WO2012124437A1 - センサパッケージ - Google Patents

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WO2012124437A1
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sensor chip
sensor package
semiconductor sensor
semiconductor
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聡庸 金井
佳孝 安達
正男 清水
田中　純一
佐々木　昌
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オムロン株式会社
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Definitions

  • the present invention relates to a sensor package that houses a semiconductor sensor chip.
  • Patent Documents 1 to 3 are known as measures for reducing external stress in a semiconductor element mounting structure such as a semiconductor chip or a semiconductor sensor.
  • the technique disclosed in Patent Document 1 is a technique related to a resin mold package for mounting and storing a semiconductor chip. Specifically, as shown in FIG. 15, in the resin mold package 100 disclosed in Patent Document 1, the bottom surface 103 of the portion 102 on which the semiconductor chip 101 is mounted is formed in an inverted V shape. As a result, the resin mold package 100 has a structure that absorbs external stress with the inverted V-shaped bottom surface 103, and thus it is possible to relieve external stress.
  • Patent Document 2 is a technique related to a flip chip BGA package on which a semiconductor chip is mounted.
  • the semiconductor chip 201 is flip-chip mounted on a flip-chip BGA substrate 202.
  • a BGA solder ball 203 that is electrically connected to the wiring inside the substrate is formed on the surface of the flip chip BGA substrate 202 opposite to the semiconductor chip 201.
  • a groove 204 is formed on the back surface of the mounting position where the semiconductor chip 201 is mounted, which is the same as the outer shape of the semiconductor chip 201 or along the outer periphery.
  • the technique disclosed in Patent Document 3 is a technique related to a sensor package that houses a semiconductor sensor chip.
  • the sensor package 300 disclosed in Patent Document 3 is a rectangular box-shaped package in which one surface is opened and the semiconductor sensor chip 301 is fixed. 302 and a lid 303 that covers the package 302.
  • the sensor package 300 is mounted on the mounting substrate 304 using solder, and the package 302 is restrained by a solder portion made of solder.
  • a groove 304 is formed in the package 302 along the four sides of the semiconductor sensor chip 301. This groove 304 relieves stress from the mounting substrate 304 side.
  • Patent Documents 1 to 3 have the following problems.
  • Patent Document 1 in order to relieve stress, the bottom surface 103 of the portion 102 on which the semiconductor chip 101 is mounted is raised to an inverted V shape, and a space is formed between the resin mold package 100 and the mounting substrate. Is provided. For this reason, the height dimension of the resin mold package 100 is increased by this space. Therefore, with the configuration of Patent Document 1, it is difficult to relieve stress and reduce the height of the package. Further, since the bottom surface 103 of the portion 102 on which the semiconductor chip 101 is mounted has an inverted V shape, the resin mold package 100 is in point contact with the mounting substrate. Therefore, the resin mold package 100 may be damaged due to a decrease in connection reliability between the resin mold package 100 and the mounting substrate or stress concentration.
  • BGA solder balls 203 are also formed between the grooves 204 on the surface opposite to the semiconductor chip 201. Therefore, when the flip chip BGA package is mounted on the motherboard, the BGA solder balls 203 between the grooves 204 are also connected to the motherboard. For this reason, the stress from the mother board may be transmitted to the mounting region of the semiconductor chip 201 on the flip chip BGA substrate 202.
  • FIG. 18 is a top view for explaining a problem that occurs when a structure in which grooves are formed along four sides of a semiconductor element mounting region is formed by injection molding.
  • the mold used has four convex portions corresponding to the grooves along the four sides.
  • a prismatic cylinder is formed by these four convex portions.
  • a portion corresponding to the inside of the prismatic cylinder is indicated by a dotted line 305a.
  • the resin corresponds to the groove 4 because the flow path near the rectangular cylinder in the mold is narrow. It becomes difficult to flow into the inside of the prism cylinder (the part surrounded by the dotted line 305a). Therefore, in the package formed by injection molding, the resin is not sufficiently filled in the inner part surrounded by the groove, and a defect due to short molding occurs.
  • Patent Documents 2 and 3 has a problem that injection molding is difficult.
  • the present invention has been made in view of the above-described problems, and an object of the present invention is to provide a sensor package that can be easily injection-molded while maintaining a stress-relaxing effect on a stress-relaxing structure having a groove that is difficult to be injection-molded. There is to do.
  • a sensor package of the present invention includes a semiconductor sensor chip and a package body that has a semiconductor sensor chip mounting region on which the semiconductor sensor chip is mounted and is an injection-molded product of resin.
  • the groove is formed so as to surround the semiconductor sensor chip mounting region on the back surface opposite to the surface on which the semiconductor sensor chip is mounted, it occurs when the sensor package is mounted. Stress from the outside is relieved by the groove. Therefore, according to the above configuration, the deformation of the semiconductor sensor chip mounting region due to the sensor package mounting can be suppressed, so that the influence of the external force applied to the semiconductor sensor chip can be reduced.
  • the connecting portion that connects the resin portion inside the groove and the resin portion outside the groove is formed on the back surface, injection molding of the groove structure can be performed.
  • the mold used has a notch corresponding to the connecting portion. Therefore, at the time of resin injection molding, the notch serves as an inlet for flowing the resin into the inner region of the groove, and the resin easily flows into the inner region of the groove and is sufficiently filled. Therefore, according to said structure, the package without a short mold is realizable.
  • the schematic structure of the sensor package of one Embodiment of this invention is shown, (a) is a top view, (b) is the AA 'sectional view taken on the line in (a), (c) is BB' in (a). It is line sectional drawing, (d) is CC 'sectional view taken on the line in (a), (e) is sectional drawing which showed the structure of the metal mold
  • (a) is the structure by which the groove
  • the sensor package as modification 1 is shown, (a) is a top view, (b) is an AA 'line sectional view in (a), (c) is a BB' line sectional view in (a). (D) is CC 'line sectional drawing in (a).
  • the sensor package as modification 2 is shown, (a) is a top view, (b) is an AA 'line sectional view in (a), (c) is a BB' line sectional view in (a). (D) is CC 'line sectional drawing in (a).
  • the sensor package as modification 3 is shown, (a) is a top view, (b) is an AA 'line sectional view in (a), (c) is a BB' line sectional view in (a). (D) is CC 'line sectional drawing in (a).
  • the sensor package as modification 4 is shown, (a) is a top view, (b) is an AA 'line sectional view in (a), (c) is a BB' line sectional view in (a).
  • (D) is CC 'line sectional drawing in (a).
  • the sensor package as modification 5 is shown, (a) is a top view, (b) is an AA 'line sectional view in (a), (c) is a BB' line sectional view in (a).
  • (D) is CC 'line sectional drawing in (a).
  • the sensor package as modification 6 is shown, (a) is a top view, (b) is an AA 'line sectional view in (a), (c) is a BB' line sectional view in (a).
  • (D) is CC 'line sectional drawing in (a)
  • (e) is the schematic diagram which showed typically the relationship between the flow of the resin at the time of injection molding, and the Young's modulus of a resin molding.
  • FIG. 16 is a cross-sectional view illustrating a schematic configuration of a sensor package as a modified example 8;
  • the sensor package as modification 9 is shown, (a) is a top view, (b) is an AA 'line sectional view in (a), (c) is a BB' line sectional view in (a).
  • (D) is CC 'line sectional drawing in (a).
  • FIG. 16 is a cross-sectional view illustrating a schematic configuration of a sensor package as a modified example 8;
  • the sensor package as modification 9 is shown, (a) is a top view, (b) is an AA 'line sectional view in (a), (c) is a BB' line sectional view in (a).
  • (D) is CC 'line sectional drawing in (a).
  • the sensor package as modification 10 is shown, (a) is a top view, (b) is an AA 'line sectional view in (a), (c) is a BB' line sectional view in (a). (D) is CC 'line sectional drawing in (a).
  • the sensor package as modification 11 is shown, (a) is a top view, (b) is an AA 'line sectional view in (a), (c) is a BB' line sectional view in (a). (D) is CC 'line sectional drawing in (a). It is sectional drawing which shows the structure of the resin mold package disclosed by patent document 1. FIG. It is a figure which shows the structure of the flip chip BGA package disclosed by patent document 2. FIG.
  • FIG. 1 shows a schematic configuration of a sensor package of the present embodiment (hereinafter referred to as the present sensor package), FIG. 1A is a plan view, and FIG. 1B is a diagram of FIG. 1C is a cross-sectional view taken along the line BB ′ in FIG. 1A, and FIG. 1D is a cross-sectional view taken along the line CC ′ in FIG. It is.
  • the sensor package includes a semiconductor sensor chip 1, and a package body 2 having a semiconductor sensor chip mounting area (fixed surface) 2a for fixing the semiconductor sensor chip 1. It has.
  • the package body 2 is made of resin and has a rectangular box shape in which the main surface side of the semiconductor sensor chip 1 is opened.
  • the package body 2 is formed by injection molding.
  • the sensor package includes a lid portion that closes the opening portion of the package body 2.
  • connection pads 3 a that are electrically connected to the semiconductor sensor chip 1 are formed are provided on the inner bottom surface of the package body 2.
  • the connection pads 3a of the terminal block 3 are electrically connected to the semiconductor sensor chip 1 through wires W.
