JPH02235406A - マイクロ波線路 - Google Patents
マイクロ波線路Info
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- JPH02235406A JPH02235406A JP1057295A JP5729589A JPH02235406A JP H02235406 A JPH02235406 A JP H02235406A JP 1057295 A JP1057295 A JP 1057295A JP 5729589 A JP5729589 A JP 5729589A JP H02235406 A JPH02235406 A JP H02235406A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、概ねｌＧＨｚ以上の周波数の信号を伝送する
ためのマイクロ波線路に関する。
ためのマイクロ波線路に関する。
［従来の技術１
第８図は従来マイクロ波線路として用いられているマイ
クロストリップ線路の縦断面図である。
クロストリップ線路の縦断面図である。
第８図において、誘電体又は半導体にてなる基板ｌ上に
誘電体膜２が形成され、該誘電体膜２上に接地導体３が
形成される。さらに、該接地導体３上に厚さｈの誘電体
膜４が形成され、該誘電体膜４上に幅Ｗを有するストリ
ップ形状の中心導体５が形成される。ここで、上記誘電
体膜４を介して互いに対面するように形成された接地導
体３と中心導体５によってマイクロストリップ線路を構
成している。誘電体膜２が形成されていない場合も同様
である。
誘電体膜２が形成され、該誘電体膜２上に接地導体３が
形成される。さらに、該接地導体３上に厚さｈの誘電体
膜４が形成され、該誘電体膜４上に幅Ｗを有するストリ
ップ形状の中心導体５が形成される。ここで、上記誘電
体膜４を介して互いに対面するように形成された接地導
体３と中心導体５によってマイクロストリップ線路を構
成している。誘電体膜２が形成されていない場合も同様
である。
このマイクロストリップ線路にマイクロ波信号を入力し
たとき、中心導体５と接地導体３との間に電磁界が生じ
、該電磁界が、中心導体５の幅方向と直交する長さ方向
にＴＥＭモードで伝搬する。
たとき、中心導体５と接地導体３との間に電磁界が生じ
、該電磁界が、中心導体５の幅方向と直交する長さ方向
にＴＥＭモードで伝搬する。
また、誘電体膜４の厚さｈが非常に薄くすれば、該マイ
クロストリップ線路は平面的な構造を有するとともに、
中心導体５の幅Ｗと誘電体膜４の厚さｈとの比によって
該マイクロストリップ線路の特性インピーダンスが決定
されるので、該マイクロストリップ線路は集積回路に適
している。さらに、該マイクロストリップ線路の特性イ
ンピーダンスが一定であるという条件のもとでは、誘電
体膜４の厚さｈと中心導体５の輻Ｗは比例関係にあり、
誘電体１１４の厚さｈを小さくするほど、中心導体５の
幅Ｗが小さくなる。従って、このマイクロストリップ線
路は誘電体膜４の厚さｈを薄くすることによって該マイ
クロストリップ線路の形状を小さくすることができるの
で、マイクロ波集積回路の小型化に特に有効である。
クロストリップ線路は平面的な構造を有するとともに、
中心導体５の幅Ｗと誘電体膜４の厚さｈとの比によって
該マイクロストリップ線路の特性インピーダンスが決定
されるので、該マイクロストリップ線路は集積回路に適
している。さらに、該マイクロストリップ線路の特性イ
ンピーダンスが一定であるという条件のもとでは、誘電
体膜４の厚さｈと中心導体５の輻Ｗは比例関係にあり、
誘電体１１４の厚さｈを小さくするほど、中心導体５の
幅Ｗが小さくなる。従って、このマイクロストリップ線
路は誘電体膜４の厚さｈを薄くすることによって該マイ
クロストリップ線路の形状を小さくすることができるの
で、マイクロ波集積回路の小型化に特に有効である。
［発明が解決しようとする課題〕
しかしながら、上述の従来のマイクロストリップ線路に
おいては、第９図に示すように、中心導体５に流れる高
周波電流が、中心導体５の幅方向に対して一様分布では
なく該中心導体５の幅方向の縁端部５ａ．５ｂに集中す
