JPH07297608A - 超伝導マイクロストリップ回路 - Google Patents

超伝導マイクロストリップ回路

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JPH07297608A
JPH07297608A JP6084244A JP8424494A JPH07297608A JP H07297608 A JPH07297608 A JP H07297608A JP 6084244 A JP6084244 A JP 6084244A JP 8424494 A JP8424494 A JP 8424494A JP H07297608 A JPH07297608 A JP H07297608A
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JP
Japan
Prior art keywords
thin film
gold
superconducting
microstrip circuit
dielectric substrate
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Pending
Application number
JP6084244A
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English (en)
Inventor
Shinji Suzuki
眞二 鈴木
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NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 超伝導マイクロストリップ回路の電気特性を
回路の製造後に調整可能とすることにより、歩留りを向
上させ、短期間で製作でき且つ製作費用を低減すること
ができる超伝導マイクロストリップ回路を提供するこ
と。 【構成】 金薄膜4と金薄膜5とを金ワイヤ6によって
電気的に接続したり切り離したりすることによって、金
薄膜5と誘電体基板2と誘電体基板2の裏面の接地導体
とが形成する容量回路を超伝導マイクロストリップ回路
1に接続したり切り離したりすることができ、これによ
って超伝導マイクロストリップ回路1の電気特性を調整
することができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は電気特性の調整が可能な
超伝導マイクロストリップ回路および超伝導マイクロス
トリップ回路の電気特性の調整方法に関する。
【0002】
【従来の技術】超伝導薄膜を用いたマイクロストリップ
線路で構成した電気回路(以下、「超伝導マイクロスト
リップ回路」という)の開発が進んでおり、たとえばフ
ィルタ回路に利用されている。
【0003】超伝導体が超伝導性を示す臨界温度は、比
較的高温で超伝導性を示すYBCO薄膜(イットリウ
ム、バリウム、銅、酸素による超伝導体薄膜)でも−2
00℃程度以下という極めて超低温であるため、超伝導
マイクロストリップ回路はたとえば窒素を冷媒として用
いた極低温環境下で用いられる。
【0004】ところで、超伝導マイクロストリップ回路
の電気特性(フィルタ回路であればフィルタリング特
性)は、上述したような極低温環境でその回路を実際に
動作させて測定してみなければわからず、回路製造後に
電気特性を調整する有効な方法はなかった。そこで従来
は、所望の電気特性が得られるまで回路パターンを何度
も製作し直して最適化したり、回路パターン寸法の若干
異なる回路を予め数種類製作しておきその中から所望の
電気特性を示す回路を選ぶようにしていた。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】上述したように、超伝
導マイクロストリップ回路を何度も製作し直したり、予
め数種類製作しておくのでは、製作期間が長くかかると
ともに製作費用も多くかかるという問題があった。
【0006】また、ある程度は回路パターンを最適化し
たとしても、製作時にばらつきが生じるため、所望の電
気特性を得ることは容易でなかった。
【0007】本発明は上記の点にかんがみてなされたも
ので、超伝導マイクロストリップ回路の電気特性を回路
の製造後に調整する方法およびそのような調整を可能と
する超伝導マイクロストリップ回路を提供することを目
的とする。
【0008】さらに本発明は、歩留りを向上させ短期間
で製作でき且つ製作費用を低減することができる超伝導
マイクロストリップ回路を提供することを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明は上記の目的を達
成するために、誘電体基板の一面に形成された超伝導薄
膜と前記誘電体基板の他面に形成された接地導体とを有
する超伝導マイクロストリップ回路の電気特性調整方法
において、前記超伝導薄膜上の一部に形成された第1の
金薄膜を金ワイヤの一端に接続するとともに、前記誘電
