WO2012147964A1 - 金属ナノワイヤを含有する分散液および導電膜 - Google Patents

金属ナノワイヤを含有する分散液および導電膜 Download PDF

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Definitions

  • the present invention relates to a dispersion containing metal nanowires and a conductive film formed using the dispersion.
  • Patent Documents 1 to 3 As such a conductive material, it is already known that porous alumina is used as a template in nanomaterial production (see Patent Documents 1 to 3). The inside of the pores of the anodic oxide film is filled with a metal having an aspect ratio of 5 or more, and after filling, is fired in an inert gas atmosphere or in a vacuum at a temperature of 300 ° C. or higher and 1000 ° C. or lower to obtain crystallinity. Nanopillar or nanorod metal member that is improved and removes the anodized film and becomes a metal member having an aspect ratio of 5 or more has been proposed (Patent Document 4).
  • the present inventor has incorporated the nanowire described in Patent Document 4 into the dispersion.
  • the dispersion stability may be deteriorated.
  • an object of the present invention is to provide a dispersion containing metal nanowires excellent in dispersion stability and a conductive film formed using the dispersion.
  • the present inventor has found that a dispersion liquid excellent in dispersion stability can be prepared by using a specific metal and a metal nanowire having a diameter satisfying a specific coefficient of variation.
  • the headline and the present invention were completed. That is, the present invention provides the following (1) to (8).
  • a dispersion containing metal nanowires The diameter of the metal nanowire is 10 to 200 nm, the coefficient of variation in diameter is less than 30%, and the ratio of length to diameter (length / diameter) is 10 or more;
  • a dispersion in which the metal nanowire is a metal member mainly composed of at least one metal selected from the group consisting of gold, nickel and copper.
  • FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing an example of a method for producing metal nanowires contained in the dispersion of the present invention.
  • the dispersion of the present invention is a dispersion containing metal nanowires, wherein the metal nanowires have a diameter of 10 to 200 nm, a diameter variation coefficient of less than 30%, and a ratio of length to diameter (length / Diameter) is 10 or more, and the metal nanowire is a metal member mainly composed of at least one metal selected from the group consisting of gold (Au), nickel (Ni) and copper (Cu) It is.
  • Au gold
  • Ni nickel
  • Cu copper
  • the diameter of the metal nanowire contained in the dispersion of the present invention is 10 to 200 nm from the viewpoint of the stability of the metal nanowire itself. Further, the diameter of the metal nanowire is preferably 10 to 100 nm, preferably 10 to 50 nm, because transparency is ensured and the dispersion of the present invention can be suitably used for forming a transparent conductive film. Is more preferable.
  • the diameter of the metal nanowire can be determined, for example, by observing a TEM image using a field emission scanning electron microscope (FE-SEM) or a transmission electron microscope (TEM). The diameter of the metal nanowire is obtained from an average value of 300 metal nanowires observed by FE-SEM.
  • the coefficient of variation (CV: Coefficient of Variation) of the metal nanowire is less than 30%, preferably 5 to 20%, more preferably 5 to 10%.
  • the coefficient of variation of the diameter of the metal nanowire is obtained from the following equation, for example, by measuring the diameter of 300 nanowires from a transmission electron microscope (TEM) image and calculating the standard deviation and average value thereof. be able to.
  • (Difference coefficient of diameter) (Standard deviation of diameter) / (Average of diameter)
  • the ratio of the length to the diameter of the metal nanowire (length / diameter) (hereinafter also referred to as “aspect ratio”) is 10 or more.
  • the aspect ratio is within the above range, the entanglement between the metal nanowires is suppressed, and the dispersion stability of the dispersion of the present invention is improved.
  • the aspect ratio of the metal nanowire makes the dispersion stability of the dispersion of the present invention better, and the amount used when forming a conductive film using the dispersion of the present invention is reduced.
  • the dispersion can be suitably used for the preparation of the transparent conductive film, it is preferably 2000 or less, more preferably 100 to 1000.
  • the metal nanowire contained in the dispersion of the present invention is a metal member mainly composed of at least one metal selected from the group consisting of Au, Ni, and Cu.
  • the main body means that 80% by mass or more of any one of Au, Ni and Cu among the metals constituting the metal nanowire is constituted.
  • the metal nanowire has a core material and a surface layer covering the core material,
  • the metal constituting the surface layer is preferably different from the metal constituting the surface layer.
  • the core material of the metal nanowire is composed mainly of Ni or Cu
  • the surface layer covering the core material is composed mainly of Au. More preferably.
  • the core material is mainly composed of Cu and covers the core material.
  • the surface layer to be formed is a metal nanowire mainly composed of Au and an intermediate layer mainly composed of Ni provided therebetween.
  • the content (concentration) of the metal nanowires contained in the dispersion of the present invention is such that the dispersion stability over time is maintained well and the uniformity during dilution is also good.
  • the content is preferably from 0.1 to 30% by mass, more preferably from 0.1 to 25% by mass, based on the total mass of the dispersion.
  • the manufacturing method of the metal nanowire contained in the dispersion liquid of the present invention is not particularly limited.
  • an insulating base material having a through hole is used as a starting material, and a predetermined metal is placed inside the through hole. After filling, it can be produced by a method of dissolving and removing only the insulating base material.
  • the insulating base material having a through hole is preferably an alumina base material obtained by subjecting aluminum to an anodizing treatment.
  • the metal nanowires 10 contained in the dispersion liquid (not shown) of the present invention are attached to the aluminum substrate 1 at least.
  • a process for forming an anodized film 3 having micropores 2 by anodizing (anodizing);
  • a treatment for removing an aluminum base material (referring to a portion of the aluminum substrate that has not been subjected to the anodization treatment; hereinafter the same) 4 from the anodized film 3 formed by the anodization treatment.
  • a treatment for penetrating the micropores 2 existing in the anodized film 3 from which the aluminum substrate 4 has been removed by the aluminum substrate removal treatment (penetration treatment);
  • a treatment for dissolving and removing the anodized film 3 (anodized film removing treatment) can be performed in this order.
  • the aluminum substrate is not particularly limited, and specific examples thereof include a pure aluminum plate; an alloy plate containing aluminum as a main component and containing a trace amount of foreign elements; and depositing high-purity aluminum on low-purity aluminum (for example, recycled material).
  • the substrate include: a substrate in which high purity aluminum is coated on the surface of a silicon wafer, quartz, glass or the like by a method such as vapor deposition or sputtering; a resin substrate in which aluminum is laminated;
  • the surface to be anodized which will be described later, preferably has an aluminum purity of 99.5% by mass or more, more preferably 99.9% by mass or more, 99 More preferably, it is at least 99 mass%.
  • the aluminum purity is in the above range, the micropores are sufficiently independent, and the independence when the through holes obtained by penetrating the micropores are filled with metal is maintained. ) Is preferable because metal nanowires can be obtained independently of each other.
  • the surface of the aluminum substrate to be subjected to anodization described later is preferably subjected to degreasing and mirror finishing in advance, and in particular, from the viewpoint of improving the independence of the micropores. It is preferable to perform heat treatment beforehand.
  • Heat treatment When heat treatment is performed, it is preferably performed at 200 to 350 ° C. for about 30 seconds to 2 minutes. Specifically, for example, a method of placing an aluminum substrate in a heating oven can be used. By performing such heat treatment, the independence of micropores generated by an anodic oxidation process described later is improved. Moreover, it is preferable to cool the aluminum substrate after heat treatment rapidly. As a method for cooling, for example, a method of directly putting it into water or the like can be mentioned.
  • the degreasing treatment uses acid, alkali, organic solvent, etc. to dissolve and remove the organic components such as dust, fat, and resin adhered to the surface of the aluminum substrate, and in each treatment described later due to the organic components. This is done for the purpose of preventing the occurrence of defects.
  • the degreasing treatment for example, a method in which an organic solvent such as various alcohols (for example, methanol), various ketones (for example, methyl ethyl ketone), benzine, volatile oil or the like is brought into contact with the aluminum substrate surface at room temperature (organic Solvent method); a method of bringing a solution containing a surfactant such as soap or neutral detergent into contact with the aluminum substrate surface at a temperature from room temperature to 80 ° C., and then washing with water (surfactant method); concentration of 10 to 200 g / L sulfuric acid aqueous solution is brought into contact with the aluminum substrate surface at a temperature from room temperature to 70 ° C.
  • organic Solvent method a method in which an organic solvent such as various alcohols (for example, methanol), various ketones (for example, methyl ethyl ketone), benzine, volatile oil or the like is brought into contact with the aluminum substrate surface at room temperature
  • organic Solvent method a method of bringing a solution containing
  • a sodium hydroxide aqueous solution having a concentration of 5 to 20 g / L is applied to the aluminum substrate surface at room temperature at 30 ° C. while contacting about seconds, the aluminum substrate surface and the electrolyte by passing a direct current of a current density of 1 ⁇ 10A / dm 2 in the cathode, the , A method of neutralizing by contacting an aqueous nitric acid solution having a concentration of 100 to 500 g / L; various known anodic oxidation electrolytes are brought into contact with the aluminum substrate surface at room temperature, and the aluminum substrate surface is used as a cathode and a current density of 1 to A method in which a direct current of 10 A / dm 2 is applied or an alternating current is applied for electrolysis; an alkaline aqueous solution having a concentration of 10 to 200 g / L is brought into contact with the aluminum substrate surface at 40 to 50 ° C.
  • the organic solvent method, the surfactant method, the emulsion degreasing method, and the phosphate method are preferable from the viewpoint that the fat content on the aluminum surface can be removed but the aluminum hardly dissolves.
  • a conventionally known degreasing agent can be used for the degreasing treatment.
  • various commercially available degreasing agents can be used by a predetermined method.
  • the mirror finishing process is performed in order to eliminate unevenness on the surface of the aluminum substrate, for example, rolling streaks generated during the rolling of the aluminum substrate, and improve the uniformity and reproducibility of the sealing process by an electrodeposition method or the like.
  • the mirror finish is not particularly limited, and a conventionally known method can be used. Examples thereof include mechanical polishing, chemical polishing, and electrolytic polishing.
  • Examples of mechanical polishing include a method of polishing with various commercially available polishing cloths, a method of combining various commercially available abrasives (for example, diamond, alumina) and buffs, and the like.
  • abrasive for example, diamond, alumina
  • buffs and the like.
  • the final polishing agent is preferably # 1500.
  • the glossiness can be 50% or more (in the case of rolled aluminum, both the rolling direction and the width direction are 50% or more).
  • the gloss can be 70% or more (in the case of rolled aluminum, both the rolling direction and the width direction are 70% or more).
  • a surface having an average surface roughness R a of 0.1 ⁇ m or less and a glossiness of 50% or more can be obtained.
  • the average surface roughness Ra is preferably 0.03 ⁇ m or less, and more preferably 0.02 ⁇ m or less.
  • the glossiness is preferably 70% or more, and more preferably 80% or more.
  • the glossiness is a regular reflectance determined in accordance with JIS Z8741-1997 “Method 3 60 ° Specular Gloss” in the direction perpendicular to the rolling direction.
  • variable angle gloss meter for example, VG-1D, manufactured by Nippon Denshoku Industries Co., Ltd.
  • the incident reflection angle is 60 degrees and the regular reflectance is 70%.
  • the incident / reflection angle is 20 degrees.
  • the anodizing treatment is a step of forming an anodized film having micropores on the aluminum substrate surface by anodizing the aluminum substrate.
  • a conventionally known method can be used as the anodic oxidation treatment.
  • Anodization treatment by a self-ordering method described in JP-A No. 2007-389898, JP-A 2010-189695, and the like is preferable. These processes are preferably the processes described in the processing conditions of each patent and publication.
  • an imprint method a transfer method or a press patterning method in which a substrate or a roll having protrusions is pressed against an aluminum plate to form a recess.
  • a method of forming a depression by pressing a substrate having a plurality of protrusions on the surface thereof against the surface of the aluminum substrate can be mentioned.
  • the method described in JP-A-10-121292 can be used.
  • the particle beam method is a method of forming a depression by irradiating the surface of an aluminum substrate with a particle beam.
  • the particle beam method has an advantage that the position of the depression can be freely controlled.
  • Examples of the particle beam include a charged particle beam, a focused ion beam (FIB), and an electron beam.
  • FIB focused ion beam
  • the particle beam method for example, a method described in JP-A-2001-105400 can be used.
  • the block copolymer method is a method in which a block copolymer layer is formed on the surface of an aluminum substrate, a sea island structure is formed in the block copolymer layer by thermal annealing, and then the island portion is removed to form a depression.
  • a method described in JP-A No. 2003-129288 can be used.
  • the resist pattern / exposure / etching method forms a resist film on the aluminum substrate surface by photolithography or electron beam lithography, exposes and develops the resist film, forms a resist pattern, and then etches it. This is a method of forming a recess penetrating to the aluminum substrate surface.
  • anodizing should be performed after providing an electrolytic starting point to the aluminum substrate surface by these treatments.
  • an anodic oxide film having independent micropores can be formed on the surface of the aluminum substrate.
  • the aluminum removal treatment is a step of dissolving and removing the aluminum base material from the anodized film formed by the anodization treatment.
  • the aluminum dissolution rate is 1 ⁇ m / min or more, preferably 3 ⁇ m / min or more, more preferably 5 ⁇ m / min or more
  • the anodic oxide film (alumina) dissolution rate is 0.1 nm / min or less, preferably 0.05 nm / min or less.
  • a treatment liquid having a condition of 0.01 nm / min or less is used.
  • a treatment liquid containing at least one metal compound having a lower ionization tendency than aluminum and having a pH of 4 or less and 8 or more, preferably 3 or less and 9 or more, more preferably 2 or less and 10 or more is used.
  • Such a treatment liquid is not particularly limited as long as it does not dissolve the anodized film (alumina) and dissolves aluminum, but for example, mercury chloride, bromine / methanol mixture, bromine / ethanol mixture, aqua regia, An aqueous solution such as a hydrochloric acid / copper chloride mixture may be used.
  • the concentration is preferably from 0.01 to 10 mol / L, more preferably from 0.05 to 5 mol / L.
  • the treatment temperature is preferably ⁇ 10 ° C. to 80 ° C., and preferably 0 ° C. to 60 ° C.
  • the dissolution of the aluminum base material is performed by bringing the aluminum substrate after the anodizing treatment into contact with the treatment liquid described above.
  • the method of making it contact is not specifically limited, For example, the immersion method and the spray method are mentioned. Of these, the dipping method is preferred.
  • the contact time at this time is preferably 10 seconds to 5 hours, more preferably 1 minute to 3 hours.
  • the film thickness of the anodized film after dissolution of the aluminum base material is preferably 1 to 1000 ⁇ m, and more preferably 10 to 500 ⁇ m.
  • the anodized film is preferably washed with water before the micropores are penetrated by the procedure described later.
  • the water washing treatment is preferably performed at 30 ° C. or lower.
  • the penetration process is a process of penetrating micropores existing in the anodized film by removing only the bottom of the anodized film from the anodized film from which the aluminum substrate has been removed by the aluminum substrate removal process. It is.