るため、導体損失が大きくなるという問題点があった。
おいては、第９図に示すように、中心導体５に流れる高
周波電流が、中心導体５の幅方向に対して一様分布では
なく該中心導体５の幅方向の縁端部５ａ．５ｂに集中す
るため、導体損失が大きくなるという問題点があった。
また、該マイクロストリップ線路の形状を小さくするた
めに、誘電体膜４の厚さｈを小さくするにつれて、高周
波電流が集中する中心導体５の縁端部５ａ，５ｂの幅が
狭くなり、さらに導体損失が増加するという問題点があ
った。
めに、誘電体膜４の厚さｈを小さくするにつれて、高周
波電流が集中する中心導体５の縁端部５ａ，５ｂの幅が
狭くなり、さらに導体損失が増加するという問題点があ
った。
本発明の目的は以上の問題点を解決し、従来に比較し導
体損失が小さく、小聖化に適したマイクロ波線路を提供
することにある。
体損失が小さく、小聖化に適したマイクロ波線路を提供
することにある。
ｒ課頭を解決するための手段１
本発明は、第１の導体上に誘電体が形成され、上記誘電
体上に所定幅を有するストリップ形状の第２の導体が形
成されてなるマイクロ波線路において、上記誘電体の第
２の導体に接する部分の幅がＭ２の導体の輻以下に形成
されたことを特徴とする。
体上に所定幅を有するストリップ形状の第２の導体が形
成されてなるマイクロ波線路において、上記誘電体の第
２の導体に接する部分の幅がＭ２の導体の輻以下に形成
されたことを特徴とする。
上記発明において、上記誘電体の断面形状が、長方形状
又は台形形状であることを特徴とする。
又は台形形状であることを特徴とする。
［作用］
以上のように構成することにより、上記第１と第２の導
体がそれぞれ、マイクロ波線路の接地導体及び中心導体
として動作し、当該マイクロ波線路にマイクロ波信号を
入力したとき、上記第１と第２の導体に電磁界が生じ、
該電磁界が上記第２の導体の幅方向と直交する長さ方向
にＴＥＭモードで伝搬する。
体がそれぞれ、マイクロ波線路の接地導体及び中心導体
として動作し、当該マイクロ波線路にマイクロ波信号を
入力したとき、上記第１と第２の導体に電磁界が生じ、
該電磁界が上記第２の導体の幅方向と直交する長さ方向
にＴＥＭモードで伝搬する。
本発明のマイクロ波線路においては、上記誘電体の第２
の導体に接する部分の幅が第２の導体の輻以下に形成さ
れているので、該マイクロ波線路の実効誘電率ε．．．
が従来に比較し低くなる。いま、マイクロ波線路の特性
インピーダンスを２０とし、実効誘電率をε．．とする
と、これらの間にはほぼ次式が成立する。
の導体に接する部分の幅が第２の導体の輻以下に形成さ
れているので、該マイクロ波線路の実効誘電率ε．．．
が従来に比較し低くなる。いま、マイクロ波線路の特性
インピーダンスを２０とし、実効誘電率をε．．とする
と、これらの間にはほぼ次式が成立する。
ｚ，ｏｃ
（１）Ｊε．．． （１）式から、本発明のマイクロ波線路のように、実効
誘電率が従来に比較し低くなると、当該線路の特性イン
ピーダンスが従来に比較し高くなることがわかる。一方
、一般に、中心導体である第２の導体の幅Ｗと介挿され
る誘電体の厚さｈとの比の値Ｗ／ｈが大きくなると、特
性インピーダンスは小さくなる。従って、所望の特性イ
ンピーダンスを得るために、本発明のマイクロ波線路で
は、ストリップ形状の中心導体である第２の導体の幅Ｗ
を大きくすることができ、その結果、上記第２の導体の
幅方向に対して当該線路を流れる高周波電流の分布を広
くすることができ、これによって、当該線路における高
周波電流の集中を従来に比較して軽減することができる
。
（１）Ｊε．．． （１）式から、本発明のマイクロ波線路のように、実効
誘電率が従来に比較し低くなると、当該線路の特性イン
ピーダンスが従来に比較し高くなることがわかる。一方
、一般に、中心導体である第２の導体の幅Ｗと介挿され
る誘電体の厚さｈとの比の値Ｗ／ｈが大きくなると、特
性インピーダンスは小さくなる。従って、所望の特性イ
ンピーダンスを得るために、本発明のマイクロ波線路で
は、ストリップ形状の中心導体である第２の導体の幅Ｗ
を大きくすることができ、その結果、上記第２の導体の
幅方向に対して当該線路を流れる高周波電流の分布を広
