WO2013146904A1

WO2013146904A1 - 配線基板

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Publication number: WO2013146904A1
Application number: PCT/JP2013/059054
Authority: WO
Inventors: 幸平松丸
Original assignee: 株式会社フジクラ
Priority date: 2012-03-28
Filing date: 2013-03-27
Publication date: 2013-10-03
Also published as: CN103503583A; EP2833704A4; EP2833704A1; JPWO2013146904A1; US20140049344A1; US9478839B2; CN103503583B; EP2833704B1; TW201352092A

Abstract

　基板と；前記基板の一面上に並行に配された２本の配線から構成される差動伝送路と；前記基板の一面の一部に形成された絶縁樹脂層と；を備えた配線基板であって、前記基板の一面と前記絶縁樹脂層の上面との境界には前記絶縁樹脂層の側面から構成される段差部が形成され、前記２本の配線は、前記基板の一面から前記絶縁樹脂層の上面まで、前記段差部を横断するように延設されており、前記基板の平面視において、前記段差部を横断する前記２本の配線が延設される方向と、前記絶縁樹脂層の上面と前記段差部を構成する前記絶縁樹脂層の側面との境界により定義される辺縁の方向と、が直交している。

Description

配線基板

　本発明は、配線基板に関し、より詳細には、差動信号を伝送する差動伝送路を備える配線基板に関する。
　本願は、２０１２年３月２８日に、日本に出願された特願２０１２－０７３７３５号に基づき優先権を主張し、その内容をここに援用する。

　電子情報機器の発達に伴い、電子機器に使用する配線基板には信号の高速化が求められている。高速に信号を伝送する方法として、差動伝送方式が用いられている。差動伝送とは、１対の線路に逆極性の高周波信号（例えば、２０ＧＨｚ以上の高周波帯域）を伝送させることを指し、各線路間の電位差に基づいて信号が認識される。このため、差動伝送方式にはコモン・モード・ノイズに強いという特長がある。このような差動伝送方式を用いた配線基板の例が、特許文献１や特許文献２に挙げられている。

　図９は、従来の配線基板の一構成例を示す断面図である。
　配線基板１００においては、基板１１０の一面１１０ａ上に、光デバイス１１５が配されている。基板１１０上に、並行に配された２本の配線１１２Ａ，１１２Ｂから構成される差動伝送路１１３が形成されている。差動伝送路１１３の一端と光デバイス１１５とが、接合金属１１４を介して電気的に接続されている。差動伝送路１１３の他端には、例えばプリント基板１１８が接合金属１１７を介して接続されている。光デバイス１１５は、電気信号が入出力する複数の端子１１５ｂを備えており、各端子１１５ｂ同士の距離（ピッチ）は、例えば約１００μｍ程度である。他方、差動伝送路１１３の他端に接続されるプリント基板１１８にも入出力端子が形成されており、各端子同士の距離は例えば４００μｍ程度である。差動伝送路１１３は、差動信号を伝送するための配線であるとともに、光デバイス１１５の各端子の狭いピッチを、プリント基板１１８のより広い端子ピッチへと変換している。
　光デバイス１１５は、基板１１０に対向する面に、発光したり受光したりする光機能部１１５ａを備えている。基板１１０は、例えばガラス等からなる透明な基板であり、光デバイス１１５が行う光信号の入出力は、透明な基板１１０を通して行われる。

　差動伝送路１１３を備える配線基板１００においては、差動伝送路１１３を構成する配線１１２Ａ，１１２Ｂの他端は、一様な厚さの絶縁樹脂層１１１上に形成されている。絶縁樹脂層１１１は、基板１１０からプリント基板１１８へ伝わる応力を緩和するために設けられている。絶縁樹脂層１１１によって配線１１２Ａ，１１２Ｂとプリント基板１１８との接続信頼性が高められている。
　基板上に実装された光デバイス１１５により基板１１０を透過させながら光信号を入出力するような用途では、光路に絶縁樹脂層１１１及び配線１１２Ａ，１１２Ｂが形成されていると、これらによって光信号の伝達が阻害される。この問題を解決するため、図９に示すように、光路上には絶縁樹脂層１１１及び配線１１２Ａ，１１２Ｂを設けず、配線１１２Ａ，１１２Ｂの他端のみに絶縁層１１１が形成されている。
　しかしながら、従来の配線基板１００においては、以下に述べる問題がある。

