JP2001077604A - 帯域通過濾波器及び帯域通過濾波器の通過帯域幅調整方法 - Google Patents
帯域通過濾波器及び帯域通過濾波器の通過帯域幅調整方法Info
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- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 狭帯域通過特性の劣化の少ない高温超伝導体
膜を用いた帯域通過濾波器を提供する。 【解決手段】 誘電体基板両面に形成した高温超伝導体
膜をストリップ導体及び接地導体として用いたマイクロ
ストリップ線路共振器を複数個形成する。この誘電体基
板を接地導体面が金属筐体内壁に接地されるように設置
した筐体内壁と対向する筐体内壁を高周波接地した高温
超伝導体膜により形成する。筐体内壁の内、広い面積を
占める接地導体部分と対向する筐体内壁を高温超伝導体
膜により覆うことにより筐体内壁において常伝導体が占
める領域を狭め、常伝導体の金属筐体内壁による濾波器
の狭帯域通過特性の劣化を低減する。また、高周波接地
した高温超伝導体膜と濾波器表面との間隙を調整するこ
とにより複数存在する共振器間を結合させる電磁界の量
を調整して共振器間の結合係数を調整し、通過帯域幅を
調整する。
膜を用いた帯域通過濾波器を提供する。 【解決手段】 誘電体基板両面に形成した高温超伝導体
膜をストリップ導体及び接地導体として用いたマイクロ
ストリップ線路共振器を複数個形成する。この誘電体基
板を接地導体面が金属筐体内壁に接地されるように設置
した筐体内壁と対向する筐体内壁を高周波接地した高温
超伝導体膜により形成する。筐体内壁の内、広い面積を
占める接地導体部分と対向する筐体内壁を高温超伝導体
膜により覆うことにより筐体内壁において常伝導体が占
める領域を狭め、常伝導体の金属筐体内壁による濾波器
の狭帯域通過特性の劣化を低減する。また、高周波接地
した高温超伝導体膜と濾波器表面との間隙を調整するこ
とにより複数存在する共振器間を結合させる電磁界の量
を調整して共振器間の結合係数を調整し、通過帯域幅を
調整する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、帯域通過濾波器と
当該濾波器の通過帯域幅の調整方法に関し、特に高温超
伝導体膜を用いた、複数のマイクロストリップ線路共振
器からなる狭帯域通過濾波器とその通過帯域幅を調整す
る方法に関する。
当該濾波器の通過帯域幅の調整方法に関し、特に高温超
伝導体膜を用いた、複数のマイクロストリップ線路共振
器からなる狭帯域通過濾波器とその通過帯域幅を調整す
る方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】低損失な高温超伝導体膜をストリップ導
体及び接地導体として用いることにより、極めてＱ値の
高いマイクロストリップ線路共振器を作製できる。この
ような共振器を複数個用いることにより、さらに、比帯
域が数パーセントと極めて狭帯域の帯域通過濾波器を作
製できる。
体及び接地導体として用いることにより、極めてＱ値の
高いマイクロストリップ線路共振器を作製できる。この
ような共振器を複数個用いることにより、さらに、比帯
域が数パーセントと極めて狭帯域の帯域通過濾波器を作
製できる。
【０００３】このような狭帯域濾波器においては共振器
間の結合係数は極めて小さいため、極めて微弱な電磁界
まで濾波器の周波数特性に影響を及ぼす。従って、濾波
器の周波数特性は、金属筐体の影響を強く受けることに
なる。そのため、超伝導体と比較して損失の大きい常伝
導体の金属筐体を用いた場合、筐体内壁において電磁界
の損失を生じ、超伝導体膜を用いた共振器のＱ値が低下
し、それに伴って濾波器の狭帯域通過特性も劣化する。
間の結合係数は極めて小さいため、極めて微弱な電磁界
まで濾波器の周波数特性に影響を及ぼす。従って、濾波
器の周波数特性は、金属筐体の影響を強く受けることに
なる。そのため、超伝導体と比較して損失の大きい常伝
導体の金属筐体を用いた場合、筐体内壁において電磁界