くすることができ、これによって、当該線路における高
周波電流の集中を従来に比較して軽減することができる
。
また、一般に、マイクロ波線路に生じる電磁界は誘電率
の高い部分に集中する。上述のように、本発明のマイク
ロ波線路においては、上記誘電体の第２の導体に接する
部分の幅が第２の導体の輻以下に形成されているので、
第１の導体と第２の導体との間に生じる電磁界分布を、
中心導体である第２の導体の中央部に引き寄せることが
でき、これによって、該第２の導体上の電流分布を従来
に比較して、該第２の導体の幅方向に分散させることが
できる。この結果、上記マイクロ波線路の導体損失を従
来に比較し低減することができφ。
の高い部分に集中する。上述のように、本発明のマイク
ロ波線路においては、上記誘電体の第２の導体に接する
部分の幅が第２の導体の輻以下に形成されているので、
第１の導体と第２の導体との間に生じる電磁界分布を、
中心導体である第２の導体の中央部に引き寄せることが
でき、これによって、該第２の導体上の電流分布を従来
に比較して、該第２の導体の幅方向に分散させることが
できる。この結果、上記マイクロ波線路の導体損失を従
来に比較し低減することができφ。
［実施例］
以下、一図面を参照して本発明による実施例について説
明する。
明する。
基本構成
第１図（Ａ）は本発明にかかるマイクロ波線路の基本構
成を示す斜視図、第１図（Ｂ）は第１図（Ａ）のＡ−Ａ
’線についての縦断面図であり、第１図（Ａ）及びＣＢ
）において第８図と同一のものについては同一の符号を
付している。
成を示す斜視図、第１図（Ｂ）は第１図（Ａ）のＡ−Ａ
’線についての縦断面図であり、第１図（Ａ）及びＣＢ
）において第８図と同一のものについては同一の符号を
付している。
第１図（Ａ）及び（Ｂ）において、誘電体又は半導体に
てなる基板ｌ上に誘電体膜２を形成し、該誘電体膜２の
全面上に接地導体３を公知の金属配線の形成法により形
成する。次いで、該接地導体３の全面上に厚さｈの誘電
体膜４を公知の方法により形成した後、該誘電体膜４上
に幅Ｗと厚さｔを存するストリップ形状の中心導体５を
公知の金属配線の形成法により形成する。さらに、上記
中心導体５をマスクとして上記誘電体膜４をエッチング
する。これによって、中心導体５の幅方向の縁端部５ａ
，５ｂの下表面にそれぞれ幅ｄにわたって誘電体膜４が
形成されず、該誘電体膜４の断面形状が第１図（Ｂ）に
示すように長方形状であり、互いに対面して形成される
中心導体５と接地導体３との間に該誘電体膜４を介挿し
てなるマイクロ波線路を形成することができる。
てなる基板ｌ上に誘電体膜２を形成し、該誘電体膜２の
全面上に接地導体３を公知の金属配線の形成法により形
成する。次いで、該接地導体３の全面上に厚さｈの誘電
体膜４を公知の方法により形成した後、該誘電体膜４上
に幅Ｗと厚さｔを存するストリップ形状の中心導体５を
公知の金属配線の形成法により形成する。さらに、上記
中心導体５をマスクとして上記誘電体膜４をエッチング
する。これによって、中心導体５の幅方向の縁端部５ａ
，５ｂの下表面にそれぞれ幅ｄにわたって誘電体膜４が
形成されず、該誘電体膜４の断面形状が第１図（Ｂ）に
示すように長方形状であり、互いに対面して形成される
中心導体５と接地導体３との間に該誘電体膜４を介挿し
てなるマイクロ波線路を形成することができる。
以上のように構成された基本構成のマイクロ波線路にマ
イクロ波信号を入力したとき、従来のマイクロストリッ
プ線路と同様に、中心導体５と接地導体３との間に電磁
界が生じ、該電磁界が中心導体５の長さ方向にＴＥＭモ
ードで伝搬する。
イクロ波信号を入力したとき、従来のマイクロストリッ
プ線路と同様に、中心導体５と接地導体３との間に電磁
界が生じ、該電磁界が中心導体５の長さ方向にＴＥＭモ
ードで伝搬する。
第６図は基本構成のマイクロ波線路と第８図の従来のマ
イクロストリップ線路における中心導体５の幅Ｗと誘電
体膜４の厚さｈの比の値Ｗ／ｈに対する特性インピーダ
ンスＺ０と実効誘電率εｇＴ１を有限要素法により計算
した結果を示すグラフであり、第７図は基本構成のマイ
クロ波線路と第８図の従来のマイクロスト・リップ腺路
