WO2013111697A1 - 樹脂組成物およびそれを成型してなる半導体実装基板 - Google Patents

樹脂組成物およびそれを成型してなる半導体実装基板 Download PDF

Info

Publication number
WO2013111697A1
WO2013111697A1 PCT/JP2013/051068 JP2013051068W WO2013111697A1 WO 2013111697 A1 WO2013111697 A1 WO 2013111697A1 JP 2013051068 W JP2013051068 W JP 2013051068W WO 2013111697 A1 WO2013111697 A1 WO 2013111697A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
resin composition
component
mass
resin
group
Prior art date
Application number
PCT/JP2013/051068
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
岡英樹
富岡伸之
本田史郎
Original Assignee
東レ株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 東レ株式会社 filed Critical 東レ株式会社
Priority to KR1020147022486A priority Critical patent/KR20140124773A/ko
Priority to US14/374,643 priority patent/US20150017450A1/en
Priority to CN201380006755.6A priority patent/CN104105756A/zh
Priority to SG11201404295QA priority patent/SG11201404295QA/en
Publication of WO2013111697A1 publication Critical patent/WO2013111697A1/ja
Priority to PH12014501678A priority patent/PH12014501678A1/en

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08LCOMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L63/00Compositions of epoxy resins; Compositions of derivatives of epoxy resins
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08GMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G59/00Polycondensates containing more than one epoxy group per molecule; Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups
    • C08G59/18Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing
    • C08G59/40Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing characterised by the curing agents used
    • C08G59/4007Curing agents not provided for by the groups C08G59/42 - C08G59/66
    • C08G59/4014Nitrogen containing compounds
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08GMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G59/00Polycondensates containing more than one epoxy group per molecule; Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups
    • C08G59/18Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing
    • C08G59/40Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing characterised by the curing agents used
    • C08G59/50Amines
    • C08G59/56Amines together with other curing agents
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08KUse of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/34Silicon-containing compounds
    • C08K3/36Silica
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08KUse of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K5/00Use of organic ingredients
    • C08K5/54Silicon-containing compounds
    • C08K5/541Silicon-containing compounds containing oxygen
    • C08K5/5435Silicon-containing compounds containing oxygen containing oxygen in a ring
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/29Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
    • H01L23/293Organic, e.g. plastic
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • H05K1/03Use of materials for the substrate
    • H05K1/0313Organic insulating material
    • H05K1/0353Organic insulating material consisting of two or more materials, e.g. two or more polymers, polymer + filler, + reinforcement
    • H05K1/0373Organic insulating material consisting of two or more materials, e.g. two or more polymers, polymer + filler, + reinforcement containing additives, e.g. fillers
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08LCOMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L2201/00Properties
    • C08L2201/02Flame or fire retardant/resistant
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08LCOMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L2203/00Applications
    • C08L2203/20Applications use in electrical or conductive gadgets
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08LCOMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L2205/00Polymer mixtures characterised by other features
    • C08L2205/02Polymer mixtures characterised by other features containing two or more polymers of the same C08L -group
    • C08L2205/025Polymer mixtures characterised by other features containing two or more polymers of the same C08L -group containing two or more polymers of the same hierarchy C08L, and differing only in parameters such as density, comonomer content, molecular weight, structure
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/12Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
    • H01L23/14Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates characterised by the material or its electrical properties
    • H01L23/145Organic substrates, e.g. plastic
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/373Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
    • H01L23/3737Organic materials with or without a thermoconductive filler
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • H05K1/03Use of materials for the substrate
    • H05K1/0313Organic insulating material
    • H05K1/032Organic insulating material consisting of one material
    • H05K1/0326Organic insulating material consisting of one material containing O
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/02Fillers; Particles; Fibers; Reinforcement materials
    • H05K2201/0203Fillers and particles
    • H05K2201/0206Materials
    • H05K2201/0209Inorganic, non-metallic particles
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/31504Composite [nonstructural laminate]
    • Y10T428/31511Of epoxy ether
    • Y10T428/31529Next to metal

