JPH0661712A - マイクロストリップライン回路素子 - Google Patents
マイクロストリップライン回路素子Info
- Publication number
- JPH0661712A JPH0661712A JP13814192A JP13814192A JPH0661712A JP H0661712 A JPH0661712 A JP H0661712A JP 13814192 A JP13814192 A JP 13814192A JP 13814192 A JP13814192 A JP 13814192A JP H0661712 A JPH0661712 A JP H0661712A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- circuit element
- line circuit
- microstrip line
- shield case
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】高温超伝導材料を用い、室温にて容易に調整可
能とすることにより実用的なマイクロストリップライン
回路素子を提供する。 【構成】接地およびシールド用のシールドケース３を備
える。シールドケース３内に配置され超伝導体薄膜１１
とこれに重畳した金属薄膜１２とから成る二重膜のスト
リップパターン１を有する基板２を備える。
能とすることにより実用的なマイクロストリップライン
回路素子を提供する。 【構成】接地およびシールド用のシールドケース３を備
える。シールドケース３内に配置され超伝導体薄膜１１
とこれに重畳した金属薄膜１２とから成る二重膜のスト
リップパターン１を有する基板２を備える。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はマイクロストリップライ
ン回路素子に関し、特に高温超伝導材料を用いたマイク
ロストリップライン回路素子に関する。
ン回路素子に関し、特に高温超伝導材料を用いたマイク
ロストリップライン回路素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、高温超伝導材料を用いてマイクロ
ストリップライン回路を形成して、高Ｑ値のフィルタ等
のマイクロ波回路素子を得ることは、既に多く実施され
ている。
ストリップライン回路を形成して、高Ｑ値のフィルタ等
のマイクロ波回路素子を得ることは、既に多く実施され
ている。
【０００３】高温超伝導材料とは、超伝導特性を示す臨
界温度（Ｔｃ）が室温以下ではあるが、Ｔｃが約２０Ｋ
以下の通常の超伝導材料に比較して高温であり、例えば
液体窒素温度である約７７Ｋ以上のセラミック系の材料
を云う。この種の高温超伝導材料としては、Ｂａ2 ＹＣ
ｕ3 Ｏ7 、Ｂｉ2 Ｓｒ2 ＣａＣｕ2 Ｏ8 、Ｔｉ2 Ｂａ2
ＣａＣｕ2 Ｏ8 等を含むものが知られている。
界温度（Ｔｃ）が室温以下ではあるが、Ｔｃが約２０Ｋ
以下の通常の超伝導材料に比較して高温であり、例えば
液体窒素温度である約７７Ｋ以上のセラミック系の材料
を云う。この種の高温超伝導材料としては、Ｂａ2 ＹＣ
ｕ3 Ｏ7 、Ｂｉ2 Ｓｒ2 ＣａＣｕ2 Ｏ8 、Ｔｉ2 Ｂａ2
ＣａＣｕ2 Ｏ8 等を含むものが知られている。
【０００４】しかしながら、これらの高温超伝導材料の
いずれの使用例においても、約７７Ｋ付近あるいはそれ
以下の温度では超伝導の特異な性質を利用できるが、そ
れ以上の温度では、全く回路素子として成立しないとい
うものであった。
いずれの使用例においても、約７７Ｋ付近あるいはそれ
以下の温度では超伝導の特異な性質を利用できるが、そ
れ以上の温度では、全く回路素子として成立しないとい
うものであった。
【０００５】このため、この種のマイクロストリップラ
イン回路素子は、使用温度が限られているだけではな
く、室温での調整も不可能であった。また、この種のマ
イクロストリップライン回路素子は、本質的に狭帯域特
性であることが特徴であるのに、共振周波数の調整方法
やその信頼性に欠ける所があるというものであった。
イン回路素子は、使用温度が限られているだけではな
く、室温での調整も不可能であった。また、この種のマ
イクロストリップライン回路素子は、本質的に狭帯域特
性であることが特徴であるのに、共振周波数の調整方法
やその信頼性に欠ける所があるというものであった。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来のマイク
ロストリップライン回路素子は、回路素子の動作温度領
域が臨界温度以下という特定の温度領域に限られること
と、共振特性等の調整の自由度が少ないという実用に際
しての大きな欠点があった。
ロストリップライン回路素子は、回路素子の動作温度領