における中心導体５の幅Ｗと誘電体膜の厚さｈの比の値
Ｗ／ｈに対する該線路の損失を示すグラフである。なお
、該線路の損失の計算時の条件は、下記の通りである。
イクロストリップ線路における中心導体５の幅Ｗと誘電
体膜４の厚さｈの比の値Ｗ／ｈに対する特性インピーダ
ンスＺ０と実効誘電率εｇＴ１を有限要素法により計算
した結果を示すグラフであり、第７図は基本構成のマイ
クロ波線路と第８図の従来のマイクロスト・リップ腺路
における中心導体５の幅Ｗと誘電体膜の厚さｈの比の値
Ｗ／ｈに対する該線路の損失を示すグラフである。なお
、該線路の損失の計算時の条件は、下記の通りである。
誘電体膜４の厚さｈ＝ｉｏμｍ１
中心導体５の厚さｔ＝ｌμｍ１
誘電体膜４の比誘電率εｒ＝３．３、
信号周波数ｆ＝ｌＯＧＨｚ．
第６図に示すように、基本構成のマイクロ波線路の実効
誘電率εａｌ＋は従来のマイクロストリップ線路に比較
して低くなり、一方、特性インピーダンス２。は高くな
っている。従って、所望の特性インピーダンスＺ０を得
るためには、本発明による基本構成のマイクロ波線路で
は、中心導体５の輻Ｗを従来に比較して大きくすること
ができる。
誘電率εａｌ＋は従来のマイクロストリップ線路に比較
して低くなり、一方、特性インピーダンス２。は高くな
っている。従って、所望の特性インピーダンスＺ０を得
るためには、本発明による基本構成のマイクロ波線路で
は、中心導体５の輻Ｗを従来に比較して大きくすること
ができる。
その結果、中心導体５に流れる高周波電流を中心導体５
の幅方向に分散することができ、第７図に示すように、
従来に比較して極めて低損失のマイクロ波線路を実現で
きる。
の幅方向に分散することができ、第７図に示すように、
従来に比較して極めて低損失のマイクロ波線路を実現で
きる。
また、このマイクロ波線路においては、従来のマイクロ
ストリップ線路と同様に、特性インピーダンスが一定で
あるという条件のもとで、中心導体５の幅Ｗと誘電体膜
４の厚さｈは比例関係にあるので、誘電体膜４の厚さｈ
を小さくするにつれて中心導体の幅Ｗは小さくなる。従
って、誘電体膜４の厚さｈを薄くすることによって、当
該線路の形状を小型化することができ、当該線路を備え
たマイクロ波集積回路の小型化を実現できるという利点
がある。
ストリップ線路と同様に、特性インピーダンスが一定で
あるという条件のもとで、中心導体５の幅Ｗと誘電体膜
４の厚さｈは比例関係にあるので、誘電体膜４の厚さｈ
を小さくするにつれて中心導体の幅Ｗは小さくなる。従
って、誘電体膜４の厚さｈを薄くすることによって、当
該線路の形状を小型化することができ、当該線路を備え
たマイクロ波集積回路の小型化を実現できるという利点
がある。
第１の実施例
第２図は本発明の第１の実施例であるマイクロ波線路の
縦断面図であり、第２図において第１図（Ａ），（Ｂ）
及び第８図と同一のものについては同一の符号を付して
いる。
縦断面図であり、第２図において第１図（Ａ），（Ｂ）
及び第８図と同一のものについては同一の符号を付して
いる。
第２図において、例えばＳｉ又はＧａＡｓにてなる半導
体基板ｌの全面上に、例えばＡｕにてなる接地導体３を
公知の金属配線の形成法により形成する。次いで、該接
地導体３の全面上に例えばプラズマＣＶＤ法によって例
えばＳｉＯＮにてなる誘電体膜４を公知の方法により形
成した後、該誘電体膜４上に輻Ｗを有するストリップ形
状であって例えばＡｕにてなる中心導体５を公知の金属
配線の形成法により形成する。さらに、上記中心導体５
をマスクとして上記誘電体膜４を、例えばプラズマ等を
用いた反応性イオンビームエッチングによりエッチング
する。これによって、第２図に示すように、基本構成の
誘電体膜４に比較し、中心導体５の縁端部５ａ，５ｂと
接する部分にそれぞれ、凹部４ａ，４ｂを有する誘電体
膜４を備えたマイクロ波線路を形成することができる。
体基板ｌの全面上に、例えばＡｕにてなる接地導体３を
公知の金属配線の形成法により形成する。次いで、該接
地導体３の全面上に例えばプラズマＣＶＤ法によって例
えばＳｉＯＮにてなる誘電体膜４を公知の方法により形
成した後、該誘電体膜４上に輻Ｗを有するストリップ形
状であって例えばＡｕにてなる中心導体５を公知の金属