Definitions

  • the present invention relates to a resin composition suitably used for a semiconductor mounting substrate, and also relates to a semiconductor mounting substrate formed by molding the resin composition.
  • Flip chip mounting is a method in which semiconductor chips are collectively connected to the wiring pattern surface of a circuit board through projections called bumps. After mounting, an underfill material is poured between the semiconductor chip and the circuit board for insulation. Completed by curing.
  • Patent Document 1 a dam material composition for pouring an underfill material into a gap such as between elements without protruding an underfill material from a circuit board when sealing a semiconductor chip having a multilayer structure.
  • Patent Document 3 a resin composition used for semiconductor encapsulation has been reported to improve fluidity, curability, moldability, and solder resistance using a phenol resin as a curing agent.
  • Patent Document 4 an epoxy resin composition containing a curing accelerator having excellent curing reactivity at low temperatures has been reported.
  • Patent Document 5 a resin composition for interlayer insulation of a multilayer printed wiring board in which an inorganic filler is added to reduce the coefficient of thermal expansion has been reported.
  • Patent Document 6 Japanese Patent Laid-Open No. 2003-128764 Japanese Patent Application Laid-Open No. 2011-140652 JP 2009-292895 A
  • Patent Document 1 it is necessary to heat the semiconductor chip at the time of reflowing and then to heat it again after injecting the underfill material, which complicates the manufacturing process and results in insufficient productivity.
  • Patent Document 2 contains a large amount of polyfunctional epoxy resin, and the elongation of the cured resin is insufficient, so that peeling occurs at the interface between copper and resin, or cracking occurs in the resin. There was a problem.
  • Patent Document 3 requires a high temperature for curing and has a large shrinkage at the time of curing. Therefore, when an attempt is made to produce such a substrate, the substrate after molding is warped, and its application is difficult. It was.
  • Patent Document 5 since a phenol resin is used as a curing agent, a high temperature is required for curing, the productivity is lowered, and the viscosity of the resin composition is high. There was a tendency to become.
  • Patent Document 6 requires a high temperature for curing and has a large shrinkage at the time of curing. Therefore, when an attempt is made to produce such a substrate, the substrate after molding is warped and is difficult to apply.
  • the object of the present invention is to improve the drawbacks of the prior art, have excellent curability at low temperatures, and have a sufficiently low linear expansion coefficient after curing, so that no warping occurs when applied to a copper thin film and molded, Furthermore, it is providing the resin composition which does not produce peeling and a crack even if it curves the obtained board
  • the resin composition of the present invention has the following constitution. That is, a resin composition comprising at least the following components (A) to (E), wherein the epoxy resin (A) comprises 80 to 100% by mass of a bifunctional epoxy resin, A resin composition comprising 60 to 85% by mass of (D) with respect to a total amount of 100% by mass, being substantially free of solvent and being liquid at room temperature.
  • the resin composition further comprises (F) a flame retardant containing phosphorus.
  • the epoxy resin (A) contains an epoxy resin having at least one chemical structure selected from a naphthalene structure, a biphenyl structure, and a dicyclopentadiene structure.
  • the amine curing agent (B) is an aliphatic amine curing agent.
  • the amine curing agent (B) is dicyandiamide or a derivative thereof.
  • the accelerator (C) having at least one functional group selected from dimethylureido group, imidazole group and tertiary amino group is phenyldimethylurea, methylenebis (phenyldimethyl). Urea), tolylenebis (dimethylurea), and halogenated derivatives thereof.
  • the accelerator (C) having at least one functional group selected from dimethylureido group, imidazole group and tertiary amino group is methylene bis (phenyldimethylurea) or tolylene bis. (Dimethylurea).
  • the silica particles (D) have a component d 1 having an average particle size of 10 ⁇ m or more and 100 ⁇ m or less as defined by a laser diffraction particle size distribution meter and an average particle size of 0.1 ⁇ m.
  • the silane coupling agent (E) is contained with respect to 100 parts by mass of the silica particles (D).
  • the phosphorus component in the resin composition is a resin component in the resin composition (epoxy resin (A), amine-based curing agent (B), dimethylureido group, imidazole group).
  • the flame retardant (F) containing phosphorus is selected from phosphazene derivatives and condensed phosphate esters.
  • the above resin composition can be molded into a molded product, preferably a semiconductor mounting substrate obtained by applying the above resin composition to a metal plate and curing it. it can.
  • the present invention there can be obtained a semiconductor mounting substrate that does not warp when molded and does not peel or crack even if it is bent, and a resin composition that is suitably used for a semiconductor mounting substrate. Furthermore, when a flame retardant containing phosphorus is added to the resin composition, the cured product has high flame retardancy even if it is a thin molded body.
  • the component (A) in the present invention is an epoxy resin.
  • An epoxy resin means a compound having two or more epoxy groups in one molecule.
  • component (A) in the present invention examples include an aromatic glycidyl ether obtained from a phenol having a plurality of hydroxyl groups, an aliphatic glycidyl ether obtained from an alcohol having a plurality of hydroxyl groups, a glycidyl amine obtained from an amine, and a plurality of carboxyl groups.
  • aromatic glycidyl ether obtained from a phenol having a plurality of hydroxyl groups
  • an aliphatic glycidyl ether obtained from an alcohol having a plurality of hydroxyl groups
  • a glycidyl amine obtained from an amine
  • carboxyl groups examples include glycidyl esters obtained from carboxylic acids, epoxy resins having an oxirane ring, and epoxy resins containing phosphorus.
  • aromatic glycidyl ethers that can be used as component (A) in the present invention include diglycidyl ether of bisphenol A, diglycidyl ether of bisphenol F, diglycidyl ether of bisphenol AD, diglycidyl ether of bisphenol S, etc.
  • Examples of the aliphatic glycidyl ether that can be used as the component (A) in the present invention include diglycidyl ether of ethylene glycol, diglycidyl ether of propylene glycol, diglycidyl ether of 1,4-butanediol, 1,6- Diglycidyl ether of hexanediol, diglycidyl ether of neopentyl glycol, diglycidyl ether of cyclohexanedimethanol, diglycidyl ether of glycerin, triglycidyl ether of glycerin, diglycidyl ether of trimethylolethane, triglycidyl ether of trimethylolethane , Diglycidyl ether of trimethylolpropane, triglycidyl ether of trimethylolpropane, tetraglycidyl ether of pentaerythritol, Digly
  • Examples of glycidylamine that can be used as the component (A) in the present invention include diglycidylaniline, diglycidyltoluidine, triglycidylaminophenol, tetraglycidyldiaminodiphenylmethane, tetraglycidylxylylenediamine, and halogen and alkyl substitution thereof. Body and hydrogenated products.
  • epoxy resins having an oxirane ring that can be used as component (A) in the present invention include vinylcyclohexene dioxide, dipentene dioxide, 3,4-epoxycyclohexanecarboxylic acid 3,4-epoxycyclohexylmethyl, and adipic acid.
  • examples thereof include bis (3,4-epoxycyclohexylmethyl), dicyclopentadiene dioxide, bis (2,3-epoxycyclopentyl) ether, and oligomers of 4-vinylcyclohexene dioxide.
  • glycidyl ester type epoxy resins that can be used as component (A) in the present invention include glycidyl esters such as phthalic acid diglycidyl ester, terephthalic acid diglycidyl ester, hexahydrophthalic acid diglycidyl ester, and dimer acid.
  • glycidyl esters such as phthalic acid diglycidyl ester, terephthalic acid diglycidyl ester, hexahydrophthalic acid diglycidyl ester, and dimer acid.
  • a diglycidyl ester etc. are mentioned.
  • Examples of the epoxy resin containing phosphorus that can be used as the component (A) in the present invention include an epoxy resin obtained from dichlorophenylphosphine oxide and glycidol, an epoxy resin obtained from dichlorophenoxyphosphine oxide and glycidol, and bisphenol A.
  • the amount added is 100 mass of the total amount of the components (A), (B), (C), and (F). %, The addition amount is preferably 0.5 to 5% by mass as phosphorus atoms, more preferably 1.5 to 4% by mass.
  • the bifunctional epoxy resin in the present invention is an epoxy resin having two epoxy groups in one molecule.
  • Such a bifunctional epoxy resin is a resin having a high degree of elongation because the cross-link density of the cured product is suppressed to a low level as compared with a polyfunctional epoxy resin having three or more epoxy groups in one molecule.
  • a cured product can be obtained. As a result, even when a substrate obtained by applying and molding such a resin composition on a copper plate is bent, there is an advantage that the resin adheres to the copper plate without generating cracks and continuous production by roll-to-roll is possible.
  • the component (A) in the present invention contains 80 to 100% by mass of a bifunctional epoxy resin.
  • the bifunctional epoxy resin in the component (A) is less than 80% by mass, sufficient elongation cannot be obtained in the cured resin, and the resin may crack when the substrate is bent.
  • the component (A) in the present invention preferably contains an epoxy resin having at least one chemical structure selected from a naphthalene structure, a biphenyl structure, and a dicyclopentadiene structure.
  • the naphthalene structure, biphenyl structure, and dicyclopentadiene structure have the advantage of improving heat resistance due to the rigid structure, and also have the effect of reducing the linear expansion coefficient, and have the merit that warpage does not easily occur in the molded substrate. .
  • the epoxy resin having at least one chemical structure selected from naphthalene structure, biphenyl structure and dicyclopentadiene structure is preferably contained in an amount of 20 to 100 parts by mass, and 40 to 100 parts by mass in 100% by mass of component (A). More preferably, it is contained in an amount of 50 to 100 parts by mass.
  • the resin composition has a lower viscosity and the cured resin has a higher elongation.
  • An epoxy resin having a structure is particularly preferably used.
  • epoxy resins having a naphthalene structure include “Epiclon” (registered trademark) HP-4032, HP-4032D, HP-4700, HP-4710, HP-4770 (manufactured by DIC Corporation), NC- 7000 (manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.).
  • Examples of commercially available epoxy resins having a biphenyl structure include “jER” (registered trademark) YX4000H, YX4000, YL6121H (manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation), NC-3000 (manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.), and the like. It is done.
  • epoxy resins having a dicyclopentadiene structure include “Epiclon” (registered trademark) HP-7200, HP-7200L, HP-7200H (above, manufactured by DIC Corporation), Tactix556 (Huntsman Advanced Materials) And XD-1000 (Nippon Kayaku Co., Ltd.).
  • Component (B) in the present invention is an amine-based curing agent, which means a compound having at least one amino group capable of reacting with an epoxy group of an epoxy resin in one molecule, and acts as a curing agent for the epoxy resin.
  • This component (B) preferably has a melting point of 80 ° C. or higher, more preferably 100 ° C. or higher, from the viewpoints of storage stability and curability.
  • Component (B) in the present invention is roughly classified into an aliphatic amine curing agent that is an amine compound having an amino group directly linked to an aliphatic chain or alicyclic structure, and an aromatic amine curing agent that is an amine compound having an aromatic ring. it can.
  • aliphatic amine curing agents that are excellent in curing reactivity at low temperatures are preferably used.
  • aliphatic amine curing agents include aliphatic polyamines, alicyclic polyamines, and modified products thereof, dicyandiamide and derivatives thereof, and organic acid hydrazides.
  • dicyandiamide, its derivatives, and organic acid hydrazides are preferably used in the sense that an excellent pot life can be obtained since the melting point is high and the compatibility with the epoxy resin is suppressed in a low temperature region.
  • dicyandiamide and its derivatives are preferably used because they exhibit excellent cured product mechanical properties.
  • aromatic amine curing agent examples include diaminodiphenylmethane (melting point: 89 ° C.), diaminodiphenyl sulfone (melting point: 175 ° C.), and the like.
  • Examples of the dicyandiamide and its derivatives that can be used as the component (B) in the present invention include dicyandiamide (melting point: 210 ° C.).
  • Examples of the organic acid hydrazide that can be used as the component (B) in the present invention include adipic acid dihydrazide (melting point: 180 ° C.).
  • Such component (B) is preferably blended in an amount of 5 to 35 parts by weight, more preferably 5 to 15 parts by weight, based on 100 parts by weight of the epoxy resin (A).
  • the blending amount of the component (B) is within this preferred range, the curing reaction sufficiently proceeds to improve the heat resistance of the cured product, while (B) does not act as a plasticizer, so the heat resistance of the cured product is improved. Sex is not impaired.
  • Component (C) in the present invention is an accelerator having at least one functional group selected from a dimethylureido group, an imidazole group, and a tertiary amino group.
  • the accelerator having a dimethylureido group [—NH—C ( ⁇ O) —N (CH 3 ) 2 ] generates an isocyanate group and dimethylamine by heating at a high temperature, and these are the epoxy group and component (A) in the component (A).
  • An accelerator having an imidazole group or a tertiary amino group has a nitrogen atom having an unshared electron pair in its structure, which activates the epoxy group of component (A) and the curing agent of component (B) to cure. Promote. It is used as an accelerator in the present invention because it has a high curing accelerating ability and exhibits an excellent pot life in a low temperature region.
  • Specific examples of the accelerator having a dimethylureido group as the component (C) in the present invention include aliphatic dimethylurea in which the dimethylureido group is bonded to an aliphatic group and aromatic dimethylurea in which an aromatic ring is bonded.
  • aliphatic dimethylurea examples include dimethylurea obtained from isophorone diisocyanate and dimethylamine, dimethylurea obtained from m-xylylene diisocyanate and dimethylamine, and hexa Examples thereof include dimethylurea obtained from methylene diisocyanate and dimethylamine.
  • aromatic dimethylurea that can be used as the component (C) in the present invention
  • phenyldimethylurea methylenebis (phenyldimethylurea), tolylenebis (dimethylurea), and halogenated derivatives thereof are preferably used.
  • Specific examples include 3- (3,4-dichlorophenyl) -1,1-dimethylurea, 3-phenyl-1,1-dimethylurea, 4,4′-methylenebis (phenyldimethylurea), 2,4-tolylenebis. (1,1-dimethylurea), 3- (4-chlorophenyl) -1,1-dimethylurea, 1,1-dimethyl-3- [3- (trifluoromethyl) phenyl] urea and the like.
  • Dimethylurea) and 2,4-tolylenebis (1,1-dimethylurea) are preferably used.
  • accelerator having an imidazole group as the component (C) in the present invention include 2-methylimidazole, 2-ethyl-4-methylimidazole, 2-undecylimidazole, 2-heptadecylimidazole, 1,2- Dimethylimidazole, 2-phenylimidazole, 2-phenyl-4-methylimidazole, 1-benzyl-2-phenylimidazole, 1-benzyl-2-methylimidazole, 1-cyanoethyl-2-methylimidazole, 1-cyanoethyl-2- Ethyl-4-methylimidazole, 1-cyanoethyl-2-undecylimidazole, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazole, 1-cyanoethyl-2-ethyl-4-methylimidazolium trimellitate, 1-cyanoethyl-2-un Decyl imidazolium Limelite, 1-cyanoethyl-2-phenylimi
  • the accelerator having a tertiary amino group of the component (C) in the present invention include N, N-dimethylpiperazine, N, N-dimethylaniline, triethylenediamine, N, N-dimethylbenzylamine, 2- ( And dimethylaminomethyl) phenol, 2,4,6-tris (dimethylaminomethyl) phenol, 1,8-diazabicyclo (5,4,0) undecene-7, and aliphatic tertiary amine adducts.
  • Such component (C) is preferably blended in an amount of 1 to 5 parts by weight, more preferably 2 to 4 parts by weight, based on 100 parts by weight of the total epoxy resin.
  • the blending amount of the component (C) is within this preferable range, high temperature is not required for curing, and on the other hand, there is no possibility that the elongation and heat resistance of the cured product are lowered.
  • the component (D) in the present invention is not particularly limited as long as it is silica particles, and known silica particles can be used. Among these, spherical fused silica is preferably used because the viscosity of the resin composition is lowered.
  • Such component (D) is blended in an amount of 60 to 85% by mass in the entire resin composition. Preferably, it is 65 to 80% by mass. If it exceeds 85% by mass, the viscosity of the resin composition may become too high to be prepared. Moreover, if it is less than 60 mass%, a linear expansion coefficient will become high and the effect of this invention will not be acquired.
  • Component (E) in the present invention is a silane coupling agent and needs to be added in order to increase the affinity of component (D) with the resin.