　図１０Ａ～１０Ｄは、従来の配線基板１００の差動伝送路１１３（配線１１２Ａ，１１２Ｂ）を拡大して示す図である。図１０Ａは平面図であり、図１０Ｂ～１０Ｄは各々、図１０Ａに示した、線分Ｘ_４－Ｘ_４’、線分Ｘ_５－Ｘ_５’、線分Ｘ_６－Ｘ_６’線における断面図である。
　図１０Ａ～１０Ｄに示すように、配線１１２Ａ，１１２Ｂは、高周波信号が伝送される差動伝送路１１３を構成している。配線１１２Ａ，１１２Ｂは、絶縁樹脂層１１１の厚さに相当する段差１２０を跨いで（横断して）形成されている。しかしながら、前述したように、光デバイス１１５の各端子の狭いピッチをプリント基板１１８の広いピッチに変換する必要がある。この要件を満足しつつ配線の一端と他端とを最短距離で接続しようとすると、配線基板１００を平面視した際に差動伝送路１１３の延設方向と絶縁樹脂層１１１の直線状の辺縁１１１ｂが延びる方向とが斜めに交差している場合では、２本の配線１１２Ａ，１１２Ｂの断面形状が段差部１２０において変化するため、差動伝送路１１３の伝送特性が劣化する。すなわち、図１０Ｃのように斜めに交差する位置において差動伝送路１１３を構成する配線１１２Ａ（＋極）と配線１１２Ｂ（－極）との構造の連続性や対称性が崩れる。

　最適な特性インピーダンスが得られるように配線を設計する際、通常は図１０Ｂや図１０Ｄのように、差動伝送路１１３は、これを構成する２本の配線、すなわち、配線１１２Ａ（＋極）と配線１１２Ｂ（－極）との構造が対称となるように設計される。

　図１０Ａ～１０Ｄの差動伝送路１１３においては、差動伝送路１１３以外にグランドを持っておらず、差動伝送路１１３とグランドとの間の容量Ｃがないため、差動伝送路を構成する＋極と－極との間の容量Ｃが特性インピーダンスに大きな影響を与える。なお、配線基板の両面に配線を備えている場合、配線デザインの制約から基板裏面にグランドを持たせることができないので、一般的に図１０Ａ～１０Ｄのような構造が採用される。

　図１０Ｂや図１０Ｄのように、配線１１２Ａ（＋極）と配線１１２Ｂ（－極）との間に空気層や絶縁樹脂層といった誘電体が連続的に且つ左右対称に存在する構造においては、＋極と－極間との間の容量Ｃを材料物性と電極間寸法等から容易に計算することが可能である。一方、図１０Ｃのように、差動伝送路１１３を構成する配線１１２Ａ（＋極）及び配線１１２Ｂ（－極）の構造が不連続で且つ非対称な構造においては、その非対称な区間において特性インピーダンスの不整合や、いわゆる対内スキュー（配線１１２Ａと配線１１２Ｂとの間における伝播時間差）が生じ、伝送する信号の波形が乱れて信号品質が劣化する。特に２０ＧＨｚを超える高速伝送では、特性インピーダンスの不整合や対内スキューの発生は伝送特性への影響が大きい。
　この特性インピーダンスの不整合や対内スキューを低減する方法として配線幅や配線厚さを調整することが考えられるが、配線幅や配線厚さを調整することは、製造上困難である。

　つまり、公知の設計手法が実質的に利用できず、正確な特性インピーダンスを設計できないために、従来の設計によれば、インピーダンスの不整合及び対内スキューが発生せざるを得ない状況にあった。このようなインピーダンスの不整合及び対内スキューの発生は、周波数が１０ＧＨｚ程度までならば実用上は問題にならない。しかしながら、２０ＧＨｚ以上の高周波領域で用いる配線基板においては、わずかな特性インピーダンスのズレや対内スキューが生じると伝送路全体に与える影響が大きくなることから、この問題を解消することが期待されていた。

日本国特許第２７３６１０７号公報日本国特開２００３－３１７２４号公報

　本発明は、上述のような実情に鑑みて考案されたものであり、段差部においても、並行に配された２本の配線の断面形状に差異が生じることがなく、高周波信号の伝送特性に優れた差動伝送路を有する配線基板の提供を目的とする。

