WO2013030943A1 - 半導体装置 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 123
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 86
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 12
- 230000007423 decrease Effects 0.000 abstract description 5
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 4
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 4
- 108091006146 Channels Proteins 0.000 description 3
- 102000004129 N-Type Calcium Channels Human genes 0.000 description 3
- 108090000699 N-Type Calcium Channels Proteins 0.000 description 3
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 3
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
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- H01L29/739—Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals controlled by field-effect, e.g. bipolar static induction transistors [BSIT]
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- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
- H01L29/08—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions with semiconductor regions connected to an electrode carrying current to be rectified, amplified or switched and such electrode being part of a semiconductor device which comprises three or more electrodes
- H01L29/083—Anode or cathode regions of thyristors or gated bipolar-mode devices
- H01L29/0834—Anode regions of thyristors or gated bipolar-mode devices, e.g. supplementary regions surrounding anode regions
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- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/402—Field plates
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- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/70—Bipolar devices
- H01L29/72—Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals
- H01L29/739—Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals controlled by field-effect, e.g. bipolar static induction transistors [BSIT]
- H01L29/7393—Insulated gate bipolar mode transistors, i.e. IGBT; IGT; COMFET
- H01L29/7395—Vertical transistors, e.g. vertical IGBT
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/70—Bipolar devices
- H01L29/72—Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals
- H01L29/739—Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals controlled by field-effect, e.g. bipolar static induction transistors [BSIT]
- H01L29/7393—Insulated gate bipolar mode transistors, i.e. IGBT; IGT; COMFET
- H01L29/7395—Vertical transistors, e.g. vertical IGBT
- H01L29/7396—Vertical transistors, e.g. vertical IGBT with a non planar surface, e.g. with a non planar gate or with a trench or recess or pillar in the surface of the emitter, base or collector region for improving current density or short circuiting the emitter and base regions
- H01L29/7397—Vertical transistors, e.g. vertical IGBT with a non planar surface, e.g. with a non planar gate or with a trench or recess or pillar in the surface of the emitter, base or collector region for improving current density or short circuiting the emitter and base regions and a gate structure lying on a slanted or vertical surface or formed in a groove, e.g. trench gate IGBT
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- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/86—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable only by variation of the electric current supplied, or only the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched
- H01L29/861—Diodes
- H01L29/8613—Mesa PN junction diodes
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- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
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- H01L29/872—Schottky diodes