  • This treatment can be performed by bringing only the bottom of the anodized film into contact with an acid aqueous solution or an alkali aqueous solution. By removing the bottom of the anodized film, the micropores penetrate and a through hole is formed.
  • the bottom of the anodized film is removed by pre-soaking in a pH buffer solution and filling the hole with the pH buffer solution from the opening side of the micropore, and then on the opposite side of the opening, that is, on the bottom of the anodized film. It is preferably carried out by a method of contacting with an acid aqueous solution or an alkali aqueous solution.
  • an aqueous acid solution When an aqueous acid solution is used for this treatment, it is preferable to use an aqueous solution of an inorganic acid such as sulfuric acid, phosphoric acid, nitric acid, hydrochloric acid, or a mixture thereof.
  • the concentration of the acid aqueous solution is preferably 1 to 10% by mass.
  • the temperature of the aqueous acid solution is preferably 25 to 40 ° C.
  • alkaline aqueous solution for this process it is preferable to use the aqueous solution of at least 1 alkali selected from the group which consists of sodium hydroxide, potassium hydroxide, and lithium hydroxide.
  • the concentration of the alkaline aqueous solution is preferably 0.1 to 5% by mass.
  • the temperature of the alkaline aqueous solution is preferably 20 to 35 ° C. Specifically, for example, 50 g / L, 40 ° C. phosphoric acid aqueous solution, 0.5 g / L, 30 ° C. sodium hydroxide aqueous solution or 0.5 g / L, 30 ° C. potassium hydroxide aqueous solution is preferably used. .
  • the immersion time in the acid aqueous solution or alkali aqueous solution is preferably 8 to 120 minutes, more preferably 10 to 90 minutes, and further preferably 15 to 60 minutes.
  • the film thickness of the anodized film after the micropores are penetrated is preferably 1 to 1000 ⁇ m, and more preferably 10 to 500 ⁇ m.
  • the anodized film is washed with water.
  • the water washing treatment is preferably performed at 30 ° C. or lower.
  • the penetration process a process other than the process described above may be used as long as the micropores generated in the anodizing process can be penetrated.
  • the aluminum substrate is dissolved by the aluminum substrate removal treatment from the aluminum substrate on which the anodized film having micropores is formed by the anodization treatment, and then the anodized film by the penetration treatment.
  • the micropores are penetrated by partially dissolving and removing the bottom portion of the anodized film, for example, a process of simultaneously removing the aluminum substrate and penetrating the micropores may be used.
  • the portion below the anodized film formed by the anodizing treatment that is, the aluminum substrate side portion of the anodized film is physically removed by using a cutting process using a laser or various polishing processes.
  • a method of forming an anodic oxide film (insulating base material) having through holes is preferably exemplified.
  • the metal filling process is a step of filling a metal into the through hole of the anodic oxide film.
  • a method of filling the metal in the through hole an electrolytic plating method or an electroless plating method can be used.
  • the method of performing the following treatments (1) and (2) in this order using the electrolytic plating method is preferable because the through holes can be filled with a metal at a high filling rate.
  • the electrode formation process is a process for forming an electrode film without voids on one surface of the anodized film having a through hole after the penetration process.
  • An opening due to a through hole exists on the surface of the anodized film, but by forming an electrode film without voids on the surface of the anodized film by this treatment, one opening of the through hole becomes an electrode film. It becomes the state covered with.
  • the method for forming the electrode film is not particularly limited as long as an electrode film without voids can be formed on one surface of the anodized film having a through hole.
  • electroless plating treatment of metal, direct coating of metal, and the like are preferable, and among these, electroless plating treatment is preferable from the viewpoint of uniformity of the electrode film and ease of operation.
  • the electrode film forming process when an electroless plating process is used, it is necessary to provide the plating nucleus to one surface of the anodized film. Specifically, a metal or metal compound of the same type as the metal to be applied by electroless plating, or a metal or metal compound having a higher ionization tendency than the metal to be applied by electroless plating is applied to one surface of the anodized film.
  • the imparting method is preferred. Examples of the application method include a method in which a metal or a metal compound is deposited or directly applied, but is not particularly limited. After providing the plating nucleus as described above, an electrode film is formed by electroless plating.
  • the treatment method is preferably an immersion method from the viewpoint that the thickness of the electrode layer can be controlled by temperature and time.
  • the type of electroless plating solution conventionally known ones can be used, but the concentration is preferably 1 to 300 g / L, more preferably 100 to 200 g / L.
  • a plating solution having a noble metal such as a gold plating solution, a copper plating solution, or a silver plating solution is preferable, and the electrode stability over time, that is, the viewpoint of preventing deterioration due to oxidation. Therefore, a gold plating solution is more preferable.
  • the thickness of the electrode film to be formed is preferably 0.05 ⁇ m to 100 ⁇ m, more preferably 0.1 ⁇ m to 50 ⁇ m, and particularly preferably 0.2 ⁇ m to 20 ⁇ m. If the thickness is smaller than this range, the conductivity as the electrode film becomes insufficient, and if it is thicker than the range, it takes time to form the electrode film.
  • the treatment temperature and treatment time of electroless plating are preferably 0 ° C. to 90 ° C. and 1 minute to 10 hours, although depending on the thickness of the electrode that can be formed, 5 ° C. to 75 ° C., 10 minutes to 7 Time is more preferable, and 10 ° C. to 60 ° C., 30 minutes to 5 hours is particularly preferable.
  • the metal filling process is a process of filling a metal in the through hole of the anodic oxide film by an electrolytic plating process using the formed electrode film after the electrode film forming process.
  • the conventionally known electroplating treatment used for coloring or the like it is difficult to selectively deposit (grow) a metal in the through hole with a high aspect ratio. This is presumably because the deposited metal is consumed in the through-holes and the plating does not grow even if electrolysis is performed for a certain time or longer. Therefore, in the present invention, it is preferable to provide a downtime during pulse electrolysis or constant potential electrolysis when filling the metal by electrolytic plating.
  • the rest time is required to be 10 seconds or more, and preferably 30 to 60 seconds. It is also desirable to apply ultrasonic waves to promote stirring of the electrolyte.
  • the electrolytic voltage is usually 20 V or less, preferably 10 V or less, but it is preferable to measure the deposition potential of the target metal in the electrolytic solution to be used in advance and perform constant potential electrolysis within the potential +1 V.
  • the electrolytic voltage is usually 20 V or less, preferably 10 V or less, but it is preferable to measure the deposition potential of the target metal in the electrolytic solution to be used in advance and perform constant potential electrolysis within the potential +1 V.
  • potentiostat apparatuses such as Solartron, BAS, Hokuto Denko, and IVIUM, can be used.
  • a conventionally well-known plating solution can be used for a plating solution.
  • an aqueous copper sulfate solution is generally used.
  • the concentration of copper sulfate is preferably 1 to 300 g / L, more preferably 100 to 200 g / L. preferable.
  • precipitation can be promoted by adding hydrochloric acid to the electrolytic solution.
  • the hydrochloric acid concentration is preferably 10 to 20 g / L.
  • gold when gold is deposited, it is desirable to perform a plating process by alternating current electrolysis using a sulfuric acid solution of tetrachlorogold.
  • an aqueous nickel sulfate solution is generally used, but the concentration of nickel sulfate is preferably 1 to 300 g / L.
  • a method of forming a protective film by applying Si element called silicate treatment to the inner surface of the through hole is preferably exemplified.
  • a method for forming a protective film by applying Si element to the inner surface of the through hole is not particularly limited.
  • a general method is to immerse directly in an aqueous solution in which an alkali metal silicate is dissolved. .
  • the aqueous solution of alkali metal silicate has a ratio of silicon oxide SiO 2 and alkali metal oxide M 2 O which is a component of silicate (generally expressed as a molar ratio of [SiO 2 ] / [M 2 O]).
  • the protective film thickness can be adjusted by the concentration.
  • M sodium and potassium are particularly preferably used.
  • the molar ratio [SiO 2 ] / [M 2 O] is preferably from 0.1 to 5.0, more preferably from 0.5 to 3.0. Further, the content of SiO 2 is preferably 0.1 to 20% by mass, and more preferably 0.5 to 10% by mass.
  • the electrode film is removed from the surface of the oxide film, so that the state shown in FIG. 1E, that is, the state where the metal 6 is filled in the through hole 5 of the anodic oxide film 3 is obtained.
  • the metal 6 penetrates all the through holes 5 present in the anodized film 3, but the metal 6 penetrates all the through holes 5 present in the anodized film 3. It is not necessarily required to be.
  • the ratio of the through holes 5 filled with the metal 6 to the through holes 5 existing in the anodic oxide film 3, that is, the filling rate of the metal 6 is more than 80%. It is preferable because the metal nanowire can be formed.
  • the filling rate of the metal 6 is obtained by observing the surface of the insulating substrate 3 with an SEM and calculating the ratio of the number of through holes 5 filled with the metal 6 to the number of all through holes 5 in the field of view. Can be obtained.
  • the filling rate of the metal 6 is preferably 90% or more, and more preferably 95% or more.
  • the metal can be filled at a high filling rate with respect to the through holes present in the anodized film.
  • the filling rate of the metal with respect to the through hole can be 80% or more.
  • ⁇ Surface smoothing treatment> In the present invention, after the metal filling process, it is preferable to perform a surface smoothing process for smoothing the front and back surfaces of the anodized film by a chemical mechanical polishing (CMP) process.
  • CMP chemical mechanical polishing
  • the electrode film formed on one surface of the anodized film is removed.
  • the front and back surfaces of the anodized film after filling with metal can be smoothed and excess metal adhering to the surface can be removed.
  • CMP slurries such as PNANERLITE-7000 manufactured by Fujimi Incorporated, GPX HSC800 manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd., CL-1000 manufactured by AGC Seimi Chemical Co., etc. can be used. Since it is not desired to polish the oxide film, it is not preferable to use an interlayer insulating film or a barrier metal slurry.
  • the anodic oxide film removal treatment is a step of forming metal nanowires by dissolving and removing the anodic oxide film after the metal filling treatment.
  • the dissolution of the anodic oxide film does not dissolve the metal filled in the through-hole, but a solvent that selectively dissolves alumina can be used, and either an alkaline solution or an acid solution can be used.
  • the metal nanowires after the anodic oxide film is dissolved can be recovered by filtering the solvent in which the anodic oxide film is dissolved using a filter or the like.
  • the metal nanowires can be recovered using the following method as appropriate. You can also (A) When a strong alkali solution is used as the solvent, the metal nanowires are trapped by applying a strong electric field, only the solvent is replaced, and this can be repeated and recovered in a neutral dispersion solvent. (B) Separating in the same manner as flotation by generating nanobubbles. (C) Centrifuge. (D) The metal wire is ionized and separated by ion exchange.
  • Ni nanowires are trapped using magnetic force, only the solvent is replaced, and this can be repeated and recovered in a neutral dispersion solvent.
  • the above method (e) can be expanded and used by adding Ni to the metal nanowire (for example, a little Ni is filled at the end of the metal filling process, and the coated material is a magnetic material).
  • G) For those coated with Au, collect using a surface having —SH groups and collect.
  • the metal nanowire contained in the dispersion liquid of the present invention has a core material and a surface layer covering the core material, and the metal constituting the core material and the metal constituting the surface layer are preferably different.
  • the method of coating the metal nanowires with a metal is, for example, a plating method such as an electrolytic plating method, a reduction type electroless plating method, a substitutional electroless plating method (hereinafter referred to as “substitutional plating method”); Method; sputtering method; and the like.
  • the displacement plating method is used because the surface of each metal nanowire that has a very fine structure and is isolated can be covered with a thin layer with a thickness of several nanometers without changing its structure and morphology. Is preferred.
  • an aqueous solution containing a salt of a metal to be coated such as gold or nickel is used, and preferably contains 1 to 10 g / L (concentration) of ions of the metal to be coated.
  • the metal salt include potassium gold cyanide, chloroauric acid, and sodium gold sulfite. Of these, gold sodium sulfite is preferable because chemical damage to the plating object can be reduced.
  • the metal ion concentration is preferably 1 to 10 g / L. For example, when obtaining a uniform and dense film, 1 to 5 g / L is preferable in order to intentionally slow the deposition rate.
  • the pH is preferably in the range of 3 to 10 and particularly preferably in the range of 5 to 9 in order to reduce damage to the substrate.
  • the temperature of the plating solution is preferably 50 to 95 ° C. for promoting the plating reaction.
  • the coating film thickness can be controlled by setting conditions such as metal ion concentration, pH, temperature, etc. However, changing the solution conditions may change the properties of the plating film (for example, density). It is preferable to carry out by changing. At this time, taking into consideration damage to the substrate, production efficiency, etc., it is usually preferable to carry out in about 1 to 90 minutes.
  • the coating layer is heat-treated. It can be carried out.
  • the heat treatment temperature is preferably 30 to 200 ° C.
  • it is also effective to perform the heat treatment at a low temperature or to perform the heat treatment in an inert gas atmosphere such as nitrogen gas or argon gas.
  • Dispersion solvent As a dispersion solvent in the dispersion liquid of the present invention, water is mainly used, and an organic solvent miscible with water can be used in a proportion of 80% by volume or less.
  • an organic solvent for example, an alcohol compound having a boiling point of 50 ° C. to 250 ° C., more preferably 55 ° C. to 200 ° C. is preferably used.
  • the alcohol compound is not particularly limited and may be appropriately selected depending on the purpose. Specific examples thereof include polyethylene glycol, polypropylene glycol, alkylene glycol, glycerol and the like. These may be used alone.
  • ethylene glycol diethylene glycol, 1,2-propanediol, 1,3-propanediol, 1,2-butanediol, 1,3-butanediol, 1,4-butanediol having a low viscosity at room temperature
  • Those having a small carbon number such as 2,3-butanediol are preferred, but those having a large carbon number such as pentanediol, hexanediol, octanediol and polyethylene glycol can also be used.
  • the most preferred solvent is diethylene glycol.
  • surfactant In the dispersion of the present invention, it is preferable to use a surfactant because the dispersion stability becomes better.
  • the surfactant include nonionic surfactants, anionic surfactants, cationic surfactants, amphoteric surfactants, and fluorosurfactants. These may be used alone. Two or more kinds may be used in combination.
  • the said nonionic surfactant is not specifically limited, A conventionally well-known thing can be used.
  • polyoxyethylene alkyl ethers polyoxyethylene alkyl phenyl ethers, polyoxyethylene polystyryl phenyl ethers, polyoxyethylene polyoxypropylene alkyl ethers, glycerin fatty acid partial esters, sorbitan fatty acid partial esters, pentaerythritol Fatty acid partial esters, propylene glycol mono fatty acid esters, sucrose fatty acid partial esters, polyoxyethylene sorbitan fatty acid partial esters, polyoxyethylene sorbitol fatty acid partial esters, polyethylene glycol fatty acid esters, polyglycerin fatty acid partial esters, Polyoxyethylenated castor oil, polyoxyethylene glycerin fatty acid partial esters, fatty acid diethanolamides, N N-bis-2-hydroxyalkylamines, polyoxyethylene alkylamine, triethanolamine fatty acid
  • the said anionic surfactant is not specifically limited, A conventionally well-known thing can be used.