　本発明の一態様に係る配線基板は、基板と；前記基板の一面上に並行に配された２本の配線から構成される差動伝送路と；前記基板の一面の一部に形成された絶縁樹脂層と；備えた配線基板であって、前記基板の一面と前記絶縁樹脂層の上面との境界には前記絶縁樹脂層の側面から構成される段差部が形成され、前記２本の配線は、前記基板の一面から前記絶縁樹脂層の上面まで、前記段差部を横断するように延設されており、前記基板の平面視において、前記段差部を横断する前記２本の配線が延設される方向と、前記絶縁樹脂層の上面と前記段差部を構成する前記絶縁樹脂層の側面との境界により定義される辺縁の方向と、が直交している。
　前記段差部を構成する前記絶縁樹脂層の側面が、前記基板の一面に対して傾斜していてもよい。
　前記辺縁から等距離の各位置において前記２本の配線の幅が互いに同じになるように、前記絶縁樹脂層の上面における前記２本の配線の幅が変化していてもよい。
　前記辺縁から等距離の各位置において前記２本の配線の高さが互いに同じになるように、前記絶縁樹脂層の上面における前記２本の配線の高さが変化していてもよい。

　上記本発明の態様に係る配線基板においては、前記段差部を横断する配線が延設される方向と、前記絶縁樹脂層の上面と前記段差部を構成する前記絶縁樹脂層の側面により定義される辺縁の方向とが、直交している。すなわち、段差部においても、並行に配された２本の配線の断面形状に差異が生じることがないため、インピーダンス不整合が解決される。ゆえに、上記本発明の態様によれば、高周波信号の伝送特性に優れた差動伝送路を有する配線基板を提供することができる。

本発明の第一実施形態に係る配線基板の一構成例を示す平面図である同実施形態に係る配線基板の一構成例を示す断面図である。同実施形態に係る配線基板における差動伝送路の部分を拡大して示す平面図である。図２ＡのＸ_１－Ｘ_１’線に沿った断面図である。図２ＡのＸ_２－Ｘ_２’線に沿った断面図である。図２ＡのＸ_３－Ｘ_３’線に沿った断面図である。同実施形態に係る配線基板の他の構成例を示す平面図である。同実施形態に係る配線基板の他の構成例を示す断面図である。本発明の第二実施形態に係る配線基板の一構成例における差動伝送路の部分を拡大して示す斜視図である。同実施形態に係る配線基板の一構成例における差動伝送路の部分を拡大して示す斜視図である。本発明の第三実施形態に係る配線基板の一構成例における差動伝送路の部分を拡大して示す斜視図である。同実施形態に係る配線基板の一構成例における差動伝送路の部分を拡大して示す斜視図である。同実施形態に係る配線基板の一構成例における差動伝送路の部分を拡大して示す斜視図である。同実施形態に係る配線基板の一構成例における差動伝送路の部分を拡大して示す斜視図である。従来の配線基板の一構成例を示す断面図である。従来の配線基板における差動伝送路の部分を拡大して示す平面図である。図１０ＡのＸ_４－Ｘ_４’線に沿った断面図である。図１０ＡのＸ_５－Ｘ_５’線に沿った断面図である。図１０ＡのＸ_６－Ｘ_６’線に沿った断面図である。従来の配線基板における光デバイスの各端子と絶縁樹脂層の各端子との接続例を模式的に示す平面図である。本発明の一実施形態に係る配線基板における光デバイスの各端子と絶縁樹脂層の各端子との接続例を模式的に示す平面図である。

　以下、本発明の各実施形態に係る配線基板について、図面に基づいて説明する。

　（第一実施形態）
　図１Ａ及び１Ｂは、本発明の第一実施形態に係る配線基板１の一構成例を示す図であり、図１Ａは平面図であり、図１Ｂは断面図である。
　本実施形態に係る配線基板１Ａ（１）は、基板１０の一面１０ａ上に、並行に配された２本の配線１２Ａ，１２Ｂから構成される差動伝送路１３を備える。
　また、配線基板１Ａ（１）は、基板１０の一面１０ａの一部に形成された絶縁樹脂層１１（絶縁層）を備えている。基板１０の一面１０ａと絶縁樹脂層１１の上面１１ａとの境界には、絶縁樹脂層１１の側面１１ｂから構成される段差部２０が形成されている。差動伝送路１３を構成する２本の配線１２Ａ，１２Ｂは、基板１０の一面１０ａから絶縁樹脂層１１の上面１１ａまで、段差部２０を横断するように延設されている。