  • a groove 4 is formed on the back surface 2b of the package body 2 opposite to the surface on which the semiconductor sensor chip 1 is mounted.
  • the groove 4 is formed on the back surface 2b so as to surround the semiconductor sensor chip mounting region 2a.
  • the groove 4 functions as a stress relaxation portion that relieves stress when the sensor package is mounted on the substrate.
  • the external stress generated when the sensor package is mounted is relieved by the groove 4.
  • the distortion at the bottom of the package body 2 that occurs when the sensor package is mounted is not easily transmitted to the semiconductor sensor chip mounting region 2a. Therefore, since the deformation of the semiconductor sensor chip mounting region 2a due to the sensor package mounting can be suppressed, the influence of external force applied to the semiconductor sensor chip 1 can be reduced.
  • a bridging portion 5 is formed in the groove 4.
  • the bridging portion 5 is formed so as to bridge the two side walls 4 a and 4 b constituting the groove 4. And this bridge
  • FIG. 1E is a cross-sectional view showing the structure of a mold corresponding to the cross-sectional structure of FIG.
  • the mold 6 has a side wall 6 a of a prismatic cylinder corresponding to the groove 4 and a notch 6 b corresponding to the bridging portion 5.
  • the notch 6 b serves as an inlet for flowing resin into the prism cylinder corresponding to the groove 4.
  • FIG. 2A and 2B are views for explaining the effect of the sensor package.
  • FIG. 2A is a top view for explaining the moldability of the package body 2
  • FIG. It is a graph which shows the effect of stress relaxation.
  • 2B shows a result of comparing deformation of the semiconductor sensor chip mounting region 2a for the package body 2 in which the groove 4 is not formed and the package body 2 in which the groove 4 having a depth of 0.1 mm is formed. Indicates.
  • the resin passes through the notch 6b corresponding to the bridging portion 5 and the resin is in the groove 4. (In FIG. 2A, the flow of the resin is indicated by “L”). For this reason, the package main body 2 formed by injection molding is easily filled with the resin in the inner region surrounded by the grooves 4, so that a package without a short mold can be realized.
  • the provision of the groove 4 can significantly suppress the deformation of the semiconductor sensor chip mounting region 2a. Therefore, according to the sensor package, the stress from the outside generated when the sensor package is mounted is relieved by the groove 4.
  • this sensor package it is possible to realize a sensor package that can be easily injection-molded while maintaining a stress relaxation effect for a stress relaxation structure having a groove that is difficult to be injection-molded.
  • the groove 4 is formed not on the surface of the package body 2 on which the semiconductor sensor chip 1 is mounted but on the back surface 2b on the opposite side.
  • the groove 4 is formed on the surface of the package body 2 where the semiconductor sensor chip 1 is mounted, the deformation of the semiconductor sensor chip mounting region 2a cannot be suppressed.
  • the groove 4 is formed on the surface on which the semiconductor sensor chip 1 is mounted, and the groove 4 is formed on the back surface opposite to the surface on which the semiconductor sensor chip 1 is mounted. It is a graph which shows the result of having compared the stress relaxation effect about the structure.
  • the configuration (III) in which the groove 4 is formed on the surface on which the semiconductor sensor chip 1 is mounted has a smaller stress relaxation effect than the configuration (II) in which the groove 4 is not provided.
  • the sensor chip mounting area 2a is easily deformed. That is, the configuration (III) is an adverse effect from the viewpoint of the stress relaxation effect. Therefore, when the groove 4 is formed on the surface of the package body 2 on which the semiconductor sensor chip 1 is mounted, the deformation of the semiconductor sensor chip mounting region 2a cannot be suppressed.
  • the configuration (I) in which the groove 4 is formed on the back surface opposite to the surface on which the semiconductor sensor chip 1 is mounted has a significantly greater stress relaxation effect than the configurations (II) and (III). The deformation of the sensor chip mounting area 2a is suppressed.
  • FIG. 3B is a schematic diagram for explaining the stress generated when the sensor package having the configurations (I) and (III) in FIG. 3A is mounted.
  • the stress generated by the external force is applied to the bottom surface of the package body 2, which is a pad connection portion between the substrate 7 and the package body 2 ( (See the arrow in FIG. 3B).
  • the groove 4 is formed on the back surface (that is, the bottom surface) opposite to the surface on which the semiconductor sensor chip 1 is mounted.
  • the rigidity of the region in the vicinity of the groove 4 on the back surface opposite to the semiconductor sensor chip 1 is locally low (is easily deformed). Therefore, in the configuration (I), the stress applied to the bottom surface is absorbed by the groove 4, and the stress relaxation effect is increased.
  • the configuration (III) since the groove 4 is formed on the surface on which the semiconductor sensor chip 1 is mounted, the rigidity of the region near the groove 4 on the back surface opposite to the semiconductor sensor chip 1 is locally high. (It is difficult to deform). Therefore, in the configuration (III), the stress applied to the bottom surface is not absorbed by the groove 4 and remains, so that the stress cannot be relaxed.
  • the semiconductor sensor chip 1 stored in the sensor package is a diaphragm type sensor chip including a diaphragm 1a as shown in FIGS. 1B to 1D.
  • Small pressure sensors, vibration sensors, and the like have a diaphragm (semiconductor thin film sensitive region) 1a for detecting pressure and vibration.
  • Such a diaphragm type sensor chip is easily affected by the stress generated when the package is mounted, and is therefore a sensor chip suitable for storing in the sensor package.
  • the semiconductor sensor chip 1 only needs to have a diaphragm, and is not limited to a pressure sensor, and may be a vibration sensor, a microphone, a flow rate sensor, or the like.
  • FIGS. 1A to 1D show a sensor package as the first modification.
  • FIG. 4A is a plan view
  • FIG. 4B is a cross-sectional view taken along the line AA ′ in FIG. 4C is a cross-sectional view taken along line BB ′ in FIG. 4A
  • FIG. 4D is a cross-sectional view taken along line CC ′ in FIG.
  • semiconductor sensor chip 1 is omitted in order to simplify the drawing.
  • bridging portions 5a to 5d are formed in the groove 4.
  • Each of these bridging portions 5a to 5d is formed on each side of a rectangular groove 4 surrounding the semiconductor sensor chip mounting region 2a.
  • the resin passes through the four notches corresponding to the bridging portions 5a to 5d. It will flow to the inner part of. For this reason, resin can be reliably filled into the inner region surrounded by the grooves 4.
  • FIGS. 1A to 1D show a sensor package as the second modified example.
  • FIG. 5A is a plan view
  • FIG. 5B is a cross-sectional view taken along the line AA ′ in FIG. 5C is a cross-sectional view taken along line BB ′ in FIG. 5A
  • FIG. 5D is a cross-sectional view taken along line CC ′ in FIG.
  • semiconductor sensor chip 1 is omitted in order to simplify the drawing.
  • the bridging portions 5b and 5d are formed from the center line X of the semiconductor sensor chip mounting region 2a in the direction of resin flow ( (Injection direction) L is formed on the downstream side.
  • the pressure for injecting the resin is insufficient as the pressure is lower in the resin flow direction (the resin injection direction during the injection molding), and a short mold is likely to occur.
  • the sensor package of the modification 2 since it forms in the resin flow direction (injection direction) L downstream from which the pressure which injects bridge
  • FIGS. 1A to 1D show a sensor package as the third modified example, in which FIG. 6A is a plan view, FIG. 6B is a cross-sectional view taken along line AA ′ in FIG. 6C is a cross-sectional view taken along line BB ′ in FIG. 6A, and FIG. 6D is a cross-sectional view taken along line CC ′ in FIG.
  • FIG. 6A “semiconductor sensor chip 1” is omitted in order to simplify the drawing.
  • FIGS. 6A to 6D in the sensor package of the third modified example, four bridging portions 5a ′ to 5d ′ are formed in the groove 4.
  • FIG. The height h from the bottom surface of the groove 4 in these bridging portions 5 a ′ to 5 d ′ is smaller than the depth d of the groove 4.
  • the height h of the bridging portions 5a ′ to 5d ′ is smaller than the depth d of the groove 4, so that the moldability is inferior to that of the sensor packages of Modifications 1 and 2.
  • the sensor package of Modification 3 has a higher stress relaxation effect than the sensor packages of Modifications 1 and 2.
  • FIG. 7 shows a sensor package as a fourth modification
  • FIG. 7A is a plan view
  • FIG. 7B is a cross-sectional view taken along the line AA ′ in
  • FIG. 7C is a cross-sectional view taken along the line BB ′ in FIG. 7A
  • FIG. 7D is a cross-sectional view taken along the line CC ′ in FIG.
  • “semiconductor sensor chip 1” is omitted in order to simplify the drawing.
  • the bridge portion 5e in the sensor package of Modification 4 has a height h from the bottom surface of the groove 4 that increases from both ends of the groove 4 in the extending direction toward the center portion. It is formed as follows.
  • the bridging portion 4e is formed on each side of the rectangular groove 4 surrounding the semiconductor sensor chip mounting region 2a.
