JPH0217701A - 超伝導平面回路 - Google Patents
超伝導平面回路Info
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- JPH0217701A JPH0217701A JP63168079A JP16807988A JPH0217701A JP H0217701 A JPH0217701 A JP H0217701A JP 63168079 A JP63168079 A JP 63168079A JP 16807988 A JP16807988 A JP 16807988A JP H0217701 A JPH0217701 A JP H0217701A
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E40/00—Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
- Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment
Landscapes
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
- Waveguides (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
マイクロストリップ線路をはじめとするマイクロ波やミ
リ波平面回路に用いる伝送線路に関し、超伝導体の臨界
温度以下の温度での使用においては無損失伝送を可能に
し、臨界温度以上の温度での使用においても低損失な伝
送を可能にすることを目的とし、 下部接地導体と上部ストリップ常伝導体とを誘電体基板
を介して平行に対向するマイクロストリップ線路をはじ
めとする伝送線路に、前記上部ストリップ常伝導体と前
記誘電体基板の間に密着して介在する超伏４体を設け、
超伝導体の臨界温度以下における無損失伝送と常温にお
ける低損失伝送の両方を可能にするように構成する。
リ波平面回路に用いる伝送線路に関し、超伝導体の臨界
温度以下の温度での使用においては無損失伝送を可能に
し、臨界温度以上の温度での使用においても低損失な伝
送を可能にすることを目的とし、 下部接地導体と上部ストリップ常伝導体とを誘電体基板
を介して平行に対向するマイクロストリップ線路をはじ
めとする伝送線路に、前記上部ストリップ常伝導体と前
記誘電体基板の間に密着して介在する超伏４体を設け、
超伝導体の臨界温度以下における無損失伝送と常温にお
ける低損失伝送の両方を可能にするように構成する。
本発明は、マイクロストリップ線路をはしめとするマイ
クロ波やミリ波平面回路に用いる伝送線路に関する。
クロ波やミリ波平面回路に用いる伝送線路に関する。
低雑音受信装置なとでは入力部の損失が大きく雑音に寄
与するため、入力部の損失を最小にする事が要求される
。
与するため、入力部の損失を最小にする事が要求される
。
このために回路の伝送線路を超伝導体で構成して、導体
損失を無（することにより回路損失を減少することが考
えられる。
損失を無（することにより回路損失を減少することが考
えられる。
第３図は従来の一実施例の構成を示す図である。
従来の平面形状のマイクロストリップ線路は、−枚の上
部ストリップ常伝導体３と常任導体材の下部接地導体１
との間に低損失の誘電体基板２を挟んだ構造となってい
る。なおスタブ（常伝導体）３ａとスタブ（常伝導体）
３ｂは、線路インピーダンスとの整合をとるため設けら
れたものである。
部ストリップ常伝導体３と常任導体材の下部接地導体１
との間に低損失の誘電体基板２を挟んだ構造となってい
る。なおスタブ（常伝導体）３ａとスタブ（常伝導体）
３ｂは、線路インピーダンスとの整合をとるため設けら
れたものである。
このようなマイクロストリップ線路は、上部に接地導体
ををしていない解放形の構造でであるので回路の調整や
修理などは簡単であるという特徴がある。しかし金や銅
などの常伝導体には導体損失があり、低温に冷却しても
導体損失を無くすることは出来ない。このことより上部
ストリップ常伝導体３を超伝導体に置き換えることによ
って導体損失をなくして伝送損失を減少することが考え
られた。
ををしていない解放形の構造でであるので回路の調整や
修理などは簡単であるという特徴がある。しかし金や銅
などの常伝導体には導体損失があり、低温に冷却しても
導体損失を無くすることは出来ない。このことより上部
ストリップ常伝導体３を超伝導体に置き換えることによ
って導体損失をなくして伝送損失を減少することが考え
られた。
なお第４図は、従来の他の一実施例の構成を示す図であ
る。その構造は、−枚の超伝導体４と常任導体材の下部
接地導体１との間に低損失の誘電体基板２が挟まれる構
造である。
る。その構造は、−枚の超伝導体４と常任導体材の下部
接地導体１との間に低損失の誘電体基板２が挟まれる構
造である。
一般に超伝導体４を作る物質としは、金属やセラミック
や有機材などが知られている。特にセラミック系の超伝
導体は、比較的高い臨界温度を有することから広く用い
られている。しかしセラミック系超伝導体は、臨界温度
以上の温度においては通常の回路を構成する金や銅やア
ルミニュウムなどに比べて抵抗が大きくなると言う特性
をもっている。従ってこのような超伝導体を使用した伝
送線路は、臨界温度以上においては損失が大きくなると
いう欠点をもっていた。このために回路のの特性を調べ
るのにも臨界温度以下に冷却せねばならなくなる。特に
回路調整の必要な場合、冷却したままでの調整が難しい
