JP2016037546A - 絶縁樹脂シート、並びにそれを用いた回路基板および半導体パッケージ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】絶縁層を有する絶縁樹脂シートであって、前記絶縁層が、エポキシ樹脂と1分子中に少なくとも2個以上の活性水素を有するアミン系硬化剤とを少なくとも含有する樹脂組成物で構成されており、前記活性水素と結合している窒素が、前記エポキシ樹脂と前記硬化剤の総量に対し2.2〜3.3質量%の範囲で含まれていることを特徴とする、絶縁樹脂シート。
【選択図】図1
Description
レーザ加工によって形成された溝には、例えば回路や配線となる金属体を埋め込み、回路基板や半導体パッケージ等とすることができる。
・固形状エポキシ樹脂:トリスフェノール型多官能エポキシ樹脂、「VG3101」プリンテック製
・固形状エポキシ樹脂:トリフェニルメタン型多官能エポキシ樹脂、「EPPN502H」日本化薬製
・液状エポキシ樹脂:ビスフェノールA型液状エポキシ樹脂、「850S」DIC製
・アミン系硬化剤:4,4’−ジアミノジフェニルスルフォン、「4,4’−DDS」和光純薬製
・アミン系硬化剤:ジシアンジアミド
・硬化促進剤:2−エチル−4−メチルイミダゾール、「2E4MZ」四国化成製
・シランカップリング剤:3−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、「KBM403」信越化学製
・レベリング剤:フッ素系レベリング剤、「F477」DIC製
・無機フィラー:球状シリカ「SO−C2」アドマテックス製(平均粒径 0.5μm)
・溶剤:メチルエチルケトン(MEK)
・溶剤:ジメチルホルムアミド(DMF)
<絶縁樹脂シートの製造>
下記表1の配合例1に示す配合で溶剤に材料を溶解し、樹脂ワニスを得た。なお、このワニスの170℃におけるゲル化時間は360秒であった。得られた樹脂ワニスを離型処理を施した厚さ38μmのPET製のキャリアフィルムにバーコータで塗工し、130℃で5分間乾燥させ、溶剤を除去した。得られたキャリア付き絶縁樹脂シートの樹脂厚みは40μmであった。
得られた樹脂シートを、厚さ18μmの銅箔をエッチングにて除去した厚さ0.8mmの銅張積層板に真空ラミネータにて貼り合わせ、キャリアフィルムを剥離した後、オーブンで200℃にて60分硬化させた。得られた積層板をレーザ加工性評価基板として使用した。
上記で得られた基板を波長355nmのUV−YAGレーザ(esi社製)を用いて、15μmの深さの溝を5m加工するのに要する時間を計測したところ、わずか16秒であった。
下記表1の配合例3に示す配合に変更した以外は実施例1と同様にしてキャリア付き絶縁樹脂シートを作製し、実施例1と同様にシートの割れ・欠け、硬化物のTg、レーザ加工性を評価した。その結果、シートの割れ・欠けはなく、硬化物Tgは224℃であった。また、レーザ加工速度は16秒で、実施例1と同等の加工速度となった。さらに、配合例3で調製した樹脂ワニスの170℃におけるゲル化時間は220秒であった。
下記表1の配合例4に示す配合に変更した以外は実施例1と同様にしてキャリア付き絶縁樹脂シートを作製し、実施例1と同様にシートの割れ・欠け、硬化物のTg、レーザ加工性を評価した。その結果、シートの割れ・欠けはなく、硬化物Tgは220℃であった。また、レーザ加工速度は16秒で、実施例1と同等の加工速度となった。
さらに、実施例3については、上記評価に加えて、メッキ密着性についても評価を行った。具体的には、レーザ加工後の溝に無電解メッキ法にて銅メッキを施し、メッキの剥離の有無を調べたところ、フィラー入りの配合例4の樹脂シートでは剥離が生じず、メッキ密着性が大きく向上していた。
下記表1の配合例2に示す配合に変更した以外は実施例1と同様にしてキャリア付き絶縁樹脂シートを作製し、実施例1と同様にシートの割れ・欠け、硬化物のTg、レーザ加工性を評価した。その結果、シートの割れ・欠けはなく、硬化物Tgは218℃であったが、レーザ加工速度は48秒となり、実施例1と比較すると3倍の時間を要した。
表1の配合例4に示す配合に変更した以外は実施例1と同様にしてキャリア付き絶縁樹脂シートを作製した。その樹脂シートを封止樹脂として用いて、以下のようにして半導体パッケージを得た。
表1の配合例1に示す配合で樹脂ワニスを配合し、得られた樹脂ワニスを塗工し、樹脂厚み35μmとした以外は実施例1と同様にして、キャリア付き絶縁樹脂シートを得た。これを絶縁樹脂として用い、実施例4と同様の方法で半導体パッケージを作製した。
封止樹脂は実施例4で得られた樹脂シートを用いた。
Claims (9)
- 絶縁層を有する絶縁樹脂シートであって、
前記絶縁層が、エポキシ樹脂と1分子中に少なくとも2個以上の活性水素を有するアミン系硬化剤とを少なくとも含有する樹脂組成物で構成されており、前記活性水素と結合している窒素が、前記エポキシ樹脂と前記硬化剤の総量に対し2.2〜3.3質量%の範囲で含まれていることを特徴とする、絶縁樹脂シート。 - 前記エポキシ樹脂が、固形状エポキシ樹脂と液状エポキシ樹脂とを含有する、請求項1に記載の絶縁樹脂シート。
- 前記絶縁層がさらに無機フィラーを含有する、請求項1または2に記載の絶縁樹脂シート。
- 前記絶縁層において、外表面からレーザ加工により形成された溝に金属体が埋め込まれている、請求項1〜3のいずれかに記載の絶縁樹脂シート。
- 請求項1〜4のいずれかに記載の絶縁樹脂シートの前記絶縁層に、さらに回路が埋め込まれてなる、回路基板。
- 請求項1〜4のいずれかに記載の絶縁樹脂シートの前記絶縁層に、さらに回路および半導体素子が埋め込まれてなる、半導体パッケージ。
- 主面上に電極を有する半導体素子、前記電極が形成されている面を被覆する被覆絶縁層、前記被覆絶縁層の外表面側からレーザ加工することにより形成された溝に金属体が埋め込まれた回路、前記半導体素子の背面に形成された封止樹脂層を備えた半導体パッケージであって、前記被覆絶縁層が請求項1〜4のいずれかに記載の絶縁樹脂シートである、半導体パッケージ。
- 前記封止樹脂層が硬化性樹脂と無機フィラーとを含む請求項7に記載の半導体パッケージ。
- 前記封止樹脂層と前記被覆絶縁層が同じ樹脂組成物からなる請求項7または8に記載の半導体パッケージ。
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