JPH0846253A - 特性変調可能な超電導マイクロ波素子構造 - Google Patents
特性変調可能な超電導マイクロ波素子構造Info
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- JPH0846253A JPH0846253A JP6110488A JP11048894A JPH0846253A JP H0846253 A JPH0846253 A JP H0846253A JP 6110488 A JP6110488 A JP 6110488A JP 11048894 A JP11048894 A JP 11048894A JP H0846253 A JPH0846253 A JP H0846253A
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P1/00—Auxiliary devices
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- H01P1/201—Filters for transverse electromagnetic waves
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 誘電体基板４と、基板４上に順に積層された
酸化物超電導体による超電導グランドプレーン11および
誘電体層３と、誘電体層３上に配置された酸化物超電導
薄膜の超電導インダクタパターン10が配置されている。
超電導グランドプレーン11と超電導インダクタパターン
10との間にバイアス電圧を印加して、超電導グランドプ
レーン11および超電導インダクタパターン10の導電性お
よび誘電体層３の誘電特性を変化させ、これにより表面
リアクタンスおよび表面抵抗を変更可能に構成されてい
る。
酸化物超電導体による超電導グランドプレーン11および
誘電体層３と、誘電体層３上に配置された酸化物超電導
薄膜の超電導インダクタパターン10が配置されている。
超電導グランドプレーン11と超電導インダクタパターン
10との間にバイアス電圧を印加して、超電導グランドプ
レーン11および超電導インダクタパターン10の導電性お
よび誘電体層３の誘電特性を変化させ、これにより表面
リアクタンスおよび表面抵抗を変更可能に構成されてい
る。
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、特性変調可能な超電導
マイクロ波素子構造に関する。より詳細には、動作中に
特性変調可能な超電導マイクロ波素子構造に関する。
マイクロ波素子構造に関する。より詳細には、動作中に
特性変調可能な超電導マイクロ波素子構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】数十cmから数mmまでの波長を有し、マイ
クロ波あるいはミリ波等と呼ばれる電磁波は、理論的に
は電磁波スペクトルの一部の範囲に過ぎないが、波長が
短いことから光に似た挙動を示し、これを取り扱うため
の独特の手法や部品が開発されていることから、工学的
には特に独立して検討される場合が多い。
クロ波あるいはミリ波等と呼ばれる電磁波は、理論的に
は電磁波スペクトルの一部の範囲に過ぎないが、波長が
短いことから光に似た挙動を示し、これを取り扱うため
の独特の手法や部品が開発されていることから、工学的
には特に独立して検討される場合が多い。
【０００３】この帯域の電磁波を伝送するためには、低
周波の電磁波の伝送に使用される平行線等では伝送損失
が極端に大きい。また、特に線間距離と波長とが同程度
の長さになると、線路の僅かな屈曲や接続部の僅かな寸
法の不一致により反射や放射が発生し、隣接物の影響を
受け易くなる。そこで、実際には、波長と同程度の断面
寸法を有する管状の導波管を使用する。このような導波
管およびそれによって構成された回路は、その立体的な
形状から立体回路などと呼ばれているが、通常の電気／
電子回路の要素に比較すると寸法が大きく、実際の利用
は特殊な分野に限られていた。
周波の電磁波の伝送に使用される平行線等では伝送損失
が極端に大きい。また、特に線間距離と波長とが同程度
の長さになると、線路の僅かな屈曲や接続部の僅かな寸
法の不一致により反射や放射が発生し、隣接物の影響を
受け易くなる。そこで、実際には、波長と同程度の断面
寸法を有する管状の導波管を使用する。このような導波
管およびそれによって構成された回路は、その立体的な
形状から立体回路などと呼ばれているが、通常の電気／
電子回路の要素に比較すると寸法が大きく、実際の利用
は特殊な分野に限られていた。
【０００４】ところが、マイクロ波帯で動作する能動素
子として半導体を使用した小型のものが開発され、ま
た、集積回路技術の進歩に伴い、導波路間隔の極めて小
さいいわゆるマイクロストリップ線路が使用されるよう
になってきている。
子として半導体を使用した小型のものが開発され、ま
た、集積回路技術の進歩に伴い、導波路間隔の極めて小
さいいわゆるマイクロストリップ線路が使用されるよう
になってきている。
【０００５】一般に、マイクロストリップ線路は、導体
の抵抗成分に起因する減衰定数を有する。この減衰定数
は、周波数の平方根に比例して増大する。一方、周波数
の増大に比例して誘電体損も増加する。しかしながら、
近年のマイクロストリップ線路では、誘電体材料の改良
により、特に10ＧHz以下の領域では、マイクロストリッ
プ線路の損失は、専ら導体層の抵抗に起因するものが大
部分を占めている。従って、マイクロストリップ線路に
おける導体層の抵抗を低減できれば、マイクロストリッ
プ線路の性能を著しく向上させることが可能になる。即
ち、超電導マイクロストリップ線路を使用すると、損失