  • the cationic surfactant is not particularly limited, and conventionally known cationic surfactants can be used. Examples thereof include alkylamine salts, quaternary ammonium salts, polyoxyethylene alkylamine salts, and polyethylene polyamine derivatives.
  • amphoteric surfactant is not particularly limited, and conventionally known amphoteric surfactants can be used. Examples thereof include carboxybetaines, aminocarboxylic acids, sulfobetaines, aminosulfuric esters, and imidazolines.
  • polyoxyethylene can be read as “polyoxyalkylene” such as polyoxymethylene, polyoxypropylene, polyoxybutylene, etc. These surfactants can also be used.
  • preferred surfactants include fluorine surfactants containing a perfluoroalkyl group in the molecule.
  • fluorosurfactants include anionic types such as perfluoroalkyl carboxylates, perfluoroalkyl sulfonates, and perfluoroalkyl phosphates; amphoteric types such as perfluoroalkyl betaines; Cation type such as trimethylammonium salt; perfluoroalkylamine oxide, perfluoroalkylethylene oxide adduct, oligomer containing perfluoroalkyl group and hydrophilic group, oligomer containing perfluoroalkyl group and lipophilic group, perfluoroalkyl Nonionic types such as an oligomer containing a group, a hydrophilic group and a lipophilic group, and a urethane containing a perfluoroalkyl group and a lipophilic group. Also preferred are the fluorosurfact
  • the HLB value (Hydrophile-Lipophile Balance) is a value representing the degree of affinity of the surfactant to water and oil (an organic compound insoluble in water).
  • the HLB value takes a value from 0 to 20, and the closer to 0, the higher the lipophilicity and the closer to 20, the higher the hydrophilicity.
  • these surfactants may be used alone or in combination of two or more.
  • the content of these surfactants is preferably 0.001 to 10% by mass, more preferably 0.01 to 5% by mass, based on the total mass of the metal nanowire.
  • the dispersion liquid of the present invention not only maintains affinity for water and other solvents as a dispersion solvent, but also leads to improvement of the film quality of the conductive film formed using the dispersion liquid of the present invention.
  • an inorganic glass component containing at least one element selected from the group consisting of silicon, lithium, boron and phosphorus.
  • the inorganic glass component include raw material components such as silicate glass, borate glass, phosphate glass, and lithium salt glass, that is, sodium silicate, sodium borate, sodium phosphate, lithium metal oxide, and the like. be able to. Specifically, for example, No. 3 sodium silicate aqueous solution, Na borate (NaBO 3 ), Li nitrate, sodium dihydrogen phosphate, and the like.
  • the dispersion of the present invention is a water-soluble organic compound having a hydroxyl group, a carboxyl group, a sulfone group, a phosphate group, an amino group, an SH group, or the like at the terminal when dispersing an Au nanowire or a metal nanowire coated with Au.
  • a molecule for example, a water-soluble dispersant such as succinic acid, polyvinyl alcohol (PVA), and polyvinyl pyrrole (PVP) can be used.
  • the organic material having an SH group when a dispersion in which metal nanowires are dispersed in an aqueous solution and a water-insoluble liquid containing a water-insoluble dispersant are mixed, the water-insoluble material having a high affinity SH group
  • the functional dispersant can be adsorbed on the surface of the Au nanowire, and the Au nanowire can be efficiently transferred to the water-insoluble fraction, facilitating separation and concentration.
  • the organic substance having an SH group is not particularly limited as long as it is soluble in a water-insoluble liquid, but if it is a short-molecule organic substance having a low vaporization temperature, it can be subjected to a heat treatment such as sintering. Can be skipped.
  • Examples of such low molecular organic substances include 1-octanethiol and 2-furylmethanethiol.
  • a solvent containing an organic substance having an SH group is added to a gold nanowire-dispersed aqueous solution. After heating and stirring, centrifugation is performed, and when the solvent fraction is collected, the Au nanowire component is concentrated. Removal by evaporation and redispersion make it possible to prepare a dispersion having a desired concentration.
  • the dispersion liquid of the present invention can be suitably used as a conductive ink for forming a circuit pattern of a wiring board.
  • the content (concentration) of the metal nanowires in the dispersion liquid of the present invention is based on the total mass of the dispersion liquid of the present invention because the circuit pattern can be printed using an inkjet method.
  • the content is preferably 10 to 30% by mass, and more preferably 15 to 20% by mass.
  • the electrically conductive film of this invention is an electrically conductive film formed using the dispersion liquid of this invention mentioned above.
  • the conductive film is a concept including not only the film formed on the entire surface of the desired substrate surface but also the circuit pattern described above.
  • a substrate on which the conductive film is formed and a method for forming the conductive film are not particularly limited, and for example, a substrate and a formation method described in JP 2010-84173 A can be employed.
  • the content of the metal nanowire is preferably 0.005 to 1 g per 1 m 2 because the balance between conductivity and permeability is excellent, and 0.01 to 0.00 per 1 m 2 . More preferably, it is 1 g.
  • the conductive film of the present invention is, for example, a touch panel, an antistatic for display, an electromagnetic shield, an electrode for organic or inorganic EL display, an electronic paper, an electrode for flexible display, an antistatic for flexible display, an electrode for solar cell, and other various devices. It can be suitably used as a transparent conductive film used in the above.
  • Example 1 ⁇ (A-1) Mirror finish processing> High purity aluminum substrate (Sumitomo Light Metal Co., Ltd., purity 99.99 mass%, thickness 0.4 mm) annealed at 400 ° C. for 1 hour, 1 cm ⁇ 3 cm in size so that it can be anodized in each 1 cm area And subjected to electrolytic polishing under the following conditions.
  • Electrolytic polishing treatment Using an electropolishing liquid having the following composition, an electropolishing treatment was performed under the conditions of a current density of 5 A / dm 2 , a liquid temperature of 65 ° C., and a liquid flow rate of 3.0 m / min to remove the work-affected layer.
  • the cathode was a carbon electrode, and the power source was GP0110-30R (manufactured by Takasago Seisakusho).
  • the flow rate of the electrolyte was measured using a vortex flow monitor FLM22-10PCW (manufactured by AS ONE).
  • (Electrolytic polishing liquid composition) -660 mL of 85% by mass phosphoric acid (reagent manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) ⁇ Pure water 160mL ⁇ Sulfuric acid 150mL ⁇ Ethylene glycol 30mL
  • anodizing treatment was performed for 4 hours with an electrolyte solution of 0.50 mol / L oxalic acid at a voltage of 40 V, a liquid temperature of 15 ° C., and a liquid flow rate of 3.0 m / min.
  • Anodized films arranged in a straight tube shape and in a honeycomb shape were formed.
  • a stainless steel electrode was used as the cathode, and GP0110-30R (manufactured by Takasago Seisakusho) was used as the power source.
  • NeoCool BD36 manufactured by Yamato Kagaku Co.
  • Pear Stirrer PS-100 manufactured by EYELA
  • the flow rate of the electrolyte was measured using a vortex flow monitor FLM22-10PCW (manufactured by AS ONE).
  • Aluminum base material removal treatment After the anodizing treatment, the aluminum base material was immersed by using a treatment liquid in which 0.1 mol / L of copper chloride was blended in 20% hydrochloric acid aqueous solution at a liquid temperature of 15 ° C. until the aluminum base material was visually removed. Dissolved and removed.
  • Ni electrode was brought into close contact with one surface of the alumina base material after the heat treatment, and this Ni electrode was used as a cathode, and platinum was used as a positive electrode for electrolytic plating.
  • a structure in which Ni was filled in the through hole was manufactured by performing constant voltage pulse electrolysis using 300 g / L of nickel sulfate as an electrolyte while maintaining the temperature at 60 ° C.
  • constant voltage pulse electrolysis was carried out using a plating apparatus manufactured by Yamamoto Sekin Co., Ltd., using a power supply (HZ-3000) manufactured by Hokuto Denko Co., Ltd., and performing cyclic voltammetry in the plating solution to confirm the deposition potential.
  • the film side potential was set to -2V.
  • the pulse waveform of constant voltage pulse electrolysis was a rectangular wave. Specifically, the electrolytic treatment with one electrolysis time of 300 seconds was performed six times with a pause time of 40 seconds between each electrolytic treatment so that the total electrolysis treatment time was 1800 seconds.
  • S-4800 high resolution field emission scanning electron microscope
  • Example 2 A dispersion was prepared in the same manner as in Example 1 except that the anodizing treatment was performed by the self-ordering method according to the procedure described in JP-A-2007-204802. Specifically, the aluminum substrate after the electropolishing treatment is subjected to a 0.50 mol / L oxalic acid electrolytic solution at a voltage of 40 V, a liquid temperature of 15 ° C., and a liquid flow rate of 3.0 m / min for 5 hours. Oxidation treatment was performed.
  • a film removal treatment was performed in which the aluminum substrate after the pre-anodizing treatment was immersed in a mixed aqueous solution (liquid temperature: 50 ° C.) of 0.2 mol / L chromic anhydride and 0.6 mol / L phosphoric acid for 12 hours. Then, re-anodization treatment was performed for 16 hours with an electrolyte solution of 0.50 mol / L oxalic acid at a voltage of 40 V, a liquid temperature of 15 ° C., and a liquid flow rate of 3.0 m / min. Obtained.
  • the cathode was a stainless electrode, and the power supply was GP0110-30R (manufactured by Takasago Seisakusho).
  • NeoCool BD36 manufactured by Yamato Kagaku Co.
  • Pear Stirrer PS-100 manufactured by EYELA
  • the flow rate of the electrolyte was measured using a vortex flow monitor FLM22-10PCW (manufactured by AS ONE).
  • Example 3 A dispersion was prepared in the same manner as in Example 1 except that the anodizing treatment and the surface smoothing treatment were performed under the following conditions.
  • the shape of the alumina base material obtained by the penetration process was as shown below. Table 1 shows the length, diameter (average diameter), variation coefficient of diameter, and ratio of length to diameter (aspect ratio) of the obtained metal nanowires.
  • ⁇ (B-3) Anodizing treatment> Anodization was performed in the same manner as in Example 1, except that the electrolyte solution was 1.0 mol / L phosphoric acid, and was applied for 4 hours under conditions of a voltage of 200 V, a liquid temperature of 0 ° C., and a liquid flow rate of 3.0 m / min. did.
  • Example 4 A dispersion was prepared in the same manner as in Example 1 except that the removal treatment of alumina was performed under the following conditions. Table 1 shows the length, diameter (average diameter), coefficient of variation in diameter, and ratio of length to diameter (aspect ratio) of the obtained metal nanowires.
  • Table 1 shows the length, diameter (average diameter), coefficient of variation in diameter, and ratio of length to diameter (aspect ratio) of the obtained metal nanowires.
  • Example 5 A dispersion was prepared in the same manner as in Example 4 except that the anodizing treatment was performed under the following conditions.
  • the shape of the alumina base material obtained by the penetration process was as shown below. Table 1 shows the length, diameter (average diameter), variation coefficient of diameter, and ratio of length to diameter (aspect ratio) of the obtained metal nanowires.
  • Anodizing treatment> Anodization treatment was performed in the same manner as in Example 1 except that the electrolyte solution was 1.0 mol / L phosphoric acid and was applied for 1 hour under conditions of a voltage of 200 V, a liquid temperature of 0 ° C., and a liquid flow rate of 3.0 m / min. did.
  • Example 6 A dispersion was prepared in the same manner as in Example 1 except that the metal filling treatment and the alumina removal treatment were performed under the following conditions. Table 1 shows the length, diameter (average diameter), coefficient of variation in diameter, and ratio of length to diameter (aspect ratio) of the obtained metal nanowires.
  • ⁇ (F-6) Metal filling treatment> An Au electrode was brought into close contact with one surface of the alumina base material after the heat treatment, and this Au electrode was used as a cathode, and a copper plate was used as a positive electrode for electrolytic plating. By using 150 g / L of copper sulfate as an electrolytic solution in a state kept at 60 ° C.
  • the constant current electrolysis uses a plating apparatus manufactured by Yamamoto Sekin Co., Ltd., uses a power supply (HZ-3000) manufactured by Hokuto Denko Co., Ltd., sets the current density to 3.5 A / dm 2 , and applies the total electric quantity applied Was electrolyzed to 25000 C / dm 2 .
  • a high-resolution field emission scanning electron microscope S-4800, manufactured by Hitachi, Ltd.
  • Example 7 Anodization treatment and surface smoothing treatment were carried out under the same conditions as in Example 2, and metal filling treatment and alumina removal treatment were carried out under the same conditions as in Example 6 by the same method as in Example 1, A dispersion was prepared.
  • Table 1 shows the length, diameter (average diameter), coefficient of variation of diameter, and ratio of length to diameter (aspect ratio) of the obtained metal nanowires.
  • Example 8 In the removal treatment of alumina, Example 6 was performed except that, when replacing the electroless displacement plating solution, an aqueous 2-furylmethanethiol solution (concentration: 0.1 g / L) was used as a water-soluble dispersant instead of water. A dispersion was prepared in the same manner as described above. Table 1 shows the length, diameter (average diameter), coefficient of variation in diameter, and ratio of length to diameter (aspect ratio) of the obtained metal nanowires.
  • Example 9 In the alumina removal treatment, when replacing the electroless displacement plating solution with water, 0.03 g / polyethylene glycol monostearate (Emanon 3199V, HLB value: 19.4, manufactured by Kao Corporation) as a surfactant together with water. A dispersion was prepared in the same manner as in Example 6 except that L was used. Table 1 shows the length, diameter (average diameter), coefficient of variation in diameter, and ratio of length to diameter (aspect ratio) of the obtained metal nanowires.
  • Example 10 A dispersion was prepared in the same manner as in Example 6 except that the anodizing treatment was performed under the following conditions.
  • the shape of the alumina base material obtained by the penetration process was as shown below.
  • Table 1 shows the length, diameter (average diameter), variation coefficient of diameter, and ratio of length to diameter (aspect ratio) of the obtained metal nanowires.
  • Anodizing treatment> Anodization was performed in the same manner as in Example 1 except that the electrolytic solution was 18 g / L sulfuric acid, and was applied for 15 hours under conditions of a voltage of 16 V, a liquid temperature of 20 ° C., and a liquid flow rate of 3.0 m / min.
  • Example 11 In the removal treatment of alumina, when replacing the electroless displacement plating solution with water, the same method as in Example 6 except that sodium silicate was used as an inorganic glass component together with water so as to be 2.5% by mass. Thus, a dispersion was prepared. Table 1 shows the length, diameter (average diameter), coefficient of variation in diameter, and ratio of length to diameter (aspect ratio) of the obtained metal nanowires.
  • Example 12 In the removal treatment of alumina, when replacing the electroless displacement plating solution with water, the same method as in Example 6 except that disodium tetraborate was used as an inorganic glass component together with water so as to be 1% by mass. Thus, a dispersion was prepared. Table 1 shows the length, diameter (average diameter), coefficient of variation in diameter, and ratio of length to diameter (aspect ratio) of the obtained metal nanowires.