配線の形成法により形成する。さらに、上記中心導体５
をマスクとして上記誘電体膜４を、例えばプラズマ等を
用いた反応性イオンビームエッチングによりエッチング
する。これによって、第２図に示すように、基本構成の
誘電体膜４に比較し、中心導体５の縁端部５ａ，５ｂと
接する部分にそれぞれ、凹部４ａ，４ｂを有する誘電体
膜４を備えたマイクロ波線路を形成することができる。
以上のように構成された第１の実施例のマイクロ波線路
は、上述の基本構成のマイクロ波線路と同様の作用と効
果を有する。
は、上述の基本構成のマイクロ波線路と同様の作用と効
果を有する。
第２の実施例
第３図は本発明の第２の実施例であるマイクロ波線路の
縦断面図であり、第３図において第１図（Ａ）．（Ｂ）
、第２図及び第８図と同一のものについては同一の符
号を付している。
縦断面図であり、第３図において第１図（Ａ）．（Ｂ）
、第２図及び第８図と同一のものについては同一の符
号を付している。
第３図において、例えばＳｉ又はＧａＡｓにてなる半導
体基板ｌの全面上に、例えばＡｕにてなる接地導体３を
公知の金属配線の形成法により形成する。次いで、該接
地導体３の全面上に例えば所定量のポリイミド溶液を塗
布した後１５０℃の温度で加熱して該ポリイミド溶液を
硬化させ、ポリイミドにてなる誘電体膜４を形成する。
体基板ｌの全面上に、例えばＡｕにてなる接地導体３を
公知の金属配線の形成法により形成する。次いで、該接
地導体３の全面上に例えば所定量のポリイミド溶液を塗
布した後１５０℃の温度で加熱して該ポリイミド溶液を
硬化させ、ポリイミドにてなる誘電体膜４を形成する。
さらに、該誘電体膜４上に、幅Ｗを有するストリップ形
状であって例えばＡｕにてなる中心導体５を公知の金属
配線の形成法により形成する。最後に、上記中心導体５
をマスクとして、例えばヒドラジンヒドラートとエチレ
ンジアミンの混合液を用いて、上記誘電体膜４をエッチ
ングした後、真空中において３００℃の温度で加熱する
ことによって、該誘電体膜４を硬化させる。これによっ
て、第３図に示すように、基本構成の誘電体膜４の同様
に中心導体５の縁端部５ａ，５ｂと接する部分において
＠ｄにわたって誘電体膜４が形成されず、かつ該誘電体
膜４の断面形状が台形形状であるマイクロ波線路を形成
することができる。
状であって例えばＡｕにてなる中心導体５を公知の金属
配線の形成法により形成する。最後に、上記中心導体５
をマスクとして、例えばヒドラジンヒドラートとエチレ
ンジアミンの混合液を用いて、上記誘電体膜４をエッチ
ングした後、真空中において３００℃の温度で加熱する
ことによって、該誘電体膜４を硬化させる。これによっ
て、第３図に示すように、基本構成の誘電体膜４の同様
に中心導体５の縁端部５ａ，５ｂと接する部分において
＠ｄにわたって誘電体膜４が形成されず、かつ該誘電体
膜４の断面形状が台形形状であるマイクロ波線路を形成
することができる。
以上のように構成された第２の実施例のマイクロ波線路
は、上述の基本構成のマイクロ波線路と同様の作用と効
果を有する。
は、上述の基本構成のマイクロ波線路と同様の作用と効
果を有する。
第３の実施例
第４図は本発明の第３の実施例であるマイクロ波線路の
縦断面図であり、第４図において第１図（Ａ）．ＣＢ）
、第２図、第３図及び第８図と同一のものについては
同一の符号を付している。
縦断面図であり、第４図において第１図（Ａ）．ＣＢ）
、第２図、第３図及び第８図と同一のものについては
同一の符号を付している。
この第３の実施例のマイクロ波線路は、基本構成のマイ
クロ波線路における長さｄをＯとしたものであり、中心
導体５の下表面にのみ中心導体５と同一の輻Ｗを有する
誘電体膜４を形成したことを特徴としている。このよう
に誘電体膜４を形成するためには、基本構成における誘
電体膜４のエッチング工程において、中心導体５の下表
面にのみ誘電体膜４が形成されるようにエッチング時間
を調整すればよい。
クロ波線路における長さｄをＯとしたものであり、中心
導体５の下表面にのみ中心導体５と同一の輻Ｗを有する
誘電体膜４を形成したことを特徴としている。このよう
に誘電体膜４を形成するためには、基本構成における誘
