JP5043691B2 - 金属充填微細構造体の製造方法ならびに金属充填微細構造体および異方導電性部材 - Google Patents
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Description
そこで、近年になり、絶縁素材の皮膜中に導電部材が貫通林立したタイプや金属球を配置したタイプの異方導電部材が注目されてきている。
即ち、半導体素子等の電子部品を、実装時と同様のポジションで回路基板に異方導電性部材を介して接触させて機能検査を行うことで、電子部品を回路基板上に実装せずに、機能検査を実施でき、上記の問題を回避することができる。
また、特許文献3には、レジストとマスクを用いて導電性の柱を電鋳で作製し、これに絶縁性素材を流し込み硬化させることで異方導電性フィルムを製造する方法が検討されている。
基体と、該基体に積層されて設けられるところの前記保持体となる絶縁層とを有する母材に対し前記絶縁層側から高エネルギビームを照射して、複数の領域において前記絶縁層の全部と前記基体の一部とを除去し、前記母材に複数の穴を形成する第1の工程と、
形成された複数の穴に、前記絶縁層の面と面一またはこの面より突出させて、前記導電部材となる導電材料を充填する第2の工程と、前記基体を除去する第3の工程と、を有することを特徴とする電気的接続部材の製造方法。」が開示されており、絶縁層として、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、シリコン樹脂等の種々の材質に関する検討も行なわれている。
そのため、このような電子部品に対応できるよう、異方導電性部材における導通路もその外径(太さ)をより小さくし、かつ、狭ピッチで配列させる必要が生じている。
しかしながら、上記特許文献1〜4等に記載されている異方導電性フィルムや電気的接続部材を製造する方法では、導通路のサイズを小さくすることは非常に困難であり、狭ピッチに対応した導電部材を高密度で充填させる方法が期待されている。
すなわち、本発明は、以下の(1)〜(7)を提供する。
上記基体に親水化処理を施す親水化処理工程、および、
上記親水化処理工程の後に、めっき処理を施して上記貫通孔に金属を充填する金属充填処理工程、を具備し、
上記親水化処理が、上記基体の表面の少なくとも一部に、ケイ素、ナトリウム、ジルコニウムおよびリンからなる群から選択される少なくとも1つの元素を付与する処理である金属充填微細構造体の製造方法。
規則化度(%)=B/A×100 (i)
上記式(i)中、Aは、測定範囲における貫通孔の全数を表す。Bは、一の貫通孔の重心を中心とし、他の貫通孔の縁に内接する最も半径が短い円を描いた場合に、その円の内部に上記一の貫通孔以外の貫通孔の重心を6個含むことになる上記一の貫通孔の測定範囲における数を表す。
本発明の金属充填微細構造体の製造方法(以下、単に「本発明の製造方法」ともいう。)は、平均開孔径が5〜500nmの貫通孔を200万個/mm2以上の密度で有する基体の上記貫通孔に金属を充填して得られる金属充填微細構造体の製造方法であって、少なくとも、
上記基体に親水化処理を施す親水化処理工程、および、
上記親水化処理工程の後に、めっき処理を施して上記貫通孔に金属を充填する金属充填処理工程、を具備する金属充填微細構造体の製造方法である。
次に、本発明の製造方法に用いられる基体ならびに該基体に施す親水化処理工程および金属充填処理工程について詳述する。
本発明の製造方法に用いられる基体は、平均開孔径が5〜500nmの貫通孔を200万個/mm2以上の密度で有する基体である。
上記基体の材料は特に限定されないが、本発明の製造方法により得られる本発明の金属充填微細構造体を後述する本発明の異方導電性部材として用いる観点から上記貫通孔の高アスペクト比性、サイズ、独立性等を考慮すると、金属の陽極酸化により形成される酸化皮膜材料であるのが好ましく、寸法安定性に優れ、比較的安価であるという理由から、アルミナからなるのがより好ましい。