  • the bridging portion 5e can be secured. Therefore, when the structure of the groove 4 having the bridging portion 5e is formed by injection molding using a mold, the size of the notch corresponding to the bridging portion 4e is increased, so that the resin flows into the inner portion of the groove 4. It becomes easy. Therefore, the resin can be filled into the inner region surrounded by the groove 4 more reliably.
  • the shape of the bridging portion 5e ′ is not particularly limited as long as the height h increases from both ends of the groove 4 in the extending direction toward the center portion.
  • the shape of the bridging portion 5e ′ may be a linear shape or a non-linear shape.
  • FIGS. 1A to 1D show a sensor package as a fifth modified example, in which FIG. 8A is a plan view, FIG. 8B is a cross-sectional view taken along line AA ′ in FIG. 8C is a cross-sectional view taken along line BB ′ in FIG. 8A, and FIG. 8D is a cross-sectional view taken along line CC ′ in FIG.
  • FIG. 8A “semiconductor sensor chip 1” is omitted in order to simplify the drawing.
  • the shape of the groove 4 surrounding the semiconductor sensor chip mounting region 2a is different from that of Modification Examples 1 to 4.
  • the groove 4 has a rectangular shape surrounding the semiconductor sensor chip mounting region 2a and has a groove 4c extending outward from a rectangular corner.
  • the groove 4 is formed in a rectangular shape surrounding the semiconductor sensor chip mounting region 2a, stress may concentrate on the corner of the rectangular shape.
  • the sensor package of Modification 5 since the grooves 4c are formed at the corners of the rectangular shape, the stress generated at the corners of the rectangular shape is relieved.
  • the deformation of the semiconductor sensor chip mounting region 2a due to the sensor package mounting is suppressed, and the resistance to the external force of the semiconductor sensor chip 1 is increased.
  • FIGS. 1A to 1D show a sensor package as the sixth modified example
  • FIG. 9A is a plan view
  • FIG. 9B is a cross-sectional view taken along the line AA ′ in FIG. 9C is a cross-sectional view taken along line BB ′ in FIG. 9A
  • FIG. 9D is a cross-sectional view taken along line CC ′ in FIG. 9A
  • FIG. FIG. 4 is a schematic diagram schematically showing the relationship between the flow of resin during injection molding and the Young's modulus of a resin molded product.
  • “semiconductor sensor chip 1” is omitted in order to simplify the drawing.
  • the groove 4 is formed in a portion excluding a rectangular corner portion surrounding the semiconductor sensor chip mounting region 2a.
  • the corner resin portion 5 ′ in which the groove 4 is not formed constitutes a connecting portion that connects the inner resin portion surrounded by the groove 4 and the outer resin portion of the groove 4.
  • the Young's modulus in the resin flow direction (injection direction) L depends on the orientation of the material resin fibers.
  • FIGS. 1A to 1D show a sensor package as the modified example 7.
  • FIG. 10A is a plan view
  • FIG. 10B is a cross-sectional view taken along the line AA ′ in FIG. 10 (c) is a cross-sectional view taken along the line BB ′ in FIG. 10 (a)
  • FIG. 10 (d) is a cross-sectional view taken along the line CC ′ in FIG. 10 (a).
  • “semiconductor sensor chip 1” is omitted in order to simplify the drawing.
  • the groove 4 is formed on two parallel sides in a rectangle surrounding the semiconductor sensor chip mounting region 2a.
  • the remaining resin portions 5 '' on the other two sides where the groove 4 is not formed constitute a connecting portion that connects the inner resin portion surrounded by the groove 4 and the outer resin portion of the groove 4.
  • the terminal block 3 that is electrically connected to the semiconductor sensor chip 1 is not provided on the remaining two sides where the groove 4 is not formed in the semiconductor sensor chip mounting region 2a.
  • the grooves 4 are formed on two sides of the four sides of the rectangle surrounding the semiconductor sensor chip mounting region 2a, the remaining two sides can be secured as resin inlets during injection molding. Therefore, the resin can be reliably filled in the inner region surrounded by the groove 4, and injection molding becomes easier.
  • the groove 4 may be formed on at least two sides in a rectangle surrounding the semiconductor sensor chip mounting region 2a.
  • FIG. 11 is a cross-sectional view showing a schematic configuration of a sensor package as the eighth modification.
  • the groove 4 is formed so as to penetrate the bottom portion of the package body 2 on which the semiconductor sensor chip is mounted. Thereby, the semiconductor sensor chip mounting region 2a is completely separated from the package body 2. Therefore, the stress applied to the semiconductor sensor chip mounting region 2a can be reduced.
  • the structure of the sensor package of the modification 8 can be applied to the sensor package shown in FIGS. 1A to 1D and the sensor packages of the modifications 1 to 7.
  • FIGS. 1A to 1D show a sensor package as the modified example 9.
  • FIG. 12A is a plan view
  • FIG. 12B is a cross-sectional view taken along line AA ′ in
  • FIG. 12C is a cross-sectional view taken along line BB ′ in FIG. 12A
  • FIG. 12D is a cross-sectional view taken along line CC ′ in FIG.
  • semiconductor sensor chip 1 is omitted in order to simplify the drawing.
  • the groove 4 is formed in a double rectangular shape surrounding the semiconductor sensor chip mounting region 2a.
  • bridging portions 5a to 5d respectively bridge the side walls constituting the grooves 4 on each side of the double rectangular shape. This facilitates injection molding.
  • FIG. 13 shows a sensor package as the modified example 10
  • FIG. 13A is a plan view
  • FIG. 13B is a cross-sectional view taken along the line AA ′ in FIG. 13C is a cross-sectional view taken along line BB ′ in FIG. 13A
  • FIG. 13D is a cross-sectional view taken along line CC ′ in FIG.
  • semiconductor sensor chip 1 is omitted in order to simplify the drawing.
  • the groove 4 is formed in a vortex shape surrounding the semiconductor sensor chip mounting region 2a.
  • the resin portion 5 ′ ′′ from the inlet 5 ′ ′′ a to the outlet 5 ′ ′′ b of the vortex formed by the groove 4 is an inner resin portion surrounded by the groove 4 and an outer resin of the groove 4.
  • the connection part which connects a part is comprised.
  • the groove 4 in a spiral shape surrounding the semiconductor sensor chip mounting area 2a, it is possible to secure a flow path for the resin to flow into the semiconductor sensor chip mounting area 2a. Therefore, the inner portion (semiconductor sensor chip mounting region 2a) surrounded by the groove 4 can be reliably filled with resin, and injection molding becomes easier.
  • FIGS. 1A to 1D show a sensor package as the modified example 11
  • FIG. 14A is a plan view
  • FIG. 14B is a cross-sectional view taken along line AA ′ in
  • FIG. 14C is a cross-sectional view taken along line BB ′ in FIG. 14A
  • FIG. 14D is a cross-sectional view taken along line CC ′ in FIG.
  • semiconductor sensor chip 1 is omitted in order to simplify the drawing.
  • the groove 4 is formed in a double rectangular shape surrounding the semiconductor sensor chip mounting region 2a.
  • one rectangular groove 4 is formed in a region directly below the semiconductor sensor chip mounting region 2a.
  • bridging portions 5a to 5d respectively bridge the side walls constituting the grooves 4 on each side of the double rectangular shape. This facilitates injection molding.
  • the sensor package of the present invention includes a semiconductor sensor chip and a package body having a semiconductor sensor chip mounting region for mounting the semiconductor sensor chip, and the semiconductor sensor chip and the semiconductor sensor chip are formed by resin injection molding.
  • a sensor package having a groove formed on the opposite back surface so as to surround the semiconductor sensor chip mounting region, and a resin portion inside the groove and a resin portion outside the groove are connected to the back surface. It is the structure in which the connection part is formed.
  • the connecting portion may be formed as a bridging portion that bridges the side walls constituting the groove.
  • the groove is formed in a rectangular shape surrounding the semiconductor sensor chip mounting region, and the connecting portion is formed in a groove on each side of the rectangular shape.
  • the connecting portion is formed so as to be offset from the central portion of the semiconductor sensor chip mounting region to the downstream side in the resin injection direction at the time of injection molding.
  • the pressure for injecting the resin is insufficient as the pressure is lower in the resin injection direction at the time of injection molding, and a short mold is likely to occur.
  • the said connection part is biased and formed in the resin injection direction downstream at the time of the said injection molding from the center part of the said semiconductor sensor chip mounting area, sufficient injection pressure at the time of injection molding is provided. Obtainable. Therefore, according to the above configuration, the short mold can be improved reliably, and the yield of the injection molding of the sensor package can be improved.
  • the height of the connecting portion from the bottom surface of the groove is smaller than the depth of the groove. Therefore, the stress relaxation effect can be improved.
  • the connecting portion is formed so that the height from the bottom surface of the groove increases as it goes from both ends in the extending direction of the groove toward the central portion.
  • a cutout portion of a mold used for injection molding of the groove structure has a large size corresponding to the connecting portion. Therefore, when the groove structure is formed by injection molding, the resin easily flows to the inner region of the groove. Therefore, according to said structure, resin can be more reliably filled into the inner area
  • the groove is formed in a rectangular shape surrounding the semiconductor sensor chip mounting region and extends outward from a corner of the rectangle.