の損失を生じ、超伝導体膜を用いた共振器のＱ値が低下
し、それに伴って濾波器の狭帯域通過特性も劣化する。
【０００４】そのため、例えば文献「アイイーイーイー
アプライド スーパーコンダクティビティー誌、第２
５７１−２５７４頁、１９９５年」に記載されているよ
うに、超伝導体のバルク体で筐体を作製する等の提案が
なされており、また、特開平７−２２８１０号公報に
は、誘電体基板の両面に形成したストリップ導体及び接
地導体とシールド用筐体あるいはシールド用筐体の内面
の構成材料を、いずれも酸化物超電導体とすることによ
り、Ｑ値の高いマイクロストリップラインフィルタを構
成することが記載されている。
アプライド スーパーコンダクティビティー誌、第２
５７１−２５７４頁、１９９５年」に記載されているよ
うに、超伝導体のバルク体で筐体を作製する等の提案が
なされており、また、特開平７−２２８１０号公報に
は、誘電体基板の両面に形成したストリップ導体及び接
地導体とシールド用筐体あるいはシールド用筐体の内面
の構成材料を、いずれも酸化物超電導体とすることによ
り、Ｑ値の高いマイクロストリップラインフィルタを構
成することが記載されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記のように、フィル
タを構成する導体を超伝導体によって構成するととも
に、シールド用の筐体も超伝導体によって構成すること
により、Ｑ値の高い高性能のフィルターを実現すること
が可能であるが、超伝導体のバルク体で筐体を作製する
場合、その内側に高温超伝導体膜を形成した誘電体基板
を設置するために、十分大きなバルク体を必要とする。
このような大きさを満たし、尚且つ良質な超伝導高周波
特性を有する高温超伝導体のバルク体はいまだに開発さ
れていない。
タを構成する導体を超伝導体によって構成するととも
に、シールド用の筐体も超伝導体によって構成すること
により、Ｑ値の高い高性能のフィルターを実現すること
が可能であるが、超伝導体のバルク体で筐体を作製する
場合、その内側に高温超伝導体膜を形成した誘電体基板
を設置するために、十分大きなバルク体を必要とする。
このような大きさを満たし、尚且つ良質な超伝導高周波
特性を有する高温超伝導体のバルク体はいまだに開発さ
れていない。
【０００６】また、ニオブ等の高温超伝導体より低温で
超伝導性を示す物質を使用した場合、動作温度もあわせ
て低くなり、冷凍機の大きさや価格の面で高コスト化が
避けられない。
超伝導性を示す物質を使用した場合、動作温度もあわせ
て低くなり、冷凍機の大きさや価格の面で高コスト化が
避けられない。
【０００７】このように、シールド用の筐体自体あるい
はシールド用の筐体の内面を超伝導体によって構成する
ことは、製造上の困難性を伴うとともに製造コストも無
視できないという問題がある。
はシールド用の筐体の内面を超伝導体によって構成する
ことは、製造上の困難性を伴うとともに製造コストも無
視できないという問題がある。
【０００８】また、上記のような狭帯域通過濾波器にお
いて、その大まかな周波数特性は、作製したストリップ
導体のパターンにより決定される。しかしながら、パタ
ーンや基板厚の加工精度、基板内の誘電率のばらつきに
依存して、濾波器の周波数特性もばらつく。
いて、その大まかな周波数特性は、作製したストリップ
導体のパターンにより決定される。しかしながら、パタ
ーンや基板厚の加工精度、基板内の誘電率のばらつきに
依存して、濾波器の周波数特性もばらつく。
【０００９】特に、濾波器の特性が比帯域数パーセント
と極めて狭帯域である場合には、パターン形成後の調整
工程が必須となっている。その場合、通過帯域の中心周
波数は、トリミングやエッチングにより共振器長を変化
させることにより比較的容易に調整可能であるが、通過
帯域幅の調整には、共振器間の結合係数を変化させる必
要があり、極めて困難であった。
と極めて狭帯域である場合には、パターン形成後の調整
工程が必須となっている。その場合、通過帯域の中心周
波数は、トリミングやエッチングにより共振器長を変化
