WO2013093967A1 - 熱電変換素子とそれを用いた熱電変換モジュール - Google Patents

熱電変換素子とそれを用いた熱電変換モジュール Download PDF

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conversion element
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早川 純
真 籔内
洋輔 黒崎
聡悟 西出
政邦 岡本
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株式会社日立製作所
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    • H10N10/854Thermoelectric active materials comprising inorganic compositions comprising only metals
    • HELECTRICITY
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    • H01L29/02Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/30Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by physical imperfections; having polished or roughened surface
    • H01L29/32Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by physical imperfections; having polished or roughened surface the imperfections being within the semiconductor body
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    • H10N10/17Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects operating with only the Peltier or Seebeck effects characterised by the structure or configuration of the cell or thermocouple forming the device
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    • H10N10/851Thermoelectric active materials comprising inorganic compositions

Definitions

  • the present invention relates to a thermoelectric conversion element and a thermoelectric conversion module having high conversion efficiency.
  • thermoelectric conversion Converting thermal energy into electrical energy using the Seebeck effect of a substance is called thermoelectric conversion, and a device that realizes thermoelectric conversion is a thermoelectric conversion element.
  • thermoelectric material As such a thermoelectric material, (1) Compound semiconductors such as Bi—Te, Pb—Te, Si—Ge, Mg—Si, (2) Na x CoO 2 (0.3 ⁇ x ⁇ 0.8), (ZnO) mIn 2 O 3 (1 ⁇ m ⁇ 19) type oxide material (3) Zn—Sb type, Co—Sb type A skutterudite compound such as Fe—Sb (4) Heusler alloys composed of intermetallic compounds such as Fe 2 VAl and ZrNiSn are known.
  • Compound semiconductors such as Bi—Te, Pb—Te, Si—Ge, Mg—Si, (2) Na x CoO 2 (0.3 ⁇ x ⁇ 0.8), (ZnO) mIn 2 O 3 (1 ⁇ m ⁇ 19) type oxide material (3) Zn—Sb type, Co—Sb type A skutterudite compound such as Fe—Sb (4) Heusler alloys composed of intermetallic compounds such as Fe 2 VAl
  • thermoelectromotive force is 300 ⁇ V / K or less, and the dimensionless figure of merit ZT (T is temperature) is about 1.
  • ZT is temperature
  • oxide materials having high thermal and chemical stability have been reported, but their thermoelectric conversion performance is lower than that of generally used alloy materials, and the ZT of the bulk material is 0.3. About 5.
  • a material having ZT of 1 or more, more preferably 2 or more is required.
  • thermoelectric conversion module that constitutes the output source of the system in order to be applied to the thermoelectric conversion system. So far, a prototype of a thermoelectric conversion module has been made using the materials shown above, and it has become an urgent task to increase the thermoelectric conversion efficiency and improve the power output as a module. Effective design is an important design guideline.
  • An object of the present invention is to provide a thermoelectric conversion element and a thermoelectric conversion module having higher conversion efficiency than conventional ones.
  • thermoelectric conversion element and the thermoelectric conversion module of the present invention selectively use a Heusler alloy material having a large figure of merit, and define dimensions in order to maximize the thermal energy applied to the module.
  • a Heusler alloy elements X and Y that can realize ZT> 1 are selected in the type of the full Heusler alloy composed of Fe 2 XY.
  • the thermoelectric conversion module using the full-Heusler alloy selected here is a thermoelectric conversion material that maximizes the effective temperature difference in the thermoelectric conversion material according to the thermal energy passing through the module in the environment in which it is used. The dimension is set.
  • thermoelectric conversion element of this invention It is a schematic diagram which shows the structural example of the thermoelectric conversion element of this invention. It is a schematic diagram which shows the structural example of the thermoelectric conversion module of this invention. It is a schematic diagram which shows the structural example of the thermoelectric conversion module of this invention. It is a schematic diagram which shows the structural example of the thermoelectric conversion module of this invention. It is a figure which shows the element which comprises the thermoelectric conversion material of this invention. It is a figure which shows the electronic state of the thermoelectric conversion material of this invention.
  • FIG. 1 is a schematic diagram showing a configuration example of a thermoelectric conversion element according to the present invention.
  • This thermoelectric conversion element is connected to a pair of p-type full-Heusler alloy 200, n-type full-Heusler alloy 201, electrode 102 connecting them, and electrode 100 connected to the p-type full-Heusler alloy and n-type full-Heusler alloy.
  • the electrode 101 is configured.
  • the temperature T H to the upper (electrode 102 side) of the thermoelectric conversion element the lower the temperature T L is applied to (the electrode 100, 101 side), the electrode from the electrode 102 side to both full Heusler alloys of this thermoelectric conversion element