体基板の一面で前記第1の金薄膜の近傍に形成された第
2の金薄膜を前記金ワイヤの他端に接続することによっ
て、前記第1の金薄膜と前記第2の金薄膜とを電気的に
接続して電気特性の調整を行うようにした。
【0010】また本発明は、誘電体基板の一面に形成さ
れた超伝導薄膜と前記誘電体基板の他面に形成された接
地導体とを有する超伝導マイクロストリップ回路の電気
特性調整方法において、前記超伝導薄膜上の一部に形成
された第1の金薄膜に一端が接続され、前記誘電体基板
の一面の前記第1の金薄膜近傍に形成された第2の金薄
膜に他端が接続された金ワイヤを切断することによって
電気特性の調整を行うようにした。
【0011】さらに本発明は、誘電体基板の一面に形成
された超伝導薄膜と誘電体基板の他面に形成された接地
導体とを有する超伝導マイクロストリップ回路におい
て、超伝導薄膜上の一部に形成された第1の金属薄膜
と、誘電体基板の一面で第1の金属薄膜の近傍に形成さ
れた第2の金属薄膜と、第1の金属薄膜と第2の金属薄
膜とを電気的に接続する金属ワイヤとから超伝導マイク
ロストリップ回路を構成した。
【0012】
【作用】本発明は以上の構成によって、第1の金属薄膜
と第2の金属薄膜とを金属ワイヤによって電気的に接続
したり切り離したりすることによって、第2の金属薄膜
と誘電体基板と接地導体とが形成する容量回路を超伝導
マイクロストリップ回路に接続したり切り離したりする
ことができ、これによって超伝導マイクロストリップ回
路の電気特性を調整することができる。
【0013】
【実施例】以下本発明を図面に基づいて説明する。
【0014】図1は、本発明による超伝導マイクロスト
リップ回路の一実施例の平面図である。
【0015】本実施例では、誘電体基板2上に図1に示
すような形状に超伝導薄膜3が形成され、この超伝導薄
膜3上の一部に金薄膜4が形成され、さらに、誘電体基
板2上で金薄膜4の近傍には金薄膜5が形成されてフィ
ルタ回路1が構成されている。このフィルタ回路1は入
力部10に信号を入力すると、その信号の所定の周波数
成分のみを通過し出力部11に出力する。
【0016】図2は、図1に示したフィルタ回路1のA
−A断面図である。
【0017】図2からわかるように、誘電体基板2の裏
面(超伝導薄膜3と反対側)には接地導体7が形成され
ている。
【0018】金薄膜5は、誘電体基板2を介して接地導
体7と容量性回路を形成する。すなわち、金薄膜5が金
ワイヤ6で金薄膜4と接続されると、フィルタ回路1に
容量性回路を並列に接続したこととなる。
【0019】フィルタ回路1をこのように構成すれば、
フィルタ回路1の電気特性すなわちフィルタリング特性
の調整は、金薄膜4と5とを金ワイヤ6で接続したり、
この接続を切り離したりすることによって調節すること
ができる。また、金薄膜4と5との接続は金ワイヤ6の
代わりに金箔を圧着することにより行ってもよい。
【0020】また、金薄膜4と5とを金ワイヤ6で接続
する場合、何本の金ワイヤ6で接続するかによってもフ
ィルタ回路1のフィルタリング特性を調整することがで
きる。これは、金ワイヤ6により接続した際にインダク
タンス成分が生じるが、たとえば、図1の部分Cのよう
に2本の金ワイヤ6で接続すると1本で接続した場合よ
りもインダクタンス成分を小さくすることができること
を利用して、フィルタリング特性の調整を行うものであ
る。
【0021】フィルタ回路1としては、予め金薄膜4と
5とをすべて金ワイヤ6で接続しておき、金ワイヤ6を
何本か切断することによってフィルタリング特性の調整
を行うようにしてもよいし、当初は金薄膜4と5とをま
ったく接続しないでおき、金ワイヤ6等で何か所かを接
続することによってフィルタリング特性の調整を行うよ
うにしてもよい。
【0022】なお、本実施例はフィルタ回路について示
したが、本発明はこれに限らず、マイクロ波伝送線路の
線路定数の調整など超伝導マイクロストリップ回路のす
べてに適用できる。
【0023】また、本実施例では電気特性調整用に金薄
膜4および5と金ワイヤ6を設けたが、これらの材質は
金に限らず、たとえばアルミニウム等の導電性金属であ
ればかまわない。ただし、誘電体基板2や超伝導薄膜3
上に形成する際やワイヤで接続する際の圧着のし易さ等
を考慮すると金であることが望ましい。
【0024】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
超伝導マイクロストリップ回路の電気特性を回路の製造
後に調整可能であるので、超伝導マイクロストリップ回
路の歩留りを向上させ、短期間で製作でき且つ製作費用
を低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明による超伝導マイクロストリップ回路の
一実施例の平面図である。
【図2】図1に示したフィルタ回路1のA−A断面図で
ある。
【符号の説明】
1 フィルタ回路 2 誘電体基板 3 超伝導薄膜 4、5 金薄膜 6 金ワイヤ 7 接地導体