させることにより比較的容易に調整可能であるが、通過
帯域幅の調整には、共振器間の結合係数を変化させる必
要があり、極めて困難であった。
【００１０】本発明の目的は、狭帯域通過特性の劣化の
少ない高温超伝導体膜を用いた、複数のマイクロストリ
ップ線路共振器からなる帯域通過濾波器を比較的低コス
トで実現可能な手段を提供することにある。
少ない高温超伝導体膜を用いた、複数のマイクロストリ
ップ線路共振器からなる帯域通過濾波器を比較的低コス
トで実現可能な手段を提供することにある。
【００１１】本発明の他の目的は、上記構成の濾波器の
周波数特性、特に通過帯域幅を容易に調整可能な方法を
提供することにある。
周波数特性、特に通過帯域幅を容易に調整可能な方法を
提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明は、両面に形成し
た高温超伝導体膜をストリップ導体及び接地導体として
用いた複数個のマイクロストリップ線路共振器を有する
誘電体基板を、その接地導体面が常伝導体からなる金属
筐体の内壁に接地されるように設置し、前記誘電体基板
が設置された内壁面と対向する内壁面にのみ高周波接地
された高温超伝導体膜を形成したことを特徴とする。
た高温超伝導体膜をストリップ導体及び接地導体として
用いた複数個のマイクロストリップ線路共振器を有する
誘電体基板を、その接地導体面が常伝導体からなる金属
筐体の内壁に接地されるように設置し、前記誘電体基板
が設置された内壁面と対向する内壁面にのみ高周波接地
された高温超伝導体膜を形成したことを特徴とする。
【００１３】また、本発明は、上記帯域通過濾波器にお
いて、前記ストリップ導体と、それに対向する前記高周
波接地した高温超伝導体膜との間隙を変化させることに
より、当該帯域通過濾波器の通過帯域幅を調整すること
を特徴とする。
いて、前記ストリップ導体と、それに対向する前記高周
波接地した高温超伝導体膜との間隙を変化させることに
より、当該帯域通過濾波器の通過帯域幅を調整すること
を特徴とする。
【００１４】本発明によれば、誘電体基板に形成された
複数個のマイクロストリップ線路共振器のストリップ導
体及び接地導体が高温超伝導体膜によって構成されてい
るとともに、この誘電体基板の接地導体面が接地される
ように設置されている常伝導体の金属筐体内壁と対向す
る前記金属筐体の内壁を、高周波接地した高温超伝導体
膜により形成しているので、筐体内壁の内、広い面積を
占める接地導体部分とこの接地導体部分と対向する筐体
内壁がともに高温超伝導体膜により覆われることにな
る。
複数個のマイクロストリップ線路共振器のストリップ導
体及び接地導体が高温超伝導体膜によって構成されてい
るとともに、この誘電体基板の接地導体面が接地される
ように設置されている常伝導体の金属筐体内壁と対向す
る前記金属筐体の内壁を、高周波接地した高温超伝導体
膜により形成しているので、筐体内壁の内、広い面積を
占める接地導体部分とこの接地導体部分と対向する筐体
内壁がともに高温超伝導体膜により覆われることにな
る。
【００１５】従って、筐体内壁において常伝導体が占め
る領域は筐体側壁の極めて狭い領域のみとなり、常伝導
体の金属筐体内壁による濾波器の狭帯域通過特性の劣化
を低減することができる。
る領域は筐体側壁の極めて狭い領域のみとなり、常伝導
体の金属筐体内壁による濾波器の狭帯域通過特性の劣化
を低減することができる。
【００１６】さらに本発明によれば、高周波接地した高
温超伝導体膜と濾波器表面との間隙を調整することによ
り、複数存在する共振器間を結合させる電磁界の量を調
整できる。従って、共振器間の結合係数を調整すること
が可能となり、通過帯域幅を調整することができる。
温超伝導体膜と濾波器表面との間隙を調整することによ
り、複数存在する共振器間を結合させる電磁界の量を調
整できる。従って、共振器間の結合係数を調整すること
が可能となり、通過帯域幅を調整することができる。
【００１７】
【発明の実施の形態】図１は、本発明の実施の形態を説
明する狭帯域通過濾波器の構成を示す分解斜示図であ
り、図２は、本発明の筐体域通過路波器の断面図であ