- H01L29/8725—Schottky diodes of the trench MOS barrier type [TMBS]
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- H01L29/0696—Surface layout of cellular field-effect devices, e.g. multicellular DMOS transistors or IGBTs
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Abstract
Description
図1,2に示す半導体装置1は、IGBTとダイオードが同一の半導体基板100に形成されたRC-IGBTである。なお、図1に示す平面図は、半導体基板100の表面に形成された表面電極101の図示を省略しており、半導体基板100の表面を図示している。また、半導体装置1は、複数のIGBT領域と複数のダイオード領域が交互に配置されており、IGBT領域とダイオード領域の境界を複数有している。図1,2は、複数のIGBT領域とダイオード領域の境界のうちの1つを図示しており、半導体装置1の複数の境界は、いずれも図1,2と同様の構成を有している。
<IGBT動作時>
裏面電極102の電位Vaを表面電極101の電位Vbよりも高電位とし(Va>Vb)、ゲート電極133,143に正電圧(正バイアス)を印加すると、IGBTボディ層134において、絶縁ゲート140の近傍にチャネルが形成される。このチャネルを通って、多数キャリアである電子がエミッタ層136からドリフト層113に注入される。また、コレクタ層117からドリフト層113へ正孔が注入される。少数キャリアである正孔がドリフト層113に注入されると、ドリフト層113において伝導率変調が起こり、ドリフト層113の抵抗が低くなる。このように電子と正孔が移動することによって、半導体基板100の裏面側(コレクタ層117側)から表面側(エミッタ層136側)に向かうIGBT電流が流れる。
次に、裏面電極102の電位Vaを表面電極101の電位Vbよりも低くすると(Va<Vb)、図3の実線に示すように、ダイオード領域11では、第1アノード層116および第2アノード層115から、ダイオードボディ層114を介して、ドリフト層113に正孔が注入される。これによって、第1アノード層116および第2アノード層115側からカソード層111側へダイオード電流(還流電流)が流れる。このとき、ダイオード領域11の近傍のIGBT領域13においても、図3の破線に示すように、ボディコンタクト層135から、ダイオードボディ層114を介して、ドリフト層113に正孔が注入される。ボディコンタクト層から注入された正孔は、ダイオード領域11のカソード層111に向かって移動する。ボディコンタクト層から注入された正孔によって、ダイオード領域11の順方向電圧が低減される。
上記の実施例では、ダイオード領域のうち、IGBT領域に近接する部分に位置する第1アノード層のみ幅が大きい場合を例示して説明したが、これに限定されない。例えば、ダイオード領域の全体において、アノード層の幅がボディコンタクト層の幅よりも大きくてもよい。すなわち、図4に示す半導体装置2のように、図1に示す第1アノード層116と同じ幅D2を有するアノード層216が全体に形成されているダイオード領域21を備えていてもよい。図1と同様に、アノード層216のx方向の幅D2は、ボディコンタクト層135の幅D1よりも大きく、アノード層216の半導体基板平面方向の面積は、ボディコンタクト層135の半導体基板平面方向の面積よりも大きい。その他の構成は、図1に示す半導体装置1と同様であるため、重複説明を省略する。ダイオード領域21の全体において、アノード層216の半導体基板平面方向の面積は、ボディコンタクト層135の半導体基板平面方向の面積よりも大きいため、ボディコンタクト層135からダイオード領域21側に移動する正孔の影響をより小さくすることができる。これによって、ボディコンタクト層135から注入された正孔に起因する順方向電圧の上昇幅を減らし、熱損失を低減する効果をより顕著に得ることができる。
Claims (3)
- ダイオード領域とIGBT領域が同一半導体基板に形成されている半導体装置であって、
ダイオード領域は、
半導体基板の表面に露出しており、互いに隔離されている複数の第1導電型のアノード層と、
アノード層の裏面側に形成されており、アノード層よりも第1導電型の不純物濃度が低い、第1導電型のダイオードボディ層と、
ダイオードボディ層の裏面側に形成されている第2導電型のダイオードドリフト層と、
ダイオードドリフト層の裏面側に形成されており、ダイオードドリフト層より第2導電型の不純物濃度が高い、第2導電型のカソード層と、
を備えており、
IGBT領域は、
半導体基板の表面に露出している第2導電型のエミッタ層と、
半導体基板の表面に露出しており、互いに隔離されている複数の第1導電型のボディコンタクト層と、
エミッタ層およびボディコンタクト層の裏面側に形成されており、ボディコンタクト層よりも第1導電型の不純物濃度が低い、第1導電型のIGBTボディ層と、
IGBTボディ層の裏面側に形成されている第2導電型のIGBTドリフト層と、
IGBTドリフト層の裏面側に形成されている第1導電型のコレクタ層と、
エミッタ層とIGBTドリフト層を分離している範囲のIGBTボディ層に絶縁膜を介して対向しているIGBTゲート電極と、
を備えており、
アノード層は、少なくとも1以上の第1アノード層を備えており、
第1アノード層は、少なくともIGBT領域に近接する位置に形成されており、
第1アノード層のそれぞれの半導体基板平面方向の面積は、ダイオード領域に最も近接するボディコンタクト層の半導体基板平面方向の面積よりも大きい、半導体装置。 - アノード層は、第1アノード層よりもIGBT領域から遠い位置に形成された少なくとも1以上の第2アノード層をさらに備えており、第2アノード層のそれぞれの半導体基板平面方向の面積は、第1アノード層のそれぞれの半導体基板平面方向の面積よりも小さい、請求項1に記載の半導体装置。
- 第2アノード層のそれぞれの半導体基板平面方向の面積は、ダイオード領域に最も近接するボディコンタクト層の半導体基板平面方向の面積よりも大きい、請求項1または2に記載の半導体装置。
Priority Applications (11)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2014107428/28A RU2562934C1 (ru) | 2011-08-30 | 2011-08-30 | Полупроводниковое устройство |
MX2014002269A MX2014002269A (es) | 2011-08-30 | 2011-08-30 | Dispositivo de semiconductor. |
AU2011375931A AU2011375931B2 (en) | 2011-08-30 | 2011-08-30 | Semiconductor device |
EP11871470.8A EP2752875B1 (en) | 2011-08-30 | 2011-08-30 | Semiconductor device |
PCT/JP2011/069542 WO2013030943A1 (ja) | 2011-08-30 | 2011-08-30 | 半導体装置 |
US14/240,883 US9379224B2 (en) | 2011-08-30 | 2011-08-30 | Semiconductor device |
KR1020147004000A KR101544332B1 (ko) | 2011-08-30 | 2011-08-30 | 반도체 장치 |
JP2013530924A JP5630582B2 (ja) | 2011-08-30 | 2011-08-30 | 半導体装置 |
BR112014002246-1A BR112014002246B1 (pt) | 2011-08-30 | 2011-08-30 | dispositivo semicondutor |
MYPI2014700372A MY172025A (en) | 2011-08-30 | 2011-08-30 | Semiconductor device |