  • the groove is formed in a rectangular shape surrounding the semiconductor sensor chip mounting region, and extends outward from the corner of the rectangle. Alleviated. Therefore, according to said structure, the deformation
  • the groove is formed in a portion excluding a rectangular corner portion surrounding the semiconductor sensor chip mounting region, and the resin portion of the corner portion where no groove is formed constitutes the connecting portion. It is preferable to do.
  • the groove is not formed on at least one of the four sides of the rectangle surrounding the semiconductor sensor chip mounting region, and the groove is formed on the remaining side. It is preferable that the resin part of the side which is not comprises the said connection part. Thereby, the resin can be reliably filled in the inner region surrounded by the groove, and injection molding becomes easier.
  • the groove is formed so as to penetrate a bottom portion of the package body on which the semiconductor sensor chip is mounted. Thereby, the semiconductor sensor chip mounting area is completely separated from the package body. Therefore, according to the above configuration, the stress applied to the semiconductor sensor chip mounting region can be reduced.
  • the groove is preferably formed in a multiple rectangular shape surrounding the semiconductor sensor chip mounting region.
  • At least one rectangular groove among the multiple rectangular grooves is formed immediately below the semiconductor sensor chip mounting region.
  • the groove is formed in a vortex shape surrounding the semiconductor sensor chip mounting region, and a resin portion from the inlet to the outlet of the vortex constitutes the connecting portion.
  • the semiconductor sensor chip is preferably a diaphragm type sensor chip.
  • the diaphragm type sensor chip is easily affected by the stress generated when the package is mounted, it is a sensor chip suitable for storing in the sensor package of the present invention.
  • the sensor package of the present invention can be easily injection-molded while maintaining a stress-relaxing effect on a stress-relaxing structure having grooves that are difficult to injection-mold. Therefore, the present invention can be applied to a sensor package storing a semiconductor sensor having a diaphragm such as a pressure sensor used in an altimeter, a water pressure gauge, or the like.

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Abstract

　射出成形が困難な溝を有する応力緩和構造に対し、応力緩和効果を保ちながら容易に射出成形できるようにするために、本発明のセンサパッケージは、半導体センサチップ（１）と反対側の裏面（２ｂ）に半導体センサチップ搭載領域（２ａ）を取り囲むように溝（４）が形成され、溝（４）の内側の樹脂部分と溝（４）の外側の樹脂部分とを連結する架橋部（５）が形成されている。

Description

センサパッケージ
　本発明は、半導体センサチップを収納するセンサパッケージに関する。
　半導体チップや半導体センサといった半導体素子の実装構造について、外部応力を緩和する方策として、例えば特許文献１～３に開示された技術が知られている。
　特許文献１に開示された技術は、半導体チップを実装し格納するための樹脂モールドパッケージに関する技術である。具体的には、図１５に示されるように、特許文献１に開示された樹脂モールドパッケージ１００においては、半導体チップ１０１を実装する部分１０２の底面１０３が逆Ｖ字型に成形されている。これにより、樹脂モールドパッケージ１００は、逆Ｖ字型の底面１０３で外部応力を吸収する構造となるので、外部応力を緩和することが可能になる。
　また、特許文献２に開示された技術は、半導体チップを実装するフリップチップＢＧＡパッケージに関する技術である。具体的には、図１６に示されるように、半導体チップ２０１は、フリップチップＢＧＡ基板２０２にフリップチップ実装されている。そして、フリップチップＢＧＡ基板２０２における半導体チップ２０１と反対側の面には、基板内部の配線と電気接続するＢＧＡはんだボール２０３が形成されている。また、半導体チップ２０１が実装される実装位置の裏面には、半導体チップ２０１の外形と同じか、または外側外周に沿って溝２０４が形成されている。このような構成とすることにより、フリップチップＢＧＡパッケージをマザーボードに部品実装するに際し、ＢＧＡはんだボール２０３の接続信頼性を向上させている。
　また、特許文献３に開示された技術は、半導体センサチップを収納するセンサパッケージに関する技術である。具体的には、図１７の（ａ）及び（ｂ）に示されるように、特許文献３に開示されたセンサパッケージ３００は、一面が開口し半導体センサチップ３０１が固定される矩形箱状のパッケージ３０２と、パッケージ３０２を覆うリッド３０３とを備えている。センサパッケージ３００は、半田を用いて実装基板３０４に実装され、パッケージ３０２が半田からなる半田部により拘束されている。そして、パッケージ３０２には、半導体センサチップ３０１の４辺に沿って溝３０４が形成されている。この溝３０４で実装基板３０４側からの応力が緩和されることになる。
米国特許公報「米国特許第６０５８０２０号明細書（２０００年　５月　２日）」 日本国公開特許公報「特開２００９－７１２５１号公報（２００９年　４月　２日公開）」 日本国公開特許公報「特開２００４－３８８６号公報（２００４年　１月　８日公開）」
　しかしながら、特許文献１～３に開示された従来技術には、以下の問題がある。
　まず、特許文献１に開示された技術では、応力緩和のために、半導体チップ１０１を実装する部分１０２の底面１０３を逆Ｖ字型に底上げし、樹脂モールドパッケージ１００と実装基板との間に空間を設けている。このため、この空間の分だけ樹脂モールドパッケージ１００の高さ寸法が高くなってしまう。それゆえ、特許文献１の構成では、応力を緩和し、かつパッケージを低背化することが困難である。また、半導体チップ１０１を実装する部分１０２の底面１０３を逆Ｖ字型としているので、樹脂モールドパッケージ１００は実装基板と点接触することになる。それゆえ、樹脂モールドパッケージ１００と実装基板との接続信頼性の低下や応力集中による樹脂モールドパッケージ１００の破損のおそれがある。
