JP2786316B2 - 異方性導電膜およびその製造方法 - Google Patents
異方性導電膜およびその製造方法Info
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- JP2786316B2 JP2786316B2 JP2156130A JP15613090A JP2786316B2 JP 2786316 B2 JP2786316 B2 JP 2786316B2 JP 2156130 A JP2156130 A JP 2156130A JP 15613090 A JP15613090 A JP 15613090A JP 2786316 B2 JP2786316 B2 JP 2786316B2
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/325—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by abutting or pinching, i.e. without alloying process; mechanical auxiliary parts therefor
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- Die Bonding (AREA)
- Non-Insulated Conductors (AREA)
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、LSIの実装や回路基板間の接続に用いられ
る異方性導電膜およびその製造方法に関する。
る異方性導電膜およびその製造方法に関する。
従来の異方性導電膜において、例えば膜状の樹脂材料
および該樹脂材料中に分散された多数の導電粒子から構
成されるものがある。このような異方性導電膜によりLS
Iを実装する場合、まず、膜状の樹脂材料に多数の導電
粒子を分散して構成される膜状部材を準備し、次いで、
該膜状部材を回路基板上に載置し、Auバンプ付きのLSI
チップを位置合わせして重ねる。次いで、LSIチップを
回路基板に加圧し、樹脂材料を加熱溶融させると、Auバ
ンプと回路基板の電極間の導電粒子が両者に当接して、
両者が電気的に接続される。すなわち、LSIチップは上
述の膜状部材からなる異方性導電膜により実装される。
このような従来の異方性導電膜は、例えば特開昭61−18
8818号公報に記載されている。
および該樹脂材料中に分散された多数の導電粒子から構
成されるものがある。このような異方性導電膜によりLS
Iを実装する場合、まず、膜状の樹脂材料に多数の導電
粒子を分散して構成される膜状部材を準備し、次いで、
該膜状部材を回路基板上に載置し、Auバンプ付きのLSI
チップを位置合わせして重ねる。次いで、LSIチップを
回路基板に加圧し、樹脂材料を加熱溶融させると、Auバ
ンプと回路基板の電極間の導電粒子が両者に当接して、
両者が電気的に接続される。すなわち、LSIチップは上
述の膜状部材からなる異方性導電膜により実装される。
このような従来の異方性導電膜は、例えば特開昭61−18
8818号公報に記載されている。
また、膜状のセラミックスからなる絶縁部材および絶
縁部材内に60μｍ程度の微細ピッチで膜厚方向に埋め込
まれたAl等の導電材料から構成される異方性導電膜が知
られている。
縁部材内に60μｍ程度の微細ピッチで膜厚方向に埋め込
まれたAl等の導電材料から構成される異方性導電膜が知
られている。
しかしながら、前者のような従来の異方性導電膜にあ
っては、下述のような理由により、接続不良が発生し易
く、微細ピッチの高密度接続に対応することができない
といった問題点があり、また、温度や湿度の影響を受け
易く、接続の信頼性が低下するといった問題点があっ
た。
っては、下述のような理由により、接続不良が発生し易
く、微細ピッチの高密度接続に対応することができない
といった問題点があり、また、温度や湿度の影響を受け
易く、接続の信頼性が低下するといった問題点があっ
た。
一方、後者のような従来の異方性導電膜にあっては、
下述のような理由により、取扱いの操作性が低下し、ま
た、接続不良が発生し易いといった問題点があった。
下述のような理由により、取扱いの操作性が低下し、ま
た、接続不良が発生し易いといった問題点があった。
すなわち、前者の異方性導電膜にあっては、LSIチッ
プの電極が微細ピッチ、例えば150μｍピッチ以下にな
ると、電極面積が小さくなり、LSIチップおよび回路基
板の電極間に存在する導電粒子の数が減少する。また樹
