WO2010021260A1 - 表面処理セラミックス部材、その製造方法および真空処理装置 - Google Patents

表面処理セラミックス部材、その製造方法および真空処理装置 Download PDF

Info

Publication number
WO2010021260A1
WO2010021260A1 PCT/JP2009/064109 JP2009064109W WO2010021260A1 WO 2010021260 A1 WO2010021260 A1 WO 2010021260A1 JP 2009064109 W JP2009064109 W JP 2009064109W WO 2010021260 A1 WO2010021260 A1 WO 2010021260A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
film
ceramic member
ceramic
sintered body
treated
Prior art date
Application number
PCT/JP2009/064109
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
賢明 中野
潤一 伊東
大典 平松
忠久 荒堀
研 岡本
Original Assignee
株式会社アルバック
株式会社フェローテックセラミックス
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 株式会社アルバック, 株式会社フェローテックセラミックス filed Critical 株式会社アルバック
Priority to CN200980132385.4A priority Critical patent/CN102123970B/zh
Priority to KR1020117003716A priority patent/KR101276506B1/ko
Publication of WO2010021260A1 publication Critical patent/WO2010021260A1/ja
Priority to US13/026,356 priority patent/US8231967B2/en

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
    • C04B41/45—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements
    • C04B41/50—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements with inorganic materials
    • C04B41/5025—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements with inorganic materials with ceramic materials
    • C04B41/5035—Silica
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
    • C04B41/80—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone of only ceramics
    • C04B41/81—Coating or impregnation
    • C04B41/82—Coating or impregnation with organic materials
    • C04B41/84—Compounds having one or more carbon-to-metal of carbon-to-silicon linkages
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
    • C01B33/113—Silicon oxides; Hydrates thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
    • C01B33/113—Silicon oxides; Hydrates thereof
    • C01B33/12—Silica; Hydrates thereof, e.g. lepidoic silicic acid
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
    • C04B41/009—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone characterised by the material treated
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
    • C04B41/80—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone of only ceramics
    • C04B41/81—Coating or impregnation
    • C04B41/85—Coating or impregnation with inorganic materials
    • C04B41/87—Ceramics
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/02—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/02—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition
    • C23C18/12—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition characterised by the deposition of inorganic material other than metallic material
    • C23C18/1204—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition characterised by the deposition of inorganic material other than metallic material inorganic material, e.g. non-oxide and non-metallic such as sulfides, nitrides based compounds
    • C23C18/1208—Oxides, e.g. ceramics
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/02—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition
    • C23C18/12—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition characterised by the deposition of inorganic material other than metallic material
    • C23C18/1229—Composition of the substrate
    • C23C18/1245—Inorganic substrates other than metallic
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/02—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition
    • C23C18/12—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition characterised by the deposition of inorganic material other than metallic material
    • C23C18/125—Process of deposition of the inorganic material
    • C23C18/1254—Sol or sol-gel processing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2004/00—Particle morphology
    • C01P2004/01—Particle morphology depicted by an image
    • C01P2004/03—Particle morphology depicted by an image obtained by SEM
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
    • Y10T428/12993—Surface feature [e.g., rough, mirror]
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/249921—Web or sheet containing structurally defined element or component
    • Y10T428/249953—Composite having voids in a component [e.g., porous, cellular, etc.]
    • Y10T428/249955—Void-containing component partially impregnated with adjacent component
    • Y10T428/249956—Void-containing component is inorganic
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/249921—Web or sheet containing structurally defined element or component
    • Y10T428/249953—Composite having voids in a component [e.g., porous, cellular, etc.]
    • Y10T428/249955—Void-containing component partially impregnated with adjacent component
    • Y10T428/249956—Void-containing component is inorganic
    • Y10T428/249957—Inorganic impregnant
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/249921—Web or sheet containing structurally defined element or component
    • Y10T428/249953—Composite having voids in a component [e.g., porous, cellular, etc.]
    • Y10T428/249967—Inorganic matrix in void-containing component
    • Y10T428/249969—Of silicon-containing material [e.g., glass, etc.]

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Thermal Sciences (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Dispersion Chemistry (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Silicon Compounds (AREA)
  • Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)
  • Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)

Abstract

　気孔率が１％以下のセラミックス焼結体基材の少なくとも一部に皮膜形成表面を有するセラミックス部材であって、皮膜形成表面が、ケイ素アルコキシド化合物重合体のゾルゲル皮膜と基材表面とが混在してなる、具体的には、前記ゾルゲル皮膜の面積率が、皮膜形成表面全体の５～８０％である表面処理セラミックス部材。この表面処理セラミックス部材は、優れた耐食性を有し、パーティクルの飛散がない。