　また、特許文献２に開示された技術では、半導体チップ２０１と反対側の面における溝２０４間にもＢＧＡはんだボール２０３が形成されている。それゆえ、フリップチップＢＧＡパッケージをマザーボードに部品実装するに際し、溝２０４間のＢＧＡはんだボール２０３もマザーボードと接続することになる。このため、マザーボードからの応力がフリップチップＢＧＡ基板２０２における半導体チップ２０１の搭載領域に伝達するおそれがある。
　さらに、特許文献２のパッケージでは、半導体チップ２０１が実装される実装位置の裏面には、半導体チップ２０１の外形と同じか、または外側外周に沿って溝２０４が形成されている。同様に、特許文献３のセンサパッケージにおいても、半導体センサチップ３０１の４辺に沿って溝３０４が形成されている。このようにパッケージに半導体素子の搭載領域の４辺に沿って溝が形成された構造を射出成形する場合、射出成形が困難であるという問題がある。図１８は、半導体素子の搭載領域の４辺に沿って溝が形成された構造を射出成形する場合に生じる問題を説明するための上面図である。
　一般的に、半導体素子の搭載領域の４辺に沿った溝を射出成形する場合、使用される金型は、４辺に沿った溝に対応する４つの凸部を有する。この４つの凸部により角柱筒が形成される。図１８では、この角柱筒の内部に相当する部分を点線３０５ａで示している。図１８に示されるように、金型に方向Ｌに樹脂を流して４辺に沿った溝の構造を形成する場合、金型における角柱筒近傍の流路が狭いため、樹脂が溝４に相当する角柱筒の内部（点線３０５ａで囲まれた部分）に流れにくくなる。それゆえ、射出成形によって形成したパッケージは、溝に囲まれた内側の部分に樹脂が十分充填されず、ショートモールドによる不良が発生する。
　よって、特許文献２及び３に開示された従来の実装パッケージの応力緩和構造では、射出成形が困難であるという問題がある。
　本発明は、上記の問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、射出成形が困難な溝を有する応力緩和構造に対し、応力緩和効果を保ちながら容易に射出成形できるセンサパッケージを提供することにある。
　本発明のセンサパッケージは、上記の課題を解決するために、半導体センサチップと、上記半導体センサチップを搭載する半導体センサチップ搭載領域を有し、樹脂の射出成形物であるパッケージ本体とを備え、上記半導体センサチップが搭載された面と反対側の裏面に上記半導体センサチップ搭載領域を取り囲むように溝が形成されたセンサパッケージであって、上記裏面には、上記溝の内側の樹脂部分と上記溝の外側の樹脂部分とを連結する連結部が形成されていることを特徴としている。
　上記の構成によれば、上記半導体センサチップが搭載された面と反対側の裏面に上記半導体センサチップ搭載領域を取り囲むように溝が形成されているので、センサパッケージが実装されるときに発生する外側からの応力は上記溝で緩和される。それゆえ、上記の構成によれば、センサパッケージ実装による半導体センサチップ搭載領域の変形が抑えられるので、半導体センサチップにかかる外力の影響を小さくすることできる。
　また、上記の構成によれば、上記裏面には、上記溝の内側の樹脂部分と上記溝の外側の樹脂部分とを連結する連結部が形成されているので、上記溝の構造の射出成形に用いられる金型は、上記連結部に対応する切欠部を有するものとなる。それゆえ、樹脂の射出成形時に、この切欠部が溝の内側の領域へ樹脂を流すための流入口の役割を果たし、溝の内側の領域に樹脂が流れ易くなり十分充填される。よって、上記の構成によれば、ショートモールドがないパッケージを実現することができる。
　以上より、上記の構成によれば、射出成形が困難な溝を有する応力緩和構造に対し、応力緩和効果を保ちながら容易に射出成形できるセンサパッケージを提供することが可能になる。
　本発明によれば、射出成形が困難な溝を有する応力緩和構造に対し、応力緩和効果を保ちながら容易に射出成形できるという効果を奏する。
本発明の一実施形態のセンサパッケージの概略構成を示し、（ａ）は平面図であり、（ｂ）は（ａ）におけるＡＡ'線断面図であり、（ｃ）は（ａ）におけるＢＢ'線断面図であり、（ｄ）は（ａ）におけるＣＣ'線断面図であり、（ｅ）は、（ｄ）の断面構造に対応する金型の構造を示した断面図である。 図１のセンサパッケージの効果を説明するための図であり、（ａ）は、パッケージ本体２の成形容易性を説明するための上面図であり、（ｂ）は、応力緩和の効果を示すグラフである。 図１のセンサパッケージの応力緩和効果を説明するための図であり、（ａ）は溝が半導体センサチップが搭載された面に形成されている構成、及び溝が半導体センサチップが搭載された面と反対側の裏面に形成されている構成について、応力緩和効果を比較した結果を示すグラフであり、（ｂ）は（ａ）おける構成（Ｉ）及び（ＩＩＩ）のセンサパッケージについて、実装したときに生じる応力を説明するための模式図である。 変形例１としてのセンサパッケージを示し、（ａ）は平面図であり、（ｂ）は（ａ）におけるＡＡ'線断面図であり、（ｃ）は（ａ）におけるＢＢ'線断面図であり、（ｄ）は（ａ）におけるＣＣ'線断面図である。 変形例２としてのセンサパッケージを示し、（ａ）は平面図であり、（ｂ）は（ａ）におけるＡＡ'線断面図であり、（ｃ）は（ａ）におけるＢＢ'線断面図であり、（ｄ）は（ａ）におけるＣＣ'線断面図である。 変形例３としてのセンサパッケージを示し、（ａ）は平面図であり、（ｂ）は（ａ）におけるＡＡ'線断面図であり、（ｃ）は（ａ）におけるＢＢ'線断面図であり、（ｄ）は（ａ）におけるＣＣ'線断面図である。 変形例４としてのセンサパッケージを示し、（ａ）は平面図であり、（ｂ）は（ａ）におけるＡＡ'線断面図であり、（ｃ）は（ａ）におけるＢＢ'線断面図であり、（ｄ）は（ａ）におけるＣＣ'線断面図である。 変形例５としてのセンサパッケージを示し、（ａ）は平面図であり、（ｂ）は（ａ）におけるＡＡ'線断面図であり、（ｃ）は（ａ）におけるＢＢ'線断面図であり、（ｄ）は（ａ）におけるＣＣ'線断面図である。 変形例６としてのセンサパッケージを示し、（ａ）は平面図であり、（ｂ）は（ａ）におけるＡＡ'線断面図であり、（ｃ）は（ａ）におけるＢＢ'線断面図であり、（ｄ）は（ａ）におけるＣＣ'線断面図であり、（ｅ）は、射出成形時の樹脂の流れと樹脂成形物のヤング率との関係を模式的に示した模式図である。 変形例７としてのセンサパッケージを示し、（ａ）は平面図であり、（ｂ）は（ａ）におけるＡＡ'線断面図であり、（ｃ）は（ａ）におけるＢＢ'線断面図であり、（ｄ）は（ａ）におけるＣＣ'線断面図である。 変形例８としてのセンサパッケージの概略構成を示す断面図である。 変形例９としてのセンサパッケージを示し、（ａ）は平面図であり、（ｂ）は（ａ）におけるＡＡ'線断面図であり、（ｃ）は（ａ）におけるＢＢ'線断面図であり、（ｄ）は（ａ）におけるＣＣ'線断面図である。 変形例１０としてのセンサパッケージを示し、（ａ）は平面図であり、（ｂ）は（ａ）におけるＡＡ'線断面図であり、（ｃ）は（ａ）におけるＢＢ'線断面図であり、（ｄ）は（ａ）におけるＣＣ'線断面図である。 変形例１１としてのセンサパッケージを示し、（ａ）は平面図であり、（ｂ）は（ａ）におけるＡＡ'線断面図であり、（ｃ）は（ａ）におけるＢＢ'線断面図であり、（ｄ）は（ａ）におけるＣＣ'線断面図である。 特許文献１に開示された樹脂モールドパッケージの構成を示す断面図である。 特許文献２に開示されたフリップチップＢＧＡパッケージの構成を示す図である。 特許文献３に開示されたセンサパッケージの構成を示し、（ａ）は断面図であり、（ｂ）は上面図である。 半導体素子の搭載領域の４辺に沿って溝が形成された構造を射出成形する場合に生じる問題を説明するための上面図である。
　以下、本発明の実施の形態について、詳細に説明する。
　（センサパッケージの構成）
　図１は、本実施形態のセンサパッケージ（以下、本センサパッケージと記す）の概略構成を示し、図１の（ａ）は平面図であり、図１の（ｂ）は図１の（ａ）におけるＡＡ'線断面図であり、図１の（ｃ）は図１の（ａ）におけるＢＢ'線断面図であり、図１の（ｄ）は図１の（ａ）におけるＣＣ'線断面図である。
　本センサパッケージは、図１の（ａ）～（ｄ）に示されるように、半導体センサチップ１と、半導体センサチップ１を固定する半導体センサチップ搭載領域（固定面）２ａを有するパッケージ本体２とを備えている。パッケージ本体２は、樹脂からなり、半導体センサチップ１の主表面側が開放された矩形箱形状になっている。このパッケージ本体２は、射出成形により成形される。なお、図１の（ａ）～（ｄ）には示されていないが、本センサパッケージは、パッケージ本体２の開口部分を閉塞する蓋部を備えている。
　また、パッケージ本体２の内底面には、半導体センサチップ１と電気接続する接続パッド３ａが形成された端子台３が複数設けられている。端子台３の接続パッド３ａは、ワイヤＷと介して半導体センサチップ１と電気的に接続している。
　また、パッケージ本体２における半導体センサチップ１が搭載された面と反対側の裏面２ｂには、溝４が形成されている。溝４は、裏面２ｂにおいて、半導体センサチップ搭載領域２ａを取り囲むように形成されている。この溝４は、本センサパッケージが基板に実装されるに際し、応力を緩和する応力緩和部として機能する。本センサパッケージが実装されるときに発生する外側からの応力は溝４で緩和される。換言すれば、本センサパッケージが実装されるときに発生するパッケージ本体２底部の歪みが半導体センサチップ搭載領域２ａに伝達しにくくなる。それゆえ、センサパッケージ実装による半導体センサチップ搭載領域２ａの変形が抑えられるので、半導体センサチップ１にかかる外力の影響を小さくすることできる。