具体的には、上記基体は、アルミニウム基板を陽極酸化してマイクロポアを有する陽極酸化皮膜を形成する陽極酸化処理(以下、「陽極酸化処理(A)」ともいう。)と、
上記陽極酸化処理後にアルミニウム基板を除去し、上記陽極酸化皮膜をアルミニウム基板から分離する分離処理(以下、「分離処理(B)」ともいう。)と、
上記分離処理により分離された陽極酸化皮膜のマイクロポアを貫通させる貫通化処理(以下、「貫通化処理(C)」ともいう。)とを施して得られるものであるのが好ましい。
以下に、アルミニウム基板および各処理について詳述する。
アルミニウム基板は、特に限定されず、その具体例としては、純アルミニウム板;アルミニウムを主成分とし微量の異元素を含む合金板;低純度のアルミニウム(例えば、リサイクル材料)に高純度アルミニウムを蒸着させた基板;シリコンウエハー、石英、ガラス等の表面に蒸着、スパッタ等の方法により高純度アルミニウムを被覆させた基板;アルミニウムをラミネートした樹脂基板;等が挙げられる。
熱処理を施す場合は、200〜350℃で30秒〜2分程度施すのが好ましい。具体的には、例えば、アルミニウム基板を加熱オーブンに入れる方法等が挙げられる。
このような熱処理を施すことにより、後述する陽極酸化処理により生成するマイクロポアの配列の規則性が向上する。
また、熱処理後のアルミニウム基板は、急速に冷却するのが好ましい。冷却する方法としては、例えば、水等に直接投入する方法等が挙げられる。
脱脂処理は、酸、アルカリ、有機溶剤等を用いて、アルミニウム基板表面に付着した、ほこり、脂、樹脂等の有機成分等を溶解させて除去し、有機成分を原因とする後述の各処理における欠陥の発生を防止することを目的として行われる。
鏡面仕上げ処理は、アルミニウム基板の表面の凹凸、例えば、アルミニウム基板の圧延時に発生した圧延筋等をなくして、電着法等による封孔処理の均一性や再現性を向上させるために行われる。
本発明の製造方法において、鏡面仕上げ処理は、特に限定されず、従来公知の方法を用いることができる。例えば、機械研磨、化学研磨、電解研磨が挙げられる。
また、リン酸−硝酸法、Alupol I法、Alupol V法、Alcoa R5法、H3PO4−CH3COOH−Cu法、H3PO4−HNO3−CH3COOH法が好適に例示される。中でも、リン酸−硝酸法、H3PO4−CH3COOH−Cu法、H3PO4−HNO3−CH3COOH法が好ましい。
化学研磨により、光沢度を70%以上(圧延アルミニウムである場合、その圧延方向および幅方向ともに70%以上)とすることができる。
電解研磨により、光沢度を70%以上(圧延アルミニウムである場合、その圧延方向および幅方向ともに70%以上)とすることができる。
なお、光沢度は、圧延方向に垂直な方向において、JIS Z8741−1997の「方法3 60度鏡面光沢」の規定に準じて求められる正反射率である。具体的には、変角光沢度計(例えば、VG−1D、日本電色工業社製)を用いて、正反射率70%以下の場合には入反射角度60度で、正反射率70%を超える場合には入反射角度20度で、測定する。
陽極酸化処理(A)は、アルミニウム基板を陽極酸化することにより、該アルミニウム基板表面にマイクロポアを有する陽極酸化皮膜を形成する処理であり、従来公知の方法を用いることができる。
また、上記陽極酸化処理は、後述する金属充填処理工程における電解めっきを施しやすい観点から、下地基板のアルミニウムがマイクロポア底部に露出した特開2002−332578号公報のような形態で施すのが好ましい。
これらの処理は、各特許公報に記載されている処理条件で施すのが好ましい。