る。図１に示すように、誘電体基板２上には、高温超伝
導体膜の接地導体３とストリップ導体４からなるマイク
ロストリップ共振器が複数個形成されており、この誘電
体基板２を、常伝導体金属筐体１内に、その接地導体面
３が金属筐体１の内壁に接地されるように設置する。
明する狭帯域通過濾波器の構成を示す分解斜示図であ
り、図２は、本発明の筐体域通過路波器の断面図であ
る。図１に示すように、誘電体基板２上には、高温超伝
導体膜の接地導体３とストリップ導体４からなるマイク
ロストリップ共振器が複数個形成されており、この誘電
体基板２を、常伝導体金属筐体１内に、その接地導体面
３が金属筐体１の内壁に接地されるように設置する。
【００１８】次に、誘電体基板５の底面に形成した高温
超伝導体膜６をその周辺にて金属筐体１と導通し高周波
的に接地されるように設置し、筐体上蓋とする。従っ
て、図２に示すように、筐体１の内壁の内、側壁部分と
比較して広い面積を占める接地導体部分と対向する筐体
上面の内壁が高温超伝導体膜６により覆われることにな
る。これにより、筐体内壁において常伝導体が占める領
域は側壁のみとなり、ストリップ導体４の上面に位置す
る筐体内壁が常伝導体であることによる濾波器の狭帯域
通過特性の劣化が低減できる。
超伝導体膜６をその周辺にて金属筐体１と導通し高周波
的に接地されるように設置し、筐体上蓋とする。従っ
て、図２に示すように、筐体１の内壁の内、側壁部分と
比較して広い面積を占める接地導体部分と対向する筐体
上面の内壁が高温超伝導体膜６により覆われることにな
る。これにより、筐体内壁において常伝導体が占める領
域は側壁のみとなり、ストリップ導体４の上面に位置す
る筐体内壁が常伝導体であることによる濾波器の狭帯域
通過特性の劣化が低減できる。
【００１９】このように、本発明は、マイクロストリッ
プ共振器が設置されている面と対向する内壁面にのみ接
地された高温超伝導体膜を形成すればよいので、コスト
の低減化を図りつつ高性能の帯域通過濾波器を実現する
ことができる。
プ共振器が設置されている面と対向する内壁面にのみ接
地された高温超伝導体膜を形成すればよいので、コスト
の低減化を図りつつ高性能の帯域通過濾波器を実現する
ことができる。
【００２０】さらに金属筐体１の側壁の高さを変化させ
ることにより、濾波器の通過帯域幅を調整することがで
きる。例えば、金属筐体１の側壁の高さを低くしてスト
リップ導体４と対向内壁面の高温超伝導体膜６の間隙を
狭くすると、共振器間を結合させる電磁界は少なくな
る。従って、共振器間の結合係数は小さくなり、通過帯
域幅はより狭くなる。
ることにより、濾波器の通過帯域幅を調整することがで
きる。例えば、金属筐体１の側壁の高さを低くしてスト
リップ導体４と対向内壁面の高温超伝導体膜６の間隙を
狭くすると、共振器間を結合させる電磁界は少なくな
る。従って、共振器間の結合係数は小さくなり、通過帯
域幅はより狭くなる。
【００２１】一方、金属筐体１の側壁の高さを高くして
ストリップ導体４と対向内壁面の高温超伝導体膜６の間
隙を広くすると、共振器間を結合させる電磁界は多くな
る。その結果、共振器間の結合係数は大きくなり、通過
帯域幅は広くなる。
ストリップ導体４と対向内壁面の高温超伝導体膜６の間
隙を広くすると、共振器間を結合させる電磁界は多くな
る。その結果、共振器間の結合係数は大きくなり、通過
帯域幅は広くなる。
【００２２】因みに、筐体上面の内壁も常伝導体で覆わ
れている場合には、筐体上面の内壁における電磁界の損
失が生じ、共振器のＱ値も下がるので、通過帯域幅を広
げるように作用するため、所望の狭い通過帯域幅を得る
ことが困難となる。
れている場合には、筐体上面の内壁における電磁界の損
失が生じ、共振器のＱ値も下がるので、通過帯域幅を広
げるように作用するため、所望の狭い通過帯域幅を得る
ことが困難となる。
【００２３】即ち、本発明による帯域幅調整方法は、特
に、複数のマイクロストリップ共振器からなる狭帯域通
過濾波器における通過帯域幅の調整手段として、極めて
有効な方法である。
に、複数のマイクロストリップ共振器からなる狭帯域通