脂材料が加熱溶融されるとき、導電粒子が樹脂材料の溶
融に伴って移動する可能性がある。このため、電極の端
子数の増加に対応して、電極間に導電粒子が存在しなく
なる可能性が確率的に増大し、接続不良が発生し易くな
る。一方、導電粒子の粒径を小さくして、導電粒子の数
を多くすれば、電極間の導電粒子の存在確率は増大する
が、隣接する電極同士がショートする可能性が確率的に
増大して、接続不良が発生し易くなる。また、隣接する
電極同士を絶縁する樹脂材料は、高温や高湿度の環境下
で流動したり、変形したりするので、接続の信頼性が低
下する。
プの電極が微細ピッチ、例えば150μｍピッチ以下にな
ると、電極面積が小さくなり、LSIチップおよび回路基
板の電極間に存在する導電粒子の数が減少する。また樹
脂材料が加熱溶融されるとき、導電粒子が樹脂材料の溶
融に伴って移動する可能性がある。このため、電極の端
子数の増加に対応して、電極間に導電粒子が存在しなく
なる可能性が確率的に増大し、接続不良が発生し易くな
る。一方、導電粒子の粒径を小さくして、導電粒子の数
を多くすれば、電極間の導電粒子の存在確率は増大する
が、隣接する電極同士がショートする可能性が確率的に
増大して、接続不良が発生し易くなる。また、隣接する
電極同士を絶縁する樹脂材料は、高温や高湿度の環境下
で流動したり、変形したりするので、接続の信頼性が低
下する。
一方、後者の異方性導電膜にあっては、微細ピッチ接
続には対応可能であるが、絶縁部材がセラミックスから
なるため、振動や外力により割れたり、欠けたりし易
く、またロール状にして保管したり、運搬したりするこ
とができないので、取扱いの操作性が低下する。また、
異方性導電膜に熱応力が生じた場合、該熱応力により絶
縁部材が割れて接続不良が発生し易い。
続には対応可能であるが、絶縁部材がセラミックスから
なるため、振動や外力により割れたり、欠けたりし易
く、またロール状にして保管したり、運搬したりするこ
とができないので、取扱いの操作性が低下する。また、
異方性導電膜に熱応力が生じた場合、該熱応力により絶
縁部材が割れて接続不良が発生し易い。
そこで本発明は、接続不良を防止するとともに取扱い
の操作性の向上を図りながら、微細ピッチの高密度接続
に対応可能な異方性導電膜およびその製造方法を提供す
ることを目的としている。
の操作性の向上を図りながら、微細ピッチの高密度接続
に対応可能な異方性導電膜およびその製造方法を提供す
ることを目的としている。
請求項１に記載された発明による異方性導電膜は、上
記目的を達成するため、厚さ方向に貫通した孔を有する
絶縁材料からなる複数の絶縁ブロックおよび該絶縁ブロ
ックを互いに結合する樹脂部材からなる膜状の絶縁部材
と、絶縁ブロックの孔内に設けられ、絶縁部材から突出
する突出部を有する導電部材と、を備えたことを特徴と
するものである。
記目的を達成するため、厚さ方向に貫通した孔を有する
絶縁材料からなる複数の絶縁ブロックおよび該絶縁ブロ
ックを互いに結合する樹脂部材からなる膜状の絶縁部材
と、絶縁ブロックの孔内に設けられ、絶縁部材から突出
する突出部を有する導電部材と、を備えたことを特徴と
するものである。
請求項２に記載された発明による異方性導電膜の製造
方法は、上記目的を達成するため、導電基板を陽極酸化
して、厚さ方向に延在した孔を有する陽極酸化膜を形成
する工程と、陽極酸化膜の孔に導電材料を埋め込む工程
と、陽極酸化膜に樹脂材料を付着させた後、陽極酸化膜
を複数のブロックに分割して、樹脂材料によりブロック
を互いに結合した絶縁膜を形成する工程と、絶縁膜の両
面の表層を除去して、導電材料を絶縁膜の両面から突出
させる工程と、を含むことを特徴とするものである。
方法は、上記目的を達成するため、導電基板を陽極酸化
して、厚さ方向に延在した孔を有する陽極酸化膜を形成
する工程と、陽極酸化膜の孔に導電材料を埋め込む工程
と、陽極酸化膜に樹脂材料を付着させた後、陽極酸化膜
を複数のブロックに分割して、樹脂材料によりブロック
を互いに結合した絶縁膜を形成する工程と、絶縁膜の両
面の表層を除去して、導電材料を絶縁膜の両面から突出
させる工程と、を含むことを特徴とするものである。
請求項３に記載された発明による異方性導電膜は、上
記目的を達成するため、厚さ方向に貫通した孔を有する
絶縁材料からなる複数の絶縁ブロックおよび該絶縁ブロ
ックを互いに結合する樹脂部材からなる膜状の絶縁部材
と、絶縁ブロックの孔内に設けられ、絶縁部材から突出
する突出部を有する導電部材と、を備え、前記絶縁ブロ
ックが所定方向に並ぶように配設されたことを特徴とす