Description

表面処理セラミックス部材、その製造方法および真空処理装置
　本発明は、表面処理を施したセラミックス部材およびその製造方法に関する。より詳しくは、加熱処理に供される部材、または、処理ガス雰囲気、プラズマ雰囲気、もしくは熱処理時の真空雰囲気に曝される部材に用いるのに適した表面処理セラミックス部材およびその製造方法に関する。本発明は、さらに、表面処理セラミックス部材を用いた真空処理装置に関する。
　半導体デバイス製造装置のプラズマチャンバー用部材などは、腐食性ガスに曝される。このような部材には、耐食性に優れるセラミックスが用いられている。これは、耐食性に劣る材料では、装置寿命が短いからである、また、腐食性ガスとの反応生成物がパーティクルとしてデバイスに付着し、デバイスの品質劣化をもたらす場合もある。このような用途には、一般的なセラミックス材料（アルミナなど）の他、より耐食性に優れる材料（ＡｌＮ、Ｙ２Ｏ３など）も用いられる。
　しかしながら、材料の変更だけではパーティクルを完全に防止できない。すなわち、セラミックス部材は脆性材料の加工品であるため、必ず表層には凹部（気孔、マイクロクラック、加工傷など）が存在する。この凹部内に表面研削工程などにおいて発生した微粒子が入り込む場合がある。このような凹部内微粒子を通常の洗浄工程で完全に除去するのは難しい。また、セラミックス部材の製造工程中にはマイクロクラックが発生する場合もある。このような微粒子またはマイクロクラックが高温雰囲気、処理ガス雰囲気、プラズマ雰囲気もしくは熱処理時の真空雰囲気などに曝されると、パーティクルとして飛散する。
　従来、セラミックス部材のパーティクルの飛散を防止する方法についての提案がいくつかなされている。
　特許文献１には、「セラミックス製品を洗浄する方法であって、前記セラミックス製品の被洗浄面に溶剤を塗布し、次いでこの溶剤に可溶性の材料からなるフィルムを前記被洗浄面に接触させ、前記フィルムを前記被洗浄面から剥離させることによって前記被洗浄面を洗浄することを特徴とする、セラミックス製品の洗浄方法」に関する発明が開示されている。この発明では、溶剤によってフィルムの被洗浄面に対する接触部分が溶融し、被洗浄面の形態の凹凸に対して追従するため、被洗浄面に存在するパーティクルが、フィルムの溶融した部分に包み込まれる。その結果、フィルムを被洗浄面から剥離させると、フィルムの接触面側にパーティクルが固定化され、被洗浄面から取り除かれるとされている。
　特許文献２には、「９９．２重量％以上、９９．９９重量％以下の酸化アルミニウムと残部がアルミニウム以外の金属の酸化物からなり、平均粒子径が０．５μｍ以上、１５μｍ以下で、かつ密度が３．８８ g/cm3以上、３．９７ g/cm3以下である焼結体、または研削加工した焼結体を、１０００℃以上、１５５０℃以下の温度で０．１時間以上、６時間以下にわたり加熱処理したことを特徴とするアルミナセラミックス焼結体」に関する発明が開示されている。
　また、セラミックス材料の耐食性を向上させる方法として、主として溶射セラミックスについて、耐食性の高い皮膜を形成する発明も提案されている。
　特許文献３には「ハロゲン系腐食ガス環境下またはハロゲン系腐食ガスのプラズマの環境下で用いられる耐食性複合部材であって、基材と、基材上の少なくともハロゲン系腐食ガスまたはハロゲン系腐食ガスのプラズマに曝される部位に設けられたセラミックスゾル／ゲルにより形成された被膜とを有することを特徴とする耐食性複合部材」に関する発明が開示されている。
　特許文献４には「溶射用の前加工をした基材表面に、単一金属または合金またはサーメットあるいはセラミックスを溶射し、その後溶射皮膜内の気孔中で封孔物を形成する浸透性の良い封孔液を塗布または含浸し、時効または熱処理を行って封孔処理をした後、ガラス質形成成分を溶解または懸濁した液を刷毛塗りまたは噴霧により塗布し、常温乾燥または９００℃以下の温度で焼成することによりガラス質表層皮膜を形成することを特徴とする耐食性を有し、長期間使用に耐える複合皮膜の形成方法」に関する発明が開示されている。
　特許文献５には「セラミック部材上に設けられる複合コーティング材料であって、開気孔を有するセラミック多孔体と、前記開気孔に含浸されている樹脂とを備えていることを特徴とする、複合コーティング材料」に関する発明が開示されており、その実施例では、セラミック多孔体が溶射法によって形成されているもののみが記載されている。
　特許文献６には「溶射によって得られたセラミックス絶縁層において、気体と樹脂との温度差による収縮率の違いを利用して、このセラミックス絶縁層に発生した気孔の入口に熱硬化性樹脂からなる封孔体を形成したことを特徴とする封孔処理セラミックス絶縁層」に関する発明が記載されている。
特開平１１－２１１８７ 特開平８－８１２５８ 特開２００３－３３５５８９ 特開２００１－１５２３０７ 特開２００３－１１９０８７ 特開２００２－１８０２３３
　特許文献１に記載の発明は、セラミックスの表面にフィルムを形成し、そのフィルムを被洗浄面から剥離させることによりパーティクルの原因となる微粒子を除去するものであるが、粒界、気孔内に入り込んだ微粒子の除去は困難である。
　特許文献２に記載の発明は、１０００～１５５０℃の熱処理によってパーティクルの原因となるマイクロクラックを修復することとしているが、粒界、気孔内に入り込んだ微粒子の除去はできない。
　特許文献３～６に記載の発明は、いずれも溶射セラミックスへの皮膜形成を目的とするものであり、そもそもパーティクルの問題を解決するものではない。また、特許文献３～５は、セラミックス表面の全面に皮膜を形成させるものであるから、セラミックスの機能を発揮できない。