電体膜４のエッチング工程において、中心導体５の下表
面にのみ誘電体膜４が形成されるようにエッチング時間
を調整すればよい。
以上のように構成された第３の実施例のマイクロ波線路
は、上述の基本構成のマイクロ波線路と同様の作用と効
果を有する。
は、上述の基本構成のマイクロ波線路と同様の作用と効
果を有する。
第４の実施例
第５図は本発明の第４の実施例であるマイクロ波線路の
縦断面図であり、第５図において第１図（Ａ），（Ｂ）
、第２図乃゜至第４図及び第８図と同一のものについ
ては同一の符号を付している。
縦断面図であり、第５図において第１図（Ａ），（Ｂ）
、第２図乃゜至第４図及び第８図と同一のものについ
ては同一の符号を付している。
この第４の実施例のマイクロ波線路は、基本構成のマイ
クロ波線路に比較し、中心導体５の片方の縁端部５ａの
下表面にのみ誘電体膜４が形成されていないことを特徴
としている。
クロ波線路に比較し、中心導体５の片方の縁端部５ａの
下表面にのみ誘電体膜４が形成されていないことを特徴
としている。
以上のように構成された第４の実施例のマイク口波線路
は、上述の基本構成のマイクロ波線路と同様の作用と効
果を有する。
は、上述の基本構成のマイクロ波線路と同様の作用と効
果を有する。
［発明の効果Ｊ
以上詳述したように本発明によれば、第１の導体上に誘
電体が形成され、上記誘電体上に所定幅を有するストリ
ップ形状の第２の導体が形成されてなるマイクロ波線路
において、上記誘電体の第２の導体に接する部分の輻が
第２の導体の輻以下に形成されたので、当該線路の実効
誘電率を従来に比較し低下させることができ、一定の特
性インピーダンスを得るための第２の導体の幅を広くで
きるとともに、上記第２の導体上の高周波電流の分布を
従来に比較して、上記第２の導体の幅方向に分散させる
ことができるので、当該マイクロ波線路の導体損失を従
来に比較して低減させることができる。
電体が形成され、上記誘電体上に所定幅を有するストリ
ップ形状の第２の導体が形成されてなるマイクロ波線路
において、上記誘電体の第２の導体に接する部分の輻が
第２の導体の輻以下に形成されたので、当該線路の実効
誘電率を従来に比較し低下させることができ、一定の特
性インピーダンスを得るための第２の導体の幅を広くで
きるとともに、上記第２の導体上の高周波電流の分布を
従来に比較して、上記第２の導体の幅方向に分散させる
ことができるので、当該マイクロ波線路の導体損失を従
来に比較して低減させることができる。
また、本発明のマイクロ波線路においては、従来のマイ
クロストリップ線路と同様に、特性インピーダンスが一
定であるという条件のもとで、第２の導体の輻と誘電体
の厚さは比例関係にあるので、誘電体の厚さを小さくす
るにつれて第２の導体の幅は小さくなる。従って、誘電
体の厚さを薄くすることによって、当該線路の形状を小
型化することができ、当該線路を備えたマイクロ波集積
回路の小型化を実現できるという利点がある。
クロストリップ線路と同様に、特性インピーダンスが一
定であるという条件のもとで、第２の導体の輻と誘電体
の厚さは比例関係にあるので、誘電体の厚さを小さくす
るにつれて第２の導体の幅は小さくなる。従って、誘電
体の厚さを薄くすることによって、当該線路の形状を小
型化することができ、当該線路を備えたマイクロ波集積
回路の小型化を実現できるという利点がある。
第ｌ図（Ａ）は本発明にかかるマイクロ波線路の基本構
成を示す斜視図、 第１図（Ｂ）は第１図（Ａ）のＡ−Ａ’線についての縦
断面図、 第２図は本発明の第１の実施例であるマイクロ波線路の
縦断面図、 第３図は本発明の第２の実施例であるマイクロ波線路の
縦断面図、 第４図は本発明の第３の実施例であるマイクロ波線路の
縦断面図、 第５図は本発明の第４の実施例であるマイクロ波線路の
縦断面図、 第６図は第１図（Ａ）に示した基本構成を有するマイク
ロ波線路と第８図の従来のマイクロストリップ線路にお
ける中心導体の幅と誘電体膜の厚さの比の値に対する特
性インピーダンスと実効誘電率を示すグラフ、 第７図は第１図（Ａ）に示した基本構成を有する実施例
のマイクロ波線路と第８図の従来のマイクロストリップ