例えば、インプリント法(突起を有する基板またはロールをアルミニウム板に圧接し、凹部を形成する、転写法、プレスパターニング法)を用いる方法が挙げられる。具体的には、複数の突起を表面に有する基板をアルミニウム表面に押し付けて窪みを形成させる方法が挙げられる。例えば、特開平10−121292号公報に記載されている方法を用いることができる。
また、アルミニウム表面にポリスチレン球を稠密状態で配列させ、その上からSiO2を蒸着した後、ポリスチレン球を除去し、蒸着されたSiO2をマスクとして基板をエッチングして窪みを形成させる方法も挙げられる。
粒子線法は、アルミニウム表面に粒子線を照射して窪みを形成させる方法である。粒子線法は、窪みの位置を自由に制御することができるという利点を有する。
粒子線としては、例えば、荷電粒子ビーム、集束イオンビーム(FIB:Focused Ion Beam)、電子ビームが挙げられる。
粒子線法としては、例えば、特開2001−105400号公報に記載されている方法を用いることもできる。
ブロックコポリマー法は、アルミニウム表面にブロックコポリマー層を形成させ、熱アニールによりブロックコポリマー層に海島構造を形成させた後、島部分を除去して窪みを形成させる方法である。
ブロックコポリマー法としては、例えば、特開2003−129288号公報に記載されている方法を用いることができる。
レジストパターン・露光・エッチング法は、フォトリソグラフィあるいは電子ビームリソグラフィ法によりアルミニウム板表面のレジストに露光および現像を施し、レジストパターンを形成した後これをエッチングする。レジストを設け、エッチングしてアルミニウム表面まで貫通した窪みを形成させる方法である。
分離処理(B)は、上記陽極酸化処理(A)後にアルミニウム基板を除去し、陽極酸化皮膜をアルミニウム基板から分離する処理である。
したがって、アルミニウム除去処理には、アルミナは溶解せず、アルミニウムを溶解する処理液を用いる。
濃度としては、0.01〜10mol/Lが好ましく、0.05〜5mol/Lがより好ましい。
処理温度としては、−10℃〜80℃が好ましく、0℃〜60℃が好ましい。
貫通化処理(C)は、上記分離処理(B)により分離された陽極酸化皮膜のマイクロポアを貫通させる処理である。
貫通化処理では、マイクロポアを有する陽極酸化皮膜を、酸水溶液またはアルカリ水溶液に浸せきさせることにより、陽極酸化皮膜を部分的に溶解させる。これにより、マイクロポア底部の陽極酸化皮膜が除去され、マイクロポアからなる貫通孔(以下、「マイクロポア貫通孔」ともいう。)が形成される。
貫通化処理により、陽極酸化皮膜に存在するマイクロポアのうち70%以上が貫通することが好ましく、85%以上であることがより好ましく、95%以上であることが更に好ましい。
貫通化処理にアルカリ水溶液を用いる場合は、水酸化ナトリウム、水酸化カリウムおよび水酸化リチウムからなる群から選ばれる少なくとも一つのアルカリの水溶液を用いることが好ましい。アルカリ水溶液の濃度は0.1〜5質量%であるのが好ましい。アルカリ水溶液の温度は、20〜35℃であるのが好ましい。
具体的には、例えば、50g/L、40℃のリン酸水溶液、0.5g/L、30℃の水酸化ナトリウム水溶液または0.5g/L、30℃の水酸化カリウム水溶液が好適に用いられる。
酸水溶液またはアルカリ水溶液への浸せき時間は、8〜120分であるのが好ましく、10〜90分であるのがより好ましく、15〜60分であるのが更に好ましい。
具体的には、陽極酸化皮膜の下方、即ち、陽極酸化皮膜におけるアルミニウム基板側の部分を、レーザー等による切削処理や種々の研磨処理等を用いて物理的に除去し、マイクロポア貫通孔を有する陽極酸化皮膜とする方法が好適に例示される。
本発明の製造方法における親水化処理工程は、上記基体に親水化処理を施す工程である。
本発明の製造方法においては、上記親水化処理が、ケイ素、ナトリウム、ジルコニウムおよびリンからなる群から選択される少なくとも1つの元素を、上記基体の表面の少なくとも一部に付与する処理であるのが好ましく、貫通孔の内部を含めた上記基体の表面全域にわたって付与する処理であるのがより好ましい。