  • the elements X and Y are selected so that the material shown in Table 1 is expressed as Fe 2 XY and the figure of merit ZT is increased.
  • Each elemental composition may be slightly more or less than Fe 2 XY. Specifically, Fe is within 2 ⁇ 0.3, X is within 1 ⁇ 0.2, and Y is within 1 ⁇ 0.2, and all the composition (atomic weight) ratios are combined to be 4. Yes. Thereby, the Seebeck coefficient can be maximized and a high ZT can be obtained.
  • 2 or more types of elements can be selected in the element described in Table 1 in it. For example, TiV can be selected as the element X, AlSi can be selected as the element Y, and a Heusler alloy composed of five elements such as Fe 2 (TiV) (AlSi) can be selected.
  • Each Heusler alloy material shown in Table 1 is characterized by having an electronic state shown in FIG.
  • These selected Heusler alloys all have a small energy gap (shown in FIG. 2) near the Fermi level (0.0 eV on the vertical axis in the figure).
  • a small energy gap shown in FIG. 2
  • FIG. 3 shows a graph in which L necessary for maintaining the temperature of ⁇ T in the thermoelectric conversion element is plotted for these two heat flow rate values. ⁇ shown in FIG. 3 indicates the thermal conductivity of the thermoelectric conversion material in the thermoelectric conversion element, and the length L depends on ⁇ .
  • the length L depends on the volume x, where x (%) is the volume occupied by the thermoelectric conversion material in the thermoelectric conversion element.
  • x (%) is the volume occupied by the thermoelectric conversion material in the thermoelectric conversion element.
  • the minimum value of the length L in the thermal gradient direction of the Heusler alloy is determined to be 4 mm from the dotted line in FIG.
  • thermoelectric conversion element manufactured in this way an output of 10 W / cm 2 or more can be obtained.
  • a full Heusler alloy material having a figure of merit ZT> 1 for example, the dimension of the Heusler alloy is reduced to 0. If it is 2 cm ⁇ 0.2 cm ⁇ 0.4 cm, an output of 0.02 W / piece can be obtained. This output varies greatly depending on the type of full-Heusler alloy used and the temperature difference used.
  • FeTiSn capable of realizing high ZT is used as a thermoelectric conversion material.
  • the manufacturing process of this material will be described.
  • Fe, Ti, and Sn powders are weighed in proper amounts and powdered by mechanical alloying.
  • the mechanical alloying is performed until the crystal grain size of the powder becomes 1 ⁇ m or less.
  • phonon scattering at the crystal grain boundary becomes larger, the thermal conductivity can be reduced, and ZT is improved.
  • ZT is improved.
  • the fine powder produced in this way is formed into a sintered body by a high-speed sintering furnace. For example, it is maintained at 800 ° C. for 10 minutes, and is carried out under the condition that the growth of the crystal grain size is not promoted by rapid cooling. Apply sintered material.
  • thermoelectric conversion element it becomes possible to produce an amorphous material by condition control and apply it to a thermoelectric conversion element.
  • fine crystal grains or an amorphous material of 1 ⁇ m or less, heat conduction due to lattice vibration is hindered by phonon scattering at the grain boundaries, and the thermal conductivity of the FeTiSn system can be reduced. Compared to the thermal conductivity of materials on the order of several tens of microns, it is reduced to about 1/10.
  • An amorphous FeTiSn can have a thermal conductivity of 2 W / m ⁇ K.
  • Such a FeTiSn material has a Seebeck coefficient of about 200 ⁇ V / K and a specific resistance of about 1.5 ⁇ m, and ZT> 1 can be realized. Further, by substituting Si for Sn, it is possible to obtain a maximum Seebeck coefficient of 600 ⁇ V / K, and ZT> 2 can be realized.
  • the length L in the thermal gradient direction of FeTiSn is 1 mm or more from FIG.
  • ZT> 2 the conversion efficiency is 7.4%. Therefore, when FeTiSn of 0.2 cm ⁇ 0.2 cm ⁇ 0.1 cm is used, the output of the thermoelectric conversion element is 0.03 W / piece.
  • FIG. 4 shows a thermoelectric conversion module configured by arranging a plurality of thermoelectric conversion elements shown in FIG. 1 in a planar shape.
  • the electrodes 100 and 101 shown in FIG. 1 serve as electrodes for connecting the thermoelectric conversion elements, and are arranged so that the p-type Heusler alloy and the n-type Heusler alloy are always connected alternately.
  • FIG. 5 shows an example of a thermoelectric conversion module in which the inside of the thermoelectric conversion module shown in FIG. 4 is evacuated and sealed with SUS, or covered with resin and confidentially packaged. By packaging in this way, an effect of improving durability against a large environment such as vibration can be obtained.
  • FIG. 6 shows a cooling unit 301 provided with a pipe 302 through which cooling water or other solvent can be flowed in order to efficiently remove the low temperature side temperature from the thermoelectric conversion module 300 shown in FIG.
  • the thermoelectric conversion module 300 is always given a temperature difference to enable continuous thermoelectric generation, and since the temperature difference can be effectively given, power generation is performed without reducing the thermoelectric conversion efficiency. Efficiency is obtained.