　また、配線基板１Ａ（１）の基板１０の一面１０ａ上に、光デバイス１５が配されている。光デバイス１５は、基板１０に対向する面に、発光したり受光したりする光機能部１５ａと、電気信号の入出力を行うための複数の端子１５ｂとを備えている。基板１０上に形成された差動伝送路１３と光デバイス１５とが、接合金属１４を介して電気的に接続されている。

　基板１０は透過性が高く、高周波領域での誘電損失が小さい材料からなる。そのような材料の例として、石英、ホウ珪酸ガラスが挙げられる。基板１０の厚さは、配線基板１の低背化とウエハの搬送性を確保できれば特に限定されないが、例えば０．１～２．０ｍｍである。

　絶縁樹脂層１１（絶縁層）は、光デバイス１５の光信号を損失なく透過して且つ、光路を避けるように、基板１０上に選択的に形成される。光路上には絶縁樹脂層１１を形成せずに、差動伝送路１３の配線１２Ａ，１２Ｂの下に選択的に絶縁樹脂層１１を形成することにより、絶縁樹脂層１１による光信号の透過を妨げることなく、光信号を入出力することが可能となる。
　絶縁樹脂層１１は、後工程での環境に耐える材料である必要がある。そのような材料の例として、耐熱性、耐薬品性に優れたポリイミド樹脂、シリコ－ン樹脂、エポキシ樹脂が挙げられる。

　また、絶縁樹脂層１１は、実装時の機械的強度を高めたり、応力を緩和したりする機能を有していてもよい。例えば、差動伝送路１３と外部機器とをワイヤボンディングにより接続する場合、絶縁樹脂層１１はワイヤを接続する際の機械的衝撃を受ける層として機能する。よって、絶縁樹脂層１１の厚さは、機械的強度や応力を緩和させる能力を確保できれば特に限定されないが、例えば１～２０μｍである。絶縁樹脂層１１が厚すぎると、差動伝送路１３が段差部２０において断線することがあるので、絶縁樹脂層１１の厚さは５～１０μｍであることがより好ましい。

　差動伝送路１３は、並行に配された２本の配線１２Ａ，１２Ｂ（伝送路）から構成される。２本の配線１２Ａ，１２Ｂはそれぞれ＋（正）極と－（負）極の極性を持ち、これらの１組が伝送路を構成する。
　配線１２Ａ，１２Ｂは、抵抗値が低い導体からなる。配線１２Ａ，１２Ｂは、例えばＣｕの電解めっきで形成される。配線１２Ａ（＋極）及び配線１２Ｂ（－極）の膜厚、配線幅、間隔は、所望の特性インピ－ダンスが得られるよう設計される。例えば、ガラスからなる基板１０上に、膜厚１３μｍ、配線幅７５μｍ、配線間隔４０μｍであるＣｕからなる配線１２Ａ，１２Ｂを形成すれば、特性インピ－ダンス１００Ωの差動伝送路１３が得られる。

　接合金属１４は、光デバイス１５を基板１０上に電気的、機械的に接続、実装する。接合金属１４の材料は、Ｓｎを含有する一般的なはんだである。例えば、Ｓｎ－Ａｇ－Ｃｕ系の鉛フリ－はんだやＡｕＳｎはんだである。接合金属１４の高さは、光デバイス１５の各出力端子パッドの寸法、及びそれらの間隔に基づき任意に決定される。例えば、光デバイス１５の各出力端子パッド寸法とパッド間隔がそれぞれ１００μｍのとき、接合金属１４の幅を１００μｍ、高さを２０μｍとすればよい。

　図２Ａ～２Ｄは、本実施形態に係る配線基板１Ａ（１）における差動伝送路１３（配線１２Ａ，１２Ｂ）の部分を拡大して示す図である。図２Ａは平面図、図２Ｂ～２Ｄは各々、図２Ａに示した、線分Ｘ_１－Ｘ_１’、線分Ｘ_２－Ｘ_２’、線分Ｘ_３－Ｘ_３’における断面図である。
　本実施形態に係る配線基板１Ａ（１）においては、図２Ａに示すように、基板１０の平面視において、段差部２０を横断する配線１２Ａ，１２Ｂが延設される方向（図中Ｓ方向）と、絶縁樹脂層１１の上面１１ａと段差部２０を構成する絶縁樹脂層１１の側面１１ｂにより定義される辺縁の方向（図中Ｔ方向）とが、直交している。