このように加熱することで、溶剤が揮発するだけでなく、上記基体表面と所望により添加する界面活性剤とが化学的に結合することができ、界面活性剤の付与も容易となる。
ここで、界面活性剤のHLB値はその構造により異なるが、本発明の製造方法においては、HLB値が12以上であれば、アニオン性界面活性剤、カチオン性界面活性剤、非イオン性界面活性剤等のいずれであっても使用することができる。中でも、非イオン性界面活性剤が好適に使用することができる。
具体的には、シリケート処理と称される方法が好適に用いられる。シリケート処理としては、例えば、米国特許第2,714,066号、同第3,181,461号、同第3,280,734号、同第3,902,734号の各公報等に開示されているようなアルカリ金属シリケート(例えば、ケイ酸ナトリウム水溶液)法が挙げられる。この方法においては、陽極酸化皮膜からなる基体がケイ酸ナトリウム水溶液で浸漬処理されるか又は電解処理される。
また、特公昭36−22063号公報に開示されているフッ化ジルコン酸カリウムや米国特許第3,276,868号、同第4,153,461号、同第4,689,272号の各公報に開示されているようなポリビニルホスホン酸で処理する方法が用いられる。
上記金属充填工程は、上記親水化処理工程の後に、めっき処理を施して上記貫通孔に金属を充填して金属充填微細構造体を得る工程である。
ここで、充填する金属は、後述する本発明の異方導電性部材の導通路を構成するものであり、電気抵抗率が103Ω・cm以下の材料であれば特に限定されず、その具体例としては、金(Au)、銀(Ag)、銅(Cu)、アルミニウム(Al)、マグネシウム(Mg)、ニッケル(Ni)、インジウムがドープされたスズ酸化物(ITO)等が好適に例示される。
中でも、電気伝導性の観点から、銅、金、アルミニウム、ニッケルが好ましく、銅、金がより好ましい。
また、コストの観点から、導通路の上記絶縁性基体の両面から露出した面や突出した面(以下、「端面」ともいう。)の表面だけが金で形成されるのがより好ましい。
ここで、着色などに用いられる従来公知の電解めっき法では、選択的に孔中に金属を高アスペクトで析出(成長)させることは困難である。これは、析出金属が孔内で消費され一定時間以上電解を行なってもめっきが成長しないためと考えられる。
また、電解液のかくはんを促進するため、超音波を加えることも望ましい。
更に、電解電圧は、通常20V以下であって望ましくは10V以下であるが、使用する電解液における目的金属の析出電位を予め測定し、その電位+1V以内で定電位電解を行なうことが好ましい。なお、定電位電解を行なう際には、サイクリックボルタンメトリを併用できるものが望ましく、Solartron社、BAS社、北斗電工社、IVIUM社等のポテンショスタット装置を用いることができる。
具体的には、銅を析出させる場合には硫酸銅水溶液が一般的に用いられるが、硫酸銅の濃度は、1〜300g/Lであるのが好ましく、100〜200g/Lであるのがより好ましい。また、電解液中に塩酸を添加すると析出を促進することができる。この場合、塩酸濃度は10〜20g/Lであるのが好ましい。
また、金を析出させる場合、テトラクロロ金の硫酸溶液を用い、交流電解でめっきを行なうのが望ましい。
本発明の製造方法においては、本発明の製造方法により得られる本発明の金属充填微細構造体を後述する本発明の異方導電性部材として好適に用いる観点から、上記金属充填工程の後に、化学機械研磨処理によって表面および裏面を平滑化する表面平滑処理工程を具備するのが好ましい。
化学機械研磨(CMP:Chemical Mechanical Polishing)処理を行うことにより、金属を充填させた後の表面および裏面の平滑化と表面に付着した余分な金属を除去することができる。