　また、セラミックス等の溶射によって皮膜を形成し、パーティクルを低減する方法の場合、例えば周期的に洗浄を必要とする部品については、洗浄により溶射自体が部材から剥離する為、１回または数回の洗浄ごとに再溶射を施す必要がある。この洗浄ごとの溶射費用は装置のランニングコストを上げる要因となっている。このコストを削減する為には恒久的に有効な処理方法の発明が必要となる。
　本発明者らは、上記の問題を解決するために、セラミックス焼結体が有する優れた耐食性を維持しつつ、恒久的にパーティクルの発生を防止する方法について鋭意研究を行った結果、下記の知見を得た。
　（Ａ）セラミックス焼結体の全面を皮膜で覆ったのではセラミックス焼結体が本来有する機能を発揮できず、耐食性部材としての機能が皮膜の性能によって左右されることになる。また、全面被覆の場合、剥離等の耐久性の問題がある。従って、セラミックス焼結体の全面（処理雰囲気と接触する面の全面）を覆わない構成とするのが望ましい。
　（Ｂ）パーティクルの発生原因の一つは、焼成時、研削加工時などに生じるセラミックスの微粒子の飛散によるものである。これらのセラミックス微粒子は、セラミックス焼結体表面に付着するが、超音波洗浄等の従来知られている様々な洗浄方法を用いたとしても、結晶粒界の隙間、微小気孔内、加工傷内などに入り込んだ微粒子を完全に除去することは困難である。従って、これらの微小空間に残存したセラミックス微粒子を除去するのではなく、セラミックス微粒子を微小空間内に固定することが必要である。
　（Ｃ）パーティクルの発生原因のもう一つは、セラミックス部材に生じたマイクロクラックにより発生した微小片が装置運転中に脱落することによるものである。従って、セラミックス部材の表面には、マイクロクラックによる微小片の脱落を防止するための定着材を存在させることが必要である。
　（Ｄ）上記（Ｂ）および（Ｃ）に記載された原因によるパーティクルは、装置運用の比較的初期の段階にて大量に発生する。図５は、従来のセラミックス部材および表面に定着材を被覆したセラミックス部材を半導体製造装置に適用した場合の使用時間とパーティクルの発生量との関係を示す図である。図５に示すように、従来のセラミックス部材を用いた場合、パーティクルの発生量は、運用を続けることにより徐々に低減するものの、パーティクル数が使用可能な数に減少するまでは、製品処理を行うことはできない。しかし、定着材を被覆したセラミックス部材を用いれば、初期段階からパーティクルの発生量を低減できる。そして、定着材は、装置運用中に減少するが、上記（Ｂ）および（Ｃ）に記載された原因によるパーティクルは、運用を続けるうちに低減する。このため、定着材を存在させたセラミックス部品は、恒久的にパーティクルの発生量を低いレベルに抑えることができる。
　本発明は、上記の知見に基づいてなされたものであり、セラミックス焼結体が本来有する機能を発揮しつつ、パーティクルの飛散が発生しないセラミックス部材およびその製造方法、ならびに、そのようなセラミックス部材を用いた真空処理装置を提供することを目的とする。
　本発明は、下記（１）～（５）に示す表面処理セラミックス部材、下記（６）および（７）に示す表面処理セラミックス部材の製造方法、ならびに、下記（８）に示す真空処理装置を要旨とする。
　（１）気孔率が１％以下のセラミックス焼結体基材の少なくとも一部に皮膜形成表面を有するセラミックス部材であって、皮膜形成表面が、ケイ素アルコキシド化合物重合体のゾルゲル皮膜と基材表面とが混在してなる、表面処理セラミックス部材。
　（２）前記ゾルゲル皮膜の面積率が、前記皮膜形成表面全体の５～８０％である上記（１）の表面処理セラミックス部材。
　（３）前記皮膜形成表面において、セラミックス焼結体基材表面の凹部が選択的に前記ゾルゲル皮膜によって被覆されている上記（１）または（２）の表面処理セラミックス部材。
　（４）真空処理装置または雰囲気処理装置に用いられる上記（１）～（３）のいずれかの表面処理セラミックス部材。
　（５）少なくとも処理雰囲気に接する部分に、前記皮膜形成表面が形成されている上記（４）の表面処理セラミックス部材。
　（６）気孔率が１％以下のセラミックス焼結体基材の表面にケイ素アルコキシド化合物重合体のゾルゲルからなる皮膜材を塗布した後、硬化前の皮膜材がセラミックス焼結体表面の凹部に残存するような条件で皮膜材の一部を除去し、セラミックス焼結体表面の凹部に残存した皮膜材を硬化させることを特徴とする表面処理セラミックス部材の製造方法。
　（７）皮膜材の一部の除去が、拭き取りにより行われる上記（６）の表面処理セラミックス部材の製造方法。
　（８）上記（１）～（５）のいずれかの表面処理セラミックス部材を用いた真空処理装置。
　本発明によれば、セラミックス焼結体が本来有する機能、即ち、優れた耐食性を発揮しつつ、焼結時、研削加工時などに発生し、セラミックス焼結体表面の気孔内などの微小空間に残存した微粒子またはマイクロクラックに起因して発生するパーティクルの飛散を防止することができる。さらにはこれにより、装置運用の初期段階から成膜処理等の必要な処理を行うことができる。
本発明例１のＳＥＭ像ならびにＡｌ（基材由来の元素）およびＳｉ（皮膜由来の元素）の分布 本発明例１のＳＥＭ像と、上記の手法に従って２区分化したＳｉ（皮膜由来の元素）の分布 本発明例３のＳＥＭ像ならびにＡｌ（基材由来の元素）およびＳｉ（皮膜由来の元素）の分布 本発明例３のＳＥＭ像と、上記の手法に従って２区分化したＳｉ（皮膜由来の元素）の分布 従来のセラミックス部材および表面に定着材を被覆したセラミックス部材を半導体製造装置に適用した場合の使用時間とパーティクルの発生量との関係を示す図
　１．セラミックス焼結体