るものである。
記目的を達成するため、厚さ方向に貫通した孔を有する
絶縁材料からなる複数の絶縁ブロックおよび該絶縁ブロ
ックを互いに結合する樹脂部材からなる膜状の絶縁部材
と、絶縁ブロックの孔内に設けられ、絶縁部材から突出
する突出部を有する導電部材と、を備え、前記絶縁ブロ
ックが所定方向に並ぶように配設されたことを特徴とす
るものである。
請求項４に記載された発明による異方性導電膜の製造
方法は、上記目的を達成するため、導電基板を陽極酸化
して、厚さ方向に延在した孔を有する陽極酸化膜を形成
する工程と、陽極酸化膜の孔に導電材料を埋め込む工程
と、陽極酸化膜に樹脂材料を付着させた後、陽極酸化膜
を所定方向に並ぶ複数のブロックに分割して、樹脂材料
によりブロックを互いに結合した絶縁膜を形成する工程
と、絶縁膜の両面の表層を除去して、導電材料を絶縁膜
の両面から突出させる工程と、を含むことを特徴とする
ものである。
方法は、上記目的を達成するため、導電基板を陽極酸化
して、厚さ方向に延在した孔を有する陽極酸化膜を形成
する工程と、陽極酸化膜の孔に導電材料を埋め込む工程
と、陽極酸化膜に樹脂材料を付着させた後、陽極酸化膜
を所定方向に並ぶ複数のブロックに分割して、樹脂材料
によりブロックを互いに結合した絶縁膜を形成する工程
と、絶縁膜の両面の表層を除去して、導電材料を絶縁膜
の両面から突出させる工程と、を含むことを特徴とする
ものである。
以下、請求項１〜４に記載の発明を実施例に基づいて
具体的に説明する。
具体的に説明する。
第１〜13図は請求項１に記載された発明に係る異方性
導電膜の一実施例を示す図である。
導電膜の一実施例を示す図である。
まず、構成を説明する。
第１、２図において、１は異方性導電膜であり、異方
性導電膜１は絶縁部材２および導電部材３を備えてい
る。絶縁部材２は絶縁ブロック４および樹脂部材５から
なり、絶縁ブロック４は絶縁部材、例えばAl2O3からな
り、厚膜部4aおよび厚膜部4aを囲む薄膜部4bから構成さ
れ、厚さ方向に貫通した複数の孔６を有する。またこれ
らの絶縁ブロック４は例えば第２図に示すように四方に
拡がるように配設されており、樹脂部材５はこれらの絶
縁ブロック４を互いに結合している。導電部材３は絶縁
ブロック４の厚膜部4aの孔６内に設けられており、絶縁
部材２から突出する突出部3aを有している。
性導電膜１は絶縁部材２および導電部材３を備えてい
る。絶縁部材２は絶縁ブロック４および樹脂部材５から
なり、絶縁ブロック４は絶縁部材、例えばAl2O3からな
り、厚膜部4aおよび厚膜部4aを囲む薄膜部4bから構成さ
れ、厚さ方向に貫通した複数の孔６を有する。またこれ
らの絶縁ブロック４は例えば第２図に示すように四方に
拡がるように配設されており、樹脂部材５はこれらの絶
縁ブロック４を互いに結合している。導電部材３は絶縁
ブロック４の厚膜部4aの孔６内に設けられており、絶縁
部材２から突出する突出部3aを有している。
一方、異方性導電膜１を例えばLSIの実装に用いる場
合、絶縁ブロック４の厚膜部4aの大きさはLSIの電極パ
ッドの大きさより小さい。例えば、LSIの電極パッドの
縦横寸法が100μｍであるとき、厚膜部4aの縦横寸法を2
0μｍにして、薄膜部4bの幅寸法を10μｍにすればよ
い。このとき、LSIの電極パッドが９個の厚膜部4aによ
り接続されることになる。
合、絶縁ブロック４の厚膜部4aの大きさはLSIの電極パ
ッドの大きさより小さい。例えば、LSIの電極パッドの
縦横寸法が100μｍであるとき、厚膜部4aの縦横寸法を2
0μｍにして、薄膜部4bの幅寸法を10μｍにすればよ
い。このとき、LSIの電極パッドが９個の厚膜部4aによ
り接続されることになる。
次に、異方性導電膜１の製造方法を説明することによ
り、請求項２に記載された発明に係る異方性導電膜の製
造方法の一例を説明する。
り、請求項２に記載された発明に係る異方性導電膜の製
造方法の一例を説明する。
まず、Al基板13の表層を、０〜20℃の５〜20％硫酸溶
液中で５〜60分、陽極酸化する。ただし、温度変動幅を
±２℃、電流密度を0.6〜3A/dm2とする。この陽極酸化
により、第４図に示すようなAl2O3からなる表層部11お
よびAlからなる本体部12を形成する。表層部11はいわゆ
る陽極酸化膜であり、第４図に示すような複数の微小な
孔11aを有している。表層部11の厚さは１〜100μｍ、孔
11aの孔径は10〜30nm、孔ピッチは30〜100nmである。す
なわち本工程が、導電基板を陽極酸化して、厚さ方向に
延在した孔を有する陽極酸化膜を形成する工程である。
液中で５〜60分、陽極酸化する。ただし、温度変動幅を