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Abstract

従来よりも変換効率の大きな熱電変換素子と熱電変換モジュールを提供する。 本発明の熱電変換素子は、ホイスラー合金材料を備え、前記ホイスラー合金材料に生じる温度勾配に応じて起電力を取り出すための1対の電極を備えている。また、前記ホイスラー合金材料の寸法を使用する温度差環境に応じてモジュールの変換効率最大となるように規定されることを特徴する。

Description

熱電変換素子とそれを用いた熱電変換モジュール
 本発明は、高変換効率を有する熱電変換素子と熱電変換モジュールに関する。
 物質のゼーベック効果を利用して、熱エネルギーを電気エネルギーに変換することを熱電変換と呼び、熱電変換を実現するデバイスが熱電変換素子である。熱電変換素子に使用される材料を熱電変換材料とよび、その熱電変換の効率を評価する指標として、性能指数Z=Sσ/κ(ここで、Sはゼーベック係数、σは電気伝導度、κは熱伝導度である。)がある。
 このような熱電材料としては、
(1)Bi-Te系、Pb-Te系、Si-Ge、Mg-Si系等の化合物半導体、
(2)NaCoO(0.3≦x≦0.8)、(ZnO)mIn(1≦m≦19)系の酸化物材料
(3)Zn-Sb系、Co-Sb系、Fe-Sb系等のスクッテルダイト化合物
(4)FeVAlやZrNiSn等の金属間化合物で構成されるホイスラー合金などが公知である。
 しかしながら、従来のこのような材料では、熱起電力が300μV/K以下であり、無次元性能指数ZT(Tは温度)は1程度である。特に、近年、熱的及び化学的に高い安定性を有する酸化物材料が多数報告されているが、これらの熱電変換性能は、一般に用いられる合金材料より性能が低く、バルク材料のZTは0.5程度である。実際の実用レベルの廃熱回収においては、ZTが1以上、より好ましくは2以上の材料が必要となる。
 一方で、熱電変換システムへ適用するために、システムの出力源を構成するものに熱電変換モジュールがある。これまでに、上記に示した材料を用いて熱電変換モジュールの試作がなされ、モジュールとして熱電変換効率を高め、電力出力を向上させることが急務となっているが、特にモジュールにいかに大きな温度差を有効に与えられるかが重要な設計指針となる。
 本発明は、従来よりも高変換効率を有する熱電変換素子と熱電変換モジュールを提供することを目的とする。
 本発明の熱電変換素子及び熱電変換モジュールは、性能指数の大きなホイスラー合金材料を選択使用し、かつモジュールに与えられる熱エネルギーを最大限にするために寸法を規定する。特にホイスラー合金は、FeXYで構成されるフルホイスラー合金の種類においてZT>1を実現可能な元素X、Yが選択される。ここで選択されるフルホイスラー合金を使った熱電変換モジュールは、使用される環境においてモジュールを通過する熱エネルギーに応じて熱電変換材料での有効な温度差が最大限になるように熱電変換材料の寸法が設定されることを特徴とする。
 本発明によると、従来の2倍以上の性能指数を実現可能である。
本発明の熱電変換素子の構成例を示す模式図である。 本発明の熱電変換モジュールの構成例を示す模式図である。 本発明の熱電変換モジュールの構成例を示す模式図である。 本発明の熱電変換モジュールの構成例を示す模式図である。 本発明の熱電変換材料を構成する元素を示す図である。 本発明の熱電変換材料の電子状態を示す図である。
 以下、図面を参照して本発明の実施の形態を説明する。
 図1は、本発明による熱電変換素子の構成例を示す模式図である。この熱電変換素子は、一対のp型フルホイスラー合金200とn型のフルホイスラー合金201とそれらを接続する電極102、さらにp型フルホイスラー合金に接続する電極100とn型フルホイスラー合金に接続する電極101から構成される。ここで、本熱電変換素子の上部(電極102側)に温度T、下部(電極100、101側)に温度Tが与えられ、本熱電変換素子の両フルホイスラー合金に電極102側から電極100、101側に温度差ΔT(=T-T)の勾配がかかったときにフルホイスラー合金部で発生する電気を電力(電圧あるいは電流)として電極100および電極101からとりだす構成である。