を大幅に低減でき、また、より高い周波数のマイクロ波
の伝送が可能になる。
の抵抗成分に起因する減衰定数を有する。この減衰定数
は、周波数の平方根に比例して増大する。一方、周波数
の増大に比例して誘電体損も増加する。しかしながら、
近年のマイクロストリップ線路では、誘電体材料の改良
により、特に10ＧHz以下の領域では、マイクロストリッ
プ線路の損失は、専ら導体層の抵抗に起因するものが大
部分を占めている。従って、マイクロストリップ線路に
おける導体層の抵抗を低減できれば、マイクロストリッ
プ線路の性能を著しく向上させることが可能になる。即
ち、超電導マイクロストリップ線路を使用すると、損失
を大幅に低減でき、また、より高い周波数のマイクロ波
の伝送が可能になる。
【０００６】よく知られているように、マイクロストリ
ップ線路は、単純な伝送路として使用される。さらに、
適切なパターニングを行うことによって、インダクタン
ス素子、容量素子、フィルタ、共振器、遅延線、トラン
ジスタ等のマイクロ波部品を構成することができる。従
って、マイクロストリップ線路の特性を向上させると、
マイクロ波部品の特性も向上する。
ップ線路は、単純な伝送路として使用される。さらに、
適切なパターニングを行うことによって、インダクタン
ス素子、容量素子、フィルタ、共振器、遅延線、トラン
ジスタ等のマイクロ波部品を構成することができる。従
って、マイクロストリップ線路の特性を向上させると、
マイクロ波部品の特性も向上する。
【０００７】また、近年研究が進んでいる酸化物超電導
材料（高臨界温度銅酸化物超電導体）により、低コスト
な液体窒素冷却による超電導が実現している。従って、
酸化物超電導体を使用した各種のマイクロ波部品が提案
されている。
材料（高臨界温度銅酸化物超電導体）により、低コスト
な液体窒素冷却による超電導が実現している。従って、
酸化物超電導体を使用した各種のマイクロ波部品が提案
されている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】集中定数型素子は、分
布定数型素子と比較してその大きさにおいて有利であ
る。集中定数型素子は小さいので、他の分布定数型素子
または集中定数型素子と組み合わせてハイブリッド回路
を容易に形成することができる。
布定数型素子と比較してその大きさにおいて有利であ
る。集中定数型素子は小さいので、他の分布定数型素子
または集中定数型素子と組み合わせてハイブリッド回路
を容易に形成することができる。
【０００９】酸化物超電導体を集中定数型素子に使用す
ることにより、従来の金属および半導体の集中定数型素
子よりも損失や誘電体損を大幅に低減することができ
る。しかしながら、回路に組み込んだ後に集中定数型素
子の素子の特性を変更することは、従来ほとんど不可能
であった。
ることにより、従来の金属および半導体の集中定数型素
子よりも損失や誘電体損を大幅に低減することができ
る。しかしながら、回路に組み込んだ後に集中定数型素
子の素子の特性を変更することは、従来ほとんど不可能
であった。
【００１０】そこで、本発明の目的は、上記従来技術の
問題点を解決した、特性変調可能な集中定数型超電導マ
イクロ波素子構造を提供することにある。
問題点を解決した、特性変調可能な集中定数型超電導マ
イクロ波素子構造を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明に従うと、誘電体
基板と、誘電体基板上に配置された酸化物超電導体によ
る第１の超電導部材と、第１の超電導部材上に配置され
た誘電体層と、誘電体層上に配置された第２の導体部材
とを備え、第１の超電導部材の導電性および／または誘
電体層の誘電特性が、第１の超電導部材および第２の導
体部材の間に印加された直流バイアス電圧により変化
し、これにより表面リアクタンスおよび／または表面抵
抗を変更可能に構成されていることを特徴とする集中定
数型超電導マイクロ波素子構造が提供される。
基板と、誘電体基板上に配置された酸化物超電導体によ
る第１の超電導部材と、第１の超電導部材上に配置され
た誘電体層と、誘電体層上に配置された第２の導体部材
とを備え、第１の超電導部材の導電性および／または誘
電体層の誘電特性が、第１の超電導部材および第２の導
体部材の間に印加された直流バイアス電圧により変化
し、これにより表面リアクタンスおよび／または表面抵
抗を変更可能に構成されていることを特徴とする集中定
数型超電導マイクロ波素子構造が提供される。
【００１２】本発明の集中定数型超電導マイクロ波素子
構造では、第２の導体部材が、超電導部材であり、第１
の超電導部材と等しい酸化物超電導体で構成されていて
も、また、第１の超電導部材とは異なる酸化物超電導体
で構成されていてもよい。
構造では、第２の導体部材が、超電導部材であり、第１
の超電導部材と等しい酸化物超電導体で構成されていて
も、また、第１の超電導部材とは異なる酸化物超電導体
で構成されていてもよい。
【００１３】また、本発明においては、上記集中定数型
超電導マイクロ波素子構造のより具体的な構成として、
誘電体基板と、誘電体基板上に配置された酸化物超電導
体による超電導グランドプレーンと、超電導グランドプ
レーン上に配置された誘電体層と、誘電体層上に配置さ
れた酸化物超電導体による超電導インダクタパターンと
を備え、前記超電導グランドプレーンの導電性および／
または前記超電導インダクタパターンの導電性および／
または前記誘電体層の誘電特性が、前記超電導グランド
プレーンおよび超電導インダクタパターンの間に印加さ
れた直流バイアス電圧により変化し、これにより表面リ
アクタンスおよび／または表面抵抗を変更可能に構成さ
れていることを特徴とする超電導インダクタが提供され
る。
超電導マイクロ波素子構造のより具体的な構成として、