±２℃、電流密度を0.6〜3A/dm2とする。この陽極酸化
により、第４図に示すようなAl2O3からなる表層部11お
よびAlからなる本体部12を形成する。表層部11はいわゆ
る陽極酸化膜であり、第４図に示すような複数の微小な
孔11aを有している。表層部11の厚さは１〜100μｍ、孔
11aの孔径は10〜30nm、孔ピッチは30〜100nmである。す
なわち本工程が、導電基板を陽極酸化して、厚さ方向に
延在した孔を有する陽極酸化膜を形成する工程である。
次いで、第５図に示すように、表層部11の孔11a内に
例えば電解析出によりAu材14を形成する。すなわち本工
程が、陽極酸化膜の孔に導電材料を埋め込む工程であ
る。
例えば電解析出によりAu材14を形成する。すなわち本工
程が、陽極酸化膜の孔に導電材料を埋め込む工程であ
る。
次いで、第６図に示すように、表層部11から本体部12
を除去し、表層部11の両面の表層を除去して、第７図に
示すような膜部材15を形成する。次いで、膜部材15の一
方の面あるいは両方の面をレーザ照射して除去し、例え
ば第９、10、11図に示すような厚膜部16aおよび薄膜部1
6bからなる凹凸膜部材16を形成する。このとき、第12図
に示すように、薄膜部16bの孔内のAu材14の端部も除去
されて、Au材14の長さは薄膜部16bの厚さと一致する。
次いで、第13図に示すように、凹凸膜部材16の全面にス
プレー塗布法またはディップ塗布法により樹脂材料17を
塗布する。次いで、凹凸膜部材16を樹脂材料17の上から
半球面状の加工面18a、19aを有する上型18、下型19によ
り加圧して、厚膜部16aより低強度の薄膜部16bを割り、
凹凸膜部材16を複数のブロックに分割して、該ブロック
および樹脂材料17により構成される絶縁膜20を形成す
る。なお、加圧ローラで凹凸膜部材16を分割するように
してもよい。すなわち本工程が、陽極酸化膜に樹脂材料
を付着させた後、陽極酸化膜を複数のブロックに分割し
て、樹脂材料によりブロックを互いに結合した絶縁膜を
形成する工程である。
を除去し、表層部11の両面の表層を除去して、第７図に
示すような膜部材15を形成する。次いで、膜部材15の一
方の面あるいは両方の面をレーザ照射して除去し、例え
ば第９、10、11図に示すような厚膜部16aおよび薄膜部1
6bからなる凹凸膜部材16を形成する。このとき、第12図
に示すように、薄膜部16bの孔内のAu材14の端部も除去
されて、Au材14の長さは薄膜部16bの厚さと一致する。
次いで、第13図に示すように、凹凸膜部材16の全面にス
プレー塗布法またはディップ塗布法により樹脂材料17を
塗布する。次いで、凹凸膜部材16を樹脂材料17の上から
半球面状の加工面18a、19aを有する上型18、下型19によ
り加圧して、厚膜部16aより低強度の薄膜部16bを割り、
凹凸膜部材16を複数のブロックに分割して、該ブロック
および樹脂材料17により構成される絶縁膜20を形成す
る。なお、加圧ローラで凹凸膜部材16を分割するように
してもよい。すなわち本工程が、陽極酸化膜に樹脂材料
を付着させた後、陽極酸化膜を複数のブロックに分割し
て、樹脂材料によりブロックを互いに結合した絶縁膜を
形成する工程である。
次いで、絶縁膜20の両面の表層を除去して、厚膜部16
aの孔内のAu材14を絶縁膜20から突出させると、第１図
の異方性導電膜１が成形される。すなわち本工程が、絶
縁膜の両面の表層を除去して、導電材料を絶縁膜の両面
から突出させる工程である。
aの孔内のAu材14を絶縁膜20から突出させると、第１図
の異方性導電膜１が成形される。すなわち本工程が、絶
縁膜の両面の表層を除去して、導電材料を絶縁膜の両面
から突出させる工程である。
上述のように本実施例では、Al基板13の表層を陽極酸
化することにより形成される孔11a内にAu材14を形成し
て、異方性導電膜１を成形しているので、導電部材３の
直径を10〜30nm、ピッチを30〜100nmにすることがで
き、微細ピッチの高密度接続に対応することができる。
化することにより形成される孔11a内にAu材14を形成し
て、異方性導電膜１を成形しているので、導電部材３の
直径を10〜30nm、ピッチを30〜100nmにすることがで
き、微細ピッチの高密度接続に対応することができる。
また、導電部材３が樹脂等より強固なAl2O3からなる
絶縁ブロック４により確実に支持されているので、例え
ば高密度接続でLSIを実装する場合でも、LSIチップおよ
び回路基板の電極間に導電部材３を確実に配置すること
ができ、電極間の接続や隣接電極間のショートの可能性