  • Specific examples of the component (E) in the present invention include epoxy silane, vinyl silane, styryl silane, methacryl silane, acrylic silane, amino silane, allyl silane, ureido silane, mercapto silane, sulfide silane, isocyanate silane and the like.
  • Examples of the epoxy silane that can be used as the component (E) in the present invention include 3-glycidoxypropylmethyldimethoxysilane, 3-glycidoxypropylmethyldiethoxysilane, 3-glycidoxypropyltriethoxysilane, Examples thereof include 3-glycidoxypropyltrimethoxysilane and 2- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane.
  • styrylsilane examples include p-styryltrimethoxysilane.
  • methacrylic silanes that can be used as component (E) in the present invention include 3-methacryloxypropyltriethoxysilane, 3-methacryloxypropylmethyldiethoxysilane, 3-methacryloxypropyltrimethoxysilane, 3-methacrylic silane.
  • Examples include loxypropylmethyldimethoxysilane.
  • allylsilane examples include allyltrimethoxysilane.
  • ureidosilane examples include 3-ureidopropyltriethoxysilane.
  • mercaptosilane examples include 3-mercaptopropylmethyldimethoxysilane, 3-mercaptopropyltrimethoxysilane, 3-mercaptopropyltriethoxysilane, and the like.
  • Examples of the sulfide silane that can be used as the component (E) in the present invention include bis (triethoxysilylpropyl) tetrasulfide.
  • Examples of the isocyanate silane that can be used as the component (E) in the present invention include 3-isocyanatopropyltriethoxysilane.
  • the component (E) is preferably blended in an amount of 0.5 to 2 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the component (D).
  • the blending amount of the component (E) is within this preferable range, the affinity between the surface of the component (D) and the resin is increased, the viscosity of the resin composition is not excessively increased, and the preparation is easy. Since the component (E) does not behave as a plasticizer, the heat resistance of the cured product is not impaired.
  • the resin composition of the present invention contains at least the components (A) to (E) and needs to be liquid at room temperature substantially free of solvent. That the resin composition is liquid at normal temperature means that the resin composition has substantially fluidity at 25 ° C. When such a resin composition contains a solvent, many voids are generated in a cured resin obtained by heating the resin composition, and peeling and cracking are likely to occur as a semiconductor mounting substrate. Moreover, when this resin composition is not liquid at normal temperature, workability
  • the resin composition of the present invention may contain components (A) to (E), and may contain (F) a flame retardant containing phosphorus, if necessary.
  • the flame retardant effect of phosphorus atoms is considered to be due to the promoting effect of phosphorus carbide formation, and is affected by the phosphorus atom content in the epoxy resin composition.
  • the amount of component (F) added is such that the phosphorus component in the resin composition is 0.5 to as phosphorus atoms, with the total amount of components (A), (B), (C) and (F) being 100 mass%.
  • the addition amount is preferably 5% by mass, more preferably 1.5 to 4% by mass.
  • the epoxy resin containing phosphorus is used as a component (A)
  • the phosphorus component derived from a component (A) and the phosphorus component derived from a component (F) are included in the said range.
  • the component (F) in the present invention is not particularly limited, and examples thereof include phosphazene compounds, monomeric phosphate esters, condensed phosphate esters, and phosphates.
  • Such phosphazene compounds are not particularly limited as long as they have a phosphazene structure in the molecule.
  • the phosphazene structure represents a structure represented by the formula: —P (R 2 ) ⁇ N— [wherein R is an organic group].
  • Examples of phosphazene compounds that can be used as such component (F) include phosphonitrile acid phenyl ester, hexamethoxycyclotriphosphazene, fluorinated cyclotriphosphazene, cyclophosphazene and the like.
  • Examples of monomeric phosphates that can be used as the component (F) in the present invention include triphenyl phosphate, tricresyl phosphate, trixinyl phosphate, triethyl phosphate, cresyl diphenyl phosphate, xylyl diphenyl phosphate, cresyl bis (Di-2,6-xylenyl) phosphate, 2-ethylhexyl diphenyl phosphate, tris (chloroethyl) phosphate, tris (chloropropyl) phosphate, tris (diclopropyl) phosphate, tris (tribromopropyl) phosphate, diethyl-N, N -Bis (2-hydroxyethyl) aminomethylphosphonate and the like.
  • 2,6-Xylenyl) phosphate, 2-ethylhexyl diphenyl phosphate, diethyl-N, N-bis (2-hydroxyethyl) aminomethyl phosphonate are preferably used.
  • condensed phosphates that can be used as the component (F) in the present invention include resorcinorbis (diphenyl) phosphate, bisphenol A bis (diphenyl) phosphate, bisphenol A bis (dicresyl) phosphate, resorcinorbis (di-2). , 6-Xylenyl) phosphate and the like.
  • the component (F) in the present invention is preferably selected from phosphazene compounds or condensed phosphates.
  • phosphazene compounds have a high phosphorus content per unit mass and may exhibit excellent flame retardancy when added in a small amount.
  • components (F) in the present invention may be compatible or dispersed in the resin composition, and the component (F) may be used alone or in combination. May be.
  • the resin composition of the present invention may contain other inorganic fillers and coupling agents as necessary.
  • a flame retardant other than the component (F) carbon You may mix
  • flame retardants other than component (F) include dodecachlorododecahydrodimethanodibenzocyclooctene, chlorendic acid, chlorendic anhydride, hexabromocyclodecane, tetrabromobisphenol A, bis (dibromopropyl) tetrabromobisphenol A, Tris (dibromopropyl) isocyanurate, decabromodiphenyl oxide, bis (pentabromo) phenylethane, tris (tribromophenoxy) triazine, ethylenebistetrabromophthalimide, polybromophenylindane, tetrabromophthalate, bromophenol, tribromophenol, Dibromometacresol, dibromoneopentyl glycol, aluminum hydroxide, magnesium hydroxide, antimony trioxide, zinc sulfide, molybdenum compound, tin compound , Zir
  • a kneader, a planetary mixer, a three-roll mill, a twin screw extruder or the like is preferably used.
  • an example of the procedure for preparing the resin composition will be described, but the procedure is not necessarily limited to such a procedure.
  • the resin composition of the present invention is applied to a copper plate and cured before use.
  • the copper plate is prepared by previously forming a bump pattern for connecting the semiconductor components.
  • the method for forming the pattern is not particularly limited, and examples thereof include etching.
  • the thickness of the copper plate is not particularly limited, but if it is too thick, there will be many parts that will be wasted in later steps, and if it is too thin, wrinkles may occur when applying the resin. Therefore, the thickness is preferably 100 to 500 ⁇ m.
  • the resin composition of the present invention is applied on a copper plate.
  • the resin composition is preferably applied uniformly, but the method is not particularly limited. Examples include a bar coater and vacuum printing applied in a vacuum environment, but vacuum printing is preferably used from the viewpoint of suppressing the generation of voids.
  • the copper plate coated with the resin composition of the present invention is placed in a heating furnace to cure the resin.
  • the resin surface is polished to such an extent that the copper bumps are exposed, and the copper plate on the back surface is removed by a method such as etching to form a semiconductor mounting substrate through which copper vias penetrate.
  • the resin composition according to the present invention can be cured at a relatively low temperature. Even when applied to a copper thin film and molded, the cured product has a linear expansion coefficient close to that of copper, so that the copper plate does not warp. Since it is excellent in elongation and adhesiveness, it is preferably used for a semiconductor mounting substrate because it does not crack or peel even when the substrate is curved.
  • Epoxy resin “Epototo” (registered trademark) YD-128 (manufactured by Nippon Steel & Sumikin Chemical Co., Ltd.): bisphenol A type epoxy resin, epoxy equivalent 189, number of epoxy groups 2 "EPICLON” (registered trademark) HP-4032D (manufactured by DIC Corporation): epoxy resin having naphthalene structure, epoxy equivalent 142, number of epoxy groups 2 "EPICLON” (registered trademark) HP-7200L (manufactured by DIC Corporation): epoxy resin having a dicyclopentadiene structure, epoxy equivalent 245, epoxy group number 2.2 (epoxy group number 2 is 80% or more) "JER” (registered trademark) YX4000 (manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation): epoxy resin
  • Curing agent [Amine-based curing agent (B)] “JER Cure” (registered trademark) DICY7 (manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation): finely pulverized dicyandiamide (melting point: 210 ° C.) ADH (Nippon Kasei Co., Ltd.): adipic acid dihydrazide (melting point: 180 ° C.) [Curing agents other than (B)] ⁇ HN-5500 (manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.): Methylhexahydrophthalic anhydride (liquid at normal temperature) III.
  • Accelerator (C) having at least one functional group selected from dimethylureido group, imidazole group and tertiary amino group "Omicure” (registered trademark) 52 (manufactured by PTI Japan): 4,4'-methylenebis (phenyldimethylurea) "Omicure” (registered trademark) 24 (manufactured by PTI Japan): 2,4-tolylenebis (1,1-dimethylurea) DCMU (manufactured by Hodogaya Chemical Co., Ltd.): 3- (3,4-dichlorophenyl) -1,1-dimethylurea “Curesol” (registered trademark) 2PZ-CN (manufactured by Shikoku Chemicals Co., Ltd.): 1 Cyanoethyl-2-phenylimidazole “Amicure” (registered trademark) PN-23 (manufactured by Ajinomoto Fine Techno Co., Ltd.): Imidazole
  • Silica particles (D) FB-950 manufactured by Denki Kagaku Kogyo Co., Ltd.: average particle size 23.8 ⁇ m SO-C5 (manufactured by Admatechs): average particle size 1.6 ⁇ m V.
  • Silane coupling agent (E) KBM-403 manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.: 3-glycidoxypropyltrimethoxysilane VI. Carbon Black “Toka Black” (registered trademark) # 7050 (manufactured by Tokai Carbon Co., Ltd.) VII. Solvent / Methyl ethyl ketone (Maruzen Petrochemical Co., Ltd.) VIII.
  • ⁇ Measurement of exothermic peak temperature of resin composition The exothermic peak of the resin composition was measured with a differential scanning calorimeter (DSC).
  • the apparatus used was Perkin Elmer DSC Pyris 1, and 10 mg of the resin composition was placed in an aluminum pan (No. 0219-0062) and measured from room temperature at a heating rate of 10 ° C./min.
  • the peak top temperature of the obtained exothermic chart was defined as the exothermic peak temperature.
  • Preparation of cured resin plate> A 2 mm thick copper spacer with a 50 mm side square cut out is placed on the bottom of the press machine, the press temperature is set to “exothermic peak temperature of the resin composition + 10 ° C.”, and the resin composition is poured inside the spacer.
  • Tg of cured resin A test piece having a width of 12.7 mm and a length of 40 mm was cut out from the cured resin plate and subjected to torsional DMA measurement using a rheometer (ARES manufactured by TA Instruments). The measurement condition is a heating rate of 5 ° C./min. The temperature at the inflection point of the storage elastic modulus G ′ obtained by the measurement was defined as Tg.
  • ⁇ Measurement of linear expansion coefficient of cured product> A 5 mm square test piece was cut out from the cured resin plate, and the thermal expansion coefficient was measured using a thermomechanical measurement apparatus (TMA). In advance, the upper and lower surfaces of the test piece were chamfered with water-resistant abrasive paper # 1500. The measurement was performed at a temperature rising rate of 5 ° C./min while applying a load of 0.05 N. The linear expansion coefficient was calculated from the average slope of the obtained straight line at 25 to 50 ° C. The unit of the cured product linear expansion coefficient is ⁇ m / (m ⁇ ° C.).
  • thermosetting resin compositions of Examples 20 to 30 shown in Tables 5 and 6 were heat-cured for 1 hour in an oven set to “exothermic peak temperature of resin composition + 10 ° C.”, and the thickness was 0.5 mm. A cured product was obtained.
  • cured products having a thickness of 1 mm were obtained.
  • the flame retardancy was evaluated by a vertical combustion test based on the UL94 standard. Five test pieces having a width of 13 mm and a length of 125 mm were cut out from the molded cured product. The height of the flame of the burner was adjusted to 19 mm, and the lower end of the center of the test piece held vertically was exposed to the flame for 10 seconds, then separated from the flame and the burning time was recorded. Immediately after extinguishing the flame, the burner flame was further applied for 10 seconds to separate it from the flame and the combustion time was measured.
  • the epoxy resin composition of the present invention has an exothermic peak near 150 ° C. and can be cured at a relatively low temperature, and can be cured without damaging electronic components and with less energy. It becomes. Since the linear expansion coefficient is in a region close to copper, warpage of a substrate obtained by integral molding with a copper plate can be suppressed. Further, since the resin does not crack or peel even when the substrate is bent, the substrate can be manufactured with a high yield even when a continuous manufacturing process is used. (Comparative Examples 1 to 7) As described above, an epoxy resin composition was prepared with the composition shown in Table 4, and the exothermic peak temperature, the glass transition temperature of the cured product, the linear expansion coefficient, and the substrate bending characteristics were evaluated.
  • an epoxy resin composition outside the scope of the present invention has not obtained satisfactory characteristics.
  • the comparative example 1 does not contain the component (C)
  • the exothermic peak temperature is high, molding at a higher temperature is required, and warping and cracking frequently occur.
  • Comparative Example 2 since the component (D) is small, the coefficient of linear expansion is large, and the substrate is significantly warped. Since the comparative example 3 contains the component (D) excessively, the viscosity at the time of resin preparation became very high, and the resin composition could not be obtained.
  • Comparative Example 4 uses an acid anhydride curing agent and does not contain the component (B), the elongation and adhesion of the resin are insufficient, and cracking and peeling frequently occur.
  • Comparative Example 5 did not contain the component (E), the adhesion between the resin and the silica particles was insufficient, and cracks occurred frequently. Since the comparative example 6 had few bifunctional epoxy resins in a component (A), the elongation of resin became inadequate and the crack and peeling occurred frequently. Since Comparative Example 7 contained a solvent, many voids were generated in the cured resin, and cracking and peeling occurred frequently.
  • Example 20 As described above, a resin composition was prepared with a composition containing a flame retardant containing phosphorus (F) in Tables 5 and 6, exothermic peak temperature, glass transition temperature of cured product, linear expansion coefficient, substrate bending characteristics, Flame retardancy was evaluated.
  • RABITOL registered trademark
  • FP-110 is blended with 4.7% by mass in terms of phosphorus content in the resin component (part consisting of component (A), component (B), component (C) and component (F)), and epoxy
  • resin component part consisting of component (A), component (B), component (C) and component (F)
  • epoxy As a result of preparing and evaluating the resin composition, it was possible to achieve both high flame retardancy and substrate bending characteristics, and an acceptable level although the cured product Tg was lowered.
  • F As a flame retardant containing phosphorus, TPP (triphenyl phosphate) which is a monomeric phosphate ester is composed of resin components (component (A), component (B), component (C) and component (F).
  • Example 30 As an epoxy resin, FX-289Z-1 which is a phosphorus-containing epoxy resin is converted into a phosphorus content in a resin component (part consisting of component (A), component (B), component (C) and component (F)). As a result of preparing and evaluating an epoxy resin composition containing 1.5% by mass, a slight decrease in the cured product Tg was observed, but high flame retardancy was exhibited.
  • the resin composition according to the present invention can be cured at a relatively low temperature, and even when applied to a copper thin film and molded, the linear expansion coefficient of the cured product is close to copper, so that the copper plate is warped. It does not occur, and since it is excellent in elongation and adhesiveness, it is preferably used for a semiconductor mounting substrate because it does not crack or peel even if the substrate is curved.
  • the resin composition according to the present invention can be cured at a relatively low temperature. Even when applied to a copper thin film and molded, the cured product has a linear expansion coefficient close to that of copper, so that the copper plate does not warp. Since the elongation and adhesion are excellent, cracking and peeling do not occur even when the substrate is bent, and therefore, it becomes possible to provide a semiconductor mounting substrate with high productivity. This is expected to lead to a reduction in manufacturing cost of electronic devices and a reduction in environmental load.