　本実施形態に係る配線基板１Ａ（１）においては、段差部２０を横断する配線１２Ａ，１２Ｂが延設される方向（図中Ｓ方向）と、絶縁樹脂層１１の上面１１ａと段差部２０を構成する絶縁樹脂層１１の側面１１ｂにより定義される辺縁の延設方向（図中Ｔ方向）とが、直交している。すなわち、図２Ｂ～２Ｄに示すように、段差部２０においても、並行に配された２本の配線１２Ａ，１２Ｂの断面形状に差異が生じることがないため、インピーダンス不整合が解決される。したがって、本実施形態によれば、伝送特性に優れた差動伝送路１３を有する配線基板１Ａ（１）が得られる。

　差動伝送路１３と絶縁樹脂層１１の端とを直角に交差させることで、差動伝送路１３の＋極と－極の断面構造が連続的かつ対称的になるため、特性インピーダンスの設計が容易になる。差動伝送路１３の断面を見たときに図２Ｂ及び図２Ｃに示されている領域において、配線長さが一定になるので、配線１２Ａ，１２Ｂの幅や膜厚の調整が製造上可能となる。以上のように、公知の設計手法が利用できるため、インピーダンス整合が可能となる。

　ここで、従来の配線基板１００と本発明に係る配線基板との差異についてさらに詳しく説明する。
　図１１Ａは、従来の配線基板１００における基板１１０に形成された端子（パッド）１１６Ａ～１１６Ｄと絶縁樹脂層１１１の各端子（パッド）１１２Ａ～１１２Ｄとの接続例を模式的に示す平面図である。また、図１１Ｂは、本発明の一実施形態に係る配線基板１における基板１０に形成された端子（パッド）１６Ａ～１６Ｄと絶縁樹脂層１１の各端子（パッド）１２Ａ～１２Ｄとの接続例を模式的に示す平面図である。
　図１１Ａにおいて、絶縁樹脂層１１１には、たとえば図９に示されているプリント基板１１８の入出力端子に対応するピッチｐ１１２（例えば４００μｍ）で互いに離間して形成された複数の端子パッド１１２Ａ，１１２Ｂ，１１２Ｃ，１１２Ｄ…が形成されている。その反対側には光デバイス１１５の入出力端子１１５ｂに対応するピッチｐ１１６（例えば１００μｍ）で互いに離間して形成された複数の端子パッド１１６Ａ，１１６Ｂ，１１６Ｃ，１１６Ｄ…が形成されている。この例では、ピッチｐ１１２がピッチｐ１１６よりも大きくなるように各端子が形成されている。端子パッド１１２Ａ～１１２Ｄと端子パッド１１６Ａ～１１６Ｄとは、配線Ｌ１０１～Ｌ１０４によって接続されている。
　配線Ｌ１０１～Ｌ１０４は、各端子パッド同士を接続するとともに、各端子パッド（１１６Ａ～１１６Ｄ）の狭いピッチを端子パッド（１１２Ａ～１１２Ｄ）の広いピッチへ変換する役割を備えている。配線Ｌ１０１とＬ１０２とは一組の差動伝送路（ペア配線）Ｐ１０１を構成しており、配線Ｌ１０３と配線Ｌ１０４とは、もう一組の差動伝送路（ペア配線）Ｐ１０２を構成している。
　従来の配線基板１００に形成されている絶縁樹脂層１１１の段差部１２０は、端子パッド１１２Ａ，１１２Ｂ，１１２Ｃ，１１２Ｄ…および端子パッド１１６Ａ，１１６Ｂ，１１６Ｃ，１１６Ｄ…の配列方向と平行に形成されている。
　配線Ｌ１０１と配線Ｌ１０２とは、互いに対称なパターン形状を有している。この２本の配線Ｌ１０１，Ｌ１０２により構成される差動伝送路Ｐ１０１は、良好な伝送特性が得られるように設計されている。しかしながら、上述した要件のため、配線Ｌ１０３と配線Ｌ１０４とによって構成される差動伝送路Ｐ１０２は、絶縁樹脂層１１１の段差部１２０に対して斜めに交差するように設計せざるを得ない。この場合、段差部１２０と差動伝送路Ｐ１０２とが交差する位置において２本の配線Ｌ１０３，Ｌ１０４の断面形状に差異が生じ、特性インピーダンスのズレや対内スキューの発生といった問題が生じることとなる。