が導電粒子の存在確率により支配されていた従来のもの
に比較すると、接続不良を確実に防止することができ
る。
絶縁ブロック４により確実に支持されているので、例え
ば高密度接続でLSIを実装する場合でも、LSIチップおよ
び回路基板の電極間に導電部材３を確実に配置すること
ができ、電極間の接続や隣接電極間のショートの可能性
が導電粒子の存在確率により支配されていた従来のもの
に比較すると、接続不良を確実に防止することができ
る。
さらに、絶縁ブロック４がAl2O3からなるので、絶縁
ブロック４が環境温度や湿度に影響されるのを防止する
ことができ、これらの影響を受け易い樹脂からなる従来
のものに比較すると、接続の信頼性を向上することがで
きる。
ブロック４が環境温度や湿度に影響されるのを防止する
ことができ、これらの影響を受け易い樹脂からなる従来
のものに比較すると、接続の信頼性を向上することがで
きる。
またさらに、四方に広がる絶縁ブロック４が樹脂部材
５により互いに結合されているので、異方性導電膜１に
柔軟性をもたすことができ、異方性導電膜１を例えばロ
ール状に巻いて保管したり、運搬したりすることがで
き、異方性導電膜１の取扱いの操作性を向上することが
できる。
５により互いに結合されているので、異方性導電膜１に
柔軟性をもたすことができ、異方性導電膜１を例えばロ
ール状に巻いて保管したり、運搬したりすることがで
き、異方性導電膜１の取扱いの操作性を向上することが
できる。
さらにまた、絶縁ブロック４が樹脂部材５により互い
に結合されているので、異方性導電膜１に熱応力が生じ
た場合でも、該熱応力を絶縁ブロック４の集合構造によ
り吸収することができ、熱応力による絶縁部材の割れに
よって生じる接続不良を防止することができる。
に結合されているので、異方性導電膜１に熱応力が生じ
た場合でも、該熱応力を絶縁ブロック４の集合構造によ
り吸収することができ、熱応力による絶縁部材の割れに
よって生じる接続不良を防止することができる。
第14〜17図は請求項３に記載された発明に係る異方性
導電膜の一実施例を示す図である。
導電膜の一実施例を示す図である。
まず、構成を説明する。
第14、15図において、31は異方性導電膜であり、異方
性導電膜31は絶縁部材32および導電部材33を備えてい
る。絶縁部材32は絶縁ブロック34および樹脂部材35から
なり、絶縁ブロック34は絶縁材料、例えばAl2O3からな
り、厚さ方向に貫通した複数の孔36を有する。またこれ
らの絶縁ブロック34は所定方向に一列に並ぶように配設
され、樹脂部材35はこれらの絶縁ブロック34を互いに結
合している。したがって、異方性導電膜31はテープ状に
構成されている。導電部材33は絶縁ブロック34の孔36内
に設けられており、絶縁部材32から突出する突出部33a
を有している。
性導電膜31は絶縁部材32および導電部材33を備えてい
る。絶縁部材32は絶縁ブロック34および樹脂部材35から
なり、絶縁ブロック34は絶縁材料、例えばAl2O3からな
り、厚さ方向に貫通した複数の孔36を有する。またこれ
らの絶縁ブロック34は所定方向に一列に並ぶように配設
され、樹脂部材35はこれらの絶縁ブロック34を互いに結
合している。したがって、異方性導電膜31はテープ状に
構成されている。導電部材33は絶縁ブロック34の孔36内
に設けられており、絶縁部材32から突出する突出部33a
を有している。
次に、異方性導電膜31の製造方法を第３〜７図および
第16、17図に従って説明することにより、請求項４に記
載された発明に係る異方性導電膜の製造方法の一例を説
明する。
第16、17図に従って説明することにより、請求項４に記
載された発明に係る異方性導電膜の製造方法の一例を説
明する。
まず、前述した第３〜７図に示す工程と同じ工程によ
り、膜部材15を得る。したがって、これらの工程に、導
電基板を陽極酸化して、厚さ方向に延在した孔を有する
陽極酸化膜を形成する工程と、陽極酸化膜の孔に導電材
料を埋め込む工程とが含まれている。
り、膜部材15を得る。したがって、これらの工程に、導
電基板を陽極酸化して、厚さ方向に延在した孔を有する
陽極酸化膜を形成する工程と、陽極酸化膜の孔に導電材
料を埋め込む工程とが含まれている。
次いで、第16図に示すように、膜部材15の一方の面に
スプレー塗布法またはローラ塗布法により樹脂材料46を
塗布する。次いで、第17図に示すように、外周に突起を
有する分割ローラ47により膜部材15の他方の面を押圧し
て、膜部材15を細かく分割する。ただし、規則正しく膜
部材15を分割する必要はない。次いで、第17図に示すよ
