JPH04351102A - マイクロストリップ線路 - Google Patents
マイクロストリップ線路Info
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- JPH04351102A JPH04351102A JP3125799A JP12579991A JPH04351102A JP H04351102 A JPH04351102 A JP H04351102A JP 3125799 A JP3125799 A JP 3125799A JP 12579991 A JP12579991 A JP 12579991A JP H04351102 A JPH04351102 A JP H04351102A
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 36
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 4
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 101000582320 Homo sapiens Neurogenic differentiation factor 6 Proteins 0.000 description 1
- 102100030589 Neurogenic differentiation factor 6 Human genes 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 1
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Waveguides (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、マイクロストリップ線
路に関し、特にマイクロ波集積回路用マイクロストリッ
プ線路に関するものである。
路に関し、特にマイクロ波集積回路用マイクロストリッ
プ線路に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来、マイクロストリップ線路は、例え
ばM.V.Schneider,”Microstri
p linesfor microwave innt
egrated circuites,”Bell S
yst.Tech,J.,vol.48,May 19
69,pp.1421−1444に記載されている。こ
のマイクロストリップ線路は、図3に示すように、導体
基板11を有しており、導体基板11上に均一の厚さの
誘電体基板12を設け、誘電体基板12上の一端から他
端へ中央部分を通るように所定幅を有するストリップ導
体13を配設している。
ばM.V.Schneider,”Microstri
p linesfor microwave innt
egrated circuites,”Bell S
yst.Tech,J.,vol.48,May 19
69,pp.1421−1444に記載されている。こ
のマイクロストリップ線路は、図3に示すように、導体
基板11を有しており、導体基板11上に均一の厚さの
誘電体基板12を設け、誘電体基板12上の一端から他
端へ中央部分を通るように所定幅を有するストリップ導
体13を配設している。
【0003】そして、マイクロストリップ線路を他のデ
バイスと接続する場合、ストリップ導体13の一端(入
力端)と他端(出力端)に他のデバイスを接続する。
バイスと接続する場合、ストリップ導体13の一端(入
力端)と他端(出力端)に他のデバイスを接続する。
【0004】前述文献によると、マイクロストリップ線
路のストリップ導体幅をw、誘電体の厚さをhとすると
、特性インピーダンスZ0 は近似的に次式で表される
。
路のストリップ導体幅をw、誘電体の厚さをhとすると
、特性インピーダンスZ0 は近似的に次式で表される
。
【0005】
【数1】
Z0 =Z00/(εeff ) (Ω)
…(1)(w/h)≦1:
…(1)(w/h)≦1:
【0006】
【数2】
Z00=601n〔(8h/w)+(w/4h)〕
(Ω) …(2−1)(w/h)≧1:
(Ω) …(2−1)(w/h)≧1:
【0007】
【数3】
Z00=120π{(w/h)+2.42−0.4
4(h/w)+ 〔1+(h/w)〕6
}−1
…(2−1)
4(h/w)+ 〔1+(h/w)〕6
}−1
…(2−1)
【0008】
【数4】
εeff =〔(εr +1)/2〕+〔(εr
−1)/2〕 〔1+(10h/w
)〕−1/2
…(3)
−1)/2〕 〔1+(10h/w
)〕−1/2
…(3)
【0009】但し、Z00は真
空中での伝送線路の特性インピーダンス、εeff は
誘電体基板の実効比誘電率、εr は誘電体基板の比誘
電率である。
空中での伝送線路の特性インピーダンス、εeff は
誘電体基板の実効比誘電率、εr は誘電体基板の比誘
電率である。
【0010】以上の式からわかるように、ある誘電基板
に対して特性インピーダンスZ0 は、(w/h)の値
によって決まる。図2に誘電基板としてアルミナ(εr