  • Example 13 In the removal treatment of alumina, when replacing the electroless displacement plating solution with water, the dispersion was performed in the same manner as in Example 6 except that lithium sulfate was used as an inorganic glass component together with water so as to be 100 g / L. A liquid was prepared. Table 1 shows the length, diameter (average diameter), coefficient of variation in diameter, and ratio of length to diameter (aspect ratio) of the obtained metal nanowires.
  • Example 14 In the removal treatment of alumina, when the electroless displacement plating solution is replaced with water, sodium dihydrogen phosphate and sodium borate become 2.5% by mass and 1.0% by mass, respectively, as inorganic glass components together with water. A dispersion was prepared in the same manner as in Example 6 except that the dispersion was used. Table 1 shows the length, diameter (average diameter), coefficient of variation in diameter, and ratio of length to diameter (aspect ratio) of the obtained metal nanowires.
  • Example 15 A dispersion was prepared in the same manner as in Example 6 except that the removal treatment of alumina was performed under the following conditions.
  • Ni displacement plating solution (SEK-797, manufactured by Nihon Kanisen Co., Ltd.) was dropped at a liquid temperature of 20 ° C. and allowed to stand for 60 seconds. As a result, an intermediate layer mainly composed of Ni was formed on the surface of the metal nanowire.
  • Example 1 A dispersion was prepared in the same manner as in Example 1 except that the anodizing treatment was performed under the following conditions.
  • the shape of the alumina base material obtained by the penetration process was as shown below.
  • Table 1 shows the length, diameter (average diameter), variation coefficient of diameter, and ratio of length to diameter (aspect ratio) of the obtained metal nanowires.
  • ⁇ (BX) Anodizing treatment> Anodization was performed in the same manner as in Example 1 except that the electrolytic solution was 170 g / L sulfuric acid and the temperature was 40 ° C., the current density was 5 A / dm 2 , and the current was constant for 1.5 hours.
  • Example 2 A dispersion was prepared in the same manner as in Example 1 except that the metal filling treatment was performed under the following conditions.
  • Table 1 shows the length, diameter (average diameter), coefficient of variation in diameter, and ratio of length to diameter (aspect ratio) of the obtained metal nanowires.

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Abstract

　本発明の目的は、分散安定性に優れた金属ナノワイヤを含有する分散液およびそれを用いて形成される導電膜を提供することである。本発明の分散液は、金属ナノワイヤを含有する分散液であって、前記金属ナノワイヤの直径が１０～２００ｎｍであり、直径の変動係数が３０％未満であり、直径に対する長さの比（長さ／直径）が１０以上であり、前記金属ナノワイヤが、金、ニッケルおよび銅からなる群から選択される少なくとも１種の金属を主体とする金属部材である分散液である。

Description

金属ナノワイヤを含有する分散液および導電膜
　本発明は、金属ナノワイヤを含有する分散液およびそれを用いて形成される導電膜に関する。
　近年、金属ナノワイヤや金属ナノピラーを用いた導電性材料について種々の検討が試みられている。
　例えば、このような導電性材料として、ポーラスアルミナをナノ材料製作におけるテンプレートとすることは既に知られており（特許文献１～３参照）、本出願人によっても、「規則化度が７０％以上の陽極酸化皮膜の細孔内部にアスペクト比が５以上で金属を充填し、充填後、不活性ガス雰囲気中、または真空中で、３００℃以上、１０００℃以下の温度で焼成し、結晶性を向上させ、陽極酸化皮膜を除去しアスペクト比が５以上の金属部材としてなるナノピラーまたはナノロッド金属部材。」が提案されている（特許文献４）。
特開２００５－２５６１０２号公報 特開２００６－６２０４９号公報 特開２０１０－１５６００５号公報 特開２０１０－１８９６９５号公報
　本発明者は、特許文献４に記載の金属部材、特に、ナノワイヤ（特許文献４においては「ナノロッド」ともいう）について検討を行った結果、特許文献４に記載されたナノワイヤを分散液に含有させて使用する場合、例えば、ナノワイヤの金属材料や直径の変動係数によっては、分散安定性が悪くなる場合があった。
　そこで、本発明は、分散安定性に優れた金属ナノワイヤを含有する分散液およびそれを用いて形成される導電膜を提供することを目的とする。
　本発明者は、上記目的を達成すべく鋭意検討した結果、特定の金属を用い、特定の変動係数を満たす直径を有する金属ナノワイヤを用いることにより、分散安定性に優れた分散液を調製できることを見出し、本発明を完成させた。すなわち、本発明は、以下の（１）～（８）を提供する。
　（１）金属ナノワイヤを含有する分散液であって、
　上記金属ナノワイヤの直径が１０～２００ｎｍであり、直径の変動係数が３０％未満であり、直径に対する長さの比（長さ／直径）が１０以上であり、
　上記金属ナノワイヤが、金、ニッケルおよび銅からなる群から選択される少なくとも１種の金属を主体とする金属部材である分散液。
　（２）上記金属ナノワイヤが、芯材と上記芯材を被覆する表層とを有し、上記芯材を構成する金属と上記表層を構成する金属とが異なる上記（１）に記載の分散液。
　（３）更に、ＨＬＢ値が１０以上の界面活性剤を含有する上記（１）または（２）に記載の分散液。
　（４）更に、ケイ素、リチウム、ホウ素およびリンからなる群から選択される少なくとも１種の元素を含む無機ガラス成分を含有する上記（１）～（３）のいずれか１つに記載の分散液。
　（５）導電性インク用途に用いる上記（１）～（４）のいずれか１つに記載の分散液。
　（６）上記（１）～（５）のいずれか１つに記載の分散液を用いて形成される導電膜。
　（７）金属ナノワイヤの含有量が、１ｍ2あたり０．００５～１ｇである上記（６）に記載の導電膜。
　（８）透明導電膜用途に用いる上記（６）または（７）に記載の導電膜。
　以下に説明するように、本発明によれば、分散安定性に優れた金属ナノワイヤを含有する分散液およびそれを用いて形成される導電膜を提供することができる。
図１は、本発明の分散液に含有する金属ナノワイヤの作製方法の一例を示す模式的断面図である。
［分散液］
　以下に、本発明の分散液について詳細に説明する。
　本発明の分散液は、金属ナノワイヤを含有する分散液であって、上記金属ナノワイヤの直径が１０～２００ｎｍであり、直径の変動係数が３０％未満であり、直径に対する長さの比（長さ／直径）が１０以上であり、上記金属ナノワイヤが、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）および銅（Ｃｕ）からなる群から選択される少なくとも１種の金属を主体とする金属部材である分散液である。
　次に、本発明の分散液を構成する金属ナノワイヤおよび分散溶媒ならびに任意成分について説明する。
 〔金属ナノワイヤ〕
　（１）形状
　本発明の分散液に含有する金属ナノワイヤの直径は、金属ナノワイヤ自体の安定性の観点から、１０～２００ｎｍである。
　また、上記金属ナノワイヤの直径は、透明性を担保し、本発明の分散液を透明導電膜の形成に好適に用いることができる理由から、１０～１００ｎｍであるのが好ましく、１０～５０ｎｍであるのがより好ましい。
　ここで、上記金属ナノワイヤの直径は、例えば、電界放射型走査型電子顕微鏡（ＦＥ－ＳＥＭ）や透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）を用い、ＴＥＭ像を観察することにより求めることができ、本発明においては、金属ナノワイヤの直径は、ＦＥ－ＳＥＭにより３００個の金属ナノワイヤを観察し、その平均値から求めたものである。
　本発明においては、上記金属ナノワイヤの直径の変動係数（ＣＶ：Ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ ｏｆ Ｖａｒｉａｔｉｏｎ）は、３０％未満であり、５～２０％であるのが好ましく、５～１０％であるのがより好ましい。
　変動係数が上記範囲であると、上記金属ナノワイヤの凝集が抑制され、本発明の分散液の分散安定性が良好となる。
　ここで、上記金属ナノワイヤの直径の変動係数は、例えば、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）像から３００個のナノワイヤの直径を計測し、その標準偏差と平均値を計算することにより、下記式から求めることができる。
　（直径の変動係数）＝（直径の標準偏差）／（直径の平均）
　本発明においては、上記金属ナノワイヤの直径に対する長さの比（長さ／直径）（以下、「アスペクト比」ともいう。）は、１０以上である。
　アスペクト比が上記範囲であると、上記金属ナノワイヤ同士の絡み合いが抑制され、本発明の分散液の分散安定性が良好となる。
　また、上記金属ナノワイヤのアスペクト比は、本発明の分散液の分散安定性がより良好となり、また、本発明の分散液を用いて導電膜の形成する際の使用量が少なくなり、本発明の分散液を透明導電膜の調製に好適に用いることができる理由から、２０００以下であるのが好ましく、１００～１０００であるのがより好ましい。
　（２）成分
　本発明の分散液に含有する金属ナノワイヤは、Ａｕ、ＮｉおよびＣｕからなる群から選択される少なくとも１種の金属を主体とする金属部材である。
　ここで、主体とは、金属ナノワイヤを構成する金属のうち、Ａｕ、ＮｉおよびＣｕのいずれか１つ以上の金属で８０質量％以上が構成されていることをいう。
　本発明においては、上記金属ナノワイヤ同士の接触抵抗が低減し、また、分散安定性がより良好となる理由から、上記金属ナノワイヤが芯材と芯材を被覆する表層とを有し、芯材を構成する金属と表層を構成する金属とが異なるのが好ましく、具体的には、上記金属ナノワイヤの芯材がＮｉまたはＣｕを主体に構成され、芯材を被覆する表層がＡｕを主体に構成されるのがより好ましい。
　また、芯材と表層との間の密着性を改善する理由から、これらの間に中間層を有するのがより好ましく、具体的には、芯材がＣｕを主体に構成され、芯材を被覆する表層がＡｕを主体に構成され、これらの間にＮｉを主体とする中間層を設けた金属ナノワイヤであるのがより好ましい。
　（３）含有量
　本発明の分散液に含有する金属ナノワイヤの含有量（濃度）は、経時での分散安定性が良好に維持され、希釈時の均一性も良好となる理由から、本発明の分散液の総質量に対して、０．１～３０質量％であるのが好ましく、０．１～２５質量％であるのがより好ましい。
　（４）作製方法
　本発明の分散液に含有する金属ナノワイヤの作製方法は特に限定されないが、例えば、貫通孔を有する絶縁性基材を出発材料として用い、上記貫通孔の内部に所定の金属を充填した後、上記絶縁性基材のみを溶解して除去する方法等により作製することができる。
　本発明においては、貫通孔を有する絶縁性基材は、アルミニウムに陽極酸化処理を施して得られるアルミナ基材を用いるのが好ましい。
　ここで、上記アルミナ基材を用いる場合、例えば、図１（Ａ）～（Ｆ）に示す通り、本発明の分散液（図示せず）に含有する金属ナノワイヤ１０は、アルミニウム基板１に、少なくとも、
　陽極酸化処理を施してマイクロポア２を有する陽極酸化皮膜３を形成する処理（陽極酸化処理）；