　また、溝４には架橋部５が形成されている。この架橋部５は、溝４を構成する２つの側壁４ａ・４ｂを架橋するように形成されている。そして、この架橋部５は、溝４により囲まれた内側の樹脂部分（半導体センサチップ搭載領域２ａを含む裏面２ｂ側の樹脂部分）と溝４の外側の樹脂部分とを連結する連結部となっている。
　このように架橋部５が形成された溝４の構造を射出成形により形成する場合、射出成形に用いる金型は、溝４に相当する角柱筒の側壁の一部に切欠部が設けられた構成になる。図１の（ｅ）は、図１の（ｄ）の断面構造に対応する金型の構造を示した断面図である。図１の（ｅ）に示されるように、金型６は、溝４に相当する角柱筒の側壁６ａと、架橋部５に相当する切欠部６ｂとを有している。この切欠部６ｂは、溝４に相当する角柱筒の内部へ樹脂を流すための流入口の役割を果たす。
　本センサパッケージの効果について、図２を参照してさらに詳述する。図２は、本センサパッケージの効果を説明するための図であり、図２の（ａ）は、パッケージ本体２の成形容易性を説明するための上面図であり、図２の（ｂ）は、応力緩和の効果を示すグラフである。なお、図２の（ｂ）は、溝４が形成されていないパッケージ本体２及び深さ０．１ｍｍの溝４が形成されたパッケージ本体２について、半導体センサチップ搭載領域２ａの変形を比較した結果を示す。
　図１の（ｅ）に示す金型を用いて、架橋部５が形成された溝４の構造を射出成形により形成する場合、架橋部５に相当する切欠部６ｂを介して、樹脂が溝４に相当する角柱筒の内側の領域に流れることになる（図２の（ａ）では樹脂の流れを「Ｌ」で示している）。このため、射出成形によって形成したパッケージ本体２は、溝４に囲まれた内側の領域に樹脂が流れ易くなり十分充填されるので、ショートモールドがないパッケージを実現することができる。
　また、図２の（ｂ）のグラフから、溝４を設けることにより、半導体センサチップ搭載領域２ａの変形が有意に抑えられることがわかる。それゆえ、本センサパッケージによれば、本センサパッケージが実装されるときに発生する外側からの応力は溝４で緩和される。
　以上のように、本センサパッケージによれば、射出成形が困難な溝を有する応力緩和構造に対し、応力緩和効果を保ちながら容易に射出成形できるセンサパッケージを実現することができる。
　また、本センサパッケージによれば、溝４は、パッケージ本体２における半導体センサチップ１が搭載された面ではなく、反対側の裏面２ｂに形成されている。溝４がパッケージ本体２における半導体センサチップ１が搭載された面に形成されている場合、半導体センサチップ搭載領域２ａの変形を抑えることができない。
　図３の（ａ）は、半導体センサチップ１が搭載された面に溝４が形成されている構成、及び半導体センサチップ１が搭載された面と反対側の裏面に溝４が形成されている構成について、応力緩和効果を比較した結果を示すグラフである。図３に示されるように、半導体センサチップ１が搭載された面に溝４が形成されている構成（ＩＩＩ）は、溝４を備えていない構成（ＩＩ）よりも応力緩和効果が小さく、半導体センサチップ搭載領域２ａの変形しやくなっている。すなわち、構成（ＩＩＩ）は、応力緩和効果の観点で逆効果である。それゆえ、溝４がパッケージ本体２における半導体センサチップ１が搭載された面に形成されている場合、半導体センサチップ搭載領域２ａの変形を抑えることができない。
　一方、半導体センサチップ１が搭載された面と反対側の裏面に溝４が形成されている構成（Ｉ）は、構成（ＩＩ）及び構成（ＩＩＩ）よりも有意に応力緩和効果が大きく、半導体センサチップ搭載領域２ａの変形が抑えられている。
　次に、図３の（ｂ）を参照して、本センサパッケージを実装したときに生じる応力について、さらに詳細に説明する。図３の（ｂ）は、図３の（ａ）おける構成（Ｉ）及び（ＩＩＩ）のセンサパッケージについて、実装したときに生じる応力を説明するための模式図である。
　図３の（ｂ）に示されるように、センサパッケージを基板７に実装したとき、外力により発生する応力は、基板７とパッケージ本体２とのパッド接続部分であるパッケージ本体２の底面にかかる（図３の（ｂ）の矢印参照）。構成（Ｉ）は、半導体センサチップ１が搭載された面と反対側の裏面（すなわち底面）に溝４が形成されている。このため、構成（Ｉ）では、半導体センサチップ１と反対側の裏面における溝４近傍の領域の剛性が、局所的に低くなっている（変形し易くなっている）。それゆえ、構成（Ｉ）では、底面にかかる応力が溝４で吸収されることになり、応力緩和効果が大きくなる。
　一方、構成（ＩＩＩ）は、溝４が半導体センサチップ１が搭載された面に形成されているので、半導体センサチップ１と反対側の裏面における溝４近傍の領域の剛性が、局所的に高くなっている（変形しにくくなっている）。それゆえ、構成（ＩＩＩ）では、底面にかかる応力が溝４で吸収されず残留するため、応力を緩和することができない。
　以上より、半導体センサチップ１が搭載された面ではなく反対側の裏面２ｂに溝４が形成されていることにより、応力緩和効果が大きくなることがわかる。それゆえ、本センサパッケージによれば、半導体センサチップ搭載領域２ａの変形を抑えることが可能になる。
　なお、本センサパッケージに格納される半導体センサチップ１は、図１の（ｂ）～（ｄ）に示されるように、ダイアフラム１ａを備えたダイアフラム型のセンサチップである。小型の圧力センサや振動センサ等では、圧力や振動を検出するためのダイアフラム（半導体薄膜の感応領域）１ａを有している。このようなダイアフラム型のセンサチップは、パッケージ実装時に発生する応力の影響を受け易いので、本センサパッケージへの格納に適したセンサチップである。なお、半導体センサチップ１は、ダイアフラムを備えていればよく、圧力センサに限らず振動センサ、マイクロフォン、流量センサなどであってもよい。
　（変形例１）
　本センサパッケージの構成において、図１の（ａ）～（ｄ）に示す構成の変形例について説明する。図４は、この変形例１としてのセンサパッケージを示し、図４の（ａ）は平面図であり、図４の（ｂ）は図４の（ａ）におけるＡＡ'線断面図であり、図４の（ｃ）は図４の（ａ）におけるＢＢ'線断面図であり、図４の（ｄ）は図４の（ａ）におけるＣＣ'線断面図である。なお、図４の（ａ）では、図面を簡潔化するため、「半導体センサチップ１」を省略している。
　図４の（ａ）～（ｄ）に示されるように、変形例のセンサパッケージでは、溝４に４つの架橋部５ａ～５ｄが形成されている。これら架橋部５ａ～５ｄはそれぞれ、半導体センサチップ搭載領域２ａを取り囲む矩形状の溝４の各辺に形成されている。
　それゆえ、金型を用いて、４つの架橋部５ａ～５ｄを有する溝４の構造を射出成形により形成する場合、架橋部５ａ～５ｄに相当する４つの切欠部を介して、樹脂が溝４の内側部分へ流れることになる。このため、確実に、溝４に囲まれた内側の領域に樹脂を充填することができる。
　（変形例２）
　本センサパッケージの構成において、図１の（ａ）～（ｄ）に示す構成の他の変形例について説明する。図５は、この変形例２としてのセンサパッケージを示し、図５の（ａ）は平面図であり、図５の（ｂ）は図５の（ａ）におけるＡＡ'線断面図であり、図５の（ｃ）は図５の（ａ）におけるＢＢ'線断面図であり、図５の（ｄ）は図５の（ａ）におけるＣＣ'線断面図である。なお、図５の（ａ）では、図面を簡潔化するため、「半導体センサチップ１」を省略している。
　図５の（ａ）～（ｄ）に示されるように、変形例２のセンサパッケージでは、裏面２ｂにおいて、架橋部５ｂ・５ｄは、半導体センサチップ搭載領域２ａの中心線Ｘから樹脂流れ方向（射出方向）Ｌ下流側に偏って形成されている。
　射出成形において、樹脂を射出する圧力は、樹脂流れの方向（射出成形時の樹脂射出方向）の下流であるほど不足し、ショートモールドが発生し易くなる。変形例２のセンサパッケージでは、架橋部５ｂ・５ｄを射出する圧力が低くなる樹脂流れ方向（射出方向）Ｌ下流側に形成するので、射出成形時に十分な射出圧力を得ることができる。それゆえ、確実にショートモールドを改善することができる。その結果、センサパッケージの射出成形の歩留まりを向上させることができる。
　（変形例３）
　本センサパッケージの構成において、図１の（ａ）～（ｄ）に示す構成のさらに他の変形例について説明する。図６は、この変形例３としてのセンサパッケージを示し、図６の（ａ）は平面図であり、図６の（ｂ）は図６の（ａ）におけるＡＡ'線断面図であり、図６の（ｃ）は図６の（ａ）におけるＢＢ'線断面図であり、図６の（ｄ）は図６の（ａ）におけるＣＣ'線断面図である。なお、図６の（ａ）では、図面を簡潔化するため、「半導体センサチップ１」を省略している。
　図６の（ａ）～（ｄ）に示されるように、変形例３のセンサパッケージでは、溝４に４つの架橋部５ａ'～５ｄ'が形成されている。これら架橋部５ａ'～５ｄ'における溝４の底面からの高さｈは、溝４の深さｄよりも小さくなっている。
　変形例３のセンサパッケージでは、架橋部５ａ'～５ｄ'の高さｈが溝４の深さｄよりも小さいので、変形例１、２のセンサパッケージよりも成形容易性が劣る。その反面、変形例３のセンサパッケージは、変形例１、２のセンサパッケージよりも応力緩和効果が高い構成になっている。
　（変形例４）
　本センサパッケージの構成において、図１の（ａ）～（ｄ）に示す構成のさらに他の変形例について説明する。図７は、この変形例４としてのセンサパッケージを示し、図７の（ａ）は平面図であり、図７の（ｂ）は図７の（ａ）におけるＡＡ'線断面図であり、図７の（ｃ）は図７の（ａ）におけるＢＢ'線断面図であり、図７の（ｄ）は図７の（ａ）におけるＣＣ'線断面図である。なお、図７の（ａ）では、図面を簡潔化するため、「半導体センサチップ１」を省略している。