　セラミックス焼結体としては、本来の化学的に安定な機能を発現させるために、気孔率が１％以下の緻密質で微小組織を呈するものを用いる。気孔率が１％を超えると、機械的特性及び耐食性が低下するからである。また、セラミックス溶射被膜の場合は、緻密に焼結した焼結体と比較すると多孔質であり、さらに機械的強度が弱いとともに、比表面積が大きいので、耐食性や耐久性も劣る。このため、脱粒などによるパーティクルが発生しやすい材料であるため、本発明の表面処理セラミックス部材には用いることができない。
　本発明に用いるセラミックス材料には、特に制限はないが、アルミナ、イットリア、ジルコニア、ムライト、コーディエライト、炭化珪素、窒化珪素、窒化アルミニウム、サイアロン等の一般的なセラミックス材料を用いることができる。このうち、特に、耐食性及び耐熱性に優れるアルミナ、窒化アルミニウム、イットリアなどを用いるのが望ましい。
　セラミックス焼結体の製造方法には、特に制限はなく、一般的な製造方法を採用すればよい。例えば、平均粒径で０．０１～１μｍ程度の粉末原料に、公知の成形バインダーを添加し、スプレードライ法などの公知の方法により造粒した後、金型プレス、ＣＩＰ（冷間静水圧成形）により得られた成形体を焼成して製造することができる。粉末原料には、必要に応じて公知の焼結助剤を添加してもよい。このとき、酸化物系セラミックスであれば、大気炉を用いることができる。また、非酸化物系セラミックスであれば、真空炉のほか、窒素、アルゴン等の雰囲気焼成炉を用いることができる。
　２．皮膜材料
　本発明の表面処理セラミックス部材は、上記のセラミックス焼結体の表面にケイ素アルコキシド化合物重合体のゾルゲル膜からなる皮膜を形成したものである。ケイ素アルコキシド化合物は、室温下もしくは加熱により重合反応が進行して容易に硬化し、装置運転中も安定的に存在するからである。また、処理されるデバイスがシリコン系材料で構成されている場合、仮に飛散した場合でも悪影響を及ぼしにくいからである。さらに、ケイ素アルコキシド化合物重合体のゾルゲル膜は、溶液を用いて膜を形成できる点で簡便であるというメリットもある。
　上記の皮膜は、セラミックス焼結体の少なくとも半導体製造装置などにおいて処理雰囲気に曝される表面に存在する凹部（結晶粒界の隙間、微小気孔、加工傷など）に選択的に埋め込まれ、凹部以外の部分にはセラミックス焼結体が露出するように形成させ、セラミックス焼結体の処理表面がセラミックス焼結体基材の表面と皮膜の表面とが混在している必要がある。ここで処理雰囲気とは、処理ガス雰囲気（アルゴンガス、水素ガス、ハロゲン等の腐食ガスなど）、プラズマ雰囲気、熱処理時の真空雰囲気などである。
　これは、前掲のように、セラミックス焼結体の凹部には微粒子などが残存しており、また、焼成工程、加工工程などにおいてマイクロクラックが形成されている場合がある。上記の皮膜は、凹部を選択的に被覆し、そこに存在する微粒子を捕捉して飛散を防止すると共に、マイクロクラック発生により生じた微小片の脱落をも防止する役割を担う。その一方で、耐食性に優れるセラミックス焼結体が露出している。このセラミックス焼結体が露出した面は、もともと凹みがない平滑な部分であるので、洗浄等により微粒子を除去しやすく、パーティクルが発生しにくいため、この部分は、セラミックス焼結体を露出させて、本来の機能を発揮させるべき部位である。
　セラミックス焼結体の処理表面における皮膜の面積率は、表面処理面全体の５～８０％を占めることが望ましい。即ち、皮膜の面積率が５％未満の場合には、上記の微粒子等の捕捉効果が不十分となり、パーティクルの飛散を防止できないおそれがあり、一方、その面積率が８０％を超えると、セラミックス焼結体の本来の機能を発揮できないおそれがある。
　皮膜の面積率は、以下の方法により求めることができる。
（１）表面処理セラミックス部材の任意箇所を波長分散型の電子プローブマイクロアナライザ（ＥＰＭＡ）にて皮膜材由来の主要元素（例えば、Ｓｉ系アルコキシド化合物の場合、主要元素はＳｉである。）の分布比率をマッピングする。
（２）上記（１）と同様の方法でセラミックス基材由来の主要元素（例えば、アルミナの場合、主要元素はＡｌである。）の分布比率をマッピングし、補完関係になっていることを確認する。
（３）検出されたＸ線検出強度とその面積比から、皮膜材由来の主要元素の面積率を求めこれを皮膜の面積率とする。具体的には、Ｘ線散乱、表面性状によるノイズの影響を除外するため、Ｘ線検出強度の最大値の０．２０倍となる値を閾値として、Ｘ線検出強度を２区分に分け、Ｘ線検出強度が閾値以上となる領域における面積率を皮膜の面積率とする。
　処理表面に基材表面と皮膜表面とを混在させるためには、前掲の皮膜材をセラミックス焼結体に塗布し、これが完全に硬化する前にウエスなどで拭き取り、乾燥、硬化させるのが有用である。この作業は、１回でも効果が発揮されるが、２回以上行うのがより望ましい。基材表面としては、研削面のほか、焼成面、熱処理面、ブラスト面などであってもよい。
　ここで、比較的平滑な面（この面には、微粒子が残存しにくい）においては、皮膜液は容易に除去できるが、凹部（気孔等）には皮膜液が残存し、これが乾燥、硬化してセラミックス焼結体の凹部が被覆される。凹部に形成された皮膜は、アンカー効果により強固に被覆されるため、脱落の心配はない。
　表１に掲げる組成および気孔率を有する種々のセラミックス基材（面粗さＲａ：０．７±０．１μｍ、寸法：３０ｍｍ×３０ｍｍ×２．５ｍｍ）を作製し、これらに表１に示す皮膜材を塗布し、ウエスで拭き取ったものを試験片とした。各種試験片について、その皮膜の面積率およびパーティクルの発生個数を求めた。また、一部の実施例については、実際に半導体製造装置の真空槽内部品を作製し、装置に実装し、使用状況を調査した。