ので室温と冷却の温度サイクルを数回繰り返す必要があ
る。
や有機材などが知られている。特にセラミック系の超伝
導体は、比較的高い臨界温度を有することから広く用い
られている。しかしセラミック系超伝導体は、臨界温度
以上の温度においては通常の回路を構成する金や銅やア
ルミニュウムなどに比べて抵抗が大きくなると言う特性
をもっている。従ってこのような超伝導体を使用した伝
送線路は、臨界温度以上においては損失が大きくなると
いう欠点をもっていた。このために回路のの特性を調べ
るのにも臨界温度以下に冷却せねばならなくなる。特に
回路調整の必要な場合、冷却したままでの調整が難しい
ので室温と冷却の温度サイクルを数回繰り返す必要があ
る。
従って、超伝導体を使用した回路を超伝導体の臨界温度
以上の温度でも低損失で電気特性の確認を出来、かつ超
伝導体の臨界温度以下での使用時には無損失伝送を必要
とするという問題が生じていた。
以上の温度でも低損失で電気特性の確認を出来、かつ超
伝導体の臨界温度以下での使用時には無損失伝送を必要
とするという問題が生じていた。
本発明は、超伝導体の臨界温度以下の温度での使用にお
いては無損失伝送を可能にし、臨界温度以上の温度での
使用においても低損失な伝送を可能にすることを目的と
する。
いては無損失伝送を可能にし、臨界温度以上の温度での
使用においても低損失な伝送を可能にすることを目的と
する。
ワイヤボンデングや半田付けや電気特性の確認には上部
ストリップ常伝導体３を用いて行ようにし、また、通常
の臨界温度以下の温度で使用するときは超伝導体４を用
いて無損失伝送を可能にしている。
ストリップ常伝導体３を用いて行ようにし、また、通常
の臨界温度以下の温度で使用するときは超伝導体４を用
いて無損失伝送を可能にしている。
従って、ワイヤボンデングや半田付けや電気特性の確認
は、常温で簡単に行うことの出来るマイクロストリップ
線路を提供する事が可能となる。
は、常温で簡単に行うことの出来るマイクロストリップ
線路を提供する事が可能となる。
上記目的を達成するため、本発明のマイクロストリップ
線路をはじめとする伝送線路に、下部接地導体１に誘電
体基板２を介して平行に対向する上部ストリップ常伝導
体３を設け、かつ前記上部ストリップ常伝導体３と前記
誘電体基板２の間に密着して介在する超伝導体４を設け
る構成にする。
線路をはじめとする伝送線路に、下部接地導体１に誘電
体基板２を介して平行に対向する上部ストリップ常伝導
体３を設け、かつ前記上部ストリップ常伝導体３と前記
誘電体基板２の間に密着して介在する超伝導体４を設け
る構成にする。
本発明では第１図に示す構成をとる事により、〔実 施
例〕 第１図は本発明の一実施例の構成を示す図である。
例〕 第１図は本発明の一実施例の構成を示す図である。
図中、■は下部接地導体、２は誘電体基板、３は上部ス
トリップ常伝導体であり、なお、３ａと３ｂは線路イン
ピーダンスとの整合のために設けたスタブ（常伝導体）
である。
トリップ常伝導体であり、なお、３ａと３ｂは線路イン
ピーダンスとの整合のために設けたスタブ（常伝導体）
である。
また、４は超伝導体であり、４ａと４ｂは線路インピー
ダンスとの整合のために設けたスタブ（超伝導体）であ
る。
ダンスとの整合のために設けたスタブ（超伝導体）であ
る。
第１図は、主伝送線路およびスタブ等の整合回路全体を
超伝導体４とスタブ（超伝導体）４ａとスタブ（超伝導
体）４ｂで構成し、その上を上部ストリップ常伝導体３
とスタブ（常伝導体）３ａとスタブ（常伝導体）３ｂと
で覆った例である。
超伝導体４とスタブ（超伝導体）４ａとスタブ（超伝導
体）４ｂで構成し、その上を上部ストリップ常伝導体３
とスタブ（常伝導体）３ａとスタブ（常伝導体）３ｂと
で覆った例である。
マイクロ波信号は、超伝導体４によって、上部ストリッ
プ常伝導体３の部分での導体損失をうけることなく伝わ
り、低槍失伝送線路が実現できる。
プ常伝導体３の部分での導体損失をうけることなく伝わ
り、低槍失伝送線路が実現できる。
なおワイヤボンデングや半田付けは、上部ストリップ常
伝導体３により行うため、通常の常温での作業方法によ
り簡単に行うことが出来る。
伝導体３により行うため、通常の常温での作業方法によ
り簡単に行うことが出来る。
また、超伝導体４の臨界温度が室温より低くて室温での
損失が上部ストリップ常伝導体３より大きい場合でも、
上部ストリップ常伝導体３の特性により室温においても
通常の比較的低損失の伝送線路が構成され、回路の大ま
かな特性を調べたり、あるいは回路調整を行うことが出
来る。また臨界温度以上の温度であっても、常伝導金属
で構成した回路と同等の伝送特性で使用することが出来
る。
損失が上部ストリップ常伝導体３より大きい場合でも、
上部ストリップ常伝導体３の特性により室温においても
通常の比較的低損失の伝送線路が構成され、回路の大ま
かな特性を調べたり、あるいは回路調整を行うことが出
来る。また臨界温度以上の温度であっても、常伝導金属
で構成した回路と同等の伝送特性で使用することが出来
る。
また第２図は、主伝送線路およびスタブ等の整合回路全
体を超伝導体４で構成し、その上を上部ストリップ常伝
導体３とスタブ（常伝導体）３ａとスタブ（常伝導体）
３ｂで覆った例である。第２図の場合、あらかじめ５ｏ
Ω線路などのような汎用性のある回路を超伝導体４で作
っておき、使用する回路に適したスタブ等のパターンを
追加したものを常伝導体金属でつくるようにすれば、回
路基板の汎用性の高いマイクロ波伝送線路をつくること
ができる。
体を超伝導体４で構成し、その上を上部ストリップ常伝