域が臨界温度以下という特定の温度領域に限られること
と、共振特性等の調整の自由度が少ないという実用に際
しての大きな欠点があった。
【０００７】本発明の目的は、これらの欠点を改良し、
実用的なマイクロストリップライン回路素子を提供する
ことにある。
実用的なマイクロストリップライン回路素子を提供する
ことにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明のマイクロストリ
ップライン回路素子は、接地およびシールド用のシール
ドケースと、前記シールドケース内に配置され一主面に
蒸着によりそれぞれ形成した超伝導材料の第一の薄膜と
前記第一の薄膜に重畳した金属材料の第二の薄膜とから
成る二重膜の導電パターンを有する誘電体基板とを備え
て構成されている。
ップライン回路素子は、接地およびシールド用のシール
ドケースと、前記シールドケース内に配置され一主面に
蒸着によりそれぞれ形成した超伝導材料の第一の薄膜と
前記第一の薄膜に重畳した金属材料の第二の薄膜とから
成る二重膜の導電パターンを有する誘電体基板とを備え
て構成されている。
【０００９】
【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。
て説明する。
【００１０】図１および図２は本発明のマイクロストリ
ップライン回路素子の一実施例を示す部分破断側面図お
よび図１のＡ−Ｂ線における断面図である。
ップライン回路素子の一実施例を示す部分破断側面図お
よび図１のＡ−Ｂ線における断面図である。
【００１１】本実施例のマイクロストリップライン回路
素子はシールドタイプマイクロストリップラインフィル
タであり、図１，２に示すように、基板２上に蒸着によ
り高温超伝導材料の超伝導体薄膜１１と金属薄膜１２と
を重ね合せた構造の中心導体を構成するストリップパタ
ーン１を形成し、入出力端子であるコネクタ７を接続
し、それぞれ低損失の誘電体材料で形成された上側に固
定体４と、左右に充填体５と、下側にシート６とを配置
して接地を兼ねたシールドケース３に格納して構成され
ている。ここで、固定体４の誘電体材料は基板２を押さ
え付ける目的のために硬質のポリマーであることが望ま
しい。充填体５の誘電体材料は高誘電率（比誘電率が１
０以上）のセラミックスまたはポリマーが望ましい。ま
た、シート６の誘電体材料は低誘電率（比誘電率が１〜
３）のポリマー薄膜が望ましい。ここで、誘電体のシー
ト６の存在は、その厚さが大きく伝搬モードを換えるよ
うな場合には、サスペンデッドマイクロストリップライ
ンとして知られているが、本実施例では、その厚さはせ
いぜい１００μｍ程度で、サスペンデッドマイクロスト
リップラインの概念には入らない。
素子はシールドタイプマイクロストリップラインフィル
タであり、図１，２に示すように、基板２上に蒸着によ
り高温超伝導材料の超伝導体薄膜１１と金属薄膜１２と
を重ね合せた構造の中心導体を構成するストリップパタ
ーン１を形成し、入出力端子であるコネクタ７を接続
し、それぞれ低損失の誘電体材料で形成された上側に固
定体４と、左右に充填体５と、下側にシート６とを配置
して接地を兼ねたシールドケース３に格納して構成され
ている。ここで、固定体４の誘電体材料は基板２を押さ
え付ける目的のために硬質のポリマーであることが望ま
しい。充填体５の誘電体材料は高誘電率（比誘電率が１
０以上）のセラミックスまたはポリマーが望ましい。ま
た、シート６の誘電体材料は低誘電率（比誘電率が１〜
３）のポリマー薄膜が望ましい。ここで、誘電体のシー
ト６の存在は、その厚さが大きく伝搬モードを換えるよ
うな場合には、サスペンデッドマイクロストリップライ
ンとして知られているが、本実施例では、その厚さはせ
いぜい１００μｍ程度で、サスペンデッドマイクロスト
リップラインの概念には入らない。
【００１２】次に、本実施例の動作について説明する。
【００１３】まず、本実施例のストリップパターン１は
高温超伝導材料の超伝導体薄膜１１と金属薄膜１２とを
重ね合せた構造である。前述のように高温超伝導材料と
しては、Ｂａ2 ＹＣｕ3 Ｏ7 、Ｂｉ2 Ｓｒ2 ＣａＣｕ2
Ｏ8 、Ｔｉ2 Ｂａ2 ＣａＣｕ2 Ｏ8 等を含むセラミック
系の材料を用いる。また金属薄膜１２としては、Ａｕや
Ｃｕ等のいわゆる常伝導材料の薄膜を用いる。このよう
な二重薄膜構造とすることにより、ストリップパターン
１と、基板２と、シールドケース３とで構成されるマイ
クロストリップライン回路素子の特性を臨界温度（Ｔ
ｃ）以上の室温においても確認することが可能となる。
この理由は、Ｔｃ以上では、超伝導体薄膜１１は、殆ど
誘電材料として動作し、常伝導の金属薄膜１２が中心導
体としての役目を果たすからである。特に、ストリップ
パターンを本実施例のように両端開放の形にしたフィル