＜皮膜の面積率＞
　ＳＥＭ試験用スパッタ成膜装置（サンユー電子製、ＳＣ－７０４）を用いて、試験片に予め金蒸着し、導電膜を形成し、分析装置（日本電子製、ＪＸＡ－８１００）により、１００μｍ×１００μｍ視野、加速電圧１５ｋＶの条件によって、ＳＥＭ像と、基材由来の元素および皮膜材由来の元素の分布をスキャニングして、マップ表示した。これにより、基材由来の元素および皮膜材由来の元素の分布が補完関係になっていることを確認した。その後、検出されたＸ線検出強度の最大値の０．２０倍となる値を閾値として２区分に分け、Ｘ線検出強度が閾値以上となる領域における面積率を皮膜の面積率とした。
＜パーティクル数＞
　純水を入れたビーカーの中に各試験片を挿入し、このビーカーを、超音波発信機を備えた槽の中に装着した後、室温で１０４ｋＨｚの超音波を１分間負荷し、ビーカーの純水中に飛散したパーティクルの数を液中パーティクルカウンター（測定範囲０．５～２０μｍ）で測定し、１μｍ以上のパーティクルの数を表１に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
　表１に示すように、本発明例１～５では、パーティクル数が１８～８１個／ｍｌと良好であった。以下、本発明例１および３についてのＳＥＭ像ならびに基材由来の元素および皮膜由来の元素の分布を示すと共に、皮膜由来の元素の分布から皮膜の面積率を求める手法を具体的に説明する。
　図１には、本発明例１のＳＥＭ像ならびにＡｌ（基材由来の元素）およびＳｉ（皮膜由来の元素）のＸ線検出強度の最大値を基準とした分布を示し、図２には、本発明例１のＳＥＭ像と、上記の手法に従って２区分化したＳｉ（皮膜由来の元素）の分布とを示している。なお、図中ＳＬがＳＥＭ像であり、ＳｉがＳｉの分布、ＡｌがＡｌの分布を示している。図１，２のＳＥＭ像並びにＡｌ、Ｓｉの分布図は、同一部位かつ１：１で対応しているため、それぞれ重ね合わせが可能である。
　図１に示すように、本発明例１では、ＡｌとＳｉとが補完関係となっており、基材表面と皮膜表面とが混在していることがわかる。また、図２に示すように、Ｓｉの分布におけるＸ線検出強度の最大値は２４０であり、その０．２０倍である４８を閾値として２区分に分けたとき、Ｘ線検出強度が閾値以上となる領域における面積率（皮膜の面積率）は１６．０％である。
　図３には、本発明例３のＳＥＭ像ならびにＡｌ（基材由来の元素）およびＳｉ（皮膜由来の元素）のＸ線検出強度の最大値を基準とした分布を示し、図４には、本発明例３のＳＥＭ像と、上記の手法に従って２区分化したＳｉ（皮膜由来の元素）の分布とを示している。なお、図中ＳＬがＳＥＭ像であり、ＳｉがＳｉの分布、ＡｌがＡｌの分布を示している。図３，４のＳＥＭ像並びにＡｌ、Ｓｉの分布図は、同一部位かつ１：１で対応しているため、それぞれ重ね合わせが可能である。
　図３に示すように、本発明例３においても、ＡｌとＳｉとが補完関係となっており、基材表面と皮膜表面とが混在していることがわかる。また、図４に示すように、Ｓｉの分布におけるＸ線検出強度の最大値は３１０であり、その０．２０倍である６２を閾値として２区分に分けたとき、Ｘ線検出強度が閾値以上となる領域における面積率（皮膜の面積率）は５０．９％である。
　一方、比較例１は、アルミナを基材に用いた例であり、比較例２は、耐食性高いことが知られているイットリア（Ｙ２Ｏ３）を基材に用いた例であるが、いずれも、皮膜を形成していないため、パーティクル数が多かった。また、全面に皮膜を形成した比較例３では、当初のパーティクル数は少ないものの、半導体製造装置のチャンバー部品として２時間使用すると剥離し、パーティクル数が急増した。比較例４～７は、いずれも基材に溶射セラミックスを用いたものであるが、いずれも気孔率が大きく、皮膜を形成させてもパーティクル数を減少させるには至らなかった。
　表１に示す本発明例３および比較例１については、半導体製造装置プラズマ処理槽で使用される防着板として設置し、パーティクルの発生数をパーティクルカウンター(KLA―Tencor社製SPI)を用いて調査した。調査は25枚のウエハーに対しプラズマ処理を行い、１、５、１０、１５、２０および２５枚目の計６枚のウエハーに対し、ウエハー上に存在する１μｍ以上のパーティクル数を測定した。その結果を表２に示す。また、本発明例３のセラミックス部材については、通常メンテナンス時に必要となる洗浄を５回行い、再度実装置に取り付け、上記と同様の方法によりパーティクルの発生数を調査した。その結果を本発明例６として、表２に併記する。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002
　表２に示すように、比較例３のセラミックス部材では、いずれのウエハーにもパーティクルが平均で１６．８個と多数付着していたが、本発明例３のセラミックス部材には、平均で１．０個とほとんど付着していなかった。また、５回の洗浄を実施した本発明例６のセラミックス部材においても、平均で３．３個と少なく、洗浄後にも本発明の効果が維持されることが確認できた。
　本発明によれば、セラミックス焼結体が本来有する機能、即ち、優れた耐食性を発揮しつつ、焼成時、研削加工時などに発生し、セラミックス焼結体表面の気孔内などの微小空間に残存した微粒子またはマイクロクラックに起因して発生するパーティクルの飛散を防止することができる。従って、本発明の表面処理セラミックス部材は、例えば、半導体デバイス製造装置、液晶ディスプレイ製造装置、精密分析機器の加熱ユニットなどにおいて、高温雰囲気、処理ガス雰囲気またはプラズマ雰囲気に曝される部材に用いるのに最適である。