誘電体基板と、誘電体基板上に配置された酸化物超電導
体による超電導グランドプレーンと、超電導グランドプ
レーン上に配置された誘電体層と、誘電体層上に配置さ
れた酸化物超電導体による超電導インダクタパターンと
を備え、前記超電導グランドプレーンの導電性および／
または前記超電導インダクタパターンの導電性および／
または前記誘電体層の誘電特性が、前記超電導グランド
プレーンおよび超電導インダクタパターンの間に印加さ
れた直流バイアス電圧により変化し、これにより表面リ
アクタンスおよび／または表面抵抗を変更可能に構成さ
れていることを特徴とする超電導インダクタが提供され
る。
【００１４】さらに本発明では、上記集中定数型超電導
マイクロ波素子構造の他の具体的な構成として、誘電体
基板と、誘電体基板上に互いに離れて配置された酸化物
超電導体による第１および第２の超電導電極と、第１お
よび第２の超電導電極上およびこれらの間に形成された
誘電体層と、誘電体層上に配置されたバイアス電極とを
備え、前記第１および第２の超電導電極の導電性および
／または前記誘電体層の誘電特性が、前記第１および第
２の超電導電極およびバイアス電極間に印加された直流
バイアス電圧により変化し、これにより表面リアクタン
スおよび／または表面抵抗を変更可能に構成されている
ことを特徴とする超電導キャパシタが提供される。
マイクロ波素子構造の他の具体的な構成として、誘電体
基板と、誘電体基板上に互いに離れて配置された酸化物
超電導体による第１および第２の超電導電極と、第１お
よび第２の超電導電極上およびこれらの間に形成された
誘電体層と、誘電体層上に配置されたバイアス電極とを
備え、前記第１および第２の超電導電極の導電性および
／または前記誘電体層の誘電特性が、前記第１および第
２の超電導電極およびバイアス電極間に印加された直流
バイアス電圧により変化し、これにより表面リアクタン
スおよび／または表面抵抗を変更可能に構成されている
ことを特徴とする超電導キャパシタが提供される。
【００１５】
【作用】本発明の集中定数型超電導マイクロ波素子構造
は、誘電体基板上に配置された酸化物超電導体による第
１の超電導部材と、この第１の超電導部材上に配置され
た誘電体層と、誘電体層上に配置された第２の導電体部
材を備える。また、バイアス電圧により超電導部材の導
電性および／または誘電体層の誘電特性が変化し、これ
により表面リアクタンスおよび／または表面抵抗を変更
可能に構成されているところにその主要な特徴がある。
従って、本発明の集中定数型超電導マイクロ波素子構造
を使用した超電導マイクロ波素子は、素子の特性を変化
させたり、マイクロ波を変調させることが可能である。
は、誘電体基板上に配置された酸化物超電導体による第
１の超電導部材と、この第１の超電導部材上に配置され
た誘電体層と、誘電体層上に配置された第２の導電体部
材を備える。また、バイアス電圧により超電導部材の導
電性および／または誘電体層の誘電特性が変化し、これ
により表面リアクタンスおよび／または表面抵抗を変更
可能に構成されているところにその主要な特徴がある。
従って、本発明の集中定数型超電導マイクロ波素子構造
を使用した超電導マイクロ波素子は、素子の特性を変化
させたり、マイクロ波を変調させることが可能である。
【００１６】本発明の集中定数型超電導マイクロ波素子
構造では、上記の第２の導電体部材酸化物超電導体を使
用した超電導部材としてもよく、この場合、第１の超電
導部材と等しい酸化物超電導体を使用することも、第１
の超電導部材とは異なる酸化物超電導体を使用すること
もできる。特に、第１の超電導部材と異なる酸化物超電
導体を第２の導電部材に使用する場合には、キャリアタ
イプが異なるものを使用することにより、より大きい変
調効果が得られることがある。
構造では、上記の第２の導電体部材酸化物超電導体を使
用した超電導部材としてもよく、この場合、第１の超電
導部材と等しい酸化物超電導体を使用することも、第１
の超電導部材とは異なる酸化物超電導体を使用すること
もできる。特に、第１の超電導部材と異なる酸化物超電
導体を第２の導電部材に使用する場合には、キャリアタ
イプが異なるものを使用することにより、より大きい変
調効果が得られることがある。
【００１７】本発明の集中定数型超電導マイクロ波素子
構造では、基板は以下に示すような材料で構成されてい
ることが好ましい：MgＯ、SrTiＯ3、NdGaＯ3、Ｙ2Ｏ3、
LaAlＯ3 、LaGaＯ3、Al2Ｏ3、ZrＯ2、Si、GaAs、サファ
イア、フッ化物。また、酸化物超電導体としては以下に
示すものが好ましい：Ｙ−Ba−Cu−Ｏ系酸化物超電導
体、Bi−Sr−Ca−Cu−Ｏ系酸化物超電導体、Tl−Ba−Ca
−Cu−Ｏ系酸化物超電導体、Hg−Ba−Sr−Ca−Cu−Ｏ系
酸化物超電導体、Nd−Ce−Cu−Ｏ系酸化物超電導体。
構造では、基板は以下に示すような材料で構成されてい
ることが好ましい：MgＯ、SrTiＯ3、NdGaＯ3、Ｙ2Ｏ3、
LaAlＯ3 、LaGaＯ3、Al2Ｏ3、ZrＯ2、Si、GaAs、サファ
イア、フッ化物。また、酸化物超電導体としては以下に
示すものが好ましい：Ｙ−Ba−Cu−Ｏ系酸化物超電導
体、Bi−Sr−Ca−Cu−Ｏ系酸化物超電導体、Tl−Ba−Ca
−Cu−Ｏ系酸化物超電導体、Hg−Ba−Sr−Ca−Cu−Ｏ系
酸化物超電導体、Nd−Ce−Cu−Ｏ系酸化物超電導体。
【００１８】以下、本発明を実施例によりさらに詳しく
説明するが、以下の開示は本発明の単なる実施例に過ぎ
ず、本発明の技術的範囲をなんら制限するものではな
い。
説明するが、以下の開示は本発明の単なる実施例に過ぎ
ず、本発明の技術的範囲をなんら制限するものではな
い。
【００１９】
【実施例】図１(a)および(b)に、本発明の超電導集中定