　上記陽極酸化処理で形成された陽極酸化皮膜３から、アルミニウム基材（アルミニウム基板のうち上記陽極酸化処理が施されていない部分をいう。以下同様。）４を除去する処理（アルミニウム基材除去処理）；
　上記アルミニウム基材除去処理でアルミニウム基材４が除去された陽極酸化皮膜３に存在するマイクロポア２を貫通化させる処理（貫通化処理）；
　上記貫通化処理の後に、得られた絶縁性基材における貫通孔５の内部に金属６を充填する処理（金属充填処理）；および；
　上記金属充填処理の後に、陽極酸化皮膜３を溶解して除去する処理（陽極酸化皮膜除去処理）をこの順に施すことにより得ることができる。
　次に、上記アルミナ基材を製造する際に用いられるアルミニウム基板およびアルミニウム基板に施す各処理について詳述する。
　＜アルミニウム基板＞
　アルミニウム基板は、特に限定されず、その具体例としては、純アルミニウム板；アルミニウムを主成分とし微量の異元素を含む合金板；低純度のアルミニウム（例えば、リサイクル材料）に高純度アルミニウムを蒸着させた基板；シリコンウエハー、石英、ガラス等の表面に蒸着、スパッタ等の方法により高純度アルミニウムを被覆させた基板；アルミニウムをラミネートした樹脂基板；等が挙げられる。
　本発明においては、アルミニウム基板のうち、後述する陽極酸化処理を施す表面は、アルミニウム純度が、９９．５質量％以上であるのが好ましく、９９．９質量％以上であるのがより好ましく、９９．９９質量％以上であるのが更に好ましい。
　アルミニウム純度が上記範囲であると、マイクロポアの独立性が十分となり、マイクロポアを貫通化させて得られる貫通孔に金属を充填した際の独立性が保持され、絶縁性基材（アルミナ基材）を溶解させることによって金属ナノワイヤが互いに独立した状態で得られるため好ましい。
　また、本発明においては、アルミニウム基板のうち、後述する陽極酸化処理を施す表面は、あらかじめ脱脂処理および鏡面仕上げ処理が施されるのが好ましく、特に、マイクロポアの独立性を向上させる観点から、あらかじめ熱処理が施されるのが好ましい。
　＜熱処理＞
　熱処理を施す場合は、２００～３５０℃で３０秒～２分程度施すのが好ましい。具体的には、例えば、アルミニウム基板を加熱オーブンに入れる方法等が挙げられる。
　このような熱処理を施すことにより、後述する陽極酸化処理により生成するマイクロポアの独立性が向上する。
　また、熱処理後のアルミニウム基板は、急速に冷却するのが好ましい。冷却する方法としては、例えば、水等に直接投入する方法等が挙げられる。
　＜脱脂処理＞
　脱脂処理は、酸、アルカリ、有機溶剤等を用いて、アルミニウム基板表面に付着した、ほこり、脂、樹脂等の有機成分等を溶解させて除去し、有機成分を原因とする後述の各処理における欠陥の発生を防止することを目的として行われる。
　脱脂処理としては、具体的には、例えば、各種アルコール（例えば、メタノール等）、各種ケトン（例えば、メチルエチルケトン等）、ベンジン、揮発油等の有機溶剤を常温でアルミニウム基板表面に接触させる方法（有機溶剤法）；石けん、中性洗剤等の界面活性剤を含有する液を常温から８０℃までの温度でアルミニウム基板表面に接触させ、その後、水洗する方法（界面活性剤法）；濃度１０～２００ｇ／Ｌの硫酸水溶液を常温から７０℃までの温度でアルミニウム基板表面に３０～８０秒間接触させ、その後、水洗する方法；濃度５～２０ｇ／Ｌの水酸化ナトリウム水溶液を常温でアルミニウム基板表面に３０秒間程度接触させつつ、アルミニウム基板表面を陰極にして電流密度１～１０Ａ／ｄｍ2の直流電流を流して電解し、その後、濃度１００～５００ｇ／Ｌの硝酸水溶液を接触させて中和する方法；各種公知の陽極酸化処理用電解液を常温でアルミニウム基板表面に接触させつつ、アルミニウム基板表面を陰極にして電流密度１～１０Ａ／ｄｍ2の直流電流を流して、または、交流電流を流して電解する方法；濃度１０～２００ｇ／Ｌのアルカリ水溶液を４０～５０℃でアルミニウム基板表面に１５～６０秒間接触させ、その後、濃度１００～５００ｇ／Ｌの硝酸水溶液を接触させて中和する方法；軽油、灯油等に界面活性剤、水等を混合させた乳化液を常温から５０℃までの温度でアルミニウム基板表面に接触させ、その後、水洗する方法（乳化脱脂法）；炭酸ナトリウム、リン酸塩類、界面活性剤等の混合液を常温から５０℃までの温度でアルミニウム基板表面に３０～１８０秒間接触させ、その後、水洗する方法（リン酸塩法）；等が挙げられる。
　これらのうち、アルミニウム表面の脂分を除去しうる一方で、アルミニウムの溶解がほとんど起こらない観点から、有機溶剤法、界面活性剤法、乳化脱脂法、リン酸塩法が好ましい。
　また、脱脂処理には、従来公知の脱脂剤を用いることができる。具体的には、例えば、市販されている各種脱脂剤を所定の方法で用いることにより行うことができる。
　＜鏡面仕上げ処理＞
　鏡面仕上げ処理は、アルミニウム基板の表面の凹凸、例えば、アルミニウム基板の圧延時に発生した圧延筋等をなくして、電着法等による封孔処理の均一性や再現性を向上させるために行われる。
　本発明において、鏡面仕上げ処理は、特に限定されず、従来公知の方法を用いることができる。例えば、機械研磨、化学研磨、電解研磨が挙げられる。
　機械研磨としては、例えば、各種市販の研磨布で研磨する方法、市販の各種研磨剤（例えば、ダイヤ、アルミナ）とバフとを組み合わせた方法等が挙げられる。具体的には、研磨剤を用いる場合、使用する研磨剤を粗い粒子から細かい粒子へと経時的に変更して行う方法が好適に例示される。この場合、最終的に用いる研磨剤としては、＃１５００のものが好ましい。これにより、光沢度を５０％以上（圧延アルミニウムである場合、その圧延方向および幅方向ともに５０％以上）とすることができる。
　化学研磨としては、例えば、「アルミニウムハンドブック」，第６版，（社）日本アルミニウム協会編，２００１年，ｐ．１６４－１６５に記載されている各種の方法等が挙げられる。
　また、リン酸－硝酸法、Ａｌｕｐｏｌ　Ｉ法、Ａｌｕｐｏｌ　Ｖ法、Ａｌｃｏａ　Ｒ５法、Ｈ3ＰＯ4－ＣＨ3ＣＯＯＨ－Ｃｕ法、Ｈ3ＰＯ4－ＨＮＯ3－ＣＨ3ＣＯＯＨ法が好適に挙げられる。中でも、リン酸－硝酸法、Ｈ3ＰＯ4－ＣＨ3ＣＯＯＨ－Ｃｕ法、Ｈ3ＰＯ4－ＨＮＯ3－ＣＨ3ＣＯＯＨ法が好ましい。
　化学研磨により、光沢度を７０％以上（圧延アルミニウムである場合、その圧延方向および幅方向ともに７０％以上）とすることができる。
　電解研磨としては、例えば、「アルミニウムハンドブック」，第６版，（社）日本アルミニウム協会編，２００１年，ｐ．１６４－１６５に記載されている各種の方法；米国特許第２７０８６５５号明細書に記載されている方法；「実務表面技術」，ｖｏｌ．３３，Ｎｏ．３，１９８６年，ｐ．３２－３８に記載されている方法；等が好適に挙げられる。
　電解研磨により、光沢度を７０％以上（圧延アルミニウムである場合、その圧延方向および幅方向ともに７０％以上）とすることができる。
　これらの方法は、適宜組み合わせて用いることができる。具体的には、例えば、研磨剤を粗い粒子から細かい粒子へと経時的に変更する機械研磨を施し、その後、電解研磨を施す方法が好適に挙げられる。
　鏡面仕上げ処理により、例えば、平均表面粗さＲa０．１μｍ以下、光沢度５０％以上の表面を得ることができる。平均表面粗さＲaは、０．０３μｍ以下であるのが好ましく、０．０２μｍ以下であるのがより好ましい。また、光沢度は７０％以上であるのが好ましく、８０％以上であるのがより好ましい。
　なお、光沢度は、圧延方向に垂直な方向において、ＪＩＳ　Ｚ８７４１－１９９７の「方法３　６０度鏡面光沢」の規定に準じて求められる正反射率である。具体的には、変角光沢度計（例えば、ＶＧ－１Ｄ、日本電色工業社製）を用いて、正反射率７０％以下の場合には入反射角度６０度で、正反射率７０％を超える場合には入反射角度２０度で、測定する。
　＜陽極酸化処理＞
　上記陽極酸化処理は、アルミニウム基板に陽極酸化処理を施すことにより、アルミニウム基板表面にマイクロポアを有する陽極酸化皮膜を形成する工程である。
　上記陽極酸化処理としては、従来公知の方法を用いることができるが、本発明の分散液における金属ナノワイヤの分散安定性の観点から、マイクロポアの独立性が重要であるため、例えば、特許第３，７１４，５０７号、特開２００２－２８５３８２号公報、特開２００６－１２４８２７号公報、特開２００７－２０４８０２号公報、特開２００７－２３１３３９号公報、特開２００７－２３１４０５公報、特開２００７－２３１３４０号公報、特開２００７－２３８９８８号公報、特開２０１０－１８９６９５号公報等に記載されている、自己規則化法による陽極酸化処理が好ましい。これらの処理は、各特許および公報の処理条件にて記載されている処理が好ましい。
　また、独立のマイクロポアを形成するその他の方法としては、例えば、インプリント法（突起を有する基板またはロールをアルミニウム板に圧接し、凹部を形成する、転写法、プレスパターニング法）を用いる方法が挙げられる。具体的には、複数の突起を表面に有する基板をアルミニウム基板表面に押し付けて窪みを形成させる方法が挙げられる。例えば、特開平１０－１２１２９２号公報に記載されている方法を用いることができる。
　また、アルミニウム基板表面にポリスチレン球を稠密状態で配列させ、その上からＳｉＯ2を蒸着した後、ポリスチレン球を除去し、蒸着されたＳｉＯ2をマスクとして基板をエッチングして窪みを形成させる方法も挙げられる。
　また、その他の方法として粒子線法が挙げられる。粒子線法は、アルミニウム基板表面に粒子線を照射して窪みを形成させる方法である。粒子線法は、窪みの位置を自由に制御することができるという利点を有する。
　粒子線としては、例えば、荷電粒子ビーム、集束イオンビーム（ＦＩＢ：Focused Ion Beam）、電子ビームが挙げられる。
　粒子線法としては、例えば、特開２００１－１０５４００号公報に記載されている方法を用いることもできる。
　そのほか、ブロックコポリマー法も挙げられる。ブロックコポリマー法は、アルミニウム基板表面にブロックコポリマー層を形成させ、熱アニールによりブロックコポリマー層に海島構造を形成させた後、島部分を除去して窪みを形成させる方法である。
　ブロックコポリマー法としては、例えば、特開２００３－１２９２８８号公報に記載されている方法を用いることができる。
　そのほか、レジストパターン・露光・エッチング法も挙げられる。レジストパターン・露光・エッチング法は、フォトリソグラフィあるいは電子ビームリソグラフィ法によりアルミニウム基板表面にレジスト膜を形成し、上記レジスト膜に露光および現像を施し、レジストパターンを形成した後これをエッチングすることにより、アルミニウム基板表面まで貫通した窪みを形成させる方法である。
　このような、インプリント法、粒子線法、ブロックコポリマー法、レジストパターン・露光・エッチング法を使用する場合には、これらの処理でアルミニウムの基板表面に電解起点を与えた後に陽極酸化処理することにより、アルミニウム基板表面に独立したマイクロポアを有する陽極酸化皮膜を形成することができる。
　＜アルミニウム基材除去処理＞
　上記アルミニウム除去処理は、上記陽極酸化処理で形成された陽極酸化皮膜から、アルミニウム基材を溶解して除去する工程である。
　アルミニウム基材の溶解には、陽極酸化皮膜（アルミナ）は溶解しにくく、アルミニウムを溶解しやすい処理液を用いる。
　すなわち、アルミニウム溶解速度１μｍ／分以上、好ましくは３μｍ／分以上、より好ましくは５μｍ／分以上、および、陽極酸化皮膜（アルミナ）溶解速度０．１ｎｍ／分以下、好ましくは０．０５ｎｍ／分以下、より好ましくは０．０１ｎｍ／分以下の条件を有する処理液を用いる。
　具体的には、アルミニウムよりもイオン化傾向の低い金属化合物を少なくとも１種含み、かつ、ｐＨが４以下８以上、好ましくは３以下９以上、より好ましくは２以下１０以上の処理液を使用する。
　このような処理液としては、陽極酸化皮膜（アルミナ）は溶解せず、アルミニウムを溶解する液であれば特に限定されないが、例えば、塩化水銀、臭素／メタノール混合物、臭素／エタノール混合物、王水、塩酸／塩化銅混合物等の水溶液等が挙げられる。
　濃度としては、０．０１～１０ｍｏｌ／Ｌが好ましく、０．０５～５ｍｏｌ／Ｌがより好ましい。
　処理温度としては、－１０℃～８０℃が好ましく、０℃～６０℃が好ましい。
　アルミニウム基材の溶解は、上記陽極酸化処理の後のアルミニウム基板を上述した処理液に接触させることにより行う。接触させる方法は、特に限定されず、例えば、浸せき法、スプレー法が挙げられる。中でも、浸せき法が好ましい。このときの接触時間としては、１０秒～５時間が好ましく、１分～３時間がより好ましい。
　アルミニウム基材の溶解後の陽極酸化皮膜の膜厚は、１～１０００μｍであるのが好ましく、１０～５００μｍであるのが更に好ましい。
　アルミニウム基材の溶解後、後述する手順でマイクロポアを貫通化させる前に、陽極酸化皮膜を水洗処理するのが好ましい。水和によるマイクロポアのポア径の変化を抑制するため、水洗処理は３０℃以下で実施することが好ましい。
　＜貫通化処理＞
　上記貫通化処理は、上記アルミニウム基材除去処理でアルミニウム基材が除去された陽極酸化皮膜について、陽極酸化皮膜の底部のみを除去することにより、陽極酸化皮膜に存在するマイクロポアを貫通化させる工程である。
　この処理は、陽極酸化皮膜の底部のみを酸水溶液またはアルカリ水溶液に接触させることにより行うことができる。陽極酸化皮膜の底部が除去されることにより、マイクロポアが貫通し、貫通孔が形成される。
　また、この処理により、陽極酸化皮膜に存在するマイクロポアのうち７０％以上が貫通することが好ましく、８５％以上であることがより好ましく、９５％以上であることが更に好ましい。
　陽極酸化皮膜の底部の除去は、予めｐＨ緩衝液に浸漬させてマイクロポアによる孔の開口側から孔内にｐＨ緩衝液を充填した後に、開口部の逆面、すなわち、陽極酸化皮膜の底部に酸水溶液またはアルカリ水溶液に接触させる方法により行うのが好ましい。
　この処理に酸水溶液を用いる場合は、硫酸、リン酸、硝酸、塩酸等の無機酸またはこれらの混合物の水溶液を用いることが好ましい。酸水溶液の濃度は１～１０質量％であるのが好ましい。酸水溶液の温度は、２５～４０℃であるのが好ましい。
　また、この処理にアルカリ水溶液を用いる場合は、水酸化ナトリウム、水酸化カリウムおよび水酸化リチウムからなる群から選ばれる少なくとも１つのアルカリの水溶液を用いることが好ましい。アルカリ水溶液の濃度は０．１～５質量％であるのが好ましい。アルカリ水溶液の温度は、２０～３５℃であるのが好ましい。
　具体的には、例えば、５０ｇ／Ｌ、４０℃のリン酸水溶液、０．５ｇ／Ｌ、３０℃の水酸化ナトリウム水溶液または０．５ｇ／Ｌ、３０℃の水酸化カリウム水溶液が好適に用いられる。