うに、分割された膜部材15の他方の面に樹脂塗布ローラ
48により樹脂材料46を塗布して、分割された膜部材15お
よびこれらの膜部材15を結合する樹脂材料46からなるテ
ープ状の絶縁膜49を成形する。すなわち本工程が、陽極
酸化膜に樹脂材料を付着させた後、陽極酸化膜を所定方
向に並ぶ複数のブロックに分割して、樹脂材料によりブ
ロックを互いに結合した絶縁膜を形成する工程である。
スプレー塗布法またはローラ塗布法により樹脂材料46を
塗布する。次いで、第17図に示すように、外周に突起を
有する分割ローラ47により膜部材15の他方の面を押圧し
て、膜部材15を細かく分割する。ただし、規則正しく膜
部材15を分割する必要はない。次いで、第17図に示すよ
うに、分割された膜部材15の他方の面に樹脂塗布ローラ
48により樹脂材料46を塗布して、分割された膜部材15お
よびこれらの膜部材15を結合する樹脂材料46からなるテ
ープ状の絶縁膜49を成形する。すなわち本工程が、陽極
酸化膜に樹脂材料を付着させた後、陽極酸化膜を所定方
向に並ぶ複数のブロックに分割して、樹脂材料によりブ
ロックを互いに結合した絶縁膜を形成する工程である。
次いで、絶縁膜49の両面の表層を除去して、Au材14を
絶縁膜49から突出させると、第14、15図の異方性導電膜
31が成形される。すなわち本工程が、絶縁膜の両面の表
層を除去して、導電材料を絶縁膜の両面から突出させる
工程である。
絶縁膜49から突出させると、第14、15図の異方性導電膜
31が成形される。すなわち本工程が、絶縁膜の両面の表
層を除去して、導電材料を絶縁膜の両面から突出させる
工程である。
上述のように本実施例では、Al基板13の表層を陽極酸
化することにより形成される孔11a内にAu材14を形成し
て、異方性導電膜31を成形しているので、導電部材33の
直径を10〜30nm、ピッチを30〜100nmにすることがで
き、微細ピッチの高密度接続に対応することができる。
化することにより形成される孔11a内にAu材14を形成し
て、異方性導電膜31を成形しているので、導電部材33の
直径を10〜30nm、ピッチを30〜100nmにすることがで
き、微細ピッチの高密度接続に対応することができる。
また、導電部材33が樹脂等より強固なAl2O3からなる
絶縁ブロック34により確実に支持されているので、例え
ば150μｍピッチ以下の高密度接続でLSIを実装する場合
でも、LSIチップおよび回路基板の電極間に導電部材33
を確実に配置することができ、電極間の接続や隣接電極
間のショートの可能性が導電粒子の存在確率により支配
されていた従来のものに比較すると、接続不良を確実に
防止することができる。
絶縁ブロック34により確実に支持されているので、例え
ば150μｍピッチ以下の高密度接続でLSIを実装する場合
でも、LSIチップおよび回路基板の電極間に導電部材33
を確実に配置することができ、電極間の接続や隣接電極
間のショートの可能性が導電粒子の存在確率により支配
されていた従来のものに比較すると、接続不良を確実に
防止することができる。
さらに、絶縁ブロック34がAl2O3からなるので、絶縁
ブロック34が環境温度や湿度に影響されるのを防止する
ことができ、これらの影響を受け易い樹脂からなる従来
のものに比較すると、接続の信頼性を向上することがで
きる。
ブロック34が環境温度や湿度に影響されるのを防止する
ことができ、これらの影響を受け易い樹脂からなる従来
のものに比較すると、接続の信頼性を向上することがで
きる。
またさらに、所定方向に一列に並ぶ絶縁ブロック34が
樹脂部材35により互いに結合されて、異方性導電膜31が
テープ状に構成されているので、異方性導電膜31をロー
ル状に巻いて保管したり、運搬したりすることができ、
異方性導電膜31の取扱いの操作性を向上することができ
る。
樹脂部材35により互いに結合されて、異方性導電膜31が
テープ状に構成されているので、異方性導電膜31をロー
ル状に巻いて保管したり、運搬したりすることができ、
異方性導電膜31の取扱いの操作性を向上することができ
る。
さらにまた、絶縁ブロック34が樹脂部材35により互い
に結合されているので、異方性導電膜31に熱応力が生じ
た場合でも、該熱応力を絶縁ブロック34の集合構造によ
り吸収することができ、熱応力による絶縁部材の割れに
よって生じる接続不良を防止することができる。
に結合されているので、異方性導電膜31に熱応力が生じ
た場合でも、該熱応力を絶縁ブロック34の集合構造によ
り吸収することができ、熱応力による絶縁部材の割れに