数型素子の一例である超電導インダクタの平面図および
断面図をそれぞれ示す。図示された超電導インダクタ
は、LaAlＯ3 誘電体基板４と、基板４上に順に積層され
たＹ1Ba2Cu3Ｏ7-X酸化物超電導体による超電導グランド
プレーン11およびSrTiＯ3による誘電体層３とを有す
る。誘電体層３上には、Ω型のＹ1Ba2Cu3Ｏ7-X酸化物超
電導薄膜の超電導インダクタパターン10が配置されてい
る。
数型素子の一例である超電導インダクタの平面図および
断面図をそれぞれ示す。図示された超電導インダクタ
は、LaAlＯ3 誘電体基板４と、基板４上に順に積層され
たＹ1Ba2Cu3Ｏ7-X酸化物超電導体による超電導グランド
プレーン11およびSrTiＯ3による誘電体層３とを有す
る。誘電体層３上には、Ω型のＹ1Ba2Cu3Ｏ7-X酸化物超
電導薄膜の超電導インダクタパターン10が配置されてい
る。
【００２０】超電導グランドプレーン11の厚さは500nm
であり、誘電体層３の厚さは800nmである。誘電特性の
より大きな変化が必要な場合には、Sr−Ba−Ti−Ｏ等の
強誘電性材料を誘電体層３に使用することが好ましい。
SrxBa1-xTiＯ3 の誘電特性は、電場に、より大きく影響
されるからである。
であり、誘電体層３の厚さは800nmである。誘電特性の
より大きな変化が必要な場合には、Sr−Ba−Ti−Ｏ等の
強誘電性材料を誘電体層３に使用することが好ましい。
SrxBa1-xTiＯ3 の誘電特性は、電場に、より大きく影響
されるからである。
【００２１】超電導インダクタパターン10の厚さは200n
mであり、直線部分の幅ｄ1は0.1mm、環状部分の幅ｄ2は
0.01mmである。また、環状部分の直径は0.4mmで、0.02m
mの間隙で開いている。
mであり、直線部分の幅ｄ1は0.1mm、環状部分の幅ｄ2は
0.01mmである。また、環状部分の直径は0.4mmで、0.02m
mの間隙で開いている。
【００２２】上記本発明の超電導インダクタでは、超電
導グランドプレーン11または超電導インダクタパターン
10のいずれか一方に、電子キャリア型のNd−Ce−Cu−Ｏ
酸化物超電導体のような逆極性のキャリアを有する酸化
物超電導体(Ｙ1Ba2Cu3Ｏ7-Xはホールキャリア型の超電
導体である) を使用することもできる。この場合、応答
は、超電導インダクタパターン10の導電性、誘電体層３
の誘電特性および超電導グランドプレーン11の導電性そ
れぞれの変化に同等に影響される。
導グランドプレーン11または超電導インダクタパターン
10のいずれか一方に、電子キャリア型のNd−Ce−Cu−Ｏ
酸化物超電導体のような逆極性のキャリアを有する酸化
物超電導体(Ｙ1Ba2Cu3Ｏ7-Xはホールキャリア型の超電
導体である) を使用することもできる。この場合、応答
は、超電導インダクタパターン10の導電性、誘電体層３
の誘電特性および超電導グランドプレーン11の導電性そ
れぞれの変化に同等に影響される。
【００２３】また、超電導グランドプレーン11および超
電導インダクタパターン10には、直流バイアス電圧Ｖ1
およびＶ2を印加するAu線のような導線と、適当なマイ
クロ波フィルタ素子が接続されている。超電導グランド
プレーン11および超電導インダクタパターン10に直流バ
イアス電圧Ｖ1およびＶ2を印加すると、超電導グランド
プレーン11および超電導インダクタパターン10のＹ1Ba2
Cu3Ｏ7-X酸化物超電導体の導電性、誘電体層３のSrTiＯ
3の誘電特性が変化し、超電導インダクタ全体のインピ
ーダンスが変化する。
電導インダクタパターン10には、直流バイアス電圧Ｖ1
およびＶ2を印加するAu線のような導線と、適当なマイ
クロ波フィルタ素子が接続されている。超電導グランド
プレーン11および超電導インダクタパターン10に直流バ
イアス電圧Ｖ1およびＶ2を印加すると、超電導グランド
プレーン11および超電導インダクタパターン10のＹ1Ba2
Cu3Ｏ7-X酸化物超電導体の導電性、誘電体層３のSrTiＯ
3の誘電特性が変化し、超電導インダクタ全体のインピ
ーダンスが変化する。
【００２４】上記超電導インダクタを、以下のように作
製した。15mm角で厚さ0.5mmのLaAlＯ3基板上に、厚さ50
0nmのｃ軸配向のＹ1Ba2Cu3Ｏ7-X酸化物超電導薄膜で超
電導グランドプレーン11を形成した。Ｙ1Ba2Cu3Ｏ7-X酸
化物超電導薄膜は、共蒸着法で成膜した。共蒸着法と
は、ＭＢＥ法を改良した成膜方法であり、基板近傍に反
応ガスを導入して、蒸発源からの分子線と反応ガスとを
基板表面近傍で反応させて基板上に薄膜を成長させる方
法である。成膜条件を以下に示す。 蒸発源 ：Ｙ、Ba、Cu（いずれも金属） 反応ガス：Ｏ3を70mol％含むＯ2 圧力 ：１×10-5Torr 基板温度：700 ℃ 膜厚 ：500 nm
製した。15mm角で厚さ0.5mmのLaAlＯ3基板上に、厚さ50
0nmのｃ軸配向のＹ1Ba2Cu3Ｏ7-X酸化物超電導薄膜で超
電導グランドプレーン11を形成した。Ｙ1Ba2Cu3Ｏ7-X酸
化物超電導薄膜は、共蒸着法で成膜した。共蒸着法と
は、ＭＢＥ法を改良した成膜方法であり、基板近傍に反
応ガスを導入して、蒸発源からの分子線と反応ガスとを
基板表面近傍で反応させて基板上に薄膜を成長させる方
法である。成膜条件を以下に示す。 蒸発源 ：Ｙ、Ba、Cu（いずれも金属） 反応ガス：Ｏ3を70mol％含むＯ2 圧力 ：１×10-5Torr 基板温度：700 ℃ 膜厚 ：500 nm
【００２５】次に、やはり共蒸着法でSrTiＯ3層を上記
酸化物超電導薄膜上に成膜した。成膜条件を以下に示
す。 蒸発源 ：Sr、Ti（いずれも金属） 反応ガス：Ｏ3を70mol％含むＯ2 圧力 ：１×10-5Torr 基板温度：400 ℃ 膜厚 ：800 nm