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Epoxy Resins (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

 少なくとも次の構成要素(A)~(E)を含んでなる樹脂組成物であって、エポキシ樹脂(A)が、2官能エポキシ樹脂を80~100質量%含んでなり、樹脂組成物の総量100質量%に対して(D)を60~85質量%含んでなり、実質的に溶剤を含まず常温において液状である樹脂組成物。 (A)エポキシ樹脂 (B)アミン系硬化剤 (C)ジメチルウレイド基、イミダゾール基、三級アミノ基の中から選ばれる少なくとも1つの官能基を有する促進剤 (D)シリカ粒子 (E)シランカップリング剤 低温での硬化性に優れ、また硬化後の線膨張係数が十分に小さく、銅薄膜に塗布し成型した際に反りを発生せず、さらに得られた基板を湾曲させても剥離やひび割れを生じない樹脂組成物、及び該樹脂組成物を成型してなる半導体実装基板を提供する。

Description

樹脂組成物およびそれを成型してなる半導体実装基板
 本発明は、半導体実装基板に好適に用いられる樹脂組成物に関するものであり、またこれを成型してなる半導体実装基板に関する。
 近年の電気機器の小型化、軽量化、高性能化に伴い、プリント配線基板上への電子部品の実装密度向上が求められており、半導体の実装方法もピン挿入タイプから表面実装が主流になっている。その中でフリップチップ実装は特に実装密度を高められる方法として注目されている。
 フリップチップ実装は、回路基板の配線パターン面に複数個のバンプという突起を介して半導体チップを一括接続する方式であり、実装後に絶縁のためにアンダーフィル材を半導体チップと回路基板の間に流し込み硬化させることで完成となる。この手法を応用したものとして、多層構造を有する半導体チップを封止する際にアンダーフィル材を回路基板からはみ出させること無く素子間などの隙間に流し込むためのダム材組成物が報告されている(特許文献1)。
 一方、基板そのものが予め銅のバンプの形成された樹脂材料により構成されたものであれば、アンダーフィル材による絶縁は不要となり、飛躍的な生産性向上が期待できる。しかし、上述のアンダーフィル材用組成物や、特許文献1記載のダム組成物を用いてかかる基板の作製を試みた場合、樹脂硬化物の線膨張係数が銅に比べかなり大きいため、硬化時に大きな反りが発生してしまうとともに、樹脂硬化物の接着力および伸度が不十分であるため、得られた基板を湾曲させた際に銅と樹脂の界面に剥離が生じたり、樹脂にひび割れが発生したりしてしまう問題があった。硬化物の反りやねじれ、難燃性を改良した、電子素子を封止するためのシート状樹脂組成物も報告されている(特許文献2)。
 また、半導体封止用途に用いられる樹脂組成物として硬化剤にフェノール樹脂を用いて流動性、硬化性、成形性、耐ハンダ性を改善したものが報告されている(特許文献3)。
 また、繊維強化複合材料の分野ではあるが、低温での硬化反応性に優れる硬化促進剤を配合したエポキシ樹脂組成物が報告されている(特許文献4)。
 さらに、無機充填材を加えて熱膨張率の低減を図った、多層プリント配線板の層間絶縁用樹脂組成物も報告されている(特許文献5)。
 加えて、半導体実装基板など電子部品に係わる用途の樹脂には、火災に対する安全性の面からリン酸エステルなどを難燃剤として添加して、難燃性や自己消火性を付与することが行われてきた。具体的な手法として、例えば特定のアミノ基を含有するリン酸エステル化合物の添加が提案されている(特許文献6)。
特開2011-14885号公報 特開2011-246596号公報 特開2006-143784号公報 特開2003-128764号公報 特開2011-140652号公報 特開2009-292895号公報
 しかし、特許文献1の手法では、半導体チップのリフロー時に加熱した後、アンダーフィル材注入後に再度加熱する必要があり、製造プロセスが複雑となり、生産性が不十分なものであった。
 特許文献2の樹脂組成物は多官能エポキシ樹脂を多く含み、樹脂硬化物の伸度が不十分であるため、銅と樹脂の界面に剥離が生じたり、樹脂にひび割れが発生したりしてしまう問題があった。
 特許文献3の樹脂組成物は硬化に高温を要し、また硬化時の収縮が大きいため、かかる基板の作製を試みた場合に成型後の基板に反りが発生してしまい、適用は困難であった。
 特許文献4の樹脂組成物の硬化物の線膨張係数が大きいためかかる基板の作製を試みた場合に基板に反りが発生するとともに、樹脂組成物の粘度が高く、成型の際にボイドが多発し品位の低い基板となってしまう傾向があった。
 特許文献5においては、硬化剤にフェノール樹脂を用いるため、硬化には高温を要し生産性が低下すると共に、樹脂組成物の粘度が高く、成型の際にボイドが多発し品位の低い基板となってしまう傾向があった。
 特許文献6の樹脂組成物は硬化に高温を要し、また硬化時の収縮が大きいため、かかる基板の作製を試みると成型後の基板に反りが発生してしまい適用は困難であった。
 このように、上記課題を一挙に解消でき、半導体実装基板として適用可能な樹脂組成物は、これまで存在しなかった。
 本発明の目的は、かかる従来技術の欠点を改良し、低温での硬化性に優れ、また硬化後の線膨張係数が十分に小さく、銅薄膜に塗布し成型した際に反りを発生せず、さらに得られた基板を湾曲させても剥離やひび割れを生じない樹脂組成物、及び該樹脂組成物を成型してなる半導体実装基板を提供することにある。
 上記課題を解決するため、本発明の樹脂組成物は次の構成を有する。すなわち、少なくとも次の構成要素(A)~(E)を含んでなる樹脂組成物であって、エポキシ樹脂(A)が、2官能エポキシ樹脂を80~100質量%含んでなり、樹脂組成物の総量100質量%に対して(D)を60~85質量%含んでなり、実質的に溶剤を含まず常温において液状であることを特徴とする樹脂組成物。
(A)エポキシ樹脂
(B)アミン系硬化剤
(C)ジメチルウレイド基、イミダゾール基、三級アミノ基の中から選ばれる少なくとも1つの官能基を有する促進剤
(D)シリカ粒子
(E)シランカップリング剤
 本発明の樹脂組成物の好ましい態様によれば、上記樹脂組成物に更に(F)リンを含む難燃剤を含んでなる。
 本発明の樹脂組成物の好ましい態様によれば、エポキシ樹脂(A)は、ナフタレン構造、ビフェニル構造、ジシクロペンタジエン構造から選ばれる少なくとも一つの化学構造を有するエポキシ樹脂を含むものである。
 本発明の樹脂組成物の好ましい態様によれば、アミン系硬化剤(B)は脂肪族アミン系硬化剤である。
 本発明の樹脂組成物の好ましい態様によれば、アミン系硬化剤(B)はジシアンジアミドまたはその誘導体である。
 本発明の樹脂組成物の好ましい態様によれば、ジメチルウレイド基、イミダゾール基、三級アミノ基の中から選ばれる少なくとも1つの官能基を有する促進剤(C)はフェニルジメチルウレア、メチレンビス(フェニルジメチルウレア)、トリレンビス(ジメチルウレア)、およびこれらのハロゲン化誘導体から選ばれる少なくとも一つの化合物である。
 本発明の樹脂組成物の好ましい態様によれば、ジメチルウレイド基、イミダゾール基、三級アミノ基の中から選ばれる少なくとも1つの官能基を有する促進剤(C)はメチレンビス(フェニルジメチルウレア)またはトリレンビス(ジメチルウレア)である。
 本発明の樹脂組成物の好ましい態様によれば、シリカ粒子(D)はレーザー回折式粒度分布計により定義される平均粒径が10μm以上100μm以下である成分dと平均粒径が0.1μm以上10μm未満である成分dをd/d(質量比)=85/15~95/5で配合してなる。
 本発明の樹脂組成物の好ましい態様によれば、シリカ粒子(D)100質量部に対してシランカップリング剤(E)を0.5~2質量部含んでなる。
 本発明の樹脂組成物の好ましい態様によれば、樹脂組成物中のリン成分が、樹脂組成物中の樹脂成分(エポキシ樹脂(A)とアミン系硬化剤(B)とジメチルウレイド基、イミダゾール基、三級アミノ基の中から選ばれる少なくとも1つの官能基を有する促進剤(C)とリンを含む難燃剤(F)からなる部分)総量100質量%に対しリン原子として0.5~5質量%含むことを特徴とする。
 本発明の樹脂組成物の好ましい態様によれば、リンを含む難燃剤(F)が、ホスファゼン誘導体、縮合型リン酸エステル類から選ばれるものである。
 また、本発明においては、前記した樹脂組成物を成型して成型品とすることができ、好ましくは前記した樹脂組成物を金属板に塗布し、硬化させて得られる半導体実装基板とすることができる。
 本発明によれば、成型した際に反りを発生せず、さらに湾曲させても剥離やひび割れを生じない半導体実装基板、および半導体実装基板に好適に用いられる樹脂組成物が得られる。更に、この樹脂組成物にリンを含む難燃剤を添加すると、その硬化物は薄い成型体であっても高い難燃性を有する。
 以下に、本発明の樹脂組成物およびこれを成型してなる半導体実装基板について詳細に説明する。
 まず、本発明に係る樹脂組成物について説明する。
 本発明における成分(A)はエポキシ樹脂である。エポキシ樹脂とは、1分子内に2個以上のエポキシ基を有する化合物を意味する。
 本発明における成分(A)の具体例としては、水酸基を複数有するフェノールから得られる芳香族グリシジルエーテル、水酸基を複数有するアルコールから得られる脂肪族グリシジルエーテル、アミンから得られるグリシジルアミン、カルボキシル基を複数有するカルボン酸から得られるグリシジルエステル、オキシラン環を有するエポキシ樹脂、リンを含有するエポキシ樹脂などが挙げられる。
 本発明における成分(A)として用いることができる芳香族グリシジルエーテルの例としては、ビスフェノールAのジグリシジルエーテル、ビスフェノールFのジグリシジルエーテル、ビスフェノールADのジグリシジルエーテル、ビスフェノールSのジグリシジルエーテル等のビスフェノールから得られるジグリシジルエーテル、フェノールやアルキルフェノール等から得られるノボラックのポリグリシジルエーテル、レゾルシノールのジグリシジルエーテル、ヒドロキノンのジグリシジルエーテル、4,4’-ジヒドロキシビフェニルのジグリシジルエーテル、4,4’-ジヒドロキシ-3,3’,5,5’-テトラメチルビフェニルのジグリシジルエーテル、1,6-ジヒドロキシナフタレンのジグリシジルエーテル、9,9’-ビス(4-ヒドロキシフェニル)フルオレンのジグリシジルエーテル、トリス(p-ヒドロキシフェニル)メタンのトリグリシジルエーテル、テトラキス(p-ヒドロキシフェニル)エタンのテトラグリシジルエーテル、ビスフェノールAのジグリシジルエーテルと2官能イソシアネートを反応させて得られるオキサゾリドン骨格を有するジグリシジルエーテルなどが挙げられる。
 本発明における成分(A)として用いることができる脂肪族グリシジルエーテルの例としては、エチレングリコールのジグリシジルエーテル、プロピレングリコールのジグリシジルエーテル、1,4-ブタンジオールのジグリシジルエーテル、1,6-ヘキサンジオールのジグリシジルエーテル、ネオペンチルグリコールのジグリシジルエーテル、シクロヘキサンジメタノールのジグリシジルエーテル、グリセリンのジグリシジルエーテル、グリセリンのトリグリシジルエーテル、トリメチロールエタンのジグリシジルエーテル、トリメチロールエタンのトリグリシジルエーテル、トリメチロールプロパンのジグリシジルエーテル、トリメチロールプロパンのトリグリシジルエーテル、ペンタエリスリトールのテトラグリシジルエーテル、ドデカヒドロビスフェノールAのジグリシジルエーテル、ドデカヒドロビスフェノールFのジグリシジルエーテルなどが挙げられる。
 本発明における成分(A)として用いることができるグリシジルアミンの例としては、ジグリシジルアニリン、ジグリシジルトルイジン、トリグリシジルアミノフェノール、テトラグリシジルジアミノジフェニルメタン、テトラグリシジルキシリレンジアミンや、これらのハロゲン、アルキル置換体、水添品などが挙げられる。
 本発明における成分(A)として用いることができるオキシラン環を有するエポキシ樹脂の例としては、ビニルシクロヘキセンジオキシド、ジペンテンジオキシド、3,4-エポキシシクロヘキサンカルボン酸3,4-エポキシシクロヘキシルメチル、アジピン酸ビス(3,4-エポキシシクロヘキシルメチル)、ジシクロペンタジエンジオキシド、ビス(2,3-エポキシシクロペンチル)エーテル、4-ビニルシクロヘキセンジオキシドのオリゴマーなどが挙げられる。
 本発明における成分(A)として用いることができるグリシジルエステル型のエポキシ樹脂の例としては、グリシジルエステルとしては、フタル酸ジグリシジルエステル、テレフタル酸ジグリシジルエステル、ヘキサヒドロフタル酸ジグリシジルエステル、ダイマー酸ジグリシジルエステル等が挙げられる。
 本発明における成分(A)として用いることができるリンを含有するエポキシ樹脂の例としては、ジクロロフェニルホスフィンオキシドとグリシドールとから得られるエポキシ樹脂、ジクロロフェノキシホスフィンオキシドとグリシドールとから得られるエポキシ樹脂、ビスフェノールAのジグリシジルエーテルと2-(6-オキシド-6H-ジベンズ〈c,e〉オキサホスホリン-6-イル)-1,4-ベンゼンジオール(ODOPB)とから得られるエポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂と9,10-ジヒドロ-9-オキサ-10-フォスファフェナントレン-10-オキサイド(DOPO)とから得られるエポキシ樹脂、ビスフェノールAのジグリシジルエーテルとDOPOとから得られるエポキシ樹脂、1,6-ジヒドロキシナフタレンのジグリシジルエーテルとODOPBとから得られるエポキシ樹脂などが挙げられる。成分(A)としてリンを含有するエポキシ樹脂を配合することで、組成物に難燃性を付与できる。難燃性を付与する目的でリンを含有するエポキシ樹脂を配合する場合、その添加量は、リン成分が、成分(A)、(B)、(C)、(F)の合計量を100質量%として、リン原子として0.5~5質量%含まれる添加量であることが好ましく、より好ましくは1.5~4質量%である。
 本発明における2官能エポキシ樹脂とは、1分子中にエポキシ基を2個有するエポキシ樹脂である。かかる2官能エポキシ樹脂は、1分子中にエポキシ基を3個以上有する多官能エポキシ樹脂に比べ、硬化物の架橋密度が低く抑えられることで分子構造の拘束が弱まることから、伸度の高い樹脂硬化物を得ることができる。その結果、かかる樹脂組成物を銅板上に塗布し成型した基板を曲げても、樹脂がひび割れを発生することなく銅板に密着し、ロールtoロールによる連続生産が可能となるといった利点がある。
 本発明における成分(A)は、2官能エポキシ樹脂を80~100質量%含んでなる。成分(A)中の2官能エポキシ樹脂が80質量%に満たない場合、樹脂硬化物に十分な伸度が得られず、基板を湾曲させた際に樹脂がひび割れを発生する場合がある。
 本発明における成分(A)は、ナフタレン構造、ビフェニル構造、ジシクロペンタジエン構造から選ばれる少なくとも一つの化学構造を有するエポキシ樹脂を含むものであることが好ましい。かかるナフタレン構造、ビフェニル構造、ジシクロペンタジエン構造は、剛直な構造のため耐熱性を高める効果があるとともに、線膨張係数を低く抑える効果があり、成型した基板に反りが発生しにくくなるメリットがある。
 かかるナフタレン構造、ビフェニル構造、ジシクロペンタジエン構造から選ばれる少なくとも一つの化学構造を有するエポキシ樹脂は、成分(A)100質量%の中で20~100質量部含まれることが好ましく、40~100質量部含まれることがより好ましく、50~100質量部含まれることがさらに好ましい。
 かかるナフタレン構造、ビフェニル構造、ジシクロペンタジエン構造から選ばれる少なくとも一つの化学構造を有するエポキシ樹脂の中でも、樹脂組成物がより低粘度となり、また樹脂硬化物がより高伸度となることから、ナフタレン構造を有するエポキシ樹脂が特に好適に用いられる。
 ナフタレン構造を有するエポキシ樹脂の市販品としては、“エピクロン”(登録商標)HP-4032、HP-4032D、HP-4700、HP-4710、HP-4770(以上、DIC(株)製)、NC-7000(日本化薬(株)製)などが挙げられる。
 ビフェニル構造を有するエポキシ樹脂の市販品としては、“jER”(登録商標)YX4000H、YX4000、YL6121H(以上、三菱化学(株)製)、NC-3000(日本化薬(株)製)などが挙げられる。