=9.5)、石英(εr =3.78)、空気(εr
=1.0)を用いた場合の(w/h)に対する特性イ
ンピーダンスZ0 を示す。例えば、アルミナを用いた
場合、50(Ω)の特性インピーダンスを得るためには
、(w/h)=1とすればよい。
に対して特性インピーダンスZ0 は、(w/h)の値
によって決まる。図2に誘電基板としてアルミナ(εr
=9.5)、石英(εr =3.78)、空気(εr
=1.0)を用いた場合の(w/h)に対する特性イ
ンピーダンスZ0 を示す。例えば、アルミナを用いた
場合、50(Ω)の特性インピーダンスを得るためには
、(w/h)=1とすればよい。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】従来のマイクロストリ
ップ線路は、誘電体基板の厚さにより特性インピーダン
スを与えるストリップ導体の幅が一義的に決定されるた
め、ストリップ導体の入出力端も所定の幅に規定される
。従って、他のデバイスと接続する場合、接続部分の導
体幅が変化する可能性がある。このような導体幅の変化
部分では、伝搬するマイクロ波に散乱および反射が生じ
るため、良好な伝送特性が得られなくなるという問題点
があった。
ップ線路は、誘電体基板の厚さにより特性インピーダン
スを与えるストリップ導体の幅が一義的に決定されるた
め、ストリップ導体の入出力端も所定の幅に規定される
。従って、他のデバイスと接続する場合、接続部分の導
体幅が変化する可能性がある。このような導体幅の変化
部分では、伝搬するマイクロ波に散乱および反射が生じ
るため、良好な伝送特性が得られなくなるという問題点
があった。
【0012】この発明は、上記のような課題を解消する
ためになされたもので、特性インピーダンスを一定に保
ちながら所望の幅のストリップ導体を選択できるマイク
ロストリップ線路を得ることを目的とする。
ためになされたもので、特性インピーダンスを一定に保
ちながら所望の幅のストリップ導体を選択できるマイク
ロストリップ線路を得ることを目的とする。
【0013】
【課題を解決するための手段】本発明のマイクロストリ
ップ線路は、導体基板上に設けられた誘電体基板と、誘
電体基板上に設けられたストリップ導体と、を備え、ス
トリップ導体の幅をストリップ導体の一端が位置する一
端からストリップ導体の他端が位置する他端へ所定量づ
つ変化するように形成し、かつ前記誘電体基板の厚さを
一側から他側へストリップ導体の幅の変化量と同じ所定
量づつ変化するように形成したことを特徴とするもので
ある。
ップ線路は、導体基板上に設けられた誘電体基板と、誘
電体基板上に設けられたストリップ導体と、を備え、ス
トリップ導体の幅をストリップ導体の一端が位置する一
端からストリップ導体の他端が位置する他端へ所定量づ
つ変化するように形成し、かつ前記誘電体基板の厚さを
一側から他側へストリップ導体の幅の変化量と同じ所定
量づつ変化するように形成したことを特徴とするもので
ある。
【0014】また、ストリップ導体の幅を一端から他端
へ所定量づつ変化するように形成し、かつ前記誘電体基
板の厚さをストリップ導体の一端が位置する一側からス
トリップ導体の他端が位置する他側へストリップ導体の
幅の変化量と同じ所定量づつ変化するように形成し、特
定インピーダンスを一定に保ちながらストリップ導体の
幅とそれに対応する誘電体基板の厚さを変えたものを複
数用意し、その中から所望の幅を選択し得るように構成
するとよい。
へ所定量づつ変化するように形成し、かつ前記誘電体基
板の厚さをストリップ導体の一端が位置する一側からス
トリップ導体の他端が位置する他側へストリップ導体の
幅の変化量と同じ所定量づつ変化するように形成し、特
定インピーダンスを一定に保ちながらストリップ導体の
幅とそれに対応する誘電体基板の厚さを変えたものを複
数用意し、その中から所望の幅を選択し得るように構成
するとよい。
【0015】
【作用】以上のように構成したので、ストリップ導体の
幅を一端から他端へ所定量づつ変化させ、かつ誘電体基
板の厚さをストリップ導体の一端が位置する一側からス
トリップ導体の他端が位置する他側へストリップ導体の
幅の変化量と同じ所定量づつ変化させ、特定インピーダ
ンスを一定に保ちながらストリップ線路の幅を所望の値
に変えられる。
幅を一端から他端へ所定量づつ変化させ、かつ誘電体基
板の厚さをストリップ導体の一端が位置する一側からス
トリップ導体の他端が位置する他側へストリップ導体の
幅の変化量と同じ所定量づつ変化させ、特定インピーダ
ンスを一定に保ちながらストリップ線路の幅を所望の値
に変えられる。
【0016】
【実施例】以下、この発明の一実施例を図を用いて説明
する。
する。
【0017】マイクロストリップ線路は、図1に示すよ
うに、導体基板11を有しており、導体基板11上にア
ルミナからなる誘電体基板12を設け、誘電体基板12
上の一端から他端へ中央部分を通るように所定幅を有す
るストリップ導体13を配設している。そして、ストリ
ップ導体13の幅(w)を一端から他端へ所定量づつ変
化するように形成し、かつ誘電体基板12の厚さ(h)
を一側から他側へストリップ導体13の幅の変化量と同