酸化物超電導薄膜上に成膜した。成膜条件を以下に示
す。 蒸発源 ：Sr、Ti（いずれも金属） 反応ガス：Ｏ3を70mol％含むＯ2 圧力 ：１×10-5Torr 基板温度：400 ℃ 膜厚 ：800 nm
【００２６】続いて、上記のSrTiＯ3層上に厚さ200nmの
ｃ軸配向のＹ1Ba2Cu3Ｏ7-X酸化物超電導薄膜を成膜し
（成膜条件は前述のものと等しい）、反応性イオンエッ
チングで加工して、本発明の超電導インダクタが完成し
た。
ｃ軸配向のＹ1Ba2Cu3Ｏ7-X酸化物超電導薄膜を成膜し
（成膜条件は前述のものと等しい）、反応性イオンエッ
チングで加工して、本発明の超電導インダクタが完成し
た。
【００２７】このように作製した超電導インダクタの伝
送出力の周波数特性は、ネットワークアナライザを使用
して測定することができる。上述のように、本発明の超
電導インダクタは、直流バイアス電圧により、誘電率と
抵抗の両方が変化するよう構成されている。従って、本
発明の超電導インダクタは、キャパシタとともにマイク
ロ波通信装置の局部発振器等に有効に適用できる。
送出力の周波数特性は、ネットワークアナライザを使用
して測定することができる。上述のように、本発明の超
電導インダクタは、直流バイアス電圧により、誘電率と
抵抗の両方が変化するよう構成されている。従って、本
発明の超電導インダクタは、キャパシタとともにマイク
ロ波通信装置の局部発振器等に有効に適用できる。
【００２８】図２(a)および(b)に、本発明の超電導集中
定数型素子の第２の実施例である超電導キャパシタの平
面図および断面図をそれぞれ示す。この超電導キャパシ
タは、LaAlＯ3誘電体基板４と、基板４上に互いに離れ
て形成されたＬ字型のＹ1Ba2Cu3Ｏ7-X酸化物超電導薄膜
の第１および第２の超電導電極12および13と、超電導電
極12および13上に積層されたSrTiＯ3による誘電体層３
と、誘電体層３上に積層されたバイアス電極２とを備え
る。
定数型素子の第２の実施例である超電導キャパシタの平
面図および断面図をそれぞれ示す。この超電導キャパシ
タは、LaAlＯ3誘電体基板４と、基板４上に互いに離れ
て形成されたＬ字型のＹ1Ba2Cu3Ｏ7-X酸化物超電導薄膜
の第１および第２の超電導電極12および13と、超電導電
極12および13上に積層されたSrTiＯ3による誘電体層３
と、誘電体層３上に積層されたバイアス電極２とを備え
る。
【００２９】第１および第２の超電導電極12および13
は、厚さが300nm、幅0.01mm、0.1×0.1 mmの互いに対称
的な形状にパターニングされたＹ1Ba2Cu3Ｏ7-X酸化物超
電導薄膜で構成されており、0.01mmの間隙を持って配置
されている。また、誘電体層３は、厚さ400 nmで0.1×
0.2mmの大きさである。バイアス電極２は、誘電体層３
上３で誘電体層３により、超電導電極12および13から絶
縁されており、厚さが100nmである。バイアス電極２
は、必ずしも超電導電極である必要はなく、Au、AgPtの
ような貴金属を使用することもできる。
は、厚さが300nm、幅0.01mm、0.1×0.1 mmの互いに対称
的な形状にパターニングされたＹ1Ba2Cu3Ｏ7-X酸化物超
電導薄膜で構成されており、0.01mmの間隙を持って配置
されている。また、誘電体層３は、厚さ400 nmで0.1×
0.2mmの大きさである。バイアス電極２は、誘電体層３
上３で誘電体層３により、超電導電極12および13から絶
縁されており、厚さが100nmである。バイアス電極２
は、必ずしも超電導電極である必要はなく、Au、AgPtの
ような貴金属を使用することもできる。
【００３０】しかしながら、バイアス電極２に、電子キ
ャリア型のNd−Ce−Cu−Ｏ酸化物超電導体のような逆極
性のキャリアを有する酸化物超電導体（Ｙ1Ba2Cu3Ｏ7-X
はホールキャリア型の超電導体である）を使用すること
もできる。この場合、応答は、超電導電極12および13の
導電性、誘電体層３の誘電特性および超電導バイアス電
極２の導電性それぞれの変化に同等に影響される。
ャリア型のNd−Ce−Cu−Ｏ酸化物超電導体のような逆極
性のキャリアを有する酸化物超電導体（Ｙ1Ba2Cu3Ｏ7-X
はホールキャリア型の超電導体である）を使用すること
もできる。この場合、応答は、超電導電極12および13の
導電性、誘電体層３の誘電特性および超電導バイアス電
極２の導電性それぞれの変化に同等に影響される。
【００３１】また、超電導電極12および13、およびバイ
アス電極２には、直流バイアス電圧Ｖ1、Ｖ2およびＶ3
を印加するAu線のような導線と、適当なマイクロ波フィ
ルタ素子が接続されている。
アス電極２には、直流バイアス電圧Ｖ1、Ｖ2およびＶ3
を印加するAu線のような導線と、適当なマイクロ波フィ
ルタ素子が接続されている。
【００３２】上記本発明の超電導キャパシタを、以下の
ように作製した。15mm角で厚さ0.5mmのLaAlＯ3基板上
に、厚さ300nmのｃ軸配向のＹ1Ba2Cu3Ｏ7-X酸化物超電
導薄膜を成膜した。Ｙ1Ba2Cu3Ｏ7-X酸化物超電導薄膜
は、共蒸着法で成膜した。成膜条件を以下に示す。 蒸発源 ：Ｙ、Ba、Cu（いずれも金属） 反応ガス：Ｏ3を70mol％含むＯ2 圧力 ：１×10-5Torr 基板温度：700 ℃ 膜厚 ：300 nm
ように作製した。15mm角で厚さ0.5mmのLaAlＯ3基板上
に、厚さ300nmのｃ軸配向のＹ1Ba2Cu3Ｏ7-X酸化物超電
導薄膜を成膜した。Ｙ1Ba2Cu3Ｏ7-X酸化物超電導薄膜
は、共蒸着法で成膜した。成膜条件を以下に示す。 蒸発源 ：Ｙ、Ba、Cu（いずれも金属） 反応ガス：Ｏ3を70mol％含むＯ2 圧力 ：１×10-5Torr 基板温度：700 ℃ 膜厚 ：300 nm
【００３３】このｃ軸配向のＹ1Ba2Cu3Ｏ7-X酸化物超電
導薄膜を図２(a)に示すよう互いに対称的に配置された
Ｌ字型の形状に反応性イオンエッチングでパターニング
し、超電導電極12および13を形成した。
導薄膜を図２(a)に示すよう互いに対称的に配置された
Ｌ字型の形状に反応性イオンエッチングでパターニング
し、超電導電極12および13を形成した。
【００３４】次に、やはり共蒸着法でSrTiＯ3層を上記
超電導電極12および13上に成膜して誘電体層３を形成し
た。成膜条件を以下に示す。 蒸発源 ：Sr、Ti（いずれも金属） 反応ガス：Ｏ3を70mol％含むＯ2 圧力 ：１×10-5Torr 基板温度：400 ℃ 膜厚 ：400 nm（最大）
超電導電極12および13上に成膜して誘電体層３を形成し
た。成膜条件を以下に示す。 蒸発源 ：Sr、Ti（いずれも金属） 反応ガス：Ｏ3を70mol％含むＯ2 圧力 ：１×10-5Torr 基板温度：400 ℃ 膜厚 ：400 nm（最大）
【００３５】続いて、誘電体層３上にAuのバイアス電極
２を真空蒸着法で形成し、本発明の超電導キャパシタが
完成した。このように作製した超電導キャパシタの伝送
出力の周波数特性は、ネットワークアナライザを使用し
て測定することができる。
２を真空蒸着法で形成し、本発明の超電導キャパシタが
完成した。このように作製した超電導キャパシタの伝送
出力の周波数特性は、ネットワークアナライザを使用し
て測定することができる。
【００３６】上記本発明の超電導キャパシタを超電導イ
ンダクタ（受動素子）と直列に接続し、直列ＬＣ共振器
を作製した。クライオスタット中で20Ｋに冷却し、超電
導電極12および13と、バイアス電極２との間のバイアス
電圧を変化させながら、共振周波数を測定した。約14Ｇ
Hzにおける共振周波数の測定結果は以下の通りである。 バイアス電圧 ： 35Ｖ 共振周波数の変化： 200ＭHz
ンダクタ（受動素子）と直列に接続し、直列ＬＣ共振器
を作製した。クライオスタット中で20Ｋに冷却し、超電
導電極12および13と、バイアス電極２との間のバイアス
電圧を変化させながら、共振周波数を測定した。約14Ｇ
Hzにおける共振周波数の測定結果は以下の通りである。 バイアス電圧 ： 35Ｖ 共振周波数の変化： 200ＭHz
【００３７】本発明の超電導キャパシタの共振周波数
は、バイアス電圧により大きく変化した。上記のよう
に、本発明の超電導キャバシタは、直流バイアス電圧に
より、共振周波数が変化するよう構成されている。従っ
て、本発明の超電導キャパシタは、マイクロ波通信装置
の局部発振器等に有効に適用できる。
は、バイアス電圧により大きく変化した。上記のよう
に、本発明の超電導キャバシタは、直流バイアス電圧に
より、共振周波数が変化するよう構成されている。従っ
て、本発明の超電導キャパシタは、マイクロ波通信装置
の局部発振器等に有効に適用できる。
【００３８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に従えば、
バイアス電圧を印加することにより、その特性を変化さ
せることができる超電導集中定数型マイクロ波素子が提
供される。本発明を各種マイクロ波装置に応用すること
により、従来得られなかった高性能な装置が作製可能で
ある。
バイアス電圧を印加することにより、その特性を変化さ
せることができる超電導集中定数型マイクロ波素子が提
供される。本発明を各種マイクロ波装置に応用すること
により、従来得られなかった高性能な装置が作製可能で
ある。
【図１】(a)は、本発明の超電導マイクロ波素子の一例
の、超電導インダクタの平面図であり、(b)は断面図で
ある。
の、超電導インダクタの平面図であり、(b)は断面図で
ある。
【図２】(a)は、本発明の超電導マイクロ波素子の一例
の、超電導キャパシタの平面図であり、(b)は断面図で
ある。
の、超電導キャパシタの平面図であり、(b)は断面図で
ある。
２ バイアス電極 ３ 誘電体層 ４ 基板 10 超電導インダクタパターン 11 超電導グランドプレーン 12、13 超電導電極
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｐ 9/00 ＺＡＡ Ｚ (72)発明者 アルプ ティー． フィンディコグー アメリカ合衆国 20742 メリーランド カレッジパーク（番地なし） ユニヴァー シティ オブ メリーランド，デパートメ ント オブ フィジックス，センター フ ォー スーパーコンダクティビティ リサ ーチ
Claims (6)
- 【請求項１】 誘電体基板と、誘電体基板上に配置され
た酸化物超電導体による第１の超電導部材と、第１の超
電導部材上に配置された誘電体層と、誘電体層上に配置
された第２の導体部材とを備え、前記第１の超電導部材
の導電性および／または前記誘電体層の誘電特性が、前
記第１の超電導部材および第２の導体部材の間に印加さ
れた直流バイアス電圧により変化し、これにより表面リ
アクタンスおよび／または表面抵抗を変更可能に構成さ
れていることを特徴とする集中定数型超電導マイクロ波
素子構造。 - 【請求項２】 前記第２の導体部材が、超電導部材であ
り、前記第１の超電導部材と等しい酸化物超電導体で構
成されていることを特徴とする請求項１に記載の集中定
数型超電導マイクロ波素子構造。 - 【請求項３】 前記第２の導体部材が、超電導部材であ
り、前記第１の超電導部材と異なる酸化物超電導体で構
成されていることを特徴とする請求項１に記載の集中定
数型超電導マイクロ波素子構造。 - 【請求項４】 誘電体基板と、誘電体基板上に配置され
た酸化物超電導体による超電導グランドプレーンと、超
電導グランドプレーン上に配置された誘電体層と、誘電
体層上に配置された酸化物超電導体による超電導インダ
クタパターンとを備え、前記超電導グランドプレーンの
導電性および／または前記超電導インダクタパターンの
導電性および／または前記誘電体層の誘電特性が、前記
超電導グランドプレーンおよび超電導インダクタパター
ンの間に印加された直流バイアス電圧により変化し、こ
れにより表面リアクタンスおよび／または表面抵抗を変
更可能に構成されていることを特徴とする超電導インダ
クタ。 - 【請求項５】 誘電体基板と、誘電体基板上に互いに離
れて配置された酸化物超電導体による第１および第２の
超電導電極と、第１および第２の超電導電極上およびこ
れらの間に形成された誘電体層と、誘電体層上に配置さ
れたバイアス電極とを備え、前記第１および第２の超電
導電極の導電性および／または前記誘電体層の誘電特性
が、前記第１および第２の超電導電極およびバイアス電
極間に印加された直流バイアス電圧により変化し、これ
により表面リアクタンスおよび／または表面抵抗を変更
可能に構成されていることを特徴とする超電導キャパシ
タ。 - 【請求項６】 前記バイアス電極が、酸化物超電導体で
構成された超電導電極であり、前記直流バイアス電圧に
より、前記第１および第２の超電導電極の導電性および
／またはバイアス電極の導電性および／または前記誘電
体層の誘電特性が変化し、これにより表面リアクタンス
および／または表面抵抗を変更可能に構成されているこ
とを特徴とする請求項５に記載の超電導キャパシタ。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US08/202,570 | 1994-02-28 | ||
| US08/202,570 US5604375A (en) | 1994-02-28 | 1994-02-28 | Superconducting active lumped component for microwave device application |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0846253A true JPH0846253A (ja) | 1996-02-16 |
| JP3071093B2 JP3071093B2 (ja) | 2000-07-31 |
Family
ID=22750426
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6110488A Expired - Fee Related JP3071093B2 (ja) | 1994-02-28 | 1994-04-26 | 特性変調可能な超電導マイクロ波素子構造 |
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| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5604375A (ja) |
| JP (1) | JP3071093B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08125415A (ja) * | 1994-10-27 | 1996-05-17 | Nec Corp | 可変型超伝導遅延線 |
| WO2005093951A1 (ja) * | 2004-03-26 | 2005-10-06 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | 移相回路、高周波スイッチ並びに移相器 |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6216020B1 (en) | 1996-05-31 | 2001-04-10 | The Regents Of The University Of California | Localized electrical fine tuning of passive microwave and radio frequency devices |
| US6060433A (en) * | 1998-01-26 | 2000-05-09 | Nz Applied Technologies Corporation | Method of making a microwave device having a polycrystalline ferrite substrate |
| KR20000026967A (ko) | 1998-10-24 | 2000-05-15 | 김영환 | 반도체 장치의 커패시터 및 그 형성 방법 |
| US6347237B1 (en) * | 1999-03-16 | 2002-02-12 | Superconductor Technologies, Inc. | High temperature superconductor tunable filter |
| JP2000353700A (ja) * | 1999-06-14 | 2000-12-19 | Mitsubishi Electric Corp | 高誘電率薄膜の形成方法および半導体装置の製造方法 |
| US6516208B1 (en) * | 2000-03-02 | 2003-02-04 | Superconductor Technologies, Inc. | High temperature superconductor tunable filter |
| CA2405115A1 (en) | 2000-05-02 | 2001-11-08 | Vitaly Osadchy | Microstrip phase shifter |