 ジシクロペンタジエン構造を有するエポキシ樹脂の市販品としては、“エピクロン”(登録商標)HP-7200、HP-7200L、HP-7200H(以上、DIC(株)製)、Tactix556(ハンツマン・アドバンスト・マテリアル社製)、XD-1000(以上、日本化薬(株)製)などが挙げられる。
 本発明における成分(B)はアミン系硬化剤であり、エポキシ樹脂のエポキシ基と反応可能なアミノ基を1分子中に1個以上有する化合物を指し、エポキシ樹脂の硬化剤として作用する。この成分(B)は保存安定性や硬化性の観点から融点が80℃以上であることが好ましく、融点が100℃以上であることがより好ましい。
 本発明における成分(B)は、脂肪鎖もしくは脂環構造に直結したアミノ基を有するアミン化合物である脂肪族アミン系硬化剤、芳香環を有するアミン化合物である芳香族アミン系硬化剤に大別できる。中でも、低温での硬化反応性に優れる脂肪族アミン系硬化剤が好適に用いられる。
 かかる脂肪族アミン系硬化剤の具体例としては、例えば脂肪族ポリアミン、脂環式ポリアミン、およびそれらの変性品、ジシアンジアミドとその誘導体、有機酸ヒドラジドなどが挙げられる。
 中でも、融点が高く、低温領域でエポキシ樹脂との相溶性が抑えられることから、優れたポットライフが得られる意味で、ジシアンジアミドとその誘導体、有機酸ヒドラジドが好適に用いられる。とりわけ、ジシアンジアミドとその誘導体は、優れた硬化物力学特性を発現することから好適に用いられる。
 本発明における成分(B)として用いることができる前記芳香族アミン系硬化剤の例としては、ジアミノジフェニルメタン(融点89℃)、ジアミノジフェニルスルホン(融点175℃)などが挙げられる。
 本発明における成分(B)として用いることができる前記ジシアンジアミドとその誘導体類の例としては、ジシアンジアミド(融点210℃)などが挙げられる。
 本発明における成分(B)として用いることができる前記有機酸ヒドラジドの例としては、アジピン酸ジヒドラジド(融点180℃)などが挙げられる。
 かかる成分(B)はエポキシ樹脂(A)100質量部に対して5~35質量部配合することが好ましく、より好ましくは5~15質量部である。かかる成分(B)の配合量がこの好ましい範囲であると十分に硬化反応が進行して硬化物の耐熱性が向上し、一方、(B)が可塑剤として振る舞うことはないので硬化物の耐熱性が損なわれない。
 本発明における成分(C)はジメチルウレイド基、イミダゾール基、三級アミノ基の中から選ばれる少なくとも1つの官能基を有する促進剤である。ジメチルウレイド基[-NH-C(=O)-N(CH32]を有する促進剤は、高温加熱によりイソシアネート基とジメチルアミンを生成し、これらが成分(A)のエポキシ基や成分(B)の硬化剤を活性化し、硬化を促進する。イミダゾール基、三級アミノ基を有する促進剤はその構造の中に非共有電子対を有する窒素原子を有し、これが成分(A)のエポキシ基や成分(B)の硬化剤を活性化し、硬化を促進する。硬化促進能力が高く、かつ低温領域で優れたポットライフを発現させることから、本発明における促進剤として用いられる。
 本発明における成分(C)のジメチルウレイド基を有する促進剤の具体例としては、ジメチルウレイド基が脂肪族に結合した脂肪族ジメチルウレアと芳香環に結合した芳香族ジメチルウレアが挙げられる。
 本発明における成分(C)として用いることが出来る脂肪族ジメチルウレアの例としては、イソホロンジイソシアネートとジメチルアミンとから得られるジメチルウレア、m-キシリレンジイソシアネートとジメチルアミンとから得られるジメチルウレア、およびヘキサメチレンジイソシアネートとジメチルアミンとから得られるジメチルウレアなどが挙げられる。
 本発明における成分(C)として用いることが出来る芳香族ジメチルウレアとしては、フェニルジメチルウレア、メチレンビス(フェニルジメチルウレア)、トリレンビス(ジメチルウレア)、およびこれらのハロゲン化誘導体が好適に用いられる。具体例としては、3-(3,4-ジクロロフェニル)-1,1-ジメチルウレア、3-フェニル-1,1-ジメチルウレア、4,4’-メチレンビス(フェニルジメチルウレア)、2,4-トリレンビス(1,1-ジメチルウレア)、3-(4-クロロフェニル)-1,1-ジメチルウレア、1,1-ジメチル-3-[3-(トリフルオロメチル)フェニル]ウレアなどが挙げられる。
 中でも、特に硬化促進能力に優れ、かつ回路の腐食等の原因となるハロゲン原子をその化学構造内に持たないメチレンビス(フェニルジメチルウレア)やトリレンビス(ジメチルウレア)、とりわけ4,4’-メチレンビス(フェニルジメチルウレア)や2,4-トリレンビス(1,1-ジメチルウレア)が好ましく用いられる。
 本発明における成分(C)のイミダゾール基を有する促進剤の具体例としては、2-メチルイミダゾール、2-エチル-4-メチルイミダゾール、2-ウンデシルイミダゾール、2-ヘプタデシルイミダゾール、1,2-ジメチルイミダゾール、2-フェニルイミダゾール、2-フェニル-4-メチルイミダゾール、1-ベンジル-2-フェニルイミダゾール、1-ベンジル-2-メチルイミダゾール、1-シアノエチル-2-メチルイミダゾール、1-シアノエチル-2-エチル-4-メチルイミダゾール、1-シアノエチル-2-ウンデシルイミダゾール、1-シアノエチル-2-フェニルイミダゾール、1-シアノエチル-2-エチル-4-メチルイミダゾリウムトリメリテイト、1-シアノエチル-2-ウンデシルイミダゾリウムトリメリテイト、1-シアノエチル-2-フェニルイミダゾリウムトリメリテイト、2,4-ジアミノ-6-(2’-メチルイミダゾリル-(1’))-エチル-s-トリアジン、2,4-ジアミノ-6-(2’-ウンデシルイミダゾリル-(1’))-エチル-s-トリアジン、2,4-ジアミノ-6-(2’-エチル-4-メチルイミダゾリル-(1’))-エチル-s-トリアジン、2,4-ジアミノ-6-(2’メチルイミダゾリル-(1’))-エチル-s-トリアジン・イソシアヌル酸付加物、2-フェニルイミダゾール・イソシアヌル酸付加物、2-メチルイミダゾール・イソシアヌル酸付加物、1-シアノエチル-2-フェニル-4,5-ジ(2-シアノエトキシ)メチルイミダゾール、2-フェニル-4,5-ジヒドロキシメチルイミダゾール、2-フェニル-4-メチル-5-ヒドロキシメチルイミダゾール、イミダゾールアダクトなどが挙げられる。
 本発明における成分(C)の三級アミノ基を有する促進剤の具体例としては、N,N-ジメチルピペラジン、N,N-ジメチルアニリン、トリエチレンジアミン、N,N-ジメチルベンジルアミン、2-(ジメチルアミノメチル)フェノール、2,4,6-トリス(ジメチルアミノメチル)フェノール、1,8-ジアザビシクロ(5,4,0)ウンデセン-7、脂肪族三級アミンアダクトなどが挙げられる。
 かかる成分(C)は全エポキシ樹脂100質量部に対して1~5質量部配合してなることが好ましく、より好ましくは2~4質量部である。かかる成分(C)の配合量がこの好ましい範囲であると、硬化に高温を要さず、一方、硬化物の伸度や耐熱性が低下するおそれもない。
 本発明における成分(D)はシリカ粒子であれば特に限定されるものではなく、公知のシリカ粒子を使用することができる。中でも、真球状の溶融シリカが樹脂組成物の粘度が低くなることから好適に用いられる。
 かかる成分(D)は全樹脂組成物中に60~85質量%配合してなる。好ましくは65~80質量%である。85質量%を上回ると樹脂組成物の粘度が高くなりすぎ、調製できなくなることがある。また、60質量%を下回ると、線膨張係数が高くなり、本発明の効果が得られない。
 また、かかる成分(D)は、レーザー回折式粒度分布計により定義される平均粒径が10μm以上100μm以下である成分dと平均粒径が0.1μm以上10μm未満である成分dとがd/d(質量比)=85/15~95/5で構成されることが好ましい。これにより、成分dの粒子同士の間隙に成分dが入り、効率よくシリカ粒子を樹脂組成物内に導入することができ、成分(D)を多量に加えなくても硬化物の線膨張係数を低く抑えることができる。
 本発明における成分(E)はシランカップリング剤であり、成分(D)の樹脂との親和性を高めるために添加することを必要とする。本発明における成分(E)の具体例としてはエポキシシラン、ビニルシラン、スチリルシラン、メタクリルシラン、アクリルシラン、アミノシラン、アリルシラン、ウレイドシラン、メルカプトシラン、スルフィドシラン、イソシアネートシランなどが挙げられる。
 本発明における成分(E)として用いることができるエポキシシランの例としては、3-グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、3-グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、3-グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、3-グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、2-(3,4-エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシランなどが挙げられる。
 本発明における成分(E)として用いることができるビニルシランの例としては、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリアセトキシシランなどが挙げられる。
 本発明における成分(E)として用いることができるスチリルシランの例としては、p-スチリルトリメトキシシランなどが挙げられる。
 本発明における成分(E)として用いることができるメタクリルシランの例としては、3-メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン、3-メタクリロキシプロピルメチルジエトキシシラン、3-メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、3-メタクリロキシプロピルメチルジメトキシシランなどが挙げられる。
 本発明における成分(E)として用いることができるアクリルシランの例としては、3-アクリロキシプロピルトリメトキシシランなどが挙げられる。
 本発明における成分(E)として用いることができるアミノシランの例としては、N-2-(アミノエチル)-3-アミノプロピルメチルジメトキシシラン、N-2-(アミノエチル)-3-アミノプロピルトリメトキシシラン、3-アミノプロピルトリメトキシシラン、3-アミノプロピルトリエトキシシラン、3-トリエトキシシリル―N-(1,3-ジメチル-ブチリデン)プロピルアミン、N-フェニル―3―アミノプロピルトリメトキシシラン、などが挙げられる。
 本発明における成分(E)として用いることができるアリルシランの例としては、アリルトリメトキシシランなどが挙げられる。
 本発明における成分(E)として用いることができるウレイドシランの例としては、3-ウレイドプロピルトリエトキシシランなどが挙げられる。
 本発明における成分(E)として用いることができるメルカプトシランの例としては、3-メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、3-メルカプトプロピルトリメトキシシラン、3-メルカプトプロピルトリエトキシシランなどが挙げられる。
 本発明における成分(E)として用いることができるスルフィドシランの例としては、ビス(トリエトキシシリルプロピル)テトラスルフィドなどが挙げられる。
 本発明における成分(E)として用いることができるイソシアネートシランの例としては、3-イソシアネートプロピルトリエトキシシランなどが挙げられる。
 かかる成分(E)は成分(D)100質量部に対して0.5~2質量部配合してなることが好ましい。かかる成分(E)の配合量がこの好ましい範囲であると、成分(D)の表面と樹脂との親和性が高まり、樹脂組成物の粘度が高くなりすぎることはなく、調製も容易である一方、成分(E)が可塑剤として振る舞うことはないので、硬化物の耐熱性が損なわれない。
 本発明の樹脂組成物は、少なくとも成分(A)~(E)を含んでなり、実質的に溶剤を含まず常温において液状であることが必要である。樹脂組成物が常温において液状であるとは、樹脂組成物が25℃において実質的に流動性を有することを意味する。かかる樹脂組成物が溶剤を含むと、かかる樹脂組成物を加熱してなる樹脂硬化物中に多くのボイドが発生し、半導体実装基板として剥離やひび割れが起こりやすくなる。また、かかる樹脂組成物が常温において液状で無い場合、かかる樹脂組成物を金属板に塗布し半導体実装基板を作製する際に作業性が損なわれる。
 本発明の樹脂組成物は、成分(A)~(E)を必須とし、必要に応じて(F)リンを含む難燃剤を含んでもよい。リン原子の難燃効果はリン原子の炭化物形成の促進効果によるものと考えられており、エポキシ樹脂組成物中のリン原子含有率の影響を受ける。成分(F)の添加量は、樹脂組成物中のリン成分が、成分(A)、(B)、(C)、(F)の合計量を100質量%として、リン原子として0.5~5質量%含まれる添加量であることが好ましく、より好ましくは1.5~4質量%である。この好ましい範囲であると、十分な難燃効果が発現し、一方、難燃剤が可塑剤として振る舞うことはないので、硬化物の耐熱性が損なわれない。尚、成分(A)としてリンを含有するエポキシ樹脂を用いた場合、成分(A)由来のリン成分と成分(F)由来のリン成分を合わせて上記範囲に含まれることが好ましい。
 本発明における成分(F)は特に限定されるものでは無いが、ホスファゼン化合物類、モノマー型リン酸エステル類、縮合型リン酸エステル類、リン酸塩類等が挙げられる。
 かかるホスファゼン化合物類は、分子中にホスファゼン構造を持つ化合物であれば特に限定されない。ここでいうホスファゼン構造とは、式:-P(R)=N-[式中、Rは有機基]で表される構造を表す。かかる成分(F)として用いることができるホスファゼン化合物類の例としては、ホスホニトリル酸フェニルエステル、ヘキサメトキシシクロトリホスファゼン、フッ素化されたシクロトリホスファゼン、シクロホスファゼンなどが挙げられる。
 本発明における成分(F)として用いることができるモノマー型リン酸エステル類の例としては、トリフェニルホスフェート、トリクレジルホスフェート、トリキシニルホスフェート、トリエチルホスフェート、クレジルジフェニルホスフェート、キシリルジフェニルホスフェート、クレジルビス(ジ-2,6-キシレニル)ホスフェート、2-エチルヘキシルジフェニルホスフェート、トリス(クロロエチル)ホスフェート、トリス(クロロプロピル)ホスフェート、トリス(ジクロプロピル)ホスフェート、トリス(トリブロモプロピル)ホスフェート、ジエチル-N,N-ビス(2-ヒドロキシエチル)アミノメチルホスフォネートなどが挙げられる。中でも、回路の腐食等の原因となるハロゲン原子をその化学構造内に持たないトリフェニルホスフェート、トリクレジルホスフェート、トリキシニルホスフェート、トリエチルホスフェート、クレジルジフェニルホスフェート、キシリルジフェニルホスフェート、クレジルビス(ジ-2,6-キシレニル)ホスフェート、2-エチルヘキシルジフェニルホスフェート、ジエチル-N,N-ビス(2-ヒドロキシエチル)アミノメチルホスフォネートが好ましく用いられる。
 本発明における成分(F)として用いることができる縮合型リン酸エステル類の例としては、レゾルシノルビス(ジフェニル)ホスフェート、ビスフェノールAビス(ジフェニル)ホスフェート、ビスフェノールAビス(ジクレジル)ホスフェート、レゾルシノルビス(ジ-2,6-キシレニル)ホスフェートなどが挙げられる。
 本発明における成分(F)として用いることができるリン酸塩類の例としては、ポリリン酸アンモン、ポリリン酸メラミンなどが挙げられる。
 この中で、難燃性と耐熱性の両立の観点から、本発明における成分(F)はホスファゼン化合物類若しくは縮合型リン酸エステル類から選ばれるものであることが好ましい。特に、ホスファゼン化合物類は単位質量当たりのリンの含有量が多く、少量の添加で優れた難燃性が発現する場合がある。
 これらの本発明における成分(F)は、樹脂組成物中に相溶していても、相溶せず分散していても、また成分(F)は単独で用いても、複数種を併用しても良い。