CMP処理には、フジミインコーポレイテッド社製のPNANERLITE−7000、日立化成社製のGPX HSC800、旭硝子(セイミケミカル)社製のCL−1000等のCMPスラリーを用いることができる。
なお、陽極酸化皮膜を研磨したくないので、層間絶縁膜やバリアメタル用のスラリーを用いるのは好ましくない。
本発明の製造方法においては、本発明の製造方法により得られる本発明の金属充填微細構造体を後述する本発明の異方導電性部材として好適に用いる観点から、上記金属充填工程または上記CMP処理を施した場合は上記表面平滑処理工程の後に、トリミング処理工程を具備するのが好ましい。
上記トリミング処理工程は、上記金属充填工程または上記CMP処理を施した場合は上記表面平滑処理工程の後に、金属充填微細構造体表面の基体のみを一部除去し、後述する本発明の異方導電性部材の導通路となる金属を突出させる工程である。
本発明の製造方法においては、上記トリミング処理工程に代えてまたは上記トリミング処理工程の後に、後述する本発明の異方導電性部材の導通路となる金属の表面にのみ、更に同一のまたは異なる金属を析出させる電着処理工程を具備するものであってもよい。
本発明の金属充填微細構造体は、上述したように、平均開孔径が5〜500nmの貫通孔を200万個/mm2以上の密度で有する基体の上記貫通孔に金属を充填して得られるため、上記基体が絶縁性材料(例えば、アルミナ等)であれば、異方導電性部材として用いることができる。
規則化度(%)=B/A×100 (i)
上記式(i)中、Aは、測定範囲における貫通孔の全数を表す。Bは、一の貫通孔の重心を中心とし、他の貫通孔の縁に内接する最も半径が短い円を描いた場合に、その円の内部に上記一の貫通孔以外の貫通孔の重心を6個含むことになる上記一の貫通孔の測定範囲における数を表す。
図1(A)に示される貫通孔101は、貫通孔101の重心を中心とし、他の貫通孔の縁に内接する最も半径が短い円103(貫通孔102に内接している。)を描いた場合に、円3の内部に貫通孔101以外の貫通孔の重心を6個含んでいる。したがって、貫通孔101は、Bに算入される。
図1(B)に示される貫通孔104は、貫通孔104の重心を中心とし、他の貫通孔の縁に内接する最も半径が短い円106(貫通孔105に内接している。)を描いた場合に、円106の内部に貫通孔104以外の貫通孔の重心を5個含んでいる。したがって、貫通孔104は、Bに算入されない。
また、図1(B)に示される貫通孔107は、貫通孔107の重心を中心とし、他の貫通孔の縁に内接する最も半径が短い円109(貫通孔108に内接している。)を描いた場合に、円109の内部に貫通孔107以外の貫通孔の重心を7個含んでいる。したがって、貫通孔107は、Bに算入されない。
具体的には、絶縁性材料からなる上記基体中に、導電性部材からなる複数の導通路(密度:200万個/mm2以上)が、互いに絶縁された状態で上記基体を厚み方向に貫通し、かつ、上記各導通路の一端が上記基体の一方の面において露出または突出し、上記各導通路の他端が上記基体の他方の面において露出または突出した状態で設けられる異方導電性部材である。
次に、本発明の異方導電性部材について、図2を用いて説明する。
本発明の異方導電性部材1は、絶縁性基体2および導電性部材からなる複数の導通路3を具備するものである。
この導通路3は、軸線方向の長さが絶縁性基体2の厚み方向Zの長さ(厚み)以上で、かつ、密度が200万個/mm2以上となるよう互いに絶縁された状態で絶縁性基体2を貫通して設けられる。
また、この導通路3は、各導通路3の一端が絶縁性基体2の一方の面において露出し、各導通路3の他端が絶縁性基体2の他方の面において露出した状態で設けられるが、図2(b)に示すように、各導通路3の一端が絶縁性基体2の一方の面2aから突出し、各導通路3の他端が絶縁性基体2の他方の面2bから突出してた状態で設けられるのが好ましい。即ち、各導通路3の両端は、絶縁性基体の主面である2aおよび2bから突出する各突出部4aおよび4bを有するのが好ましい。