 ここで、フルホイスラー合金200と201には表1に示した材料にはFeXYで表記され性能指数ZTが大きくなるように元素X、Yが選択される。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
 具体的には、表1に示す元素を選択することが望ましい。各元素組成はFeXYからわずかに多くても少なくてもよい。具体的には、Feは2±0.3、Xは1±0.2、Yは1±0.2の範囲におさまっており、すべての組成(原子量)比を足し合わせて4になっている。これにより、ゼーベック係数の最大化が実現でき、高いZTが得られる。また、元素Xと元素Yについては、その中で表1に記載された元素の中で2種類以上の元素を選択できる。例えば、元素XとしてTiVを選択でき、元素YとしてAlSiを選択でき、Fe(TiV)(AlSi)といった5元素で構成されるホイスラー合金を選ぶことが可能である。表1に示した各ホイスラー合金材料は、図2に示す電子状態をもつことが特徴である。これらの選択されたホイスラー合金はすべてフェルミ準位(図中縦軸の0.0eV)近傍に小さいエネルギーギャップ(図2中に示す)をもつことである。また、性能指数が大きくなる材料は、横軸に示されるΓ点とX点の位置にパラボリックなバンド端とΓ-Xラインにフラットバンド(図2中に示す)をフェルミ準位近傍に作ることを特徴にもっている。これらのバンドはフェルミ準位近傍で状態密度(N(E))がエネルギーに対して急峻であることを意味するので、ゼーベック係数がが増大することが可能である。ゼーベック係数は、δN(E)/δEであらわせる。
 次に、上記のように選択された本熱電変換素子のフルホイスラー合金の寸法が以下のように決められる。まず、本熱電変換素子に上記で定義したようなΔTの温度差があるとき、熱電変換材料の熱伝導率κ(W/m・K)と熱電変換素子中に熱電変換材料が占める体積率x(%)、熱電変換材料の熱勾配方向の長さL(m)を使うと、この熱電変換素子に流れる熱流束Q(W/m)は、Q=κ・(x/L)・ΔTとなる。したがって、L=Q・x/(κ・ΔT)で与えることができ、使用する温度差ΔTと熱電変換材料のκで熱電変換材料の熱勾配方向の長さL(図1)の必要最小値が決定される。また、熱流束は、低温側の温度(T)を水冷等による抜熱を実施すれば10W/cm以上の熱流束を得ることが可能である。一方、水冷ではなく空冷等で抜熱をした場合は1W/cm以下の熱流束になることが多い。図3は、この2つの熱流速値について、熱電変換素子にΔTの温度を維持する場合に必要なLをプロットしたグラフを示す。図3中に示したκは熱電変換素子中の熱電変換材料の熱伝導率を示し、長さLはκ依存する。また、熱電変換素子中に熱電変換材料が占める体積をx(%)として、長さLは体積xにも依存する。ここで、長さLの規定の方法の一例を図3(g)を使って示す。例えば、低温側を水冷機構を設けて得られる熱流束10W/cmを得られる熱電変換素子において温度差ΔT=100Kの環境で熱伝導率κ=10W/m・Kのホイスラー合金を体積率50%で使用する場合、そのホイスラー合金の熱勾配方向の長さLの最小値は、図3(g)の点線より4mmと決定される。このように作製された熱電変換素子では、10W/cm以上の出力を得ることが可能であり、性能指数ZT>1となるフルホイスラー合金材料を用いることによって、例えば、ホイスラー合金の寸法を0.2cm×0.2cm×0.4cmとすると、0.02W/個の出力を得ることが可能になる。この出力は、使用するフルホイスラー合金の種類や使用する温度差によって大きく変化する。