　一方、図１１Ｂに示されているように、本発明の一実施形態に係る配線基板１においては、基板１０上にピッチｐ１６（例えば１００μｍ）で配置された各端子パッド１６Ａ～１６Ｄと、ピッチｐ１２（例えば４００μｍ）で配置された絶縁樹脂層１１の各端子パッド１２Ａ～１２Ｄと、を接続する配線Ｌ１～Ｌ４の全てが、段差部２０と直交するように絶縁樹脂層１１が形成されている。すなわち、配線Ｌ１及びＬ２により構成される差動伝送路Ｐ１と、配線Ｌ３及びＬ４により構成される差動伝送路Ｐ２とのいずれもが、段差部２０と直交している。これにより、段差部２０において差動信号の乱れが生じることなく、良好な伝送特性を得ることができる。

　図３Ａ及び３Ｂは、本実施形態に係る配線基板の他の構成例を示す図であり、図３Ａは平面図、図３Ｂは断面図である。
　配線基板１Ｂ（１）においては、絶縁樹脂層１１の開口縁の近傍で屈曲した配線１２Ａ，１２Ｂと絶縁樹脂層１１の開口縁（辺縁）とが直角に交差している。

　（第二実施形態）
　以下、本発明の第二実施形態に係る配線基板１について説明する。
　なお、以下の説明では、上述した第一実施形態と異なる構成について主に説明し、第一実施形態と同様の構成については、説明を省略する。
　図４Ａ及び４Ｂは、本実施形態に係る配線基板の一構成例を示す図であり、特に差動伝送路の部分を拡大して示す斜視図である。

　上述した第一実施形態では、図４Ａに示すように、段差部２０を構成する絶縁樹脂層１１の側面１１ｂが、基板１０の一面１０ａに対してほぼ垂直である。
　これに対して、本実施形態（第二実施形態）に係る配線基板１Ｄ（１）においては、図４Ｂに示すように、段差部２０を構成する絶縁樹脂層１１の側面１１ｂが、基板１０の一面１０ａに対して傾斜している。図４Ｂには、絶縁樹脂層１１の側面１１ｂが、基板１０の一面１０ａに対して一定の傾斜角を有するように形成された例が示されているが、本発明はこれに限定されるものではない。たとえば、段差部２０を構成する絶縁樹脂層１１の側面１１ｂが、図４Ｂにおいて、上方に凸状をなしていたり、下方に凹状をなしていたり、あるいは凹凸が混在するように形成されていてもよい。
　絶縁樹脂層１１の側面１１ｂは、差動伝送路１３の＋極（配線１２Ａ）及び－極（配線１２Ｂ）の構造の連続性、対称性が保たれるように、２本の配線１２Ａ，１２Ｂが同レベルに傾斜するように設けられていることが好ましい。

　（第三実施形態）
　以下、本発明の第三実施形態に係る配線基板１について説明する。
　なお、以下の説明では、上述した第一実施形態と異なる構成について主に説明し、第一実施形態と同様の構成については、説明を省略する。
　図５～図８は、本実施形態に係る配線基板の構成例を示す図であり、特に差動伝送路の部分を拡大して示す斜視図である。

　図５に示す配線基板１Ｅ（１）においては、辺縁（１１ｂ）から等距離の各位置において、２本の配線１２Ａ，１２Ｂの幅が互いに同じになるように、絶縁樹脂層１１の上面１１ａにおける前記２本の配線１２Ａ，１２Ｂの幅が変化している。

　本実施形態に係る配線基板１Ｅ（１）においては、辺縁から等距離の各位置において、２本の配線１２Ａ，１２Ｂの幅が互いに同じになるように、絶縁樹脂層１１の上面１１ａにおける２本の配線１２Ａ，１２Ｂの幅が変化しているため、差動伝送路１３の＋極（配線１２Ａ）及び－極（配線１２Ｂ）の構造の連続性、対称性が保たれ、インピーダンス不整合が抑制される。したがって、配線基板１Ｅ（１）は、優れた伝送特性を示すことができる。