 本発明の樹脂組成物は、上記成分(A)~(F)の他に、必要に応じてその他の無機充填材やカップリング剤を添加するが、更に成分(F)以外の難燃剤、カーボンブラック等の着色剤、ワックス等の離型剤、ゴムなどの低応力化剤などの添加剤を配合してもよい。成分(F)以外の難燃剤の例としては、ドデカクロロドデカヒドロジメタノジベンゾシクロオクテン、クロレンド酸、無水クロレンド酸、ヘキサブロモシクロデカン、テトラブロモビスフェノールA、ビス(ジブロモプロピル)テトラブロモビスフェノールA、トリス(ジブロモプロピル)イソシアヌレート、デカブロモジフェニルオキサイド、ビス(ペンタブロモ)フェニルエタン、トリス(トリブロモフェノキシ)トリアジン、エチレンビステトラブロモフタルイミド、ポリブロモフェニルインダン、テトラブロモフタレート、ブロモフェノール、トリブロモフェノール、ジブロモメタクレゾール、ジブロモネオペンチルグリコール、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、三酸化アンチモン、硫化亜鉛、モリブデン化合物、錫化合物、酸化ジルコニウム、シリコーン系難燃剤、メラミンシアヌレート、グアニジン化合物、などが挙げられる。
 本発明の樹脂組成物の調製には、ニーダー、プラネタリーミキサー、三本ロールミル、2軸押出機などが好ましく用いられる。以下に、樹脂組成物の調製手順を一例について説明するが、必ずしもかかる手順に限定されるものではない。成分(A)~(E)およびその他の添加剤をビーカーに投入し、スパチュラを用いて予備分散させた後、三本ロールにて分散処理を行うことで、各成分が均一に分散した樹脂組成物を得ることができる。
 続いて、本発明の樹脂組成物を用いて得られる半導体実装基板の一例について説明するが、必ずしも以下の方法に限定されるものではない。
 本発明の樹脂組成物は銅板に塗布し、硬化させて使用する。銅板は、予め半導体部品を接続するバンプのパターンを形成させたものを用意する。パターンの形成方法は特に限定されるものでは無いが、エッチングなどが挙げられる。また銅板の厚さは特に限定されるものでは無いが、厚すぎると後の工程で無駄になる部分が多くなり、薄すぎると樹脂塗布時にしわが寄ることがある。そのため100~500μmであることが好ましい。
 続いて、銅板上に本発明の樹脂組成物を塗布する。樹脂組成物は均一に塗布することが好ましいが、方法は特に限定されない。例としては、バーコーターや真空環境下で塗布する真空印刷が挙げられるが、ボイドの発生を抑制する観点から真空印刷を用いることが好ましい。
 本発明の樹脂組成物が塗布された銅板を、加熱炉に入れ樹脂を硬化させる。この際、初めに粘度が低くなるが硬化が始まらない程度の温度で30分ほど保持し樹脂表面を平坦にするレベリングを行うことが好ましいが、必須ではない。続いて、硬化が始まる温度以上の温度に保持し硬化させ、60分ほど保持後、加熱炉より取り出し冷却させる。
 この後、樹脂表面を銅バンプが露出する程度まで研磨し、裏面の銅板をエッチングなどの方法で除去すると、銅のビアが貫通した半導体実装基板が形成される。
 本発明による樹脂組成物は、比較的低温での硬化が可能であり、銅薄膜に塗布し成型した際にも、硬化物の線膨張係数が銅に近いため銅板に反りが発生せず、また伸度と接着性に優れるため基板を湾曲させてもひび割れや剥離が生じないため、半導体実装基板に好ましく用いられる。
 以下、実施例により、本発明のエポキシ樹脂組成物についてさらに詳細に説明する。
〈樹脂原料〉
 各実施例の樹脂組成物を得るために、以下の樹脂原料を用いた。
I.エポキシ樹脂
・“エポトート”(登録商標)YD-128(新日鉄住金化学(株)製):ビスフェノールA型エポキシ樹脂、エポキシ当量189、エポキシ基数2
・“EPICLON”(登録商標)HP-4032D(DIC(株)製):ナフタレン構造を有するエポキシ樹脂、エポキシ当量142、エポキシ基数2
・“EPICLON”(登録商標)HP-7200L(DIC(株)製):ジシクロペンタジエン構造を有するエポキシ樹脂、エポキシ当量245、エポキシ基数2.2(エポキシ基数2が80%以上)
・“jER”(登録商標)YX4000(三菱化学(株)製):ビフェニル構造を有するエポキシ樹脂、エポキシ当量186、エポキシ基数2
・ELM-434(住友化学(株)製):グリシジルアミン型エポキシ樹脂、エポキシ当量120、エポキシ基数4
・FX-289Z-1(新日鐵化学(株)製):ビスフェノールAのジグリシジルエーテルとDOPOとから得られるリン含有エポキシ樹脂を含むエポキシ樹脂、エポキシ当量230、リン含量2%、エポキシ基数2
II.硬化剤
〔アミン系硬化剤(B)〕
・“jERキュア”(登録商標)DICY7(三菱化学(株)製):ジシアンジアミド微粉砕物(融点:210℃)
・ADH(日本化成(株)製):アジピン酸ジヒドラジド(融点:180℃)
〔(B)以外の硬化剤〕
・HN-5500(日立化成工業(株)製):メチルヘキサヒドロ無水フタル酸(常温で液状)
III.ジメチルウレイド基、イミダゾール基、3級アミノ基の中から選ばれる少なくとも1つの官能基を有する促進剤(C)
・“オミキュア”(登録商標)52(ピイ・ティ・アイ・ジャパン(株)製):4,4’-メチレンビス(フェニルジメチルウレア)
・“オミキュア”(登録商標)24(ピイ・ティ・アイ・ジャパン(株)製):2,4-トリレンビス(1,1-ジメチルウレア)
・DCMU(保土谷化学(株)製):3-(3,4-ジクロロフェニル)-1,1-ジメチルウレア
・“キュアゾール”(登録商標)2PZ-CN(四国化成工業(株)製):1-シアノエチル-2-フェニルイミダゾール
・“アミキュア”(登録商標)PN-23(味の素ファインテクノ(株)製):イミダゾールアダクト
・“アミキュア”(登録商標)MY-24(味の素ファインテクノ(株)製):脂肪族3級アミンアダクト
IV.シリカ粒子(D)
・FB-950(電気化学工業(株)製):平均粒径23.8μm
・SO-C5((株)アドマテックス製):平均粒径1.6μm
V.シランカップリング剤(E)
・KBM-403(信越化学工業(株)製):3-グリシドキシプロピルトリメトキシシラン
VI.カーボンブラック
・“トーカブラック”(登録商標)#7050(東海カーボン(株)製)
VII.溶剤
・メチルエチルケトン(丸善石油化学(株)製)
VIII.難燃剤
〔リンを含む難燃剤(F)〕
・“ラビトル”(登録商標)FP-110((株)伏見製薬所製):ホスファゼン化合物類、ホスホニトリル酸フェニルエステル、リン含量13.4%
・PX-200(大八化学工業(株)製):縮合型リン酸エステル類、レゾルシノルビス(ジ-2,6-キシレニル)ホスフェート、リン含量9.0%
・TPP(大八化学工業(株)製):モノマー型リン酸エステル類、トリフェニルホスフェート、リン含量9.5%
・“MELAPUR”(登録商標)200(BASFジャパン(株)製):リン酸塩類、ポリリン酸メラミン、リン含量13%
〈エポキシ樹脂組成物の調製〉
 表1~6に記載した配合比で各成分を混合し、三本ロールミルを用いてエポキシ樹脂組成物を得た。
〈樹脂組成物の発熱ピーク温度の測定〉
 樹脂組成物の発熱ピークを示差走査熱量計(DSC)により測定した。装置はパーキン・エルマー社DSC・パイリス1を用い、樹脂組成物をアルミニウムパン(No.0219-0062)に10mg入れ、室温から昇温速度10℃/minで測定した。得られた発熱チャートのピークトップの温度を発熱ピーク温度とした。
〈樹脂硬化板の作製〉
 プレス装置下面に、一辺50mmの正方形をくり抜いた厚さ2mmの銅製スペーサーを設置し、プレスの温度を「樹脂組成物の発熱ピーク温度+10℃」に設定し、樹脂組成物をスペーサーの内側に注ぎ、プレスを閉じた。20分後にプレスを開け、樹脂硬化板を得た。
〈樹脂硬化物のガラス転移温度Tg測定〉
 樹脂硬化板から幅12.7mm、長さ40mmの試験片を切り出し、レオメーター(TAインスツルメンツ社製ARES)を用いてねじりDMA測定を行った。測定条件は、昇温速度5℃/minである。測定で得られた貯蔵弾性率G’の変曲点での温度をTgとした。
〈硬化物線膨張係数測定〉
 樹脂硬化板から5mm四方の試験片を切り出し、熱機械測定装置(TMA)を用いて熱膨張係数を測定した。予め、試験片上下面を耐水研磨紙#1500で面出しを行った。0.05Nの荷重を掛けながら、昇温速度5℃/minで測定した。得られた直線の25~50℃における平均の傾きから線膨張係数を算出した。硬化物線膨張係数の単位はμm/(m・℃)である。
〈基板曲げ特性評価〉
 70mm×250mmの銅板(200μm厚)上に、樹脂組成物をバーコーター(番線No.15)を用いて塗布した。この銅板をオーブン中で「樹脂組成物の発熱ピーク温度+10℃」に設定し、1時間加熱硬化させ、基板を得た。この基板を、水平な台上へ置き、反りの発生状態を確認した。基板の長手方向の端部が、台の表面から10mm以上反り上がっているものをbad、5~10mm反り上がっているものをfair、反りが5mm未満であるものをgoodとした。
 この基板を、直径20cmの円筒の側面に押し当てて湾曲させ、そのときに樹脂硬化物へのひび割れ、および剥離の発生状態を確認した。ひび割れに関しては、全くひび割れのないものをgood、僅かにひび割れが発生したものをfair、ひび割れが発生したものをbadとした。剥離に関しては、全く剥離のないものをgood、僅かに剥離が発生したものをfair、剥離が発生したものをbadとした。
〈難燃性評価〉
 表5、6に示した実施例20~30の熱硬化性樹脂組成物を、「樹脂組成物の発熱ピーク温度+10℃」に設定したオーブン中で1時間加熱硬化させ、厚さ0.5mmの硬化物を得た。ただし、実施例21、22、23、31については厚さ1mmの硬化物を得た。難燃性は、UL94規格に基づき、垂直燃焼試験により難燃性を評価した。成形された硬化物から、幅13mm、長さ125mmの試験片5本を切り出した。バーナーの炎の高さを19mmに調整し、垂直に保持した試験片中央下端を炎に10秒間さらした後、炎から離し燃焼時間を記録した。消炎後は、ただちにバーナー炎を更に10秒間当てて炎から離し燃焼時間を計測した。有炎滴下物(ドリップ)が無く、1回目、2回目とも消火までの時間が10秒以内、かつ5本の試験片に10回接炎した後の燃焼時間の合計が50秒以内ならばV-0と判定し、燃焼時間が30秒以内かつ5本の試験片に10回接炎した後の燃焼時間の合計が250秒以内であればV-1と判定した。また、V-1と同じ燃焼時間でも有炎滴下物がある場合はV-2と判定し、燃焼時間がそれより長い場合、あるいは試験片保持部まで燃焼した場合はV-outと判定した。
(実施例1~19)
 前記したようにして表1~3記載の組成で樹脂組成物を調製し、発熱ピーク温度、硬化物のガラス転移温度、線膨張係数、基板曲げ特性を評価した。
 表1~3に示したように、本発明のエポキシ樹脂組成物は150℃付近に発熱ピークが存在し比較的低温で硬化でき、電子部品をいためることなく、また少ないエネルギーで硬化させることが可能となる。線膨張係数が銅に近い領域にあるため、銅板と一体成型して得られた基板の反り発生が抑えられる。また、基板を湾曲させた際にも、樹脂のひび割れや剥離が生じることがないことから、連続的な製造工程を用いた場合でも、歩留まり良く基板を製造することが可能となる。
(比較例1~7)
 前記したようにして、表4記載の組成でエポキシ樹脂組成物を調製し、発熱ピーク温度、硬化物のガラス転移温度、線膨張係数、基板曲げ特性を評価した。
 表4に示したように、本発明の範囲を外れるエポキシ樹脂組成物は満足な特性を得られていない。まず、比較例1は、成分(C)を含まないため発熱ピーク温度が高くなり、より高温での成型が必要となり、反りやひび割れが多発した。比較例2は、成分(D)が少ないため線膨張係数が大きくなり、基板に顕著な反りが発生してしまった。比較例3は、成分(D)を過剰に含むため、樹脂調製時の粘度が非常に高くなり樹脂組成物を得ることができなかった。比較例4は、酸無水物系硬化剤を用いており成分(B)を含まないため、樹脂の伸度と接着性が不十分となり、ひび割れや剥離が多発した。比較例5は、成分(E)を含まないため、樹脂とシリカ粒子の接着性が不十分となり、ひび割れが多発した。比較例6は成分(A)中の2官能エポキシ樹脂が少ないため、樹脂の伸度が不十分となり、ひび割れや剥離が多発した。比較例7は溶剤を含むため、樹脂硬化物中にボイドが多数発生し、ひび割れや剥離が多発した。
(実施例20)
 前記したようにして表5、6記載の成分(F)リンを含む難燃剤を含む組成で樹脂組成物を調製し、発熱ピーク温度、硬化物のガラス転移温度、線膨張係数、基板曲げ特性、難燃性を評価した。
 (F)リンを含む難燃剤として、ホスファゼン化合物類である“ラビトル”(登録商標)FP-110を、樹脂成分(成分(A)と成分(B)と成分(C)と成分(F)からなる部分)中リン含量換算で0.6質量%配合した結果、硬化物Tgや基板曲げ特性は十分な特性が得られ、難燃性も許容できるレベルであった。
(実施例21、23、25)
 “ラビトル”(登録商標)FP-110を増量しエポキシ樹脂組成物を調製し評価を行った結果、難燃性が向上し、硬化物Tg、基板曲げ特性も問題ないレベルとなった。以上より、連続的な製造工程を用いた場合でも、歩留まり良く高い難燃性を有する基板を製造することが可能となる。
(実施例22、24、26)
 (F)リンを含む難燃剤として、縮合型リン酸エステル類であるPX-200を、表5、6記載の通り配合しエポキシ樹脂組成物を調製し評価を行った結果、難燃性、硬化物Tg、基板曲げ特性は問題ないレベルとなった。以上より、連続的な製造工程を用いた場合でも、歩留まり良く高い難燃性を有する基板を製造することが可能となる。
(実施例27)
 “ラビトル”(登録商標)FP-110を樹脂成分(成分(A)と成分(B)と成分(C)と成分(F)からなる部分)中リン含量換算で4.7質量%配合しエポキシ樹脂組成物を調製し評価を行った結果、高い難燃性と基板曲げ特性を両立でき、硬化物Tgが低下したものの許容できるレベルであった。
(実施例28)
 (F)リンを含む難燃剤として、モノマー型リン酸エステル類であるTPP(トリフェニルホスフェート)を、樹脂成分(成分(A)と成分(B)と成分(C)と成分(F)からなる部分)中リン含量換算で2.1質量%配合しエポキシ樹脂組成物を調製し評価を行った結果、硬化物Tgの低下が見られたが、高い難燃性を示した。
(実施例29)
 (F)リンを含む難燃剤として、リン酸塩類である“MELAPUR”(登録商標)200を、樹脂成分(成分(A)と成分(B)と成分(C)と成分(F)からなる部分)中リン含量換算で2.1質量%配合しエポキシ樹脂組成物を調製し評価を行った結果、若干の銅板の反り、難燃性の低下が見られたが、硬化物Tgは許容範囲内となった。
(実施例30)
 (A)エポキシ樹脂として、リン含有エポキシ樹脂であるFX-289Z-1を、樹脂成分(成分(A)と成分(B)と成分(C)と成分(F)からなる部分)中リン含量換算で1.5質量%配合しエポキシ樹脂組成物を調製し評価を行った結果、若干硬化物Tgの低下が見られたが、高い難燃性を示した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000003
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000004
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000005
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000006
 以上のように、本発明による樹脂組成物は、比較的低温での硬化が可能であり、銅薄膜に塗布し成型した際にも、硬化物の線膨張係数が銅に近いため銅板に反りが発生せず、また伸度と接着性に優れるため基板を湾曲させてもひび割れや剥離が生じないため、半導体実装基板に好ましく用いられる。
 本発明による樹脂組成物は、比較的低温での硬化が可能であり、銅薄膜に塗布し成型した際にも、硬化物の線膨張係数が銅に近いため銅板に反りが発生せず、また伸度と接着性に優れるため基板を湾曲させてもひび割れや剥離が生じないため、半導体実装基板を高い生産性で提供可能となる。これにより、特に電子機器の製造コスト低減、および環境負荷低減に繋がることが期待される。