じ所定量づつ変化するように形成した。なお、ストリッ
プ導体13の長さすなわち導体基板11および誘電体基
板12の一辺の長さを5mmに形成している。
うに、導体基板11を有しており、導体基板11上にア
ルミナからなる誘電体基板12を設け、誘電体基板12
上の一端から他端へ中央部分を通るように所定幅を有す
るストリップ導体13を配設している。そして、ストリ
ップ導体13の幅(w)を一端から他端へ所定量づつ変
化するように形成し、かつ誘電体基板12の厚さ(h)
を一側から他側へストリップ導体13の幅の変化量と同
じ所定量づつ変化するように形成した。なお、ストリッ
プ導体13の長さすなわち導体基板11および誘電体基
板12の一辺の長さを5mmに形成している。
【0018】本実施例のマイクロストリップ線路におい
て、ストリップ導体13の幅(w)および誘電体基板1
2の厚さ(h)は、それぞれ次式により表せられる。
て、ストリップ導体13の幅(w)および誘電体基板1
2の厚さ(h)は、それぞれ次式により表せられる。
【0019】
【数5】
w(x)=0.2x+0.2 (mm)
(0≦x≦5) …(4)
(0≦x≦5) …(4)
【0020】
【数6】
h(x)=0.2x+0.2 (mm)
(0≦x≦5) …(5)
(0≦x≦5) …(5)
【0021】但し
、xは、ストリップ導体13の一端を原点とし、伝送路
の長さ方向に平行な座標の変数である。
、xは、ストリップ導体13の一端を原点とし、伝送路
の長さ方向に平行な座標の変数である。
【0022】式(4)および(5)から、(w/h)=
1.0となり、xの値に関わらず特性インピーダンスは
50Ωで一定であり、ストリップ導体13の幅(w)は
式(4)より0.2mmから1.2mmまで変化する。 これにより、接続部分の幅が両端の幅にあったデバイス
と整合よく接続することが可能である。
1.0となり、xの値に関わらず特性インピーダンスは
50Ωで一定であり、ストリップ導体13の幅(w)は
式(4)より0.2mmから1.2mmまで変化する。 これにより、接続部分の幅が両端の幅にあったデバイス
と整合よく接続することが可能である。
【0023】なお、上述実施例においては、ストリップ
導体13の幅(w)は0.2mmから1.2mmまで変
化するようになっていたが、これに限らず、特性インピ
ーダンス50Ωを得るためには、(w/h)=1.0と
なるようにストリップ導体13の幅(w)および誘電体
基板12の厚さ(h)を変化させればよい。ストリップ
導体13の幅(w)は0.2mmから1.2mmまでに
限定されず、特定インピーダンスを一定に保ちながらス
トリップ導体13の幅とそれに対応する誘電体基板12
の厚さを変えたものを複数用意し、その中から所望の幅
を選択する。
導体13の幅(w)は0.2mmから1.2mmまで変
化するようになっていたが、これに限らず、特性インピ
ーダンス50Ωを得るためには、(w/h)=1.0と
なるようにストリップ導体13の幅(w)および誘電体
基板12の厚さ(h)を変化させればよい。ストリップ
導体13の幅(w)は0.2mmから1.2mmまでに
限定されず、特定インピーダンスを一定に保ちながらス
トリップ導体13の幅とそれに対応する誘電体基板12
の厚さを変えたものを複数用意し、その中から所望の幅
を選択する。
【0024】また、上述実施例においては、特性インピ
ーダンスを50Ωに選定したが、これに限らず、任意の
値でよい。更に、上述実施例においては、誘電体基板1
2をアルミナにより構成したが、これに限らず、石英等
の誘電材料を用いてもよい。以上のようにすると、特性
インピーダンスを与える(w/h)の値は1.0でなく
なるが、それぞれの条件に合うように誘電体基板12の
厚さ(h)を変化させればよい。例えば、誘電体基板1
2を石英により構成して特性インピーダンス50Ωを得
るためには、図2より(w/h)=2.0となるように
ストリップ導体13の幅(w)および誘電体基板12の
厚さ(h)を変化させればよい。
ーダンスを50Ωに選定したが、これに限らず、任意の
値でよい。更に、上述実施例においては、誘電体基板1
2をアルミナにより構成したが、これに限らず、石英等
の誘電材料を用いてもよい。以上のようにすると、特性
インピーダンスを与える(w/h)の値は1.0でなく
なるが、それぞれの条件に合うように誘電体基板12の
厚さ(h)を変化させればよい。例えば、誘電体基板1
2を石英により構成して特性インピーダンス50Ωを得
るためには、図2より(w/h)=2.0となるように
ストリップ導体13の幅(w)および誘電体基板12の
厚さ(h)を変化させればよい。
【0025】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によるマイ
クロストリップ線路では、ストリップ導体の幅を一端か
ら他端へ所定量づつ変化するように形成し、誘電体基板
の厚さを一側から他側へストリップ導体の幅の変化量と
同じ所定量づつ変化するように形成したので、特定イン
ピーダンスを一定に保った状態で、ストリップ線路の幅
を任意の値に変えることができ、これにより他のデバイ