よって生じる接続不良を防止することができる。
本発明によれば、陽極酸化膜を分割して形成される絶
縁ブロックを樹脂部材により結合しているので、異方性
導電膜をロール状に巻くことができ、取扱いの操作性を
向上することができる。
縁ブロックを樹脂部材により結合しているので、異方性
導電膜をロール状に巻くことができ、取扱いの操作性を
向上することができる。
また、絶縁ブロックが樹脂部材により互いに結合され
ているので、異方性導電膜に熱応力が生じた場合でも、
該熱応力を容易に吸収することができ、接続不良を防止
することができる。
ているので、異方性導電膜に熱応力が生じた場合でも、
該熱応力を容易に吸収することができ、接続不良を防止
することができる。
さらに、絶縁ブロックが導電基板を陽極酸化して形成
される陽極酸化膜により構成されるので、導電部材を微
細ピッチで絶縁ブロックの孔内に配設することができ、
接続不良を防止するとともに、接続の信頼性を向上しな
がら、微細ピッチの高密度接続に対応することができ
る。
される陽極酸化膜により構成されるので、導電部材を微
細ピッチで絶縁ブロックの孔内に配設することができ、
接続不良を防止するとともに、接続の信頼性を向上しな
がら、微細ピッチの高密度接続に対応することができ
る。
第１〜13図は請求項１記載の発明に係る異方性導電膜の
一実施例を示す図であり、第１図はその正面図、第２図
はその斜視図、第３〜13図はその製造方法を説明するた
めの図、第14〜17図は請求項３記載の発明に係る異方性
導電膜の一実施例を示す図であり、第14図はその正面
図、第15図はその斜視図、第16、17図はその製造方法を
説明するための図である。 １、31……異方性導電膜、 ２、32……絶縁部材、 ３、33……導電部材、 3a、33a……突出部、 ４、34……絶縁ブロック、 ５、35……樹脂部材、 ６、36……絶縁ブロックの孔、 11a……表層部（陽極酸化膜）、 13……Al基板（導電基板）、 14……導電材料、 17、46……樹脂材料、 20、49……絶縁膜。
一実施例を示す図であり、第１図はその正面図、第２図
はその斜視図、第３〜13図はその製造方法を説明するた
めの図、第14〜17図は請求項３記載の発明に係る異方性
導電膜の一実施例を示す図であり、第14図はその正面
図、第15図はその斜視図、第16、17図はその製造方法を
説明するための図である。 １、31……異方性導電膜、 ２、32……絶縁部材、 ３、33……導電部材、 3a、33a……突出部、 ４、34……絶縁ブロック、 ５、35……樹脂部材、 ６、36……絶縁ブロックの孔、 11a……表層部（陽極酸化膜）、 13……Al基板（導電基板）、 14……導電材料、 17、46……樹脂材料、 20、49……絶縁膜。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭63−86536（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−237739（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−15243（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 21/60 311 H01L 21/52
Claims (4)
- 【請求項１】厚さ方向に貫通した孔を有する絶縁材料か
らなる複数の絶縁ブロックおよび該絶縁ブロックを互い
に結合する樹脂部材からなる膜状の絶縁部材と、絶縁ブ
ロックの孔内に設けられ、絶縁部材から突出する突出部
を有する導電部材と、を備えたことを特徴とする異方性
導電膜。 - 【請求項２】導電基板を陽極酸化して、厚さ方向に延在
した孔を有する陽極酸化膜を形成する工程と、陽極酸化
膜の孔に導電材料を埋め込む工程と、陽極酸化膜に樹脂
材料を付着させた後、陽極酸化膜を複数のブロックに分
割して、樹脂材料によりブロックを互いに結合した絶縁
膜を形成する工程と、絶縁膜の両面の表層を除去して、
導電材料を絶縁膜の両面から突出させる工程と、を含む
ことを特徴とする異方性導電膜の製造方法。 - 【請求項３】厚さ方向に貫通した孔を有する絶縁材料か
らなる複数の絶縁ブロックおよび該絶縁ブロックを互い
に結合する樹脂部材からなる膜状の絶縁部材と、絶縁ブ
ロックの孔内に設けられ、絶縁部材から突出する突出部
を有する導電部材と、を備え、前記絶縁ブロックが所定
方向に並ぶように配設されたことを特徴とする異方性導
電膜。 - 【請求項４】導電基板を陽極酸化して、厚さ方向に延在
した孔を有する陽極酸化膜を形成する工程と、陽極酸化