過濾波器における通過帯域幅の調整手段として、極めて
有効な方法である。
【００２４】
【実施例】図３は、本発明の第１の実施例を説明する狭
帯域通過濾波器の構成を示す図である。誘電体基板とし
ては両面研磨酸化マグネシウム単結晶（１００）基板を
用い、高温超伝導体膜としては０．８ミクロン厚のｃ軸
配向エピタキシャル成長ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７−δ薄膜を
用いた。
帯域通過濾波器の構成を示す図である。誘電体基板とし
ては両面研磨酸化マグネシウム単結晶（１００）基板を
用い、高温超伝導体膜としては０．８ミクロン厚のｃ軸
配向エピタキシャル成長ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７−δ薄膜を
用いた。
【００２５】酸化マグネシウム基板８上には、高温超伝
導体膜を加工することによりストリップ導体１０からな
るヘアピン型の共振器を複数個形成し、基板８底面には
高温超伝導体膜の接地導体９を形成した。この接地導体
９を、真鍮に３ミクロンの金メッキを施した金属筐体７
内に０．１ｍｍ厚インジウムシートを介してはんだ付け
した。
導体膜を加工することによりストリップ導体１０からな
るヘアピン型の共振器を複数個形成し、基板８底面には
高温超伝導体膜の接地導体９を形成した。この接地導体
９を、真鍮に３ミクロンの金メッキを施した金属筐体７
内に０．１ｍｍ厚インジウムシートを介してはんだ付け
した。
【００２６】次に、筐体７側壁に形成してある凹部に直
径１ｍｍのインジウムワイヤ１１を敷き、酸化マグネシ
ウム基板１２の底面に形成した高温超伝導体膜１３の周
辺部をはんだ付けし、高周波接地した高温超伝導体膜か
らなる筐体上蓋を形成した。
径１ｍｍのインジウムワイヤ１１を敷き、酸化マグネシ
ウム基板１２の底面に形成した高温超伝導体膜１３の周
辺部をはんだ付けし、高周波接地した高温超伝導体膜か
らなる筐体上蓋を形成した。
【００２７】この狭帯域濾波器は、中心周波数１．９７
ＧＨｚ、比帯域１％で、共振器の無負荷Ｑ値としては１
５万の値を示した。この値は、ニオブの筐体を用いた場
合の１９万の値と比較して若干低いが、金メッキ筐体を
用いた場合の４万の値と比較して極めて高い。
ＧＨｚ、比帯域１％で、共振器の無負荷Ｑ値としては１
５万の値を示した。この値は、ニオブの筐体を用いた場
合の１９万の値と比較して若干低いが、金メッキ筐体を
用いた場合の４万の値と比較して極めて高い。
【００２８】即ち、常伝導体の金属筐体内壁による電磁
界の損失を低減することができ、狭帯域通過特性の劣化
の少ない濾波器を作製できたことになる。さらに金属筐
体７側壁の凹部の高さを変化させることにより、基板８
と基板１２の間隙を調整し、通過帯域幅の調整を行っ
た。間隙が３ｍｍの場合比帯域１％であったが、間隙を
７ｍｍにすることにより比帯域は１．５％まで広がっ
た。
界の損失を低減することができ、狭帯域通過特性の劣化
の少ない濾波器を作製できたことになる。さらに金属筐
体７側壁の凹部の高さを変化させることにより、基板８
と基板１２の間隙を調整し、通過帯域幅の調整を行っ
た。間隙が３ｍｍの場合比帯域１％であったが、間隙を
７ｍｍにすることにより比帯域は１．５％まで広がっ
た。
【００２９】図４は、本発明の第２の実施例を説明する
狭帯域通過濾波器の構成を示す図である。誘電体基板お
よび高温超伝導体膜としては第１の実施例と同じく、両
面研磨酸化マグネシウム単結晶（１００）基板と０．８
ミクロン厚のｃ軸配向エピタキシャル成長ＹＢａ２Ｃｕ
３Ｏ７−δ薄膜を用いた。
狭帯域通過濾波器の構成を示す図である。誘電体基板お
よび高温超伝導体膜としては第１の実施例と同じく、両
面研磨酸化マグネシウム単結晶（１００）基板と０．８
ミクロン厚のｃ軸配向エピタキシャル成長ＹＢａ２Ｃｕ
３Ｏ７−δ薄膜を用いた。
【００３０】本実施例では、酸化マグネシウム基板１４
上には高温超伝導体膜を加工することによりストリップ
導体１５からなる二分の一波長共振器を複数個形成し、