　酸水溶液またはアルカリ水溶液への浸せき時間は、８～１２０分であるのが好ましく、１０～９０分であるのがより好ましく、１５～６０分であるのが更に好ましい。
　マイクロポアを貫通化させた後の陽極酸化皮膜の膜厚は、１～１０００μｍであるのが好ましく、１０～５００μｍであるのが更に好ましい。
　マイクロポアを貫通化させた後、陽極酸化皮膜を水洗処理する。水和による貫通孔の径の変化を抑制するため、水洗処理は３０℃以下で実施することが好ましい。
　上記貫通化処理では、上記陽極酸化処理で生じたマイクロポアを貫通化させることができる限り上述した処理以外の処理を用いてもよい。上述した処理では、上記陽極酸化処理により、マイクロポアを有する陽極酸化皮膜が形成されたアルミニウム基板から、上記アルミニウム基材除去処理によりアルミニウム基材を溶解させた後、上記貫通化処理により陽極酸化皮膜を部分的に溶解させて、陽極酸化皮膜の底部を除去することでマイクロポアを貫通化させたが、例えば、アルミニウム基板の除去とマイクロポアの貫通化を同時に行う処理を用いてもよい。
　具体的には、上記陽極酸化処理により形成した陽極酸化皮膜の下方、すなわち、陽極酸化皮膜におけるアルミニウム基板側の部分を、レーザー等による切削処理や種々の研磨処理等を用いて物理的に除去し、貫通孔を有する陽極酸化皮膜（絶縁基材）とする方法が好適に例示される。
　＜金属充填処理＞
　上記金属充填処理は、上記陽極酸化皮膜の貫通孔の内部に金属を充填する工程である。
　貫通孔の内部に金属を充填する方法としては、電解めっき法または無電解めっき法を用いることができる。
　特に、電解めっき法を用いた以下の（１）および（２）の処理をこの順に施す方法が、貫通孔に金属を高い充填率で充填できることから好ましい。
　（１）貫通孔を有する絶縁性基材の一方の表面に空隙のない電極膜を形成する処理（電極膜形成処理）
　（２）電解めっき処理による金属充填処理
　（電極膜形成処理）
　上記電極形成処理は、上記貫通化処理の後に、貫通孔を有する陽極酸化皮膜の一方の表面に空隙のない電極膜を形成する処理である。
　陽極酸化皮膜の表面には、貫通孔による開口部が存在しているが、本処理によって陽極酸化皮膜の表面に空隙のない電極膜を形成することにより、貫通孔の一方の開口部が電極膜で覆われた状態となる。
　電極膜を形成する方法としては、貫通孔を有する陽極酸化皮膜の一方の表面に空隙のない電極膜を形成することができる限り特に限定されない。
　具体的な形成方法としては、例えば、金属の無電解めっき処理、金属の直接塗布等が好ましく、これらの中でも電極膜の均一性および操作の簡便性の観点から、無電解めっき処理が好ましい。
　電極膜形成処理に関して、無電解めっき処理を用いる際には、そのめっき核を陽極酸化皮膜の一方の表面に付与する必要がある。
　具体的には、無電解めっきにより付与するべき金属と同種の金属または金属化合物、あるいは無電解めっきにより付与するべき金属よりもイオン化傾向の高い金属または金属化合物を、陽極酸化皮膜の一方の表面に付与する方法が好ましい。
　付与方法としては、金属または金属化合物を蒸着あるいは直接塗布する方法が挙げられるが、特に限定されない。
　上記のようにめっき核を付与したのち、無電解めっき処理により電極膜を形成する。処理方法は温度、時間により電極層の厚さを制御できる観点から、浸漬法が好ましい。
　無電解めっき液の種類としては、従来公知のものを使用することができるが、濃度は、１～３００ｇ／Ｌであるのが好ましく、１００～２００ｇ／Ｌであるのがより好ましい。
　また、形成される電極膜の通電性を高める観点から、金めっき液、銅めっき液、銀めっき液等、貴金属を有するめっき液が好ましく、経時による電極の安定性すなわち、酸化による劣化を防ぐ観点から、金めっき液がより好ましい。
　また、形成する電極膜の厚さとしては、０．０５μｍ～１００μｍが好ましく、０．１μｍ～５０μｍがより好ましく、０．２μｍ～２０μｍが特に好ましい。この範囲より厚さが薄いと、電極膜としての導電性が不十分となり、範囲より厚いと、その形成に時間を要してしまうため、それぞれ好ましくない。
　また、無電解めっきの処理温度、処理時間としては、形成しうる電極の厚さに依存するが、０℃～９０℃、１分～１０時間が好ましく、５℃～７５℃、１０分～７時間がより好ましく、１０℃～６０℃、３０分～５時間が特に好ましい。
　（金属充填処理）
　上記金属充填処理は、上記電極膜形成処理の後に、形成された電極膜を用いた電解めっき処理により、上記陽極酸化皮膜の貫通孔の内部に金属を充填する処理である。
　ここで、着色などに用いられる従来公知の電解めっき処理では、選択的に貫通孔中に金属を高アスペクトで析出（成長）させることは困難である。これは、析出金属が貫通孔内で消費され一定時間以上電解を行ってもめっきが成長しないためと考えられる。
　そのため、本発明においては、電解めっき処理により金属を充填する際に、パルス電解または定電位電解の際に休止時間をもうけることが好ましい。休止時間は、１０秒以上必要で、３０～６０秒あるのが好ましい。
　また、電解液の撹拌を促進するため、超音波を加えることも望ましい。
　更に、電解電圧は、通常２０Ｖ以下であって望ましくは１０Ｖ以下であるが、使用する電解液における目的金属の析出電位を予め測定し、その電位＋１Ｖ以内で定電位電解を行うことが好ましい。なお、定電位電解を行う際には、サイクリックボルタンメトリを併用できるものが望ましく、Ｓｏｌａｒｔｒｏｎ社、ＢＡＳ社、北斗電工社、ＩＶＩＵＭ社等のポテンショスタット装置を用いることができる。
　めっき液は、従来公知のめっき液を用いることができる。
　具体的には、銅を析出させる場合には硫酸銅水溶液が一般的に用いられるが、硫酸銅の濃度は、１～３００ｇ／Ｌであるのが好ましく、１００～２００ｇ／Ｌであるのがより好ましい。また、電解液中に塩酸を添加すると析出を促進することができる。この場合、塩酸濃度は１０～２０ｇ／Ｌであるのが好ましい。
　また、金を析出させる場合、テトラクロロ金の硫酸溶液を用い、交流電解でめっき処理を行なうのが望ましい。
　また、ニッケルを析出させる場合には硫酸ニッケル水溶液が一般的に用いられるが、硫酸ニッケルの濃度は、１～３００ｇ／Ｌであるのが好ましい。
　なお、電解めっき処理の際、めっき液を貫通孔内により充填させやすくするため、貫通孔の内表面を予め親水化処理して保護膜を形成しておくことが好ましい。この場合、シリケート処理と称されるＳｉ元素を貫通孔の内表面に付与して保護膜を形成しておく方法が好適に例示される。
　Ｓｉ元素を貫通孔の内表面に付与して保護膜を形成する方法は特に限定されないが、例えば、アルカリ金属ケイ酸塩が溶解している水溶液に直接浸せきして処理する方法が一般的である。アルカリ金属ケイ酸塩の水溶液は、ケイ酸塩の成分である酸化ケイ素ＳｉＯ2とアルカリ金属酸化物Ｍ2Ｏの比率（一般に〔ＳｉＯ2〕／〔Ｍ2Ｏ〕のモル比で表す。）と濃度によって保護膜厚の調節が可能である。
　ここで、Ｍとしては、特にナトリウム、カリウムが好適に用いられる。
　また、モル比〔ＳｉＯ2〕／〔Ｍ2Ｏ〕は０．１～５．０が好ましく、０．５～３．０がより好ましい。
　更に、ＳｉＯ2の含有量は、０．１～２０質量％が好ましく、０．５～１０質量％がより好ましい。
　上記金属充填処理の後、酸化皮膜表面から電極膜を除去することで、図１（Ｅ）に示す状態、すなわち、陽極酸化皮膜３の貫通孔５に金属６が充填された状態となる。
　なお、図１に示す態様では、陽極酸化皮膜３に存在する全ての貫通孔５を金属６が貫通しているが、陽極酸化皮膜３に存在する全ての貫通孔５を金属６が貫通していることは必ずしも要求されない。
　ただし、本発明においては、陽極酸化皮膜３に存在する貫通孔５に占める金属６が充填されている貫通孔５の割合、すなわち、金属６の充填率が８０％以上であることが、より多くの金属ナノワイヤを形成できる理由から好ましい。
　ここで、金属６の充填率は、絶縁性基材３の表面をＳＥＭで観察し、視野内における全貫通孔５の数に対する、金属６が充填されている貫通孔５の数を比率計算することで求めることができる。
　金属６の充填率は９０％以上であることが好ましく、９５％以上であることがより好ましい。
　本発明においては、上記金属充填処理として、上述した（１）および（２）をこの順に施す方法によれば、陽極酸化皮膜に存在する貫通孔に対して高い充填率で金属を充填することができ、貫通孔に対する金属の充填率が８０％以上とすることができる。
　一方、上記酸化皮膜表面から電極膜を除去する方法としては、以下に述べる表面平滑化処理を行うことが好ましい。
　＜表面平滑化処理＞
　本発明においては、上記金属充填処理の後に、化学機械研磨（ＣＭＰ：Chemical Mechanical Polishing）処理によって、陽極酸化皮膜の表面および裏面を平滑化する表面平滑処理を行うことが好ましい。
　表面平滑化処理を行うことにより、陽極酸化皮膜の一方の表面に形成された電極膜が除去される。また、金属を充填させた後の陽極酸化皮膜の表面および裏面の平滑化と表面に付着した余分な金属を除去することができる。
　ＣＭＰ処理には、フジミインコーポレイテッド社製のＰＮＡＮＥＲＬＩＴＥ－７０００、日立化成社製のＧＰＸ ＨＳＣ８００、ＡＧＣセイミケミカル社製のＣＬ－１０００等のＣＭＰスラリーを用いることができる。
　なお、酸化皮膜を研磨したくないので、層間絶縁膜やバリアメタル用のスラリーを用いるのは好ましくない。
　＜陽極酸化皮膜除去処理＞
　上記陽極酸化皮膜除去処理は、上記金属充填処理の後に、陽極酸化皮膜を溶解させて除去し、金属ナノワイヤを形成させる工程である。
　ここで、陽極酸化皮膜の溶解は、貫通孔に充填した金属を溶解せず、アルミナを選択的に溶解する溶媒を用いることができ、アルカリ溶液および酸溶液のいずれも用いることができる。
　本発明においては、低温（室温）で陽極酸化皮膜を溶解できる理由から、クロム酸／リン酸の混合水溶液を用いるのが好ましい。
　また、陽極酸化皮膜を溶解した後の金属ナノワイヤの回収は、陽極酸化皮膜を溶解させた溶媒をフィルター等を用いて濾過することにより行うことができるが、例えば、以下の方法を適宜用いて回収することもできる。
　（ａ）溶媒として強アルカリ溶液を用いた場合、強電場を加えることで金属ナノワイヤをトラップし、溶媒のみを置換し、これを繰り返すことで中性の分散溶媒中に回収することができる。
　（ｂ）ナノバブルを発生させることで浮遊選鉱と同様に分離する。
　（ｃ）遠心分離を行う。
　（ｄ）金属ワイヤをイオン化しイオン交換で分離する。
　（ｅ）金属としてＮｉを用いた場合、磁力を用いてＮｉナノワイヤをトラップし、溶媒のみを置換し、これを繰り返すことで中性の分散溶媒中に回収することができる。
　（ｆ）Ｎｉを金属ナノワイヤに付加する（例えば、金属充填処理の最後にＮｉを少し充填する、被覆するものを磁性材料にする）ことで上記（ｅ）の方法を拡張利用できる。
　（ｇ）Ａｕで被覆したものについては－ＳＨ基を有する表面を用いて捕集し、収集する。
　＜表層等の形成方法＞
　本発明の分散液に含有する金属ナノワイヤは、上述したように、芯材と芯材を被覆する表層とを有し、芯材を構成する金属と表層を構成する金属とが異なるのが好ましい。
　ここで、金属ナノワイヤを金属で被覆する方法は、例えば、電解めっき法、還元型無電解めっき法、置換型無電解めっき法（以下、「置換めっき法」という。）などのめっき法；真空蒸着法；スパッタリング法；等が挙げられる。
　これらのうち、非常に微細な構造を有しそれぞれ単離されている金属ナノワイヤの表面をその構造および形態をあまり変えることなく、厚さ数ｎｍ程度の薄層で被覆できる理由から、置換めっき法が好ましい。
　置換めっきに用いるめっき液としては、金、ニッケルなどの被覆する金属の塩を含む水溶液が用いられ、被覆する金属のイオンを１～１０ｇ/Ｌ（濃度）含むものが好ましい。
　金属の塩としては、具体的には、例えば、シアン化金カリウム、塩化金酸、亜硫酸金ナトリウム等が挙げられる。
　これらのうち、めっき対象物への化学的ダメージが少なくできることから、亜硫酸金ナトリウムが好ましい。
　また、金属イオン濃度としては、１～１０ｇ／Ｌが好ましく、例えば、均一で緻密な膜を得る場合には析出速度を意図的に遅くするために１～５ｇ／Ｌが好ましい。ｐＨについては、基材へのダメージ軽減するために３～１０の範囲であることが好ましく、特に５～９範囲であることが好ましい。
　更に、めっき液の温度については、めっき反応促進のために、５０～９５℃であることが好ましい。被覆膜厚の制御は、金属イオン濃度、ｐＨ、温度などの条件設定により行うことができるが、液条件の変更はめっき皮膜の性質（例えば、密度など）が変わる心配があるため、処理時間を変更することで行うことが好ましい。この際、基材へのダメージや作製効率などを考慮し、通常は１～９０分程度で行うことが好ましい。
　＜被覆層の安定化処理＞
　本発明においては、金属ナノワイヤにおける芯材と芯材を被覆する表層（以下、「被覆層」ともいう。）との密着性を向上させる目的で、被覆層を熱処理する被覆層の安定化処理を行うことができる。
　被覆層を熱処理することにより、芯材を構成する金属材料と、被覆層を構成する金属材料とが熱拡散により合金層を形成して、芯材と被覆層との密着性が向上する。
　熱処理の温度は３０～２００℃が好ましい。また、熱処理時の芯材の表面酸化を抑制するために、熱処理を低温で行うことや、窒素ガスやアルゴンガスなどの不活性ガス雰囲気中で熱処理を行うことも有効である。
 〔分散溶媒〕
　本発明の分散液における分散溶媒としては、主として水が用いられ、水と混和する有機溶媒を８０容量％以下の割合で併用することができる。
　上記有機溶媒としては、例えば、沸点が５０℃～２５０℃、より好ましくは５５℃～２００℃のアルコール系化合物が好適に用いられる。このようなアルコール系化合物を併用することにより、導電膜の形成時の塗布工程での塗り付け良化、乾燥負荷の低減をすることができる。
　上記アルコール系化合物は、特に限定はなく、目的に応じて適宜選択することができ、その具体例としては、ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール、アルキレングリコール、グリセロール等が挙げられる、これらを１種単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
　具体的には、室温において粘度の低いエチレングリコール、ジエチレングリコール、１，２－プロパンジオール、１，３－プロパンジオール、１，２－ブタンジオール、１，３－ブタンジオール、１，４－ブタンジオール、２，３－ブタンジオール等の炭素数の小さなものが好ましいが、ペンタンジオール、ヘキサンジオール、オクタンジオール、ポリエチレングリコール等の炭素数の大きなものも使用可能である。