線路における中心導体の輻と誘電体膜の厚さの比の値に
対する線路損失を示すグラフ、 第８図は従来のマイクロストリップ線路の縦断面図、 第９図は第８図のマイクロストリップ線路におけるスト
リップ導体及び接地導体の表面上の電流分布を示す図で
ある。 ｌ・・・基板、 ２・・・誘電体膜、 ３・・・接地導体、 ４・・・誘電体膜、 ５・・・中心導体、 ５ａ，５ｂ・・・中心導体の縁端部。 ヌ２図 〒 ＾ ＋：７ ，ク ＪＩ！エ 第４ｌ 第５コ 第８図 モ『Ｉんｔミ谷ＩＴ ｊ’：ｒ＝ ７−ＩＪ平成 １年
４７１ ５［１
成を示す斜視図、 第１図（Ｂ）は第１図（Ａ）のＡ−Ａ’線についての縦
断面図、 第２図は本発明の第１の実施例であるマイクロ波線路の
縦断面図、 第３図は本発明の第２の実施例であるマイクロ波線路の
縦断面図、 第４図は本発明の第３の実施例であるマイクロ波線路の
縦断面図、 第５図は本発明の第４の実施例であるマイクロ波線路の
縦断面図、 第６図は第１図（Ａ）に示した基本構成を有するマイク
ロ波線路と第８図の従来のマイクロストリップ線路にお
ける中心導体の幅と誘電体膜の厚さの比の値に対する特
性インピーダンスと実効誘電率を示すグラフ、 第７図は第１図（Ａ）に示した基本構成を有する実施例
のマイクロ波線路と第８図の従来のマイクロストリップ
線路における中心導体の輻と誘電体膜の厚さの比の値に
対する線路損失を示すグラフ、 第８図は従来のマイクロストリップ線路の縦断面図、 第９図は第８図のマイクロストリップ線路におけるスト
リップ導体及び接地導体の表面上の電流分布を示す図で
ある。 ｌ・・・基板、 ２・・・誘電体膜、 ３・・・接地導体、 ４・・・誘電体膜、 ５・・・中心導体、 ５ａ，５ｂ・・・中心導体の縁端部。 ヌ２図 〒 ＾ ＋：７ ，ク ＪＩ！エ 第４ｌ 第５コ 第８図 モ『Ｉんｔミ谷ＩＴ ｊ’：ｒ＝ ７−ＩＪ平成 １年
４７１ ５［１
Claims (2)
- （１）第１の導体上に誘電体が形成され、上記誘電体上
に所定幅を有するストリップ形状の第２の導体が形成さ
れてなるマイクロ波線路において、上記誘電体の第２の
導体に接する部分の幅が第２の導体の幅以下に形成され
たことを特徴とするマイクロ波線路。 - （２）上記誘電体の断面形状が、長方形状又は台形形状
であることを特徴とする請求項１記載のマイクロ波線路
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1057295A JPH02235406A (ja) | 1989-03-08 | 1989-03-08 | マイクロ波線路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1057295A JPH02235406A (ja) | 1989-03-08 | 1989-03-08 | マイクロ波線路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02235406A true JPH02235406A (ja) | 1990-09-18 |
Family
ID=13051563
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1057295A Pending JPH02235406A (ja) | 1989-03-08 | 1989-03-08 | マイクロ波線路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02235406A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1996026555A1 (en) * | 1995-02-23 | 1996-08-29 | Superconductor Technologies, Inc. | Method and apparatus for increasing power handling capabilities of high temperature superconducting devices |