 ここで、高いZTが実現できるFeTiSnを熱電変換材料に使った場合の実施例について述べる。まず、本材料の作製プロセスについて述べる。Fe、Ti、Snの粉末を適正組成量秤量してメカニカルアロイング法によって粉末合金化する。ここでは、メカニカルアロイングの時間は粉末の結晶粒径が1μm以下になるまで実施する。結晶粒径が小さくなるほど結晶粒界でのフォノン散乱が大きくなり、熱伝導率が低減可能でありZTが向上する。数時間から数百時間で実施こともある。こうして作製された微細粉末を高速焼結炉により焼結体を形成する。例えば800℃で10分間維持し、急速冷却によって結晶粒径の成長が促進しない条件で実施するが、温度、維持時間、加熱昇温時間、冷却降温時間を制御して1μm以下の粒径をもつ焼結材料を適用する。
 また、条件制御によってアモルファス材料を作製し熱電変換素子に適用することが可能となる。1μm以下の微細な結晶粒あるいはアモルファス材料を形成することにより、結晶粒界でのフォノン散乱により、格子振動による熱伝導が妨げられ、FeTiSn系の熱伝導率が低減可能である。数十ミクロンオーダーの材料の熱伝導率に比べて1/10程度に低減される。FeTiSnのアモルファスでは2W/m・Kの熱伝導率が可能である。このようなFeTiSn材料のゼーベック係数は200μV/K、比抵抗1.5μΩm程度であり、ZT>1が実現可能となる。また、SnにSiを置換することで、ゼーベック係数は最大600μV/Kを得ることが可能であり、ZT>2を実現することができる。
 このようにして作製されたZT>2と熱伝導率2.5W/m・KのFeTiSnホイスラー合金材料を用いてΔT=100Kの環境で使用した熱電変換素子の出力について述べる。熱流束を10W/cm2得ようとする場合、FeTiSnの熱勾配方向の長さLは、図3(g)から1mm以上を適用する。また、ZT>2の場合、変換効率は7.4%となるので0.2cm×0.2cm×0.1cmのFeTiSnを使うと熱電変換素子の出力は、0.03W/個となる。また、温度差ΔT=200℃の環境下で使用すると、12.6%の変換効率が得られるので出力密度は、1.26W/cmとなり、0.05W/個と従来の素子に比べて5倍程度大きい素子が提供可能である。
 図4は、図1に示した熱電変換素子を複数個平面状に配置して構成される熱電変換モジュールを示す。図1に示した電極100および101が、各熱電変換素子を接続する電極となり、p型ホイスラー合金とn型ホイスラー合金が必ず交互に接続されるように配置されている。ここで使用するホイスラー合金とその寸法は図1に示した熱電変換素子の場合とまったく同様である。たとえば、図1の実施例に述べたΔT=100Kの環境で0.5W/個の熱電変換素子を100個並べた場合に、モジュール1個あたり2Wの出力を得られることになる。またFeTiSnを用いた同様のモジュールでは、ΔT=200℃で使用する場合にモジュール1個あたり5Wの出力を得ることが可能となる。
 図5は、図4に示した熱電変換モジュールを内部を真空にしてSUSで封止したり、樹脂で覆って機密パーケージした熱電変換モジュールの例を示す。このようにパッケージすることによって、振動などの大きな環境に対して耐久性が向上する効果が得られる。
 図6は、図5に示した熱電変換モジュール300に低温側の温度を効率良く抜熱するために冷却水やその他の溶媒を流すことが可能な配管302が備えられた冷却ユニット301を示す。この冷却ユニット300を使用することにより、熱電変換モジュール300に常時温度差を付与して連続的な熱発電が可能となるとともに、有効に温度差が付与できることから熱電変換効率を減少させることなく発電効率が得られる。
100…電極、101…電極、102…電極、200…p型ホイスラー合金、201…n型ホイスラー合金、300…熱電変換モジュール、301…冷却ユニット、302…冷媒配管