導体３とスタブ（常伝導体）３ａとスタブ（常伝導体）
３ｂで覆った例である。第２図の場合、あらかじめ５ｏ
Ω線路などのような汎用性のある回路を超伝導体４で作
っておき、使用する回路に適したスタブ等のパターンを
追加したものを常伝導体金属でつくるようにすれば、回
路基板の汎用性の高いマイクロ波伝送線路をつくること
ができる。
以上の説明から明らかなように本発明によれば、臨界温
度では無損失の伝送線路を構成し、また室温において簡
単な作業と調整等を行うことのできるマイクロストリッ
プ線路を提供することが可能となる。
度では無損失の伝送線路を構成し、また室温において簡
単な作業と調整等を行うことのできるマイクロストリッ
プ線路を提供することが可能となる。
第１図は本発明の一実施例の構成を示す図、第２図は本
発明の他の一実施例の構成を示す図、第３図は従来の一
実施例の構成を示す図、。 第４図は従来の他の一実施例の構成を示す図、である。 図において、 １は下部接地導体、 ２は誘電体基板。 ３は上部ストリップ常伝導体、 ３ａ、３ｂはスタブ（常伝導体）２． ４は超伝導体、 ４ａ、４ｂはスタブ（超伝導体）、 を示す。 第１図 ２４号６明−六一の一央′槌？・Ｊの藷Ｅぐを末す図第
２図
発明の他の一実施例の構成を示す図、第３図は従来の一
実施例の構成を示す図、。 第４図は従来の他の一実施例の構成を示す図、である。 図において、 １は下部接地導体、 ２は誘電体基板。 ３は上部ストリップ常伝導体、 ３ａ、３ｂはスタブ（常伝導体）２． ４は超伝導体、 ４ａ、４ｂはスタブ（超伝導体）、 を示す。 第１図 ２４号６明−六一の一央′槌？・Ｊの藷Ｅぐを末す図第
２図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 下部接地導体（１）と上部ストリップ常伝導体（３）と
を誘電体基板（２）を介して平行に対向するマイクロス
トリップ線路をはじめとする伝送線路に、前記上部スト
リップ常伝導体（３）と前記誘電体基板（２）の間に密
着して介在する超伝導体（４）を設け、 超伝導体の臨界温度以下における無損失伝送と常温にお
ける低損失伝送の両方を可能にすることを特徴とする超
伝導平面回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63168079A JPH0217701A (ja) | 1988-07-05 | 1988-07-05 | 超伝導平面回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63168079A JPH0217701A (ja) | 1988-07-05 | 1988-07-05 | 超伝導平面回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0217701A true JPH0217701A (ja) | 1990-01-22 |
Family
ID=15861454
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63168079A Pending JPH0217701A (ja) | 1988-07-05 | 1988-07-05 | 超伝導平面回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0217701A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0661712A (ja) * | 1992-05-29 | 1994-03-04 | Nec Corp | マイクロストリップライン回路素子 |
| EP0720248A2 (en) * | 1994-12-28 | 1996-07-03 | Com Dev Ltd. | High power superconductive circuits and method of construction thereof |
| EP0769823A1 (en) * | 1994-06-17 | 1997-04-23 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd | High-frequency circuit element |
| US6463308B1 (en) * | 1995-06-13 | 2002-10-08 | Telefonaktiebolaget Lm Ericsson (Publ) | Tunable high Tc superconductive microwave devices |
| US6711394B2 (en) | 1998-08-06 | 2004-03-23 | Isco International, Inc. | RF receiver having cascaded filters and an intermediate amplifier stage |
| US6731960B2 (en) * | 1998-09-22 | 2004-05-04 | Isco International, Inc. | Dual operation mode all temperature filter using superconducting resonators with superconductive/non-superconductive mixture |
