアフィルム側の面をアルミニウム板に貼り付けた後、保護フィルムを剥がした。その後、キャリアフィルムに対する接着剤層の角度を９０°に維持しながら、接着剤層を上方に引き上げることによってキャリアフィルムから接着剤層を剥離させた。引き上げ速度は５０ｍｍ／分とし、測定環境温度は２３±２℃とした。引き上げに要する力を測定した。この測定値（ｍＮ）及び試料の幅（２０ｍｍ）を下記式に代入することによって、キャリアフィルムと接着剤層と間の密着力を算出した。
密着力（Ｎ／ｍ）＝測定値（ｍＮ）／２０（ｍｍ）
以下の基準に基づいて、評価を行った。
Ａ：密着力が２Ｎ／ｍ以上
Ｂ：密着力が２Ｎ／ｍ未満

（２）接着剤片を構成する接着剤組成物のはみ出し距離
接着フィルムの上面（保護部材側の面）の顕微鏡画像に基づき、保護部材の外縁から接着剤組成物が最もはみ出している箇所の距離を測定した。
以下の基準に基づいて、評価を行った。
Ａ：はみ出し距離が２０μｍ以下
Ｂ：はみ出し距離が２０μｍ超

（３）ピックアップ性
ダブルクリップ（幅３２ｍｍ）を板の端部に固定して図９（ａ）に示す構成の装置を作製した。実施例及び比較例に係る接着フィルム（幅１５ｍｍ）に一定の張力を付与した状態で、ダブルクリップＢのコーナー部Ｃに接着フィルム１０のキャリアフィルム側の面を当接させながら、同図に示す矢印の方向に接着フィルム１０を５０ｍｍ／分の速度で移動させた。コーナー部Ｃにおける接着フィルム１０の折れ曲がり角度は１５０°程度とした。連続して並ぶ２５個の接着剤片３ｐ（及び保護部材５ｐ）のうち、コーナー部Ｃにおいて、キャリアフィルムから剥離して浮いた状態（図９（ａ）参照）となるか否かを目視により観察した。図９（ｂ）に示すように、キャリアフィルム１に付着したままコーナー部Ｃを通過した接着剤片３ｐを「剥離しなかった接着剤片」としてカウントした。
以下の基準に基づいて、評価を行った。
Ａ：２５個の接着剤片のうち、剥離しなかった接着剤片が２個以下
Ｂ：２５個の接着剤片のうち、剥離しなかった接着剤片が３個以上

本開示によれば、半導体チップが接着されるべき基板の領域に制限があったり、半導体チップの形状が特殊であったりしても、半導体装置の製造プロセスにおける接着工程を効率的に実施するのに有用な接着フィルム及びこれを十分に安定的に製造する方法が提供される。

１…キャリアフィルム、１ｃ…切込み、３…接着剤層、３ｐ…接着剤片、５…保護フィルム、５ｐ…保護部材、１０…接着フィルム、５０…基板、１００…半導体装置、Ｃ１〜Ｃ１２…接着剤片の角、Ｆ１…接着剤片の面（第一面）、Ｆ２…接着剤片の面（第二面）、Ｓ…半導体チップ

Claims (18)