タとして動作させる場合には、その共振周波数を正確に
見積ることができ、したがって本来の目的である低温動
作時における特性を正確に見積ることができる。
高温超伝導材料の超伝導体薄膜１１と金属薄膜１２とを
重ね合せた構造である。前述のように高温超伝導材料と
しては、Ｂａ2 ＹＣｕ3 Ｏ7 、Ｂｉ2 Ｓｒ2 ＣａＣｕ2
Ｏ8 、Ｔｉ2 Ｂａ2 ＣａＣｕ2 Ｏ8 等を含むセラミック
系の材料を用いる。また金属薄膜１２としては、Ａｕや
Ｃｕ等のいわゆる常伝導材料の薄膜を用いる。このよう
な二重薄膜構造とすることにより、ストリップパターン
１と、基板２と、シールドケース３とで構成されるマイ
クロストリップライン回路素子の特性を臨界温度（Ｔ
ｃ）以上の室温においても確認することが可能となる。
この理由は、Ｔｃ以上では、超伝導体薄膜１１は、殆ど
誘電材料として動作し、常伝導の金属薄膜１２が中心導
体としての役目を果たすからである。特に、ストリップ
パターンを本実施例のように両端開放の形にしたフィル
タとして動作させる場合には、その共振周波数を正確に
見積ることができ、したがって本来の目的である低温動
作時における特性を正確に見積ることができる。
【００１４】次に、シート６の機能は、基板２とシール
ドケース（接地面）３との間隔を正確に定めるためのも
のである。上記間隔の狂いは共振周波数を設定値よりず
らす大きな原因となる。また、ここでの誘電損失はフィ
ルタの特性を大きく劣化させるので、本実施例のよう
に、低誘電損失の誘電体材料のシート６を用いて機械的
に押さえつけて固定する。
ドケース（接地面）３との間隔を正確に定めるためのも
のである。上記間隔の狂いは共振周波数を設定値よりず
らす大きな原因となる。また、ここでの誘電損失はフィ
ルタの特性を大きく劣化させるので、本実施例のよう
に、低誘電損失の誘電体材料のシート６を用いて機械的
に押さえつけて固定する。
【００１５】次に、ストリップパターン１よりシールド
ケース３への電界はストリップパターン１の直下で最大
となるが、基板２の側面にも上記電界は存在する。そこ
で、本実施例のように、上記電界を積極的に利用して高
誘電率の充填体５に上記電界を集め、接地面における電
流分布を平均化する。これにより、フィルタ特性を意識
的に設定し直す自由度が生じる。
ケース３への電界はストリップパターン１の直下で最大
となるが、基板２の側面にも上記電界は存在する。そこ
で、本実施例のように、上記電界を積極的に利用して高
誘電率の充填体５に上記電界を集め、接地面における電
流分布を平均化する。これにより、フィルタ特性を意識
的に設定し直す自由度が生じる。
【００１６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のマイクロ
ストリップライン回路素子は、超伝導材料の薄膜とこれ
に重畳した金属材料の薄膜とから成る二重膜の導電パタ
ーンを有しているので、臨界温度以下における超伝導の
特異な性質を利用した高性能の回路素子を室温において
も共振特性等の調整・確認が可能であるという実用上の
大きな効果がある。
ストリップライン回路素子は、超伝導材料の薄膜とこれ
に重畳した金属材料の薄膜とから成る二重膜の導電パタ
ーンを有しているので、臨界温度以下における超伝導の
特異な性質を利用した高性能の回路素子を室温において
も共振特性等の調整・確認が可能であるという実用上の
大きな効果がある。
【図１】本発明のマイクロストリップライン回路素子の
一実施例を示す部分破断側面図である。
一実施例を示す部分破断側面図である。
【図２】図１に示す本実施例のマイクロストリップライ
ン回路素子のＡ−Ｂ線における断面図である。
ン回路素子のＡ−Ｂ線における断面図である。
１ ストリップパターン ２ 基板 ３ シールドケース ４ 固定体 ５ 充填体 ６ シート ７ コネクタ １１ 金属薄膜 １２ 超伝導体薄膜
Claims (4)
- 【請求項１】 接地およびシールド用のシールドケース
と、前記シールドケース内に配置され一主面に蒸着によ
りそれぞれ形成した超伝導材料の第一の薄膜と前記第一
の薄膜に重畳した金属材料の第二の薄膜とから成る二重
膜の導電パターンを有する誘電体基板とを備えることを
特徴とするマイクロストリップライン回路素子。 - 【請求項２】 接地面を形成する前記シールドケースの
底面と前記誘電体基板の前記一主面の反対側の面との間
に配置した低誘電率の第一の誘電体材料のシートと、前
記前記誘電体基板を前記シートに押着するよう配置した
硬質の第二の誘電体材料の固定体を備えることを特徴と
する請求項１記載のマイクロストリップライン回路素
子。 - 【請求項３】 前記シールドケースの側面と前記誘電体
基板の側面との間に配置した高誘電率の第三の誘電体材
料の充填体を備えることを特徴とする請求項１記載のマ