　図７の（ｄ）に示されるように、変形例４のセンサパッケージにおける架橋部５ｅは、溝４の伸長方向の両端から中央部へ向かうに従い、溝４の底面からの高さｈが大きくなるように形成されている。この架橋部４ｅは、半導体センサチップ搭載領域２ａを取り囲む矩形状の溝４の各辺に形成されている。
　これにより、架橋部５ｅの寸法を大きく確保することができる。それゆえ、金型を用いて、架橋部５ｅを有する溝４の構造を射出成形により形成する場合、架橋部４ｅに相当する切欠部の寸法が大きくなるので、樹脂が溝４の内側部分へ流れやすくなる。よって、より確実に、溝４に囲まれた内側の領域に樹脂を充填することができる。
　なお、架橋部５ｅ'の形状は、溝４の伸長方向の両端から中央部へ向かうに従い高さｈが大きくなる形状であれば、特に限定されない。架橋部５ｅ'の形状は、線形形状であっても、非線形形状であってもよい。
　（変形例５）
　本センサパッケージの構成において、図１の（ａ）～（ｄ）に示す構成のさらに他の変形例について説明する。図８は、この変形例５としてのセンサパッケージを示し、図８の（ａ）は平面図であり、図８の（ｂ）は図８の（ａ）におけるＡＡ'線断面図であり、図８の（ｃ）は図８の（ａ）におけるＢＢ'線断面図であり、図８の（ｄ）は図８の（ａ）におけるＣＣ'線断面図である。なお、図８の（ａ）では、図面を簡潔化するため、「半導体センサチップ１」を省略している。
　変形例５のセンサパッケージでは、半導体センサチップ搭載領域２ａを取り囲む溝４の形状が、変形例１～４と異なる。
　図８の（ａ）に示されるように、溝４は、半導体センサチップ搭載領域２ａを取り囲む矩形形状になっているとともに、矩形形状の角部から外側に延びる溝４ｃを有している。溝４が半導体センサチップ搭載領域２ａを取り囲む矩形形状に形成されている場合、この矩形形状の角部に応力が集中するおそれがある。変形例５のセンサパッケージでは、矩形形状の角部に溝４ｃが形成されているので、矩形形状の角部で発生する応力が緩和される。
　よって、変形例５のセンサパッケージは、センサパッケージ実装による半導体センサチップ搭載領域２ａの変形が抑えられ、半導体センサチップ１の外力に対する耐性が増す。
　（変形例６）
　本センサパッケージの構成において、図１の（ａ）～（ｄ）に示す構成のさらに他の変形例について説明する。図９は、この変形例６としてのセンサパッケージを示し、図９の（ａ）は平面図であり、図９の（ｂ）は図９の（ａ）におけるＡＡ'線断面図であり、図９の（ｃ）は図９の（ａ）におけるＢＢ'線断面図であり、図９の（ｄ）は図９の（ａ）におけるＣＣ'線断面図であり、図９の（ｅ）は、射出成形時の樹脂の流れと樹脂成形物のヤング率との関係を模式的に示した模式図である。なお、図９の（ａ）では、図面を簡潔化するため、「半導体センサチップ１」を省略している。
　図９の（ａ）に示されるように、溝４は、半導体センサチップ搭載領域２ａを取り囲む矩形の角部を除く部分に形成されている。そして、溝４が形成されていない角部の樹脂部分５'が、溝４により囲まれた内側の樹脂部分と溝４の外側の樹脂部分とを連結する連結部を構成している。
　金型を用いて変形例６のセンサパッケージを射出成形する場合、樹脂部分５'に相当する構造物が内部へ樹脂を流すための流入口となる。一般的に、図９の（ｅ）に示されるように、射出成形により作製された樹脂成形物では、材料樹脂繊維の配向によって、樹脂の流れ方向（射出方向）Ｌのヤング率は、流れ方向に対し垂直な方向のヤング率よりも大きい特性がある。この特性を利用し、図９の（ａ）に示されるように、半導体センサチップ搭載領域２ａを取り囲む矩形の４つの角部から４方向に樹脂を射出することで、さらに応力緩和効果が高い構造を実現することができる。
　（変形例７）
　本センサパッケージの構成において、図１の（ａ）～（ｄ）に示す構成のさらに他の変形例について説明する。図１０は、この変形例７としてのセンサパッケージを示し、図１０の（ａ）は平面図であり、図１０の（ｂ）は図１０の（ａ）におけるＡＡ'線断面図であり、図１０の（ｃ）は図１０の（ａ）におけるＢＢ'線断面図であり、図１０の（ｄ）は図１０の（ａ）におけるＣＣ'線断面図である。なお、図１０の（ａ）では、図面を簡潔化するため、「半導体センサチップ１」を省略している。
　図１０の（ａ）～（ｄ）に示されるように、変形例７のセンサパッケージでは、溝４は、半導体センサチップ搭載領域２ａを取り囲む矩形における平行な２辺に形成されている。そして、溝４が形成されていない残りの２辺の樹脂部分５''が、溝４により囲まれた内側の樹脂部分と溝４の外側の樹脂部分とを連結する連結部を構成している。また、半導体センサチップ搭載領域２ａにおける溝４が形成されていない残りの２辺側には、半導体センサチップ１と電気接続する端子台３が設けられていない。
　このように半導体センサチップ搭載領域２ａを取り囲む矩形の４辺のうち２辺に溝４を形成することにより、残りの２辺を射出成形時の樹脂の流入口として確保することができる。それゆえ、確実に、溝４に囲まれた内側の領域に樹脂を充填することができ、射出成形がより容易になる。
　なお、変形例７のセンサパッケージにおいて、溝４は、半導体センサチップ搭載領域２ａを取り囲む矩形における少なくとも２辺に形成されていればよい。
　（変形例８）
　本センサパッケージの構成において、図１の（ａ）～（ｄ）に示す構成のさらに他の変形例について説明する。図１１は、この変形例８としてのセンサパッケージの概略構成を示す断面図である。
　図１１に示されるように、変形例８のセンサパッケージでは、溝４は、パッケージ本体２における半導体センサチップが搭載された底部を貫通するように形成されている。これにより、半導体センサチップ搭載領域２ａがパッケージ本体２から完全に切り離される。それゆえ、半導体センサチップ搭載領域２ａにかかる応力を低減することができる。
　なお、変形例８のセンサパッケージの構造は、図１の（ａ）～（ｄ）に示されるセンサパッケージ及び変形例１～７のセンサパッケージに適用可能である。
　（変形例９）
　本センサパッケージの構成において、図１の（ａ）～（ｄ）に示す構成のさらに他の変形例について説明する。図１２は、この変形例９としてのセンサパッケージを示し、図１２の（ａ）は平面図であり、図１２の（ｂ）は図１２の（ａ）におけるＡＡ'線断面図であり、図１２の（ｃ）は図１２の（ａ）におけるＢＢ'線断面図であり、図１２の（ｄ）は図１２の（ａ）におけるＣＣ'線断面図である。なお、図１２の（ａ）では、図面を簡潔化するため、「半導体センサチップ１」を省略している。
　図１２の（ａ）～（ｄ）に示されるように、変形例９のセンサパッケージでは、溝４は、半導体センサチップ搭載領域２ａを取り囲む２重の矩形形状で形成されている。これにより、センサパッケージ実装時の外部応力に対する半導体センサチップ搭載領域２ａの変形を抑えることができる。
　また、架橋部５ａ～５ｄはそれぞれ、２重の矩形の各辺の溝４を構成する側壁を架橋する。これにより、射出成形が容易になる。
　（変形例１０）
　本センサパッケージの構成において、図１の（ａ）～（ｄ）に示す構成のさらに他の変形例について説明する。図１３は、この変形例１０としてのセンサパッケージを示し、図１３の（ａ）は平面図であり、図１３の（ｂ）は図１３の（ａ）におけるＡＡ'線断面図であり、図１３の（ｃ）は図１３の（ａ）におけるＢＢ'線断面図であり、図１３の（ｄ）は図１３の（ａ）におけるＣＣ'線断面図である。なお、図１３の（ａ）では、図面を簡潔化するため、「半導体センサチップ１」を省略している。
　図１３の（ａ）～（ｄ）に示されるように、変形例１０のセンサパッケージでは、溝４は、半導体センサチップ搭載領域２ａを取り囲む渦形状に形成されている。そして、溝４により形成される渦の入口５'''ａから出口５'''ｂまでの樹脂部分５'''が、溝４により囲まれた内側の樹脂部分と溝４の外側の樹脂部分とを連結する連結部を構成している。
　このように半導体センサチップ搭載領域２ａを取り囲む渦形状に溝４を形成することにより、半導体センサチップ搭載領域２ａへ樹脂を流入するための流路を確保することができる。それゆえ、確実に、溝４に囲まれた内側の部分（半導体センサチップ搭載領域２ａ）に樹脂を充填することができ、射出成形がより容易になる。
　（変形例１１）
　本センサパッケージの構成において、図１の（ａ）～（ｄ）に示す構成のさらに他の変形例について説明する。図１４は、この変形例１１としてのセンサパッケージを示し、図１４の（ａ）は平面図であり、図１４の（ｂ）は図１４の（ａ）におけるＡＡ'線断面図であり、図１４の（ｃ）は図１４の（ａ）におけるＢＢ'線断面図であり、図１４の（ｄ）は図１４の（ａ）におけるＣＣ'線断面図である。なお、図１４の（ａ）では、図面を簡潔化するため、「半導体センサチップ１」を省略している。
　図１４の（ａ）～（ｄ）に示されるように、変形例１１のセンサパッケージでは、溝４は、半導体センサチップ搭載領域２ａを取り囲む２重の矩形形状で形成されている。そして、この２重の矩形形状のうち１つの矩形形状の溝４は、半導体センサチップ搭載領域２ａの真下の領域に形成されている。これにより、半導体センサチップ搭載領域２ａの下部に残留する応力を除去することができ、応力緩和効果が増大する。
　また、架橋部５ａ～５ｄはそれぞれ、２重の矩形の各辺の溝４を構成する側壁を架橋する。これにより、射出成形が容易になる。