| US8238989B2 (en) * | 2008-08-28 | 2012-08-07 | Hong Kong Applied Science And Technology Research Institute Co., Ltd. | RF component with a superconducting area having higher current density than a non-superconducting area |
-
1988
- 1988-07-05 JP JP63168079A patent/JPH0217701A/ja active Pending
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0661712A (ja) * | 1992-05-29 | 1994-03-04 | Nec Corp | マイクロストリップライン回路素子 |
| US6360112B1 (en) | 1994-06-17 | 2002-03-19 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | High-frequency circuit element having a superconductive resonator tuned by another movable resonator |
| EP0769823A1 (en) * | 1994-06-17 | 1997-04-23 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd | High-frequency circuit element |
| EP0769823A4 (en) * | 1994-06-17 | 1997-12-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | CIRCUIT ELEMENT H.F. |
| US6016434A (en) * | 1994-06-17 | 2000-01-18 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | High-frequency circuit element in which a resonator and input/ouputs are relatively movable |
| EP1026773A1 (en) * | 1994-06-17 | 2000-08-09 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | High-frequency circuit element |
| US6360111B1 (en) | 1994-06-17 | 2002-03-19 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | High-frequency circuit element having a superconductive resonator with an electroconductive film about the periphery |
| EP0720248A3 (ja) * | 1994-12-28 | 1996-08-07 | Com Dev Ltd | |
| US6041245A (en) * | 1994-12-28 | 2000-03-21 | Com Dev Ltd. | High power superconductive circuits and method of construction thereof |
| EP0720248A2 (en) * | 1994-12-28 | 1996-07-03 | Com Dev Ltd. | High power superconductive circuits and method of construction thereof |
| US6463308B1 (en) * | 1995-06-13 | 2002-10-08 | Telefonaktiebolaget Lm Ericsson (Publ) | Tunable high Tc superconductive microwave devices |
| US6711394B2 (en) | 1998-08-06 | 2004-03-23 | Isco International, Inc. | RF receiver having cascaded filters and an intermediate amplifier stage |
| US6731960B2 (en) * | 1998-09-22 | 2004-05-04 | Isco International, Inc. | Dual operation mode all temperature filter using superconducting resonators with superconductive/non-superconductive mixture |
| US8238989B2 (en) * | 2008-08-28 | 2012-08-07 | Hong Kong Applied Science And Technology Research Institute Co., Ltd. | RF component with a superconducting area having higher current density than a non-superconducting area |
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