基板１４底面には高温超伝導体膜の接地導体１６を形成
した。この接地導体１６を、真鍮に３ミクロンの金メッ
キを施した金属筐体１７内に０．１ｍｍ厚インジウムシ
ートを介してはんだ付けした。
上には高温超伝導体膜を加工することによりストリップ
導体１５からなる二分の一波長共振器を複数個形成し、
基板１４底面には高温超伝導体膜の接地導体１６を形成
した。この接地導体１６を、真鍮に３ミクロンの金メッ
キを施した金属筐体１７内に０．１ｍｍ厚インジウムシ
ートを介してはんだ付けした。
【００３１】次に、筐体１７と同じく真鍮に３ミクロン
の金メッキを施した上蓋１８に、酸化マグネシウム基板
１９上に形成した高温超伝導体膜２０をはんだ付けし、
高周波接地した高温超伝導体膜からなる筐体上蓋を形成
し、この上蓋を筐体１７にねじ止めした。
の金メッキを施した上蓋１８に、酸化マグネシウム基板
１９上に形成した高温超伝導体膜２０をはんだ付けし、
高周波接地した高温超伝導体膜からなる筐体上蓋を形成
し、この上蓋を筐体１７にねじ止めした。
【００３２】このようにして作製したフォワードカップ
ル型狭帯域濾波器は、第１の実施例とほぼ同じ、良好な
狭帯域通過特性を示した。さらに、例えば、金属筐体１
７と上蓋１８の間に所望の厚さの枠状の金属板を介在さ
せてネジ止めすることによりストリップ導体１５と高温
超伝導体膜２０の間隔を変化させて通過帯域幅の調整を
行った結果、間隙３ｍｍの場合には比帯域０．８％、間
隙７ｍｍの場合には比帯域２．１％となり、第１の実施
例と比較して、より調整範囲が広がった。
ル型狭帯域濾波器は、第１の実施例とほぼ同じ、良好な
狭帯域通過特性を示した。さらに、例えば、金属筐体１
７と上蓋１８の間に所望の厚さの枠状の金属板を介在さ
せてネジ止めすることによりストリップ導体１５と高温
超伝導体膜２０の間隔を変化させて通過帯域幅の調整を
行った結果、間隙３ｍｍの場合には比帯域０．８％、間
隙７ｍｍの場合には比帯域２．１％となり、第１の実施
例と比較して、より調整範囲が広がった。
【００３３】なお、本発明は、上記の実施例に限定され
るものではなく、本発明の技術思想の範囲内において、
適宜変更して実施することができる。
るものではなく、本発明の技術思想の範囲内において、
適宜変更して実施することができる。
【００３４】
【発明の効果】本発明は、両面に高温超伝導体膜をスト
リップ導体及び接地導体として用いた複数個のマイクロ
ストリップ線路共振器を有する誘電体基板の接地導体面
を常伝導体からなる金属筐体の内壁に接地される様に設
置し、その壁面と対向する内壁のみを高周波接地した他
の高温超伝導体膜により形成しているので、低コスト化
を図ることができ、且つ筐体内壁において常伝導体が占
める領域は狭くなり、常伝導体の金属筐体内壁による電
磁界の損失を抑制でき、狭帯域通過特性の劣化を低減す
ることができる。
リップ導体及び接地導体として用いた複数個のマイクロ
ストリップ線路共振器を有する誘電体基板の接地導体面
を常伝導体からなる金属筐体の内壁に接地される様に設
置し、その壁面と対向する内壁のみを高周波接地した他
の高温超伝導体膜により形成しているので、低コスト化
を図ることができ、且つ筐体内壁において常伝導体が占
める領域は狭くなり、常伝導体の金属筐体内壁による電
磁界の損失を抑制でき、狭帯域通過特性の劣化を低減す
ることができる。
【００３５】また、当該帯域通過濾波器において、スト
リップ導体と、それに対向する高周波接地した高温超伝
導体膜との間隙を変化させることにより、当該濾波器の
通過帯域幅を容易に調整することができる。
リップ導体と、それに対向する高周波接地した高温超伝
導体膜との間隙を変化させることにより、当該濾波器の
通過帯域幅を容易に調整することができる。
【図１】本発明の実施の形態を示す帯域通過濾波器の分
解斜示図である。
解斜示図である。
【図２】本発明の実施の形態を示す帯域通過濾波器の断
面図である。
面図である。
【図３】本発明の第１の実施例を示す分解斜示図であ
る。
る。
【図４】本発明の第２の実施例を示す分解斜示図であ
る。
る。