更に、この導通路3は、少なくとも絶縁性基体2内の部分(以下、「基材内導通部5」ともいう。)が、該フィルム基材2の厚み方向Zと略平行(図2においては平行)となるように設けられるのが好ましい。具体的には、上記絶縁性基体の厚みに対する上記導通路の中心線の長さ(長さ/厚み)が、1.0〜1.2であるのが好ましく、1.0〜1.05であるのがより好ましい。
次に、絶縁性基体および導通路のぞれぞれについて、材料、寸法、形成方法等について説明する。
本発明の異方導電性部材を構成する上記絶縁性基体は、上述した本発明の製造方法および金属充填微細構造体において説明した上記基体のうち、アルミナ(電気抵抗率:1014Ω・cm程度)等の絶縁性材料で構成されるものである。
本発明の異方導電性部材を構成する上記導通路は導電性部材からなるものである。
上記導電性部材は、上述した本発明の製造方法および金属充填微細構造体において説明した金属と同様である。
また、上述したように、上記絶縁性基体の厚みに対する上記導通路の中心線の長さ(長さ/厚み)は1.0〜1.2であるのが好ましく、1.0〜1.05であるのがより好ましい。上記絶縁性基体の厚みに対する上記導通路の中心線の長さがこの範囲であると、上記導通路が直管構造であると評価でき、電気信号を流した際に1対1の応答を確実に得ることができるため、本発明の異方導電性部材を電子部品の検査用コネクタや電気的接続部材として、より好適に用いることができる。
上記導通路の密度がこの範囲にあることにより、本発明の異方導電性部材は高集積化が一層進んだ現在においても半導体素子等の電子部品の検査用コネクタや電気的接続部材等として使用することができる。
(A)鏡面仕上げ処理(電解研磨処理)
高純度アルミニウム基板(住友軽金属社製、純度99.99質量%、厚さ0.4mm)を10cm四方の面積で陽極酸化処理できるようカットし、以下組成の電解研磨液を用い、電圧25V、液温度65℃、液流速3.0m/minの条件で電解研磨処理を施した。
陰極はカーボン電極とし、電源は、GP0110−30R(高砂製作所社製)を用いた。また、電解液の流速は渦式フローモニターFLM22−10PCW(AS ONE製)を用いて計測した。
・85質量%リン酸(和光純薬社製試薬) 660mL
・純水 160mL
・硫酸 150mL
・エチレングリコール 30mL
次いで、電解研磨処理後のアルミニウム基板に、0.50mol/Lシュウ酸の電解液で、電圧40V、液温度15℃、液流速3.0m/minの条件で、5時間のプレ陽極酸化処理を施した。
その後、プレ陽極酸化処理後のアルミニウム基板を、0.2mol/L無水クロム酸、0.6mol/Lリン酸の混合水溶液(液温:50℃)に12時間浸漬させる脱膜処理を施した。
その後、0.50mol/Lシュウ酸の電解液で、電圧40V、液温度15℃、液流速3.0m/minの条件で、10時間の再陽極酸化処理を施し、膜厚80μmの酸化皮膜を得た。
なお、プレ陽極酸化処理および再陽極酸化処理は、いずれも陰極はステンレス電極とし、電源はGP0110−30R(高砂製作所社製)を用いた。また、冷却装置にはNeoCool BD36(ヤマト科学社製)、かくはん加温装置にはペアスターラー PS−100(EYELA社製)を用いた。更に、電解液の流速は渦式フローモニターFLM22−10PCW(AS ONE製)を用いて計測した。
次いで、20質量%塩化水銀水溶液(昇汞)に20℃、3時間浸漬させることによりアルミニウム基板を溶解し、更に、5質量%リン酸に30℃、30分間浸漬させることにより陽極酸化皮膜の底部を除去し、マイクロポアを有する陽極酸化皮膜からなる微細構造体(絶縁性基材)を作製した。
密度(個/μm2)=(1/2個)/{Pp(μm)×Pp(μm)×√3×(1/2)}
次いで、上記で得られた構造体に、温度400℃で1時間の加熱処理を施した。