　これらのうち、最も好ましい溶媒はジエチレングリコールである。
 〔界面活性剤〕
　本発明の分散液は、分散安定性がより良好となる理由から、界面活性剤を用いるのが好ましい。
　上記界面活性剤としては、例えば、ノニオン界面活性剤、アニオン界面活性剤、カチオン界面活性剤、両性界面活性剤、フッ素系界面活性剤等が挙げられ、こられを１種単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
　上記ノニオン界面活性剤は、特に限定されず、従来公知のものを用いることができる。
　例えば、ポリオキシエチレンアルキルエーテル類、ポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテル類、ポリオキシエチレンポリスチリルフェニルエーテル類、ポリオキシエチレンポリオキシプロピレンアルキルエーテル類、グリセリン脂肪酸部分エステル類、ソルビタン脂肪酸部分エステル類、ペンタエリスリトール脂肪酸部分エステル類、プロピレングリコールモノ脂肪酸エステル類、ショ糖脂肪酸部分エステル類、ポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸部分エステル類、ポリオキシエチレンソルビトール脂肪酸部分エステル類、ポリエチレングリコール脂肪酸エステル類、ポリグリセリン脂肪酸部分エステル類、ポリオキシエチレン化ひまし油類、ポリオキシエチレングリセリン脂肪酸部分エステル類、脂肪酸ジエタノールアミド類、Ｎ，Ｎ－ビス－２－ヒドロキシアルキルアミン類、ポリオキシエチレンアルキルアミン、トリエタノールアミン脂肪酸エステル、トリアルキルアミンオキシド、ポリエチレングリコール（例えば、モノステアリン酸ポリエチレングリコール等）、ポリエチレングリコールとポリプロピレングリコールの共重合体が挙げられる。
　上記アニオン界面活性剤は、特に限定されず、従来公知のものを用いることができる。
　例えば、脂肪酸塩類、アビエチン酸塩類、ヒドロキシアルカンスルホン酸塩類、アルカンスルホン酸塩類、ジアルキルスルホ琥珀酸エステル塩類、直鎖アルキルベンゼンスルホン酸塩類、分岐鎖アルキルベンゼンスルホン酸塩類、アルキルナフタレンスルホン酸塩類、アルキルフェノキシポリオキシエチレンプロピルスルホン酸塩類、ポリオキシエチレンアルキルスルホフェニルエーテル塩類、Ｎ－メチル－Ｎ－オレイルタウリンナトリウム塩、Ｎ－アルキルスルホコハク酸モノアミド二ナトリウム塩、石油スルホン酸塩類、硫酸化牛脂油、脂肪酸アルキルエステルの硫酸エステル塩類、アルキル硫酸エステル塩類、ポリオキシエチレンアルキルエーテル硫酸エステル塩類、脂肪酸モノグリセリド硫酸エステル塩類、ポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテル硫酸エステル塩類、ポリオキシエチレンスチリルフェニルエーテル硫酸エステル塩類、アルキルリン酸エステル塩類、ポリオキシエチレンアルキルエーテルリン酸エステル塩類、ポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテルリン酸エステル塩類、スチレン／無水マレイン酸共重合物の部分けん化物類、オレフィン／無水マレイン酸共重合物の部分けん化物類、ナフタレンスルホン酸塩ホルマリン縮合物類が挙げられる。
　上記カチオン界面活性剤は、特に限定されず、従来公知のものを用いることができる。例えば、アルキルアミン塩類、第四級アンモニウム塩類、ポリオキシエチレンアルキルアミン塩類、ポリエチレンポリアミン誘導体が挙げられる。
　上記両性界面活性剤は、特に限定されず、従来公知のものを用いることができる。例えば、カルボキシベタイン類、アミノカルボン酸類、スルホベタイン類、アミノ硫酸エステル類、イミタゾリン類が挙げられる。
　なお、上記界面活性剤の中で、「ポリオキシエチレン」とあるものは、ポリオキシメチレン、ポリオキシプロピレン、ポリオキシブチレン等の「ポリオキシアルキレン」に読み替えることもでき、本発明においては、それらの界面活性剤も用いることができる。
　本発明においては、好ましい界面活性剤として、分子内にパーフルオロアルキル基を含有するフッ素系界面活性剤が挙げられる。
　このようなフッ素系界面活性剤としては、例えば、パーフルオロアルキルカルボン酸塩、パーフルオロアルキルスルホン酸塩、パーフルオロアルキルリン酸エステル等のアニオン型；パーフルオロアルキルベタイン等の両性型；パーフルオロアルキルトリメチルアンモニウム塩等のカチオン型；パーフルオロアルキルアミンオキサイド、パーフルオロアルキルエチレンオキシド付加物、パーフルオロアルキル基および親水性基を含有するオリゴマー、パーフルオロアルキル基および親油性基を含有するオリゴマー、パーフルオロアルキル基、親水性基および親油性基を含有するオリゴマー、パーフルオロアルキル基および親油性基を含有するウレタン等のノニオン型が挙げられる。また、特開昭６２－１７０９５０号、同６２－２２６１４３号および同６０－１６８１４４号の各公報に記載されているフッ素系界面活性剤も好適に挙げられる。
　また、本発明においては、これらの界面活性剤のうち、分散安定性が更に良好となる理由から、ＨＬＢ値が１０以上のものを用いるのが望ましい。
　ここで、ＨＬＢ値（エイチエルビー値：Ｈｙｄｒｏｐｈｉｌｅ－Ｌｉｐｏｐｈｉｌｅ　Ｂａｌａｎｃｅ）とは、界面活性剤の水と油（水に不溶性の有機化合物）への親和性の程度を表す値である。ＨＬＢ値は０から２０までの値を取り、０に近いほど親油性が高く２０に近いほど親水性が高くなる。
　本発明においては、これらの界面活性剤は、１種単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
　また、これらの界面活性剤の含有量は、上記金属ナノワイヤの全質量に対して、０．００１～１０質量％であるのが好ましく、０．０１～５質量％であるのがより好ましい。
 〔無機ガラス成分〕
　本発明の分散液は、分散溶媒となる水や他の溶媒への親和性が保たれるばかりでなく、本発明の分散液を用いて形成される導電膜の膜質の向上に繋がる理由から、ケイ素、リチウム、ホウ素およびリンからなる群から選択される少なくとも１種の元素を含む無機ガラス成分を用いるのが好ましい。
　上記無機ガラス成分としては、例えば、ケイ酸ガラス、ホウ酸ガラス、リン酸ガラス、リチウム塩ガラス等の原材料成分、すなわち、ケイ酸ソーダ、ホウ酸ソーダ、リン酸ソーダ、金属酸化リチウム塩等を用いることができる。具体的には、例えば、３号ケイ酸Ｎａ水溶液、ホウ酸Ｎａ（ＮａＢＯ3）、硝酸Ｌｉ、リン酸２水素ナトリウム等である。
 〔水溶性分散剤〕
　本発明の分散液は、ＡｕナノワイヤまたはＡｕで被覆された金属ナノワイヤを分散させる場合には、水酸基やカルボキシル基、スルホン基、リン酸基、アミノ基、ＳＨ基等を末端に有する水溶性の有機分子、例えば、コハク酸、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、ポリビニールピロール（ＰＶＰ）等の水溶性分散剤を用いることができる。
　例えば、ＳＨ基を有する有機物を用いると、金属ナノワイヤが水溶液中に分散した分散液と、非水溶性分散剤を含む非水溶性液とを混合したとき、親和性の高いＳＨ基を有する非水溶性分散剤を、Ａｕナノワイヤ表面に吸着させることができ、Ａｕナノワイヤを非水溶性画分に効率的に移動させることができ、分離濃縮が容易になる。
　ここで、ＳＨ基を有する有機物は、非水溶性液に溶けるものであれば、特に制限されるものではないが、気化温度の低い、短分子の有機物であれば、焼結等の加熱処理で飛ばすことができる。
　このような低分子の有機物としては、例えば、１－オクタンチオール、２－フリルメタンチオール等が挙げられる。
　また、例えば、金ナノワイヤ分散水溶液に対し、ＳＨ基を有する有機物を含む溶媒を加え、加温、撹拌後、遠心処理を行い、溶媒画分を回収するとＡｕナノワイヤ成分が濃縮されており、溶媒を蒸発させて除去し、再分散させることで所望の濃度の分散液の調製が可能になる。
　本発明の分散液は、配線基板の回路パターンを形成する導電性インクとして好適に用いることができる。
　導電性インクとして用いる場合、本発明の分散液における上記金属ナノワイヤの含有量（濃度）は、インクジェット方式を利用して回路パターンを印刷できる理由から、本発明の分散液の総質量に対して、１０～３０質量％であるのが好ましく、１５～２０質量％であるのがより好ましい。
［導電膜］
　本発明の導電膜は、上述した本発明の分散液を用いて形成される導電膜である。
　ここで、導電膜とは、本発明においては所望の基板表面の全面に形成される膜だけでなく、上述した回路パターン等も含む概念である。
　また、導電膜を形成する基板や導電膜の形成方法は特に限定されず、例えば、特開２０１０－８４１７３号公報に記載された基板や形成方法を採用することができる。
　本発明の導電膜は、上記金属ナノワイヤの含有量が、導電性と透過性のバランスに優れる理由から、１ｍ2あたり０．００５～１ｇであるのが好ましく、１ｍ2あたり０．０１～０．１ｇであるのがより好ましい。
　本発明の導電膜は、例えばタッチパネル、ディスプレイ用帯電防止、電磁波シールド、有機又は無機ＥＬディスプレイ用電極、電子ペーパー、フレキシブルディスプレイ用電極、フレキシブルディスプレイ用帯電防止、太陽電池用電極、その他の各種デバイス等に利用される透明導電膜として好適に用いることができる。
　以下に実施例を示して本発明を具体的に説明する。ただし、本発明はこれらに限定されない。
　（実施例１）
　＜（Ａ－１）鏡面仕上げ処理＞
　高純度アルミニウム基板（住友軽金属社製、純度９９．９９質量％、厚さ０．４ｍｍ）を４００℃で１時間焼きなましたものを１ｃｍ各の面積で陽極酸化処理できるように１ｃｍ×３ｃｍの大きさにカットし、以下に示す条件で電解研磨処理を施した。
　（電解研磨処理）
　下記組成の電解研磨液を用い、電流密度５Ａ／ｄｍ2、液温度６５℃、液流速３．０ｍ／ｍｉｎの条件で電解研磨処理を施し、加工変質層を除去した。
　陰極はカーボン電極とし、電源は、ＧＰ０１１０－３０Ｒ（高砂製作所社製）を用いた。また、電解液の流速は渦式フローモニターＦＬＭ２２－１０ＰＣＷ（ＡＳ ＯＮＥ製）を用いて計測した。
　（電解研磨液組成）
　・８５質量％リン酸（和光純薬社製試薬）　６６０ｍＬ
　・純水　１６０ｍＬ
　・硫酸　１５０ｍＬ
　・エチレングリコール　３０ｍＬ
　＜（Ｂ－１）陽極酸化処理＞
　まず、周期１００ｎｍの四方配列の突起を有するＳｉＣモールド（大きさ：５ｍｍ角、パターンエリア：３ｍｍ×０．５ｍｍ角、エヌ・ティ・ティ・アドバンステクノロジ株式会社製の特注品）の凹凸パターンを、転写装置（ＭＯＤＥＬ６０００、ハイソル社製）を用いて、電解研磨処理後のアルミニウム基板表面に位置をずらしながら６回転写し、３ｍｍ角の転写領域を作製した。なお、転写は、突起部分の面積当たりの転写圧力が２５６Ｎ／ｃｍ2となるように設定し、室温にて行った。
　次いで、アルミニウム基板の表面における転写領域（３ｍｍ角）以外および裏面に、市販のマスキングテープを用いてマスキングを施した。
　その後、０．５０ｍｏｌ／Ｌシュウ酸の電解液で、電圧４０Ｖ、液温度１５℃、液流速３．０ｍ／ｍｉｎの条件で４時間陽極酸化処理を施すことにより、アルミニウム基板表面に、マイクロポアが直管状で且つハニカム状に配列された陽極酸化皮膜を形成させた。
　なお、陽極酸化処理は、陰極はステンレス電極とし、電源はＧＰ０１１０－３０Ｒ（高砂製作所社製）を用いた。また、冷却装置にはＮｅｏＣｏｏｌ ＢＤ３６（ヤマト科学社製）、かくはん加温装置にはペアスターラー ＰＳ－１００（ＥＹＥＬＡ社製）を用いた。更に、電解液の流速は渦式フローモニターＦＬＭ２２－１０ＰＣＷ（ＡＳ ＯＮＥ製）を用いて計測した。
　＜（Ｃ－１）アルミニウム基材除去処理＞
　陽極酸化処理後、２０％塩酸水溶液に０．１ｍｏｌ／Ｌの塩化銅をブレンドした処理液を用い、液温１５℃で、目視によりアルミニウム基材が除去されるまで浸漬させることによりアルミニウム基材を溶解し、除去した。
　＜（Ｄ－１）貫通化処理＞
　アルミニウム基材除去処理後、０．１ｍｏｌ／Ｌの水酸化カリウム水溶液（液温３０℃）に３０分間浸漬させることにより、陽極酸化皮膜の底部を除去することにより、マイクロポア由来の貫通孔を有するアルミナ基材を作製した。
　得られたアルミナ基材の表面写真および断面写真（倍率２００００倍）を高分解能電界放出形走査電子顕微鏡（Ｓ－４８００、日立製作所社製）により撮影し、以下の形状であることを確認した。
　・アルミナ基材の厚さ：１００μｍ
　・貫通孔の深さ：１００μｍ
　・貫通孔の平均開孔径：６０ｎｍ
　・貫通孔の開口径の変動係数：１２％
　＜（Ｅ－１）加熱処理＞
　作製したアルミナ基材に、温度４００℃で１時間の加熱処理を施した。
　＜（Ｆ－１）金属充填処理＞
　上記加熱処理後のアルミナ基材の一方の表面にＮｉ電極を密着させ、このＮｉ電極を陰極にし、白金を正極にして電解めっきを行なった。
　硫酸ニッケル３００ｇ／Ｌを６０℃に保った状態で電解液として使用し、定電圧パルス電解を実施することにより、上記貫通孔にＮｉが充填された構造体を製造した。
　ここで、定電圧パルス電解は、山本鍍金社製のメッキ装置を用い、北斗電工社製の電源（ＨＺ－３０００）を用い、メッキ液中でサイクリックボルタンメトリを行なって析出電位を確認した後、皮膜側の電位を－２Ｖに設定して行った。また、定電圧パルス電解のパルス波形は矩形波であった。具体的には、電解の総処理時間が１８００秒になるように、１回の電解時間が３００秒の電解処理を、各電解処理の間に４０秒の休止時間を設けて６回施した。
　Ｎｉを充填した後の表面を高分解能電界放出形走査電子顕微鏡（Ｓ－４８００、日立製作所社製）で観察すると、Ｎｉ電極側から貫通孔の内部が完全に充填され、更に表面から１０μｍ分がオーバーフローしていた。
　＜（Ｇ－１）表面平滑化処理＞
　金属充填処理後のアルミナ基材に機械研摩処理を施し、表面からオーバーフローした金属を除去した。
　＜（Ｈ－１）アルミナの除去処理（分散液の調製）＞
　表面平滑化処理のアルミナ基材の陽極酸化皮膜をクロム酸／リン酸の混合水溶液を用いて溶解させ、貫通孔に充填した金属からなる金属ナノワイヤが分散した溶液を調製した。
　次いで、調製した溶液に強電場を加えることで金属ナノワイヤをトラップし、溶媒のみを水に置換し、これを繰り返すことにより、１０質量％の濃度で金属ナノワイヤが分散した分散液を調製した。
　なお、得られた金属ナノワイヤの長さ、直径（平均直径）、直径の変動係数、および、直径に対する長さの比（アスペクト比）を第１表に示す。
　（実施例２）
　陽極酸化処理を特開２００７－２０４８０２号公報に記載の手順にしたがって自己規則化法で施した以外は、実施例１と同様の方法により、分散液を調製した。
　具体的には、電解研磨処理後のアルミニウム基板に、０．５０ｍｏｌ／Ｌシュウ酸の電解液で、電圧４０Ｖ、液温度１５℃、液流速３．０ｍ／ｍｉｎの条件で、５時間のプレ陽極酸化処理を施した。その後、プレ陽極酸化処理後のアルミニウム基板を、０．２ｍｏｌ／Ｌ無水クロム酸、０．６ｍｏｌ／Ｌリン酸の混合水溶液（液温：５０℃）に１２時間浸漬させる脱膜処理を施した。その後、０．５０ｍｏｌ／Ｌシュウ酸の電解液で、電圧４０Ｖ、液温度１５℃、液流速３．０ｍ／ｍｉｎの条件で、１６時間の再陽極酸化処理を施し、膜厚１３０μｍの酸化皮膜を得た。
　なお、プレ陽極酸化処理および再陽極酸化処理は、いずれも陰極はステンレス電極とし、電源はＧＰ０１１０－３０Ｒ（高砂製作所社製）を用いた。また、冷却装置にはＮｅｏＣｏｏｌ ＢＤ３６（ヤマト科学社製）、かくはん加温装置にはペアスターラー ＰＳ－１００（ＥＹＥＬＡ社製）を用いた。更に、電解液の流速は渦式フローモニターＦＬＭ２２－１０ＰＣＷ（ＡＳ ＯＮＥ製）を用いて計測した。
　（実施例３）
　陽極酸化処理および表面平滑化処理を以下に示す条件で行った以外は、実施例１と同様の方法により、分散液を調製した。
　なお、貫通化処理により得られたアルミナ基材の形状は以下に示す通りであった。また、得られた金属ナノワイヤの長さ、直径（平均直径）、直径の変動係数、および、直径に対する長さの比（アスペクト比）を第１表に示す。
　＜（Ｂ－３）陽極酸化処理＞
　１．０ｍｏｌ／Ｌリン酸の電解液で、電圧２００Ｖ、液温度０℃、液流速３．０ｍ／ｍｉｎの条件で４時間施した以外は、実施例１と同様の方法で陽極酸化処理を施した。
　＜貫通化処理後のアルミナ基材の形状＞
　・アルミナ基材の厚さ：６０μｍ
　・貫通孔の深さ：６０μｍ
　・貫通孔の平均開孔径：１００ｎｍ
　・貫通孔の開口径の変動係数：１０％
　＜（Ｇ－３）表面平滑化処理＞
　金属充填処理後のアルミナ基材に機械研摩処理を施し、アルミナ基材の表面の一部（１０μｍ分）および表面からオーバーフローした金属を除去した。
　（実施例４）
　アルミナの除去処理を以下に示す条件で行った以外は、実施例１と同様の方法により、分散液を調製した。
　なお、得られた金属ナノワイヤの長さ、直径（平均直径）、直径の変動係数、および、直径に対する長さの比（アスペクト比）を第１表に示す。
　＜（Ｈ－４）アルミナの除去処理（分散液の調製）＞
　表面平滑化処理のアルミナ基材の陽極酸化皮膜をクロム酸／リン酸の混合水溶液を用いて溶解させ、貫通孔に充填した金属からなる金属ナノワイヤが分散した溶液を調製した。
　次いで、調製した溶液に強電場を加えることで金属ナノワイヤをトラップし、溶媒のみを無電解置換めっき液〔フラッシュゴールド３３０（奥野製薬工業社製）を用いて建浴し、ｐＨ＝４．６に調整したもの〕に置換し、６０℃で１０分間浸漬処理を施した。
　その後、調製した溶液に強電場を加えたまま、無電解置換めっき液を水に置換し、これを繰り返すことにより、１０質量％の濃度で金属ナノワイヤが分散した分散液を調製した。
　（実施例５）
　陽極酸化処理を以下に示す条件で行った以外は、実施例４と同様の方法により、分散液を調製した。
　なお、貫通化処理により得られたアルミナ基材の形状は以下に示す通りであった。また、得られた金属ナノワイヤの長さ、直径（平均直径）、直径の変動係数、および、直径に対する長さの比（アスペクト比）を第１表に示す。
　＜（Ｂ－５）陽極酸化処理＞
　１．０ｍｏｌ／Ｌリン酸の電解液で、電圧２００Ｖ、液温度０℃、液流速３．０ｍ／ｍｉｎの条件で１時間施した以外は、実施例１と同様の方法で陽極酸化処理を施した。
　＜貫通化処理後のアルミナ基材の形状＞
　・アルミナ基材の厚さ：１０μｍ
　・貫通孔の深さ：１０μｍ
　・貫通孔の平均開孔径：６２ｎｍ
　・貫通孔の開口径の変動係数：６％
　（実施例６）
　金属充填処理およびアルミナの除去処理を以下に示す条件で行った以外は、実施例１と同様の方法により、分散液を調製した。
　なお、得られた金属ナノワイヤの長さ、直径（平均直径）、直径の変動係数、および、直径に対する長さの比（アスペクト比）を第１表に示す。
　＜（Ｆ－６）金属充填処理＞
　上記加熱処理後のアルミナ基材の一方の表面にＡｕ電極を密着させ、このＡｕ電極を陰極にし、銅板を正極にして電解めっきを行なった。
　硫酸銅１５０ｇ／Ｌを６０℃に保った状態で電解液として使用し、定電流電解を実施することにより、上記貫通孔にＣｕが充填された微細構造体を製造した。
　ここで、定電流電解は、山本鍍金社製のメッキ装置を用い、北斗電工社製の電源（ＨＺ－３０００）を用い、電流密度を３．５Ａ／ｄｍ2に設定し、印加する総電気量が２５０００Ｃ／ｄｍ2になるように電解した。
　Ｃｕを充填した後の表面を高分解能電界放出形走査電子顕微鏡（Ｓ－４８００、日立製作所社製）で観察すると、Ａｕ電極側から貫通孔の内部が完全に充填され、更に表面から１０μｍ分がオーバーフローしていた。
　＜（Ｈ－６）アルミナの除去処理（分散液の調製）＞
　表面平滑化処理のアルミナ基材の陽極酸化皮膜をクロム酸／リン酸の混合水溶液を用いて溶解させ、貫通孔に充填した金属からなる金属ナノワイヤが分散した溶液を調製した。
　次いで、調製した溶液に強電場を加えることで金属ナノワイヤをトラップし、溶媒のみを無電解置換めっき液〔フラッシュゴールド３３０（奥野製薬工業社製）を用いて建浴し、ｐＨ＝４．６に調整したもの〕に置換し、６０℃で１０分間浸漬処理を施した。
　その後、調製した溶液に強電場を加えたまま、無電解置換めっき液を水に置換し、これを繰り返すことにより、１０質量％の濃度で金属ナノワイヤが分散した分散液を調製した。
　（実施例７）
　陽極酸化処理および表面平滑化処理を実施例２と同様の条件で行い、金属充填処理およびアルミナの除去処理を実施例６と同様の条件で行った以外は、実施例１と同様の方法により、分散液を調製した。
　なお、得られた金属ナノワイヤの長さ、直径（平均直径）、直径の変動係数、および直径に対する長さの比（アスペクト比）を第１表に示す。
　（実施例８）
　アルミナの除去処理において、無電解置換めっき液を置換する際に、水に代えて水溶性分散剤として２－フリルメタンチオール水溶液（濃度：０．１ｇ／Ｌ）を用いた以外は、実施例６と同様の方法により、分散液を調製した。
　なお、得られた金属ナノワイヤの長さ、直径（平均直径）、直径の変動係数、および、直径に対する長さの比（アスペクト比）を第１表に示す。
　（実施例９）
　アルミナの除去処理において、無電解置換めっき液を水に置換する際に、水とともに界面活性剤としてモノステアリン酸ポリエチレングリコール（エマノーン３１９９Ｖ、ＨＬＢ値：１９．４、花王社製）を０．０３ｇ／Ｌ用いた以外は、実施例６と同様の方法により、分散液を調製した。
　なお、得られた金属ナノワイヤの長さ、直径（平均直径）、直径の変動係数、および、直径に対する長さの比（アスペクト比）を第１表に示す。
　（実施例１０）
　陽極酸化処理を以下に示す条件で行った以外は、実施例６と同様の方法により、分散液を調製した。
　なお、貫通化処理により得られたアルミナ基材の形状は以下に示す通りであった。また、得られた金属ナノワイヤの長さ、直径（平均直径）、直径の変動係数、および、直径に対する長さの比（アスペクト比）を第１表に示す。
　＜（Ｂ－１０）陽極酸化処理＞
　１８ｇ／Ｌ硫酸の電解液で、電圧１６Ｖ、液温度２０℃、液流速３．０ｍ／ｍｉｎの条件で１５時間施した以外は、実施例１と同様の方法で陽極酸化処理を施した。
　＜貫通化処理後のアルミナ基材の形状＞
　・アルミナ基材の厚さ：１００μｍ
　・貫通孔の深さ：１００μｍ
　・貫通孔の平均開孔径：２０ｎｍ
　・貫通孔の開口径の変動係数：２６％
　（実施例１１）
　アルミナの除去処理において、無電解置換めっき液を水に置換する際に、水とともに無機ガラス成分としてケイ酸ナトリウムを２．５質量％となるように用いた以外は、実施例６と同様の方法により、分散液を調製した。
　なお、得られた金属ナノワイヤの長さ、直径（平均直径）、直径の変動係数、および、直径に対する長さの比（アスペクト比）を第１表に示す。
　（実施例１２）
　アルミナの除去処理において、無電解置換めっき液を水に置換する際に、水とともに無機ガラス成分として四ホウ酸二ナトリウムを１質量％となるように用いた以外は、実施例６と同様の方法により、分散液を調製した。
　なお、得られた金属ナノワイヤの長さ、直径（平均直径）、直径の変動係数、および、直径に対する長さの比（アスペクト比）を第１表に示す。
　（実施例１３）
　アルミナの除去処理において、無電解置換めっき液を水に置換する際に、水とともに無機ガラス成分として硫酸リチウムを１００ｇ／Ｌとなるように用いた以外は、実施例６と同様の方法により、分散液を調製した。
　なお、得られた金属ナノワイヤの長さ、直径（平均直径）、直径の変動係数、および、直径に対する長さの比（アスペクト比）を第１表に示す。
　（実施例１４）
　アルミナの除去処理において、無電解置換めっき液を水に置換する際に、水とともに無機ガラス成分としてリン酸２水素ナトリウムおよびホウ酸ナトリウムをそれぞれ２．５質量％および１．０質量％となるように用いた以外は、実施例６と同様の方法により、分散液を調製した。
　なお、得られた金属ナノワイヤの長さ、直径（平均直径）、直径の変動係数、および、直径に対する長さの比（アスペクト比）を第１表に示す。
　（実施例１５）
　アルミナの除去処理を以下に示す条件で行った以外は、実施例６と同様の方法により、分散液を調製した。
　＜（Ｈ－１５）アルミナの除去処理（分散液の調製）＞
　表面平滑化処理のアルミナ基材の陽極酸化皮膜をクロム酸／リン酸の混合水溶液を用いて溶解させ、貫通孔に充填した金属からなる金属ナノワイヤが分散した溶液を調製した。
　次いで、調製した分散液を吸引濾過装置のフィルター上部分に滴下し、吸引濾過して溶媒を除去した後に吸引を中止した。その後、Ｎｉ置換めっき液（ＳＥＫ－７９７、日本カニゼン株式会社製）を液温２０℃で滴下して６０秒静置し、その後に吸引を再開し、更に超純水を用いて吸引（洗浄）することにより、金属ナノワイヤの表面にＮｉを主体とする中間層を形成させた。
　次いで、金属ナノワイヤを無電解置換めっき液〔フラッシュゴールド３３０（奥野製薬工業社製）を用いて建浴し、ｐＨ＝４．６に調整したもの〕に６０℃で１０分間浸漬させた。その後、強電場を加えて無電解置換めっき液を水に置換し、これを繰り返すことにより、１０質量％の濃度で金属ナノワイヤが分散した分散液を調製した。
　（比較例１）
　陽極酸化処理を以下に示す条件で行った以外は、実施例１と同様の方法により、分散液を調製した。
　なお、貫通化処理により得られたアルミナ基材の形状は以下に示す通りであった。また、得られた金属ナノワイヤの長さ、直径（平均直径）、直径の変動係数、および、直径に対する長さの比（アスペクト比）を第１表に示す。
　＜（Ｂ－Ｘ）陽極酸化処理＞
　１７０ｇ／Ｌ硫酸の電解液で、温度４０℃、電流密度５Ａ／ｄｍ2、定電流の条件で１．５時間施した以外は、実施例１と同様の方法で陽極酸化処理を施した。
　＜貫通化処理後のアルミナ基材の形状＞
　・アルミナ基材の厚さ：１００μｍ
　・貫通孔の深さ：１００μｍ
　・貫通孔の平均開孔径：１５ｎｍ
　・貫通孔の開口径の変動係数：４１％
　（比較例２）
　金属充填処理を以下に示す条件で行った以外は、実施例１と同様の方法により、分散液を調製した。
　なお、得られた金属ナノワイヤの長さ、直径（平均直径）、直径の変動係数、および、直径に対する長さの比（アスペクト比）を第１表に示す。
　＜（Ｆ－Ｙ）金属充填処理＞
　上記加熱処理後のアルミナ基材をホウ酸１．３％、ｐＨ＝１０、５０℃の液中に３分間浸漬し、アルミナ基材表面を活性化させた後、純水で水洗した。
　次いで、アルミナ基材をアンモニア性硝酸銀溶液中に浸漬した状態で、アルミナ基材を振動させながら還元剤のホルマリンを添加し、１０分間処理することで銀鏡反応によりＡｇをアルミナ基材の貫通孔内部に析出（充填）させた。
　還元剤による処理の後、十分に水洗し、更に窒素雰囲気下で２００℃、１時間加熱することで充填した銀粒子をアニールして連続した焼結体（ワイヤ状）とした。
　＜分散安定性＞
　得られた各分散液を２０℃で２４時間、ビーカー内で静置した後に、金属ナノワイヤの沈降度合いを目視により確認した。
　その結果、ビーカー内の上部および下部で濃度差が無く、下部に沈降物が全く見られないものを分散安定性に極めて優れるものとして「５」と評価し、ビーカー内の上部および下部で濃度差が確認できるが、下部に沈降物が見られないものを分散安定性に優れるものとして「４」と評価し、下部に沈降物が見られるものを分散安定性に劣るものとして「２」と評価した。これら結果を下記第１表中に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
　第１表に示す結果から、金属ナノワイヤの直径の変動係数が大きい分散液は、分散安定性に劣ることが分かった（比較例１）。
　また、金属ナノワイヤの変動係数が３０％未満であっても、金属種がＡｇであると、分散安定性に劣ることが分かった（比較例２）。
　これに対し、特定の金属を用い、特定の変動係数を満たす直径を有する金属ナノワイヤを用いると、分散安定性に優れることが分かった（実施例１～１５）。
　１　アルミニウム基板
　２　マイクロポア
　３　陽極酸化皮膜
　４　アルミニウム基材
　５　貫通孔
　６　金属
　１０　金属ナノワイヤ

Claims (8)

  1. 　金属ナノワイヤを含有する分散液であって、
    　前記金属ナノワイヤの直径が１０～２００ｎｍであり、直径の変動係数が３０％未満であり、直径に対する長さの比（長さ／直径）が１０以上であり、
    　前記金属ナノワイヤが、金、ニッケルおよび銅からなる群から選択される少なくとも１種の金属を主体とする金属部材である分散液。
  2. 　前記金属ナノワイヤが、芯材と前記芯材を被覆する表層とを有し、前記芯材を構成する金属と前記表層を構成する金属とが異なる請求項１に記載の分散液。
  3. 　更に、ＨＬＢ値が１０以上の界面活性剤を含有する請求項１または２に記載の分散液。
  4. 　更に、ケイ素、リチウム、ホウ素およびリンからなる群から選択される少なくとも１種の元素を含む無機ガラス成分を含有する請求項１～３のいずれか１項に記載の分散液。
  5. 　導電性インク用途に用いる請求項１～４のいずれか１項に記載の分散液。
  6. 　請求項１～５のいずれか１項に記載の分散液を用いて形成される導電膜。
  7. 　金属ナノワイヤの含有量が、１ｍ2あたり０．００５～１ｇである請求項６に記載の導電膜。
  8. 　透明導電膜用途に用いる請求項６または７に記載の導電膜。
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