１ 金属筐体 ２ 誘電体基板 ３ 高温超伝導体膜の接地導体 ４ 高温超伝導体膜のストリップ導体 ５ 誘電体基板 ６ 高温超伝導体膜 ７ 真鍮に３ミクロンの金メッキを施した金属筐体 ８ 酸化マグネシウム基板 ９ 高温超伝導体膜 １０ ストリップ導体 １１ 直径１ｍｍのインジウムワイヤ １２ 酸化マグネシウム基板 １３ 高温超伝導体膜 １４ 酸化マグネシウム基板 １５ ストリップ導体 １６ 接地導体 １７ 金属筐体 １８ 上蓋 １９ 酸化マグネシウム基板 ２０ 高温超伝導体膜
Claims (5)
- 【請求項１】 ストリップ導体及び接地導体が高温超伝
導体膜により形成された複数のマイクロストリップ線路
共振器を有する誘電体基板と、内壁面に前記接地導体面
が接地されるようにして前記誘電体基板が設置された金
属筐体とを有する帯域通過濾波器において、 前記金属筐体は常伝導体によって構成されており、か
つ、前記金属筐体の前記誘電体基板が設置されている内
壁面と対向する内壁面にのみ接地された高温超伝導体膜
が形成されていることを特徴とする帯域通過濾波器。 - 【請求項２】 ストリップ導体及び接地導体が高温超伝
導体膜により形成された複数のマイクロストリップ線路
共振器を有する誘電体基板と、前記誘電体基板の接地導
体面がその内部底面と接して設置される上面開放の金属
筐体と、前記金属筐体の上面を覆う上蓋とを有する帯域
通過濾波器において、 前記金属筐体は常伝導体によって構成され、前記上蓋の
内面にのみ接地された高温超伝導体膜が形成されている
ことを特徴とする帯域通過濾波器。 - 【請求項３】 前記上蓋は、その内面に高温超伝導体膜
が形成された誘電体基板によって構成されていることを
特徴とする請求項２記載の帯域通過濾波器。 - 【請求項４】 前記上蓋は、その一面に高温超伝導体膜
が形成された誘電体基板と、該誘電体基板がその内面に
設置された常伝導体の金属板によって構成されているこ
とを特徴とする請求項２記載の帯域通過濾波器。 - 【請求項５】 ストリップ導体及び接地導体が高温超伝
導体膜により形成された複数のマイクロストリップ線路
共振器を有する誘電体基板と、常伝導体によって構成さ
れ、一内壁面に前記接地導体面を接地して前記誘電体基
板が設置された金属筐体と、前記誘電体基板と対向しか
つ間隙を設けて配置された高温超伝導体膜とを有する帯
域通過濾波器の通過帯域幅調整方法であって、 前記間隙の幅を変化させることにより通過帯域幅を調整
することを特徴とする帯域通過濾波器の通過帯域幅調整
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25488299A JP3433914B2 (ja) | 1999-09-08 | 1999-09-08 | 帯域通過濾波器及び帯域通過濾波器の通過帯域幅調整方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25488299A JP3433914B2 (ja) | 1999-09-08 | 1999-09-08 | 帯域通過濾波器及び帯域通過濾波器の通過帯域幅調整方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001077604A true JP2001077604A (ja) | 2001-03-23 |
| JP3433914B2 JP3433914B2 (ja) | 2003-08-04 |
Family
ID=17271155
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25488299A Expired - Fee Related JP3433914B2 (ja) | 1999-09-08 | 1999-09-08 | 帯域通過濾波器及び帯域通過濾波器の通過帯域幅調整方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3433914B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002141706A (ja) * | 2000-10-31 | 2002-05-17 | Toshiba Corp | 高周波デバイス |