次いで、下記第1表に示す条件で処理液に浸漬することにより、親水化処理を施した。
次いで、上記親水化処理工程後の構造体の一方の表面に銅電極を密着させ、該銅電極を陰極にし、白金を正極にして電解めっきを行なった。
硫酸銅/硫酸/塩酸=200/50/15(g/L)の混合溶液を25℃に保った状態で電解液として使用し、定電圧パルス電解を実施することにより、マイクロポアからなる孔に銅が充填された微細構造体(異方導電性部材)を製造した。
ここで、定電圧パルス電解は、山本鍍金社製のめっき装置を用い、北斗電工社製の電源(HZ−3000)を用い、めっき液中でサイクリックボルタンメトリを行なって析出電位を確認した後、皮膜側の電位を−2Vに設定して行った。また、定電圧パルス電解のパルス波形は矩形波であった。具体的には、電解の総処理時間が300秒になるように、1回の電解時間が60秒の電解処理を、各電解処理の間に40秒の休止時間を設けて5回施した。
銅を充填した後の表面をFE−SEMで観察すると、陽極酸化皮膜の表面から一部あふれるような形になっていた。
次いで、銅が充填された微細構造体(膜厚:80μm)の表面および裏面に、CMP処理を施し、両面から15μmずつ研磨し、膜厚を50μmとした。
CMPスラリーとしては、フジミインコーポレイテッド社製のPNANERLITE−7000を用いた。
次いで、CMP処理後の微細構造体をリン酸溶液に浸漬し、陽極酸化皮膜を選択的に溶解することで、導通路である銅の円柱を突出させた。
リン酸溶液は、上記貫通化処理と同じ液を使い、処理時間を5分とした。
具体的には、実施例1〜8および比較例1で得られた各異方導電部材の表面をSEMで観察し、視野内における全マイクロポアの数に対する、銅が充填されているマイクロポアの数で比率計算した。その結果を第1表に示す。
2 絶縁性基体
3 導通路
4a,4b 突出部
5 基材内導通部
6 絶縁性基体の厚み
7 導通路間の幅
8 導通路の直径
9 導通路の中心間距離(ピッチ)
51 マイクロポアの単位格子
52 マイクロポア
101、102、104、105、107、108 貫通孔
103、106、109 円
Claims (7)
- 平均開孔径が5〜500nmの貫通孔を200万個/mm2以上の密度で有する基体の前記貫通孔に金属を充填して得られる金属充填微細構造体の製造方法であって、少なくとも、
前記基体に親水化処理を施す親水化処理工程、および、
前記親水化処理工程の後に、めっき処理を施して前記貫通孔に金属を充填する金属充填処理工程、を具備し、
前記親水化処理が、前記基体の表面の少なくとも一部に、ケイ素、ナトリウム、ジルコニウムおよびリンからなる群から選択される少なくとも1つの元素を付与する処理である金属充填微細構造体の製造方法。 - 前記めっき処理が、電解めっき処理である請求項1に記載の金属充填微細構造体の製造方法。
- 前記基体が、アルミナからなる請求項1または2に記載の金属充填微細構造体の製造方法。
- 前記基体が、アルミニウムに少なくとも陽極酸化処理を施して得られる請求項1〜3のいずれかに記載の金属充填微細構造体の製造方法。
- 請求項1〜4のいずれかに記載の金属充填微細構造体の製造方法によって得られる金属充填微細構造体。
- 前記貫通孔について下記式(i)により定義される規則化度が50%以上である、請求項5に記載の金属充填微細構造体。
規則化度(%)=B/A×100 (i)
前記式(i)中、Aは、測定範囲における貫通孔の全数を表す。Bは、一の貫通孔の重心を中心とし、他の貫通孔の縁に内接する最も半径が短い円を描いた場合に、その円の内部に前記一の貫通孔以外の貫通孔の重心を6個含むことになる前記一の貫通孔の測定範囲における数を表す。 - 請求項5または6に記載の金属充填微細構造体からなる異方導電性部材。
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