Claims (11)

  1.  電極で接続されたn型ホイスラー合金とp型ホイスラー合金からなる1対のホイスラー合金対と
     前記n型ホイスラー合金とp型ホイスラー合金内に生じる温度勾配に応じて起電力を取り出す熱電変換素子。
  2.  請求項1に記載の熱電変換素子において、
     前記ホイスラー合金は温度勾配方向に長さLを有することを特徴とし、
     前記長さLは、ホイスラー合金の熱伝導率κ(W/m・K)、ホイスラー合金の素子内の体積率x(%)、ホイスラー合金の長さL方向の温度差ΔT(K)、熱流速Q(W/m)とした場合に、κ・ΔT・(x/100)/Q(m)以下であることを特徴とする熱電変換素子。
  3.  請求項1に記載の熱電変換素子において
     前記ホイスラー合金は、Fe、元素Xと元素Yで構成され、
     前記元素Xは、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Sc、Yの少なくともひとつから構成されることを特徴とし、
     前記元素Yは、Si、Ge、Sn、Al、Ga、In、Zn、Cd、Hg、Ca、Sr、Ba、P、As、Sb、Biの少なくともひとつから構成されることを特徴とする熱電変換素子。
  4.  請求項1に記載の熱電変換素子において、
     前記ホイスラー合金の結晶粒径が1μm以下であることを特徴とする熱電変換素子。
  5.  請求項1に記載の熱電変換素子において、
     前記、熱電変換素子が複数個配置されて、起電力を取り出すための1対の電極を備えた熱電変換モジュール。
  6.  請求項5に記載の熱電変換モジュールにおいて、
     前記ホイスラー合金は温度勾配方向に長さLを有することを特徴とし、
     前記長さLは、ホイスラー合金の熱伝導率κ(W/m・K)、ホイスラー合金の素子内の体積率x(%)、ホイスラー合金の長さL方向の温度差ΔT(K)、熱流速Q(W/m2)とした場合に、κ・ΔT・(x/100)/Q(m)以下であることを特徴とする熱電変換モジュール。
  7.  請求項5に記載の熱電変換モジュールにおいて
     前記ホイスラー合金は、Fe、元素Xと元素Yで構成され、
     前記元素Xは、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Sc、Yの少なくともひとつから構成されることを特徴とし、
     前記元素Yは、Si、Ge、Sn、Al、Ga、In、Zn、Cd、Hg、Ca、Sr、Ba、P、As、Sb、Biの少なくともひとつから構成されることを特徴とする熱電変換モジュール。
  8.  請求項5に記載の熱電変換モジュールにおいて、
     前記ホイスラー合金の結晶粒径が1μm以下であることを特徴とする熱電変換モジュール。
  9.  請求項5に記載の熱電変換モジュールにおいて、
     真空封止により機密にパッケージされた熱電変換モジュール。
  10.  請求項5に記載の熱電変換モジュールにおいて
     樹脂により機密にパッケージされた熱電変換モジュール。
  11.  請求項5に記載の熱電変換モジュールにおいて
     前記熱電変換モジュールの片面に冷却ユニットを備えることを特徴とし
     前記冷却ユニット内には冷媒を流すことのできる配管を具備していることを特徴とする熱電変換モジュール。
PCT/JP2011/007146 2011-12-21 2011-12-21 熱電変換素子とそれを用いた熱電変換モジュール WO2013093967A1 (ja)

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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015005653A (ja) * 2013-06-21 2015-01-08 株式会社デンソー 熱電変換材料
EP2886669A1 (en) 2013-11-19 2015-06-24 Hitachi Metals, Ltd. Thermoelectric conversion material and thermoelectric conversion module using the same
WO2016163262A1 (ja) * 2015-04-08 2016-10-13 日立金属株式会社 熱電変換材料およびその製造方法
WO2016185852A1 (ja) * 2015-05-15 2016-11-24 日立金属株式会社 熱電変換材料
WO2018135286A1 (ja) * 2017-01-20 2018-07-26 日立金属株式会社 p型熱電変換材料、熱電変換モジュール及びp型熱電変換材料の製造方法
US10497848B2 (en) * 2015-05-29 2019-12-03 Hitachi, Ltd. Thermoelectric conversion material