Claims (8)

  1. 　気孔率が１％以下のセラミックス焼結体基材の少なくとも一部に皮膜形成表面を有するセラミックス部材であって、
    皮膜形成表面が、ケイ素アルコキシド化合物重合体のゾルゲル皮膜と基材表面とが混在してなる、
    表面処理セラミックス部材。
  2. 　前記ゾルゲル皮膜の面積率が、前記皮膜形成表面全体の５～８０％であることを特徴とする請求項１に記載の表面処理セラミックス部材。
  3. 　前記皮膜形成表面において、セラミックス焼結体基材表面の凹部が選択的に前記ゾルゲル皮膜によって被覆されていることを特徴とする請求項１または２に記載の表面処理セラミックス部材。
  4. 　真空処理装置または雰囲気処理装置に用いられることを特徴とする請求項１から３までのいずれかに記載の表面処理セラミックス部材。
  5. 　少なくとも処理雰囲気に接する部分に、前記皮膜形成表面が形成されていることを特徴とする請求項４に記載の表面処理セラミックス部材。
  6. 　気孔率が１％以下のセラミックス焼結体基材の表面にケイ素アルコキシド化合物重合体のゾルゲルからなる皮膜材を塗布した後、硬化前の皮膜材がセラミックス焼結体表面の凹部に残存するような条件で皮膜材の一部を除去し、セラミックス焼結体表面の凹部に残存した皮膜材を硬化させることを特徴とする表面処理セラミックス部材の製造方法。
  7. 　皮膜材の一部の除去が、拭き取りにより行われることを特徴とする請求項６に記載の表面処理セラミックス部材の製造方法。
  8. 　請求項１～５のいずれかに記載の表面処理セラミックス部材を用いた真空処理装置。
PCT/JP2009/064109 2008-08-20 2009-08-10 表面処理セラミックス部材、その製造方法および真空処理装置 WO2010021260A1 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN200980132385.4A CN102123970B (zh) 2008-08-20 2009-08-10 表面处理陶瓷构件、其制造方法及真空处理装置
KR1020117003716A KR101276506B1 (ko) 2008-08-20 2009-08-10 표면 처리 세라믹스 부재, 그 제조 방법 및 진공 처리 장치
US13/026,356 US8231967B2 (en) 2008-08-20 2011-02-14 Surface-treated ceramic member, method for producing the same and vacuum processing apparatus