Claims (13)

  1. 少なくとも次の構成要素(A)~(E)を含んでなる樹脂組成物であって、エポキシ樹脂(A)が2官能エポキシ樹脂を80~100質量%含んでなり、樹脂組成物の総量100質量%に対して(D)を60~85質量%含んでなり、実質的に溶剤を含まず常温において液状である樹脂組成物。
    (A)エポキシ樹脂
    (B)アミン系硬化剤
    (C)ジメチルウレイド基、イミダゾール基、三級アミノ基の中から選ばれる少なくとも1つの官能基を有する促進剤
    (D)シリカ粒子
    (E)シランカップリング剤
  2. 請求項1に記載の樹脂組成物に、更に(F)リンを含む難燃剤を含んでなる樹脂組成物。
  3. エポキシ樹脂(A)が、ナフタレン構造、ビフェニル構造、ジシクロペンタジエン構造から選ばれる少なくとも一つの化学構造を有するエポキシ樹脂を含むものである請求項1または2に記載の樹脂組成物。
  4. アミン系硬化剤(B)が脂肪族アミン系硬化剤である請求項1~3のいずれかに記載の樹脂組成物。
  5. アミン系硬化剤(B)がジシアンジアミドまたはその誘導体である請求項1~4のいずれかに記載の樹脂組成物。
  6. ジメチルウレイド基、イミダゾール基、三級アミノ基の中から選ばれる少なくとも1つの官能基を有する促進剤(C)がフェニルジメチルウレア、メチレンビス(フェニルジメチルウレア)、トリレンビス(ジメチルウレア)、およびこれらのハロゲン化誘導体から選ばれる少なくとも一つの化合物である請求項1~5のいずれかに記載の樹脂組成物。
  7. ジメチルウレイド基、イミダゾール基、三級アミノ基の中から選ばれる少なくとも1つの官能基を有する促進剤(C)がメチレンビス(フェニルジメチルウレア)またはトリレンビス(ジメチルウレア)である請求項1~6のいずれかに記載の樹脂組成物。
  8. シリカ粒子(D)がレーザー回折式粒度分布計により定義される平均粒径が10μm以上100μm以下である成分dと平均粒径が0.1μm以上10μm未満である成分dをd/d(質量比)=85/15~95/5で配合してなる請求項1~7のいずれかに記載の樹脂組成物。
  9. シリカ粒子(D)100質量部に対してシランカップリング剤(E)を0.5~2質量部含んでなる請求項1~8のいずれかに記載の樹脂組成物。
  10. 樹脂組成物中のリン成分が、成分(A)、(B)、(C)、(F)の合計量を100質量%として、リン原子として0.5~5質量%含む請求項2~9のいずれかに記載の樹脂組成物。
  11. リンを含む難燃剤(F)がホスファゼン化合物類、縮合型リン酸エステル類から選ばれるものである請求項2~10のいずれかに記載の樹脂組成物。
  12. 請求項1~11のいずれかに記載の樹脂組成物を成型してなる成型品。
  13. 請求項1~11のいずれかに記載の樹脂組成物を金属板に塗布し、硬化させて得られる半導体実装基板。
PCT/JP2013/051068 2012-01-26 2013-01-21 樹脂組成物およびそれを成型してなる半導体実装基板 WO2013111697A1 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020147022486A KR20140124773A (ko) 2012-01-26 2013-01-21 수지 조성물 및 그것을 성형하여 이루어지는 반도체 실장 기판
US14/374,643 US20150017450A1 (en) 2012-01-26 2013-01-21 Resin composition and semiconductor mounting substrate obtained by molding same
CN201380006755.6A CN104105756A (zh) 2012-01-26 2013-01-21 树脂组合物及将该树脂组合物成型而成的半导体安装基板
SG11201404295QA SG11201404295QA (en) 2012-01-26 2013-01-21 Resin composition and semiconductor mounting substrate obtained by molding same
PH12014501678A PH12014501678A1 (en) 2012-01-26 2014-07-23 Resin composition and semiconductor mounting substrate obtained by molding same

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012014301 2012-01-26
JP2012-014301 2012-01-26
JP2012153487 2012-07-09
JP2012-153487 2012-07-09

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2013111697A1 true WO2013111697A1 (ja) 2013-08-01

Family

ID=48873417

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2013/051068 WO2013111697A1 (ja) 2012-01-26 2013-01-21 樹脂組成物およびそれを成型してなる半導体実装基板

Country Status (8)