| US6778042B2 (en) | 2000-10-30 | 2004-08-17 | Kabushiki Kaisha Toshiba | High-frequency device |
| WO2004075338A1 (fr) * | 2002-12-20 | 2004-09-02 | Tsinghua University | Resonateur a microruban supraconducteur et filtre constitue de tels resonateurs |
| EP1564834A1 (en) | 2004-02-03 | 2005-08-17 | NTT DoCoMo, Inc. | Microwave filter |
| CN100385732C (zh) * | 2004-02-03 | 2008-04-30 | 株式会社Ntt都科摩 | 共面波导滤波器 |
| JP2022502836A (ja) * | 2018-10-02 | 2022-01-11 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーションInternational Business Machines Corporation | 極低温環境用の低減カピッツァ抵抗マイクロ波フィルタ |
-
1999
- 1999-09-08 JP JP25488299A patent/JP3433914B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6778042B2 (en) | 2000-10-30 | 2004-08-17 | Kabushiki Kaisha Toshiba | High-frequency device |
| US6937117B2 (en) | 2000-10-30 | 2005-08-30 | Kabushiki Kaisha Toshiba | High-frequency device |
| JP2002141706A (ja) * | 2000-10-31 | 2002-05-17 | Toshiba Corp | 高周波デバイス |
| WO2004075338A1 (fr) * | 2002-12-20 | 2004-09-02 | Tsinghua University | Resonateur a microruban supraconducteur et filtre constitue de tels resonateurs |
| EP1564834A1 (en) | 2004-02-03 | 2005-08-17 | NTT DoCoMo, Inc. | Microwave filter |
| US7183874B2 (en) | 2004-02-03 | 2007-02-27 | Ntt Docomo. Inc. | Casing contained filter |
| CN100385730C (zh) * | 2004-02-03 | 2008-04-30 | 株式会社Ntt都科摩 | 滤波器 |
| CN100385732C (zh) * | 2004-02-03 | 2008-04-30 | 株式会社Ntt都科摩 | 共面波导滤波器 |
| JP2022502836A (ja) * | 2018-10-02 | 2022-01-11 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーションInternational Business Machines Corporation | 極低温環境用の低減カピッツァ抵抗マイクロ波フィルタ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3433914B2 (ja) | 2003-08-04 |
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