1. 半導体装置製造用接着フィルムの製造方法であって、
   （Ａ）幅１００ｍｍ以下の帯状のキャリアフィルムと、前記キャリアフィルムの表面を覆うように形成された接着剤層とを少なくとも有する積層体を準備する工程と、
   （Ｂ）前記接着剤層を型抜きすることによって、前記キャリアフィルム上に前記キャリアフィルムの長手方向に並ぶように配置された複数の接着剤片を得る工程と、
   をこの順序で含み、
   （Ｂ）工程において前記型抜きを行うとき、以下の不等式（１）で示される条件を満たすように、前記接着剤層及び前記キャリアフィルムに対して切込みを入れ、
   前記接着剤片が、長方形又は正方形の少なくとも一辺において、凸部及び凹部の少なくとも一方が形成された形状を有する、接着フィルムの製造方法。
   ０＜Ｄ／Ｔ≦０．６ （１）
   ［式中、Ｄは前記キャリアフィルムに対する切込みの深さ（単位μｍ）であり、Ｔは前記キャリアフィルムの厚さ（単位μｍ）である。］
2. 前記接着剤片が６つ以上の角を有する、請求項１に記載の接着フィルムの製造方法。
3. 前記接着剤片の形状がＬ字型である、請求項２に記載の接着フィルムの製造方法。
4. 前記接着剤片が８つ以上の角を有する、請求項１に記載の接着フィルムの製造方法。
5. 前記積層体は、前記接着剤層を覆うように配置された保護フィルムを更に有し、
   前記不等式（１）で示される条件を満たすように、前記保護フィルム、前記接着剤層及び前記キャリアフィルムに対して切込みを入れる、請求項１〜４のいずれか一項に記載の接着フィルムの製造方法。
6. 半導体装置製造用接着フィルムであって、
   幅１００ｍｍ以下の帯状のキャリアフィルムと、
   前記キャリアフィルム上に前記キャリアフィルムの長手方向に並ぶように配置されている複数の接着剤片と、
   前記接着剤片の外縁に沿うように、前記キャリアフィルムに形成された切込みと、
   を備え、
   前記切込みの深さ及び前記キャリアフィルムの厚さが以下の不等式（１）で示される条件を満たし、
   前記接着剤片が、長方形又は正方形の少なくとも一辺において、凸部及び凹部の少なくとも一方が形成された形状を有する、接着フィルム。
   ０＜Ｄ／Ｔ≦０．６ （１）
   ［式中、Ｄは前記キャリアフィルムに対する切込みの深さ（単位μｍ）であり、Ｔは前記キャリアフィルムの厚さ（単位μｍ）である。］
7. 前記接着剤片が６つ以上の角を有する、請求項６に記載の接着フィルム。
8. 前記接着剤片の形状がＬ字型である、請求項７に記載の接着フィルム。
9. 前記接着剤片が８つ以上の角を有する、請求項６に記載の接着フィルム。
10. 前記接着剤片の前記キャリアフィルム側の第一面と反対側の第二面を覆っており、前記接着剤片と同じ形状を有する保護部材を更に備える、請求項６〜９のいずれか一項に記載の接着フィルム。
11. 前記接着剤片の面積が１０〜２００ｍｍ^２である、請求項６〜１０のいずれか一項に記載の接着フィルム。
12. 前記キャリアフィルムの表面であって前記複数の接着剤片によって覆われている領域の割合が前記キャリアフィルムの面積を基準として１０〜６０％である、請求項６〜１１のいずれか一項に記載の接着フィルム。
13. 前記キャリアフィルムと前記接着剤片との間の密着力が２Ｎ／ｍ以上である、請求項６〜１２のいずれか一項に記載の接着フィルム。
14. 前記キャリアフィルムの厚さは、１０〜２００μｍである、請求項６〜１３のいずれか一項に記載の接着フィルム。
15. 基板と、
    半導体チップと、
    請求項６〜１４のいずれか一項に記載の接着フィルムの前記接着剤片と、
    を備え、
    前記接着剤片が前記基板と前記半導体チップとの間に配置されており、前記基板と前記半導体チップとを接着しており、
    前記半導体チップの形状と前記接着剤片の形状が異なっている、半導体装置。
16. 請求項６〜１４のいずれか一項に記載の接着フィルムの前記接着剤片を使用する、半導体装置の製造方法。
17. 基板と前記接着剤片と半導体チップとがこの順序で積層されている積層体を準備する工程と、
    前記積層体を加熱することによって前記接着剤片を介して前記基板と前記半導体チップを接着する工程と、
    を含み、
    前記半導体チップの形状と前記接着剤片の形状が異なっている、請求項１６に記載の半導体装置の製造方法。
18. 前記積層体を１６０℃以下の温度に加熱することによって前記接着剤片によって前記基板に対して前記半導体チップを接着する、請求項１７に記載の半導体装置の製造方法。

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