　本発明は上述した各変形例に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる変形例にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。
　本発明のセンサパッケージは、以上のように、半導体センサチップと、上記半導体センサチップを搭載するための半導体センサチップ搭載領域を有するパッケージ本体とを備え、樹脂の射出成形により、上記半導体センサチップと反対側の裏面に上記半導体センサチップ搭載領域を取り囲むように溝が形成されたセンサパッケージであって、上記裏面には、上記溝の内側の樹脂部分と上記溝の外側の樹脂部分とを連結する連結部が形成されている構成である。
　それゆえ、射出成形が困難な溝を有する応力緩和構造に対し、応力緩和効果を保ちながら容易に射出成形できるという効果を奏する。
　本発明のセンサパッケージでは、上記連結部は、上記溝を構成する側壁同士を架橋する架橋部として形成されていてもよい。
　本発明のセンサパッケージでは、上記溝は、上記半導体センサチップ搭載領域を取り囲む矩形形状に形成され、上記連結部は、上記矩形形状の各辺の溝に形成されていることが好ましい。これにより、溝の構造の射出成形時に、溝の内側の領域に樹脂がより流れ易くなり、確実に樹脂を充填することができる。
　本発明のセンサパッケージでは、上記連結部は、上記半導体センサチップ搭載領域の中央部分から、射出成形時の樹脂射出方向下流側に偏って形成されていることが好ましい。
　射出成形において、樹脂を射出する圧力は、射出成形時の樹脂射出方向の下流であるほど不足し、ショートモールドが発生し易くなる。上記の構成によれば、上記連結部は、上記半導体センサチップ搭載領域の中央部分から、上記射出成形時の樹脂射出方向下流側に偏って形成されているので、射出成形時に十分な射出圧力を得ることができる。それゆえ、上記の構成によれば、確実にショートモールドを改善することができ、センサパッケージの射出成形の歩留まりを向上させることができる。
　本発明のセンサパッケージでは、上記連結部における上記溝の底面からの高さは、上記溝の深さよりも小さくなっていることが好ましい。これにより、応力緩和効果を向上させることができる。
　本発明のセンサパッケージでは、上記連結部は、上記溝の伸長方向の両端から中央部へ向かうに従い、上記溝の底面からの高さが大きくなるように形成されていることが好ましい。
　これにより、連結部の寸法を大きく確保することができる。上記溝の構造の射出成形に用いられる金型の切欠部は、上記連結部に対応して大きな寸法となる。それゆえ、上記溝の構造を射出成形により形成する場合、樹脂が溝の内側の領域へ流れやすくなる。よって、上記の構成によれば、より確実に、溝に囲まれた内側の領域に樹脂を充填することができる。
　本発明のセンサパッケージでは、上記溝は、上記半導体センサチップ搭載領域を取り囲む矩形形状に形成されているとともに、この矩形の角部から外側に延びていることが好ましい。
　上記の構成によれば、上記溝は、上記半導体センサチップ搭載領域を取り囲む矩形形状に形成されているとともに、この矩形の角部から外側に延びているので、矩形の角部で発生する応力が緩和される。よって、上記の構成によれば、センサパッケージ実装による半導体センサチップ搭載領域の変形が抑えられ、半導体センサチップの外力に対する耐性が増す。
　本発明のセンサパッケージでは、上記溝は、上記半導体センサチップ搭載領域を取り囲む矩形の角部を除く部分に形成されており、溝が形成されていない上記角部の樹脂部分が上記連結部を構成することが好ましい。
　上記の構成によれば、半導体センサチップ搭載領域を取り囲む矩形の４つの角部から４方向に樹脂を射出することで、さらに応力緩和効果が高い構造を実現することができる。
　本発明のセンサパッケージでは、上記半導体センサチップ搭載領域を取り囲む矩形の４辺のうち少なくとも１辺には上記溝が形成されておらず、残りの辺に上記溝が形成され、上記溝が形成されていない辺の樹脂部分が上記連結部を構成することが好ましい。これにより、確実に、溝に囲まれた内側の領域に樹脂を充填することができ、射出成形がより容易になる。
　本発明のセンサパッケージでは、上記溝は、上記パッケージ本体における上記半導体センサチップが搭載された底部を貫通するように形成されていることが好ましい。これにより、半導体センサチップ搭載領域がパッケージ本体から完全に切り離される。それゆえ、上記の構成によれば、半導体センサチップ搭載領域にかかる応力を低減することができる。
　本発明のセンサパッケージでは、上記溝は、上記半導体センサチップ搭載領域を取り囲む多重の矩形形状で形成されていることが好ましい。
　これにより、センサパッケージ実装時の外部応力に対する半導体センサチップ領域の変形を抑えることができる。
　本発明のセンサパッケージでは、上記多重の矩形形状の溝のうち少なくとも１つの矩形形状の溝は、上記半導体センサチップ搭載領域の真下に形成されていることが好ましい。
　これにより、これにより、半導体センサチップ搭載領域の下部に残留する応力を除去することができ、応力緩和効果が増大する。
　本発明のセンサパッケージでは、上記溝は、上記半導体センサチップ搭載領域を取り囲む渦形状に形成されており、上記渦の入口から出口までの樹脂部分が上記連結部を構成することが好ましい。
　これにより、射出成形するに際し、半導体センサチップ搭載領域へ樹脂を流入するための流路を確保することができる。それゆえ、上記の構成によれば、確実に、溝に囲まれた内側の領域に樹脂を充填することができ、射出成形がより容易になる。
　本発明のセンサパッケージでは、上記半導体センサチップは、ダイアフラム型のセンサチップであることが好ましい。
　ダイアフラム型のセンサチップは、パッケージ実装時に発生する応力の影響を受け易いので、本発明のセンサパッケージへの格納に適したセンサチップである。
　本発明のセンサパッケージは、射出成形が困難な溝を有する応力緩和構造に対し、応力緩和効果を保ちながら容易に射出成形できる。それゆえ、高度計、水圧計等に用いられる圧力センサといった、ダイアフラムを備えた半導体センサを格納するセンサパッケージに適用することができる。
　１　半導体センサチップ
　２　パッケージ本体
　３　端子台
　４　溝
　５　架橋部（連結部）
５ａ～５ｄ　架橋部（連結部）
５'、５''、５'''　　　　　樹脂部分（連結部）
　６　金型
　７　基板

Claims (14)

  1. 　半導体センサチップと、
    　上記半導体センサチップを搭載するための半導体センサチップ搭載領域を有し、樹脂の射出成形物であるパッケージ本体とを備え、
    　上記半導体センサチップが搭載された面と反対側の裏面に上記半導体センサチップ搭載領域を取り囲むように溝が形成されたセンサパッケージであって、
    　上記裏面には、上記溝の内側の樹脂部分と上記溝の外側の樹脂部分とを連結する連結部が形成されていることを特徴とするセンサパッケージ。
  2. 　上記連結部は、上記溝を構成する側壁同士を架橋する架橋部として形成されていることを特徴とする請求項１に記載のセンサパッケージ。
  3. 　上記溝は、上記半導体センサチップ搭載領域を取り囲む矩形形状に形成され、
    　上記連結部は、上記矩形形状の各辺の溝に形成されていることを特徴とする請求項１に記載のセンサパッケージ。
  4. 　上記連結部は、上記半導体センサチップ搭載領域の中央部分から、射出成形時の樹脂射出方向下流側に偏って形成されていることを特徴とする請求項１に記載のセンサパッケージ。
  5. 　上記連結部における上記溝の底面からの高さは、上記溝の深さよりも小さくなっていることを特徴とする請求項１に記載のセンサパッケージ。
  6. 　上記連結部は、上記溝の伸長方向の両端から中央部へ向かうに従い、上記溝の底面からの高さが大きくなるように形成されていることを特徴とする請求項１に記載のセンサパッケージ。
  7. 　上記溝は、上記半導体センサチップ搭載領域を取り囲む矩形形状に形成されているとともに、この矩形の角部から外側に延びていることを特徴とする請求項１に記載のセンサパッケージ。
  8. 　上記溝は、上記半導体センサチップ搭載領域を取り囲む矩形の角部を除く部分に形成されており、溝が形成されていない上記角部の樹脂部分が上記連結部を構成することを特徴とする請求項１に記載のセンサパッケージ。
  9. 　上記半導体センサチップ搭載領域を取り囲む矩形の４辺のうち少なくとも１辺には上記溝が形成されておらず、残りの辺に上記溝が形成され、上記溝が形成されていない辺の樹脂部分が上記連結部を構成することを特徴とする請求項１に記載のセンサパッケージ。
  10. 　上記溝は、上記パッケージ本体における上記半導体センサチップが搭載された底部を貫通するように形成されていることを特徴とする請求項１に記載のセンサパッケージ。
  11. 　上記溝は、上記半導体センサチップ搭載領域を取り囲む多重の矩形形状で形成されていることを特徴とする請求項１に記載のセンサパッケージ。
  12. 　上記多重の矩形形状の溝のうち少なくとも１つの矩形形状の溝は、上記半導体センサチップ搭載領域の真下に形成されていることを特徴とする請求項１１に記載のセンサパッケージ。
  13. 　上記溝は、上記半導体センサチップ搭載領域を取り囲む渦形状に形成されており、上記渦の入口から出口までの樹脂部分が上記連結部を構成することを特徴とする請求項１に記載のセンサパッケージ。
  14. 　上記半導体センサチップは、ダイアフラム型のセンサチップであることを特徴とする請求項１に記載のセンサパッケージ。
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