| WO1998056061A1 (de) * | 1997-06-04 | 1998-12-10 | Robert Bosch Gmbh | Anordnung zur leitung von hochfrequenten elektromagnetischen wellen |
| WO2000013255A3 (en) * | 1998-08-26 | 2000-06-02 | Ericsson Telefon Ab L M | Arrangement for more even current distribution in a transmission line |
| WO2001001513A1 (en) * | 1999-06-29 | 2001-01-04 | Telefonaktiebolaget Lm Ericsson (Publ) | Micro-strip circuit for loss reduction |
| EP1505685A1 (en) * | 2003-07-28 | 2005-02-09 | Infineon Technologies AG | Microstrip line and method for producing of a microstrip line |
| JP2006033217A (ja) * | 2004-07-14 | 2006-02-02 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | マイクロストリップ線路及び特性インピーダンス制御方法 |
-
1989
- 1989-03-08 JP JP1057295A patent/JPH02235406A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1996026555A1 (en) * | 1995-02-23 | 1996-08-29 | Superconductor Technologies, Inc. | Method and apparatus for increasing power handling capabilities of high temperature superconducting devices |
| WO1998056061A1 (de) * | 1997-06-04 | 1998-12-10 | Robert Bosch Gmbh | Anordnung zur leitung von hochfrequenten elektromagnetischen wellen |
| WO2000013255A3 (en) * | 1998-08-26 | 2000-06-02 | Ericsson Telefon Ab L M | Arrangement for more even current distribution in a transmission line |
| WO2001001513A1 (en) * | 1999-06-29 | 2001-01-04 | Telefonaktiebolaget Lm Ericsson (Publ) | Micro-strip circuit for loss reduction |
| US6504109B1 (en) | 1999-06-29 | 2003-01-07 | Telefonaktiebolaget Lm Ericsson | Micro-strip circuit for loss reduction |
| EP1505685A1 (en) * | 2003-07-28 | 2005-02-09 | Infineon Technologies AG | Microstrip line and method for producing of a microstrip line |
| JP2006033217A (ja) * | 2004-07-14 | 2006-02-02 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | マイクロストリップ線路及び特性インピーダンス制御方法 |
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