| US7437187B1 (en) * | 2000-10-30 | 2008-10-14 | Conductus, Inc. | Superconductive filter with capacitive patches providing reduced cross-coupling |
| US6753741B1 (en) | 2000-11-30 | 2004-06-22 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Dynamic time expansion and compression using nonlinear waveguides |
| AU2002230805A1 (en) * | 2001-12-14 | 2003-06-30 | Midwest Research Institute | Tunable circuit for tunable capacitor devices |
| US10145743B2 (en) * | 2013-03-05 | 2018-12-04 | Teknologian Tutkimuskeskus Vtt Oy | Superconducting thermal detector (bolometer) of terahertz (sub-millimeter wave) radiation |
| CN106209008B (zh) * | 2016-06-30 | 2019-02-26 | 深圳市九洲电器有限公司 | 一种滤波器及电子设备 |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4697143A (en) * | 1984-04-30 | 1987-09-29 | Cascade Microtech, Inc. | Wafer probe |
| JPH0618197B2 (ja) * | 1987-07-30 | 1994-03-09 | 日本電気株式会社 | 超伝導モノリシックマイクロ波集積回路 |
| US4970395A (en) * | 1988-12-23 | 1990-11-13 | Honeywell Inc. | Wavelength tunable infrared detector based upon super-schottky or superconductor-insulator-superconductor structures employing high transition temperature superconductors |
| JPH03270280A (ja) * | 1990-03-09 | 1991-12-02 | Univ California | 超伝導交差路を有する微小電子回路素子及び製造方法 |
| JPH03286601A (ja) * | 1990-04-03 | 1991-12-17 | Res Dev Corp Of Japan | マイクロ波共振器 |
| JPH0472777A (ja) * | 1990-07-13 | 1992-03-06 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 超電導デバイス用基板 |
| US5256636A (en) * | 1990-09-21 | 1993-10-26 | The Regents Of The University Of Calif. | Microelectronic superconducting device with multi-layer contact |
| JP2567517B2 (ja) * | 1990-10-29 | 1996-12-25 | 住友電気工業株式会社 | 超電導マイクロ波部品 |
| JPH04310589A (ja) * | 1991-04-08 | 1992-11-02 | Sumitomo Electric Ind Ltd | マイクロ波デバイス用基板 |
| US5472935A (en) * | 1992-12-01 | 1995-12-05 | Yandrofski; Robert M. | Tuneable microwave devices incorporating high temperature superconducting and ferroelectric films |
| US5329261A (en) * | 1993-05-27 | 1994-07-12 | Satyendranath Das | Ferroelectric RF limiter |
-
1994
- 1994-02-28 US US08/202,570 patent/US5604375A/en not_active Expired - Lifetime
- 1994-04-26 JP JP6110488A patent/JP3071093B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08125415A (ja) * | 1994-10-27 | 1996-05-17 | Nec Corp | 可変型超伝導遅延線 |
| WO2005093951A1 (ja) * | 2004-03-26 | 2005-10-06 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | 移相回路、高周波スイッチ並びに移相器 |
| JPWO2005093951A1 (ja) * | 2004-03-26 | 2007-08-30 | 三菱電機株式会社 | 移相回路、高周波スイッチ並びに移相器 |
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