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 誘電体基板の一面に形成された超伝導薄
    膜と前記誘電体基板の他面に形成された接地導体とを有
    する超伝導マイクロストリップ回路において、 前記超伝導薄膜上の一部に形成された第1の金属薄膜
    と、 前記誘電体基板の一面で前記第1の金属薄膜の近傍に形
    成された第2の金属薄膜とを備えたことを特徴とする超
    伝導マイクロストリップ回路。
  2. 【請求項2】 前記第1の金属薄膜および前記第2の金
    属薄膜の材質が金である請求項1に記載の超伝導マイク
    ロストリップ回路。
  3. 【請求項3】 前記第1の金属薄膜と前記第2の金属薄
    膜とを電気的に接続する接続手段をさらに有する請求項
    1または2に記載の超伝導マイクロストリップ回路。
  4. 【請求項4】 前記第1の金属薄膜と前記第2の金属薄
    膜との組み合わせを複数有し、この組み合わせのうち所
    定の組み合わせについて第1の金属薄膜と第2の金属薄
    膜とを電気的に接続する接続手段を有する請求項1また
    は2に記載の超伝導マイクロストリップ回路。
  5. 【請求項5】 前記接続手段が金属ワイヤである請求項
    3または4に記載の超伝導マイクロストリップ回路。
  6. 【請求項6】 前記金属ワイヤの材質が金である請求項
    5に記載の超伝導マイクロストリップ回路。
  7. 【請求項7】 前記接続手段が金属箔である請求項3ま
    たは4に記載の超伝導マイクロストリップ回路。
  8. 【請求項8】 前記金属箔の材質が金である請求項7に
    記載の超伝導マイクロストリップ回路。
  9. 【請求項9】 誘電体基板の一面に形成された超伝導薄
    膜と前記誘電体基板の他面に形成された接地導体とを有
    する超伝導マイクロストリップ回路の電気特性調整方法
    において、 前記超伝導薄膜上の一部に形成された第1の金薄膜を金
    ワイヤの一端に接続するとともに、前記誘電体基板の一
    面で前記第1の金薄膜の近傍に形成された第2の金薄膜
    を前記金ワイヤの他端に接続することによって、前記第
    1の金薄膜と前記第2の金薄膜とを電気的に接続して電
    気特性の調整を行うことを特徴とする超伝導マイクロス
    トリップ回路の電気特性調整方法。
  10. 【請求項10】 誘電体基板の一面に形成された超伝導
    薄膜と前記誘電体基板の他面に形成された接地導体とを
    有する超伝導マイクロストリップ回路の電気特性調整方
    法において、 前記超伝導薄膜上の一部に形成された第1の金薄膜に一
    端が接続され、前記誘電体基板の一面の前記第1の金薄
    膜近傍に形成された第2の金薄膜に他端が接続された金
    ワイヤを切断することによって電気特性の調整を行うこ
    とを特徴とする超伝導マイクロストリップ回路の電気特
    性調整方法。
JP6084244A 1994-04-22 1994-04-22 超伝導マイクロストリップ回路 Pending JPH07297608A (ja)

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Cited By (4)

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JP2000252713A (ja) * 1999-03-02 2000-09-14 Idotai Tsushin Sentan Gijutsu Kenkyusho:Kk 複数の共振器を備えた装置および共振器の共振周波数調整方法
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Date Code Title Description
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 19970827