膜の孔に導電材料を埋め込む工程と、陽極酸化膜に樹脂
材料を付着させた後、陽極酸化膜を所定方向に並ぶ複数
のブロックに分割して、樹脂材料によりブロックを互い
に結合した絶縁膜を形成する工程と、絶縁膜の両面の表
層を除去して、導電材料を絶縁膜の両面から突出させる
工程と、を含むことを特徴とする異方性導電膜の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2156130A JP2786316B2 (ja) | 1990-03-27 | 1990-06-14 | 異方性導電膜およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7852390 | 1990-03-27 | ||
| JP2-78523 | 1990-03-27 | ||
| JP2-78524 | 1990-03-27 | ||
| JP7852490 | 1990-03-27 | ||
| JP2156130A JP2786316B2 (ja) | 1990-03-27 | 1990-06-14 | 異方性導電膜およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03293736A JPH03293736A (ja) | 1991-12-25 |
| JP2786316B2 true JP2786316B2 (ja) | 1998-08-13 |
Family
ID=27302740
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2156130A Expired - Fee Related JP2786316B2 (ja) | 1990-03-27 | 1990-06-14 | 異方性導電膜およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2786316B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108538792A (zh) * | 2018-05-16 | 2018-09-14 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 导电物质分布状态可控的异方性导电胶及其制备方法 |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1050145A (ja) * | 1996-08-07 | 1998-02-20 | Mitsubishi Materials Corp | 異方性導電膜及びその製造方法 |
| JP5043691B2 (ja) * | 2008-01-11 | 2012-10-10 | 富士フイルム株式会社 | 金属充填微細構造体の製造方法ならびに金属充填微細構造体および異方導電性部材 |
| CN110582895B (zh) * | 2017-05-18 | 2022-01-14 | 信越聚合物株式会社 | 电连接器及其制造方法 |
-
1990
- 1990-06-14 JP JP2156130A patent/JP2786316B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108538792A (zh) * | 2018-05-16 | 2018-09-14 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 导电物质分布状态可控的异方性导电胶及其制备方法 |
| US10957668B2 (en) | 2018-05-16 | 2021-03-23 | Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. | Anisotropic conductive film (ACF) with controllable distribution state of conductive substance and manufacturing method thereof |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03293736A (ja) | 1991-12-25 |
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|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |