JP2005256102A - ナノ材料作製方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 陽極酸化して得たバリヤ層が残っているポーラスアルミナ層に、基板材料を予め膜状に直接一体化して生成し、バリヤ層が残っているアルミナ層についてはバリヤ層を除去した後において、また、バリヤ層が除去されているアルミナ層については膜生成後において、基板材料が膜状に取り付けられかつバリヤ層が除去されてなるポーラスアルミナをテンプレートとして用い、テンプレートに一体化して取り付けられている基板材料上にナノ材料を生成させることにより解決する。
【選択図】 図4-1
Description
(2) 該基板材料を膜状に生成する手段が、スパッタリング、蒸着、無電解メッキの何れかの一つの膜生成手段であることを特徴とする、前記(1)項に記載のナノ材料の作製方法。
(3) 該ポーラスアルミナ層に形成される基板材料としては、ナノ材料の電解析出が可能である導電性を有する材料から選ばれることを特徴とする、前記(1)または(2)に記載のナノ材料の作製方法。
(4) 該基板材料としては、銅を使用することを特徴とする、前記(1)ないし(3)の何れか1項に記載のナノ材料の作製方法。
(5) 該ナノ材料がニッケルないしニッケル基合金であることを特徴とする、前記(1)ないし(4)の何れか1項に記載のナノ材料の作製方法。
(6) 該ナノ材料がナノワイヤー、ナノドット状である、前記(1)ないし(5)記載の何れか1項に記載のナノ材料の作製方法。
(7) アルミニウム基板を陽極酸化してポーラスアルミナ層を形成する際、電解液、電解条件、電解時間を調整することによって、該アルミナ層に形成される微細細孔の密度、間隔、孔径、深さを任意に調製することを特徴とする、前記(1)項に記載のナノ材料の作製方法。
(8) 前記アルミニウム基板の陽極酸化工程に引きつづき、酸やアルカリ等の化学的処理液に浸す後処理工程に付すことを特徴とする、前記(7)項に記載のナノ材料の作製方法。
を流すような電解条件、すなわち電圧を高くして交流を使用する必要があり、好ましくない。このため、バリヤ層は除去しておくことがナノ材料の品質上好ましい。
本発明を容易に理解するためにまず図4-1によって作製手順に基づいて説明する。まずアルミニウムを陽極酸化しポーラスアルミナを作製したのち化学処理によりアルミニウム地金を除去する、またはアルミニウム地金がなくなるまで陽極酸化する。この陽極酸化を十分な時間をかけて行うとアルミナ被膜は十分な厚さをもつため取り扱いが容易であるが、薄い場合には取り扱いが難しいので、後で取り除くことが容易な接着剤を選定し、生成した表面を接着剤で補強することができる。その後望みの基板材料としての薄膜を作製する。薄膜の形成方法は例えばスパッタリング、蒸着、無電解めっき等がある。次に短時間の化学処理によりバリヤ層を取り除いた後、望みの材料でナノワイヤーやナノドットを作る。以上の過程のうちバリヤ層の除去と薄膜の形成は順番が逆でもよい(図4-2)。その場合、スパッタリング等基板材料が孔に入らない方法が望ましい。ワイヤー、ドットの作製方法は電解めっき、蒸着、ゾルゲル法等がある。電気めっきの場合はバリヤ層がないため直流の低電圧でワイヤー、ドットを作製することができる。
始めにアルミニウム板を陽極酸化しポーラスアルミナを作成する。99.99%のアルミニウム板(2cm×6cm、厚さ0.5mm)をアセトンで脱脂後図5で示す装置を用い陽極酸化した。陰極にはカーボンを用い、電解液には0.3Mシュウ酸を用いた。直流40V室温で約2日間陽極酸化処理を行った。その後塩化第2水銀飽和溶液中に浸し、アルミニウム部分を除去した。生成したポーラスアルミナをピンセットでつまんでいる態様を図6に示す。この図から、ポーラスアルミナ層が比較的大きな面積で得られたこと、また、その厚さについても十分な厚さがあることからピンセットでつかむことが可能であり、取り扱いも容易であることが明らかにされた。これを60℃の6wt%リン酸、1.8wt%クロム酸混合溶液に7分間浸し、ポーラスアルミナ層底部に残存しているバリヤ層の除去をした。この両面のSEM像を示したものが図7-1、図7-2に示す。図7-1は陽極酸化によって始めから孔が開けられている面、図7-2はバリヤ層の除去によってあとから孔が開けられた面である。バリヤ層が除去されて、孔が貫通したことがわかる。次いで、この片面にスパッタリングにより銅の薄膜を作成した。スパッタリングはアルゴン雰囲気中室温、約0.2nm/secのレートで2時間行った。この銅薄膜に電気めっきによりニッケルをメッキした。メッキ液は150g/l硫酸ニッケル、15g/lホウ酸、15g/l塩化アンモニウム混合溶液を用い、室温で直流3Vにて1分間または1秒間めっきした。陽極には白金ワイヤーを用いた。図8に1分間めっきした試料の断面SEM像を示す。この図からポーラスアルミナの細孔内に銅薄膜からニッケルのナノワイヤーが成長していることが見てとれる。このサンプルは銅薄膜の反対側の面にもニッケルがめっきされているが、これを防ぎたければめっきの前にその面に防水処理を施せばよい。この試料を60℃の6wt%リン酸、1.8wt%クロム酸混合溶液に1時間以上浸しアルミナを完全に除去し、ワイヤーを剥きだしにさせた。そのSEM像を図9に示す。ワイヤーが銅基板から直接生えているため倒れることなく立っていることがわかる。1秒間めっきした試料を同様の処理によりアルミナを除去したもののSEM像を図10に示す。めっき時間が短いためにワイヤーが十分に成長せず、ナノドットを形成していることがわかる。
、これをテンプレートして用いてナノワイヤー、ナノドット等ナノ材料を作製するものであるので、低い電圧の直流を使用することができ、これによって得られるナノ材料は、高品質で、低コスト、高い製作効率を有しているので、今後ナノ材料の設計に大いに利用され、これによって産業の発展に大いに寄与するものと期待される。
Claims (8)
- アルミニウム基板を陽極酸化して得たポーラスアルミナをテンプレートとするナノ材料の作製方法において、陽極酸化して得たバリヤ層が残っているポーラスアルミナ層あるいはバリヤ層が除去されてなるポーラスアルミナ層に、ナノ材料を生成させようとする基板材料を予め膜状に直接一体化して形成させ、バリヤ層が残っているアルミナ層についてはバリヤ層を除去した後において、また、バリヤ層が除去されているアルミナ層については膜生成後において、該基板材料が一体化して形成されそしてバリヤ層が除去されてなるポーラスアルミナをテンプレートとして用い、そのテンプレートに一体化して取り付けられている基板材料上にナノ材料を生成させることを特徴とする、ナノ材料の作製方法。
- 該基板材料を膜状に生成する手段が、スパッタリング、蒸着、無電解メッキの何れかの一つの膜生成手段であることを特徴とする、請求項1記載のナノ材料の作製方法。
- 該ポーラスアルミナ層に形成される基板材料としては、ナノ材料の電解析出が可能である導電性を有する材料から選ばれることを特徴とする、請求項1または2に記載のナノ材料の作製方法。
- 該基板材料としては、銅を使用することを特徴とする、請求項1ないし3の何れか1項に記載のナノ材料の作製方法。
- 該ナノ材料がニッケルないしニッケル基合金であることを特徴とする、請求項1ないし4の何れか1項に記載のナノ材料の作製方法。
- 該ナノ材料がナノワイヤー、ナノドット状である、請求項1ないし5記載の何れか1項に記載のナノ材料の作製方法。
- アルミニウム基板を陽極酸化してポーラスアルミナ層を形成する際、電解液、電解条件、電解時間を調整することによって、該アルミナ層に形成される微細細孔の密度、間隔、孔径、深さを任意に調製することを特徴とする、請求項1記載のナノ材料の作製方法。
- 前記アルミニウム基板の陽極酸化工程に引きつづき、酸やアルカリ等の化学的処理液に浸す後処理工程に付すことを特徴とする、前記(7)記載のナノ材料の作製方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004070276A JP3899413B2 (ja) | 2004-03-12 | 2004-03-12 | ナノ材料作製方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004070276A JP3899413B2 (ja) | 2004-03-12 | 2004-03-12 | ナノ材料作製方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005256102A true JP2005256102A (ja) | 2005-09-22 |
JP3899413B2 JP3899413B2 (ja) | 2007-03-28 |
Family
ID=35082131
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004070276A Expired - Lifetime JP3899413B2 (ja) | 2004-03-12 | 2004-03-12 | ナノ材料作製方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3899413B2 (ja) |
Cited By (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2008029416A1 (en) * | 2006-09-08 | 2008-03-13 | Tata Institute Of Fundamental Research (Tifr) | A metal nanowire based device for obtaining gas discharge in air at low voltage less than 100v at atmospheric pressure. |
JP2008545881A (ja) * | 2005-05-18 | 2008-12-18 | サントル ナスィオナル ド ラ ルシェルシュ スィアンティフィク | 自立伝導性ナノ複合エレメントの電解製造法 |
JP2010058185A (ja) * | 2008-09-01 | 2010-03-18 | Toyota Central R&D Labs Inc | 自律応答性ゲルの配列体及びその製造方法、並びに自律応答体及びその製造方法 |
WO2010095661A1 (ja) | 2009-02-17 | 2010-08-26 | 富士フイルム株式会社 | 金属部材 |
JP2011161415A (ja) * | 2010-02-15 | 2011-08-25 | Kanagawa Acad Of Sci & Technol | サイズおよび形状の制御された微粒子およびその製造方法 |
WO2012147964A1 (ja) | 2011-04-28 | 2012-11-01 | 富士フイルム株式会社 | 金属ナノワイヤを含有する分散液および導電膜 |
CN102953107A (zh) * | 2011-08-16 | 2013-03-06 | 国家纳米科学中心 | 制备多孔氧化铝薄膜的装置和方法 |
JP2013177696A (ja) * | 2008-12-31 | 2013-09-09 | Korea Univ Research & Business Foundation | 多元系ナノワイヤーの製造方法 |
CN103882479A (zh) * | 2014-02-17 | 2014-06-25 | 瑞安市浙工大技术转移中心 | 带有直径梯度的磁性合金纳米线的制备方法 |
CN103882489A (zh) * | 2014-02-17 | 2014-06-25 | 瑞安市浙工大技术转移中心 | 一种带有直径梯度的磁性合金纳米线的制备方法 |
CN107164795A (zh) * | 2017-05-09 | 2017-09-15 | 电子科技大学 | 一种双通aao模板及其制备方法和应用 |
CN108766627A (zh) * | 2018-05-15 | 2018-11-06 | 华南理工大学 | 一种银纳米网格柔性透明电极及其制备方法 |
KR20190107476A (ko) * | 2018-03-12 | 2019-09-20 | 고려대학교 산학협력단 | 나노스케일 금속 나노선 및 제조방법 |
CN112657805A (zh) * | 2020-12-01 | 2021-04-16 | 大连理工大学 | 一种纳米线-氟碳复合涂层及其制备方法 |
-
2004
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Cited By (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008545881A (ja) * | 2005-05-18 | 2008-12-18 | サントル ナスィオナル ド ラ ルシェルシュ スィアンティフィク | 自立伝導性ナノ複合エレメントの電解製造法 |
WO2008029416A1 (en) * | 2006-09-08 | 2008-03-13 | Tata Institute Of Fundamental Research (Tifr) | A metal nanowire based device for obtaining gas discharge in air at low voltage less than 100v at atmospheric pressure. |
JP2010058185A (ja) * | 2008-09-01 | 2010-03-18 | Toyota Central R&D Labs Inc | 自律応答性ゲルの配列体及びその製造方法、並びに自律応答体及びその製造方法 |
JP2013177696A (ja) * | 2008-12-31 | 2013-09-09 | Korea Univ Research & Business Foundation | 多元系ナノワイヤーの製造方法 |
WO2010095661A1 (ja) | 2009-02-17 | 2010-08-26 | 富士フイルム株式会社 | 金属部材 |
JP2011161415A (ja) * | 2010-02-15 | 2011-08-25 | Kanagawa Acad Of Sci & Technol | サイズおよび形状の制御された微粒子およびその製造方法 |
WO2012147964A1 (ja) | 2011-04-28 | 2012-11-01 | 富士フイルム株式会社 | 金属ナノワイヤを含有する分散液および導電膜 |
CN102953107B (zh) * | 2011-08-16 | 2016-03-09 | 国家纳米科学中心 | 制备多孔氧化铝薄膜的装置和方法 |
CN102953107A (zh) * | 2011-08-16 | 2013-03-06 | 国家纳米科学中心 | 制备多孔氧化铝薄膜的装置和方法 |
CN103882479A (zh) * | 2014-02-17 | 2014-06-25 | 瑞安市浙工大技术转移中心 | 带有直径梯度的磁性合金纳米线的制备方法 |
CN103882489A (zh) * | 2014-02-17 | 2014-06-25 | 瑞安市浙工大技术转移中心 | 一种带有直径梯度的磁性合金纳米线的制备方法 |
CN103882479B (zh) * | 2014-02-17 | 2016-09-21 | 瑞安市浙工大技术转移中心 | 带有直径梯度的磁性合金纳米线的制备方法 |
CN107164795A (zh) * | 2017-05-09 | 2017-09-15 | 电子科技大学 | 一种双通aao模板及其制备方法和应用 |
CN107164795B (zh) * | 2017-05-09 | 2019-02-15 | 电子科技大学 | 一种双通aao模板及其制备方法和应用 |
KR20190107476A (ko) * | 2018-03-12 | 2019-09-20 | 고려대학교 산학협력단 | 나노스케일 금속 나노선 및 제조방법 |
KR102088094B1 (ko) * | 2018-03-12 | 2020-03-11 | 고려대학교 산학협력단 | 나노스케일 금속 나노선 및 제조방법 |
CN108766627A (zh) * | 2018-05-15 | 2018-11-06 | 华南理工大学 | 一种银纳米网格柔性透明电极及其制备方法 |
CN112657805A (zh) * | 2020-12-01 | 2021-04-16 | 大连理工大学 | 一种纳米线-氟碳复合涂层及其制备方法 |
CN112657805B (zh) * | 2020-12-01 | 2022-07-19 | 大连理工大学 | 一种纳米线-氟碳复合涂层及其制备方法 |
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A977 | Report on retrieval |
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