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101680557B1 (ko) * 2012-05-22 2016-11-29 가부시끼가이샤 히다치 세이사꾸쇼 열전 변환 모듈
CN104211024B (zh) * 2013-06-04 2016-02-10 中国科学院上海硅酸盐研究所 P型可逆相变高性能热电材料及其制备方法
GB201414427D0 (en) * 2014-08-14 2014-10-01 Ibm Memory device and method for thermoelectric heat confinement
CN106449957B (zh) * 2016-11-14 2021-12-10 苏州科技大学 一种碲化铋基p型热电材料及其制备方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH043475A (ja) * 1990-04-20 1992-01-08 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電子部品
JP2004119647A (ja) * 2002-09-26 2004-04-15 Toshiba Corp 熱電変換材料及びそれを用いた熱電変換素子
JP2004253618A (ja) * 2003-02-20 2004-09-09 Japan Science & Technology Agency 熱電変換材料
JP2005330570A (ja) * 2004-05-21 2005-12-02 National Institute Of Advanced Industrial & Technology ホイスラー構造の合金及びその製造方法
JP2010135620A (ja) * 2008-12-05 2010-06-17 Sumitomo Metal Mining Co Ltd 熱電変換モジュールとこれを用いた発電装置

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0455051B1 (en) * 1990-04-20 1998-12-23 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Thermoelectric semiconductor having a porous structure deaerated into a vacuum and thermoelectric panel
WO2013035148A1 (ja) * 2011-09-05 2013-03-14 株式会社日立製作所 熱電変換素子及びそれを用いた熱電変換モジュール
KR101680557B1 (ko) * 2012-05-22 2016-11-29 가부시끼가이샤 히다치 세이사꾸쇼 열전 변환 모듈
JP6094136B2 (ja) * 2012-10-12 2017-03-29 日立化成株式会社 熱電変換素子組立体及び熱電変換モジュール及びその製造方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH043475A (ja) * 1990-04-20 1992-01-08 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電子部品
JP2004119647A (ja) * 2002-09-26 2004-04-15 Toshiba Corp 熱電変換材料及びそれを用いた熱電変換素子
JP2004253618A (ja) * 2003-02-20 2004-09-09 Japan Science & Technology Agency 熱電変換材料
JP2005330570A (ja) * 2004-05-21 2005-12-02 National Institute Of Advanced Industrial & Technology ホイスラー構造の合金及びその製造方法
JP2010135620A (ja) * 2008-12-05 2010-06-17 Sumitomo Metal Mining Co Ltd 熱電変換モジュールとこれを用いた発電装置

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015005653A (ja) * 2013-06-21 2015-01-08 株式会社デンソー 熱電変換材料
EP2886669A1 (en) 2013-11-19 2015-06-24 Hitachi Metals, Ltd. Thermoelectric conversion material and thermoelectric conversion module using the same
JPWO2016163262A1 (ja) * 2015-04-08 2018-03-08 日立金属株式会社 熱電変換材料およびその製造方法
WO2016163262A1 (ja) * 2015-04-08 2016-10-13 日立金属株式会社 熱電変換材料およびその製造方法
US10297738B2 (en) 2015-04-08 2019-05-21 Hitachi Metals, Ltd. Thermoelectric conversion material comprising a full-Heusler alloy and method for manufacturing the same by alloying and successively heating a raw material
JPWO2016185852A1 (ja) * 2015-05-15 2018-04-05 日立金属株式会社 熱電変換材料
CN107534078A (zh) * 2015-05-15 2018-01-02 日立金属株式会社 热电转换材料
WO2016185852A1 (ja) * 2015-05-15 2016-11-24 日立金属株式会社 熱電変換材料
CN107534078B (zh) * 2015-05-15 2019-12-17 日立金属株式会社 热电转换材料
US10497848B2 (en) * 2015-05-29 2019-12-03 Hitachi, Ltd. Thermoelectric conversion material
WO2018135286A1 (ja) * 2017-01-20 2018-07-26 日立金属株式会社 p型熱電変換材料、熱電変換モジュール及びp型熱電変換材料の製造方法
JPWO2018135286A1 (ja) * 2017-01-20 2019-07-04 日立金属株式会社 p型熱電変換材料、熱電変換モジュール及びp型熱電変換材料の製造方法
US10833236B2 (en) 2017-01-20 2020-11-10 Hitachi Metals, Ltd. P-type thermoelectric conversion material, thermoelectric conversion module, and method of manufacturing p-type thermoelectric conversion material

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