スと接続する場合、両方の接続部分の導体幅を整合させ
ることができ、良好な伝送特性が得られるという効果を
有する。
クロストリップ線路では、ストリップ導体の幅を一端か
ら他端へ所定量づつ変化するように形成し、誘電体基板
の厚さを一側から他側へストリップ導体の幅の変化量と
同じ所定量づつ変化するように形成したので、特定イン
ピーダンスを一定に保った状態で、ストリップ線路の幅
を任意の値に変えることができ、これにより他のデバイ
スと接続する場合、両方の接続部分の導体幅を整合させ
ることができ、良好な伝送特性が得られるという効果を
有する。
【図1】本発明に係わるマイクロストリップ線路を示す
斜視図である。
斜視図である。
【図2】マイクロストリップ線路の構造パラメータに対
する特性インピーダンスを示す図である。
する特性インピーダンスを示す図である。
【図3】従来のマイクロストリップ線路を示す斜視図で
ある。
ある。
11 導体基板
12 誘電体基板
13 ストリップ導体
Claims (2)
- 【請求項1】 導体基板上に設けられた誘電体基板と
、誘電体基板上に設けられたストリップ導体とを有する
マイクロストリップ線路において、前記ストリップ導体
の幅を一端から他端へ所定量づつ変化するように形成し
、かつ前記誘電体基板の厚さをストリップ導体の一端が
位置する一側からストリップ導体の他端が位置する他側
へストリップ導体の幅の変化量と同じ所定量づつ変化す
るように形成したことを特徴とするマイクロストリップ
線路。 - 【請求項2】 前記ストリップ導体の幅を一端から他
端へ所定量づつ変化するように形成し、かつ前記誘電体
基板の厚さをストリップ導体の一端が位置する一側から
ストリップ導体の他端が位置する他側へストリップ導体
の幅の変化量と同じ所定量づつ変化するように形成し、
特定インピーダンスを一定に保ちながらストリップ導体
の幅とそれに対応する誘電体基板の厚さを変えたものを
複数用意し、その中から所望の幅を選択し得るように構
成したことを特徴とする請求項1記載のマイクロストリ
ップ線路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3125799A JPH04351102A (ja) | 1991-05-29 | 1991-05-29 | マイクロストリップ線路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3125799A JPH04351102A (ja) | 1991-05-29 | 1991-05-29 | マイクロストリップ線路 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04351102A true JPH04351102A (ja) | 1992-12-04 |
Family
ID=14919186
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3125799A Pending JPH04351102A (ja) | 1991-05-29 | 1991-05-29 | マイクロストリップ線路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04351102A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5777526A (en) * | 1994-09-01 | 1998-07-07 | Hitachi, Ltd. | Method of manufacturing a microstrip transmission device |
JP2009505570A (ja) * | 2005-08-15 | 2009-02-05 | ノースロップ グルムマン コーポレイション | 厚さがテーパーされた基板ランチ |
JP2010062544A (ja) * | 2008-08-04 | 2010-03-18 | Nippon Kodoshi Corp | フレキシブルプリント配線板の製造方法及びフレキシブルプリント配線板 |
WO2013146904A1 (ja) * | 2012-03-28 | 2013-10-03 | 株式会社フジクラ | 配線基板 |
WO2018157892A1 (de) * | 2017-02-28 | 2018-09-07 | Continental Teves Ag & Co. Ohg | Mehrebenen-schaltungsträger |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61184852A (ja) * | 1985-02-12 | 1986-08-18 | Nec Corp | 集積回路パツケ−ジ |
-
1991
- 1991-05-29 JP JP3125799A patent/JPH04351102A/ja active Pending
Patent Citations (1)
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