CN201180073082.7A CN103765582B (zh) | 2011-08-30 | 2011-08-30 | 半导体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/JP2011/069542 WO2013030943A1 (ja) | 2011-08-30 | 2011-08-30 | 半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
WO2013030943A1 true WO2013030943A1 (ja) | 2013-03-07 |
Family
ID=47755496
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
PCT/JP2011/069542 WO2013030943A1 (ja) | 2011-08-30 | 2011-08-30 | 半導体装置 |
Country Status (10)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9379224B2 (ja) |
EP (1) | EP2752875B1 (ja) |
JP (1) | JP5630582B2 (ja) |
KR (1) | KR101544332B1 (ja) |
CN (1) | CN103765582B (ja) |
AU (1) | AU2011375931B2 (ja) |
BR (1) | BR112014002246B1 (ja) |
MX (1) | MX2014002269A (ja) |
RU (1) | RU2562934C1 (ja) |
WO (1) | WO2013030943A1 (ja) |
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- 2011-08-30 KR KR1020147004000A patent/KR101544332B1/ko active IP Right Grant
- 2011-08-30 WO PCT/JP2011/069542 patent/WO2013030943A1/ja active Application Filing
- 2011-08-30 AU AU2011375931A patent/AU2011375931B2/en active Active
- 2011-08-30 JP JP2013530924A patent/JP5630582B2/ja active Active
- 2011-08-30 MX MX2014002269A patent/MX2014002269A/es active IP Right Grant
- 2011-08-30 CN CN201180073082.7A patent/CN103765582B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2011-08-30 US US14/240,883 patent/US9379224B2/en active Active
- 2011-08-30 EP EP11871470.8A patent/EP2752875B1/en active Active
- 2011-08-30 RU RU2014107428/28A patent/RU2562934C1/ru active
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RU2562934C1 (ru) | 2015-09-10 |
BR112014002246B1 (pt) | 2020-11-10 |
US9379224B2 (en) | 2016-06-28 |
AU2011375931B2 (en) | 2014-07-24 |
EP2752875B1 (en) | 2017-11-29 |
BR112014002246A2 (pt) | 2017-02-21 |
US20140217465A1 (en) | 2014-08-07 |
AU2011375931A1 (en) | 2014-03-13 |
CN103765582B (zh) | 2016-08-24 |
MX2014002269A (es) | 2014-04-25 |
JPWO2013030943A1 (ja) | 2015-03-23 |
KR101544332B1 (ko) | 2015-08-12 |
CN103765582A (zh) | 2014-04-30 |
EP2752875A1 (en) | 2014-07-09 |
EP2752875A4 (en) | 2015-11-18 |
JP5630582B2 (ja) | 2014-11-26 |
KR20140048282A (ko) | 2014-04-23 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
121 | Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application |
Ref document number: 11871470 Country of ref document: EP Kind code of ref document: A1 |
|
ENP | Entry into the national phase |
Ref document number: 2013530924 Country of ref document: JP Kind code of ref document: A |
|
ENP | Entry into the national phase |
Ref document number: 20147004000 Country of ref document: KR Kind code of ref document: A |
|
REEP | Request for entry into the european phase |
Ref document number: 2011871470 Country of ref document: EP |
|
WWE | Wipo information: entry into national phase |
Ref document number: 2011871470 Country of ref document: EP |
|
WWE | Wipo information: entry into national phase |
Ref document number: 14240883 Country of ref document: US |
|
WWE | Wipo information: entry into national phase |
Ref document number: MX/A/2014/002269 Country of ref document: MX |
|
NENP | Non-entry into the national phase |
Ref country code: DE |
|
ENP | Entry into the national phase |
Ref document number: 2011375931 Country of ref document: AU Date of ref document: 20110830 Kind code of ref document: A |
|
ENP | Entry into the national phase |
Ref document number: 2014107428 Country of ref document: RU Kind code of ref document: A |
|
REG | Reference to national code |
Ref country code: BR Ref legal event code: B01A Ref document number: 112014002246 Country of ref document: BR |
|
ENP | Entry into the national phase |
Ref document number: 112014002246 Country of ref document: BR Kind code of ref document: A2 Effective date: 20140129 |