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008-211292 2008-08-20
JP2008211292A JP5537001B2 (ja) 2008-08-20 2008-08-20 表面処理セラミックス部材、その製造方法および真空処理装置

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
US13/026,356 Continuation US8231967B2 (en) 2008-08-20 2011-02-14 Surface-treated ceramic member, method for producing the same and vacuum processing apparatus

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2010021260A1 true WO2010021260A1 (ja) 2010-02-25

Family

ID=41707138

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2009/064109 WO2010021260A1 (ja) 2008-08-20 2009-08-10 表面処理セラミックス部材、その製造方法および真空処理装置

Country Status (6)

Country Link
US (1) US8231967B2 (ja)
JP (1) JP5537001B2 (ja)
KR (1) KR101276506B1 (ja)
CN (1) CN102123970B (ja)
TW (1) TWI400217B (ja)
WO (1) WO2010021260A1 (ja)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9034199B2 (en) 2012-02-21 2015-05-19 Applied Materials, Inc. Ceramic article with reduced surface defect density and process for producing a ceramic article
US9212099B2 (en) 2012-02-22 2015-12-15 Applied Materials, Inc. Heat treated ceramic substrate having ceramic coating and heat treatment for coated ceramics
US9090046B2 (en) 2012-04-16 2015-07-28 Applied Materials, Inc. Ceramic coated article and process for applying ceramic coating
US9604249B2 (en) 2012-07-26 2017-03-28 Applied Materials, Inc. Innovative top-coat approach for advanced device on-wafer particle performance
US9343289B2 (en) 2012-07-27 2016-05-17 Applied Materials, Inc. Chemistry compatible coating material for advanced device on-wafer particle performance
DE102013104186A1 (de) * 2013-04-25 2014-10-30 Coatec Gmbh Lagerring, elektrisch isolierende Beschichtung und Verfahren zum Aufbringen einer elektrisch isolierenden Beschichtung
US9865434B2 (en) 2013-06-05 2018-01-09 Applied Materials, Inc. Rare-earth oxide based erosion resistant coatings for semiconductor application
US9850568B2 (en) 2013-06-20 2017-12-26 Applied Materials, Inc. Plasma erosion resistant rare-earth oxide based thin film coatings
US11047035B2 (en) 2018-02-23 2021-06-29 Applied Materials, Inc. Protective yttria coating for semiconductor equipment parts
CN108937607B (zh) * 2018-09-18 2021-02-05 杭州蜗牛实业有限公司 一种表面防粘炊具的制作方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06737A (ja) * 1991-03-29 1994-01-11 Shin Etsu Chem Co Ltd 静電チャック基板
JPH11312729A (ja) * 1998-04-28 1999-11-09 Kyocera Corp 静電チャック
JP2002037660A (ja) * 2000-07-24 2002-02-06 Toshiba Ceramics Co Ltd 耐プラズマ性アルミナセラミックスおよびその製造方法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60169139A (ja) * 1984-02-13 1985-09-02 Canon Inc 気相法装置
JP3126635B2 (ja) 1994-07-11 2001-01-22 東洋鋼鈑株式会社 アルミナセラミックス焼結体
JPH1121187A (ja) 1997-07-02 1999-01-26 Ngk Insulators Ltd セラミックス製品の洗浄方法
EP0985510B1 (en) * 1998-02-05 2003-09-24 Nippon Sheet Glass Co., Ltd. Article with uneven surface, process for producing the same, and composition therefor
JP2001152307A (ja) 1999-11-29 2001-06-05 Nippon Steel Hardfacing Co Ltd 耐食性を有し、長期間使用に耐える複合皮膜の形成方法およびその複合皮膜を有する部材
JP2002180233A (ja) 2000-12-14 2002-06-26 Ntn Corp 封孔処理セラミックス絶縁層および軌道輪
JP2003119087A (ja) 2001-10-17 2003-04-23 Ngk Insulators Ltd 複合コーティング材料、積層体、耐蝕性部材、耐ハロゲンガスプラズマ用部材および複合コーティング材料の製造方法
JP2003335589A (ja) 2002-05-20 2003-11-25 Nihon Ceratec Co Ltd 耐食性複合部材およびその製造方法
KR100847082B1 (ko) * 2002-10-31 2008-07-18 토소가부시키가이샤 도상돌기 수식부품 및 그 제조방법과 이를 이용한 장치