Country Link
US (1) US20150017450A1 (ja)
JP (1) JPWO2013111697A1 (ja)
KR (1) KR20140124773A (ja)
CN (1) CN104105756A (ja)
PH (1) PH12014501678A1 (ja)
SG (1) SG11201404295QA (ja)
TW (1) TWI555768B (ja)
WO (1) WO2013111697A1 (ja)

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014159555A (ja) * 2013-01-23 2014-09-04 Nitto Denko Corp シート状の電子部品封止用熱硬化性樹脂組成物、樹脂封止型半導体装置、及び樹脂封止型半導体装置の製造方法
US20150344750A1 (en) * 2014-05-28 2015-12-03 Xerox Corporation Use of epoxy film adhesive with high ink compatibility and thermal oxidative stability for printhead interstitial bonding in in high density printheads
JP2016037546A (ja) * 2014-08-07 2016-03-22 パナソニックIpマネジメント株式会社 絶縁樹脂シート、並びにそれを用いた回路基板および半導体パッケージ
EP2977406A4 (en) * 2013-09-24 2016-12-07 Lg Chemical Ltd HARDENING COMPOSITION
JP2017135372A (ja) * 2016-01-25 2017-08-03 ミネベアミツミ株式会社 希土類ボンド磁石
JP2018070694A (ja) * 2016-10-25 2018-05-10 株式会社巴川製紙所 導電性接着剤組成物、電磁波シールドシート及びそれを用いた配線デバイス
US10150898B2 (en) 2014-05-28 2018-12-11 Xerox Corporation Use of epoxy film adhesive with high ink compatibility and thermal oxidative stability for printhead interstitial bonding in high density printheads
JP2019038955A (ja) * 2017-08-25 2019-03-14 国立大学法人信州大学 高耐熱樹脂硬化物用組成物、それを用いた電子部品及び半導体装置
US10629342B2 (en) 2016-01-25 2020-04-21 Minebea Mitsumi Inc. Rare earth bonded magnet
EP3696209A1 (en) 2015-05-13 2020-08-19 Mitsubishi Chemical Corporation Sheet-molding compound and fiber-reinforced composite material
JP2021004297A (ja) * 2019-06-25 2021-01-14 味の素株式会社 樹脂組成物
JP2021066857A (ja) * 2019-10-28 2021-04-30 サンスター技研株式会社 硬化性組成物及び硬化物
TWI853038B (zh) 2019-06-25 2024-08-21 日商味之素股份有限公司 樹脂組成物

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2549405B (en) * 2015-01-16 2021-09-22 Halliburton Energy Services Inc Hydrazide-based curing agents for use in subterranean operations
TWI575016B (zh) * 2015-12-03 2017-03-21 財團法人工業技術研究院 環氧樹脂組成物及包含該組成物之熱介面材料
TWI723211B (zh) * 2016-09-23 2021-04-01 日商住友電木股份有限公司 熱硬化性樹脂組成物、樹脂密封基板及電子裝置
US11339284B2 (en) * 2017-10-30 2022-05-24 Showa Denko Materials Co., Ltd. Resin composition, cured product, formed body and manufacturing method thereof, and film capacitor and manufacturing method thereof
WO2019087258A1 (ja) 2017-10-30 2019-05-09 日立化成株式会社 樹脂組成物、硬化物、成形体及びその製造方法、並びに、フィルムコンデンサ及びその製造方法
US20200325292A1 (en) * 2017-12-27 2020-10-15 Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. Resin composition, prepreg, laminate, metal foil-clad laminate, printed wiring board, and multilayer printed wiring board
CN108178828A (zh) * 2017-12-27 2018-06-19 上海华谊树脂有限公司 环氧树脂固化物和环氧树脂组合物
CN109535388B (zh) * 2018-11-21 2021-02-09 苏州生益科技有限公司 含磷环氧树脂组合物及应用其制备的半固化片和层压板
CN109535654B (zh) * 2018-11-21 2021-02-09 苏州生益科技有限公司 含磷环氧树脂组合物及应用其制备的半固化片和层压板
CN109535390B (zh) * 2018-11-21 2021-01-29 常熟生益科技有限公司 含磷环氧树脂组合物及应用其制备的半固化片和层压板
CN111647253A (zh) * 2020-04-29 2020-09-11 江西省航宇新材料股份有限公司 一种低热膨胀系数覆铜板及其制备方法
JP7475794B2 (ja) * 2021-05-12 2024-04-30 信越化学工業株式会社 封止用樹脂組成物及び半導体装置

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001214041A (ja) * 2000-02-02 2001-08-07 Toshiba Chem Corp 絶縁性ペースト
JP2001270976A (ja) * 1999-04-13 2001-10-02 Hitachi Chem Co Ltd 封止用エポキシ樹脂組成物及び電子部品装置
JP2003218249A (ja) * 2002-01-18 2003-07-31 Mitsui Chemicals Inc 半導体中空パッケージ
JP2003292734A (ja) * 2002-04-03 2003-10-15 Mitsui Chemicals Inc エポキシ樹脂組成物及びそれを用いた光学部品
JP2006143784A (ja) * 2004-11-16 2006-06-08 Sumitomo Bakelite Co Ltd エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP2011246596A (ja) * 2010-05-26 2011-12-08 Kyocera Chemical Corp シート状樹脂組成物、及びそれを用いて封止された回路部品

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1997024402A1 (fr) * 1995-12-28 1997-07-10 Toray Industries, Inc. Composition de resine epoxy
JP2006278530A (ja) * 2005-03-28 2006-10-12 Sumitomo Bakelite Co Ltd ソルダーレジスト用熱硬化性樹脂組成物およびソルダーレジスト
JP4285491B2 (ja) * 2006-02-28 2009-06-24 Dic株式会社 エポキシ樹脂組成物、その硬化物、新規エポキシ樹脂、新規フェノール樹脂、及び半導体封止材料
CN101802049B (zh) * 2007-09-21 2012-09-12 日本曹达株式会社 含有包合配合物的半导体封装用环氧树脂组合物
US8394911B2 (en) * 2010-02-03 2013-03-12 Dic Corporation Phenol resin composition, production method therefor, curable resin composition, cured product thereof, and printed circuit board

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001270976A (ja) * 1999-04-13 2001-10-02 Hitachi Chem Co Ltd 封止用エポキシ樹脂組成物及び電子部品装置
JP2001214041A (ja) * 2000-02-02 2001-08-07 Toshiba Chem Corp 絶縁性ペースト
JP2003218249A (ja) * 2002-01-18 2003-07-31 Mitsui Chemicals Inc 半導体中空パッケージ
JP2003292734A (ja) * 2002-04-03 2003-10-15 Mitsui Chemicals Inc エポキシ樹脂組成物及びそれを用いた光学部品
JP2006143784A (ja) * 2004-11-16 2006-06-08 Sumitomo Bakelite Co Ltd エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP2011246596A (ja) * 2010-05-26 2011-12-08 Kyocera Chemical Corp シート状樹脂組成物、及びそれを用いて封止された回路部品

Cited By (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014159555A (ja) * 2013-01-23 2014-09-04 Nitto Denko Corp シート状の電子部品封止用熱硬化性樹脂組成物、樹脂封止型半導体装置、及び樹脂封止型半導体装置の製造方法
EP2977406A4 (en) * 2013-09-24 2016-12-07 Lg Chemical Ltd HARDENING COMPOSITION
US10457842B2 (en) 2013-09-24 2019-10-29 Lg Chem, Ltd. Curable composition
US20150344750A1 (en) * 2014-05-28 2015-12-03 Xerox Corporation Use of epoxy film adhesive with high ink compatibility and thermal oxidative stability for printhead interstitial bonding in in high density printheads
US9890306B2 (en) * 2014-05-28 2018-02-13 Xerox Corporation Use of epoxy film adhesive with high ink compatibility and thermal oxidative stability for printhead interstitial bonding in in high density printheads
US10150898B2 (en) 2014-05-28 2018-12-11 Xerox Corporation Use of epoxy film adhesive with high ink compatibility and thermal oxidative stability for printhead interstitial bonding in high density printheads
JP2016037546A (ja) * 2014-08-07 2016-03-22 パナソニックIpマネジメント株式会社 絶縁樹脂シート、並びにそれを用いた回路基板および半導体パッケージ
EP3696209A1 (en) 2015-05-13 2020-08-19 Mitsubishi Chemical Corporation Sheet-molding compound and fiber-reinforced composite material
JP2017135372A (ja) * 2016-01-25 2017-08-03 ミネベアミツミ株式会社 希土類ボンド磁石
US10629342B2 (en) 2016-01-25 2020-04-21 Minebea Mitsumi Inc. Rare earth bonded magnet
JP2018070694A (ja) * 2016-10-25 2018-05-10 株式会社巴川製紙所 導電性接着剤組成物、電磁波シールドシート及びそれを用いた配線デバイス
JP2019038955A (ja) * 2017-08-25 2019-03-14 国立大学法人信州大学 高耐熱樹脂硬化物用組成物、それを用いた電子部品及び半導体装置
JP7168157B2 (ja) 2017-08-25 2022-11-09 国立大学法人信州大学 高耐熱樹脂硬化物用組成物、それを用いた電子部品及び半導体装置
JP2021004297A (ja) * 2019-06-25 2021-01-14 味の素株式会社 樹脂組成物
JP7222320B2 (ja) 2019-06-25 2023-02-15 味の素株式会社 樹脂組成物
TWI853038B (zh) 2019-06-25 2024-08-21 日商味之素股份有限公司 樹脂組成物
JP2021066857A (ja) * 2019-10-28 2021-04-30 サンスター技研株式会社 硬化性組成物及び硬化物
JP7282011B2 (ja) 2019-10-28 2023-05-26 サンスター技研株式会社 硬化性組成物及び硬化物

Also Published As

Publication number Publication date
TWI555768B (zh) 2016-11-01
TW201336884A (zh) 2013-09-16
JPWO2013111697A1 (ja) 2015-05-11
PH12014501678A1 (en) 2014-10-20
KR20140124773A (ko) 2014-10-27
US20150017450A1 (en) 2015-01-15
SG11201404295QA (en) 2014-10-30
CN104105756A (zh) 2014-10-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2013111697A1 (ja) 樹脂組成物およびそれを成型してなる半導体実装基板
JP6534189B2 (ja) 樹脂組成物
JP6135991B2 (ja) 封止用エポキシ樹脂無機複合シート
JP2016153513A (ja) 被覆粒子
JP6558671B2 (ja) 封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
US20070179217A1 (en) Flame-retarding and thermosetting resin composition
JPWO2017022721A1 (ja) エポキシ樹脂組成物、フィルム状エポキシ樹脂組成物及び電子装置
KR20160127665A (ko) 조성물, 에폭시 수지 경화제, 에폭시 수지 조성물, 열경화성 조성물, 경화물, 반도체 장치 및 층간 절연 재료
JP6013906B2 (ja) 液状エポキシ樹脂組成物
JP5691833B2 (ja) 熱硬化性樹脂組成物、プリプレグ及び積層体
JP6900749B2 (ja) カーボンブラック分散フェノール樹脂組成物、エポキシ樹脂組成物およびこれらの製造方法
JP2018135447A (ja) 樹脂組成物及び構造体
JP2013253195A (ja) エポキシ樹脂組成物
KR101469265B1 (ko) 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 및 이를 이용한 반도체 장치
JP6670293B2 (ja) 熱硬化性樹脂組成物、当該熱硬化性樹脂組成物を含有する絶縁材、封止剤および導電ペースト、当該熱硬化性樹脂組成物を硬化させた硬化物、当該熱硬化性樹脂組成物を有する基板材料、当該熱硬化性樹脂組成物を基材に含浸させたプリプレグ、当該プリプレグの熱硬化性樹脂組成物を硬化させた部材、熱膨張率の調整方法、ならびに当該調整方法を用いて製造された部材
WO2019078044A1 (ja) 熱伝導性樹脂組成物、硬化物および放熱方法
JPH0977958A (ja) エポキシ樹脂組成物および半導体装置
JP2007031556A (ja) エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
WO2018159564A1 (ja) 樹脂組成物
JP2013142136A (ja) 半導体封止用難燃性液状エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP2023070208A (ja) エポキシ樹脂組成物
KR20100058028A (ko) 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 및 이를 이용한 반도체 소자
JP2023076872A (ja) 熱硬化性エポキシ樹脂組成物及び熱硬化性エポキシ樹脂シート
KR20240116333A (ko) 반도체 소자 언더필용 액상 에폭시 수지 조성물, 이를 포함하는 반도체 소자 봉지재 및 반도체 소자
JP2024141554A (ja) エポキシ樹脂組成物

Legal Events

Date Code Title Description
ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2013505232

Country of ref document: JP

Kind code of ref document: A

121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 13740985

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 12014501678

Country of ref document: PH

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 14374643

Country of ref document: US

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 20147022486

Country of ref document: KR

Kind code of ref document: A

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 13740985

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1