イクロストリップライン回路素子。 - 【請求項４】 前記超伝導材料がＢａ2 ＹＣｕ3 Ｏ7 と
Ｂｉ2 Ｓｒ2 ＣａＣｕ2 Ｏ8 とＴｉ2 Ｂａ2 ＣａＣｕ2
Ｏ8 とのうちのいずれか一つであることを特徴とする請
求項１記載のマイクロストリップライン回路素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13814192A JPH0661712A (ja) | 1992-05-29 | 1992-05-29 | マイクロストリップライン回路素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13814192A JPH0661712A (ja) | 1992-05-29 | 1992-05-29 | マイクロストリップライン回路素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0661712A true JPH0661712A (ja) | 1994-03-04 |
Family
ID=15214967
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13814192A Pending JPH0661712A (ja) | 1992-05-29 | 1992-05-29 | マイクロストリップライン回路素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0661712A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19990022776A (ko) * | 1995-06-13 | 1999-03-25 | 에르링 블롬메, 타게 뢰브그렌 | 동조가능한 마이크로 웨이브장치 |
| CN103796987A (zh) * | 2011-06-08 | 2014-05-14 | 生命技术公司 | 用于pcr系统的新型去污剂的设计和开发 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4946352A (ja) * | 1972-09-06 | 1974-05-02 | ||
| JPS5622804B2 (ja) * | 1977-12-13 | 1981-05-27 | ||
| JPH01275406A (ja) * | 1988-04-26 | 1989-11-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 超電導体構造物の製造方法 |
| JPH0217701A (ja) * | 1988-07-05 | 1990-01-22 | Fujitsu Ltd | 超伝導平面回路 |
| JPH0230603B2 (ja) * | 1981-06-25 | 1990-07-09 | Akai Electric | Jidoonryochoseisochi |
-
1992
- 1992-05-29 JP JP13814192A patent/JPH0661712A/ja active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4946352A (ja) * | 1972-09-06 | 1974-05-02 | ||
| JPS5622804B2 (ja) * | 1977-12-13 | 1981-05-27 | ||
| JPH0230603B2 (ja) * | 1981-06-25 | 1990-07-09 | Akai Electric | Jidoonryochoseisochi |
| JPH01275406A (ja) * | 1988-04-26 | 1989-11-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 超電導体構造物の製造方法 |
| JPH0217701A (ja) * | 1988-07-05 | 1990-01-22 | Fujitsu Ltd | 超伝導平面回路 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19990022776A (ko) * | 1995-06-13 | 1999-03-25 | 에르링 블롬메, 타게 뢰브그렌 | 동조가능한 마이크로 웨이브장치 |
| CN103796987A (zh) * | 2011-06-08 | 2014-05-14 | 生命技术公司 | 用于pcr系统的新型去污剂的设计和开发 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19980630 |