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06737A (ja) * 1991-03-29 1994-01-11 Shin Etsu Chem Co Ltd 静電チャック基板
JPH11312729A (ja) * 1998-04-28 1999-11-09 Kyocera Corp 静電チャック
JP2002037660A (ja) * 2000-07-24 2002-02-06 Toshiba Ceramics Co Ltd 耐プラズマ性アルミナセラミックスおよびその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR101276506B1 (ko) 2013-06-18
JP5537001B2 (ja) 2014-07-02
CN102123970A (zh) 2011-07-13
TW201016631A (en) 2010-05-01
JP2010047434A (ja) 2010-03-04
KR20110033860A (ko) 2011-03-31
US20110151237A1 (en) 2011-06-23
CN102123970B (zh) 2014-01-29
US8231967B2 (en) 2012-07-31
TWI400217B (zh) 2013-07-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5537001B2 (ja) 表面処理セラミックス部材、その製造方法および真空処理装置
TWI615506B (zh) 耐電漿塗膜及其形成方法
EP1277850A2 (en) Sprayed film of yttria-alumina complex oxide and method of production of said film
TWI654159B (zh) 減小曝露於含鹵素電漿下之表面腐蝕速率的方法與設備
KR100567634B1 (ko) 내식성 부재
JP2005026593A (ja) セラミック製品、耐蝕性部材およびセラミック製品の製造方法
JP2002249864A (ja) 耐ハロゲンガスプラズマ用部材およびその製造方法
WO2018083174A1 (en) Yttrium aluminum silicate glass ceramic coating for semiconductor chamber apparatus
EP3623356A1 (en) Method of pressure sintering an environmental barrier coating on a surface of a ceramic substrate
JP2004136647A (ja) 複合焼結体の製造方法、複合成形体の製造方法、複合焼結体および複合成形体
CN101555164B (zh) 提高碳化硅泡沫陶瓷高温抗氧化性能的表面涂层制备方法
JP4763452B2 (ja) 表面被覆セラミック焼結体
JP5307476B2 (ja) 表面処理セラミックス部材およびその製造方法
JP5462652B2 (ja) 表面処理セラミックス部材およびその製造方法
JP7272370B2 (ja) 窒化ケイ素基板の製造方法および窒化ケイ素基板
JP4879002B2 (ja) 半導体製造装置用部材
JPH08319582A (ja) 金属表面の絶縁性セラミックス膜及びその形成方法
JP2004031479A (ja) 静電チャック
US11827574B2 (en) Method of pressure sintering an environmental barrier coating on a surface of a ceramic substrate
JP4092122B2 (ja) 半導体製造装置用部材及びその製造方法
JP2753334B2 (ja) セラミックス基材の被膜形成方法
JP2020050536A (ja) アルミナ質焼結体
JP3936007B2 (ja) 焼成治具
KR20150000384U (ko) 내부식성 코팅된 반도체 제조 부품
JPH03124435A (ja) ジルコニア質複層膜及びその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 200980132385.4

Country of ref document: CN

121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 09808196

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 20117003716

Country of ref document: KR

Kind code of ref document: A

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 09808196

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1