　また、図６に示す配線基板１Ｆ（１）においては、辺縁から等距離の各位置において、２本の配線１２Ａ，１２Ｂの高さが互いに同じになるように、絶縁樹脂層１１の上面１１ａにおける２本の配線１２Ａ，１２Ｂの高さが変化している。

　本実施形態に係る配線基板１Ｆ（１）においては、辺縁から等距離の各位置において、２本の配線１２Ａ，１２Ｂの高さが互いに同じになるように、絶縁樹脂層１１の上面１１ａにおける２本の配線１２Ａ，１２Ｂの高さが変化しているため、差動伝送路１３の＋極（配線１２Ａ）及び－極（配線１２Ｂ）の構造の連続性、対称性が保たれ、インピーダンス不整合が抑制される。したがって、配線基板１Ｆ（１）は、優れた伝送特性を示すことができる。

　また、図７に示す配線基板１Ｇ（１）においては、辺縁から等距離の各位置において、２本の配線１２Ａ，１２Ｂの幅及び高さが互いに同じになるように、絶縁樹脂層１１の上面１１ａにおける２本の配線１２Ａ，１２Ｂの幅及び高さが変化している。

　本実施形態に係る配線基板１Ｇ（１）においては、辺縁から等距離の各位置において、２本の配線１２Ａ，１２Ｂの幅及び高さが互いに同じになるように、絶縁樹脂層１１の上面１１ａにおける２本の配線１２Ａ，１２Ｂの幅及び高さが変化しているため、差動伝送路１３の＋極（配線１２Ａ）及び－極（配線１２Ｂ）の構造の連続性、対称性が保たれ、インピーダンス不整合が抑制される。したがって、配線基板１Ｇ（１）は、優れた伝送特性を示すことができる。

　また、図８に示す配線基板１Ｈ（１）においては、辺縁から等距離の各位置において、２本の配線１２Ａ，１２Ｂの形状が互いに同じになるように、絶縁樹脂層１１の上面１１ａにおける２本の配線１２Ａ，１２Ｂの形状が変化している。

　本実施形態に係る配線基板１Ｈ（１）においては、辺縁から等距離の各位置において、２本の配線１２Ａ，１２Ｂの形状が互いに同じになるように、絶縁樹脂層１１の上面１１ａにおける２本の配線１２Ａ，１２Ｂの形状が変化しているため、差動伝送路１３の＋極（配線１２Ａ）及び－極（配線１２Ｂ）の構造の連続性、対称性が保たれ、インピーダンス不整合が抑制される。したがって、配線基板１Ｈ（１）は、優れた伝送特性を示すことができる。

　以上、本発明の各実施形態に係る配線基板について説明してきたが、本発明はこれに限定されるものではなく、発明の趣旨を逸脱しない範囲で、適宜変更が可能である。

　本発明は、差動伝送路を備える配線基板に広く適用可能である。

　１Ａ，１Ｂ，１Ｄ，１Ｅ，１Ｆ，１Ｇ，１Ｈ（１）　配線基板
　１０　基板
　１１　絶縁樹脂層（絶縁層）
　１２Ａ，１２Ｂ　配線
　１３　差動伝送路
　１４　接合金属
　１５　光デバイス
　２０　段差部

Claims

　基板と；
　前記基板の一面上に並行に配された２本の配線から構成される差動伝送路と；
　前記基板の一面の一部に形成された絶縁樹脂層と；
を備えた配線基板であって、
　前記基板の一面と前記絶縁樹脂層の上面との境界には前記絶縁樹脂層の側面から構成される段差部が形成され、
　前記２本の配線は、前記基板の一面から前記絶縁樹脂層の上面まで、前記段差部を横断するように延設されており、
　前記基板の平面視において、前記段差部を横断する前記２本の配線が延設される方向と、前記絶縁樹脂層の上面と前記段差部を構成する前記絶縁樹脂層の側面との境界により定義される辺縁の方向と、が直交している配線基板。
　前記段差部を構成する前記絶縁樹脂層の側面が、前記基板の一面に対して傾斜している請求項１に記載の配線基板。
　前記辺縁から等距離の各位置において前記２本の配線の幅が互いに同じになるように、前記絶縁樹脂層の上面における前記２本の配線の幅が変化している請求項１又は２に記載の配線基板。
　前記辺縁から等距離の各位置において前記２本の配線の高さが互いに同じになるように、前記絶縁樹脂層の上面における前記２本の配線の高さが変化している請求項１又は２に記載の配線基板。